WO2019026285A1 - 表示装置 - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 88
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 10
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 9
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 4
- RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N astatine atom Chemical compound [At] RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical class 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 1
- YZVWKHVRBDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 1-aminopyrene Chemical class C1=C2C(N)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 YZVWKHVRBDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 4-penten-2-one Chemical class CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Chemical class 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001788 chalcone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Chemical class 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Chemical class 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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Definitions
- the present invention relates to a display device.
- organic EL display devices using organic EL (electroluminescence) elements have attracted attention as display devices replacing liquid crystal display devices.
- organic EL display device there has been proposed a flexible organic EL display device in which an organic EL element, various films and the like are laminated on a flexible resin substrate.
- the organic EL display device it is demanded that a rectangular display area for displaying an image and a frame area be provided around the display area to reduce the frame area.
- the flexible organic EL display device for example, when the frame area is reduced by bending the frame area on the terminal side, there is a possibility that the wiring disposed in the frame area may be broken.
- Patent Document 1 discloses a light emitting device provided in a region in which a wiring having a concavo-convex shape in a cross sectional view is easily expanded and contracted.
- the present invention has been made in view of such a point, and the object of the present invention is to bend at an axis exactly orthogonal to the extending direction of the wiring and to bend at an axis not exactly orthogonal to the extending direction of the wiring. Is to suppress the breakage of the wiring with respect to the
- a display device includes a resin substrate, a light emitting element forming a rectangular display region provided on the resin substrate, and a frame provided around the display region An area, a terminal part provided at an end of the frame area, a bent part provided between the display area and the terminal area, and the frame area provided in the frame area and connected to the light emitting element; And a protective film provided to cover the frame wiring, wherein the bent portion extends in a direction intersecting with one side of the display area on the terminal portion side.
- An insulating film having a groove formed on the surface is provided, and the frame wiring is provided so as to intersect the groove between the insulating film and the protective film at the bent portion.
- the bent portion of the frame region is provided with an insulating film on the surface of which a groove extending in a direction intersecting with one side of the display region on the terminal portion side is provided. Since the protective film is provided so as to be bent to intersect the groove, wiring for bending at an axis exactly perpendicular to the extending direction of the wiring and bending at an axis not exactly orthogonal to the extending direction of the wiring Can be suppressed.
- FIG. 1 is a plan view of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic EL display taken along the line II-II in FIG.
- FIG. 3 is a cross-sectional view showing an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 4 is a plan view showing a frame area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 5 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device taken along the line VV in FIG.
- FIG. 6 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display taken along the line VI-VI in FIG. FIG.
- FIG. 7 is a plan view showing a frame area of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
- FIG. 8 is a plan view showing a frame area of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
- FIG. 9 is a plan view showing a frame area of a first organic EL display device according to another embodiment of the present invention.
- FIG. 10 is a plan view showing a frame area of a second organic EL display device according to another embodiment of the present invention.
- FIG. 11 is a plan view showing a frame area of a third organic EL display device according to another embodiment of the present invention.
- First Embodiment 1 to 6 show a first embodiment of a display device according to the present invention.
- an organic EL display device provided with an organic EL element is illustrated as a display device provided with a light emitting element.
- FIG. 1 is a plan view of the organic EL display device 30a of the present embodiment.
- FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic EL display device 30a taken along the line II-II in FIG.
- FIG. 3 is a cross-sectional view showing the organic EL layer 16 constituting the organic EL display device 30a.
- FIG. 4 is a plan view showing the frame area F of the organic EL display device 30a.
- 5 and 6 are cross-sectional views of the frame area F of the organic EL display device 30a taken along the lines VV and VI-VI in FIG.
- the organic EL display device 30 a includes a display area D for displaying an image defined in a rectangular shape and a frame area F defined around the display area D.
- the organic EL elements 19 are provided, and a plurality of pixels are arranged in a matrix.
- a sub-pixel for performing red gradation display, a sub-pixel for performing green gradation display, and a sub-pixel for performing blue gradation display They are arranged side by side.
- terminal portions T are provided in a rectangular shape at an upper end portion of the frame area F in the drawing.
- a bent portion C which is bent at 180 ° (U-shape) with the lateral direction in the figure as an axis of bending. It is provided along one side (upper side in the drawing) of the display area D.
- the organic EL display device 30 a includes the resin substrate layer 10, the base coat film 11 provided on the surface of the resin substrate layer 10, and the organic layer provided on the surface of the base coat film 11.
- An EL element 19 and a back surface side protective layer 25 b provided on the back surface of the resin substrate layer 10 are provided.
- the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like having a thickness of about 10 ⁇ m to 20 ⁇ m, and is provided as a resin substrate.
- the base coat film 11 is formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
- the organic EL element 19 includes a plurality of TFTs 12 sequentially provided on the base coat film 11, a planarization film 13, a plurality of first electrodes 14, an edge cover 15, a plurality of organic EL layers 16, and A two-electrode 17 and a sealing film 18 are provided.
- the plurality of TFTs 12 are provided on the base coat film 11 so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
- the TFT 12 includes, for example, a semiconductor layer provided in an island shape on the base coat film 11, a gate insulating film 12a (see FIG. 5) provided so as to cover the semiconductor layer, and a semiconductor on the gate insulating film 12a.
- a gate electrode provided so as to overlap with a part of the layer, an interlayer insulating film 12c (see FIG. 5) provided so as to cover the gate electrode, and an interlayer insulating film 12c Source and drain electrodes.
- the top gate type TFT 12 is illustrated in this embodiment, the TFT 12 may be a bottom gate type TFT.
- the planarization film 13 is provided so as to cover other than a part of the drain electrode of each TFT 12 as shown in FIG.
- the planarization film 13 is made of, for example, an organic resin material such as a polyimide resin.
- the plurality of first electrodes 14 are provided in a matrix on the planarization film 13 so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
- the first electrode 14 is connected to the drain electrode of each TFT 12 through a contact hole formed in the planarization film 13.
- the first electrode 14 has a function of injecting holes into the organic EL layer 16.
