WO2018073964A1 - 電力変換装置 - Google Patents

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智 一木
章斗 田中
鈴木 大介
知宏 沓木
酒井 顕
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三菱電機株式会社
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    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02B70/10Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Definitions

  • the present invention relates to a power conversion device that performs a converter operation for converting AC power into DC power, and more particularly to a power conversion device that reduces malfunction caused by electromagnetic noise.
  • an active converter system using a semiconductor switching element is generally used as a measure for suppressing harmonic signals contained in DC power after conversion.
  • This active converter has a configuration that combines a reactor and a semiconductor switching element, and controls the switching element on / off in consideration of the input power supply phase, etc. This realizes a converter operation capable of suppressing harmonics.
  • the switching speed of semiconductor switching elements has increased due to advances in manufacturing technology of semiconductor switching elements and the development of switching elements using new semiconductors such as silicon carbide (SiC). Since the semiconductor switching element can operate at high speed, there are merits such as downsizing the reactor constituting the converter circuit, downsizing the power conversion device itself, and realizing high-speed processing of converter operation control. For this reason, it is considered that the high-frequency switching operation of the semiconductor switching element will be pursued in the future.
  • electromagnetic noise is generated in the gate drive circuit of the switching element, and this electromagnetic noise (denoted as electromagnetic noise A) is applied to the gate voltage of the semiconductor switching element.
  • electromagnetic noise is generated due to the switching operation of the semiconductor switching element constituting the inverter circuit.
  • the electromagnetic noise generated in this inverter circuit is amplified by the wiring impedance (particularly the inductance component) of the copper foil pattern on the board (for example, the wiring pattern between the converter circuit and the inverter circuit), and the electromagnetic noise after this amplification (electromagnetic noise) (B) is applied to the emitter voltage of the semiconductor switching element constituting the converter circuit.
  • the gate-emitter voltage of the switching element fluctuates irregularly, causing a malfunction of the switching element.
  • the gate threshold voltage (hereinafter referred to as the gate threshold voltage) is affected by electromagnetic noise. And the phenomenon that the switching element is turned on may occur. If such a phenomenon is left unattended, the possibility of a malfunction of the converter circuit increases.
  • an isolation circuit such as a photocoupler is interposed in each of the semiconductor switching element that performs high-frequency switching and the signal path that connects the drive circuit and the control circuit.
  • an isolation circuit such as a photocoupler is interposed in each of the semiconductor switching element that performs high-frequency switching and the signal path that connects the drive circuit and the control circuit.
  • the insulation configuration is effective in reducing the influence of electromagnetic noise in semiconductor switching elements and drive circuits that perform high-frequency switching, but because it requires a large number of isolation circuits, it increases the number of components used and the board area. Increase in the cost of the substrate, and thus the manufacturing cost of the power converter. In addition, the physical size of the power conversion device is increased, which is an installation restriction during actual use of the power conversion device.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to reduce malfunction caused by electromagnetic noise generated in the apparatus while suppressing an increase in the number of components and an increase in the board area. It is to obtain a power conversion device that can be made to operate.
  • the power converter of the present invention includes a rectifier circuit that rectifies an AC voltage, a converter main circuit connected to the output side of the rectifier circuit, a smoothing capacitor that smoothes a DC voltage output from the converter main circuit, and the converter
  • a control unit that controls the operation of the main circuit, wherein the converter main circuit is connected between the switching element, a gate drive circuit that drives the switching element on and off, and the switching element and the smoothing capacitor.
  • the power conversion device of the present invention is configured in this way, it is possible to reduce malfunctions due to the effects of electromagnetic noise, reduce the cost of insulated power supplies and noise countermeasure components, and further reduce the board area.
  • the power converter can be downsized.
  • FIG. 1 The figure which shows the structure of the power converter device in Embodiment 1.
  • FIG. 1 The figure which shows the structure of the conventional power converter device The figure explaining the circuit operation in the conventional power converter The figure explaining the circuit operation
  • FIG. 1 The figure which shows the structure of the power converter device in Embodiment 2.
  • FIG. 1 The figure which shows the structure of the power converter device in Embodiment 1.
  • FIG. 1 shows the configuration of the power conversion device of the present embodiment.
  • a single-phase AC voltage source 1 a rectifier circuit 2 that rectifies an AC voltage
  • a converter main circuit 3 that is connected to the output side of the rectifier circuit 2 and performs a converter operation
  • the converter main circuit 3 output the power converter.
  • An inverter main circuit 6 that converts electric power and a motor 7 that is rotated by the inverter main circuit 6 are configured.
  • the inverter main circuit 6 and the motor 7 correspond to the DC load of the converter main circuit 3.
  • the control unit 5 also controls the operation of the inverter main circuit 6.
  • the converter main circuit 3 includes a reactor 8 having one end connected to the output-side positive terminal of the rectifier circuit 2, and a semiconductor switching element 9 connected between the other end of the reactor 8 and the output-side negative terminal of the rectifier circuit 2 (hereinafter referred to as “reactor 8”). , Simply referred to as a switching element 9), a gate drive circuit 10 connected to the gate terminal of the switching element 9 to drive the switching element 9 on and off, and an on / off operation for the switching element 9 output from the control unit 5.
  • the photocoupler 11 transmits a signal to the gate drive circuit 10 and a backflow prevention diode 12 connected between the switching element 9 and the smoothing capacitor 4.
  • the rectifier circuit 2 can be composed of a full-wave rectifier circuit composed of a diode bridge.
  • the switching element 9 is, for example, an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Note that a three-phase AC voltage source may be used instead of the single-phase AC voltage source 1. In that case, the rectifier circuit 2 may be a full-wave rectifier circuit corresponding to three-phase alternating current.
  • the collector of the switching element 9 is connected to the reactor 8, and the emitter of the switching element 9 is connected to the output-side negative terminal of the rectifier circuit 2.
  • the backflow prevention diode 12 has an anode connected to the collector of the switching element 9 and a cathode connected to the positive terminal of the smoothing capacitor 4.
  • an electrolytic capacitor is suitable.
