WO2017073257A1 - 複合多結晶体およびその製造方法 - Google Patents

複合多結晶体およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2017073257A1
WO2017073257A1 PCT/JP2016/079418 JP2016079418W WO2017073257A1 WO 2017073257 A1 WO2017073257 A1 WO 2017073257A1 JP 2016079418 W JP2016079418 W JP 2016079418W WO 2017073257 A1 WO2017073257 A1 WO 2017073257A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
diamond
phase
polycrystalline
diamond phase
carbon
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/079418
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雄 石田
佐藤 武
角谷 均
Original Assignee
住友電気工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友電気工業株式会社 filed Critical 住友電気工業株式会社
Priority to ES16859494T priority Critical patent/ES2897993T3/es
Priority to US15/535,613 priority patent/US10703636B2/en
Priority to CN201680005134.XA priority patent/CN107207358B/zh
Priority to EP16859494.3A priority patent/EP3369717B1/en
Priority to PL16859494T priority patent/PL3369717T3/pl
Publication of WO2017073257A1 publication Critical patent/WO2017073257A1/ja

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25Diamond
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • B01J3/062Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25Diamond
    • C01B32/26Preparation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/52Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite
    • C04B35/522Graphite
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/52Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite
    • C04B35/528Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite obtained from carbonaceous particles with or without other non-organic components
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64Burning or sintering processes
    • C04B35/645Pressure sintering
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0605Composition of the material to be processed
    • B01J2203/0625Carbon
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/065Composition of the material produced
    • B01J2203/0655Diamond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/90Other morphology not specified above
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/90Other properties not specified above
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/422Carbon
    • C04B2235/425Graphite
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/428Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/604Pressing at temperatures other than sintering temperatures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/608Green bodies or pre-forms with well-defined density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661Multi-step sintering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase

Definitions

  • the present disclosure relates to a composite polycrystal and a method for producing the same.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2015-214098 filed on Oct. 30, 2015, and incorporates all the contents described in the Japanese application.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-292397 (Patent Document 1) and International Publication No. 2009/099130 (Patent Document 2) directly convert graphite into polycrystalline diamond without adding a sintering aid and a catalyst. A polycrystalline diamond produced by doing so is disclosed.
  • JP-A-9-142933 Patent Document 3
  • JP-A-2005-239472 Patent Document 4
  • Patent Document 4 disclose polycrystalline diamond containing polycrystalline diamond and components such as metal carbide and metal oxide. It is disclosed.
  • the composite polycrystalline body of the present disclosure includes a polycrystalline diamond phase including a plurality of diamond particles and a non-diamond phase composed of non-diamond carbon.
  • the non-diamond phase is dispersed in the polycrystalline diamond phase.
  • the average value of the projected area equivalent circle diameter of the non-diamond phase is 1000 nm or less.
  • the manufacturing method of the composite polycrystal of this indication is equipped with the following processes.
  • Prepare non-diamond carbon When the pressure is P [GPa] and the temperature is T [° C.], the following formulas (I) to (IV): P ⁇ 0.0067T + 1 (I) P ⁇ 0.0035T-0.3462 (II) 0 ⁇ T ⁇ 2700 (III) 0 ⁇ P ⁇ 13 (IV)
  • the non-diamond carbon is pressurized to the sintering pressure and heated to the sintering temperature under the conditions satisfying all of the above.
  • the sintering pressure is 9 GPa or more and 13 GPa or less, and the sintering temperature is 1800 ° C. or more and 2700 ° C.
  • non-diamond carbon at a sintering pressure and a sintering temperature, a part of the non-diamond carbon is converted to polycrystalline diamond, and the non-diamond carbon and the polycrystalline diamond are sintered to form a composite polycrystal. A crystal is produced.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a structure of a composite polycrystalline body according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the structure of the composite polycrystalline body according to the reference embodiment.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating an outline of a method for producing a composite polycrystal according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the conditions of the pressure heating process.
  • Patent Documents 1 and 2 do not contain a sintering aid (for example, cobalt) or the like and has high diamond purity. According to Patent Document 1, such polycrystalline diamond exhibits hardness comparable to that of single crystal diamond, and is more difficult to cleave than single crystal diamond.
  • a sintering aid for example, cobalt
  • Patent Documents 3 and 4 a sintering aid is studied.
  • a specific sintering aid metal carbide, metal oxide, etc.
  • a composite polycrystalline body includes a polycrystalline diamond phase including a plurality of diamond particles and a non-diamond phase composed of non-diamond carbon.
  • the non-diamond phase is dispersed in the polycrystalline diamond phase.
  • the average value of the projected area equivalent circle diameter of the non-diamond phase is 1000 nm or less.
  • the above-mentioned composite polycrystal is not a single-phase polycrystal but a composite polycrystal (composite polycrystal diamond) containing a polycrystal diamond phase and a non-diamond phase.
  • the non-diamond phase is made of non-diamond carbon such as graphite (graphite) and amorphous carbon (amorphous carbon).
  • the non-diamond phase is a fine-grained phase having an average projected area equivalent circle diameter of 1000 nm or less, and is dispersed in the polycrystalline diamond phase.
  • the fracture resistance is improved. Although details of the mechanism are not clear at present, it is assumed that the non-diamond phase finely dispersed in the structure relaxes the impact and stress. However, when the average value of the projected area equivalent circle diameter of the non-diamond phase exceeds 1000 nm, the non-diamond phase having a relatively low strength in the structure is likely to be a starting point of fracture, so that the fracture resistance is lowered. .
  • the composite polycrystalline body may be a composite polycrystalline diamond that does not substantially contain a metal component derived from a sintering aid and a binder. If a metal component derived from a sintering aid or the like is present in the polycrystalline diamond structure, the fracture resistance may be reduced due to the thermal expansion of the metal component. Since the above-mentioned composite polycrystal does not substantially contain a metal component, improvement in fracture resistance can be expected.
  • the average value of the projected area equivalent circle diameter of the non-diamond phase may be 100 nm or less. Thereby, improvement in fracture resistance can be expected.
  • the average value of the projected area equivalent circle diameters of the diamond particles may be 1000 nm or less.
  • the Knoop hardness of the composite polycrystal may be 50 GPa or more. This can be expected to improve wear resistance.
  • the composite polycrystalline body according to one embodiment of the present disclosure includes a polycrystalline diamond phase including a plurality of diamond particles and a non-diamond phase composed of non-diamond carbon. The non-diamond phase is dispersed in the polycrystalline diamond phase. The average value of the projected area equivalent circle diameter of the non-diamond phase is 100 nm or less. The average value of the equivalent circle diameter of the projected area of the diamond particles is 1000 nm or less. Knoop hardness is 50 GPa or more. This composite polycrystal is expected to improve fracture resistance.
  • a method for producing a composite polycrystal according to one embodiment of the present disclosure includes the following steps.
  • Prepare non-diamond carbon When the pressure is P [GPa] and the temperature is T [° C.], the following formulas (I) to (IV): P ⁇ 0.0067T + 1 (I) P ⁇ 0.0035T-0.3462 (II) 0 ⁇ T ⁇ 2700 (III) 0 ⁇ P ⁇ 13 (IV)
  • the non-diamond carbon is pressurized to the sintering pressure and heated to the sintering temperature under the conditions satisfying all of the above.
  • the sintering pressure is 9 GPa or more and 13 GPa or less, and the sintering temperature is 1800 ° C.
  • non-diamond carbon at a sintering pressure and a sintering temperature, a part of the non-diamond carbon is converted to polycrystalline diamond, and the non-diamond carbon and the polycrystalline diamond are sintered to form a composite polycrystal. A crystal is produced.
  • the composite polycrystal of [1] above can be produced.
  • [Effects of the present disclosure] According to the above, a composite polycrystal having improved fracture resistance is provided.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the structure of the composite polycrystalline body of the present embodiment.
  • the crystal structure as shown in FIG. 1 can be confirmed by, for example, observing one surface obtained by polishing a composite polycrystal with a scanning electron microscope (SEM) or the like.
  • SEM scanning electron microscope
  • the composite polycrystalline body 10 includes a polycrystalline diamond phase 11 including a plurality of diamond particles and a non-diamond phase 12 composed of non-diamond carbon. Due to the difference in crystal structure and conductivity of each phase, the polycrystalline diamond phase 11 is observed as a bright field and the non-diamond phase 12 is observed as a dark field in observation by SEM.
  • the composite polycrystalline body of the present embodiment substantially includes only a polycrystalline diamond phase and a non-diamond phase.
  • the metal components do not thermally expand, so that the fracture resistance is improved.
  • the composite polycrystal of the present embodiment may contain inevitable impurities that are inevitably mixed during production.
  • inevitable impurities for example, nitrogen (N) adsorbed on the raw material (starting material) is assumed.
  • the content of inevitable impurities is preferably less than 1000 ppma (parts per million atomic).
  • the content of unavoidable impurities can be measured by, for example, secondary ion mass spectrometry (SIMS) or the like.
  • Non-diamond phase A plurality of non-diamond phases 12 are included in the composite polycrystal.
  • the non-diamond phase 12 is dispersed in the polycrystalline diamond phase 11.
  • “dispersed” indicates a state in which non-diamond phases are present in isolation in the cross-sectional image as shown in FIG. 1, and the individual non-diamond phases are not connected to each other.
  • all non-diamond phases contained in the composite polycrystal are “dispersed” in the following cases.
  • a clean surface is exposed by polishing the composite polycrystal.
  • Three measurement positions are selected at random from the surface. At each measurement position, a rectangular area of 9 ⁇ m long ⁇ 12 ⁇ m wide is observed at a magnification of 10,000 times. In the observation of the three rectangular ranges, when the portion where the non-diamond phases are connected cannot be confirmed, it is considered that all the non-diamond phases contained in the composite polycrystal are dispersed.
  • the fracture resistance is improved.
  • this portion becomes a starting point of fracture, so that the fracture resistance is lowered.
  • the non-diamond phase is composed of non-diamond carbon.
  • “Non-diamond carbon” refers to solid carbon other than diamond.
  • Non-diamond carbon can be, for example, graphite, glassy carbon, amorphous carbon, fullerene, carbon nanotubes, and the like.
  • the non-diamond carbon constituting the non-diamond phase is preferably at least one of graphite and amorphous carbon.
  • the non-diamond phase may be composed of one form or a plurality of forms among single crystal, polycrystal, and amorphous (amorphous).
  • the non-diamond phase may be a composite form in which a single crystal of graphite and amorphous carbon are aggregated.
  • the non-diamond phase can be identified by using both SEM observation and X-ray diffraction measurement. That is, in the X-ray diffraction of the composite polycrystal having a non-diamond phase, a peak derived from diamond and a peak derived from graphite, for example, are observed.
  • peaks derived from diamond peaks derived from the (111) plane, the (220) plane, the (331) plane, and the like can be considered.
  • peaks derived from graphite peaks derived from the (002) plane, (004) plane and the like can be considered.
  • the non-diamond phase can also be identified by further using, for example, Raman scattering spectrum measurement with a microscopic Raman spectrometer.
  • the average value of the projected area equivalent circle diameter of the non-diamond phase is 1000 nm or less.
  • the projected area equivalent circle diameter in this specification indicates the diameter of a circle having an area equal to the two-dimensional projected image of the particulate matter in the cross-sectional image as shown in FIG.
  • the observation magnification of the SEM is 10,000 times, and the visual field range is a rectangular range of 9 ⁇ m long ⁇ 12 ⁇ m wide.
  • the average value of the projected area equivalent circle diameter of the non-diamond phase can be calculated according to the following procedures (a) to (f).
  • the average value indicates an arithmetic average value unless otherwise specified.
  • the average area per non-diamond phase is calculated by dividing the total area of the dark field by the number of non-diamond phases.
  • the diameter of a circle having an area equal to the average area is obtained. Since the non-diamond phase of the present embodiment is a fine-grained phase having an average projected area equivalent circle diameter of 1000 nm or less, even if there are a plurality of non-diamond phases in the structure, the influence on the strength of the entire structure is considered to be small. It is done. Further, it is considered that the non-diamond phase finely dispersed functions as a buffer substance that alleviates the impact.
  • the plurality of non-diamond phases preferably have a projected area equivalent circle diameter of 1000 nm or less.
  • the average value of the projected area circle equivalent diameter of the non-diamond phase is smaller.
  • the average value of the projected area equivalent circle diameter of the non-diamond phase may be 300 nm or less, 100 nm or less, 80 nm or less, or 60 nm or less. From the viewpoint of wear resistance, the average value of the projected area equivalent circle diameter of the non-diamond phase may be 10 nm or more.
