WO2019038835A1 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2019038835A1
WO2019038835A1 PCT/JP2017/029960 JP2017029960W WO2019038835A1 WO 2019038835 A1 WO2019038835 A1 WO 2019038835A1 JP 2017029960 W JP2017029960 W JP 2017029960W WO 2019038835 A1 WO2019038835 A1 WO 2019038835A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
display device
frame
branch
film
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2017/029960
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雅貴 山中
庸輔 神崎
貴翁 斉藤
昌彦 三輪
誠二 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to US16/463,003 priority Critical patent/US10644096B2/en
Priority to PCT/JP2017/029960 priority patent/WO2019038835A1/ja
Publication of WO2019038835A1 publication Critical patent/WO2019038835A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • organic EL display devices using organic EL (electroluminescence) elements have attracted attention as display devices replacing liquid crystal display devices.
  • organic EL display device there has been proposed a flexible organic EL display device in which an organic EL element, various films and the like are laminated on a flexible resin substrate.
  • the organic EL display device it is demanded that a rectangular display area for displaying an image and a frame area be provided around the display area to reduce the frame area.
  • the flexible organic EL display device for example, when the frame area is reduced by bending the frame area on the terminal side, there is a possibility that the wiring disposed in the frame area may be disconnected.
  • Patent Document 1 discloses a flexible display having a redundancy design consisting of a pair of sinusoidal metal traces that are approximately 180 degrees out of phase with one another.
  • the wiring is branched into a plurality of parts and made redundant as in the above-mentioned patent document 1 at the bent portion of the frame area, the function of the wiring is maintained even if a part of the plurality of branched wirings is broken.
  • the bent portion is bent, uniform stress is likely to be applied to the plurality of branched wires, and there is a possibility that the plurality of branched wires may be uniformly disconnected, so there is room for improvement.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to suppress disconnection of a branched wiring at a bent portion of a frame region.
  • a display device comprises a resin substrate, a light emitting element forming a display region provided on the resin substrate, and a frame region provided around the display region.
  • a frame provided in a terminal area provided at an end of the frame area, a bent area provided between the display area and the terminal area, and the frame area, connected to the light emitting element and extended to the terminal area
  • the frame wiring includes a plurality of branched wirings branched into a plurality of branches in the bent portion, and the plurality of branched wirings are at least two types with respect to the resin substrate. It is characterized in that it is arranged at the height.
  • the frame wiring since the frame wiring includes the plurality of branch wirings branched in plural at the bending portion, and the plurality of branch wirings are arranged at at least two kinds of heights with respect to the resin substrate, the frame region is bent. In the part, disconnection of the branched wiring can be suppressed.
  • FIG. 1 is a plan view of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the display area of the organic EL display taken along the line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view showing a frame area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display taken along the line VI-VI in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display taken along line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display taken along line VIII-VIII in FIG.
  • FIG. 9 is a plan view showing a frame area of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display taken along the line XX in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display taken along the line XI-XI in FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display taken along the line XII-XII in FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a frame area of a modification of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 14 is a plan view showing a frame area of an organic EL display device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a plan view showing a frame area of a first modified example of the organic EL display device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a plan view showing a frame area of a second modified example of the organic EL display device according to the other embodiment of the present invention.
  • First Embodiment 1 to 8 show a first embodiment of a display device according to the present invention.
  • an organic EL display device provided with an organic EL element is illustrated as a display device provided with a light emitting element.
  • FIG. 1 is a plan view of the organic EL display device 30a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 30a along the line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing the TFT layer 29 constituting the organic EL display device 30a.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the organic EL layer 16 constituting the organic EL display device 30a.
  • FIG. 1 is a plan view of the organic EL display device 30a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 30a along the line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing the TFT layer 29 constituting the
  • FIG. 5 is a plan view showing the frame area of the organic EL display device 30a.
  • 6, 7 and 8 are cross-sectional views of the frame region F of the organic EL display device 30 a taken along the lines VI-VI, VII-VII and VIII-VIII in FIG.
  • the organic EL display device 30 a includes a display area D for displaying an image defined in a rectangular shape and a frame area F defined around the display area D.
  • the organic EL elements 19 are provided, and a plurality of pixels are arranged in a matrix.
  • a sub-pixel for performing red gradation display, a sub-pixel for performing green gradation display, and a sub-pixel for performing blue gradation display They are arranged side by side.
  • a terminal portion T is provided at the right end of the frame area F in the drawing.
  • a bent portion B which is bent at 180 ° (U-shape) with the longitudinal direction in the figure as an axis of bending. It is provided along one side (right side in the drawing) of the display area D.
  • the organic EL display device 30a is provided as a light emitting element on the surface of the resin substrate layer 10, the TFT layer 29 provided on the surface of the resin substrate layer 10, and the TFT layer 29 in the display region D as shown in FIG.
  • the organic EL element 19 is provided, a surface side protective layer 25 a provided on the surface of the organic EL element 19, and a back side protective layer 25 b provided on the back side of the resin substrate layer 10.
  • the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like having a thickness of about 10 ⁇ m to 20 ⁇ m, and is provided as a resin substrate.
  • the TFT layer 29 includes a base coat film 11a provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 12ta (see FIG. 3) provided on the base coat film 11a, and a plurality of second TFTs 12tb.
  • a TFT planarization film 13a is provided on each first TFT 12ta and each second TFT 12tb.
  • a plurality of gate lines 26 are provided so as to extend parallel to each other in the lateral direction in the drawing.
  • a plurality of source lines 27a are provided so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the figure.
  • a plurality of power supply lines 27b are provided adjacent to the respective source lines 27a so as to extend in parallel in the vertical direction in the drawing. Further, in the TFT layer 29, as shown in FIG. 3, the first TFT 12ta, the second TFT 12tb, and the capacitor 28 are provided in each sub-pixel.
  • the base coat film 11 a is formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
  • the first TFT 12 ta is connected to the corresponding gate line 26 and source line 27 a in each sub-pixel.
  • the second TFT 12 tb is connected to the corresponding first TFT 12 ta and the power supply line 27 b in each sub-pixel.
  • the first TFT 12 ta and the second TFT 12 tb are, for example, a semiconductor layer provided in an island shape on the base coat film 11 a, a gate insulating film 12 a provided so as to cover the semiconductor layer (see FIG. 6), and a gate insulating film.
  • a source electrode and a drain electrode are provided on the interlayer insulating film 12d and arranged to be separated from each other.
  • the top gate type first TFT 12 ta and the second TFT 12 tb are illustrated in the present embodiment, the first TFT 12 ta and the second TFT 12 tb may be bottom gate type TFTs.