  • a brushless DC motor is applied to the motor 7.
  • the inverter main circuit 6 includes a plurality of semiconductor switching elements, and the motors are driven by turning on / off the switching elements in the inverter main circuit 6 using an on / off operation signal generated by the control unit 5. 7 is driven to rotate.
  • the inverter main circuit 6 may be configured by an IPM (Intelligent Power Module). Further, instead of controlling the inverter main circuit 6 by the control unit 5, the operation of the inverter main circuit 6 may be controlled using an inverter control microcomputer (not shown).
  • FIG. 1 shows a wiring impedance 13 as the wiring impedance.
  • the reference ground of the switching element 9, the gate drive circuit 10, and the output circuit of the photocoupler 11 in the converter main circuit 3 is the ground B (GND-B). Since the control unit 5 directly outputs a control signal to the inverter main circuit 6 without using a photocoupler, the reference ground connected to the control unit 5 is the same ground A as the reference ground of the inverter main circuit 6. Is necessary. In summary, the control unit 5 and the inverter main circuit 6 operate with the ground A as the reference ground, while the converter main circuit 3 operates with the ground B as the reference ground.
  • the gate drive circuit 10 and the control unit 5 in the converter main circuit 3 are operated with different reference grounds, but the on / off operation signal output from the control unit 5 is output to the gate drive circuit 10 via the photocoupler 11. Therefore, even if the reference ground is different, signals are transmitted and received correctly.
  • the control unit 5 is for the switching element 9 in the converter main circuit 3 based on a target voltage value to be output by the converter main circuit 3 and a voltage value between terminals of the smoothing capacitor 4 detected by a voltage detection circuit (not shown). Are generated and output to the photocoupler 11.
  • the target voltage value may be stored in advance in a storage unit (not shown) inside the control unit 5 or may be set in the control unit 5 from the outside of the power converter.
  • the on / off operation signal is transmitted to the gate drive circuit 10 via the photocoupler 11.
  • the gate drive circuit 10 drives the gate terminal of the switching element 9 based on the on / off operation signal. Specifically, the gate drive circuit 10 outputs a voltage for turning on the switching element 9 to the gate terminal when the on / off operation signal is on, and turns off the switching element 9 when the on / off operation signal is off. The voltage to be output is output to the gate terminal. Thereby, the switching element 9 can be turned on or off.
  • the switching element 9 When the switching element 9 is turned on, one end of the reactor 8 is short-circuited to the ground B, and the power output from the rectifier circuit 2 is accumulated in the reactor 8 as electromagnetic energy.
  • the electromagnetic energy accumulated in the reactor 8 is supplied to the smoothing capacitor 4 through the backflow prevention diode 12 when the switching element 9 is turned off.
  • the switching element 9 repeats the on / off operation in response to the on / off operation signal output from the control unit 5, thereby generating a boosted DC voltage between the terminals of the smoothing capacitor 4.
  • the control unit 5 generates an on / off operation signal so that the voltage between the terminals of the smoothing capacitor 4 becomes a target voltage value.
  • the converter main circuit 3 can also achieve the effect of improving the power factor in the rectified power signal and suppressing the harmonic signal by the action of the reactor 8 and the switching element 9.
  • the inverter main circuit 6 generates a three-phase AC voltage from the DC voltage generated between the terminals of the smoothing capacitor 4 by turning on and off the switching elements in the inverter main circuit 6 and supplies the three-phase AC voltage to the motor 7. Is driven to rotate.
  • FIG. 2 shows a configuration of a conventional power converter.
  • portions corresponding to the configuration of the power conversion device illustrated in FIG. 1 are denoted with the same reference numerals.
  • the photocoupler 11 provided in the power converter of FIG. 1 is deleted, and an on / off operation signal output from the control unit 5 is directly input to the gate drive circuit 10.
  • the ground of the gate drive circuit 10 is the same as the ground A (GND-A) of the control unit 5.
  • the inverter main circuit 6 since the inverter main circuit 6 also receives the control signal for inverter control output from the control unit 5, the reference ground of the inverter main circuit 6 is also set to the same ground A (GND-A) as the reference ground of the control unit 5. There is a need to.
  • the basic operation of the power conversion device is the same as that of the power conversion device of FIG. 1, description thereof is omitted, and the influence of wiring impedance in the operation of the power conversion device will be described with reference to the voltage waveform diagram of FIG. 3 shows the voltage at the gate terminal of the switching element 9 (gate voltage VG: ⁇ A-1>), the reference ground potential of the inverter main circuit 6 (GND-A: ⁇ A-2>), and the reference ground of the converter main circuit 3
  • the voltage waveforms are shown for each of the potential (GND-B: ⁇ A-3>) and the gate-emitter voltage (gate-emitter voltage VGE; ⁇ A-4>) of the switching element 9.
  • electromagnetic noise is generated in the gate drive circuit 10, and this electromagnetic noise (denoted as electromagnetic noise A) is applied to the gate voltage of the switching element 9.
  • electromagnetic noise A denoted as electromagnetic noise A
  • FIG. 3 shows a state in which electromagnetic noise A is generated in the gate voltage of the switching element 9 when the on / off operation signal output from the control unit 5 is in the off state.
  • electromagnetic noise B the electromagnetic noise amplified by the wiring impedance 13 of the wiring pattern between the converter circuit and the inverter circuit is the ground B (the reference ground potential of the converter main circuit 3). This shows a situation occurring in GND-B). Since the emitter of the switching element 9 is connected to the ground B, electromagnetic noise B is applied to the emitter voltage VE of the switching element 9.
  • Electromagnetic noise is generated due to the switching operation of the switching elements constituting the inverter main circuit 6, and the electromagnetic noise as shown in ⁇ B-2> of FIG. 4 is ground A (GND ⁇ ) which is the reference ground of the inverter main circuit 6. Occurs in A).
