KR102533583B1 - 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

발광 장치가 개시된다. 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 파장변환부를 포함하는 발광부; 상기 발광부와 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 발광부를 상기 기판에 접합하는 접합층; 및 상기 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고, 상기 접합층은 금속 입자를 포함하는 금속 소결체를 포함한다.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 특히, 열 방출 효율이 높고, 불량률이 낮아 신뢰성이 우수한 발광 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합으로 발생하는 광을 발하는 무기 반도체 소자로서, 최근, 디스플레이, 자동차 램프, 일반 조명 등의 여러 분야에서 사용된다. 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비 전력이 낮으며, 응답 속도가 빨라서, 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치는 종래의 광원을 대체할 것으로 기대된다.
발광 다이오드는 전극의 위치 및 그 구조에 따라, 수평형 발광 다이오드, 플립칩형 발광 다이오드, 및 수직형 발광 다이오드로 구분될 수 있다. 이 중 플립칩형 발광 다이오드는 그 하부에 전극이 위치하여, 상기 전극을 별도의 기판 상에 실장하여 이용할 수 있다. 따라서 플립칩형 발광 다이오드는 수평 방향으로의 전류 분산이 우수하고, 열방출 효율이 뛰어나 고출력 발광 장치에 폭넓게 이용되고 있다.
이러한 플립칩형 발광 다이오드를 별도의 기판에 실장하기 위해서는, 전기적 도전성을 갖는 물질을 이용하여 상기 발광 다이오드를 기판에 접합하는 공정이 요구된다. 종래에, 플리칩형 발광 다이오드를 기판에 접합하는 방법으로, 도전성 페이스트를 이용하거나, 공정(Eutectic) 접합을 이용하거나, Au 범프 볼 본딩 방법등을 이용하였다.
도전성 페이스트를 이용하는 경우, 상기 페이스트의 점성으로 인하여 접착과정에서 퍼짐이 발생하여, n전극과 p전극이 서로 전기적으로 연결되어 발광 다이오드의 전기적 쇼트가 발생하는 문제가 발생한다. 또한, 공정 접합의 경우, 공정 접합된 구조 내에 기공(pore)이 발생하여 신뢰성에 문제가 발생할 수 있다. 또한, Au 범프 볼 본딩의 경우 접촉 면적이 상대적으로 작아 열 방출 효율이 낮으며, 기계적 신뢰성이 낮다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 열 방출 효율이 높고, 신뢰성이 높은 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 파장변환부를 포함하는 발광부; 상기 발광부와 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 발광부를 상기 기판에 접합하는 접합층; 및 상기 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고, 상기 접합층은 금속 입자를 포함하는 금속 소결체를 포함한다.
상기 금속 입자는 Ag 입자를 포함할 수 있다.
상기 발광 소자는 그 하면에 위치할 수 있으며, 서로 이격된 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함할 수 있다.
나아가, 상기 접합층은 제1 접합층 및 제2 접합층을 포함할 수 있고, 상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮을 수 있고, 상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮을 수 있다.
또한, 상기 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 각각, 상기 제1 패드 전극과 상기 제2 패드 전극이 대향하는 측면을 포함할 수 있고, 상기 제1 접합층의 일 측면은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치할 수 있으며, 상기 제2 접합층의 일 측면은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치할 수 있다.
상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮을 수 있으며, 상기 제1 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란할 수 있고, 상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮을 수 있으며, 상기 제2 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란하게 위치할 수 있다.
몇몇 실시예들에서, 상기 접합층은 제1 접합층 및 제2 접합층을 포함할 수 있고, 상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극을 덮고, 상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극을 덮을 수 있다.
상기 접합층은 10 내지 30㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 발광부 및 상기 접합층은 각각 복수로 형성될 수 있고, 상기 복수의 발광부들은 상기 복수의 접합층들에 의해 상기 기판 상에 접합될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 제1 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 제1 파장변환부를 포함하는 제1 발광부; 상기 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광부와 이격되며, 제2 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 제2 파장변환부를 포함하는 제2 발광부; 상기 제1 발광부와 상기 기판 사이에 위치하는 제1 접합층; 상기 제2 발광부와 상기 기판 사이에 위치하는 제2 접합층; 및 상기 제1 및 제2 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고, 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부는 서로 다른 피크 파장을 갖는 광을 방출하고, 상기 제1 및 제2 접합층은 각각 금속 입자를 포함하는 금속 소결체를 포함한다.
상기 금속 입자는 Ag 입자를 포함할 수 있다.
상기 기판은 제1 내지 제4 전극을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 제1 발광부에 전기적으로 연결되고, 상기 제3 및 제4 전극은 제2 발광부에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 내지 제4 전극은 서로 절연될 수 있으며, 상기 제1 내지 제4 전극 각각은 상기 기판의 외부 표면에 노출될 수 있다.
