WO2017022761A1 - 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、化合物、並びに、有機半導体膜 - Google Patents

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film transistor
organic thin
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雅史 小柳
博昭 津山
英治 福▲崎▼
宇佐美　由久
渡邉　哲也
崇 後藤
岡本　敏宏
純一 竹谷
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富士フイルム株式会社
国立大学法人東京大学
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Definitions

  • the present invention relates to an organic thin film transistor and a method for producing the same, an organic thin film transistor material, an organic thin film transistor composition, a compound, and an organic semiconductor film.
  • organic TFT field effect transistor
  • organic semiconductor layer organic semiconductor layer
  • a compound for forming such an organic semiconductor film it is known that a polycyclic condensed compound containing an aromatic heterocycle is useful.
  • Patent Documents 1 and 2 disclose compounds in which the ⁇ conjugation of a compound is expanded by further condensing an aromatic heterocyclic ring (furan, thiophene, or N-substituted pyrrole as an aromatic heterocyclic group) to the chrysene skeleton. is doing.
  • the present inventor has obtained a desired compound by using a compound represented by the following general formula (1) or a compound represented by the following general formula (2) which is a structural isomer thereof.
  • the inventors have found that an effect can be obtained and have reached the present invention. That is, the present inventor has found that the above problem can be solved by the following configuration.
  • An organic thin film transistor having an organic semiconductor film containing a compound represented by the general formula (1) described later or the general formula (2) described later and having a molecular weight of 3000 or less.
  • R 1 to R 12 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 20 or less carbon atoms as R W , carbon number A substituted or unsubstituted alkenyl group having 20 or less carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkynyl group having 20 or less carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 20 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group having 20 or less carbon atoms
  • R 1 to R 12 is R W as a substituted or unsubstituted alkyl group having 20 or less carbon atoms, the number of carbon atoms A substituted or unsubstituted alkenyl group having 20 or less carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkynyl group having 20 or less carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 20 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group having 20 or less carbon atoms
  • R 1 and R 12 are the same group
  • R 2 and R 11 are the same group
  • R 3 and R 10 Are the same group
  • R 4 and R 9 are the same group
  • R 5 and R 8 are the same group
  • R 6 and R 7 are the same group
  • [7] to [9] The compound according to any one of [9].
  • [11] The compound according to any one of [7] to [10], wherein the compound is represented by a general formula (3) described later or a general formula (4) described later, and has a molecular weight of 3000 or less.
  • [12] The compound according to any one of [7] to [11], wherein the compound is represented by a general formula (5) described later or a general formula (6) described later and has a molecular weight of 3000 or less.
  • a method for producing an organic thin film transistor comprising a step of forming an organic semiconductor film by applying the organic thin film transistor composition according to [14] onto a substrate and drying the composition.
  • the term “compound” is used to mean not only the compound itself but also its salt and its ion.
  • each substituent, etc. Means the same or different. The same applies to the definition of the number of substituents and the like.
  • substituents and the like when a plurality of substituents and the like are close (particularly adjacent), it means that they may be connected to each other or condensed to form a ring.
  • a substituent or the like that does not clearly indicate substitution / unsubstitution means that the group may further have a substituent as long as the intended effect is not impaired. This is also synonymous for compounds that do not specify substitution / non-substitution.
  • a numerical range represented by using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.
  • ADVANTAGE OF THE INVENTION it has an organic-semiconductor film produced using the compound excellent in the solubility to an organic solvent, and can provide the organic thin-film transistor excellent in carrier mobility.
  • a compound having excellent solubility in a solvent and exhibiting high carrier mobility when used in an organic semiconductor film of an organic thin film transistor a material for an organic thin film transistor using the above compound, an organic thin film transistor Composition, a method for producing an organic thin film transistor, and an organic semiconductor film can be provided.
  • the organic thin film transistor of the present invention is a compound represented by the following general formula (1) and having a molecular weight of 3,000 or less, or a structural isomer thereof, on the organic semiconductor film (organic semiconductor layer). And a compound represented by the following general formula (2) and having a molecular weight of 3,000 or less.
  • the compound represented by the general formula (1) or (2) has a well-aligned phase of electron orbits of molecules in the microcrystal, and a mutual relationship between the molecules. Because of its strong action and excellent packing, it has the characteristic that molecular HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) orbitals tend to overlap.
  • molecular HOMO Highest Occupied Molecular Orbital
  • the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) has a highly symmetrical structure in which ⁇ -conjugate is expanded by further condensing thiophene to the chrysene skeleton, Although it is presumed to be inferior to the ⁇ -conjugate plane, it has a specific structure near the center of symmetry of the ⁇ conjugate plane, which weakens the CH- ⁇ interaction between molecules in the herringbone structure due to the effect of steric hindrance. , Expresses excellent solubility.
  • the compound represented by the general formula (1) or (2) for the organic semiconductor film of the organic thin film transistor, the above structure is synergistic, that is, a uniform thin film with high carrier mobility can be formed. .
  • the ⁇ -conjugated main plane is not destroyed by the above-described substituent. Since excellent intermolecular interaction is exhibited, excellent carrier mobility can be obtained regardless of the film forming means and the transistor layer configuration.
  • the organic semiconductor film (organic semiconductor layer) of the organic thin film transistor of the present invention is a compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) (the general formula (1) and the general formula (2) are structural isomers. Related).
  • the compounds represented by the general formulas (1) and (2) are novel compounds and can be suitably used for organic semiconductor films of organic thin film transistors as well as other uses described later. it can.
  • R 1 to R 12 each independently represent a group represented by the following formula (W). -L W -R W (W)
  • L W represents a single bond, —O—, —S—, —NR 13 —, —CO—, —SO—, —SO 2 — or —Si (R 14 ) (R 15 ) —.
  • R W is a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituted
  • R 13 to R 15 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent.
  • at least one of R 5 to R 8 is a group other than a hydrogen atom.
  • the “alkyl group” and “alkenyl group” in this specification include any of linear, branched and cyclic.
  • examples of the cyclic alkyl group include a cycloalkyl group, a bicycloalkyl group, and a tricycloalkyl group.
  • examples of the cyclic alkenyl group include a cycloalkenyl group and a bicycloalkenyl group.
  • examples of the hetero atom included in the “heteroaryl group” in the present specification include a sulfur atom (S), an oxygen atom (O), and a nitrogen atom (N).
  • the molecular weight of the compounds represented by the general formula (1) and the general formula (2) is 3,000 or less, preferably 250 to 2,000, more preferably 300 to 1,000, A more preferred range is 350 to 800. By making molecular weight into the said range, since the solubility to a solvent can be improved more, it is preferable.
  • R 1 to R 12 each independently represent a group represented by the above formula (W).
  • L W is any one of a single bond, —O—, —S—, —NR 13 —, —CO—, —SO—, —SO 2 — or —Si (R 14 ) (R 15 ) —.
  • R 13 to R 15 are each a hydrogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), an alkenyl group (preferably having 2 to 6 carbon atoms), an alkynyl group (which may have a substituent) ( Preferably it represents 2 to 6 carbon atoms, an aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms) or a heteroaryl group (preferably 3 to 12 carbon atoms), preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, An alkyl group is more preferable, and an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is still more preferable.
  • the R W represents a hydrogen atom, a halogen atom, or may have a substituent, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group or heteroaryl group.
  • an alkyl group an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 2 to 15 carbon atoms is more preferable, and an alkyl group having 3 to 10 carbon atoms is still more preferable.
  • the alkenyl group is preferably an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, more preferably an alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms, and still more preferably an alkenyl group having 2 carbon atoms.
  • the alkynyl group is preferably an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, more preferably an alkynyl group having 2 to 4 carbon atoms, and still more preferably an alkynyl group having 2 carbon atoms.
  • aryl group an aryl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms is more preferable, and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms is still more preferable.
  • the heteroaryl group a heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms is preferable, a heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms is more preferable, and a heteroaryl group having 3 to 8 carbon atoms is still more preferable.
  • R 5 to R 8 is a group other than a hydrogen atom (hereinafter referred to as “substitution”) from the viewpoints of solubility, crystal structure and intermolecular interaction. It is preferable that two are groups other than a hydrogen atom.
  • the number of substituents W is preferably 2 to 4.
  • the substituent W when the substituent W is introduced into R 1 to R 12 , the substituent W is preferably a position where the whole molecule has a point-symmetric structure.
  • the same substituent is preferably disposed at a position where the whole molecule has a point-symmetric structure so that the whole molecule including the substituent structure has a point-symmetric structure.
  • R 1 and R 12 have both a substituent W (preferably the same group)
  • R 2 and R 11 have both a substituent W (preferably the same group)
  • R When both have a substituent W (preferably the same group) at positions 3 and R 10 when both have a substituent W (preferably the same group) at positions R 4 and R 9 , the positions at R 5 and R 8 In which both have a substituent W (preferably the same group), a case where both have a substituent W (preferably the same group) at the positions of R 6 and R 7 , and a combination of these two or more cases.
  • the total number of carbon atoms of the combined L W and R W in R 1 ⁇ carbon atoms in the substituent W in the R 12 (the formula (W) ) Is preferably independently 30 or less, more preferably 25 or less, still more preferably 20 or less, and further preferably 16 or less, from the viewpoints of solubility, crystal structure and intermolecular interaction. It is particularly preferred.
  • solubility in view of the interaction between the crystal structure and molecular, at least any one of R 1 ⁇ R 12, as R W, having 20 or less carbon atoms (preferably Is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20), a substituted or unsubstituted alkenyl group having 20 or less carbon atoms (preferably 2 to 6), and a substituent having 20 or less carbon atoms (preferably 2 to 6).
  • an unsubstituted alkynyl group a substituted or unsubstituted aryl group having 20 or less carbon atoms (preferably 6 to 20), and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 20 or less carbon atoms (preferably 3 to 20).
  • it has any one group selected from the group consisting of, chromatic among the combinations of R 5 and R 8 or R 6 and R 7, at least one of combinations of the above groups independently Rukoto more preferably, it is further preferred that both R 5 and R 8 have independently the above groups.
  • R w may be a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group ( More preferably, it has any group selected from the group consisting of 3 to 10 carbon atoms) and a substituted or unsubstituted alkynyl group (preferably 2 to 6 carbon atoms).
  • examples of the substituent that the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group and heteroaryl group in R 1 to R 15 may have include, for example, a halogen atom, Alkyl groups (including cycloalkyl groups, bicycloalkyl groups, and tricycloalkyl groups), aryl groups, heterocyclic groups (also referred to as “heterocyclic groups”), cyano groups, hydroxy groups, nitro groups, carboxy groups, alkoxy groups Group, aryloxy group, silyl group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group (including anilino group), ammonio group, acylamino group , Aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryl Oxycarbonylamino group
  • the substituent is preferably a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, or a silyl group, a fluorine atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or 1 carbon atom.
  • Properly unsubstituted alkylsilyl group (number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5, 1 to 3 carbon atoms more preferred.) Are most preferred.
  • Rw is not an alkyl group, from the viewpoint of solubility, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group
  • an alkylsilyl group (wherein the alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, still more preferably 1 to 3 carbon atoms) as a substituent.
  • the alkylsilyl group intends a group represented by the following formula (X).
  • * Represents a bonding position.
  • R a represents an alkyl group
  • R b represents a hydrogen atom
  • m represents 0, 1 or 2.
  • the suitable range of carbon number of an alkyl group is as above-mentioned.
  • * Indicates an alkyl group contained in R w, alkenyl group, alkynyl group, a coupling position of the aryl group and heteroaryl group.
  • any one of R 1 to R 12 is a group represented by the formula (Y) in that the effect of the present invention is more excellent. It is preferable.
  • R a , R b , and m in the above formula (Y) are as described above.
  • R 1 and R 12 are the same group
  • R 2 and R 11 are the same group
  • R 3 and R 10 from the viewpoint of improving the symmetry of the molecule and thereby improving the intermolecular interaction.
  • R 4 and R 9 are the same group
  • R 5 and R 8 are the same group
  • R 6 and R 7 are the same group.
  • the compound represented by the general formula (1) is preferably a compound represented by the following general formula (3) and having a molecular weight of 3,000 or less, and represented by the above general formula (2).
  • the compound is preferably a compound represented by the following general formula (4) and having a molecular weight of 3,000 or less.
  • the compound represented by the following general formula (3) and the compound represented by the following general formula (4) are structural isomers.
  • R 1 , R 5 to R 8 , and R 12 each independently represent a group represented by the following formula (W).
  • W represents a single bond, —O—, —S—, —NR 13 —, —CO—, —SO—, —SO 2 — or —Si (R 14 ) (R 15 ) —.
  • R W is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted is 20 or less carbon atoms
  • Each of R 13 to R 15 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, which may have a substituent.
  • heteroaryl represents a group.
  • R 1 and R 12 , R 5 and R 8 , and R 6 and R 7 are the same group, and any combination of R 5 and R 8 and R 6 and R 7 is a group other than a hydrogen atom. It is.
  • R 1 , R 5 to R 8 , R 12 , L W , and R W are the same as R 1 , R 5 to R 8 , and R 12 , L W and R W are the same as each other, and the same applies to preferred embodiments.
  • the compound represented by the general formula (3) is preferably a compound represented by the following general formula (5) and a molecular weight of 3,000 or less, and represented by the above general formula (4).
  • the compound is preferably a compound represented by the following general formula (6) and having a molecular weight of 3,000 or less.
  • the compound represented by the following general formula (5) and the compound represented by the following general formula (6) are structural isomers.
  • R 1 , R 5 , R 8 , and R 12 each independently represent a group represented by the following formula (W).
  • W represents a single bond, —O—, —S—, —NR 13 —, —CO—, —SO—, —SO 2 — or —Si (R 14 ) (R 15 ) —.
  • R W is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted is 20 or less carbon atoms
  • Each of R 13 to R 15 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, which may have a substituent.
  • R 1 and R 12 , and R 5 and R 8 are the same group, and the combination of R 5 and R 8 is a group other than a hydrogen atom.
  • R 1 , R 5 , R 8 , R 12 , L W , R W are the same as R 1 , R 5 , R 8 , R 12 , L W and R W are the same as each other, and the same applies to preferred embodiments.
  • TMS is a trimethylsilyl group
  • TIPS is a triisopropylsilyl group
  • TDMS is a tert-butyldimethylsilyl group
  • Bu is a butyl group
  • Et is an ethyl group
  • Pr is a propyl group
  • Me is a methyl group
  • Ph is a phenyl group.
  • the method for synthesizing the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) is not particularly limited, and can be synthesized with reference to a known method.
  • a synthesis method for example, a compound represented by the following general formula (7) or (8) is heated in the presence of a compound represented by the following general formula (9), a transition metal catalyst and an organic solvent.
  • a method including a step of reacting is preferably exemplified.
  • W independently represents a halogen atom or a perfluoroalkylsulfonyloxy group.
  • R 11 -M (R 12 ) i In the general formula (9), R 11 represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group or a heteroaryl group, and may further have a substituent, and M is magnesium, silicon, boron, tin or zinc.
  • Each of R 12 independently represents a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or a hydroxyl group, which may be the same as or different from each other, and may form a ring with each other; Represents an integer of 1 to 3 and has a valence of M of ⁇ 1. However, when M is boron, i may take 3.
