WO2018180939A1

WO2018180939A1 - 回路モジュール

Info

Publication number: WO2018180939A1
Application number: PCT/JP2018/011572
Authority: WO
Inventors: 礼滋中嶋
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2017-03-30
Filing date: 2018-03-23
Publication date: 2018-10-04
Anticipated expiration: 2019-09-30
Also published as: KR102282097B1; US10833023B2; JP2020113559A; US20200020645A1; CN110476242B; KR20190117660A; CN110476242A

Abstract

本発明の課題は、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制しながらも、シールド層によるノイズの回り込みを低減し、電子部品間のアイソレーション特性を向上できる回路モジュールを提供することである。回路モジュール（１００）は、電子部品（３０）と、複数の導体ポスト（４０）と、複数の電子部品（３０）及び複数の導体ポスト（４０）を封止するモールド層（５０）と、モールド層（５０）上のシールド層（６０）と、を備える。電子部品（３０）は、第１電子部品（３１）及び第２電子部品（３２，３６）を含む。複数の導体ポスト（４０）は、第１電子部品（３１）と第２電子部品（３２，３６）との間を横切る導体ポストの群（４００）を含む。シールド層（６０）は、導体ポストの群（４００）の各導体ポスト（４０）に関して、平面視において、導体ポスト（４０）と第１電子部品（３１）との間、又は、導体ポスト（４０）と第２電子部品（３２，３６）との間を通って延伸するスリット（６００）を有する。

Description

回路モジュール

　本発明は、回路モジュール（Circuit Module）に関し、特に、高周波回路用の回路モジュールに関する。

　特許文献１（国際公開第２０１２／１０１９２０号）には、基板と、基板の主面上に実装されている電子部品と、基板の主面及び電子部品を覆う絶縁体層と、導電性材料からなるシールド層と、を備えた回路モジュールが記載されている。絶縁体層は、その主面に凹部が設けられている。シールド層は、絶縁体層の主面及び凹部の内周面を覆っている。

国際公開第２０１２／１０１９２０号

　特許文献１の回路モジュールでは、シールド層によって、回路モジュール外へのノイズの放射や、回路モジュール内へのノイズの侵入が抑制されている。しかしながら、シールド層は、絶縁体層の主面及び凹部の内周面を覆っていることから、一部の電子部品で発生したノイズが、シールド層を介して別の電子部品に回り込んでしまう可能性があった。

　本発明の課題は、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制しながらも、シールド層によるノイズの回り込みを低減し、電子部品間のアイソレーション特性を向上できる回路モジュールを提供することである。

　本発明に係る一態様の回路モジュールは、回路基板と、複数の電子部品と、複数の導体ポストと、モールド層と、シールド層と、を備える。前記回路基板は、実装面を有する電気絶縁層、及び、前記電気絶縁層における前記実装面と反対側にあるグラウンド層を有する。前記複数の電子部品は、前記実装面に実装され、ノイズの発生源となる第１電子部品及び前記第１電子部品で発生するノイズからの保護対象である第２電子部品を含む。前記複数の導体ポストは、前記実装面において前記第１電子部品と前記第２電子部品との間を横切るように並べられ前記グラウンド層に電気的に接続される導体ポストの群を含む。前記モールド層は、電気絶縁性を有し、前記複数の電子部品及び前記複数の導体ポストを封止するように前記実装面に形成される。前記シールド層は、スリットを有する。前記シールド層は、前記モールド層における前記実装面とは反対側の表面に形成される。前記スリットは、前記導体ポストの群に含まれる各導体ポストに関して、平面視において、前記導体ポストと前記第１電子部品との間、又は、前記導体ポストと前記第２電子部品との間を通って延伸する。

　本発明に係る一態様の回路モジュールによれば、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制しながらも、シールド層によるノイズの回り込みを低減し、電子部品間のアイソレーション特性を向上できる。

図１は、本発明に係る一実施形態の回路モジュールの概略回路図である。図２Ａは、上記実施形態の回路モジュールの概略平面図である。図２Ｂは、図２ＡのＡ－Ａ線断面図である。図３は、上記実施形態の回路モジュールの回路基板の概略平面図である。図４は、上記実施形態の回路モジュールの一部を省略した概略平面図である。図５は、上記実施形態の変形例１の回路モジュールの概略平面図である。図６は、上記実施形態の変形例２の回路モジュールの概略平面図である。図７は、上記実施形態の変形例３の回路モジュールの概略平面図である。図８は、上記実施形態の変形例４の回路モジュールの概略平面図である。図９は、上記実施形態の変形例５の回路モジュールの概略平面図である。図１０は、上記実施形態の変形例６の回路モジュールの概略平面図である。図１１は、上記実施形態の変形例７の回路モジュールの概略断面図である。

１．実施形態
１．１　構成
　図１は、本発明に係る一実施形態の回路モジュール１００の概略回路図である。回路モジュール１００は、高周波回路で利用される回路モジュールである。特に、本実施形態において、回路モジュール１００は、無線通信用のフロントエンド回路（無線フロントエンド回路）で使用される各種機能部品を一体化した超小型集積モジュール（フロントエンドモジュール）である。このようなフロントエンド回路は、外部装置から受け取った無線信号（送信信号）をアンテナに伝送し、アンテナで受け取った無線信号（受信信号）を外部装置に伝送するための回路である。

　回路モジュール１００は、図１に示すように、入力端子１０１と、出力端子１０２と、アンテナ端子１０３と、制御端子１０４と、を備える。入力端子１０１は、外部装置に接続され、外部装置から送信信号を受け取るための端子である。出力端子１０２は、外部装置に接続され、外部装置に受信信号を出力するための端子である。アンテナ端子１０３は、外部のアンテナに接続される端子である。制御端子１０４は、外部装置から制御信号を受け取るための端子である。

　回路モジュール１００は、無線通信用のフロントエンド回路にて用いられる各種機能部品（電子部品）を備える。これらの電子部品は、図１に示すように、パワーアンプ３１と、ローノイズアンプ３２と、複数のデュプレクサ３３と、第１スイッチ回路３４と、第２スイッチ回路３５と、アンテナスイッチ回路３６と、制御回路３７と、を含む。

　パワーアンプ３１は、外部装置からアンテナに送られる送信信号を増幅するための回路である。パワーアンプ３１は、例えば、複数の通信バンドで動作するように設計されたマルチバンドパワーアンプである。パワーアンプ３１は、入力端が入力端子１０１に電気的に接続され、出力端が第１スイッチ回路３４に電気的に接続されている。パワーアンプ３１は、入力端子１０１から受け取った送信信号を増幅し、増幅された送信信号を第１スイッチ回路３４に出力する。

　ローノイズアンプ３２は、アンテナから外部装置に送られる受信信号を増幅するための回路である。ローノイズアンプ３２は、入力端が第２スイッチ回路３５に電気的に接続され、出力端が出力端子１０２に電気的に接続されている。ローノイズアンプ３２は、第２スイッチ回路３５から受け取った受信信号を増幅し、増幅された受信信号を出力端子１０２に出力する。

　複数のデュプレクサ３３は、各々、送信側フィルタと受信側フィルタとを備える。送信側フィルタは、送信周波数帯域の信号を通過させ、送信周波数帯域以外の信号を減衰させる。受信側フィルタは、受信周波数帯域の信号を通過させ、受信周波数帯域以外の信号を減衰させる。デュプレクサ３３は、送信周波数帯域の信号と受信周波数帯域の信号のフィルタリングを行う機能を有しており、フィルタ回路に相当する。本実施形態において、複数のデュプレクサ３３は、互いに異なる送信周波数帯域及び受信周波数帯域を有している。デュプレクサ３３では、送信側フィルタの入力端子が送信信号を受け取る送信端子として用いられ、受信側フィルタの出力端子が受信信号を出力する受信端子として用いられる。また、デュプレクサ３３では、送信側フィルタの出力端子と受信側フィルタの入力端子との接続点がアンテナとの接続用のアンテナ接続用端子として用いられる。

　第１スイッチ回路３４、第２スイッチ回路３５、及びアンテナスイッチ回路３６は、各々、半導体スイッチ回路である。半導体スイッチ回路は、例えば、電界効果トランジスタ（FET：Field effect transistor）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）スイッチ、又はバイポーラトランジスタなどで構成される。第１スイッチ回路３４は、パワーアンプ３１の出力端を、複数のデュプレクサ３３の送信端子のいずれかに接続する回路を含む。パワーアンプ３１に接続されるデュプレクサ３３は、第１スイッチ回路３４の接続を切り替えることにより、複数のデュプレクサ３３の中から選択される。第２スイッチ回路３５は、ローノイズアンプ３２の入力端を、複数のデュプレクサ３３の受信端子のいずれかに接続する回路を含む。ローノイズアンプ３２に接続されるデュプレクサ３３は、第２スイッチ回路３５の接続を切り替えることにより、複数のデュプレクサ３３の中から選択することができる。アンテナスイッチ回路３６は、アンテナ端子１０３を、複数のデュプレクサ３３のアンテナ接続用端子のいずれかに接続する回路を含む。つまり、アンテナスイッチ回路３６は、複数のデュプレクサ３３からアンテナ端子１０３に接続されるデュプレクサ３３を選択するための回路である。なお、複数の通信バンドを共用して通信する場合には、複数のデュプレクサ３３が同時に選択される場合がある。

　制御回路３７は、制御端子１０４を介して外部装置から制御信号を受け取り、制御信号に基づいて第１スイッチ回路３４、第２スイッチ回路３５、及びアンテナスイッチ回路３６のそれぞれを制御する。これによって、制御回路３７は、パワーアンプ３１、ローノイズアンプ３２、及びアンテナ端子１０３を、複数のデュプレクサ３３のうちの特定のデュプレクサ３３に接続する。つまり、送信信号及び受信信号に適したデュプレクサ３３が特定のデュプレクサ３３として選択される。制御回路３７は、例えば、集積回路である。