  • the capacitor 28 is connected to the corresponding first TFT 12 ta and the power supply line 27 b in each sub-pixel as shown in FIG. 3.
  • the capacitor 28 is, for example, one electrode formed in the same layer by the same material as the gate electrode, the other electrode formed in the same layer by the same material as the source electrode and the drain electrode, and a pair of them. It is comprised by the 1st interlayer insulation film 12c and / or the 2nd interlayer insulation film 12d (refer FIG. 6) provided between the electrodes.
  • the TFT planarization film 13a is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material such as a polyimide resin.
  • the organic EL element 19 includes a plurality of first electrodes 14, an edge cover 15, a plurality of organic EL layers 16, a second electrode 17, and a sealing film sequentially provided on the TFT planarization film 13 a. It has eighteen.
  • the plurality of first electrodes 14 are provided in a matrix on the TFT planarization film 13a so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
  • the first electrode 14 is connected to the drain electrode of each second TFT 12tb via a contact hole formed in the TFT planarization film 13a.
  • the first electrode 14 has a function of injecting holes into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And metal materials such as lithium fluoride (LiF).
  • the material which comprises the 1st electrode 14 is magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation, for example Astatine (AtO 2 ), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. It may be an alloy.
  • the material constituting the first electrode 14 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like. It may be. Further, the first electrode 14 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. In addition, as a material with a large work function, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. are mentioned, for example.
  • the edge cover 15 is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral portion of each first electrode 14.
  • silicon nitride SiN x (x is a positive number)
  • silicon oxide SiO 2
  • trisilicon tetranitride Si 3 N 4
  • silicon oxynitride Inorganic films such as a ride (SiNO)
  • organic films such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polysiloxane resin, and a novolak resin, are mentioned.
  • each organic EL layer 16 is disposed on the respective first electrodes 14 and provided in a matrix so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
  • each organic EL layer 16 is provided with a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4 and an electron injection sequentially provided on the first electrode 14.
  • the layer 5 is provided.
  • the hole injection layer 1 is also referred to as an anode buffer layer, and has the function of improving the hole injection efficiency from the first electrode 14 to the organic EL layer 16 by bringing the energy levels of the first electrode 14 and the organic EL layer 16 closer.
  • the material constituting the hole injection layer for example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, phenylenediamine derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, Hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like can be mentioned.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the transport efficiency of holes from the first electrode 14 to the organic EL layer 16.
  • a material constituting the hole transport layer 2 for example, porphyrin derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylenevinylene, polysilane, triazole derivative, oxadiazole Derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amine-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, hydrogenated amorphous silicon, Hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, zinc selenide and the like can be mentioned.
  • the light emitting layer 3 holes and electrons are injected from the first electrode 14 and the second electrode 17, respectively, and holes and electrons are recombined when a voltage is applied by the first electrode 14 and the second electrode 17. It is an area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high light emission efficiency.
  • a metal oxinoid compound [8-hydroxy quinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenyl ethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, a coumarin derivative, for example , Benzoxazole derivative, oxadiazole derivative, oxazole derivative, benzimidazole derivative, thiadiazole derivative, benzthiazole derivative, styryl derivative, styrylamine derivative, bisstyrylbenzene derivative, trisstyrylbenzene derivative, perylene derivative, perinone derivative, aminopyrene derivative, Pyridine derivatives, rhodamine derivatives, aquidin derivatives, phenoxazone, quinacridone derivatives, rubrene, poly-p-phenylene vinylet , Polysilane, and the like.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • a material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, oxadiazole derivative, triazole derivative, benzoquinone derivative, naphthoquinone derivative, anthraquinone derivative, tetracyanoanthraquinodimethane derivative, diphenoquinone derivative, fluorenone derivative And silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 17 and the organic EL layer 16 closer to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 17 to the organic EL layer 16.
  • the drive voltage of the organic EL element 19 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
  • the 2nd electrode 17 is provided so that each organic EL layer 16 and the edge cover 15 may be covered, as shown in FIG.
  • the second electrode 17 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 16.
  • the second electrode 17 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the electron injection efficiency into the organic EL layer 16.
  • the second electrode 17 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And lithium fluoride (LiF).
  • the second electrode 17 may be, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxide astatine (AtO 2) And lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. May be
  • the second electrode 17 may be formed of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. .
  • the second electrode 17 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
  • a material having a small work function for example, magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
  • the sealing film 18 is provided so as to cover the second electrode 17 as shown in FIG. 2 and has a function of protecting the organic EL layer 16 from moisture and oxygen.
  • a material forming the sealing film 18 for example, silicon nitride (SiN x (SiN x) such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), tetrasilicon nitride (Si 3 N 4 )) x is a positive number), inorganic materials such as silicon carbonitride (SiCN), and organic materials such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide.
  • the surface side protective layer 25a and the back surface side protective layer 25b are made of, for example, a polyimide resin having a thickness of about 2 ⁇ m.
  • the resin substrate layer 10 provided on the surface of the resin substrate layer 10
  • the inorganic laminated film A frame flattening film 21 provided so as to fill the opening A of La
  • a plurality of frame wirings 22 a provided so as to extend parallel to each other on the surface of the inorganic laminated film La and the frame flattening film 21, and each frame And a TFT planarization film 13a provided so as to cover the wiring 22a.
  • the inorganic laminated film La includes a base coat film 11a, a gate insulating film 12a, a first interlayer insulating film 12c, and a second interlayer insulating film 12d sequentially stacked on the resin substrate layer 10. ing. Further, as shown in FIGS. 6 and 7, the inorganic laminated film La is not provided in the bent portion B by having the opening portion A. Further, as shown in FIGS. 6 and 7, a first gate conductive layer 12ba and a second gate conductive layer 12bb are provided between the gate insulating film 12a and the first interlayer insulating film 12c of the inorganic laminated film La. There is.
  • the first gate conductive layer 12 ba is connected to the signal wiring (gate line, source line, power supply line, etc.) of the organic EL element 19 in the display area D.
  • the second gate conductive layer 12bb is provided to extend to the terminal portion T.
  • the front surface side protective layer 25a and the rear surface side protective layer 25b disposed in the display area D are also provided in most of the frame area F, but are not provided in the bent portion B of the frame area F. .
  • the frame flattening film 21a is made of, for example, an organic insulating film such as a polyimide resin having a thickness of about 2 ⁇ m.
  • the frame wiring 22a is provided between the frame flattening film 21 and the TFT flat film 13a in the bending portion B, as shown in FIGS. 5 to 8, and the first branch wiring 22aa and the first branch wiring 22aa branched into two are provided.