  • the transition metal catalyst is not particularly limited, and includes Kumada-Tamao-Colleu coupling, Kashiyama coupling, Suzuki-Miyaura coupling, Ueda-Kosugi-Still coupling, Sonogami-Kashihara coupling, Mikuroki-Heck.
  • a transition metal catalyst used for a reaction or a coupling reaction such as Negishi coupling can be preferably used.
  • a palladium catalyst or a nickel catalyst is preferable, and a palladium catalyst is more preferable.
  • the said metal catalyst can have arbitrary ligands according to reaction. There is no restriction
  • the amounts of the compounds represented by the general formulas (7) to (9), the transition metal catalyst, and the organic solvent are not particularly limited, and may be appropriately selected as necessary.
  • the heating temperature during the reaction is not particularly limited, but is preferably 25 ° C to 200 ° C, and more preferably 40 ° C to 150 ° C.
  • the organic semiconductor film in the organic semiconductor transistor of the present invention may contain only one type of compound represented by the general formula (1) or two or more types from the viewpoint of orientation. It is preferable to contain only 1 type. The same applies to the case of using the compound represented by the general formula (2). Further, in the organic semiconductor film, the organic thin film transistor material, or the organic thin film transistor composition described later, even if only one type of compound represented by the general formula (1) is included, two or more types are included. However, it is preferable that only one kind is included from the viewpoint of orientation. The same applies to the case of using the compound represented by the general formula (2).
  • the total content of the compound represented by the general formula (1) in the organic semiconductor film in the organic semiconductor transistor of the present invention is preferably 30 to 100% by mass, more preferably 50 to 100% by mass, More preferably, it is 70 to 100% by mass. Further, when the binder polymer described later is not contained, the total content is preferably 90 to 100% by mass, and more preferably 95 to 100% by mass. The same applies to the case of using the compound represented by the general formula (2).
  • the organic thin film transistor of the present invention has an organic semiconductor film (organic semiconductor layer) containing the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2), and further includes a source electrode, a drain electrode, and a gate. An electrode.
  • the structure of the organic thin film transistor according to this embodiment is not particularly limited. For example, the bottom contact type (bottom contact-bottom gate type and bottom contact-top gate type) or the top contact type (top contact-bottom gate type) And top contact-top gate type).
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a bottom contact organic thin film transistor 100 according to an embodiment of the present invention.
  • the organic thin film transistor 100 includes a substrate (base material) 10, a gate electrode 20, a gate insulating film 30, a source electrode 40, a drain electrode 42, and an organic semiconductor film (organic semiconductor layer) 50. And a sealing layer 60.
  • the organic semiconductor film 50 is produced using the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) described above.
  • the substrate (base material), the gate electrode, the gate insulating film, the source electrode, the drain electrode, the organic semiconductor film (organic semiconductor layer), the sealing layer, and the respective production methods will be described in detail.
  • the substrate plays a role of supporting a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, or the like, which will be described later.
  • substrate is not restrict
  • Gate electrode examples of the material of the gate electrode include gold (Au), silver, aluminum, copper, chromium, nickel, cobalt, titanium, platinum, magnesium, calcium, barium, and sodium; InO 2 , SnO 2 , and ITO Conductive oxides such as (Indium Tin Oxide); conductive polymers such as polyaniline, polypyrrole, polythiophene, polyacetylene, and polydiacetylene; semiconductors such as silicon, germanium, and gallium arsenide; fullerenes, carbon nanotubes, graphite, etc. And carbon materials. Especially, it is preferable that it is a metal, and it is more preferable that it is silver or aluminum.
  • the thickness of the gate electrode is not particularly limited, but is preferably 20 to 200 nm. Note that the gate electrode may function as a substrate. In that case, the substrate may not be provided.
  • the method for forming the gate electrode is not particularly limited, and examples thereof include a method of vacuum-depositing or sputtering an electrode material on a substrate and a method of applying or printing an electrode-forming composition.
  • Examples of the patterning method for patterning the electrode include a photolithography method; a printing method such as inkjet printing, screen printing, offset printing, and relief printing (flexographic printing); a mask vapor deposition method, and the like.
  • Gate insulation film Materials for the gate insulating film include polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl phenol, polyimide, polycarbonate, polyester, polyvinyl alcohol, polyvinyl acetate, polyurethane, polysulfone, polybenzoxazole, polysilsesquioxane, epoxy resin, and Examples thereof include polymers such as phenol resins; oxides such as silicon dioxide, aluminum oxide, and titanium oxide; and nitrides such as silicon nitride. Of these materials, a polymer is preferable in view of compatibility with the organic semiconductor film.
  • the thickness of the gate insulating film is not particularly limited, but is preferably 100 to 1000 nm.
  • a method for forming the gate insulating film is not particularly limited. For example, a method of applying a gate insulating film forming composition on a substrate on which a gate electrode is formed, a method of depositing or sputtering a gate insulating film material, and the like. Can be mentioned.
  • Source electrode, drain electrode Specific examples of the material of the source electrode and the drain electrode are the same as those of the gate electrode described above. Especially, it is preferable that it is a metal and it is more preferable that it is silver.
  • a method for forming the source electrode and the drain electrode is not particularly limited. For example, an electrode material is vacuum-deposited or sputtered on a substrate on which a gate electrode and a gate insulating film are formed, and an electrode forming composition is formed. The method of apply
  • Organic semiconductor film The method for producing the organic semiconductor film is not particularly limited as long as the organic semiconductor film containing the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) can be produced.
  • An organic semiconductor film can be produced by applying a composition for organic thin film transistor (described later) containing the compound represented by (1) or general formula (2) onto a substrate and drying it.
  • the application of the organic thin film transistor composition on the substrate means not only an embodiment in which the organic thin film transistor composition is directly applied to the substrate, but also an organic thin film transistor over the substrate through another layer provided on the substrate.
  • the aspect which provides a composition shall also be included.
  • a method for applying the organic thin film transistor composition a known method can be used, for example, a bar coating method, a spin coating method, a knife coating method, a doctor blade method, an ink jet printing method, a flexographic printing method, a gravure printing method, And a screen printing method.
  • a coating method of the composition for organic thin film transistors a method for forming an organic semiconductor film (so-called gap casting method) described in JP2013-207085A and an organic method described in WO2014 / 175351 are disclosed.
  • a semiconductor film manufacturing method is preferably used.
  • Drying is appropriately selected depending on the type of each component contained in the organic thin film transistor composition, and may be natural drying. However, heat treatment is performed from the viewpoint of improving productivity. preferable.
  • the heating temperature is preferably 30 to 200 ° C., more preferably 40 to 150 ° C.
  • the heating time is preferably 10 to 300 minutes, more preferably 30 to 180 minutes.
  • the thickness of the organic semiconductor film to be produced is not particularly limited, but is preferably 10 to 500 nm, more preferably 20 to 200 nm, from the viewpoint that the effect of the present invention is more excellent.
  • the organic semiconductor film containing the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) is preferably used for an organic thin film transistor, but is not limited to this application.
  • the organic semiconductor film containing the compound represented by (1) or the general formula (2) can be applied to other uses described later.
  • the organic thin film transistor of the present invention preferably includes a sealing layer as the outermost layer from the viewpoint of durability.
  • a well-known sealing agent composition for sealing layer formation
  • the thickness of the sealing layer is not particularly limited, but is preferably 0.2 to 10 ⁇ m.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a top contact type organic thin film transistor 200 according to an embodiment of the present invention.
  • the organic thin film transistor 200 includes a substrate 10, a gate electrode 20, a gate insulating film 30, a source electrode 40, a drain electrode 42, an organic semiconductor film (organic semiconductor layer) 50, and a sealing layer. 60.
  • the organic semiconductor film 50 is formed using the composition for organic semiconductor transistors of the present invention described later. Since the substrate, gate electrode, gate insulating film, source electrode, drain electrode, organic semiconductor film, and sealing layer are as described above, description thereof is omitted.
  • the organic thin film transistor described above can be used alone as a switching element. Further, by arranging a plurality of elements on a matrix, for example, it can be used in a display unit that displays an image of electronic paper or a display device, or a light receiving unit that receives an image of an X-ray flat panel detector. Further, by combining a plurality of elements, it can be applied to a small circuit such as an inverter, a ring oscillator, or a d-flip-flop, or a logic circuit such as an RFID (radio frequency identifier: RF tag) or a memory. Since each device can have a known structure, the description thereof is omitted.
  • RF tag radio frequency identifier
  • composition for organic thin film transistor The composition for an organic thin film transistor of the present invention is used for producing the organic semiconductor film of the organic thin film transistor described above.
  • the composition for organic thin-film transistors described below may be used for other uses described later.
  • the “composition for organic thin-film transistors” is simply referred to as “organic semiconductor composition”.
  • the composition for organic thin-film transistors contains the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) described above, it usually further contains an organic solvent from the viewpoint of improving its coatability.
  • the content is preferably 0.01 to 80% by mass with respect to the total mass of the composition for an organic thin film transistor, from the viewpoint of improving coatability, and 0.05 to 10%. More preferably, it is more preferably 0.1% by mass to 5% by mass.
  • organic solvent is not particularly limited, and hydrocarbon solvents such as hexane, octane, decane, toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene, decalin, tetralin, 2-methylbenzothiazole, 1-methylnaphthalene, acetone, Ketone solvents such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, dichloromethane, chloroform, tetrachloromethane, dichloroethane, trichloroethane, tetrachloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, 1,2-dichlorobenzene, 1-fluoronaphthalene, 2,5-dichloro Halogenated hydrocarbon solvents such as thiophene, 2,5-dibromothiophene, 1-chloronaphthalene, chloroto
  • Ester solvent alcohol solvent such as methanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol, cyclohexanol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, ethylene glycol, ether solvent such as butoxybenzene, dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, anisole, N Amide solvents such as 1, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, imide solvents such as 1-methyl-2-pyrrolidone and 1-methyl-2-imidazolidinone, sulfoxides such as dimethyl sulfoxide Examples of the solvent include nitrile solvents such as acetonitrile.
  • the said organic solvent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • the composition for organic thin film transistors may further contain a binder polymer.
  • a binder polymer is not restrict
  • the binder polymer include insulating polymers such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyimide, polyurethane, polysiloxane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, cellulose, polyethylene, and polypropylene, and co-polymers thereof.
  • Polymer ethylene-propylene rubber, acrylonitrile-butadiene rubber, hydrogenated nitrile rubber, fluorine rubber, perfluoroelastomer, tetrafluoroethylenepropylene copolymer, ethylene-propylene-diene copolymer, styrene-butadiene rubber, poly Chloroprene, polyneoprene, butyl rubber, methyl phenyl silicone resin, methyl phenyl vinyl silicone resin, methyl vinyl vinyl Corn resin, fluorosilicone resin, acrylic rubber, ethylene acrylic rubber, chlorosulfonated polyethylene, chloropolyethylene, epichlorohydrin copolymer, polyisoprene-natural rubber copolymer, polyisoprene rubber, styrene-isoprene block copolymer , Polyester urethane copolymers, polyether urethane copolymers, rubbers or thermoplastic elastomers such as polyethere
  • the polymer binder may be used alone or in combination.
  • a polymer compound having a benzene ring (a polymer having a monomer unit having a benzene ring group) is preferable.
  • the content of the monomer unit having a benzene ring is not particularly limited, but is preferably 50 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, and still more preferably 90 mol% or more in all monomer units.
  • An upper limit in particular is not restrict
  • binder polymer examples include, for example, polystyrene, poly ( ⁇ -methylstyrene), polyvinyl cinnamate, poly (4-vinylphenyl), poly (4-methylstyrene), poly [bis (4-phenyl) ( 2,4,6-trimethylphenyl) amine], and poly [2,6- (4,4-bis (2-ethylhexyl) -4Hcyclopenta [2,1-b; 3,4-b ′] dithiophene)- Alt-4,7- (2,1,3-benzothiadiazole)] and the like, polystyrene or poly ( ⁇ -methylstyrene) is more preferable, and poly ( ⁇ -methylstyrene) is more preferable.
  • the weight average molecular weight of the binder polymer is not particularly limited, but is preferably 1,000 to 2,000,000, more preferably 3,000 to 1,000,000, and even more preferably 5,000 to 600,000.
  • the content is 1 to 10,000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) contained in the composition for organic thin film transistors. It is preferably 10 to 1,000 parts by mass, more preferably 25 to 400 parts by mass, and most preferably 50 to 200 parts by mass. Within the above range, the resulting organic semiconductor film and organic semiconductor element are more excellent in carrier mobility and film uniformity.
  • composition for organic thin-film transistors may contain other components other than the above.
  • known additives and the like can be used.
  • the preparation method of the composition for organic thin-film transistors is not particularly limited, and a known method can be adopted.
  • the organic thin film transistor composition of the present invention can be obtained by adding a predetermined amount of the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) in an organic solvent and appropriately performing a stirring treatment. Can do.
  • the organic thin film transistor material of the present invention contains the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) described above.
  • the organic thin film transistor material refers to a material that is used for an organic thin film transistor and exhibits characteristics of a semiconductor.
  • the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) is a material exhibiting properties as a semiconductor, and is a p-type (hole transport type) organic semiconductor material that conducts electrons as carriers. Note that the organic thin film transistor material may be used for other applications described later. In this case, the “organic thin film transistor material” is simply referred to as “organic semiconductor material”.
  • a non-emissive organic semiconductor device means a device that is not intended to emit light.
  • an organic photoelectric conversion element such as a solid-state imaging element for photosensors and a solar cell for energy conversion
  • a gas sensor such as a gas sensor
  • an organic rectifying element such as a gas sensor
  • Examples include an information recording element.
  • the organic semiconductor film is preferably functioned as an electronic element.
  • the organic semiconductor film includes an organic semiconductor film containing the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2).
  • N, N-bis (trifluoromethylsulfonyl) aniline was added to a solution of 650 mg (1.75 mmol) of compound (K) and 2.41 g (17.5 mmol) of potassium carbonate in 50 mL of N, N-dimethylformamide at 0 ° C. 3.12 g (8.73 mmol) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 4 hours. Methanol was added to the reaction solution, and the precipitate was collected by filtration and washed with methanol to obtain 550 mg of compound (L) as a yellow solid (2-step yield 58%).
  • N, N-bis (trifluoromethylsulfonyl) was added to a solution of 1.19 g (3.19 mmol) of compound (S) and 4.10 g (31.9 mmol) of potassium carbonate in 50 mL of N, N-dimethylformamide at 0 ° C. ) 5.71 g (16.0 mmol) of aniline was added and stirred at room temperature for 4 hours. Methanol was added to the reaction solution, and the precipitate was filtered off and washed with methanol to obtain 1.59 g (2 step yield 79%) of compound (T) as a yellow solid.
  • Comparative compounds 1 to 3 used for the organic semiconductor film (organic semiconductor layer) of the comparative element were synthesized according to the synthesis method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-078729 (Patent Document 1).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-078729
  • the structures of Comparative Compounds 1 to 3 are shown below.
  • the organic thin film transistor material (each of the above compounds) used for device fabrication was confirmed to have a purity (absorption intensity area ratio of 254 nm) of 99.0% or higher by high performance liquid chromatography (Tosoh TSKgel ODS-100Z). .