- the first electrode 14 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 16.
- the first electrode 14 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And metal materials such as lithium fluoride (LiF).
- the material which comprises the 1st electrode 14 is magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation, for example Astatine (AtO 2 ), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. It may be an alloy.
- the material constituting the first electrode 14 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like. It may be. Further, the first electrode 14 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. In addition, as a material with a large work function, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. are mentioned, for example.
- the edge cover 15 is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral portion of each first electrode 14.
- silicon nitride SiN x (x is a positive number)
- silicon oxide SiO 2
- trisilicon tetranitride Si 3 N 4
- silicon oxynitride Inorganic films such as a ride (SiNO)
- organic films such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polysiloxane resin, and a novolak resin, are mentioned.
- each organic EL layer 16 is disposed on the respective first electrodes 14 and provided in a matrix so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
- each organic EL layer 16 is provided with a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4 and an electron injection sequentially provided on the first electrode 14.
- the layer 5 is provided.
- the hole injection layer 1 is also referred to as an anode buffer layer, and has the function of improving the hole injection efficiency from the first electrode 14 to the organic EL layer 16 by bringing the energy levels of the first electrode 14 and the organic EL layer 16 closer.
- the material constituting the hole injection layer for example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, phenylenediamine derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, Hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like can be mentioned.
- the hole transport layer 2 has a function of improving the transport efficiency of holes from the first electrode 14 to the organic EL layer 16.
- a material constituting the hole transport layer 2 for example, porphyrin derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylenevinylene, polysilane, triazole derivative, oxadiazole Derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amine-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, hydrogenated amorphous silicon, Hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, zinc selenide and the like can be mentioned.
- the light emitting layer 3 holes and electrons are injected from the first electrode 14 and the second electrode 17, respectively, and holes and electrons are recombined when a voltage is applied by the first electrode 14 and the second electrode 17. It is an area.
- the light emitting layer 3 is formed of a material having high light emission efficiency.
- a metal oxinoid compound [8-hydroxy quinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenyl ethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, a coumarin derivative, for example , Benzoxazole derivative, oxadiazole derivative, oxazole derivative, benzimidazole derivative, thiadiazole derivative, benzthiazole derivative, styryl derivative, styrylamine derivative, bisstyrylbenzene derivative, trisstyrylbenzene derivative, perylene derivative, perinone derivative, aminopyrene derivative, Pyridine derivatives, rhodamine derivatives, aquidin derivatives, phenoxazone, quinacridone derivatives, rubrene, poly-p-phenylene vinylet , Polysilane, and the like.
- the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
- a material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, oxadiazole derivative, triazole derivative, benzoquinone derivative, naphthoquinone derivative, anthraquinone derivative, tetracyanoanthraquinodimethane derivative, diphenoquinone derivative, fluorenone derivative And silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
- the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 17 and the organic EL layer 16 closer to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 17 to the organic EL layer 16.
- the drive voltage of the organic EL element 19 can be lowered.
- the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
- a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
- the 2nd electrode 17 is provided so that each organic EL layer 16 and the edge cover 15 may be covered, as shown in FIG.
- the second electrode 17 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 16.
- the second electrode 17 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the electron injection efficiency into the organic EL layer 16.
- the second electrode 17 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And lithium fluoride (LiF).
- the second electrode 17 may be, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxide astatine (AtO 2) And lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. May be
- the second electrode 17 may be formed of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. .
- the second electrode 17 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
- a material having a small work function for example, magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
- the sealing film 18 is provided so as to cover the second electrode 17 as shown in FIG. 2 and has a function of protecting the organic EL layer 16 from moisture and oxygen.
- a material forming the sealing film 18 for example, silicon nitride (SiN x (SiN x) such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), tetrasilicon nitride (Si 3 N 4 )) x is a positive number), inorganic materials such as silicon carbonitride (SiCN), and organic materials such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide.
- the back surface side protective layer 25 b is made of, for example, a polyethylene terephthalate (PET) resin or the like having a thickness of about 75 ⁇ m.
- PET polyethylene terephthalate
- the organic EL display device 30a includes the resin substrate layer 10, the insulating film 21 provided in contact with the surface of the resin substrate layer 10, and the insulating film 21 in the frame region F.
- a frame wiring 22a provided on the surface and a planarization film 13 provided as a protective film so as to cover the frame wiring 22a are provided.
- the base coat film 11, the gate insulating film 12a and the interlayer insulating film 12c disposed in the display area D are also provided in most of the frame area F, as shown in FIG. It is not provided at a bent portion of a part of the terminal portions T.
- the back surface side protective layer 25b disposed in the display area D is also provided in most of the frame area F, but as shown in FIG. Absent.
- the insulating film 21 is made of, for example, an organic insulating film such as a polyimide resin having a thickness of about 2 ⁇ m. Further, on the surface of the insulating film 21, a plurality of grooves 21a are formed so as to extend in a direction (vertical direction in FIG. 1) intersecting (for example, orthogonally) with one side of the display region D on the terminal portion T side.
- the groove 21a is, for example, about 6 ⁇ m in width, about 1.5 mm in length, about 0.5 ⁇ m in depth, and has a side surface inclined at about 45 ° with respect to the surface.
- the frame wiring 22a is connected to the signal wiring (gate line, source line, power supply line, etc.) of the organic EL element 19 in the display area D via the first gate conductive layer 12ba. Further, as shown in FIG. 5, the frame wiring 22a is connected to a second gate conductive layer 12bb provided so as to extend to the terminal portion T.
- the frame wiring 22a is formed of, for example, a metal laminated film such as titanium film (about 100 nm thick) / aluminum film (about 700 nm thick) / titanium film (about 50 nm thick). In the present embodiment, the frame wiring 22a formed of a metal laminated film is illustrated, but the frame wiring 22a may be formed of a metal single layer film. Further, as shown in FIG.
- the frame wiring 22 a is bent at a bending portion C so as to intersect a pair of grooves 21 a adjacent to each other in plan view a plurality of times between the insulating film 21 and the planarizing film 13.
