WO2018088120A1 - 撮像装置、撮像方法、及び、撮像プログラム - Google Patents

撮像装置、撮像方法、及び、撮像プログラム Download PDF

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Definitions

  • the darkness held in the charge holding portion is After the second driving control for reading out a signal corresponding to the charge by the reading circuit and the exposure by the first driving control, the signal corresponding to the imaging charge held in the charge holding unit is read out from the reading circuit.
  • the voltage applied to the electrodes constituting the charge transfer unit 61C is controlled by the drive circuit 63, whereby the charge is transferred from the photoelectric conversion element 61A to the charge holding unit 61B.
  • a partial region of the photoelectric conversion element 61 ⁇ / b> A, the charge holding unit 61 ⁇ / b> B, the charge transfer unit 61 ⁇ / b> C, the floating diffusion 61 ⁇ / b> D, and the readout circuit 61 ⁇ / b> E are shielded by a light shielding film (not shown). ing.
  • the photoelectric conversion element 61A and the charge holding unit 61B of the pixel 61 are reset by the reset transistor 77 in a state where the charge transfer unit 61C can transfer charges and a channel is formed on the semiconductor substrate below the readout electrode 72. This is done by resetting the floating diffusion 61D.
  • the charge transfer unit 61C and the readout electrode 72 of each pixel 61 in the pixel row 62 are driven, and the charge accumulated in the photoelectric conversion element 61A of each pixel 61 passes through the charge holding unit 61B.
  • the driving for transferring to the floating diffusion 61D and reading the signal corresponding to the electric charge to the signal line 65 is sequentially performed while changing the pixel row 62.
  • the photoelectric conversion element 61A and the charge holding unit 61B of each pixel 61 are reset and exposure of the photoelectric conversion element 61A is started, and then the imaging charge accumulated in the photoelectric conversion element 61A is changed to the pixel 61. Is transferred to the charge holding unit 61B, and the exposure ends.
  • the digital signal processing unit 17 corrects the black level of the captured image signal output from the image sensor 5 based on the signal read from the black level detection pixel 61 included in the image sensor 5.
  • a straight line RR and a straight line GR shown in FIG. 5 indicate timings at which the photoelectric conversion elements 61A and the charge holding units 61B included in the pixel row 62 are reset, respectively.
  • the live view sequence LV is started.
  • the digital signal processing unit 17 calculates the black level of the captured image signal P2 based on the dark image signal P1, and corrects the black level of the captured image signal P2 based on the calculated black level.
  • the digital signal processing unit 17 calculates the average value of all the dark signals constituting the dark image signal P1, and subtracts this average value from each image signal constituting the captured image signal P2, thereby capturing an image.
  • the black level of the image signal P2 is corrected.
  • the digital signal processing unit 17 calculates a black level based on the dark image signal read from the charge holding unit 61B by the charge holding unit pre-reading sequence PRE, and uses the black level to use the still image reading sequence RE.
  • the black level correction of the captured image signal read out in step S3 is performed (step S3).
  • the threshold value TH1 may be set to a value larger than the look-ahead time. As the threshold value TH1, the difference between the first dark charge amount and the second dark charge amount becomes large, and the reliability of the black level calculated using the first dark charge is not sufficient. Set the lower limit of the exposure time. According to this configuration, since the possibility that the charge holding unit prefetching sequence PRE is omitted increases, power consumption can be reduced.
  • the amount of the first dark charge and the amount of the second dark charge are substantially the same.
  • the difference between the first dark charge amount and the second dark charge amount becomes large.
  • the calling unit 211 includes a speaker 205 or a microphone 206, converts user's voice input through the microphone 206 into voice data that can be processed by the main control unit 220, and outputs the voice data to the main control unit 220. 210 or the audio data received by the external input / output unit 213 is decoded and output from the speaker 205.
  • the GPS receiving unit 214 can acquire position information from the wireless communication unit 210 or the external input / output unit 213 (for example, a wireless LAN), the GPS receiving unit 214 can also detect the position using the position information.
  • the position can also be detected with reference to an image from the camera unit 208.
  • the optical axis direction of the camera unit 208 of the smartphone 200 can be determined without using the triaxial acceleration sensor or in combination with the triaxial acceleration sensor. The current usage environment can also be judged.
  • the image from the camera unit 208 can also be used in the application software.

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Abstract

撮像素子を遮光して撮像を行うことなく、光電変換素子で発生する暗電流の情報を高精度に得ることができる撮像装置、撮像方法、及び、撮像プログラムを提供する。デジタルカメラは、光電変換素子61A及び電荷保持部61Bをリセットして光電変換素子61Aの露光を開始し、光電変換素子61Aに蓄積された撮像電荷を電荷保持部61Bに転送して露光を終了する第一の駆動制御と、第一の駆動制御によって撮像電荷が電荷保持部61Bに転送される前に、電荷保持部61Bに保持されている暗時電荷に応じた信号を読み出す第二の駆動制御と、第一の駆動制御による露光の終了後に、電荷保持部61Bに保持された撮像電荷に応じた信号を読み出す第三の駆動制御と、を行う。

Description

撮像装置、撮像方法、及び、撮像プログラム
 本発明は、撮像装置、撮像方法、及び、撮像プログラムに関する。