  • the ratio of the area of the non-diamond phase to the area of the one surface is preferably 0.5% or more and 30%. It is as follows.
  • the conditions shown in the explanation of the projected area circle equivalent diameter can be used as the SEM observation conditions (magnification, field of view range) when measuring the area ratio.
  • the area of the non-diamond phase is obtained as the total area of the dark field.
  • the total area of the dark field can be obtained by the measurement procedures (b) to (d) of the projected area equivalent circle diameter. Then, the area ratio of the non-diamond phase can be calculated by dividing the total area of the dark field by the area of the entire visual field.
  • An improvement in fracture resistance can be expected when the area ratio of the non-diamond phase is 0.5% or more.
  • the area ratio is more preferably 1% or more. Further, when the area ratio is 30% or less, improvement in wear resistance can be expected.
  • the area ratio is more preferably 26% or less, and even more preferably 20% or less.
  • polycrystalline diamond phase 11 constitutes the main phase of composite polycrystalline body 10.
  • the non-diamond phase 12 is dispersed and isolated.
  • the polycrystalline diamond phase 11 as the main phase is continuous.
  • FIG. 1 shows one surface obtained by polishing a composite polycrystal.
  • the polycrystalline diamond phase is continuous on the one surface, it is assumed that the polycrystalline diamond phase is three-dimensionally continuous. Improvement in wear resistance can be expected by the polycrystalline diamond phase being three-dimensionally continuous.
  • the polycrystalline diamond phase includes a plurality of diamond particles.
  • Diamond particles are single single crystal diamonds.
  • the single crystal diamond is preferably cubic diamond.
  • the single crystal diamond may be a hexagonal diamond. The presence of individual diamond particles constituting the polycrystalline diamond phase can be confirmed by adjusting the contrast in the SEM image.
  • the average value of the projected area equivalent circle diameter of the diamond particles is preferably 1000 nm or less.
  • the average value of the projected area equivalent circle diameter of the diamond particles can be measured according to the following procedures (g) to (l).
  • the total area of the bright field is calculated by multiplying the total number of pixels of the bright field by the area per pixel.
  • (K) The average area per diamond particle is calculated by dividing the total area of the bright field by the number of diamond particles.
  • the diameter of a circle having an area equal to the average area is obtained.
  • the average value of the projected area equivalent circle diameters of the plurality of diamond particles may be 500 nm or less, 300 nm or less, 150 nm or less, or 80 nm or less. 60 nm or less. From the viewpoint of wear resistance, the average value of the projected area equivalent circle diameter of the diamond particles is preferably 10 nm or more. The average value of the projected area equivalent circle diameters of the diamond particles may be 30 nm or more.
  • the Knoop hardness of the composite polycrystal of the present embodiment is preferably 50 GPa or more. As the Knoop hardness is higher, the wear resistance of the composite polycrystalline body tends to be improved.
  • the Knoop hardness is more preferably 60 GPa or more, even more preferably 70 GPa or more, and most preferably 100 GPa or more.
  • the upper limit of Knoop hardness is not particularly limited. Knoop hardness may be 110 GPa or less, for example.
  • Knoop hardness shall be measured by a method based on "JIS Z 2251: 2009 Knoop hardness test-measurement method".
  • a general micro hardness tester can be used for the measurement of Knoop hardness.
  • the measurement environment may be room temperature (for example, about 23 ° C. ⁇ 5 ° C.).
  • As the indenter a Knoop type indenter (having a rhombus quadrangular pyramid shape) is used.
  • the material of the indenter is preferably single crystal diamond.
  • the test force (load) is 4.9 N (0.5 kgf).
  • the holding time of the test force is 10 seconds.
  • the approach speed of the indenter is 60 ⁇ m / s.
  • the composite polycrystal of the present embodiment exhibits excellent defect resistance. Therefore, the composite polycrystal is suitable for applications requiring resistance to impact and vibration, for example, excavating tools such as excavating bits, and cutting tools such as drills, end mills, cutting edge replacement tips for turning, and turning tools. You may use for abrasion-resistant tools, such as a die
  • the composite polycrystalline body (composite polycrystalline diamond) of this embodiment is typically manufactured by the following manufacturing method.
  • FIG. 3 is a flowchart showing an outline of a method for producing a composite polycrystal of the present embodiment.
  • the manufacturing method includes a preparation step (S01), a pressure heating step (S02), and a conversion sintering step (S03). Each process is performed in this order. Hereinafter, each process will be described.
  • non-diamond carbon is prepared.
  • the non-diamond carbon as the raw material (starting material) of the composite polycrystal can be, for example, graphite, glassy carbon, amorphous carbon (for example, carbon black), fullerene (for example, C 60 ), carbon nanotube, or the like.
  • the non-diamond carbon as a raw material is desirably graphite. By using graphite, it can be expected to improve the quality and purity of the composite polycrystal.
  • the purity of graphite is preferably 99% by mass or more and 100% by mass or less, and more preferably 99.5% by mass or more and 100% by mass or less.
  • Non-diamond carbon as a raw material may be a powder or a molded body.
  • Non-diamond carbon as a raw material is preferably a molded body (hereinafter also referred to as “graphite molded body”) composed of graphite particles.
  • graphite molded body a molded body
  • the average particle size of the graphite particles is preferably 10 nm to 5000 nm, more preferably 10 nm to 1000 nm.
  • Average particle diameter refers to the particle diameter at a cumulative 50% (also referred to as “d50” or “median diameter”) in a volume-based particle size distribution measured by laser diffraction / scattering method.
  • the graphite compact can be produced by, for example, embossing graphite particle powder.
  • the shape of the molded body is desirably a shape in which pressure is easily applied isotropically.
  • the shape of the molded body is, for example, a cylindrical shape, a cubic shape, a spherical shape, or the like.
  • the density of the graphite compact is preferably adjusted to about 1.80 to 1.90 g / cm 3 .
  • a high-temperature and high-pressure generator capable of generating a high-temperature state of 1800 ° C. or higher and a high-pressure state of 9 GPa or higher is used.
  • the high-temperature and high-pressure generator include a belt type, a cubic type, and a divided sphere type. Any type of apparatus may be used as long as the above high temperature and high pressure state can be generated.
  • the pressure is increased to the sintering pressure and the temperature is increased to the sintering temperature under specific conditions.
  • non-diamond carbon is encapsulated in a capsule composed of a refractory metal.
  • a refractory metal examples include tantalum (Ta), molybdenum (Mo), platinum (Pt), rhenium (Re), and the like.
  • the capsule is placed in a sample chamber of a high-temperature and high-pressure apparatus, and pressure and heating are performed.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the conditions of the pressure heating process.
  • the vertical axis indicates pressure [GPa]
  • the horizontal axis indicates temperature [° C.].
  • a region A in the graph is a region that satisfies all of the above formulas (I) to (IV).
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the structure of the composite polycrystal according to the reference embodiment.
  • the composite polycrystalline body 20 shown in FIG. 2 is manufactured under the condition that P and T are out of the region A during heating and pressurization as described above.
  • the composite polycrystalline body 20 includes a coarse non-diamond phase 22 and a non-diamond phase 23 in which a plurality of non-diamond phases are aggregated and connected. Further, the dispersion state of the non-diamond phase in the polycrystalline diamond phase 21 is not uniform. In such a structure, it is considered that the non-diamond phases 22 and 23 are likely to be the starting points of fracture and defects are likely to occur.
  • the sintering pressure is 9 GPa or more and 13 GPa or less
  • the sintering temperature is 1800 ° C. or more and 2700 ° C. or less.
  • the sintering pressure may be 10 GPa or more, or 12 GPa or less. Moreover, 1900 degreeC or more may be sufficient as sintering temperature, and 2200 degreeC or more may be sufficient as it.
  • the sintering temperature may be 2600 ° C. or lower, or 2400 ° C. or lower.
  • the holding time at the sintering pressure and the sintering temperature is, for example, about 5 minutes to 2 hours, preferably about 10 minutes to 1 hour, more preferably about 10 minutes to 30 minutes.
  • the composite polycrystal of the present embodiment can be produced.
  • Sample no Composite polycrystalline bodies (composite polycrystalline diamond) according to 1 to 6 were produced.
  • Sample No. 1 to 4 correspond to the examples. 5 and 6 correspond to comparative examples.
  • Sample No. 1 Graphite particles (density: 1.85 g / cm 3 , purity: 99.5% by mass) were manufactured by stamping a graphite particle powder having a particle size range of 100 to 3000 nm. Thus, non-diamond carbon as a starting material was prepared.
  • Sample No. 2-4 In the pressure heating process, pressurization and heating are performed up to the sintering pressure and the sintering temperature shown in the column of the conversion sintering process in Table 1 under the conditions in the region A of FIG. Except for producing a composite polycrystal by maintaining the sintering pressure and temperature, sample no. In the same manner as in Sample No. 1, 2-4 were produced.
  • Sample No. 5 In the pressure heating process, the pressure was increased to 10 GPa (sintering pressure) and the temperature was increased to 1000 ° C. (sintering temperature). Except for producing the composite polycrystal by maintaining the sintering pressure and the sintering temperature in the conversion sintering step, the sample No. In the same manner as in Sample No. 1, 5 was produced.
  • Sample No. 5 corresponds to an example in which the pressurizing and heating step is performed under a condition that does not satisfy the formula (I) “P ⁇ 0.0067T + 1”.
  • the condition of 5 belongs to the upper region of the region A.
  • Sample No. 6 In the pressure heating process, first, the pressure was increased to 6 GPa and heated to 2200 ° C. (sintering temperature). Thereafter, the pressure was increased to 10 GPa (sintering pressure). In the conversion sintering step, the sample No. was obtained except that the composite polycrystal was produced by maintaining the sintering pressure and the sintering temperature. In the same manner as in Sample No. 1, 6 was produced.
  • Knoop hardness Knoop hardness of each sample was measured under the following conditions. The measurement was performed several times. The results are shown in Table 1. The notation such as “65-75” shown in the column of Knoop hardness in Table 1 indicates that the minimum value of multiple measurements is 65 GPa and the maximum value is 75 GPa. It is considered that the higher the Knoop hardness, the better the wear resistance.
  • sample no. In 1-4 the average value of the projected area circle equivalent diameter of the non-diamond phase is 1000 nm or less. Sample No. According to the structure observations 1 to 4, it was confirmed that the non-diamond phase was dispersed in the polycrystalline diamond phase. In the cutting test, Sample No. 1 to 4 could be cut by 10 km without loss. That is, sample no. 1-4 are sample Nos. Compared to 5 and 6, the fracture resistance was improved.
  • Sample No. The Knoop hardness of 1-4 was 50 GPa or more. Sample No. In 1 to 4, the Knoop hardness variation (difference between the maximum value and the minimum value) was as small as about 10 GPa. Therefore, sample No. 1 to 4 are considered to be excellent in wear resistance.
  • Knoop hardness of the composite polycrystal according to the present embodiment can be 60 GPa or more, 70 GPa or more, or 100 GPa or more.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