- the frame wiring 22a is provided on the insulating film 21 so as to be bent so as to straddle the neutral plane N of the multilayer body L in a cross sectional view.
- the neutral plane N does not receive any compression or tension, and substantially does not receive bending stress. It is a surface that does not occur.
- the organic EL display device 30a described above has flexibility, and is configured to perform image display by appropriately emitting light from the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 through the TFT 12 in each sub-pixel. .
- the organic EL display device 30a of the present embodiment can be manufactured as follows.
- the base coat film 11 and the organic EL element 19 are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on the glass substrate using a known method, and the surface side protective layer is formed on the organic EL element 19 through the adhesive layer. 25a is attached, then the back surface side protective layer 25b is attached to the back surface of the resin substrate layer 10 from which the glass substrate has been peeled off via an adhesive layer, and the surface side protective layer 25a and the adhesive layer below it are removed. , Can be manufactured.
- the frame wiring 22 a of the frame area F is formed when forming the source electrode and the drain electrode of the TFT 12 that constitutes the organic EL element 19.
- the insulating film 21 of the frame region F forms a photosensitive organic insulating film such as polyimide resin only on the frame region F, It is formed by patterning using a half tone mask, a gray tone mask or the like.
- the frame wiring 22a intersects the pair of grooves 21a in plan view between the insulating film 21 and the planarizing film 13 to form the frame wiring 22a. Is bent in a wavelike manner so as to straddle the neutral plane N of the laminate L in a sectional view. Therefore, in the bending portion C of the organic EL display device 30a, the structure (see FIG. 6) of the frame wiring 22a bent in a wavelike manner so as to cross the neutral plane N of the multilayer body L in a cross sectional view extends in the extending direction of the frame wiring 22a. It will continue in the direction which diagonally crosses to (the short side direction of terminal area T).
- breakage of the frame wiring 22a can be suppressed for each bending where the axis of bending is arranged in the long side direction and the short side direction of the terminal portion T, and therefore, the direction orthogonal to the extending direction of the frame wiring 22a is accurately determined. It is possible to suppress breakage of the frame wiring 22a due to bending at the rotating axis and bending at an axis that is not exactly orthogonal to the extending direction of the frame wiring 22a.
- FIG. 7 shows a second embodiment of the display device according to the present invention.
- FIG. 7 is a plan view showing the frame area F of the organic EL display device 30b of the present embodiment.
- the same parts as those in FIGS. 1 to 6 are assigned the same reference numerals and detailed explanations thereof will be omitted.
- the organic EL display device 30a in which the frame wiring 22a having a substantially constant thickness is provided is illustrated, but in the present embodiment, the organic EL in which the frame wiring 22b having the thick line portion W is provided.
- the display device 30b is illustrated.
- the organic EL display device 30b has a display region D for displaying an image defined in a rectangular shape and a frame region F defined around the display region D. And have.
- the display area D of the organic EL display device 30 b has a configuration similar to that of the organic EL display device 30 a of the first embodiment.
- the organic EL display device 30 b includes the resin substrate layer 10, an insulating film 21 provided in contact with the surface of the resin substrate layer 10, and a frame wiring 22 b provided on the surface of the insulating film 21.
- a planarizing film 13 is provided as a protective film so as to cover the frame wiring 22b.
- the frame wiring 22 b is connected to the signal wiring (gate line, source line, power supply line, etc.) of the organic EL element 19 in the display area D via the first gate conductive layer 12 ba. Further, the frame wiring 22b is connected to the second gate conductive layer 12bb provided to extend to the terminal portion T.
- the frame wiring 22b is formed of, for example, a metal laminated film such as a titanium film (about 100 nm thick) / an aluminum film (about 700 nm thick) / a titanium film (about 50 nm thick). Further, as shown in FIG. 7, the frame wiring 22 b is bent so as to intersect a pair of grooves 21 a adjacent to each other in plan view a plurality of times at the bending portion C as shown in FIG. 7.
- the frame wiring 22b is provided with a thick line portion W formed thicker at the bottom of the groove 21a than the portion formed outside the groove 21a. Further, the frame wiring 22 b is provided in a wave shape by bending so as to straddle the neutral plane N of the multilayer body L on the insulating film 21 in a cross sectional view.
- the organic EL display device 30b described above has flexibility, and the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 is formed via the TFT 12 in each sub-pixel. It is configured to perform image display by appropriately emitting light.
- the organic EL display device 30b of the present embodiment can be manufactured by changing the pattern shape of the frame wiring 22a in the method of manufacturing the organic EL display device 30a of the first embodiment.
- the frame wiring 22b intersects the pair of grooves 21a in plan view between the insulating film 21 and the planarizing film 13 to form the frame wiring 22b. Is bent in a wavelike manner so as to straddle the neutral plane N of the laminate L in a sectional view. Therefore, in the bending portion C of the organic EL display device 30b, the structure of the frame wiring 22b bent in a wavelike manner so as to cross the neutral plane N of the multilayer body L in a cross sectional view It will be continuous in the direction obliquely crossing the short side direction).
- breakage of the frame wiring 22b can be suppressed with respect to each bending in which the axis of bending is disposed in the long side direction and the short side direction of the terminal portion T, and therefore, the orthogonal to the extending direction of the frame wiring 22b It is possible to suppress breakage of the frame wiring 22b with respect to bending at an axis to be bent and bending at an axis not exactly orthogonal to the extending direction of the frame wiring 22b.
- the frame wire 22b is provided with the thick line portion W formed thicker at the bottom of the groove 21a than the portion formed outside the groove 21a, the frame wire As well as lowering the wiring resistance 22 b, breakage of the frame wiring 22 b can be further suppressed.
- FIG. 8 shows a third embodiment of the display device according to the present invention.
- FIG. 8 is a plan view showing the frame area F of the organic EL display device 30c of the present embodiment.
- the organic EL display device 30b provided with the frame wiring 22b including the thick wire portion W is illustrated.
- the frame wiring 22c including the thick wire portion W and the bottom conductive layer B The organic EL display device 30c is provided.