  • the organic semiconductor film was formed by the method described in FIGS. 3 to 5 are schematic views showing a method for manufacturing organic semiconductor films of examples and comparative examples.
  • the case where the composition 1 for organic thin-film transistors is used is mentioned as an example, and the detail of the formation method of an organic semiconductor film is shown below.
  • a 10 mm ⁇ 10 mm substrate in which a thermal oxide film of SiO 2 of 500 nm was formed on the surface of an n-type silicon substrate (0.4 mm thickness) was used as the substrate 212.
  • the surface of the substrate 212 on the side of the thermal oxide film was subjected to UV (ultraviolet) -ozone cleaning and then subjected to ⁇ -phenethyltrimethoxysilane treatment.
  • a member 214 was placed on the surface of the substrate 212 on the ⁇ -phenethyltrimethoxysilane treated surface and in the center of the substrate 212 as shown in FIG.
  • the member 214 is made of glass and has a length of 6 mm ⁇ width of 1 mm ⁇ height of 2 mm.
  • the horizontal direction in FIG. 3 (X-axis direction) is the horizontal direction of the member 214, and the vertical direction in FIG. 3 (Z-axis direction). Is the height direction of the member 214, and the vertical direction (Y-axis direction) in FIG. 4B is the vertical direction of the member 214.
  • the substrate 212 was heated to 40 ° C., and one drop (about 0.03 ml) of the composition 1 for organic thin film transistor (the composition 210 for organic thin film transistor shown in FIGS. 3 to 5) prepared by the above method was pipetted here. 216 is used from the side of the member 214 so as to be in contact with both the substrate 212 and the member 214 as shown in FIG. 3, and an organic thin film transistor is formed on a part of the surface of the substrate 212 as shown in FIGS. 4A and 4B. Composition 1 was added dropwise. A concave meniscus was formed at the interface with the member 214. As shown in FIG.
  • the dropped organic thin film transistor composition 1 is naturally dried. I let you. Thereafter, the crystals of Compound 1 were precipitated by drying under reduced pressure under a pressure of 10 ⁇ 3 MPa at 40 ° C. for 8 hours to form an organic semiconductor film. Whether or not crystals were precipitated was confirmed by observation with a polarizing microscope. The film thickness of the obtained organic semiconductor film was 70 nm.
  • an organic thin film transistor element 1 (hereinafter also referred to as “element 1”) for measuring FET (field effect transistor) characteristics was obtained.
  • any one of the organic thin film transistor compositions 2 to 6 or the comparative organic thin film transistor composition 1, 2, or 3 was used instead of the organic thin film transistor composition 1
  • Organic thin film transistor elements 2 to 6 hereinafter also referred to as “elements 2 to 6”
  • comparative organic thin film transistor elements 1 to 3 hereinafter also referred to as “comparative elements 1 to 3”.
  • the obtained elements 1 to 6 and comparative elements 1 to 3 were organic thin film transistor elements of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3.
  • each organic thin-film transistor element FET element
  • the gate voltage is varied in a range of 20V ⁇ -150 V
  • L is the gate length
  • W is the gate width
  • C i the capacitance per unit area of the insulating layer
  • V g the gate voltage
  • V th the threshold voltage
  • A ⁇ 0.5 cm 2 / Vs
  • B 0.1 to less than 0.5 cm 2 / Vs
  • C 0.05 to less than 0.1 cm 2 / Vs
  • D ⁇ 0.05 cm 2 / Vs
  • Example 7 to 12 and Comparative Examples 4 to 6 ⁇ Element fabrication and evaluation ⁇ ⁇ Fabrication of bottom gate / bottom contact type device by coating process>
  • bottom gate / bottom contact type organic thin film transistor elements were fabricated. Details are shown below.
  • the organic thin film transistor composition 1 obtained by adjusting the 0.1 mass% anisole solution of the compound 1 in Example 1 above at room temperature was cast (drop cast) on the following FET characteristic measurement substrate at room temperature in a nitrogen atmosphere.
  • the non-light-emitting organic thin film transistor element 7 (hereinafter also referred to as “element 7”) was obtained.
  • a silicon substrate having a gate / bottom contact structure was used.
  • An organic thin film transistor element 8 to 8 is prepared in accordance with the method for producing the element 7 except that the organic thin film transistor composition 2 to 6 or the comparative organic thin film transistor composition 1, 2, or 3 is used instead of the organic thin film transistor composition 1.
  • 12 hereinafter also referred to as “elements 8 to 12”
  • comparative organic thin film transistor elements 4 to 6 hereinafter also referred to as “comparative elements 4 to 6” were produced. Since Comparative Compounds 1 to 3 have low solubility, an organic thin film transistor composition was prepared by heating a 0.1 mass% solution at 80 ° C. using anisole as a solvent. The obtained elements 7 to 12 and comparative elements 4 to 6 were organic thin film transistor elements of Examples 7 to 12 and Comparative Examples 4 to 6.
  • the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) has good solubility, and the organic thin film transistor elements of the respective examples (Examples 1 to 12) using the compound are as follows. , Both showed high carrier mobility.
  • Example 13 to 18 and Comparative Examples 7 to 9 ⁇ Fabrication of bottom gate / bottom contact type element using polymer binder> A bottom gate / bottom contact type device as in Example 7 except that a material (material 1 ′) containing Compound 1 and poly ⁇ -methylstyrene in a mass ratio of 1: 1 was used instead of Compound 1 in Example 7. 13 was produced.
  • the obtained element 13 was an organic thin film transistor element of Example 13.
  • the organic thin film transistor elements 14 to 18 (hereinafter referred to as “elements 14 to 18”) were produced in the same manner except that the compounds 2 to 6 or the comparative compounds 1, 2 or 3 were used instead of the compound 1.
  • comparative organic thin film transistor elements 7 to 9 hereinafter also referred to as “comparative elements 7 to 9”).
  • the obtained elements 14 to 18 and comparative elements 7 to 9 were organic thin film transistor elements of Examples 14 to 18 and Comparative examples 7 to 9.
  • the organic thin film transistor element of each example using the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) is a bottom gate / bottom contact type element or a polymer binder. It was confirmed that the carrier mobility was high, and it was found that the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) is preferably used as a material for an organic thin film transistor. On the other hand, it was found that the organic thin film transistor element using the comparative compounds 1 to 3 outside the range of the general formula (1) as the organic thin film transistor material for the organic semiconductor layer has low carrier mobility.
  • Example 19 to 30 ⁇ Element fabrication and evaluation ⁇ ⁇ Fabrication of bottom gate / bottom contact type elements by printing method> -Inkjet method- Compound 1 and tetralin as a solvent were mixed to prepare a 0.1 mass% solution, which was designated as organic thin film transistor composition 21. Also, organic thin film transistor compositions 22 to 26 were prepared in the same manner except that compounds 2 to 6 were used instead of compound 1, respectively. Using the organic thin film transistor composition 21, an organic semiconductor film was formed on the same bottom gate / bottom contact type FET characteristic measurement substrate as in Example 7 by an inkjet method, and a non-light emitting organic thin film transistor element 19 (hereinafter referred to as “ Element 19 ”) was obtained.
  • Element 19 non-light emitting organic thin film transistor element 19
  • a specific method for manufacturing the organic semiconductor film by the inkjet method is as follows.
  • a solid film was formed using a DMP2831 (manufactured by FUJIFILM Graphic Systems Co., Ltd.) and a 10 pl head as an ink jet apparatus, with an ejection frequency of 2 Hz and a dot pitch of 20 ⁇ m. Thereafter, the organic semiconductor film was formed by drying at 70 ° C. for 1 hour.
  • the organic thin film transistor elements 20 to 24 (hereinafter also referred to as “elements 20 to 24”) according to the production method of the element 19 except that the organic thin film transistor compositions 22 to 26 were used instead of the organic thin film transistor composition 21. Each was produced.
  • the obtained devices 19 to 24 were organic thin film transistor devices of Examples 19 to 24.
  • -Flexographic printing method A coating solution for organic semiconductor device in which 0.5% by mass of Compound 1 and 0.5% by mass of poly- ⁇ -methylstyrene and 0.05% of BYK323 (manufactured by BYK) as a surfactant are dissolved in tetralin. This was prepared as a composition 31 for an organic thin film transistor. Further, compositions for organic thin film transistors 32 to 36 were prepared in the same manner except that compounds 2 to 6 were used in place of compound 1, respectively. Using the organic thin film transistor composition 31, an organic semiconductor film is formed on the same bottom gate / bottom contact type FET characteristic measurement substrate as in Example 7 by the flexographic printing method. Also referred to as “element 25”).
  • a specific method for manufacturing an organic semiconductor film by flexographic printing is as follows.
  • a flexo aptitude tester F1 manufactured by IG Testing Systems Co., Ltd.
  • AFP DSH 1.70% manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.
  • Solid image was used as the flexo resin plate.
  • the organic semiconductor film (film thickness: 50 nm) was produced by drying at 60 ° C. for 2 hours.
  • Organic thin film transistor elements 26 to 30 (hereinafter also referred to as “elements 26 to 30”) according to the production method of the element 25 except that the organic thin film transistor compositions 32 to 36 are used instead of the organic thin film transistor composition 31. Each was produced.
  • the obtained elements 25 to 30 were organic thin film transistor elements of Examples 25 to 30.
  • Examples 31 to 36 ⁇ Fabrication of bottom gate / top contact type elements by vapor deposition process>
  • the surface of the substrate 212 on the oxide film side was subjected to UV-ozone cleaning and then treated with dodecyltrichlorosilane.
  • Compound 1 was deposited by vapor deposition so that the film thickness was 40 nm at a deposition rate of 0.05 nm / s.
  • the obtained organic semiconductor film is further attached with a mask, and F4-TCNQ 2 nm and a gold electrode 40 nm are deposited as a charge injection acceptor, respectively, to thereby form an organic thin film transistor element 31 (hereinafter also referred to as “element 31”) for measuring FET characteristics.
  • the obtained organic thin film transistor element 31 was used as the organic thin film transistor element of Example 31.
  • Organic thin film transistor elements 32 to 36 (hereinafter also referred to as “elements 32 to 36”) were produced in the same manner as the element 31 except that any one of the compounds 2 to 6 was used instead of the compound 1.
  • the obtained elements 32 to 36 were organic thin film transistor elements of Examples 32 to 36.
  • Examples 37 to 42 ⁇ Production of inverter> As shown in FIG. 6, the variable resistance was connected to the organic thin film transistor element of Example 1, and the resistance value of the variable resistance was set to an appropriate value, so that the inverter element 37 was produced. Inverter elements 38 to 42 were fabricated using the organic thin film transistor elements of Examples 2 to 6 instead of the organic thin film transistor element of Example 1. All the inverter elements showed good inverter characteristics with a gain of 10 or more.
  • Example 43 to 48 ⁇ Preparation of ring oscillator> As shown in FIG. 7, the ring oscillator element 43 was produced by connecting the inverter elements of Example 37 in three stages. Further, ring oscillator elements 44 to 48 were produced using the inverter elements of Examples 38 to 42 instead of the inverter elements of Example 37. All the ring oscillator elements oscillated stably.