  • This electromagnetic noise is amplified by the wiring impedance 13 of the wiring pattern between the converter circuit and the inverter circuit, and the amplified electromagnetic noise (denoted as electromagnetic noise B) of the converter main circuit 3 is shown in ⁇ B-3>. It occurs at ground B (GND-B), which is the reference ground potential. Since the emitter of the switching element 9 is connected to the ground B, electromagnetic noise B is applied to the emitter voltage VE of the switching element 9.
  • electromagnetic noise is generated in the gate drive circuit 10, and this electromagnetic noise (denoted as electromagnetic noise A) is applied to the gate voltage of the switching element 9.
  • electromagnetic noise A is applied to the gate voltage of the switching element 9.
  • the electromagnetic noise A and the electromagnetic noise B are both Are applied to the same reference ground (GND-B), and electromagnetic noise A and electromagnetic noise B are combined to form the same or almost the same voltage waveform as shown in ⁇ B-1>.
  • the reference ground (GND-A) of the control unit 5 and the reference ground (GND-B) of the converter main circuit 3 are not insulated and the control unit 5
  • the reference ground is separated in the signal transmission / reception between the control unit 5 and the converter main circuit 3 by inserting the photocoupler 11 in the path for transmitting the on / off operation signal output from the control circuit 5 to the gate drive circuit 10.
  • the influence of electromagnetic noise generated in the inverter main circuit 6 and the like superimposed on the switching element 9 can be reduced, and normal operation of the switching element 9 can be realized.
  • the photocoupler 11 is used to transmit the on / off operation signal between the control unit 5 and the converter main circuit 3.
  • the signal between different reference grounds as in the photocoupler 11 is used. Similar effects can be obtained by using other circuit elements that enable transmission.
  • the inverter main circuit 6 and the motor 7 have been described as the DC load to which the DC power from the converter main circuit 3 is applied, a configuration in which other load devices are connected is also possible.
  • circuit elements (switching elements, diodes, etc.) in the converter main circuit 3 and the inverter main circuit 6 may be SiC (silicon carbide), GaN (gallium nitride), or A circuit element formed of a wide band gap semiconductor such as diamond can be used.
  • SiC silicon carbide
  • GaN gallium nitride
  • a circuit element formed of a wide band gap semiconductor such as diamond can be used.
  • Embodiment 2 The configuration and operation of the power conversion device according to Embodiment 2 will be described with reference to the drawings.
  • the power conversion device according to the second embodiment is different from the power conversion device according to the first embodiment in the configuration of the converter main circuit.
  • FIG. 5 shows the configuration of the power conversion device of the present embodiment.
  • This power converter is the same as the power converter in Embodiment 1 in that it includes a single-phase AC voltage source 1, a rectifier circuit 2, a smoothing capacitor 4, a control unit 5, an inverter main circuit 6, and a motor 7. Therefore, description thereof will be omitted, and the converter main circuit 14 will be described below.
  • Converter main circuit 14 includes reactors 15a and 15b having one ends connected to the output-side positive terminal of rectifier circuit 2, and semiconductor switching connected between the other ends of reactors 15a and 15b and the output-side negative terminal of rectifier circuit 2.
  • Elements 16a and 16b (hereinafter simply referred to as switching elements 16a and 16b) and gate drive circuits 17a and 17b connected to the gate terminals of the switching elements 16a and 16b, respectively, for driving the switching elements 16a and 16b on and off, respectively.
  • photocouplers 18a and 18b for transmitting two on / off operation signals output from the control unit 5 to the gate drive circuits 17a and 17b, respectively, and backflow prevention connected between the switching elements 16a and 16b and the smoothing capacitor 4, respectively. It is composed of diodes 19a and 19b That.
  • the control unit 5 since the control unit 5 directly outputs a control signal to the inverter main circuit 6 without passing through the photocoupler, the reference ground connected to the control unit 5 is the same ground A as the reference ground of the inverter main circuit 6. It is. Thus, the control unit 5 and the inverter main circuit 6 operate with the ground A as the reference ground, while the converter main circuit 14 operates with the ground B as the reference ground.
  • the gate drive circuits 17a and 17b in the converter main circuit 14 and the control unit 5 are operated with different reference grounds, but the on / off operation signal output from the control unit 5 is gate-driven via the photocouplers 18a and 18b. Since the signals are output to the circuits 17a and 17b, signals are correctly transmitted and received even if the reference ground is different.
  • the controller 5 is for the switching element 16a in the converter main circuit 14 based on the target voltage value to be output by the converter main circuit 14 and the voltage value between the terminals of the smoothing capacitor 4 detected by a voltage detection circuit (not shown). On / off operation signal and an on / off operation signal for the switching element 16b are generated and output to the photocouplers 18a and 18b, respectively.
  • the on / off operation signal for the switching element 16a is transmitted to the gate drive circuit 17a via the photocoupler 18a.
  • the gate drive circuit 17a drives the gate terminal of the switching element 16a based on the on / off operation signal.
  • the on / off operation signal for the switching element 16b is transmitted to the gate drive circuit 17b via the photocoupler 18b.
  • the gate drive circuit 17b drives the gate terminal of the switching element 16a based on the on / off operation signal.
  • switching element 16a, 16b can be in an ON state or an OFF state. In this way, as an example, it is possible to perform the converter operation by controlling the switching elements 16a and 16b to be alternately turned on, and other on / off states of the switching elements 16a and 16b. Converter operation can also be performed by realizing a combination of states.
  • the reference grounds of the switching elements 16a and 16b, the gate drive circuits 17a and 17b, and the output circuits of the photocouplers 18a and 18b in the converter main circuit 14 are all the same ground B (GND-B).
  • electromagnetic noise generated in the inverter main circuit 6 propagates through the wiring pattern and is amplified, and electromagnetic noise (denoted as electromagnetic noise A) applied to the emitters of the switching elements 16a and 16b, and the gate drive circuits 17a and 17b.
  • the electromagnetic noise (denoted as electromagnetic noise B) generated in the above and applied to the switching elements 16a and 16b is applied to the same reference ground (GND-B).
  • Embodiments 1 and 2 can be applied to home appliances and industrial equipment.