- the organic EL display device 30c has a display region D for displaying an image defined in a rectangular shape and a frame region F defined around the display region D. And have.
- the display area D of the organic EL display device 30c has a configuration similar to that of the organic EL display device 30a of the first embodiment.
- the organic EL display device 30 c includes the resin substrate layer 10, the insulating film 21 provided in contact with the surface of the resin substrate layer 10, and the frame wiring 22 c provided on the surface of the insulating film 21.
- a planarizing film 13 is provided as a protective film so as to cover the frame wiring 22c.
- the frame wiring 22c is connected to signal wiring (a gate line, a source line, a power supply line, and the like) of the organic EL element 19 in the display area D via the first gate conductive layer 12a.
- the frame wiring 22c is connected to the second gate conductive layer 12bb provided to extend to the terminal portion T.
- the frame wiring 22c is formed of, for example, a metal laminated film such as titanium film (about 100 nm thick) / aluminum film (about 700 nm thick) / titanium film (about 50 nm thick). Further, as shown in FIG.
- the frame wiring 22 c is bent at a bending portion C so as to intersect a pair of grooves 21 a adjacent to each other in plan view a plurality of times between the insulating film 21 and the planarizing film 13.
- the frame wiring 22c is formed on the bottom of the groove 21a at the bottom of the groove 21a, and at the bottom of the groove 21a on the outside of the groove 21a.
- a rod-like bottom conductive layer B which is formed thicker than the above-mentioned portion and extends in the direction in which the groove 21a extends.
- the frame wiring 22c is electrically connected to the bottom conductive layer B inside the groove 21a.
- the frame wiring 22c is provided in a wave shape by bending so as to straddle the neutral plane N of the multilayer body L on the insulating film 21 in a cross sectional view.
- the organic EL display device 30c described above has flexibility, and the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 is formed via the TFT 12 in each sub-pixel. It is configured to perform image display by appropriately emitting light.
- the organic EL display device 30c of the present embodiment can be manufactured by changing the pattern shape of the frame wiring 22a in the method of manufacturing the organic EL display device 30a of the first embodiment.
- the frame wiring 22c intersects the pair of grooves 21a in plan view between the insulating film 21 and the planarizing film 13 to form the frame wiring 22c. Is bent in a wavelike manner so as to straddle the neutral plane N of the laminate L in a sectional view. Therefore, in the bent portion C of the organic EL display device 30c, the structure of the frame wiring 22c bent in a wavelike manner across the neutral plane N of the multilayer body L in a cross sectional view is the extending direction of the frame wiring 22c It will be continuous in the direction obliquely crossing the short side direction).
- breakage of the frame wiring 22c can be suppressed for each of the bendings in which the axis of bending is arranged in the long side direction and the short side direction of the terminal portion T, so that it is accurately orthogonal to the extending direction of the frame wiring 22c. It is possible to suppress breakage of the frame wiring 22c with respect to bending at the rotating axis and bending at an axis not exactly perpendicular to the extending direction of the frame wiring 22c.
- the frame wirings 22a to 22c are provided in a wave shape in plan view in the organic EL display devices 30a to 30c, but the frame wiring may be a frame wiring 22d as shown in FIG. .
- FIG. 9 is a plan view showing the frame area F of the organic EL display device 30d of the present embodiment.
- the frame wiring 22 d is connected to the wiring of the organic EL element 19 in the display area D.
- the frame wiring 22d is formed of, for example, a metal laminated film such as a titanium film / aluminum film / titanium film. Further, as shown in FIG.
- the frame wiring 22d is provided in a chain shape so as to intersect the pair of grooves 21a a plurality of times in plan view between the insulating film 21 and the planarizing film 13. Then, according to the organic EL display device 30d of the present embodiment, since the frame wiring 22d is provided in a chain shape in plan view, it is possible to improve the redundancy of the frame wiring 22d.
- FIG. 10 is a plan view showing the frame area F of the organic EL display device 30e of the present embodiment. Specifically, in the organic EL display device 30e, the frame wiring 22e is connected to the wiring of the organic EL element 19 in the display area D. Further, the frame wiring 22 e is formed of, for example, a metal laminated film such as a titanium film / aluminum film / titanium film. Further, as shown in FIG.
- FIG. 11 is a plan view showing the frame area F of the organic EL display device 30f of the present embodiment. Specifically, in the organic EL display device 30 f, the frame wiring 22 f is connected to the wiring of the organic EL element 19 in the display area D. In addition, the frame wiring 22 f is formed of, for example, a metal laminated film such as a titanium film / aluminum film / titanium film. Further, as shown in FIG.
- the frame wiring 22f is provided so as to be bent between the insulating film 21 and the planarizing film 13 so as to intersect the groove 21a a plurality of times in plan view. Further, as shown in FIG. 11, the frame wiring 22f is formed on the bottom of the groove 21a at the bottom of the groove 21a, and at the bottom of the groove 21a on the outside of the groove 21a. And a rod-like bottom conductive layer B which is formed thicker than the above-mentioned portion and extends in the direction in which the groove 21a extends.
- the organic EL display device is exemplified as the display device, but the present invention relates to a display device including a plurality of light emitting elements driven by current, for example, a light emitting element using a quantum dot containing layer
- the present invention can be applied to a display device equipped with a QLED (Quantum-dot light emitting diode).
- the single frame wiring lines 22a to 22d are illustrated, but the frame wiring lines 22a to 22d may be made redundant by multiple lines extending in parallel to one another.
- the organic EL layer having a five-layer laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer is exemplified. It may be a three-layer laminated structure of a hole injection layer and hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and electron injection layer.
- the organic EL display device is exemplified in which the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
- the laminated structure of the organic EL layer is reversed and the first electrode is a cathode.
- the present invention can also be applied to an organic EL display device in which the second electrode is an anode.
- the organic EL display device in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is the drain electrode is exemplified.
- the electrode of the TFT connected to the first electrode is the source electrode
- the present invention can also be applied to an organic EL display device to be called.
- the present invention is useful for flexible display devices.