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Abstract

本発明は、有機溶媒への溶解性に優れた化合物を用いて作製された有機半導体膜を有し、キャリア移動度に優れた有機薄膜トランジスタ、化合物、上記化合物を用いた有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、有機薄膜トランジスタの製造方法並びに有機半導体膜を提供することを課題とする。　本発明の有機薄膜トランジスタは、その有機半導体膜（有機半導体層）に下記一般式（１）又は一般式（２）で表され、且つ、分子量が３０００以下である化合物を含有する。　一般式（１）及び一般式（２）において、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つ以上は、水素原子以外の基である。

Description

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、化合物、並びに、有機半導体膜
　本発明は、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、化合物、並びに、有機半導体膜に関する。
　軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイ若しくは有機ＥＬ（electro luminescence）ディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、又は、ＲＦＩＤ（radio frequency identifier：ＲＦタグ）若しくはメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ（thin film transistor））が利用されている。
　このような有機半導体膜を形成するための化合物として、芳香族複素環を含む多環縮合化合物が有用であることが知られている。
　例えば、特許文献１、２には、クリセン骨格に更に芳香族複素環（芳香族複素環基としてフラン、チオフェン、又はＮ－置換ピロール）を縮合することで化合物のπ共役を拡大した化合物を開示している。
特開２０１４-０７８７２９号公報 国際公開第２０１０／０２４３８８号
　ところで、近年、有機薄膜トランジスタの性能向上の観点から、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度のより一層の向上が求められている実情がある。
　このようななか、本発明者らが上記特許文献１に開示された、クリセン骨格に更に芳香族複素環としてチオフェンを縮合した多環縮合化合物（例えば、後述する比較化合物３が該当）について検討を重ねたところ、この化合物を有機薄膜トランジスタの有機半導体膜に用いた際のキャリア移動度は必ずしも昨今要求されるレベルを満たしていなかった。
　本発明者らは、その原因について検討を行ったところ、この化合物の有機溶媒への溶解性の低さが上記の低いキャリア移動度に関連していることを知見している。
　そこで、本発明の目的は、有機溶媒への溶解性に優れた化合物を用いて作製された有機半導体膜を有し、キャリア移動度に優れた有機薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
　また、本発明の目的は、溶剤への溶解性に優れ、有機薄膜トランジスタの有機半導体膜に用いたときに有機薄膜トランジスタが高いキャリア移動度を示す化合物、上記化合物を用いた有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、有機薄膜トランジスタの製造方法並びに有機半導体膜を提供することである。
　本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、後述する一般式（１）で表される化合物又はその構造異性体である後述する一般式（２）で表される化合物を用いることで所望の効果が得られることを見出し、本発明に至った。
　すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
[１]　後述する一般式（１）又は後述する一般式（２）で表され、且つ、分子量が３０００以下である化合物を含む有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。
[２]　上記一般式（１）及び上記一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ１２に含まれる炭素数がそれぞれ独立に３０以下である、[１]に記載の有機薄膜トランジスタ。
[３]　上記一般式（１）及び上記一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ１２の少なくともいずれか１つが、ＲＷとして、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数２０以下である置換若しくは無置換のヘテロアリール基を有する、[１]又は[２]に記載の有機薄膜トランジスタ。
[４]　上記一般式（１）及び上記一般式（２）中、Ｒ１とＲ１２とが同一の基、且つ、Ｒ２とＲ１１とが同一の基、且つ、Ｒ３とＲ１０とが同一の基、且つ、Ｒ４とＲ９とが同一の基、且つ、Ｒ５とＲ８とが同一の基、且つ、Ｒ６とＲ７とが同一の基である、[１]～[３]のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
[５]　上記化合物が、後述する一般式（３）又は後述する一般式（４）で表され、且つ、分子量が３０００以下である、[１]～[４]のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
[６]　上記化合物が、後述する一般式（５）又は後述する一般式（６）で表され、且つ、分子量が３０００以下である、[１]～[５]のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
[７]　後述する一般式（１）又は後述する一般式（２）で表され、且つ、分子量が３０００以下である化合物。
[８]　上記一般式（１）及び上記一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ１２に含まれる炭素数がそれぞれ独立に３０以下である、[７]に記載の化合物。
[９]　上記一般式（１）及び上記一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ１２の少なくともいずれか１つが、ＲＷとして、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数２０以下である置換若しくは無置換のヘテロアリール基を有する、[７]又は[８]に記載の化合物。
[１０]　上記一般式（１）及び上記一般式（２）中、Ｒ１とＲ１２とが同一の基、且つ、Ｒ２とＲ１１とが同一の基、且つ、Ｒ３とＲ１０とが同一の基、且つ、Ｒ４とＲ９とが同一の基、且つ、Ｒ５とＲ８とが同一の基、且つ、Ｒ６とＲ７とが同一の基である、[７]～[９]のいずれかに記載の化合物。
[１１]　上記化合物が、後述する一般式（３）又は後述する一般式（４）で表され、且つ、分子量が３０００以下である、[７]～[１０]のいずれかに記載の化合物。
[１２]　上記化合物が、後述する一般式（５）又は後述する一般式（６）で表され、且つ、分子量が３０００以下である、[７]～[１１]のいずれかに記載の化合物。
[１３]　[７]～[１２]のいずれかに記載の化合物を含有する、有機薄膜トランジスタ用材料。
[１４]　[７]～[１２]のいずれかに記載の化合物を含有する、有機薄膜トランジスタ用組成物。
[１５]　[１４]に記載の有機薄膜トランジスタ用組成物を基板上に塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を形成する工程を含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。
[１６]　[７]～[１２]のいずれかに記載の化合物を含有する、有機半導体薄膜。
　本明細書において、化合物の表示については、その化合物そのものの他、その塩、そのイオンを含む意味に用いる。
　本明細書において、特定の符号で表示された置換基や連結基等（以下、置換基等という）が複数あるとき、又は複数の置換基等を同時に規定するときには、それぞれの置換基等は互いに同一でも異なっていてもよいことを意味する。このことは、置換基等の数の規定についても同様である。
　また、特に断らない限り、複数の置換基等が近接（特に隣接）するときには、それらが互いに連結したり縮環したりして環を形成していてもよい意味である。
　さらに、本明細書において置換・無置換を明記していない置換基等については、目的とする効果を損なわない範囲で、その基にさらに置換基を有していてもよい意味である。これは置換・無置換を明記していない化合物についても同義である。
　本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　本発明によれば、有機溶媒への溶解性に優れた化合物を用いて作製された有機半導体膜を有し、キャリア移動度に優れた有機薄膜トランジスタを提供することができる。
　また、本発明によれば、溶剤への溶解性に優れ、有機薄膜トランジスタの有機半導体膜に用いたときに有機薄膜トランジスタが高いキャリア移動度を示す化合物、上記化合物を用いた有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、有機薄膜トランジスタの製造方法並びに有機半導体膜を提供することができる。
本発明の一実施形態に係るボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタの断面模式図である。 本発明の一実施形態に係るトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの断面模式図である。 実施例及び比較例の有機半導体膜の製造方法の一工程を示す模式図である。 実施例及び比較例の有機半導体膜の製造方法の一工程を示す模式図である。 実施例及び比較例の有機半導体膜の製造方法の一工程を示す模式図である。 実施例及び比較例の有機半導体膜の製造方法の一工程を示す模式図である。 実施例で作製するインバータの模式図である。 実施例で作製するリングオシレーターの模式図である。
[有機薄膜トランジスタ]
　本発明の有機薄膜トランジスタは、その有機半導体膜（有機半導体層）に、後述する一般式（１）で表され、且つ、分子量が３，０００以下である化合物、又は、その構造異性体であって、後述する一般式（２）で表され、且つ、分子量が３，０００以下である化合物を含むことを特徴とする。
　一般式（１）又は（２）で表される化合物は、微結晶薄膜から形成される有機半導体膜において、微結晶中の分子の電子軌道の位相が良好にそろい、且つ、各分子間の相互作用が強くパッキングに優れるため、分子のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）軌道同士が重なりやすい特徴を有する。
　さらに、一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物は、クリセン骨格に更にチオフェンを縮合することでπ共役を拡大させた対称性の高い構造であるため、一般的に溶解性に劣ることが推測されるものの、π共役平面の対称中心の近傍に特定構造の置換基を有することで、立体障害の効果によりヘリングボーン構造における分子間のＣＨ－π相互作用を弱めているため、優れた溶解性を発現する。
　一般式（１）又は（２）で表される化合物を有機薄膜トランジスタの有機半導体膜に用いることで、上記の構成が相乗し、すなわち、キャリア移動度の高い、均質な薄膜を形成することができる。
　特に、一般式（１）又は一般式（２）におけるＲ５及びＲ８に特定構造の置換基を導入した化合物によれば、π共役主平面が、上記置換基によって平面性を崩されることなく優れた分子間相互作用を示すため、膜形成手段及びトランジスタ層構成に依らず、優れたキャリア移動度を得ることができる。
＜一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物＞
　本発明の有機薄膜トランジスタの有機半導体膜（有機半導体層）は、一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物（一般式（１）と一般式（２）とは構造異性体の関係にある）を含む。
　一般式（１）及び（２）で表される化合物は、新規な化合物であり、有機薄膜トランジスタの有機半導体膜に好適に使用されることはもちろんのこと、後述する他の用途にも用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　一般式（１）及び一般式（２）中、
　Ｒ１～Ｒ１２は、それぞれ独立に下記式（Ｗ）で表される基を表す。
　　－ＬＷ－ＲＷ　　　（Ｗ）
　式（Ｗ）中、ＬＷは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－若しくは－Ｓｉ（Ｒ１４）（Ｒ１５）－のいずれかの２価の連結基、又は、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であり、ＲＷは、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表し、Ｒ１３～Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
　但し、一般式（１）及び一般式（２）において、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つ以上は、水素原子以外の基である。
　なお、本明細書における「アルキル基」及び「アルケニル基」には、特に断りの無い限り、直鎖、分岐及び環状のいずれも含むものとする。なお、環状のアルキル基としては、例えば、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、及びトリシクロアルキル基などが挙げられる。また、環状のアルケニル基としては、シクロアルケニル基、及びビシクロアルケニル基などが挙げられる。
　また、本明細書における「ヘテロアリール基」に含まれるヘテロ原子としては、例えば、硫黄原子（Ｓ）、酸素原子（Ｏ）、及び窒素原子（Ｎ）などが挙げられる。
　一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物の分子量は、３，０００以下であり、２５０～２，０００であることが好ましく、３００～１，０００であることがより好ましく、３５０～８００であることが更に好ましい。分子量を上記範囲とすることにより、溶媒への溶解性をより高めることができるため好ましい。
　一般式（１）及び一般式（２）においてＲ１～Ｒ１２は、それぞれ独立に上記式（Ｗ）で表される基を表す。
　ＬＷとしては、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－若しくは－Ｓｉ（Ｒ１４）（Ｒ１５）－のいずれかの２価の連結基、又は、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であり、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－Ｏ－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｏ－、－ＮＲ１３－ＣＯ－、－ＣＯ－ＮＲ１３－、－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－、－ＮＲ１３－ＣＯ－Ｏ－、－ＯＣＯ－ＮＲ１３－又は－ＮＲ１３－ＣＯ－ＮＲ１３－であることが好ましく、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－Ｏ－ＣＯ－又は－ＣＯ－Ｏ－であることがより好ましく、単結合であることが最も好ましい。
　上記Ｒ１３～Ｒ１５は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基（好ましくは炭素数１～２０）、アルケニル基（好ましくは炭素数２～６）、アルキニル基（好ましくは炭素数２～６）、アリール基（好ましくは炭素数６～１４）若しくはヘテロアリール基（好ましくは炭素数３～１２）を表し、水素原子、アルキル基又はアリール基が好ましく、水素原子又はアルキル基がより好ましく、炭素数１～８のアルキル基が更に好ましい。
　ＲＷとしては、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
　アルキル基としては、炭素数１～２０のアルキル基が好ましく、炭素数２～１５のアルキル基がより好ましく、炭素数３～１０のアルキル基が更に好ましい。
　アルケニル基としては、炭素数２～６のアルケニル基が好ましく、炭素数２～４のアルケニル基がより好ましく、炭素数２のアルケニル基が更に好ましい。
　アルキニル基としては、炭素数２～６のアルキニル基が好ましく、炭素数２～４のアルキニル基がより好ましく、炭素数２のアルキニル基が更に好ましい。
　アリール基としては、炭素数６～２０のアリール基が好ましく、炭素数６～１４のアリール基がより好ましく、炭素数６～１０のアリール基が更に好ましい。
　ヘテロアリール基としては、炭素数３～２０のヘテロアリール基が好ましく、炭素数３～１２のヘテロアリール基がより好ましく、炭素数３～８のヘテロアリール基が更に好ましい。
　一般式（１）及び一般式（２）において、Ｒ５～Ｒ８のうち、溶解性、結晶構造及び分子間相互作用の観点から、少なくとも一つ以上は水素原子以外の基（以下、「置換基Ｗ」と称する）を有し、なかでも、２つが水素原子以外の基であることが好ましい。
　また、Ｒ１～Ｒ１２において、置換基Ｗの個数は２～４であることが好ましい。
　上記一般式（１）及び一般式（２）において、Ｒ１～Ｒ１２に置換基Ｗを導入する場合には、置換基Ｗは、分子全体が点対称の構造となる位置であることが好ましく、置換基の構造を含めて分子全体が点対称の構造となるように、同じ置換基を分子全体が点対称の構造となる位置に配置することが好ましい。具体的には、Ｒ１及びＲ１２の位置に置換基Ｗ（好ましくは同じ基）をともに有する場合、Ｒ２及びＲ１１の位置に置換基Ｗ（好ましくは同じ基）をともに有する場合、Ｒ３及びＲ１０の位置に置換基Ｗ（好ましくは同じ基）をともに有する場合、Ｒ４及びＲ９の位置に置換基Ｗ（好ましくは同じ基）をともに有する場合、Ｒ５及びＲ８の位置に置換基Ｗ（好ましくは同じ基）をともに有する場合、Ｒ６及びＲ７の位置に置換基Ｗ（好ましくは同じ基）をともに有する場合、ならびにこれらの２以上の場合の組み合わせが好ましい。これらの中でも、溶解性、結晶構造、及び分子間相互作用の観点から、Ｒ５及びＲ８の位置に置換基Ｗをともに有する場合、並びにＲ６及びＲ７の位置に置換基Ｗをともに有する場合がより好ましく、Ｒ５及びＲ８の位置に置換基Ｗをともに有する場合が最も好ましい。
　一般式（１）及び一般式（２）が置換基Ｗを有する場合において、Ｒ１～Ｒ１２における置換基Ｗの炭素数（上記式（Ｗ）におけるＬＷとＲＷを合わせた総炭素数）は、溶解性、結晶構造及び分子間相互作用の観点から、それぞれ独立に、３０以下であることが好ましく、２５以下であることがより好ましく、２０以下であることが更に好ましく、１６以下であることが特に好ましい。
　一般式（１）及び一般式（２）においては、溶解性、結晶構造及び分子間相互作用の観点から、Ｒ１～Ｒ１２の少なくともいずれか１つが、ＲＷとして、炭素数２０以下（好ましくは１～２０）である置換又は無置換のアルキル基、炭素数２０以下（好ましくは２～６）である置換又は無置換のアルケニル基、炭素数２０以下（好ましくは２～６）である置換又は無置換のアルキニル基、炭素数２０以下（好ましくは６～２０）である置換又は無置換のアリール基、及び炭素数２０以下（好ましくは３～２０）である置換又は無置換のヘテロアリール基からなる群から選ばれるいずれかの基を有することが好ましく、Ｒ５とＲ８又はＲ６とＲ７の組み合わせのうち、少なくともいずれか１つの組み合わせが上述の基をそれぞれ独立に有することがより好ましく、Ｒ５とＲ８がいずれも上述の基をそれぞれ独立に有することが更に好ましい。
