WO2018012294A1

WO2018012294A1 - 導波管フィルタ回路、導波管フィルタ用実装基板および導波管フィルタ

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Publication number: WO2018012294A1
Application number: PCT/JP2017/023828
Authority: WO
Inventors: 尾仲　健吾; 克人黒田; 多田　斉; 実松平
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2016-07-13
Filing date: 2017-06-28
Publication date: 2018-01-18
Anticipated expiration: 2019-01-13

Abstract

導波管フィルタ（２）が実装基板（３）に実装された導波管フィルタ回路（１）であって、導波管フィルタ（２）は、実装面（２ａ）に形成された入出力電極（２２）と、実装面（２ａ）に形成されたグランド電極（２３）とを備え、実装基板（３）は、入出力パターン（３２）と、グランドパターン（３３）とを備える。入出力パターン（３２）と入出力電極（２２）とは、第１はんだ部（Ｓ１）を介して接続されている。入出力パターン（３２）とグランドパターン（３３）との間、および、入出力電極（２２）とグランド電極（２３）との間のうち少なくとも一方には、ダム部（Ｄ１）が設けられている。

Description

導波管フィルタ回路、導波管フィルタ用実装基板および導波管フィルタ

　本発明は、導波管フィルタが実装された実装基板を備える導波管フィルタ回路、導波管フィルタ用実装基板、および、導波管フィルタに関する。

　従来、ＴＥ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）モードの導波管共振器を複数結合して、所望の周波数特性を得る導波管フィルタが知られている。

　特許文献１には、複数の誘電体共振器を有する導波管フィルタと、この導波管フィルタを実装する実装基板とを備える導波管フィルタ回路が開示されている。導波管フィルタは、実装基板側の主面である実装面に形成された一対の入出力電極と、実装面に形成されたグランド電極とを備えている。実装基板は、導波管フィルタの入出力電極に対応する形状を有する一対の入出力パターンと、グランドパターンとを備えている。

特開２００３－１１０３０７号公報

　しかしながら、特許文献１に記載された導波管フィルタでは、はんだを用いて導波管フィルタを実装基板に実装した際に、はんだが、入出力電極をつたってグランド電極およびグランドパターンへ流れ込む場合がある。はんだの流れ込み量が多くなると、入出力電極と入出力パターンとの間のはんだ量が不足し、導波管フィルタ回路の特性が劣化するという問題が起こり得る。

　本発明は、上記問題を解決するものであり、導波管フィルタの入出力電極と実装基板の入出力パターンとの間のはんだ量不足を抑制し、導波管フィルタ回路の特性劣化を抑制することを目的とする。

　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る導波管フィルタ回路は、導波管フィルタと、前記導波管フィルタが実装された実装基板とを備える導波管フィルタ回路であって、前記導波管フィルタは、前記実装基板側の主面である実装面に形成された入出力電極と、前記実装面に形成されたグランド電極と、を備え、前記実装基板は、前記入出力電極に対応する形状を有する入出力パターンと、グランドパターンと、を備え、前記入出力パターンと前記入出力電極とは、はんだ材料を含む第１はんだ部を介して接続され、前記入出力パターンと前記グランドパターンとの間、および、前記入出力電極と前記グランド電極との間のうち少なくとも一方には、ダム部が設けられている。

　このように、ダム部が、入出力パターンとグランドパターンとの間、および、入出力電極とグランド電極との間のうち少なくとも一方に設けられているので、第１はんだ部のはんだ材料が、グランドパターン側へ流れ込むことを抑制することができる。これにより、入出力電極と入出力パターンとの間のはんだ量不足を抑制し、導波管フィルタ回路の特性劣化を抑制することができる。

　また、前記ダム部は、前記第１はんだ部よりも、前記入出力パターン側から前記グランドパターン側へ向かう方角に位置し、前記第１はんだ部に接していてもよい。

　このように、ダム部が、第１はんだ部よりも、入出力パターンからグランドパターン側へ向かう方角に位置し、第１はんだ部に接しているので、第１はんだ部のはんだ材料が、グランドパターン側へ流れ込むことを抑制することができる。これにより、入出力電極と入出力パターンとの間のはんだ量不足を抑制し、導波管フィルタ回路の特性劣化を抑制することができる。

　また、前記ダム部は、前記入出力パターンと前記グランドパターンとの間であって、前記入出力パターンおよび前記グランドパターンの信号伝送経路上に配置されていてもよい。

　これによれば、第１はんだ部のはんだ材料が、信号伝送経路上をつたってグランドパターン側へ流れ込むことを抑制することができる。これにより、入出力電極と入出力パターンとの間のはんだ量不足を抑制し、導波管フィルタ回路の特性劣化を抑制することができる。

　また、前記ダム部は、前記実装基板に形成されるレジストパターンの一部であってもよい。

　このようにダム部をレジストで形成することで、実装時のはんだ材料の流れ込みを抑制することができる。また、実装基板へのレジストパターン形成と同時にダム部を形成することが可能となり、生産効率の低下を抑制することができる。

　また、前記ダム部は、前記はんだ材料よりも融点が高くてもよい。

　これにより、例えば、はんだリフローを行って、はんだ材料を溶融させた場合であっても、ダム部の固化状態を維持することができ、はんだの流れ込みを抑制することができる。

　また、前記入出力パターンの幅よりも、信号伝搬方向において前記入出力パターンに接続する前記グランドパターンの幅のほうが大きくてもよい。

　このように、入出力パターンよりも幅が大きいダム部を用いることで、はんだ材料の流れ込みをさらに抑制することができる。

　また、前記入出力パターンまたは前記グランドパターンは、信号を、ＴＥＭモードからＴＥモードまたはＴＥモードからＴＥＭモードに変換するモード変換部を有し、前記ダム部は、前記モード変換部に設けられていてもよい。

　これによれば、モード変換部におけるはんだ量不足を抑制し、導波管フィルタ回路の特性劣化を抑制することができる。

　また、前記グランド電極は、前記グランドパターンに、はんだ材料を含む複数の第２はんだ部を介して接続されていてもよい。

　これによれば、導波管フィルタと実装基板との固着強度を向上することができる。

　また、前記複数の第２はんだ部のそれぞれは、前記導波管フィルタの側面の一部領域および前記実装面の一部領域の前記グランド電極に接続するフィレット部と、前記フィレット部よりも、前記導波管フィルタの前記実装面の内側に位置する領域の前記グランド電極に接続する内側底部とを有していてもよい。

