WO2016174752A1 - チャンバ装置、ターゲット生成方法および極端紫外光生成装置 - Google Patents

チャンバ装置、ターゲット生成方法および極端紫外光生成装置 Download PDF

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    • H05G2/0094—Reduction, prevention or protection from contamination; Cleaning

Definitions

  • the EUV light generation apparatus includes an LPP (Laser Produced Plasma) system using plasma generated by irradiating a target material with laser light, and a DPP (Discharge Produced Plasma) using plasma generated by discharge.
  • LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • Three types of devices have been proposed: a device of the system and a device of SR (Synchrotron Radiation) method using orbital radiation.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of an EUV light generation apparatus according to a comparative example.
  • FIG. 3 is a diagram showing the calculation result of the equilibrium oxygen partial pressure (saturated oxygen partial pressure) of tin when the activity of tin and tin oxide is 1.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of tin oxide formed on the surface of tin accommodated in the tank 260 during the temperature rising period of tin.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of an EUV light generation apparatus according to a comparative example.
  • FIG. 3 is a diagram showing the calculation result of the equilibrium oxygen partial pressure (saturated oxygen partial pressure) of tin when the activity of tin and tin oxide is 1.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of an EUV light generation apparatus according to a comparative example.
  • the EUV light generation apparatus may include a chamber 2, a laser apparatus 3, a laser beam traveling direction control unit 34, and a control unit 51.
  • the laser condensing optical system 220 may be arranged so that the laser beam 32 output from the laser beam traveling direction control unit 34 is input.
  • the laser beam manipulator 223 moves the moving plate 221 on which the laser beam focusing mirror 22 and the high reflection mirror 222 are fixed to the X axis so that the laser focusing position in the chamber 2 is a position designated by the control unit 51. , May move in the Y-axis and Z-axis directions.
  • the controller 51 may raise the temperature of the heater 141 by supplying a current from the heater power supply 143 in order to heat and maintain the target material 271 in the tank 260 at a predetermined temperature equal to or higher than the melting point. Further, the control unit 51 may adjust the amount of current supplied from the heater power supply 143 to the heater 141 based on the output from the temperature sensor 142, and thereby control the temperature of the target material 271 to a predetermined temperature. Good.
  • the predetermined temperature may be a temperature within a temperature range of 250 ° C. to 290 ° C., for example, when tin is used for the target material 271.
  • the control unit 51 may control the laser light manipulator 223 so that the pulsed laser light 32 is condensed in the plasma generation region 25.
  • the pulse laser beam 33 converted into convergent light by the laser beam focusing mirror 22 may be irradiated to the target 27 in the plasma generation region 25.
  • EUV light can be generated from the plasma generated by this irradiation.
  • EUV light can be generated periodically.
  • the control unit 51 may stop the exhaust device 210 after the temperature of the target material 271 becomes equal to or lower than a predetermined temperature equal to or lower than the freezing point.
  • This predetermined temperature may be, for example, 50 ° C. or less.
  • the target material 271 may be a metal that easily oxidizes, such as tin.
  • oxidation of tin can proceed according to the following reaction formula (1).
  • Sn + O 2 SnO 2 (1)
  • the calculation result of the equilibrium oxygen partial pressure (saturated oxygen partial pressure) of tin when the activities of tin (Sn) and tin oxide (SnO 2 ) are 1 is shown in FIG.
  • the saturated oxygen partial pressure of tin when the tin temperature is in the range of 250 ° C. to 290 ° C. may be 6 ⁇ 10 ⁇ 43 to 8 ⁇ 10 ⁇ 39 Pa.
  • the oxygen partial pressure of the atmosphere in the chamber 2 is, for example, 10 ⁇ 12 Pa when the chamber 2 is purged with high purity argon gas (oxygen concentration: 0.1 ppm) and then exhausted to a high vacuum region of 10 ⁇ 5 Pa. It can be.
  • This oxygen partial pressure is 26 digits or more larger than the saturated oxygen partial pressure of tin. Therefore, the oxidation of tin in contact with the atmosphere in the chamber 2 can proceed.
  • the tin surface in contact with the atmosphere in the chamber 2 from the nozzle hole of the nozzle portion 262 is renewed sequentially, so that the oxidation of the tin surface will not proceed.
  • oxidation of the tin surface can proceed.
  • the period in which tin is maintained at a high temperature without generating droplets may include a tin temperature rising period, a target discharge standby period after the temperature increase, a tin temperature falling period after the target discharge is stopped, and the like. .
  • FIG. 4 is a view showing an example of tin oxide formed on the surface of tin during the temperature rising period after the target supply unit 26 is assembled to the chamber 2.
  • tin may be drawn into the nozzle hole 263 due to shrinkage caused by the previous temperature decrease.
  • the tin surface may be oxidized inside the nozzle hole 263 to form a tin oxide film 272a.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of tin oxide formed on the tin surface during the standby period after the temperature of tin rises.
  • the volume of tin melted at elevated temperatures can increase. Therefore, the inside of the nozzle hole 263 can be filled with molten tin.
  • the tin oxide film 272b may be formed on the tin surface exposed from the nozzle hole 263. Note that the surface of tin exposed from the nozzle hole 263 may be hemispherical instead of a flat surface, depending on the relationship between the tank internal pressure and the chamber internal pressure and the droplet generation stoppage state.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of tin oxide formed on the tin surface during the temperature drop period of tin.
  • tin can be drawn into the nozzle hole 263 by shrinkage.
  • the tin oxide film 272c may be formed from the inner wall of the nozzle hole 263 to the tin surface.
  • tin oxide can be formed in the vicinity of the nozzle hole 263 during the temperature rise, standby period, and temperature drop period. If tin oxide adheres to the outer periphery of the nozzle hole 263, it is discharged from the nozzle hole 263.
  • the trajectory of the target 27 (droplet) may change. When the change of the trajectory is large, there is a problem that the target 27 does not pass through the plasma generation region 25 and the pulse laser beam 33 is not irradiated. Therefore, in the following embodiment, a target generation device, a chamber device, a target generation method, and an EUV light generation device that can reduce the oxide of the target material 271 formed in the vicinity of the nozzle hole will be exemplified.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of an EUV light generation apparatus including the target generation apparatus according to the first embodiment.
  • the target generation device according to the second embodiment includes a hydrogen gas supply source 301, a flow rate controller 302, a gas nozzle 303, and a gas pipe 304 in addition to the target supply unit 26 illustrated in FIG. 2. You may prepare.
  • the EUV light generation apparatus according to the first embodiment may further include a pressure sensor 305.
  • the hydrogen gas supply source 301 may be connected to the gas nozzle 303 via the gas pipe 304.
  • the hydrogen gas supply source 301 may supply, for example, a balance gas having a hydrogen gas concentration of about 4% to the gas pipe 304.
  • the balance gas may contain nitrogen (N 2 ) gas or argon (Ar) gas. In the following description, the balance gas is referred to as hydrogen gas.
  • the gas nozzle 303 may be provided in the sub-chamber 201 so that the blown-out hydrogen gas flows in the vicinity of the nozzle portion 262 of the target supply unit 26.
  • a flow rate regulator 302 may be provided in the gas pipe 304 between the hydrogen gas supply source 301 and the gas nozzle 303.
  • the pressure sensor 305 and the flow rate controller 302 may be connected to the control unit 51.