　次に、図２Ａ、図２Ｂ、図３、及び図４を参照して、回路モジュール１００の構造（物理構造）について説明する。なお、図２Ａ、図２Ｂ、図３、及び図４では、回路モジュール１００の構造を分かりやすく示すために、回路モジュール１００の構成要素を概略的に示している。また、図２Ａと図４はいずれも回路モジュール１００の概略平面図であるが、図４では回路モジュール１００の構造をより詳細に説明するために、一部の電子部品３０の図示を省略している。なお、以下の説明で、「平面視において」という表現は、「回路モジュール１００をその厚み方向から見た場合に」という意味と同義である。

　回路モジュール１００は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、回路基板２０と、複数の電子部品３０と、複数の導体ポスト４０と、モールド層５０と、シールド層６０と、を備える。

　回路基板２０は、図２Ａ、図２Ｂ、及び図３に示すように、四角形状の多層基板（樹脂多層基板又はセラミック多層基板）である。回路基板２０は、電気絶縁層（第１電気絶縁層）２１と、グラウンド層（第１グラウンド層）２２と、電気絶縁層（第２電気絶縁層）２３と、グラウンド層（第２グラウンド層）２４と、を備える。

　第１電気絶縁層２１は、実装面（図２Ｂの上面）２１１を有する。実装面２１１は、ミクロレベルの凹凸はあるものの略平坦な面であり、複数の電子部品３０が実装される。

　第１グラウンド層２２は、第１電気絶縁層２１における実装面２１１と反対側（図２Ｂにおける下側）にある。第１グラウンド層２２は、第１電気絶縁層２１における実装面２１１とは反対側の面（図２Ｂにおける回路モジュール１００の下面）の全体を覆うように形成される。ただし、第１グラウンド層２２は、図３に示すように、３つの間隙（第１間隙、第２間隙、及び第３間隙）２２１，２２２，２２３を有している。第１間隙２２１は、後述するスリット６１０（図２Ａ参照）と対向するように形成されている。言い換えれば、第１間隙２２１は、スリット６１０に沿って延びている。また、第２間隙２２２は、後述するスリット６２０（図２Ａ参照）と対向するように形成されている。言い換えれば、第２間隙２２２は、スリット６２０に沿って延びている。第３間隙２２３は、後述するスリット６３０（図２Ａ参照）と対向するように形成されている。言い換えれば、第３間隙２２３は、スリット６３０に沿って延びている。したがって、第１グラウンド層２２において、各間隙２２１，２２２，２２３を横切るようなノイズの伝播が抑制される。

　第２電気絶縁層２３は、第１グラウンド層２２における第１電気絶縁層２１とは反対側（図２Ｂにおける下側）にある。第２電気絶縁層２３は、第１グラウンド層２２における第１電気絶縁層２１とは反対側の面（図２Ｂにおける回路モジュール１００の下面）の全体を覆うように形成される。第１グラウンド層２２は、上述したように３つの間隙２２１，２２２，２２３を有しているため、第１電気絶縁層２１と第２電気絶縁層２３とは各間隙２２１，２２２，２２３の内部では一体になっている。

　第２グラウンド層２４は、第２電気絶縁層２３における第１グラウンド層２２とは反対側（図２Ｂにおける下側）にある。第２グラウンド層２４は、第２電気絶縁層２３における第１グラウンド層２２とは反対側の面（図２Ｂにおける回路モジュール１００の下面）の全体を覆うように形成される。第２グラウンド層２４における第２電気絶縁層２３とは反対側の面（図２Ｂにおける回路モジュール１００の下面）が、回路基板２０の底面となる。

　第１電気絶縁層２１は、図２Ｂ及び図３に示すように、複数の導体ポスト４０をそれぞれ第１グラウンド層２２に電気的に接続するための複数のビア（貫通導電体）２１２を有する。第２電気絶縁層２３は、第１グラウンド層２２と第２グラウンド層２４とを電気的に接続するための複数のビア（貫通導電体）２３１を有する。つまり、各導体ポスト４０は、ビア２１２を介して第１グラウンド層２２に電気的に接続され、さらに複数のビア（貫通導電体）２３１によって、第２グラウンド層２４に電気的に接続されている。

　複数の電子部品３０は、パワーアンプ３１と、ローノイズアンプ３２と、複数のデュプレクサ３３と、第１スイッチ回路３４と、第２スイッチ回路３５と、アンテナスイッチ回路３６と、制御回路３７と、を含む。また、複数の電子部品３０は、図２Ａに示すように、複数のキャパシタ３８と、複数のインダクタ３９とを含んでいる。

　ここで、パワーアンプ３１は、ノイズの発生源となる電子部品（第１電子部品）である。パワーアンプ３１で発生するノイズの周波数は、パワーアンプ３１で増幅する送信信号の周波数帯域による。例えば、ノイズの周波数は、数百ＭＨｚ～数ＧＨｚ程度になる。一方、ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６は、パワーアンプ３１（第１電子部品）で発生するノイズからの保護対象である電子部品（第２電子部品）である。図２Ａに示すように、パワーアンプ３１は、実装面２１１の第１方向Ｘの第１端（図２Ａの左端）２１１ａ側に実装されている。ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６は、実装面２１１の第１方向Ｘの第２端（図２Ａの右端）２１１ｂ側に実装されている。また、ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６は、実装面２１１の第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙの第１端（図２Ａの上端）２１１ｃ側及び第２端（図２Ａの下端）２１１ｄ側にそれぞれ実装されている。また、第１スイッチ回路３４及び第２スイッチ回路３５は、実装面２１１の第１方向Ｘの中央近傍における第２方向Ｙの第１端２１１ｃ側に実装されている。また、制御回路３７は、実装面２１１において、パワーアンプ３１と実装面２１１の第２方向Ｙの第２端２１１ｄとの間に実装されている。複数のキャパシタ３８及び複数のインダクタ３９は、実装面２１１に適宜実装されている。

　複数の導体ポスト４０は、ノイズの発生源となる第１電子部品と第１電子部品で発生するノイズからの保護対象である第２電子部品との間を電磁的に遮蔽するために設けられる。複数の導体ポスト４０を設けることで、電子部品間（第１電子部品と第２電子部品との間）のアイソレーション特性の向上を図ることができる。複数の導体ポスト４０は、図２Ａ及び図４に示すように、導体ポスト４０の３つの群４００（第１の群４１０、第２の群４２０、及び第３の群４３０）を含む。以下、必要に応じて、第１の群４１０に含まれる導体ポスト４０を、導体ポスト４１という。同様に、第２の群４２０に含まれる導体ポスト４０を、導体ポスト４２といい、第３の群４３０に含まれる導体ポスト４０を、導体ポスト４３という。各導体ポスト４０は、導電性を有する材料により形成されている。導電性を有する材料は、例えば、アルミ、銅、鉄などの金属、又は、導電性材料を混ぜたエラストマなどの樹脂である。また、各導体ポスト４０の形状は、例えば、円柱状である。複数の導体ポスト４０は、いずれも、ビア２１２により第１グラウンド層２２に電気的に接続されている。また、導体ポスト４０の群４００における導体ポスト４０間の間隔を、第１電子部品であるパワーアンプ３１で発生するノイズの波長の１／１６以下としてもよい。このようにすれば、ノイズが導体ポスト４０間の隙間を通り抜ける可能性をより効果的に低減することができる。このような導体ポスト４０は、実装面２１１において電子部品３０が実装されていない空き領域を利用して配置することができる。つまり、電子部品３０の配置を変更することなく、導体ポスト４０を配置することができる。なお、導体ポスト４０の間隔の下限値は特に限定されず、所望されるノイズの低減水準に応じて、適宜設定すればよい。

　第１の群４１０は、図２Ａに示すように、実装面２１１においてパワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間を横切るように並べられる複数の導体ポスト４１の群である。複数の導体ポスト４１は、第１電子部品（パワーアンプ３１）で発生するノイズから第２電子部品（本実施形態においては、ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６）を保護するために設けられる。より詳細には、図４に示すように、複数の導体ポスト４１は、実装面２１１を第２方向Ｙにおいて横切るように並べられる。これによって、複数の導体ポスト４１は、パワーアンプ３１が存在する実装面２１１の領域とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６が存在する実装面２１１の領域とを電磁的に遮蔽することができる。

　複数の導体ポスト４１は、図４に示すように、複数の導体ポスト４１１ａ，４１１ｂ，４１１ｃ，４１１ｄ，４１１ｅ，４１１ｆ，４１１ｇ，４１１ｈ，４１１ｉと、複数の導体ポスト４１２ａ，４１２ｂ，４１２ｃ，４１２ｄ，４１２ｅ，４１２ｆとを含む。また、複数の導体ポスト４１は、複数の導体ポスト４１３ａ，４１３ｂ，４１３ｃ，４１３ｄ，４１３ｅ，４１３ｆと、複数の導体ポスト４１４ａ，４１４ｂ，４１４ｃ，４１４ｄ，４１４ｅ，４１４ｆ，４１４ｇ，４１４ｈと、を含む。