Abstract
額縁領域（Ｆ）の折り曲げ部には、端子部側の表示領域の一辺と交差する方向に延びる溝（２１ａ）が表面に形成された絶縁膜が設けられ、額縁配線（２２ａ）は、折り曲げ部において、絶縁膜及び保護膜の間で溝（２１ａ）と交差するように屈曲して設けられている。
Description
本発明は、表示装置に関するものである。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板上に有機ＥＬ素子や種々のフィルム等が積層されたフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う矩形状の表示領域と、その表示領域の周囲に額縁領域とが設けられ、額縁領域を縮小させることが要望されている。そして、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、例えば、端子側の額縁領域を折り曲げることにより、額縁領域を縮小させると、その額縁領域に配置された配線が破断するおそれがある。
例えば、特許文献１には、断面視で凹凸形状を有する配線が伸縮し易い領域に設けられた発光デバイスが開示されている。
ところで、端子側の額縁領域において、例えば、特許文献１のように、断面視で凹凸形状を有する配線を配置すると、配線の延びる方向に正確に直交する軸での折り曲げに対しては、配線の破断が抑制されるものの、配線の延びる方向に正確に直交しない軸での折り曲げに対しては、配線が破断するおそれがあるので、改善の余地がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、配線の延びる方向に正確に直交する軸での折り曲げ、及び配線の延びる方向に正確に直交しない軸での折り曲げに対する配線の破断を抑制することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に設けられた矩形状の表示領域を構成する発光素子と、上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、上記表示領域及び端子部の間に設けられた折り曲げ部と、上記額縁領域に設けられ、上記発光素子に接続されて上記端子部に延びる額縁配線と、上記額縁配線を覆うように設けられた保護膜とを備えた表示装置であって、上記折り曲げ部には、上記端子部側の上記表示領域の一辺と交差する方向に延びる溝が表面に形成された絶縁膜が設けられ、上記額縁配線は、上記折り曲げ部において、上記絶縁膜及び保護膜の間で上記溝と交差するように屈曲して設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、額縁領域の折り曲げ部には、端子部側の表示領域の一辺と交差する方向に延びる溝が表面に形成された絶縁膜が設けられ、額縁配線が折り曲げ部において絶縁膜及び保護膜の間で溝と交差するように屈曲して設けられているので、配線の延びる方向に正確に直交する軸での折り曲げ、及び配線の延びる方向に正確に直交しない軸での折り曲げに対する配線の破断を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《第１の実施形態》
図１～図６は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの平面図である。また、図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置３０ａを構成する有機ＥＬ層１６を示す断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置３０ａの額縁領域Ｆを示す平面図である。また、図５及び図６は、図４中のV－V線及びVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの額縁領域Ｆの断面図である。
図１～図６は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの平面図である。また、図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置３０ａを構成する有機ＥＬ層１６を示す断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置３０ａの額縁領域Ｆを示す平面図である。また、図５及び図６は、図４中のV－V線及びVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの額縁領域Ｆの断面図である。
有機ＥＬ表示装置３０ａは、図１に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置３０ａの表示領域Ｄには、図２に示すように、有機ＥＬ素子１９が設けられていると共に、複数の画素がマトリクス状に配列されている。なお、表示領域Ｄの各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。また、額縁領域Ｆの図中上端部には、図１に示すように、端子部Ｔが長方形状に設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図１に示すように、図中横方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げられる折り曲げ部Ｃが表示領域Ｄの一辺（図中上辺）に沿うように設けられている。
有機ＥＬ表示装置３０ａは、図２に示すように、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１の表面に設けられた有機ＥＬ素子１９と、樹脂基板層１０の裏面に設けられた裏面側保護層２５ｂとを備えている。
樹脂基板層１０は、例えば、厚さ１０μｍ～２０μｍ程度のポリイミド樹脂等により構成され、樹脂基板として設けられている。
ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
有機ＥＬ素子１９は、図２に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた複数のＴＦＴ１２、平坦化膜１３、複数の第１電極１４、エッジカバー１５、複数の有機ＥＬ層１６、第２電極１７及び封止膜１８を備えている。
複数のＴＦＴ１２は、複数のサブ画素に対応するように、ベースコート膜１１上に設けられている。ここで、ＴＦＴ１２は、例えば、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層と、半導体層を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２ａ（図５参照）と、ゲート絶縁膜１２ａ上に半導体層の一部と重なるように設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられた層間絶縁膜１２ｃ（図５参照）と、層間絶縁膜１２ｃ上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極とを備えている。なお、本実施形態では、トップゲート型のＴＦＴ１２を例示したが、ＴＦＴ１２は、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
平坦化膜１３は、図２に示すように、各ＴＦＴ１２のドレイン電極の一部以外を覆うように設けられている。ここで、平坦化膜１３は、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
複数の第１電極１４は、図２に示すように、複数のサブ画素に対応するように、平坦化膜１３上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極１４は、図２に示すように、平坦化膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ１２のドレイン電極に接続されている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極１４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極１４を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極１４を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極１４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