 近年、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ、又は、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ等の撮像素子の高解像度化に伴い、電子内視鏡、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、又は、カメラ付きの携帯電話機等の撮像機能を有する情報機器の需要が急増している。なお、以上のような撮像機能を有する情報機器を撮像装置と称する。
 MOS型の撮像素子には、光電変換素子と、この光電変換素子で発生し蓄積された電荷を保持する電荷保持部と、この電荷保持部に保持された電荷が転送されるフローティングディフュージョンと、フローティングディフュージョンの電位に応じた信号を出力する読み出し回路とを含む画素が二次元状に配置されたものがある(特許文献1参照)。
 特許文献1に記載の撮像素子は、光電変換素子の電荷が電荷保持部に転送される前に、電荷保持部で発生した暗電流をドレイン部に排出している。
 また、光電変換素子で発生する暗電流の検出を行う方法として、特許文献2には、本撮像を行う前に撮像素子を遮光した状態で暗時撮像を行う方法が記載されている。
 また、暗電流を検出する技術ではないが、特許文献3には、読み出し回路のフローティングディフュージョンで発生するリセットノイズを本撮像の露光終了前に検出することが記載されている。
日本国特開2014-022795号公報 日本国特開2012-191379号公報 日本国特開2011-211448号公報
 特許文献1に記載されたような電荷保持部を有する撮像素子は、ローリングシャッタ方式による駆動に加えて、グローバルシャッタ方式による駆動が可能である。
 グローバルシャッタ方式は、全ての光電変換素子で露光の開始タイミングを一致させ、全ての光電変換素子に蓄積された電荷を同時に電荷保持部に転送することで、この露光を終了し、その後、電荷保持部に蓄積された電荷に応じた信号をライン毎に順次読み出していく方式である。
 電荷保持部を有する撮像素子によれば、メカニカルシャッタを用いることなく、全ての光電変換素子で露光時間の開始及び終了タイミングを揃えることができる。このため、歪みのない撮像画像を、メカニカルシャッタの動作時間に縛られることなく得ることができる。
 このような撮像素子において、光電変換素子で発生する暗電流の情報を得るためには、例えば特許文献2に記載されているように、本撮像の前に撮像素子を遮光した状態で撮像を行う必要がある。
 この場合には、撮像素子を遮光するための部材(例えばメカニカルシャッタ)が必要となり、メカニカルシャッタを用いずに撮像を行うことができるという撮像素子のメリットを享受することができない。
 また、撮像素子を遮光した状態で撮像を行う時間を確保する必要があり、撮像処理の高速化の妨げとなる。
 特許文献1に記載の撮像素子は、電荷保持部で発生した暗電流がドレイン部に排出されるため、暗電流の情報を得ることはできない。
 特許文献3は、フローティングディフュージョンのリセットノイズを検出する技術を開示するものであり、光電変換素子の暗電流の情報は得ることができない。
 本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、撮像素子を遮光して撮像を行うことなく、光電変換素子で発生する暗電流の情報を高精度に得ることができる撮像装置、撮像方法、及び、撮像プログラムを提供することを目的とする。
 本発明の撮像装置は、光を受光して電荷を蓄積する光電変換素子と、上記光電変換素子に蓄積された電荷を保持する遮光された電荷保持部と、上記電荷保持部から電荷が転送されるフローティングディフージョンとを含み、上記フローティングディフージョンの電位に応じた信号が読み出し回路によって読み出される複数の画素を有するMOS型の撮像素子と、上記画素の上記光電変換素子及び上記電荷保持部をリセットしてその光電変換素子の露光を開始し、その光電変換素子に蓄積された撮像電荷をその画素の上記電荷保持部に転送して上記露光を終了する第一の駆動制御と、上記第一の駆動制御によって上記撮像電荷が上記電荷保持部に転送される前に、その電荷保持部に保持されている暗時電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第二の駆動制御と、上記第一の駆動制御による上記露光の終了後に、上記電荷保持部に保持された上記撮像電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第三の駆動制御と、を行う駆動制御部と、上記第三の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記撮像電荷に応じた信号で構成される撮像画像信号と、上記第二の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記暗時電荷に応じた信号で構成される暗時画像信号と、に基づいて撮像画像データを生成し記憶媒体に記憶する画像処理部と、を備えるものである。
 本発明の撮像方法は、光を受光して電荷を蓄積する光電変換素子と、上記光電変換素子に蓄積された電荷を保持する遮光された電荷保持部と、上記電荷保持部から電荷が転送されるフローティングディフージョンとを含み、上記フローティングディフージョンの電位に応じた信号が読み出し回路によって読み出される複数の画素を有するMOS型の撮像素子によって被写体を撮像する撮像方法であって、上記画素の上記光電変換素子及び上記電荷保持部をリセットしてその光電変換素子の露光を開始し、その光電変換素子に蓄積された撮像電荷をその画素の上記電荷保持部に転送して上記露光を終了する第一の駆動制御と、上記第一の駆動制御によって上記撮像電荷が上記電荷保持部に転送される前に、その電荷保持部に保持されている暗時電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第二の駆動制御と、上記第一の駆動制御による上記露光の終了後に、上記電荷保持部に保持された上記撮像電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第三の駆動制御と、を行う駆動制御ステップと、上記第三の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記撮像電荷に応じた信号で構成される撮像画像信号と、上記第二の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記暗時電荷に応じた信号で構成される暗時画像信号と、に基づいて撮像画像データを生成し記憶媒体に記憶する画像処理ステップと、を備えるものである。
 本発明の撮像プログラムは、光を受光して電荷を蓄積する光電変換素子と、上記光電変換素子に蓄積された電荷を保持する遮光された電荷保持部と、上記電荷保持部から電荷が転送されるフローティングディフージョンとを含み、上記フローティングディフージョンの電位に応じた信号が読み出し回路によって読み出される遮光された電荷保持部とを含む複数の画素を有するMOS型の撮像素子によって被写体を撮像する撮像プログラムであって、上記画素の上記光電変換素子及び上記電荷保持部をリセットしてその光電変換素子の露光を開始し、その光電変換素子に蓄積された撮像電荷をその画素の上記電荷保持部に転送して上記露光を終了する第一の駆動制御と、上記第一の駆動制御によって上記撮像電荷が上記電荷保持部に転送される前に、その電荷保持部に保持されている暗時電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第二の駆動制御と、上記第一の駆動制御による上記露光の終了後に、上記電荷保持部に保持された上記撮像電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第三の駆動制御と、を行う駆動制御ステップと、上記第三の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記撮像電荷に応じた信号で構成される撮像画像信号と、上記第二の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記暗時電荷に応じた信号で構成される暗時画像信号と、に基づいて撮像画像データを生成し記憶媒体に記憶する画像処理ステップと、をコンピュータに実行させるためのものである。
 本発明によれば、撮像素子を遮光して撮像を行うことなく、光電変換素子で発生する暗電流の情報を高精度に得ることができる撮像装置、撮像方法、及び、撮像プログラムを提供することができる。
本発明の撮像装置の一実施形態であるデジタルカメラ100の概略構成を示す図である。 図1に示す撮像素子5の概略構成を示す平面模式図である。 図2に示す撮像素子5の画素61の概略構成を示す平面模式図である。 図3に示す撮像素子5の画素61のA-A線の断面模式図である。 図1に示すデジタルカメラの静止画撮像モード時の動作を示すタイミングチャートである。 図1に示すデジタルカメラの静止画撮像モード時の他の動作を示すタイミングチャートである。 図1に示すデジタルカメラ100の静止画撮像モード時の動作を説明するためのフローチャートである。 図1に示したデジタルカメラ100の変形例であるデジタルカメラ100Aの概略構成を示す図である。 図8に示すデジタルカメラ100Aの静止画撮像モード時の動作を説明するためのフローチャートである。 図7に示すステップS3の詳細を示すフローチャートである。 図7に示すステップS3の詳細の変形例を示すフローチャートである。 図5に示すタイミングチャートの変形例を示す図である。 本発明の撮影装置の一実施形態であるスマートフォン200の外観を示すものである。 図13に示すスマートフォン200の構成を示すブロック図である。
 以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
 図1は、本発明の撮像装置の一実施形態であるデジタルカメラ100の概略構成を示す図である。
 図1に示すデジタルカメラ100は、撮像レンズ1と、絞り2と、レンズ制御部4と、レンズ駆動部8と、絞り駆動部9とを有するレンズ装置40を備える。
 本実施形態において、レンズ装置40はデジタルカメラ100本体に着脱可能なものとして説明するが、デジタルカメラ100本体に固定されるものであってもよい。撮像レンズ1と絞り2は撮像光学系を構成する。
 レンズ装置40のレンズ制御部4は、デジタルカメラ100本体のシステム制御部11と有線又は無線によって通信可能に構成される。
 レンズ制御部4は、システム制御部11からの指令にしたがい、レンズ駆動部8を介して撮像レンズ1に含まれるフォーカスレンズを駆動したり、絞り駆動部9を介して絞り2を駆動したりする。
 デジタルカメラ100本体は、撮像光学系を通して被写体を撮像するCMOSイメージセンサ等のMOS型の撮像素子5と、撮像素子5を駆動する撮像素子駆動部10と、デジタルカメラ100の電気制御系全体を統括制御するシステム制御部11と、操作部14と、デジタル信号処理部17と、着脱自在の記憶媒体21が接続される外部メモリ制御部20と、本体背面等に搭載された有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ又はLCD(Liquid Crystal Display)等の表示部23を駆動する表示ドライバ22と、を備える。
 システム制御部11は、各種のプロセッサとRAM(Ramdom Access Memory)とROM(Read Only Memory)と含んで構成され、デジタルカメラ100全体を統括制御する。
 システム制御部11は、内蔵のROMに格納された撮像プログラムを含むプログラムをプロセッサが実行することで、後述する各機能を実現する。
 デジタル信号処理部17は、各種のプロセッサとRAMとROMを含み、このROMに格納された撮像プログラムを含むプログラムをこのプロセッサが実行することで後述する各種処理を行う。
 各種のプロセッサとしては、プログラムを実行して各種処理を行う汎用的なプロセッサであるCPU(Central Prosessing Unit)、FPGA(Field Programmable Gate Array)等の製造後に回路構成を変更可能なプロセッサであるプログラマブルロジックデバイス(Programmable Logic Device:PLD)、又はASIC(Application Specific Integrated Circuit)等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路等が含まれる。
 これら各種のプロセッサの構造は、より具体的には、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電気回路である。
 システム制御部11のプロセッサとデジタル信号処理部17のプロセッサは、それぞれ、各種のプロセッサのうちの1つで構成されてもよいし、同種又は異種の2つ以上のプロセッサの組み合わせ(例えば、複数のFPGAの組み合わせ又はCPUとFPGAの組み合わせ)で構成されてもよい。
 デジタル信号処理部17、外部メモリ制御部20、及び、表示ドライバ22は、制御バス24及びデータバス25によって相互に接続され、システム制御部11からの指令に基づいて動作する。
 図2は、図1に示す撮像素子5の概略構成を示す平面模式図である。図3は、図2に示す撮像素子5の画素61の概略構成を示す平面模式図である。図4は、図3に示す撮像素子5の画素61のA-A線の断面模式図である。