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Abstract

交流電圧を整流する整流回路2と、整流回路2の出力側に接続されたコンバータ主回路3と、コンバータ主回路3が出力する直流電圧を平滑する平滑コンデンサ4と、コンバータ主回路3の動作を制御する制御部5とを備え、コンバータ主回路3は、スイッチング素子9と、スイッチング素子9をオン・オフ駆動するゲート駆動回路10と、スイッチング素子9と平滑コンデンサ4間に接続された逆流防止用ダイオード12と、スイッチング素子9用のオン・オフ動作信号をゲート駆動回路10に伝達するフォトカップラ11とを有し、制御部5はオン・オフ動作信号をフォトカップラ11に出力することにより、電磁ノイズの影響による誤動作を低減できるとともに、絶縁電源やノイズ対策部品等のコストを削減でき、さらに基板面積を縮小することができる。

Description

電力変換装置
 この発明は、交流電力を直流電力へ変換するコンバータ動作を行う電力変換装置に関するものであり、特に電磁ノイズによる誤動作を低減させた電力変換装置に関するものである。
 コンバータ動作を行うコンバータ回路を備えた電力変換装置において、変換後の直流電力に含まれる高調波信号を抑制する対策として、半導体スイッチング素子を用いたアクティブコンバータ方式を用いるのが一般的である。このアクティブコンバータにもいくつかの方式が知られているが、基本的にはリアクトルと半導体スイッチング素子を組み合わせた構成を有し、入力電源位相などを考慮してスイッチング素子をオン・オフ制御することで高調波抑制が可能なコンバータ動作を実現するものである。
 近年、半導体スイッチング素子の製造技術の進歩や、炭化ケイ素(SiC)等の新しい半導体を用いたスイッチング素子の開発により、半導体スイッチング素子のスイッチング速度は増大してきている。半導体スイッチング素子が高速動作可能となることで、コンバータ回路を構成するリアクトルの小型化、しいては電力変換装置自体の小型化や、コンバータの動作制御の高速処理が実現するなどのメリットがある。この為、半導体スイッチング素子の高周波スイッチング動作は今後も追及されていくと思われる。
 しかしながら、半導体スイッチング素子の高周波スイッチング動作時には、スイッチング素子のゲート駆動回路において電磁ノイズが発生し、この電磁ノイズ(電磁ノイズAと記す)が半導体スイッチング素子のゲート電圧に印加されることになる。
 また、コンバータ回路の出力側に直流負荷としてインバータ回路及びインバータ回路により駆動されるモータを接続した場合、インバータ回路を構成する半導体スイッチング素子のスイッチング動作に起因した電磁ノイズが発生する。このインバータ回路で発生した電磁ノイズは、基板上の銅箔パターン(例えば、コンバータ回路とインバータ回路間の配線パターン)の配線インピーダンス(特にインダクタンス成分)によって増幅され、この増幅後の電磁ノイズ(電磁ノイズBと記す)はコンバータ回路を構成する半導体スイッチング素子のエミッタ電圧に印加される。
 これら2つの電磁ノイズ(電磁ノイズAと電磁ノイズB)は全く独立に発生するものである為、ノイズ電圧間に電圧振幅や位相に相関は見られない。この為、スイッチング素子のゲート―エミッタ間電圧が不規則に変動し、スイッチング素子の誤動作を引き起こす。例えば、制御回路(マイコン等)からの指示によりコンバータ回路のスイッチング素子をオフ状態に維持しているときでも、電磁ノイズの影響でゲート―エミッタ間電圧がゲート・エミッタ間閾値電圧(以下ゲート閾値電圧という)より大きくなってしまい、スイッチング素子がターンオンしてしまう現象が発生しうる。このような現象を放置すると、コンバータ回路の誤動作につながる可能性が増大する。
 このような電磁ノイズによるコンバータ回路の誤動作を防ぐための手段として、高周波スイッチングを行う半導体スイッチング素子ならびに駆動回路と制御回路とを接続する信号経路のそれぞれにフォトカプラ等のアイソレーション回路を介在させることで、アクティブコンバータの半導体スイッチング素子ならびに駆動回路の電源と、その他の制御回路等の電源とを絶縁させるようにしたものがある(例えば、特許文献1参照)。
特開平8-168255
 特許文献1記載の電力変換装置のように、信号経路毎にフォトカプラ等のアイソレーション回路を備えることで、コンバータ回路の半導体スイッチング素子ならびに駆動回路の電源と、その他の制御回路等の電源とを絶縁させる構成は、高周波スイッチングを行う半導体スイッチング素子ならびに駆動回路における電磁ノイズの影響を低減させる点において効果があるものの、多数のアイソレーション回路が必要になることから使用する部品点数の増加や基板面積の増大を招き、基板に対するコスト、しいては電力変換装置の製造コストを増加させてしまう。また、電力変換装置の物理的なサイズを増加させてしまい、電力変換装置の実使用時における設置の制約となってしまう。
 この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、部品点数の増加や基板面積の増大を抑制しつつ、装置内で発生する電磁ノイズによる誤動作を低減させることができる電力変換装置を得ることである。
 本発明の電力変換装置は、交流電圧を整流する整流回路と、前記整流回路の出力側に接続されたコンバータ主回路と、前記コンバータ主回路が出力する直流電圧を平滑する平滑コンデンサと、前記コンバータ主回路の動作を制御する制御部と、を備え、前記コンバータ主回路は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子をオン・オフ駆動するゲート駆動回路と、前記スイッチング素子と前記平滑コンデンサ間に接続された逆流防止用ダイオードと、前記スイッチング素子用のオン・オフ動作信号を前記ゲート駆動回路に伝達するフォトカップラとを有し、前記制御部は、前記オン・オフ動作信号を前記フォトカップラに出力することを特徴とするものである。
 本発明の電力変換装置は、このように構成したことにより、電磁ノイズの影響による誤動作を低減できるとともに、絶縁電源やノイズ対策部品等のコストを削減でき、さらに基板面積を縮小することができるので、電力変換装置の小型化も実現することができる。
実施の形態1における電力変換装置の構成を示す図 従来の電力変換装置の構成を示す図 従来の電力変換装置における回路動作を説明する図 実施の形態1における電力変換装置における回路動作を説明する図 実施の形態2における電力変換装置の構成を示す図
 実施の形態1.