複合多結晶体は、複数のダイヤモンド粒子を含む多結晶ダイヤモンド相と、非ダイヤモンド炭素により構成されている非ダイヤモンド相と、を含む。非ダイヤモンド相は、多結晶ダイヤモンド相中に分散している。非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、1000nm以下である。

Description

複合多結晶体およびその製造方法
 本開示は、複合多結晶体およびその製造方法に関する。
 本出願は、2015年10月30日に出願された日本出願特願2015-214098号に基づく優先権を主張し、当該日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
 特開2003-292397号公報(特許文献1)および国際公開第2009/099130号(特許文献2)には、焼結助剤および触媒等の添加を伴わずに、グラファイトを多結晶ダイヤモンドに直接変換することにより製造された多結晶ダイヤモンドが開示されている。
 特開平9-142933号公報(特許文献3)および特開2005-239472号公報(特許文献4)には、多結晶ダイヤモンドと、金属炭化物、金属酸化物等の成分とを含む、多結晶ダイヤモンドが開示されている。
特開2003-292397号公報 国際公開第2009/099130号 特開平9-142933号公報 特開2005-239472号公報
 本開示の複合多結晶体は、複数のダイヤモンド粒子を含む多結晶ダイヤモンド相と、非ダイヤモンド炭素により構成されている非ダイヤモンド相と、を含む。非ダイヤモンド相は、多結晶ダイヤモンド相中に分散している。非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、1000nm以下である。
 本開示の複合多結晶体の製造方法は、以下の工程を備える。非ダイヤモンド炭素を準備する。圧力をP〔GPa〕、温度をT〔℃〕とするとき、下記式(I)~(IV):
 P≦0.0067T+1      ・・・(I)
 P≧0.0035T-0.3462 ・・・(II)
 0≦T≦2700         ・・・(III)
 0≦P≦13           ・・・(IV)
をすべて満たす条件の下で、非ダイヤモンド炭素を、焼結圧力まで加圧すると共に、焼結温度まで加熱する。焼結圧力は、9GPa以上13GPa以下であり、焼結温度は、1800℃以上2700℃以下である。さらに、非ダイヤモンド炭素を、焼結圧力および焼結温度で保持することにより、該非ダイヤモンド炭素の一部を多結晶ダイヤモンドに変換すると共に、該非ダイヤモンド炭素および該多結晶ダイヤモンドを焼結し、複合多結晶体を製造する。
図1は、本開示の一実施形態に係る複合多結晶体の組織を示す模式図である。 図2は、参考形態に係る複合多結晶体の組織を示す模式図である。 図3は、本開示の一実施形態に係る複合多結晶体の製造方法の概略を示すフローチャートである。 図4は、加圧加熱工程の条件を説明する図である。
 [本開示が解決しようとする課題]
 従来、ダイヤモンドの硬さを活かした切削工具、耐摩工具等が開発されている。特許文献1および2に開示される多結晶ダイヤモンドは、焼結助剤(たとえばコバルト)等を含有せず、ダイヤモンドの純度が高い。特許文献1によれば、かかる多結晶ダイヤモンドは、単結晶ダイヤモンドに匹敵する硬さを示し、さらに単結晶ダイヤモンドに比し、劈開し難いとされている。
 他方、特許文献3および4では、焼結助剤の検討がなされている。これらの文献では、特定の焼結助剤(金属炭化物、金属酸化物等)を用いることにより、多結晶ダイヤモンドの耐摩耗性等が向上するとされている。
 しかし、たとえば掘削用ビット等の掘削工具、スクライビングホイール等の耐摩工具といった、加工時に、工具刃先に衝撃、振動が加わる用途では、特に耐欠損性の向上が望まれている。
 そこで本開示では、耐欠損性が向上した複合多結晶体の提供を目的とする。
 [本開示の実施形態の説明]
 最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
〔1〕本開示の一態様に係る複合多結晶体は、複数のダイヤモンド粒子を含む多結晶ダイヤモンド相と、非ダイヤモンド炭素により構成されている非ダイヤモンド相と、を含む。非ダイヤモンド相は、多結晶ダイヤモンド相中に分散している。非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、1000nm以下である。
 上記の複合多結晶体は、単一相の多結晶ではなく、多結晶ダイヤモンド相と非ダイヤモンド相とを含む複合多結晶(複合多結晶ダイヤモンド)である。非ダイヤモンド相は、たとえばグラファイト(黒鉛)、アモルファスカーボン(非晶質炭素)等の非ダイヤモンド炭素により構成されている。非ダイヤモンド相は、投影面積円相当径の平均値が1000nm以下の微粒状の相であり、多結晶ダイヤモンド相中に分散している。
 かかる組織を有する複合多結晶体では、耐欠損性が向上する。現時点ではメカニズムの詳細は明らかではないが、組織中に、微細に分散した非ダイヤモンド相が衝撃、応力を緩和していると推測される。しかし非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値が1000nmを超えると、組織内において相対的に強度が低い非ダイヤモンド相が破壊の起点となりやすくなるため、耐欠損性がかえって低下することになる。
 さらに上記の複合多結晶体は、焼結助剤、結合材に由来する金属成分を実質的に含有しない複合多結晶ダイヤモンドであり得る。焼結助剤等に由来する金属成分が多結晶ダイヤモンド組織内に存在すると、金属成分の熱膨張に起因して耐欠損性が低下する可能性がある。上記の複合多結晶体は、金属成分を実質的に含有しないため、耐欠損性の向上が期待できる。
〔2〕非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、100nm以下であってもよい。これにより耐欠損性の向上が期待できる。
〔3〕ダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値は、1000nm以下であってもよい。これにより耐欠損性の向上が期待できる。
〔4〕複合多結晶体のヌープ硬度は、50GPa以上であってもよい。これにより耐摩耗性の向上が期待できる。
〔5〕本開示の一態様に係る複合多結晶体は、複数のダイヤモンド粒子を含む多結晶ダイヤモンド相と、非ダイヤモンド炭素により構成されている非ダイヤモンド相とを含む。非ダイヤモンド相は、多結晶ダイヤモンド相中に分散している。非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、100nm以下である。ダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値は、1000nm以下である。ヌープ硬度が50GPa以上である。この複合多結晶体では、耐欠損性の向上が期待される。
〔6〕本開示の一態様に係る複合多結晶体の製造方法は、以下の工程を備える。非ダイヤモンド炭素を準備する。圧力をP〔GPa〕、温度をT〔℃〕とするとき、下記式(I)~(IV):
 P≦0.0067T+1      ・・・(I)
 P≧0.0035T-0.3462 ・・・(II)
 0≦T≦2700         ・・・(III)
 0≦P≦13           ・・・(IV)
をすべて満たす条件の下で、非ダイヤモンド炭素を、焼結圧力まで加圧すると共に、焼結温度まで加熱する。焼結圧力は、9GPa以上13GPa以下であり、焼結温度は、1800℃以上2700℃以下である。さらに、非ダイヤモンド炭素を、焼結圧力および焼結温度で保持することにより、該非ダイヤモンド炭素の一部を多結晶ダイヤモンドに変換すると共に、該非ダイヤモンド炭素および該多結晶ダイヤモンドを焼結し、複合多結晶体を製造する。
 かかる製造方法によれば、上記〔1〕の複合多結晶体を製造することができる。
 [本開示の効果]
 上記によれば、耐欠損性が向上した複合多結晶体が提供される。
 [本開示の実施形態の詳細]
 以下、本開示の一実施形態(以下「本実施形態」とも記す)について詳細に説明する。ただし本開示の実施形態は、以下の説明に限定されるものではない。
 <複合多結晶体>
 図1は、本実施形態の複合多結晶体の組織を示す模式図である。図1のような結晶組織は、たとえば複合多結晶体を研磨して得られる一表面を、走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)等により観察することで確認できる。
 図1に示されるように、複合多結晶体10は、複数のダイヤモンド粒子を含む多結晶ダイヤモンド相11と、非ダイヤモンド炭素により構成されている非ダイヤモンド相12と、を含む。各相の結晶構造および導電性の差から、SEMによる観察において、多結晶ダイヤモンド相11は明視野、非ダイヤモンド相12は暗視野として観測される。
 本実施形態の複合多結晶体は、実質的に、多結晶ダイヤモンド相および非ダイヤモンド相のみを含むことが望ましい。焼結助剤、結合材等の金属成分を含まないことにより、金属成分の熱膨張がないため、耐欠損性が向上する。ただし本実施形態の複合多結晶体は、製造時に不可避的に混入する不可避的不純物を含み得る。そうした不可避的不純物としては、たとえば原料(出発物質)に吸着していた窒素(N)等が想定される。不可避的不純物の含有量は、1000ppma(parts per million atomic)未満であることが望ましい。不可避的不純物の含有量は、たとえば二次イオン質量分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)等により測定できる。
 《非ダイヤモンド相》
 非ダイヤモンド相12は、複合多結晶体に複数含まれている。非ダイヤモンド相12は、多結晶ダイヤモンド相11中に分散している。
 ここで「分散している」とは、図1のような断面像において、非ダイヤモンド相がそれぞれ孤立して存在しており、個々の非ダイヤモンド相同士がつながっていない状態を示す。本実施形態では、次の場合、複合多結晶体に含まれる全ての非ダイヤモンド相が「分散している」とみなすものとする。
 すなわち、複合多結晶体を研磨することにより、清浄な表面を露出させる。当該表面の中から、3箇所の測定位置を無作為に選定する。各測定位置において、縦9μm×横12μmの矩形範囲を10000倍の倍率でそれぞれ観察する。3箇所の矩形範囲の観察において、非ダイヤモンド相同士がつながった部分が確認できない場合、当該複合多結晶体に含まれる全ての非ダイヤモンド相が分散しているとみなす。
 本実施形態では、非ダイヤモンド相が分散しているため、耐欠損性が向上する。これに対し、組織内に非ダイヤモンド相同士がつながった部分が存在すると、かかる部分が破壊の起点となるため、耐欠損性が低下することになる。
 非ダイヤモンド相は、非ダイヤモンド炭素により構成されている。「非ダイヤモンド炭素」とは、ダイヤモンド以外の固体炭素を示す。非ダイヤモンド炭素は、たとえばグラファイト、グラッシーカーボン、アモルファスカーボン、フラーレン、カーボンナノチューブ等であり得る。非ダイヤモンド相を構成する非ダイヤモンド炭素は、好ましくはグラファイトおよびアモルファスカーボンの少なくとも一方である。非ダイヤモンド相は、単結晶、多結晶、アモルファス(非晶質)のうち、一つの形態から構成されていてもよいし、複数の形態から構成されていてもよい。たとえば非ダイヤモンド相は、グラファイトの単結晶とアモルファスカーボンとが凝集した複合形態等であり得る。
