WO2016136721A1 - 増感色素染色液及び光電極の製造方法 - Google Patents
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- 238000004043 dyeing Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims abstract description 98
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims abstract description 29
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000012192 staining solution Substances 0.000 claims description 39
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical group CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical group CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl sulfoxide Natural products CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 4
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 104
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 19
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 10
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical group N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- MOGFZMPBQWCUNS-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenyl-1,10-phenanthroline-4-carboxylic acid Chemical compound C(=O)(O)C1=C(C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C12)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 MOGFZMPBQWCUNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXPLCAKVOYHAJA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carboxypyridin-2-yl)pyridine-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(O)=O)=C1 FXPLCAKVOYHAJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRAXKQYYMORDPI-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carboxypyridin-2-yl)pyridine-4-carboxylic acid;ruthenium Chemical compound [Ru].OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(O)=O)=C1.OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(O)=O)=C1 CRAXKQYYMORDPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGQORMOVLLOZMK-UHFFFAOYSA-N [Fe].C(=O)(O)C1=CC(=NC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(=O)O.C(=O)(O)C1=CC(=NC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(=O)O Chemical compound [Fe].C(=O)(O)C1=CC(=NC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(=O)O.C(=O)(O)C1=CC(=NC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(=O)O GGQORMOVLLOZMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NABPRZXFCKDABY-UHFFFAOYSA-N [Os].C(=O)(O)C1=CC(=NC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(=O)O.C(=O)(O)C1=CC(=NC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(=O)O Chemical compound [Os].C(=O)(O)C1=CC(=NC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(=O)O.C(=O)(O)C1=CC(=NC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(=O)O NABPRZXFCKDABY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N chloroform Substances ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- -1 nitrogen-containing compound Chemical class 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005499 phosphonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- YFBUDXNMBTUSOC-UHFFFAOYSA-L quinoxaline-2,3-dithiolate Chemical compound C1=CC=C2N=C([S-])C([S-])=NC2=C1 YFBUDXNMBTUSOC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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Definitions
- the present invention relates to a sensitizing dye staining solution for dyeing a semiconductor layer with a sensitizing dye, and a photoelectrode manufacturing method using the sensitizing dye staining solution.
- the sensitizing dye is physically or chemically adsorbed on the surface of the oxide semiconductor layer in the Gretzel type dye-sensitized solar cell.
- a method of adsorbing a sensitizing dye to a semiconductor layer in the production of a photoelectrode a method of immersing a substrate on which a semiconductor layer is formed in a sensitizing dye staining solution is common (for example, Patent Document 1).
- the sensitizing dye dyeing solution can be sufficiently permeated into the porous semiconductor layer, but the dyeing time usually requires 8 hours or more.
- Patent Document 2 as a method for shortening the dyeing time, a sensitizing dye is added to a dyeing solution by adding a nitrogen-containing compound that is a gas or a liquid at 25 ° C. and has a boiling point of 200 ° C. or less.
- a dye solution containing a concentration is disclosed.
- Patent Document 3 discloses a method for producing a dye-sensitized photoelectric conversion element including a step of bringing a dye solution into contact with the porous semiconductor layer and allowing the dye solution to enter the porous semiconductor layer. Yes.
- the dye solution the dye is dissolved in a mixed solvent using an aprotic polar solvent and / or a lower alcohol and / or a surfactant so that the weight percent concentration of the dye is 0.5 wt% or more. ing.
- N, N-dimethylformamide (DMF), which is one of the nitrogen-containing compounds disclosed in Patent Document 2 is added to the dyeing solution, whereby a ruthenium-based sensitizing dye can be obtained. It was possible to increase the concentration to 10 mM. For this reason, the dyeing time was greatly shortened, and the dyeing could be completed at such a high speed that the dye adsorption reached its peak in about 8 minutes. However, compared with the case of dyeing with a dye solution having a low dye concentration without adding DMF over 8 hours (Comparative Example 1 described later), using a dye solution having a high dye concentration with DMF added in a short time. When dyed (Comparative Example 2 described later), there was a problem that the photoelectric conversion efficiency was not excellent.
- the present invention has been made in view of the above circumstances, and sensitization in which the time for dyeing a semiconductor film with a sensitizing dye is short and the photoelectric conversion efficiency of the photoelectrode provided with the semiconductor film dyed in a short time is excellent. It is an object of the present invention to provide a dye staining solution and a method for producing a photoelectrode using the staining solution.
- the nitrogen-containing solvent is an amide solvent and / or a nitrile solvent
- the alcohol solvent is an alcohol having 1 to 12 carbon atoms
- the sulfur-containing solvent is a sulfoxide solvent and The sensitizing dye staining solution according to the above [1], which is / or sulfone-based.
- the semiconductor film is made of a sensitizing dye.
- a method for producing a photoelectrode comprising a step of dyeing. [7] The method for producing a photoelectrode according to the above [6], wherein the substrate on which the semiconductor film is formed is immersed in the sensitizing dye staining solution. [8] The method for producing a photoelectrode according to the above [7], wherein the immersion time is less than 1 hour. [9] The method for producing a photoelectrode according to any one of [6] to [8], wherein the substrate is a long resin film unwound from a roll.
- the sensitizing dye staining solution of the present invention can dissolve a metal complex-based sensitizing dye at a high concentration of 1 mM or more. According to the method for producing a photoelectrode of the present invention using this sensitizing dye staining solution, since the semiconductor film is dyed with a high concentration of sensitizing dye, the dyeing time can be shortened from several minutes to several tens of minutes, and the dyeing can be performed. The photoelectric conversion efficiency of the photoelectrode provided with the semiconductor film can be maintained at the same level as the conventional one. Therefore, the dye-sensitized solar cell which has the photoelectric conversion efficiency equivalent to the past can be manufactured in a shorter time than before.
- the sensitizing dye staining liquid of the first embodiment of the present invention is a sensitizing dye staining liquid having a mixed solvent and a sensitizing dye, and the mixed solvent includes (A) a nitrogen-containing solvent and (B) an alcohol-based solvent. And (C) a sulfur-containing solvent.
- the sensitizing dye staining solution of the present embodiment the sensitizing dye is dissolved at a concentration of 1 mM or more.
- nitrogen-containing solvent examples include amides such as N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone, and nitriles such as acetonitrile and propionitrile.
- amides such as N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone
- nitriles such as acetonitrile and propionitrile.
- One or more of these nitrogen-containing solvents are used.
- Examples of the alcohol solvent (B) include saturated or unsaturated alcohols having 1 to 12 carbon atoms such as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, and t-butanol. . One or more of these alcohols are used.
- sulfur-containing solvent examples include sulfoxides such as dimethyl sulfoxide (DMSO) and sulfones such as sulfolane. One or more of these sulfur-containing solvents are used.
- DMSO dimethyl sulfoxide
- sulfones such as sulfolane. One or more of these sulfur-containing solvents are used.
- the boiling point of the sulfur-containing solvent is preferably 300 ° C. or lower, and more preferably 200 ° C. or lower.