 撮像素子5は、一方向である行方向Xに配列された複数の画素61からなる画素行62が、行方向Xと直交する列方向Yに複数配列された受光面60と、受光面60に配列された画素61を駆動する駆動回路63と、受光面60に配列された画素行62の各画素61から信号線に読み出される信号を処理する信号処理回路64と、を備える。
 以下では、図2において受光面60の列方向Yの上方向の端部を上端といい、受光面60の列方向Yの下方向の端部を下端という。
 図3に示すように、画素61は、半導体基板に形成された光電変換素子61A、電荷保持部61B、電荷転送部61C、フローティングディフュージョン61D、及び、読み出し回路61Eを備える。
 光電変換素子61Aは、レンズ装置40の撮像光学系を通った光を受光し受光量に応じた電荷を発生して蓄積する。光電変換素子61Aは、フォトダイオード等で構成される。
 電荷転送部61Cは、光電変換素子61Aに蓄積された電荷を電荷保持部61Bに転送する。電荷転送部61Cは、半導体基板内の不純物領域と、この不純物領域の上方に形成された電極とで構成される。
 電荷転送部61Cを構成する電極に印加される電圧が駆動回路63によって制御されることで、光電変換素子61Aから電荷保持部61Bへの電荷の転送が行われる。
 電荷保持部61Bは、光電変換素子61Aから電荷転送部61Cによって転送された電荷を保持する。電荷保持部61Bは、半導体基板内の不純物領域により構成される。
 フローティングディフュージョン61Dは、電荷を電圧信号に変換するためのものであり、電荷保持部61Bに保持された電荷が転送されてくる。
 読み出し回路61Eは、フローティングディフュージョン61Dの電位に応じた信号(撮像信号又は暗時信号)を信号線65に読み出す回路である。読み出し回路61Eは、駆動回路63によって駆動される。
 図4に示すように、N型基板70表面にはPウェル層71が形成され、Pウェル層71の表面部には光電変換素子61Aが形成されている。光電変換素子61Aは、N型不純物層73とこの上に形成されたP型不純物層74とによって構成されている。N型基板70とPウェル層71によって半導体基板が構成される。
 Pウェル層71の表面部には、光電変換素子61Aから少し離間して、N型不純物層からなる電荷保持部61Bが形成されている。電荷保持部61Bと光電変換素子61Aとの間のPウェル層71の領域75の上方には、図示省略の酸化膜を介して、転送電極76が形成されている。
 領域75と転送電極76とが電荷転送部61Cを構成する。図4の例では、転送電極76が電荷保持部61Bの上方にまで形成されているが、転送電極76は少なくとも領域75上方に形成されていればよい。転送電極76の電位を制御して領域75にチャネルを形成することで、光電変換素子61Aに蓄積された電荷を電荷保持部61Bに転送することができる。転送電極76の電位は駆動回路63によって制御される。
 Pウェル層71の表面部には、電荷保持部61Bから少し離間して、N型不純物層からなるフローティングディフュージョン61Dが形成されている。電荷保持部61Bとフローティングディフュージョン61Dとの間のPウェル層71の上方には、図示省略の酸化膜を介して、読み出し電極72が形成されている。
 読み出し電極72の電位を制御して、電荷保持部61Bとフローティングディフュージョン61Dとの間の領域にチャネルを形成することで、電荷保持部61Bに保持された電荷をフローティングディフュージョン61Dに転送することができる。読み出し電極72の電位は駆動回路63によって制御される。
 図4に示す例では、読み出し回路61Eは、フローティングディフュージョン61Dの電位をリセットするためのリセットトランジスタ77と、フローティングディフュージョン61Dの電位を信号に変換して出力する出力トランジスタ78と、出力トランジスタ78から出力される信号を選択的に信号線65に読み出すための選択トランジスタ79とによって構成されている。読み出し回路の構成は一例であり、これに限るものではない。
 なお、読み出し回路61Eは、複数の画素61で共用される場合もある。
 図3に示した画素61の平面視において、光電変換素子61Aの一部の領域、電荷保持部61B、電荷転送部61C、フローティングディフュージョン61D、及び、読み出し回路61Eは図示省略の遮光膜によって遮光されている。
 なお、撮像素子5の受光面60に配置された各画素行62の例えば右端にある画素61については、光電変換素子61A、電荷保持部61B、電荷転送部61C、フローティングディフュージョン61D、及び、読み出し回路61Eが全て遮光膜によって遮光されており、この画素61は黒レベル検出用の画素として機能する。
 図2に示す駆動回路63は、撮像素子駆動部10の制御により、各画素61の転送電極76、読み出し電極72、及び、読み出し回路61Eを駆動する。
 駆動回路63は、グローバルリセット駆動と、グローバルシャッタ駆動と、信号読み出し駆動と、ローリングリセット駆動と、ローリングシャッタ駆動とを行うことが可能である。
 グローバルリセット駆動は、光電変換素子61A及び電荷保持部61Bのリセット(光電変換素子61Aと電荷保持部61Bに蓄積されている電荷の排出)を全ての画素61で同時に行う駆動である。
 画素61の光電変換素子61A及び電荷保持部61Bのリセットは、電荷転送部61Cを電荷が転送可能な状態とし、かつ、読み出し電極72下方の半導体基板にチャネルを形成した状態で、リセットトランジスタ77によってフローティングディフュージョン61Dをリセットすることで行われる。
 グローバルシャッタ駆動は、全ての画素61の電荷転送部61Cを同時に駆動して、各画素61の光電変換素子61Aに蓄積された電荷を電荷保持部61Bに同時に転送する駆動である。
 信号読み出し駆動は、画素行62にある各画素61の読み出し電極72を駆動して、この各画素61の電荷保持部61Bに蓄積された電荷をフローティングディフュージョン61Dに転送し、この電荷に応じた信号を信号線65に読み出す駆動を、画素行62を変えながら順次実施する駆動である。
 ローリングリセット駆動は、画素行62にある各画素61の光電変換素子61A及び電荷保持部61Bのリセットを、画素行62を変えながら順次実施する駆動である。
 ローリングシャッタ駆動は、画素行62にある各画素61の電荷転送部61C及び読み出し電極72を駆動して、この各画素61の光電変換素子61Aに蓄積された電荷を、電荷保持部61Bを経由してフローティングディフュージョン61Dに転送し、この電荷に応じた信号を信号線65に読み出す駆動を、画素行62を変えながら順次実施する駆動である。
 図2に示す信号処理回路64は、画素行62の各画素61から信号線65に読み出された信号に対し、相関二重サンプリング処理を行い、相関二重サンプリング処理後の信号をデジタル信号に変換してデータバス25に出力する。信号処理回路64は、撮像素子駆動部10によって制御される。
 図1に示すシステム制御部11のプロセッサは、静止画撮像モードにおいて撮像指示が行われた場合には、以下の第一の駆動制御、第二の駆動制御、及び、第三の駆動制御を行う駆動制御部として機能する。
 第一の駆動制御は、上記のグローバルリセット駆動とグローバルシャッタ駆動を駆動回路63により順次実施する制御である。
 この第一の駆動制御では、各画素61の光電変換素子61A及び電荷保持部61Bがリセットされて光電変換素子61Aの露光が開始され、その後、光電変換素子61Aに蓄積された撮像電荷が画素61の電荷保持部61Bに転送されて露光が終了する。
 第二の駆動制御は、第一の駆動制御を行う期間において、第一の駆動制御によるグローバルシャッタ駆動が実施されるよりも前に、上記の信号読み出し駆動を駆動回路63により実施する制御である。
 この第二の駆動制御では、第一の駆動制御のグローバルシャッタ駆動によって撮像電荷が電荷保持部61Bに転送される前に、電荷保持部61Bに保持されている暗時電荷に応じた暗時信号が読み出し回路61Eによって読み出される。
 第三の駆動制御は、第一の駆動制御が行われた後に、上記の信号読み出し駆動を駆動回路63により実施する制御である。
 この第三の駆動制御では、第一の駆動制御による露光の終了後、画素行62毎に、電荷保持部61Bに保持された撮像電荷に応じた撮像信号が読み出し回路61Eによって読み出される。
 なお、システム制御部11は、静止画撮像モードにおいて撮像指示が行われていない期間では、駆動回路63によって上記のローリングリセット駆動とローリングシャッタ駆動とを交互に繰り返す制御を行う。
 図1に示すデジタル信号処理部17は、上記の第三の駆動制御又はローリングシャッタ駆動によって撮像素子5から出力される撮像信号の集合である撮像画像信号に対し、黒レベル補正、補間演算、ガンマ補正演算、及び、RGB/YC変換処理等の処理を行うことで、表示部23への表示用のライブビュー画像データと、記憶媒体21への記憶用の撮像画像データとを生成する。
 デジタル信号処理部17は、撮像素子5に含まれる黒レベル検出用の画素61から読み出された信号に基づいて、撮像素子5から出力される撮像画像信号の黒レベル補正を行う。
 また、デジタル信号処理部17は、上記の第二の駆動制御によって撮像素子5の各画素61から読み出された暗時電荷に応じた暗時信号で構成される暗時画像信号に基づいて、上記の第三の駆動制御によって撮像素子5から出力される撮像画像信号の黒レベル補正を行う。デジタル信号処理部17のプロセッサは画像処理部として機能する。
 黒レベル補正とは、撮像素子5の光電変換素子61Aで発生する暗電流(光電変換素子61Aを遮光した状態で光電変換素子61Aに発生する暗時電荷に応じた信号)を除去する信号処理のことである。
 以上のように構成されたデジタルカメラ100の静止画撮像モード時の動作を説明する。
 図5は、図1に示すデジタルカメラ100の静止画撮像モード時の動作を示すタイミングチャートである。
 図5において横軸は時間を示している。図5の上段には、垂直同期信号VDが示されている。
 図5の下段には、撮像素子5の受光面60にある各画素行62の駆動タイミングが示されている。図5の下段において、縦軸は画素行62の列方向Yの位置を示している。
 図5に示す直線RRと直線GRは、それぞれ、画素行62に含まれる各光電変換素子61A及び各電荷保持部61Bのリセットが行われるタイミングを示している。
 図5に示す直線GPは、画素行62に含まれる各電荷保持部61Bに保持されている暗時電荷に応じた暗時信号が読み出し回路61Eにより読み出されるタイミングを示している。
 図5に示す直線GSは、画素行62に含まれる各光電変換素子61Aから電荷保持部61Bに電荷が転送されるタイミングを示している。
 図5に示す直線GOは、画素行62に含まれる各電荷保持部61Bに保持された電荷に応じた信号が読み出し回路61Eにより読み出されるタイミングを示している。
 図5に示す直線ROは、画素行62に含まれる各光電変換素子61Aに蓄積された電荷がフローティングディフュージョン61Dに転送され、この電荷に応じた信号が読み出し回路61Eにより読み出されるタイミングを示している。
 デジタルカメラ100が静止画撮像モードに設定されると、ライブビューシーケンスLVが開始される。
 ライブビューシーケンスLVでは、システム制御部11が、まず、駆動回路63によりローリングシャッタ駆動を行う。
 このローリングシャッタ駆動により、直線ROで示されるように、受光面60の上端側から下端側に向かって画素行62が例えば4つに1つの割合で順番に選択され、選択された画素行62の各光電変換素子61Aに蓄積された電荷に応じた信号が読み出し回路61Eによって読み出される。
 ライブビューシーケンスLVが開始して最初に直線ROで読み出された信号は、ライブビュー画像データの生成には利用されず、そのまま破棄される。
 次に、システム制御部11は、駆動回路63によりローリングリセット駆動を行う。
 このローリングリセット駆動により、直線RRで示されるように、受光面60の上端側から下端側に向かって画素行62が順番に選択され、選択された画素行62の各光電変換素子61A及び各電荷保持部61Bのリセットが行われる。これにより、画素行62毎に異なるタイミングでライブビューのための露光が開始する。
 所定の露光時間が経過すると、システム制御部11は、駆動回路63によりローリングシャッタ駆動を行う。
 このローリングシャッタ駆動により、直線ROで示されるように、受光面60の上端側から下端側に向かって画素行62が4つに1つの割合で順番に選択され、選択された画素行62において、光電変換素子61Aから電荷保持部61Bへの撮像電荷の転送及び電荷保持部61Bからフローティングディフュージョン61Dへの撮像電荷の転送が行われる。そして、この撮像電荷に応じた撮像信号が読み出される。
 これにより、順次選択された画素行62から読み出された撮像信号で構成される撮像画像信号がデータバス25に出力される。
 デジタル信号処理部17は、データバス25に出力された撮像画像信号に基づいてライブビュー画像データを生成して表示ドライバ22に転送する。これにより、表示部23にはライブビュー画像データに基づくライブビュー画像が表示される。
 撮像指示がなされるまでは、垂直同期信号VDに同期して、以上の処理が繰り返し行われる。