 非ダイヤモンド相は、SEM観察と、X線回折測定とを併用することにより、同定することができる。すなわち非ダイヤモンド相を含む複合多結晶体のX線回折では、ダイヤモンドに由来するピークと、たとえばグラファイトに由来するピークとが観測される。ここで、ダイヤモンドに由来するピークとしては、(111)面、(220)面、(331)面等に由来するピークが考えられる。またグラファイトに由来するピークとしては、(002)面、(004)面等に由来するピークが考えられる。
 上記に加え、たとえば顕微ラマン分光装置によるラマン散乱スペクトル測定をさらに併用して、非ダイヤモンド相の同定を行うこともできる。
 (非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値)
 非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、1000nm以下である。本明細書の投影面積円相当径は、図1のような断面像において、粒子状物質の2次元投影像と等しい面積を有する円の直径を示すものとする。非ダイヤモンド相(および後述のダイヤモンド粒子)の投影面積円相当径の測定にあたっては、SEMの観察倍率は、10000倍とし、視野範囲は、縦9μm×横12μmの矩形範囲とする。
 非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、次の(a)~(f)の手順に従って算出できる。なお本明細書において平均値は、特に断りのない限り算術平均値を示すものとする。
 (a)まず視野内の非ダイヤモンド相の個数を計数する。
 (b)視野(SEM画像)に二値化処理を施し、視野を明視野に由来する画素(多結晶ダイヤモンド相に由来する画素)と、暗視野に由来する画素(非ダイヤモンド相に由来する画素)とに二分する。
 (c)暗視野に由来する画素数を計数する。
 (d)暗視野の合計画素数に、1画素あたりの面積を乗じることにより、暗視野の合計面積を算出する。
 (e)暗視野の合計面積を、非ダイヤモンド相の個数で除することにより、非ダイヤモンド相1個あたりの平均面積を算出する。
 (f)当該平均面積と等しい面積を有する円の直径を求める。
 本実施形態の非ダイヤモンド相は、投影面積円相当径の平均値が1000nm以下の微粒状の相であるため、組織内に複数存在していても、組織全体の強度に及ぼす影響は小さいと考えられる。さらに微細に分散している非ダイヤモンド相は、衝撃を緩和する緩衝物質として機能すると考えられる。なお複数の非ダイヤモンド相は、投影面積円相当径が、それぞれ1000nm以下であることが望ましい。
 耐欠損性を向上させるとの観点から、非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は小さいほど好ましい。非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、300nm以下であってもよいし、100nm以下であってもよいし、80nm以下であってもよいし、60nm以下であってもよい。耐摩耗性の観点から、非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、10nm以上であってもよい。
 (面積比率)
 複合多結晶体を研磨して得られる一表面において、該一表面の面積に対する非ダイヤモンド相の面積の比率(以下「面積比率」と記す場合がある)は、好ましくは0.5%以上30%以下である。面積比率を測定する際のSEMの観察条件(倍率、視野範囲)は、投影面積円相当径の説明において示した条件を用いることができる。
 非ダイヤモンド相の面積は、暗視野の合計面積として求められる。前述の投影面積円相当径の測定手順(b)~(d)により、暗視野の合計面積を求めることができる。そして暗視野の合計面積を、視野全体の面積で除することにより、非ダイヤモンド相の面積比率を算出できる。
 非ダイヤモンド相の面積比率が0.5%以上であることにより、耐欠損性の向上が期待できる。面積比率は、より好ましくは1%以上である。また面積比率が30%以下であることにより、耐摩耗性の向上が期待できる。面積比率は、より好ましくは26%以下であり、よりいっそう好ましくは20%以下である。
 《多結晶ダイヤモンド相》
 図1に示すように、多結晶ダイヤモンド相11は、複合多結晶体10の主相を構成している。前述のように本実施形態では、非ダイヤモンド相12が分散し、孤立している。換言すれば、主相である多結晶ダイヤモンド相11は連続している。図1では、複合多結晶体を研磨して得られる一表面が示されている。本実施形態では、当該一表面において、多結晶ダイヤモンド相が連続している場合、多結晶ダイヤモンド相は三次元的に連続しているとみなすものとする。多結晶ダイヤモンド相が三次元的に連続することにより、耐摩耗性の向上が期待できる。
 多結晶ダイヤモンド相は、複数のダイヤモンド粒子を含む。ダイヤモンド粒子は、単一の単結晶ダイヤモンドである。単結晶ダイヤモンドは、好ましくは立方晶ダイヤモンドである。単結晶ダイヤモンドは、六方晶ダイヤモンドであってもよい。多結晶ダイヤモンド相を構成する個々のダイヤモンド粒子の存在は、SEM像においてコントラストを調整することにより確認できる。
 (ダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値)
 ダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値は、好ましくは1000nm以下である。ダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値は、次の(g)~(l)の手順に従って測定できる。
 (g)SEM画像においてコントラストを調整することにより、個々のダイヤモンド粒子を互いに識別できる、すなわち粒界が見分けられる状態とする。
 (h)視野内のダイヤモンド粒子の個数を計数する。
 (i)前述のように、画像に二値化処理を施し、明視野に由来する画素を計数する。
 (j)明視野の合計画素数に、1画素あたりの面積を乗じることにより、明視野の合計面積を算出する。
 (k)明視野の合計面積を、ダイヤモンド粒子の個数で除することにより、ダイヤモンド粒子1個あたりの平均面積を算出する。
 (l)当該平均面積と等しい面積を有する円の直径を求める。
 ダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値が小さいほど、耐欠損性の向上が期待できる。複数のダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値は、500nm以下であってもよいし、300nm以下であってもよいし、150nm以下であってもよいし、80nm以下であってもよいし、60nm以下であってもよい。耐摩耗性の観点から、ダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値は、10nm以上であることが好ましい。ダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値は、30nm以上であってもよい。
 《ヌープ硬度》
 本実施形態の複合多結晶体のヌープ硬度は、好ましくは50GPa以上である。ヌープ硬度が高いほど、複合多結晶体の耐摩耗性が向上する傾向にある。ヌープ硬度は、より好ましくは60GPa以上であり、よりいっそう好ましくは70GPa以上であり、最も好ましくは100GPa以上である。ヌープ硬度の上限は特に限定されない。ヌープ硬度は、たとえば110GPa以下であってもよい。
 ヌープ硬度は、「JIS Z 2251:2009 ヌープ硬さ試験-測定方法」に準拠した方法で測定するものとする。ヌープ硬度の測定には、一般的な微小硬さ試験機を用いることができる。測定環境は、室温(たとえば23℃±5℃程度)でよい。圧子には、ヌープ型圧子(形状がひし形四角錐であるもの)を用いる。圧子の材質は、単結晶ダイヤモンドであることが望ましい。試験力(荷重)は、4.9N(0.5kgf)とする。試験力の保持時間は、10秒とする。圧子の接近速度は、60μm/sとする。
 《複合多結晶体の用途》
 本実施形態の複合多結晶体は、優れた耐欠損性を示す。ゆえに当該複合多結晶体は、衝撃、振動に対する耐性が求められる用途、たとえば掘削用ビット等の掘削工具、ならびにドリル、エンドミル、旋削加工用刃先交換チップおよび旋削バイト等の切削工具に好適である。耐摩耗性を活かして、ダイス、スクライバー、スクライビングホイール、ドレッサー等の耐摩工具に用いてもよい。あるいは、研削砥石等の研削工具に用いることもできる。すなわち、本実施形態の別の形態は、上記の複合多結晶体を備える、掘削工具、切削工具、耐摩工具もしくは研削工具であり得る。
 <複合多結晶体の製造方法>
 本実施形態の複合多結晶体(複合多結晶ダイヤモンド)は、典型的には以下の製造方法によって製造される。
 図3は、本実施形態の複合多結晶体の製造方法の概略を示すフローチャートである。当該製造方法は、準備工程(S01)と、加圧加熱工程(S02)と、変換焼結工程(S03)とを備える。各工程はこの順に実行される。以下、各工程を説明する。
 《準備工程(S01)》
 準備工程では、非ダイヤモンド炭素が準備される。複合多結晶体の原料(出発物質)としての非ダイヤモンド炭素は、たとえばグラファイト、グラッシーカーボン、アモルファスカーボン(たとえばカーボンブラック等)、フラーレン(たとえばC60等)、カーボンナノチューブ等であり得る。原料としての非ダイヤモンド炭素は、望ましくはグラファイトである。グラファイトを用いることにより、複合多結晶体の品質および純度の向上が期待できる。グラファイトの純度は、好ましくは99質量%以上100質量%以下であり、より好ましくは99.5質量%以上100質量%以下である。
 原料としての非ダイヤモンド炭素は、粉末であってもよいし、成形体であってもよい。原料としての非ダイヤモンド炭素は、好ましくはグラファイト粒子から構成される成形体(以下「グラファイト成形体」とも記す)である。かかるグラファイト成形体を用いることにより、緻密な複合多結晶体が生成されやすい傾向にある。グラファイト粒子の平均粒径は、好ましくは10nm以上5000nm以下であり、より好ましくは10nm以上1000nm以下である。ここでの「平均粒径」は、レーザ回折・散乱法によって測定される体積基準の粒度分布において、累計50%での粒径(「d50」、「メジアン径」とも称される)を示すものとする。
 グラファイト成形体は、たとえばグラファイト粒子の粉末を型押し成形することにより、製造できる。成形体の形状は、等方的に圧力が加わりやすい形状であることが望ましい。成形体の形状は、たとえば円柱状、立方体状、球状等である。グラファイト成形体の密度は、1.80~1.90g/cm3程度に調整するとよい。
 《加圧加熱工程(S02)》