　このように、第２はんだ部を、フィレット部および内側底部で構成することで、フィレット部における、実装面へのはんだの流れ込みを抑制しつつ、導波管フィルタを実装基板に固定することができる。また、内側底部をフィレット部と異なる箇所に設けることで、導波管フィルタと実装基板との固着強度をさらに向上させることができる。

　また、前記実装基板の前記グランドパターン上には、開口部を有するレジストパターンが形成され、前記開口部は、前記導波管フィルタが実装された前記実装基板を平面視した場合に、前記導波管フィルタの外縁と重なり、前記開口部には、前記第２はんだ部の前記フィレット部が形成されていてもよい。

　このように、開口部を有するレジストパターンを形成し、開口部にフィレット部を形成することで、フィレット部の水平方向の位置が固定されるので、はんだの流れ込みを抑制することができる。

　また、本発明の一態様に係る導波管フィルタ用実装基板は、入出力電極およびグランド電極を備える導波管フィルタを実装するための実装基板であって、前記導波管フィルタの前記入出力電極に対応する形状を有する入出力パターンと、グランドパターンと、前記入出力パターンと前記グランドパターンとの間であって、前記入出力パターンおよび前記グランドパターンの信号伝送経路上に配置されたダム部と、を備える。

　これによれば、導波管フィルタを、はんだを用いて実装基板に実装した場合に、はんだ材料が、グランドパターン側へ流れ込むことを抑制することができる。これにより、導波管フィルタの入出力電極と入出力パターンとの間のはんだ量不足を抑制することができ、導波管フィルタ回路の特性劣化を抑制することが可能となる。

　また、前記実装基板の前記入出力パターン上および前記グランドパターン上には、所定形状を有するレジストパターンが形成され、前記ダム部は、前記レジストパターンの一部であってもよい。

　このようにダム部をレジストで形成することで、実装時のはんだ材料の流れ込みを抑制することができる。また、実装基板のレジストパターンと同時にダム部を形成することができるので、生産効率の低下を抑制することができる。

　また、本発明の一態様に係る導波管フィルタは、実装面に形成された入出力電極と、前記実装面に形成されたグランド電極と、前記入出力電極と前記グランド電極との間であって、前記入出力電極および前記グランド電極の信号伝送経路上に配置されたダム部と、を備える。

　この構造により、導波管フィルタを、はんだを用いて実装基板に実装した場合に、はんだ材料が、グランド電極側へ流れ込むことを抑制することができる。これにより、入出力電極と実装基板の入出力パターンとの間のはんだ量不足を抑制することができ、導波管フィルタ回路の特性劣化を抑制することが可能となる。

　本発明によれば、導波管フィルタの入出力電極と実装基板の入出力パターンとの間のはんだ量不足を抑制し、導波管フィルタ回路の特性劣化を抑制することができる。

図１は、実施の形態１に係る導波管フィルタ回路を示す外観斜視図である。図２の（ａ）は実施の形態１に係る導波管フィルタを裏面から見た外観斜視図であり、図２の（ｂ）は実施の形態１に係る実装基板の外観斜視図である。図３は、実施の形態１に係る導波管フィルタの底面図である。図４は、実施の形態１に係る実装基板の平面図である。図５Ａは、実施の形態１に係る実装基板の平面図であって、基板本体に入出力パターンおよびグランドパターンが形成された状態を示す図である。図５Ｂは、実施の形態１に係る実装基板の平面図であって、基板本体に、入出力パターン、グランドパターンおよびレジストが形成された状態を示す図である。図５Ｃは、実施の形態１に係る実装基板の平面図であって、基板本体に、入出力パターン、グランドパターン、レジストおよびはんだが形成された状態を示す図である。図６は、実施の形態１に係る導波管フィルタ回路の一部の断面を模式的に示す図であって、図４のＶＩ－ＶＩ線の位置の断面を示す図である。図７Ａは、実施の形態１に係る実装基板の一部の断面を模式的に示す図である。図７Ｂは、図７Ａに示す実装基板に、導波管フィルタを搭載した直後の状態を示す図である。図８Ａは、実施の形態１の変形例１に係る実装基板の平面図である。図８Ｂは、実施の形態１の変形例２に係る実装基板の平面図である。図９は、実施の形態１の変形例３に係る実装基板の平面図である。図１０は、実施の形態２に係る導波管フィルタを裏面から見た斜視図である。図１１Ａは、実施の形態３に係る高周波フロントエンド回路およびその周辺回路を示す回路図である。図１１Ｂは、実施の形態３の変形例に係る高周波フロントエンド回路を示す回路図である。図１１Ｃは、実施の形態３の他の変形例に係る高周波フロントエンド回路を示す回路図である。図１２Ａは、実施の形態４に係るＭａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムを示す回路図である。図１２Ｂは、実施の形態４に係るＭａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムのアンテナ装置の平面図である。

　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ、または大きさの比は、必ずしも厳密ではない。

　（実施の形態１）
　［１．１　導波管フィルタ回路の概要］
　まず、導波管フィルタ回路の概要について説明する。

　図１は、実施の形態１に係る導波管フィルタ回路１を示す外観斜視図である。図２の（ａ）は、導波管フィルタを裏面（実装面）から見た外観斜視図であり、図２の（ｂ）は、実装基板の外観斜視図である。

　実施の形態１に係る導波管フィルタ回路１は、図１に示すように、導波管フィルタ２と、導波管フィルタ２が実装された実装基板３とにより構成される。導波管フィルタ２は、はんだ材料を含む複数のはんだ部を介して、実装基板３に固定されている。

　導波管フィルタ２は、図２の（ａ）に示すように、実装面２ａに形成された一対の入出力電極２２と、一対の入出力電極２２それぞれの一端（内側端部）２２ｂと接続するように、実装面２ａを含む外表面に形成されたグランド電極２３とを備えている。グランド電極２３は、入出力電極２２の信号の伝搬方向に配置され、入出力電極２２に接続されている。

　実装基板３は、図２の（ｂ）に示すように、導波管フィルタ２の一対の入出力電極２２に対向し、一対の入出力電極２２に対応する形状を有する一対の入出力パターン３２と、一対の入出力パターン３２それぞれの一端（内側端部）３２ｂと接続するグランドパターン３３とを備えている。グランドパターン３３は、入出力パターン３２の信号の伝搬方向に配置され、入出力パターン３２に接続されている。