  • Other configurations may be the same as those of the EUV light generation apparatus shown in FIG.
  • the control unit 51 starts from the hydrogen gas supply unit 301 as shown in step S103 in FIG.
  • Introduction of hydrogen gas into the chamber 2 may be started (timing t2 in FIG. 9).
  • the first predetermined pressure may be, for example, 1 Pa or less.
  • the hydrogen gas may be introduced into the chamber 2 at a low flow rate.
  • control unit 51 may control the flow rate regulator 302 so that the value of the pressure sensor 305 is maintained at the second predetermined pressure.
  • the second predetermined pressure may be 40 Pa or less, for example.
  • control unit 51 may stand by until a predetermined time elapses from the start of hydrogen gas introduction.
  • the predetermined time may be, for example, 10 minutes or longer.
  • step S ⁇ b> 106 of FIG. 8 the control unit 51 operates the heater 141 via the heater power supply 143 so that the target material 271 in the tank 260 is heated to the first predetermined temperature not lower than the melting point. It may be allowed (timing t3 in FIG. 9).
  • the melting point may be 232 ° C.
  • the first predetermined temperature may be in the range of 250 ° C. to 290 ° C., for example.
  • the controller 51 monitors the temperature of the target material 271 with the temperature sensor 142 as shown in step S107 in FIG. By controlling the power supply 143, the temperature of the target material 271 may be maintained at the first predetermined temperature.
  • step S109 in FIG. 8 the control unit 51 controls the pressure regulator 120 so that the tank internal pressure becomes the third predetermined pressure.
  • the third predetermined pressure may be 3 MPa or more, for example. Accordingly, the target material 271 may be ejected from the nozzle portion 262 in a jet shape. Further, as shown in step S110 of FIG. 8, the control unit 51 may control the pressure regulator 120 so that the tank internal pressure is maintained at the third predetermined pressure.
  • the control unit 51 may supply a voltage having a predetermined waveform to the piezo element 111 via the piezo power supply 112. Thereby, the jet-shaped target material 271 ejected from the nozzle part 262 may be changed to a droplet form (target 27).
  • the control unit 51 may determine whether or not to stop the generation of droplets.
  • the control unit 51 stops the voltage supply to the piezo element 111 (step S113 in FIG. 8), and the tank internal pressure is increased to the fourth predetermined pressure.
  • the pressure may be reduced (step S114 in FIG. 8).
  • the fourth predetermined pressure may be, for example, 0.1 MPa or less.
  • the control unit 51 may control the heater power supply 143 to stop the heater 141 (FIG. 9). Timing t5). Thereby, the temperature of the target material 271 may be lowered to a second predetermined temperature below the freezing point.
  • the second predetermined temperature may be 50 ° C. or less, for example.
  • the equilibrium oxygen partial pressure of the reaction shown in the reaction formula (2) can depend on the ratio of the hydrogen partial pressure (P H2 ) to the water partial pressure (P H2O ).
  • FIG. 10 shows the relationship between the equilibrium oxygen partial pressure and temperature.
  • L1 represents the saturated oxygen partial pressure of tin when tin is used as the target material 271
  • L2 is the ratio ⁇ of the moisture partial pressure (P H2O ) to the hydrogen partial pressure (P H2 ) after hydrogen gas introduction.
  • L3 is the oxygen partial pressure when the ratio ⁇ after introduction of hydrogen gas is 0.01
  • L4 is after hydrogen gas introduction.
  • the oxygen partial pressure when the ratio ⁇ is 0.0001 is shown.
  • Embodiment 2 Next, a target generation apparatus, a chamber apparatus, a target generation method, and an EUV light generation apparatus according to Embodiment 2 will be described in detail with reference to the drawings.
  • the same components as those described above are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof is omitted.
  • step S101 in FIG. 8 is replaced with an operation (step S121 in FIG. 12; timing t1 in FIG. 13) of starting the first exhaust device 310 and starting high-speed exhaust of the atmosphere in the chamber 2. Also good. Further, an operation for stopping the first exhaust device 310 (step S122 in FIG. 12) is added between steps S102 and S103 in FIG. 8, and a second operation is performed between steps SS103 and S104 in FIG. An operation of starting the exhaust device 314 to start the low-vacuum exhaust of the atmosphere in the chamber 2 (step S123 in FIG. 12) may be added.
  • the ratio ⁇ between the hydrogen partial pressure and the water partial pressure can be maintained at 0.01 or less immediately after the introduction of hydrogen gas.
  • FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of an EUV light generation apparatus including a target generation apparatus according to the third embodiment.
  • the EUV light generation apparatus according to the third embodiment has a configuration similar to that of the EUV light generation apparatus shown in FIG. 11, and a second exhaust device 314 is arranged instead of the first exhaust device 310.
  • the cryopump 320 may be arranged instead of the two exhaust device 314.
  • the EUV light generation apparatus may further include a low temperature trap 330 in addition to the same configuration as the EUV light generation apparatus shown in FIG. 7.
  • the cold trap 330 may be disposed on the space side (upstream side) in the chamber 2 with respect to the exhaust device 210.
  • the low temperature trap 330 may be cooled by liquid nitrogen or cooled by a refrigerator.
  • FIG. 19 is a schematic diagram illustrating a modification of the target generation device according to the fifth embodiment.
  • the catalyst 352 that increases the reaction rate of the reaction formula (2) may be disposed in a gas pipe 304 that connects the hydrogen gas supply source 301 and the gas nozzle 303.
  • the catalyst 352 may be platinum (Pt) or the like, similar to the catalyst 351.