　複数の導体ポスト４１１ａ～４１１ｉは、実装面２１１の第１方向Ｘにおけるローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６とパワーアンプ３１との間に、第２方向Ｙの第１端２１１ｃから第２端２１１ｄに向かって第２方向Ｙに沿って一列に並ぶ。複数の導体ポスト４１１ａ～４１１ｄは、第１方向Ｘにおいて、パワーアンプ３１と対向している。つまり、複数の導体ポスト４１１ａ～４１１ｄは、パワーアンプ３１に隣接して配置されてもよい。換言すれば、導体ポスト４１１ａ～４１１ｄとパワーアンプ３１との間には、パワーアンプ３１とは別の電子部品３０が存在していない。複数の導体ポスト４１２ａ～４１２ｆは、第１方向Ｘにおけるローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６と複数の導体ポスト４１１ａ～４１１ｉの群との間に、第１端２１１ｃから第２端２１１ｄに向かって第２方向Ｙに沿って一列に並ぶ。導体ポスト４１２ａ～４１２ｅは、第１方向Ｘにおいて、導体ポスト４１１ａ～４１１ｅと対向している。なお、導体ポスト４１２ｅ，４１２ｆの間隔が、導体ポスト４１２ａ～４１２ｅの間隔より大きいのは、デュプレクサ３３を避けたためである（図２Ａ参照）。複数の導体ポスト４１３ａ～４１３ｆは、実装面２１１の第２方向Ｙの第１端２１１ｃとパワーアンプ３１との間に、第２方向Ｙに沿って一列に並ぶ。同様に、複数の導体ポスト４１４ａ～４１４ｈは、実装面２１１の第２方向Ｙの第１端２１１ｃとパワーアンプ３１との間に、第２方向Ｙに沿って一列に並ぶ。ただし、複数の導体ポスト４１４ａ～４１４ｈは、複数の導体ポスト４１３ａ～４１３ｆよりもローノイズアンプ３２に近い。導体ポスト４１３ａ～４１３ｆ及び導体ポスト４１４ａ～４１４ｈは、パワーアンプ３１の中心とローノイズアンプ３２の中心とを結ぶ方向において、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２との間に位置している。導体ポスト４１３ａ～４１３ｆは、第１方向Ｘにおいて、導体ポスト４１４ｃ～４１４ｈとそれぞれ対向している。

　第２の群４２０は、図２Ａに示すように、実装面２１１においてパワーアンプ３１とローノイズアンプ３２との間を横切るように並べられる複数の導体ポスト４２の群である。複数の導体ポスト４２は、第１電子部品（パワーアンプ３１）で発生するノイズから第２電子部品（ローノイズアンプ３２）を保護するために設けられる。特に、第２の群４２０に含まれる複数の導体ポスト４２の群は、実装面２１１において第１の群４１０とローノイズアンプ３２との間に配置される。より詳細には、図４に示すように、複数の導体ポスト４２は、ローノイズアンプ３２を部分的に囲うようにＬ字形に配置されている。第２の群４２０は、複数（図４では６個）の導体ポスト４２１と、複数（図４では７個）の導体ポスト４２２と、を含む。複数の導体ポスト４２１は、実装面２１１の第２方向Ｙにおけるパワーアンプ３１とローノイズアンプ３２との間に、第１方向Ｘに沿って一列に並ぶ。複数の導体ポスト４２１の一部は、第２方向Ｙにおいて、ローノイズアンプ３２と対向している。複数の導体ポスト４２２は、実装面２１１の第１方向Ｘにおけるパワーアンプ３１とローノイズアンプ３２との間に、第２方向Ｙに沿って一列に並ぶ。複数の導体ポスト４２２の一部は、第１方向Ｘにおいて、ローノイズアンプ３２と対向している。各導体ポスト４２は、ローノイズアンプ３２に隣接して配置されている。換言すれば、導体ポスト４２とローノイズアンプ３２との間には、ローノイズアンプ３２とは別の電子部品３０が存在していない。なお、図２Ａ及び図４では、導体ポスト４２の数は１３であるが、特に限定されない。

　第３の群４３０は、図２Ａに示すように、実装面２１１においてパワーアンプ３１とアンテナスイッチ回路３６との間を横切るように並べられる複数の導体ポスト４３の群である。複数の導体ポスト４３は、第１電子部品（パワーアンプ３１）で発生するノイズから第２電子部品（アンテナスイッチ回路３６）を保護するために設けられる。特に、第３の群４３０に含まれる複数の導体ポスト４３の群は、実装面２１１において第１の群４１０とアンテナスイッチ回路３６との間に配置される。より詳細には、図４に示すように、複数の導体ポスト４３は、アンテナスイッチ回路３６を部分的に囲うようにＬ字形に配置されている。第３の群４３０は、複数（図４では６個）の導体ポスト４３１と、複数（図４では５個）の導体ポスト４３２と、を含む。複数の導体ポスト４３１は、実装面２１１の第１方向Ｘにおけるパワーアンプ３１とアンテナスイッチ回路３６との間に、第２方向Ｙに沿って一列に並ぶ。複数の導体ポスト４３１の一部は、第１方向Ｘにおいて、アンテナスイッチ回路３６と対向している。複数の導体ポスト４３２は、実装面２１１の第２方向Ｙにおけるパワーアンプ３１とアンテナスイッチ回路３６との間に、第１方向Ｘに沿って一列に並ぶ。複数の導体ポスト４３２の一部は、第２方向Ｙにおいて、アンテナスイッチ回路３６と対向している。各導体ポスト４３は、アンテナスイッチ回路３６に隣接して配置されている。換言すれば、導体ポスト４３とアンテナスイッチ回路３６との間には、アンテナスイッチ回路３６とは別の電子部品３０が存在していない。なお、図２Ａ及び図４では、導体ポスト４３の数は１１であるが、特に限定されない。

　複数の導体ポスト４０は、上述したように、導体ポスト４１の群（第１の群）４１０と、導体ポスト４２の群（第２の群）４２０と、導体ポスト４３の群（第３の群）４３０との３つの群を含む。ここで、第１の群４１０は、図４に示すように、第２の群４２０及び第３の群４３０よりも第１電子部品（パワーアンプ３１）に近い。複数の導体ポスト４０が複数の群を含む場合、第１電子部品に最も近い導体ポスト４０を含む導体ポストの群を、主導体ポストの群（または第１導体ポストの群）といい、主導体ポストの群以外の導体ポスト４０の群を副導体ポストの群という。つまり、副導体ポストの群（または第２導体ポストの群）は、実装面２１１において主導体ポストの群と第２電子部品との間に配置されグラウンド層に電気的に接続される導体ポストの群として定義される。

　モールド層５０は、図２Ｂに示すように、実装面２１１に形成される。モールド層５０は、電気絶縁性であり、複数の電子部品３０及び複数の導体ポスト４０を封止する。モールド層５０は、実装面２１１の全体を覆うように形成されている。モールド層５０は、例えば、電気絶縁性の樹脂（例えば、エポキシ樹脂）により形成される。また、モールド層５０は、実装面２１１とは反対側の表面（図２Ｂの上面）５０１が平坦であるように形成される。また、モールド層５０は、複数の導体ポスト４０の先端が表面５０１に露出するように形成される。

　シールド層６０は、回路モジュール１００の内部から外部へのノイズの放射、及び、回路モジュール１００の外部から内部へのノイズの侵入を抑制するために設けられる。シールド層６０は、図２Ｂに示すように、モールド層５０における実装面２１１とは反対側の表面５０１に形成される。シールド層６０は、モールド層５０の表面５０１の全体を覆う。特に、シールド層６０は、複数の導体ポスト４０の先端に接触するように表面５０１に形成される。そのため、シールド層６０は、複数の導体ポスト４０、複数のビア２１２、及び第１グラウンド層２２を介して、第２グラウンド層２４に電気的に接続される。このように、複数の導体ポスト４０によりシールド層６０がグラウンド層２２に電気的に接続されるから、シールド層６０の接地用の配線を新たに設ける必要がない。

　また、シールド層６０は、図２Ａ及び図４に示すように、３つのスリット６００（スリット６１０、スリット６２０、及びスリット６３０）を有する。各スリット６００は、導体ポスト４０の群４００に含まれる各導体ポスト４０に関して、平面視において、導体ポスト４０と第１電子部品との間、又は、導体ポスト４０と第２電子部品との間を通って延伸する。ここで、導体ポスト４０と第１電子部品との間とは、第１電子部品と第２電子部品とを結ぶ直線に直交し当該導体ポスト４０を通る中心線と、当該直線に直交し第１電子部品を通る中心線との間を意味する。また、導体ポスト４０と第２電子部品との間とは、第１電子部品と第２電子部品とを結ぶ直線に直交し当該導体ポスト４０を通る中心線と、当該直線に直交し第２電子部品を通る中心線との間を意味する。

　シールド層６０は、導電性を有する材料により形成される。導電性を有する材料は、例えば、アルミ、銅、鉄などの金属、又は、導電性材料を混ぜたエラストマなどの樹脂である。また、シールド層６０は、スパッタリングなどの周知の薄膜形成技術により形成できる。また、スリット６００は、ダイサー又はレーザなどを利用して、シールド層６０を一部除去することで形成される。つまり、スリット６００は、シールド層６０を加工するだけで形成でき、モールド層５０を加工する必要がない。したがって、製造コストの低減が図れる。

　スリット６１０は、第１の群４１０に沿って形成される。つまり、スリット６１０は、第１の群４１０に対応する。スリット６１０は、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間を横切る。より詳細には、図４に示すように、スリット６１０は、シールド層６０を第２方向Ｙに横切るＺ字形である。スリット６１０は、第１部位６１１と、第２部位６１２と、第３部位６１３と、を有する。第１部位６１１は、実装面２１１の第２方向Ｙに沿って延伸する直線状であり、導体ポスト４１１ａ～４１１ｉの組と、導体ポスト４１２ａ～４１２ｆの組との間を通る。つまり、第１部位６１１は、第１の群４１０の導体ポスト４１（４１１ａ～４１１ｉ）に関して、平面視において、導体ポスト４１とアンテナスイッチ回路３６との間（つまり、導体ポスト４１に対してアンテナスイッチ回路３６側）を通る。また、第１部位６１１は、第１の群４１０の導体ポスト４１（４１２ａ～４１２ｆ）に関して、平面視において、導体ポスト４１とパワーアンプ３１との間（つまり、導体ポスト４１に対してパワーアンプ３１側）を通る。第２部位６１２は、実装面２１１の第２方向Ｙに沿って延伸する直線状であり、導体ポスト４１３ａ～４１３ｆの組と、導体ポスト４１４ａ～４１４ｈの組との間を通る。つまり、第２部位６１２は、第１の群４１０の導体ポスト４１（４１３ａ～４１３ｆ）に関して、平面視において、導体ポスト４１とローノイズアンプ３２との間（つまり、導体ポスト４１に対してローノイズアンプ３２側）を通る。また、第２部位６１２は、第１の群４１０の導体ポスト４１（４１４ａ～４１４ｈ）に関して、平面視において、導体ポスト４１とパワーアンプ３１との間（つまり、導体ポスト４１に対してパワーアンプ３１側）を通る。第３部位６１３は、第１部位６１１と第２部位６１２とを連結する。このように、スリット６１０は、導体ポストの群４１０に沿って、第１電子部品（パワーアンプ３１）と第２電子部品（ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６）との間を横切る。また、スリット６１０は、両端が開放されている。つまり、シールド層６０は、モールド層５０の表面５０１を覆う部位がスリット６１０によって分断されている。