- Preferred combinations of A, B and C include, for example, acetonitrile, t-butanol and DMSO; acetonitrile, 2-propanol and DMSO; N, N-dimethylacetamide, t-butanol and DMSO; N-methylpyrrolidone and t- Butanol and DMSO;
- Examples of the solvent that may be added within the range not impairing the effects of the present invention include hydrocarbons such as pentane, hexane, and octane, aromatics such as benzene, toluene, and xylene, diethyl ether, and methyl-t-butyl ether.
- Ethers such as ethyl acetate and butyl acetate, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, amines such as triethylamine and tributylamine, carboxylic acids such as acetic acid and propionic acid, halogens such as methylene chloride and chloroform Heterocyclic systems such as tetrahydrofuran, pyridine and the like.
- One or more of these additive solvents may be used. The total amount of these added solvents is preferably less than 10% by volume in 100% by volume of the mixed solvent.
- a suitable sensitizing dye staining liquid As an example of a suitable sensitizing dye staining liquid according to an embodiment of the present invention, at least one of an amide solvent and a nitrile solvent, an alcohol having 1 to 12 carbon atoms, and at least one of a sulfoxide solvent and a sulfone solvent are used. And a mixed solvent composed of a metal complex-based sensitizing dye dissolved at a concentration of 1 mM or more.
- a suitable sensitizing dye staining solution of the first embodiment of the present invention a mixed solvent composed of acetonitrile, t-butanol and DMSO, a metal complex-based sensitizing dye dissolved at a concentration of 1 mM or more, The thing which has is mentioned.
- the total content of acetonitrile, t-butanol and DMSO constituting the mixed solvent is 100% by volume, and the mixed solvent is composed of only the above three solvents. Preferably it is.
- the sensitizing dye staining liquid of the present embodiment may contain a solvent other than the mixed solvent as an auxiliary optional component.
- the content of the nitrogen-containing solvent is 20 to 75% by volume
- the content of the alcohol solvent is 20 to 75% by volume
- the content of the sulfur-containing solvent The amount is preferably 1 to 60% by volume.
- the content of the nitrogen-containing solvent is 30 to 65% by volume
- the content of the alcohol-based solvent is 30 to 65% by volume
- the content of the sulfur-containing solvent More preferably, the amount is from 5 to 30% by volume.
- the content of nitrogen-containing solvent is 40 to 55% by volume
- the content of alcohol solvent is 40 to 55% by volume
- the content of sulfur-containing solvent More preferably, the amount is from 5 to 20% by volume.
- the mixing ratio (volume basis) of (A) the nitrogen-containing solvent and (B) the alcohol solvent constituting the mixed solvent is preferably 6: 1 to 1: 6, more preferably 4: 1 to 1: 4. 1 to 1: 2 is more preferable. If it is said suitable mixing ratio, a sensitizing dye can be melt
- the mixing ratio (volume basis) of (A) the nitrogen-containing solvent and (C) the sulfur-containing solvent constituting the mixed solvent is preferably 10: 1 to 1: 1, more preferably 8: 1 to 2: 1, 6 1 to 3: 1 is more preferable. If it is said suitable mixing ratio, a sensitizing dye can be melt
- the mixing ratio (volume basis) of (B) alcohol solvent and (C) sulfur-containing solvent constituting the mixed solvent is preferably 10: 1 to 1: 1, more preferably 8: 1 to 2: 1, 6 1 to 3: 1 is more preferable. If it is said suitable mixing ratio, a sensitizing dye can be melt
- the concentration of the metal complex-based sensitizing dye dissolved in the sensitizing dye staining solution of this embodiment is 1 mM or more, preferably 2 to 20 mM, more preferably 3 to 16 mM, further preferably 4 to 12 mM. ⁇ 10 mM is particularly preferred, and 6 to 10 mM is most preferred.
- concentration is 1 mM or more or the above-mentioned preferable concentration range, staining can be performed in a shorter time than a conventional general staining time (for example, 8 hours or more).
- the concentration exceeds 20 mM, the viscosity of the staining solution increases, so that the effect of shortening the staining time may reach its peak, or conversely, the staining efficiency may decrease.
- a metal complex as a sensitizing dye used in a dye-sensitized solar cell is a compound that absorbs a specific wavelength band of sunlight and becomes an excited state.
- the metal constituting the metal complex include transition metals such as ruthenium, osmium, iron, platinum, cobalt, zinc, magnesium, copper, rhenium, or chromium.
- the metal complex structure of the compound has a nitrogen-containing aromatic ring that coordinates to a metal
- examples of the ring include nitrogen-containing aromatic rings such as pyridine, phenanthroline, and quinoline.
- the type of the sensitizing dye dissolved in the sensitizing dye staining solution of the present embodiment is not particularly limited, and a known sensitizing dye can be applied.
- the type of the sensitizing dye may be one type or two or more types. When two or more sensitizing dyes are dissolved, the total concentration may be 1 mM or more.
- a metal complex sensitizing dye coordinated with the metal is preferable, and a metal complex sensitizing dye having any one or more of the nitrogen-containing aromatic rings coordinated with the metal. Is more preferable.
- the sensitizing dye preferably has at least one carboxyl group, sulfonyl group, or phosphonyl group as a functional group bonded to the surface of the semiconductor film.
- ⁇ Ruthenium-pyridine complex cis-dithiocyano bis (4,4′-dicarboxy-2,2′-bipyridine) ruthenium; Ru (dcbpy) 2 (NCS) 2; nickname: N3 Ru (tctpy) 2 (NCS) 3; nickname: N714, Ru (dmpy) (dcbpyH) I, Ru (dcphenTBA (H)) 2 (NCS) 2, cis-Ru (dcbiqH) 2 (NCS) 2 (TBA) 2 ⁇ Osmium-pyridine complex> cis-dithiocyano bis (4,4′-dicarboxy-2,2′-bipyridine) osmium; Os (dcbpy) 2 (NCS) 2 ⁇ Iron-pyridine complex> cis-dithiocyano bis (4,4′-dicarboxy-2,2′-
- the sensitizing dye staining liquid of the present embodiment may contain optional components other than the mixed solvent and the sensitizing dye as long as the gist of the present invention is not impaired.
- the semiconductor film is formed by bringing the sensitizing dye staining liquid of the first embodiment described above into contact with the semiconductor film formed on the substrate.
- a step of dyeing with a sensitizing dye may have processes other than this dyeing process.
- the terms “semiconductor film” and “semiconductor layer” are synonymous and are not distinguished.
- the semiconductor film used for the conventional dye-sensitized solar cell is applicable.
- a porous semiconductor film in which semiconductor particles having an average particle diameter of 1 mm or less and causing transition between band gaps are bonded to each other can be used.
- the semiconductors constituting the semiconductor film include TiO 2 , TiSrO 3 , BaTiO 3 , Nb 2 O 5 , MgO, ZnO, WO 3 , Bi 2 O 3 , CdS, CdSe, CdTe, In 2 O 3. , SnO 2 and the like.
