WO2017103978A1 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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protective film
metal film
aluminum electrode
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卓也 浜口
洋輔 中田
誠也 中野
政良 多留谷
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三菱電機株式会社
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    • H01L2924/37—Effects of the manufacturing process
    • H01L2924/37001—Yield

Definitions

  • the back electrode of the semiconductor device When the back electrode of the semiconductor device is sintered and bonded to the circuit pattern of the insulating substrate, pressure is applied from the front side of the semiconductor device.
  • a material having a low Young's modulus for the organic protective film in order to avoid cracking due to external stress during the wafer process or module assembly process, stress from the sealing material of the module, and the like.
  • polyimide having a Young's modulus of about 3 GPa it can function as a protective film.
  • the organic protective film breaks in the middle of the wafer process, the plating film grows abnormally from the cracked part in the subsequent plating process, leading to a decrease in yield or wafer process contamination.
  • an Ag film as a bonding agent for sintered bonding, a bonding portion having high adhesion strength with a non-metallic material of Cu or Ni and having excellent conductivity and heat dissipation can be obtained.
  • the metal film 3 is mainly composed of Ni or Cu. Since Ni and Cu are widely used as electrode materials for semiconductor devices, stable production is possible.
  • the intermediate layer 10 is also formed between the end portions of the aluminum electrode 2 and the organic protective film 4.
  • the semiconductor substrate 1 is not limited to silicon but may be a wide band gap semiconductor having a larger band gap than silicon.
  • the wide band gap semiconductor is, for example, silicon carbide, a gallium nitride-based material, or diamond.
  • a semiconductor device formed using such a wide band gap semiconductor has high withstand voltage or high allowable current density, and thus can be miniaturized.
  • a semiconductor module incorporating this semiconductor device can also be miniaturized.
  • the heat resistance of the semiconductor device is high, the heat dissipating fins of the heat sink can be reduced in size, and the water cooling part can be cooled in the air, so that the semiconductor module can be further reduced in size.
  • the power loss of the semiconductor device is low and the efficiency is high, the efficiency of the semiconductor module can be increased.
  • the back electrode 5 of the semiconductor substrate 1 is sintered and joined to the circuit pattern 7 on the insulating substrate 6 without using solder, a power module excellent in conductivity and heat dissipation can be realized. Accordingly, reliability such as power cycle durability can be ensured even when applied to SiC products that require an operating junction temperature range in a higher temperature environment, not limited to Si MOSFETs, IGBTs, and diodes.

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Abstract

　半導体基板（１）上にアルミ電極（２）が形成されている。はんだ接続用の金属膜（３）がアルミ電極（２）上に形成されている。有機保護膜（４）がアルミ電極（２）上に金属膜（３）から離間して形成されている。有機保護膜（４）と金属膜（３）の間隔は有機保護膜（４）の厚さの半分以上である。これにより、焼結接合の際に有機保護膜（４）が変形しても、その応力が金属膜（３）に伝わらない。従って、はんだ接続用の金属膜（３）が割れるのを防ぐことができる。

