WO2017212866A1 - 力センサ - Google Patents

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吉之 秋山
洋 小貫
健悟 鈴木
大介 寺田
瑞紀 芝田
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    • G01L1/20Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
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    • G01L5/22Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring the force applied to control members, e.g. control members of vehicles, triggers

Definitions

  • the force sensor 100 of this embodiment includes a sensor plate 10 and a plurality of sensor elements 20 provided around the force receiving portion 11 of the sensor plate 10 as main components.
  • the force receiving portion 11 of the sensor plate 10 is a portion that is deformed by the force F acting on the force sensor 100 that is the measurement target of the force sensor 100.
  • the force sensor 100 of the present embodiment is characterized in that each sensor element 20 includes a bridge circuit 22 (see FIG. 7) including a plurality of strain gauges 21.
  • FIG. 5 is a plan view of the sensor plate 10 and the sensor element 20 shown in FIG.
  • the force receiving member 30 is a disk-shaped member disposed to face the sensor plate 10.
  • the force receiving member 30 is, for example, thicker than the sensor plate 10 and has a mechanical strength higher than that of the sensor plate 10 and is made of a metal material such as stainless steel.
  • the force F acting on the force sensor 100 used in the brake system 1 is usually in the range of 0 kN to 25 kN, and may reach about 50 kN at the maximum.
  • the force receiving member 30 is elastically deformed in response to the force F acting on the force sensor 100, so that the force receiving portion 11 of the sensor plate 10 that is relatively thin and has low mechanical strength is changed to the force F acting on the force sensor 100. It is elastically deformed with a corresponding deformation amount.
  • the force receiving member 30 has a protruding portion 31 that protrudes toward the sensor plate 10 and contacts the force receiving portion 11.