 以降の工程には、1800℃以上の高温状態および9GPa以上の高圧状態を発生させることができる、高温高圧発生装置を用いる。高温高圧発生装置には、たとえばベルト型、キュービック型、分割球型等の型がある。上記の高温高圧状態を発生させることができる限り、いずれの型の装置を用いてもよい。
 加圧加熱工程では、特定条件の下で、焼結圧力まで加圧する共に、焼結温度まで加熱する。
 処理にあたり、非ダイヤモンド炭素は、高融点金属により構成されるカプセルに封入される。高融点金属は、たとえばタンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、白金(Pt)、レニウム(Re)等である。高温高圧装置の試料室に当該カプセルを配置し、加圧および加熱を行う。本実施形態では、圧力をP〔GPa〕、温度をT〔℃〕とするとき、下記式(I)~(IV):
 P≦0.0067T+1      ・・・(I)
 P≧0.0035T-0.3462 ・・・(II)
 0≦T≦2700         ・・・(III)
 0≦P≦13           ・・・(IV)
をすべて満たす条件の下で、目的の焼結圧力および焼結温度まで、加圧および加熱を行う。
 図4は、加圧加熱工程の条件を説明する図である。図4のグラフにおいて、縦軸は圧力〔GPa〕を示し、横軸は温度〔℃〕を示す。グラフ中の領域Aは、上記式(I)~(IV)をすべて満たす領域である。
 加圧および加熱中に、PおよびTが、上記式(I)を満たさない(すなわち「P>0.0067T+1」である)領域に出ると、非ダイヤモンド炭素からダイヤモンドへの相転移が、原子拡散を伴わないマルテンサイト型の相転移を主として進行する。その結果、生成された複合多結晶体では、非ダイヤモンド相の形状が不均一となり、かつ非ダイヤモンド相の分散状態も悪くなる。
 加圧および加熱中に、PおよびTが、上記式(II)を満たさない(すなわち「P<0.0035T-0.3462」である)領域に出ると、グラファイト相が安定になるため、非ダイヤモンド炭素からダイヤモンドへの変換効率が低下する。その結果、生成された複合多結晶体では、粗大な非ダイヤモンド相が形成され、非ダイヤモンド相の分散状態も悪くなる。
 図2は、参考形態に係る複合多結晶体の組織を示す模式図である。図2に示される複合多結晶体20は、上記のように加熱および加圧中、PおよびTが領域Aの外に出る条件で製造されている。複合多結晶体20では、粗大な非ダイヤモンド相22、複数の非ダイヤモンド相が凝集してつながった非ダイヤモンド相23が存在する。また多結晶ダイヤモンド相21中における非ダイヤモンド相の分散状態も均一でない。こうした組織では、非ダイヤモンド相22,23が破壊の起点となりやすく、欠損が生じやすいと考えられる。
 《変換焼結工程(S03)》
 変換焼結工程では、焼結圧力および焼結温度で保持することにより、非ダイヤモンド炭素の一部を多結晶ダイヤモンドに変換すると共に、該非ダイヤモンド炭素および該多結晶ダイヤモンドを焼結し、複合多結晶体を製造する。
 本実施形態において焼結圧力は、9GPa以上13GPa以下であり、焼結温度は、1800℃以上2700℃以下である。かかる条件で変換、焼結することにより、効率良く多結晶ダイヤモンド相を生成することができる。
 変換効率の観点から、焼結圧力は10GPa以上であってもよいし、12GPa以下であってもよい。また焼結温度は1900℃以上であってもよいし、2200℃以上であってもよい。焼結温度は2600℃以下であってもよいし、2400℃以下であってもよい。
 焼結圧力および焼結温度における保持時間は、たとえば5分以上2時間以下程度であり、好ましくは10分以上1時間以下程度であり、より好ましくは10分以上30分以下程度である。
 以上の工程を実行することにより、本実施形態の複合多結晶体を製造することができる。
 以下、実施例を用いて本実施形態を説明するが、本実施形態は以下の例に限定されるものではない。
 <複合多結晶体の製造>
 以下のようにして、試料No.1~6に係る複合多結晶体(複合多結晶ダイヤモンド)を製造した。ここでは、試料No.1~4が実施例に相当し、No.5および6が比較例に相当する。
 《試料No.1》
 1.準備工程(S01)
 粒径範囲が100~3000nmであるグラファイト粒子の粉末を、型押し成形することにより、グラファイト成形体(密度:1.85g/cm3、純度:99.5質量%)を製造した。こうして出発物質である非ダイヤモンド炭素が準備された。
 2.加圧加熱工程(S02)
 グラファイト成形体を高融点金属製のカプセルに入れ、該カプセルを高温高圧装置の試料室に配置した。図4中の領域Aに属する条件の下で、9GPaまで加圧し、2600℃まで加熱した。
 3.変換焼結工程(S03)
 9GPa(焼結圧力)および2600℃(焼結温度)で20分間保持することにより、非ダイヤモンド炭素の一部を多結晶ダイヤモンドに変換すると共に、非ダイヤモンド炭素および多結晶ダイヤモンドを焼結した。以上より、試料No.1に係る複合多結晶体を製造した。
 《試料No.2~4》
 加圧加熱工程において図4の領域A内の条件の下で、表1の変換焼結工程の欄に示す焼結圧力および焼結温度まで、加圧および加熱を行い、変換焼結工程において当該焼結圧力および焼結温度を保持することにより、複合多結晶体を製造することを除いては、試料No.1と同様にして、試料No.2~4を製造した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 《試料No.5》
 加圧加熱工程において、10GPa(焼結圧力)まで加圧し、1000℃(焼結温度)まで加熱した。変換焼結工程において当該焼結圧力および焼結温度を保持することにより、複合多結晶体を製造することを除いては、試料No.1と同様にして、試料No.5を製造した。
 試料No.5は、上記式(I)「P≦0.0067T+1」を満たさない条件で、加圧加熱工程が実行された例に相当する。図4中、試料No.5の条件は、領域Aの上側の領域に属する。
 《試料No.6》
 加圧加熱工程において、まず6GPaまで加圧し、2200℃(焼結温度)まで加熱した。その後、10GPa(焼結圧力)まで加圧した。そして変換焼結工程において、当該焼結圧力および焼結温度を保持することにより、複合多結晶体を製造することを除いては、試料No.1と同様にして、試料No.6を製造した。
 試料No.6では、最終的な焼結圧力および焼結温度が領域A内ではあるが、加圧および加熱の過程で、圧力および温度が一旦、領域A外となっている。すなわち、6GPa、2200℃まで加圧および加熱した際、上記式(II)「P≧0.0035T-0.3462」が満たされていない。図4中、P=6GPa、T=2200℃の条件は、領域Aの下側に属する。
 <評価>
 以下のようにして、各試料を評価した。
 1.非ダイヤモンド相の面積比率
 試料を研磨して、清浄な表面を露出させた。該表面の中で、別々の3箇所をSEMで観察し、多結晶ダイヤモンド相(明視野)と、非ダイヤモンド相(暗視野)とを確認した。前述の手順に従って、非ダイヤモンド相の面積比率を算出した。結果を表1に示す。SEMの条件は以下のように設定した。
 (SEM条件)
 観察倍率:10000倍
 視野範囲:縦9μm×横12μmの矩形範囲
 2.投影面積円相当径
 前述の手順に従って、非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値、ならびにダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値を算出した。結果を表1に示す。表1中、投影面積円相当径の平均値は、「円相当径(平均値)」と略記している。
 3.ヌープ硬度
 以下の条件で、各試料のヌープ硬度を測定した。測定は複数回行った。結果を表1に示す。表1のヌープ硬度の欄に示す「65-75」等の表記は、複数回測定の最小値が65GPaであり、最大値が75GPaであることを示している。ヌープ硬度が高いほど、耐摩耗性が良好であると考えられる。
 (ヌープ硬度測定条件)
 圧子:ヌープ型圧子(材質;IIa型ダイヤモンド,形状;ひし形四角錐)
 試験力:4.9N
 試験力の保持時間:10秒
 圧子接近速度:60μm/s
 4.切削試験
 各試料を切削加工用チップに加工した。当該切削加工用チップを用いて、以下の条件で切削試験を行い、耐欠損性を評価した。当該切削条件は、工具に衝撃が加わる切削加工を想定したものである。結果を表1に示す。
 (切削条件)
 切削方式:湿式切削
 被削材 :アルミニウム合金A390の丸棒(V字型の溝を4個有するもの)
 切削速度:800m/min
 切込み量:0.2mm
 送り量 :0.1mm/rev
 切削長 :10km
 <結果と考察>
 表1に示されるように、試料No.5および6は、非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値が1000nmを超えていた。また非ダイヤモンド相の大きさのばらつきも大きく、投影面積円相当径が100nm程度の微小な非ダイヤモンド相と、同径が4000~5000nm程度の粗大な非ダイヤモンド相とが混在していた。すなわち試料No.5は、投影面積円相当径の範囲が100~4000nmであり、試料No.6は、同径の範囲が100~5000nmであった。さらに粗大な非ダイヤモンド相の中には、複数の非ダイヤモンド相同士がつながった部分も確認された。
 切削試験において試料No.5は、切削長が3kmの時点で、工具刃先が大きく欠損した。また試料No.6も、切削長が2kmの時点で工具刃先が大きく欠損した。
 表1に示されるように、試料No.1~4は、非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値が1000nm以下である。試料No.1~4の組織観察では、非ダイヤモンド相が、多結晶ダイヤモンド相中に分散していることが確認された。切削試験において、試料No.1~4は、欠損せずに10km切削できた。すなわち、試料No.1~4は、試料No.5および6に比し、耐欠損性が向上していた。
 試料No.1~4のヌープ硬度は50GPa以上であった。また試料No.1~4では、ヌープ硬度のばらつき(最大値と最小値との差)が10GPa程度と小さかった。したがって試料No.1~4は耐摩耗性にも優れると考えられる。
 試料No.1~4では、非ダイヤモンド相の面積比率が低いほど、ヌープ硬度が高くなる傾向が確認された。表1より、本実施形態に従う複合多結晶体のヌープ硬度は、60GPa以上になり得るし、70GPa以上になり得るし、100GPa以上にもなり得ることが分かる。
 試料No.5および6では、ヌープ硬度のばらつきが30~35GPa程度と、試料No.1~4に比して大きかった。非ダイヤモンド相の分散性が低いためと考えられる。
 以上、本実施形態および実施例について説明したが、上述の実施形態および実施例の構成を適宜組み合わせる、あるいは様々に変形することも当初から予定している。
 今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の発明の範囲は上記した実施形態および実施例ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
 10,20 複合多結晶体、11,21 多結晶ダイヤモンド相、12,22,23 非ダイヤモンド相、A 領域。