　実装基板３の入出力パターン３２と導波管フィルタ２の入出力電極２２とは、はんだ材料を含む第１はんだ部Ｓ１を介して接続される。

　実装基板３の入出力パターン３２またはグランドパターン３３と、導波管フィルタ２の入出力電極２２またはグランド電極２３と、の間には、はんだ材料よりも融点が高いダム部Ｄ１が設けられている。ダム部Ｄ１は、第１はんだ部Ｓ１よりも、入出力パターン３２側からグランドパターン３３側へ向かう方角に位置しており、第１はんだ部Ｓ１に接している。

　実施の形態１に係る導波管フィルタ回路１では、ダム部Ｄ１が、入出力パターン３２とグランドパターン３３との間、および、入出力電極２２とグランド電極２３との間のうち少なくとも一方に設けられているので、第１はんだ部Ｓ１のはんだ材料が、グランドパターン３３側へ流れ込むことを抑制することができる。これにより、入出力電極２２と入出力パターン３２との間のはんだ量不足を抑制し、導波管フィルタ回路１の特性劣化を抑制することができる。

　［１．２　導波管フィルタ回路の各構成の説明］
　前述したように、導波管フィルタ回路１は、導波管フィルタ２と実装基板３とを備えている。

　まず、導波管フィルタ２について説明する。図３は、導波管フィルタ２の底面図である。

　導波管フィルタ２は、図１および図３に示すように、複数の共振器７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、７ｇ、７ｈを備えている。複数の共振器７ａ～７ｈは、図１に示す結合窓８を介して相互に結合されている。なお、本実施の形態における導波管フィルタ２は、４つの共振器７ａ～７ｄからなる第１共振部５と、４つの共振器７ｅ～７ｈからなる第２共振部６とにより構成されている。第１共振部５および第２共振部６は、対向する側面電極（グランド電極）が、導電性接合材によって互いに接合されている。

　導波管フィルタ２は、フィルタ本体２１と、一対の入出力電極２２と、グランド電極２３とを備えている。

　フィルタ本体２１は、水晶またはセラミックなどの誘電体材料を含む。一対の入出力電極２２およびグランド電極２３は、Ａｇを主成分とする導体材料を含む。

　一対の入出力電極２２は、導波管フィルタ２の実装面２ａ（実装時において実装基板３の第１主面３ａと対向する主面）に形成されている。一対の入出力電極２２は、幅が一定であり、長手方向の一部分で屈曲している。一対の入出力電極２２は、共振器７ａ、７ｈそれぞれの中心から見て、外側に位置する外側端部２２ａと、外側端部２２ａよりも内側に位置する内側端部２２ｂとを有している。外側端部２２ａは開放端であり、内側端部２２ｂはグランド電極２３に接続されている。

　以下、一対の入出力電極２２のうち、共振器７ａの入出力電極２２を代表例に挙げて説明する。なお、共振器７ｈの入出力電極２２も、共振器７ａの入出力電極２２と同様の構成を有している。

　共振器７ａの側面２ｂには、導体膜が形成されていない露出側面部２９が設けられている。入出力電極２２の外側端部２２ａは、露出側面部２９と実装面２ａとにより形成される稜線（下の角）、または、この稜線からわずかに内側に入った位置を起点としている。入出力電極２２は、外側端部２２ａからＸ方向（露出側面部２９と垂直な方向）に引き出され、途中で共振器７ａの中心方向に折れ曲がり、内側端部２２ｂまで延びるように形成されている。

　グランド電極２３は、実装面２ａ、側面２ｂ、天面２ｃからなる外表面のうちの、入出力電極２２以外の所定領域を覆うように形成されている。入出力電極２２とグランド電極２３との間には、導体膜が形成されずにフィルタ本体２１が露出している第１ギャップ部２５ａおよび第２ギャップ部２５ｂが設けられている。

　第１ギャップ部２５ａおよび第２ギャップ部２５ｂのそれぞれは、入出力電極２２の外側端部２２ａから内側端部２２ｂに沿って形成され、さらに、グランド電極２３の一部に切れ込むように形成されている。第１ギャップ部２５ａおよび第２ギャップ部２５ｂに挟まれたギャップ間のグランド電極２３ａは、長方形状であり、入出力電極２２よりも幅が広い。具体的には、ギャップ間のグランド電極２３ａは、長方形形状をした角部が入出力電極２２の内側端部２２ｂに接続され、角部から長方形形状の中心に向かって、幅が徐々に広がっている。

　ここで、第１ギャップ部２５ａおよび第２ギャップ部２５ｂに挟まれた領域に存在する入出力電極２２およびギャップ間のグランド電極２３ａを、モード変換部２６と呼ぶ。導波管フィルタ２では、このモード変換部２６にて、伝送信号がＴＥＭモードからＴＥモードまたはＴＥモードからＴＥＭモードに変換される。入出力電極２２のはんだ接合ばらつきを小さくすることで、モード変換部２６における信号変換が安定化し、導波管フィルタ回路１の特性劣化を抑制することができる。

　次に、実装基板３について説明する。図４は、実装基板３の平面図である。

　実装基板３は、図２の（ｂ）および図４に示すように、基板本体３１と、一対の入出力パターン３２と、グランドパターン３３と、第１はんだ部Ｓ１と、ダム部Ｄ１とを備えている。

　基板本体３１は、Ｑ値が高い有機材料を含む。基板本体３１は、有機材料に限られず、セラミック材料により形成されていてもよい。一対の入出力パターン３２、グランドパターン３３およびビア導体３８は、Ｃｕを主成分とする導体材料を含む。第１はんだ部Ｓ１は、Ｓｎなどを含むはんだ材料により形成されている。ダム部Ｄ１としては、例えばグリーンレジストのように、はんだ材料より融点が高い材料、また、はんだ材料に対する濡れ性が低い材料が用いられる。

　実装基板３は、コプレーナ構造を有し、第１主面３ａに形成された入出力パターン３２と、入出力パターン３２を囲むグランドパターン３３とにより構成される。また、実装基板３は、第１主面３ａと背向する第２主面（裏面）３ｂにもグランドパターン３７を有している。第１主面３ａのグランドパターン３３と第２主面３ｂのグランドパターン３７は、複数のビア導体３８により接続されている。

　図５Ａは、実装基板３の平面図であって、基板本体３１に入出力パターン３２およびグランドパターン３３が形成された状態を示す図である。

　一対の入出力パターン３２は、導波管フィルタ２の入出力電極２２に対応する形状を有している。すなわち、一対の入出力パターン３２は、幅が一定であり、長手方向の一部分で屈曲している。一対の入出力パターン３２は、導波管フィルタ２が実装される実装領域ＭＡの中心から見て外側に位置する外側端部３２ａと、外側端部３２ａよりも内側に位置する内側端部３２ｂとを有している。外側端部３２ａは外部機器と接続される伝送線路３９に繋がっており、内側端部３２ｂはグランドパターン３３に接続されている。入出力パターン３２の長さは、例えば、導波管フィルタ回路１の使用周波数において、０．１λ程度である。