상기 제1 발광부는 백색광을 방출할 수 있다.
상기 제2 발광부는 엠버색광을 방출할 수 있다.
상기 제1 및 제2 발광 소자는 각각 그 하면에 위치하는 패드 전극들을 포함할 수 있다.
나아가, 상기 제1 접합층은 상기 제1 발광 소자 아래에 위치하는 패드 전극들의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮을 수 있고, 상기 제2 접합층은 상기 제2 발광 소자 아래에 위치하는 패드 전극들의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮을 수 있다.
상기 제1 접합층의 일부 측면은 상기 제1 발광 소자의 측면과 나란할 수 있고, 상기 제2 접합층의 일부 측면은 상기 제2 발광 소자의 측면과 나란할 수 있다.
본 발명에 따르면, 금속 입자 소결체를 포함하는 접합층을 포함하는 발광 장치를 개시함으로써, 열 방출 효율이 우수하고, 전기적 쇼트 등을 효과적으로 방지할 수 있어 신뢰성이 높은 발광 장치가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2a 및 도 2b 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치의 접합층을 설명하기 위한 확대 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도, 평면도, 저부 평면도 및 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 차량용 램프를 설명하기 위한 정면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이고, 도 2a 및 도 2b 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치의 접합층을 설명하기 위한 확대 단면도들이다.
먼저, 도 1을 참조하면, 발광 장치(10)는 발광 소자(110) 및 파장변환부(120)를 포함하는 발광부(100), 접합층(130), 측벽부(300), 및 기판(400)을 포함한다. 나아가, 발광 장치(10)는 보호 소자(미도시)를 더 포함할 수 있다.
기판(400)은 발광 장치(10)의 저부에 위치할 수 있으며, 발광 소자(110)와 측벽부(300)를 지지하는 역할을 할 수 있다. 기판(400)은 절연성 또는 도전성 기판일 수 있으며, 또한, 도전성 패턴을 포함하는 PCB일 수 있다. 기판(400)이 절연성 기판인 경우, 기판(400)은 폴리머 물질, 또는 세라믹 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, AlN와 같이 열전도성이 우수한 세라믹 물질을 포함할 수 있다.
또한, 기판(400)은 베이스(410)를 포함할 수 있고, 나아가, 제1 전극(421) 및 제2 전극(431)을 더 포함할 수 있다. 이때, 베이스(410)는 기판(400) 및 전극들(421, 431)을 전체적으로 지지하는 역할을 할 수 있으며, 전극들(421, 431)을 서로 절연시키기 위하여 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스(410)는 열전도성이 우수한 AlN과 같은 세라믹 물질을 포함할 수 있다.
제1 전극(421)과 제2 전극(431)은 서로 절연될 수 있으며, 베이스(410)를 상하로 관통하여, 베이스(410) 상부 및 하부 상에 노출될 수 있다. 이에 따라, 전극들(421, 431)은 기판(400) 상에 위치하는 발광 소자(110)와 전기적으로 연결될 수 있고, 또한, 기판(400)의 하부에 노출된 부분을 통해 외부 전원과 전기적으로 연결되어 발광 소자(110)에 전원을 공급할 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제1 및 제2 전극(421, 431)의 형태는 다양하게 형성될 수 있으며, 각각의 제1 및 제2 전극(421, 431)은 복수로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(421, 431) 중 적어도 하나는 베이스(410)의 측면을 통해 노출될 수도 있다.
발광 소자(110)는 기판(400) 상에 위치할 수 있고, 발광 구조체(111)를 포함할 수 있다. 또한, 발광 소자(110)는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 더 포함할 수 있다. 발광 소자(110)는 접합층(130)에 의해 기판(400) 상에 실장될 수 있다. 발광 소자(110)의 구조적인 형태는 제한되지 않으며, 예를 들어, 패드 전극들이 발광 구조체(111)의 일면 상에 위치하는 플립칩형 반도체 발광 소자일 수 있다.
발광 구조체(111)는 n형 반도체층, p형 반도체층 및 n형 반도체층과 p형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함할 수 있고, 이에 따라, 제1 발광 소자(110)에 전원이 공급되는 경우 광이 방출될 수 있다.
접합층(130)은 발광 소자(110)와 기판(400)의 사이에 위치할 수 있고, 또한, 발광 소자(110)를 기판(400)에 접합하여 실장시킬 수 있다. 또한, 접합층(130)은 제1 접합층(131) 및 제2 접합층(133)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 접합층(131, 133)은 서로 이격되어 절연되며, 각각 발광 구조체(111)의 서로 다른 극성의 반도체층에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 접합층(131, 133)은 기판(400)의 제1 전극(421) 및 제2 전극(431) 상에 위치할 수 있고, 전기적으로 연결될 수 있다.