Claims (6)

  1.  複数のダイヤモンド粒子を含む多結晶ダイヤモンド相と、
     非ダイヤモンド炭素により構成されている非ダイヤモンド相と、
    を含み、
     前記非ダイヤモンド相は、前記多結晶ダイヤモンド相中に分散しており、
     前記非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、1000nm以下である、
    複合多結晶体。
  2.  前記非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、100nm以下である、
    請求項1に記載の複合多結晶体。
  3.  前記ダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値は、1000nm以下である、
    請求項1または請求項2に記載の複合多結晶体。
  4.  ヌープ硬度が50GPa以上である、
    請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の複合多結晶体。
  5.  複数のダイヤモンド粒子を含む多結晶ダイヤモンド相と、
     非ダイヤモンド炭素により構成されている非ダイヤモンド相と、
    を含み、
     前記非ダイヤモンド相は、前記多結晶ダイヤモンド相中に分散しており、
     前記非ダイヤモンド相の投影面積円相当径の平均値は、100nm以下であり、
     前記ダイヤモンド粒子の投影面積円相当径の平均値は、1000nm以下であり、
     ヌープ硬度が50GPa以上である、
    複合多結晶体。
  6.  非ダイヤモンド炭素を準備する工程と、
     圧力をP〔GPa〕、温度をT〔℃〕とするとき、下記式(I)~(IV):
     P≦0.0067T+1      ・・・(I)
     P≧0.0035T-0.3462 ・・・(II)
     0≦T≦2700         ・・・(III)
     0≦P≦13           ・・・(IV)
    をすべて満たす条件の下で、前記非ダイヤモンド炭素を、焼結圧力まで加圧すると共に、焼結温度まで加熱する工程と、
     前記焼結圧力は、9GPa以上13GPa以下であり、前記焼結温度は、1800℃以上2700℃以下であり、さらに、
     前記非ダイヤモンド炭素を、前記焼結圧力および前記焼結温度で保持することにより、前記非ダイヤモンド炭素の一部を多結晶ダイヤモンドに変換すると共に、前記非ダイヤモンド炭素および前記多結晶ダイヤモンドを焼結し、複合多結晶体を製造する工程と、
    を備える、複合多結晶体の製造方法。
PCT/JP2016/079418 2015-10-30 2016-10-04 複合多結晶体およびその製造方法 WO2017073257A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ES16859494T ES2897993T3 (es) 2015-10-30 2016-10-04 Policristal compuesto y método para fabricar el mismo
US15/535,613 US10703636B2 (en) 2015-10-30 2016-10-04 Composite polycrystal and method for manufacturing the same
CN201680005134.XA CN107207358B (zh) 2015-10-30 2016-10-04 复合多晶体及其制造方法
EP16859494.3A EP3369717B1 (en) 2015-10-30 2016-10-04 Composite polycrystal and method for manufacturing same
PL16859494T PL3369717T3 (pl) 2015-10-30 2016-10-04 Polikryształ kompozytowy i sposób jego wytwarzania