　Ｒ１～Ｒ１２は、上述のとおり、Ｒｗとして、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基（好ましくは炭素数３～１０）、置換又は無置換のアルケニル基（好ましくは炭素数２～６）、置換又は無置換のアルキニル基（好ましくは炭素数２～６）、置換又は無置換のアリール基（好ましくは炭素数６～１０）及び置換又は無置換のヘテロアリール基（好ましくは炭素数３～８）からなる群から選ばれるいずれかの基を有するが、なかでも、溶解性および結晶性の観点から、Ｒｗとして、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基（好ましくは炭素数３～１０）及び置換又は無置換のアルキニル基（好ましくは炭素数２～６）からなる群から選ばれるいずれかの基を有することがより好ましい。
　一般式（１）及び一般式（２）において、Ｒ１～Ｒ１５におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基及びヘテロアリール基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む。）、アリール基、複素環基（「ヘテロ環基」とも称する。）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（－Ｂ（ＯＨ）２）、ホスファト基（－ＯＰＯ（ＯＨ）２）、スルファト基（－ＯＳＯ３Ｈ）、及び、その他の公知の置換基が挙げられる。また、置換基が更に置換基により置換されていてもよい。
　これらの中でも、置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、又はシリル基が好ましく、フッ素原子、炭素数１～１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１～１０の置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換のメチルチオ基、フェニル基、又はシリル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数１～１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１～１０の置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換のメチルチオ基、又は、置換若しくは無置換のアルキルシリル基（アルキル基中の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましく、炭素数１～３が更に好ましい。）が特に好ましく、炭素数１～１０の置換若しくは無置換のアルキル基、又は、置換若しくは無置換のアルキルシリル基（アルキル基中の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましく、炭素数１～３が更に好ましい。）が最も好ましい。
　一般式（１）及び一般式（２）において、Ｒｗがアルキル基ではない場合には、溶解性の観点から、炭素数１～１０の置換若しくは無置換のアルキル基、又は、置換若しくは無置換のアルキルシリル基（アルキル基中の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましく、炭素数１～３が更に好ましい。）を置換基として有することが好ましい。
　なお、アルキルシリル基とは、以下式（Ｘ）で表される基を意図する。＊は結合位置を表す。
　＊－Ｓｉ（Ｒａ）３－ｍ（Ｒｂ）ｍ　　　式（Ｘ）
　Ｒａはアルキル基を表し、Ｒｂは水素原子を表し、ｍは０、１又は２を表す。なお、アルキル基の炭素数の好適範囲は上述の通りである。
　＊は、Ｒｗに含まれるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基及びヘテロアリール基等との連結位置を示す。
　なお、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ１～Ｒ１２のいずれか一つ（好ましくは、Ｒ５～Ｒ８のいずれか一つ）は、式（Ｙ）で表される基であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　上記式（Ｙ）中のＲａ、Ｒｂ、および、ｍの定義は上述の通りである。
　分子の対称性をより良好とし、これにより分子間相互作用が向上する観点から、Ｒ１とＲ１２とが同一の基、且つ、Ｒ２とＲ１１とが同一の基、Ｒ３とＲ１０とが同一の基、且つ、Ｒ４とＲ９とが同一の基、且つ、Ｒ５とＲ８とが同一の基、且つ、Ｒ６とＲ７とが同一の基であることが好ましい。
　上記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（３）で表され、且つ、分子量が３，０００以下である化合物であることが好ましく、上記一般式（２）で表される化合物は、下記一般式（４）で表され、且つ、分子量が３，０００以下である化合物であることが好ましい。尚、下記一般式（３）で表される化合物と下記一般式（４）で表される化合物とは構造異性体である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　一般式（３）及び（４）中、
　Ｒ１、Ｒ５～Ｒ８、及びＲ１２は、それぞれ独立に下記式（Ｗ）で表される基を表す。
　　－ＬＷ－ＲＷ　　　（Ｗ）
　式（Ｗ）中、ＬＷは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－若しくは－Ｓｉ（Ｒ１４）（Ｒ１５）－のいずれかの２価の連結基、又は、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であり、ＲＷは、水素原子、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数２０以下である置換若しくは無置換のヘテロアリール基を表し、Ｒ１３～Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
　但し、Ｒ１とＲ１２、Ｒ５とＲ８、及びＲ６とＲ７はそれぞれ同じ基であり、Ｒ５とＲ８及びＲ６とＲ７のいずれか一方の組み合わせは水素原子以外の基である。
　上記一般式（３）及び一般式（４）において、Ｒ１、Ｒ５～Ｒ８、Ｒ１２、ＬＷ、ＲＷは、上述した一般式（１）のＲ１、Ｒ５～Ｒ８、Ｒ１２、ＬＷ、ＲＷとそれぞれ同義であり、好ましい態様についても同じである。
　上記一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（５）で表され、且つ、分子量が３，０００以下である化合物であることが好ましく、上記一般式（４）で表される化合物は、下記一般式（６）で表され、且つ、分子量が３，０００以下である化合物であることが好ましい。尚、下記一般式（５）で表される化合物と下記一般式（６）で表される化合物とは構造異性体である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　一般式（５）及び（６）中、
　Ｒ１、Ｒ５、Ｒ８、及びＲ１２は、それぞれ独立に下記式（Ｗ）で表される基を表す。
　　－ＬＷ－ＲＷ　　　（Ｗ）
　式（Ｗ）中、ＬＷは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－若しくは－Ｓｉ（Ｒ１４）（Ｒ１５）－のいずれかの２価の連結基、又は、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であり、ＲＷは、水素原子、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数２０以下である置換若しくは無置換のヘテロアリール基を表し、Ｒ１３～Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
　但し、Ｒ１とＲ１２、及びＲ５とＲ８はそれぞれ同じ基であり、Ｒ５とＲ８の組み合わせは水素原子以外の基である。
　上記一般式（５）及び一般式（６）において、Ｒ１、Ｒ５、Ｒ８、Ｒ１２、ＬＷ、ＲＷは、上述した一般式（１）のＲ１、Ｒ５、Ｒ８、Ｒ１２、ＬＷ、ＲＷとそれぞれ同義であり、好ましい態様についても同じである。
　上記一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物の具体例を以下に示す。
　尚、下記表中において、「ＴＭＳ」はトリメチルシリル基であり、「ＴＩＰＳ」はトリイソプロピルシリル基であり、「ＴＢＤＭＳ」はtert-ブチルジメチルシリル基であり、
「Ｂｕ」はブチル基であり、「Ｅｔ」はエチル基であり、「Ｐｒ」はプロピル基であり「Ｍｅ」はメチル基であり、「Ｐｈ」はフェニル基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000024
　一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物の合成方法は、特に制限されず、公知の方法を参照して合成できる。
　合成方法としては、例えば、下記一般式（７）又は（８）で表される化合物を、下記一般式（９）で表される化合物と、遷移金属触媒及び有機溶媒の存在下で加熱して反応させる工程を含む方法が好ましく挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　一般式（７）及び（８）中、
　Ｗはそれぞれ独立に、ハロゲン原子又はパーフルオロアルキルスルホニルオキシ基を表す。
　　一般式（９）　　　Ｒ１１－Ｍ（Ｒ１２）i
　一般式（９）中、Ｒ１１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基を有していてもよく、Ｍはマグネシウム、珪素、ホウ素、錫又は亜鉛を表し、Ｒ１２はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基又はヒドロキシル基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく、互いに環を形成していてもよく、ｉは１～３の整数を表し、Ｍの価数－１であり、ただし、Ｍがホウ素である場合は、ｉが３をとってもよい。
　上記遷移金属触媒としては、特に制限はなく、熊田－玉尾－コリューカップリング、檜山カップリング、鈴木－宮浦カップリング、右田－小杉－スティルカップリング、園頭－萩原カップリング、溝呂木－ヘック反応、又は根岸カップリング等のカップリング反応に用いられる遷移金属触媒を好適に用いることができる。中でも、パラジウム触媒又はニッケル触媒が好ましく、パラジウム触媒がより好ましい。また、上記金属触媒は、反応に応じて、任意の配位子を有することができる。
　上記有機溶媒としては、特に制限はなく、基質又は触媒に応じて、適宜選択することができる。
　また、一般式（７）～（９）で表される化合物、遷移金属触媒、及び、有機溶媒の使用量は、特に制限はなく、必要に応じて適宜選択すればよい。
　反応時の加熱温度は、特に制限はないが、２５℃～２００℃であることが好ましく、４０℃～１５０℃であることがより好ましい。
　本発明の有機半導体トランジスタにおける有機半導体膜には、一般式（１）で表される化合物を、１種のみ含有していても、２種以上含有していてもよいが、配向性の観点から、１種のみ含有していることが好ましい。一般式（２）で表される化合物を用いる場合についても同様である。
　また、後述する有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ用材料又は有機薄膜トランジスタ用組成物中には、一般式（１）で表される化合物が、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよいが、配向性の観点から、１種のみ含まれていることが好ましい。一般式（２）で表される化合物を用いる場合についても同様である。
　本発明の有機半導体トランジスタにおける有機半導体膜における一般式（１）で表される化合物の総含有量は、３０～１００質量％であることが好ましく、５０～１００質量％であることがより好ましく、７０～１００質量％であることが更に好ましい。また、後述するバインダーポリマーを含有しない場合は、上記総含有量が、９０～１００質量％であることが好ましく、９５～１００質量％であることがより好ましい。一般式（２）で表される化合物を用いる場合についても同様である。
　＜有機薄膜トランジスタの構造、有機薄膜トランジスタの製造方法＞
　次に、上記一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を有機薄膜トランジスタの有機半導体膜に用いた本発明の有機薄膜トランジスタの構造及びその製造方法について説明する。
　本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を含む有機半導体膜（有機半導体層）を有し、さらに、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を有することができる。
　本実施形態に係る有機薄膜トランジスタは、その構造は特に限定されるものでなく、例えばボトムコンタクト型（ボトムコンタクト－ボトムゲート型及びボトムコンタクト－トップゲート型）又はトップコンタクト型（トップコンタクト－ボトムゲート型及びトップコンタクト－トップゲート型）など、いずれの構造であってもよい。
　以下、本発明の有機薄膜トランジスタの一例について、図面を参照しながら説明する。
　図１は、本発明の一実施形態に係るボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１００の断面模式図である。
　図１の例では、有機薄膜トランジスタ１００は、基板（基材）１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体膜（有機半導体層）５０と、封止層６０と、を有する。ここで、有機半導体膜５０は、上述した一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を使用して作製されたものである。
　以下、基板（基材）、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜（有機半導体層）及び封止層ならびにそれぞれの作製方法について詳述する。
（基板）
　基板は、後述するゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極などを支持する役割を果たす。
　基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、及びセラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性及びコストの観点から、ガラス基板又はプラスチック基板であることが好ましい。
（ゲート電極）
　ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、及びナトリウム等の金属；ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、及びＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、及びポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、及びガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、及びグラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、又はアルミニウムであることがより好ましい。
　ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０～２００ｎｍであることが好ましい。
　なお、ゲート電極は基板としても機能してもよく、その場合、上記基板はなくてもよい。
　ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着又はスパッタする方法、及び電極形成用組成物を塗布又は印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合のパターニング方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、及び凸版印刷（フレキソ印刷）等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。
（ゲート絶縁膜）
　ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、及びフェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、及び酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体膜との相性から、ポリマーであることが好ましい。
　ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００～１０００ｎｍであることが好ましい。
　ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、及びゲート絶縁膜材料を蒸着又はスパッタする方法などが挙げられる。
（ソース電極、ドレイン電極）
　ソース電極及びドレイン電極の材料の具体例は、上述したゲート電極と同じである。なかでも、金属であることが好ましく、銀であることがより好ましい。
　ソース電極及びドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、電極材料を真空蒸着又はスパッタする方法、及び、電極形成用組成物を塗布又は印刷する方法などが挙げられる。パターニング方法の具体例は、上述したゲート電極と同じである。
（有機半導体膜）
　有機半導体膜の作製方法は、上述した一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を含む有機半導体膜を作製できる限り、特に限定されるものではないが、例えば上述した一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を含む有機薄膜トランジスタ用組成物（後述）を基板上に塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を作製することができる。
　なお、有機薄膜トランジスタ用組成物を基板上に塗布するとは、有機薄膜トランジスタ用組成物を基板に直接付与する態様のみならず、基板上に設けられた別の層を介して基板の上方に有機薄膜トランジスタ用組成物を付与する態様も含むものとする。
　有機薄膜トランジスタ用組成物の塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、及びスクリーン印刷法が挙げられる。さらに、有機薄膜トランジスタ用組成物の塗布方法としては、特開２０１３－２０７０８５号公報に記載の有機半導体膜の形成方法（いわゆるギャップキャスト法）、及び、国際公開第２０１４／１７５３５１号公報に記載の有機半導体膜の製造方法（いわゆるエッジキャスト法や連続エッジキャスト法）などが好適に用いられる。
　乾燥（乾燥処理）は、有機薄膜トランジスタ用組成物に含まれる各成分の種類により適宜最適な条件が選択され、自然乾燥であってもよいが、生産性を向上させる観点から加熱処理を行うことが好ましい。例えば、加熱温度としては３０～２００℃が好ましく、４０～１５０℃がより好ましく、加熱時間としては１０～３００分が好ましく、３０～１８０分がより好ましい。
　作製される有機半導体膜の膜厚は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０～５００ｎｍが好ましく、２０～２００ｎｍがより好ましい。
　このように、一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を含有する有機半導体膜は、有機薄膜トランジスタに好適に使用されるが、この用途に限定されるものではなく、一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を含有する有機半導体膜は、後述するその他の用途にも適用することができる。
（封止層）
　本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤（封止層形成用組成物）を用いることができる。
　封止層の厚みは特に制限されないが、０．２～１０μｍであることが好ましい。
（その他の有機薄膜トランジスタ）
　図２は、本発明の一実施形態に係るトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタ２００を表す断面模式図である。
　図２の例では、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体膜（有機半導体層）５０と、封止層６０を有する。ここで、有機半導体膜５０は、後述する本発明の有機半導体トランジスタ用組成物を用いて形成されたものである。