  • the force receiving portion 11 of the sensor plate 10 is elastically deformed more efficiently by elastic deformation of the force receiving member 30, the strain detection accuracy by the sensor elements 20 on both sides of the force receiving portion 11 is further improved, and the force sensor 100.
  • the measurement accuracy of the force F can be further improved.

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Abstract

推力などの力を測定することができ、かつその力の軸ずれを検出することができる力センサを提供する。 センサプレート10と、該センサプレート10の受力部11の周囲に設けられた複数のセンサエレメント20とを備えた力センサ。各々のセンサエレメント20は、複数のひずみゲージを含むブリッジ回路を備える。

Description

力センサ
 本発明は、たとえば推力や軸力などの力を測定する力センサに関する。
 従来から一軸方向に作用する荷重を測定する荷重センサに関する発明が知られている(下記特許文献1、請求項1等を参照)。この荷重センサは、荷重を一軸方向に伝える押圧軸と、前記押圧軸を介して荷重を測定するセンサエレメントと、前記センサエレメントを保護する荷重制限手段とを有している。
 この荷重センサでは、センサエレメントの測定許容範囲内においては当該センサエレメントを用いて荷重を測定する。また、荷重が前記センサエレメントの測定許容範囲を超えた場合に、荷重制限手段がセンサエレメントの測定許容範囲を超えた荷重領域で変形する。
 この荷重センサは、押圧軸に作用する荷重であって測定すべき範囲の荷重を正確に測定するとともに、測定許容範囲を超えた荷重や衝撃荷重が押圧軸に加わった場合に荷重制限手段が荷重領域で変形してセンサエレメントを保護する(同文献、段落0008等を参照)。
 また、薄板状のセンサプレートと、このセンサプレートに取り付けられた複数のひずみゲージとを具備する荷重センサに係る発明が開示されている(下記特許文献2、請求項1等を参照)。この荷重センサにおいて、センサプレートは、その一軸方向の両端が、このセンサプレートを任意の対象物に固定させる固定部となされる一方で、その中心点が変位ないし荷重をこのセンサプレートに伝達せしめる伝達部となされている。
 また、ひずみゲージを前記中心点に対して点対称となる位置に配置するとともに、点対称となる位置に配されたひずみゲージ同士を電気的に並列または直列に接続してゲージペアを構成している。さらに、各ゲージペア同士を電気的に直列に接続して、これらひずみゲージでブリッジ回路を構成している。
 センサプレートに上記のようにひずみゲージを配置するとともに相互に接続することにより、測定誤差の低減を図ることができる。また、ひずみゲージが設けられるセンサプレートとして薄板を採用するので、コンパクトに形成できる(同文献、段落0017等を参照)。
特開2015-111084号公報 国際公開第2006/006677号
 前記特許文献1に記載された荷重センサでは、押圧軸に作用する荷重を測定することはできるが、その荷重の軸ずれを検出することはできない。同様に、前記特許文献2に記載された荷重センサにおいても、起歪体の取付部に作用する荷重を測定することはできるが、その荷重の軸ずれを検出することはできない。
 本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、推力などの力を測定することができ、かつその力の軸ずれを検出することができる力センサを提供することを目的とする。
 前記目的を達成すべく、本発明の力センサは、センサプレートと、該センサプレートの受力部の周囲に設けられた複数のセンサエレメントと、を備えた力センサであって、各々の前記センサエレメントは、複数のひずみゲージを含むブリッジ回路を備えることを特徴とする。
 本発明に係る力センサによれば、力センサに作用する力を受けて弾性変形するセンサプレートの受力部の周囲に複数のセンサエレメントが配置され、各々のセンサエレメントが複数のひずみゲージを含むブリッジ回路を備えることで、力センサに作用する力を測定することができ、かつその力の軸ずれを検出することができる。
本発明の実施形態1に係る力センサを備えたブレーキシステムの概略構成図。 本発明の実施形態1に係る力センサの外観斜視図。 図2に示す力センサの分解斜視図。 図2に示す力センサのIV-IV線に沿う断面矢視図。 図2に示すセンサプレートとセンサエレメントの平面図。 図2に示すセンサエレメントの概略構成図。 図2に示すセンサエレメントの回路図。 図2に示す基板ユニットとガイドプレートの斜視図。 本発明の実施形態2に係る力センサの図5に相当する平面図。
 以下、図面を参照して本発明に係る力センサの実施形態を説明する。
[実施形態1]
 図1は、本発明の実施形態1に係る力センサ100を備えたブレーキシステム1の概略構成図である。
 ブレーキシステム1は、たとえば、ホイール2とともに回転するブレーキディスク3を挟持する一対のブレーキパッド4A,4Bと、この一対のブレーキパッド4A,4Bの一方に連結されたピストン5と、このピストン5を軸線L方向に伸縮させる直動機構6と、この直動機構6に取り付けられた力センサ100とを備える。
 直動機構6は、たとえばモータと、複数のギアと、ボールねじと、ボールねじナットと、ベアリングとを備えている。直動機構6は、たとえば、モータの回転動力を複数のギアを介してボールねじに伝達してボールねじを回転させ、ベアリングを介してボールねじの回転をボールねじナットの直進運動に置き換えて、ピストン5を軸線L方向に伸縮させる。
 直動機構6は、車両の制動時にピストン5を伸長させ、ブレーキパッド4Aをブレーキディスク3に向けて移動させ、ブレーキディスク3を一対のブレーキパッド4A,4Bの間に挟持する。また、直動機構6は、車両の走行時にピストン5を収縮させ、ブレーキパッド4A,4Bとブレーキディスク3とを離隔させる。
 直動機構6は、ピストン5を伸長させてブレーキパッド4Aをブレーキディスク3に向けて移動させるときに、慣性によって逆向きの推力Fを受ける。このブレーキパッド4Aを押し付ける方向と反対の方向を向く推力Fは、車両の走行時の振動や荷重によって、推力Fの方向と垂直な方向に軸ずれを生じる場合がある。
 力センサ100は、たとえば、ピストン5の軸線L上でピストン5と反対側の直動機構6の端部に取り付けられる。力センサ100は、直動機構6に作用するピストン5の伸長方向と反対方向の推力Fを測定するともに、この推力Fの軸ずれを検出する。力センサ100は、たとえばエンジンコントロールユニット(ECU)7に接続され、測定した推力Fと軸ずれの情報を含む信号をECU7に出力する。
 すなわち、本実施形態の力センサ100は、たとえば推力や押力などの力Fを測定するためのセンサであり、たとえば車両のブレーキシステム1に適用することができる。なお、本実施形態の力センサ100は、推力や押力以外の力Fを測定することも可能であり、ブレーキシステム1以外に適用することも可能である。
 図2は、本実施形態の力センサ100の斜視図である。図3は、図2に示す力センサ100の分解斜視図である。図4は、図2に示す力センサ100のIV-IV線に沿う断面矢視図である。
 本実施形態の力センサ100は、主要な構成として、センサプレート10と、該センサプレート10の受力部11の周囲に設けられた複数のセンサエレメント20と、を備えている。なお、センサプレート10の受力部11は、力センサ100の測定対象である力センサ100に作用する力Fによって変形する部分である。詳細については後述するが、本実施形態の力センサ100は、各々のセンサエレメント20が、複数のひずみゲージ21を含むブリッジ回路22(図7参照)を備えることを特徴としている。
 力センサ100は、上記の主要な構成に加えて、たとえば、センサプレート10に対向する受力部材30と、基板ユニット40と、該基板ユニット40に実装されるコネクタ41と、基板ユニット40を支持するガイドプレート50と、基板ユニット40を覆うカバー60と、を備えることができる。センサプレート10の端部は、たとえば受力部材30の周縁部に固定され、受力部11は、たとえばセンサプレート10の中間部に設けられている。
 図5は、図2に示すセンサプレート10とセンサエレメント20の平面図である。
 センサプレート10は、たとえば、円形の板状の部材であり、センサプレート10を横断する帯状または短冊形の細長い長方形の架橋部12と、センサプレート10の周縁部に設けられた円環状の縁部13と、この縁部13と架橋部12との間に設けられた概ね弓形の開口部14とを有している。架橋部12は、幅方向の中点を通る中心線L1が円形のセンサプレート10の中心を通り、両端部が縁部13を介して受力部材30に固定され、中央部が受力部材30からの力を受ける受力部11とされている。図示の例において、架橋部12の受力部11の中心線L1方向の両側には、一対のセンサエレメント20が受力部11を挟むように配置されている。
 センサプレート10の受力部11は、たとえば平面形状が円形の凹部11aと、この凹部11aの底部の中央を貫通する貫通孔11bとを有することができる。図4に示すように、凹部11aは、周縁部に傾斜面を有する段差状に設けられ、この凹部11aの底部においてセンサプレート10が薄肉化されている。凹部11aの底部を貫通する貫通孔11bには、受力部材30の中央部に設けられた突起部31が係合している。
 図6および図7は、それぞれ、図3および図5に示すセンサエレメント20の概略構成図および回路図である。
 本実施形態の力センサ100において、センサエレメント20は、ブリッジ回路22と制御回路とが半導体チップ上に集積された半導体ひずみセンサである。すなわち、センサエレメント20は、4つのひずみゲージ21からなるブリッジ回路22を含むひずみICが1チップ化されたセンサチップである。センサエレメント20は、たとえば、4つのひずみゲージ21を含むブリッジ回路22と、このブリッジ回路22の信号を増幅する増幅器23と、A/D変換器24と、記憶演算部25,26と、温度センサ27と、D/A変換器28とを備えている。
 記憶演算部25,26は、たとえば半導体メモリ等の記憶部とCPU等の演算部とを備えている。記憶演算部25,26の記憶部には、ブリッジ回路22の出力を補正するための補正データが記憶されている。記憶演算部25,26の演算部は、記憶部に記憶された補正データに基づいてブリッジ回路22の出力を補正する。
 より詳細には、一方の記憶演算部25は、たとえば、ひずみに対する出力を調整するためのプログラムである出力調整ロジックが記憶部に記憶され、演算部によってブリッジ回路22の出力を出力調整ロジックに基づいて調整する。他方の記憶演算部26は、たとえば、温度特性による誤差を補正するプログラムである温度特性誤差補正ロジックが記憶部に記憶され、演算部によってブリッジ回路22の出力を温度センサ27の検出結果と温度特性誤差補正ロジックに基づいて補正する。
 このような構成により、センサエレメント20は、力センサ100に作用する力Fに応じたセンサプレート10のひずみを、ブリッジ回路22、増幅器23、A/D変換器24、記憶演算部25,26およびD/A変換器28等によって電気的な信号に変換することができる。また、センサエレメント20は、記憶演算部25,26によってセンサプレート10またはセンサエレメント20の温度特性による誤差を補正することができる。センサエレメント20は、図3および図4に示すように、たとえばガラスを含む接合層29を介してセンサプレート10に接合されている。
 図3および図4に示すように、受力部材30は、センサプレート10に対向して配置された円板状の部材である。受力部材30は、たとえば、センサプレート10よりも厚く、センサプレート10よりも高い機械的強度を有し、ステンレス鋼等の金属材料によって製作されている。図1に示すように、ブレーキシステム1に用いられる力センサ100に作用する力Fは、通常は0kN以上25kN以下の範囲であり、最大で50kN程度に達することがある。受力部材30は、力センサ100に作用する力Fを受けて弾性変形することで、比較的薄く機械的強度が低いセンサプレート10の受力部11を、力センサ100に作用する力Fに応じた変形量で弾性変形させる。
 図示の例において、受力部材30は、外周面よりもやや内側で、センサプレート10に対向する円形の端面の周縁部に、円筒状のハウジング部32を有している。また、受力部材30は、センサプレート10に対向する円形の端面の中央部で、ハウジング部32の内側に、センサプレート10へ向けて突出して受力部11に当接する突起部31を有している。また、受力部材30は、図3に示すように、センサプレート10に対向する円形の端面の周縁部で、ハウジング部の外側に、位置決め用の凸部33を有している。また、受力部材30は、図4に示すように、センサプレート10に対向する円形の端面と反対側の底面の周縁部に溝部34を有している。
 受力部材30の円筒状のハウジング部32は、内周面に設けられた複数の段差部32a,32b,32cと、先端部の開口縁に等角度間隔で設けられた切欠部32dと、を有している。ハウジング部32は、基端側すなわち下段の段差部32aによって、センサプレート10の周縁部を支持している。センサプレート10の周縁部は、たとえば全周がハウジング部32に溶接されることによって、ハウジング部32に固定されている。これにより、センサプレート10の端部が、受力部材30の周縁部に固定される。
 ハウジング部32は、中段の段差部32bによって、コネクタ41が実装された基板ユニット40を支持するガイドプレート50の周縁部を支持している。ガイドプレート50の周縁部は、たとえば、接着剤を介してハウジング部32に固定されている。ハウジング部32は、先端側すなわち上段の段差部32cによって、カバー60の下端部を支持している。ハウジング部32は、たとえば先端部の開口縁に90°の等角度間隔で形成された切欠部32dに、カバー60の周縁部の突出部61を係合させる。
 受力部材30の突起部31は、センサプレート10に対向する円形の端面の中央部で、ハウジング部32の内側に設けられ、先端がセンサプレート10の受力部11の貫通孔11bに挿入され、センサプレート10の受力部11に当接している。突起部31は、円板状の受力部材30の中心を通る軸線L2を有する円柱状に形成され、基端部が拡径されている。突起部31の先端部は、たとえばセンサプレート10の受力部11の貫通孔11bに全周を溶接することによって固定され、受力部材30の中央部の軸線L2方向に作用する力Fに応じた受力部材30の軸線L2方向の弾性変形によって軸線L2方向に変位し、センサプレート10の受力部11に軸線L2方向の力を作用させる。
 受力部材30の溝部34は、図4に示すように、センサプレート10に対向する円形の端面と反対側の底面の周縁部に設けられ、受力部材30の周方向に連続する円環状に形成されている。円環状の溝部34は、受力部材30の軸線L2方向において円筒状のハウジング部32の延長線上に設けられている。これにより、受力部材30の底面の溝部34の内側に力Fが作用したときに、受力部材30の周縁部の機械的強度を確保しつつ、受力部材30の周縁部の内側の部分を軸線L2方向に弾性変形しやすくすることができる。
 受力部材30の位置決め用の凸部33は、センサプレート10に対向する円形の端面の周縁部で、ハウジング部32の外側に設けられ、たとえば、円板状の受力部材30の中心を通る軸線L2に平行な軸線L3を有する円柱状に形成されている。位置決め用の凸部33は、力センサ100の中心を通る軸線L2に対して、力センサ100の回転方向の位置を位置決めする。
 図8は、図2に示す基板ユニット40とガイドプレート50の斜視図である。
 ガイドプレート50は、基板ユニット40を支持する円形の板状の部材であり、中央部を横断する細長い概ね長方形の開口部51を有し、この開口部51にセンサプレート10の架橋部12を露出させる。ガイドプレート50は、たとえば、基板ユニット40を位置決めして固定する複数の凸部52を有し、シリコーン接着剤を介して基板ユニット40に接合される。
 図示の例では、同一の構成を有する一対の基板ユニット40が、ガイドプレート50の開口部51の両側に、ガイドプレート50の中心に対して点対称に配置されている。一対の基板ユニット40には、それぞれコネクタ41が実装されている。一対の基板ユニット40は、それぞれ、センサプレート10の架橋部12に固定されたセンサエレメント20に対して、図示を省略するワイヤによって接続されている。ワイヤは、たとえばアルミを素材とするワイヤボンディングによって形成されている。
 一対の基板ユニット40は、たとえば、電源E、接地GND、出力S用の3本のワイヤと、通信用の4本のワイヤとを介して、一対のセンサエレメント20に接続されている。このようなワイヤの構成により、一対の基板ユニット40と一対のセンサエレメント20とを最短で接続し、耐ノイズ性および耐振動性を向上させ、ワイヤのレイアウトを簡潔にまとめることができ、基板ユニット40の小型化、ひいては力センサ100の小型化を図ることができる。
 一対の基板ユニット40には、コネクタ41、コンデンサ42および保護抵抗43などが、たとえば半田によって接合されて実装されている。コンデンサ42および保護抵抗43は、ノイズの抑制や、電源Eおよび出力Sの安定化を目的として実装されている。
 以下、本実施形態の力センサ100の作用について説明する。
 本実施形態の力センサ100は、たとえば、図1に示すブレーキシステム1に搭載され、直動機構6がピストン5を伸長させてブレーキパッド4Aをブレーキディスク3に向けて移動させるときに受ける、ブレーキパッド4Aの移動方向と逆向きの推力Fを測定する。直動機構6が受けた推力Fは、図4に示すように、直動機構6から力センサ100の受力部材30の底面に伝達され、受力部材30を軸線L2方向にセンサプレート10へ向けて弾性変形させる。
 センサプレート10は、受力部材30の弾性変形によって、受力部11が軸線L2方向に弾性変形する。より具体的には、受力部材30がセンサプレート10へ向けて突出して受力部11に当接する突起部31を有する場合には、受力部材30の弾性変形によって突起部31が軸線L2方向にセンサプレート10へ向けて変位し、突起部31に当接したセンサプレート10の受力部11が突起部31から軸線L2方向の力を受ける。これにより、センサプレート10が弾性変形し、受力部11の両側に設けられた一対のセンサエレメント20によって、センサプレート10のひずみが電気信号に変換される。
 ここで、本実施形態の力センサ100は、センサプレート10の受力部11の周囲に設けられた複数のセンサエレメント20の各々が、複数のひずみゲージ21を含むブリッジ回路22を備えている。これにより、たとえば車両の走行時に作用する振動や荷重によって、力センサ100に作用する推力Fが、その推力Fの方向と垂直な方向に軸ずれAdを生じた場合に、その推力Fの軸ずれAdを検出することが可能になる。
 より詳細には、たとえば、図4に示すように、力センサ100の中心に軸線L2に平行に作用する力Fが、軸線L2に垂直な力センサ100の径方向に軸ずれAdを生じる場合がある。この場合、力Fの軸ずれAdを生じる前は、一対のセンサエレメント20によって概ね等しいひずみが測定される。しかし、力Fの軸ずれAdを生じた後は、一方のセンサエレメント20によって測定されるひずみが減少し、他方のセンサエレメント20によって測定されるひずみが増加するなど、一対のセンサエレメント20によって異なるひずみが検出される。
 したがって、本実施形態の力センサ100によれば、力Fの作用する位置によって異なる複数のセンサエレメント20のひずみの測定結果に基づいて、力センサ100に作用する力Fの軸ずれAdを検出することができる。これにより、本実施形態の力センサ100によれば、たとえば、ブレーキシステム1の直動機構6に作用する推力Fの軸ずれAdを検出することができる。これに対し、前述の特許文献2に記載された従来の荷重センサは、中心点に点対称の位置にあるひずみゲージの抵抗値の変化が相互に相殺されるため、荷重の軸ずれを検出するのは困難である(同文献、段落0079から0081等を参照)。
 また、本実施形態の力センサ100は、センサエレメント20を複数備え、出力Sが多チャンネルであるため、各センサエレメント20の出力Sを比較することによって、センサエレメント20の故障診断を行うことができ、信頼性を向上させることができる。これに対し、特許文献2に記載された従来の荷重センサは、出力が1チャンネルであるため、故障診断ができず、信頼性に課題がある。
 また、本実施形態の力センサ100は、センサプレート10に対向する受力部材30を備え、センサプレート10の端部は、受力部材30の周縁部に固定され、受力部11は、センサプレート10の中央部に設けられている。これにより、力センサ100に作用する大きな力Fを受力部材30によって受け、その力Fの大きさに応じた受力部材30の弾性変形によるセンサプレート10のひずみをセンサエレメント20で測定することで、力センサ100に作用する力Fを正確に測定することができる。
 また、本実施形態の力センサ100において、センサプレート10は、両端部が受力部材30の周縁部に固定され中央部が受力部11とされた架橋部12を有し、この架橋部12の受力部11の両側に一対のセンサエレメント20が配置されている。これにより、受力部材30の弾性変形によって受力部11によって両端が支持されたセンサプレート10の架橋部12を弾性変形させ、架橋部12の中央部の受力部11を効率よく弾性変形させることができる。したがって、受力部11の両側のセンサエレメント20によるひずみの検出精度を向上させ、力センサ100の力Fの測定精度を向上させることができる。
 また、本実施形態の力センサ100において、受力部材30は、センサプレート10へ向けて突出して受力部11に当接する突起部31を有している。これにより、受力部材30の弾性変形によってセンサプレート10の受力部11をより効率よく弾性変形させ、受力部11の両側のセンサエレメント20によるひずみの検出精度をさらに向上させ、力センサ100の力Fの測定精度をさらに向上させることができる。
 なお、力センサ100は、前述のように、センサプレート10の端部が受力部材30の周縁部に固定され、受力部11は、センサプレート10の中央部に設けられている。そのため、受力部材30が突起部31を有しない場合にも、受力部材30の弾性変形によって、センサプレート10の受力部11を弾性変形させることができ、力センサ100に作用する力Fを測定することができ、その力Fの軸ずれAdを検出することができる。
 また、本実施形態の力センサ100において、受力部材30は、位置決め用の凸部33を有している。これにより、たとえば、力Fの軸ずれAdが生じやすい方向と、力センサ100において力Fの軸ずれAdの検出精度が高い方向とを位置合わせして、力センサ100による力Fの軸ずれAdの検出精度を向上させることができる。より具体的には、位置決め用の凸部33によって、図5に示すセンサプレート10の架橋部12の中心線L1が、図4に示す力Fの軸ずれAdが生じやすい方向と平行になるように、力センサ100を位置決めすることで、力Fの軸ずれAdの検出精度を向上させることができる。
 また、本実施形態の力センサ100において、センサエレメント20は、複数のひずみゲージ21を含むブリッジ回路22と制御回路とが半導体チップ上に集積された半導体ひずみセンサである。これにより、CMOS半導体プロセスを活用して、ブリッジ回路22、増幅器23、A/D変換器24、記憶演算部25,26、温度センサ27、D/A変換器28等を1チップ上に集積化することができる。これにより、接合部分の劣化が抑制され、長期の信頼性を向上させたセンサエレメント20を得ることができる。また、センサエレメント20の小型、低消費電力を実現し、耐ノイズ性を向上させ、センサエレメント20の性能向上、信頼性向上、および長寿命化が可能になる。
 また、本実施形態の力センサ100において、センサエレメント20は、ブリッジ回路22の出力を補正するための補正データが記憶された記憶演算部25,26を備え、この記憶演算部25は、補正データに基づいてブリッジ回路22の出力を補正する。これにより、本実施形態の力センサ100は、センサエレメント20によって、たとえば組立誤差や特性のばらつきによるひずみに対する出力調整を行ったり、温度変化に伴う計測データの誤差を補正したりすることが可能になる。したがって、力センサ100の歩留まりを向上させることができ、センサエレメント20の外部に回路を設ける必要が無くなり、製造コストを低減しつつ、低消費電力で高精度の計測が可能になる。
[実施形態2]
 次に、本発明に係る力センサの実施形態2について、図1から図4および図6から図8を援用し、図9を用いて説明する。図9は、本発明の実施形態2に係る力センサのセンサプレート10Aおよびセンサエレメント20を示す図5に相当する平面図である。
 本実施形態に係る力センサは、主に、センサプレート10Aが架橋部12の代わりに複数の輻状部12Aを有し、センサエレメント20が各々の輻状部12Aに配置されている点で、前述の実施形態1に係る力センサ100と異なっている。本実施形態の力センサのその他の点は、前述の実施形態1の力センサ100と同様であるので、同様の部分には同一の符号を付して説明を省略する。
 本実施形態の力センサは、前述の実施形態1の力センサ100と同様に、センサプレート10Aと、このセンサプレート10Aの受力部11の周囲に設けられた複数のセンサエレメント20と、を備え、各々のセンサエレメント20が複数のひずみゲージ21を含むブリッジ回路22を備えることを特徴としている。
 本実施形態の力センサにおいて、センサプレート10は、受力部11から放射状に延びて受力部材30の周縁部に固定された複数の輻状部12Aを有し、センサエレメント20は、各々の輻状部12Aに配置されている。より具体的には、センサプレート10は、受力部11から放射状に延びる3本の輻状部12Aと各輻状部12Aの間に設けられた扇形の開口部14を有している。各輻状部12Aは、たとえば、センサプレート10の周方向に120°の等角度間隔に配置されている。センサエレメント20は、各輻状部12Aの受力部11に接続された端部と周縁部に接続された端部との間に1つずつ、合計3つがセンサプレート10の中央部の受力部11の周囲に配置されている。
 本実施形態の力センサによれば、前述の実施形態1の力センサ100と同様の効果が得られるだけでなく、センサプレート10の受力部11の周囲に設けられた3つのセンサエレメント20によって、力センサに作用する力Fの軸ずれAdを、センサプレート10に平行で互いに垂直な2方向において精度よく検出することができる。また、3つのセンサエレメント20の出力を比較することで、センサエレメント20の故障判定を多数決判断によって行うことができる。また、3つのセンサエレメント20のうち1つが故障した場合でも、残りの2つによって力Fの測定とその力Fの軸ずれを精度よく検出することができる。
 なお、輻状部12Aを4本以上設け、各輻状部12Aにセンサエレメント20を配置することもできる。また、輻状部12Aは、必ずしも等角度間隔に設けなくてもよい。また、複数のセンサエレメント20において、センサプレート10の受力部11との間の距離を異ならせることで、各センサエレメント20の測定レンジを異ならせることも可能である。また、力センサに作用する力Fとその力Fによる変位が1:1で対応する場合には、力センサを変位センサとして用いることもできる。
 以上、図面を用いて本発明の実施の形態を詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。
10  センサプレート
11  受力部
12  架橋部
12A 輻状部
20  センサエレメント
22  ブリッジ回路
25  記憶演算部(制御回路)
26  記憶演算部(制御回路)
30  受力部材
31  突起部
33  凸部
100 力センサ

Claims (8)

  1.  センサプレートと、該センサプレートの受力部の周囲に設けられた複数のセンサエレメントと、を備えた力センサであって、
     各々の前記センサエレメントは、複数のひずみゲージを含むブリッジ回路を備えることを特徴とする力センサ。
  2.  前記センサプレートに対向する受力部材を備え、
     前記センサプレートの端部は、前記受力部材の周縁部に固定され、
     前記受力部は、前記センサプレートの中央部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の力センサ。
  3.  前記センサプレートは、両端部が前記受力部材の周縁部に固定され中央部が前記受力部とされた架橋部を有し、
     前記架橋部の前記受力部の両側に一対の前記センサエレメントが配置されていることを特徴とする請求項2に記載の力センサ。
  4.  前記センサプレートは、前記受力部から放射状に延びて前記受力部材の前記周縁部に固定された複数の輻状部を有し、
     前記センサエレメントは、各々の前記輻状部に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の力センサ。
  5.  前記受力部材は、前記センサプレートへ向けて突出して前記受力部に当接する突起部を有することを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか一項に記載の力センサ。
  6.  前記受力部材は、位置決め用の凸部を有することを特徴とする請求項3に記載の力センサ。
  7.  前記センサエレメントは、前記ブリッジ回路と制御回路とが半導体チップ上に集積された半導体ひずみセンサであることを特徴とする請求項1に記載の力センサ。
  8.  前記センサエレメントは、前記ブリッジ回路の出力を補正するための補正データが記憶された記憶演算部を備え、
     前記記憶演算部は、前記補正データに基づいて前記ブリッジ回路の出力を補正することを特徴とする請求項7に記載の力センサ。
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