 実施の形態1における電力変換装置について、図に基づいて構成及び動作を説明する。図1に本実施の形態の電力変換装置の構成を示す。この電力変換装置は、単相交流電圧源1と、交流電圧を整流する整流回路2と、整流回路2の出力側に接続されコンバータ動作を行うコンバータ主回路3と、コンバータ主回路3が出力する直流電圧を平滑する為の平滑コンデンサ4と、コンバータ主回路3の動作を制御する制御部5と、平滑コンデンサ4の後段に接続され、平滑コンデンサ4で得られた直流電力を任意の周波数の交流電力に変換するインバータ主回路6と、インバータ主回路6により回転駆動されるモータ7から構成される。なお、インバータ主回路6及びモータ7はコンバータ主回路3の直流負荷に対応する。また、制御部5はインバータ主回路6の動作も制御する。
 コンバータ主回路3は、整流回路2の出力側正極端子に一端が接続されたリアクトル8と、リアクトル8の他端と整流回路2の出力側負極端子間に接続された半導体スイッチング素子9(以下では、単にスイッチング素子9と記す)と、スイッチング素子9のゲート端子に接続され、スイッチング素子9をオン・オフ駆動するゲート駆動回路10と、制御部5が出力するスイッチング素子9用のオン・オフ動作信号をゲート駆動回路10に伝達するフォトカップラ11と、スイッチング素子9と平滑コンデンサ4間に接続された逆流防止用ダイオード12とから構成されている。
 整流回路2はダイオードブリッジで構成した全波整流回路で構成することができる。スイッチング素子9は例えば、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ:Insulated Gate Bipolar Transistor)である。なお、単相交流電圧源1の代わりに3相交流電圧源を用いてもよい。その場合には整流回路2は3相交流に対応した全波整流回路を用いればよい。スイッチング素子9のコレクタはリアクトル8に接続され、スイッチング素子9のエミッタは整流回路2の出力側負極端子に接続される。逆流防止用ダイオード12はアノードがスイッチング素子9のコレクタに接続され、カソードが平滑コンデンサ4の正極端子に接続されている。平滑コンデンサ4としては電解コンデンサが好適である。モータ7には例えばブラシレスDCモータが適用される。インバータ主回路6には複数個の半導体スイッチング素子が含まれており、制御部5が生成するオン・オフ動作信号を用いてインバータ主回路6内のスイッチング素子をオン・オフ駆動することにより、モータ7を回転駆動する。インバータ主回路6はIPM(Intelligent Power Module)で構成してもよい。また、インバータ主回路6の制御を制御部5で行う代わりに、図示しないインバータ制御用マイコンを用いてインバータ主回路6の動作を制御するようにしてもよい。
 次に、電力変換装置内の配線インピーダンス、及びグランド(GND又は接地)接続について説明する。電力変換装置内の各回路間を接続する配線パターンには配線インピーダンスが存在する。配線パターンには通常は銅箔が用いられるがこれに限るものではない。配線パターンの配線長は基板上の部品配置により変わってくるが、コンバータ主回路3とインバータ主回路6間の配線は特に配線長が長くなりやすく、この配線での配線インピーダンスのインダクタンス成分が回路動作に影響を与えやすい。この為、図1ではこの配線インピーダンスとして、配線インピーダンス13を示している。
 コンバータ主回路3とインバータ主回路6間の配線には、コンバータ主回路3及びインバータ主回路6内のスイッチング素子のオン・オフ動作に連動した電流が流れる為、配線インダクタンス13には電位VLが発生する。この為、コンバータ主回路3の基準グランドとインバータ主回路6の基準グランドは電気接続図上では同電位であり、また絶縁されているわけではないものの、実際には配線インダクタンス13に生じた電位VLにより、2つの基準グランド間には回路動作上無視できない電位差VLが生じ、2つの基準グランドの電位は異なる値をとりうることになる。この為、以下の説明ではインバータ主回路6に接続される基準グランドをグランドA(GND―A)、コンバータ主回路3に接続される基準グランドをグランドB(GND―B)と区分けして表記することにする。
 この基準グランドの区分けに従えば、コンバータ主回路3内のスイッチング素子9、ゲート駆動回路10、及びフォトカップラ11の出力回路の基準グランドはグランドB(GND―B)となる。なお、制御部5はフォトカップラを介することなく直接インバータ主回路6に制御信号を出力するようにしている為、制御部5に接続される基準グランドはインバータ主回路6の基準グランドと同じグランドAとすることが必要である。以上を纏めると、制御部5及びインバータ主回路6はグランドAを基準グランドにして動作し、一方、コンバータ主回路3はグランドBを基準グランドにして動作する。コンバータ主回路3内のゲート駆動回路10と制御部5は異なる基準グランドで動作させることになるが、制御部5が出力するオン・オフ動作信号はフォトカップラ11を介してゲート駆動回路10に出力するようにしているので、基準グランドが異なっていても信号の送受は正しく行われる。
 次に、電力変換装置の動作についてコンバータ主回路3を中心に説明する。制御部5は、コンバータ主回路3が出力すべき目標電圧値や、図示していない電圧検出回路により検出した平滑コンデンサ4の端子間電圧値に基づいて、コンバータ主回路3内のスイッチング素子9用のオン・オフ動作信号を生成し、フォトカップラ11に出力する。目標電圧値は予め制御部5の内部の記憶部(図示していない)に記憶させるようにしてもよいし、電力変換装置の外部から制御部5に設定できるようにしてもよい。
 オン・オフ動作信号はフォトカップラ11を経由してゲート駆動回路10に伝達される。ゲート駆動回路10は、オン・オフ動作信号に基づいてスイッチング素子9のゲート端子を駆動する。具体的には、ゲート駆動回路10は、オン・オフ動作信号がオン状態の時にはスイッチング素子9をオンさせる電圧をゲート端子に出力し、オン・オフ動作信号がオフ状態の時にはスイッチング素子9をオフさせる電圧をゲート端子に出力する。これにより、スイッチング素子9はオン状態やオフ状態となることができる。