　以下、一対の入出力パターン３２のうち、共振器７ａの入出力電極２２に対応する入出力パターン３２を代表例に挙げて説明する。なお、共振器７ｈの入出力電極２２に対応する入出力パターン３２も、同様の構成を有している。

　入出力パターン３２の外側端部３２ａは、伝送線路３９と交差する実装領域ＭＡの外縁部分ＭＡ１、または、この外縁部分ＭＡ１からわずかに内側に入った位置を起点としている。入出力パターン３２は、外側端部３２ａからＸ方向（伝送線路３９の長手方向と同じ方向）に引き出され、途中で実装領域ＭＡの内部に向けて折れ曲がり、内側端部３２ｂまで延びるように形成されている。

　グランドパターン３３は、第１主面３ａのうちの、入出力パターン３２以外の所定領域を覆うように形成されている。入出力パターン３２とグランドパターン３３との間には、導体パターンが形成されずに基板本体３１が露出している第１ギャップ部３５ａおよび第２ギャップ部３５ｂが設けられている。

　第１ギャップ部３５ａおよび第２ギャップ部３５ｂのそれぞれは、入出力パターン３２の外側端部３２ａから内側端部３２ｂに沿って形成され、さらに、グランドパターン３３の一部に切れ込むように形成されている。第１ギャップ部３５ａおよび第２ギャップ部３５ｂに挟まれたギャップ間のグランドパターン３３ａは、長方形状であり、入出力パターン３２よりも幅が広い。具体的には、ギャップ間のグランドパターン３３ａは、長方形形状をした角部が入出力パターン３２の内側端部３２ｂに接続され、角部から長方形形状の中心に向かって、幅が徐々に広がっている。ギャップ間のグランドパターン３３ａには、ビア導体３８が直接接続されておらず、ギャップ間以外の領域のグランドパターン３３にビア導体３８が接続されている。

　ここで、第１ギャップ部３５ａおよび第２ギャップ部３５ｂに挟まれた領域に存在する入出力パターン３２およびギャップ間のグランドパターン３３ａを、モード変換部３６と呼ぶ。実装基板３では、このモード変換部３６にて、伝送信号がＴＥＭモードからＴＥモードまたはＴＥモードからＴＥＭモードに変換される。入出力パターン３２のはんだ接合ばらつきを小さくすることで、モード変換部３６における信号変換が安定化し、導波管フィルタ回路１の特性劣化を抑制することができる。

　図５Ｂは、基板本体３１に、はんだを除く、入出力パターン３２、グランドパターン３３およびレジスト（４５°傾斜ハッチングで示す部分）が形成された状態を示す図である。図５Ｃは、図５Ｂに示す基板本体３１に、さらに、はんだ（－４５°傾斜ハッチングで示す部分）が形成された状態を示す図である。図６は、導波管フィルタ回路１の一部の断面を模式的に示す図であって、図４のＶＩ－ＶＩ線の位置の断面を示す図である。

　前述したように、本実施の形態に係る実装基板３は、第１はんだ部Ｓ１とダム部Ｄ１とを備えている。

　ダム部Ｄ１は、図６に示すように、高さ方向（Ｚ方向）において、実装基板３の入出力パターン３２またはグランドパターン３３と、導波管フィルタ２との間に設けられている。また、ダム部Ｄ１は、図５Ｂに示すように、水平方向（ＸＹ面に平行な方向）において、入出力パターン３２の内側端部３２ｂ上に設けられている。

　なお、ダム部Ｄ１が設けられる位置は、内側端部３２ｂ上に限られず、実装基板３の入出力パターン３２とグランドパターン３３との間であって、入出力パターン３２およびグランドパターン３３の信号伝送経路上であればよい。ここで、入出力パターン３２とグランドパターン３３との間とは、入出力パターン３２およびグランドパターン３３（ギャップ間のグランドパターン３３ａ）を含み、入出力パターン３２の外側端部３２ａを含まない領域であることを意味する。すなわち、ダム部Ｄ１は、外側端部３２ａを除くモード変換部３６に設けられていればよい。

　ダム部Ｄ１は、実装基板３に形成されるレジストパターンＲ１の一部である。ダム部Ｄ１の幅は、入出力パターン３２の幅と同じ、または、入出力パターン３２の幅よりも大きいことが望ましい。ダム部Ｄ１の高さ寸法は、実装基板３および導波管フィルタ２の間隔と同じであることが望ましい。ただし、ダム部Ｄ１の高さ寸法は上記の間隔に限られない。ダム部Ｄ１は、入出力パターン３２上またはグランドパターン３３上から導波管フィルタ２に向けて突出していればよい。また、ダム部Ｄ１は、上記のように実装基板３側に配置される場合に限られず、入出力電極２２上またはグランド電極２３上に設けられ、実装基板３に向けて突出していてもよい。

　第１はんだ部Ｓ１は、図５Ｃおよび図６に示すように、入出力パターン３２と入出力電極２２との間に位置し、入出力パターン３２と入出力電極２２とを接続する。本実施の形態において、第１はんだ部Ｓ１は、内側端部３２ｂを除き、外側端部３２ａを含む入出力パターン３２上に形成されている。すなわち、第１はんだ部Ｓ１は、ダム部Ｄ１よりも、グランドパターン３３側から入出力パターン３２側へ向かう方角に位置し、ダム部Ｄ１に接している。換言すれば、ダム部Ｄ１は、第１はんだ部Ｓ１よりも、入出力パターン３２側からグランドパターン３３側へ向かう方角に位置し、第１はんだ部Ｓ１に接している。

　［１．３　導波管フィルタ回路の製造方法］
　次に、導波管フィルタ回路１の製造方法について説明する。図７Ａは、実装基板３の一部の断面を模式的に示す図である。図７Ｂは、図７Ａに示す実装基板３に、導波管フィルタ２を搭載した直後の状態を示す図である。

　まず、図７Ａに示すように、実装基板３の入出力パターン３２とグランドパターン３３との間に、ダム部Ｄ１を形成する。本実施の形態では、ダム部Ｄ１は、入出力パターン３２の内側端部３２ｂ上に形成される。ダム部Ｄ１は、実装基板３に形成されるレジストパターンＲ１の一部であり、所定パターンを有するマスクを用いて印刷形成される。