　基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜及び封止層については上述の通りであるので、その説明を省略する。
（有機薄膜トランジスタの用途）
　上述した有機薄膜トランジスタは単独でスイッチング素子として用いることができる。また、複数の素子をマトリクス上に配列することにより、例えば、電子ペーパー若しくはディスプレイデバイスの画像を表示する表示部、又は、Ｘ線フラットパネルディテクターの画像を受光する受光部などに用いることができる。また、複数の素子を組み合わせることにより、インバータ、リングオシレーター、若しくはｄ－フリップフロップなどの小規模回路、又は、ＲＦＩＤ（radio frequency identifier：ＲＦタグ）若しくはメモリなどの論理回路に適用することができる。それぞれのデバイスは、公知の構造を有することができるので、その説明を省略する。
［有機薄膜トランジスタ用組成物］
　本発明の有機薄膜トランジスタ用組成物は、上述した有機薄膜トランジスタの有機半導体膜の作製に使用される。
　なお、以下に説明する有機薄膜トランジスタ用組成物は、後述するその他の用途に使用してもよく、この場合には、「有機薄膜トランジスタ用組成物」を単に「有機半導体組成物」という。
　有機薄膜トランジスタ用組成物は、上述した一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を含有するものであるが、通常、その塗布性を向上させる点から有機溶媒をさらに含有する。
　有機溶媒を含有する場合の含有量は、塗布性を良好とする観点から、有機薄膜トランジスタ用組成物の全質量に対して、０．０１～８０質量％であることが好ましく、０．０５～１０質量％であることがより好ましく、０．１～５質量％であることがさらに好ましい。
（有機溶媒）
　有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、デカリン、テトラリン、２－メチルベンゾチアゾール、１－メチルナフタレンなどの炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、１，２－ジクロロベンゼン、１－フルオロナフタレン、２，５－ジクロロチオフェン、２，５－ジブロモチオフェン、１－クロロナフタレン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸エチルなどのエステル系溶媒、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、ブトキシベンゼン、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、１－メチル－２－ピロリドン、１－メチル－２－イミダゾリジノン等のイミド系溶媒、ジメチルスルフォキサイドなどのスルホキシド系溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒などが挙げられる。
　上記有機溶媒は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
（バインダーポリマー）
　有機薄膜トランジスタ用組成物は、さらに、バインダーポリマーを含有してもよい。
　バインダーポリマーの種類は特に制限されず、公知のバインダーポリマーを用いることができる。バインダーポリマーとしては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース、ポリエチレン、及びポリプロピレンなどの絶縁性ポリマー、並びにこれらの共重合体；エチレン－プロピレンゴム、アクリロニトリル－ブタジエンゴム、水素化されたニトリルゴム、フッ素ゴム、パーフルオロエラストマー、テトラフルオロエチレンプロピレン共重合体、エチレン－プロピレン－ジエン共重合体、スチレン－ブタジエンゴム、ポリクロロプレン、ポリネオプレン、ブチルゴム、メチル・フェニルシリコーン樹脂、メチル・フェニルビニル・シリコーン樹脂、メチル・ビニル・シリコーン樹脂、フルオロシリコーン樹脂、アクリルゴム、エチレンアクリルゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、クロロポリエチレン、エピクロロヒドリン共重合体、ポリイソプレン－天然ゴム共重合体、ポリイソプレンゴム、スチレン－イソプレンブロック共重合体、ポリエステルウレタン共重合体、ポリエーテルウレタン共重合体、ポリエーテルエステル熱可塑性エラストマー及びポリブタジエンゴム等のゴムまたは熱可塑性エラストマー；ポリビニルカルバゾール、及びポリシランなどの光伝導性ポリマー；ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、及びポリパラフェニレンビニレンなどの導電性ポリマー；例えばＣｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，２０１４，２６，６４７．等に記載の半導体ポリマー；を挙げることができる。
　ポリマーバインダーは、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
　なかでも、バインダーポリマーとしては、ベンゼン環を有する高分子化合物（ベンゼン環基を有する単量体単位を有する高分子）が好ましい。ベンゼン環を有する単量体単位の含有量は特に制限されないが、全単量体単位中、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されず、例えば１００モル％である。
　上記バインダーポリマーの具体例としては、例えば、ポリスチレン、ポリ（α－メチルスチレン）、ポリビニルシンナメート、ポリ（４－ビニルフェニル）、ポリ（４－メチルスチレン）、ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］、及びポリ［２，６－（４，４－ビス（２－エチルヘキシル）－４Ｈシクロペンタ［２，１－ｂ；３，４－ｂ’］ジチオフェン）－アルト－４，７－（２，１，３－ベンゾチアジアゾール）］などが挙げられ、ポリスチレン、又はポリ（α－メチルスチレン）がより好ましく、ポリ（α－メチルスチレン）が更に好ましい。
　パインダーポリマーの重量平均分子量は、特に制限されないが、１０００～２００万が好ましく、３０００～１００万がより好ましく、５０００～６０万がさらに好ましい。
　バインダーポリマーを含有する場合の含有量は、有機薄膜トランジスタ用組成物に含まれる一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物１００質量部に対して、１～１０，０００質量部であることが好ましく、１０～１，０００質量部であることがより好ましく、２５～４００質量部であることが更に好ましく、５０～２００質量部であることが最も好ましい。上記範囲内であると、得られる有機半導体膜及び有機半導体素子のキャリア移動度及び膜の均一性により優れる。
（その他の成分）
　有機薄膜トランジスタ用組成物は、上記以外のその他の成分を含有してもよい。その他の成分としては、公知の添加剤等を用いることができる。
＜調製方法＞
　有機薄膜トランジスタ用組成物の調製方法は、特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、有機溶媒中に所定量の一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物などを添加して、適宜攪拌処理を施すことにより、本発明の有機薄膜トランジスタ用組成物を得ることができる。
［有機薄膜トランジスタ用材料］
　本発明の有機薄膜トランジスタ用材料は、上述した一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を含有する。有機薄膜トランジスタ用材料とは、有機薄膜トランジスタに使用され、半導体の特性を表す材料のことを指す。
　上記一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物は、半導体としての性質を示す材料であり、電子をキャリアとして伝導するｐ型（正孔輸送型）の有機半導体材料である。
　なお、有機薄膜トランジスタ用材料は、後述するその他の用途に使用してもよく、この場合には、「有機薄膜トランジスタ用材料」を単に「有機半導体材料」という。
［一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物のその他の用途］
　上記一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物は、上記のように優れた性質を有するため、有機薄膜トランジスタ以外のその他の用途にも好適に使用できる。
　その他の用途としては、例えば、非発光性有機半導体デバイスが挙げられる。非発光性有機半導体デバイスとは、発光することを目的としないデバイスを意味する。
　このような非発光性有機半導体デバイスとしては、上述した有機薄膜トランジスタの他に、有機光電変換素子（光センサ用途の固体撮像素子、及びエネルギー変換用途の太陽電池など）、ガスセンサ、有機整流素子、及び情報記録素子などが挙げられる。
　非発光性有機半導体デバイスは、有機半導体膜をエレクトロニクス要素として機能させることが好ましい。有機半導体膜は、上記一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を含む有機半導体膜を含む。
　以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
［実施例１～６及び比較例１～３］
≪合成例≫
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
＜化合物１の合成＞
　以下のスキームに示した具体的合成手順に準じて、一般式（１）で表される化合物である、化合物１を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
　以下に、各具体的合成手順について詳述する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　化合物（Ａ）４０ｇ（０．２５ｍｏｌ）の酢酸５００ｍＬ溶液に、室温下、臭素１５９ｇ（１ｍｏｌ）を滴下し、１２０℃で５時間加熱還流した。その後、鉄粉１．２ｇ（０．０２５ｍｏｌ）を加え、さらに臭素１５９ｇ（１ｍｏｌ）を室温下で滴下し、５５時間加熱還流した。この反応溶液に水を加え、析出した固体をろ過し、得られた固体をアセトンで洗浄した。この固体を１，４－ジオキサンで再結晶することで白色固体として化合物（Ｂ）を６１ｇ（収率５１％）で得た。
　1H NMR（Nuclear Magnetic Resonance） (400MHz, Acetone-d6, ppm): δ8.32 (s, 2H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　化合物（Ｂ）６１ｇ（１２１ｍｍｏｌ）、スズ粉末（粒径：＜１５０μｍ）３１．６ｇ（２６６ｍｍｏｌ）に酢酸１．２Ｌ溶液を加え、１２０℃で７２時間加熱還流した。反応溶液を室温に冷まして、析出した固体をろ過した。得られた固体を水で洗浄し、減圧乾燥することで、白色固体として化合物（Ｃ）を７．０ｇ（収率１８％）得た。
　1H NMR (400MHz, Acetone-d6, ppm): δ9.07 (s, 2H), 7.96 (s, 2H), 7.27 (s, 2H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｃ）７．０ｇ（２２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１２ｇ（８８ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド６０ｍＬに溶かして、室温でヨウ化メチル５．５ｍＬ（８８ｍｍｏｌ）を加えて、７０℃で１時間加熱撹拌した。この反応溶液に水を加え、析出した固体をろ過し、減圧乾燥することで化合物（Ｄ）の粗精製物を得た。この粗精製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：ジクロロメタン）にて精製することで、白色固体として化合物（Ｄ）を５．７ｇ（収率７５％）得た。
　1H NMR (400MHz, CDCl3, ppm): δ7.93 (s, 2H), 7.00 (s, 2H), 3.95 (s, 6H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｅ）７０．０ｇ（４２９ｍｍｏｌ）を酢酸６００ｍＬに溶かし、Ｎ－ヨードスクシンイミド１００ｇ（４４６ｍｍｏｌ）を加えて、４０℃で加熱撹拌した。この反応溶液に水を加え、ヘキサンで抽出することで化合物（Ｆ）の粗精製物を得た。この粗精製物を減圧蒸留にて精製することで、無色オイルとして化合物（Ｆ）を５７．６ｇ（収率４６％）得た。
　1H NMR (400MHz, CDCl3, ppm): δ7.39 (d, J=5.6Hz, 1H), 6.88 (d, J=5.6Hz, 1H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｆ）５７．６ｇ（１９９ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅３．８０ｇ（１９．９ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(II)ジクロリド７．００ｇ（９．９７ｍｍｏｌ）にジイソプロピルアミン７００ｍＬ、テトラヒドロフラン７００ｍＬの混合溶液を加えた。次いで、トリメチルシリルアセチレン２７．６ｍＬ（１９９ｍｍｏｌ）を加えて、室温下、８時間撹拌した。この反応溶液に水を加え、ヘキサンで抽出し、化合物（Ｇ）の粗精製物を得た。この粗精製物をカラムクロマトグラフィ（ヘキサン）にて精製することで淡黄色オイルとして化合物（Ｇ）を３６．６ｇ（収率７０％）得た。
　1H NMR (400MHz, CDCl3, ppm): δ7.15 (d, J=5.6Hz, 1H), 6.92 (d, J=5.6Hz, 1H), 0.25 (s, 9H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｄ）２．５０ｇ（７．２３ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン９０ｍＬ溶液に、－７８℃でｎ－ブチルリチウム（ヘキサン溶液、１．６Ｍ）９．２６ｍＬ（１４．８ｍｍｏｌ）を滴下し、－７８℃で３０分撹拌した。その後、塩化亜鉛（テトラヒドロフラン溶液、１．０Ｍ）１４．８ｍＬ（１４．８ｍｍｏｌ）を滴下し、－７８℃から０℃まで昇温した。この反応液を０℃で３０分撹拌することで、化合物（Ｄ’）の混合溶液を調液した。この混合溶液に化合物（Ｇ）４．６８ｇ（１８．１ｍｍｏｌ）、ＸＰｈｏｓ－Ｐｄ－Ｇ３（(2-Dicyclohexylphosphino-2′,4′,6′-triisopropyl-1,1′-biphenyl)[2-(2′-amino-1,1′-biphenyl)]palladium(II) methanesulfonate）　３０６ｍｇ（０．３６ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１時間加熱還流した。この反応溶液に水を加え、クロロホルムで抽出し、化合物（Ｈ）の粗精製物を得た。この粗精製物をカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：クロロホルム）にて精製することで白色固体として化合物（Ｈ）を２．６０ｇ（収率６６％）得た。
　1H NMR (400MHz, CDCl3, ppm): δ8.06 (s, 2H), 7.32 (d, J=4.8Hz, 2H), 7.23 (d, J=4.8Hz, 2H), 7.14 (s, 2H), 3.88 (s, 6H), 0.15 (s, 18H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｈ）２．６０ｇ（４．７７ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液にテトラブチルアンモニウムフルオリド（テトラヒドロフラン溶液、１．０Ｍ）１４．３ｍＬ（１４．３ｍｍｏｌ）を加えて、室温で３０分撹拌した。この反応溶液に水を加え、クロロホルムで抽出し、白色固体として化合物（Ｉ）を１．８９ｇ（収率９９％）得た。
　1H NMR (400MHz, C2D2Cl4, ppm): δ7.95 (s, 2H), 7.29 (d, J=4.8Hz, 2H), 7.27 (d, J=4.8Hz, 2H), 7.18 (s, 2H), 3.90 (s, 6H), 3.39 (s, 2H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｉ）６．１ｇ（１５．２ｍｍｏｌ）、塩化白金（ＩＩ）８１０ｍｇ（３．０５ｍｍｏｌ）にトルエン２００ｍＬを加え、１２０℃で１８時間加熱還流した。この反応溶液をシリカゲルカルムクロマトグラフィ（トルエン）、次いでＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography）で精製することで黄色固体として化合物（Ｊ）を９６０ｍｇ（収率１５％）得た。
　1H NMR (400MHz, C2D2Cl4, ppm): δ8.72 (d, J=5.6Hz, 2H), 8.68 (d, J=8.8Hz, 2H),8.19 (d, J=8.8Hz, 2H), 7.13 (s, 2H), 7.66 (d, J=5.6Hz, 2H), 4.31 (s, 6H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｊ）７３０ｍｇ（１．８２ｍｍｏｌ）の１，１，２，２-テトラクロロエタン３０ｍＬ溶液に三臭化ホウ素（ジクロロメタン溶液、１．０Ｍ）２７．３ｍＬ（２７．３ｍｍｏｌ）加えて、室温で１２時間撹拌した。この反応溶液に少量のメタノールを加え、溶媒を減圧留去した。得られた固体をメタノールで洗浄することで、黄色固体として粗精製物である化合物（Ｋ）を６５０ｍｇ得た。化合物はこのまま次の反応に用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｋ）６５０ｍｇ（１．７５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．４１ｇ（１７．５ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド５０ｍＬ溶液に０℃でＮ，Ｎ－ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アニリン３．１２ｇ（８．７３ｍｍｏｌ）を加え、室温で４時間撹拌した。この反応溶液にメタノールを加え、析出物をろ別し、メタノールで洗浄することで、黄色固体として化合物（Ｌ）を５５０ｍｇ（２段階収率５８％）得た。
　1H NMR (400MHz, C2D2Cl4, ppm): δ8.85 (s, 2H), 8.59 (d, J=8.4Hz, 2H), 8.45 (d, J=5.6Hz, 2H), 8.33 (d, J=8.4Hz, 2H), 7.85 (d, J=5.6Hz, 2H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｌ）３００ｍｇ（０．４７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅９．０ｍｇ（０．０４７ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２７ｍｇ（０．０２４ｍｍｏｌ）にトリエチルアミン３．０ｍＬ、テトラヒドロフラン６．０ｍＬの混合溶液を加えた。次いで、トリイソプロピルシリルアセチレン０．６３ｍＬ（２．８２ｍｍｏｌ）を加えて、７０℃で４時間加熱還流した。この反応溶液にメタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた固体をＧＰＣにて精製することで、黄色固体として化合物１を２１０ｍｇ（収率６４％）得た。
　1H NMR (400MHz, CDCl3,ppm): δ9.66 (d, J=5.6Hz, 2H), 9.13 (s, 2H), 8.74 (d, J=8.8Hz, 2H), 8.21 (d, J=8.8Hz, 2H), 7.59 (d, J=5.6Hz, 2H), 1.37-1.21 (m, 21H)
