WO2016119381A1 - 掩模板、oled器件封装方法及oled器件 - Google Patents
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Definitions
- the reticle provided by the embodiment of the present invention, the OLED device packaging method, and the OLED device, wherein an etch layer for etching the encapsulation layer material is formed on the side of the reticle adjacent to the OLED substrate to be packaged, so that during the film encapsulation process,
- the etch layer is capable of reacting with the encapsulation material of the shadow region of the mask, thereby eliminating encapsulation material in this region.
- the mask plate with the structure effectively eliminates the mask shadow, improves the package quality of the OLED product, and realizes the narrow frame design of the OLED device.
- FIG. 6 is a schematic view showing deposition of an encapsulation layer using a first mask in another embodiment of the present invention.
- the OLED device packaging method provided by the embodiment of the present invention is described in detail below by taking an OLED device in which a multilayer encapsulation layer is formed by using a mask.
- the encapsulation layer under the first mask reacts with the etching layer material to generate a gas, which is evacuated to the exhaust gas collection pipe before the next plating.
- the etch layer material etches away the a2 region.
- the package frame width is the opening width a1 between the first reticle and the OLED device, which is completed compared to the first layer of the prior art.
- the OLED device packaging method provided by the embodiment of the present invention can effectively eliminate the influence of the shadow of the mask. It should be noted that FIG. 7 is only a schematic representation of the OLED substrate structure after the formation of the first encapsulation layer. In the actual case, the etch layer 12 and the shadow region a2 do not necessarily disappear as shown.
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Abstract
本发明的实施例公开了一种掩模板、OLED器件封装方法及OLED器件，所述掩模板(1)具有至少一个用于形成封装层图案的开口(11)；所述掩模板(1)靠近待封装OLED基板一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层(12)。
Description
本发明的实施例涉及一种掩模板、OLED器件封装方法及OLED器件。
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件，通过有机层自主发光显示，由于不需要背光源，因此具有更快的响应时间和更大的可视角度，此外还具有对比度更高、重量更轻、低功耗和可使用灵活的基板制备等优点，被认为是最有发展潜力的平板显示器件。
但是，OLED器件的寿命问题制约了其产业化的步伐。由于OLED器件中的各部件很容易受到水和氧的侵蚀，导致像素受损，器件寿命缩短，因此OLED器件需要有效的封装工艺防止水汽和氧气的侵入，防止有机材料老化，延长OLED器件寿命。
在柔性基板上制备的OLED器件也同样需要进行封装。柔性OLED器件的封装主要有盖板式封装和薄膜封装两种。由于薄膜封装易于实现OLED器件的柔性封装，因而得到了广泛的应用。薄膜封装通常采用掩模板进行真空镀膜，即将不需要封装的区域、后续工艺引线及电路引线区域露在表面，便于后续工艺的操作。但是在真空镀膜时，常常出现如图1所示的掩模阴影现象，即镀膜时，封装层2薄膜会生长到掩模板1下方覆盖区域，这将有可能覆盖到电路引线部分，从而严重影响后续工艺及产品质量。此外，掩模阴影还会造成薄膜2的尺寸增加，从而影响精准对位，造成OLED器件有效发光区域封装不完全或在过分宽度区域封装，影响电路布线部分，不能实现窄边框的设计。
发明内容
本发明实施例提供了一种掩模板，所述掩模板具有至少一个用于形成封装层图案的开口；
所述掩模板靠近待封装OLED基板一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻
蚀层。
本发明实施例还提供了一种OLED器件封装方法，所述OLED器件封装方法采用如上所述的掩模板，所述方法包括：
在待封装的OLED基板表面通过所述掩模板形成封装层，所述掩模板靠近待封装OLED基板一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层；
当所述掩模板的刻蚀层与所述掩模板覆盖区域下的封装层反应结束时，移除所述掩模板。
本发明实施例还提供了一种采用如上所述的OLED器件封装方法封装制得的OLED器件，所述OLED器件包括OLED基板和封装层，在封装的过程中，所述封装层图案的尺寸与掩模板开口的尺寸相同。
本发明实施例提供的掩模板、OLED器件封装方法及OLED器件，在掩模板靠近待封装OLED基板一侧形成用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层，于是在进行薄膜封装的过程中，刻蚀层能够与掩模阴影区域的封装层材料发生反应，从而消除这一区域内的封装层材料。采用这种结构的掩模板有效消除了掩模阴影，提高了OLED产品的封装质量，实现了OLED器件的窄边框设计。
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1是现有技术中OLED器件产生掩模阴影的示意图；
图2是现有技术采用第二掩模板进行封装层沉积的示意图；
图3是本发明实施例提供的一种OLED器件的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种OLED器件封装方法的流程示意图；
图5是本发明实施例提供的另一OLED器件封装方法的流程示意图；
图6是本发明另一实施例中采用第一掩模板进行封装层沉积的示意图；
图7是本发明另一实施例中第一层封装层形成后的OLED基板结构示意图；
图8是本发明另一实施例中采用第二掩模板进行封装层沉积的示意图；
图9是本发明另一实施例中第二层封装层形成后的OLED基板结构示意
图。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的掩模板如图3所示，掩模板1具有至少一个用于形成封装层2图案的开口11。
掩模板1靠近待封装OLED基板3一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层12。
本发明实施例提供的掩模板，在掩模板靠近待封装OLED基板一侧形成用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层，从而在薄膜封装过程中，刻蚀层能够与掩模阴影区域的封装层材料发生反应，消除这一区域内的封装层材料。采用这种结构的掩模板有效消除了掩模阴影，提高了OLED产品的封装质量，实现了OLED器件的窄边框设计。
需要说明的是，在本发明实施例中，掩模板1上具有的开口11的数量与OLED基板3上的OLED器件面板数量相同。
可选的，刻蚀层12可以采用酸性液体涂布形成。
为了实现有效的水氧隔绝，封装层2通常采用硅化合物，如氮化硅或氧化硅材料。因此，为了使刻蚀层12与封装层2反应，在本发明实施例中，刻蚀层12可以采用氢氟酸溶液或三氟化氮溶液通过液体涂布工艺得到。在实际使用的过程中，可以根据封装层2的材料有针对性地选择能够与之反应的酸性溶液，以上仅是举例说明，本发明实施例对此并不做限定。
可选的，刻蚀层12可以设置在掩模板1的开口11附近预设距离范围内，该预设距离应当保证刻蚀层12的面积能够覆盖掩模阴影区域的封装层。
例如，可以通过考察掩模阴影区域的实际范围，相应地在掩模板开口11的附近涂覆刻蚀层12，确保刻蚀层12的面积能够覆盖掩模阴影区域的封装层2，也即刻蚀层12覆盖在掩模板上的面积大于阴影区域的尺寸a2(如图6
所示)。通过刻蚀层12与掩模阴影区域的封装层2较为精确的对位，能够降低刻蚀层12对其他区域的影响，有效保证了封装的质量。
本发明实施例提供了一种OLED器件封装方法，该OLED器件封装方法采用如上所述的掩模板，如图4所示，方法包括：
步骤302、在待封装的OLED基板表面通过掩模板形成封装层，该掩模板靠近待封装OLED基板一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层。
步骤303、当掩模板的刻蚀层与掩模板覆盖区域下的封装层反应结束时，移除掩模板。
本发明实施例提供的OLED器件封装方法，采用掩模板形成封装层，该掩模板在靠近待封装OLED基板一侧形成用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层，于是在进行薄膜封装的过程中，刻蚀层能够与掩模阴影区域的封装层材料发生反应，从而消除这一区域内的封装层材料。采用这样一种结构的掩模板有效消除了掩模阴影，提高了OLED产品的封装质量，实现了OLED器件的窄边框设计。
进一步的，如图5所示，在形成封装层之前，该方法还包括：
步骤301、在掩模板的表面通过液体涂布形成刻蚀层，掩模板具有至少一个用于形成封装层图案的开口。
需要说明的是，在本发明实施例中，掩模板1上具有的开口11的数量与OLED基板3上的OLED器件面板数量相同。
其中，与前述实施例类似的，刻蚀层可以采用酸性液体涂布形成。
刻蚀层可以设置在所述掩模板开口附近预设距离范围内，该预设距离应当保证刻蚀层的面积能够覆盖掩模阴影区域的封装层。
进一步的，如图5所示，方法还可以包括：
步骤304、在形成封装层图案后，抽真空排出反应废气。
以下以采用掩模板逐层形成多层封装层的OLED器件为例，对本发明实施例提供的OLED器件封装方法进行详细的说明。
第一掩模板进行表面涂覆工艺处理形成刻蚀层，涂覆面为面向待封装的OLED面板的面，涂覆材料为酸类，例如HF，可以刻蚀掉氮化硅或者氧化硅等材料。
进行第一层无机封装层镀膜，如图6所示，采用第一掩模板进行封装层
的沉积，膜厚为a，第一掩模板开口边缘与OLED器件水平方向之间的开口宽度设定为a1，掩模阴影区域宽度为a2。
第一掩模板下方的封装层与刻蚀层材料反应，生成气体，在下一次镀膜之前抽真空排到废气收集管道。刻蚀层材料刻蚀掉a2区域，第一层完成后，如图7所示，封装边框宽度为第一掩模板与OLED器件之间的开口宽度a1，相比于现有技术第一层完成后封装边框宽度为a2+a1，采用本发明实施例提供的OLED器件封装方法能够有效消除掩模阴影的影响。应当注意的是，图7只是示意性的展示了第一层封装层形成后的OLED基板结构，在实际情况中，刻蚀层12和阴影区域a2消失得不一定如图所示的完全。
重复上述步骤，不同的是，在此阶段采用第二掩模板，该第二掩模板的开口尺寸大于第一掩模板的开口尺寸，该第二掩模板的开口附近同样涂覆形成有刻蚀层。
进行第二层无机封装层镀膜，与前述步骤类似，如图8所示，采用第二掩模板进行封装层的沉积，膜厚为b，现有技术第二掩模板开口边缘与OLED器件水平方向之间的开口宽度设定为b1，掩模阴影区域宽度为b2(参见图2)，并且b1通常大于a2+a1，按照现有技术镀膜完成后第二层封装层边框宽度为b1+b2。采用本发明刻蚀处理，由于a1<b3<b1，可以减少第二掩模板开口宽度，减小的量为2(b1-b3)，第二层掩模阴影区域宽度为b4。
第二掩模板下方的封装层与刻蚀层材料反应，刻蚀第二掩模板下方的掩模阴影区域b4，第二层完成后，如图9所示，封装边框宽度为b5，b3<b5<b1+b2(现有技术封装边框宽度)。
后续层级的无机封装层也可以同样采用上述方法步骤，采用这样一种OLED封装方法可以有效减少器件的边框宽度，实现窄边框封装技术。
本发明实施例还提供了一种OLED器件，采用如上所述的OLED器件封装方法封装制得。如图3所示，OLED器件包括OLED基板3和封装层2，在封装的过程中，封装层2图案的尺寸与掩模板1开口的尺寸相同。
OLED器件封装方法已在前述实施例中做了详细的描述，此处不做赘述。
本发明实施例提供的OLED器件，采用掩模板形成封装层，该掩模板在靠近待封装OLED基板一侧形成用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层，于是在进行薄膜封装的过程中，刻蚀层能够与掩模阴影区域的封装层材料发生反应，
从而消除这一区域内的封装层材料。采用这样一种结构的掩模板有效消除了掩模阴影，提高了OLED产品的封装质量，实现了OLED器件的窄边框设计。
本发明实施例提供的OLED器件可以应用于各种已知的OLED显示装置，如采用OLED显示装置作为显示器的手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等产品或器件。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。
本申请要求于2015年1月29日递交的中国专利申请第201510046592.5号的优先权，在此全文引用上述中国专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。
Claims (9)
- 一种掩模板，所述掩模板具有至少一个用于形成封装层图案的开口；所述掩模板的一侧涂覆有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层。
- 根据权利要求1所述的掩模板，其中，所述刻蚀层为氢氟酸溶液或三氟化氮溶液。
- 根据权利要求1或2所述的掩模板，其中，所述刻蚀层设置在所述掩模板的离所述开口的边缘预设距离范围内，该预设距离应当保证刻蚀层的面积能够覆盖掩模阴影区域的封装层。
- 一种OLED器件封装方法，所述方法包括：在待封装的OLED基板表面通过掩模板形成封装层，所述掩模板靠近待封装OLED基板一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层；以及当所述掩模板的刻蚀层与所述掩模板覆盖区域下的封装层反应结束时，移除所述掩模板。
- 根据权利要求4所述的OLED器件封装方法，其中，在形成封装层之前，所述方法还包括：在掩模板的表面通过液体涂布形成所述刻蚀层，所述掩模板具有至少一个用于形成封装层图案的开口。
- 根据权利要求5所述的OLED器件封装方法，其中，所述刻蚀层采用氢氟酸溶液或三氟化氮溶液涂布形成。
- 根据权利要求5所述的OLED器件封装方法，其中，所述刻蚀层设置在所述掩模板的离所述开口的边缘预设距离范围内，该预设距离应当保证刻蚀层的面积能够覆盖掩模阴影区域的封装层。
- 根据权利要求4-7中任一项所述的OLED器件封装方法，其中，所述方法还包括：在形成封装层图案后，抽真空排出所述刻蚀层与所述封装层反应所产生的废气。
- 一种采用如权利要求4-8任一所述的OLED器件封装方法封装制得的OLED器件，其中，所述OLED器件包括OLED基板和封装层，在封装的过程中，所述封装层图案的尺寸与掩模板开口的尺寸相同。
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