　スリット６２０は、第２の群４２０に沿って形成される。つまり、スリット６２０は、第２の群４２０に対応する。スリット６２０は、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２との間を横切る。より詳細には、図４に示すように、スリット６２０は、ローノイズアンプ３２を部分的に囲うＬ字形である。スリット６２０は、第１部位６２１と、第２部位６２２とを有する。第１部位６２１は、実装面２１１の第１方向Ｘに沿って延伸する直線状であり、第２の群４２０の導体ポスト４２１に関して、平面視において、導体ポスト４２１と第１電子部品（パワーアンプ３１）との間（つまり、導体ポスト４２１に対して第１電子部品側）を通る。第２部位６２２は、実装面２１１の第２方向Ｙに沿って延伸する直線状であり、第２の群４２０の導体ポスト４２２に関して、平面視において、導体ポスト４２２と第１電子部品（パワーアンプ３１）との間（つまり、導体ポスト４２２に対して第１電子部品側）を通る。このように、スリット６２０は、導体ポストの群４２０に沿って、第１電子部品（パワーアンプ３１）と第２電子部品（ローノイズアンプ３２）との間を横切る。また、スリット６２０は、両端が開放されている。つまり、シールド層６０は、モールド層５０の表面５０１を覆う部位がスリット６２０によって分断されている。

　スリット６３０は、第３の群４３０に沿って形成される。つまり、スリット６３０は、第３の群４３０に対応する。スリット６３０は、パワーアンプ３１とアンテナスイッチ回路３６との間を横切る。より詳細には、図４に示すように、スリット６３０は、アンテナスイッチ回路３６を部分的に囲うＬ字形である。スリット６３０は、第１部位６３１と、第２部位６３２とを有する。第１部位６３１は、実装面２１１の第２方向Ｙに沿って延伸する直線状であり、第３の群４３０の導体ポスト４３１に関して、平面視において、導体ポスト４３１と第１電子部品（パワーアンプ３１）との間（つまり、導体ポスト４３１に対して第１電子部品側）を通る。第２部位６３２は、実装面２１１の第１方向Ｘに沿って延伸する直線状であり、第３の群４３０の導体ポスト４３２に関して、平面視において、導体ポスト４３２と第１電子部品（パワーアンプ３１）との間（つまり、導体ポスト４３２に対して第１電子部品側）を通る。このように、スリット６３０は、導体ポストの群４３０に沿って、第１電子部品（パワーアンプ３１）と第２電子部品（アンテナスイッチ回路３６）との間を横切る。また、スリット６３０は、両端が開放されている。つまり、シールド層６０は、モールド層５０の表面５０１を覆う部位がスリット６３０によって分断されている。

　このようにシールド層６０は、スリット６１０と、スリット６２０と、スリット６３０との３つのスリット６００を含む。ここで、第１導体ポストの群となる第１の群４１０に対応するスリット６１０を、第１スリット（または主スリット）といい、第２導体ポストの群となる第２の群４２０及び第３の群４３０にそれぞれ対応するスリット６２０及びスリット６３０を、第２スリット（または副スリット）という。つまり、第２スリットは、第２導体ポストの群に含まれる各第２導体ポストに関して、平面視において、第２導体ポストと第１導体ポストの群との間、又は、第２導体ポストと第２電子部品との間を通るスリットとして定義される。

１．２　まとめ
　本実施形態の回路モジュール１００では、シールド層６０は、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間を横切るスリット６１０を有している。つまり、シールド層６０においてパワーアンプ３１を覆う部位とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６を覆う部位との間にスリット６１０が存在している。そのため、パワーアンプ３１で発生したノイズが、シールド層６０を介して、ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６に回り込むことが抑制される。特に、本実施形態では、スリット６１０は、両端が開放されているから、シールド層６０においてパワーアンプ３１を覆う部位がローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６を覆う部位から分離されている。これによって、パワーアンプ３１で発生したノイズが、シールド層６０を介して、ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６に回り込むことがさらに抑制される。また、シールド層６０にスリット６１０が形成されていると、スリット６１０を介して、パワーアンプ３１で発生したノイズが回路モジュール１００の外部へ放射される可能性がある。しかしながら、スリット６１０は、第１の群４２０に含まれる各導体ポスト４１（４１１ａ～４１１ｉ，４１３ａ～４１３ｆ）に関して、平面視において、導体ポスト４１と第２電子部品（ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６）との間を通る。言い換えれば、スリット６１０は、第１の群４２０に含まれる各導体ポスト４１（４１１ａ～４１１ｉ，４１３ａ～４１３ｆ）に関して、平面視において、導体ポスト４１におけるパワーアンプ３１とは反対側を通る。

　そのため、第１の群４１０によって、ノイズが第１グラウンド層２２へ流される。つまり、導体ポスト４１の群４１０が、外部へのノイズの放射を抑制する。したがって、パワーアンプ３１から外部へのノイズの放射を抑制できる。特に、スリット６１０は、導体ポストの群４１０に沿って、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間を横切る。つまり、スリット６１０は、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６よりも導体ポストの群４１０に近い。このように、スリット６１０が導体ポストの群４１０に近いほど、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制する効果が高くなる。

　第１グラウンド層２２の第１間隙２２１は、スリット６１０に沿って延びている。したがって、第１間隙２２１は、スリット６１０と同様に、導体ポストの群４１０に沿って、第１電子部品（パワーアンプ３１）と第２電子部品（ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６）との間を横切る。つまり、第１グラウンド層２２においてパワーアンプ３１に対応する部位とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６に対応する部位との間に第１間隙２２１が存在している。そのため、パワーアンプ３１で発生したノイズが、第１グラウンド層２２を介して、ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６に回り込むことが抑制される。

　また、シールド層６０は、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２との間を横切るスリット６２０を有している。つまり、シールド層６０においてパワーアンプ３１を覆う部位とローノイズアンプ３２を覆う部位との間にスリット６２０が存在している。そのため、パワーアンプ３１で発生したノイズが、シールド層６０を介して、ローノイズアンプ３２に回り込むことが抑制される。特に、本実施形態では、スリット６２０は、両端が開放されているから、シールド層６０においてパワーアンプ３１を覆う部位がローノイズアンプ３２を覆う部位から分離されている。これによって、パワーアンプ３１で発生したノイズが、シールド層６０を介して、ローノイズアンプ３２に回り込むことがさらに抑制される。シールド層６０にスリット６２０が形成されていると、スリット６２０を介して、ノイズが回路モジュール１００の内部に侵入してローノイズアンプ３２に到達する可能性がある。しかしながら、スリット６２０は、第２の群４２０に含まれる各導体ポスト４２に関して、平面視において、導体ポスト４２とパワーアンプ３１との間（つまり、導体ポスト４２におけるローノイズアンプ３２とは反対側）を通る。

　そのため、スリット６２０を通過して回路モジュール１００に侵入したノイズは、第２の群４２０の導体ポスト４２により第１グラウンド層２２へ流される。つまり、導体ポスト４２の群４２０が、外部からのノイズの侵入を抑制する。したがって、ローノイズアンプ３２をノイズから保護できる。特に、スリット６２０は、導体ポストの群４２０に沿って、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２との間を横切る。つまり、スリット６２０は、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２よりも導体ポストの群４２０に近い。このように、スリット６２０が導体ポストの群４２０に近いほど、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制する効果が高くなる。

　第１グラウンド層２２の第２間隙２２２は、スリット６２０に沿って延びている。したがって、第２間隙２２２は、スリット６２０と同様に、導体ポストの群４２０に沿って、第１電子部品（パワーアンプ３１）と第２電子部品（ローノイズアンプ３２）との間を横切る。つまり、第１グラウンド層２２においてパワーアンプ３１に対応する部位とローノイズアンプ３２に対応する部位との間に第２間隙２２２が存在している。そのため、パワーアンプ３１で発生したノイズが、第１グラウンド層２２を介して、ローノイズアンプ３２に回り込むことが抑制される。

　また、シールド層６０は、パワーアンプ３１とアンテナスイッチ回路３６との間を横切るスリット６３０を有している。つまり、シールド層６０においてパワーアンプ３１を覆う部位とアンテナスイッチ回路３６を覆う部位との間にスリット６３０が存在している。そのため、パワーアンプ３１で発生したノイズが、シールド層６０を介して、アンテナスイッチ回路３６に回り込むことが抑制される。特に、本実施形態では、スリット６３０は、両端が開放されているから、シールド層６０においてパワーアンプ３１を覆う部位がアンテナスイッチ回路３６を覆う部位から分離されている。これによって、パワーアンプ３１で発生したノイズが、シールド層６０を介して、アンテナスイッチ回路３６に回り込むことがさらに抑制される。シールド層６０にスリット６３０が形成されていると、スリット６３０を介して、ノイズが回路モジュール１００の内部に侵入してアンテナスイッチ回路３６に到達する可能性がある。しかしながら、スリット６３０は、第３の群４３０に含まれる各導体ポスト４３に関して、平面視において、導体ポスト４３とパワーアンプ３１との間（つまり、導体ポスト４３におけるアンテナスイッチ回路３６とは反対側）を通る。

　そのため、スリット６３０を通過して回路モジュール１００に侵入したノイズは、第３の群４３０の導体ポスト４３により第１グラウンド層２２へ流される。つまり、導体ポスト４３の群４３０が、外部からのノイズの侵入を抑制する。したがって、アンテナスイッチ回路３６をノイズから保護できる。特に、スリット６３０は、導体ポストの群４３０に沿って、パワーアンプ３１とアンテナスイッチ回路３６との間を横切る。つまり、スリット６３０は、パワーアンプ３１とアンテナスイッチ回路３６よりも導体ポストの群４３０に近い。このように、スリット６３０が導体ポストの群４３０に近いほど、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制する効果が高くなる。

　第１グラウンド層２２の第３間隙２２３は、スリット６３０に沿って延びている。したがって、第３間隙２２３は、スリット６３０と同様に、導体ポストの群４３０に沿って、第１電子部品（パワーアンプ３１）と第２電子部品（アンテナスイッチ回路３６）との間を横切る。つまり、第１グラウンド層２２においてパワーアンプ３１に対応する部位とアンテナスイッチ回路３６に対応する部位との間に第３間隙２２３が存在している。そのため、パワーアンプ３１で発生したノイズが、第１グラウンド層２２を介して、アンテナスイッチ回路３６に回り込むことが抑制される。

　さらに、回路モジュール１００では、複数の導体ポスト４０は、主導体ポストの群となる第１の群４１０に加えて、副導体ポストの群となる、第２の群４２０及び第３の群４３０を含む。そのため、複数の導体ポスト４０が主導体ポストの群だけを含む場合に比べれば、第１電子部品と第２電子部品との間のアイソレーション特性のさらなる向上が図れる。また、回路モジュール１００では、シールド層６０は、第１スリットとなるスリット６１０に加えて、第２スリットとなる、スリット６２０及びスリット６３０を含む。そのため、シールド層６０が第１スリットだけを含む場合に比べれば、シールド層６０によるノイズの回り込みのさらなる抑制が図れる。

　以上述べたように、本実施形態の回路モジュール１００では、複数の導体ポスト４０は、導体ポストの群４００（４１０，４２０，４３０）を備えている。導体ポストの群４００（４１０，４２０，４３０）は、実装面２１１において第１電子部品（パワーアンプ３１）と第２電子部品（ローノイズアンプ３２、アンテナスイッチ回路３６）との間を横切るように並べられ、グラウンド層２２に電気的に接続される。そのため、第１電子部品と第２電子部品との間のアイソレーション特性の向上を図ることができる。また、シールド層６０は、スリット６００（６１０，６２０，６３０）を有している。スリット６００は、導体ポストの群４００に含まれる各導体ポスト４０に関して、平面視において、導体ポスト４０と第１電子部品（パワーアンプ３１）との間、又は、導体ポスト４０と第２電子部品（ローノイズアンプ３２、アンテナスイッチ回路３６）との間を通って延伸する。つまり、スリット６００は、導体ポストの群４００に沿って、第１電子部品（パワーアンプ３１）と第２電子部品（ローノイズアンプ３２、アンテナスイッチ回路３６）との間を横切る。したがって、シールド層６０によるノイズの回り込みを低減できる。また、導体ポストの群（４１０，４２０，４３０）が、スリット（６１０，６２０，６３０）を介した外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制する。したがって、本実施形態の回路モジュール１００によれば、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制しながらも、シールド層６０によるノイズの回り込みを低減し、電子部品間のアイソレーション特性を向上できる。

２．変形例
　以上説明した実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。また、上記実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下に、上記実施形態の変形例を列挙する。

２．１　第１変形例
　図５は、第１変形例の回路モジュール１００Ａを示す。回路モジュール１００Ａでは、複数の導体ポスト４０は、第１の群４１０Ａと、第２の群４２０Ａと、第３の群４３０Ａと、を含む。第１の群４１０Ａは、第１の群４１０と同様に実装面２１１においてパワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間を横切るように並べられる導体ポスト４１の群であるが、第１の群４１０よりも導体ポスト４１の数が少ない。第１の群４１０Ａの導体ポスト４１は、複数の導体ポスト４１１ｂ，４１１ｄ，４１１ｆ，４１１ｇ，４１１ｈ，４１１ｉと、複数の導体ポスト４１２ａ，４１２ｃ，４１２ｅ，４１２ｆとを含む。さらに、第１の群４１０Ａの導体ポスト４１は、複数の導体ポスト４１３ａ，４１３ｃ，４１３ｅと、複数の導体ポスト４１４ａ，４１４ｂ，４１４ｄ，４１４ｆ，４１４ｈとを含む。第１の群４１０Ａでは、導体ポスト４１同士が、実装面２１１の第１方向Ｘにおいて互いに対向しないように、配置されている。ただし、導体ポスト４１間の間隔は、パワーアンプ３１で発生するノイズの波長の１／１６以下に設定されている。第２の群４２０Ａは、第２の群４２０と同様に実装面２１１においてパワーアンプ３１とローノイズアンプ３２との間を横切るように並べられる複数の導体ポスト４２の群である。第２の群４２０は、複数（図５では３個）の導体ポスト４２１と、複数（図５では４個）の導体ポスト４２２と、を含む。つまり、第２の群４２０Ａは、第２の群４２０よりも導体ポスト４２（４２１，４２２）の数が少ない。ただし、導体ポスト４２間の間隔は、パワーアンプ３１で発生するノイズの波長の１／１６以下に設定されている。第３の群４３０Ａは、第３の群４３０と同様に実装面２１１においてパワーアンプ３１とアンテナスイッチ回路３６との間を横切るように並べられる複数の導体ポスト４３の群である。第３の群４３０は、複数（図５では３個）の導体ポスト４３１と、複数（図５では３個）の導体ポスト４３２と、を含む。つまり、第３の群４３０Ａは、第３の群４３０よりも導体ポスト４３（４３１，４３２）の数が少ない。ただし、導体ポスト４３間の間隔は、パワーアンプ３１で発生するノイズの波長の１／１６以下に設定されている。

　また、回路モジュール１００Ａでは、シールド層６０は、スリット６１０Ａと、スリット６２０Ａと、スリット６３０Ａと、を有する。スリット６１０Ａは、スリット６１０と同様に、第１部位６１１と、第２部位６１２と、第３部位６１３と、を有する。ただし、スリット６１０Ａは、両端が開放されていない。つまり、シールド層６０は、モールド層５０の表面５０１を覆う部位がスリット６１０Ａによっては分断されていない。スリット６２０Ａは、スリット６２０と同様に、第１部位６２１と、第２部位６２２と、を有する。ただし、スリット６２０Ａは、両端が開放されていない。つまり、シールド層６０は、モールド層５０の表面５０１を覆う部位がスリット６２０Ａによっては分断されていない。スリット６３０Ａは、スリット６３０と同様に、第１部位６３１と、第２部位６３２と、を有する。ただし、スリット６３０Ａは、両端が開放されていない。つまり、シールド層６０は、モールド層５０の表面５０１を覆う部位がスリット６３０Ａによっては分断されていない。

　このような回路モジュール１００Ａにおいても、回路モジュール１００と同様に、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制しながらも、シールド層６０によるノイズの回り込みを低減し、電子部品間のアイソレーション特性を向上できる。また、導体ポスト４０（４１，４２，４３）間の間隔がパワーアンプ３１で発生するノイズの波長の１／１６以下であれば、導体ポストの群４００による効果を維持できる。つまり、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入の抑制する効果を維持できる。したがって、回路モジュール１００Ａでは、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入の抑制する効果を維持しながらも、導体ポスト４０の数を減らすことができ、製造コストの低下及び導体ポスト４０の設置に必要な領域を小さくできる。

２．２　第２変形例
　図６は、第２変形例の回路モジュール１００Ｂを示す。回路モジュール１００Ｂでは、複数の導体ポスト４０は、第１の群４１０Ｂと、第２の群４２０と、第３の群４３０と、を含む。

　第１の群４１０Ｂは、第１の群４１０と同様に、実装面２１１においてパワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間を横切るように並べられる複数の導体ポスト４１の群である。複数の導体ポスト４１は、複数（図６では６個）の導体ポスト４１５ａ，４１５ｂ，４１５ｃ，４１５ｄ，４１５ｅ，４１５ｆと、複数（図６では２個）の導体ポスト４１６ａ，４１６ｂとを含む。複数の導体ポスト４１は、さらに、複数（図６では５個）の導体ポスト４１７ａ，４１７ｂ，４１７ｃ，４１７ｄ，４１７ｅを含む。複数の導体ポスト４１５ａ～４１５ｆは、実装面２１１の第１方向Ｘにおけるローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６とパワーアンプ３１との間に、第２方向Ｙの第１端２１１ｃから第２端２１１ｄに向かって第２方向Ｙに沿って一列に並ぶ。複数の導体ポスト４１５ａ～４１５ｃは、第１方向Ｘにおいて、パワーアンプ３１と対向している。つまり、複数の導体ポスト４１５ａ～４１５ｃは、パワーアンプ３１に隣接して配置されている。換言すれば、導体ポスト４１５ａ～４１５ｃとパワーアンプ３１との間には、パワーアンプ３１とは別の電子部品３０が存在していない。複数の導体ポスト４１６ａ，４１６ｂは、第１方向Ｘにおけるローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６と導体ポスト４１５ａ～４１５ｆの群との間に、第１端２１１ｃから第２端２１１ｄに向かって第２方向Ｙに沿って一列に並ぶ。導体ポスト４１６ａは、第２方向Ｙにおいて、導体ポスト４１５ｃ，４１５ｄ間に位置する。導体ポスト４１６ｂは、第２方向Ｙにおいて、導体ポスト４１５ｆと第２端２１１ｄとの間に位置する。複数の導体ポスト４１７ａ～４１７ｅは、実装面２１１の第２方向Ｙの第１端２１１ｃとパワーアンプ３１との間に、第２方向Ｙに沿って一列に並ぶ。第１の群４１０Ｂにおいて、隣接する２つの導体ポストの間隔は、パワーアンプ３１で発生するノイズの波長の１／１６以下に設定されている。