　なお、図７Ａに示す工程では、ダム部Ｄ１と同時に、外側レジストＲ２も形成している。外側レジストＲ２は、導波管フィルタ２の実装領域ＭＡの外縁の外側であって、入出力パターン３２に繋がっている伝送線路３９上に形成される。

　次に、実装基板３の入出力パターン３２上に、第１はんだ部Ｓ１となるはんだペーストＳ１ａを形成する。本実施の形態では、第１はんだ部Ｓ１は、内側端部３２ｂを除き、外側端部３２ａを含む入出力パターン３２上に形成される。はんだペーストＳ１ａは、所定パターンを有するマスクを用いて印刷形成される。

　次に、図７Ｂに示すように、実装基板３上に導波管フィルタ２を搭載する。その際、実装基板３の入出力パターン３２が、導波管フィルタ２の入出力電極２２に接続するように配置される。その後、導波管フィルタ２が搭載された実装基板３をリフローする。

　リフロー後、図６に示すように、入出力パターン３２と入出力電極２２とが、第１はんだ部Ｓ１を介して接合される。その際、加熱されたはんだペーストＳ１ａは一旦溶融するが、隣接するダム部Ｄ１に堰きとめられ、ダム部Ｄ１よりもグランドパターン３３側に移動しないようになっている。これにより、入出力電極２２と入出力パターン３２との間のはんだ量不足を抑制し、導波管フィルタ回路１の特性劣化を抑制することができる。

　［１．４　効果等］
　本実施の形態に係る導波管フィルタ回路１は、導波管フィルタ２と、導波管フィルタ２が実装された実装基板３とを備え、導波管フィルタ２は、実装基板３側の主面である実装面２ａに形成された入出力電極２２と、実装面２ａに形成されたグランド電極２３と、を備えている。実装基板３は、入出力電極２２に対向し、入出力電極２２に対応する形状を有する入出力パターン３２と、入出力パターン３２の一端３２ｂと接続するグランドパターン３３と、を備えている。入出力パターン３２と入出力電極２２とは、はんだ材料を含む第１はんだ部Ｓ１を介して接続される。入出力パターン３２とグランドパターン３３との間、および、入出力電極２２とグランド電極２３との間の少なくとも一方には、ダム部Ｄ１が設けられている。また、ダム部Ｄ１は、高さ方向において入出力パターン３２またはグランドパターン３３と、入出力電極２２またはグランド電極２３と、の間に設けられ、水平方向において第１はんだ部Ｓ１よりも、入出力パターン３２側からグランドパターン３３側へ向かう方角に位置し、第１はんだ部Ｓ１に接している。

　この構造により、第１はんだ部Ｓ１のはんだ材料が、グランドパターン３３側またはグランド電極２３側へ流れ込むことを抑制することができる。例えば、入出力電極２２とグランド電極２３とが繋がって接続されている場合、または、入出力パターン３２とグランドパターン３３とが繋がって接続されている場合のように、はんだの流出経路が存在する場合であっても、導波管フィルタ回路１がダム部Ｄ１を有することで、はんだの流れ込みを抑制することができる。これにより、入出力電極２２と入出力パターン３２との間のはんだ量不足を抑制することができる。入出力電極２２と入出力パターン３２との間のはんだ量を確保することで、例えば、入出力電極２２の外側端部２２ａがオープンスタブとなるような不具合を解消することができる。これにより、導波管フィルタ回路１の特性劣化を抑制することができる。

　また、本実施の形態に係る導波管フィルタ用実装基板３は、導波管フィルタ２の入出力電極２２に対応する形状を有する入出力パターン３２と、グランドパターン３３と、入出力パターン３２とグランドパターン３３との間であって、入出力パターン３２およびグランドパターン３３の信号伝送経路上に配置されたダム部Ｄ１とを備える。

　この構造により、導波管フィルタ２を、はんだを用いて実装基板３に実装した場合に、はんだ材料が、グランドパターン３３側へ流れ込むことを抑制することができる。これにより、導波管フィルタ２の入出力電極２２と入出力パターン３２との間のはんだ量不足を抑制することができ、導波管フィルタ回路１の特性劣化を抑制することが可能となる。

　［１．５　実施の形態１の変形例１］
　図８Ａは、実施の形態１の変形例１に係る実装基板３Ａの平面図である。

　ダム部Ｄ１は、図８Ａに示すように、入出力パターン３２上の外側端部３２ａと内側端部３２ｂとの中間位置に設けられている。すなわち、ダム部Ｄ１は、入出力パターン３２とグランドパターン３３との間であって、入出力パターン３２およびグランドパターン３３の信号伝送経路上に設けられている。この場合、第１はんだ部Ｓ１は、ダム部Ｄ１よりも外側に位置する入出力パターン３２上に設けられる。

　変形例１に係る導波管フィルタ回路１においても、ダム部Ｄ１により、はんだの流れ込みを抑制することができ、実施の形態１に準ずる効果を得ることができる。

　［１．６　実施の形態１の変形例２］
　図８Ｂは、実施の形態１の変形例２に係る実装基板３Ｂの平面図である。

　ダム部Ｄ１、図８Ｂに示すように、ギャップ間のグランドパターン３３ａ上に設けられている。すなわち、ダム部Ｄ１は、入出力パターン３２とグランドパターン３３との間であって、入出力パターン３２およびグランドパターン３３の信号伝送経路上に設けられている。この場合、第１はんだ部Ｓ１は、ダム部Ｄ１よりも外側に位置するギャップ間のグランドパターン３３ａ上および入出力パターン３２上に設けられる。

　変形例２に係る導波管フィルタ回路１においても、ダム部Ｄ１により、はんだの流れ込みを抑制することができ、実施の形態１に準ずる効果を得ることができる。

　［１．７　実施の形態１の変形例３］
　図９は、実施の形態１の変形例３に係る実装基板３Ｃの平面図である。

　導波管フィルタ２は、複数の第２はんだ部Ｓ２によって実装基板３に固定されるが、変形例３に係る実装基板３では、第２はんだ部Ｓ２の配置位置を以下の構成とすることで、固着強度を向上させている。