  • a second branch wiring 22ab is provided. Further, as shown in FIGS. 5 to 7, both ends of the frame wiring 22a are the first gate conductive layer via contact holes Ca and Cb formed in the first interlayer insulating film 12c and the second interlayer insulating film 12d. It is connected to 12ba and the 2nd gate electric conduction layer 12bb, respectively.
  • the frame wiring 22a is formed of, for example, a metal laminated film such as titanium film (about 200 nm thick) / aluminum film (about 100 nm thick) / titanium film (about 200 nm thick).
  • the frame wiring 22a formed of a metal laminated film is illustrated, but the frame wiring 22a may be formed of a metal single layer film.
  • the frame wiring 22a provided with the first branch wiring 22aa and the second branch wiring 22ab branched into two is illustrated, but the frame wiring 22a may be branched into three or more.
  • the frame wiring 22a connected to the first gate conductive layer 12ba and the second gate conductive layer 12bb is illustrated in the present embodiment, the frame wiring 22a may be connected to the conductive layers of other layers. .
  • the first branch wiring 22aa is provided so as to pass through the inside of the groove 21g formed on the surface of the frame flattening film 21, as shown in FIG. 5, FIG. 6, and FIG. Further, as shown in FIGS. 5, 7 and 8, the second branch wiring 22ab is provided outside the groove 21g formed on the surface of the frame flattening film 21. Therefore, as shown in FIG. 8, the first branch wiring 22aa is provided at a height Ha (for example, about 0.25 ⁇ m to 1.5 ⁇ m) from the surface of the resin substrate layer 10, and the second branch wiring 22ab is a resin It is provided at a height Hb (for example, about 0.5 ⁇ m to about 3.0 ⁇ m) from the surface of the substrate layer 10.
  • a height Ha for example, about 0.25 ⁇ m to 1.5 ⁇ m
  • Hb for example, about 0.5 ⁇ m to about 3.0 ⁇ m
  • the organic EL display device 30a described above has flexibility, and in each sub-pixel, the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 is appropriately caused to emit light through the first TFT 12ta and the second TFT 12tb to perform image display. It is configured.
  • the organic EL display device 30a of the present embodiment can be manufactured as follows.
  • the base coat film 11a and the organic EL element 19 are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on the glass substrate using a known method, and the surface side protective layer is formed on the organic EL element 19 via the adhesive layer. After sticking 25a, it can manufacture by sticking the back surface side protective layer 25b through the adhesive layer on the back surface of the resin substrate layer 10 which made the glass substrate peel.
  • the frame wiring 22 of the frame area F is formed when forming the source electrode and the drain electrode of the first TFT 12 ta (second TFT 12 tb) that constitutes the organic EL element 19.
  • the frame flattening film 21 of the frame area F is a photosensitive organic compound such as polyimide resin only in the frame area F before the source electrode and drain electrode of the first TFT 12 ta (second TFT 12 tb) constituting the organic EL element 19 are formed.
  • the insulating film is formed and formed by patterning using a halftone mask, a gray tone mask, or the like.
  • the frame wiring 22a is provided with the first branch wiring 22aa and the second branch wiring 22ab branched into two at the bending portion B, and the first branch wiring 22aa and the second branch wiring 22ab are disposed at different heights Ha and Hb relative to the resin substrate layer 10. Therefore, when the bent portion B is bent, the stresses applied to the first branch wiring 22aa and the second branch wiring 22ab are different from each other. As a result, when the bent portion B is bent, it is suppressed that the first branch wiring 22aa and the second branch wiring 22ab are uniformly disconnected. Therefore, the first branch that is branched at the bent portion B of the frame area F It is possible to suppress the disconnection of the wiring 22aa and the second branch wiring 22ab.
  • FIG. 9 is a plan view showing the frame area F of the organic EL display device 30b of the present embodiment.
  • 10, 11 and 12 are cross-sectional views of the frame area F of the organic EL display device 30b taken along the lines XX, XI-XI and XII-XII in FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a frame area F of an organic EL display device 30ba which is a modification of the organic EL display device 30b, and is a view corresponding to FIG.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 8 are assigned the same reference numerals and detailed explanations thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 30a in which the step is formed between the first branch wiring 22aa and the second branch wiring 22ab by using the groove 21g of the frame flattening film 21 is exemplified.
  • the organic EL display device 30b in which a step is formed between the first branch wiring 22ba and the second branch wiring 22bb by using the groove 11g of the base coat film 11b is illustrated.
  • the organic EL display device 30b has a display region D for displaying an image defined in a rectangular shape and a frame region F defined around the display region D. And have.
  • the display area D of the organic EL display device 30 b has a configuration similar to that of the organic EL display device 30 a of the first embodiment.
  • the resin substrate layer 10 in the frame area F, the resin substrate layer 10, the inorganic laminated film Lb provided on the surface of the resin substrate layer 10, and the inorganic laminated film
  • a frame wiring 22b is provided on the surface of Lb so as to extend in parallel with each other, and a TFT planarization film 13b is provided to cover each frame wiring 22b.
  • the inorganic laminated film Lb includes a base coat film 11b, a gate insulating film 12a, a first interlayer insulating film 12c, and a second interlayer insulating film 12d sequentially stacked on the resin substrate layer 10. ing.
  • the gate insulating film 12a, the first interlayer insulating film 12c, and the second interlayer insulating film 12d of the inorganic laminated film Lb are provided in the bent portion B by having the opening A as shown in FIGS. 10 and 11. It is not done. Further, as shown in FIGS.
  • a first gate conductive layer 12ba and a second gate conductive layer 12bb are provided between the gate insulating film 12a and the first interlayer insulating film 12c of the inorganic laminated film Lb.
  • the front surface side protective layer 25a and the rear surface side protective layer 25b disposed in the display area D are also provided in most of the frame area F, but are not provided in the bent portion B of the frame area F. .
  • the frame wiring 22b is provided between the base coat film 11b and the TFT planarization film 13b at the bending portion B as shown in FIGS. 9 to 12, and the first branch wiring 22ba and the second branch wiring 22b branched into two are provided.
  • a 2-branch wiring 22bb is provided. Further, as shown in FIGS. 9 to 11, both ends of the frame wiring 22b are the first gate conductive layer via contact holes Ca and Cb formed in the first interlayer insulating film 12c and the second interlayer insulating film 12d. It is connected to 12ba and the 2nd gate electric conduction layer 12bb, respectively.
  • the frame wiring 22b is formed of, for example, a metal laminated film such as titanium film (about 200 nm thick) / aluminum film (about 100 nm thick) / titanium film (about 200 nm thick).
  • a metal laminated film such as titanium film (about 200 nm thick) / aluminum film (about 100 nm thick) / titanium film (about 200 nm thick).
  • the frame wiring 22b formed of a metal laminated film is illustrated, but the frame wiring 22b may be formed of a metal single layer film.
  • the frame wiring 22b including the first branch wiring 22ba and the second branch wiring 22bb branched into two is illustrated, but the frame wiring 22b may be branched into three or more.
  • the first branch wiring 22ba is provided so as to pass through the inside of the groove 11g formed on the surface of the base coat film 11b, as shown in FIGS.
  • the groove 11g is provided so as to penetrate the base coat film 11b.
  • the second branch wiring 22bb is provided outside the groove 11g formed on the surface of the base coat film 11b. Therefore, as shown in FIG. 12, the first branch wiring 22ba is provided on the surface of the resin substrate layer 10, and the second branch wiring 22bb has a height Hb (for example, 0.1 ⁇ m to about) from the surface of the resin substrate layer 10. (About 0.5 ⁇ m).
  • Hb for example, 0.1 ⁇ m to about
  • the base coat film 11b is formed thinner at the bent portion B where the second branch wiring 22bb is disposed than at the portion of the display area D, so the second branch wiring 22bb is broken. Can be suppressed.
  • the thinly formed portion of the base coat film 11 b at the bent portion B is formed with a plurality of slits S in order to suppress the occurrence of cracks. It may be divided into a plurality.
  • the organic EL display device 30 b described above has flexibility, and in each sub-pixel, the organic EL layer 16 is formed via the first TFT 12 ta and the second TFT 12 tb. By appropriately emitting light from the light emitting layer 3, an image is displayed.
  • the organic EL display device 30b changes the pattern shape of the base coat film 11a using a halftone mask, a gray tone mask, or the like. , Can be manufactured.
  • the first branch wiring 22b includes the first branch wiring 22ba and the second branch wiring 22bb in which the frame wiring 22b is branched into two at the bending portion B. 22ba and the second branch wiring 22bb are arranged at different heights with respect to the resin substrate layer 10. Therefore, when the bent portion B is bent, stresses applied to the first branch wiring 22ba and the second branch wiring 22bb are different from each other. Thereby, when the bent portion B is bent, it is suppressed that the first branch wiring 22ba and the second branch wiring 22bb are uniformly disconnected. Therefore, the first branch that is branched at the bending portion B of the frame region F It is possible to suppress the disconnection of the wiring 22ba and the second branch wiring 22bb.
  • FIGS. 14 to 16 are plan views showing the frame area F of the organic EL display devices 30c to 30e of the present embodiment.
  • the first branch wiring 22ca and the second branch wiring 22cb constituting the frame wiring 22c are formed by the connecting portions 22cc formed at two positions in the middle portion thereof. It is connected.
  • a step is formed using a groove G formed on the surface of a base coat film, a frame flattening film or the like.
  • the connecting portion 22 cc is provided to get over the step G due to the two types of heights.
  • the first branch wiring 22da and the second branch wiring 22db constituting the frame wiring 22d are diagonally connected by the connection portion 22dc formed in the middle portion thereof.
  • a step is formed between the first branch wiring 22da and the second branch wiring 22db using a groove G formed on the surface of a base coat film, a frame flattening film, or the like.
  • the connecting portion 22dc is provided to get over the step G due to the two types of heights.
  • the first branch wiring 22ea and the second branch wiring 22eb constituting the frame wiring 22e are connected by the connection portions 22ec formed at a plurality of locations in the middle portion thereof. ing.
  • the frame wiring 22e is provided in a chain shape in plan view.
  • a step is formed between the first branch wiring 22ea and the second branch wiring 22eb using a groove G formed on the surface of the base coat film, the frame flattening film, or the like.
  • the connection portion 22 ec is provided to get over the step G due to the two types of heights.
  • the organic EL display device is exemplified as the display device, but the present invention is a display device including a plurality of light emitting elements driven by current, for example, a light emitting element using a quantum dot containing layer
  • the present invention can be applied to a display device equipped with a QLED (Quantum-dot light emitting diode).
  • the organic EL layer having a five-layer laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer is exemplified. It may be a three-layer laminated structure of a hole injection layer and hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and electron injection layer.
  • the organic EL display device is exemplified in which the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