 ライブビューシーケンスLVの期間に撮像指示がなされると、この撮像指示の直後の垂直同期信号VDの立下りのタイミングで静止画露光シーケンスEXが開始される。
 静止画露光シーケンスEXでは、システム制御部11が、まず、駆動回路63によりグローバルリセット駆動を行う。
 このグローバルリセット駆動により、直線GRで示されるように、全ての画素行62において同時に光電変換素子61A及び電荷保持部61Bのリセットが行われ、全ての画素行62で同じタイミングで静止画の露光が開始する。
 静止画の露光が開始してから時間が経過すると、静止画露光シーケンスEXの一部として電荷保持部先読みシーケンスPREが開始される。
 電荷保持部先読みシーケンスPREでは、システム制御部11が駆動回路63により信号読み出し駆動を行う。
 この信号読み出し駆動により、直線GPで示されるように、受光面60の上端側から下端側に向かって画素行62が順番に選択され、選択された画素行62において、電荷保持部61Bからフローティングディフュージョン61Dへの暗時電荷の転送及びこの暗時電荷に応じた暗時信号の信号線65への読み出しが実施される。
 この電荷保持部先読みシーケンスPREにより、静止画の露光開始後に各電荷保持部61Bに発生した暗時電荷に応じた暗時信号で構成される暗時画像信号P1がデータバス25に出力される。この暗時画像信号P1はデジタル信号処理部17の内部メモリ17Aに一時記憶される。
 その後、静止画の露光開始から露光時間Tが経過すると、システム制御部11は、駆動回路63によりグローバルシャッタ駆動を行う。
 このグローバルシャッタ駆動により、直線GSで示されるように、全ての画素行62において同時に、光電変換素子61Aから電荷保持部61Bへの撮像電荷の転送が行われ、全ての画素行62で同じタイミングで静止画の露光が終了し、静止画露光シーケンスEXが終了する。
 静止画露光シーケンスEXが終了すると、静止画読み出しシーケンスREが開始される。静止画読み出しシーケンスREでは、システム制御部11が、駆動回路63により信号読み出し駆動を行う。
 この信号読み出し駆動により、直線GOで示されるように、受光面60の上端側から下端側に向かって画素行62が順番に選択され、選択された画素行62において、電荷保持部61Bからフローティングディフュージョン61Dへの撮像電荷の転送及びこの撮像電荷に応じた撮像信号の信号線65への読み出しが実施される。
 全ての画素61からの撮像信号の読み出しが終了すると、ライブビューシーケンスLVが開始される。
 これにより静止画の露光期間に光電変換素子61Aに発生した撮像電荷に応じた撮像信号で構成される撮像画像信号P2がデータバス25に出力される。この撮像画像信号P2はデジタル信号処理部17の内部メモリ17Aに一時記憶される。
 そして、デジタル信号処理部17は、暗時画像信号P1に基づいて撮像画像信号P2の黒レベルを算出し、算出した黒レベルに基づいて撮像画像信号P2の黒レベル補正を行う。
 例えば、デジタル信号処理部17は、暗時画像信号P1を構成する全ての暗時信号の平均値を算出し、撮像画像信号P2を構成する各撮像信号からこの平均値を減算することで、撮像画像信号P2の黒レベル補正を行う。
 または、デジタル信号処理部17は、撮像画像信号P2を構成する各撮像信号から、この各撮像信号の読み出し元の画素61から読み出された暗時画像信号P1を構成する暗時信号を減算することで、撮像画像信号P2の黒レベル補正を行う。
 そして、デジタル信号処理部17は、黒レベル補正後の撮像画像信号P2を処理して撮像画像データを生成し、記憶媒体21に記憶する。
 なお、図5に示すタイミングチャートは、露光時間Tが、直線GPで示される電荷保持部61Bからの暗時信号の読み出しに最低限必要な時間(以下、先読み時間という)よりも長い場合の動作を示している。
 しかし、被写体が明るい状況等で、露光時間Tが先読み時間よりも短くなる場合には、静止画の露光時間中に電荷保持部先読みシーケンスPREを実行することはできない。
 このため、露光時間Tが先読み時間よりも短くなる場合には、システム制御部11は、直線GPで示される第二の駆動制御の実施を省略する。
 図6は、図1に示すデジタルカメラの静止画撮像モード時の他の動作を示すタイミングチャートであり、露光時間Tが先読み時間よりも短くなる場合のタイミングチャートである。
 図6に示したタイミングチャートは、電荷保持部先読みシーケンスPREが省略されている点を除き、図5に示したタイミングチャートと同じである。
 図6に示す動作では、電荷保持部先読みシーケンスPREが省略されているため、暗時画像信号P1を取得することはできない。
 そこで、デジタル信号処理部17は、静止画読み出しシーケンスREで読み出された撮像画像信号P2を構成する撮像信号のうち、黒レベル検出用の画素61から読み出された撮像信号に基づいて黒レベルを算出する。例えば、黒レベル検出用の画素61から読み出された撮像信号の平均値を黒レベルとして算出する。
 そして、デジタル信号処理部17は、撮像画像信号P2を構成する各撮像信号からこの黒レベルを減算することで、撮像画像信号P2の黒レベル補正を行う。デジタル信号処理部17は、この黒レベル補正後の撮像画像信号P2を処理して撮像画像データを生成し、記憶媒体21に記憶する。
 図7は、図1に示すデジタルカメラ100の静止画撮像モード時の動作を説明するためのフローチャートである。
 システム制御部11は、設定されている静止画の露光時間Tが閾値TH1以上である場合(ステップS1:YES)には、図5に示すタイミングチャートに例示されるように、静止画の露光中に電荷保持部先読みシーケンスPREを実施する(ステップS2)。閾値TH1は、上記の先読み時間が設定される。
 そして、デジタル信号処理部17は、電荷保持部先読みシーケンスPREによって電荷保持部61Bから読み出された暗時画像信号に基づいて黒レベルを算出し、この黒レベルを用いて、静止画読み出しシーケンスREによって読み出された撮像画像信号の黒レベル補正を行う(ステップS3)。
 一方、露光時間Tが閾値TH1未満である場合(ステップS1:NO)には、システム制御部11は、図6に示すタイミングチャートに例示されるように、静止画の露光中における電荷保持部先読みシーケンスPREを省略する(ステップS4)。
 そして、デジタル信号処理部17は、静止画読み出しシーケンスREによって読み出された撮像画像信号のうちの黒レベル検出用の画素61から読み出された撮像信号に基づいて黒レベルを算出し、その後、この黒レベルを用いて、静止画読み出しシーケンスREによって読み出された撮像画像信号の黒レベル補正を行う(ステップS5)。
 以上のように、図1のデジタルカメラ100は、静止画の露光期間中において、電荷保持部61Bに発生する暗時電荷に応じた暗時信号を読み出し、この暗時信号に基づいて黒レベルを算出する。そして、この黒レベルを用いて、静止画の露光期間中に得られた撮像画像信号の黒レベル補正を行う。
 電荷保持部61Bと光電変換素子61Aは近接して配置されており、これらはいずれも半導体基板内の不純物領域で構成されているため、構造と特性が似たものとなる。つまり、電荷保持部61Bにおける暗時電荷の発生状態と、光電変換素子61Aにおける暗時電荷の発生状態は似たものになる。
 このため、電荷保持部61Bに発生する暗時電荷に応じた暗時信号に基づいて黒レベルを算出することで、この黒レベルの信頼性を高いものとすることができ、高品質の撮像画像データを生成することが可能となる。
 また、デジタルカメラ100によれば、静止画の露光時間が閾値TH1未満の場合には電荷保持部先読みシーケンスPREが行われないため、消費電力を低減することができる。
 黒レベル検出用の画素61の光電変換素子61Aに発生する第一の暗時電荷と、黒レベル検出用の画素61以外の画素61の光電変換素子61Aに発生する第二の暗時電荷との関係は、露光時間Tによって変化することが分かっている。
 例えば、露光時間Tが短い場合には、第一の暗時電荷の量と第二の暗時電荷の量はほぼ同じになる。しかし、露光時間Tが長い場合には、第一の暗時電荷の量と第二の暗時電荷の量との差が大きくなる。図5に例示されるシーケンスは、高精度の黒レベル補正を可能にするものであるため、第一の暗時電荷の量と第二の暗時電荷の量との差が大きくなる状況では、このシーケンスを実行するのが好ましい。
 したがって、上記の閾値TH1は、先読み時間よりも大きな値が設定されてもよい。閾値TH1として、第一の暗時電荷の量と第二の暗時電荷の量との差が大きくなってしまい、第一の暗時電荷を用いて算出する黒レベルの信頼性が十分ではなくなる露光時間の下限値を設定しておく。この構成によれば、電荷保持部先読みシーケンスPREが省略される可能性が高まるため、消費電力を低減することができる。
 なお、露光時間Tが上記の先読み時間以上にしか設定できないシステム構成であれば、図6に例示される撮像シーケンスは実施する必要はなく、図7においてステップS1とステップS4とステップS5は不要である。
 図8は、図1に示したデジタルカメラ100の変形例であるデジタルカメラ100Aの概略構成を示す図である。デジタルカメラ100Aは、温度センサ50が追加された点を除いては、デジタルカメラ100と同じ構成である。
 温度センサ50は、撮像素子5の付近に設けられており、撮像素子5の温度を検出する。温度センサ50によって検出された温度情報は、システム制御部11に入力される。
 黒レベル検出用の画素61の光電変換素子61Aに発生する第一の暗時電荷と、黒レベル検出用の画素61以外の画素61(以下、有効画素という)の光電変換素子61Aに発生する第二の暗時電荷との関係は撮像素子5の温度によっても変化する。
 例えば、温度が低い場合には、第一の暗時電荷の量と第二の暗時電荷の量はほぼ同じになる。しかし、温度が高い場合には、第一の暗時電荷の量と第二の暗時電荷の量との差が大きくなる。
 そこで、システム制御部11は、撮像指示がなされた場合に、撮像素子5の温度が閾値TH2未満となる場合には、第二の駆動制御(電荷保持部先読みシーケンスPRE)を省略して第一の駆動制御と第三の駆動制御を行い、撮像素子5の温度が閾値TH2以上となる場合には、第一の駆動制御と第二の駆動制御と第三の駆動制御を行うことで、消費電力を低減する。
 図9は、図8に示すデジタルカメラ100Aの静止画撮像モード時の動作を説明するためのフローチャートである。
 図9に示すフローチャートは、ステップS11が追加された点を除いては、図7に示したフローチャートと同じである。図9において図7に示した処理と同じものには同一符号を付して説明を省略する。
 システム制御部11は、ステップS1の判定がYESの場合には、温度センサ50によって検出された撮像素子5の温度が閾値TH2以上であるか否かを判定する(ステップS11)。
 閾値TH2は、第一の暗時電荷の量と第二の暗時電荷の量との差が大きくなってしまい、第一の暗時電荷を用いて算出する黒レベルの信頼性が十分ではなくなるような温度の下限値に設定される。
 システム制御部11は、温度が閾値TH2以上であると判定した場合(ステップS11:YES)には、ステップS2の処理を行い、温度が閾値TH2未満であると判定した場合(ステップS11:NO)には、ステップS4の処理を行う。
 以上のように、デジタルカメラ100Aによれば、電荷保持部先読みシーケンスPREを実施できる程度に露光時間Tが長い場合であっても、撮像素子5の温度が閾値TH2以上とならない限り、電荷保持部先読みシーケンスPREは実施されない。このため、消費電力を低減することができる。
 一方、撮像素子5の温度が閾値TH2以上となる場合には、電荷保持部先読みシーケンスPREが実施されるため、黒レベル補正を高精度に行うことができる。
 なお、露光時間Tを上記の先読み時間以上にしか設定できないシステム構成であれば、図9においてステップS1は不要である。
 以下では、デジタル信号処理部17が暗時画像信号P1を用いて黒レベルを算出する方法の好ましい例について説明する。
 光電変換素子61Aで発生する暗時電荷と、電荷保持部61Bで発生する暗時電荷とは厳密には同一ではない。そこで、デジタルカメラの製造時において、撮像素子5が遮光された状態で光電変換素子61Aに発生する暗時電荷に応じた第一の暗時信号と、同状態で電荷保持部61Bに発生する暗時電荷に応じた第二の暗時信号との相関関係を示す情報を生成して内部メモリ17Aに記憶しておく。
 そして、デジタル信号処理部17は、内部メモリ17Aに記憶された上記情報と暗時画像信号P1とに基づいて、撮像画像信号P2の黒レベルを算出する。内部メモリ17Aは記憶部を構成する。
 相関関係を示す情報とは、光電変換素子61Aに発生する暗時電荷に応じた第一の暗時信号をyとし、電荷保持部61Bに発生する暗時電荷に応じた第二の暗時信号を変数xとして表される関数“y=ax+b”の係数a,bである。
 係数a、bは、デジタルカメラ100,100Aの製造時に、撮像素子5を遮光した状態、かつ、撮像素子5の温度が所定温度の状態で、任意の有効画素の光電変換素子61Aで所定時間に発生する暗時電荷に応じた第一の暗時信号を複数回測定し、この任意の有効画素の電荷保持部61Bで所定時間に発生する暗時電荷に応じた第二の暗時信号を複数回測定する。
 そして、測定した複数の第一の暗時信号と複数の第二の暗時信号とから最小二乗法等によって上記の関数“y=ax+b”の係数a,bを算出することで得られる。