エッジカバー１５は、図２に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等の無機膜、又はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
複数の有機ＥＬ層１６は、図２に示すように、各第１電極１４上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層１６は、図３に示すように、第１電極１４上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
発光層３は、第１電極１４及び第２電極１７による電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
電子注入層５は、第２電極１７と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７から有機ＥＬ層１６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子１９の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
第２電極１７は、図２に示すように、各有機ＥＬ層１６及びエッジカバー１５を覆うように設けられている。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極１７を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極１７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
封止膜１８は、図２に示すように、第２電極１７を覆うように設けられ、有機ＥＬ層１６を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、封止膜１８を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料が挙げられる。
裏面側保護層２５ｂは、例えば、厚さ７５μｍ程度のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂等により構成されている。
有機ＥＬ表示装置３０ａは、図４～図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に接触して設けられた絶縁膜２１と、絶縁膜２１の表面に設けられた額縁配線２２ａと、額縁配線２２ａを覆うように保護膜として設けられた平坦化膜１３とを備えている。ここで、表示領域Ｄに配置されたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１２ａ及び層間絶縁膜１２ｃは、額縁領域Ｆの大部分にも設けられているが、図５に示すように、額縁領域Ｆの一部の端子部Ｔの折り曲げ部分には、設けられていない。また、表示領域Ｄに配置された裏面側保護層２５ｂは、額縁領域Ｆの大部分にも設けられているが、図５に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｃには、設けられていない。
絶縁膜２１は、例えば、厚さ２μｍ程度のポリイミド樹脂等の有機絶縁膜により構成されている。また、絶縁膜２１の表面には、端子部Ｔ側の表示領域Ｄの一辺と交差（例えば、直交）する方向（図１中縦方向）に延びるように複数の溝２１ａが形成されている。ここで、溝２１ａは、例えば、幅６μｍ程度、長さ１．５ｍｍ程度、深さ０．５μｍ程度であり、表面に対して４５°程度に傾斜した側面を有している。
額縁配線２２ａは、図５に示すように、表示領域Ｄの有機ＥＬ素子１９の信号配線（ゲート線、ソース線、電源線等）に第１ゲート導電層１２ｂａを介して接続されている。また、額縁配線２２ａは、図５に示すように、端子部Ｔに延びるように設けられた第２ゲート導電層１２ｂｂに接続されている。また、額縁配線２２ａは、例えば、チタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）／アルミニウム膜（厚さ７００ｎｍ程度）／チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）等の金属積層膜により構成されている。なお、本実施形態では、金属積層膜により構成された額縁配線２２ａを例示したが、額縁配線２２ａは、金属単層膜により構成されていてもよい。また、額縁配線２２ａは、折り曲げ部Ｃにおいて、図４に示すように、絶縁膜２１及び平坦化膜１３の間で平面視で隣り合う一対の溝２１ａに複数回交差するように屈曲して波状に設けられている。また、額縁配線２２ａは、図６に示すように、絶縁膜２１上に断面視で積層体Ｌの中立面Ｎを跨ぐように屈曲して波状に設けられている。ここで、中立面Ｎは、樹脂基板層１０、絶縁膜２１、額縁配線２２ａ及び平坦化膜１３を含む積層体Ｌを屈曲させた際に、圧縮も引張も受けない実質的に曲げ応力が生じない面である。
上述した有機ＥＬ表示装置３０ａは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａは、以下のようにして製造することができる。
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１及び有機ＥＬ素子１９を形成し、有機ＥＬ素子１９上に接着層を介して表面側保護層２５ａを貼り付けた後に、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の裏面に接着層を介して裏面側保護層２５ｂを貼り付け、表面側保護層２５ａ及びその下層の接着層を除去することにより、製造することができる。ここで、額縁領域Ｆの額縁配線２２ａは、有機ＥＬ素子１９を構成するＴＦＴ１２のソース電極及びドレイン電極を形成する際に形成される。また、額縁領域Ｆの絶縁膜２１は、有機ＥＬ素子１９を構成するＴＦＴ１２のソース電極及びドレイン電極を形成する前に、額縁領域Ｆだけにポリイミド樹脂等の感光性有機絶縁膜を成膜し、ハーフトーンマスクやグレートーンマスク等を用いてパターニングすることにより形成される。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａによれば、額縁配線２２ａが絶縁膜２１及び平坦化膜１３の間で平面視で一対の溝２１ａに交差することにより、額縁配線２２ａが断面視で積層体Ｌの中立面Ｎを跨ぐように波状に屈曲して設けられている。そのため、有機ＥＬ表示装置３０ａの折り曲げ部Ｃにおいて、断面視で積層体Ｌの中立面Ｎを跨ぐように波状に屈曲した額縁配線２２ａの構造（図６参照）が、額縁配線２２ａの延びる方向（端子部Ｔの短辺方向）に斜めに交差する方向に連続することになる。これにより、端子部Ｔの長辺方向及び短辺方向に折り曲げの軸が配置する各折り曲げに対して、額縁配線２２ａの破断を抑制することができるので、額縁配線２２ａの延びる方向に正確に直交する軸での折り曲げ、及び額縁配線２２ａの延びる方向に正確に直交しない軸での折り曲げに対する額縁配線２２ａの破断を抑制することができる。
《第２の実施形態》
図７は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂの額縁領域Ｆを示す平面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図６と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図７は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂの額縁領域Ｆを示す平面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図６と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
上記第１の実施形態では、ほぼ一定の太さの額縁配線２２ａが設けられた有機ＥＬ表示装置３０ａを例示したが、本実施形態では、太線部Ｗを有する額縁配線２２ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置３０ｂを例示する。
有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置３０ｂの表示領域Ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様な構成になっている。