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Abstract

本開示の一態様によるチャンバ装置は、チャンバと、チャンバに組み付けられ、チャンバ内の所定領域へターゲット材料を供給するターゲット生成装置であって、ターゲット材料を貯蔵するタンク部、タンク部内の前記ターゲット材料の温度を変化させる温度可変装置、および、液体状のターゲット材料を出力するノズル孔を含むノズル部を備えるターゲット生成装置と、ガスの導入口がノズル部へ向くように配置されたガスノズルと、少なくともノズル部の周辺に水素を含むガスが供給されるようにガスノズルに水素を含むガスを供給するガス供給源と、チャンバ内における少なくともノズル部周辺の水分を除去する水分除去装置と、を備えてもよい。

Description

チャンバ装置、ターゲット生成方法および極端紫外光生成装置
　本開示は、チャンバ装置、ターゲット生成方法および極端紫外光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば２０ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultraviolet）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄ　ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ　ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
特開２００１－２６７７３０号公報 特開平９－２３２７４２号公報 特表２０１１－５１３９８７号公報 特開２０１０－１１８８５２号公報
概要
　本開示の一態様によるチャンバ装置は、チャンバと、チャンバに組み付けられ、チャンバ内の所定領域へターゲット材料を供給するターゲット生成装置であって、ターゲット材料を貯蔵するタンク部、タンク部内の前記ターゲット材料の温度を変化させる温度可変装置、および、液体状のターゲット材料を出力するノズル孔を含むノズル部を備えるターゲット生成装置と、ガスの導入口がノズル部へ向くように配置されたガスノズルと、少なくともノズル部の周辺に水素を含むガスが供給されるようにガスノズルに水素を含むガスを供給するガス供給源と、チャンバ内における少なくともノズル部周辺の水分を除去する水分除去装置と、を備えてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図である。 図２は、比較例にかかるＥＵＶ光生成装置の概略構成例を示す模式図である。 図３は、錫と酸化錫との活量を１とした場合の錫の平衡酸素分圧（飽和酸素分圧）の計算結果を示す図である。 図４は、錫の昇温期間にタンク２６０内に収容された錫の表面に形成される酸化錫の一例を示す図である。 図５は、錫の昇温後のスタンバイ期間に錫表面に形成される酸化錫の一例を示す図である。 図６は、一度溶融した錫を降温して固化した際に錫表面に形成される酸化錫の一例を示す図である。 図７は、実施形態１にかかるターゲット生成装置を備えたＥＵＶ光生成装置の概略構成例を示す模式図である。 図８は、図７に示すＥＵＶ光生成装置の動作例を示すフローチャートである。 図９は、図７に示すＥＵＶ光生成装置の動作例を示すタイミングチャートである。 図１０は、反応式（２）に示される反応の平衡酸素分圧と温度との関係を示す図である。 図１１は、実施形態２にかかるターゲット生成装置を備えたＥＵＶ光生成装置の概略構成例を示す模式図である。 図１２は、図１１に示すＥＵＶ光生成装置の動作例を示すフローチャートである。 図１３は、図１１に示すＥＵＶ光生成装置の動作例を示すタイミングチャートである。 図１４は、実施形態３にかかるターゲット生成装置を備えたＥＵＶ光生成装置の概略構成例を示す模式図である。 図１５は、水の蒸気圧の温度依存性を示す図である。 図１６は、実施形態３の変形例にかかるＥＵＶ光生成装置の概略構成例を示す模式図である。 図１７は、実施形態４にかかるターゲット生成装置の概略構成例を示す模式図である。 図１８は、実施形態５にかかるターゲット生成装置の概略構成例を示す模式図である。 図１９は、実施形態５にかかるターゲット生成装置の変形例を示す模式図である。 図２０は、実施形態６にかかるターゲット生成装置の概略構成例を示す模式図である。 図２１は、実施形態７にかかる単体評価装置の概略構成例を示す模式図である。
実施形態
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　２．１　構成
　２．２　動作
３．ターゲット生成装置を備えたＥＵＶ光生成装置：比較例
　３．１　構成
　３．２　動作
　３．４　課題
４．実施形態１
　４．１　構成
　４．２　動作
　４．３　作用・効果
５．実施形態２
　５．１　構成
　５．２　動作
　５．３　作用・効果
６．実施形態３
　６．１　構成
　６．２　動作
　６．３　作用・効果
　６．４　変形例
７．実施形態４
　７．１　構成
　７．２　作用・効果
８．実施形態５
　８．１　構成
　８．２　作用・効果
　８．３　変形例
９．実施形態６
　９．１　構成
　９．２　作用・効果
１０．実施形態７
　１０．１　構成
　１０．２　動作
　１０．３　作用・効果
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
　本開示の実施形態は、ＥＵＶ光生成装置に用いられるチャンバ装置に関するものであり、たとえばノズル先端等で露出するターゲット材料に酸化膜が形成されることを抑制することで安定的にターゲットを吐出できるターゲット生成装置、ターゲット生成方法および極端紫外光生成装置に関するものであってよい。
２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
２．１　構成
　図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御装置５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
２．２　動作
　図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御装置５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御装置５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御装置５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
３．ターゲット生成装置を備えたＥＵＶ光生成装置：比較例
　つづいて、比較例としてのターゲット生成装置を備えたＥＵＶ光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において、図１に示す構成と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
３．１　構成
　図２は、比較例にかかるＥＵＶ光生成装置の概略構成例を示す模式図である。図２に示すように、ＥＵＶ光生成装置は、チャンバ２、レーザ装置３、レーザ光進行方向制御部３４および制御部５１を含んでもよい。
　チャンバ２は、ターゲット生成装置としてのターゲット供給部２６と、レーザ光集光ミラー２２および高反射ミラー２２２を搭載する移動プレート２２１とレーザ光マニュピレータ２２３とを含むレーザ集光光学系２２０と、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット受け２８と、排気装置２１０とを含んでいてもよい。