　また、回路モジュール１００Ｂでは、シールド層６０は、スリット６１０Ｂを有しているが、スリット６２０及びスリット６３０を有していない。言い換えれば、シールド層６０は、第１スリットを有しているが、第２スリットを有していない。スリット６１０Ｂは、第１の群４１０Ｂに沿って形成される。つまり、スリット６１０Ｂは、第１の群４１０Ｂに対応する。スリット６１０Ｂは、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間を横切る。より詳細には、スリット６１０Ｂは、第１部位６１１Ｂと、第２部位６１２Ｂと、第３部位６１３Ｂと、第４部位６１４Ｂと、第５部位６１５Ｂと、第６部位６１６Ｂと、第７部位６１７Ｂと、を有する。

　第１部位６１１Ｂは、実装面２１１の第２方向Ｙの第２端２１１ｄから導体ポスト４１５ｃ～４１５ｆの組と、導体ポスト４１６ａ，４１６ｂの組との間を通って延伸する。つまり、第１部位６１１Ｂは、第１の群４１０Ｂの導体ポスト４１（４１５ｃ～４１５ｆ）に関して、導体ポスト４１とアンテナスイッチ回路３６との間を通る。また、第１部位６１１Ｂは、第１の群４１０Ｂの導体ポスト４１（４１６ａ，４１６ｂ）に関して、導体ポスト４１とパワーアンプ３１との間を通る。第２部位６１２Ｂは、第１部位６１１Ｂから、導体ポスト４１５ｂとパワーアンプ３１との間を通って延伸する。第３部位６１３Ｂは、第２部位６１２Ｂから、導体ポスト４１５ａとローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間、及び、導体ポスト４１７ｅとローノイズアンプ３２との間を通って延伸する。第４部位６１４Ｂは、第３部位６１３Ｂから、導体ポスト４１７ｄとパワーアンプ３１との間を通って延伸する。第５部位６１５Ｂは、第４部位６１４Ｂから、導体ポスト４１５ａとローノイズアンプ３２との間を通って延伸する。第６部位６１６Ｂは、第５部位６１５Ｂから、導体ポスト４１７ｄとパワーアンプ３１との間を通って延伸する。第７部位６１７Ｂは、第６部位６１６Ｂから、導体ポスト４１５ａとローノイズアンプ３２との間を通って延伸する。

　このように、スリット６１０Ｂは、隣接する２つの導体ポスト４１の一方と第１電子部品（パワーアンプ３１）との間と他方と第２電子部品（アンテナスイッチ回路３６）との間とを通る部位（６１１Ｂ～６１３Ｂ）を有する。また、スリット６１０Ｂは、隣接する２つの導体ポスト４１の一方と第１電子部品（パワーアンプ３１）との間と他方と第２電子部品（ローノイズアンプ３２）との間とを通る部位（６１３Ｂ～６１７Ｂ）を有する。このように、隣接する２つの導体ポスト４１の一方と第１電子部品との間と他方と第２電子部品との間とを通る部位では、スリット６１０Ｂの両側に隣接する２つの導体ポスト４１が位置することになる。そのため、回路モジュール１００のように、スリット６１０の両側に、導体ポスト４１３ａ～４１３ｆの組と導体ポスト４１４ａ～４１４ｈの組とを配置した場合と同様の効果が得られる。つまり、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入の抑制する効果を維持しながらも、導体ポスト４０（４１）の数を減らすことができ、製造コストの低下及び導体ポスト４０（４１）の設置に必要な領域を小さくできる。

　このような回路モジュール１００Ｂにおいても、回路モジュール１００と同様に、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制しながらも、シールド層６０によるノイズの回り込みを低減し、電子部品間のアイソレーション特性を向上できる。

２．３　第３変形例
　図７は、第３変形例の回路モジュール１００Ｃを示す。回路モジュール１００Ｃでは、複数の導体ポスト４０は、第１の群４１０Ｃを含んでいるが、第２の群４２０及び第３の群４３０を含んでいない。

　第１の群４１０Ｃは、第１の群４１０と同様に、実装面２１１においてパワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間を横切るように並べられる複数の導体ポスト４１の群である。複数の導体ポスト４１は、複数（図６では６個）の導体ポスト４１５ａ，４１５ｂ，４１５ｃ，４１５ｄ，４１５ｅ，４１５ｆと、複数（図６では２個）の導体ポスト４１６ａ，４１６ｂとを含む。複数の導体ポスト４１は、さらに、複数（図６では６個）の導体ポスト４１８ａ，４１８ｂ，４１８ｃ，４１８ｄ，４１８ｅ，４１８ｆを含む。複数の導体ポスト４１８ａ～４１８ｆは、実装面２１１の第２方向Ｙの第１端２１１ｃとパワーアンプ３１との間に、第２方向Ｙに沿って並ぶ。ここで、導体ポスト４１８ａ～４１８ｅは、一列に並んでいる。導体ポスト４１８ａ，４１８ｂは、図７に示すように、第２方向Ｙにおいて、キャパシタ３８の両側に位置する。また、導体ポスト４１８ｆは、導体ポスト４１８ｅと導体ポスト４１５ａとの間に位置する。第１の群４１０Ｃにおいて、隣接する２つの導体ポストの間隔は、パワーアンプ３１で発生するノイズの波長の１／１６以下に設定されている。

　また、回路モジュール１００Ｃでは、シールド層６０は、スリット６１０Ｃを有しているが、スリット６２０及びスリット６３０を有していない。言い換えれば、シールド層６０は、第１スリットを有しているが、第２スリットを有していない。スリット６１０Ｃは、第１の群４１０Ｃに沿って形成される。つまり、スリット６１０Ｃは、第１の群４１０Ｃに対応する。スリット６１０Ｃは、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間を横切る。より詳細には、スリット６１０Ｃは、第１部位６１１Ｃと、第２部位６１２Ｃと、第３部位６１３Ｃと、第４部位６１４Ｃと、を有する。

　第１部位６１１Ｃは、実装面２１１の第２方向Ｙの第２端２１１ｄから導体ポスト４１５ｃ～４１５ｆの組と、導体ポスト４１６ａ，４１６ｂの組との間を通って延伸する。第２部位６１２Ｃは、第１部位６１１Ｃから、導体ポスト４１５ｂとパワーアンプ３１との間を通って延伸する。第３部位６１３Ｃは、第２部位６１２Ｃから、導体ポスト４１５ａとローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間、及び、導体ポスト４１７ｅとローノイズアンプ３２との間を通って延伸する。第４部位６１４Ｃは、第３部位６１３Ｃから、導体ポスト４１８ａ～４１８ｅの組とパワーアンプ３１との間を通って延伸する。

　このように、スリット６１０Ｃは、隣接する２つの導体ポスト４１の一方と第１電子部品（パワーアンプ３１）との間と他方と第２電子部品（アンテナスイッチ回路３６）との間を通る部位（６１１Ｃ～６１３Ｃ）を有する。また、スリット６１０Ｃは、隣接する２つの導体ポスト４１の一方と第１電子部品（パワーアンプ３１）との間と他方と第２電子部品（ローノイズアンプ３２）との間とを通る部位（６１３Ｃ、６１４Ｃ）を有する。そのため、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入の抑制する効果を維持しながらも、導体ポスト４０（４１）の数を減らすことができ、製造コストの低下及び導体ポスト４０（４１）の設置に必要な領域を小さくできる。

　また、第４部位６１４Ｃは、図７に示すように、平面視において、導体ポスト４１８ａ，４１８ｂ間にあるキャパシタ３８上を通っている。つまり、スリット６１０Ｃは、キャパシタ３８を横切っている。キャパシタ３８は、複数の電子部品３０のうち、第２電子部品（ローノイズアンプ３２、アンテナスイッチ回路３６）よりもノイズ（パワーアンプ３１で発生するノイズ）の影響を受けにくい電子部品（第３電子部品）である。言い換えれば、第３電子部品は第２電子部品に比べて第１電子部品と磁気結合し難い部品であるともいえる。そのため、スリット６１０Ｃを、第３電子部品（キャパシタ３８）を横切らないように形成しなくて済む。つまり、実装面２１１において第３電子部品（キャパシタ３８）が実装されている領域を利用してスリット６１０Ｃを形成できるから、実装面２１１上のスペースを有効に利用できる。

　このような回路モジュール１００Ｃにおいても、回路モジュール１００と同様に、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制しながらも、シールド層６０によるノイズの回り込みを低減し、電子部品間のアイソレーション特性を向上できる。

２．４　第４変形例
　図８は、第４変形例の回路モジュール１００Ｄを示す。回路モジュール１００Ｄでは、複数の導体ポスト４０は、第１の群４１０Ｄを含んでいるが、第２の群４２０及び第３の群４３０を含んでいない。

