WO2017211724A1 - Beschichteter kohlenstoffkörper in einem cvd-reaktor - Google Patents

Beschichteter kohlenstoffkörper in einem cvd-reaktor Download PDF

Info

Publication number
WO2017211724A1
WO2017211724A1 PCT/EP2017/063490 EP2017063490W WO2017211724A1 WO 2017211724 A1 WO2017211724 A1 WO 2017211724A1 EP 2017063490 W EP2017063490 W EP 2017063490W WO 2017211724 A1 WO2017211724 A1 WO 2017211724A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
outer layer
component
carbon body
inner layer
Prior art date
Application number
PCT/EP2017/063490
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Bernd Schulte
Original Assignee
Aixtron Se
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron Se filed Critical Aixtron Se
Publication of WO2017211724A1 publication Critical patent/WO2017211724A1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides

Definitions

  • the invention relates to a component for use in a CVD reactor, in which reactive gases are fed in at elevated process temperatures, in particular greater than 700 ° C., in a process chamber having the component, the component having a carbon body having a carbon body carries at least one inner layer and an outer layer having coating.
  • a CVD reactor in which a susceptor carrying a substrate, which with GaN Layers to be coated, heated to temperatures of about 700 ° C, in particular to temperatures of about 900 ° C.
  • Reactive gases are fed into the process chamber.
  • the susceptor, substrate carriers arranged inside the susceptor, walls of the process chamber and / or a ceiling of the process chamber are usually made of carbon.
  • Graphite bodies are used. In order to prevent the reactive gases from reacting with the carbon body, the carbon body is coated with a protective layer.
  • SiC is used in particular for coating.
  • SiC has the preferred property of having a reflectivity of 0.8 to 0.9, which is the reflectance vity of the layer to be deposited on the substrate, namely a GaN layer, is similar (see US Pat. No. 8,846,501 B2).
  • TaC is also used as the coating. Due to their physical properties, the cracks observed with SiC layers do not occur in a TaC layer on a carbon body. However, the reflectivity of TaC is not substantially similar to the reflectivity of GaN. In addition, it is observed that the reflectivity of a TaC layer changes during the deposition process and over several deposition processes. However, the reflection properties of the inner walls of the process chamber have a process-relevant meaning, since they the
  • US 2015/0047559 A1 discloses a graphite susceptor with a coating for the silane-ethylene or silane-propane system.
  • the coating contains alternating layers, which may consist of SiC or TaC.
  • no layer structure is disclosed such that a TaC layer is applied directly to the carbon body and the free surface is formed by a SiC layer.
  • the US 2005/0266163 AI is not concerned with CVD reactors, but with rocket engines and disclosed for this purpose coatings of, inter alia, TaC and SiC.
  • DD 213696 is not concerned with CVD reactors but with rocket drives and discloses coatings of, inter alia, TaC and SiC.
  • DE 199 19 902 A1 discloses a coated with a protective layer of TaC or SiC graphite susceptor for the CVD process, but not the particular order of the layer.
  • DE 37 19 515 A1 discloses a process for carbon coating in which a glass-forming intermediate coating is used, which may contain, inter alia, Si.
  • the prior art includes, in particular, US 2014/0004271 AI, US 4,579,080, US 2012/0258280 AI and EP 2 963 676 AI.
  • the invention is based on the object of further developing a generic component in terms of use.
  • the coating consists of two different functions having individual layers.
  • the inner layer which is preferably applied directly on the surface of the carbon body, is a shielding layer having the property of keeping reactive gases away from the surface of the carbon body.
  • the outer layer which preferably has a free surface which comes into contact with the reactive gases, is formed as a reflection layer. It has reflection properties that do not change during a deposition process, and especially after a plurality of deposition steps.
  • the outer layer can be made of a material which ages with respect to its impermeability to reactive gases, but not in terms of its optical properties.
  • the outer layer may become porous in the course of its use. However, their reflectivity does not change.
  • the inner layer may preferably consist of a material whose density does not age compared to the reactive gases, but whose optical properties are aging. The inner layer remains gas-tight even after a large number of deposition steps, but its reflectivity can change.
  • the inner layer shields the carbon body from the reactive gases, in particular NH 3 , and has a thermal expansion coefficient which is more similar to the thermal expansion coefficient of the carbon body than the thermal expansion coefficient of the outer layer.
  • the absolute value of the difference between the thermal expansion coefficient of the outer layer and the thermal expansion coefficient of the carbon body is larger than the absolute value of the difference of the thermal expansion coefficient of the inner layer from the coefficient of thermal expansion of the carbon body.
  • the inner layer may have a larger thermal expansion coefficient than the outer layer. Both layers can have a higher modulus of elasticity than the carbon body, wherein the inner layer retains its gas-tight integrity even after several heating and cooling steps, while the outer layer becomes gas permeable.
  • the inner layer consists of TaC.
  • the outer layer consists of SiC.
  • the inner layer may have a layer thickness between ⁇ and 50 ⁇ . Preferably, the layer thickness is about 30 ⁇ .
  • the outer layer may have a layer thickness of 50 ⁇ to 100 ⁇ . In a variant of the invention it is provided that the inner layer completely surrounds the carbon body. It is provided in particular that the inner layer completely surrounds the carbon body without interruption.
  • the outer layer can consist of a plurality of individual surfaces according to a variant of the invention.
  • the individual surfaces can be separated by trenches.
  • the trenches can extend linearly in regions, so that the individual surfaces are polygonal surfaces, for example hexagonal or rectangular surfaces.
  • the trenches, which divide the outer coating into a plurality of individual surfaces preferably have such a distance from one another that cracks do not form in the course of using the component in a CVD reactor within the outer layer.
  • the trenches preferably have a depth which corresponds to the layer thickness of the outer layer.
  • the bottom of the trench may be at least partially formed by the surface of the inner layer.
  • an adaptation layer is located between inner layer and outer layer.
  • the matching layer may be made of a material different from the material of the outer layer and the material of the inner layer.
  • the material of the matching layer may be a material system.
  • the adaptation layer can also be a layer sequence.
  • the matching layer may be made of the material of the inner layer hermetically gas-tightly shielding the carbon body, but a parameter such as the hardness of the coating may be varied.
  • the adjustment layer can also consist of a The layer sequence can be deposited on the inner layer such that the matching layer in the region of the interface to the inner layer having the material properties of the inner layer and in the region of its interface with the outer layer the material properties of the outer layer.
  • composition of the matching layer can thus change continuously or stepwise over the layer thickness. It is further provided that a region of the outer layer is used as a measuring surface for determining the temperature of the process temperature.
  • a pyrometer is used, with which the IR, UV or visible light emission of the outer layer is determined within the process chamber.
  • the coating consists of two layers, an inner layer which is applied directly to the carbon body and an outer layer which has the outer free surface which is exposed in particular to gases containing NH 3 .
  • the inner layer should have a thermal expansion coefficient which is more similar to the thermal expansion coefficient of the carbon body than the thermal expansion coefficient of the outer layer. For example, if the thermal expansion coefficient of the inner layer is greater than the coefficient of thermal expansion of the carbon body, then the thermal expansion coefficient of the outer layer should be even greater. If, on the other hand, the thermal expansion coefficient of the inner layer is smaller than the thermal expansion coefficient of the carbon body, then the thermal expansion coefficient of the outer view should be even smaller.