- These semiconductors are preferable because they have good dye adsorption and function well as a photoelectrode carrying a sensitizing dye. From the viewpoint of irreversibly binding the sensitizing dye, metal oxide semiconductors such as titanium oxide, zinc oxide, strontium titanate, and stannic oxide having a hydroxyl group (—OH) on the surface are preferable.
- the semiconductor film in the present embodiment may be a porous film or a dense film (non-porous film), but it is usually a porous film from the viewpoint of increasing the amount of dye binding. preferable.
- its porosity (sometimes referred to as porosity, porosity, or porosity) is preferably 50% or more, more preferably 50 to 85%, and more preferably 50 to 85%. 75% is more preferable, and 50 to 65% is particularly preferable.
- it is at least the lower limit of the above range more sensitizing dyes can be carried.
- strength of a porous membrane can be strengthened more as it is below the upper limit of the said range.
- the thickness of the semiconductor film in the present embodiment is not particularly limited, and examples thereof include a thickness of about 0.1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
- the method for bringing the sensitizing dye staining solution into contact with the semiconductor film is not particularly limited.
- a method in which a substrate on which the semiconductor film is formed is immersed in the sensitizing dye staining solution, or a sensitizing dye staining solution in the semiconductor film. And the like. From the viewpoint of increasing the dyeing efficiency, the above immersion method is preferred.
- the contact time depends on the thickness of the semiconductor film, it can be sufficiently dyed in a shorter time than before. For example, the contact time of less than 1 hour is sufficient to reach the inside of the semiconductor film. Can be stained. In some cases, the staining time can be shortened from several minutes (for example, about 5 minutes) to several tens of minutes (for example, about 20 minutes).
- the dyeing temperature that is, the temperature of the sensitizing dye dyeing solution is not particularly limited, and can be performed in the range of 4 ° C. to 40 ° C., for example.
- the temperature is low in the above range, evaporation of the mixed solvent can be suppressed. If the temperature is high in the above range, the diffusion efficiency of the sensitizing dye may increase, and the dyeing time may be further shortened.
- the method for forming the semiconductor film is not particularly limited.
- An oxide semiconductor film is obtained.
- a porous oxide semiconductor film in which oxide particles are bonded to each other on the base material is obtained by spraying the oxide particles on the base material by an aerosol deposition method (AD method).
- the semiconductor film obtained by a known method can be dyed using the sensitizing dye dyeing liquid according to the present invention.
- the kind of the base material that supports the semiconductor film is not particularly limited, and a transparent base material used in a conventional dye-sensitized solar cell is suitable, for example, a glass substrate, a transparent resin substrate, a transparent resin film, and the like. Can be mentioned.
- a transparent resin film the photoelectrode of a dye-sensitized solar cell can be manufactured by what is called a roll-to-roll system which unwinds and uses a long transparent resin film from a roll.
- a long PET film is unwound from a roll, an oxide semiconductor film having a predetermined thickness is formed by an AD method, and the PET film is further immersed in the sensitizing dye staining liquid according to the present invention.
- the sensitizing dye temporarily adhered with an appropriate cleaning liquid is washed as necessary, and the PET film is further dried, whereby the oxide semiconductor film having the sensitizing dye bonded on the PET film Can be obtained.
- a transparent conductive layer may be provided in advance on the surface of the base material on which the semiconductor film is formed.
- a film-type dye-sensitized solar cell is obtained by disposing an electrolyte between the photoelectrode and a separately prepared counter electrode and sealing the electrolyte so as not to leak out.
- the thickness of the transparent resin film is not particularly limited, and examples thereof include 10 ⁇ m to 1000 ⁇ m. When it is at least the lower limit of the above range, the film strength is excellent, and when it is at most the upper limit of the above range, the lightness is excellent.
- the terms “film” and “sheet” are synonymous and are not distinguished.
- the resin material constituting the transparent resin film and the transparent resin substrate is not particularly limited, and examples thereof include polyacryl, polycarbonate, polyesters such as PET and PEN, polyimide, polystyrene, polyvinyl chloride, and polyamide.
- a sensitizing dye staining solution dissolved at a concentration of 6 mM was prepared.
- a paste containing titania particles was applied onto a glass substrate on which an FTO film was formed, and a porous titanium oxide film having a thickness of 9 to 10 ⁇ m was formed by baking at 150 ° C.
- titania particles constituting the titanium oxide film Ti-Nanoxide T / SP manufactured by SOLARONIX was used.
- the substrate provided with the porous titanium oxide film was immersed in the sensitizing dye staining solution prepared above and dyed at 25 ° C. in a nitrogen atmosphere.
- the amount of the dye adsorbed on the titanium oxide film was confirmed with an absorptiometer and dyed until the amount of adsorption reached the peak.
- the amount of adsorption reached its peak after an immersion time of 6 minutes, and a photoelectrode having a sufficient amount of N719 adsorbed was obtained.
- the working area of the photoelectrode was 0.16 cm 2 .
- a photoelectrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that the above dyeing solution was used. However, 8 hours of dyeing time was required in order for the dye to be sufficiently adsorbed on the porous titanium oxide film immersed in the dyeing solution and the amount of adsorption reached a peak.
- a photoelectrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that the above dyeing solution was used. Since the dye concentration of the used staining solution was a relatively high concentration of 10 mM, the amount of dye adsorption reached its peak after a short time of about 8 minutes.
- the mixed solvent constituting the sensitizing dye staining solution of Example 1 according to the present invention can dissolve ruthenium complex dye N719 at a high concentration of 6 mM, and the sensitizing dye staining of Example 1. It was confirmed that the porous titanium oxide film can be dyed with a liquid in a short time, and the photoelectric conversion efficiency of the obtained photoelectrode is as excellent as before.
- the solvent constituting the staining liquid of Comparative Example 1 cannot dissolve N719 at a high concentration, it must be used as a low concentration staining liquid, and as a result, a long dyeing process is required. . Further, since the solvent constituting the staining solution of Comparative Example 2 contains DMF as an additive, N719 can be dissolved at a high concentration of 10 mM, and the porous titanium oxide film can be shortened with the staining solution of Comparative Example 2. We were able to stain in time. However, the photoelectric conversion efficiency was low.
- the present invention can be widely used in the field of dye-sensitized solar cells.