　ターゲット供給部２６は、チャンバ２に連設されたサブチャンバ２０１に設けられてもよい。ターゲット供給部２６は、ターゲット材料２７１（たとえば錫）を貯蔵するタンク２６０と、ターゲット材料２７１をドロップレット状のターゲット２７として出力するノズル孔を含むノズル部２６２と、ノズル部２６２に設置されたピエゾ素子１１１と、タンクに配置された温度センサ１４２およびヒータ１４１とを含んでもよい。タンク２６０内部は、ガス圧（以下、タンク内圧力という）を調整する圧力調節器１２０と配管１２１を介して連通していてもよい。ピエゾ素子１１１はピエゾ電源１１２に、ヒータ１４１はヒータ電源１４３に、それぞれ接続されてもよい。ピエゾ電源１１２、圧力調節器１２０、温度センサ１４２およびヒータ電源１４３は、それぞれ制御部５１に接続されてもよい。
　レーザ集光光学系２２０は、レーザ光進行方向制御部３４から出力されるレーザ光３２が入力されるように配置されてもよい。レーザ光マニュピレータ２２３は、チャンバ２内でのレーザ集光位置が制御部５１から指定された位置となるように、レーザ光集光ミラー２２および高反射ミラー２２２が固定された移動プレート２２１をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸方向に移動してもよい。
３．２　動作
　図２に示す構成のメンテナンス時等において、ターゲット供給部２６は、チャンバ２に組付けられてもよい。ターゲット供給部２６の組付けが終了したら、制御部５１は、チャンバ２内の大気を排気するために排気装置２１０を動作してもよい。その際、大気成分の排気のために、チャンバ２内のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、窒素（Ｎ２）やアルゴン（Ａｒ）などが用いられてもよい。
　制御部５１は、タンク２６０内のターゲット材料２７１を融点以上の所定温度に加熱および維持するために、ヒータ電源１４３から電流を流してヒータ１４１を昇温してもよい。また、制御部５１は、温度センサ１４２からの出力に基づいて、ヒータ電源１４３からヒータ１４１へ供給する電流量を調整してもよく、それによりターゲット材料２７１の温度を所定温度に制御してもよい。なお、所定温度は、ターゲット材料２７１に錫を用いた場合、たとえば２５０℃～２９０℃の温度範囲内の温度であってもよい。
　制御部５１は、ノズル部２６２のノズル孔から溶融したターゲット材料２７１が所定の速度で出力するように、圧力調節器１２０によってタンク内圧力を所定圧力に制御してもよい。ノズル孔から出力するターゲット材料２７１はジェットの形態をとってもよい。
　制御部５１は、ターゲット材料２７１のドロップレットを生成するために、ピエゾ電源１１２を介してピエゾ素子１１１に所定波形の電圧を印加してもよい。ピエゾ素子１１１の振動は、ノズル部２６２を経由してノズル孔から出力されるターゲット材料２７１のジェットへと伝搬し得る。ターゲット材料２７１のジェットは、この振動により所定周期で分断され得る。それにより、ターゲット材料２７１のドロップレットが生成し得る。
　制御部５１は、発光トリガをレーザ装置３に出力してもよい。発光トリガが入力されると、レーザ装置３は、パルスレーザ光３１を出力してもよい。出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４とウィンドウ２１とを経由して、レーザ集光光学系２２０にパルスレーザ光３２として入力してもよい。
　制御部５１は、パルスレーザ光３２がプラズマ生成領域２５で集光するように、レーザ光マニュピレータ２２３を制御してもよい。レーザ光集光ミラー２２で収束光に変換されたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５でターゲット２７に照射されてもよい。この照射により生成したプラズマから、ＥＵＶ光が発生し得る。所定周期でプラズマ生成領域２５に供給されるターゲット２７にパルスレーザ光３３を照射することにより、ＥＵＶ光が周期的に発生し得る。
　プラズマ生成領域２５から発生したＥＵＶ光は、図１を用いて説明したように、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集められて中間集光点２９２で集光した後、露光装置６に入力してもよい。
　制御部５１は、ターゲット２７の吐出を停止するために、ピエゾ素子１１１への電圧供給を停止するとともに、タンク内圧力を所定値まで減圧してもよい。この所定圧力は、たとえば０．１ＭＰａ以下であってもよい。
　制御部５１は、タンク２６０内のターゲット材料２７１を固化するために、ヒータ電源１４２からヒータ１４１への電流供給を停止してもよい。これにより、ターゲット材料２７１が降温してもよい。
　制御部５１は、ターゲット材料２７１の温度が凝固点以下の所定温度以下になった後、排気装置２１０を停止してもよい。この所定温度は、たとえば５０℃以下であってもよい。
３．４　課題
　ここで、ターゲット材料２７１には、錫などの酸化しやすい金属が用いられ得る。一般には、次の反応式（１）によって錫の酸化が進行し得る。
Ｓｎ＋Ｏ２＝ＳｎＯ２　　…（１）
　ここで、錫（Ｓｎ）と酸化錫（ＳｎＯ２）との活量を１とした場合の錫の平衡酸素分圧（飽和酸素分圧）の計算結果を図３に示す。図３に示すように、錫温度が２５０℃～２９０℃の範囲内にあるときの錫の飽和酸素分圧は、６×１０－４３～８×１０－３９Ｐａであり得る。一方、チャンバ２内雰囲気の酸素分圧は、たとえばチャンバ２内を高純度アルゴンガス（酸素濃度：０．１ｐｐｍ）でパージした後に１０－５Ｐａの高真空域まで排気した場合、１０－１２Ｐａであり得る。この酸素分圧は、錫の飽和酸素分圧よりも２６ケタ以上大きい。そのため、チャンバ２内雰囲気に接している錫の酸化は進行し得る。
　ドロップレットの生成中は、ノズル部２６２のノズル孔からチャンバ２内雰囲気に接する錫表面は逐次新しく更新されるため、錫表面の酸化は進まないであろう。しかしながら、ドロップレットを生成せずに錫を高温に維持している期間では、錫表面の酸化が進行し得る。ドロップレットを生成せずに錫を高温に維持している期間には、錫の昇温期間、昇温後のターゲット吐出スタンバイ期間、ターゲット吐出を停止した後の錫の降温期間などが該当し得る。
　チャンバ２内雰囲気に接している錫がノズル部２６２で酸化されると、固体である酸化錫の膜が形成され得る。この酸化錫はノズル孔の目詰まりの原因になり得る。また、たとえ目詰まりしなかったとしても、酸化錫がノズル孔の外周上に付着し得る。ここで、ノズル孔付近に形成される酸化錫の例を、図４～図６を用いて説明する。
　図４は、ターゲット供給部２６をチャンバ２に組付けた後の昇温期間に、錫の表面に形成される酸化錫の一例を示す図である。錫を昇温する際、前回の降温による収縮により錫がノズル孔２６３内に引き込まれている場合がある。その場合、図４に示すように、ノズル孔２６３内部で錫表面が酸化して酸化錫膜２７２ａが形成された状態となり得る。
　図５は、錫の昇温後のスタンバイ期間に錫表面に形成される酸化錫の一例を示す図である。昇温して融解した錫の体積は増加し得る。そのため、ノズル孔２６３内が溶融錫によって満たされ得る。そのような状態では、ノズル孔２６３から露出する錫表面に酸化錫膜２７２ｂが形成され得る。なお、タンク内圧力とチャンバ内圧力との関係やドロップレットの生成停止状況によっては、ノズル孔２６３から露出する錫の表面が平面ではなく半球状になり得る。
　図６は、錫の降温期間に錫表面に形成される酸化錫の一例を示す図である。上述したように、固化時には、収縮によって錫がノズル孔２６３内に引き込まれ得る。その際、図５に示したように、錫表面に酸化錫膜２７２ｂが形成されていると、ノズル孔２６３の内壁から錫表面に亘って酸化錫膜２７２ｃが形成され得る。
　以上のように、昇温時、スタンバイ期間、降温期間において、酸化錫がノズル孔２６３付近に形成され得る、酸化錫がノズル孔２６３の外周上に付着していると、ノズル孔２６３から吐出されたターゲット２７（ドロップレット）の軌道が変化し得る。軌道の変化が大きい場合、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５を通過せずパルスレーザ光３３が照射されないという不具合が生じ得る。そこで以下の実施形態では、ノズル孔付近に形成されるターゲット材料２７１の酸化物を低減し得るターゲット生成装置、チャンバ装置、ターゲット生成方法およびＥＵＶ光生成装置を例示する。