　変形例３に係る複数の第２はんだ部Ｓ２のそれぞれは、フィレット部Ｓ２ａと内側底部Ｓ２ｂという１組のはんだ部により構成されている。フィレット部Ｓ２ａは、導波管フィルタ２の側面２ｂの一部領域および実装面２ａの一部領域のグランド電極２３に接続する部分である。内側底部Ｓ２ｂは、フィレット部Ｓ２ａよりも、導波管フィルタ２の実装面２ａの内側に位置する領域のグランド電極２３に接続する部分である。

　この第２はんだ部Ｓ２のフィレット部Ｓ２ａおよび内側底部Ｓ２ｂは、レジストパターンＲ１の開口に、はんだペーストを印刷することで形成される。

　レジストパターンＲ１の開口部Ｒ３ａは、導波管フィルタ２が実装された実装基板３を平面視した場合に、導波管フィルタ２の外縁と重なっている。一方の開口部Ｒ３ａには、フィレット部Ｓ２ａが形成され、もう一方の開口部Ｒ３ｂには内側底部Ｓ２ｂが形成される。

　変形例３では、第２はんだ部Ｓ２を、フィレット部Ｓ２ａおよび内側底部Ｓ２ｂで構成することで、フィレット部Ｓ２ａにおける、実装面２ａへのはんだの流れ込みを抑制しつつ、導波管フィルタ２を実装基板３に固定することができる。また、内側底部Ｓ２ｂをフィレット部Ｓ２ａと異なる箇所に設けることで、導波管フィルタ２と実装基板３との固着強度をさらに向上させることができる。また、開口部Ｒ３ａを有するレジストパターンＲ１を形成し、開口部Ｒ３ａにフィレット部Ｓ２ａを形成することで、フィレット部Ｓ２ａの位置が固定されるので、はんだの流れ込みを抑制することができる。

　（実施の形態２）
　図１０は、実施の形態２に係る導波管フィルタ２Ａを裏面（実装面）から見た斜視図である。

　実施の形態２に係る導波管フィルタ２Ａは、ダム部Ｄ２が、実装基板３でなく、導波管フィルタ２に設けられている。

　導波管フィルタ２Ａは、実装面２ａに形成された入出力電極２２と、入出力電極２２の一端２２ｂと接続するように、実装面２ａを含む外表面に形成されたグランド電極２３とを備えている。そして、ダム部Ｄ２が、入出力電極２２の内側端部２２ｂ上に設けられている。

　なお、ダム部Ｄ２が設けられる位置は、入出力電極２２の内側端部２２ｂ上に限られず、入出力電極２２とグランド電極２３との間であって、入出力電極２２およびグランド電極２３の信号伝送経路上であればよい。ここで、入出力電極２２とグランド電極２３との間とは、入出力電極２２およびグランド電極２３（ギャップ間のグランド電極２３ａ）を含み、入出力電極２２の外側端部２２ａを含まない領域であることを意味する。すなわち、ダム部Ｄ２は、外側端部２２ａを除くモード変換部２６に設けられていればよい。

　ダム部Ｄ２としては、実装基板３に形成されるレジストパターンＲ１と同じ材料が用いられる。ダム部Ｄ２の幅は、入出力電極２２の幅と同じ、または、入出力電極２２の幅よりも大きいことが望ましい。ダム部Ｄ２の高さ寸法は、実装基板３および導波管フィルタ２Ａの間隔と同じであることが望ましい。ただし、ダム部Ｄ２の高さ寸法は上記の間隔に限られない。

　実施の形態２では、導波管フィルタ２Ａを、はんだを用いて実装基板３に実装した場合に、はんだ材料が、グランド電極２３側（またはグランドパターン３３側）へ流れ込むことを抑制することができる。これにより、入出力電極２２と実装基板３の入出力パターン３２との間のはんだ量不足を抑制することができ、導波管フィルタ回路１の特性劣化を抑制することが可能となる。

　なお、導波管フィルタ２Ａには、ダム部Ｄ２に加え、はんだ部が形成されていてもよい。すなわち、導波管フィルタ２Ａのはんだ部が、ダム部Ｄ２よりも、グランド電極２３側から入出力電極２２側へ向かう方角に位置し、ダム部Ｄ２に接して形成されていてもよい。

　（実施の形態３）
　本実施の形態では、実施の形態１および２に係る導波管フィルタを備える高周波フロントエンド回路５０Ａ等について説明する。

　［３．１　高周波フロントエンド回路の構成］
　図１１Ａは、実施の形態３に係る高周波フロントエンド回路５０Ａおよびその周辺回路を示す回路図である。同図には、高周波フロントエンド回路５０Ａと、アンテナ素子５３と、ＲＦ信号処理回路９１と、ベースバンド信号処理回路９２とが示されている。

　高周波フロントエンド回路５０Ａは、フィルタ６１、６２および６３と、スイッチ回路７０と、パワーアンプ回路８１と、ローノイズアンプ回路８２とを備える。

　パワーアンプ回路８１は、ＲＦ信号処理回路９１から出力された高周波送信信号を増幅し、スイッチ回路７０およびフィルタ６１を経由してアンテナ素子５３に出力する送信増幅回路である。

　ローノイズアンプ回路８２は、アンテナ素子５３、フィルタ６１およびスイッチ回路７０を経由した高周波信号を増幅し、ＲＦ信号処理回路９１へ出力する受信増幅回路である。

　フィルタ６１は、アンテナ素子５３に接続され、例えば、送信帯域および受信帯域の高周波信号を選択的に通過させるアンテナフィルタである。フィルタ６２は、パワーアンプ回路８１とＲＦ信号処理回路９１との間に配置され、送信帯域の高周波信号を選択的に通過させる段間フィルタである。フィルタ６３は、ローノイズアンプ回路８２とＲＦ信号処理回路９１との間に配置され、受信帯域の高周波信号を選択的に通過させる段間フィルタである。

　スイッチ回路７０は、アンテナ素子５３と送信信号経路および受信信号経路との接続を切り替えるスイッチである。

　ＲＦ信号処理回路９１は、アンテナ素子５３から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をベースバンド信号処理回路９２へ出力する。ＲＦ信号処理回路９１は、例えば、ＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）である。また、ＲＦ信号処理回路９１は、ベースバンド信号処理回路９２から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をパワーアンプ回路８１へ出力する。

　ベースバンド信号処理回路９２で処理された信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、または、音声信号として通話のために使用される。

　なお、高周波フロントエンド回路５０Ａは、フィルタ６１、６２および６３、スイッチ回路７０、パワーアンプ回路８１、ならびにローノイズアンプ回路８２の間に、他の回路素子を備えていてもよい。