 スイッチング素子9がオン状態になると、リアクトル8の一端はグランドBに短絡し、リアクトル8には整流回路2から出力される電力が電磁エネルギーとして蓄積される。リアクトル8に蓄積された電磁エネルギーはスイッチング素子9がオフ状態になると逆流防止用ダイオード12を通じて平滑コンデンサ4に供給される。制御部5が出力するオン・オフ動作信号に対応してスイッチング素子9がオン・オフ動作を繰り返すことで、平滑コンデンサ4の端子間には昇圧した直流電圧が生成される。制御部5は平滑コンデンサ4の端子間電圧が目標電圧値になるようにオン・オフ動作信号を生成する。また、コンバータ主回路3はリアクトル8とスイッチング素子9の働きにより、整流後の電力信号における力率改善や高調波信号の抑制の効果も実現することができる。
 インバータ主回路6はインバータ主回路6内のスイッチング素子をオン・オフ動作させることで、平滑コンデンサ4の端子間に生じた直流電圧から3相交流電圧を生成してモータ7に供給し、モータ7を回転駆動させる。
 次に、前述した電力変換装置の動作における電磁ノイズの影響について説明する。本発明における電力変換装置の動作と対比する為に、最初に従来の電力変換装置の動作における配線インピーダンスの影響について説明する。図2は従来の電力変換装置の構成を示したものである。図2の電力変換装置の構成において図1に示した電力変換装置の構成に対応する部分には同一の符号を付している。従来の電力変換装置では、図1の電力変換装置に設けていたフォトカップラ11を削除し、制御部5が出力するオン・オフ動作信号をゲート駆動回路10に直接入力するようにしている。この為、制御部5とゲート駆動回路10で基準グランドを同一にしないと正しく信号の送受が行われないので、ゲート駆動回路10のグランドを制御部5のグランドと同一のグランドA(GND-A)としている。また、インバータ主回路6も制御部5が出力するインバータ制御用の制御信号を入力している為、インバータ主回路6の基準グランドも制御部5の基準グランドと同じグランドA(GND-A)にする必要がある。
 電力変換装置の基本動作は図1の電力変換装置の場合と同じであるので説明を省略し、電力変換装置の動作における配線インピーダンスの影響について図3の電圧波形図も参照して説明する。図3はスイッチング素子9のゲート端子の電圧(ゲート電圧VG:<A-1>)、インバータ主回路6の基準グランド電位(GND-A:<A-2>)、コンバータ主回路3の基準グランド電位(GND―B:<A-3>)、スイッチング素子9のゲート―エミッタ間電圧(ゲート―エミッタ間電圧VGE;<A-4>)のそれぞれについて電圧波形を示したものである。
 スイッチング素子9のスイッチング動作時には、ゲート駆動回路10において電磁ノイズが発生し、この電磁ノイズ(電磁ノイズAと記す)がスイッチング素子9のゲート電圧に印加される。図3の<A-1>は制御部5が出力するオン・オフ動作信号がオフ状態の時に、スイッチング素子9のゲート電圧に電磁ノイズAが発生している様子を示したものである。
 またこれとは別にモータを駆動させるインバータ主回路6ではインバータ主回路6を構成するスイッチング素子のスイッチング動作に起因した電磁ノイズが発生する。図3の<A-2>は、インバータ主回路6の基準グランドであるグランドA(GND-A)にこの電磁ノイズが発生している様子を示したものである。この電磁ノイズは、基板上の配線パターンの配線インピーダンス(特にインダクタンス成分)によって増幅される。具体的には、配線インピーダンス13のインダクタンスをL、配線パターン上の電流をiとすると、L・di/dtで計算される誘導電圧によって増幅された電磁ノイズBが発生する。図3の<A-3>は、コンバータ回路とインバータ回路間の配線パターンの配線インピーダンス13によって増幅された電磁ノイズ(電磁ノイズBと記す)がコンバータ主回路3の基準グランド電位であるグランドB(GND―B)に発生している様子を示したものである。スイッチング素子9のエミッタはグランドBに接続されている為、スイッチング素子9のエミッタ電圧VEには電磁ノイズBが印加される。
 これら2つの電磁ノイズ(電磁ノイズAと電磁ノイズB)は全く独立に発生するものである為、2つの電磁ノイズ間には電圧振幅や位相に相関は見られない。この為、スイッチング素子9のゲート電圧VGとスイッチング素子9のエミッタ電圧VEには全く独立な電磁ノイズが印加されることになり、スイッチング素子9のゲート―エミッタ間電圧VGE(=ゲート電圧VG-エミッタ電圧VE)が電磁ノイズによって不規則に変動する。そして、制御部5が出力するオン・オフ動作信号がオフ状態でスイッチング素子9がオフ状態に維持されている場合であっても、電磁ノイズの影響でゲート―エミッタ間電圧VGEがゲート・エミッタ間閾値電圧(以下ゲート閾値電圧という)より大きくなってしまい、スイッチング素子が誤ってターンオンしてしまう現象が発生しうる。このような現象を放置すると、電力変換装置の誤動作につながる可能性が増大する。
 これに対して、本実施形態の電力変換装置は、電磁ノイズによる誤動作の可能性を低減するように構成したものであるので、以下に電力変換装置の動作における電磁ノイズの影響について図4の電圧波形図も参照して説明する。図4は図3の電圧波形図と同様に、制御部5が出力するオン・オフ動作信号がオフ状態時において、スイッチング素子9のゲート端子の電圧(ゲート電圧VG:<B-1>)、インバータ主回路6の基準グランド電位(GND-A:<B-2>)、コンバータ主回路3の基準グランド電位(GND―B:<B-3>)、スイッチング素子9のゲート―エミッタ間電圧(ゲート―エミッタ間電圧VGE;<B-4>)のそれぞれについて電圧波形を示したものである。
 インバータ主回路6を構成するスイッチング素子のスイッチング動作に起因した電磁ノイズが発生し、図4の<B-2>に示すような電磁ノイズがインバータ主回路6の基準グランドであるグランドA(GND-A)に発生する。この電磁ノイズは、コンバータ回路とインバータ回路間の配線パターンの配線インピーダンス13によって増幅され、この増幅後の電磁ノイズ(電磁ノイズBと記す)が<B-3>に示すようにコンバータ主回路3の基準グランド電位であるグランドB(GND―B)に発生する。スイッチング素子9のエミッタはグランドBに接続されている為、スイッチング素子9のエミッタ電圧VEには電磁ノイズBが印加される。