접합층(130)은 전기적 도전성을 갖는 물질을 포함할 수 있으며, 특히, 금속 소결체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 접합층(130)은 Ag 입자들이 소결되어 형성된 Ag 소결체를 포함할 수 있다. 이러한 접합층(130)은 기판(400) 상에, 접합층(130)이 형성되는 영역에 대응하는 부분에 복수의 Ag 소결체 필름을 형성하고, 상기 Ag 소결체 필름 상에 발광 소자(110)를 배치한 후, 상기 Ag 소결체 필름에 저온 및/또는 압력을 가하여 경화시킴으로써 형성될 수 있다. 이에 따라, 접합층(130)에 의해 발광 소자(110)는 기판(400)과 접합될 수 있다.
금속 소결체 필름으로부터 형성되는 접합층(130)은, 발광 소자(110)를 배치한 후 경화시키더라도 부피의 변화나 위치의 변화가 거의 없다. 따라서, 종래의 페이스트와 같이 발광 소자(110)를 실장하는 과정에서 제1 접합층(131)과 제2 접합층(133)이 접촉되어 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 미리 제조된 소결체 필름을 이용하므로, 발광 소자(110)의 실장 과정에서 접합층(130) 내에 공공 또는 기공이 발생하지 않으므로, 접합층(130)의 열 방출 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 기계적 강도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 접합층(130)으로 형성되는 소결체 필름의 두께를 자유롭게 조절할 수 있으므로, 상기 소결체 필름의 두께를 두껍게 하여 발광 소자(110) 구동 시 열 방출 효율을 향상 시킬 수 있다. 예를 들어, 접합층(130)의 두께는 약 10 내지 30㎛일 수 있다. 뿐만 아니라, 금속 소결체 필름을 경화하는 것은 상대적으로 낮은 압력과 낮은 온도에서 수행 가능하므로, 발광 소자(110)를 기판(400)에 접하는 과정에서 고온이나 고압에 의해 발광 소자(110)가 손상될 염려가 없다.
한편, 발광 소자(110)는 발광 구조체(111)의 하면에 형성된 제1 패드 전극(113) 및 제2 패드 전극(115)을 더 포함할 수 있으며, 발광 소자(110)가 패드 전극들(113, 115)을 포함하는 경우 접합층(130)과의 관계를 도 2a 및 도 2b를 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 각각 n형 반도체층 및 p형 반도체층(또는 반대로)에 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 발광 구조체(111)로부터 아래 방향으로 연장되어 형성될 수 있고, 이에 따라, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 제1 발광 소자(110)의 하부에 위치할 수 있다. 이와 달리, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 구조체(111)의 하면과 대체로 동일한 평면상에 위치할 수도 있다. 나아가, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 구조체(111)의 하면보다 높이 위치할 수도 있다. 이 경우, 발광 구조체(111)의 하면에는 홈들이 형성될 수 있고, 상기 홈에 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)가 노출될 수 있다.
제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 기판(400)의 제1 전극(421) 및 제2 전극(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 패드 전극들(113, 115)은 접합층(130)에 의해 전극들(421, 431)과 전기적으로 연결될 수 있다.
구체적으로, 도 2a를 참조하면, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 제1 접합층(131a)과 제2 접합층(133a)에 접촉될 수 있다. 제1 접합층(131a)은 제1 패드 전극(113)의 적어도 일부를 덮을 수 있고, 특히, 제1 접합층(131a)은 제1 패드 전극(113)의 하면 및 측면의 일부를 덮을 수 있다. 이와 유사하게, 제2 접합층(133a)은 제2 패드 전극(115)의 적어도 일부를 덮을 수 있고, 특히, 제2 접합층(133a)은 제2 패드 전극(115)의 하면 및 측면의 일부를 덮을 수 있다.
더욱 구체적으로, 제1 접합층(131a)과 제2 접합층(133a)은 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)이 서로 대향하는 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 측면을 제외한 다른 측면들을 모두 덮을 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 제1 접합층(131a)의 일 측면은, 제1 패드 전극(113)의 측면들 중 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)이 대향하는 측면을 덮지 않고, 상기 대향하는 측면과 나란하게 형성될 수 있다. 제2 접합층(133a) 역시, 제2 패드 전극(113)의 측면들 중 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)이 대향하는 측면을 덮지 않고, 상기 대향하는 측면과 나란하게 형성될 수 있다. 나아가, 제1 접합층(131a)의 일 측면을 제외한 다른 측면들은 발광 소자(110)의 측면과 나란하게 형성될 수 있고, 제2 접합층(133a)의 일 측면을 제외한 다른 측면들은 발광 소자(110)의 측면과 나란하게 형성될 수 있다.