　図１１Ｂは、変形例に係る高周波フロントエンド回路５０Ｂを示す回路図である。例えば、ＴＤＤ（Time　Division　Duplex）方式で通信を行う場合、高周波フロントエンド回路５０Ｂは、サーキュレータ７１を有し、送信時にスイッチ回路７２が５０オームに終端され、受信時にスイッチ回路７２がローノイズアンプ回路８２側に接続される回路構成であってもよい。

　図１１Ｃは、他の変形例に係る高周波フロントエンド回路５０Ｃを示す回路図である。例えば、ＴＤＤ方式で通信を行う場合、高周波フロントエンド回路５０Ｃは、サーキュレータ７３の第３ポートを終端してアイソレータとする回路構成であってもよい。

　ここで、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃでは、フィルタ６１、６２および６３として、実施の形態１および２ならびにその変形例に示された導波管フィルタを用いることができる。

　上記構成によれば、フィルタ６１、６２および６３のいずれかにおいてフィルタ特性のばらつきが抑制されるので、高周波特性のばらつきが低減された高周波フロントエンド回路を実現することが可能となる。

　（実施の形態４）
　本実施の形態では、実施の形態１および２に係る導波管フィルタを備えるＭａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムを例示する。

　５Ｇ（第５世代移動通信システム）で有望な無線伝送技術の１つは、ファントムセルとＭａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムとの組み合わせである。ファントムセルは、低い周波数帯のマクロセルと高い周波数帯のスモールセルとの間で通信の安定性を確保するための制御信号と、高速データ通信の対象であるデータ信号とを分離するネットワーク構成である。各ファントムセルにＭａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯのアンテナ装置が設けられる。Ｍａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムは、ミリ波帯等において伝送品質を向上させるための技術であり、各アンテナ素子から送信される信号を制御することで、当該アンテナ素子の指向性を制御する。また、Ｍａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムは、多数のアンテナ素子を用いるため、鋭い指向性のビームを生成することができる。ビームの指向性を高めることで高い周波数帯でも電波をある程度遠くまで飛ばすことができるとともに、セル間の干渉を減らして周波数利用効率を高めることができる。

　図１２Ａは、実施の形態４に係るＭａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムを示す回路図である。また、図１２Ｂは、実施の形態４に係るＭａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムのアンテナ装置の平面図である。

　図１２Ｂに示されたアンテナ装置５１は、図１２Ａに示されたＭａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムで用いられる。アンテナ装置５１は、行列状に配列された複数のパッチアンテナ５２を備える。図１２Ａは、アンテナ装置５１を含む高周波フロントエンド回路５０Ｄの構成を示す図である。この高周波フロントエンド回路５０Ｄは、本実施の形態に係るＭａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムである。パッチアンテナ５２には、帯域通過型のフィルタ６１ａ、６１ｂおよび６１ｃが接続されている。フィルタ６１ａとパワーアンプ回路８１ａおよびローノイズアンプ回路８２ａとの間には、スイッチ回路７０ａが接続されている。フィルタ６１ｂとパワーアンプ回路８１ｂおよびローノイズアンプ回路８２ｂとの間には、スイッチ回路７０ｂが接続されている。フィルタ６１ｃとパワーアンプ回路８１ｃおよびローノイズアンプ回路８２ｃとの間には、スイッチ回路７０ｃが接続されている。ローノイズアンプ回路８２ａ、８２ｂおよび８２ｃは、ベースバンド信号処理回路９２に接続されている。ベースバンド信号処理回路９２とパワーアンプ回路８１ａとの間には、帯域通過型のフィルタ６２ａおよびミキサ９４ａが接続されている。ベースバンド信号処理回路９２とパワーアンプ回路８１ｂとの間には、帯域通過型のフィルタ６２ｂよびミキサ９４ｂが接続されている。ベースバンド信号処理回路９２とパワーアンプ回路８１ｃとの間には、帯域通過型のフィルタ６２ｃおよびミキサ９４ｃが接続されている。ミキサ９４ａ、９４ｂおよび９４ｃには、ローカルオシレータ９３が接続されている。ローカルオシレータ９３は、ミキサ９４ａ～９４ｃにおいて高い周波数へアップコンバート、低い周波数へダウンコンバートするための基準周波数を、ミキサ９４ａ～９４ｃへ出力する。アンテナフィルタのみで事足りて、段間フィルタが必要ない場合、Switch以下はRFICの中に取り込んで１つとしてもかまわない。或いは、図１１Ａのようにミキサ以下をRFICに取り込んでも構わない。

　フィルタ６１ａ～６１ｃは、送受信周波数帯域を通過させ、その他の周波数成分を除去する。スイッチ回路７０ａ～７０ｃは、送信信号と受信信号とを切り替える。フィルタ６２ａ～６２ｃは、送信信号の周波数帯域を通過させ、その他の周波数成分を除去する。

　フィルタ６１ａ～６１ｃおよび６２ａ～６２ｃとして、実施の形態１、２およびその変形例に係る導波管フィルタを用いることができる。

　パッチアンテナ５２に接続されるフィルタ６１ａ～６１ｃを、パッチアンテナ５２が形成される基板の裏面に配置してもよい。これにより、フィルタ６１ａ～６１ｃ付きのパッチアンテナ５２を備えるアンテナ装置５１が構成される。

　本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路５０Ａ～５０Ｄによれば、フィルタ６１ａ～６１ｃおよび６２ａ～６２ｃにおいてフィルタ特性のばらつきが抑制されるので、高周波特性のばらつきが低減されたＭａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムを実現することが可能となる。

　（その他の実施の形態など）
　以上、本発明の実施の形態に係る導波管フィルタ回路等について、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本発明の導波管フィルタ回路等は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本開示の導波管フィルタ回路等を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　実施の形態１では、入出力電極２２とグランド電極２３とが連続的に繋がっている導波管フィルタ２、および、入出力パターン３２とグランドパターン３３とが連続的に繋がっている実装基板３を示したが、必ずしも連続的に繋がっていることに限られない。例えば、入出力電極２２とグランド電極２３とが連続的に繋がっており、入出力パターン３２とグランドパターン３３とが分断されていてもよい。また、入出力電極２２とグランド電極２３とが分断されており、入出力パターン３２とグランドパターン３３とが連続的に繋がっていてもよい。すなわち、本実施の形態の導波管フィルタ２は、入出力電極２２と、入出力電極２２の一端と接続または近接するグランド電極２３とを備えていてもよいし、実装基板３は、入出力パターン３２と、入出力パターン３２の一端と接続または近接するグランドパターン３３とを備えていてもよい。