  • the laminated structure of the organic EL layer is reversed and the first electrode is a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device in which the second electrode is an anode.
  • the organic EL display device in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is the drain electrode is exemplified.
  • the electrode of the TFT connected to the first electrode is the source electrode
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device to be called.
  • the present invention is useful for flexible display devices.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

額縁領域（Ｆ）に設けられた額縁配線（２２ａ）は、折り曲げ部において、複数に分岐した複数の分岐配線（２２ａａ、２２ａｂ）を備え、複数の分岐配線（２２ａａ、２２ａｂ）は、樹脂基板に対して、少なくとも２種類の高さに配置されている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板上に有機ＥＬ素子や種々のフィルム等が積層されたフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う矩形状の表示領域と、その表示領域の周囲に額縁領域とが設けられ、額縁領域を縮小させることが要望されている。そして、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、例えば、端子側の額縁領域を折り曲げることにより、額縁領域を縮小させると、その額縁領域に配置された配線が断線するおそれがある。
　例えば、特許文献１には、互いにおよそ１８０度位相がずれた一対の正弦波形の金属配線からなる冗長性デザインを備えたフレキシブルディスプレイが開示されている。
特表２０１６－５０３５１５号公報
　ところで、額縁領域の折り曲げ部において、上記特許文献１のように、配線を複数に分岐して冗長化すると、分岐した複数の配線の一部が断線しても、配線の機能が維持されるものの、折り曲げ部を折り曲げた際に、分岐した複数の配線に一様な応力が加わり易いので、分岐した複数の配線が一様に断線するおそれがあるので、改善の余地がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、額縁領域の折り曲げ部において、分岐した配線の断線を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に設けられた表示領域を構成する発光素子と、上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、上記表示領域及び端子部の間に設けられた折り曲げ部と、上記額縁領域に設けられ、上記発光素子に接続されて上記端子部に延びる額縁配線とを備えた表示装置であって、上記額縁配線は、上記折り曲げ部において、複数に分岐した複数の分岐配線を備え、上記複数の分岐配線は、上記樹脂基板に対して、少なくとも２種類の高さに配置されていることを特徴とする。
　本発明によれば、額縁配線が折り曲げ部において複数に分岐した複数の分岐配線を備え、複数の分岐配線が樹脂基板に対して少なくとも２種類の高さに配置されているので、額縁領域の折り曲げ部において、分岐した配線の断線を抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。 図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層を示す等価回路図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域を示す平面図である。 図６は、図５中のVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図７は、図５中のVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図８は、図５中のVIII－VIII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域を示す平面図である。 図１０は、図９中のX－X線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図１０は、図９中のXI－XI線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図１１は、図９中のXII－XII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例の額縁領域を示す断面図であり、図１１に相当する図である。 図１４は、本発明のその他の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域を示す平面図である。 図１５は、本発明のその他の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１の変形例の額縁領域を示す平面図である。 図１６は、本発明のその他の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２の変形例の額縁領域を示す平面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図８は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの平面図である。また、図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置３０ａを構成するＴＦＴ層２９を示す等価回路図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置３０ａを構成する有機ＥＬ層１６を示す断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置３０ａの額縁領域を示す平面図である。また、図６、図７及び図８は、図５中のVI－VI線、VII－VII線及びVIII－VIII線に沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの額縁領域Ｆの断面図である。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図１に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置３０ａの表示領域Ｄには、図２に示すように、有機ＥＬ素子１９が設けられていると共に、複数の画素がマトリクス状に配列されている。なお、表示領域Ｄの各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。また、額縁領域Ｆの図中右端部には、図１に示すように、端子部Ｔが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図１に示すように、図中縦方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げられる折り曲げ部Ｂが表示領域Ｄの一辺（図中右辺）に沿うように設けられている。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図２に示すように、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に設けられたＴＦＴ層２９と、ＴＦＴ層２９の表面に発光素子として設けられた有機ＥＬ素子１９と、有機ＥＬ素子１９の表面に設けられた表面側保護層２５ａと、樹脂基板層１０の裏面に設けられた裏面側保護層２５ｂとを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、厚さ１０μｍ～２０μｍ程度のポリイミド樹脂等により構成され、樹脂基板として設けられている。
　ＴＦＴ層２９は、図２に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１ａと、ベースコート膜１１ａ上に設けられた複数の第１ＴＦＴ１２ｔａ（図３参照）及び複数の第２ＴＦＴ１２ｔｂと、各第１ＴＦＴ１２ｔａ及び各第２ＴＦＴ１２ｔｂ上に設けられたＴＦＴ平坦化膜１３ａとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２９では、図３に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線２６が設けられている。また、ＴＦＴ層２９では、図３に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線２７ａが設けられている。また、ＴＦＴ層２９では、図３に示すように、各ソース線２７ａと隣り合って、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線２７ｂが設けられている。また、ＴＦＴ層２９では、図３に示すように、各サブ画素において、第１ＴＦＴ１２ｔａ、第２ＴＦＴ１２ｔｂ及びキャパシタ２８が設けられている。
　ベースコート膜１１ａは、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ１２ｔａは、図３に示すように、各サブ画素において、対応するゲート線２６及びソース線２７ａに接続されている。また、第２ＴＦＴ１２ｔｂは、図３に示すように、各サブ画素において、対応する第１ＴＦＴ１２ｔａ及び電源線２７ｂに接続されている。ここで、第１ＴＦＴ１２ｔａ及び第２ＴＦＴ１２ｔｂは、例えば、ベースコート膜１１ａ上に島状に設けられた半導体層と、半導体層を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２ａ（図６参照）と、ゲート絶縁膜１２ａ上に半導体層の一部と重なるように設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられた第１層間絶縁膜１２ｃ及び第２層間絶縁膜１２ｄ（図６参照）と、第２層間絶縁膜１２ｄ上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極とを備えている。なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ１２ｔａ及び第２ＴＦＴ１２ｔｂを例示したが、第１ＴＦＴ１２ｔａ及び第２ＴＦＴ１２ｔｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ２８は、図３に示すように、各サブ画素において、対応する第１ＴＦＴ１２ｔａ及び電源線２７ｂに接続されている。ここで、キャパシタ２８は、例えば、ゲート電極と同一材料により同一層に形成された一方の電極と、ソース電極及びドレイン電極と同一材料により同一層に形成された他方の電極と、それらの一対の電極の間に設けられた第１層間絶縁膜１２ｃ及び／又は第２層間絶縁膜１２ｄ（図６参照）とにより構成されている。
　ＴＦＴ平坦化膜１３ａは、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子１９は、図２に示すように、ＴＦＴ平坦化膜１３ａ上に順に設けられた複数の第１電極１４、エッジカバー１５、複数の有機ＥＬ層１６、第２電極１７及び封止膜１８を備えている。
　複数の第１電極１４は、図２に示すように、複数のサブ画素に対応するように、ＴＦＴ平坦化膜１３ａ上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極１４は、図２に示すように、ＴＦＴ平坦化膜１３ａに形成されたコンタクトホールを介して、各第２ＴＦＴ１２ｔｂのドレイン電極に接続されている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極１４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極１４を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極１４を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極１４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー１５は、図２に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等の無機膜、又はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層１６は、図２に示すように、各第１電極１４上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層１６は、図４に示すように、第１電極１４上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極１４及び第２電極１７による電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極１７と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７から有機ＥＬ層１６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子１９の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極１７は、図２に示すように、各有機ＥＬ層１６及びエッジカバー１５を覆うように設けられている。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極１７を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極１７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜１８は、図２に示すように、第２電極１７を覆うように設けられ、有機ＥＬ層１６を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、封止膜１８を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料が挙げられる。
　表面側保護層２５ａ及び裏面側保護層２５ｂは、例えば、厚さ２μｍ程度のポリイミド樹脂等により構成されている。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図５、図６及び図７に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に設けられた無機積層膜Ｌａと、無機積層膜Ｌａの開口部Ａを埋めるように設けられた額縁平坦化膜２１と、無機積層膜Ｌａ及び額縁平坦化膜２１の表面に互いに平行に延びるように設けられた複数の額縁配線２２ａと、各額縁配線２２ａを覆うように設けられたＴＦＴ平坦化膜１３ａとを備えている。
　無機積層膜Ｌａは、図６及び図７に示すように、樹脂基板層１０上に順に積層されたベースコート膜１１ａ、ゲート絶縁膜１２ａ、第１層間絶縁膜１２ｃ及び第２層間絶縁膜１２ｄを備えている。また、無機積層膜Ｌａは、図６及び図７に示すように、開口部Ａを有することにより、折り曲げ部Ｂに設けられていない。また、無機積層膜Ｌａのゲート絶縁膜１２ａ及び第１層間絶縁膜１２ｃの間には、図６及び図７に示すように、第１ゲート導電層１２ｂａ及び第２ゲート導電層１２ｂｂが設けられている。ここで、第１ゲート導電層１２ｂａは、表示領域Ｄの有機ＥＬ素子１９の信号配線（ゲート線、ソース線、電源線等）に接続されている。また、第２ゲート導電層１２ｂｂは、端子部Ｔに延びるように設けられている。なお、表示領域Ｄに配置された表面側保護層２５ａ及び裏面側保護層２５ｂは、額縁領域Ｆの大部分にも設けられているが、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂには、設けられていない。
　額縁平坦化膜２１ａは、例えば、厚さ２μｍ程度のポリイミド樹脂等の有機絶縁膜により構成されている。
　額縁配線２２ａは、図５～図８に示すように、折り曲げ部Ｂにおいて、額縁平坦化膜２１及びＴＦＴ平坦膜１３ａの間に挟まれて設けられ、２つに分岐した第１分岐配線２２ａａ及び第２分岐配線２２ａｂを備えている。また、額縁配線２２ａの両端部は、図５～図７に示すように、第１層間絶縁膜１２ｃ及び第２層間絶縁膜１２ｄに形成されたコンタクトホールＣａ及びＣｂを介して第１ゲート導電層１２ｂａ及び第２ゲート導電層１２ｂｂにそれぞれ接続されている。また、額縁配線２２ａは、例えば、チタン膜（厚さ２００ｎｍ程度）／アルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）／チタン膜（厚さ２００ｎｍ程度）等の金属積層膜により構成されている。なお、本実施形態では、金属積層膜により構成された額縁配線２２ａを例示したが、額縁配線２２ａは、金属単層膜により構成されていてもよい。また、本実施形態では、２つに分岐した第１分岐配線２２ａａ及び第２分岐配線２２ａｂを備えた額縁配線２２ａを例示したが、額縁配線２２ａは、３つ以上に分岐していてもよい。また、本実施形態では、第１ゲート導電層１２ｂａ及び第２ゲート導電層１２ｂｂに接続された額縁配線２２ａを例示したが、額縁配線２２ａは、その他の層の導電層に接続されていてもよい。
　第１分岐配線２２ａａは、図５、図６及び図８に示すように、額縁平坦化膜２１の表面に形成された溝２１ｇの内部を通るように設けられている。また、第２分岐配線２２ａｂは、図５、図７及び図８に示すように、額縁平坦化膜２１の表面に形成された溝２１ｇの外部に設けられている。そのため、図８に示すように、第１分岐配線２２ａａは、樹脂基板層１０の表面から高さＨａ（例えば、０．２５μｍ～１．５μｍ程度）に設けられ、第２分岐配線２２ａｂは、樹脂基板層１０の表面から高さＨｂ（例えば、０．５μｍ～３．０μｍ程度）に設けられている。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ａは、可撓性を有し、各サブ画素において、第１ＴＦＴ１２ｔａ及び第２ＴＦＴ１２ｔｂを介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａは、以下のようにして製造することができる。
　例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１ａ及び有機ＥＬ素子１９を形成し、有機ＥＬ素子１９上に接着層を介して表面側保護層２５ａを貼り付けた後に、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の裏面に接着層を介して裏面側保護層２５ｂを貼り付けることにより、製造することができる。ここで、額縁領域Ｆの額縁配線２２は、有機ＥＬ素子１９を構成する第１ＴＦＴ１２ｔａ（第２ＴＦＴ１２ｔｂ）のソース電極及びドレイン電極を形成する際に形成される。また、額縁領域Ｆの額縁平坦化膜２１は、有機ＥＬ素子１９を構成する第１ＴＦＴ１２ｔａ（第２ＴＦＴ１２ｔｂ）のソース電極及びドレイン電極を形成する前に、額縁領域Ｆだけにポリイミド樹脂等の感光性有機絶縁膜を成膜して、ハーフトーンマスクやグレートーンマスク等を用いてパターニングすることにより形成される。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａによれば、額縁配線２２ａが折り曲げ部Ｂにおいて２つに分岐した第１分岐配線２２ａａ及び第２分岐配線２２ａｂを備え、第１分岐配線２２ａａ及び第２分岐配線２２ａｂが樹脂基板層１０に対して異なる高さＨａ及びＨｂに配置されている。そのため、折り曲げ部Ｂを折り曲げた際に、第１分岐配線２２ａａ及び第２分岐配線２２ａｂに加わる応力が互いに異なることになる。これにより、折り曲げ部Ｂを折り曲げた際に、第１分岐配線２２ａａ及び第２分岐配線２２ａｂが一様に断線することが抑制されるので、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、分岐した第１分岐配線２２ａａ及び第２分岐配線２２ａｂの断線を抑制することができる。
　《第２の実施形態》
　図９～図１３は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂの額縁領域Ｆを示す平面図である。また、図１０、図１１及び図１２は、図９中のX－X線、XI－XI線及びXII－XII線に沿った有機ＥＬ表示装置３０ｂの額縁領域Ｆの断面図である。また、図１３は、有機ＥＬ表示装置３０ｂの変形例である有機ＥＬ表示装置３０ｂａの額縁領域Ｆを示す断面図であり、図１１に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、額縁平坦化膜２１の溝２１ｇを利用して第１分岐配線２２ａａ及び第２分岐配線２２ａｂの間に段差を形成した有機ＥＬ表示装置３０ａを例示したが、本実施形態では、ベースコート膜１１ｂの溝１１ｇを利用して第１分岐配線２２ｂａ及び第２分岐配線２２ｂｂの間に段差を形成した有機ＥＬ表示装置３０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置３０ｂの表示領域Ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様な構成になっている。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図９、図１０及び図１１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に設けられた無機積層膜Ｌｂと、無機積層膜Ｌｂの表面に互いに平行に延びるように設けられた額縁配線２２ｂと、各額縁配線２２ｂを覆うように設けられたＴＦＴ平坦化膜１３ｂとを備えている。