４．実施形態１
　まず、実施形態１にかかるターゲット生成装置、チャンバ装置、ターゲット生成方法およびＥＵＶ光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明では、上述において説明した構成と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
４．１　構成
　図７は、実施形態１にかかるターゲット生成装置を備えたＥＵＶ光生成装置の概略構成例を示す模式図である。図７に示すように、実施形態２にかかるターゲット生成装置は、図２に示すターゲット供給部２６に加え、水素ガス供給源３０１と、流量調節器３０２と、ガスノズル３０３と、ガス管３０４とを備えてもよい。また、実施形態１にかかるＥＵＶ光生成装置は、圧力センサ３０５をさらに備えてもよい。
　水素ガス供給源３０１は、ガス管３０４を介してガスノズル３０３に接続されてもよい。水素ガス供給源３０１は、たとえば水素ガス濃度が４％程度のバランスガスをガス管３０４に供給してもよい。バランスガスには、窒素（Ｎ２)ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれていてもよい。以下の説明では、バランスガスを水素ガスと称する。
　ガスノズル３０３は、吹出した水素ガスがターゲット供給部２６のノズル部２６２付近を流れるように、サブチャンバ２０１に設けられてもよい。水素ガス供給源３０１とガスノズル３０３との間のガス管３０４には、流量調節器３０２が設けられてもよい。
　圧力センサ３０５には、冷陰極電離真空計、ピラニ真空計、キャパシタンスマノメータなどが用いられてもよい。また、排気装置２１０は、チャンバ２内の水分を除去する除去装置として使用されてもよい。
　圧力センサ３０５および流量調節器３０２は制御部５１に接続されてもよい。その他の構成は、図２に示すＥＵＶ光生成装置と同様であってもよい。
４．２　動作
　つづいて、図７に示すＥＵＶ光生成装置の動作例を、図８に示すフローチャートおよび図９に示すタイミングチャートを参照して説明する。
　ターゲット生成装置がチャンバ２に組付けられた後、図８のステップＳ１０１に示すように、制御部５１は、排気装置２１０を動作させてチャンバ２内の大気の排気を開始してもよい（図９のタイミングｔ１）。その際、大気成分の残留量を低減するために、制御部５１は、チャンバ２内のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、窒素ガスやアルゴンガスが用いられてもよい。
　排気装置２１０による排気の結果、チャンバ内圧力が第１所定圧力以下になると（図８のステップＳ１０２；ＹＥＳ）、図８のステップＳ１０３に示すように、制御部５１は、水素ガス供給部３０１からチャンバ２内への水素ガスの導入を開始してもよい（図９のタイミングｔ２）。第１所定圧力は、たとえば１Ｐａ以下でもよい。また、水素ガスは、低流量でチャンバ２内に導入されてもよい。
　つづいて、図８のステップＳ１０４に示すように、制御部５１は、圧力センサ３０５の値が第２所定圧力に維持されるように、流量調節器３０２を制御してもよい。第２所定圧力は、たとえば４０Ｐａ以下でもよい。その後、図８のステップＳ１０５に示すように、制御部５１は、水素ガスの導入開始から所定時間が経過するまで待機してもよい。所定時間は、たとえば１０分以上でもよい。
　つづいて、図８のステップＳ１０６に示すように、制御部５１は、タンク２６０内のターゲット材料２７１が融点以上の第１所定温度まで加熱されるように、ヒータ電源１４３を介してヒータ１４１を動作させてもよい（図９のタイミングｔ３）。ターゲット材料２７１が錫である場合、融点は２３２℃であってよく、第１所定温度は、たとえば２５０℃～２９０℃の範囲内でもよい。
　ターゲット材料２７１の温度が第１所定温度に達すると（図９のタイミングｔ４）、図８のステップＳ１０７に示すように、制御部５１は、ターゲット材料２７１の温度を温度センサ１４２でモニタリングしながらヒータ電源１４３を制御することで、ターゲット材料２７１の温度を第１所定温度に維持してもよい。
　つづいて、図８のステップＳ１０８に示すように、制御部５１は、ドロップレットの生成を開始するか否かを判定してもよい。ドロップレットの生成を開始しない場合（図８のステップＳ１０８；ＮＯ）、制御部５１は、図８のステップＳ１１５へ移行してもよい。なお、ドロップレットの生成開始は、外部からの要求に基づいて判定されてもよいし、その他の条件に基づいて判定されてもよい。
　ドロップレットの生成を開始する場合（図８のステップＳ１０８；ＹＥＳ）、図８のステップＳ１０９に示すように、制御部５１は、タンク内圧力が第３所定圧力となるように圧力調節器１２０を制御してもよい。第３所定圧力は、たとえば３ＭＰａ以上でもよい。これにより、ターゲット材料２７１がノズル部２６２からジェット状に噴出されてもよい。また、図８のステップＳ１１０に示すように、制御部５１は、タンク内圧力が第３所定圧力に維持されるように、圧力調節器１２０を制御してもよい。
　つづいて、図８のステップＳ１１１に示すように、制御部５１は、ピエゾ電源１１２を介してピエゾ素子１１１に所定波形の電圧を供給してもよい。これにより、ノズル部２６２から噴出するジェット状のターゲット材料２７１がドロップレットの形態（ターゲット２７）に変化してもよい。
　その後、図８のステップＳ１１２に示すように、制御部５１は、ドロップレットの生成を停止するか否かを判定してもよい。ドロップレットの生成を停止する場合（図８のステップＳ１１２；ＹＥＳ）、制御部５１は、ピエゾ素子１１１への電圧供給を停止し（図８のステップＳ１１３）、タンク内圧力を第４所定圧力まで減圧してもよい（図８のステップＳ１１４）。第４所定圧力は、たとえば０．１ＭＰａ以下でもよい。
　その後、図８のステップＳ１１５に示すように、制御部５１は、ターゲット材料２７１を固化するか否かを判定してもよい。ターゲット材料２７１を固化しない場合（図８のステップＳ１１５；ＮＯ）、制御部５１は、図８のステップＳ１０８へリターンしてもよい。なお、ターゲット材料２７１の固化は、外部からの要求に基づいて判定されてもよいし、その他の条件に基づいて判定されてもよい。
　ターゲット材料２７１を固化する場合（図８のステップＳ１１５；ＹＥＳ）、図８のステップＳ１１６に示すように、制御部５１は、ヒータ電源１４３を制御してヒータ１４１を停止してもよい（図９のタイミングｔ５）。それにより、ターゲット材料２７１の温度が凝固点以下の第２所定温度に低下してもよい。第２所定温度は、たとえば５０℃以下でもよい。
　ターゲット材料２７１の温度が第２所定温度以下まで下がると（図８のステップＳ１１７；ＹＥＳ）、図８のステップＳ１１８に示すように、制御部５１は、水素ガス供給源３０１からの水素ガスの導入を停止してもよい（図９のタイミングｔ６）。それにより、チャンバ内圧力が低下し始めてもよい。
　その後、チャンバ内圧力が第５所定圧力以下まで下がると、（図８のステップＳ１１９；ＹＥＳ）、図８のステップＳ１２０に示すように、制御部５１は、排気装置２１０を停止してもよい（図９のタイミングｔ７）。第５所定圧力は、たとえば１Ｐａ以下でもよい。
４．３　作用・効果
　上述した実施形態１のようにチャンバ２内に水素ガスを導入した場合、チャンバ２内では、次の反応式（２）で示される反応が生じ得る。その結果、チャンバ２内の酸素分圧が低下し得る。
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　反応式（２）に示される反応の平衡酸素分圧は、水素分圧（ＰＨ２）と水分分圧（ＰＨ２Ｏ）との比に依存し得る。図１０に、平衡酸素分圧と温度との関係を示す。図１０において、Ｌ１はターゲット材料２７１に錫を用いた場合の錫の飽和酸素分圧を示し、Ｌ２は水素ガス導入後の水素分圧（ＰＨ２）に対する水分分圧（ＰＨ２Ｏ）の比α（＝ＰＨ２Ｏ／ＰＨ２）を１とした際の酸素分圧を示し、Ｌ３は水素ガス導入後の比αを０．０１とした際の酸素分圧を示し、Ｌ４は水素ガス導入後の比αを０．０００１とした際の酸素分圧を示している。