有機ＥＬ表示装置３０ｂは、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に接触して設けられた絶縁膜２１と、絶縁膜２１の表面に設けられた額縁配線２２ｂと、額縁配線２２ｂを覆うように保護膜として設けられた平坦化膜１３とを備えている。
額縁配線２２ｂは、表示領域Ｄの有機ＥＬ素子１９の信号配線（ゲート線、ソース線、電源線等）に第１ゲート導電層１２ｂａを介して接続されている。また、額縁配線２２ｂは、端子部Ｔに延びるように設けられた第２ゲート導電層１２ｂｂに接続されている。また、額縁配線２２ｂは、例えば、チタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）／アルミニウム膜（厚さ７００ｎｍ程度）／チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）等の金属積層膜により構成されている。また、額縁配線２２ｂは、折り曲げ部Ｃにおいて、図７に示すように、絶縁膜２１及び平坦化膜１３の間で平面視で隣り合う一対の溝２１ａに複数回交差するように屈曲して波状に設けられている。また、額縁配線２２ｂは、図７に示すように、溝２１ａの底部において溝２１ａの外側に形成された部分よりも太く形成された太線部Ｗを備えている。また、額縁配線２２ｂは、絶縁膜２１上に断面視で積層体Ｌの中立面Ｎを跨ぐように屈曲して波状に設けられている。
上述した有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法において、額縁配線２２ａのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂによれば、額縁配線２２ｂが絶縁膜２１及び平坦化膜１３の間で平面視で一対の溝２１ａに交差することにより、額縁配線２２ｂが断面視で積層体Ｌの中立面Ｎを跨ぐように波状に屈曲して設けられている。そのため、有機ＥＬ表示装置３０ｂの折り曲げ部Ｃにおいて、断面視で積層体Ｌの中立面Ｎを跨ぐように波状に屈曲した額縁配線２２ｂの構造が、額縁配線２２ｂの延びる方向（端子部Ｔの短辺方向）に斜めに交差する方向に連続することになる。これにより、端子部Ｔの長辺方向及び短辺方向に折り曲げの軸が配置する各折り曲げに対して、額縁配線２２ｂの破断を抑制することができるので、額縁配線２２ｂの延びる方向に正確に直交する軸での折り曲げ、及び額縁配線２２ｂの延びる方向に正確に直交しない軸での折り曲げに対する額縁配線２２ｂの破断を抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂによれば、額縁配線２２ｂが溝２１ａの底部において溝２１ａの外側に形成された部分よりも太く形成された太線部Ｗを備えているので、額縁配線２２ｂの配線抵抗を低くすると共に、額縁配線２２ｂの破断をいっそう抑制することができる。
《第３の実施形態》
図８は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃの額縁領域Ｆを示す平面図である。
図８は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃの額縁領域Ｆを示す平面図である。
上記第２の実施形態では、太線部Ｗを備えた額縁配線２２ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置３０ｂを例示したが、本実施形態では、太線部Ｗ及び底部導電層Ｂを備えた額縁配線２２ｃが設けられた有機ＥＬ表示装置３０ｃを例示する。
有機ＥＬ表示装置３０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置３０ｃの表示領域Ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様な構成になっている。
有機ＥＬ表示装置３０ｃは、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に接触して設けられた絶縁膜２１と、絶縁膜２１の表面に設けられた額縁配線２２ｃと、額縁配線２２ｃを覆うように保護膜として設けられた平坦化膜１３とを備えている。
額縁配線２２ｃは、表示領域Ｄの有機ＥＬ素子１９の信号配線（ゲート線、ソース線、電源線等）に第１ゲート導電層１２ａを介して接続されている。また、額縁配線２２ｃは、端子部Ｔに延びるように設けられた第２ゲート導電層１２ｂｂに接続されている。また、額縁配線２２ｃは、例えば、チタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）／アルミニウム膜（厚さ７００ｎｍ程度）／チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）等の金属積層膜により構成されている。また、額縁配線２２ｃは、折り曲げ部Ｃにおいて、図８に示すように、絶縁膜２１及び平坦化膜１３の間で平面視で隣り合う一対の溝２１ａに複数回交差するように屈曲して波状に設けられている。また、額縁配線２２ｃは、図８に示すように、溝２１ａの底部において溝２１ａの外側に形成された部分よりも太く形成された太線部Ｗと、溝２１ａの底部において溝２１ａの外側に形成された部分よりも太く形成されて溝２１ａが延びる方向に延在する棒状の底部導電層Ｂとを備えている。なお、額縁配線２２ｃは、溝２１ａの内部において、底部導電層Ｂと電気的に接続されている。また、額縁配線２２ｃは、絶縁膜２１上に断面視で積層体Ｌの中立面Ｎを跨ぐように屈曲して波状に設けられている。
上述した有機ＥＬ表示装置３０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法において、額縁配線２２ａのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃによれば、額縁配線２２ｃが絶縁膜２１及び平坦化膜１３の間で平面視で一対の溝２１ａに交差することにより、額縁配線２２ｃが断面視で積層体Ｌの中立面Ｎを跨ぐように波状に屈曲して設けられている。そのため、有機ＥＬ表示装置３０ｃの折り曲げ部Ｃにおいて、断面視で積層体Ｌの中立面Ｎを跨ぐように波状に屈曲した額縁配線２２ｃの構造が、額縁配線２２ｃの延びる方向（端子部Ｔの短辺方向）に斜めに交差する方向に連続することになる。これにより、端子部Ｔの長辺方向及び短辺方向に折り曲げの軸が配置する各折り曲げに対して、額縁配線２２ｃの破断を抑制することができるので、額縁配線２２ｃの延びる方向に正確に直交する軸での折り曲げ、及び額縁配線２２ｃの延びる方向に正確に直交しない軸での折り曲げに対する額縁配線２２ｃの破断を抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃによれば、額縁配線２２ｃが溝２１ａの底部において溝２１ａの外側に形成された部分よりも太く形成された太線部Ｗと、溝２１ａの底部において溝２１ａの外側に形成された部分よりも太く形成されて溝２１ａが延びる方向に延在する棒状の底部導電層Ｂとを備えている。そのため、額縁配線２２ｃの配線抵抗をいっそう低くすると共に、額縁配線２２ｃの破断をよりいっそう抑制することができる。
《その他の実施形態》
上記各実施形態では、有機ＥＬ表示装置３０ａ～３０ｃにおいて、額縁配線２２ａ～２２ｃが平面視で波状に設けられていたが、額縁配線は、図９に示すような額縁配線２２ｄであってもよい。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｄの額縁領域Ｆを示す平面図である。具体的には、額縁配線２２ｄは、表示領域Ｄの有機ＥＬ素子１９の配線に接続されている。また、額縁配線２２ｄは、例えば、チタン膜／アルミニウム膜／チタン膜等の金属積層膜により構成されている。また、額縁配線２２ｄは、図９に示すように、絶縁膜２１及び平坦化膜１３の間で平面視で一対の溝２１ａに複数回交差するように屈曲して鎖状に設けられている。そして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｄによれば、額縁配線２２ｄが平面視で鎖状に設けられているので、額縁配線２２ｄの冗長性を向上させることができる。