 スイッチング素子9のスイッチング動作時には、ゲート駆動回路10において電磁ノイズが発生し、この電磁ノイズ(電磁ノイズAと記す)がスイッチング素子9のゲート電圧に印加される。しかしながら、本実施形態の電力変換装置ではゲート駆動回路10の基準グランドとスイッチング素子9の基準グランドはいずれも同じグランドB(GND-B)に取っているので、電磁ノイズAと電磁ノイズBはいずれも同一の基準グランド(GND-B)に対して印加されることになり、<B-1>に示すように電磁ノイズAと電磁ノイズBは合成されて同一若しくはほぼ同一の電圧波形となる。この為、<B-4>に示すようにスイッチング素子9のゲート―エミッタ間電圧VGE(=ゲート電圧VG-エミッタ電圧VE)には電磁ノイズが全く印加されないか、印加されたとしても極めて小さな電圧しか印加されないようにできる。従って、インバータ主回路6で発生し配線インピーダンス13によって増幅された電磁ノイズが発生したとしても、この電磁ノイズの影響を受けことなくスイッチング素子9を正常に動作させることができる。
 以上説明したように、本実施の形態の電力変換装置では、制御部5の基準グランド(GND-A)とコンバータ主回路3の基準グランド(GND-B)を絶縁することなく、また制御部5が出力するオン・オフ動作信号をゲート駆動回路10に伝達する経路にフォトカップラ11を挿入することで制御部5とコンバータ主回路3間の信号送受において基準グランドを分離するようにしたことで、インバータ主回路6等で発生した電磁ノイズがスイッチング素子9に重畳する影響を低減しスイッチング素子9の正常動作を実現することができる。これにより、電力変換装置において電磁ノイズによる誤動作を低減できるとともに、絶縁電源やノイズ対策部品等のコストを削減でき、さらに基板面積を縮小することができるので、電力変換装置の小型化も実現することができる。
 なお、以上の説明では、フォトカップラ11を用いて、制御部5とコンバータ主回路3間でオン・オフ動作信号を伝達するようにしたが、フォトカップラ11と同様に異なる基準グランド間での信号伝達を可能にするその他の回路素子を使用しても同様な効果を得ることができる。また、コンバータ主回路3からの直流電力が与えられる直流負荷としてインバータ主回路6とモータ7で説明したが、それ以外の負荷装置を接続した構成も同様に可能である。
 また、電力変換装置においてさらなる高周波スイッチング動作を実現する為に、コンバータ主回路3やインバータ主回路6内の回路素子(スイッチング素子やダイオード等)にSiC(炭化珪素)、GaN(窒化ガリウム)、又はダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体によって形成された回路素子を用いることができる。ワイドバンドギャップ半導体で形成された回路素子を用いることでスイッチング周波数を増加させることが可能となり、これによりコンバータ動作やインバータ動作のさらなる高速処理が可能になるが、他方配線インピーダンスでの電磁ノイズの増加はさらに大きくなる。このようなワイドバンドギャップ半導体素子を用いた場合でも本実施の形態での電力変換装置は電磁ノイズの影響を低減できるという同様な効果を得ることができる。
 実施の形態2.
 実施の形態2における電力変換装置について、図に基づいて構成及び動作を説明する。実施の形態2における電力変換装置は実施の形態1での電力変換装置とはコンバータ主回路の構成が異なっているので、その点を中心に説明する。図5に本実施の形態の電力変換装置の構成を示す。図5において図1と同一若しくは対応する部分には同一の符号を付している。この電力変換装置は、単相交流電圧源1、整流回路2、平滑コンデンサ4、制御部5、インバータ主回路6、モータ7を備えている点は実施の形態1での電力変換装置と同じであるので説明を省略し、コンバータ主回路14について以下に説明する。
 コンバータ主回路14は、整流回路2の出力側正極端子に一端が接続されたリアクトル15a,15bと、リアクトル15a,15bの他端と整流回路2の出力側負極端子間にそれぞれ接続された半導体スイッチング素子16a,16b(以下では、単にスイッチング素子16a,16bと記す)と、スイッチング素子16a,16bのゲート端子にそれぞれ接続され、スイッチング素子16a,16bをそれぞれオン・オフ駆動するゲート駆動回路17a,17bと、制御部5が出力する2つのオン・オフ動作信号をゲート駆動回路17a,17bにそれぞれ伝達するフォトカップラ18a,18bと、スイッチング素子16a,16bと平滑コンデンサ4間にそれぞれ接続された逆流防止用ダイオード19a,19bとから構成されている。
 次に、電力変換装置内の配線インピーダンス、及びグランド(GND又は接地)接続について説明する。コンバータ主回路14とインバータ主回路6間の配線には、コンバータ主回路14及びインバータ主回路6内のスイッチング素子のオン・オフ動作に連動した電流が流れる為、配線インピーダンス13に電位VLが発生する点は、実施の形態1の場合と同じである。この為、インバータ主回路6に接続される基準グランドであるグランドA(GND―A)の電位とコンバータ主回路14に接続される基準グランドであるグランドB(GND―B)の電位は異なる値をとりうることになる。なお、コンバータ主回路14内のスイッチング素子16a,16b、ゲート駆動回路17a,17b、及びフォトカップラ18a,18bの出力回路の基準グランドはいずれもグランドB(GND―B)である。
 一方、制御部5はフォトカップラを介することなく直接インバータ主回路6に制御信号を出力するようにしている為、制御部5に接続される基準グランドはインバータ主回路6の基準グランドと同じグランドAである。このように、制御部5及びインバータ主回路6はグランドAを基準グランドにして動作し、一方、コンバータ主回路14はグランドBを基準グランドにして動作する。コンバータ主回路14内のゲート駆動回路17a,17bと制御部5は異なる基準グランドで動作させることになるが、制御部5が出力するオン・オフ動作信号はフォトカップラ18a,18bを介してゲート駆動回路17a,17bに出力するようにしているので、基準グランドが異なっていても信号の送受は正しく行われる。