＜化合物２の合成＞
　以下のスキームに示した具体的合成手順に準じて、一般式（２）で表される化合物である、化合物２を合成した
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
　以下に、各具体的合成手順について詳述する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｍ）３５．０ｇ（１６７ｍｍｏｌ）を酢酸３００ｍＬに溶かし、Ｎ－ブロモスクシンイミド３０．８ｇ（１７３ｍｍｏｌ）を加えて、４０℃で加熱撹拌した。この反応溶液に水を加え、ヘキサンで抽出することで化合物（Ｎ）の粗精製物を得た。この粗精製物をカラムクロマトグラフィ（ヘキサン）にて精製することで、無色オイルとして化合物（Ｎ）を３９．５ｇ（収率８２％）得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｎ）３９．５ｇ（１３７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅２．６０ｇ（１３．７ｍｍｏｌｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(ＩＩ)ジクロリド４．７９ｇ（６．８４ｍｍｏｌ）にジイソプロピルアミン３００ｍＬ、テトラヒドロフラン３００ｍＬの混合溶液を加えた。次いで、トリメチルシリルアセチレン１８．９ｍＬ（１３７ｍｍｏｌ）を加えて、室温下、８時間撹拌した。この反応溶液に水を加え、ヘキサンで抽出し、化合物（Ｏ）の粗精製物を得た。この粗精製物をカラムクロマトグラフィ（ヘキサン）にて精製することで淡黄色オイルとして化合物（Ｏ）を２６．０ｇ（収率７３％）得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｏ）３０．０ｇ（１１６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン９０ｍＬ溶液に、－７８℃でｎ－ブチルリチウム（ヘキサン溶液、１．６Ｍ）７９．５ｍＬ（１２７ｍｍｏｌ）を滴下し、－７８℃で３０分撹拌した。その後、塩化亜鉛（テトラヒドロフラン溶液、１．０Ｍ）１２７ｍＬ（１２７ｍｍｏｌ）を滴下し、－７８℃から０℃まで昇温した。この反応液を０℃で３０分撹拌することで、化合物（Ｏ’）の混合溶液を調液した。この混合溶液に化合物（Ｄ）１０．０ｇ（２８．９ｍｍｏｌ）、ＸＰｈｏｓ－Ｐｄ－Ｇ３　１．２２ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１時間加熱還流した。
この反応溶液に水を加え、クロロホルムで抽出し、化合物（Ｐ）の粗精製物を得た。この粗精製物をカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：クロロホルム）にて精製することで白色固体として化合物（Ｐ）を８．４０ｇ（収率５３％）得た。
　1H NMR (400MHz, CDCl3, ppm): δ8.38 (s, 2H), 7.27 (d, J=5.6Hz, 2H), 7.15 (d, J=5.6Hz, 2H), 7.15 (s, 2H), 3.93 (s, 6H), 0.18 (s, 18H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｐ）８．３５ｇ（１５．３ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液にテトラブチルアンモニウムフルオリド（テトラヒドロフラン溶液、１．０Ｍ）４６．０ｍＬ（４６．０ｍｍｏｌ）を加えて、室温で３０分撹拌した。この反応溶液に水を加え、クロロホルムで抽出し、白色固体として化合物（Ｑ）を４．６８ｇ（収率７６％）得た。
　1H NMR (400MHz, CDCl3, ppm): δ8.12 (s, 2H), 7.30 (d, J=5.2Hz, 2H), 7.18 (d, J=5.2Hz, 2H), 7.18 (s, 2H), 3.93 (s, 6H), 3.07 (s, 2H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｑ）４．６０ｇ（１１．５ｍｍｏｌ）、塩化白金（ＩＩ）６１２ｍｇ（２．３０ｍｍｏｌ）にトルエン２３０ｍＬを加え、１２０℃で１８時間加熱還流した。この反応溶液をシリカゲルカルムクロマトグラフィ（トルエン）、次いでＧＰＣで精製することで黄色固体として化合物（Ｒ）を１．３５ｇ（収率２９％）得た。
　1H NMR (400MHz, CDCl3, ppm): δ8.66 (d, J=8.8Hz, 2H), 8.13 (s, 2H), 8.11 (d, J=8.8Hz, 2H), 7.66 (d, J=5.6Hz, 2H), 7.56 (d, J=5.6Hz, 2H), 4.35 (s, 6H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｒ）１．２７ｇ（３．１７ｍｍｏｌ）の１，１，２，２-テトラクロロエタン５０ｍＬ溶液に三臭化ホウ素（ジクロロメタン溶液、１．０Ｍ）２５．４ｍＬ（２５．４ｍｍｏｌ）加えて、室温で１２時間撹拌した。この反応溶液に少量のメタノールを加え、溶媒を減圧留去した。得られた固体をメタノールで洗浄することで、黄色固体として粗精製物である化合物（Ｓ）を１．１９ｇ得た。化合物はこのまま次の反応に用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｓ）１．１９ｇ（３．１９ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム４．１０ｇ（３１．９ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド５０ｍＬ溶液に０℃でＮ，Ｎ－ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アニリン５．７１ｇ（１６．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で４時間撹拌した。この反応溶液にメタノールを加え、析出物をろ別し、メタノールで洗浄することで、黄色固体として化合物（Ｔ）を１．５９ｇ（２段階収率７９％）得た。
　1H NMR (400MHz, C2D2Cl4, ppm): δ8.94 (s, 2H), 8.59 (d, J=8.8Hz, 2H), 8.26 (d, J=8.8Hz, 2H), 7.18 (d, J=5.6Hz, 2H), 7.65 (d, J=5.6Hz, 2H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｔ）２００ｍｇ（０．３１ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅６．０ｍｇ（０．０３１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１８ｍｇ（０．０１６ｍｍｏｌ）にトリエチルアミン３．０ｍＬ、テトラヒドロフラン６．０ｍＬの混合溶液を加えた。次いで、トリイソプロピルシリルアセチレン０．４２ｍＬ（１．８８ｍｍｏｌ）を加えて、７０℃で４時間加熱還流した。この反応溶液にメタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた固体をＧＰＣにて精製することで、黄色固体として化合物２を１３５ｍｇ（収率６１％）得た。
　1H NMR (400MHz, CDCl3,ppm): δ9.12 (s, 2H), 8.74 (d, J=8.8Hz, 2H), 8.14 (d, J=8.8Hz, 2H), 7.65 (d, J=5.6Hz, 2H), 7.56 (d, J=5.6Hz, 2H), 1.42-1.26 (m, 21H)
＜化合物３の合成＞
　以下のスキームに示した具体的合成手順に準じて、一般式（１）で表される化合物である、化合物３合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　アルゴン雰囲気下、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン７７μＬ（０．４６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液１３０μＬに、－７８℃でｎ－ブチルリチウム（ヘキサン溶液、１．６Ｍ）２７４μＬ（０．４４ｍｍｏｌ）を滴下し、０℃で３０分撹拌した。この混合溶液を－７８℃で、上記で作製した化合物１　１４０ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン３ｍＬ溶液に滴下し、１時間撹拌した。その後、－９０℃でＮ－フルオロベンゼンスルホンイミド１５７ｍｇ（０．５０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン１．５ｍＬ溶液を滴下し、室温で１時間撹拌した。この反応溶液にメタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた個体をシリカゲルカルムクロマトグラフィ（ヘキサン：トルエン）、次いでＧＰＣで精製することで黄色固体として化合物３を４５ｍｇ（収率６０％）得た。
　1H NMR (400MHz, CDCl3,ppm): δ9.12 (d, J=4.0Hz, 2H), 9.04 (s, 2H), 8.69 (d, J=5.2Hz, 2H), 7.99 (d, J=5.2Hz, 2H), 1.37-1.21 (m, 21H)
＜化合物４の合成＞
　以下のスキームに示した具体的合成手順に準じて、一般式（２）で表される化合物である、化合物４合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
　アルゴン雰囲気下、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン１３８μＬ（０．８２ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液３５０μＬに、－７８℃でｎ－ブチルリチウム（ヘキサン溶液、１．６Ｍ）４９０μＬ（０．７８ｍｍｏｌ）を滴下し、０℃で３０分撹拌した。この混合溶液を－７８℃で、上記で作製した化合物２　２５０ｍｇ（０．３６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン５ｍＬ溶液に滴下し、１時間撹拌した。その後、－９０℃でＮ－フルオロベンゼンスルホンイミド２８１ｍｇ（０．８９ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン２．０ｍＬ溶液を滴下し、室温で１時間撹拌した。この反応溶液にメタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた個体をシリカゲルカルムクロマトグラフィ（ヘキサン：トルエン）、次いでＧＰＣで精製することで黄色固体として化合物４を１００ｍｇ（収率３８％）得た。
　1H NMR (400MHz, CDCl3,ppm): δ9.02 (s, 2H), 8.69 (d, J=5.2Hz, 2H), 7.94 (d, J=5.2Hz, 2H), 6.92 (d, J=2.4Hz, 2H), 1.42-1.23 (m, 21H)
＜化合物５の合成＞
　以下のスキームに示した具体的合成手順に準じて、一般式（１）で表される化合物である、化合物５合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｌ）７０ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅２．１ｍｇ（０．０１１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム６．４ｍｇ（０．００５５ｍｍｏｌ）にトリエチルアミン０．３ｍＬ、テトラヒドロフラン０．６ｍＬの混合溶液を加えた。次いで、エチルジソプロピルシリルアセチレン１１１ｍｇ（０．６６ｍｍｏｌ）を加えて、７０℃で４時間加熱還流した。この反応溶液にメタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた固体をＧＰＣにて精製することで、黄色固体として化合物５を３２ｍｇ（収率４３％）得た。
＜化合物６の合成＞
　以下のスキームに示した具体的合成手順に準じて、一般式（１）で表される化合物である、化合物６合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
　アルゴン雰囲気下、化合物（Ｌ）５６．３ｍｇ（０．０８８ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅１．７ｍｇ（０．００８８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム５．１ｍｇ（０．００４４ｍｍｏｌ）にトリエチルアミン０．３ｍＬ、テトラヒドロフラン０．６ｍＬの混合溶液を加えた。次いで、ブチルジイソプロピルシリルアセチレン１０４ｍｇ（０．６６ｍｍｏｌ）を加えて、７０℃で４時間加熱還流した。この反応溶液にメタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた固体をＧＰＣにて精製することで、黄色固体として化合物６を３５．０ｍｇ（収率５４％）得た。
＜比較化合物１～３の合成＞
　比較素子の有機半導体膜（有機半導体層）に用いた比較化合物１～３を、特開２０１４－０７８７２９号公報（特許文献１）に記載されている合成法に準じて合成した。比較化合物１～３の構造を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
≪素子作製・評価≫
　素子作製に用いた有機薄膜トランジスタ用材料（上記の各化合物）は、高速液体クロマトグラフィー（東ソーＴＳＫｇｅｌ　ＯＤＳ－１００Ｚ）により純度（２５４ｎｍの吸収強度面積比）が９９．０％以上であることを確認した。
＜塗布プロセスによるボトムゲート・トップコンタクト型素子の作製＞
　上記で合成した化合物１と溶媒としてのアニソールとを混合して０．１質量％溶液を室温で調製し、有機薄膜トランジスタ用組成物１とした。
　また、化合物１の代わりに化合物２～６又は比較化合物１、２若しくは３のいずれかを用いた以外は同様の方法により、有機薄膜トランジスタ用組成物２～６、比較用有機薄膜トランジスタ用組成物１～３を各々調製した。尚、比較化合物１～３は溶解性が低いため、アニソールを溶媒として０．１質量％溶液を８０℃に加熱することで、有機薄膜トランジスタ用組成物とした。
　実施例及び比較例では、図３～図５に記載の方法により有機半導体膜の形成を実施した。図３～図５は、実施例及び比較例の有機半導体膜の製造方法を示す模式図である。
　有機薄膜トランジスタ用組成物１を用いた場合を例に挙げて、有機半導体膜の形成方法の詳細を以下に示す。
　ｎ型シリコン基板（０．４ｍｍ厚さ）の表面に、ＳｉＯ２の熱酸化膜５００ｎｍを形成した１０ｍｍ×１０ｍｍ基板を基板２１２として使用した。基板２１２の熱酸化膜側の表面に対して、ＵＶ（紫外線）－オゾン洗浄を施した後、β－フェニチルトリメトキシシラン処理を行った。
　基板２１２のβ－フェニチルトリメトキシシラン処理面上であって、図３に示すように基板２１２の中央部に、部材２１４を、基板２１２と接触させた状態となるように置いた。部材２１４はガラス製で、縦６ｍｍ×横１ｍｍ×高さ２ｍｍのものを用い、図３の左右方向（Ｘ軸方向）が部材２１４の横方向であり、図３の上下方向（Ｚ軸方向）が部材２１４の高さ方向であり、図４Ｂの上下方向（Ｙ軸方向）が部材２１４の縦方向である。
　基板２１２を４０℃に加熱し、ここに上記の方法で調製した有機薄膜トランジスタ用組成物１（図３～図５に示す有機薄膜トランジスタ用組成物２１０）の１滴（約０．０３ｍｌ）を、ピペット２１６を用いて、図３に示すとおり基板２１２と部材２１４の両方に接するように部材２１４の側部からたらしたところ、図４Ａ及び図４Ｂに示すとおり基板２１２の表面内の一部に有機薄膜トランジスタ用組成物１が滴下された。部材２１４との界面においては凹状のメニスカスを形成していた。
　図５に示すとおり、基板２１２と部材２１４を接触させた状態を維持しながら、また、基板２１２と部材２１４との位置関係を静止させた状態で、滴下した有機薄膜トランジスタ用組成物１を自然乾燥させた。その後４０℃で８時間、１０－３ＭＰａの圧力下で減圧乾燥させることで化合物１の結晶を析出させて、有機半導体膜を形成した。結晶が析出したか否かは、偏光顕微鏡による観察によって確認した。なお、得られた有機半導体膜の膜厚は、７０ｎｍであった。
　得られた有機半導体膜に、さらにマスクをつけて電荷注入アクセプターとしてＦ４－ＴＣＮＱ（2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン）２ｎｍと金電極４０ｎｍをそれぞれ蒸着することによりＦＥＴ（電界効果トランジスタ）特性測定用の有機薄膜トランジスタ素子１（以下「素子１」ともいう。）を得た。
　また、有機薄膜トランジスタ用組成物１の代わりに有機薄膜トランジスタ用組成物２～６又は比較用有機薄膜トランジスタ用組成物１、２若しくは３のいずれかを用いた以外は上記素子１の作製方法に準じて、有機薄膜トランジスタ素子２～６（以下「素子２～６」ともいう。）及び比較有機薄膜トランジスタ素子１～３（以下「比較素子１～３」ともいう。）を各々作製した。得られた素子１～６及び比較素子１～３を、実施例１～６及び比較例１～３の有機薄膜トランジスタ素子とした。
＜評価＞
（キャリア移動度）
　各有機薄膜トランジスタ素子（素子１～６及び比較素子１～３）のＦＥＴ特性は、セミオートプローバー（ベクターセミコン製、ＡＸ－２０００）を接続した半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ製、４１５６Ｃ）を用いて、常圧・大気下でのキャリア移動度の観点で評価した。
　各有機薄膜トランジスタ素子（ＦＥＴ素子）のソース電極－ドレイン電極間に－５０Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を２０Ｖ～－１５０Ｖの範囲で変化させ、ドレイン電流Ｉｄを表わす式Ｉｄ＝（ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ－Ｖｔｈ）２（式中、Ｌはゲート長、Ｗはゲート幅、Ｃｉは絶縁層の単位面積当たりの容量、Ｖｇはゲート電圧、Ｖｔｈは閾値電圧）を用いてキャリア移動度μを算出し、以下の４段階で評価した。
　得られた結果を下記表に示す。
　「Ａ」：≧０．５ｃｍ２／Ｖｓ
　「Ｂ」：０．１以上～０．５未満ｃｍ２／Ｖｓ
　「Ｃ」：０．０５以上～０．１未満ｃｍ２／Ｖｓ
　「Ｄ」：＜０．０５ｃｍ２／Ｖｓ
（溶解性）
　本発明の化合物又は比較化合物（各５ｍｇ）と、下記に示す各種溶媒（１ｍＬ）のいずれかと、を混合し、溶解性を以下の２段階で評価した。得られた結果を下記表に示す。
　「Ａ」：完溶した
　「Ｂ」：完溶しなかった
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000053
［実施例７～１２及び比較例４～６］
≪素子作製・評価≫
＜塗布プロセスによるボトムゲート・ボトムコンタクト型素子の作製＞
　実施例７～１２及び比較例４～６ではボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ素子を作製した。詳細を下記に示す。
　上記実施例１において化合物１の０．１質量％アニソール溶液を室温で調整することにより得た有機薄膜トランジスタ用組成物１を、窒素雰囲気下、室温で下記ＦＥＴ特性測定用基板上にキャスト（ドロップキャスト法）することで、非発光性有機薄膜トランジスタ素子７（以下「素子７」ともいう。）を得た。
　ＦＥＴ特性測定用基板としては、ソース及びドレイン電極としてくし型に配置されたクロム/金（ゲート幅Ｗ＝１００ｍｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）、絶縁膜としてＳiＯ２（膜厚５００ｎｍ）を備えたボトムゲート・ボトムコンタクト構造のシリコン基板を用いた。
　有機薄膜トランジスタ用組成物１の代わりに有機薄膜トランジスタ用組成物２～６又は比較用有機薄膜トランジスタ用組成物１、２若しくは３を用いた以外は上記素子７の作製方法に準じて、有機薄膜トランジスタ素子８～１２（以下「素子８～１２」ともいう。）及び比較有機薄膜トランジスタ素子４～６（以下「比較素子４～６」ともいう。）を各々作製した。尚、比較化合物１～３は溶解性が低いため、アニソールを溶媒として０．１質量％溶液を８０℃に加熱することで、有機薄膜トランジスタ用組成物を調製した。得られた素子７～１２及び比較素子４～６を、実施例７～１２及び比較例４～６の有機薄膜トランジスタ素子とした。