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Abstract
混合溶媒と増感色素を有する増感色素染色液であって、前記混合溶媒は、(A)窒素含有溶媒、(B)アルコール系溶媒及び(C)硫黄含有溶媒を含み、前記増感色素が1mM以上の濃度で溶解されている増感色素染色液。基材上に形成された半導体膜に対して前記増感色素染色液を接触させることにより、前記半導体膜を前記増感色素で染色する工程を有する、光電極の製造方法。
Description
本発明は、半導体層を増感色素で染色するための増感色素染色液、及びその増感色素染色液を用いた光電極の製造方法に関する。
本願は、2015年2月25日に、日本に出願された特願特願2015-035674号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、2015年2月25日に、日本に出願された特願特願2015-035674号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
グレッツェル型の色素増感太陽電池における酸化物半導体層の表面には増感色素が物理的又は化学的に吸着している。
光電極の製造において半導体層に増感色素を吸着させる方法としては、増感色素染色液中に半導体層が製膜された基板を浸漬する方法が一般的である(例えば特許文献1)。
この染色方法によれば、多孔質の半導体層の内部にまで充分に増感色素染色液を浸透させることができる反面、染色時間に8時間以上を要することが通常である。
この染色方法によれば、多孔質の半導体層の内部にまで充分に増感色素染色液を浸透させることができる反面、染色時間に8時間以上を要することが通常である。
特許文献2には、染色時間を短縮する方法として、25℃で気体又は液体であって、沸点が200℃以下である含窒素化合物を染色液中に添加することにより、増感色素を、高濃度で含有する色素溶液が開示されている。
特許文献3には、色素溶液と、前記多孔質の半導体層とを接触させて、色素溶液を多孔質の半導体層に浸入させる工程を備える色素増感型光電変換素子の製造方法が開示されている。色素溶液は、非プロトン性極性溶媒並びに低級アルコール及び界面活性剤の両方又はいずれか一方を用いた混合溶媒に色素を溶解させて、色素の重量パーセント濃度が0.5wt%以上とすることとされている。
後述する比較例2で示す様に、特許文献2に開示された含窒素化合物の一つであるN,N-ジメチルホルムアミド(DMF)を染色液中に添加することによって、ルテニウム系増感色素の濃度を10mMにまで高めることが可能であった。このため、染色時間を大幅に短縮して、約8分で色素吸着が頭打ちになる程に高速で染色を完了することができた。
しかしながら、DMFを添加せずに低い色素濃度の染色液で8時間を掛けて染色した場合(後述する比較例1)に比べて、DMFを添加した高い色素濃度の染色液を用いて短時間で染色した場合(後述する比較例2)の光電変換効率が優れない、という問題があった。
しかしながら、DMFを添加せずに低い色素濃度の染色液で8時間を掛けて染色した場合(後述する比較例1)に比べて、DMFを添加した高い色素濃度の染色液を用いて短時間で染色した場合(後述する比較例2)の光電変換効率が優れない、という問題があった。
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、半導体膜を増感色素で染色する時間が短く、且つ、短時間で染色した半導体膜を備えた光電極の光電変換効率が優れる増感色素染色液、及びその染色液を使用した光電極の製造方法の提供を課題とする。
[1]混合溶媒と増感色素を有する増感色素染色液であって、前記混合溶媒は、(A)窒素含有溶媒、(B)アルコール系溶媒及び(C)硫黄含有溶媒を含み、前記増感色素が1mM以上の濃度で溶解されていることを特徴とする増感色素染色液。
[2](A)窒素含有溶媒が、アミド系溶媒及び/又はニトリル系溶媒であり、(B)アルコール系溶媒が炭素数1~12のアルコールであり、(C)硫黄含有溶媒がスルホキシド系及び/又はスルホン系である、上記[1]に記載の増感色素染色液。
[3](A)窒素含有溶媒がアセトニトリルであり、(B)アルコール系溶媒がt-ブタノールであり、(C)硫黄含有溶媒がジメチルスルホキシドである、上記[2]に記載の増感色素染色液。
[4]前記混合溶媒中、窒素含有溶媒の含有量が20~75体積%、アルコール系溶媒の含有量が20~75体積%、硫黄含有溶媒の含有量が1~60体積%、である、上記[1]~[3]の何れか一項に記載の増感色素染色液。
[5]前記増感色素がルテニウムを含む、上記[1]~[4]の何れか一項に記載の増感色素染色液。
[6]基材上に形成された半導体膜に対して上記[1]~[5]の何れか一項に記載の増感色素染色液を接触させることにより、前記半導体膜を増感色素で染色する工程を有する、光電極の製造方法。
[7]前記半導体膜が表面に形成された基材を前記増感色素染色液に浸漬する、上記[6]に記載の光電極の製造方法。
[8]前記浸漬の時間が1時間未満である、上記[7]に記載の光電極の製造方法。
[9]前記基材がロールから巻き出された長尺の樹脂フィルムである、上記[6]~[8]の何れか一項に記載の光電極の製造方法。
[2](A)窒素含有溶媒が、アミド系溶媒及び/又はニトリル系溶媒であり、(B)アルコール系溶媒が炭素数1~12のアルコールであり、(C)硫黄含有溶媒がスルホキシド系及び/又はスルホン系である、上記[1]に記載の増感色素染色液。
[3](A)窒素含有溶媒がアセトニトリルであり、(B)アルコール系溶媒がt-ブタノールであり、(C)硫黄含有溶媒がジメチルスルホキシドである、上記[2]に記載の増感色素染色液。
[4]前記混合溶媒中、窒素含有溶媒の含有量が20~75体積%、アルコール系溶媒の含有量が20~75体積%、硫黄含有溶媒の含有量が1~60体積%、である、上記[1]~[3]の何れか一項に記載の増感色素染色液。
[5]前記増感色素がルテニウムを含む、上記[1]~[4]の何れか一項に記載の増感色素染色液。
[6]基材上に形成された半導体膜に対して上記[1]~[5]の何れか一項に記載の増感色素染色液を接触させることにより、前記半導体膜を増感色素で染色する工程を有する、光電極の製造方法。
[7]前記半導体膜が表面に形成された基材を前記増感色素染色液に浸漬する、上記[6]に記載の光電極の製造方法。
[8]前記浸漬の時間が1時間未満である、上記[7]に記載の光電極の製造方法。
[9]前記基材がロールから巻き出された長尺の樹脂フィルムである、上記[6]~[8]の何れか一項に記載の光電極の製造方法。
本発明の増感色素染色液は、金属錯体系の増感色素を1mM以上の高濃度で溶解することができる。この増感色素染色液を使用する本発明の光電極の製造方法によれば、高濃度の増感色素で半導体膜を染色するため、染色時間を数分~数十分に短縮できるとともに、染色した半導体膜を備えた光電極の光電変換効率を従来と同等に維持することができる。したがって、従来と同等の光電変換効率を有する色素増感太陽電池を、従来よりも短時間で製造することができる。
以下、本発明の好適な実施形態に基づいて本発明を説明するが、本発明はかかる実施形態に限定されない。
《増感色素染色液》
本発明の第一実施形態の増感色素染色液は、混合溶媒と増感色素を有する増感色素染色液であって、前記混合溶媒は、(A)窒素含有溶媒、(B)アルコール系溶媒及び(C)硫黄含有溶媒を含む。
本実施形態の増感色素染色液には、前記増感色素が1mM以上の濃度で溶解されている。
《増感色素染色液》
本発明の第一実施形態の増感色素染色液は、混合溶媒と増感色素を有する増感色素染色液であって、前記混合溶媒は、(A)窒素含有溶媒、(B)アルコール系溶媒及び(C)硫黄含有溶媒を含む。
本実施形態の増感色素染色液には、前記増感色素が1mM以上の濃度で溶解されている。