　なお、実施の形態およびその変形例に係る導波管フィルタは、誘電体導波管デュプレクサまたは誘電体導波管マルチプレクサとしても適用可能である。

　本発明の導波管フィルタ回路は、ミリ波帯移動体通信システムおよびＭａｓｓｉｖｅ　ＭＩＭＯシステムなどの通信機器に広く利用できる。

　１　　　導波管フィルタ回路
　２、２Ａ　導波管フィルタ
　２ａ　　実装面
　２ｂ　　側面
　２ｃ　　天面
　３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ　実装基板
　３ａ　　第１主面
　３ｂ　　第２主面
　５　　　第１共振部
　６　　　第２共振部
　７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、７ｇ、７ｈ　　共振器
　８　　　結合窓
　２１　　フィルタ本体
　２２　　入出力電極
　２２ａ　入出力電極の外側端部
　２２ｂ　入出力電極の内側端部（一端）
　２３　　グランド電極
　２３ａ　ギャップ間のグランド電極
　２５ａ　第１ギャップ部
　２５ｂ　第２ギャップ部
　２６　　モード変換部
　２９　　露出側面部
　３１　　基板本体
　３２　　入出力パターン
　３２ａ　入出力パターンの外側端部
　３２ｂ　入出力パターンの内側端部（一端）
　３３、３７　　グランドパターン
　３３ａ　ギャップ間のグランドパターン
　３５ａ　第１ギャップ部
　３５ｂ　第２ギャップ部
　３６　　モード変換部
　３８　　ビア導体
　３９　　伝送線路
　５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄ　高周波フロントエンド回路
　５１　　アンテナ装置
　５２　　パッチアンテナ
　５３　　アンテナ素子
　Ｄ１、Ｄ２　ダム部
　ＭＡ　　実装領域
　ＭＡ１　実装領域の外縁部分
　Ｒ１　　レジストパターン
　Ｒ２　　外側レジスト
　Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ　　開口部
　Ｓ１　　第１はんだ部
　Ｓ１ａ　はんだペースト
　Ｓ２　　第２はんだ部
　Ｓ２ａ　フィレット部
　Ｓ２ｂ　内側底部
　６１、６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６２、６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６３　　フィルタ
　７０、７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７２　　スイッチ回路
　７１、７３　　サーキュレータ
　８１、８１ａ、８１ｂ、８１ｃ　　パワーアンプ回路
　８２、８２ａ、８２ｂ、８２ｃ　　ローノイズアンプ回路
　９１　　ＲＦ信号処理回路
　９２　　ベースバンド信号処理回路
　９３　　ローカルオシレータ
　９４ａ、９４ｂ、９４ｃ　　ミキサ

Claims

　導波管フィルタと、前記導波管フィルタが実装された実装基板とを備える導波管フィルタ回路であって、
　前記導波管フィルタは、
　　前記実装基板側の主面である実装面に形成された入出力電極と、
　　前記実装面に形成されたグランド電極と、
　を備え、
　前記実装基板は、
　　前記入出力電極に対応する形状を有する入出力パターンと、
　　グランドパターンと、
　を備え、
　前記入出力パターンと前記入出力電極とは、はんだ材料を含む第１はんだ部を介して接続され、
　前記入出力パターンと前記グランドパターンとの間、および、前記入出力電極と前記グランド電極との間のうち少なくとも一方には、ダム部が設けられている、
　導波管フィルタ回路。
　前記ダム部は、前記第１はんだ部よりも、前記入出力パターン側から前記グランドパターン側へ向かう方角に位置し、前記第１はんだ部に接している、
　請求項１に記載の導波管フィルタ回路。
　前記ダム部は、前記入出力パターンと前記グランドパターンとの間であって、前記入出力パターンおよび前記グランドパターンの信号伝送経路上に配置されている、
　請求項１または２に記載の導波管フィルタ回路。
　前記ダム部は、前記実装基板に形成されるレジストパターンの一部である、
　請求項１～３のいずれか１項に記載の導波管フィルタ回路。
　前記ダム部は、前記はんだ材料よりも融点が高い、
　請求項１～４のいずれか１項に記載の導波管フィルタ回路。
　前記入出力パターンの幅よりも、信号伝搬方向において前記入出力パターンに接続する前記グランドパターンの幅のほうが大きい、
　請求項１～５のいずれか１項に記載の導波管フィルタ回路。
　前記入出力パターンまたは前記グランドパターンは、信号を、ＴＥＭモードからＴＥモードまたはＴＥモードからＴＥＭモードに変換するモード変換部を有し、
　前記ダム部は、前記モード変換部に設けられている、
　請求項１～６のいずれか１項に記載の導波管フィルタ回路。
　前記グランド電極は、前記グランドパターンに、はんだ材料を含む複数の第２はんだ部を介して接続されている、
　請求項１～７のいずれか１項に記載の導波管フィルタ回路。
　前記複数の第２はんだ部のそれぞれは、
　　前記導波管フィルタの側面の一部領域および前記実装面の一部領域の前記グランド電極に接続するフィレット部と、
　　前記フィレット部よりも、前記導波管フィルタの前記実装面の内側に位置する領域の前記グランド電極に接続する内側底部と、
　を有する請求項８に記載の導波管フィルタ回路。
　前記実装基板の前記グランドパターン上には、開口部を有するレジストパターンが形成され、
　前記開口部は、前記導波管フィルタが実装された前記実装基板を平面視した場合に、前記導波管フィルタの外縁と重なり、
　前記開口部には、前記第２はんだ部の前記フィレット部が形成される、
　請求項９に記載の導波管フィルタ回路。
　入出力電極およびグランド電極を備える導波管フィルタを実装するための実装基板であって、
　前記導波管フィルタの前記入出力電極に対応する形状を有する入出力パターンと、
　グランドパターンと、
　前記入出力パターンと前記グランドパターンとの間であって、前記入出力パターンおよび前記グランドパターンの信号伝送経路上に配置されたダム部と、
　を備える導波管フィルタ用実装基板。
　前記実装基板の前記入出力パターン上および前記グランドパターン上には、所定形状を有するレジストパターンが形成され、
　前記ダム部は、前記レジストパターンの一部である、
　請求項１１に記載の導波管フィルタ用実装基板。
　実装面に形成された入出力電極と、
　前記実装面に形成されたグランド電極と、
　前記入出力電極と前記グランド電極との間であって、前記入出力電極および前記グランド電極の信号伝送経路上に配置されたダム部と、
　を備える導波管フィルタ。