제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)의 이격 영역에 접합층(130a)이 위치하지 않음으로써, 발광 소자(110) 실장 시 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 2b에 도시된 바와 같이, 접합층(130b)은 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 하면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 접합층(130b)의 수평 단면적이 넓어질 수 있어, 발광 장치(10) 구동 시 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 파장변환부(120)는 발광 소자(110) 상에 위치할 수 있고, 적어도 발광 소자(110)의 상면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 나아가, 파장변환부(120)는 발광 소자(110)의 상면과 대체로 동일한 면적으로 형성될 수 있고, 이와 달리, 도시된 바와 같이 파장변환부(120)의 면적은 발광 소자(110)의 상면 면적보다 더 클 수 있다.
파장변환부(120)는 시트 형태를 가질 수 있으며, 상기 시트 형태의 파장변환부(120)는 발광 소자(110) 상에 접착될 수 있다. 시트 형태의 파장변환부(120)는, 예컨대, 접착제에 의해 접착될 수 있다.
파장변환부(120)는 형광체 및 상기 형광체를 담지하는 담지부를 포함할 수 있다. 파장변환부(120)는 통상의 기술자에게 널리 알려진 다양한 종류의 형광체, 예를 들어, 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 등을 포함할 수 있고, 발광 소자(110)에서 방출된 광을 파장변환하여 다양한 색의 광을 방출하도록 할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(110)가 청색광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 경우, 파장변환부(120)는 청색광보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예를 들어, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시키는 형광체를 포함할 수 있다. 또는, 발광 소자(110)가 UV 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 경우, 파장변환부(120)는 UV광보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예를 들어, 청색광, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시키는 형광체를 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 장치(10)에서 백색광이 방출되도록 할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 특히, 본 실시예에 있어서, 파장변환부(120)는 1종의 형광체를 포함할 수 있다.
상기 담지부는 폴리머 수지, 유리와 같은 세라믹 등을 포함할 수 있다. 상기 형광체는 담지부 내에 무작위로 배치될 수 있다.
또한, 파장변환부(120)는 단결정 물질을 포함할 수도 있다. 단결정 물질을 포함하는 파장변환부(120)는 형광체 시트 형태로 제공될 수 있으며, 상기 시트 형태의 파장변환부(120) 자체가 단결정 형광체로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 상기 단결정 형광체는 단결정의 YAG:Ce일 수 있다. 단결정 형광체 시트를 포함하는 파장변환부(120)를 통과하는 광은 대체로 일정한 색좌표를 갖는 광을 방출시킬 수 있어, 상기 단결정 형광체 시트를 포함하는 파장변환부(120)가 복수의 발광 장치들에 적용되는 경우 상기 복수의 발광 장치들 간의 색좌표 편차를 감소시킬 수 있다.
측벽부(300)는 발광부(100)의 측면을 덮을 수 있고, 구체적으로 발광 소자(110)의 측면, 접착부(130)의 측면 및 파장변환부(120)의 측면을 덮을 수 있다. 나아가, 측벽부(300)의 일부는 발광 소자(110)의 하면의 일부를 더 덮을 수 있다. 이때, 패드 전극들(113, 115)의 측면은 측벽부(300)에 둘러싸일 수 있다.
측벽부(300)는 발광 소자(110)를 지지할 수 있고, 또한, 외부 환경으로부터 발광 소자(110)를 보호할 수 있다. 나아가, 측벽부(300)는 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 측벽부(300)가 발광 장치(10)의 외곽 측면에 형성됨으로써, 발광부(100)에서 방출되는 광을 상부로 집중시킬 수 있다. 특히, 접착부(130)가 발광 소자의(110)의 측면까지 연장되어 형성되고, 경사를 갖는 경우, 접착부(130)의 측면과 접하는 부분의 측벽부(300)는 경사질 수 있다. 따라서, 발광 장치(10)의 발광 효율이 더욱 향상될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 측벽부(300)의 반사도, 광 투과도 등을 조절하여, 발광부(100)에서 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다.
측벽부(300)는 절연성의 폴리머 물질 또는 세라믹을 포함할 수 있고, 나아가, 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 필러를 더 포함할 수 있다. 측벽부(300)는 광투과성, 광 반투과성 또는 광 반사성을 가질 수 있다. 예를 들어, 측벽부(300)는 실리콘 수지, 또는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 우레탄 수지 등과 같은 폴리머 수지를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 상기 측벽부(300)는 광 반사성을 갖는 백색 실리콘 수지를 포함할 수 있다.
상기 필러는 측벽부(300) 내에 균일하게 분산 배치될 수 있다. 상기 필러는 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 산화티탄(TiO2), 산화규소(SiO2), 또는 산화지르코늄(ZrO2) 등일 수 있다. 측벽부(300)는 상기 필러들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 필러의 종류 또는 농도 등을 조절함으로써, 측벽부(300)의 반사도 또는 광의 산란 정도 등을 조절할 수 있다.
한편, 측벽부(300)의 상면과 발광부(100)의 상면은 서로 동일 높이를 이룰 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 측벽부(300)의 상면과 파장변환부(120)의 상면이 서로 나란하게(flush) 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 3의 발광 장치(10b)는 도 1의 발광 장치와 비교하여 복수의 발광부(100)를 포함하는 점에서 차이가 있다.
상기 발광 장치(10b)는 기판(400) 상에 위치하는 복수의 발광부(100)들을 포함한다. 이때, 발광부(100)들은 접합층(130)에 의해 기판(400)에 접합될 수 있다.
접합층(130)은 금속 소결체를 포함할 수 있다. 이에 따라, 복수의 발광부(100)들을 기판(400)에 접합하는 과정에서 접합층(130)이 페이스트와 같이 퍼지지 않고, 형태 및 위치를 거의 그대로 유지할 수 있다. 따라서, 접합층(130)에 의해 하나의 발광부(100)가 인접하는 다른 발광부(100)와 전기적으로 접촉되어 전기적 쇼트 및 불량이 발생할 확률을 현저하게 감소시킬 수 있다. 따라서, 제조된 발광 장치(10b)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 복수의 발광부(100)를 포함하는 발광 장치(10b)의 경우, 구동 시 고열이 발생할 수 있는데, 상기 발광 장치(10b)는 금속 소결체를 포함하는 접합층(130)을 포함함으로써 상기 열을 효과적으로 외부로 방출시킬 수 있다. 이에 따라, 발광 장치(10b)가 열로 인하여 손상되거나 발광 효율이 감소하는 것을 방지할 수 있다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도, 평면도, 저부 평면도 및 단면도이다. 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4 내지 도 7을 참조하여 설명하는 발광 장치(10c)는 도 1을 참조하여 설명한 발광 장치(10)와 비교하여, 복수의 발광부(100, 200)를 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하, 차이점을 중심으로 상기 발광 장치(10c)에 관하여 설명하며, 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 4 내지 도 7을 참조하면, 발광 장치(10c)는 적어도 2 이상의 발광부를 포함할 수 있고, 구체적으로, 발광 장치(10c)는 제1 발광부(100), 제2 발광부(200), 제1 접합층(130), 제2 접합층(230), 측벽부(300) 및 기판(400)을 포함한다. 나아가, 발광 장치(10c)는 보호 소자(310)를 더 포함할 수 있다.
기판(400)은 발광 장치(10c)의 저부에 위치할 수 있으며, 제1 및 제2 발광부(100, 200)와 측벽부(300)를 지지하는 역할을 할 수 있다. 기판(400)은 베이스(410)를 포함할 수 있고, 나아가, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)을 더 포함할 수 있다.
제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들은 서로 절연될 수 있으며, 베이스(410)를 상하로 관통하여, 베이스(410) 상부 및 하부 상에 노출될 수 있다. 이에 따라, 전극들(421, 431, 423, 433)은 기판(400) 상에 위치하는 제1 및 제2 발광부(100, 200)와 전기적으로 연결될 수 있고, 또한, 기판(400)의 하부에 노출된 부분을 통해 외부 전원과 전기적으로 연결되어 제1 및 제2 발광부(100, 200)에 전원을 공급할 수 있다.
다만, 본 발명이 이에 한정되지 않으며, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들의 형태는 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들 중 적어도 하나는 베이스(410)의 측면을 통해 노출될 수도 있으며, 또한, 제1 내지 제4 전극(421, 431, 423, 433)들 중 적어도 일부는 서로 전기적으로 연결될 수도 있다. 또한, 발광 장치(10c)에 포함된 발광부의 수에 따라, 발광 장치(10c)는 5개 이상의 전극을 포함할 수도 있다. 발광부들(100, 200)과 전극들의 전기적 연결 형태는 후술하여 상세하게 설명한다.
제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)는 기판(400) 상에 위치할 수 있다. 제1 발광부(100)는 제1 발광 소자(110), 제1 파장변환부(120) 및 제1 접착부(130)를 포함할 수 있다. 제2 발광부(200)는 제2 발광 소자(210), 제2 파장변환부(220) 및 제2 접착부(230)를 포함할 수 있다. 제1 발광부(100)는 제2 발광부(200)와 다른 파장대의 광을 방출할 수 있으며, 예를 들어, 각각 백색광 및 엠버색광을 방출할 수 있다.
또한, 제1 발광부(100)는 발광 구조체(111), 제1 패드 전극(113) 및 제2 패드 전극(115)을 포함할 수 있고, 제2 발광부(200)는 발광 구조체(211), 제3 패드 전극(213) 및 제4 패드 전극(215)을 포함할 수 있다.