(A)窒素含有溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドンなどのアミド系、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系が挙げられる。これらの窒素含有溶媒の1種又は2種以上が使用される。
(B)アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール、t-ブタノールなどの炭素数1~12の飽和あるいは不飽和アルコールが挙げられる。これらのアルコールの1種又は2種以上が使用される。
(C)硫黄含有溶媒としては、ジメチルスルホキシド(DMSO)などのスルホキシド系、スルホランなどのスルホン系が挙げられる。これらの硫黄含有溶媒の1種又は2種以上が使用される。(C)硫黄含有溶媒の沸点は300℃以下が好ましく、200℃以下がより好ましい。
上記A,B,Cの好ましい組合せとしては、例えば、アセトニトリルとt-ブタノールとDMSO;アセトニトリルと2-プロパノールとDMSO;N,N-ジメチルアセトアミドとt-ブタノールとDMSO;N-メチルピロリドンとt-ブタノールとDMSO;などが挙げられる。
本発明の効果を阻害しない範囲で添加してもよい溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、オクタンなどの炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族系、ジエチルエーテル、メチル-t-ブチルエーテルなどのエーテル系、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのアミン系、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸系、塩化メチレン、クロロホルムなどのハロゲン系、テトラヒドロフラン、ピリジンなどのヘテロ環系などが挙げられる。これらの添加溶媒のうち1種又は2種以上が使用されてもよい。これらの添加溶媒の添加量の合計は、混合溶媒100体積%中、10体積%未満が好ましい。
本発明の実施形態の好適な増感色素染色液の一例としては、アミド系溶媒及びニトリル系溶媒の少なくとも一方と、炭素数1~12のアルコールと、スルホキシド系溶媒及びスルホン系溶媒の少なくとも一方と、によって構成された混合溶媒、並びに、1mM以上の濃度で溶解された金属錯体系の増感色素、を有するものが挙げられる。
本発明の第一実施形態の好適な増感色素染色液としては、アセトニトリル、t-ブタノール及びDMSOによって構成された混合溶媒と、1mM以上の濃度で溶解された金属錯体系の増感色素と、を有するものが挙げられる。
本実施形態の増感色素染色液において、前記混合溶媒を構成するアセトニトリル、t-ブタノール及びDMSOの含有量の合計は100体積%であり、当該混合溶媒は上記3種の溶媒のみで構成されていることが好ましい。ただし、本発明の趣旨を損ねない限り、本実施形態の増感色素染色液には前記混合溶媒以外の溶媒を補助的な任意成分として含有していても構わない。
前記混合溶媒100体積%中、(A)窒素含有溶媒の含有量が20~75体積%であり、(B)アルコール系溶媒の含有量が20~75体積%、(C)硫黄含有溶媒の含有量が1~60体積%であることが好ましい。
前記混合溶媒100体積%中、(A)窒素含有溶媒の含有量が30~65体積%であり、(B)アルコール系溶媒の含有量が30~65体積%、(C)硫黄含有溶媒の含有量が5~30体積%であることがより好ましい。
前記混合溶媒100体積%中、(A)窒素含有溶媒の含有量が40~55体積%であり、(B)アルコール系溶媒の含有量が40~55体積%、(C)硫黄含有溶媒の含有量が5~20体積%であることがさらに好ましい。
各溶媒の含有量が上記の好適な範囲であると、1mM以上の濃度で増感色素を確実に溶解し、染色工程において増感色素が染色液中に析出したり沈殿したりすることを抑制することができる。
前記混合溶媒100体積%中、(A)窒素含有溶媒の含有量が30~65体積%であり、(B)アルコール系溶媒の含有量が30~65体積%、(C)硫黄含有溶媒の含有量が5~30体積%であることがより好ましい。
前記混合溶媒100体積%中、(A)窒素含有溶媒の含有量が40~55体積%であり、(B)アルコール系溶媒の含有量が40~55体積%、(C)硫黄含有溶媒の含有量が5~20体積%であることがさらに好ましい。
各溶媒の含有量が上記の好適な範囲であると、1mM以上の濃度で増感色素を確実に溶解し、染色工程において増感色素が染色液中に析出したり沈殿したりすることを抑制することができる。
前記混合溶媒を構成する(A)窒素含有溶媒と(B)アルコール系溶媒の混合比(体積基準)は、6:1~1:6が好ましく、4:1~1:4がより好ましく、2:1~1:2がさらに好ましい。
上記の好適な混合比であると、1mM以上の濃度で増感色素を確実に溶解し、染色工程において増感色素が染色液中に析出したり沈殿したりすることを抑制することができる。
上記の好適な混合比であると、1mM以上の濃度で増感色素を確実に溶解し、染色工程において増感色素が染色液中に析出したり沈殿したりすることを抑制することができる。
前記混合溶媒を構成する(A)窒素含有溶媒と(C)硫黄含有溶媒の混合比(体積基準)は、10:1~1:1が好ましく、8:1~2:1がより好ましく、6:1~3:1がさらに好ましい。
上記の好適な混合比であると、1mM以上の濃度で増感色素を確実に溶解し、染色工程において増感色素が染色液中に析出したり沈殿したりすることを抑制することができる。
上記の好適な混合比であると、1mM以上の濃度で増感色素を確実に溶解し、染色工程において増感色素が染色液中に析出したり沈殿したりすることを抑制することができる。
前記混合溶媒を構成する(B)アルコール系溶媒と(C)硫黄含有溶媒の混合比(体積基準)は、10:1~1:1が好ましく、8:1~2:1がより好ましく、6:1~3:1がさらに好ましい。
上記の好適な混合比であると、1mM以上の濃度で増感色素を確実に溶解し、染色工程において増感色素が染色液中に析出したり沈殿したりすることを抑制することができる。
上記の好適な混合比であると、1mM以上の濃度で増感色素を確実に溶解し、染色工程において増感色素が染色液中に析出したり沈殿したりすることを抑制することができる。
本実施形態の増感色素染色液に溶解される金属錯体系の増感色素の濃度は、1mM以上であり、2~20mMが好ましく、3~16mMがより好ましく、4~12mMがさらに好ましく、5~10mMが特に好ましく、6~10mMが最も好ましい。
1mM以上若しくは上記好適な濃度範囲であると、従来の一般的な染色時間(例えば8時間以上)よりも短時間で染色することができる。増感色素濃度が高くなる程、染色効率が向上し、より短時間で染色を完了できる傾向がある。ただし、20mMを超える濃度であると染色液の粘度が高くなるので、染色時間を短縮する効果が頭打ちになったり、逆に染色効率が落ちたりする場合もある。
1mM以上若しくは上記好適な濃度範囲であると、従来の一般的な染色時間(例えば8時間以上)よりも短時間で染色することができる。増感色素濃度が高くなる程、染色効率が向上し、より短時間で染色を完了できる傾向がある。ただし、20mMを超える濃度であると染色液の粘度が高くなるので、染色時間を短縮する効果が頭打ちになったり、逆に染色効率が落ちたりする場合もある。
色素増感太陽電池で使用される増感色素としての金属錯体は、太陽光の特定の波長帯を吸収し励起状態となる化合物である。その金属錯体を構成する金属として、例えば、ルテニウム、オスミウム、鉄、白金、コバルト、亜鉛、マグネシウム、銅、レニウム、又はクロム等の遷移金属が挙げられる。前記化合物の金属錯体構造が金属に配位する含窒素芳香環を有する場合、当該環として、例えば、ピリジン、フェナントロリン、キノリンなどの含窒素芳香環が挙げられる。
本実施形態の増感色素染色液に溶解される増感色素の種類は特に限定されず、公知の増感色素を適用することができる。前記増感色素の種類は1種でもあってもよいし2種以上であってもよい。2種以上の増感色素を溶解する場合は、合計の濃度が1mM以上であればよい。前記増感色素としては、例えば、前記金属を配位した金属錯体系増感色素が好ましく、前記金属に配位する前記含窒素芳香環のうち何れか1つ以上を有する金属錯体系増感色素がより好ましい。また、前記増感色素は、半導体膜の表面に結合する官能基として、カルボキシル基、スルホニル基、又はホスホニル基を1つ以上有することが好ましい。
好適な金属錯体系の増感色素の一例を以下に列挙する。
<ルテニウム-ピリジン系錯体>
cis-dithiocyano bis(4,4’-dicarboxy-2,2’-bipyridine)ruthenium;Ru(dcbpy)2(NCS)2;通称:N3、
Ru(tctpy)2(NCS)3;通称:N714、
Ru(dmipy)(dcbpyH)I、
Ru(dcphenTBA(H))2(NCS)2、
cis-Ru(dcbiqH)2(NCS)2(TBA)2
<オスミウム-ピリジン系錯体>
cis-dithiocyano bis(4,4’-dicarboxy-2,2’-bipyridine)osmium;Os(dcbpy)2(NCS)2
<鉄-ピリジン系錯体>
cis-dithiocyano bis(4,4’-dicarboxy-2,2’-bipyridine)iron;Fe(dcbpy)2(NCS)2
<銅-フェナントロリン系錯体>
bis(2,9-di(4-carboxy)diphenyl-1,10-phenanthroline)copper
<白金-キノキサリン系錯体>
Pt(dcbpy)2(L)2[L:quinoxaline-2,3-dithiolate]
<レニウム-ピリジン系錯体>
Re(bpy)(CO)3(ina)
<ルテニウム-ピリジン系錯体>
cis-dithiocyano bis(4,4’-dicarboxy-2,2’-bipyridine)ruthenium;Ru(dcbpy)2(NCS)2;通称:N3、
Ru(tctpy)2(NCS)3;通称:N714、
Ru(dmipy)(dcbpyH)I、
Ru(dcphenTBA(H))2(NCS)2、
cis-Ru(dcbiqH)2(NCS)2(TBA)2
<オスミウム-ピリジン系錯体>
cis-dithiocyano bis(4,4’-dicarboxy-2,2’-bipyridine)osmium;Os(dcbpy)2(NCS)2
<鉄-ピリジン系錯体>
cis-dithiocyano bis(4,4’-dicarboxy-2,2’-bipyridine)iron;Fe(dcbpy)2(NCS)2
<銅-フェナントロリン系錯体>
bis(2,9-di(4-carboxy)diphenyl-1,10-phenanthroline)copper
<白金-キノキサリン系錯体>
Pt(dcbpy)2(L)2[L:quinoxaline-2,3-dithiolate]
<レニウム-ピリジン系錯体>
Re(bpy)(CO)3(ina)
本実施形態の増感色素染色液は、本発明の趣旨を損なわない限り、前述の混合溶媒及び増感色素以外の任意成分を含んでいてもよい。
《光電極の製造方法》
本発明の第二実施形態の光電極の製造方法は、基材上に形成された半導体膜に対して、前述した第一実施形態の増感色素染色液を接触させることにより、前記半導体膜を増感色素で染色する工程を有する。本実施形態の製造方法は、この染色工程以外の工程を有していてもよい。また、本明細書及び特許請求の範囲において「半導体膜」と「半導体層」の用語は同義であり、区別しない。
本発明の第二実施形態の光電極の製造方法は、基材上に形成された半導体膜に対して、前述した第一実施形態の増感色素染色液を接触させることにより、前記半導体膜を増感色素で染色する工程を有する。本実施形態の製造方法は、この染色工程以外の工程を有していてもよい。また、本明細書及び特許請求の範囲において「半導体膜」と「半導体層」の用語は同義であり、区別しない。
前記増感色素染色液を使用して染色する半導体膜としては、従来の色素増感太陽電池に使用される半導体膜が適用可能である。例えば、平均粒径が1mm以下で、バンドギャップ間の遷移が生じる半導体粒子が、互いに接合した多孔質の半導体膜が挙げられる。前記半導体膜を構成する半導体の種類としては、例えば、TiO2,TiSrO3,BaTiO3,Nb2O5,MgO,ZnO,WO3,Bi2O3,CdS,CdSe,CdTe,In2O3,SnO2などが挙げられる。これらの半導体は、色素吸着が良好であり、増感色素を担持した光電極として良好に機能するため好ましい。増感色素を不可逆的に結合させる観点から、表面に水酸基(-OH)を有する酸化チタン、酸化亜鉛、チタン酸ストロンチウム、酸化第二錫などの金属酸化物半導体が好適である。
本実施形態における半導体膜は多孔質膜であってもよいし、緻密膜(非多孔質膜)であってもよいが、色素結合量を増加させる観点から、通常は多孔質膜であることが好ましい。
前記半導体膜が多孔質膜である場合、その空隙率(空孔率、細孔率又は多孔度と呼ばれることもある。)は、50%以上が好ましく、50~85%がより好ましく、50~75%が更に好ましく、50~65%が特に好ましい。
上記範囲の下限値以上であると、増感色素をより多く担持することができる。上記範囲の上限値以下であると多孔質膜の強度をより強固にすることができる。
前記半導体膜が多孔質膜である場合、その空隙率(空孔率、細孔率又は多孔度と呼ばれることもある。)は、50%以上が好ましく、50~85%がより好ましく、50~75%が更に好ましく、50~65%が特に好ましい。
上記範囲の下限値以上であると、増感色素をより多く担持することができる。上記範囲の上限値以下であると多孔質膜の強度をより強固にすることができる。
本実施形態における半導体膜の厚みは特に制限されず、例えば0.1μm~100μm程度の厚みが挙げられる。
半導体膜に増感色素染色液を接触させる方法は特に制限されず、例えば、半導体膜が表面に形成された基材を増感色素染色液に浸漬する方法や、半導体膜に増感色素染色液を噴霧する方法、等が挙げられる。染色効率を高める観点から上記の浸漬する方法が好ましい。前記接触の時間(染色時間)は、半導体膜の厚みにもよるが、従来よりも短い時間で充分に染色することが可能であり、例えば、1時間未満の接触時間で半導体膜の内部まで充分に染色することができる。前記染色時間は数分(例えば5分程度)~数十分(例えば20分程度)にまで短縮できる場合がある。
染色温度、即ち増感色素染色液の温度は特に限定されず、例えば4℃~40℃の範囲で行うことができる。上記範囲における低温であると、前記混合溶媒の蒸発を抑制することができる。上記範囲における高温であると、増感色素の拡散効率が高まって、染色時間をより短縮できる場合がある。
半導体膜の形成方法は特に限定されず、例えば、金属酸化物粒子及びバインダー樹脂を含むペーストを基材に塗布し、更に焼成することによって、金属酸化物粒子が焼結してなる多孔質の金属酸化物半導体膜が得られる。或いは、エアロゾルデポジション法(AD法)によって酸化物粒子を基材に吹き付けることによって、基材上で酸化物粒子同士が接合してなる多孔質の酸化物半導体膜が得られる。公知方法によって得られた半導体膜に対して本発明にかかる増感色素染色液を使用して染色することができる。
