WO2016104869A1 - 연마입자 및 그를 포함하는 연마용 슬러리 조성물 - Google Patents

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WO2016104869A1
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abrasive particles
polishing
supercritical
acid
slurry composition
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PCT/KR2015/002173
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윤영록
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주식회사 케이씨텍
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    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/34—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/54—Improvements relating to the production of bulk chemicals using solvents, e.g. supercritical solvents or ionic liquids

Definitions

  • the present invention relates to abrasive particles and a polishing slurry composition comprising the same.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • a damascene method in which a copper or copper alloy thin film is deposited and buried on an insulating film in which grooves are formed in advance, and a thin film of copper or copper alloy other than the groove portion is removed by CMP to form a buried wiring. This is mainly used.
  • the polishing rate, the planarization of the polishing surface, and the degree of scratching are important, and are determined by the CMP process conditions, the type of slurry, the type of polishing pad, and the like.
  • the removal of large particles directly related to the occurrence of scratches may be a more important technique. If the average particle diameter of the abrasive grains is reduced in order to reduce such scratches, the production amount decreases due to the reduction of the polishing amount. Therefore, for the CMP process, abrasive particles capable of effectively reducing surface defects such as scratching, dishing, erosion, and corrosion are required.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to include abrasive particles and effectively reduce the formation of surface defects such as scratches, dishing, erosion, and corrosion occurring when polishing the surface of the polishing target film. It is to provide a polishing slurry composition.
  • the abrasive grain according to the first aspect of the present invention has elasticity and brittleness.
  • the elastic modulus of the abrasive particles may be 0.01 GPa to 30 GPa.
  • the breaking strength of the abrasive particles may be from 1 MPa to 100 MPa.
  • the abrasive particles may be prepared by a liquid phase reaction including supercritical or subcritical conditions.
  • the supercritical or subcritical conditions may be one having a reaction temperature of 300 °C to 600 °C.
  • the supercritical or subcritical condition is to use at least one selected from the group consisting of supercritical or subcritical carbon dioxide, supercritical or subcritical alkanes, supercritical water or subcritical water, and supercritical or subcritical alcohol. Can be.
  • the abrasive particles are metal oxide containing at least one element selected from the group consisting of Si, Al, Ce, Zr, Ge, Mg, Ti, and Fe;
  • the metal oxide in the colloidal state; may include at least one selected from the group consisting of.
  • Polishing slurry composition according to a second aspect of the present invention the abrasive particles according to the first aspect of the present invention; And additives.
  • the abrasive particles may be from 0.5% by weight to 10% by weight of the polishing slurry composition.
  • the additive further comprises at least one selected from the group consisting of an anionic polymer, a nonionic polymer, an ammonium salt, an organic acid, and a pH adjusting agent containing a carboxyl group (COOH), and 0.001 to 1 weight in the polishing slurry composition. May be%.
  • the abrasive particles having elasticity and brittleness of the present invention By the abrasive particles having elasticity and brittleness of the present invention and the abrasive slurry composition comprising the same, the impact caused by the collision when the abrasive particles collide with the surface of the polishing target film during polishing is absorbed and alleviated by the elasticity of the abrasive particles. Due to brittleness of the abrasive particles, the particles can be crushed at a predetermined pressure or higher to prevent the formation of surface defects such as scratches, dishing, erosion, and corrosion on the polishing target film. In addition, the resilience modulus of the abrasive grains can be suppressed, and the abrasive grains collided with the polishing target film can be prevented from being recoiled by the elastic force of the mother body.
  • the abrasive grain according to the first aspect of the present invention has elasticity and brittleness.
  • the abrasive grains of the present invention when the abrasive grains collide with the surface of the polishing target layer, the impact caused by the collision is absorbed and alleviated by the elasticity of the abrasive grains, so that the polishing target film is not scratched, dished, eroded, corroded, or the like. The formation of surface defects can be prevented.
  • the elastic modulus of the abrasive particles may be 0.01 GPa to 30 GPa. If the elastic modulus of the abrasive grains is less than 0.01 GPa, there is a problem in that elastic performance does not appear. If the abrasive grains are more than 30 GPa, the abrasive particles may rebound to the polishing target film by the resilient elastic force.
  • the breaking strength of the abrasive particles may be from 1 MPa to 100 MPa. If the elastic modulus of the abrasive grains is less than 1 MPa, the abrasive grains are easily crushed, so that polishing is difficult. If the abrasive grains are more than 100 MPa, surface defects such as scratching, dishing, erosion, and corrosion are easily caused in the polishing target film. There is a problem.