　第１の群４１０Ｄは、第１の群４１０と同様に、実装面２１１においてパワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間を横切るように並べられる複数の導体ポスト４１の群である。複数の導体ポスト４１は、第１の群４１０Ａと同様に、複数（図６では６個）の導体ポスト４１１ｂ，４１１ｄ，４１１ｆ～４１１ｉと、複数（図６では４個）の導体ポスト４１２ａ，４１２ｃ，４１２ｅ，４１２ｆと、を含む。さらに、複数の導体ポスト４１は、複数（図８では３個）の導体ポスト４１９ａ，４１９ｂ，４１９ｃを含む。複数の導体ポスト４１９ａ～４１９ｃは、実装面２１１の第２方向Ｙの第１端２１１ｃとパワーアンプ３１との間に、第１方向Ｘの第１端２１１ａから第２端２１１ｂに向かって第１方向Ｘに沿って一列に並ぶ。第１の群４１０Ｄにおいて、隣接する２つの導体ポストの間隔は、パワーアンプ３１で発生するノイズの波長の１／１６以下に設定されている。

　また、回路モジュール１００Ｄでは、シールド層６０は、スリット６１０Ｄを有しているが、スリット６２０及びスリット６３０を有していない。言い換えれば、シールド層６０は、第１スリットを有しているが、第２スリットを有していない。スリット６１０Ｄは、第１の群４１０Ｄに沿って形成される。つまり、スリット６１０Ｄは、第１の群４１０Ｄに対応する。スリット６１０Ｄは、パワーアンプ３１とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６との間を横切るようにパワーアンプ３１を囲う。より詳細には、スリット６１０Ｄは、第１部位６１１Ｄと、第２部位６１２Ｄと、第３部位６１３Ｄと、第４部位６１４Ｄと、を有する。

　第１部位６１１Ｄは、実装面２１１の第２方向Ｙに沿って延伸する直線状であり、導体ポスト４１１ｂ，４１１ｄ，４１１ｆ，４１１ｇ，４１１ｈ，４１１ｉの組と、導体ポスト４１２ａ，４１２ｃ，４１２ｅ，４１２ｆの組との間を通る。第２部位６１２Ｄは、第１部位６１１Ｄにおける、実装面２１１の第２方向Ｙの第１端２１１ｃ側の端から実装面２１１の第１方向Ｘに沿って延伸する直線状であり、導体ポスト４１９ｂ～４１９ｉの組とパワーアンプ３１との間を通る。第３部位６１３Ｄは、第２部位６１２Ｄにおける、実装面２１１の第１方向Ｘの第１端２１１ａ側の端から実装面２１１の第２方向Ｙに沿って延伸する直線状であり、実装面２１１の第１方向Ｘの第１端２１１ａとパワーアンプ３１との間を通る。第４部位６１４Ｄは、第３部位６１３Ｄにおける実装面２１１の第２方向Ｙの第２端２１１ｄ側の端から、第１部位６１１Ｄにおける実装面２１１の第２方向Ｙの第２端２１１ｄ側の端まで実装面２１１の第２方向Ｙに沿って延伸する直線状である。第４部位６１４Ｄは、実装面２１１の第２方向Ｙの第２端２１１ｄとパワーアンプ３１との間を通る。

　また、第３部位６１３Ｄ及び第４部位６１４Ｄは、図８に示すように、平面視において、実装面２１１に実装されているキャパシタ３８上を通っている。つまり、スリット６１０Ｄは、第３電子部品であるキャパシタ３８を横切っている。したがって、実装面２１１において第３電子部品（キャパシタ３８）が実装されている領域を利用してスリット６１０Ｄを形成できるから、実装面２１１上のスペースを有効に利用できる。

　また、シールド層６０では、スリット６１０Ｄによって囲まれた部位（つまり、パワーアンプ３１に対向する部位）が、他の部位から分離されている。そのため、パワーアンプ３１で発生したノイズが、シールド層６０を介して、ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６に回り込むことが抑制される。なお、回路モジュール１００Ｄでは、第１の群４１０Ｄの導体ポスト４１は、パワーアンプ３１を囲うように並べられていることが好ましい。

　このような回路モジュール１００Ｄにおいても、回路モジュール１００と同様に、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制しながらも、シールド層６０によるノイズの回り込みを低減し、電子部品間のアイソレーション特性を向上できる。

２．５　第５変形例
　図９は、第５変形例の回路モジュール１００Ｅを示す。回路モジュール１００Ｅでは、複数の導体ポスト４０は、第２の群４２０を含んでいるが、第１の群４１０及び第３の群４３０を含んでいない。また、シールド層６０は、スリット６２０を有しているが、スリット６１０及びスリット６３０を有していない。なお、第１グラウンド層２２は、第２間隙２２２を有しているが、第１間隙２２１及び第３間隙２２３を有していない。このような回路モジュール１００Ｅにおいても、回路モジュール１００と同様に、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制しながらも、シールド層６０によるノイズの回り込みを低減し、電子部品間のアイソレーション特性を向上できる。

２．６　第６変形例
　図１０は、第６変形例の回路モジュール１００Ｆを示す。回路モジュール１００Ｆでは、複数の導体ポスト４０は、第３の群４３０を含んでいるが、第１の群４１０及び第２の群４２０を含んでいない。また、シールド層６０は、スリット６３０を有しているが、スリット６１０及びスリット６２０を有していない。なお、第１グラウンド層２２は、第３間隙２２３を有しているが、第１間隙２２１及び第２間隙２２２を有していない。このような回路モジュール１００Ｆにおいても、回路モジュール１００と同様に、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制しながらも、シールド層６０によるノイズの回り込みを低減し、電子部品間のアイソレーション特性を向上できる。

２．７　第７変形例
　図１１は、第７変形例の回路モジュール１００Ｇを示す。回路モジュール１００Ｇでは、モールド層５０が、空隙５０２を有している。空隙５０２は、スリット６１０に沿って延伸する。したがって、空隙５０２は、スリット６１０と同様に、導体ポストの群４１０に沿って、第１電子部品（パワーアンプ３１）と第２電子部品（ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６）との間を横切る。つまり、モールド層５０においてパワーアンプ３１を封止する部位とローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６を封止する部位との間に空隙５０２が存在している。そのため、第１電子部品（パワーアンプ３１）と第２電子部品（ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６）との間のアイソレーション特性のさらなる向上が図れる。なお、回路モジュール１００Ｇでは、空隙５０２は、実装面２１１を露出させているが、必ずしも実装面２１１を露出させる必要はなく、表面５０１より凹んだ凹所であってもよい。また、回路モジュール１００Ｇは、スリット６２０に沿って延伸する空隙を有していてもよいし、スリット６３０に沿って延伸する空隙を有していてもよい。

２．８　その他の変形例
　図１の概略回路図は、回路モジュールの回路の一例である。例えば、回路モジュールにおいて、複数の電子部品３０は、複数のデュプレクサ３３を含む代わりに、単一のデュプレクサを含んでいてもよい。この場合には、第１スイッチ回路３４、第２スイッチ回路３５、及びアンテナスイッチ回路３６は必須ではない。また、電子部品３０は、第２スイッチ回路３５の代わりに、ローノイズアンプ３２を複数含んでいてもよい。要するに、回路モジュールの回路構成は、必要に応じて適宜変更してもよい。

　また、回路基板２０は、四角形状（例えば、正方形状又は矩形状）でなくてもよく、多角形状、円形状等、所望の形状であってよい。また、回路基板２０は、第２電気絶縁層２３及び第２グラウンド層２４を有していなくてもよい。また、グラウンド層２２は、間隙（２２１，２２２，２２３）を有していなくてもよい。あるいは、第２グラウンド層２４が、間隙（２２１，２２２，２２３）を有していてもよい。

　また、複数の電子部品３０は、少なくとも、パワーアンプ３１のような第１電子部品と、ローノイズアンプ３２及びアンテナスイッチ回路３６のような第２電子部品を含んでいればよい。また、複数の電子部品３０の実装面２１１における配置は、特に限定されず、必要に応じて適宜変更してもよい。

　また、複数の導体ポスト４０は、第１の群（４１０，４１０Ａ～４１０Ｄ）、第２の群（４２０，４２０Ａ）、及び第３の群（４３０，４３０Ａ）の少なくとも一つを含んでいればよい。また、導体ポストの群４００に含まれる導体ポスト４０の数も特に限定されない。なお、各導体ポスト４０は、円柱状以外の形状（例えば、角柱状、板状）であってもよい。また、導体ポスト４０自体の大きさは、第１電子部品からのノイズの遮断効果が得られる大きさであればよい。

　また、シールド層６０は、導体ポストの群４００が複数ある場合でも、少なくとも一つの導体ポストの群４００に対応するスリット６００を有していればよい。また、スリット６００（６１０，６１０Ａ，６１０Ｂ，６１０Ｃ，６１０Ｄ，６２０，６２０Ａ，６３０，６３０Ａ）は、単一のスリットではなく、複数の円形状又は多角形状の孔によって構成されていてもよい。

３．態様
　以上述べた実施形態及び変形例から明らかなように、第１の態様の回路モジュール（１００；１００Ａ；１００Ｂ；１００Ｃ；１００Ｄ；１００Ｅ；１００Ｆ；１００Ｇ）は、回路基板（２０）と、複数の電子部品（３０）と、複数の導体ポスト（４０）と、モールド層（５０）と、シールド層（６０）と、を備える。前記回路基板（２０）は、実装面（２１１）を有する電気絶縁層（２１）、及び、前記電気絶縁層（２１）における前記実装面（２１１）と反対側にあるグラウンド層（２２）を有する。前記複数の電子部品（３０）は、前記実装面（２１１）に実装され、ノイズの発生源となる第１電子部品（３１）及び前記第１電子部品で発生するノイズからの保護対象である第２電子部品（３２，３６）を含む。前記複数の導体ポスト（４０）は、前記実装面（２１１）において前記第１電子部品（３１）と前記第２電子部品（３２，３６）との間を横切るように並べられ前記グラウンド層（２２）に電気的に接続される導体ポストの群（４００）を含む。前記モールド層（５０）は、電気絶縁性を有し、前記複数の電子部品（３０）及び前記複数の導体ポスト（４０）を封止するように前記実装面（２１１）に形成される。前記シールド層（６０）は、前記モールド層（５０）における前記実装面とは反対側の表面（５０１）を覆う。前記シールド層（６０）は、スリット（６００）を有する。前記スリット（６００）は、前記導体ポストの群（４００）に含まれる各導体ポスト（４０）に関して、平面視において、前記導体ポスト（４０）と前記第１電子部品（３１）との間、又は、前記導体ポスト（４０）と前記第２電子部品（３２，３６）との間を通って延伸する。第１の態様によれば、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入を抑制しながらも、シールド層（６０）によるノイズの回り込みを低減し、電子部品（第１及び第２電子部品）間のアイソレーション特性を向上できる。