半導体膜を支持する前記基材の種類は特に制限されず、従来の色素増感太陽電池で使用される透明な基材が好適であり、例えば、ガラス基板、透明樹脂基板、透明樹脂フィルム等が挙げられる。透明樹脂フィルムを使用する場合、長尺の透明樹脂フィルムをロールから巻き出して使用する、いわゆるロールトゥロール方式で色素増感太陽電池の光電極を製造することができる。具体的には、例えば、長尺のPETフィルムをロールから巻き出して、AD法によって所定厚みの酸化物半導体膜を形成し、更に当該PETフィルムを本発明にかかる増感色素染色液に浸漬し、所定時間経過後、必要に応じて適当な洗浄液で一時的に付着した増感色素を洗浄し、更に当該PETフィルムを乾燥させることにより、PETフィルム上に増感色素が結合した酸化物半導体膜を有する光電極を得ることができる。
半導体膜を形成する基材表面には予め透明導電層が設けられていてもよい。光電極と別途用意した対極の間に電解質を配置し、電解質が漏出しないように封止することによってフィルム型の色素増感太陽電池が得られる。
半導体膜を形成する基材表面には予め透明導電層が設けられていてもよい。光電極と別途用意した対極の間に電解質を配置し、電解質が漏出しないように封止することによってフィルム型の色素増感太陽電池が得られる。
透明樹脂フィルムの厚みは特に制限されず、例えば、10μm~1000μmが挙げられる。上記範囲の下限値以上であるとフィルム強度が優れ、上記範囲の上限値以下であると軽量性が優れる。なお、本明細書及び特許請求の範囲において「フィルム」と「シート」の用語は同義であり、区別しない。
透明樹脂フィルム及び透明樹脂基板を構成する樹脂材料は特に制限されず、例えば、ポリアクリル、ポリカーボネート、PETやPEN等のポリエステル、ポリイミド、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド等が挙げられる。
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。以下、必要に応じて窒素雰囲気下で操作した。
[実施例1]
アセトニトリル:t-ブタノール:DMSO=4.5:4.5:1(体積比)で混合した混合溶媒に、増感色素N719(2,2’-bipyridyl-4,4’-dicarboxylic acid TBA)を6mM濃度で溶解した増感色素染色液を調製した。
次に、FTO膜が表面に成膜されたガラス基板の上に、チタニア粒子を含むペーストを塗工し、150℃の焼成によって9~10μmの厚みを有する多孔質の酸化チタン膜を形成した。酸化チタン膜を構成するチタニア粒子として、SOLARONIX社のTi-Nanoxide T/SPを用いた。
多孔質酸化チタン膜を備えた基板を上記で調製した増感色素染色液中に浸漬して、25℃、窒素雰囲気下で染色した。酸化チタン膜に吸着した色素の量を吸光度計で確認し、吸着量が頭打ちになるまで染色した。その結果、6分の浸漬時間で吸着量が頭打ちになり、充分な量のN719が吸着した光電極が得られた。光電極の作用面積は0.16cm2であった。
アセトニトリル:t-ブタノール:DMSO=4.5:4.5:1(体積比)で混合した混合溶媒に、増感色素N719(2,2’-bipyridyl-4,4’-dicarboxylic acid TBA)を6mM濃度で溶解した増感色素染色液を調製した。
次に、FTO膜が表面に成膜されたガラス基板の上に、チタニア粒子を含むペーストを塗工し、150℃の焼成によって9~10μmの厚みを有する多孔質の酸化チタン膜を形成した。酸化チタン膜を構成するチタニア粒子として、SOLARONIX社のTi-Nanoxide T/SPを用いた。
多孔質酸化チタン膜を備えた基板を上記で調製した増感色素染色液中に浸漬して、25℃、窒素雰囲気下で染色した。酸化チタン膜に吸着した色素の量を吸光度計で確認し、吸着量が頭打ちになるまで染色した。その結果、6分の浸漬時間で吸着量が頭打ちになり、充分な量のN719が吸着した光電極が得られた。光電極の作用面積は0.16cm2であった。
[比較例1]
アセトニトリル:t-ブタノール=1:1(体積比)で混合した混合溶媒に、増感色素N719を0.3mM濃度で溶解した染色液を調製した。
上記の染色液を使用した以外は、実施例1と同様に光電極を作製した。ただし、染色液に浸漬した多孔質酸化チタン膜に充分に色素を吸着させて、その吸着量が頭打ちになるために、8時間の染色時間を要した。
アセトニトリル:t-ブタノール=1:1(体積比)で混合した混合溶媒に、増感色素N719を0.3mM濃度で溶解した染色液を調製した。
上記の染色液を使用した以外は、実施例1と同様に光電極を作製した。ただし、染色液に浸漬した多孔質酸化チタン膜に充分に色素を吸着させて、その吸着量が頭打ちになるために、8時間の染色時間を要した。
[比較例2]
アセトニトリル:t-ブタノール:DMF(N,N-dimethylformamide)=4.5:4.5:1(体積比)で混合した混合溶媒に、増感色素N719を10mM濃度で溶解した染色液を調製した。
上記の染色液を使用した以外は、実施例1と同様に光電極を作製した。使用した染色液の色素濃度は10mMという比較的高濃度であったため、約8分という短時間の染色で、色素の吸着量が頭打ちになった。
アセトニトリル:t-ブタノール:DMF(N,N-dimethylformamide)=4.5:4.5:1(体積比)で混合した混合溶媒に、増感色素N719を10mM濃度で溶解した染色液を調製した。
上記の染色液を使用した以外は、実施例1と同様に光電極を作製した。使用した染色液の色素濃度は10mMという比較的高濃度であったため、約8分という短時間の染色で、色素の吸着量が頭打ちになった。
<電解液の調製>
アセトニトリル溶媒にヨウ素、塩基性添加剤、ヨウ化塩物をそれぞれ適当量配合して、常法により調製した。
アセトニトリル溶媒にヨウ素、塩基性添加剤、ヨウ化塩物をそれぞれ適当量配合して、常法により調製した。
<色素増感太陽電池の作製>
各試験例で作製した光電極と、対極としてのPt箔とを対向させて、両電極間に枠型のハイミラン(登録商標)製セパレータ(厚さ30μm)を配置して封止されたセル内に、上記の電解液を注入して、色素増感太陽電池を作製した。この際、対極の基板に予め空けておいた注入孔から電解液を注入し、注入孔を封止した。
各試験例で作製した光電極と、対極としてのPt箔とを対向させて、両電極間に枠型のハイミラン(登録商標)製セパレータ(厚さ30μm)を配置して封止されたセル内に、上記の電解液を注入して、色素増感太陽電池を作製した。この際、対極の基板に予め空けておいた注入孔から電解液を注入し、注入孔を封止した。
<色素増感太陽電池の評価>
ソーラーシミュレーターを使用してAM1.5の条件で疑似太陽光を照射し、上記で作製した各試験例の色素増感太陽電池の光電変換効率(発電性能)を測定した。その結果を表1に示す。
ソーラーシミュレーターを使用してAM1.5の条件で疑似太陽光を照射し、上記で作製した各試験例の色素増感太陽電池の光電変換効率(発電性能)を測定した。その結果を表1に示す。
以上の結果から、本発明にかかる実施例1の増感色素染色液を構成する混合溶媒は、ルテニウム錯体系色素N719を6mMという高濃度で溶解可能であること、実施例1の増感色素染色液で多孔質酸化チタン膜を短時間で染色できること、得られた光電極の光電変換効率が従来と同等に優れることが確認された。
一方、比較例1の染色液を構成する溶媒は、N719を高濃度で溶解することができないため、低濃度の染色液として使用せざるを得ず、その結果、長時間の染色工程を要した。
また、比較例2の染色液を構成する溶媒はDMFを添加剤として含有しているため、N719を10mMという高濃度で溶解可能であり、比較例2の染色液で多孔質酸化チタン膜を短時間で染色できた。しかし、光電変換効率が低かった。
また、比較例2の染色液を構成する溶媒はDMFを添加剤として含有しているため、N719を10mMという高濃度で溶解可能であり、比較例2の染色液で多孔質酸化チタン膜を短時間で染色できた。しかし、光電変換効率が低かった。
以上で説明した各実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。また、本発明は各実施形態によって限定されることはなく、請求項(クレーム)の範囲によってのみ限定される。
本発明は、色素増感太陽電池の分野で広く利用可能である。
Claims (9)
- 混合溶媒と増感色素を有する増感色素染色液であって、
前記混合溶媒は、(A)窒素含有溶媒、(B)アルコール系溶媒及び(C)硫黄含有溶媒を含み、前記増感色素が1mM以上の濃度で溶解されていることを特徴とする増感色素染色液。 - (A)窒素含有溶媒が、アミド系溶媒及びニトリル系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも一種の溶媒を含み、(B)アルコール系溶媒が炭素数1~12のアルコールであり、(C)硫黄含有溶媒がスルホキシド系溶媒及びスルホン系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも一種の溶媒を含む、請求項1に記載の増感色素染色液。
- (A)窒素含有溶媒がアセトニトリルであり、(B)アルコール系溶媒がt-ブタノールであり、(C)硫黄含有溶媒がジメチルスルホキシドである、請求項2に記載の増感色素染色液。
- 前記混合溶媒中、
(A)窒素含有溶媒の含有量が20~75体積%、
(B)アルコール系溶媒の含有量が20~75体積%、
(C)硫黄含有溶媒の含有量が1~60体積%、
である、請求項1~3の何れか一項に記載の増感色素染色液。 - 前記増感色素がルテニウムを含む、請求項1~4の何れか一項に記載の増感色素染色液。
- 基材上に形成された半導体膜に対して請求項1~5の何れか一項に記載の増感色素染色液を接触させることにより、前記半導体膜を増感色素で染色する工程を有する、光電極の製造方法。
- 前記半導体膜が表面に形成された基材を前記増感色素染色液に浸漬する、請求項6に記載の光電極の製造方法。
- 前記浸漬の時間が1時間未満である、請求項7に記載の光電極の製造方法。
- 前記基材がロールから巻き出された長尺の樹脂フィルムである、請求項6~8の何れか一項に記載の光電極の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020177018291A KR20170118692A (ko) | 2015-02-25 | 2016-02-23 | 증감 색소 염색액 및 광 전극의 제조 방법 |
CN201680005099.1A CN107112140B (zh) | 2015-02-25 | 2016-02-23 | 敏化染料染色液及光电极的制造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
JP2015-035674 | 2015-02-25 | ||
JP2015035674A JP6505469B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 光電極の製造方法 |
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---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/055206 WO2016136721A1 (ja) | 2015-02-25 | 2016-02-23 | 増感色素染色液及び光電極の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6505469B2 (ja) |
KR (1) | KR20170118692A (ja) |
CN (1) | CN107112140B (ja) |
TW (1) | TWI707920B (ja) |
WO (1) | WO2016136721A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010021378A1 (ja) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | 日本化薬株式会社 | 色素増感型光電変換素子 |
WO2010098088A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 光増感色素の色素吸着方法及び吸着装置、色素増感太陽電池の製造方法及び製造装置、並びに色素増感太陽電池 |
JP2012508227A (ja) * | 2008-11-11 | 2012-04-05 | エコール ポリテクニーク フェデラル ドゥ ローザンヌ(エーペーエフエル) | 色素増感された光起電性素子の増感剤用の新規な固定配位子 |
WO2014077230A1 (ja) * | 2012-11-16 | 2014-05-22 | 田中貴金属工業株式会社 | 使用済み色素溶液からのRu錯体色素の回収方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003065394A2 (en) * | 2002-01-25 | 2003-08-07 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cell components and materials |
CN102097213B (zh) * | 2011-01-30 | 2012-07-25 | 中国科学院广州能源研究所 | 一种用于量子点敏化太阳电池的基于硫基离子液体的多硫电解质及其制备方法 |
-
2015
- 2015-02-25 JP JP2015035674A patent/JP6505469B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-02-23 CN CN201680005099.1A patent/CN107112140B/zh active Active
- 2016-02-23 TW TW105105241A patent/TWI707920B/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-02-23 KR KR1020177018291A patent/KR20170118692A/ko unknown
- 2016-02-23 WO PCT/JP2016/055206 patent/WO2016136721A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010021378A1 (ja) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | 日本化薬株式会社 | 色素増感型光電変換素子 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016157868A (ja) | 2016-09-01 |
JP6505469B2 (ja) | 2019-04-24 |
KR20170118692A (ko) | 2017-10-25 |
TWI707920B (zh) | 2020-10-21 |
TW201638237A (zh) | 2016-11-01 |
CN107112140A (zh) | 2017-08-29 |
CN107112140B (zh) | 2019-09-17 |
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121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
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ENP | Entry into the national phase |
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