　無機積層膜Ｌｂは、図１０及び図１１に示すように、樹脂基板層１０上に順に積層されたベースコート膜１１ｂ、ゲート絶縁膜１２ａ、第１層間絶縁膜１２ｃ及び第２層間絶縁膜１２ｄを備えている。また、無機積層膜Ｌｂのゲート絶縁膜１２ａ、第１層間絶縁膜１２ｃ及び第２層間絶縁膜１２ｄは、図１０及び図１１に示すように、開口部Ａを有することにより、折り曲げ部Ｂに設けられていない。また、無機積層膜Ｌｂのゲート絶縁膜１２ａ及び第１層間絶縁膜１２ｃの間には、図１０及び図１１に示すように、第１ゲート導電層１２ｂａ及び第２ゲート導電層１２ｂｂが設けられている。なお、表示領域Ｄに配置された表面側保護層２５ａ及び裏面側保護層２５ｂは、額縁領域Ｆの大部分にも設けられているが、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂには、設けられていない。
　額縁配線２２ｂは、図９～図１２に示すように、折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１ｂ及びＴＦＴ平坦化膜１３ｂの間に挟まれて設けられ、２つに分岐した第１分岐配線２２ｂａ及び第２分岐配線２２ｂｂを備えている。また、額縁配線２２ｂの両端部は、図９～図１１に示すように、第１層間絶縁膜１２ｃ及び第２層間絶縁膜１２ｄに形成されたコンタクトホールＣａ及びＣｂを介して第１ゲート導電層１２ｂａ及び第２ゲート導電層１２ｂｂにそれぞれ接続されている。また、額縁配線２２ｂは、例えば、チタン膜（厚さ２００ｎｍ程度）／アルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）／チタン膜（厚さ２００ｎｍ程度）等の金属積層膜により構成されている。なお、本実施形態では、金属積層膜により構成された額縁配線２２ｂを例示したが、額縁配線２２ｂは、金属単層膜により構成されていてもよい。また、本実施形態では、２つに分岐した第１分岐配線２２ｂａ及び第２分岐配線２２ｂｂを備えた額縁配線２２ｂを例示したが、額縁配線２２ｂは、３つ以上に分岐していてもよい。
　第１分岐配線２２ｂａは、図９、図１０及び図１２に示すように、ベースコート膜１１ｂの表面に形成された溝１１ｇの内部を通るように設けられている。ここで、溝１１ｇは、図１０及び図１２に示すように、ベースコート膜１１ｂを貫通するように設けられている。また、第２分岐配線２２ｂｂは、図９、図１１及び図１２に示すように、ベースコート膜１１ｂの表面に形成された溝１１ｇの外部に設けられている。そのため、図１２に示すように、第１分岐配線２２ｂａは、樹脂基板層１０の表面に設けられ、第２分岐配線２２ｂｂは、樹脂基板層１０の表面から高さＨｂ（例えば、０．１μｍ～０．５μｍ程度）に設けられている。ここで、ベースコート膜１１ｂは、図１１に示すように、第２分岐配線２２ｂｂが配置された折り曲げ部Ｂにおいて、表示領域Ｄの部分よりも薄く形成されているので、第２分岐配線２２ｂｂの破断を抑制することができる。なお、図１３に示す変形例の有機ＥＬ表示装置３０ｂａのように、折り曲げ部Ｂのベースコート膜１１ｂの薄く形成された部分は、クラックの発生を抑制するために、複数のスリットＳを形成して複数に分割されていてもよい。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素において、第１ＴＦＴ１２ｔａ及び第２ＴＦＴ１２ｔｂを介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法において、ハーフトーンマスクやグレートーンマスク等を用いてベースコート膜１１ａのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂによれば、額縁配線２２ｂが折り曲げ部Ｂにおいて２つに分岐した第１分岐配線２２ｂａ及び第２分岐配線２２ｂｂを備え、第１分岐配線２２ｂａ及び第２分岐配線２２ｂｂが樹脂基板層１０に対して異なる高さに配置されている。そのため、折り曲げ部Ｂを折り曲げた際に、第１分岐配線２２ｂａ及び第２分岐配線２２ｂｂに加わる応力が互いに異なることになる。これにより、折り曲げ部Ｂを折り曲げた際に、第１分岐配線２２ｂａ及び第２分岐配線２２ｂｂが一様に断線することが抑制されるので、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、分岐した第１分岐配線２２ｂａ及び第２分岐配線２２ｂｂの断線を抑制することができる。
　《その他の実施形態》
　上記第１及び第２実施形態では、有機ＥＬ表示装置３０ａ及び３０ｂにおいて、一対の分岐配線が両端部で接続された額縁配線２２ａ及び２２ｂを例示したが、額縁配線は、図１４～図１６に示すような額縁配線２２ｃ～２２ｅであってもよい。ここで、図１４～図１６は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃ～３０ｅの額縁領域Ｆを示す平面図である。
　具体的に、有機ＥＬ表示装置３０ｃでは、図１４に示すように、額縁配線２２ｃを構成する第１分岐配線２２ｃａ及び第２分岐配線２２ｃｂがその中間部分の２箇所に形成された接続部２２ｃｃにより接続されている。ここで、第１分岐配線２２ｃａ及び第２分岐配線２２ｃｂの間には、ベースコート膜や額縁平坦化膜等の表面に形成した溝Ｇを用いて段差が形成されている。また、接続部２２ｃｃは、２種類の高さによる段差Ｇを乗り越えるように設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置３０ｄでは、図１５に示すように、額縁配線２２ｄを構成する第１分岐配線２２ｄａ及び第２分岐配線２２ｄｂがその中間部分に形成された接続部２２ｄｃにより斜めに接続されている。ここで、第１分岐配線２２ｄａ及び第２分岐配線２２ｄｂの間には、ベースコート膜や額縁平坦化膜等の表面に形成した溝Ｇを用いて段差が形成されている。また、接続部２２ｄｃは、２種類の高さによる段差Ｇを乗り越えるように設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置３０ｅでは、図１６に示すように、額縁配線２２ｅを構成する第１分岐配線２２ｅａ及び第２分岐配線２２ｅｂがその中間部分の複数箇所に形成された接続部２２ｅｃにより接続されている。ここで、額縁配線２２ｅは、図１６に示すように、平面視で鎖状に設けられている。また、第１分岐配線２２ｅａ及び第２分岐配線２２ｅｂの間には、ベースコート膜や額縁平坦化膜等の表面に形成した溝Ｇを用いて段差が形成されている。また、接続部２２ｅｃは、２種類の高さによる段差Ｇを乗り越えるように設けられている。
　なお、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　また、上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ａ　　　　（無機絶縁膜の）開口部
Ｂ　　　　折り曲げ部
Ｄ　　　　表示領域
Ｆ　　　　額縁領域
Ｇ　　　　溝
Ｔ　　　　端子部
１０　　　樹脂基板層（樹脂基板）
１１ｂ　　ベースコート膜（無機絶縁膜）
１１ｇ　　（ベースコート膜の）開口部
１２ａ　　ゲート絶縁膜（無機絶縁膜）
１２ｃ　　第１層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１２ｄ　　第２層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１３ａ，１３ｂ　　ＴＦＴ平坦化膜
１９　　　有機ＥＬ素子（発光素子）
２１　　　額縁平坦化膜
２１ｇ　　溝
２２ａ～２２ｅ　　額縁配線
２２ａａ，２２ｂａ，２２ｃａ，２２ｄａ，２２ｅａ　　第１分岐配線
２２ａｂ，２２ｂｂ，２２ｃｂ，２２ｄｂ，２２ｅｂ　　第２分岐配線
２２ｃｃ，２２ｄｃ，２２ｅｃ　　接続部
２９　　　ＴＦＴ層
３０ａ～３０ｅ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (9)

  1. 　樹脂基板と、
    　上記樹脂基板上に設けられた表示領域を構成する発光素子と、
    　上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
    　上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、
    　上記表示領域及び端子部の間に設けられた折り曲げ部と、
    　上記額縁領域に設けられ、上記発光素子に接続されて上記端子部に延びる額縁配線とを備えた表示装置であって、
    　上記額縁配線は、上記折り曲げ部において、複数に分岐した複数の分岐配線を備え、
    　上記複数の分岐配線は、上記樹脂基板に対して、少なくとも２種類の高さに配置されていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記樹脂基板及び発光素子の間には、複数の無機絶縁膜及びＴＦＴ平坦化膜を有するＴＦＴ層が設けられ、
    　上記折り曲げ部において、上記複数の無機絶縁膜の少なくとも１つには、開口部が形成され、該開口部を埋めるように額縁平坦化膜が設けられ、
    　上記額縁配線は、上記折り曲げ部において、上記額縁平坦化膜及びＴＦＴ平坦化膜の間に挟まれて設けられ、
    　上記複数の分岐配線は、上記額縁平坦化膜上に設けられた一対の分岐配線であり、
    　上記額縁平坦化膜の表面には、溝が形成され、
    　上記一対の分岐配線における一方の分岐配線は、上記溝の内部を通るように設けられ、
    　上記一対の分岐配線における他方の分岐配線は、上記溝の外部に設けられていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記樹脂基板及び発光素子の間には、最下層のベースコート膜を含む複数の無機絶縁膜、及びＴＦＴ平坦化膜を有するＴＦＴ層が設けられ、
    　上記折り曲げ部において、上記複数の無機絶縁膜の少なくとも１つには、開口部が形成され、該開口部を埋めるようにＴＦＴ平坦化膜が設けられ、
    　上記額縁配線は、上記折り曲げ部において、上記ベースコート膜及びＴＦＴ平坦化膜の間に挟まれて設けられ、
    　上記複数の分岐配線は、一対の分岐配線であり、
    　上記一対の分岐配線における一方の分岐配線は、上記ベースコート膜に形成された開口部から露出する上記樹脂基板上に設けられ、
    　上記一対の分岐配線における他方の分岐配線は、上記ベースコート膜上に設けられていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項２又は３に記載された表示装置において、