　図１０から分かるように、ターゲット材料２７１である錫の温度が２５０℃～２９０℃の温度範囲にあるときにチャンバ２内の酸素分圧を錫の飽和酸素分圧以下にするためには、水素分圧と水分分圧の比αを０．０１以下にする必要がある。比αを０．０１以下にするためには、水素ガスの導入に加えて、反応式（２）で生成した水分を除去する必要がある。
　そこで実施形態１では、チャンバ２内に水素ガスを導入して水素分圧を一定に保つとともに、反応式（２）で生成した水分を排気装置２１０（水分除去装置）で排気することで、チャンバ２内の水分分圧の上昇を抑制してもよい。それにより、水素分圧と水分分圧の比α（＝ＰＨ２Ｏ／ＰＨ２）が０．０１以下に保たれるため、チャンバ２内の酸素分圧がターゲット材料２７１である錫の飽和酸素分圧以下に維持され得る。その結果、チャンバ２内の雰囲気に接しているターゲット材料２７１の酸化が抑制され得る。
５．実施形態２
　つぎに、実施形態２にかかるターゲット生成装置、チャンバ装置、ターゲット生成方法およびＥＵＶ光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明では、上述において説明した構成と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
５．１　構成
　図１１は、実施形態２にかかるターゲット生成装置を備えたＥＵＶ光生成装置の概略構成例を示す模式図である。図１１に示すように、実施形態２にかかるＥＵＶ光生成装置は、図７に示すＥＵＶ光生成装置と同様の構成において、排気装置２１０が高真空排気用の第１排気装置３１０に置き換えられてもよい。また、実施形態２にかかるＥＵＶ光生成装置は、低真空排気用の第２排気装置３１４をさらに備えてもよい。
　第２排気装置３１４は、ルーツ型やスクロール型などのドライ真空ポンプでもよい。第２排気装置３１４は、ゲートバルブ３１５によってチャンバ２内の空間から隔離可能であってもよい。
　第１排気装置３１０は、高真空排気ポンプ３１１と低真空排気ポンプ３１２とを含んでもよい。低真空排気ポンプ３１２は、ルーツ型やスクロール型などのドライ真空ポンプでもよい。高真空排気ポンプ３１１は、ターボ分子ポンプでもよい。低真空排気ポンプ３１２を単独で稼働できる場合、第２排気装置３１４が省略され、第２排気装置３１４の代わりに低真空排気ポンプ３１２が使用されてもよい。第１排気装置３１０は、ゲートバルブ３１３によってチャンバ２内の空間から隔離可能であってもよい。
　その他の構成は、図７に示すＥＵＶ光生成装置と同様であってもよい。
５．２　動作
　つづいて、図１１に示すＥＵＶ光生成装置の動作例を、図１２に示すフローチャートおよび図１３に示すタイミングチャートを参照して説明する。なお、以下の説明では、上述において説明した動作と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
　図１２に示すように、図１１に示すＥＵＶ光生成装置の動作例では、図８に示す動作と同様の動作が実行されてもよい。ただし、図８のステップＳ１０１に示す動作が、第１排気装置３１０を始動してチャンバ２内の大気の高速排気を開始する動作（図１２のステップＳ１２１；図１３のタイミングｔ１）に置き換えられてもよい。また、図８のステップＳ１０２とＳ１０３との間に、第１排気装置３１０を停止する動作（図１２のステップＳ１２２）が追加され、さらに、図８のステップＳＳ１０３とＳ１０４との間に、第２排気装置３１４を始動してチャンバ２内の大気の低真空の排気を開始する動作（図１２のステップＳ１２３）が追加されてもよい。さらに、図８のステップＳ１２０に示す動作が、第２排気装置３１４を停止する動作（図１２のステップＳ１２４；図１３のタイミングｔ７）に置き換えられてもよい。なお、第１排気装置３１０の始動時と停止時とには、ゲートバルブ３１３の開閉が実行されてもよい。同様に、第２排気装置３１４の始動時と停止時とには、ゲートバルブ３１５の開閉が実行されてもよい。
　その他の動作は、図８および図９に示すに示す動作例と同様であってもよい。
５．３　作用・効果
　以上のように、実施形態２では、低真空排気用の第２排気装置３１４で水分を含むガスを排気しているので、高真空排気用の第１排気装置３１０で排気するよりもチャンバ内圧力を高くできる。それにより、チャンバ２内の水素量が、反応式（２）で消費する水素量に対して余裕のある量となり得る。つまり、水素分圧の低下が抑制され得るので、水素分圧と水分分圧の比αを容易に０．０１以下に保たれ得る。その結果、チャンバ２内の酸素分圧がターゲット材料２７１の飽和酸素分圧以下に維持され得る。なお、チャンバ内圧力が高くなると排気装置による排気流量が多くなるので、反応式（２）で生成する水分の除去速度も上がり得る。
　また、実施形態２では、ターゲット生成装置をチャンバ２に組付けた後には高真空排気が実行されるため、大気開放によりチャンバ２内に付着した水分を高真空領域の分圧まで低減できる。それにより、水素ガス導入直後から水素分圧と水分分圧の比αが０．０１以下に保たれ得る。
　その他の作用および効果は、上述した実施形態と同様であってよい。
６．実施形態３
　つぎに、実施形態３にかかるターゲット生成装置、チャンバ装置、ターゲット生成方法およびＥＵＶ光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明では、上述において説明した構成と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
６．１　構成
　図１４は、実施形態３にかかるターゲット生成装置を備えたＥＵＶ光生成装置の概略構成例を示す模式図である。図１４に示すように、実施形態３にかかるＥＵＶ光生成装置は、図１１に示すＥＵＶ光生成装置と同様の構成において、第１排気装置３１０に替えて第２排気装置３１４を配置し、第２排気装置３１４に替えてクライオポンプ３２０を配置してもよい。
　その他の構成は、図１１に示すＥＵＶ光生成装置と同様であってもよい。
６．２　動作
　図１４に示すＥＵＶ光生成装置の動作例は、実施形態２において図１２および図１３を用いて説明した動作例における第１排気装置３１０および第２排気装置３１４が、第２排気装置３１４およびクライオポンプ３２０にそれぞれ置き換えられた動作例であってもよい。
　ただし、実施形態３にかかる動作は、上述した動作例に限定されない。たとえば、ドロップレット生成時等は、水素ガスをチャンバ２内に一定流量で導入しながら第２排気装置３１４で排気してもよい。一方、ターゲット材料２７１の昇温時、ターゲット材料２７１を溶融するがドロップレットを生成しない時、ターゲット材料２７１の降温時等は、水素ガスをチャンバ２内に所定圧力で導入して封じ切った後、クライオポンプ３２０でチャンバ２内を排気してもよい。
　その他の動作は、図１２および図１３に示すに示す動作例と同様であってもよい。
６．３　作用・効果
　以上のように、実施形態３では、クライオポンプ３２０（水分除去装置）を使用しているので、水分の排気効率が高められ得る。図１５に、水の蒸気圧の温度依存性を示す。クライオポンプ３２０の極低温面は１５Ｋ以下であり得る。そのため、クライオポンプ３２０を使用することで、図１５に示すように、水分の分圧が１×１０－５０Ｐａ以下に下がり得る。それにより、水素分圧と水分分圧の比αをより小さくでき、結果として、チャンバ２内の酸素分圧をターゲット材料２７１の飽和酸素分圧に対してさらに下げられ得る。
　また、実施形態３では、水素ガスをチャンバ２内に導入後、封じ切った状態でクライオポンプ３２０を動作させ得るので、水素ガスの消費量が低減し得る。
　その他の作用および効果は、上述した実施形態と同様であってよい。
６．４　変形例
　ここで、実施形態３にかかるＥＵＶ光生成装置の変形例を説明する。図１６は、変形例にかかるＥＵＶ光生成装置の概略構成例を示す模式図である。なお、以下の説明では、上述において説明した構成と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