  • Layer 2 is deposited, on which an outer layer 3 is deposited;
  • FIG. 2 shows schematically the top view of a carbon body 1 according to the invention coated with at least two-layer system according to FIG. 1, wherein as a result of multiple heating of the component to a process temperature of more than 700 ° C. and subsequent cooling of the component to room temperature in the outer layer 3 cracks 4 form;
  • Fig. 4 is a plan view of the outer layer 3 and
  • Fig. 5 shows a third embodiment of the invention, in which between see inner layer 2 and outer layer 3, a matching layer 7 is provided.
  • the component shown only schematically in the drawings is a constructional element of a CVD reactor as described in US Pat is described in the introductory said prior art.
  • a CVD reactor has at least one component heated to a process temperature of at least 700 ° C., but often also at least 900 ° C., which has a main body which consists of graphite.
  • This carbon body 1 is provided with the coating 2, 3 or 2, 3, 7 described below.
  • the component may be a susceptor which can be heated, for example, by an infrared heater, an RF heater or another heater, which forms the bottom of a process chamber. On the susceptor to substrates to be coated, in particular silicon or III-V substrates rest.
  • the component is a substrate carrier which is arranged in a pocket of the susceptor.
  • Such a substrate carrier may have a circular disk shape and lie on a gas cushion, wherein the gas flow forming the gas cushion is conducted so that the substrate carrier is set in a rotation about its axis of figures.
  • One or more substrates may be arranged on the substrate carrier.
  • the component is a side wall of the process chamber or a top plate of the process chamber. A subregion of the component can form a measuring surface whose temperature radiation is measured with a pyrometer in order to determine the temperature of the component or the process temperature.
  • the CVD reactor has a gas inlet member through which process gases are fed into the process chamber.
  • the process gases contain organometallic compounds, for example TMGa.
  • the process gases also contain hydrides, for example NH 3 .
  • III-V layers are deposited, in particular GaN layers.
  • contemporary component is used in such a CVD reactor.
  • the component shown roughly schematically in the drawings is coated on at least one surface section, but preferably on the entire outer surface, with a coating consisting of an inner layer 2 and an outer layer 3.
  • the coating can be applied pyrolytically in successive steps, as described in the relevant prior art.
  • a first layer 2 is deposited on a cleaned or otherwise pretreated surface 1 'of a carbon body 1.
  • This layer is a shield layer, which shields the carbon body 1 hermetically against reactive gases, in particular NH 3.
  • the shielding layer 2 has such a hardness or such a modulus of elasticity that it does not leak to the reactive gas even after multiple heating to a process temperature above 700 ° C., preferably above 900 ° C., and subsequent cooling to room temperature.
  • the inner layer 2 does not get any cracks or other openings or imperfections through which reactive gases can pass from the outside to the carbon body 1.
  • the inner layer 2 has a thermal expansion coefficient which is sufficiently similar to the coefficient of thermal expansion of the carbon body 1.
  • an outer layer 3 is deposited directly on the inner layer 2.
  • the outer layer 3 has the property of a constant reflectivity, which does not change even after a multiple heating to process temperature and subsequent cooling to room temperature and also not by a chemical or physical reaction with the process gases changed.
  • the reflectivity of the outer layer 3 essentially corresponds to the reflectivity of the layer which is deposited on the substrate within the process chamber, in particular the reflectivity of GaN.
  • the layer system described in the exemplary embodiments consists of an inner layer 2 of TaC, which is deposited directly on the surface 1 'of the carbon body 1 and of an outer layer 3, which has a free surface facing the process chamber, wherein the outer layer 3 consists of SiC.
  • the outer layer 3 is deposited directly on the inner layer 2.
  • the inner layer 2 can change its reflectivity over time, the reflectivity of the outer layer 3 remains constant in the course of use of the component. While the tightness of the outer layer 3 may change over time, for example as a result of the formation of the cracks 4 shown in FIG. 2, the tightness of the inner layer 2 remains the same during the majority of successive coating steps.
  • the outer layer 3 is divided by a plurality of rectilinear and intersecting trenches 5 in a plurality of individual surfaces 6. This avoids the formation of larger cracks 4.
  • the thermal expansion coefficient of the outer layer 3 may be smaller than the thermal expansion coefficient of the inner layer 2.
  • the thermal expansion coefficient of the outer layer 3 may also be greater than the thermal expansion coefficient of the inner layer 2.
  • the value of the thermal expansion coefficient of the inner Layer 2 is but preferably less than the value of the thermal expansion coefficient of the carbon body 1 spaced as the value of the thermal expansion coefficient of the outer layer 3, the layer thickness between 50 ⁇ and 100 ⁇ can be.
  • the trenches 5 may extend to the surface of the inner layer 2.
  • the trenches 5 may have a V-shaped cross-section. But they can also have a rounded cross-section.
  • the trenches 5 can be etched into the upper layer 3. But they can also be generated mechanically, for example by a machining process. FIG.
  • the adaptation layer 7 may be a layer system composed of a plurality of individual layers.
  • the matching layer can be achieved that the tendency of cracking in the outer layer 3 is reduced.
  • a parameter of the matching layer for example its hardness or its modulus of elasticity or also an optical property, can change over the layer thickness.
  • the trenches 5 shown in Figures 3 and 4 may be provided, wherein the trenches 5 may extend into the matching layer 7 or only to adjacent to the matching layer 7.
  • the trenches 5 can also extend to the surface of the hermetically gastight layer 3.
  • the coating of a carbon body 1 according to the invention in which two functional layers are provided which have mutually different properties, on the one hand it is ensured that the reactants Onsgase even after prolonged use of the component in a CVD reactor do not react with the graphite body and on the other hand, the reflectivity of the surface of the component does not change even after prolonged use and in particular retains a value, which is substantially the same in the process chamber deposited layer, which is preferably a GaN layer retains, so that the surface facing the process chamber of the coated component can also be used as a measuring surface for measuring the process temperature by means of a pyrometer, which can be accepted that in a prolonged use of the component within the outer layer 3 form cracks 4.
  • a component which is characterized in that the inner layer 2 is a shielding layer which shields the carbon body 1 from the reactive gases and the outer layer is a reflection layer whose reflectivity does not change due to the presence of the reactive gases at the process temperatures.
  • a component which is characterized in that the inner layer 2 is applied directly to the carbon body 1 and the outer layer 3 has a free surface 3 '.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Bauteil, nämlich Suszeptor oder Substrathalter eines CVD-Reaktors, in dem bei erhöhten Prozesstemperaturen von insbesondere mehr als 700°C in einer das Bauteil aufweisenden Prozesskammer reaktive Gase eingespeist werden, wobei das Bauteil einen Kohlenstoffkörper (1) aufweist, der eine zumindest eine innere Schicht (2) und eine äußere Schicht (3) aufweisende Beschichtung trägt. Zur gebrauchsvorteilhaften Weiterbildung wird vorgeschlagen, dass die innere Schicht (2) eine Abschirmschicht bspw. aus TaC ist, die den Kohlenstoffkörper (1) gegenüber den reaktiven Gasen abschirmt und die äußere Schicht eine Reflektionsschicht bspw. aus SiC ist, deren Reflektivität sich durch die Anwesenheit der reaktiven Gase bei den Prozesstemperaturen nicht ändert.

Description

Beschreibung
Beschichteter Kohlenstoffkörper in einem CVD-Reaktor Gebiet der Technik
[0001] Die Erfindung betrifft ein Bauteil zur Verwendung in einem CVD- Reaktor, in dem bei erhöhten Prozesstemperaturen insbesondere von mehr als 700° C in einer das Bauteil aufweisenden Prozesskammer reaktive Gase einge- speist werden, wobei das Bauteil einen Kohlenstoffkörper aufweist, der eine zumindest eine innere Schicht und eine äußere Schicht aufweisende Beschich- tung trägt.
Stand der Technik
[0002] Bei einem Hochtemperatur-CVD- Verfahren zur Herstellung von weißen oder blauen Leuchtdioden, wie es in der DE 199 19 902 AI beschrieben wird, wird ein CVD-Reaktor verwendet, bei dem ein Suszeptor, der ein Substrat trägt, welches mit GaN-Schichten beschichtet werden soll, auf Temperaturen von über 700°C, insbesondere auf Temperaturen von über 900°C aufgeheizt. In die Prozesskammer werden reaktive Gase eingespeist. Die reaktiven Gase enthalten NH3. Der Suszeptor, innerhalb des Suszeptors angeordnete Substratträ- ger, Wände der Prozesskammer und/ oder eine Decke der Prozesskammer werden üblicherweise aus Kohlenstoff gefertigt. Es werden Graphitkörper verwendet. Um zu vermeiden, dass die reaktiven Gase mit dem Kohlenstoffkörper reagieren, wird der Kohlenstoffkörper mit einer Schutzschicht beschichtet.
[0003] Derart beschichtete Graphitkörper bzw. Kohlenstoffkörper werden in der DE 37 19 515 AI bzw. in der DE 10 2014 109 327 AI beschrieben.
[0004] Zur Beschichtung wird insbesondere SiC verwendet. SiC hat die bevorzugte Eigenschaft, eine Reflektivität von 0,8 bis 0,9 zu besitzen, die der Reflekti- vität der auf dem Substrat abzuscheidenden Schicht, nämlich einer GaN-Schicht, ähnlich ist (siehe US 8,846,501 B2).
[0005] Aufgrund ihrer physikalischen Eigenschaft bilden sich nach einem mehrmaligen Aufheizen und Abkühlen des Bauteils innerhalb der SiC-Schicht Risse, die die SiC-Schicht durchlässig für die reaktiven Gase macht, so dass die unerwünschten Reaktionen zwischen den reaktiven Gasen und dem Kohlenstoffkörper stattfinden kann.
[0006] Alternativ zu SiC wird auch TaC als Beschichtung verwendet. Aufgrund ihrer physikalischen Eigenschaften treten die bei SiC-Schichten beobach- teten Risse bei einer TaC-Schicht auf einem Kohlenstoffkörper nicht auf. Allerdings ist die Reflektivität von TaC aber nicht im Wesentlichen ähnlich der Reflektivität von GaN. Darüber hinaus wird beobachtet, dass sich die Reflektivität einer TaC-Schicht während des Depositionsprozesses und über mehrere Depo- sitionsprozesse hinaus ändert. Die Reflektionseigenschaften der Innenwände der Prozesskammer hat aber eine prozessrelevante Bedeutung, da sie den
Wärmehaushalt und insbesondere den lateralen Temperaturgradienten auf der Suszeptoroberfläche bzw. den Substratoberflächen beeinträchtigt.
[0007] Die US 2015 / 0047559 AI offenbart einen aus Graphit bestehenden Sus- zeptor mit einer Beschichtung für das System Silan-Ethylen bzw. Silan-Propan. Die Beschichtung enthält sich abwechselnde Schichten, die aus SiC oder TaC bestehen können. Offenbart wird aber kein Schichtaufbau derart, dass eine TaC- Schicht unmittelbar auf den Kohlenstoffkörper aufgebracht ist und die freie Oberfläche von einer SiC-Schicht ausgebildet ist. [0008] Die US 2005/0266163 AI befasst sich nicht mit CVD-Reaktoren, sondern mit Raketenantrieben und offenbart hierzu Beschichtungen aus unter anderem TaC und SiC.
[0009] Die DD 213696 befasst sich nicht mit CVD-Reaktoren, sondern mit Ra- ketenantrieben und offenbart hierzu Beschichtungen aus unter anderem TaC und SiC.
[0010] Die DE 199 19 902 AI offenbart einen mit einer Schutzschicht aus TaC oder SiC beschichteten Graphitsuszeptor für den CVD-Prozess, nicht jedoch die besondere Reihenfolge der Schicht. [0011] Die DE 37 19 515 AI offenbart ein Verfahren zur Kohlenstoffbeschich- tung, bei dem eine glasbildende Zwischenbeschichtung verwendet wird, die unter anderem Si enthalten kann.
[0012] Zum Stand der Technik zählen insbesondere auch die US 2014 / 0004271 AI, US 4,579,080, US 2012/0258280 AI und EP 2 963 676 AI.
Zusammenfassung der Erfindung [0013] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein gattungsgemäßes Bauteil gebrauchsvorteilhaft weiterzubilden.
[0014] Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen des Hauptanspruchs darstellen, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufga- be. [0015] Zunächst und im Wesentlichen besteht die Beschichtung aus zwei unterschiedlichen Funktionen aufweisenden Einzelschichten. Die innere Schicht, die bevorzugt unmittelbar auf der Oberfläche des Kohlenstoffkörpers aufgebracht ist, ist eine Abschirmschicht, die die Eigenschaft aufweist, reaktive Gase von der Oberfläche des Kohlenstoffkörpers fernzuhalten. Die äußere Schicht, die bevorzugt eine freie Oberfläche aufweist, die in Kontakt zu den reaktiven Gasen tritt, ist als Reflektionsschicht ausgebildet. Sie besitzt Reflektionseigen- schaften, die sich während eines Abscheideprozesses und insbesondere nach einer Vielzahl von Abscheidungsschritten nicht ändert. Die äußere Schicht kann aus einem Material bestehen, welches hinsichtlich seiner Dichtigkeit gegenüber reaktiven Gasen altert, nicht jedoch hinsichtlich seiner optischen Eigenschaften. Die äußere Schicht kann im Laufe ihrer Verwendung porös werden. Ihre Re- flektivität ändert sich jedoch nicht. Die innere Schicht kann bevorzugt aus einem Material bestehen, dessen Dichtigkeit gegenüber den reaktiven Gasen nicht altert, deren optische Eigenschaften aber altern. Die innere Schicht bleibt auch nach einer Vielzahl von Depositionsschritten gasdicht, ihre Reflektivität kann sich aber ändern. Es ist insbesondere vorgesehen, dass die innere Schicht den Kohlenstoffkörper gegenüber den reaktiven Gasen, insbesondere NH3, abschirmt und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Kohlenstoffkörpers ähnlicher ist als der thermische Ausdehnungskoeffizient der äußeren Schicht. Der Absolutwert der Differenz zwischen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der äußeren Schicht und dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Kohlenstoffkörpers ist größer als der Absolutwert der Differenz des thermischen Aus- dehnungskoeffizienten der inneren Schicht vom thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Kohlens toffkörpers. Die innere Schicht kann einen größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen als die äußere Schicht. Beide Schichten können ein höheres Elastizitätsmodul aufweisen als der Kohlenstoffkörper, wobei die innere Schicht auch nach mehreren Aufheiz- und Abkühl- schritten ihre gasdichte Geschlossenheit beibehält, während die äußere Schicht gasdurchlässig wird. In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung besteht die innere Schicht aus TaC. In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung besteht die äußere Schicht aus SiC. Die innere Schicht kann eine Schichtdicke zwischen ΙΟμηι und 50μιη aufweisen. Bevorzugt liegt die Schichtdicke bei etwa 30 μτη. Die äußere Schicht kann eine Schichtdicke von 50 μ bis 100 μτη aufweisen. In einer Variante der Erfindung ist vorgesehen, dass die innere Schicht den Kohlenstoffkörper vollständig umgibt. Es ist insbesondere vorgesehen, dass die innere Schicht den Kohlenstoffkörper unterbrechungsfrei vollständig umgibt. Es ist aber auch möglich, dass lediglich eine zur Prozesskammer weisende Wand des Kohlenstoff körpers mit der inneren Schicht bzw. der zumindest zwei Schichten aufweisenden Beschichtung beschichtet ist. Die äußere Schicht kann gemäß einer Variante der Erfindung aus einer Vielzahl von Einzelflächen bestehen. Die Einzelflächen können durch Gräben voneinander getrennt sein. Die Gräben können bereichsweise geradlinig verlaufen, so dass die Einzelflächen Mehrkantflächen, beispielsweise hexagonale oder rechteckige Flächen sind. Die Gräben, die die äußere Beschichtung in eine Vielzahl von Einzelflächen aufteilen, besitzen bevorzugt einen derartigen Abstand voneinander, dass sich im Zuge der Verwendung des Bauteiles in einem CVD-Reaktor innerhalb der äußeren Schicht keine Risse ausbilden. Die Gräben besitzen bevorzugt eine Tiefe, die der Schichtdicke der äußeren Schicht entspricht. Der Boden des Grabens kann zumindest bereichsweise von der Oberfläche der inneren Schicht ausgebildet sein. In einer Variante der Erfindung befindet sich zwischen innerer Schicht und äußerer Schicht eine Anpassungsschicht. Die Anpassungsschicht kann aus einem Material bestehen, das vom Material der äußeren Schicht und vom Material der inneren Schicht verschieden ist. Das Material der Anpassungsschicht kann ein Materialsystem sein. Die Anpassungsschicht kann auch eine Schichtenfolge sein. Die Anpassungsschicht kann aus dem Material der den Kohlenstoffkörper hermetisch gasdicht abschirmenden inneren Schicht bestehen, wobei allerdings ein Parameter, wie beispielsweise die Härte der Be- Schichtung, variiert werden kann. Die Anpassungsschicht kann auch aus einer Materialmischung bestehen, beispielsweise aus dem Material der inneren BeSchichtung und der äußeren Beschichtung, die Schichtenfolge kann derart auf die innere Schicht abgeschieden werden, dass die Anpassungsschicht im Bereich der Grenzfläche zur inneren Schicht die Materialeigenschaft der inneren Schicht aufweist und im Bereich ihrer Grenzfläche zur äußeren Schicht die Materialeigenschaften der äußeren Schicht. Die Zusammensetzung der Anpassungsschicht kann sich somit über die Schichtdicke kontinuierlich oder schrittweise ändern. Es ist ferner vorgesehen, dass ein Bereich der äußeren Schicht als Messfläche zur Temperaturermittlung der Prozesstemperatur verwendet wird. Hierzu wird ein Pyrometer verwendet, mit dem die IR-, UV- oder sichtbare Lichtemission der äußeren Schicht innerhalb der Prozesskammer ermittelt wird.
[0016] Erfindungs gemäß besteht die Beschichtung aus zwei Schichten, einer inneren Schicht, die unmittelbar auf den Kohlenstoffkörper aufgebracht ist und einer äußeren Schicht, die die äußere freie Oberfläche aufweist, die insbesondere NH3 enthaltenden Gasen ausgesetzt ist. Die innere Schicht soll einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, der dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Kohlenstoffkörpers ähnlicher ist, als der thermische Ausdehnungskoeffizient der äußeren Schicht. Ist beispielsweise der thermische Ausdehnungskoeffizient der inneren Schicht größer als der thermische Ausdehnungskoeffizient des Kohlenstoffkörpers, so soll der thermische Ausdehnungskoeffizient der äußeren Schicht noch größer sein. Ist hingegen der thermische Ausdehnungskoeffizient der inneren Schicht kleiner als der thermische Ausdehnungskoeffizient des Kohlenstoffkörpers, so soll der thermische Aus- dehnungskoeffizient der äußeren Sicht noch kleiner sein. Kurze Beschreibung der Zeichnungen
[0017] Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen: schematisch einen Schnitt durch einen oberflächennahen Bereich eines Bauteils eines ersten Ausführungsbeispiels bestehend aus einem Kohlenstoffgrundkörper 1, auf dem eine innere
Schicht 2 abgeschieden ist, auf welcher eine äußere Schicht 3 abgeschieden ist;
Fig. 2 schematisch die Draufsicht auf einen erfindungsgemäß mit einem mindestens Zweischichtsystem beschichteten Kohlenstoffkörper 1 gemäß Fig. 1, wobei sich als Folge eines mehrfachen Aufheizens des Bauteils auf eine Prozesstemperatur von mehr als 700°C und anschließendem Abkühlen des Bauteils auf Raumtemperatur in der äußeren Schicht 3 Risse 4 ausbilden;
Figure imgf000009_0001
Fig. 4 eine Draufsicht auf die äußere Schicht 3 und