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-214098 2015-10-30
JP2015214098A JP6112177B1 (ja) 2015-10-30 2015-10-30 複合多結晶体およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017073257A1 true WO2017073257A1 (ja) 2017-05-04

Family

ID=58630292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/079418 WO2017073257A1 (ja) 2015-10-30 2016-10-04 複合多結晶体およびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10703636B2 (ja)
EP (1) EP3369717B1 (ja)
JP (1) JP6112177B1 (ja)
CN (1) CN107207358B (ja)
ES (1) ES2897993T3 (ja)
PL (1) PL3369717T3 (ja)
WO (1) WO2017073257A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7180052B1 (ja) * 2021-06-11 2022-11-30 住友電工ハードメタル株式会社 複合多結晶体、及び複合多結晶体を備える工具

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11787699B2 (en) * 2017-11-17 2023-10-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond polycrystal and method of producing the same
JP6521206B1 (ja) * 2018-10-01 2019-05-29 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド多結晶体、ダイヤモンド多結晶体を備える工具及びダイヤモンド多結晶体の製造方法
CN116143518A (zh) * 2021-11-23 2023-05-23 燕山大学 导电高强金刚石/非晶碳复合材料及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003292397A (ja) * 2002-04-01 2003-10-15 Techno Network Shikoku Co Ltd ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法
JP2004196595A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Japan Science & Technology Agency 耐熱性ダイヤモンド複合焼結体とその製造法
WO2007011019A1 (ja) * 2005-07-21 2007-01-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 高硬度ダイヤモンド多結晶体及びその製造方法
JP2011190124A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンド多結晶体
WO2015166730A1 (ja) * 2014-04-30 2015-11-05 住友電気工業株式会社 複合焼結体

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3816085A (en) * 1971-01-29 1974-06-11 Megadiamond Corp Diamond-nondiamond carbon polycrystalline composites
JPH09142933A (ja) 1995-11-21 1997-06-03 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンド焼結体及びその製造方法
JP4542799B2 (ja) 2004-02-25 2010-09-15 住友電工ハードメタル株式会社 高強度・高耐摩耗性ダイヤモンド焼結体およびその製造方法
JP5013156B2 (ja) * 2005-07-21 2012-08-29 住友電気工業株式会社 高硬度ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法
KR101604730B1 (ko) 2008-02-06 2016-03-18 스미토모덴키고교가부시키가이샤 다이아몬드 다결정체
GB2503958A (en) * 2011-08-02 2014-01-15 Element Six Ltd A polycrystalline diamond construction
KR101690516B1 (ko) * 2014-02-04 2016-12-28 일진다이아몬드(주) 다중 다결정 다이아몬드 소결체를 구비하는 다결정 다이아몬드 컴팩트 및 그 제조방법
CN104942280B (zh) * 2015-06-23 2017-10-27 中南钻石有限公司 一种高性能多晶金刚石烧结体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003292397A (ja) * 2002-04-01 2003-10-15 Techno Network Shikoku Co Ltd ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法
JP2004196595A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Japan Science & Technology Agency 耐熱性ダイヤモンド複合焼結体とその製造法
WO2007011019A1 (ja) * 2005-07-21 2007-01-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 高硬度ダイヤモンド多結晶体及びその製造方法
JP2011190124A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンド多結晶体
WO2015166730A1 (ja) * 2014-04-30 2015-11-05 住友電気工業株式会社 複合焼結体

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3369717A4 *
SUMIYA, HITOSHI ET AL.: "Microstructure and Mechanical Properties of High-Hardness Nano-Polycrystalline Diamonds", SEI TECHNICAL REVIEW, April 2008 (2008-04-01), pages 85 - 92, XP009177780, ISSN: 1343-4349 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7180052B1 (ja) * 2021-06-11 2022-11-30 住友電工ハードメタル株式会社 複合多結晶体、及び複合多結晶体を備える工具
WO2022259508A1 (ja) * 2021-06-11 2022-12-15 住友電工ハードメタル株式会社 複合多結晶体、及び複合多結晶体を備える工具

Also Published As

Publication number Publication date
EP3369717A4 (en) 2019-06-05
US20170349441A1 (en) 2017-12-07
CN107207358A (zh) 2017-09-26
EP3369717B1 (en) 2021-11-03
PL3369717T3 (pl) 2022-02-28
ES2897993T3 (es) 2022-03-03
CN107207358B (zh) 2021-05-28
EP3369717A1 (en) 2018-09-05
JP2017081802A (ja) 2017-05-18
US10703636B2 (en) 2020-07-07
JP6112177B1 (ja) 2017-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017073257A1 (ja) 複合多結晶体およびその製造方法
CN110219042B (zh) 多晶金刚石体、切削工具、耐磨工具、磨削工具以及用于制造多晶金刚石体的方法
US9061336B2 (en) Wire drawing die
CN107406334B (zh) 金刚石多晶体、切削工具、耐磨工具、磨削工具以及金刚石多晶体的制造方法
US11383306B2 (en) Method for producing polycrystalline diamond body, polycrystalline diamond body, cutting tool, wear-resistance tool and grinding tool
WO2017073293A1 (ja) 複合多結晶体
TWI704105B (zh) 鑽石多晶體及具備其之工具
US7938997B2 (en) Preparation of bulk superhard B-C-N nanocomposite compact
JP6741017B2 (ja) 複合多結晶体
JP6939928B2 (ja) 複合多結晶体
JP2007099559A (ja) 高硬度ダイヤモンド多結晶体
TWI690488B (zh) 鑽石多晶體及具備其之工具
TWI794393B (zh) 複合多晶鑽石及其製造方法
US20040194575A1 (en) Bulk superhard B-C-N nanocomposite compact and method for preparing thereof
EP3862336A1 (en) Polycrystalline diamond, tool provided with polycrystalline diamond, and polycrystalline diamond production method
JP2015030816A (ja) 砥粒、研磨用スラリー、ワイヤーソー、結合体および砥粒の製造方法
JP6194685B2 (ja) 砥粒、研磨用スラリー、ワイヤーソー、結合体、工具および砥粒の製造方法
TW202248125A (zh) 鑽石多晶體、及具備鑽石多晶體之工具
TW202248124A (zh) 鑽石多晶體、及具備鑽石多晶體之工具

Legal Events

Date Code Title Description
REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2016859494

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15535613

Country of ref document: US

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16859494

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE