WO2016080768A1 - 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프 - Google Patents

발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프 Download PDF

Info

Publication number
WO2016080768A1
WO2016080768A1 PCT/KR2015/012428 KR2015012428W WO2016080768A1 WO 2016080768 A1 WO2016080768 A1 WO 2016080768A1 KR 2015012428 W KR2015012428 W KR 2015012428W WO 2016080768 A1 WO2016080768 A1 WO 2016080768A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
light
emitting device
substrate
electrodes
Prior art date
Application number
PCT/KR2015/012428
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
이윤섭
김다혜
이상홍
박병규
김대욱
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020140161072A external-priority patent/KR102306802B1/ko
Priority claimed from KR1020140161071A external-priority patent/KR102341366B1/ko
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to CN201580062657.3A priority Critical patent/CN107210344B/zh
Priority to EP15861575.7A priority patent/EP3239592B1/en
Priority to US15/528,023 priority patent/US10323803B2/en
Publication of WO2016080768A1 publication Critical patent/WO2016080768A1/ko
Priority to US16/116,354 priority patent/US10274143B2/en
Priority to US16/443,032 priority patent/US10655801B2/en
Priority to US16/851,704 priority patent/US10907789B2/en

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/141—Light emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60Q—ARRANGEMENT OF SIGNALLING OR LIGHTING DEVICES, THE MOUNTING OR SUPPORTING THEREOF OR CIRCUITS THEREFOR, FOR VEHICLES IN GENERAL
    • B60Q1/00—Arrangement of optical signalling or lighting devices, the mounting or supporting thereof or circuits therefor
    • B60Q1/0029—Spatial arrangement
    • B60Q1/0041—Spatial arrangement of several lamps in relation to each other
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60Q—ARRANGEMENT OF SIGNALLING OR LIGHTING DEVICES, THE MOUNTING OR SUPPORTING THEREOF OR CIRCUITS THEREFOR, FOR VEHICLES IN GENERAL
    • B60Q1/00—Arrangement of optical signalling or lighting devices, the mounting or supporting thereof or circuits therefor
    • B60Q1/26—Arrangement of optical signalling or lighting devices, the mounting or supporting thereof or circuits therefor the devices being primarily intended to indicate the vehicle, or parts thereof, or to give signals, to other traffic
    • B60Q1/2607—Arrangement of optical signalling or lighting devices, the mounting or supporting thereof or circuits therefor the devices being primarily intended to indicate the vehicle, or parts thereof, or to give signals, to other traffic comprising at least two indicating lamps
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S10/00—Lighting devices or systems producing a varying lighting effect
    • F21S10/02—Lighting devices or systems producing a varying lighting effect changing colors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F21S2/005—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
    • F21S43/10—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by the light source
    • F21S43/13—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S43/14—Light emitting diodes [LED]
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
    • F21S43/30—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by reflectors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2113/00—Combination of light sources
    • F21Y2113/10—Combination of light sources of different colours
    • F21Y2113/13—Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and a vehicle lamp including the same, and more particularly, to a light emitting device capable of emitting light of two or more different wavelengths and a vehicle lamp including the same.
  • Light emitting diodes are inorganic semiconductor devices that emit light generated by recombination of electrons and holes. Recently, light emitting diodes are used in various fields such as displays, automobile lamps, and general lighting. Light emitting diodes have a long lifetime, low power consumption, and fast response times, so that light emitting devices including light emitting diodes are expected to replace conventional light sources.
  • the general light emitting diodes generally emit light close to a single color. Therefore, in order for one light emitting module or a light emitting device to emit various colors as necessary, light emitting diode packages for emitting light of different colors must be installed in one module.
  • An object of the present invention is to provide a light emitting device including at least two light emitting parts.
  • Another object of the present invention is to provide a vehicle lamp having a combination lamp that can perform a plurality of functions by allowing light having at least two colors to be emitted from one light emitting device.
  • Another object of the present invention is to provide a light emitting device having high heat dissipation efficiency and high reliability.
  • a light emitting device the first light emitting unit; A second light emitting part spaced apart from the first light emitting part; A side wall part surrounding side surfaces of the first and second light emitting parts and contacting side surfaces of the first and second light emitting parts, wherein the first light emitting part and the second light emitting part emit light having different peak wavelengths; .
  • the light emitting device may further include a substrate, and the first and second light emitting parts and the sidewall part may be positioned on the substrate.
  • the substrate may include first to fourth electrodes, wherein the first and second electrodes are electrically connected to the first light emitting part, and the third and fourth electrodes are electrically connected to a second light emitting part.
  • first and second electrodes are electrically connected to the first light emitting part
  • third and fourth electrodes are electrically connected to a second light emitting part.
  • first to fourth electrodes may be insulated from each other, and each of the first to fourth electrodes may be exposed to an outer surface of the substrate.
  • the substrate may comprise AlN.
  • the first light emitting part may include a first light emitting device and a first wavelength converting part positioned on the first light emitting device, and the second light emitting part may be located on the second light emitting device and the second light emitting device. It may include a second wavelength conversion unit.
  • the first wavelength converting part may further cover a side surface of the first light emitting device, and the second wavelength converting part may further cover a side surface of the second light emitting device.
  • the first and second light emitting devices may each include pad electrodes disposed on a bottom surface thereof.
  • the sidewall portion may surround a portion of a lower surface of each of the first and second light emitting devices and side surfaces of the pad electrodes.
  • Each of the first and second light emitting units may be formed in plurality.
  • the first light emitting part may emit white light
  • the second light emitting part may emit amber color light
  • the sidewall portion may include a light reflective material.
  • Side surfaces of the sidewall portions may be flush with the side surfaces of the substrate.
  • an upper surface of the sidewall portion may be parallel to an upper surface of the first and second light emitting portions.
  • the thickness of the side wall portion filling the space between the first light emitting portion and the spaced apart portion of the second light emitting portion is the thickness of the side wall portion corresponding to the shortest distance from the outer side surface of the side wall portion to the side surface of one of the first and second light emitting portions. Can be less than
  • a vehicle lamp includes a combination lamp that emits light of at least two or more colors and has at least two functions, wherein the combination lamp comprises: a first light emitting unit; A second light emitting part spaced apart from the first light emitting part; A sidewall part surrounding side surfaces of the first and second light emitting parts and contacting side surfaces of the first and second light emitting parts, wherein the first light emitting part and the second light emitting part emit light having different peak wavelengths; And a light emitting device, wherein the function of the combination lamp at the time of emitting light of the first light emitting part and at the time of emitting light of the second light emitting part is different from each other.
  • the first light emitting part may emit light when the combination lamp functions as a daytime running light DRL, and the second light emitting part may emit light when the combination lamp functions as a turn signal.
  • the first light emitting part may emit white light
  • the second light emitting part may emit amber color light
  • the light emitting device may further include a substrate, and the first and second light emitting parts and the sidewall part may be positioned on the substrate.
  • the vehicle lamp may further include a controller for controlling the light emitting device.
  • a light emitting device includes: a substrate; A first light emitting part on the substrate, the first light emitting part including a first light emitting device and a first wavelength conversion part on the light emitting device; A second light emitting part on the substrate, spaced apart from the first light emitting part, and including a second light emitting element and a second wavelength conversion part positioned on the light emitting element; A first bonding part disposed between the first light emitting part and the substrate; A second junction located between the second light emitting part and the substrate; And sidewalls surrounding side surfaces of the first and second light emitting parts and contacting side surfaces of the first and second light emitting parts, wherein the first light emitting part and the second light emitting part emit light having different peak wavelengths.
  • the first and second joining portions each include a metal sintered body including metal particles.
  • the metal particles may include Ag particles.
  • the substrate may include first to fourth electrodes, wherein the first and second electrodes are electrically connected to the first light emitting part, and the third and fourth electrodes are electrically connected to a second light emitting part. Can be.
  • the first to fourth electrodes may be insulated from each other, and each of the first to fourth electrodes may be exposed to an outer surface of the substrate.
  • the first light emitting part may emit white light.
  • the second light emitting unit may emit amber light.
  • the first and second light emitting devices may each include pad electrodes disposed on a bottom surface thereof.
  • the first junction covers a lower surface and at least some side surfaces of the pad electrodes positioned under the first light emitting device
  • the second junction covers a lower surface and at least some side surfaces of the pad electrodes positioned under the second light emitting device.
  • Some side surfaces of the first junction part may be parallel to the side surface of the first light emitting device, and some side surfaces of the second junction part may be parallel to the side surface of the second light emitting device.
  • the pad electrodes of each of the first and second light emitting devices may include a first pad electrode and a second pad electrode, and the first pad electrode and the second pad electrode are respectively the first pad electrode and the second pad electrode.
  • the pad electrode may include opposing side surfaces, and the first and second bonding parts may include a first bonding layer and a second bonding layer, respectively.
  • One side of the first bonding layer may be positioned parallel to the opposite side of the first pad electrode, and one side of the second bonding layer is positioned parallel to the opposite side of the second pad electrode. can do.
  • the first bonding layer may cover other sides except for the opposing side of the first pad electrode, and other sides of the first bonding layer may be parallel to the side of the light emitting device, and the second bonding layer may be Covering other side surfaces except for the opposing side surface of the second pad electrode, the other side surface of the second bonding layer may be located parallel to the side surface of the light emitting device.
  • the first and second junctions may have a thickness of 10 to 30 ⁇ m.
  • a light emitting device that selectively emits light of different colors may be provided as needed, so that separately manufacturing at least two or more light emitting devices that emit light of different colors may be omitted, thereby manufacturing process This can be simplified.
  • the manufacturing process of the combination lamp that can perform a plurality of functions in one lamp can be simplified, the defect can be reduced.
  • a light emitting device including a bonding layer containing a metal particle sintered body, a light emitting device having excellent heat dissipation efficiency and effectively preventing electrical shorts and the like can be provided.
  • FIG. 1 is a perspective view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a bottom plan view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • 5A and 5B are cross-sectional views illustrating light emitting devices according to other exemplary embodiments of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view illustrating a light emitting device according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 8A and 8B are enlarged cross-sectional views illustrating a bonding layer of a light emitting device according to other embodiments of the present invention.
  • 9 to 12 are a perspective view, a plan view, a bottom plan view and a sectional view for explaining a light emitting device according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a front view illustrating a vehicle lamp according to another embodiment of the present invention.
  • the mounting process of the LED package emitting different colors should be performed at least twice. As the number of processes increases, the manufacturing yield of the light emitting module or light emitting device may be reduced. In addition, as the plurality of light emitting diode packages are mounted, the volume of the light emitting module or the light emitting device is inevitably increased.
  • three or more light emitting diode packages are required to increase the light emission intensity of the light emitting module or the light emitting device, and when there is a difference in light emission characteristics of each light emitting diode package, variations in light emission colors may occur between manufactured light emitting modules. .
  • the number of mountable LED packages is also limited, making it difficult to manufacture a light emitting module or a light emitting device that emits a sufficient amount of light required by a user.
  • a process of bonding the light emitting diode to the substrate using a material having electrical conductivity is required.
  • a method of bonding a flip-chip type light emitting diode to a substrate a conductive paste is used, an eutectic bonding is used, or an Au bump ball bonding method is used.
  • FIGS. 1 to 4 are a perspective view, a plan view, a bottom plan view, and a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to an embodiment of the present invention, respectively.
  • the cross-sectional view of FIG. 4 shows a cross section of the region corresponding to the line A-A of FIGS. 1 to 3.
  • the light emitting device 10 may include at least two light emitting units. Specifically, the light emitting device 10 may include a first light emitting unit 100, a second light emitting unit 200, The side wall portion 300 is included. Furthermore, the light emitting device 10 may further include a substrate 400 and a protection element 310.
  • the substrate 400 may be located at the bottom of the light emitting device 10, and may support the first and second light emitting parts 100 and 200 and the sidewall part 300.
  • the substrate 400 may be an insulating or conductive substrate, and may also be a PCB including a conductive pattern.
  • the substrate 400 may include a polymer material or a ceramic material.
  • the substrate 400 may include a ceramic material having excellent thermal conductivity such as AlN.
  • the substrate 400 may include a base 410, and may further include first to fourth electrodes 421, 431, 423, and 433.
  • the base 410 may serve to support the substrate 400 and the electrodes 421, 431, 423, 433 as a whole, and to insulate the electrodes 421, 431, 423, 433 from each other. It may include a substance.
  • the base 410 may include a ceramic material such as AlN having excellent thermal conductivity.
  • the first to fourth electrodes 421, 431, 423, and 433 may be insulated from each other, and penetrate the base 410 up and down to be exposed on the upper and lower portions of the base 410. Accordingly, the electrodes 421, 431, 423, and 433 may be electrically connected to the first and second light emitting parts 100 and 200 positioned on the substrate 400, and may also be lower than the bottom of the substrate 400. The first and second light emitting units 100 and 200 may be electrically connected to the external power through the exposed portion.
  • the present invention is not limited thereto, and the first to fourth electrodes 421, 431, 423, and 433 may have various shapes.
  • at least one of the first to fourth electrodes 421, 431, 423, 433 may be exposed through the side of the base 410, and the first to fourth electrodes 421, 431, At least some of the 423, 433 may be electrically connected to each other.
  • the light emitting device 10 may include five or more electrodes. The electrical connection form between the light emitting parts 100 and 200 and the electrodes will be described in detail later.
  • the substrate 400 may be omitted.
  • the light emitting device 10 may include at least two light emitting units, and may include the first light emitting unit 100 and the second light emitting unit 200 as in the present embodiment. have.
  • the first light emitter 100 and the second light emitter 200 may be positioned on the substrate 400.
  • the first light emitting unit 100 may include a first light emitting device 110 and a first wavelength converter 120.
  • the first light emitting device 110 may include a light emitting structure 111, a first pad electrode 113, and a second pad electrode 115.
  • the first light emitter 100 may emit light having a wavelength different from that of the second light emitter 200.
  • the first light emitter 100 may emit white light.
  • the light emitting structure 111 may include an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and an active layer positioned between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, and thus, power may be supplied to the first light emitting element 110. When supplied, light may be emitted.
  • the first pad electrode 113 and the second pad electrode 115 may be electrically connected to the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer (or vice versa), respectively.
  • the first pad electrode 113 and the second pad electrode 115 may be formed to extend downward from the light emitting structure 111. Accordingly, the first and second pad electrodes 113 and 115 may be formed. It may be located below the first light emitting device 110.
  • first and second pad electrodes 113 and 115 may be positioned on substantially the same plane as the bottom surface of the light emitting structure 111.
  • first and second pad electrodes 113 and 115 may be positioned higher than the bottom surface of the light emitting structure 111.
  • grooves may be formed on the bottom surface of the light emitting structure 111, and the first and second pad electrodes 113 and 115 may be exposed in the grooves.
  • the structural shape of the first light emitting device 110 is not limited, and, for example, a flip chip type semiconductor in which the first pad electrode 113 and the second pad electrode 115 are positioned on one surface of the light emitting structure 111. It may be a light emitting device.
  • the first and second pad electrodes 113 and 115 may be electrically connected to the first electrode 421 and the second electrode 431 of the substrate 400, respectively. Accordingly, power may be supplied to the first light emitting device 110 through the first and second electrodes 421 and 431.
  • the first wavelength converter 120 may be positioned on the first light emitting device 110 and may cover at least a portion of an upper surface of the first light emitting device 110. Furthermore, the first wavelength converter 120 may be formed to have substantially the same area as the top surface of the first light emitting device 110, and thus, as illustrated, the side surface of the first light emitting device 110 and the first wavelength may be formed. Sides of the converter 120 may be formed generally side by side.
  • the first wavelength converter 120 may include a phosphor and a support part supporting the phosphor.
  • the first wavelength converting unit 120 may be a variety of phosphors well known to those skilled in the art, for example, garnet-type phosphors, aluminate phosphors, sulfide phosphors, oxynitride phosphors, nitride phosphors, fluoride phosphors, silicate phosphors, and the like.
  • the light emitted from the first light emitting device 110 may be wavelength-converted so that white light may be emitted from the first light emitting part 100.
  • the first wavelength converter 120 may have light having a peak wavelength longer than blue light (for example, green light). , Red light or yellow light).
  • blue light for example, green light
  • the first wavelength converter 120 may have light having a peak wavelength longer than that of the UV light (for example, blue light, Green light, red light or yellow light).
  • the supporting part may include a polymer resin, a ceramic such as glass, or the like.
  • the phosphor may be randomly disposed in the supporting portion.
  • the first wavelength conversion part 120 may be provided by applying and curing a resin including a phosphor on the first light emitting device 110. .
  • the first wavelength converter 120 may include a single crystal material.
  • the first wavelength conversion unit 120 including the single crystal material may be provided in the form of a phosphor sheet, and the first wavelength conversion unit 120 in the form of the sheet may be made of a single crystal phosphor.
  • Light passing through the first wavelength converter 120 including the single crystal phosphor may emit light having a predetermined color coordinate.
  • the single crystal phosphor may be single crystal YAG: Ce.
  • the sheet-shaped first wavelength converter 120 may be formed by being bonded to the first light emitting device 110.
  • the second light emitting unit 200 may be positioned on the substrate 400 and may be spaced apart from the first light emitting unit 100.
  • the second light emitting unit 200 may include a second light emitting device 210 and a second wavelength converter 220.
  • the second light emitting device 210 may include a light emitting structure 211, a third pad electrode 213, and a fourth pad electrode 215.
  • the second light emitting unit 200 may emit light having a wavelength different from that of the first light emitting unit 100, and may emit light of an amber color, for example.
  • the light emitting structure 211, the third pad electrode 213, and the fourth pad electrode 215 of the second light emitting device 210 are described with the light emitting structure 111 and the first light emitting device of the first light emitting device 110, respectively. It is generally similar to the pad electrode 113 and the second pad electrode 115. However, the third pad electrode 213 may be electrically connected to the third electrode 423, and the fourth pad electrode 215 may be electrically connected to the fourth electrode 433.
  • the first light emitting device 110 and the second light emitting device 120 may be electrically connected to separate electrodes 421, 431, 423, and 433, respectively.
  • the first light emitting unit 100 and the second light emitting unit 200 may be independently driven by separately connecting power supplied to the electrodes 421, 431, 423, and 433.
  • the present invention is not limited thereto, and the electrodes 421, 431, 423, and 433 may be electrically connected to each other.
  • the light emitting device 10 may further include a separate controller (not shown), and the driving of the first light emitting unit 100 and the second light emitting unit 200 may be controlled by the controller.
  • the description related to the second wavelength converter 220 is generally the same as the first wavelength converter 120, but the phosphor included in the second wavelength converter 220 is included in the first wavelength converter 120. Different phosphors.
  • the second wavelength converter 220 may include phosphors included in the first wavelength converter 120. And other phosphors. Accordingly, the light emitted from the second light emitting device 210 may be excited by the second wavelength converter 220 and emitted from the second light emitting part 200 to light having a peak wavelength of the amber light band.
  • the second wavelength converter 220 may not include a phosphor.
  • the second wavelength conversion unit 220 when the wavelength band of the light to be emitted by the second light emitting unit 200 substantially coincides with the emission light wavelength band of the second light emitting device 210, the second wavelength conversion unit 220 includes a phosphor. You may not.
  • the second wavelength converter 220 may include a light scattering agent such as TiO 2 .
  • the first and second wavelength converters 120 and 220 may be formed on top surfaces of the first and second light emitting devices 110 and 210, respectively. It may be formed in a larger area, and may further cover the side of the first and second light emitting devices (110, 210).
  • the first and second wavelength conversion parts 120a and 220a are formed to have a larger area than the top surfaces of the first and second light emitting devices 110 and 210, respectively. Can be. Accordingly, an area in which light is emitted from the first and second light emitting parts 100a and 200a may be formed to be relatively wider.
  • the first and second wavelength conversion parts 120b and 220b are formed to further cover side surfaces of the first and second light emitting devices 110 and 210, respectively. Can be.
  • first and second wavelength converters 120b and 220b may further cover at least a portion of the lower surfaces of the first and second light emitting devices 110 and 210, respectively.
  • the first and second wavelength converters 120b and 220b may surround side surfaces of the pad electrodes. In this case, light emitted from the side of the light emitting device may be immediately incident on the wavelength conversion portion, and the wavelength conversion efficiency may be further improved.
  • the sidewall part 300 may cover side surfaces of the first and second light emitting devices 110 and 210, and may further cover side surfaces of the first and second wavelength conversion parts 120 and 220.
  • the sidewall part 300 may contact the first and second light emitting parts 100 and 200.
  • a part of the sidewall part 300 may further cover a part of the lower surfaces of the first and second light emitting devices 110 and 210, and the side surfaces of the pad electrodes 113, 115, 213, and 215 may be sidewalls. It may be surrounded by the part 300.
  • the side wall part 300 may support the first and second light emitting parts 100 and 200, and may also protect the first and second light emitting parts 100 and 200 from an external environment. Furthermore, the side wall part 300 may serve to reflect light. Since the sidewall part 300 is formed on the outer side of the light emitting device 10, the light emitted from the light emitting parts 100 and 200 may be concentrated upward. However, the present invention is not limited thereto, and as necessary, the reflectance, the light transmittance, and the like of the sidewall part 300 may be adjusted to adjust the directing angles of the light emitted from the light emitting parts 100 and 200.
  • the sidewall portion 300 may include an insulating polymer material or a ceramic, and may further include a filler capable of reflecting or scattering light.
  • the sidewall part 300 may have light transmissive, light semitransparent or light reflective.
  • the sidewall part 300 may include a silicone resin or a polymer resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, a urethane resin, or the like.
  • the side wall part 300 may include a white silicone resin having light reflectivity.
  • the filler may be uniformly distributed in the sidewall portion 300.
  • the filler is not limited as long as it is a material capable of reflecting or scattering light.
  • the filler may be titanium oxide (TiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), or zirconium oxide (ZrO 2 ).
  • the side wall part 300 may include at least one of the fillers. By adjusting the type or concentration of the filler, the reflectivity of the sidewall portion 300 or the degree of scattering of light can be adjusted.
  • top surface of the sidewall part 300 and the top surfaces of the first and second light emitting parts 100 and 200 may have the same height. That is, as illustrated, the top surface of the sidewall portion 300 and the top surface of the wavelength conversion parts 120 and 220 may be flush with each other.
  • the thickness of the sidewall portion 300 formed between the first light emitting portion 100 and the second light emitting portion 200 may be smaller than the thickness of the outer side edge portion of the sidewall portion 300. That is, as shown in FIG. 2, the thickness x of the side wall 300 filling the spaced apart region of the first light emitting part 100 and the second light emitting part 200 is determined from the outer side surface of the side wall part 300. It may be smaller than the thickness y corresponding to the shortest distance to one side of one of the first and second light emitting parts 100 and 200. Accordingly, the light emitting device 10 may be further miniaturized by minimizing the separation distance between the first and second light emitting parts 100 and 200, and further, the first and second light emitting parts 100 and 200 may be separated from the outside. More effective protection.
  • the light emitting device 10 may further include a protection element 310.
  • the protection element 310 may be disposed in the sidewall part 300 and may include, for example, a zener diode.
  • the protection element 310 may be electrically connected to at least one of the first and second light emitting elements 110 and 120 to prevent the first and second light emitting elements 110 and 120 from being damaged due to electrostatic discharge. Can be.
  • the protection element 310 may be separately connected to each of the first and second light emitting devices 110 and 120, or may be simultaneously connected to the first and second light emitting devices 110 and 120.
  • the protection element 310 may be positioned at least one side of the sidewall part 300.
  • the protection element 310 may be positioned in the sidewall portion 300, biased to one side of the sidewall portion 300. Accordingly, the distance from one side of the side wall portion 300 where the protection element 310 is offset to the light emitting portions 100 and 200 is from the other side of the side wall portion 300 to the light emitting portions 100 and 200. It can be greater than the distance. That is, the sidewall thickness of the sidewall portion 300 of the portion where the protection element 310 is located may be thicker than the sidewall thickness of the other portion.
  • the light emitting devices 10, 10a, and 10b include a first light emitting part 100 and a second light emitting part 200 which are spaced apart from each other on the substrate 400.
  • the first and second light emitting parts 100 and 200 are electrically connected to different electrodes, respectively. Accordingly, the first light emitter 100 and the second light emitter 200 may be driven independently of each other, and a light emitting device 10 may be provided to selectively emit light of a different color as needed.
  • separately manufacturing at least two or more light emitting devices emitting light of different colors can be omitted, thereby simplifying the manufacturing process.
  • only one light emitting device can emit light of a plurality of colors, it is possible to reduce the spatial ratio occupied by the light emitting device in a specific application.
  • the light emitting device 10c may include a plurality of first light emitting units 100 and a plurality of second light emitting units 200.
  • the plurality of first light emitting units 100 may be connected to each other in series or in parallel, and the plurality of second light emitting units 200 may also be connected to each other in series or in parallel.
  • the light emitting device 10c since the light emitting device 10c includes three or more light emitting parts, the light emission intensity of the light emitting device 10c may be improved.
  • the light emitting device of the present invention may include light emitting parts emitting light of three or more kinds of colors.
  • FIGS. 2A and 2B are enlarged cross-sectional views illustrating a bonding layer of a light emitting device according to various embodiments of the present disclosure.
  • the light emitting device 10d is generally similar to the first light emitting part 100 of the light emitting device described with reference to FIGS. 1 to 4, but differs in that it further includes a bonding layer 130. .
  • the light emitting device of the present embodiment will be described based on the differences, and detailed description of the same configuration will be omitted.
  • a light emitting device 10d including a single light emitting portion will be described, but the present invention is not limited thereto.
  • the bonding layer 130 of the present embodiment may be similarly or identically applied to a light emitting device including a plurality of light emitting units.
  • the light emitting device 10d includes a first light emitting part 100 including a light emitting element 110 and a wavelength converting part 120, a bonding layer 130, a sidewall part 300, and And a substrate 400. Furthermore, the light emitting device 10d may further include a protection element (not shown).
  • the light emitting device 110 may be positioned on the substrate 400 and may include a light emitting structure 111. In addition, the light emitting device 110 may further include a first pad electrode and a second pad electrode. The light emitting device 110 may be mounted on the substrate 400 by the bonding layer 130.
  • the structural shape of the light emitting device 110 is not limited, and may be, for example, a flip chip type semiconductor light emitting device in which pad electrodes are positioned on one surface of the light emitting structure 111.
  • the bonding layer 130 may be positioned between the light emitting element 110 and the substrate 400, and the light emitting element 110 may be bonded to the substrate 400 to be mounted.
  • the bonding layer 130 may include a first bonding layer 131 and a second bonding layer 133.
  • the first and second bonding layers 131 and 133 may be insulated from and spaced apart from each other, and may be electrically connected to semiconductor layers having different polarities of the light emitting structure 111, respectively.
  • the first and second bonding layers 131 and 133 may be positioned on the first electrode 421 and the second electrode 431 of the substrate 400 and may be electrically connected to each other.
  • the bonding layer 130 may include a material having electrical conductivity, and in particular, may include a metal sintered body.
  • the bonding layer 130 may include an Ag sintered body formed by sintering Ag particles.
  • the bonding layer 130 forms a plurality of Ag sintered film on a portion of the substrate 400 corresponding to the region where the bonding layer 130 is formed, and arranges the light emitting device 110 on the Ag sintered film.
  • the Ag sintered film may be formed by applying a low temperature and / or pressure to cure. Accordingly, the light emitting device 110 may be bonded to the substrate 400 by the bonding layer 130.
  • the bonding layer 130 formed from the metal sintered body film is cured after arranging the light emitting element 110, there is almost no change in volume or change in position. Therefore, the first bonding layer 131 and the second bonding layer 133 are in contact with each other in the process of mounting the light emitting device 110 as in the conventional paste, thereby preventing the electrical short.
  • the pre-fabricated sintered body film is used, no pores or pores are generated in the bonding layer 130 during the mounting of the light emitting device 110, so that the heat dissipation efficiency of the bonding layer 130 may be prevented from decreasing. It is possible to prevent the mechanical strength from falling.
  • the thickness of the sintered body film formed by the bonding layer 130 can be freely adjusted, the thickness of the sintered body film can be thickened to improve heat dissipation efficiency when driving the light emitting device 110.
  • the thickness of the bonding layer 130 may be about 10 to 30 ⁇ m. Since the light emitting device having improved heat emission efficiency is provided, the light emitting device according to the embodiment may be usefully applied to an application requiring a high power light emitting device, for example, a vehicle head lamp. In addition, curing the metal sintered film may be performed at a relatively low pressure and low temperature, so that the light emitting device 110 may be damaged by high temperature or high pressure in the process of contacting the light emitting device 110 to the substrate 400. There is no.
  • the light emitting device 110 may further include a first pad electrode 113 and a second pad electrode 115 formed on the bottom surface of the light emitting structure 111, and the light emitting device 110 may include the pad electrodes 113.
  • the bonding layer 130 will be described in more detail with reference to FIGS. 8A and 8B.
  • the first pad electrode 113 and the second pad electrode 115 may be electrically connected to the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer (or vice versa), respectively.
  • the first pad electrode 113 and the second pad electrode 115 may be formed to extend downward from the light emitting structure 111. Accordingly, the first and second pad electrodes 113 and 115 may be formed. It may be located below the first light emitting device 110.
  • the first and second pad electrodes 113 and 115 may be positioned on substantially the same plane as the bottom surface of the light emitting structure 111.
  • the first and second pad electrodes 113 and 115 may be positioned higher than the bottom surface of the light emitting structure 111. In this case, grooves may be formed on the bottom surface of the light emitting structure 111, and the first and second pad electrodes 113 and 115 may be exposed in the grooves.
  • the first and second pad electrodes 113 and 115 may be electrically connected to the first electrode 421 and the second electrode 431 of the substrate 400, respectively.
  • the pad electrodes 113 and 115 may be electrically connected to the electrodes 421 and 431 by the bonding layer 130.
  • the first and second pad electrodes 113 and 115 may be in contact with the first bonding layer 131a and the second bonding layer 133a, respectively.
  • the first bonding layer 131a may cover at least a portion of the first pad electrode 113, and in particular, the first bonding layer 131a may cover a portion of the bottom and side surfaces of the first pad electrode 113.
  • the second bonding layer 133a may cover at least a portion of the second pad electrode 115, and in particular, the second bonding layer 133a may be a portion of the bottom and side surfaces of the second pad electrode 115. Can cover.
  • first bonding layer 131a and the second bonding layer 133a may have side surfaces of the first and second pad electrodes 113 and 115 where the first and second pad electrodes 113 and 115 face each other. Can cover all other aspects except for. That is, as shown, one side of the first bonding layer 131a does not cover the side opposite to the first and second pad electrodes 113 and 115 of the side of the first pad electrode 113, It may be formed in parallel with the opposite side.
  • the second bonding layer 133a may also be formed in parallel with the opposing side surfaces of the second pad electrode 113 without the first and second pad electrodes 113 and 115 covering the opposing side surfaces. have.
  • other side surfaces except for one side surface of the first bonding layer 131a may be formed to be parallel to the side surface of the light emitting device 110, and other side surfaces except for one side surface of the second bonding layer 133a may be formed of a light emitting device ( It may be formed parallel to the side of the (110).
  • the bonding layer 130a is not positioned in the separation area between the first pad electrode 113 and the second pad electrode 115, electrical short may be prevented when the light emitting device 110 is mounted.
  • the bonding layer 130b may be formed to cover the bottom and side surfaces of the first and second pad electrodes 113 and 115.
  • the horizontal cross-sectional area of the bonding layer 130b may be widened, thereby improving heat dissipation efficiency when the light emitting device 10 is driven.
  • the sidewall portion 300 may be at least partially in contact with the adhesive portion 130.
  • the side wall part 300 of the part contacting the side surface of the adhesive part 130 may be inclined. Therefore, the luminous efficiency of the light emitting device 10 can be further improved.
  • the present invention is not limited thereto, and as necessary, the reflection angle, the light transmittance, and the like of the sidewall part 300 may be adjusted to adjust the directing angle of the light emitted from the light emitting part 100.
  • the adhesive part 130 described in the above-described embodiment may be applied to the light emitting device as shown in FIGS. 1 to 4.
  • 9 to 12 are a perspective view, a plan view, a bottom plan view, and a cross-sectional view for describing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 10e described with reference to FIGS. 9 to 12 is different from the light emitting device 10 described with reference to FIGS. 1 to 4 in that it further includes adhesive parts 130 and 230.
  • the light emitting device 10e will be described based on differences, and detailed descriptions of the same configuration will be omitted.
  • the light emitting device 10e may include at least two light emitting units. Specifically, the light emitting device 10e may include the first light emitting unit 100, the second light emitting unit 200, The first bonding layer 130, the second bonding layer 230, the sidewall part 300, and the substrate 400 are included. Furthermore, the light emitting device 10e may further include a protection element 310.
  • the first light emitting unit 100 may include a light emitting structure 111, a first pad electrode 113, and a second pad electrode 115.
  • the second light emitting unit 200 may include a light emitting structure 211 and a second light emitting structure.
  • the third pad electrode 213 and the fourth pad electrode 215 may be included.
  • the first bonding layer 130 may be positioned between the first light emitting part 100 and the substrate 400 to bond the first light emitting part 100 to the substrate 400.
  • the second bonding layer 230 may be positioned between the second light emitting part 200 and the substrate 400 to bond the second light emitting part 200 to the substrate 400.
  • the first and second bonding layers 130 and 230 may include a metal sintered body in which metal particles are sintered, and in particular, an Ag sintered body in which Ag particles are sintered.
  • the light emitting devices 10, 10a, 10b, 10c, 10d, and 10e include at least two light emitting parts spaced apart from each other on the substrate 400.
  • the light emitting devices 10, 10a, 10b, 10c, 10d, and 10e include a first light emitting part 100 and a second light emitting part 200, and the first and second light emitting parts 100 and 200.
  • the first light emitter 100 and the second light emitter 200 may be driven independently of each other, and a light emitting device 10a that selectively emits light of a different color may be provided as necessary.
  • separately manufacturing at least two or more light emitting devices emitting light of different colors can be omitted, thereby simplifying the manufacturing process. Furthermore, since only one light emitting device can emit light of a plurality of colors, it is possible to reduce the spatial ratio occupied by the light emitting device in a specific application.
  • the light emitting device is not limited to the above-described embodiment and may include three or more light emitting parts.
  • the light emitting device may include first to third light emitting parts, and the first to third light emitting parts may emit light having different color coordinates.
  • at least two light emitting units of the plurality of light emitting units may emit light having the same color coordinate.
  • the light emitting device described in the above embodiments may emit light of two or more colors from one light emitting device.
  • a light emitting device may be applied to an application device requiring a plurality of emission colors, and for example, may be applied to a vehicle lamp.
  • a vehicle lamp including a light emitting device according to embodiments of the present invention will be described with reference to FIG. 13.
  • FIG. 13 is a front view illustrating a vehicle lamp according to another embodiment of the present invention.
  • the vehicle lamp 20 may include a combination lamp 23, and further may further include a main lamp 21.
  • the vehicle lamp 20 may be applied to various parts of a vehicle such as a headlight, a backlight, or a side mirror light.
  • the main lamp 21 may be a main light in the vehicle lamp 20, and, for example, when the vehicle lamp 20 is used as a headlight, the main lamp 21 may serve as a headlight for illuminating the front of the vehicle.
  • the combination lamp 23 may include a light emitting device 10 according to embodiments of the present invention.
  • the light emitting device 10 may include at least one of the light emitting devices 10, 10a, 10b, 10c, 10d, and 10e according to the above-described embodiments.
  • the combination lamp 23 may serve at least two functions. For example, when the vehicle lamp 20 is used as a headlight, the combination lamp 23 may function as a daytime running light (DRL) and a turn signal.
  • DDL daytime running light
  • the light emitting device 10 of the combination lamp 23 emits light from the first light emitting unit 100 that emits white light. Emits. Accordingly, the combination lamp 23 may emit white light to function as a daytime running light.
  • the light emitting device 10 of the combination lamp 23 turns off the power of the first light emitting unit 100, and the second light emitting unit 200. Emits amber light. Accordingly, the combination lamp 23 may function as a turn signal by emitting light of amber color.
  • the driving of the combination lamp 23 and the light emitting device 10 may be controlled by a separate controller (not shown).
  • the light emitting device 10 may be used as a light source of the combination lamp 23 that emits two or more colors of light to perform at least two functions. Since the light emitting device 10 according to the embodiments of the present invention includes at least two light emitting parts emitting light of different wavelengths, two separate lamps are manufactured when the vehicle lamp 20 including the combination lamp 23 is manufactured. The process of mounting the above light emitting device can be omitted. Therefore, the defective rate of the vehicle lamp 20 can be reduced, and the manufacturing yield can be improved by simplifying the manufacturing process. In addition, since the volume of the light emitting device 10 is relatively small, spatial constraints in manufacturing the combination lamp 23 may be reduced, and various modifications and changes of the combination lamp 23 may be facilitated.
  • the present invention is not limited thereto, and the light emitting device may be applied to various other application mechanisms besides a vehicle lamp.
  • the present invention is not limited to the above-described various embodiments and features, and various modifications and changes may be made without departing from the technical spirit of the claims of the present invention.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광 장치 및 차량용 램프가 제공된다. 발광 장치는, 제1 발광부; 제1 발광부와 이격된 제2 발광부; 제1 및 제2 발광부의 측면을 둘러싸며, 제1 및 제2 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고, 제1 발광부와 제2 발광부는 서로 다른 피크 파장을 갖는 광을 방출한다.

Description

발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
본 발명은 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프에 관한 것으로, 특히, 두 종류 이상의 서로 다른 파장의 광을 방출할 수 있는 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합으로 발생하는 광을 발하는 무기 반도체 소자로서, 최근, 디스플레이, 자동차 램프, 일반 조명 등의 여러 분야에서 사용된다. 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비 전력이 낮으며, 응답 속도가 빨라서, 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치는 종래의 광원을 대체할 것으로 기대된다.
이러한 발광 다이오드는 상대적으로 좁은 반치폭을 갖는 광을 방출하므로, 일반적인 발광 다이오드는 대체로 단색에 가까운 광을 방출한다. 따라서 하나의 발광 모듈이나 발광 기구에서 필요에 따라 여러 색을 방출하도록 하려면, 서로 다른 색의 광을 방출하는 발광 다이오드 패키지 등을 하나의 모듈에 설치하여야 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 적어도 2 이상의 발광부를 포함하는 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 하나의 발광 장치에서 적어도 2 이상의 색을 갖는 광이 방출되도록 함으로써, 복수의 기능을 할 수 있는 콤비네이션 램프를 갖는 차량용 램프를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 열 방출 효율이 높고, 신뢰성이 높은 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 발광 장치는, 제1 발광부; 상기 제1 발광부와 이격된 제2 발광부; 상기 제1 및 제2 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고, 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부는 서로 다른 피크 파장을 갖는 광을 방출한다.
상기 발광 장치는, 기판을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 발광부, 및 상기 측벽부는 상기 기판 상에 위치할 수 있다.
상기 기판은 제1 내지 제4 전극을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 제1 발광부에 전기적으로 연결되고, 상기 제3 및 제4 전극은 제2 발광부에 전기적으로 연결될 수 있다.,
나아가, 상기 제1 내지 제4 전극은 서로 절연될 수 있으며, 상기 제1 내지 제4 전극 각각은 상기 기판의 외부 표면에 노출될 수 있다.
상기 기판은 AlN를 포함할 수 있다.
상기 제1 발광부는 제1 발광 소자, 및 상기 제1 발광 소자 상에 위치하는 제1 파장변환부를 포함할 수 있고, 상기 제2 발광부는 제2 발광 소자, 및 상기 제2 발광 소자 상에 위치하는 제2 파장변환부를 포함할 수 있다.
상기 제1 파장변환부는 상기 제1 발광 소자의 측면을 더 덮을 수 있고, 상기 제2 파장변환부는 상기 제2 발광 소자의 측면을 더 덮을 수 있다.
상기 제1 및 제2 발광 소자는 각각 그 하면에 위치하는 패드 전극들을 포함할 수 있다.
상기 측벽부는 상기 제1 및 제2 발광 소자 각각의 하면의 일부 및 패드 전극들의 측면을 둘러쌀 수 있다.
상기 제1 및 제2 발광부 각각은 복수로 형성될 수 있다.
상기 제1 발광부는 백색광을 방출하고, 상기 제2 발광부는 엠버색광을 방출할 수 있다.
상기 측벽부는 광 반사성 물질을 포함할 수 있다.
상기 측벽부의 측면은 상기 기판의 측면과 나란할(flush) 수 있다.
또한, 상기 측벽부의 상면은 상기 제1 및 제2 발광부의 상면과 나란할 수 있다.
상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부의 이격 영역 사이를 채우는 상기 측벽부의 두께는, 상기 측벽부의 외곽 측면으로부터 상기 제1 및 제2 발광부 중 하나의 측면까지의 최단 거리에 대응하는 측벽부의 두께보다 작을 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 차량용 램프는, 적어도 둘 이상의 색의 광을 방출하며, 적어도 둘 이상의 기능을 하는 콤비네이션 램프를 포함하고, 상기 콤비네이션 램프는, 제1 발광부; 상기 제1 발광부와 이격된 제2 발광부; 상기 제1 및 제2 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고, 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부는 서로 다른 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 장치를 포함하며, 상기 제1 발광부의 발광 시와 상기 제2 발광부의 발광 시의 콤비네이션 램프의 기능은 서로 다르다.
상기 제1 발광부는 상기 콤비네이션 램프가 주간주행등(DRL)으로 기능하는 경우에 발광하고, 상기 제2 발광부는 상기 콤비네이션 램프가 방향 지시등으로 기능하는 경우에 발광할 수 있다.
상기 제1 발광부는 백색광을 방출하고, 상기 제2 발광부는 엠버색광을 방출할 수 있다.
상기 발광 장치는 기판을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 발광부, 및 상기 측벽부는 상기 기판 상에 위치할 수 있다.
상기 차량용 램프는, 상기 발광 장치를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 제1 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 제1 파장변환부를 포함하는 제1 발광부; 상기 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광부와 이격되며, 제2 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 제2 파장변환부를 포함하는 제2 발광부; 상기 제1 발광부와 상기 기판 사이에 위치하는 제1 접합부; 상기 제2 발광부와 상기 기판 사이에 위치하는 제2 접합부; 및 상기 제1 및 제2 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고, 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부는 서로 다른 피크 파장을 갖는 광을 방출하고, 상기 제1 및 제2 접합부는 각각 금속 입자를 포함하는 금속 소결체를 포함한다.
상기 금속 입자는 Ag 입자를 포함할 수 있다.
상기 기판은 제1 내지 제4 전극을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 제1 발광부에 전기적으로 연결되고, 상기 제3 및 제4 전극은 제2 발광부에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 내지 제4 전극은 서로 절연되며, 상기 제1 내지 제4 전극 각각은 상기 기판의 외부 표면에 노출될 수 있다.
상기 제1 발광부는 백색광을 방출할 수 있다.
상기 제2 발광부는 엠버색광을 방출할 수 있다.
상기 제1 및 제2 발광 소자는 각각 그 하면에 위치하는 패드 전극들을 포함할 수 있다.
상기 제1 접합부는 상기 제1 발광 소자 아래에 위치하는 패드 전극들의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮고, 상기 제2 접합부는 상기 제2 발광 소자 아래에 위치하는 패드 전극들의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮을 수 있다.
상기 제1 접합부의 일부 측면은 상기 제1 발광 소자의 측면과 나란하고, 상기 제2 접합부의 일부 측면은 상기 제2 발광 소자의 측면과 나란할 수 있다.
상기 제1 및 제2 발광 소자 각각의 패드 전극들은 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함할 수 있고, 상기 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 각각, 상기 제1 패드 전극과 상기 제2 패드 전극이 대향하는 측면을 포함할 수 있으며, 상기 제1 및 제2 접합부는 각각 제1 접합층 및 제2 접합층을 포함할 수 있다.
상기 제1 접합층의 일 측면은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치할 수 있으며, 상기 제2 접합층의 일 측면은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치할 수 있다.
상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮으며, 상기 제1 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란할 수 있고, 상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮으며, 상기 제2 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란하게 위치할 수 있다.
상기 제1 및 제2 접합부는 10 내지 30㎛의 두께를 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 필요에 따라 선택적으로 다른 색의 광을 방출하는 발광 장치가 제공될 수 있어, 서로 다른 색의 광을 방출하는 적어도 둘 이상의 발광 장치를 별도로 제조하는 것을 생략할 수 있어, 제조 공정이 간소화될 수 있다.
또한, 상기 발광 장치를 차량용 램프에 적용하여, 하나의 램프에서 복수의 기능을 할 수 있는 콤비네이션 램프의 제조 공정이 간소화될 수 있고, 불량이 감소될 수 있다.
본 발명에 따르면, 금속 입자 소결체를 포함하는 접합층을 포함하는 발광 장치를 개시함으로써, 열 방출 효율이 우수하고, 전기적 쇼트 등을 효과적으로 방지할 수 있어 신뢰성이 높은 발광 장치가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 저부 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치들을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치의 접합층을 설명하기 위한 확대 단면도들이다.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도, 평면도, 저부 평면도 및 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 차량용 램프를 설명하기 위한 정면도이다.
둘 이상의 색을 방출하는 발광 모듈이나 발광 기구를 제조할 때, 서로 다른 색을 방출하는 발광 다이오드 패키지의 실장 공정이 적어도 2회 이상 수행되어야 한다. 공정 수가 증가함에 따라, 발광 모듈이나 발광 기구의 제조 수율이 감소될 수 있다. 또한, 복수의 발광 다이오드 패키지가 실장됨에 따라, 발광 모듈이나 발광 기구의 부피가 상대적으로 증가할 수 밖에 없다.
또한, 이러한 발광 모듈이나 발광 기구의 발광 강도를 높이기 위해서는 세 개 이상의 발광 다이오드 패키지가 요구되며, 각각의 발광 다이오드 패키지의 발광 특성에 차이가 있는 경우 제조된 발광 모듈들 간의 발광 색에 편차가 발생한다. 나아가, 공간적인 제약으로 인하여 실장 가능한 발광 다이오드 패키지의 개수도 제한되어, 사용자가 필요로 하는 충분한 광량을 방출하는 발광 모듈이나 발광 기구를 제조하기 어렵다.
또한, 플립칩형 발광 다이오드를 별도의 기판에 실장하기 위해서는, 전기적 도전성을 갖는 물질을 이용하여 상기 발광 다이오드를 기판에 접합하는 공정이 요구된다. 종래에, 플리칩형 발광 다이오드를 기판에 접합하는 방법으로, 도전성 페이스트를 이용하거나, 공정(Eutectic) 접합을 이용하거나, Au 범프 볼 본딩 방법등을 이용하였다.
도전성 페이스트를 이용하는 경우, 상기 페이스트의 점성으로 인하여 접착과정에서 퍼짐이 발생하여, n전극과 p전극이 서로 전기적으로 연결되어 발광 다이오드의 전기적 쇼트가 발생하는 문제가 발생한다. 또한, 공정 접합의 경우, 공정 접합된 구조 내에 기공(pore)이 발생하여 신뢰성에 문제가 발생할 수 있다. 또한, Au 범프 볼 본딩의 경우 접촉 면적이 상대적으로 작아 열 방출 효율이 낮으며, 기계적 신뢰성이 낮다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 내지 도 4는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도, 평면도, 저부 평면도 및 단면도이다. 특히, 도 4의 단면도는 도 1 내지 도 3의 A-A선에 대응하는 영역의 단면을 도시한다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광 장치(10)는 적어도 2 이상의 발광부를 포함할 수 있고, 구체적으로, 발광 장치(10)는 제1 발광부(100), 제2 발광부(200), 측벽부(300)를 포함한다. 나아가, 발광 장치(10)는 기판(400) 및 보호 소자(310)를 더 포함할 수 있다.
기판(400)은 발광 장치(10)의 저부에 위치할 수 있으며, 제1 및 제2 발광부(100, 200)와 측벽부(300)를 지지하는 역할을 할 수 있다. 기판(400)은 절연성 또는 도전성 기판일 수 있으며, 또한, 도전성 패턴을 포함하는 PCB일 수 있다. 기판(400)이 절연성 기판인 경우, 기판(400)은 폴리머 물질, 또는 세라믹 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, AlN와 같이 열전도성이 우수한 세라믹 물질을 포함할 수 있다.
또한, 기판(400)은 베이스(410)를 포함할 수 있고, 나아가, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)을 더 포함할 수 있다. 이때, 베이스(410)는 기판(400) 및 전극들(421, 431, 423, 433)을 전체적으로 지지하는 역할을 할 수 있으며, 전극들(421, 431, 423, 433)을 서로 절연시키기 위하여 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스(410)는 열전도성이 우수한 AlN과 같은 세라믹 물질을 포함할 수 있다.
제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들은 서로 절연될 수 있으며, 베이스(410)를 상하로 관통하여, 베이스(410) 상부 및 하부 상에 노출될 수 있다. 이에 따라, 전극들(421, 431, 423, 433)은 기판(400) 상에 위치하는 제1 및 제2 발광부(100, 200)와 전기적으로 연결될 수 있고, 또한, 기판(400)의 하부에 노출된 부분을 통해 외부 전원과 전기적으로 연결되어 제1 및 제2 발광부(100, 200)에 전원을 공급할 수 있다.
다만, 본 발명이 이에 한정되지 않으며, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들의 형태는 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들 중 적어도 하나는 베이스(410)의 측면을 통해 노출될 수도 있으며, 또한, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들 중 적어도 일부는 서로 전기적으로 연결될 수도 있다. 또한, 발광 장치(10)에 포함된 발광부의 수에 따라, 발광 장치(10)는 5개 이상의 전극을 포함할 수도 있다. 발광부들(100, 200)과 전극들의 전기적 연결 형태는 후술하여 상세하게 설명한다.
한편, 몇몇 실시예들에 있어서, 기판(400)은 생략될 수도 있다.
다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광 장치(10)는 적어도 둘 이상의 발광부를 포함할 수 있고, 본 실시예와 같이 제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)를 포함할 수 있다. 제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)는 기판(400) 상에 위치할 수 있다.
제1 발광부(100)는 제1 발광 소자(110) 및 제1 파장변환부(120)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 발광 소자(110)는 발광 구조체(111), 제1 패드 전극(113) 및 제2 패드 전극(115)을 포함할 수 있다. 제1 발광부(100)는 제2 발광부(200)와 다른 파장대의 광을 방출할 수 있으며, 예를 들어, 백색광을 방출할 수 있다.
발광 구조체(111)는 n형 반도체층, p형 반도체층 및 n형 반도체층과 p형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함할 수 있고, 이에 따라, 제1 발광 소자(110)에 전원이 공급되는 경우 광이 방출될 수 있다. 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 각각 n형 반도체층 및 p형 반도체층(또는 반대로)에 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 발광 구조체(111)로부터 아래 방향으로 연장되어 형성될 수 있고, 이에 따라, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 제1 발광 소자(110)의 하부에 위치할 수 있다. 이와 달리, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 구조체(111)의 하면과 대체로 동일한 평면상에 위치할 수도 있다. 나아가, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 구조체(111)의 하면보다 높이 위치할 수도 있다. 이 경우, 발광 구조체(111)의 하면에는 홈들이 형성될 수 있고, 상기 홈에 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)가 노출될 수 있다. 제1 발광 소자(110)의 구조적인 형태는 제한되지 않으며, 예를 들어, 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)이 발광 구조체(111)의 일면 상에 위치하는 플립칩형 반도체 발광 소자일 수 있다.
제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 기판(400)의 제1 전극(421) 및 제2 전극(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 전극(421, 431)을 통해 제1 발광 소자(110)에 전원이 공급될 수 있다.
제1 파장변환부(120)는 제1 발광 소자(110) 상에 위치할 수 있고, 적어도 제1 발광 소자(110)의 상면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 나아가, 제1 파장변환부(120)는 제1 발광 소자(110)의 상면과 대체로 동일한 면적으로 형성될 수 있고, 이에 따라, 도시된 바와 같이 제1 발광 소자(110)의 측면과 제1 파장변환부(120)의 측면은 대체로 나란하게 형성될 수 있다.
제1 파장변환부(120)는 형광체 및 상기 형광체를 담지하는 담지부를 포함할 수 있다. 제1 파장변환부(120)는 통상의 기술자에게 널리 알려진 다양한 종류의 형광체, 예를 들어, 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 등을 포함할 수 있고, 제1 발광 소자(110)에서 방출된 광을 파장변환하여 제1 발광부(100)에서 백색광이 방출되도록 할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 소자(110)가 청색광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 경우, 제1 파장변환부(120)는 청색광보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예를 들어, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시키는 형광체를 포함할 수 있다. 또는, 제1 발광 소자(110)가 UV 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 경우, 제1 파장변환부(120)는 UV광보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예를 들어, 청색광, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시키는 형광체를 포함할 수 있다.
상기 담지부는 폴리머 수지, 유리와 같은 세라믹 등을 포함할 수 있다. 상기 형광체는 담지부 내에 무작위로 배치될 수 있다. 예를 들어, 담지부가 에폭시 수지 또는 아크릴 수지와 같은 수지로 형성된 경우, 제1 발광 소자(110) 상에 형광체를 포함하는 수지를 도포 및 경화시킴으로써 제1 파장변환부(120)가 제공될 수 있다.
이와 달리, 제1 파장변환부(120)는 단결정 물질을 포함할 수 있다. 단결정 물질을 포함하는 제1 파장변환부(120)는 형광체 시트 형태로 제공될 수 있으며, 상기 시트 형태의 제1 파장변환부(120) 자체가 단결정 형광체로 이루어질 수 있다. 단결정 형광체를 포함하는 제1 파장변환부(120)를 통과하는 광은 대체로 일정한 색좌표를 갖는 광을 방출시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 단결정 형광체는 단결정의 YAG:Ce일 수 있다. 이러한 시트 형태의 제1 파장변환부(120)는 제1 발광 소자(110) 상에 접착되어 형성될 수 있다.
제2 발광부(200)는 기판(400) 상에 위치할 수 있고, 또한, 제1 발광부(100)와 이격되어 위치할 수 있다. 제2 발광부(200)는 제2 발광 소자(210) 및 제2 파장변환부(220)를 포함할 수 있다. 또한, 제2 발광 소자(210)는 발광 구조체(211), 제3 패드 전극(213) 및 제4 패드 전극(215)을 포함할 수 있다. 제2 발광부(200)는 제1 발광부(100)와 다른 파장대의 광을 방출할 수 있으며, 예를 들어, 엠버(amber)색의 광을 방출할 수 있다.
제2 발광 소자(210)의 발광 구조체(211), 제3 패드 전극(213) 및 제4 패드 전극(215)과 관련된 설명은 각각 제1 발광 소자(110)의 발광 구조체(111), 제1 패드 전극(113) 및 제2 패드 전극(115)과 대체로 유사하다. 다만, 제3 패드 전극(213)은 제3 전극(423)에 전기적으로 연결되고, 제4 패드 전극(215)은 제4 전극(433)에 전기적으로 연결될 수 있다.
이에 따라, 제1 발광 소자(110)와 제2 발광 소자(120)는 각각 별도의 전극들(421, 431, 423, 433)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극들(421, 431, 423, 433)에 공급되는 전원을 별개로 연결함으로써 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)를 독립적으로 구동시킬 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 전극들(421, 431, 423, 433)은 서로 전기적으로 상호 연결될 수도 있다. 나아가, 발광 장치(10)는 별도의 제어부(미도시)를 더 포함할 수도 있고, 상기 제어부에 의하여 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)의 구동이 제어될 수 있다.
제2 파장변환부(220)와 관련된 설명은 제1 파장변환부(120)와 대체로 동일하나, 다만, 제2 파장변환부(220)에 포함된 형광체는 제1 파장변환부(120)에 포함된 형광체와 다를 수 있다.
즉, 제2 발광부(200)에서 방출되는 광은 제2 파장변환부(220)를 통해 방출될 수 있으므로, 제2 파장변환부(220)는 제1 파장변환부(120)에 포함된 형광체와 다른 형광체를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제2 발광 소자(210)에서 방출된 광이 제2 파장변환부(220)에서 여기되어 엠버광 대역의 피크 파장을 갖는 광에 제2 발광부(200)에서 방출될 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 제2 파장변환부(220)는 형광체를 포함하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 제2 발광부(200)에서 방출시키고자 하는 광의 파장 대역이 제2 발광 소자(210)의 방출 광 파장 대역과 대체로 일치하는 경우, 제2 파장변환부(220)는 형광체를 포함하지 않을 수도 있다. 이 경우, 제2 파장변환부(220)는 TiO2와 같은 광 산란제를 포함할 수 있다.
한편, 도 4에 도시된 바와 달리 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 파장변환부(120, 220)는 각각 제1 및 제2 발광 소자(110, 210)의 상면보다 더 큰 면적으로 형성될 수도 있고, 나아가, 제1 및 제2 발광 소자(110, 210)의 측면까지 더 덮을 수 있다.
도 5a를 참조하면, 발광 소자(10a)에 있어서, 제1 및 제2 파장변환부(120a, 220a)는 각각 제1 및 제2 발광 소자(110, 210)의 상면보다 더 큰 면적을 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 발광부(100a, 200a)에서 광이 방출되는 면적이 상대적으로 더 넓게 형성될 수 있다. 또한, 도 5b를 참조하면, 발광 소자(10b)에 있어서, 제1 및 제2 파장변환부(120b, 220b)는 각각 제1 및 제2 발광 소자(110, 210)의 측면까지 더 덮도록 형성될 수 있다. 나아가, 제1 및 제2 파장변환부(120b, 220b)는 각각 제1 및 제2 발광 소자(110, 210)의 하면 적어도 일부를 더 덮을 수도 있다. 이때, 제1 및 제2 파장변환부(120b, 220b)는 패드 전극들의 측면을 둘러쌀 수 있다. 이 경우, 발광 소자의 측면으로부터 방출된 광이 곧 바로 파장변환부에 입사될 수 있으며, 파장변환 효율이 더욱 향상될 수 있다.
측벽부(300)는 제1 및 제2 발광 소자(110, 210)의 측면을 덮을 수 있으며, 나아가, 제1 및 제2 파장변환부(120, 220)의 측면을 더 덮을 수 있다. 측벽부(300)는 제1 및 제2 발광부(100, 200)와 접촉될 수 있다. 또한, 측벽부(300)의 일부는 제1 및 제2 발광 소자(110, 210)의 하면의 일부를 더 덮을 수 있고, 이때, 패드 전극들(113, 115, 213, 215)의 측면은 측벽부(300)에 둘러싸일 수 있다.
측벽부(300)는 제1 및 제2 발광부(100, 200)를 지지할 수 있고, 또한, 외부 환경으로부터 제1 및 제2 발광부(100, 200)를 보호할 수 있다. 나아가, 측벽부(300)는 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 측벽부(300)가 발광 장치(10)의 외곽 측면에 형성됨으로써, 발광부들(100, 200)에서 방출되는 광을 상부로 집중시킬 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 측벽부(300)의 반사도, 광 투과도 등을 조절하여, 발광부들(100, 200)에서 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다.
측벽부(300)는 절연성의 폴리머 물질 또는 세라믹을 포함할 수 있고, 나아가, 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 필러를 더 포함할 수 있다. 측벽부(300)는 광투과성, 광 반투과성 또는 광 반사성을 가질 수 있다. 예를 들어, 측벽부(300)는 실리콘 수지, 또는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 우레탄 수지 등과 같은 폴리머 수지를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 상기 측벽부(300)는 광 반사성을 갖는 백색 실리콘 수지를 포함할 수 있다.
상기 필러는 측벽부(300) 내에 균일하게 분산 배치될 수 있다. 상기 필러는 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 산화티탄(TiO2), 산화규소(SiO2), 또는 산화지르코늄(ZrO2) 등일 수 있다. 측벽부(300)는 상기 필러들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 필러의 종류 또는 농도 등을 조절함으로써, 측벽부(300)의 반사도 또는 광의 산란 정도 등을 조절할 수 있다.
한편, 측벽부(300)의 상면과 제1 및 제2 발광부(100, 200)의 상면은 서로 동일 높이를 이룰 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 측벽부(300)의 상면과 파장변환부들(120, 220)의 상면이 서로 나란하게(flush) 형성될 수 있다.
또한, 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)의 사이에 형성된 측벽부(300)의 두께는, 측벽부(300)의 외곽 측면 테두리 부분의 두께보다 작을 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)의 이격 영역을 채우는 측벽부(300)의 두께 x는, 측벽부(300)의 외곽 측면으로부터 제1 및 제2 발광부(100, 200) 중 하나의 측면까지의 최단 거리에 대응하는 두께 y보다 작을 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 발광부(100, 200) 간의 이격 거리를 최소화하여 발광 장치(10)를 더욱 소형화시킬 수 있고, 나아가, 제1 및 제2 발광부(100, 200)를 외부로부터 더욱 효과적으로 보호할 수 있다.
또한, 본 실시예들에 따른 발광 장치(10)는 보호 소자(310)를 더 포함할 수 있다. 보호 소자(310)는 측벽부(300) 내에 배치될 수 있으며, 예를 들어, 제너 다이오드를 포함할 수 있다. 보호 소자(310)는 제1 및 제2 발광 소자(110, 120) 중 적어도 하나에 전기적으로 연결되어, 제1 및 제2 발광 소자(110, 120)가 정전기 방전 등으로 인하여 파손되는 것을 방지할 수 있다. 보호 소자(310)는 제1 및 제2 발광 소자(110, 120) 각각에 별도로 연결될 수도 있고, 또는, 제1 및 제2 발광 소자(110, 120)에 동시에 연결될 수도 있다.
발광 장치(10)가 보호 소자(310)를 더 포함하는 경우, 보호 소자(310)는 측벽부(300)의 적어도 일 측면에 치우쳐 위치할 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 보호 소자(310)는 측벽부(300)의 일 측면에 치우쳐, 측벽부(300) 내에 위치할 수 있다. 이에 따라, 보호 소자(310)가 치우쳐 위치하는 측벽부(300)의 일 측면으로부터 발광부들(100, 200)까지의 거리는, 측벽부(300)의 타 측면으로부터 발광부들(100, 200)까지의 거리보다 클 수 있다. 즉, 보호 소자(310)가 위치하는 부분의 측벽부(300)의 측벽 두께는 다른 부분의 측벽 두께보다 두꺼울 수 있다.
상술한 실시예들에 따르면, 발광 장치(10, 10a, 10b)는 기판(400) 상에 서로 이격되어 위치하는 제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)를 포함하고, 상기 제1 및 제2 발광부(100, 200)는 각각 서로 다른 전극들에 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)는 서로 독립적으로 구동될 수 있으며, 필요에 따라 선택적으로 다른 색의 광을 방출하는 발광 장치(10)가 제공될 수 있다. 따라서, 서로 다른 색의 광을 방출하는 적어도 둘 이상의 발광 장치를 별도로 제조하는 것을 생략할 수 있어, 제조 공정이 간소화 될 수 있다. 나아가, 하나의 발광 장치만으로도 복수 색의 광을 방출시킬 수 있으므로, 특정 응용 장치에서 발광 장치가 차지하는 공간적 비율을 감소시킬 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 발광 장치는 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 셋 이상의 발광부를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 발광 장치(10c)는 복수의 제1 발광부(100) 및 복수의 제2 발광부(200)를 포함할 수 있다. 복수의 제1 발광부(100)들은 서로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있고, 복수의 제2 발광부(200)들 역시 서로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. 이와 같이 발광 장치(10c)가 셋 이상의 발광부들을 포함함으로써, 발광 장치(10c) 발광 강도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 발광 장치는 세 종류 이상의 색의 광을 방출하는 발광부들을 포함할 수도 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이고, 도 2a 및 도 2b 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 발광 장치의 접합층을 설명하기 위한 확대 단면도들이다.
본 실시예들에 따른 발광 장치(10d)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 발광 장치의 제1 발광부(100)와 대체로 유사하나, 접합층(130)을 더 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하, 차이점을 중심으로 본 실시예의 발광 장치에 대해 설명하며, 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 특히, 본 실시예에서, 단일의 발광부를 포함하는 발광 장치(10d)에 대해 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 실시예의 접합층(130)은 복수의 발광부들을 포함하는 발광 장치에 대해서도 유사하거나 동일하게 적용될 수 있다.
먼저, 도 7을 참조하면, 발광 장치(10d)는 발광 소자(110) 및 파장변환부(120)를 포함하는 제1 발광부(100), 접합층(130), 측벽부(300), 및 기판(400)을 포함한다. 나아가, 발광 장치(10d)는 보호 소자(미도시)를 더 포함할 수 있다.
발광 소자(110)는 기판(400) 상에 위치할 수 있고, 발광 구조체(111)를 포함할 수 있다. 또한, 발광 소자(110)는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 더 포함할 수 있다. 발광 소자(110)는 접합층(130)에 의해 기판(400) 상에 실장될 수 있다. 발광 소자(110)의 구조적인 형태는 제한되지 않으며, 예를 들어, 패드 전극들이 발광 구조체(111)의 일면 상에 위치하는 플립칩형 반도체 발광 소자일 수 있다.
접합층(130)은 발광 소자(110)와 기판(400)의 사이에 위치할 수 있고, 또한, 발광 소자(110)를 기판(400)에 접합하여 실장시킬 수 있다. 또한, 접합층(130)은 제1 접합층(131) 및 제2 접합층(133)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 접합층(131, 133)은 서로 이격되어 절연되며, 각각 발광 구조체(111)의 서로 다른 극성의 반도체층에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 접합층(131, 133)은 기판(400)의 제1 전극(421) 및 제2 전극(431) 상에 위치할 수 있고, 전기적으로 연결될 수 있다.
접합층(130)은 전기적 도전성을 갖는 물질을 포함할 수 있으며, 특히, 금속 소결체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 접합층(130)은 Ag 입자들이 소결되어 형성된 Ag 소결체를 포함할 수 있다. 이러한 접합층(130)은 기판(400) 상에, 접합층(130)이 형성되는 영역에 대응하는 부분에 복수의 Ag 소결체 필름을 형성하고, 상기 Ag 소결체 필름 상에 발광 소자(110)를 배치한 후, 상기 Ag 소결체 필름에 저온 및/또는 압력을 가하여 경화시킴으로써 형성될 수 있다. 이에 따라, 접합층(130)에 의해 발광 소자(110)는 기판(400)과 접합될 수 있다.
금속 소결체 필름으로부터 형성되는 접합층(130)은, 발광 소자(110)를 배치한 후 경화시키더라도 부피의 변화나 위치의 변화가 거의 없다. 따라서, 종래의 페이스트와 같이 발광 소자(110)를 실장하는 과정에서 제1 접합층(131)과 제2 접합층(133)이 접촉되어 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 미리 제조된 소결체 필름을 이용하므로, 발광 소자(110)의 실장 과정에서 접합층(130) 내에 공공 또는 기공이 발생하지 않으므로, 접합층(130)의 열 방출 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 기계적 강도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 접합층(130)으로 형성되는 소결체 필름의 두께를 자유롭게 조절할 수 있으므로, 상기 소결체 필름의 두께를 두껍게 하여 발광 소자(110) 구동 시 열 방출 효율을 향상 시킬 수 있다. 예를 들어, 접합층(130)의 두께는 약 10 내지 30㎛일 수 있다. 열 방출 효율이 향상된 발광 장치가 제공됨으로써, 고출력의 발광 장치가 요구되는 어플리케이션, 예컨대, 차량용 헤드 램프 등에 실시예에 따른 발광 장치가 유용하게 적용될 수 있다. 뿐만 아니라, 금속 소결체 필름을 경화하는 것은 상대적으로 낮은 압력과 낮은 온도에서 수행 가능하므로, 발광 소자(110)를 기판(400)에 접하는 과정에서 고온이나 고압에 의해 발광 소자(110)가 손상될 염려가 없다.
한편, 발광 소자(110)는 발광 구조체(111)의 하면에 형성된 제1 패드 전극(113) 및 제2 패드 전극(115)을 더 포함할 수 있으며, 발광 소자(110)가 패드 전극들(113, 115)을 포함하는 경우 접합층(130)과의 관계를 도 8a 및 도 8b를 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 각각 n형 반도체층 및 p형 반도체층(또는 반대로)에 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 발광 구조체(111)로부터 아래 방향으로 연장되어 형성될 수 있고, 이에 따라, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 제1 발광 소자(110)의 하부에 위치할 수 있다. 이와 달리, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 구조체(111)의 하면과 대체로 동일한 평면상에 위치할 수도 있다. 나아가, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 구조체(111)의 하면보다 높이 위치할 수도 있다. 이 경우, 발광 구조체(111)의 하면에는 홈들이 형성될 수 있고, 상기 홈에 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)가 노출될 수 있다.
제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 기판(400)의 제1 전극(421) 및 제2 전극(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 패드 전극들(113, 115)은 접합층(130)에 의해 전극들(421, 431)과 전기적으로 연결될 수 있다.
구체적으로, 도 8a를 참조하면, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 제1 접합층(131a)과 제2 접합층(133a)에 접촉될 수 있다. 제1 접합층(131a)은 제1 패드 전극(113)의 적어도 일부를 덮을 수 있고, 특히, 제1 접합층(131a)은 제1 패드 전극(113)의 하면 및 측면의 일부를 덮을 수 있다. 이와 유사하게, 제2 접합층(133a)은 제2 패드 전극(115)의 적어도 일부를 덮을 수 있고, 특히, 제2 접합층(133a)은 제2 패드 전극(115)의 하면 및 측면의 일부를 덮을 수 있다.
더욱 구체적으로, 제1 접합층(131a)과 제2 접합층(133a)은 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)이 서로 대향하는 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 측면을 제외한 다른 측면들을 모두 덮을 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 제1 접합층(131a)의 일 측면은, 제1 패드 전극(113)의 측면들 중 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)이 대향하는 측면을 덮지 않고, 상기 대향하는 측면과 나란하게 형성될 수 있다. 제2 접합층(133a) 역시, 제2 패드 전극(113)의 측면들 중 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)이 대향하는 측면을 덮지 않고, 상기 대향하는 측면과 나란하게 형성될 수 있다. 나아가, 제1 접합층(131a)의 일 측면을 제외한 다른 측면들은 발광 소자(110)의 측면과 나란하게 형성될 수 있고, 제2 접합층(133a)의 일 측면을 제외한 다른 측면들은 발광 소자(110)의 측면과 나란하게 형성될 수 있다.
제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)의 이격 영역에 접합층(130a)이 위치하지 않음으로써, 발광 소자(110) 실장 시 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 8b에 도시된 바와 같이, 접합층(130b)은 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 하면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 접합층(130b)의 수평 단면적이 넓어질 수 있어, 발광 장치(10) 구동 시 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 측벽부(300)는 접착부(130)와 적어도 부분적으로 접촉될 수 있다. 특히, 접착부(130)가 발광 소자의(110)의 측면까지 연장되어 형성되고, 경사를 갖는 경우, 접착부(130)의 측면과 접하는 부분의 측벽부(300)는 경사질 수 있다. 따라서, 발광 장치(10)의 발광 효율이 더욱 향상될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 측벽부(300)의 반사도, 광 투과도 등을 조절하여, 발광부(100)에서 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다.
상술한 실시예에서 설명한 접착부(130)는 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같은 발광 장치에 적용될 수 있다. 예컨대, 도 9 내지 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도, 평면도, 저부 평면도 및 단면도이다.
도 9 내지 도 12를 참조하여 설명하는 발광 장치(10e)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 발광 장치(10)와 비교하여, 접착부(130, 230)를 더 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하, 차이점을 중심으로 상기 발광 장치(10e)에 관하여 설명하며, 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 9 내지 도 12를 참조하면, 발광 장치(10e)는 적어도 2 이상의 발광부를 포함할 수 있고, 구체적으로, 발광 장치(10e)는 제1 발광부(100), 제2 발광부(200), 제1 접합층(130), 제2 접합층(230), 측벽부(300) 및 기판(400)을 포함한다. 나아가, 발광 장치(10e)는 보호 소자(310)를 더 포함할 수 있다.
제1 발광부(100)는 발광 구조체(111), 제1 패드 전극(113) 및 제2 패드 전극(115)을 포함할 수 있고, 제2 발광부(200)는 발광 구조체(211), 제3 패드 전극(213) 및 제4 패드 전극(215)을 포함할 수 있다. 제1 접합층(130)은 제1 발광부(100)와 기판(400) 사이에 위치하여, 제1 발광부(100)를 기판(400)에 접합할 수 있다. 제2 접합층(230)는 제2 발광부(200)와 기판(400) 사이에 위치하여, 제2 발광부(200)를 기판(400)에 접합할 수 있다. 제1 및 제2 접합층(130, 230)는 금속 입자가 소결된 금속 소결체를 포함할 수 있고, 특히, Ag 입자가 소결된 Ag 소결체를 포함할 수 있다.
상술한 실시예들에 따르면, 발광 장치(10, 10a, 10b, 10c, 10d, 10e)들은 기판(400) 상에 서로 이격되어 위치하는 적어도 둘 이상의 발광부들을 포함한다. 예컨대, 발광 장치(10, 10a, 10b, 10c, 10d, 10e)들은 제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)를 포함하고, 상기 제1 및 제2 발광부(100, 200)는 각각 서로 다른 전극들에 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)는 서로 독립적으로 구동될 수 있으며, 필요에 따라 선택적으로 다른 색의 광을 방출하는 발광 장치(10a)가 제공될 수 있다. 따라서, 서로 다른 색의 광을 방출하는 적어도 둘 이상의 발광 장치를 별도로 제조하는 것을 생략할 수 있어, 제조 공정이 간소화 될 수 있다. 나아가, 하나의 발광 장치만으로도 복수 색의 광을 방출시킬 수 있으므로, 특정 응용 장치에서 발광 장치가 차지하는 공간적 비율을 감소시킬 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 발광 장치는 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 셋 이상의 발광부를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 발광 장치는 제1 내지 제3 발광부들을 포함할 수 있고, 상기 제1 내지 제3 발광부들은 서로 다른 색좌표의 광을 방출할 수 있다. 또한, 복수의 발광부들 중 적어도 두 개의 발광부는 동일한 색좌표의 광을 방출할 수도 있다.
상술한 실시예들에서 설명한 발광 장치는, 하나의 발광 장치로부터 둘 이상의 색의 광을 방출될 수 있다. 이러한 발광 장치는 복수의 발광 색이 요구되는 응용 장치 등에 적용될 수 있으며, 예를 들어, 차량용 램프에 적용될 수 있다. 이하, 도 13을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치를 포함하는 차량용 램프에 관하여 설명한다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 차량용 램프를 설명하기 위한 정면도이다.
도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 차량용 램프(20)는 콤비네이션 램프(23)를 포함할 수 있고, 나아가, 메인 램프(21)를 더 포함할 수 있다. 상기 차량용 램프(20)는 헤드라이트, 백라이트, 또는 사이드 미러 라이트 등 차량의 다양한 부분에 적용될 수 있다.
메인 램프(21)는 차량용 램프(20)에 있어서 주 발광등일 수 있고, 예를 들어, 차량용 램프(20)가 헤드라이트로 이용되는 경우, 차량의 전방을 비추는 전조등 역할을 할 수 있다.
콤비네이션 램프(23)는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치(10)를 포함할 수 있다. 상기 발광 장치(10)는 상술한 실시예들에 따른 발광 장치(10, 10a, 10b, 10c, 10d, 10e) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 콤비네이션 램프(23)는 적어도 둘 이상의 기능을 할 수 있다. 예를 들어, 차량용 램프(20)가 헤드라이트로 이용되는 경우, 콤비네이션 램프(23)는 주간주행등(daytime running light; DRL) 및 방향 지시등의 기능을 할 수 있다.
구체적으로, 본 실시예의 차량용 램프(20)를 포함하는 차량에 있어서, 상기 차량의 일반 주행 시, 콤비네이션 램프(23)의 발광 장치(10)는 백색광을 방출하는 제1 발광부(100)에서 광을 방출한다. 이에 따라, 상기 콤비네이션 램프(23)는 백색광을 방출하여 주간주행등의 기능을 할 수 있다. 또한, 상기 차량의 방향 지시등을 턴-온(turn-on)하는 경우, 콤비네이션 램프(23)의 발광 장치(10)는 제1 발광부(100)의 전원을 오프하고, 제2 발광부(200)에서 엠버색의 광을 방출한다. 이에 따라, 상기 콤비네이션 램프(23)는 엠버색의 광을 방출하여 방향 지시등의 기능을 할 수 있다. 이러한 콤비네이션 램프(23) 및 발광 장치(10)는 별도의 제어부(미도시)에 의해 그 구동이 제어될 수 있다.
이와 같이, 둘 이상의 색의 광을 방출하여 적어도 둘 이상의 기능을 할 수 있는 콤비네이션 램프(23)의 광원으로, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치(10)를 이용할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치(10)는 적어도 둘 이상의 서로 다른 파장의 광을 방출하는 발광부들을 포함하므로, 콤비네이션 램프(23)를 포함하는 차량용 램프(20) 제조 시, 별도의 둘 이상의 발광 장치를 실장하는 공정이 생략될 수 있다. 따라서 차량용 램프(20)의 불량률을 감소시킬 수 있고, 제조 공정을 단순화하여 공정 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 발광 장치(10)의 부피가 상대적으로 작으므로, 콤비네이션 램프(23) 제조 시 공간적 제약이 감소될 수 있고, 콤비네이션 램프(23)의 다양한 변형 및 변경이 용이해질 수 있다.
다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 발광 장치는 차량용 램프 외 다양한 다른 응용 기구에 적용될 수 있다. 또한, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.

Claims (33)

  1. 제1 발광부;
    상기 제1 발광부와 이격된 제2 발광부;
    상기 제1 및 제2 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고,
    상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부는 서로 다른 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    기판을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 발광부, 및 상기 측벽부는 상기 기판 상에 위치하는 발광 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 기판은 제1 내지 제4 전극을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 전극은 상기 제1 발광부에 전기적으로 연결되고, 상기 제3 및 제4 전극은 제2 발광부에 전기적으로 연결된 발광 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 전극은 서로 절연되며, 상기 제1 내지 제4 전극 각각은 상기 기판의 외부 표면에 노출된 발광 장치.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 기판은 AlN를 포함하는 발광 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 발광부는 제1 발광 소자, 및 상기 제1 발광 소자 상에 위치하는 제1 파장변환부를 포함하고,
    상기 제2 발광부는 제2 발광 소자, 및 상기 제2 발광 소자 상에 위치하는 제2 파장변환부를 포함하는 발광 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 파장변환부는 상기 제1 발광 소자의 측면을 더 덮고, 상기 제2 파장변환부는 상기 제2 발광 소자의 측면을 더 덮는 발광 장치.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 소자는 각각 그 하면에 위치하는 패드 전극들을 포함하는 발광 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 측벽부는 상기 제1 및 제2 발광 소자 각각의 하면의 일부 및 패드 전극들의 측면을 둘러싸는 발광 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광부 각각은 복수로 형성된 발광 장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 발광부는 백색광을 방출하고, 상기 제2 발광부는 엠버색광을 방출하는 발광 장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 측벽부는 광 반사성 물질을 포함하는 발광 장치.
  13. 청구항 2에 있어서,
    상기 측벽부의 측면은 상기 기판의 측면과 나란한(flush) 발광 장치.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 측벽부의 상면은 상기 제1 및 제2 발광부의 상면과 나란한 발광 장치.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부의 이격 영역 사이를 채우는 상기 측벽부의 두께는, 상기 측벽부의 외곽 측면으로부터 상기 제1 및 제2 발광부 중 하나의 측면까지의 최단 거리에 대응하는 측벽부의 두께보다 작은 발광 장치.
  16. 적어도 둘 이상의 색의 광을 방출하며, 적어도 둘 이상의 기능을 하는 콤비네이션 램프를 포함하고,
    상기 콤비네이션 램프는,
    제1 발광부; 상기 제1 발광부와 이격된 제2 발광부; 상기 제1 및 제2 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고, 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부는 서로 다른 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 장치를 포함하며,
    상기 제1 발광부의 발광 시와 상기 제2 발광부의 발광 시의 콤비네이션 램프의 기능은 서로 다른 차량용 램프.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 제1 발광부는 상기 콤비네이션 램프가 주간주행등(DRL)으로 기능하는 경우에 발광하고, 상기 제2 발광부는 상기 콤비네이션 램프가 방향 지시등으로 기능하는 경우에 발광하는 차량용 램프.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 제1 발광부는 백색광을 방출하고, 상기 제2 발광부는 엠버색광을 방출하는 차량용 램프.
  19. 청구항 16에 있어서,
    상기 발광 장치는 기판을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 발광부, 및 상기 측벽부는 상기 기판 상에 위치하는 차량용 램프.
  20. 청구항 16에 있어서,
    상기 발광 장치를 제어하는 제어부를 더 포함하는 차량용 램프.
  21. 기판;
    상기 기판 상에 위치하고, 제1 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 제1 파장변환부를 포함하는 제1 발광부;
    상기 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광부와 이격되며, 제2 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 제2 파장변환부를 포함하는 제2 발광부;
    상기 제1 발광부와 상기 기판 사이에 위치하는 제1 접합부;
    상기 제2 발광부와 상기 기판 사이에 위치하는 제2 접합부; 및
    상기 제1 및 제2 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고,
    상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부는 서로 다른 피크 파장을 갖는 광을 방출하고,
    상기 제1 및 제2 접합부는 각각 금속 입자를 포함하는 금속 소결체를 포함하는 발광 장치.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 금속 입자는 Ag 입자를 포함하는 발광 장치.
  23. 청구항 22에 있어서,
    상기 기판은 제1 내지 제4 전극을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 전극은 상기 제1 발광부에 전기적으로 연결되고, 상기 제3 및 제4 전극은 제2 발광부에 전기적으로 연결된 발광 장치.
  24. 청구항 23에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 전극은 서로 절연되며, 상기 제1 내지 제4 전극 각각은 상기 기판의 외부 표면에 노출된 발광 장치.
  25. 청구항 21에 있어서,
    상기 제1 발광부는 백색광을 방출하는 발광 장치.
  26. 청구항 25에 있어서,
    상기 제2 발광부는 엠버색광을 방출하는 발광 장치.
  27. 청구항 21에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 소자는 각각 그 하면에 위치하는 패드 전극들을 포함하는 발광 장치.
  28. 청구항 27에 있어서,
    상기 제1 접합부는 상기 제1 발광 소자 아래에 위치하는 패드 전극들의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮고,
    상기 제2 접합부는 상기 제2 발광 소자 아래에 위치하는 패드 전극들의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮는 발광 장치.
  29. 청구항 28에 있어서,
    상기 제1 접합부의 일부 측면은 상기 제1 발광 소자의 측면과 나란하고,
    상기 제2 접합부의 일부 측면은 상기 제2 발광 소자의 측면과 나란한 발광 장치.
  30. 청구항 27에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 소자 각각의 패드 전극들은 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함하고,
    상기 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 각각, 상기 제1 패드 전극과 상기 제2 패드 전극이 대향하는 측면을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 접합부는 각각 제1 접합층 및 제2 접합층을 포함하는 발광 장치.
  31. 청구항 30에 있어서,
    상기 제1 접합층의 일 측면은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치하며,
    상기 제2 접합층의 일 측면은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치하는 발광 장치.
  32. 청구항 30에 있어서,
    상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮으며, 상기 제1 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란하고,
    상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮으며, 상기 제2 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란하게 위치하는 발광 장치.
  33. 청구항 21에 있어서,
    상기 제1 및 제2 접합부는 10 내지 30㎛의 두께를 갖는 발광 장치.
PCT/KR2015/012428 2014-11-18 2015-11-18 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프 WO2016080768A1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201580062657.3A CN107210344B (zh) 2014-11-18 2015-11-18 发光装置及包括该发光装置的车辆用照明灯
EP15861575.7A EP3239592B1 (en) 2014-11-18 2015-11-18 Light emitting device and vehicular lamp comprising same
US15/528,023 US10323803B2 (en) 2014-11-18 2015-11-18 Light emitting device and vehicular lamp comprising same
US16/116,354 US10274143B2 (en) 2014-11-18 2018-08-29 Light emitting device and vehicular lamp comprising same
US16/443,032 US10655801B2 (en) 2014-11-18 2019-06-17 Light emitting device and vehicular lamp comprising same
US16/851,704 US10907789B2 (en) 2014-11-18 2020-04-17 Light emitting device and vehicular lamp comprising same

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140161072A KR102306802B1 (ko) 2014-11-18 2014-11-18 발광 장치
KR10-2014-0161071 2014-11-18
KR1020140161071A KR102341366B1 (ko) 2014-11-18 2014-11-18 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
KR10-2014-0161072 2014-11-18

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/528,023 A-371-Of-International US10323803B2 (en) 2014-11-18 2015-11-18 Light emitting device and vehicular lamp comprising same
US16/116,354 Continuation US10274143B2 (en) 2014-11-18 2018-08-29 Light emitting device and vehicular lamp comprising same
US16/443,032 Continuation US10655801B2 (en) 2014-11-18 2019-06-17 Light emitting device and vehicular lamp comprising same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016080768A1 true WO2016080768A1 (ko) 2016-05-26

Family

ID=56014218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2015/012428 WO2016080768A1 (ko) 2014-11-18 2015-11-18 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프

Country Status (4)

Country Link
US (4) US10323803B2 (ko)
EP (1) EP3239592B1 (ko)
CN (4) CN111509111A (ko)
WO (1) WO2016080768A1 (ko)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWD186014S (zh) * 2016-09-29 2017-10-11 新世紀光電股份有限公司 發光二極體模組之部分
US11257990B2 (en) * 2017-09-29 2022-02-22 Nichia Corporation Light emitting device
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
US10879431B2 (en) 2017-12-22 2020-12-29 Lumileds Llc Wavelength converting layer patterning for LED arrays
JP6769449B2 (ja) 2018-01-30 2020-10-14 日亜化学工業株式会社 照明装置
US11532771B2 (en) 2018-03-13 2022-12-20 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device package
TWD201606S (zh) 2018-06-28 2019-12-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
EP3608959B1 (en) * 2018-08-06 2023-11-15 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
US10811460B2 (en) 2018-09-27 2020-10-20 Lumileds Holding B.V. Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US11271033B2 (en) 2018-09-27 2022-03-08 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10964845B2 (en) 2018-09-27 2021-03-30 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10923628B2 (en) 2018-09-27 2021-02-16 Lumileds Llc Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US11714153B2 (en) 2019-05-29 2023-08-01 Nvision Solutions, Inc. Remote controlled navigation/locator beacon system
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
USD993199S1 (en) * 2020-06-22 2023-07-25 Epistar Corporation Light-emitting device
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US11631786B2 (en) 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
US11935987B2 (en) 2021-11-03 2024-03-19 Lumileds Llc Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110233601A1 (en) * 2010-03-24 2011-09-29 Asahi Glass Company, Limited Substrate for light-emitting element and light-emitting device
US8366304B2 (en) * 2006-06-02 2013-02-05 Valeo Vision Multifunctional internal lighting device for a motor vehicle
US20140078763A1 (en) * 2012-09-17 2014-03-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and headlight for vehicle having the same
US20140140082A1 (en) * 2011-06-28 2014-05-22 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting module
WO2014157905A1 (ko) * 2013-03-25 2014-10-02 엘지이노텍(주) 발광소자 패키지

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7367503B2 (en) 2002-11-13 2008-05-06 Sandisk Corporation Universal non-volatile memory card used with various different standard cards containing a memory controller
JP5081370B2 (ja) * 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2006095949A1 (en) * 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
KR101308701B1 (ko) * 2006-02-21 2013-09-13 삼성디스플레이 주식회사 점광원, 이를 갖는 광 출사 모듈 및 표시장치
KR101258227B1 (ko) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
JP2008166782A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
CN101459211B (zh) * 2007-12-11 2011-03-02 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光器件
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
JP4479827B2 (ja) * 2008-05-12 2010-06-09 ソニー株式会社 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
CN102124574B (zh) * 2008-06-16 2013-07-17 丰田合成株式会社 半导体发光元件、其电极及制造方法以及灯
EP2335295B1 (en) * 2008-09-25 2021-01-20 Lumileds LLC Coated light emitting device and method of coating thereof
JP5482378B2 (ja) * 2009-04-20 2014-05-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101653267B1 (ko) * 2009-08-25 2016-09-02 삼성디스플레이 주식회사 전계 발광 장치 및 이를 갖는 표시장치
US8485704B2 (en) * 2009-10-14 2013-07-16 Koito Manufacturing Co., Ltd. Lamp unit and vehicle lamp
US8384105B2 (en) * 2010-03-19 2013-02-26 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes with enhanced thermal sinking and associated methods of operation
CN103003966B (zh) * 2010-05-18 2016-08-10 首尔半导体株式会社 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
TW201201419A (en) 2010-06-29 2012-01-01 Semileds Optoelectronics Co Wafer-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer
CN103222073B (zh) * 2010-08-03 2017-03-29 财团法人工业技术研究院 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法
DE102010046254A1 (de) * 2010-09-22 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
KR101142965B1 (ko) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR101144351B1 (ko) * 2010-09-30 2012-05-11 서울옵토디바이스주식회사 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
WO2012090798A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting device, lighting device, and method for manufacturing light-emitting unit
KR101761834B1 (ko) * 2011-01-28 2017-07-27 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
JP2012169189A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび車両用灯具
KR101303168B1 (ko) 2011-07-26 2013-09-09 안상정 반도체 발광부 연결체
KR101871501B1 (ko) 2011-07-29 2018-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
US8957429B2 (en) * 2012-02-07 2015-02-17 Epistar Corporation Light emitting diode with wavelength conversion layer
US9046228B2 (en) 2012-04-06 2015-06-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device for emitting light of multiple color temperatures
JP2015144147A (ja) * 2012-05-11 2015-08-06 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール
US9308858B2 (en) * 2012-07-13 2016-04-12 Lg Innotek Co., Ltd. Lamp unit and lighting system for vehicle
KR101941450B1 (ko) 2012-08-02 2019-01-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
US20140042470A1 (en) * 2012-08-09 2014-02-13 Epistar Corporation Method of making light emitting device and light emitting device made thereof
KR101931771B1 (ko) * 2012-11-23 2019-03-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
DE102012112988A1 (de) 2012-12-21 2014-07-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Scheinwerfer
JP6107136B2 (ja) * 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
KR20140094914A (ko) * 2013-01-23 2014-07-31 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리를 갖는 표시 장치
TWI549322B (zh) * 2013-04-10 2016-09-11 映瑞光電科技（上海）有限公司 一種結合磊晶結構與封裝基板爲一體之整合式ｌｅｄ元件及其製作方法
EP2803715B1 (en) 2013-05-16 2020-02-26 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor and light emitting device package including the same
TWI626395B (zh) 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP2015012244A (ja) * 2013-07-01 2015-01-19 株式会社東芝 半導体発光素子
JP6713720B2 (ja) 2013-08-30 2020-06-24 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びそれを含む車両用照明装置
KR102109764B1 (ko) 2013-09-13 2020-05-29 삼성전자주식회사 전력 전송 장치에서 전력 수신 장치의 위치를 판단하는 방법 및 상기 방법을 수행하는 전력 전송 장치
CN105299107B (zh) 2014-05-28 2018-01-05 现代摩比斯株式会社 停车制动装置
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102554231B1 (ko) 2016-06-16 2023-07-12 서울바이오시스 주식회사 전극 구조를 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지
CN107946441A (zh) 2016-10-12 2018-04-20 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及发光二极管封装结构

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8366304B2 (en) * 2006-06-02 2013-02-05 Valeo Vision Multifunctional internal lighting device for a motor vehicle
US20110233601A1 (en) * 2010-03-24 2011-09-29 Asahi Glass Company, Limited Substrate for light-emitting element and light-emitting device
US20140140082A1 (en) * 2011-06-28 2014-05-22 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting module
US20140078763A1 (en) * 2012-09-17 2014-03-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and headlight for vehicle having the same
WO2014157905A1 (ko) * 2013-03-25 2014-10-02 엘지이노텍(주) 발광소자 패키지

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3239592A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
US10907789B2 (en) 2021-02-02
US20180259137A1 (en) 2018-09-13
EP3239592A4 (en) 2018-09-12
US10655801B2 (en) 2020-05-19
EP3239592B1 (en) 2021-03-31
US20190017664A1 (en) 2019-01-17
US10323803B2 (en) 2019-06-18
CN111509110A (zh) 2020-08-07
EP3239592A1 (en) 2017-11-01
US10274143B2 (en) 2019-04-30
US20200256526A1 (en) 2020-08-13
CN107210344A (zh) 2017-09-26
US20190309916A1 (en) 2019-10-10
CN111509111A (zh) 2020-08-07
CN107210344B (zh) 2020-05-15
CN111490146A (zh) 2020-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016080768A1 (ko) 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
CN208959334U (zh) 发光装置以及包括该发光装置的车辆用灯
US10141491B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
EP1928030B1 (en) Led lighting fixture
US9039216B2 (en) Light emitting device package and light unit having the same
EP1908124B1 (en) Light-emitting module and corresponding circuit board
WO2019221431A1 (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
JP6457713B2 (ja) 発光素子パッケージ
WO2013129820A1 (en) Light emitting device package
KR101653395B1 (ko) 멀티 칩 엘이디 패키지
CN106887507B (zh) 发光装置及其制造方法
KR101644149B1 (ko) 멀티 칩 엘이디 패키지 및 그 제조방법
WO2019139336A1 (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
KR20160059325A (ko) 발광 장치
WO2016080769A1 (ko) 발광 장치
WO2017026858A1 (ko) 발광소자 패키지
WO2019225866A1 (ko) 발광 소자
KR102533583B1 (ko) 발광 장치
KR102142718B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
WO2023229405A1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20140092083A (ko) 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 모듈
KR20190031212A (ko) Led 모듈
KR20190007511A (ko) 형광몰딩층을 갖지 않는 led 조명
TWM525295U (zh) 發光二極體發光模組

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15861575

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2015861575

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15528023

Country of ref document: US