　第２の態様の回路モジュール（１００Ｂ；１００Ｃ）は、第１の態様との組み合わせにより実現され得る。第２の態様では、前記スリット（６１０Ｂ；６１０Ｃ）は、前記導体ポストの群（４００）に含まれる隣接する２つの導体ポスト（４０）の一方と前記第１電子部品（３１）との間と他方と前記第２電子部品（３２，３６）との間とを通る部位を有する。第２の態様によれば、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入の抑制する効果を維持しながらも、導体ポスト（４０）の数を減らすことができ、製造コストの低下及び導体ポスト（４０）の設置に必要な領域を小さくできる。

　第３の態様の回路モジュール（１００Ｃ；１００Ｄ）は、第１又は第２の態様との組み合わせにより実現され得る。第３の態様では、前記複数の電子部品（３０）は、前記第２電子部品（３２，３６）よりも前記ノイズの影響を受けにくい第３電子部品（３８）を含む。前記スリット（６１０Ｃ；６１０Ｄ）は、前記第３電子部品（３８）を横切る。第３の態様によれば、実装面（２１１）上のスペースを有効に利用できる。

　第４の態様の回路モジュール（１００；１００Ａ；１００Ｂ；１００Ｃ；１００Ｄ；１００Ｅ；１００Ｆ；１００Ｇ）は、第１～第３の態様のいずれかとの組み合わせにより実現され得る。第４の態様では、前記グラウンド層（２２）は、前記グラウンド層（２２）を厚み方向に貫通する間隙（２２１，２２２，２２３）を有する。前記間隙（２２１，２２２，２２３）は、前記スリット（６１０，６２０，６３０）に沿って延びている。第４の態様によれば、グラウンド層（２２）によるノイズの回り込みを低減できる。

　第５の態様の回路モジュール（１００；１００Ａ；１００Ｂ；１００Ｃ；１００Ｄ；１００Ｅ；１００Ｆ；１００Ｇ）は、第１～第４の態様のいずれかとの組み合わせにより実現され得る。第５の態様では、前記モールド層（５０）は、前記複数の導体ポスト（４０）の先端が前記表面（５０１）に露出するように形成される。前記シールド層（６０）は、前記複数の導体ポスト（４０）の前記先端に接触するように前記表面（５０１）に形成される。第５の態様によれば、複数の導体ポスト（４０）によりシールド層（６０）がグラウンド層（２２）に電気的に接続されるから、シールド層（６０）の接地用の配線を新たに設ける必要がない。

　第６の態様の回路モジュール（１００；１００Ａ；１００Ｂ；１００Ｃ；１００Ｄ；１００Ｅ；１００Ｆ；１００Ｇ）は、第１～第５の態様のいずれかとの組み合わせにより実現され得る。第６の態様では、前記導体ポストの群（４００）における導体ポスト（４０）間の間隔は、前記ノイズの波長の１／１６以下である。第６の態様によれば、外部へのノイズの放射及び外部からのノイズの侵入の抑制する効果を維持しながらも、導体ポスト（４０）の数を減らすことができ、製造コストの低下及び導体ポスト（４０）の設置に必要な領域を小さくできる。

　第７の態様の回路モジュール（１００；１００Ａ）は、第１～第６の態様のいずれかとの組み合わせにより実現され得る。第７の態様では、前記導体ポストの群（４００）は、第１導体ポストの群（４１０；４１０Ａ）である。前記複数の導体ポスト（４０）は、前記実装面（２１１）において前記第１導体ポストの群（４１０；４１０Ａ）と前記第２電子部品（３２，３６）との間に配置され前記グラウンド層（２２）に電気的に接続される第２導体ポストの群（４２０，４３０）を含む。第７の態様によれば、複数の導体ポスト（４０）が第１導体ポストの群（４１０；４１０Ａ）だけを含む場合に比べれば、第１電子部品と第２電子部品との間のアイソレーション特性のさらなる向上が図れる。

　第８の態様の回路モジュール（１００）は、第７の態様との組み合わせにより実現され得る。第８の態様では、前記スリット（６００）は、第１スリット（６１０）である。前記シールド層（６０）は、第２スリット（６２０，６３０）を有する。前記第２スリット（６２０，６３０）は、前記第２導体ポストの群（４２０，４３０）に含まれる各第２導体ポスト（４２，４３）に関して、平面視において、第２導体ポスト（４２，４３）と前記第１導体ポストの群（４１０）との間、又は、第２導体ポスト（４２，４３）と前記第２電子部品（３２，３６）との間を通る。第８の態様によれば、シールド層（６０）が第１スリット（６１０）だけを含む場合に比べれば、シールド層（６０）によるノイズの回り込みのさらなる抑制が図れる。

　第９の態様の回路モジュール（１００；１００Ａ；１００Ｂ；１００Ｃ；１００Ｄ；１００Ｅ；１００Ｆ；１００Ｇ）は、第１～第８の態様のいずれかとの組み合わせにより実現され得る。第９の態様では、前記第１電子部品（３１）は、パワーアンプ（３１）であり、前記第２電子部品（３２，３６）は、ローノイズアンプ（３２）又はアンテナスイッチ回路（３６）である。第９の態様によれば、パワーアンプ（３１）で発生するノイズのローノイズアンプ（３２）又はアンテナスイッチ回路（３６）への影響を低減できる。

　１００，１００Ａ～１００Ｇ　回路モジュール
　２０　　回路基板
　２１　　電気絶縁層（第１電気絶縁層）
　２２　　グラウンド層（第１グラウンド層）
　２１１　実装面
　３０　　電子部品
　３１　　パワーアンプ（第１電子部品）
　３２　　ローノイズアンプ（第２電子部品）
　３６　　アンテナスイッチ回路（第２電子部品）
　３８　　キャパシタ（第３電子部品）
　４０　　導体ポスト
　４１　　導体ポスト（第１導体ポスト）
　４２　　導体ポスト（第２導体ポスト）
　４３　　導体ポスト（第２導体ポスト）
　４００　導体ポストの群
　４１０，４１０Ａ～４１０Ｄ　第１群（導体ポストの群）
　４２０，４２０Ａ　第２群（導体ポストの群）
　４３０，４３０Ａ　第３群（導体ポストの群）
　５０　　モールド層
　５０１　表面
　６０　　シールド層
　６００　スリット
　６１０，６１０Ａ～６１０Ｄ　スリット（第１スリット）
　６２０，６２０Ａ　スリット（第２スリット）
　６３０，６３０Ａ　スリット（第２スリット）

Claims

　実装面を有する電気絶縁層、及び、前記電気絶縁層における前記実装面と反対側にあるグラウンド層を有する回路基板と、
　前記実装面に実装され、ノイズの発生源となる第１電子部品及び前記第１電子部品で発生するノイズからの保護対象である第２電子部品を含む複数の電子部品と、
　前記実装面において前記第１電子部品と前記第２電子部品との間を横切るように並べられ前記グラウンド層に電気的に接続される導体ポストの群を含む、複数の導体ポストと、
　電気絶縁性を有し、前記複数の電子部品及び前記複数の導体ポストを封止するように前記実装面に形成されるモールド層と、
　前記モールド層における前記実装面とは反対側の表面を覆うシールド層と、
　を備え、
　前記シールド層は、前記導体ポストの群に含まれる各導体ポストに関して、平面視において、前記導体ポストと前記第１電子部品との間、又は、前記導体ポストと前記第２電子部品との間を通って延伸するスリットを有する、
　回路モジュール。
　前記スリットは、前記導体ポストの群に含まれる隣接する２つの導体ポストの一方と前記第１電子部品との間と他方と前記第２電子部品との間とを通る部位を有する、
　請求項１の回路モジュール。
　前記複数の電子部品は、前記第２電子部品よりも前記ノイズの影響を受けにくい第３電子部品を含み、
　前記スリットは、前記第３電子部品を横切る、
　請求項１又は２の回路モジュール。
　前記グラウンド層は、前記グラウンド層を厚み方向に貫通する間隙を有し、
　前記間隙は、前記スリットに沿って延びている、
　請求項１～３のいずれか一つの回路モジュール。
　前記モールド層は、前記複数の導体ポストの先端が前記表面に露出するように形成され、
　前記シールド層は、前記複数の導体ポストの前記先端に接触するように前記表面に形成される、
　請求項１～４のいずれか一つの回路モジュール。
　前記導体ポストの群における導体ポスト間の間隔は、前記ノイズの波長の１／１６以下である、
　請求項１～５のいずれか一つの回路モジュール。
　前記導体ポストの群は、第１導体ポストの群であり、
　前記複数の導体ポストは、前記実装面において前記第１導体ポストの群と前記第２電子部品との間に配置され前記グラウンド層に電気的に接続される第２導体ポストの群を含む、
　請求項１～６のいずれか一つの回路モジュール。
　前記スリットは、第１スリットであり、
　前記シールド層は、前記第２導体ポストの群に含まれる各第２導体ポストに関して、平面視において、第２導体ポストと前記第１導体ポストの群との間、又は、第２導体ポストと前記第２電子部品との間を通る第２スリットを有する、
　請求項７の回路モジュール。
　前記第１電子部品は、パワーアンプであり、
　前記第２電子部品は、ローノイズアンプ又はアンテナスイッチ回路である、
　請求項１～８のいずれか一つの回路モジュール。