 次に、電力変換装置の動作についてコンバータ主回路14を中心に説明する。制御部5は、コンバータ主回路14が出力すべき目標電圧値や、図示していない電圧検出回路により検出した平滑コンデンサ4の端子間電圧値に基づいて、コンバータ主回路14内のスイッチング素子16a用のオン・オフ動作信号とスイッチング素子16b用のオン・オフ動作信号を生成し、フォトカップラ18a,18bにそれぞれ出力する。
 スイッチング素子16a用のオン・オフ動作信号はフォトカップラ18aを経由してゲート駆動回路17aに伝達される。ゲート駆動回路17aは、オン・オフ動作信号に基づいてスイッチング素子16aのゲート端子を駆動する。一方、スイッチング素子16b用のオン・オフ動作信号はフォトカップラ18bを経由してゲート駆動回路17bに伝達される。ゲート駆動回路17bは、オン・オフ動作信号に基づいてスイッチング素子16aのゲート端子を駆動する。これにより、スイッチング素子16a,16bはオン状態やオフ状態となることができる。このようにして、一例としてスイッチング素子16aとスイッチング素子16bが交互にオン状態になるように制御することでコンバータ動作を行わせることが可能であるし、スイッチング素子16a,16bのその他のオン・オフ状態の組み合わせを実現することでもコンバータ動作を行わせることもできる。
 次に、電力変換装置の動作における電磁ノイズの影響について説明する。コンバータ主回路14内のスイッチング素子16a,16b、ゲート駆動回路17a,17b、及びフォトカップラ18a,18bの出力回路の基準グランドはいずれも同一のグランドB(GND―B)である。この為、インバータ主回路6で発生した電磁ノイズが配線パターンを伝搬して増幅され、スイッチング素子16a,16bのエミッタに印加された電磁ノイズ(電磁ノイズAと記す)と、ゲート駆動回路17a,17bで発生しスイッチング素子16a,16bに印加される電磁ノイズ(電磁ノイズBと記す)は、いずれも同一の基準グランド(GND-B)に対して印加されることになり、電磁ノイズAと電磁ノイズBは合成されて同一若しくはほぼ同一の電圧波形となる。この為、スイッチング素子16a,16bのゲート―エミッタ間電圧VGE(=ゲート電圧VG-エミッタ電圧VE)には電磁ノイズが全く印加されないか、印加されたとしても極めて小さな電圧しか印加されないようにできる。従って、インバータ主回路6で発生し配線インピーダンス13によって増幅された電磁ノイズが発生したとしても、この電磁ノイズの影響を受けことなくスイッチング素子16a,16bを正常に動作させることができる。
 なお、実施の形態1~2で説明した電力変換装置は、家電機器及び産業用機器に適用することができる。例えば空気調和機、圧縮機、凝縮器、膨張器、及び蒸発器が冷媒配管によって接続された冷凍サイクル回路を備えた冷凍サイクル装置、及び冷凍サイクル装置を搭載した冷蔵庫、冷凍庫、ヒートポンプ式給湯機、ショーケース等の家電機器、産業用機器に適用可能である。
1 交流電圧源、2 整流回路、3 コンバータ主回路、4 平滑コンデンサ、5 制御部、6 インバータ主回路、7 モータ、8 リアクトル、9 スイッチング素子、10 ゲート駆動回路、11 フォトカップラ、12 逆流防止用ダイオード、13 配線インピーダンス、14 コンバータ主回路、15a,15b リアクトル、16a,16b スイッチング素子、17a,17b ゲート駆動回路、18a,18b フォトカップラ、19a,19b 逆流防止用ダイオード

Claims (7)

  1.  交流電圧を整流する整流回路と、
     前記整流回路の出力側に接続されたコンバータ主回路と、
     前記コンバータ主回路が出力する直流電圧を平滑する平滑コンデンサと、
     前記コンバータ主回路の動作を制御する制御部と、を備え、
     前記コンバータ主回路は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子をオン・オフ駆動するゲート駆動回路と、前記スイッチング素子と前記平滑コンデンサ間に接続された逆流防止用ダイオードと、前記スイッチング素子用のオン・オフ動作信号を前記ゲート駆動回路に伝達するフォトカップラとを有し、
     前記制御部は、前記オン・オフ動作信号を前記フォトカップラに出力することを特徴とする電力変換装置。
  2.  前記コンバータ主回路は、複数個のスイッチング素子と、前記スイッチング素子をオン・オフ駆動する複数個のゲート駆動回路と、前記スイッチング素子と前記平滑コンデンサ間に接続された複数個の逆流防止用ダイオードと、前記スイッチング素子用のオン・オフ動作信号を前記ゲート駆動回路に伝達する複数個のフォトカップラとを有することを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
  3.  前記スイッチング素子はワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項1~2のいずれか一つに記載の電力変換装置。
  4.  前記逆流防止用ダイオードはワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項1~2のいずれか一つに記載の電力変換装置。
  5.  前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)又はダイヤモンドであることを特徴とする請求項3又は4に記載の電力変換装置。
  6.  請求項1~5のいずれか一つに記載の電力変換装置と、圧縮機、凝縮器、膨張器、及び蒸発器が冷媒配管によって接続された冷凍サイクル回路とを備えたことを特徴とする冷凍サイクル装置。
  7.  請求項6に記載の冷凍サイクル装置を備えたことを特徴とする空気調和機。
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