　図１６に示すように、実施形態３にかかるＥＵＶ光生成装置は、図７に示すＥＵＶ光生成装置と同様の構成に加え、低温トラップ３３０をさらに備えてもよい。低温トラップ３３０は、排気装置２１０よりもチャンバ２内の空間側（上流側）に配置されてもよい。この低温トラップ３３０は、液体窒素で冷却する方式や冷凍機で冷却する方式でもよい。
　また、図１６に示すＥＵＶ光生成装置の動作例は、実施形態２において図１２および図１３を用いて説明した動作例における第１排気装置３１０および第２排気装置３１４が、排気装置２１０および低温トラップ３３０にそれぞれ置き換えられた動作例であってもよい。ただし、図１２のステップＳ１２２による第１排気装置３１０（実施形態３では排気装置２１０）の停止が省略され、図１２のステップＳ１２４および図１３のタイミングｔ７における第２排気装置３１４の停止が、排気装置２１０および低温トラップ３３０の停止に置き換えられてもよい。さらに、ゲートバルブ３１３、３１５の動作に関しては、排気装置２１０の始動後にゲートバルブ３１３を開、ゲートバルブ３１５を開、としてよく、低温トラップ３３０の停止前にゲートバルブ３１３を閉としてよい。 
　その他の構成、動作、作用及び効果は、上述した実施形態と同様であってもよい。
７．実施形態４
　つぎに、上述した実施形態におけるターゲット供給部２６を含むターゲット生成装置の他の実施形態を、以下に図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明では、上述において説明した構成と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
７．１　構成
　図１７は、実施形態４にかかるターゲット生成装置の概略構成例を示す模式図である。図１７に示すように、実施形態４にかかるターゲット生成装置は、たとえば図７に示すターゲット生成装置と同様の構成に加え、カバー部材３４０を備えてもよい。
　カバー部材３４０は、ターゲット供給部２６の少なくともノズル部２６２を囲むように配置されてもよい。カバー部材３４０は、サブチャンバ２０１の内壁に固定されてもよいし、タンク部２６０の外壁に固定されてもよい。
　水素ガスをチャンバ２内に導入するガスノズル３０３の導入口は、ノズル部２６２を囲むカバー部材３４０内の空間に配置されてもよい。
　固定された状態のカバー部材３４０において、ノズル部２６２のノズル孔と対向する部分には、穴３４２が設けられてもよい。ノズル孔から噴出したターゲット材料２７１のジェットやドロップレット（ターゲット２７）は、穴３４２を通過してチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に到達してもよい。
７．２　作用・効果
　実施形態４では、ガスノズル３０３の導入口がノズル部２６２を囲むカバー部材３４０内に配置され得る。そのため、ノズル部２６２の近傍に効果的に水素ガスを導入し得る。それにより、ノズル部２６２のノズル孔付近に付着するターゲット材料２７１の酸化物を効率的に低減し得る。
　また、反応式（２）で生成した水分は、水素ガスの流れによってカバー部材３４０の穴３４２からチャンバ２内へ流れ得る。そのため、反応式（２）で生成した水分が排気装置２１０等の水分除去装置で効率的に排気され得る。それにより、ノズル部２６２近傍の酸素分圧が確実に低減され得る。
　さらに、カバー部材３４０内にヒータ１４１が配置されているため、カバー部材３４０内のノズル部２６２近傍の水素ガスの温度が上昇し得る。水素ガスの温度が上がると反応式（２）の反応速度が速くなり得る。その結果、ノズル部２６２近傍の酸素分圧がより効率的に低減され得る。
　その他の作用および効果は、上述した実施形態と同様であってよい。
８．実施形態５
　つぎに、実施形態４で例示したターゲット生成装置の他の構成例を、実施形態５として以下に図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明では、上述において説明した構成と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
８．１　構成
　図１８は、実施形態５にかかるターゲット生成装置の概略構成例を示す模式図である。図１８に示すように、実施形態５にかかるターゲット生成装置は、たとえば図１７に示すターゲット生成装置と同様の構成に加え、水素と酸素の反応を促進する触媒３５１を備えてもよい。触媒３５１は、カバー部材３４０内に配置されてもよい。その際、触媒３５１は、ノズル部２６２近傍に配置されてもよい。この触媒３５１は、白金（Ｐｔ）等であってもよい。
８．２　作用・効果
　実施形態５では、触媒３５１によって反応式（２）の反応速度が速くなるため、ノズル部２６２近傍の酸素分圧がより効率的に低減され得る。また、触媒３５１はヒータ１４１の輻射で加熱され得る。そのため、反応式（２）の反応速度がより速められ得る。その結果、ノズル部２６２近傍の酸素分圧がさらに効率的に低減され得る。
８．３　変形例
　図１９は、実施形態５にかかるターゲット生成装置の変形例を示す模式図である。図１９に示すように、反応式（２）の反応速度を速める触媒３５２は、水素ガス供給源３０１とガスノズル３０３とを結ぶガス管３０４内に配置されてもよい。触媒３５２は、触媒３５１と同様に、白金（Ｐｔ）等であってもよい。
　このように、水素ガス供給源３０１とガスノズル３０３とを結ぶガス管３０４内に触媒３５２を配置することで、より酸素分圧の低い水素ガスをチャンバ内に導入し得る。その結果、ノズル部２６２近傍の酸素分圧がさらに効率的に低減され得る。
　その他の構成、作用および効果は、上述した実施形態と同様であってよい。
９．実施形態６
　また、実施形態５にかかる構成において、触媒の代わりに熱源が用いられてもよい。
９．１　構成
　図２０は、実施形態６にかかるターゲット生成装置の概略構成例を示す模式図である。図２０に示すように、実施形態６にかかるターゲット供給装置は、図１８に示す触媒３５１に代えて、熱源３６０がノズル部２６２近傍に配置されてもよい。この熱源３６０は、セラミックヒータ等、ジュール熱を発生する導体であってもよい。ジュール熱を発生する導体は、タングステン、モリブデン、白金（Ｐｔ）等でもよい。また、熱源３６０の温度は、ターゲット材料２７１の融点以上の温度（たとえば２５０℃～２９０℃）であってもよく、好ましくは７００℃以上であってもよい。
９．２　作用・効果
　実施形態６では、ノズル部２６２近傍に熱源３６０が配置されているので、熱源３６０からの熱により水素ガスの温度が上がり得る。そのため、反応式（２）の反応速度がより速められ得る。その結果、ノズル部２６２近傍の酸素分圧がさらに効率的に低減され得る。
　その他の構成、作用および効果は、上述した実施形態と同様であってよい。なお、熱源は、水素ガス供給源３０１とガスノズル３０３とを結ぶガス管３０４内に配置されてもよい。
１０．実施形態７
　つぎに、ターゲット生成装置をＥＵＶ光生成装置に搭載する前にこのターゲット生成装置が要求される性能を満たしているか否かを評価する単体評価装置を、実施形態７として図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明では、上述において説明した構成と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
１０．１　構成
　図２１は、実施形態７にかかる単体評価装置の概略構成例を示す模式図である。図２１に示すように、実施形態７にかかる単体評価装置は、たとえば図７に示すＥＵＶ光生成装置と同様の構成において、ターゲット２７にパルスレーザ光３３を照射する構成、および、ＥＵＶ光２５２を集光および出力する構成が省略されてもよい。
　具体的には、たとえば図７に示す構成において、レーザ装置３、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ集光光学系２２０、ＥＵＶ集光ミラー２３、接続部２９が省略されてもよい。その他の構成は、図７に示すＥＵＶ光生成装置と同様であってもよい。