＜評価＞
　各有機薄膜トランジスタ素子（素子７～１２及び比較素子４～６）のＦＥＴ特性を、実施例１と同様の方法で評価した。その結果を下記表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000054
　上記の評価結果より、上記一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物は溶解性が良好であり、これを用いた各実施例（実施例１～１２）の有機薄膜トランジスタ素子は、いずれもキャリア移動度が高いことが示された。
　一方、一般式（１）及び（２）の範囲外である比較化合物１～３を有機薄膜トランジスタ用材料として有機半導体層に用いた有機薄膜トランジスタ素子（比較例１～６）は、いずれにおいてもキャリア移動度が低いことが明らかとなった。
［実施例１３～１８および比較例７～９］
＜ポリマーバインダーを用いたボトムゲート・ボトムコンタクト型素子の作製＞
　実施例７で化合物１の代わりに化合物１とポリα－メチルスチレンを質量比１：１で含有した材料（材料１’）を用いた以外は実施例７と同様にボトムゲート・ボトムコンタクト型素子１３を作製した。得られた素子１３を、実施例１３の有機薄膜トランジスタ素子とした。
　素子１３の作製において、化合物１の代わりに化合物２～６又は比較化合物１、２若しくは３のいずれかを用いた以外は同様の方法により、有機薄膜トランジスタ素子１４～１８（以下「素子１４～１８」ともいう。）及び比較有機薄膜トランジスタ素子７～９（以下「比較素子７～９」ともいう。）を各々作製した。得られた素子１４～１８及び比較素子７～９を、実施例１４～１８及び比較例７～９の有機薄膜トランジスタ素子とした。
＜評価＞
　各有機薄膜トランジスタ素子（素子１３～１８及び比較素７～９）のＦＥＴ特性を、実施例１と同様の方法で評価した。その結果を下記表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000055
　上記表より、上記一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を用いた各実施例の有機薄膜トランジスタ素子は、ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子の場合およびポリマーバインダーを用いた場合でもキャリア移動度が高いことが確認され、上記一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物は有機薄膜トランジスタ用材料として好ましく用いられることが分かった。
　一方、一般式（１）の範囲外である比較化合物１～３を有機薄膜トランジスタ材料として有機半導体層に用いた有機薄膜トランジスタ素子は、キャリア移動度が低いことが分かった。
［実施例１９～３０］
≪素子作製・評価≫
＜印刷法によるボトムゲート・ボトムコンタクト型素子の作製＞
　－インクジェット法―
　化合物１と溶媒としてのテトラリンとを混合して０．１質量％溶液を調整し、これを有機薄膜トランジスタ用組成物２１とした。また、化合物１の代わりに各々化合物２～６を用いた以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ用組成物２２～２６を調整した。
　上記有機薄膜トランジスタ用組成物２１を用い、インクジェット法により、実施例７と同様のボトムゲート・ボトムコンタクト型ＦＥＴ特性測定用基板上に有機半導体膜を形成し、非発光性有機薄膜トランジスタ素子１９（以下「素子１９」ともいう。）を得た。
　なお、インクジェット法による有機半導体膜の具体的な作製方法は、下記の通りである。
　インクジェット装置としてはＤＭＰ２８３１（富士フイルムグラフィックシステムズ（株）製）、１０ｐｌヘッドを用い、吐出周波数２Ｈｚ、ドット間ピッチ２０μｍでベタ膜を形成した。その後７０℃で１時間乾燥することで有機半導体膜を形成した。
　有機薄膜トランジスタ用組成物２１の代わりに有機薄膜トランジスタ用組成物２２～２６を用いた以外は上記素子１９の作製方法に準じて、有機薄膜トランジスタ素子２０～２４（以下「素子２０～２４」ともいう。）を各々作製した。得られた素子１９～２４を、実施例１９～２４の有機薄膜トランジスタ素子とした。
　－フレキソ印刷法―
　テトラリン中に化合物１を０．５質量％、ポリα－メチルスチレンを０．５質量％、界面活性剤としてＢＹＫ３２３（ＢＹＫ社製）を０．０５％溶解した有機半導体デバイス用塗布液塗布液を調製し、これを有機薄膜トランジスタ用組成物３１とした。また、化合物１の代わりに各々化合物２～６を用いた以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ用組成物３２～３６を調整した。
　上記有機薄膜トランジスタ用組成物３１を用い、フレキソ印刷法により、実施例７と同様のボトムゲート・ボトムコンタクト型ＦＥＴ特性測定用基板上に有機半導体膜を形成し、非発光性有機薄膜トランジスタ素子２５（以下「素子２５」ともいう。）を得た。
　なお、フレキソ印刷法による有機半導体膜の具体的な作製方法は、下記の通りである。
　印刷装置として、フレキソ適性試験機Ｆ１（アイジーティ・テスティングシステムズ（株）製）を用い、フレキソ樹脂版として、ＡＦＰ　ＤＳＨ１．７０％（旭化成（株）製）／ベタ画像を用いた。版と基板間の圧は、６０Ｎ、搬送速度０．４ｍ／秒で印刷を行った後、そのまま、６０℃下で２時間乾燥することで、有機半導体膜（膜厚：５０ｎｍ）を作製した。
　有機薄膜トランジスタ用組成物３１の代わりに有機薄膜トランジスタ用組成物３２～３６を用いた以外は上記素子２５の作製方法に準じて、有機薄膜トランジスタ素子２６～３０（以下「素子２６～３０」ともいう。）を各々作製した。得られた素子２５～３０を、実施例２５～３０の有機薄膜トランジスタ素子とした。
＜評価＞
　各有機薄膜トランジスタ素子（素子１９～３０）のＦＥＴ特性を、実施例１と同様の方法で評価した。その結果を下記表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000056
　表５より、本発明の一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物をインクジェット法又はフレキソ印刷法により成膜してなる有機半導体層を備えた各実施例の有機薄膜トランジスタ素子は、いずれもキャリア移動度が高いことが確認された。この結果から、本発明の一般式（１）又は一般式（２）で表される化合は有機薄膜トランジスタ材料として好ましく用いられることが分かる。
［実施例３１～３６］
＜蒸着プロセスによるボトムゲート・トップコンタクト型素子の作製＞
　上記実施例１と同様の方法で、基板２１２の酸化膜側の表面に対して、ＵＶ－オゾン洗浄を施した後、ドデシルトリクロロシラン処理を行った。
　この基板２１２のドデシルトリクロロシラン処理面上に、化合物１を０．０５ｎｍ／ｓの蒸着速度で膜厚４０ｎｍになるように蒸着成膜した。
　得られた有機半導体膜に、さらにマスクをつけて電荷注入アクセプターとしてＦ４－ＴＣＮＱ ２ｎｍと金電極４０ｎｍをそれぞれ蒸着することによりＦＥＴ特性測定用の有機薄膜トランジスタ素子３１（以下「素子３１」ともいう。）を得た。得られた有機薄膜トランジスタ素子３１を、実施例３１の有機薄膜トランジスタ素子とした。
　化合物１の代わりに化合物２～６のいずれかを用いた以外は素子３１と同様の方法により、有機薄膜トランジスタ素子３２～３６（以下「素子３２～３６」ともいう。）を各々作製した。得られた素子３２～３６を、実施例３２～３６の有機薄膜トランジスタ素子とした。
＜評価＞
　各有機薄膜トランジスタ素子（素子３１～３６）のＦＥＴ特性を、実施例１と同様の方法で評価した。その結果を下記表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000057
　表６より、本発明の一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物を真空蒸着法により成膜してなる有機半導体層を備えた各実施例の有機薄膜トランジスタ素子は、いずれもキャリア移動度が高いことが確認された。この結果から、本発明の一般式（１）又は一般式（２）で表される化合は有機薄膜トランジスタ材料として好ましく用いられることが分かる。
［実施例３７～４２］
＜インバータの作製＞
　図６に示すように、実施例１の有機薄膜トランジスタ素子に可変抵抗を接続し、可変抵抗の抵抗値を適切な値に設定して、インバータ素子３７を作製した。また、実施例１の有機薄膜トランジスタ素子に変えて実施例２～実施例６の有機薄膜トランジスタ素子を用いて、インバータ素子３８～４２を作製した。いずれのインバータ素子もゲイン１０以上の良好なインバータ特性を示した。
［実施例４３～４８］
＜リングオシレーターの作製＞
　図７に示すように、実施例３７のインバータ素子を３段連結することによりリングオシレーター素子４３を作製した。また、実施例３７のインバータ素子に変えて実施例３８～実施例４２のインバータ素子を用いて、リングオシレーター素子４４～４８を作製した。いずれのリングオシレーター素子も安定して発振した。
　以上のように本発明の化合物を用いることにより、各種デバイスの作製が可能なことが示された。
　１０　基板、２０　ゲート電極、３０　ゲート絶縁膜、４０　ソース電極、４２　ドレイン電極、５０　有機半導体膜（有機半導体層）、６０　封止層、１００，２００　有機薄膜トランジスタ、２１０　有機薄膜トランジスタ用組成物、２１２　基板、２１４　部材、２１６　ピペット

Claims (16)

  1. 　下記一般式（１）又は下記一般式（２）で表され、且つ、分子量が３０００以下である化合物を含む有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    　一般式（１）及び一般式（２）中、
    　Ｒ１～Ｒ１２は、それぞれ独立に下記式（Ｗ）で表される基を表す。
    　　－ＬＷ－ＲＷ　　　（Ｗ）
    　式（Ｗ）中、ＬＷは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－若しくは－Ｓｉ（Ｒ１４）（Ｒ１５）－のいずれかの２価の連結基、又は、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であり、ＲＷは、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表し、Ｒ１３～Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
    　但し、一般式（１）及び一般式（２）において、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つ以上は、水素原子以外の基である。
  2. 　前記一般式（１）及び前記一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ１２に含まれる炭素数がそれぞれ独立に３０以下である、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
  3. 　前記一般式（１）及び前記一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ１２の少なくともいずれか１つが、ＲＷとして、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数２０以下である置換若しくは無置換のヘテロアリール基を有する、請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ。
  4. 　前記一般式（１）及び前記一般式（２）中、Ｒ１とＲ１２とが同一の基、且つ、Ｒ２とＲ１１とが同一の基、且つ、Ｒ３とＲ１０とが同一の基、且つ、Ｒ４とＲ９とが同一の基、且つ、Ｒ５とＲ８とが同一の基、且つ、Ｒ６とＲ７とが同一の基である、請求項１～３のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  5. 　前記化合物が、下記一般式（３）又は下記一般式（４）で表され、且つ、分子量が３０００以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    　一般式（３）及び（４）中、
    　Ｒ１、Ｒ５～Ｒ８、及びＲ１２は、それぞれ独立に下記式（Ｗ）で表される基を表す。
    　　－ＬＷ－ＲＷ　　　（Ｗ）
    　式（Ｗ）中、ＬＷは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－若しくは－Ｓｉ（Ｒ１４）（Ｒ１５）－のいずれかの２価の連結基、又は、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であり、ＲＷは、水素原子、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数２０以下である置換若しくは無置換のヘテロアリール基を表し、Ｒ１３～Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
    　但し、Ｒ１とＲ１２、Ｒ５とＲ８、及びＲ６とＲ７はそれぞれ同じ基であり、Ｒ５とＲ８及びＲ６とＲ７のいずれか一方の組み合わせは水素原子以外の基である。
  6. 　前記化合物が、下記一般式（５）又は下記一般式（６）で表され、且つ、分子量が３０００以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    　一般式（５）及び（６）中、
    　Ｒ１、Ｒ５、Ｒ８、及びＲ１２は、それぞれ独立に下記式（Ｗ）で表される基を表す。
    　　－ＬＷ－ＲＷ　　　（Ｗ）
    　式（Ｗ）中、ＬＷは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－若しくは－Ｓｉ（Ｒ１４）（Ｒ１５）－のいずれかの２価の連結基、又は、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であり、ＲＷは、水素原子、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数２０以下である置換若しくは無置換のヘテロアリール基を表し、Ｒ１３～Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
    　但し、Ｒ１とＲ１２、及びＲ５とＲ８はそれぞれ同じ基であり、Ｒ５とＲ８の組み合わせは水素原子以外の基である。
  7. 　下記一般式（１）又は下記一般式（２）で表され、且つ、分子量が３０００以下である化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    　一般式（１）及び一般式（２）中、
    　Ｒ１～Ｒ１２は、それぞれ独立に下記式（Ｗ）で表される基を表す。
    　　－ＬＷ－ＲＷ　　　（Ｗ）
    　式（Ｗ）中、ＬＷは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－若しくは－Ｓｉ（Ｒ１４）（Ｒ１５）－のいずれかの２価の連結基、又は、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であり、ＲＷは、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表し、Ｒ１３～Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
    　但し、一般式（１）及び一般式（２）において、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つ以上は、水素原子以外の基である。
  8. 　前記一般式（１）及び前記一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ１２に含まれる炭素数がそれぞれ独立に３０以下である、請求項７に記載の化合物。
  9. 　前記一般式（１）及び前記一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ１２の少なくともいずれか１つが、ＲＷとして、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数２０以下である置換若しくは無置換のヘテロアリール基を有する、請求項７又は８に記載の化合物。
  10. 　前記一般式（１）及び前記一般式（２）中、Ｒ１とＲ１２とが同一の基、且つ、Ｒ２とＲ１１とが同一の基、且つ、Ｒ３とＲ１０とが同一の基、且つ、Ｒ４とＲ９とが同一の基、且つ、Ｒ５とＲ８とが同一の基、且つ、Ｒ６とＲ７とが同一の基である、請求項７～９のいずれか１項に記載の化合物。
  11. 　前記化合物が、下記一般式（３）又は下記一般式（４）で表され、且つ、分子量が３０００以下である、請求項７～１０のいずれか１項に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
    　一般式（３）及び（４）中、
    　Ｒ１、Ｒ５～Ｒ８、及びＲ１２は、それぞれ独立に下記式（Ｗ）で表される基を表す。
    　　－ＬＷ－ＲＷ　　　（Ｗ）
    　式（Ｗ）中、ＬＷは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－若しくは－Ｓｉ（Ｒ１４）（Ｒ１５）－のいずれかの２価の連結基、又は、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であり、ＲＷは、水素原子、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数２０以下である置換若しくは無置換のヘテロアリール基を表し、Ｒ１３～Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
    　但し、Ｒ１とＲ１２、Ｒ５とＲ８、及びＲ６とＲ７はそれぞれ同じ基であり、Ｒ５とＲ８及びＲ６とＲ７のいずれか一方の組み合わせは水素原子以外の基である。
  12. 　前記化合物が、下記一般式（５）又は下記一般式（６）で表され、且つ、分子量が３０００以下である、請求項７～１１のいずれか１項に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
    　一般式（５）及び（６）中、
    　Ｒ１、Ｒ５、Ｒ８、及びＲ１２は、それぞれ独立に下記式（Ｗ）で表される基を表す。
    　　－ＬＷ－ＲＷ　　　（Ｗ）
    　式（Ｗ）中、ＬＷは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ１３－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－若しくは－Ｓｉ（Ｒ１４）（Ｒ１５）－のいずれかの２価の連結基、又は、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であり、ＲＷは、水素原子、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２０以下である置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数２０以下である置換若しくは無置換のヘテロアリール基を表し、Ｒ１３～Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
    　但し、Ｒ１とＲ１２、及びＲ５とＲ８はそれぞれ同じ基であり、Ｒ５とＲ８の組み合わせは水素原子以外の基である。
  13. 　請求項７～１２のいずれか１項に記載の化合物を含有する、有機薄膜トランジスタ用材料。
  14. 　請求項７～１２のいずれか１項に記載の化合物を含有する、有機薄膜トランジスタ用組成物。
  15. 　請求項１４に記載の有機薄膜トランジスタ用組成物を基板上に塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を形成する工程を含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。
  16. 　請求項７～１２のいずれか１項に記載の化合物を含有する、有機半導体薄膜。
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