Fig. 5 ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem zwi- sehen innerer Schicht 2 und äußerer Schicht 3 eine Anpassungsschicht 7 vorgesehen ist.
Beschreibung der Ausführungsformen [0018] Bei dem in den Zeichnungen lediglich schematisch dargestellten Bauteil handelt es sich um ein konstruktives Element eines CVD-Reaktors, wie er in dem einleitend genannten Stand der Technik beschrieben wird. Ein derartiger CVD-Reaktor besitzt zumindest ein auf eine Prozesstemperatur von zumindest 700°C, oft aber auch zumindest 900°C aufgeheiztes Bauteil, welches einen Grundkörper aufweist, der aus Graphit besteht. Dieser Kohlenstoffkörper 1 ist mit der im Folgenden beschriebenen Beschichtung 2, 3 bzw. 2, 3, 7 versehen.
[0019] Bei dem Bauteil kann es sich um einen beispielsweise von einer Infrarotheizung, einer RF-Heizung oder einer anderweitigen Heizung beheizbaren Suszeptor handeln, der den Boden einer Prozesskammer ausbildet. Auf dem Suszeptor können zu beschichtende Substrate, insbesondere Silizium oder III- V-Substrate aufliegen. Es ist aber auch vorgesehen, dass es sich bei dem Bauteil um einen Substratträger handelt, der in einer Tasche des Suszeptors angeordnet ist. Ein derartiger Substratträger kann eine kreisscheibenförmige Gestalt aufweisen und auf einem Gaspolster liegen, wobei der das Gaspolster ausbildende Gasstrom so geleitet wird, dass der Substratträger in eine Drehung um seine Figurenachse versetzt wird. Auf dem Substratträger können ein oder mehrere Substrate angeordnet sein. Es ist auch vorgesehen, dass es sich bei dem Bauteil um eine Seitenwand der Prozesskammer oder um eine Deckenplatte der Prozesskammer handelt. Ein Teilbereich des Bauteils kann eine Messfläche ausbilden, deren Temperaturstrahlung mit einem Pyrometer gemessen wird, um die Temperatur des Bauteils bzw. die Prozesstemperatur zu ermitteln.
[0020] Der CVD-Reaktor besitzt ein Gaseinlassorgan, durch welches Prozessgase in die Prozesskammer eingespeist werden. Die Prozessgase enthalten metallorganische Verbindungen, beispielsweise TMGa. Die Prozessgase enthalten auch Hydride, beispielsweise NH3. In der Prozesskammer werden III-V- Schichten abgeschieden, insbesondere GaN-Schichten. [0021] Erfindungs emäß wird das erfindungs gemäße Bauteil in einem derartigen CVD-Reaktor verwendet. Das in den Zeichnungen grob schematisch dargestellte Bauteil ist zumindest auf einem Flächenabschnitt, bevorzugt aber auf der gesamten Außenoberfläche, mit einem aus einer inneren Schicht 2 und einer äußeren Schicht 3 bestehenden Beschichtung beschichtet. Die Beschichtung kann in aufeinander folgenden Schritten pyrolytisch aufgebracht werden, wie es im einschlägigen Stand der Technik beschrieben wird.
[0022] Erfindungsgemäß wird auf eine gereinigte oder anderweitig vorbehandelte Oberfläche 1' eines Kohlenstoff körpers 1 eine erste Schicht 2 abgeschieden. Bei dieser Schicht handelt es sich um eine Abschirmschicht, die den Kohlenstoffkörper 1 hermetisch gegen reaktive Gase, insbesondere gegen NH3 abschirmt. Die Abschirmschicht 2 besitzt eine derartige Härte bzw. ein derartiges Elastizitätsmodul, dass sie auch nach einem mehrfachen Aufheizen auf eine Prozesstemperatur oberhalb von 700°C, bevorzugt oberhalb von 900°C, und anschließendem Abkühlen auf Raumtemperatur keine Undichtigkeit gegenüber dem reaktiven Gas bekommt. Die innere Schicht 2 bekommt insbesondere keine Risse oder anderweitige Öffnungen oder Fehlstellen, durch die reaktive Gase von außen bis zum Kohlenstoffkörper 1 hindurchtreten können. Die innere Schicht 2 besitzt insbesondere einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Kohlenstoffkörpers 1 in ausreichender Weise ähnlich ist.
[0023] Bei dem in den Figuren 1 und 2 dargestellten ersten Ausführungsbeispiel wird unmittelbar auf die innere Schicht 2 eine äußere Schicht 3 abgeschieden. Die äußere Schicht 3 hat die Eigenschaft einer konstanten Reflektivität, die sich auch nach einem mehrfachen Aufheizen auf Prozesstemperatur und anschließendem Abkühlen auf Raumtemperatur nicht ändert und die sich auch nicht durch eine chemische oder physikalische Reaktion mit den Prozessgasen verändert. Die Reflektivität der äußeren Schicht 3 entspricht im Wesentlichen der Reflektivität der Schicht, die innerhalb der Prozesskammer auf dem Substrat abgeschieden wird, insbesondere der Reflektivität von GaN. Das in den Ausführungsbeispielen beschriebene Schichtensystem besteht aus einer inneren Schicht 2 aus TaC, die unmittelbar auf die Oberfläche 1' des Kohlenstoff kör- pers 1 abgeschieden ist und aus einer äußeren Schicht 3, die eine freie Oberfläche aufweist, die zur Prozesskammer weist, wobei die äußere Schicht 3 aus SiC besteht.
[0024] Bei dem in den Figuren 1 bis 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die äußere Schicht 3 unmittelbar auf die innere Schicht 2 abgeschieden.
[0025] Während die innere Schicht 2 im Laufe der Zeit ihre Reflektivität ändern kann, bleibt die Reflektivität der äußeren Schicht 3 im Laufe der Verwendung des Bauteils konstant. Während sich die Dichtigkeit der äußeren Schicht 3 im Laufe der Zeit ändern kann, beispielsweise durch Entstehen der in der Fi- gur 2 dargestellten Risse 4, bleibt die Dichtigkeit der inneren Schicht 2 während der Mehrzahl der aufeinander folgenden Beschichtungsschritte gleich.
[0026] Bei dem in den Figuren 3 und 4 dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel ist die äußere Schicht 3 durch eine Vielzahl geradlinig verlaufender und sich kreuzender Gräben 5 in eine Vielzahl von Einzelflächen 6 unterteilt. Hier- durch wird die Bildung größerer Risse 4 vermieden.
[0027] Der thermische Ausdehnungskoeffizient der äußeren Schicht 3 kann kleiner sein als der thermische Ausdehnungskoeffizient der inneren Schicht 2. Der thermische Ausdehnungskoeffizient der äußeren Schicht 3 kann aber auch größer sein als der thermische Ausdehnungskoeffizient der inneren Schicht 2. Der Wert des thermischen Ausdehnungskoeffizienten der inneren Schicht 2 ist bevorzugt aber geringer vom Wert des thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Kohlenstoffkörpers 1 beabstandet als der Wert des thermischen Ausdehnungskoeffizienten der äußeren Schicht 3, deren Schichtdicke zwischen 50 μιτι und 100 μιτι betragen kann. [0028] Die Gräben 5 können sich bis zur Oberfläche der inneren Schicht 2 erstrecken. Die Gräben 5 können einen V-Querschnitt aufweisen. Sie können aber auch einen gerundeten Querschnitt aufweisen. Die Gräben 5 können in die obere Schicht 3 eingeätzt werden. Sie können aber auch mechanisch erzeugt werden, beispielsweise durch ein spanabhebendes Verfahren. [0029] Die Figur 5 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel, bei dem zwischen der inneren Schicht 2 und der äußeren Schicht 3 eine Anpassungsschicht 7 angeordnet ist. Bei der Anpassungsschicht 7 kann es sich um ein Schichtsystem aus einer Mehrzahl von Einzelschichten handeln. Mit der Anpassungsschicht kann erreicht werden, dass sich die Tendenz der Rissbildung in der äußeren Schicht 3 vermindert. Ein Parameter der Anpassungsschicht, beispielsweise deren Härte oder deren Elastizitätsmodul oder auch eine optische Eigenschaft, kann sich über die Schichtdicke ändern.
[0030] Auch beim dritten Ausführungsbeispiel gemäß Figur 5 können die in den Figuren 3 und 4 dargestellten Gräben 5 vorgesehen sein, wobei sich die Gräben 5 bis in die Anpassungsschicht 7 oder nur bis angrenzend an die Anpassungsschicht 7 erstrecken können. Die Gräben 5 können sich aber auch bis zur Oberfläche der hermetisch gasdichten Schicht 3 erstrecken.
[0031] Mit der erfindungs gemäßen Beschichtung eines Kohlenstoffkörpers 1, bei welchem zwei Funktionsschichten vorgesehen sind, die voneinander ver- schiedene Eigenschaften aufweisen, ist einerseits sichergestellt, dass die Reakti- onsgase auch nach einer längeren Verwendung des Bauteiles in einem CVD- Reaktor nicht mit dem Graphitgrundkörper reagieren und andererseits die Re- flektivität der Oberfläche des Bauteils sich auch nach einer längeren Verwendung nicht ändert und insbesondere einen Wert behält, der im Wesentlichen dem der in der Prozesskammer abgeschiedenen Schicht, die bevorzugt eine GaN-Schicht ist, behält, so dass die zur Prozesskammer weisende Oberfläche des beschichteten Bauteils auch als Messfläche zum Messen der Prozesstemperatur mittels eines Pyrometers verwendet werden kann, wobei in Kauf genommen werden kann, dass sich bei einer längeren Verwendung des Bauteiles in- nerhalb der äußeren Schicht 3 Risse 4 ausbilden.
[0032] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, nämlich: [0033] Ein Bauteil, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die innere Schicht 2 eine Abschirmschicht ist, die den Kohlenstoffkörper 1 gegenüber den reaktiven Gasen abschirmt und die äußere Schicht eine Reflektionsschicht ist, dessen Re- flektivität sich durch die Anwesenheit der reaktiven Gase bei den Prozesstemperaturen nicht ändert. [0034] Ein Bauteil, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die reaktiven Gase NH3 enthalten und die innere Schicht 2 den Kohlenstoffkörper 1 gegenüber NH3 abschirmt und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten ähnlicher ist als der thermische Ausdehnungskoeffizient der äußeren Schicht 3. [0035] Ein Bauteil, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die innere Schicht 2 unmittelbar auf dem Kohlenstoffkörper 1 aufgebracht ist und die äußere Schicht 3 eine freie Oberfläche 3' aufweist.
[0036] Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekenn- zeichnet, dass Reflektivität der äußeren Schicht 3 0,8 bis 0,9 beträgt.
[0037] Ein Bauteil, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Reflektivität der äußeren Schicht 3 der Reflektivität der in der Prozesskammer abgeschiedenen Schicht, insbesondere einer GaN-Schicht entspricht oder zumindest ähnlich ist.
[0038] Ein Bauteil, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die innere Schicht 2 eine TaC-Schicht ist und/ oder dass die äußere Schicht 3 eine SiC-Schicht ist.
[0039] Ein Bauteil, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schichtdicke der inneren Schicht 2 10 bis 50 μιη beträgt.
[0040] Ein Bauteil, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schichtdicke der äußeren Schicht 3 50 bis 100 μιτι beträgt. [0041] Ein Bauteil, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die innere Schicht 2 unterbrechungsfrei die Oberfläche des Kohlenstoffkörpers 1 abdeckt.
[0042] Ein Bauteil, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die äußere Schicht 3 aus einer Vielzahl von nicht miteinander zusammenhängenden Einzelflächen 6 besteht, wobei die Einzelflächen 6 insbesondere durch Gräben 5 voneinander getrennt sind. [0043] Ein Bauteil, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die äußere Schicht 3 eine derartige Schichtdicke aufweist und aus einem derartigen Material besteht, dass sich in ihr ohne das Vorhandensein der die äußere Schicht 3 in Einzelflächen 6 aufteilenden Gräben 5 bei den Prozesstemperaturen Risse ausbilden. [0044] Ein Bauteil, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die äußere Schicht 3 eine Messfläche ausbildet zur Ermittlung der Prozesstemperatur mittels eines Pyrometers.
[0045] Eine Verwendung eines Bauteiles gemäß einem der vorangehenden Ansprüche in einem CVD-Reaktor, bei dem durch Einspeisen von reaktiven Gasen, die NH3 enthalten, eine GaN-Schicht abgeschieden wird.
[0046] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.
Liste der Bezugszeichen
1 Kohlenstoffkörper Oberfläche
2 innere Schicht
3 äußere Schicht
4 Riss
5 Graben
6 Einzelfläche
7 Anpassungsschicht

Claims

Ansprüche
1. Bauteil, nämlich Suszeptor oder Substrathalter eines CVD-Reaktors, in dem bei erhöhten Prozesstemperaturen von insbesondere mehr als 700° C in einer das Bauteil aufweisenden Prozesskammer reaktive Gase eingespeist werden, wobei das Bauteil einen Kohlenstoffkörper (1) aufweist, der eine zumindest eine innere Schicht (2) und eine äußere Schicht (3) aufweisende Beschichtung trägt, dadurch gekennzeichnet, dass die innere Schicht (2) eine Abschirmschicht gegenüber NH3 ist, die den Kohlenstoffkörper (1) gegenüber den reaktiven Gasen abschirmt und die äußere Schicht eine Reflektions Schicht ist, dessen Reflektivität sich durch die An- Wesenheit der reaktiven Gase bei den Prozesstemperaturen nicht ändert, wobei die innere Schicht (2) einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Kohlenstoffkörpers (1) ähnlicher ist als der thermische Ausdehnungskoeffizient der äußeren Schicht (3) und die innere Schicht (2) unmittelbar auf dem Kohlenstoffkörper (1) aufgebracht ist und die äußere Schicht (3) eine freie
Oberfläche (31) aufweist.
2. Verwendung eines Bauteils, das einen Kohlenstoffkörper (1) aufweist, der zumindest eine innere Schicht (2) und eine äußere Schicht (3) aufweisende Beschichtung trägt, wobei die innere Schicht (2) eine Abschirmschicht ge- genüber NH3 ist und die äußere Schicht eine Reflektions Schicht ist, deren
Reflektivität sich durch die Anwesenheit von NH3 nicht ändert, in einem CVD-Reaktor, bei dem durch Einspeisen von reaktiven Gasen, die NH3 enthalten, eine GaN-Schicht abgeschieden wird.
3. Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich- net, dass Reflektivität der äußeren Schicht (3) 0,8 bis 0,9 beträgt.
4. Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflektivität der äußeren Schicht (3) der Reflektivität der in der Prozesskammer abgeschiedenen Schicht, insbesondere einer GaN- Schicht entspricht oder zumindest ähnlich ist.
Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die innere Schicht (2) eine TaC-Schicht ist und/ oder dass die äußere Schicht (3) eine SiC-Schicht ist.
6. Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke der inneren Schicht (2) 10 bis 50 μιτι beträgt.
Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke der äußeren Schicht (3) 50 bis 100 μιτι beträgt.
8. Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die innere Schicht (2) unterbrechungsfrei die Oberfläche des Kohlenstoffkörpers (1) abdeckt.
Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die äußere Schicht (3) aus einer Vielzahl von nicht miteinander zusammenhängenden Einzelflächen (6) besteht, wobei die Einzelflächen (6) insbesondere durch Gräben (5) voneinander getrennt sind.
Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die äußere Schicht (3) eine derartige Schichtdicke aufweist und aus einem derartigen Material besteht, dass sich in ihr ohne das Vorhandensein der die äußere Schicht (3) in Einzelflächen (6) aufteilenden Gräben (5) bei den Prozesstemperaturen Risse ausbilden.
11. Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die äußere Schicht (3) eine Messfläche ausbildet zur Ermittlung der Prozesstemperatur mittels eines Pyrometers.
12. Verwendung eines Bauteiles gemäß einem der vorangehenden Ansprüche in einem CVD-Reaktor, bei dem durch Einspeisen von reaktiven Gasen, die NH3 enthalten, eine GaN-Schicht abgeschieden wird.
13. Bauteil und Verwendung, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
PCT/EP2017/063490 2016-06-06 2017-06-02 Beschichteter kohlenstoffkörper in einem cvd-reaktor WO2017211724A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016110408.6 2016-06-06
DE102016110408.6A DE102016110408A1 (de) 2016-06-06 2016-06-06 Beschichteter Kohlenstoffkörper in einem CVD-Reaktor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017211724A1 true WO2017211724A1 (de) 2017-12-14

Family

ID=59152824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2017/063490 WO2017211724A1 (de) 2016-06-06 2017-06-02 Beschichteter kohlenstoffkörper in einem cvd-reaktor

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102016110408A1 (de)
WO (1) WO2017211724A1 (de)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD213696A1 (de) 1983-02-14 1984-09-19 Verfahren zur Herstellung Hemmender Schichten auf Werkzeugen und Verschliessteilen
US4579080A (en) 1983-12-09 1986-04-01 Applied Materials, Inc. Induction heated reactor system for chemical vapor deposition
DE3719515A1 (de) 1986-06-11 1994-01-20 Air Prod & Chem Oxidationsbeständiger Körper aus Kohlenstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19919902A1 (de) 1999-04-30 2000-11-02 Aixtron Ag Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers, der insbesondere in einem Hochtemperatur-CVD-Reaktor bzw. bei einem Hochtemperatur-CVD-Verfahren unter Einsatz agressiver Gase Verwendung findet
US20050266163A1 (en) 2002-11-12 2005-12-01 Wortman David J Extremely strain tolerant thermal protection coating and related method and apparatus thereof
US20120258280A1 (en) 2011-04-11 2012-10-11 Applied Materials, Inc. Extended life textured chamber components and method for fabricating same
DE102013204566A1 (de) * 2012-06-07 2013-12-12 Mitsubishi Electric Corporation Substratträger und Halbleiterherstellungsvorrichtung
US20140004271A1 (en) 2010-10-25 2014-01-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Process for coating a part with an oxidation-protective coating
US8846501B2 (en) 2009-06-15 2014-09-30 Aixtron Se Method for equipping an epitaxy reactor
US20150047559A1 (en) 2012-03-21 2015-02-19 Lg Innotek Co., Ltd. Susceptor and wafer holder
EP2963676A1 (de) 2013-02-27 2016-01-06 Toyo Tanso Co., Ltd. Suszeptor
DE102014109327A1 (de) 2014-07-03 2016-01-07 Aixtron Se Beschichtetes flaches scheibenförmiges Bauteil in einem CVD-Reaktor

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD213696A1 (de) 1983-02-14 1984-09-19 Verfahren zur Herstellung Hemmender Schichten auf Werkzeugen und Verschliessteilen
US4579080A (en) 1983-12-09 1986-04-01 Applied Materials, Inc. Induction heated reactor system for chemical vapor deposition
DE3719515A1 (de) 1986-06-11 1994-01-20 Air Prod & Chem Oxidationsbeständiger Körper aus Kohlenstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19919902A1 (de) 1999-04-30 2000-11-02 Aixtron Ag Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers, der insbesondere in einem Hochtemperatur-CVD-Reaktor bzw. bei einem Hochtemperatur-CVD-Verfahren unter Einsatz agressiver Gase Verwendung findet
US20050266163A1 (en) 2002-11-12 2005-12-01 Wortman David J Extremely strain tolerant thermal protection coating and related method and apparatus thereof
US8846501B2 (en) 2009-06-15 2014-09-30 Aixtron Se Method for equipping an epitaxy reactor
US20140004271A1 (en) 2010-10-25 2014-01-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Process for coating a part with an oxidation-protective coating
US20120258280A1 (en) 2011-04-11 2012-10-11 Applied Materials, Inc. Extended life textured chamber components and method for fabricating same
US20150047559A1 (en) 2012-03-21 2015-02-19 Lg Innotek Co., Ltd. Susceptor and wafer holder
DE102013204566A1 (de) * 2012-06-07 2013-12-12 Mitsubishi Electric Corporation Substratträger und Halbleiterherstellungsvorrichtung
EP2963676A1 (de) 2013-02-27 2016-01-06 Toyo Tanso Co., Ltd. Suszeptor
DE102014109327A1 (de) 2014-07-03 2016-01-07 Aixtron Se Beschichtetes flaches scheibenförmiges Bauteil in einem CVD-Reaktor

Also Published As

Publication number Publication date
DE102016110408A1 (de) 2017-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112010004736B4 (de) Aufnahmefür cvd und verfahren zur herstellung eines films unterverwendung derselben
DE60220787T2 (de) Glatter mehrteiliger substratträger für cvd
DE19649508B4 (de) Halter für Halbleiterplatten
DE60123813T2 (de) Sperrschicht für glasartige werkstoffe
DE69331659T2 (de) Verfahren zur Abscheidung von Polysiliziumschichten mit einer verbesserten Uniformität und dazugehörige Vorrichtung
DE69308847T2 (de) Verfahren zur abscheidung von wolfram auf titannitrid durch cvd ohne silan
EP1692718B1 (de) Träger zur aufnahme eines gegenstandes sowie verfahren zur herstellung eines trägers
DE102013204566B4 (de) Substratträger und Halbleiterherstellungsvorrichtung
DE112008003277T5 (de) Suszeptor für das Dampfphasenwachstum und Dampfphasenwachstumsvorrichtung
DE112010003694T5 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Epitaxialwafers
DE112008003535T5 (de) Suszeptor für das epitaxiale Wachstum
DE102012108986A1 (de) Substrathalter einer CVD-Vorrichtung
DE102012101438A1 (de) Verfahren zum Reinigen einer Prozesskammer eines CVD-Reaktors
DE102018125531A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Temperatur in einem CVD-Reaktor
DE102017101648A1 (de) Transportring
DE69516069T2 (de) Verfahren zum Reinigen von Substraten und Herstellen von Schutzschichten
EP2443274B1 (de) Verfahren zum einrichten eines epitaxie-reaktors
DE102017212799A1 (de) Epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren zu deren Herstellung
DE102018126617A1 (de) Schirmplatte für einen CVD-Reaktor
DE10360482B4 (de) Harter Überzug mit hervorragender Haftung
EP1127176B1 (de) Vorrichtung zum herstellen und bearbeiten von halbleitersubstraten
DE102018121854A1 (de) Verfahren zum Einrichten oder zum Betrieb eines CVD-Reaktors
WO2017211724A1 (de) Beschichteter kohlenstoffkörper in einem cvd-reaktor
DE102016211614A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Halbleiterscheiben
DE19528329B4 (de) Maskenblank und Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17732325

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17732325

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1