Description

半導体装置及びその製造方法
　本発明は、はんだ接続用の金属膜が割れるのを防ぐことができる半導体装置及びその製造方法に関する。
　パワーサイクル寿命に優れた高信頼性を必要とする半導体装置では、半導体基板上にはんだ接合用の金属膜を形成する（例えば、特許文献１参照）。
日本特開２０１２－２５３０５８号公報
　半導体装置の裏面電極を絶縁基板の回路パターンに焼結接合させる際に半導体装置の表面側から加圧する。一般に有機保護膜は、ウエハプロセス又はモジュール組み立て工程中の外部応力、モジュールの封止材料からの応力などで割れることを避けるため、ヤング率が低い材料を用いることが望ましい。例えば、ヤング率３ＧＰａ程度のポリイミドを５μｍ以上形成することで、保護膜として機能させることができる。特に、ウエハプロセス途中で有機保護膜が割れてしまうと、その後のめっき工程において割れた箇所からめっき膜が異常成長し、歩留まりの低下又はウエハプロセス汚染を招くため、保護膜にはヤング率が低く割れ難い材料を選定することが望ましい。しかし、はんだ接合用の金属膜よりもヤング率（同軸方向のひずみと応力の比例定数）が低いため、モジュール組み立て工程時のＡｇシンタの加圧により有機保護膜が変形する。従来の半導体装置では有機保護膜がはんだ接合用の金属膜に接しているため、変形した有機保護膜の応力により金属膜の端部が割れるという問題があった。
　本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的ははんだ接続用の金属膜が割れるのを防ぐことができる半導体装置及びその製造方法を得るものである。
　本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたアルミ電極と、前記アルミ電極上に形成されたはんだ接続用の金属膜と、前記アルミ電極上に形成され、前記金属膜から離間した有機保護膜とを備え、前記有機保護膜と前記金属膜の間隔は前記有機保護膜の厚さの半分以上であることを特徴とする。
　本発明では、有機保護膜は金属膜から離間し、両者の間隔は有機保護膜の厚さの半分以上である。これにより、焼結接合の際に有機保護膜が変形しても、その応力が金属膜に伝わらない。従って、はんだ接続用の金属膜が割れるのを防ぐことができる。
本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。 図１に示した半導体装置を絶縁基板の回路パターンに焼結接合させる様子を示す断面図である。 比較例に係る半導体装置を示す断面図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す断面図である。
　本発明の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態１．
　図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。半導体基板１は例えばシリコン基板とその上にエピタキシャル成長された半導体膜を有する。この半導体基板１上にアルミ電極２が形成されている。はんだ接続用の金属膜３がアルミ電極２上に形成されている。有機保護膜４がアルミ電極２上に金属膜３から離間して形成されている。裏面電極５が半導体基板１の裏面に形成されている。有機保護膜４と金属膜３の間隔ｗは有機保護膜４の厚さｔの半分以上である（ｗ≧ｔ／２）。
　続いて、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図２は、図１に示した半導体装置を絶縁基板の回路パターンに焼結接合させる様子を示す断面図である。まず、半導体基板１上にアルミ電極２を形成する。アルミ電極２上に、はんだ接続用の金属膜３及び金属膜３から離間した有機保護膜４を形成する。半導体基板１の裏面に裏面電極５を形成する。
　次に、図２に示すように、裏面電極５と絶縁基板６の回路パターン７の間に有機膜で被覆されたＡｇ粒子８を塗布し、加圧治具９により半導体基板１を表面側から加圧しながら加熱することで裏面電極５と回路パターン７をＡｇ焼結接合させる。
　続いて、本実施の形態の効果について比較例と比較して説明する。図３は、比較例に係る半導体装置を示す断面図である。比較例では有機保護膜４が金属膜３に接している。有機保護膜４は、ヤング率が３ＧＰａ程度であり、焼結接合時の加圧で変形するが、その応力により金属膜３の端部が割れる。
　一方、本実施の形態では、有機保護膜４は金属膜３から離間し、両者の間隔は有機保護膜４の厚さの半分以上である。これにより、焼結接合の際に有機保護膜４が変形しても、その応力が金属膜３に伝わらない。従って、はんだ接続用の金属膜３が割れるのを防ぐことができる。
　また、金属膜３は、はんだに対する接合強度がアルミ電極２より高い物質である。これにより、容易に良好なはんだ接合界面を得ることができる。
　また、有機保護膜４ははんだと反応しない。これにより、はんだが金属膜３とリードフレームの接合部以外に濡れ広がらないため、はんだ厚が薄くなって接合強度が低下するのを防ぐことができる。
　また、裏面電極５が絶縁基板６の回路パターン７にはんだ付けされる場合は、半導体基板１の表面側から有機保護膜４が変形するほどの加圧を行う必要はない。しかし、裏面電極５が絶縁基板６の回路パターン７に焼結接合される場合には、加圧により有機保護膜４が変形するため、本実施の形態の上記構成が必要となる。
　また、焼結接合の接合剤としてＡｇ膜を用いることで、Ｃｕ又はＮｉの非金属材との密着強度が高く、導電性及び放熱性に優れた接合部とすることができる。
　また、金属膜３はＮｉ又はＣｕを主成分とする。Ｎｉ及びＣｕは半導体装置の電極材として広く用いられているため、安定した生産が可能となる。
実施の形態２．
　図４は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す断面図である。本実施の形態では、中間層１０が金属膜３と有機保護膜４の間においてアルミ電極２を覆っている。また、中間層１０は、ヤング率が１９５ＧＰａ程度であり、有機保護膜４よりもヤング率が高く、変形し難い物質であるため、有機保護膜４の変形による応力の影響を受けることはない。
　本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、開口を有する中間層１０をアルミ電極２上に形成する。この中間層１０をマスクとしてはんだ接合用の金属膜３を湿式めっき法で形成する。湿式めっき法で金属膜３を形成することで中間層１０より厚い金属膜を容易に形成することができる。金属膜３を厚く形成することで、はんだ接合時の熱負荷又は高温動作にてＮｉがはんだ内へ拡散し、膜厚が減少することを軽減できるため高Ｔｊ耐久性の信頼性を向上させることができる。
　例えば、中間層１０として、ＳｉＮ膜を用いる。中間層１０をマスクとして湿式めっき法で金属膜３を形成すると一般に等方成長するため中間層１０の高さを超えると水平方向にも成長し、金属膜３の端部を中間層１０上に張り出させることができる。これにより、Ａｇシンタ時に半導体素子上面方向から受ける応力を金属膜３で主に受けることができる。金属膜３が変形し、中間層１０に応力を加えるが、中間層１０にＳｉＮ膜を用いるとアルミ電極２と中間層１０の密着性は強いため、アルミ電極２と中間層１０の剥離を防止することができる。
　また、中間層１０はアルミ電極２と有機保護膜４の端部の間にも形成されている。ただし、アルミ電極２と有機保護膜４の間の全ての領域に中間層１０を形成する必要はなく、有機保護膜４の端部を起点として所望の幅でよい。このように部分的にアルミ電極２と有機保護膜４が直接接している箇所を設けることで有機保護膜４の密着性を強くし、製品の信頼性をより高めることができる。
　なお、実施の形態１，２において、半導体基板１は、珪素に限らず、珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体でもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、例えば、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、又はダイヤモンドである。このようなワイドバンドギャップ半導体によって形成された半導体装置は、耐電圧性又は許容電流密度が高いため、小型化できる。この小型化された半導体装置を用いることで、この半導体装置を組み込んだ半導体モジュールも小型化できる。また、半導体装置の耐熱性が高いため、ヒートシンクの放熱フィンを小型化でき、水冷部を空冷化できるので、半導体モジュールを更に小型化できる。また、半導体装置の電力損失が低く高効率であるため、半導体モジュールを高効率化できる。
　また、半導体基板１の裏面電極５は、はんだを使用せずに絶縁基板６上の回路パターン７に焼結接合させるため、導電性と放熱性に優れたパワーモジュールを実現することができる。従って、Ｓｉ製のＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ及びＤｉｏｄｅに限らず、より高温環境での動作接合温度範囲を求められるＳｉＣ製品へ適用してもパワーサイクル耐久性などの信頼性を確保することができる。
１　半導体基板、２　アルミ電極、３　金属膜、４　有機保護膜、５　裏面電極、６　絶縁基板、７　回路パターン、８　Ａｇ粒子、１０　中間層

Claims (13)

  1. 　半導体基板と、
    　前記半導体基板上に形成されたアルミ電極と、
    　前記アルミ電極上に形成されたはんだ接続用の金属膜と、
    　前記アルミ電極上に形成され、前記金属膜から離間した有機保護膜とを備え、
    　前記有機保護膜と前記金属膜の間隔は前記有機保護膜の厚さの半分以上であることを特徴とする半導体装置。
  2. 　前記金属膜は、はんだに対する接合強度が前記アルミ電極より高く、前記アルミ電極よりも硬い物質であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記有機保護膜は、前記アルミ電極よりもヤング率が低い物質であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
  4. 　前記金属膜と前記有機保護膜の間において前記アルミ電極を覆い、前記有機保護膜よりもヤング率が高い物質である中間層を更に備えることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の半導体装置。
  5. 　前記金属膜の端部は前記中間層上に張り出していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記中間層は前記アルミ電極と前記有機保護膜の端部の間にも形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。
  7. 　前記金属膜は、前記中間層をマスクとしてめっき法により形成されていることを特徴とする請求項４～６の何れか１項に記載の半導体装置。
  8. 　前記半導体基板の裏面に形成された裏面電極と、
    　回路パターンを有する絶縁基板とを更に備え、
    　前記裏面電極が前記絶縁基板の前記回路パターンに焼結接合されていることを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の半導体装置。
  9. 　焼結接合の接合剤としてＡｇ膜を更に備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
  10. 　前記金属膜はＮｉ又はＣｕを主成分とすることを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載の半導体装置。
  11. 　前記半導体基板はワイドバンドギャップ半導体であることを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の半導体装置。
  12. 　半導体基板上にアルミ電極を形成する工程と、
    　前記アルミ電極上に、はんだ接続用の金属膜及び前記金属膜から離間した有機保護膜を形成する工程と、
    　前記半導体基板の裏面に裏面電極を形成する工程と、
    　前記裏面電極と絶縁基板の回路パターンの間にＡｇ粒子を塗布し、前記半導体基板を表面側から加圧することで前記裏面電極と前記回路パターンをＡｇ焼結接合させる工程とを備え、
    　前記有機保護膜と前記金属膜の間隔は前記有機保護膜の厚さの半分以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  13. 　開口を有する中間層を前記アルミ電極上に形成する工程と、
    　前記中間層をマスクとして前記金属膜をめっき法により形成する工程とを更に備え、
    　前記中間層は、前記金属膜と前記有機保護膜の間において前記アルミ電極を覆い、前記有機保護膜よりもヤング率が高い物質であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
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