    　上記一対の分岐配線は、上記２種類の高さによる段差を乗り越えるように設けられた接続部により上記折り曲げ部の中間部分で互いに接続されていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項４に記載された表示装置において、
    　上記一対の分岐配線は、平面視で鎖状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項３に記載された表示装置において、
    　上記他方の分岐配線が設けられている部分における上記ベースコート膜は、上記表示領域における上記ベースコート膜よりも薄くなっていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項６に記載された表示装置において、
    　上記他方の分岐配線が設けられている部分における上記ベースコート膜は、複数のスリットにより、複数に分割されていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項１～７の何れか１つに記載の表示装置において、
    　前記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項１～８の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記樹脂基板及び平坦化膜は、ポリイミド樹脂により構成されていることを特徴とする表示装置。
PCT/JP2017/029960 2017-08-22 2017-08-22 表示装置 Ceased WO2019038835A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/463,003 US10644096B2 (en) 2017-08-22 2017-08-22 Display device
PCT/JP2017/029960 WO2019038835A1 (ja) 2017-08-22 2017-08-22 表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/029960 WO2019038835A1 (ja) 2017-08-22 2017-08-22 表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019038835A1 true WO2019038835A1 (ja) 2019-02-28

Family

ID=65438445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/029960 Ceased WO2019038835A1 (ja) 2017-08-22 2017-08-22 表示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10644096B2 (ja)
WO (1) WO2019038835A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110797352A (zh) * 2019-11-08 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
WO2020255350A1 (ja) * 2019-06-20 2020-12-24 シャープ株式会社 表示装置
CN113615319A (zh) * 2019-03-29 2021-11-05 夏普株式会社 显示装置及其制造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111819614B (zh) * 2018-03-09 2022-03-04 夏普株式会社 显示装置
KR102812509B1 (ko) * 2019-06-07 2025-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220010692A (ko) * 2020-07-17 2022-01-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20230102394A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011237661A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Dainippon Printing Co Ltd デバイス装置及びディスプレイ装置
JP2014197181A (ja) * 2013-03-07 2014-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20160174304A1 (en) * 2014-12-10 2016-06-16 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with multiple types of micro-coating layers
JP2017111435A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル表示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5720222B2 (ja) * 2010-12-13 2015-05-20 ソニー株式会社 表示装置及び電子機器
KR101971201B1 (ko) * 2012-08-20 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 양면 표시 장치 및 이의 제작 방법
US9601557B2 (en) 2012-11-16 2017-03-21 Apple Inc. Flexible display

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011237661A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Dainippon Printing Co Ltd デバイス装置及びディスプレイ装置
JP2014197181A (ja) * 2013-03-07 2014-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20160174304A1 (en) * 2014-12-10 2016-06-16 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with multiple types of micro-coating layers
JP2017111435A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル表示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113615319A (zh) * 2019-03-29 2021-11-05 夏普株式会社 显示装置及其制造方法
CN113615319B (zh) * 2019-03-29 2024-01-05 夏普株式会社 显示装置及其制造方法
WO2020255350A1 (ja) * 2019-06-20 2020-12-24 シャープ株式会社 表示装置
CN110797352A (zh) * 2019-11-08 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110797352B (zh) * 2019-11-08 2022-10-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10644096B2 (en) 2020-05-05
US20190326383A1 (en) 2019-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10580849B2 (en) Display device including an inorganic residual layer defined in an opening of a bending section
WO2019038835A1 (ja) 表示装置
US11957015B2 (en) Display device
US20190372034A1 (en) Display device
US10971566B2 (en) Display device including frame wiring in bending section
WO2018179035A1 (ja) 表示装置
WO2019163030A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
US10636855B2 (en) Display device
CN111433929B (zh) 显示装置
US12446412B2 (en) Display device and production method thereof
CN112136169A (zh) 显示装置
WO2019064437A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
US11430856B2 (en) Display device with island-shaped conductors overlapping wiring lines in bending portion
US11380222B2 (en) Display device
CN107535026B (zh) 有机el显示装置
WO2019171581A1 (ja) 表示装置
US11508798B2 (en) Display device having circular, oval, polygonal frame with opening in bending portion
US20190363152A1 (en) Display device
WO2019064429A1 (ja) 表示装置
US11522162B2 (en) Display device with wiring line between islands in bending region
US11508921B2 (en) Display device and method for manufacturing same where a resin layer containing air bubbles
WO2019064439A1 (ja) 表示装置
WO2019064395A1 (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17922386

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17922386

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1