 このようにして算出される関数“y=ax+b”は、電荷保持部61Bで発生する暗時電荷に応じた信号を、光電変換素子61Aで発生する暗時電荷に応じた信号に換算するための演算式である。つまり、この換算式によって、光電変換素子61Aから読み出される撮像信号の黒レベルを精度よく算出することができる。
 図10は、図7に示すステップS3の詳細を示すフローチャートである。図10の処理例では、内部メモリ17Aには、上記関数“y=ax+b”の係数a,bが記憶されているものとする。
 まず、デジタル信号処理部17は、暗時画像信号P1を構成する全ての暗時信号の平均値を算出する(ステップS21)
 次に、デジタル信号処理部17は、内部メモリ17Aから変換係数a,bを読み出す(ステップS22)。
 次に、デジタル信号処理部17は、関数“y=ax+b”の変数xにステップS21で算出した平均値を代入して、全有効画素に共通の黒レベルを算出する(ステップS23)。
 撮像画像信号P2が内部メモリ17Aに記憶されると、デジタル信号処理部17は、撮像画像信号P2を構成する各撮像信号から、ステップS23で算出した黒レベルを減算して黒レベル補正を行う(ステップS34)。
 以上のように、図10に示した黒レベル補正処理によれば、撮像画像信号P2の黒レベルを高精度に補正して撮像画像データの品質を向上させることができる。
 デジタル信号処理部17は、ステップS21を省略し、ステップS23において、関数 “y=ax+b”の変数xに、暗時画像信号P1の各暗時信号を代入して、複数の画素61毎に黒レベルを算出してもよい。
 この場合には、デジタル信号処理部17は、ステップS24において、撮像画像信号P2を構成する各撮像信号から、この各撮像信号の読み出し元の画素61に対応する黒レベルを減算して黒レベル補正を行う。
 なお、デジタルカメラの製造時に測定される第一の暗時信号と第二の暗時信号との関係は、撮像素子5の温度又は露光時間によっても変化することが考えられる。
 このため、第一の暗時信号及び第二の暗時信号を複数回測定するセットを、上記の所定時間又は所定温度を変えて複数回行い、複数の時間又は複数の温度毎に、上記の関数“y=ax+b”の係数a,bを算出して記憶しておいてもよい。
 この場合には、デジタル信号処理部17が、図10のステップS22において、撮像素子5の温度又は露光時間Tに対応する変換係数a,bを読み出し、ステップS23においてこの変換係数a,bを用いて黒レベルを算出すればよい。このようにすることで、黒レベルをより高精度に算出することができる。
 また、複数の時間又は複数の温度毎に変換係数a,bを算出して記憶するのではなく、露光の基準時間又は撮像素子5の基準温度に対して基準変換係数a,bを算出して内部メモリ17Aに記憶しておいてもよい。
 この場合は、更に、基準時間に対する相対値又は基準温度に対する相対値と基準変換係数a,bの補正情報(a,bをどれだけ増減させるかを示す数値)とを対応付けて内部メモリ17Aに記憶しておく。
 そして、デジタル信号処理部17は、撮像素子5の温度と基準温度との差を相対値として算出し、この相対値に対応する補正情報と、基準変換係数a,bとを内部メモリ17Aから読み出す。
 デジタル信号処理部17は、読み出した補正情報によって基準変換係数a、bを補正し、補正後の基準変換係数a、bを用いて黒レベルを算出する。
 または、デジタル信号処理部17は、撮像素子5の露光時間Tと基準時間との差を相対値として算出し、この相対値に対応する補正情報と、基準変換係数a,bとを内部メモリ17Aから読み出す。
 そして、デジタル信号処理部17は、読み出した補正情報によって基準変換係数a、bを補正し、補正後の基準変換係数a、bを用いて黒レベルを算出する。
 なお、撮像素子5の有効画素毎に、上述した測定を行い、その測定結果によって上記の関数“y=ax+b”の係数a,bを算出して、内部メモリ17Aに記憶しておいてもよい。
 暗時電荷の発生状態は有効画素毎に異なるため、有効画素毎に対応した変換係数を用いて黒レベルを算出することで、黒レベルをより精度よく算出することができる。
 図11は、図7に示すステップS3の詳細の変形例を示すフローチャートである。
 図11の処理例では、内部メモリ17Aには、上記関数“y=ax+b”の係数a,bが撮像素子5に含まれる全ての有効画素毎に記憶されている。
 なお、受光面60に配置される有効画素の位置を座標(X,Y)とし、座標(X,Y)の有効画素に対応する関数を“y(X,Y)=a(X,Y)x+b(X,Y)”として説明する。
 まず、デジタル信号処理部17は、座標(X,Y)の有効画素に対応する変換係数a(X,Y)及び変換係数b(X,Y)を内部メモリ17Aから読み出す(ステップS31)。
 次に、デジタル信号処理部17は、関数“y(X,Y)=a(X,Y)x+b(X,Y)”の変数xに、暗時画像信号P1のうちの座標(X,Y)の有効画素から読み出された暗時信号を代入して、座標(X,Y)の有効画素に対応する黒レベルy(X,Y)を算出する(ステップS32)。
 デジタル信号処理部17は、全ての有効画素について黒レベルを算出していない場合(ステップS33:NO)には、ステップS34において有効画素の座標(X,Y)を別の値に変更してステップS31に処理を戻す。ステップS31~ステップS34の処理が繰り返されることで、全ての有効画素に対して黒レベルが算出される。
 デジタル信号処理部17は、全ての有効画素について黒レベルを算出した場合(ステップS33:YES)には、撮像画像信号P2が内部メモリ17Aに記憶されると、撮像画像信号P2のうちの座標(X,Y)の有効画素から読み出した撮像信号から、この有効画素に対応する黒レベルy(X,Y)を減算して黒レベル補正を行う(ステップS35)。
 以上のように、図11に示した黒レベル補正処理によれば、有効画素毎に生成された変換係数を用いて、有効画素毎に高精度に黒レベルを算出することができる。このため、撮像画像信号P2の黒レベルを高精度に補正して撮像画像データの品質を向上させることができる。
 図11に示す黒レベル補正処理においても、有効画素毎に対応した変換係数を、撮像素子5の温度又は露光時間毎に求めておいて内部メモリ17Aに記憶しておくのが好ましい。
 この場合には、デジタル信号処理部17が、図11のステップS31において、座標(X,Y)の有効画素に対応する変換係数のうち、撮像素子5の温度又は露光時間Tに対応する変換係数a(X,Y)及び変換係数b(X,Y)を読み出し、ステップS32においてこの変換係数a(X,Y)及び変換係数b(X,Y)を用いて黒レベルを算出すればよい。このようにすることで、黒レベルをより高精度に算出することができる。
 また、有効画素毎に、露光の基準時間又は撮像素子5の基準温度に対して基準変換係数a,bを算出して内部メモリ17Aに記憶しておき、更に、基準時間に対する相対値又は基準温度に対する相対値と基準変換係数a,bの補正情報とを対応付けて内部メモリ17Aに記憶しておいてもよい。
 この場合、デジタル信号処理部17は、撮像素子5の温度と基準温度との差を相対値として算出し、黒レベルの算出対象としている有効画素に対応する補正情報のうちのこの相対値に対応する補正情報と、黒レベルの算出対象としている有効画素に対応する基準変換係数a,bとを内部メモリ17Aから読み出す。
 そして、デジタル信号処理部17は、読み出した補正情報によって基準変換係数a、bを補正し、補正後の基準変換係数a、bを用いて、黒レベルの算出対象としている有効画素の黒レベルを算出する。
 または、デジタル信号処理部17は、撮像素子5の露光時間Tと基準時間との差を相対値として算出し、黒レベルの算出対象としている有効画素に対応する補正情報のうちのこの相対値に対応する補正情報と、黒レベルの算出対象としている有効画素に対応する基準変換係数a,bとを内部メモリ17Aから読み出す。
 そして、デジタル信号処理部17は、読み出した補正情報によって基準変換係数a、bを補正し、補正後の基準変換係数a、bを用いて、黒レベルの算出対象としている有効画素の黒レベルを算出する。
 デジタルカメラ100,100Aでは、静止画露光シーケンスEXにおいて、グローバルリセット駆動とグローバルシャッタ駆動を行うことで全ての画素61で同時に露光を行うものとしたが、これに限らない。
 図12は、図5に示すタイミングチャートの変形例を示す図である。
 例えば、システム制御部11は、図12の直線RR1に示されるように、静止画露光シーケンスEXにおいて、ローリングリセット駆動を行って画素行62毎に露光を順次開始する。システム制御部11は、その後、直線RO2に示されるように、画素行62にある各画素61の電荷転送部61Cを駆動して、この各画素61の光電変換素子61Aに蓄積された撮像電荷を電荷保持部61Bに転送する駆動を、画素行62を変えながら順次実施して、画素行62毎に露光を順次終了させる。
 この構成によれば、各画素行62において、電荷保持部61Bのリセットが行われてから、電荷保持部61Bに発生する暗時電荷に応じた暗時信号が読み出されるまでの時間が同じになる。このため、黒レベルをより高精度に求めることができる。
 ここまでは撮像装置としてデジタルカメラを例にしたが、以下では、撮像装置としてカメラ付のスマートフォンの実施形態について説明する。
 図13は、本発明の撮影装置の一実施形態であるスマートフォン200の外観を示すものである。
 図13に示すスマートフォン200は、平板状の筐体201を有し、筐体201の一方の面に表示部としての表示パネル202と、入力部としての操作パネル203とが一体となった表示入力部204を備えている。
 また、この様な筐体201は、スピーカ205と、マイクロホン206と、操作部207と、カメラ部208とを備えている。
 なお、筐体201の構成はこれに限定されず、例えば、表示部と入力部とが独立した構成を採用したり、折り畳み構造又はスライド機構を有する構成を採用したりすることもできる。
 図14は、図13に示すスマートフォン200の構成を示すブロック図である。
 図14に示すように、スマートフォンの主たる構成要素として、無線通信部210と、表示入力部204と、通話部211と、操作部207と、カメラ部208と、記憶部212と、外部入出力部213と、GPS(Global Positioning System)受信部214と、モーションセンサ部215と、電源部216と、主制御部220とを備える。
 また、スマートフォン200の主たる機能として、図示省略の基地局装置BSと図示省略の移動通信網NWとを介した移動無線通信を行う無線通信機能を備える。
 無線通信部210は、主制御部220の指示にしたがって、移動通信網NWに収容された基地局装置BSに対し無線通信を行うものである。この無線通信を使用して、音声データ、画像データ等の各種ファイルデータ、電子メールデータ等の送受信、又は、Webデータ又はストリーミングデータ等の受信を行う。
 表示入力部204は、主制御部220の制御により、画像(静止画像および動画像)又は文字情報等を表示して視覚的にユーザに情報を伝達するとともに、表示した情報に対するユーザ操作を検出する、いわゆるタッチパネルであって、表示パネル202と、操作パネル203とを備える。
 表示パネル202は、LCD(Liquid Crystal Display)、OELD(Organic Electro-Luminescence Display)等を表示デバイスとして用いたものである。
 操作パネル203は、表示パネル202の表示面上に表示される画像を視認可能に載置され、ユーザの指又は尖筆によって操作される一又は複数の座標を検出するデバイスである。このデバイスをユーザの指又は尖筆によって操作すると、操作に起因して発生する検出信号を主制御部220に出力する。次いで、主制御部220は、受信した検出信号に基づいて、表示パネル202上の操作位置(座標)を検出する。
 図13に示すように、本発明の撮影装置の一実施形態として例示しているスマートフォン200の表示パネル202と操作パネル203とは一体となって表示入力部204を構成しているが、操作パネル203が表示パネル202を完全に覆うような配置となっている。
 係る配置を採用した場合、操作パネル203は、表示パネル202外の領域についても、ユーザ操作を検出する機能を備えてもよい。換言すると、操作パネル203は、表示パネル202に重なる重畳部分についての検出領域(以下、表示領域と称する)と、それ以外の表示パネル202に重ならない外縁部分についての検出領域(以下、非表示領域と称する)とを備えていてもよい。
 なお、表示領域の大きさと表示パネル202の大きさとを完全に一致させても良いが、両者を必ずしも一致させる必要は無い。また、操作パネル203が、外縁部分と、それ以外の内側部分の2つの感応領域を備えていてもよい。更に、外縁部分の幅は、筐体201の大きさ等に応じて適宜設計されるものである。
 更にまた、操作パネル203で採用される位置検出方式としては、マトリクススイッチ方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、電磁誘導方式、又は、静電容量方式等が挙げられ、いずれの方式を採用することもできる。
 通話部211は、スピーカ205又はマイクロホン206を備え、マイクロホン206を通じて入力されたユーザの音声を主制御部220にて処理可能な音声データに変換して主制御部220に出力したり、無線通信部210あるいは外部入出力部213により受信された音声データを復号してスピーカ205から出力させたりするものである。