제1 접합층(130)은 제1 발광부(100)와 기판(400) 사이에 위치하여, 제1 발광부(100)를 기판(400)에 접합할 수 있다. 제2 접합층(230)는 제2 발광부(200)와 기판(400) 사이에 위치하여, 제2 발광부(200)를 기판(400)에 접합할 수 있다. 제1 및 제2 접합층(130, 230)는 금속 입자가 소결된 금속 소결체를 포함할 수 있고, 특히, Ag 입자가 소결된 Ag 소결체를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 파장변환부(120, 220)는 각각 제1 및 제2 발광 소자(110, 210) 상에 위치할 수 있고, 형광체를 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 파장변환부(120, 220)는 상기 형광체를 담지하는 담지부를 더 포함할 수 있다. 특히, 제1 및 제2 파장변환부(120, 220)는 단결정 형광체 시트를 포함할 수 있고, 상기 단결정 형광체 시트는, 예를 들어, 단결정 YAG:Ce일 수 있다.
제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 기판(400)의 제1 전극(421) 및 제2 전극(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 전극(421, 431)을 통해 제1 발광 소자(110)에 전원이 공급될 수 있다. 또한, 제3 패드 전극(213)은 제3 전극(423)에 전기적으로 연결되고, 제4 패드 전극(215)은 제4 전극(433)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제3 및 제4 전극(423, 433)을 통해 제2 발광 소자(210)에 전원이 공급될 수 있다. 이때, 패드 전극들(113, 115, 213, 215)은 접합층들(130, 230)에 의해 전극들(421, 423, 431, 433)과 접합 및 전기적으로 연결될 수 있다.
이에 따라, 제1 발광 소자(110)와 제2 발광 소자(120)는 각각 별도의 전극들(421, 431, 423, 433)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극들(421, 431, 423, 433)에 공급되는 전원을 별개로 연결함으로써 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)를 독립적으로 구동시킬 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 전극들(421, 431, 423, 433)은 서로 전기적으로 상호 연결될 수도 있다. 나아가, 발광 장치(10c)는 별도의 제어부(미도시)를 더 포함할 수도 있고, 상기 제어부에 의하여 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)의 구동이 제어될 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 제2 파장변환부(220)는 형광체를 포함하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 제2 발광부(200)에서 방출시키고자 하는 광의 파장 대역이 제2 발광 소자(210)의 방출 광 파장 대역과 대체로 일치하는 경우, 제2 파장변환부(220)는 형광체를 포함하지 않을 수도 있다. 이 경우, 제2 파장변환부(220)는 TiO2와 같은 광 산란제를 포함할 수 있다.
측벽부(300)는 제1 및 제2 발광 소자(110, 210)의 측면을 덮을 수 있으며, 나아가, 제1 및 제2 파장변환부(120, 220)의 측면을 더 덮을 수 있다. 측벽부(300)는 제1 및 제2 발광부(100, 200)와 접촉될 수 있다. 또한, 측벽부(300)의 일부는 제1 및 제2 발광 소자(110, 210)의 하면의 일부를 더 덮을 수 있고, 이때, 패드 전극들(113, 115, 213, 215)의 측면은 측벽부(300)에 둘러싸일 수 있다.
또한, 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)의 사이에 형성된 측벽부(300)의 두께는, 측벽부(300)의 외곽 측면 테두리 부분의 두께보다 작을 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 발광부(100)와 제2 발광부(200)의 이격 영역을 채우는 측벽부(300)의 두께 x는, 측벽부(300)의 외곽 측면으로부터 제1 및 제2 발광부(100, 200) 중 하나의 측면까지의 최단 거리에 대응하는 두께 y보다 작을 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 발광부(100, 200) 간의 이격 거리를 최소화하여 발광 장치(10c)를 더욱 소형화시킬 수 있고, 나아가, 제1 및 제2 발광부(100, 200)를 외부로부터 더욱 효과적으로 보호할 수 있다.
또한, 본 실시예들에 따른 발광 장치(10c)는 보호 소자(310)를 더 포함할 수 있다. 보호 소자(310)는 측벽부(300) 내에 배치될 수 있으며, 예를 들어, 제너 다이오드를 포함할 수 있다. 보호 소자(310)는 제1 및 제2 발광 소자(110, 120) 중 적어도 하나에 전기적으로 연결되어, 제1 및 제2 발광 소자(110, 120)가 정전기 방전 등으로 인하여 파손되는 것을 방지할 수 있다. 보호 소자(310)는 제1 및 제2 발광 소자(110, 120) 각각에 별도로 연결될 수도 있고, 또는, 제1 및 제2 발광 소자(110, 120)에 동시에 연결될 수도 있다.