上記各実施形態では、有機ＥＬ表示装置３０ａ～３０ｃにおいて、額縁配線２２ａ～２２ｃが平面視で波状に設けられていたが、額縁配線は、図９に示すような額縁配線２２ｄであってもよい。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｄの額縁領域Ｆを示す平面図である。具体的には、額縁配線２２ｄは、表示領域Ｄの有機ＥＬ素子１９の配線に接続されている。また、額縁配線２２ｄは、例えば、チタン膜／アルミニウム膜／チタン膜等の金属積層膜により構成されている。また、額縁配線２２ｄは、図９に示すように、絶縁膜２１及び平坦化膜１３の間で平面視で一対の溝２１ａに複数回交差するように屈曲して鎖状に設けられている。そして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｄによれば、額縁配線２２ｄが平面視で鎖状に設けられているので、額縁配線２２ｄの冗長性を向上させることができる。
また、上記各実施形態では、１本の額縁配線２２ａ～２２ｄに対して一対の溝２１ａが形成された配線構造を例示したが、図１０及び図１１に示すように、１本の額縁配線２２ｅ及び２２ｆに対して１本の溝２１ａが形成された配線構造であってもよい。ここで、図１０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｅの額縁領域Ｆを示す平面図である。具体的に有機ＥＬ表示装置３０ｅでは、額縁配線２２ｅが表示領域Ｄの有機ＥＬ素子１９の配線に接続されている。また、額縁配線２２ｅは、例えば、チタン膜／アルミニウム膜／チタン膜等の金属積層膜により構成されている。また、額縁配線２２ｅは、図１０に示すように、絶縁膜２１及び平坦化膜１３の間で平面視で溝２１ａに複数回交差するように屈曲して波状に設けられている。一方、図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｆの額縁領域Ｆを示す平面図である。具体的に有機ＥＬ表示装置３０ｆでは、額縁配線２２ｆが表示領域Ｄの有機ＥＬ素子１９の配線に接続されている。また、額縁配線２２ｆは、例えば、チタン膜／アルミニウム膜／チタン膜等の金属積層膜により構成されている。また、額縁配線２２ｆは、図１１に示すように、絶縁膜２１及び平坦化膜１３の間で平面視で溝２１ａに複数回交差するように屈曲して波状に設けられている。また、額縁配線２２ｆは、図１１に示すように、溝２１ａの底部において溝２１ａの外側に形成された部分よりも太く形成された太線部Ｗと、溝２１ａの底部において溝２１ａの外側に形成された部分よりも太く形成されて溝２１ａが延びる方向に延在する棒状の底部導電層Ｂとを備えている。
また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
また、上記各実施形態では、単線の額縁配線２２ａ～２２ｄを例示したが、額縁配線２２ａ～２２ｄは、互いに並行に延びる複線により冗長化されていてもよい。
また、上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｂ 底部導電層
Ｃ 折り曲げ部
Ｄ 表示領域
Ｆ 額縁領域
Ｌ 積層体
Ｗ 太線部
１０ 樹脂基板層（樹脂基板）
１３ 平坦化膜（保護膜）
１９ 有機ＥＬ素子（発光素子）
２１ａ 溝
２１ 絶縁膜
２２ａ～２２ｆ 額縁配線
３０ａ～３０ｆ 有機ＥＬ表示装置
Ｃ 折り曲げ部
Ｄ 表示領域
Ｆ 額縁領域
Ｌ 積層体
Ｗ 太線部
１０ 樹脂基板層（樹脂基板）
１３ 平坦化膜（保護膜）
１９ 有機ＥＬ素子（発光素子）
２１ａ 溝
２１ 絶縁膜
２２ａ～２２ｆ 額縁配線
３０ａ～３０ｆ 有機ＥＬ表示装置
Claims (11)
- 樹脂基板と、
上記樹脂基板上に設けられた矩形状の表示領域を構成する発光素子と、
上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、
上記表示領域及び端子部の間に設けられた折り曲げ部と、
上記額縁領域に設けられ、上記発光素子に接続されて上記端子部に延びる額縁配線と、
上記額縁配線を覆うように設けられた保護膜とを備えた表示装置であって、
上記折り曲げ部には、上記端子部側の上記表示領域の一辺と交差する方向に延びる溝が表面に形成された絶縁膜が設けられ、
上記額縁配線は、上記折り曲げ部において、上記絶縁膜及び保護膜の間で上記溝と交差するように屈曲して設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記額縁配線は、上記折り曲げ部において、上記樹脂基板、絶縁膜及び保護膜を含む積層体の中立面を跨ぐように屈曲して設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１又は２に記載された表示装置において、
上記溝は、互いに並行に延びるように少なくとも一対設けられ、
上記額縁配線は、上記一対の溝を複数回交差するように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
上記額縁配線は、平面視で波状に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
上記額縁配線は、平面視で鎖状に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～５の何れか１つに記載された表示装置において、
上記額縁配線は、上記溝の底部において、該溝の外側に形成された部分よりも太く形成された太線部を備えていることを特徴とする表示装置。 - 請求項６に記載された表示装置において、
上記額縁配線は、上記溝の底部において、該溝の外側に形成された部分よりも太く形成されて該溝が延びる方向に延在する底部導電層を備えていることを特徴とする表示装置。 - 請求項７に記載の表示装置において、
上記額縁配線は、上記溝の内部において、上記底部導電層と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～８の何れか１つに記載の表示装置において、
上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～９の何れか１つに記載の表示装置において、
上記樹脂基板、絶縁膜、保護膜は、ポリイミド樹脂により構成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１０の何れか１つに記載の表示装置において、
上記絶縁膜は、上記樹脂基板に接触していることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2017/028454 WO2019026285A1 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | 表示装置 |
| US16/462,554 US20190372034A1 (en) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2017/028454 WO2019026285A1 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2019026285A1 true WO2019026285A1 (ja) | 2019-02-07 |
Family
ID=65232516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2017/028454 WO2019026285A1 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | 表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190372034A1 (ja) |
| WO (1) | WO2019026285A1 (ja) |
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- 2017-08-04 US US16/462,554 patent/US20190372034A1/en not_active Abandoned
- 2017-08-04 WO PCT/JP2017/028454 patent/WO2019026285A1/ja active Application Filing
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190372034A1 (en) | 2019-12-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 17920308 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 17920308 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |