JP2011087260A - 負荷制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第3電源部16は、整流部12からの出力電圧の0V(ゼロクロス点)を検出するためのゼロクロス検出部16aと、バッファコンデンサ14aの端子電圧を検出する電圧検出部16bと、サイリスタ素子16cとMOSFET素子16dの直列回路を有し、制御部13は、ゼロクロス点が検出されたときに、サイリスタ素子16cに対してトリガ信号を出力すると共に、MOSFET素子16dを導通させ、バッファコンデンサ14aの端子電圧が所定の閾値に達したことを検出したときに、MOSFET素子16dを非導通にさせる。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態に係る負荷制御装置について、図1及び図2を参照しつつ説明する。図1は、第1実施形態に係る負荷制御装置1Aの構成を示す回路図であり、図2は、そのバッファコンデンサの充電時の端子電圧間を示す波形図である。第1実施形態は、上記従来例と同様に、主開閉部の主スイッチ素子としてトライアックを用いた例を示す。なお、負荷3としては、照明装置や換気扇などのモータを使用した機器が考えられるが、これらに限定されるものではない。
次に、本発明の第2実施形態に係る負荷制御装置について、図3乃至図7を参照しつつ説明する。第2実施形態に係る負荷制御装置1Bにおいて使用される主スイッチ素子は、耐電圧部を1箇所とする横型のデュアルゲートトランジスタ構造の素子である点で、上記従来のトライアックとは異なる。図3は、第2実施形態に係る負荷制御装置1Bの構成を示す回路図であり、図4は、第2実施形態に係る負荷制御装置の動作における各部の電流及び制御信号の波形を示すタイムチャートである。図5(a)は、第2実施形態において、主開閉部11の主スイッチ素子11bとして用いる耐電圧部を1カ所とする横型のデュアルゲートトランジスタ構造の主スイッチ素子の回路図を示し、図5(b)は参考例として2つのMOSFET型トランジスタ素子を逆方向接続した場合の回路図を示す。図6は、横型のデュアルゲートトランジスタ構造の主スイッチ素子の平面図、図7は図6におけるA−A縦断面図である。
次に、本発明の第3実施形態に係る負荷制御装置について、図15乃至図17を参照しつつ説明する。第3実施形態に係る負荷制御装置1Cにおいて使用される主スイッチ素子は、耐電圧部を2箇所とする横型のシングルゲートトランジスタ構造の素子である点で、上記従来のトライアックやデュアルゲートトランジスタ構造とは異なる。図15は、第3実施形態に係る負荷制御装置1Cの構成を示す回路図である。図16は、横型のシングルゲートトランジスタ構造の主スイッチ素子の平面図、図17は図16におけるB−B縦断面図である。
次に、本発明の第4実施形態に係る負荷制御装置について、図18を参照しつつ説明する。図18は、第4実施形態に係る負荷制御装置1Dの構成を示す回路図であり、図1に示す第1実施形態に係る負荷制御装置1Aとは、第3電源部16の構成が異なる。
2:電源
3:負荷
4:操作スイッチ
10:駆動回路
11:主開閉部
11a,11b,11c:主スイッチ素子
12:整流部
13:制御部
13a:昇圧回路
14:第1電源部
14a:バッファコンデンサ
15:第2電源部
16:第3電源部
16a:ゼロクロス検出部
16b:電圧検出部
16c,16e:サイリスタ素子
16d:MOSFET素子(電源スイッチ素子)
16f,16g:トランジスタ素子(電源スイッチ素子)
17:補助開閉部
17a:サイリスタ素子(補助スイッチ素子)
19:第1パルス出力部
20:主制御部
21:第2パルス出力部
22:電流検出部
Claims (9)
- 商用電源と負荷の間に直列に接続される2線式の負荷制御装置であって、
商用電源及び負荷に対し直列に接続された主スイッチ素子を有し、負荷に対して電力の供給を制御する主開閉部と、
ユーザによって操作され、少なくとも負荷を起動するための起動信号を出力する操作スイッチと、
前記操作スイッチに接続され、前記操作スイッチから送信される信号に応じて、前記主開閉部の開閉を制御する制御部と、
前記主開閉部の両端から整流部を介して電力供給され、前記制御部に安定した電圧を供給する第1電源部と、
前記主開閉部の両端から整流部を介して電力供給され、負荷への電力供給を停止しているときに、前記第1電源部への電力を供給する第2電源部と、
前記主開閉部が閉状態で、負荷への電力供給を行っているときに、前記第1電源部への電力を供給する第3電源部と、
前記第2電源部及び前記第3電源部と並列に設けられ、前記第2電源部及び前記第3電源部のいずれもが前記第1電源部への電力を供給していないときに、前記第1電源部への電力を供給するためのバッファコンデンサを備え、
前記第3電源部は、少なくとも前記第3電源部の出力電圧又は前記バッファコンデンサの端子電圧を検出する電圧検出部と、前記整流部の出力端子と前記バッファコンデンサの端子との間に設けられたサイリスタ素子を有し、
前記制御部は、前記電圧検出部が前記第3電源部の出力電圧又は前記バッファコンデンサの端子電圧が所定の閾値に達したことを検出したときに、前記主スイッチ素子を導通させることを特徴とする負荷制御装置。 - 前記主スイッチ素子は自己消弧型のスイッチ素子であり、前記制御部は前記サイリスタ素子のゲートにトリガ信号を出力し、前記主スイッチ素子が非導通になると同時に前記第3電源部を導通させることを特徴とする請求項1に記載の負荷制御装置。
- 前記主スイッチ素子はトランジスタ構造を有する双方向素子であり、
前記整流部からの出力電圧の0V(ゼロクロス点)を検出するためのゼロクロス検出部をさらに備え、
前記制御部は、前記ゼロクロス検出部がゼロクロス点を検出したときに、前記主スイッチ素子が非導通にすると共に、前記サイリスタ素子のゲートに対してトリガ信号を出力して前記第3電源部を導通させることを特徴とする請求項1に記載の負荷制御装置。 - 前記サイリスタ素子と前記バッファコンデンサの端子との間にさらに電源スイッチ素子を設け、
前記制御部は、前記バッファコンデンサに充電された電力を電源として前記トリガ信号を発生させると共に、前記電圧検出部が前記第3電源部の出力電圧又は前記バッファコンデンサの端子電圧が所定の閾値に達したことを検出したときに、前記電源スイッチ素子を非導通にさせることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の負荷制御装置。 - 前記整流部の出力端子と前記サイリスタ素子のゲートとの間に設けられた電源スイッチ素子をさらに備え、
前記制御部は、前記電源スイッチ素子を導通させることにより、前記整流部の出力を電源として前記サイリスタ素子へのトリガ信号を発生させることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の負荷制御装置。 - 前記制御部は、前記電圧検出部が前記第3電源部の出力電圧又は前記バッファコンデンサの端子電圧が所定の閾値に達したことを検出したときに、第1パルス幅を有する第1パルス信号を出力して前記主スイッチ素子を前記第1所定時間だけ導通させることを特徴とする請求項3に記載の負荷制御装置。
- サイリスタ素子構造の補助スイッチ素子を有し、前記制御部は、前記主スイッチ素子が非導通になるとほぼ同時に、パルス状の第2パルス信号を出力して前記補助スイッチ素子を導通させ、それによって負荷に対して電力の供給を行うことを特徴とする請求項6に記載の負荷制御装置。
- 前記トランジスタ構造を有する素子は、GaN層と、その上に形成されたAlGaN層と、前記GaN層に達するように形成された1組のドレイン電極と、前記AlGaN層の上で、且つ、前記1組のドレイン電極の間に形成された1組のゲート電極を備えた横型のデュアルゲートトランジスタ構造を有し、前記ゲート電極に電圧が印加されることによって、一方のドレイン電極から他方のドレイン電極に向かってAlGaN/GaNヘテロ界面に電流が流れることを特徴とする請求項3、請求項6又は請求項7に記載の負荷制御装置。
- 前記トランジスタ構造を有する素子は、GaN層と、その上に形成されたAlGaN層と、前記GaN層に達するように形成された1組のドレイン電極と、前記AlGaN層の上で、且つ、前記1組のドレイン電極の間の中間電位に形成された1つのゲート電極を備えた横型のシングルゲートトランジスタ構造を有し、前記ゲート電極に電圧が印加されることによって、一方のドレイン電極から他方のドレイン電極に向かってAlGaN/GaNヘテロ界面に電流が流れることを特徴とする請求項3、請求項6又は請求項7に記載の負荷制御装置。
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