상술한 실시예들에 따르면, 발광 장치(10, 10a, 10b)는 기판(400) 상에 서로 이격되어 위치하는 제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)를 포함하고, 상기 제1 및 제2 발광부(100, 200)는 각각 서로 다른 전극들에 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 제1 발광부(100) 및 제2 발광부(200)는 서로 독립적으로 구동될 수 있으며, 필요에 따라 선택적으로 다른 색의 광을 방출하는 발광 장치(10a)가 제공될 수 있다. 따라서, 서로 다른 색의 광을 방출하는 적어도 둘 이상의 발광 장치를 별도로 제조하는 것을 생략할 수 있어, 제조 공정이 간소화 될 수 있다. 나아가, 하나의 발광 장치만으로도 복수 색의 광을 방출시킬 수 있으므로, 특정 응용 장치에서 발광 장치가 차지하는 공간적 비율을 감소시킬 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 발광 장치는 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 셋 이상의 발광부를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 발광 장치(10d)는 복수의 제1 발광부(100) 및 복수의 제2 발광부(200)를 포함할 수 있다. 복수의 제1 발광부(100)들은 서로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있고, 복수의 제2 발광부(200)들 역시 서로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. 이와 같이 발광 장치(10d)가 셋 이상의 발광부들을 포함함으로써, 발광 장치(10d) 발광 강도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 발광 장치는 세 종류 이상의 색의 광을 방출하는 발광부들을 포함할 수도 있다.
상술한 실시예들에서 설명한 발광 장치는, 하나의 발광 장치로부터 둘 이상의 색의 광을 방출될 수 있다. 이러한 발광 장치는 복수의 발광 색이 요구되는 응용 장치 등에 적용될 수 있으며, 예를 들어, 차량용 램프에 적용될 수 있다. 이하, 도 9를 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치를 포함하는 차량용 램프에 관하여 설명한다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 차량용 램프를 설명하기 위한 정면도이다.
도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 차량용 램프(20)는 콤비네이션 램프(23)를 포함할 수 있고, 나아가, 메인 램프(21)를 더 포함할 수 있다. 상기 차량용 램프(20)는 헤드라이트, 백라이트, 또는 사이드 미러 라이트 등 차량의 다양한 부분에 적용될 수 있다.
메인 램프(21)는 차량용 램프(20)에 있어서 주 발광등일 수 있고, 예를 들어, 차량용 램프(20)가 헤드라이트로 이용되는 경우, 차량의 전방을 비추는 전조등 역할을 할 수 있다.
콤비네이션 램프(23)는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치(10c)를 포함할 수 있다. 콤비네이션 램프(23)는 적어도 둘 이상의 기능을 할 수 있다. 예를 들어, 차량용 램프(20)가 헤드라이트로 이용되는 경우, 콤비네이션 램프(23)는 주간주행등(daytime running light; DRL) 및 방향 지시등의 기능을 할 수 있다.
구체적으로, 본 실시예의 차량용 램프(20)를 포함하는 차량에 있어서, 상기 차량의 일반 주행 시, 콤비네이션 램프(23)의 발광 장치(10c)는 백색광을 방출하는 제1 발광부(100)에서 광을 방출한다. 이에 따라, 상기 콤비네이션 램프(23)는 백색광을 방출하여 주간주행등의 기능을 할 수 있다. 또한, 상기 차량의 방향 지시등을 턴-온(turn-on)하는 경우, 콤비네이션 램프(23)의 발광 장치(10c)는 제1 발광부(100)의 전원을 오프하고, 제2 발광부(200)에서 엠버색의 광을 방출한다. 이에 따라, 상기 콤비네이션 램프(23)는 엠버색의 광을 방출하여 방향 지시등의 기능을 할 수 있다. 이러한 콤비네이션 램프(23) 및 발광 장치(10c)는 별도의 제어부(미도시)에 의해 그 구동이 제어될 수 있다.
이와 같이, 둘 이상의 색의 광을 방출하여 적어도 둘 이상의 기능을 할 수 있는 콤비네이션 램프(23)의 광원으로, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치(10c)를 이용할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치(10c)는 적어도 둘 이상의 서로 다른 파장의 광을 방출하는 발광부들을 포함하므로, 콤비네이션 램프(23)를 포함하는 차량용 램프(20) 제조 시, 별도의 둘 이상의 발광 장치를 실장하는 공정이 생략될 수 있다. 따라서 차량용 램프(20)의 불량률을 감소시킬 수 있고, 제조 공정을 단순화하여 공정 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 발광 장치(10c)의 부피가 상대적으로 작으므로, 콤비네이션 램프(23) 제조 시 공간적 제약이 감소될 수 있고, 콤비네이션 램프(23)의 다양한 변형 및 변경이 용이해질 수 있다.