  • the abrasive particles are elastic when 40% to 50%.
  • the hardness of the abrasive particles is 40 Shore A to 75 Shore A, preferably 45 Shore A to 70 Shore A can be said that the abrasive particles have elasticity.
  • the maximum elongation of the abrasive particles is 150% or more, preferably 170% or more it can be said that the abrasive particles are elastic.
  • the abrasive particles may be prepared by dispersing abrasive particles having a polishing function in an elastic body to be a base material.
  • the base material is a carrier for supporting abrasive particles having a polishing function in and on the surface of the abrasive particles of the present invention, and when the abrasive particles collide with the surface of the polishing target film during polishing, the polishing target film This is to prevent the defects that occur.
  • the base material forms an elastic body such as rubber or thermoplastic elastomer, and may include a form of latex such as solid or liquid rubber or emulsion.
  • the rubber may include, for example, natural rubber and various synthetic rubbers, and specifically, isoprene rubber, styrene butadiene rubber, butadiene rubber, acrylonitrile butadiene rubber, chloroprene rubber, ethylene propylene rubber, chloro sulfonated It may include at least any one selected from the group consisting of polyethylene, chlorinated polyethylene, urethane rubber, silicone rubber, epichlorohydrin rubber and butyl rubber.
  • the thermoplastic elastomer is, for example, a styrene block polymer, a chlorinated polyethylene elastomer, a polyester elastomer, a nitoryl elastomer, a fluorine elastomer, a silicone elastomer, an olefin elastomer, a vinyl chloride elastomer, a urethane elastomer, a polyamide elastomer, and the like. And it may include at least any one selected from the group consisting of ester halogen-based polyamide.
  • gum and a thermoplastic elastomer can be used independently, and can also use it, mixing and using multiple types.
  • the base material may be mixed with various compounding agents and then processed as an elastomer forming the base material.
  • rubber as said compounding agent, in addition to the vulcanizing agent for crosslinking between rubber molecules, and the vulcanization accelerator for accelerating a crosslinking reaction with the said vulcanizing agent, rubber
  • molding such as a filler, a stabilizer, and a dispersing agent, for improving the physical property and workability of the same mechanical property are mentioned.
  • the abrasive particles may be prepared by a liquid phase reaction including supercritical or subcritical conditions.
  • the supercritical or subcritical conditions may be one having a reaction temperature of 300 °C to 600 °C.
  • the supercritical or subcritical conditions may be one having a reaction pressure of 230 bar to 300 bar. In such supercritical or subcritical conditions, the generation of abrasive particles having elasticity and brittleness can be performed.
  • the reaction temperature is less than 300 °C or the reaction pressure is less than 230 bar has a problem that the size of the prepared abrasive particles is large, the particle size distribution is widened and the crystallinity is reduced, the reaction temperature exceeds 600 °C, or the reaction pressure is If it exceeds 300 bar, there is a problem of low economic efficiency because it must maintain a high temperature and high pressure.
  • the reaction time for producing the particles having elasticity and brittleness may take several seconds to one hour, preferably several seconds to 30 minutes. If the reaction time is not enough, there is a problem that the crystallinity is reduced, if the reaction time is too long, there is a problem in that the size of the nanoparticles increases and the particle size distribution is wide.
  • the supercritical or subcritical condition is to use at least one selected from the group consisting of supercritical or subcritical carbon dioxide, supercritical or subcritical alkanes, supercritical water or subcritical water, and supercritical or subcritical alcohol. It may be used, depending on the type of reaction and the type of product, and the reaction conditions, but is not limited thereto. Among these, as examples of the use of the supercritical or subcritical alkanes, alkanes having 1 to 10 carbon atoms may be used.
  • the abrasive particles are metal oxide containing at least one element selected from the group consisting of Si, Al, Ce, Zr, Ge, Mg, Ti, and Fe;
  • the metal oxide in the colloidal state; may include at least one selected from the group consisting of.
  • the size of the abrasive grains is not limited and may be appropriately changed depending on the kind of the abrasive grains or the film to be polished, the processing purpose, etc., but may be 10 nm to 300 nm.
  • the abrasive grains are less than 10 nm, the polishing rate for the size of the abrasive grains decreases, and there may be a problem in that the selection ratio is difficult to implement. In the case of more than 300 nm, it is difficult to control the surface defects, the polishing rate, and the selection ratio. There is a problem.
  • the shape of the abrasive particles may include at least one selected from the group consisting of a spherical shape, a square shape, a needle shape, and a plate shape, and preferably may have a spherical shape.
  • Polishing slurry composition according to a second aspect of the present invention the abrasive particles according to the first aspect of the present invention; And additives.
  • the abrasive particles may be from 0.5% by weight to 10% by weight of the polishing slurry composition. When the abrasive grains are less than 0.5% by weight, the polishing rate is lowered, and when the abrasive grains are more than 10% by weight, there is a concern that defects are caused by the abrasive particles.
  • the additive may further include at least one selected from the group consisting of an anionic polymer, a nonionic polymer, an ammonium salt, an organic acid, and a pH adjuster including a carboxyl group (COOH).
  • the anionic polymer including the carboxyl group (COOH) is, for example, polyacrylic acid, polysulfonic acid, polyacrylamide / acrylic acid copolymer, polyacrylic acid / sulfonic acid At least any one selected from the group consisting of a polyacrylic acid / sulfonic acid copolymer, a polysulfonic acid / acrylamide copolymer, and a polyacrylic acid / malonic acid copolymer It may be to include one, but is not limited thereto.
  • the anionic polymer containing the carboxyl group (COOH) may be 0.01% by weight to 1% by weight of the additive.
  • the anionic polymer containing the carboxyl group (COOH) is less than 0.01% by weight, the protection of the polished surface can be better performed during polishing, and when it is more than 1% by weight, the additive is likely to cause scratches.
  • the nonionic polymer may be, for example, polyalkyl oxide, but is not limited thereto.
  • the nonionic polymer may include, for example, at least one selected from the group consisting of polyoxyethylene oxide (PEO), polyethylene oxide, and polypropylene oxide.
  • PEO polyoxyethylene oxide
  • polyethylene oxide polyethylene oxide
  • polypropylene oxide polypropylene oxide
  • the nonionic polymer may be 0.001 wt% to 1 wt% of the additive, but is not limited thereto. If the nonionic polymer is less than 0.001% by weight, the polysilicon film stop function may be lowered. If the nonionic polymer is more than 1% by weight, the hydrophobicity of the nonionic polymer may cause contamination such as reattachment of particles after polishing. .
  • the ammonium salt is ammonium nitrate, ammonium formate, ammonium citrate, ammonium acetate, ammonium benzoate, ammonium bromide, ammonium carbonate, ammonium chloride, ammonium chromate, ammonium dichromate, ammonium oxalate, ammonium sulfamate, ammonium sulfate , Ammonium sulfite, ammonium tartate, ammonium tetrafluoroborate, ammonium thiocyanate, ammonium thiosulfate, ammonium ascorbate, and combinations thereof, but may be selected from the group consisting of, but not limited thereto. It is not.
  • the ammonium salt may be 0.001% to 1% by weight of the additive, but is not limited thereto. When the ammonium salt is less than 0.001% by weight, it does not affect the stabilization of the slurry composition. When the ammonium salt is more than 1% by weight, the electrical double layer of cerium oxide particles in the slurry composition is sharply reduced to weaken dispersion stability (polishing properties). do.
  • the organic acid is, for example, picolinic acid (nicolinic acid), nicotinic acid (nicotinic acid), isicotinic acid (isonicotinic acid), fusaric acid (fusaric acid), dinicotinic acid, dipiconny Dipiconilic acid, lutidinic acid, quinolic acid, glutamic acid, alanine, glycine, cystine, histidine, asparagine (asparagine), guanidine, hydrazine, ethylenediamine, formic acid, acetic acid, benzoic acid, oxalic acid, succinic acid, Malic acid, maleic acid, malonic acid, malonic acid, citric acid, lactic acid, tricarballyic acid, tartaric acid, aspartic acid ( aspartic acid, glutaric acid, adipic acid, suberic acid and fumaric acid, Phthalic acid (phthalic acid), pyridinecarboxylic acid (pyridinecarboxy
  • the organic acid may be from 10 wt% to 90 wt% of the additive, but is not limited thereto. If it is less than 10% by weight can exhibit low abrasive properties, if it is more than 90% by weight substrate surface defects can be increased.
  • the pH adjusting agent may serve to adjust the pH of the additive to adjust the degree of dispersion of the coated abrasive particles.
  • the pH adjusting agent may be, for example, ammonia, ammonium methyl propanol (AMP), tetra methyl ammonium hydroxide (TMAH), potassium hydroxide, sodium hydroxide, magnesium hydroxide, rubidium hydroxide, cesium hydroxide, sodium bicarbonate, sodium carbonate, triethanolamine, Tromethamine, niacinamide, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, acetic acid, citric acid, glutaric acid, glutic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, malonic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, tartaric acid and combinations thereof It may be to include one selected from the group consisting of, but is not limited thereto.
  • the pH adjusting agent may be added in an appropriate amount depending on the pH of the polishing slurry composition appropriate for the type of abrasive particles or the film to be polished, processing purpose, and the like.
  • the abrasive particles having elasticity and brittleness of the present invention By the abrasive particles having elasticity and brittleness of the present invention and the abrasive slurry composition comprising the same, the impact caused by the collision when the abrasive particles collide with the surface of the polishing target film during polishing is absorbed and alleviated by the elasticity of the abrasive particles. Due to brittleness of the abrasive particles, the particles can be crushed at a predetermined pressure or higher to prevent the formation of surface defects such as scratches, dishing, erosion, and corrosion on the polishing target film. In addition, the resilience modulus of the abrasive grains can be suppressed, and the abrasive grains collided with the polishing target film can be prevented from being recoiled by the elastic force of the mother body.

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Abstract

본 발명은 연마입자 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 제1 측면에 따른 연마입자는, 탄성 및 취성을 가진다. 본 발명의 연마입자 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물에 의하여, 연마 시 연마입자가 연마 대상막의 표면에 충돌했을 때, 충돌에 의해 생긴 충격을 연마입자의 탄성에 의해 흡수 및 완화하여 연마 대상막에 스크래치, 디싱, 에로젼, 부식 등의 표면 결함의 형성을 방지할 수 있다.

Description

연마입자 및 그를 포함하는 연마용 슬러리 조성물
본 발명은 연마입자 및 그를 포함하는 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
최근, 반도체집적회로(large scale integration; LSI)의 고집적화, 고성능화에 따라 새로운 미세 가공 기술이 개발되고 있다. 화학기계적 연마(chemical mechanical polishing; CMP) 방법도 그 중 하나이고, LSI 제조 공정, 특히 다층 배선 형성 공정에 있어서 층간 절연막의 평탄화, 금속 플러그 형성 및 매립 배선 형성 등에 있어서 빈번하게 이용되는 기술이다. 또한, 최근에는 LSI를 고성능화하기 위해서 배선 재료로서 구리 또는 구리 합금이 사용되고 있다. 그러나, 구리 또는 구리 합금은 종래의 알루미늄 합금 배선의 형성에 빈번하게 사용된 드라이 에칭 방법에 의한 미세가공이 곤란하다. 따라서, 미리 홈이 형성되어 있는 절연막 상에 구리 또는 구리 합금 박막을 퇴적하여 매립하고, 홈 부분 이외의 구리 또는 구리 합금의 박막을 CMP에 의해 제거하여 매립 배선을 형성하는, 다마신(Damascene) 방법이 주로 이용되고 있다.
CMP 공정에 있어서 연마 속도, 연마 표면의 평탄화도, 스크래치의 발생 정도가 중요하며, CMP 공정 조건, 슬러리의 종류, 연마 패드의 종류 등에 의해 결정된다. 특히 스크래치의 발생과 직접 관련이 있는 거대입자의 제거는 더욱 중요한 기술이라 할 수 있는데, 이러한 스크래치 감소를 위해 연마입자의 평균 입경을 감소시키게 되면 연마량의 감소로 생산량이 감소하는 문제점이 나타나게 된다. 따라서, CMP 공정용으로는 스크래치, 디싱, 에로젼, 부식 등의 표면 결함을 효과적으로 줄일 수 있는 연마입자가 요구된다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 연마 대상막의 표면을 연마할 때 발생하는 스크래치, 디싱, 에로젼, 부식 등의 표면 결함의 형성을 효과적으로 줄이는 연마입자 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 제1 측면에 따른 연마입자는, 탄성 및 취성을 가진다.
상기 연마입자의 탄성계수는 0.01 GPa 내지 30 GPa인 것일 수 있다.
상기 연마입자의 파쇄강도는 1 MPa 내지 100 MPa인 것일 수 있다.
상기 연마입자는 초임계 또는 아임계 조건을 포함하는 액상반응에 의해 제조되는 것일 수 있다.
상기 초임계 또는 아임계 조건은 300℃ 내지 600℃의 반응 온도를 가지는 것일 수 있다.
상기 초임계 또는 아임계 조건은 초임계 또는 아임계 이산화탄소, 초임계 또는 아임계 알칸, 초임계수(水) 또는 아임계수, 및 초임계 또는 아임계 알코올로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 이용하는 것일 수 있다.
상기 연마입자는 Si, Al, Ce, Zr, Ge, Mg, Ti, 및 Fe로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 원소를 포함하는 금속산화물; 유기물 또는 무기물로 코팅된 상기 금속산화물; 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물;로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 따른 연마용 슬러리 조성물은, 본 발명의 제1 측면에 따른 연마입자; 및 첨가제;를 포함한다.
상기 연마입자는 상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.5 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다.
상기 첨가제는, 카르복실기(COOH)를 포함하는 음이온성 고분자, 비이온성 고분자, 암모늄 염, 유기산 및 pH 조절제로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 더 포함하고, 상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.001 내지 1 중량%인 것일 수 있다.
본 발명의 탄성 및 취성을 가지는 연마입자 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물에 의하여, 연마 시 연마입자가 연마 대상막의 표면에 충돌했을 때, 충돌에 의해 생긴 충격을 연마입자의 탄성에 의해 흡수 및 완화하고, 연마입자의 취성에 의해 일정 압력 이상에서 파쇄되어 연마 대상막에 스크래치, 디싱, 에로젼, 부식 등의 표면 결함의 형성을 방지할 수 있다. 또한, 연마입자의 반발 탄성률을 억제하여, 연마 대상막에 충돌한 연마입자가 모체의 탄성력에 의해 반동하는 것을 방지할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 본 발명의 연마입자 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예 및 도면에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 측면에 따른 연마입자는, 탄성(elasticity) 및 취성(brittleness)을 가진다.
본 발명의 연마입자는, 연마 시 연마입자가 연마 대상막의 표면에 충돌했을 때, 충돌에 의해 생긴 충격을 연마입자의 탄성에 의해 흡수 및 완화하여 연마 대상막에 스크래치, 디싱, 에로젼, 부식 등의 표면 결함의 형성을 방지할 수 있다.
상기 연마입자의 탄성계수는 0.01 GPa 내지 30 GPa인 것일 수 있다. 상기 연마입자의 탄성계수가 0.01 GPa 미만인 경우 탄성 성능이 나타나지 않는 문제점이 있고, 30 GPa 초과인 경우 연마입자가 반발 탄성력에 의해 연마 대상막에 반동하는 문제점이 있다.
상기 연마입자의 파쇄강도는 1 MPa 내지 100 MPa인 것일 수 있다. 상기 연마입자의 탄성계수가 1 MPa 미만인 경우 연마입자가 쉽게 파쇄되어 연마가 어려운 문제점이 있고, 100 MPa 초과인 경우 연마 대상막에 스크래치, 디싱, 에로젼, 부식 등의 표면 결함의 형성을 쉽게 유발하는 문제점이 있다.
상기 연마입자의 탄성이 35 % 내지 55 %인 경우에, 바람직하게는 40 % 내지 50 %인 경우에 연마입자가 탄성을 갖는다고 할 수 있다.
상기 연마입자의 경도(hardness)가 40 Shore A 내지 75 Shore A, 바람직하게는 45 Shore A 내지 70 Shore A인 경우에 연마입자가 탄성을 갖는다고 할 수 있다.
상기 연마입자의 최대 연신율(ultimate elongation)이 150 % 이상, 바람직하게는 170 % 이상인 경우에 연마입자가 탄성을 갖는다고 할 수 있다.
상기 연마입자는, 모재가 되는 탄성체에 연마 기능을 가지는 연마용 입자를 분산해 제조되는 것일 수 있다. 상기 모재는, 본 발명의 연마입자에 있어 연마 기능을 가지는 연마용 입자를 그 내부 및 표면에 담지하는 담체가 되는 것이고, 연마 시 상기 연마입자가 연마 대상막의 표면에 충돌했을 때, 그 연마 대상막에 생기는 결함을 방지하기 위한 것이다. 상기 모재는, 고무, 열가소성 엘라스토머(elastomer) 등의 탄성체를 이루는 것으로, 고체 또는 액상 고무, 에멀젼 등의 라텍스의 형태를 포함할 수 있다. 상기 고무는, 예를 들어, 천연 고무, 각종 합성 고무를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 이소프렌 고무, 스틸렌 부타디엔 고무, 부타디엔 고무, 아크릴로니트릴 부타디엔 고무, 클로로프렌 고무, 에치렌프로피렌 고무, 클로로 술폰화 폴리에틸렌, 염소화 폴리에틸렌, 우레탄 고무, 실리콘 고무, 에피크로르히드린 고무 및 부틸 고무로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 열가소성 엘라스토머는, 예를 들어, 스틸렌블록폴리머, 염소화 폴리에틸렌계 엘라스토머, 폴리에스텔계 엘라스토머, 니 토리루계 엘라스토머, 불소계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 올레핀계 엘라스토머, 염화비닐계 엘라스토머, 우레탄계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머 및 에스테르 할로겐계 포리마아로이로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 고무, 열가소성 엘라스토머는, 단독으로 사용할 수 있고, 복수종을 혼합 및 병용하여 사용할 수도 있다. 상기 모재는, 각종의 배합제와 혼합된 다음 모재를 이루는 탄성체로서 가공될 수 있다. 예를 들어, 고무를 사용하는 경우, 상기 배합제로서는, 고무 분자 간을 가교하기 위한 가류제, 상기 가류제에 의해 가교 반응을 촉진하기 위한 가류 촉진제 이외에, 고무에 가역성을 주어 배합제의 혼합·분산을 도와 압연이나 압출 등의 가공성을 좋게 하기 위한 가소제, 고무 제조 시에 요구되는 점착성을 주어 가공성을 좋게 하기 위한 점착부여제, 증량에 의해 제품 단가를 저하시키는 것 이외에 고무의 인장강도나 탄성과 같은 기계적 특성의 물성이나 가공성을 향상시키기 위한 충전제, 안정제, 분산제 등 일반적으로 고무 성형에 이용되고 있는 각종의 배합제를 들 수 있다.
상기 연마입자는 초임계 또는 아임계 조건을 포함하는 액상반응에 의해 제조되는 것일 수 있다.
상기 초임계 또는 아임계 조건은 300℃ 내지 600℃의 반응 온도를 가지는 것일 수 있다. 또한, 상기 초임계 또는 아임계 조건은 230 bar 내지 300 bar의 반응 압력을 가지는 것일 수 있다. 이러한 초임계 또는 아임계 조건에서 탄성 및 취성을 가지는 연마입자 생성을 수행할 수 있다. 상기 반응 온도가 300℃ 미만이거나 반응 압력이 230 bar 미만일 경우 제조되는 연마입자의 크기가 커지고 입자 크기 분포가 넓어지며 결정성이 감소되는 문제점이 있고, 반응 온도가 600℃를 초과하거나, 반응 압력이 300 bar를 초과하는 경우 고온 고압을 유지시켜야 하기 때문에 경제성이 낮은 문제점이 있다.
본 발명에 있어서, 탄성 및 취성을 가지는 입자를 생성시키는데 걸리는 반응 시간은, 수초 내지 1 시간, 바람직하게는 수초 내지 30 분이 소요될 수 있다. 반응 시간이 충분하지 못할 경우 결정성이 감소되는 문제점이 있고, 반응 시간이 너무 길어지는 경우 나노 입자의 크기가 커지고 입자 크기 분포가 넓어지는 문제점이 있다.
상기 초임계 또는 아임계 조건은 초임계 또는 아임계 이산화탄소, 초임계 또는 아임계 알칸, 초임계수(水) 또는 아임계수, 및 초임계 또는 아임계 알코올로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 이용하는 것일 수 있으며, 반응의 종류와 생성물의 종류, 그리고 반응조건에 따라 선별하여 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이 중에서, 상기 초임계 또는 아임계 알칸의 사용예로서, 탄소수 1 내지 10인 알칸이 사용될 수 있다.
상기 연마입자는 Si, Al, Ce, Zr, Ge, Mg, Ti, 및 Fe로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 원소를 포함하는 금속산화물; 유기물 또는 무기물로 코팅된 상기 금속산화물; 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물;로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 연마입자 크기는 한정되는 것은 아니고, 연마입자나 연마 대상막의 종류, 가공 목적 등에 따라 적당히 변경 가능하지만, 10 nm 내지 300 nm인 것일 수 있다. 상기 연마입자가 10 nm 미만일 경우에는 연마입자의 크기에 대한 연마율이 감소하고, 선택비 구현이 어려운 문제점이 있을 수 있고, 300 nm 초과인 경우에는 표면 결함, 연마율, 선택비의 조절이 어려운 문제점 있다.
상기 연마입자의 형상은 구형, 각형, 침상 형상 및 판상 형상으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있으며, 바람직하게는 구형인 것일 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 따른 연마용 슬러리 조성물은, 본 발명의 제1 측면에 따른 연마입자; 및 첨가제;를 포함한다.
상기 연마입자는 상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.5 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다. 상기 연마입자가 0.5 중량% 미만인 경우 연마 속도가 저하되고, 10 중량% 초과인 경우 연마입자에 의한 결함 발생이 우려되는 문제점이 있다.
상기 첨가제는, 카르복실기(COOH)를 포함하는 음이온성 고분자, 비이온성 고분자, 암모늄 염, 유기산 및 pH 조절제로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 카르복실기(COOH)를 포함하는 음이온성 고분자는, 예를 들어, 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 폴리술폰산(polysulfonic acid), 폴리아크릴아마이드/아크릴산 공중합체(polyacrylamide/acrylic acid copolymer), 폴리아크릴산/술폰산 공중합체(polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer), 폴리술폰산/아크릴아마이드 공중합체(polysulfonic acid/acrylamide copolymer), 및 폴리아크릴산/말론산 공중합체(polyacrylic acid/malonic acid copolymer)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 카르복실기(COOH)를 포함하는 음이온성 고분자는, 상기 첨가제 중 0.01 중량% 내지 1 중량%인 것일 수 있다. 상기 카르복실기(COOH)를 포함하는 음이온성 고분자가 0.01 중량% 미만일 경우, 연마 동안에 연마된 표면의 보호가 더욱 우수하게 실시될 수 있으며, 1 중량% 초과일 경우에는, 첨가제가 스크래치를 야기시키기 쉽다.
상기 비이온성 고분자는, 예를 들어, 폴리알킬 옥사이드(polyalkyl oxide)인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 비이온성 고분자는, 예를 들어, 폴리옥시에틸렌 옥사이드(polyoxyethylene oxide; PEO), 폴리에틸렌 옥사이드(polyethylene oxide) 및 폴리프로필렌 옥사이드(polypropylene oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 비이온성 고분자는, 상기 첨가제 중 0.001 중량% 내지 1 중량%인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 비이온성 고분자가 0.001 중량% 미만일 경우, 폴리실리콘막 정지 기능이 저하되는 우려가 있으며, 1 중량% 초과일 경우에는, 비이온성 고분자의 소수성으로 인하여 연마 후 입자 재부착 등 오염이 우려될 수 있다.
상기 암모늄 염은, 암모늄 니트레이트, 암모늄 포르메이트, 암모늄 시트레이트, 암모늄 아세테이트, 암모늄 벤조에이트, 암모늄 브로마이드, 암모늄 카보네이트, 암모늄 클로라이드, 암모늄 크로메이트, 암모늄 디크로메이트, 암모늄 옥살레이트, 암모늄 설파메이트, 암모늄 설페이트, 암모늄 설파이트, 암모늄 타르테이트, 암모늄 테트라플루오로보레이트, 암모늄 티오시아네티트, 암모늄 티오설페이트, 암모늄 아스코르베이트 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 암모늄 염은, 상기 첨가제 중 0.001 중량% 내지 1 중량%인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 암모늄 염이 0.001 중량% 미만인 경우, 슬러리 조성물의 안정화에 영향을 주지 못하며, 1 중량% 초과인 경우에는, 슬러리 조성물 내 산화세륨 입자의 전기 이중층을 급격히 감소시켜 분산 안정성(연마 특성)을 약화시키게 된다.
상기 유기산은, 예를 들어, 피콜리닉 산(picolinic acid), 니코틴 산(nicotinic acid), 이소니코틴 산(isonicotinic acid), 퓨자릭 산(fusaric acid), 디니코틴 산(dinicotinic acid), 디피코니릭 산(dipiconilic acid), 루티디닉 산(lutidinic acid), 퀴노릭 산(quinolic acid), 글루탐산(glutamic acid), 알라닌(alanine), 글리신(glycine), 시스틴(cystine), 히스티딘(histidine), 아스파라긴(asparagine), 구아니딘(guanidine), 히드라진(hydrazine), 에틸렌디아민(ethylenediamine), 포름산(formic acid), 아세트산(acetic acid), 벤조산(benzoic acid), 옥살산(oxalic acid), 숙신산(succinic acid), 말산(malic acid), 말레산(maleic acid), 말론산(malonic acid), 시트르산(citric acid), 젖산(lactic acid), 트리카발산(tricarballyic acid), 타르타르산(tartaric acid), 아스파트산(aspartic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디프산(adipic acid), 수베르산(suberic acid) 및 푸마르산(fumaric acid), 프탈산(phthalic acid), 피리딘카르복실산(pyridinecarboxylic acid), 및 이들의 염으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 유기산은, 상기 첨가제 중 10 중량% 내지 90 중량%인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 10 중량% 미만인 경우 낮은 연마특성을 보일 수 있고, 90 중량% 초과인 경우에는 기판 표면 결함이 증가될 수 있다.
상기 pH 조절제는, 첨가제의 pH를 조절하여 피복된 연마 입자의 분산도를 조절하는 역할을 할 수 있다. 상기 pH 조절제는, 예를 들어, 암모니아, AMP(ammonium methyl propanol), TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide), 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화마그네슘, 수산화루비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 트리에탄올아민, 트로메타민, 나이아신아마이드, 질산, 황산, 인산, 염산, 아세트산, 시트르산, 글루타르산, 글루콜산, 포름산, 젖산, 말산, 말론산, 말레산, 옥살산, 프탈산, 숙신산, 타르타르산 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 pH 조절제는, 연마입자나 연마 대상막의 종류, 가공 목적 등에 따라 적정한 연마 슬러리 조성물의 pH에 따라 적정량이 첨가되는 것일 수 있다.
본 발명의 탄성 및 취성을 가지는 연마입자 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물에 의하여, 연마 시 연마입자가 연마 대상막의 표면에 충돌했을 때, 충돌에 의해 생긴 충격을 연마입자의 탄성에 의해 흡수 및 완화하고, 연마입자의 취성에 의해 일정 압력 이상에서 파쇄되어 연마 대상막에 스크래치, 디싱, 에로젼, 부식 등의 표면 결함의 형성을 방지할 수 있다. 또한, 연마입자의 반발 탄성률을 억제하여, 연마 대상막에 충돌한 연마입자가 모체의 탄성력에 의해 반동하는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (10)

  1. 탄성 및 취성을 가지는 연마입자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연마입자의 탄성계수는 0.01 GPa 내지 30 GPa인 것인, 연마입자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 연마입자의 파쇄강도는 1 MPa 내지 100 MPa인 것인, 연마입자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 연마입자는 초임계 또는 아임계 조건을 포함하는 액상반응에 의해 제조되는 것인, 연마입자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 초임계 또는 아임계 조건은 300℃ 내지 600℃의 반응 온도를 가지는 것인, 연마입자.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 초임계 또는 아임계 조건은 초임계 또는 아임계 이산화탄소, 초임계 또는 아임계 알칸, 초임계수(水) 또는 아임계수, 및 초임계 또는 아임계 알코올로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 이용하는 것인, 연마입자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 연마입자는 Si, Al, Ce, Zr, Ge, Mg, Ti, 및 Fe로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 원소를 포함하는 금속산화물;
    유기물 또는 무기물로 코팅된 상기 금속산화물; 및
    콜로이달 상태의 상기 금속산화물;
    로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연마입자.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 연마입자; 및
    첨가제;
    를 포함하는 연마용 슬러리 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 연마입자는 상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.5 중량% 내지 10 중량%인 것인, 연마용 슬러리 조성물.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 첨가제는, 카르복실기(COOH)를 포함하는 음이온성 고분자, 비이온성 고분자, 암모늄 염, 유기산 및 pH 조절제로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,
    상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.001 내지 1 중량%인 것인,
    연마용 슬러리 조성물.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6159077A (en) * 1999-07-30 2000-12-12 Corning Incorporated Colloidal silica polishing abrasive
US20060032147A1 (en) * 2004-08-16 2006-02-16 Jae-Hyun So Method of preparing slurry composition for chemical mechanical polishing
JP2008213140A (ja) * 2000-12-01 2008-09-18 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法並びに研磨パッド用クッション層
KR20120098903A (ko) * 2007-03-14 2012-09-05 생-고벵 아브라시프 연마지석 제품의 제조방법
KR20140004307A (ko) * 2012-07-02 2014-01-13 주식회사 케이씨텍 산화세륨 입자 제조 방법, 이에 의한 산화세륨 입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001198832A (ja) * 2000-01-14 2001-07-24 Taimei Chemicals Co Ltd 研磨材
JPWO2003070853A1 (ja) * 2002-02-20 2005-06-09 日本ミクロコーティング株式会社 研磨スラリー

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6159077A (en) * 1999-07-30 2000-12-12 Corning Incorporated Colloidal silica polishing abrasive
JP2008213140A (ja) * 2000-12-01 2008-09-18 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法並びに研磨パッド用クッション層
US20060032147A1 (en) * 2004-08-16 2006-02-16 Jae-Hyun So Method of preparing slurry composition for chemical mechanical polishing
KR20120098903A (ko) * 2007-03-14 2012-09-05 생-고벵 아브라시프 연마지석 제품의 제조방법
KR20140004307A (ko) * 2012-07-02 2014-01-13 주식회사 케이씨텍 산화세륨 입자 제조 방법, 이에 의한 산화세륨 입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리

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