１０．２　動作
　図２１に示す単体評価装置の動作例は、たとえば実施形態１において図８および図９を用いて説明した動作例と同様であってもよい。実施形態７では、図９のタイミングｔ４～ｔ５の間に図８のステップＳ１１３によって生成されたドロップレット（ターゲット２７）のサイズや軌道や周期等が不図示のモニタリング装置によってモニタリングされ、モニタリング結果は記録されてもよい。モニタリング結果に基づいてターゲット生成装置が評価されてもよい。また、図８および図９を用いて例示した動作後にターゲット供給部２６のノズル部２６２に付着しているターゲット材料２７１の酸化物を確認する不図示の撮像装置を備え、撮像データに基づいてターゲット生成装置が評価されてもよい。
１０．３　作用・効果
　実施形態７では、ターゲット生成装置のターゲット材料２７１の酸化錫膜の生成が抑制された状態で固化し得る。したがって、ノズル孔付近への酸化物付着の少ないターゲット生成装置を製造することが可能である。なお、固化したターゲット材料２７１の表面酸化は、溶融時よりも非常に遅く進行し得る。したがって、実施形態７の装置で動作させたターゲット生成装置を大気に晒して輸送しても、生成する酸化錫は少ない。なお、その他の作用および効果は、上述した実施形態と同様であってよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
　２…チャンバ、３…レーザ装置、２５…プラズマ生成領域、２６…ターゲット供給部、２７…ターゲット、３４…レーザ光進行方向制御部、５１…制御部、１１１…ピエゾ素子、１１２…ピエゾ電源、１２０…圧力調節器、１２１…配管、１４１…ヒータ、１４２…温度センサ、１４３…ヒータ電源、２０１…サブチャンバ、２１０…排気装置、２２０…レーザ集光光学系、２６０…タンク部、２６２…ノズル部、２６３…ノズル孔、２７１…ターゲット材料、３０１…水素ガス供給源、３０２…流量調節器、３０３…ガスノズル、３０４…ガス管、３０５…圧力センサ、３１０…第１排気装置、３１１…高真空排気ポンプ、３１２…低真空排気ポンプ、３１３，３１５…ゲートバルブ、３１４…第２排気装置、３２０…クライオポンプ、３３０…低温トラップ、３４０…カバー部材、３４２…穴、３５１，３５２…触媒、３６０…熱源

Claims (12)

  1. 　チャンバと、
    　前記チャンバに組み付けられ、前記チャンバ内の所定領域へターゲット材料を供給するターゲット生成装置であって、
    　　前記ターゲット材料を貯蔵するタンク部、
    　　前記タンク部内の前記ターゲット材料の温度を変化させる温度可変装置、および、
    　　液体状の前記ターゲット材料を出力するノズル孔を含むノズル部、
    　を備える前記ターゲット生成装置と、
    　ガスの導入口が前記ノズル部へ向くように配置されたガスノズルと、
    　少なくとも前記ノズル部の周辺に水素を含むガスが供給されるように前記ガスノズルに前記水素を含むガスを供給するガス供給源と、
    　前記チャンバ内における少なくとも前記ノズル部周辺の水分を除去する水分除去装置と、
    　を備えるチャンバ装置。
  2. 　前記チャンバ内で少なくとも前記ノズル部を覆うカバー部材をさらに備え、
    　前記ガスノズルの前記導入口は、前記カバー部材の内部に位置する、
    　請求項１に記載のチャンバ装置。
  3. 　前記カバー部材内に配置され、前記水素と前記ターゲット材料との反応を促進する触媒をさらに備える請求項２に記載のチャンバ装置。
  4. 　前記ガスノズルと前記ガス供給源とを接続するガス管と、
    　前記ガス管内に配置され、前記水素と前記ターゲット材料との反応を促進する触媒をさらに備える請求項２に記載のチャンバ装置。
  5. 　前記カバー部材内に配置され、前記ノズル部の周辺の前記水素を含むガスの温度を上昇させる熱源をさらに備える請求項２に記載のチャンバ装置。
  6. 　前記水分除去装置は、前記チャンバ内を排気する排気装置である、請求項１に記載のチャンバ装置。
  7. 　前記水分除去装置は、ドライ真空ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプおよび低温トラップのうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載のチャンバ装置。
  8. 　前記ガス供給源と前記温度可変装置と前記水分除去装置とを制御する制御部をさらに備え、
    　前記制御部は、前記ガス供給源を制御して前記水素を含むガスの供給を開始させるとともに前記水分除去装置を制御して前記ノズル部周辺の前記水分の除去を開始させた後、前記温度可変装置を制御して前記タンク部内の前記ターゲット材料の温度を上昇させて前記ターゲット材料を溶融させる、
    　請求項１に記載のチャンバ装置。
  9. 　前記制御部は、前記温度可変装置を制御して前記タンク部内の前記溶融したターゲット材料の温度を下降させて前記ターゲット材料を固化させた後、前記ガス供給源を制御して前記水素を含むガスの供給を停止させ、前記水分除去装置を制御して前記水分の除去を停止させる、請求項１に記載のチャンバ装置。
  10. 　チャンバと、前記チャンバに組み付けられ、前記チャンバ内の所定領域へターゲット材料を供給するターゲット生成装置であって、前記ターゲット材料を貯蔵するタンク部、前記タンク部内の前記ターゲット材料の温度を変化させる温度可変装置、および、液体状の前記ターゲット材料を出力するノズル孔を含むノズル部を備える前記ターゲット生成装置と、ガスの導入口が前記ノズル部へ向くように配置されたガスノズルと、少なくとも前記ノズル部の周辺に水素を含むガスが供給されるように前記ガスノズルに前記水素を含むガスを供給するガス供給源と、前記チャンバ内における少なくとも前記ノズル部周辺の水分を除去する水分除去装置と、前記ガス供給源と前記温度可変装置と前記水分除去装置とを制御する制御部とを備える装置を用いたターゲット生成方法であって、
    　前記制御部は、前記ガス供給源を制御して前記水素を含むガスの供給を開始させるとともに前記水分除去装置を制御して前記ノズル部周辺の前記水分の除去を開始させた後、前記温度可変装置を制御して前記タンク部内の前記ターゲット材料の温度を上昇させて前記ターゲット材料を溶融させる、
    　ターゲット生成方法。
  11. 　前記制御部は、前記温度可変装置を制御して前記タンク部内の前記溶融したターゲット材料の温度を下降させて前記ターゲット材料を固化させた後、前記ガス供給源を制御して前記水素を含むガスの供給を停止させ、前記水分除去装置を制御して前記水分の除去を停止させる、請求項１０に記載のターゲット生成方法。
  12. 　チャンバと、
    　前記チャンバに組み付けられ、前記チャンバ内の所定領域へターゲット材料を供給するターゲット生成装置であって、
    　　前記ターゲット材料を貯蔵するタンク部、
    　　前記タンク部内の前記ターゲット材料の温度を変化させる温度可変装置、および、
    　　液体状の前記ターゲット材料を出力するノズル孔を含むノズル部、
    　を備える前記ターゲット生成装置と、
    　ガスの導入口が前記ノズル部へ向くように配置されたガスノズルと、
    　少なくとも前記ノズル部の周辺に水素を含むガスが供給されるように前記ガスノズルに前記水素を含むガスを供給するガス供給源と、
    　前記チャンバ内における少なくとも前記ノズル部周辺の水分を除去する水分除去装置と、
    　前記チャンバ内へ供給された前記ターゲット材料へレーザ光を照射するレーザ装置と、
    　前記レーザ光が照射されることで生成された前記ターゲット材料のプラズマから放射した極端紫外光を集光して出力する集光ミラーと、
    　を備える極端紫外光生成装置。
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