다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 발광 장치는 차량용 램프 외 다양한 다른 응용 기구에 적용될 수 있다. 또한, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.

Claims (19)

  1. 측면들을 갖는 기판;
    상기 기판 상에 위치하며, 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 위치하는 파장 변환부를 포함하는 발광부;
    상기 발광부와 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 발광부를 상기 기판에 접합하는 접합층; 및
    상기 발광부의 측면을 둘러싸며, 상기 발광부의 측면과 접하는 측벽부를 포함하고,
    상기 발광 소자는 발광 구조체, 및 상기 발광 구조체의 하면에 위치하며, 서로 이격된 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함하고,
    상기 접합층은 제1 접합층 및 제2 접합층을 포함하고,
    상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮으며,
    상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극의 하면 및 적어도 일부의 측면을 덮고,
    상기 파장 변환부의 면적은 상기 발광 소자의 상면 면적보다 크고,
    상기 측벽부의 바깥쪽 측면들은 상기 기판의 측면들과 나란하되,
    상기 측벽부의 바깥쪽 측면들에서, 상기 기판의 측면과 나란한 측면의 상부 끝단이 상기 발광 소자의 상면보다 높게 위치하는 발광 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 제2 접합층은 금속 입자를 포함하는 금속 소결체를 포함하는 발광 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 금속 입자는 Ag 입자를 포함하는 발광 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 각각, 상기 제1 패드 전극과 상기 제2 패드 전극이 대향하는 측면을 포함하고,
    상기 제1 접합층의 일 측면은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치하며,
    상기 제2 접합층의 일 측면은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면과 나란하게 위치하는 발광 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 접합층은 상기 제1 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮으며, 상기 제1 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란하고,
    상기 제2 접합층은 상기 제2 패드 전극의 상기 대향하는 측면을 제외한 다른 측면들을 덮으며, 상기 제2 접합층의 타 측면들은 상기 발광 소자의 측면과 나란하게 위치하는 발광 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 접합층은 최대 두께가 10 내지 30㎛ 범위 내인 발광 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광부 및 상기 접합층은 각각 복수로 형성되고,
    상기 복수의 발광부들은 상기 복수의 접합층들에 의해 상기 기판 상에 접합되는 발광 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 측벽부는 상기 발광 소자의 측면 및 상기 파장변환부의 측면을 덮는 발광 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 측벽부는 상기 접합층의 측면을 덮는 발광 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 측벽부의 상단의 높이는 상기 파장변환부의 상면 높이와 같은 발광 장치.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 측벽부의 일부는 상기 파장변환부의 하부 영역 내에 위치하는 발광 장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 측벽부는 발광 소자에서 방출된 광을 반사시키는 발광 장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 측벽부는 경사진 측면을 포함하는 발광 장치.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 측벽부는 절연성의 폴리머 물질을 포함하는 발광 장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 측벽부는 광을 산란 또는 반사시키는 필러를 더 포함하는 발광 장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 필러는 산화티탄, 산화규소, 또는 산화지르코늄을 포함하는 발광 장치.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 소자는 상기 파장변환부의 측면으로 둘러싸인 영역의 하부 영역 내에 위치하는 발광 장치.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은 베이스, 제1 전극, 및 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 패드 전극은 각각 상기 제1 접합층 및 제2 접합층에 의해 상기 제1 전극 및 제2 전극에 접합된 발광 장치.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 개재된 절연성 물질을 더 포함하는 발광 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114649447A (zh) * 2020-12-18 2022-06-21 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法及发光装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030234447A1 (en) 2002-06-24 2003-12-25 Mohammad Yunus Contact structure for reliable metallic interconnection
JP2007251021A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20130329440A1 (en) 2011-02-15 2013-12-12 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting module and automotive lamp
US20140124801A1 (en) 2011-07-29 2014-05-08 Buem Yeon LEE Light emitting device package having led disposed in lead frame cavities
WO2014095895A1 (de) 2012-12-21 2014-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8957428B2 (en) 2008-09-25 2015-02-17 Koninklijke Philips N.V. Coated light emitting device and method for coating thereof
DE102010046254A1 (de) 2010-09-22 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
KR20120091839A (ko) * 2011-02-10 2012-08-20 삼성전자주식회사 플립칩 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
JP2012248573A (ja) 2011-05-25 2012-12-13 Mitsubishi Electric Corp 発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030234447A1 (en) 2002-06-24 2003-12-25 Mohammad Yunus Contact structure for reliable metallic interconnection
JP2007251021A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20130329440A1 (en) 2011-02-15 2013-12-12 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting module and automotive lamp
US20140124801A1 (en) 2011-07-29 2014-05-08 Buem Yeon LEE Light emitting device package having led disposed in lead frame cavities
WO2014095895A1 (de) 2012-12-21 2014-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung

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