 また、図13に示すように、例えば、スピーカ205を表示入力部204が設けられた面と同じ面に搭載し、マイクロホン206を筐体201の側面に搭載することができる。
 操作部207は、キースイッチ等を用いたハードウェアキーであって、ユーザからの指示を受け付けるものである。例えば、図13に示すように、操作部207は、スマートフォン200の筐体201の側面に搭載され、指等で押下されるとオンとなり、指を離すとバネ等の復元力によってオフ状態となる押しボタン式のスイッチである。
 記憶部212は、主制御部220の制御プログラム又は制御データ、アプリケーションソフトウェア、通信相手の名称又は電話番号等を対応づけたアドレスデータ、送受信した電子メールのデータ、WebブラウジングによりダウンロードしたWebデータ又は、ダウンロードしたコンテンツデータを記憶し、またストリーミングデータ等を一時的に記憶するものである。また、記憶部212は、スマートフォン内蔵の内部記憶部217と着脱自在な外部メモリスロットを有する外部記憶部218により構成される。
 なお、記憶部212を構成するそれぞれの内部記憶部217と外部記憶部218は、フラッシュメモリタイプ(flash memory type)、ハードディスクタイプ(hard disk type)、マルチメディアカードマイクロタイプ(multimedia card micro type)、カードタイプのメモリ(例えば、MicroSD(登録商標)メモリ等)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)等の格納媒体を用いて実現される。
 外部入出力部213は、スマートフォン200に連結される全ての外部機器とのインタフェースの役割を果たすものであり、他の外部機器に通信等(例えば、ユニバーサルシリアルバス(USB)、IEEE1394等)又はネットワーク(例えば、インターネット、無線LAN、ブルートゥース(Bluetooth)(登録商標)、RFID(Radio Frequency Identification)、赤外線通信(Infrared Data Association:IrDA)(登録商標)、UWB(Ultra Wideband)(登録商標)、ジグビー(ZigBee)(登録商標)等)により直接的又は間接的に接続するためのものである。
 スマートフォン200に連結される外部機器としては、例えば、有/無線ヘッドセット、有/無線外部充電器、有/無線データポート、カードソケットを介して接続されるメモリカード(Memory card)又はSIM(Subscriber Identity Module Card)/UIM(User Identity Module
 Card)カード、オーディオ・ビデオI/O(Input/Output)端子を介して接続される外部オーディオ・ビデオ機器、無線接続される外部オーディオ・ビデオ機器、有/無線接続されるスマートフォン、有/無線接続されるパーソナルコンピュータ、有/無線接続されるPDA、有/無線接続されるパーソナルコンピュータ、イヤホン等がある。
 外部入出力部213は、このような外部機器から伝送を受けたデータをスマートフォン200の内部の各構成要素に伝達したり、スマートフォン200の内部のデータを外部機器に伝送したりする。
 GPS受信部214は、主制御部220の指示にしたがって、GPS衛星ST1~STnから送信されるGPS信号を受信し、受信した複数のGPS信号に基づく測位演算処理を実行し、スマートフォン200の緯度、経度、高度からなる位置を検出する。
 GPS受信部214は、無線通信部210又は外部入出力部213(例えば、無線LAN)から位置情報を取得できる時には、その位置情報を用いて位置を検出することもできる。
 モーションセンサ部215は、例えば、3軸の加速度センサ等を備え、主制御部220の指示にしたがって、スマートフォン200の物理的な動きを検出する。スマートフォン200の物理的な動きを検出することにより、スマートフォン200の動く方向又は加速度が検出される。係る検出結果は、主制御部220に出力されるものである。
 電源部216は、主制御部220の指示にしたがって、スマートフォン200の各部に、バッテリ(図示しない)に蓄えられる電力を供給するものである。
 主制御部220は、マイクロプロセッサを備え、記憶部212が記憶する制御プログラム又は制御データにしたがって動作し、スマートフォン200の各部を統括して制御するものである。
 また、主制御部220は、無線通信部210を通じて、音声通信又はデータ通信を行うために、通信系の各部を制御する移動通信制御機能と、アプリケーション処理機能を備える。
 アプリケーション処理機能は、記憶部212が記憶するアプリケーションソフトウェアにしたがって主制御部220が動作することにより実現するものである。
 アプリケーション処理機能としては、例えば、外部入出力部213を制御して対向機器とデータ通信を行う赤外線通信機能、電子メールの送受信を行う電子メール機能、又は、ウェブページを閲覧するウェブブラウジング機能等がある。
 また、主制御部220は、受信データ又はダウンロードしたストリーミングデータ等の画像データ(静止画像又は動画像のデータ)に基づいて、映像を表示入力部204に表示する等の画像処理機能を備える。
 画像処理機能とは、主制御部220が、上記画像データを復号し、この復号結果に画像処理を施して、画像を表示入力部204に表示する機能のことをいう。
 更に、主制御部220は、表示パネル202に対する表示制御と、操作部207、操作パネル203を通じたユーザ操作を検出する操作検出制御を実行する。表示制御の実行により、主制御部220は、アプリケーションソフトウェアを起動するためのアイコン又はスクロールバー等のソフトウェアキーを表示したり、あるいは電子メールを作成したりするためのウィンドウを表示する。
 なお、スクロールバーとは、表示パネル202の表示領域に収まりきれない大きな画像等について、画像の表示部分を移動する指示を受け付けるためのソフトウェアキーのことをいう。
 また、操作検出制御の実行により、主制御部220は、操作部207を通じたユーザ操作を検出したり、操作パネル203を通じて、上記アイコンに対する操作又は、上記ウィンドウの入力欄に対する文字列の入力を受け付けたり、あるいは、スクロールバーを通じた表示画像のスクロール要求を受け付ける。
 更に、操作検出制御の実行により主制御部220は、操作パネル203に対する操作位置が、表示パネル202に重なる重畳部分(表示領域)か、それ以外の表示パネル202に重ならない外縁部分(非表示領域)かを判定し、操作パネル203の感応領域又はソフトウェアキーの表示位置を制御するタッチパネル制御機能を備える。
 また、主制御部220は、操作パネル203に対するジェスチャ操作を検出し、検出したジェスチャ操作に応じて、予め設定された機能を実行することもできる。ジェスチャ操作とは、従来の単純なタッチ操作ではなく、指等によって軌跡を描いたり、複数の位置を同時に指定したり、あるいはこれらを組み合わせて、複数の位置から少なくとも1つについて軌跡を描く操作を意味する。
 カメラ部208は、図1に示したデジタルカメラにおける外部メモリ制御部20、記憶媒体21、表示ドライバ22、表示部23、及び、操作部14以外の構成を含む。
 カメラ部208によって生成された撮像画像データは、記憶部212に記憶したり、外部入出力部213又は無線通信部210を通じて出力したりすることができる。
 図13に示すスマートフォン200において、カメラ部208は表示入力部204と同じ面に搭載されているが、カメラ部208の搭載位置はこれに限らず、表示入力部204の背面に搭載されてもよい。
 また、カメラ部208はスマートフォン200の各種機能に利用することができる。例えば、表示パネル202にカメラ部208で取得した画像を表示することができる。操作パネル203の操作入力のひとつとして、カメラ部208の画像を利用することができる。
 また、GPS受信部214が位置を検出する際に、カメラ部208からの画像を参照して位置を検出することもできる。更には、カメラ部208からの画像を参照して、3軸の加速度センサを用いずに、或いは、3軸の加速度センサと併用して、スマートフォン200のカメラ部208の光軸方向を判断したり現在の使用環境を判断したりすることもできる。勿論、カメラ部208からの画像をアプリケーションソフトウェア内で利用することもできる。
 その他、静止画又は動画の画像データにGPS受信部214により取得した位置情報、マイクロホン206により取得した音声情報(主制御部等により、音声テキスト変換を行ってテキスト情報となっていてもよい)、モーションセンサ部215により取得した姿勢情報等を付加して記憶部212に記憶したり、外部入出力部213又は無線通信部210を通じて出力したりすることもできる。
 以上のように、本明細書には以下の事項が開示されている。
(1) 光を受光して電荷を蓄積する光電変換素子と、上記光電変換素子に蓄積された電荷を保持する遮光された電荷保持部と、上記電荷保持部から電荷が転送されるフローティングディフージョンとを含み、上記フローティングディフージョンの電位に応じた信号が読み出し回路によって読み出される複数の画素を有するMOS型の撮像素子と、上記画素の上記光電変換素子及び上記電荷保持部をリセットしてその光電変換素子の露光を開始し、その光電変換素子に蓄積された撮像電荷をその画素の上記電荷保持部に転送して上記露光を終了する第一の駆動制御と、上記第一の駆動制御によって上記撮像電荷が上記電荷保持部に転送される前に、その電荷保持部に保持されている暗時電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第二の駆動制御と、上記第一の駆動制御による上記露光の終了後に、上記電荷保持部に保持された上記撮像電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第三の駆動制御と、を行う駆動制御部と、上記第三の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記撮像電荷に応じた信号で構成される撮像画像信号と、上記第二の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記暗時電荷に応じた信号で構成される暗時画像信号と、に基づいて撮像画像データを生成し記憶媒体に記憶する画像処理部と、を備える撮像装置。
(2) (1)記載の撮像装置であって、上記画像処理部は、上記暗時画像信号に基づいて上記撮像画像信号の黒レベルを算出し、その黒レベルに基づいて上記撮像画像信号の黒レベル補正を行う撮像装置。
(3) (2)記載の撮像装置であって、上記撮像素子が遮光された状態で上記光電変換素子に発生する暗時電荷に応じた第一の暗時信号と、上記電荷保持部に発生する第二の暗時電荷に応じた第二の暗時信号との相関関係を示す情報を記憶する記憶部を更に備え、上記画像処理部は、上記暗時画像信号と、上記相関関係を示す情報とに基づいて上記黒レベルを算出する撮像装置。
(4) (3)記載の撮像装置であって、上記相関関係を示す情報は、上記第二の暗時信号を変数として上記第一の暗時信号を表した関数の係数であり、上記画像処理部は、上記暗時画像信号を構成する各信号の平均値又はその各信号を上記関数の変数とする演算によって上記黒レベルを算出する撮像装置。
(5) (4)記載の撮像装置であって、上記係数は上記複数の画素の各々に対応して上記記憶部に記憶されており、上記画像処理部は、上記暗時画像信号を構成する各信号を上記関数の変数とし、その各信号の読み出し元の上記画素に対応する上記係数をその関数の係数とする演算によって、上記複数の画素毎に上記黒レベルを算出する撮像装置。
(6) (3)~(5)のいずれか1つに記載の撮像装置であって、上記情報は、上記撮像素子の温度毎又は上記露光の時間毎に対応して上記記憶部に記憶されており、上記画像処理部は、上記撮像素子の温度又は上記露光の時間に対応する上記情報を用いて上記黒レベルを算出する撮像装置。
(7) (3)~(5)のいずれか1つに記載の撮像装置であって、上記記憶部は、上記撮像素子の基準温度又は上記露光の基準時間に対応して上記情報を記憶しており、更に、上記基準温度又は上記基準時間に対する上記撮像素子の温度又は上記露光の時間の相対値と上記情報を補正するための補正情報とを対応付けて記憶しており、上記画像処理部は、上記撮像素子の温度又は上記露光の時間の上記基準温度又は上記基準時間に対する相対値を求め、その相対値に対応する上記補正情報によって上記情報を補正し、補正後の上記情報を用いて上記黒レベルを算出する撮像装置。
(8) (1)~(7)のいずれか1つに記載の撮像装置であって、上記駆動制御部は、上記露光の時間が閾値未満となる場合には、上記第二の駆動制御を省略して上記第一の駆動制御と上記第三の駆動制御を行う撮像装置。
(9) (8)記載の撮像装置であって、上記閾値は、上記第二の駆動制御による上記複数の画素の各々からの上記暗時電荷に応じた信号の読み出しにかかる時間である撮像装置。
(10) (1)~(9)のいずれか1つに記載の撮像装置であって、上記撮像素子の温度を検出する温度センサを更に備え、上記駆動制御部は、上記撮像素子の温度が閾値未満となる場合には、上記第二の駆動制御を省略して上記第一の駆動制御と上記第三の駆動制御を行う撮像装置。
(11) 光を受光して電荷を蓄積する光電変換素子と、上記光電変換素子に蓄積された電荷を保持する遮光された電荷保持部と、上記電荷保持部から電荷が転送されるフローティングディフージョンとを含み、上記フローティングディフージョンの電位に応じた信号が読み出し回路によって読み出される複数の画素を有するMOS型の撮像素子によって被写体を撮像する撮像方法であって、上記画素の上記光電変換素子及び上記電荷保持部をリセットしてその光電変換素子の露光を開始し、その光電変換素子に蓄積された撮像電荷をその画素の上記電荷保持部に転送して上記露光を終了する第一の駆動制御と、上記第一の駆動制御によって上記撮像電荷が上記電荷保持部に転送される前に、その電荷保持部に保持されている暗時電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第二の駆動制御と、上記第一の駆動制御による上記露光の終了後に、上記電荷保持部に保持された上記撮像電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第三の駆動制御と、を行う駆動制御ステップと、上記第三の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記撮像電荷に応じた信号で構成される撮像画像信号と、上記第二の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記暗時電荷に応じた信号で構成される暗時画像信号と、に基づいて撮像画像データを生成し記憶媒体に記憶する画像処理ステップと、を備える撮像方法。
(12) (11)記載の撮像方法であって、上記画像処理ステップでは、上記暗時画像信号に基づいて上記撮像画像信号の黒レベルを算出し、その黒レベルに基づいて上記撮像画像信号の黒レベル補正を行う撮像方法。
(13) (12)記載の撮像方法であって、上記画像処理ステップでは、上記撮像素子が遮光された状態で上記光電変換素子に発生する暗時電荷に応じた第一の暗時信号と、上記電荷保持部に発生する第二の暗時電荷に応じた第二の暗時信号との相関関係を示す情報を記憶する記憶部から読み出した上記情報と、上記暗時画像信号と、に基づいて上記黒レベルを算出する撮像方法。
(14) (13)記載の撮像方法であって、上記相関関係を示す情報は、上記第二の暗時信号を変数として上記第一の暗時信号を表した関数の係数であり、上記画像処理ステップでは、上記暗時画像信号を構成する各信号を上記関数の変数とする演算によって上記黒レベルを算出する撮像方法。
(15) (14)記載の撮像方法であって、上記係数は上記複数の画素の各々に対応して上記記憶部に記憶されており、上記画像処理ステップでは、上記暗時画像信号を構成する各信号を上記関数の変数とし、その各信号の読み出し元の上記画素に対応する上記係数をその関数の係数とする演算によって、上記黒レベルを算出する撮像方法。
(16) (13)~(15)のいずれか1つに記載の撮像方法であって、上記情報は、上記撮像素子の温度毎又は上記露光の時間毎に対応して上記記憶部に記憶されており、上記画像処理ステップでは、上記撮像素子の温度又は上記露光の時間に対応する上記情報を用いて上記黒レベルを算出する撮像方法。
(17) (13)~(15)のいずれか1つに記載の撮像方法であって、上記記憶部は、上記撮像素子の基準温度又は上記露光の基準時間に対応して上記情報を記憶しており、更に、上記基準温度又は上記基準時間に対する上記撮像素子の温度又は上記露光の時間の相対値と上記情報を補正するための補正情報とを対応付けて記憶しており、上記画像処理ステップでは、上記撮像素子の温度又は上記露光の時間の上記基準温度又は上記基準時間に対する相対値を求め、その相対値に対応する上記補正情報によって上記情報を補正し、補正後の上記情報を用いて上記黒レベルを算出する撮像方法。
(18) (11)~(17)のいずれか1つに記載の撮像方法であって、上記駆動制御ステップでは、上記露光の時間が閾値未満となる場合には、上記第二の駆動制御を省略して上記第一の駆動制御と上記第三の駆動制御を行う撮像方法。
(19) (18)記載の撮像方法であって、上記閾値は、上記第二の駆動制御による上記複数の画素の各々からの上記暗時電荷に応じた信号の読み出しにかかる時間である撮像方法。
(20) (11)~(19)のいずれか1つに記載の撮像方法であって、上記撮像素子の温度を検出するステップを更に備え、上記駆動制御ステップでは、上記撮像素子の温度が閾値未満となる場合には、上記第二の駆動制御を省略して上記第一の駆動制御と上記第三の駆動制御を行う撮像方法。
(21) 光を受光して電荷を蓄積する光電変換素子と、上記光電変換素子に蓄積された電荷を保持する遮光された電荷保持部と、上記電荷保持部から電荷が転送されるフローティングディフージョンとを含み、上記フローティングディフージョンの電位に応じた信号が読み出し回路によって読み出される遮光された電荷保持部とを含む複数の画素を有するMOS型の撮像素子によって被写体を撮像する撮像プログラムであって、上記画素の上記光電変換素子及び上記電荷保持部をリセットしてその光電変換素子の露光を開始し、その光電変換素子に蓄積された撮像電荷をその画素の上記電荷保持部に転送して上記露光を終了する第一の駆動制御と、上記第一の駆動制御によって上記撮像電荷が上記電荷保持部に転送される前に、その電荷保持部に保持されている暗時電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第二の駆動制御と、上記第一の駆動制御による上記露光の終了後に、上記電荷保持部に保持された上記撮像電荷に応じた信号を上記読み出し回路によって読み出す第三の駆動制御と、を行う駆動制御ステップと、上記第三の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記撮像電荷に応じた信号で構成される撮像画像信号と、上記第二の駆動制御によって上記撮像素子の上記複数の画素の各々から読み出された上記暗時電荷に応じた信号で構成される暗時画像信号と、に基づいて撮像画像データを生成し記憶媒体に記憶する画像処理ステップと、をコンピュータに実行させるための撮像プログラム。
 本発明によれば、撮像素子を遮光して撮像を行うことなく、光電変換素子で発生する暗電流の情報を高精度に得ることができる撮像装置、撮像方法、及び、撮像プログラムを提供することができる。
 以上、本発明を特定の実施形態によって説明したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、開示された発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
 本出願は、2016年11月14日出願の日本特許出願(特願2016-221759)に基づくものであり、その内容はここに取り込まれる。
100 デジタルカメラ
1 撮像レンズ
2 絞り
4 レンズ制御部
5 撮像素子
8 レンズ駆動部
9 絞り駆動部
10 撮像素子駆動部
11 システム制御部
14 操作部
17 デジタル信号処理部
17A 内部メモリ
20 外部メモリ制御部
21 記憶媒体
22 表示ドライバ
23 表示部
24 制御バス
25 データバス
40 レンズ装置
60 受光面
61 画素
61A 光電変換素子
61B 電荷保持部
61C 電荷転送部
61D フローティングディフュージョン
61E 読み出し回路
62 画素行
63 駆動回路
64 信号処理回路
65 信号線
70 N型基板
71 Pウェル層
72 読み出し電極
73 N型不純物層
74 P型不純物層
75 領域
76 転送電極
77 リセットトランジスタ
78 出力トランジスタ
79 選択トランジスタ
X 行方向
Y 列方向
LV ライブビューシーケンス
EX 静止画露光シーケンス
PRE 電荷保持部先読みシーケンス
RE 静止画読み出しシーケンス
RR、GR リセットタイミングを示す直線
RO 露光終了及び信号読み出しタイミングを示す直線
GP 信号読み出しタイミングを示す直線
GS 露光終了タイミングを示す直線
GO 信号読み出しタイミングを示す直線
P1 暗時画像信号
P2 撮像画像信号
100A デジタルカメラ
50 温度センサ
RR1 リセットタイミングを示す直線
RO2 露光終了タイミングを示す直線
200 スマートフォン
201 筐体
202 表示パネル
203 操作パネル
204 表示入力部
205 スピーカ
206 マイクロホン
207 操作部
208 カメラ部
210 無線通信部
211 通話部
212 記憶部
213 外部入出力部
214 GPS受信部
215 モーションセンサ部
216 電源部
217 内部記憶部
218 外部記憶部
220 主制御部
ST1~STn GPS衛星

Claims (21)

  1.  光を受光して電荷を蓄積する光電変換素子と、前記光電変換素子に蓄積された電荷を保持する遮光された電荷保持部と、前記電荷保持部から電荷が転送されるフローティングディフージョンとを含み、前記フローティングディフージョンの電位に応じた信号が読み出し回路によって読み出される複数の画素を有するMOS型の撮像素子と、
     前記画素の前記光電変換素子及び前記電荷保持部をリセットして当該光電変換素子の露光を開始し、当該光電変換素子に蓄積された撮像電荷を当該画素の前記電荷保持部に転送して前記露光を終了する第一の駆動制御と、
     前記第一の駆動制御によって前記撮像電荷が前記電荷保持部に転送される前に、当該電荷保持部に保持されている暗時電荷に応じた信号を前記読み出し回路によって読み出す第二の駆動制御と、
     前記第一の駆動制御による前記露光の終了後に、前記電荷保持部に保持された前記撮像電荷に応じた信号を前記読み出し回路によって読み出す第三の駆動制御と、を行う駆動制御部と、
     前記第三の駆動制御によって前記撮像素子の前記複数の画素の各々から読み出された前記撮像電荷に応じた信号で構成される撮像画像信号と、前記第二の駆動制御によって前記撮像素子の前記複数の画素の各々から読み出された前記暗時電荷に応じた信号で構成される暗時画像信号と、に基づいて撮像画像データを生成し記憶媒体に記憶する画像処理部と、を備える撮像装置。
  2.  請求項1項記載の撮像装置であって、
     前記画像処理部は、前記暗時画像信号に基づいて前記撮像画像信号の黒レベルを算出し、当該黒レベルに基づいて前記撮像画像信号の黒レベル補正を行う撮像装置。
  3.  請求項2記載の撮像装置であって、
     前記撮像素子が遮光された状態で前記光電変換素子に発生する暗時電荷に応じた第一の暗時信号と、前記電荷保持部に発生する第二の暗時電荷に応じた第二の暗時信号との相関関係を示す情報を記憶する記憶部を更に備え、
     前記画像処理部は、前記暗時画像信号と、前記相関関係を示す情報とに基づいて前記黒レベルを算出する撮像装置。
  4.  請求項3記載の撮像装置であって、
     前記相関関係を示す情報は、前記第二の暗時信号を変数として前記第一の暗時信号を表した関数の係数であり、
     前記画像処理部は、前記暗時画像信号を構成する各信号の平均値又は当該各信号を前記関数の変数とする演算によって前記黒レベルを算出する撮像装置。
  5.  請求項4記載の撮像装置であって、
     前記係数は前記複数の画素の各々に対応して前記記憶部に記憶されており、
     前記画像処理部は、前記暗時画像信号を構成する各信号を前記関数の変数とし、当該各信号の読み出し元の前記画素に対応する前記係数を当該関数の係数とする演算によって、前記複数の画素毎に前記黒レベルを算出する撮像装置。
  6.  請求項3~5のいずれか1項記載の撮像装置であって、
     前記情報は、前記撮像素子の温度毎又は前記露光の時間毎に対応して前記記憶部に記憶されており、
     前記画像処理部は、前記撮像素子の温度又は前記露光の時間に対応する前記情報を用いて前記黒レベルを算出する撮像装置。
  7.  請求項3~5のいずれか1項記載の撮像装置であって、
     前記記憶部は、前記撮像素子の基準温度又は前記露光の基準時間に対応して前記情報を記憶しており、更に、前記基準温度又は前記基準時間に対する前記撮像素子の温度又は前記露光の時間の相対値と前記情報を補正するための補正情報とを対応付けて記憶しており、
     前記画像処理部は、前記撮像素子の温度又は前記露光の時間の前記基準温度又は前記基準時間に対する相対値を求め、当該相対値に対応する前記補正情報によって前記情報を補正し、補正後の前記情報を用いて前記黒レベルを算出する撮像装置。
  8.  請求項1~7のいずれか1項記載の撮像装置であって、
     前記駆動制御部は、前記露光の時間が閾値未満となる場合には、前記第二の駆動制御を省略して前記第一の駆動制御と前記第三の駆動制御を行う撮像装置。
  9.  請求項8記載の撮像装置であって、
     前記閾値は、前記第二の駆動制御による前記複数の画素の各々からの前記暗時電荷に応じた信号の読み出しにかかる時間である撮像装置。
  10.  請求項1~9のいずれか1項記載の撮像装置であって、
     前記撮像素子の温度を検出する温度センサを更に備え、
     前記駆動制御部は、前記撮像素子の温度が閾値未満となる場合には、前記第二の駆動制御を省略して前記第一の駆動制御と前記第三の駆動制御を行う撮像装置。
  11.  光を受光して電荷を蓄積する光電変換素子と、前記光電変換素子に蓄積された電荷を保持する遮光された電荷保持部と、前記電荷保持部から電荷が転送されるフローティングディフージョンとを含み、前記フローティングディフージョンの電位に応じた信号が読み出し回路によって読み出される複数の画素を有するMOS型の撮像素子によって被写体を撮像する撮像方法であって、
     前記画素の前記光電変換素子及び前記電荷保持部をリセットして当該光電変換素子の露光を開始し、当該光電変換素子に蓄積された撮像電荷を当該画素の前記電荷保持部に転送して前記露光を終了する第一の駆動制御と、
     前記第一の駆動制御によって前記撮像電荷が前記電荷保持部に転送される前に、当該電荷保持部に保持されている暗時電荷に応じた信号を前記読み出し回路によって読み出す第二の駆動制御と、
     前記第一の駆動制御による前記露光の終了後に、前記電荷保持部に保持された前記撮像電荷に応じた信号を前記読み出し回路によって読み出す第三の駆動制御と、を行う駆動制御ステップと、
     前記第三の駆動制御によって前記撮像素子の前記複数の画素の各々から読み出された前記撮像電荷に応じた信号で構成される撮像画像信号と、前記第二の駆動制御によって前記撮像素子の前記複数の画素の各々から読み出された前記暗時電荷に応じた信号で構成される暗時画像信号と、に基づいて撮像画像データを生成し記憶媒体に記憶する画像処理ステップと、を備える撮像方法。
  12.  請求項11記載の撮像方法であって、
     前記画像処理ステップでは、前記暗時画像信号に基づいて前記撮像画像信号の黒レベルを算出し、当該黒レベルに基づいて前記撮像画像信号の黒レベル補正を行う撮像方法。
  13.  請求項12記載の撮像方法であって、
     前記画像処理ステップでは、前記撮像素子が遮光された状態で前記光電変換素子に発生する暗時電荷に応じた第一の暗時信号と、前記電荷保持部に発生する第二の暗時電荷に応じた第二の暗時信号との相関関係を示す情報を記憶する記憶部から読み出した前記情報と、前記暗時画像信号と、に基づいて前記黒レベルを算出する撮像方法。
  14.  請求項13記載の撮像方法であって、
     前記相関関係を示す情報は、前記第二の暗時信号を変数として前記第一の暗時信号を表した関数の係数であり、
     前記画像処理ステップでは、前記暗時画像信号を構成する各信号を前記関数の変数とする演算によって前記黒レベルを算出する撮像方法。
  15.  請求項14記載の撮像方法であって、
     前記係数は前記複数の画素の各々に対応して前記記憶部に記憶されており、
     前記画像処理ステップでは、前記暗時画像信号を構成する各信号を前記関数の変数とし、当該各信号の読み出し元の前記画素に対応する前記係数を当該関数の係数とする演算によって、前記黒レベルを算出する撮像方法。
  16.  請求項13~15のいずれか1項記載の撮像方法であって、
     前記情報は、前記撮像素子の温度毎又は前記露光の時間毎に対応して前記記憶部に記憶されており、
     前記画像処理ステップでは、前記撮像素子の温度又は前記露光の時間に対応する前記情報を用いて前記黒レベルを算出する撮像方法。
  17.  請求項13~15のいずれか1項記載の撮像方法であって、
     前記記憶部は、前記撮像素子の基準温度又は前記露光の基準時間に対応して前記情報を記憶しており、更に、前記基準温度又は前記基準時間に対する前記撮像素子の温度又は前記露光の時間の相対値と前記情報を補正するための補正情報とを対応付けて記憶しており、
     前記画像処理ステップでは、前記撮像素子の温度又は前記露光の時間の前記基準温度又は前記基準時間に対する相対値を求め、当該相対値に対応する前記補正情報によって前記情報を補正し、補正後の前記情報を用いて前記黒レベルを算出する撮像方法。
  18.  請求項11~17のいずれか1項記載の撮像方法であって、
     前記駆動制御ステップでは、前記露光の時間が閾値未満となる場合には、前記第二の駆動制御を省略して前記第一の駆動制御と前記第三の駆動制御を行う撮像方法。
  19.  請求項18記載の撮像方法であって、
     前記閾値は、前記第二の駆動制御による前記複数の画素の各々からの前記暗時電荷に応じた信号の読み出しにかかる時間である撮像方法。
  20.  請求項11~19のいずれか1項記載の撮像方法であって、
     前記撮像素子の温度を検出するステップを更に備え、
     前記駆動制御ステップでは、前記撮像素子の温度が閾値未満となる場合には、前記第二の駆動制御を省略して前記第一の駆動制御と前記第三の駆動制御を行う撮像方法。
  21.  光を受光して電荷を蓄積する光電変換素子と、前記光電変換素子に蓄積された電荷を保持する遮光された電荷保持部と、前記電荷保持部から電荷が転送されるフローティングディフージョンとを含み、前記フローティングディフージョンの電位に応じた信号が読み出し回路によって読み出される遮光された電荷保持部とを含む複数の画素を有するMOS型の撮像素子によって被写体を撮像する撮像プログラムであって、
     前記画素の前記光電変換素子及び前記電荷保持部をリセットして当該光電変換素子の露光を開始し、当該光電変換素子に蓄積された撮像電荷を当該画素の前記電荷保持部に転送して前記露光を終了する第一の駆動制御と、
     前記第一の駆動制御によって前記撮像電荷が前記電荷保持部に転送される前に、当該電荷保持部に保持されている暗時電荷に応じた信号を前記読み出し回路によって読み出す第二の駆動制御と、
     前記第一の駆動制御による前記露光の終了後に、前記電荷保持部に保持された前記撮像電荷に応じた信号を前記読み出し回路によって読み出す第三の駆動制御と、を行う駆動制御ステップと、
     前記第三の駆動制御によって前記撮像素子の前記複数の画素の各々から読み出された前記撮像電荷に応じた信号で構成される撮像画像信号と、前記第二の駆動制御によって前記撮像素子の前記複数の画素の各々から読み出された前記暗時電荷に応じた信号で構成される暗時画像信号と、に基づいて撮像画像データを生成し記憶媒体に記憶する画像処理ステップと、をコンピュータに実行させるための撮像プログラム。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111491120A (zh) * 2019-01-29 2020-08-04 Jvc建伍株式会社 拍摄装置
JP2020123768A (ja) * 2019-01-29 2020-08-13 株式会社Jvcケンウッド 撮像装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103636000B (zh) 2011-05-12 2017-11-17 德普伊辛迪斯制品公司 具有使公差被最优化的互连的图像传感器
AU2013295565B2 (en) * 2012-07-26 2017-06-22 DePuy Synthes Products, Inc. Camera system with minimal area monolithic CMOS image sensor
WO2014145248A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Olive Medical Corporation Minimize image sensor i/o and conductor counts in endoscope applications
CN105246394B (zh) 2013-03-15 2018-01-12 德普伊新特斯产品公司 无输入时钟和数据传输时钟的图像传感器同步
JP6569023B2 (ja) * 2017-03-24 2019-08-28 富士フイルム株式会社 撮像装置、撮像方法、及び撮像プログラム
CN110463187B (zh) * 2017-03-28 2021-09-21 富士胶片株式会社 摄像装置、摄像方法及存储介质
CN110545388B (zh) * 2019-08-28 2022-04-01 上海集成电路研发中心有限公司 一种去除图像暗电流的装置和方法
US20230102607A1 (en) * 2020-02-03 2023-03-30 Sony Semiconductor Solutions Corporation Electronic device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004228873A (ja) * 2003-01-22 2004-08-12 Seiko Epson Corp 画像処理装置、画像処理方法及び固体撮像装置
JP2009268083A (ja) * 2008-04-03 2009-11-12 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
JP2012120076A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Nikon Corp 撮像装置
JP2014042343A (ja) * 2013-10-31 2014-03-06 Sony Corp 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
JP2015171049A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置及び暗電荷測定方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050094005A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Eastman Kodak Company Apparatus and method for creating dark reference signals for dark reference pixels
JP2011211448A (ja) 2010-03-30 2011-10-20 Olympus Corp 固体撮像装置およびその駆動方法
JP2012191379A (ja) 2011-03-10 2012-10-04 Nikon Corp 撮像装置
JP2014022795A (ja) 2012-07-13 2014-02-03 Sony Corp 撮像素子、撮像方法
JP6216147B2 (ja) * 2013-04-24 2017-10-18 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP6338440B2 (ja) * 2014-05-02 2018-06-06 キヤノン株式会社 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム
JP6794985B2 (ja) * 2015-05-20 2020-12-02 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP6727831B2 (ja) * 2016-02-09 2020-07-22 キヤノン株式会社 光電変換装置、および、撮像システム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004228873A (ja) * 2003-01-22 2004-08-12 Seiko Epson Corp 画像処理装置、画像処理方法及び固体撮像装置
JP2009268083A (ja) * 2008-04-03 2009-11-12 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
JP2012120076A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Nikon Corp 撮像装置
JP2014042343A (ja) * 2013-10-31 2014-03-06 Sony Corp 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
JP2015171049A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置及び暗電荷測定方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111491120A (zh) * 2019-01-29 2020-08-04 Jvc建伍株式会社 拍摄装置
JP2020123768A (ja) * 2019-01-29 2020-08-13 株式会社Jvcケンウッド 撮像装置
CN111491120B (zh) * 2019-01-29 2022-11-01 Jvc建伍株式会社 拍摄装置
JP7208496B2 (ja) 2019-01-29 2023-01-19 株式会社Jvcケンウッド 撮像装置

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