WO2016063870A1 - 表示装置 - Google Patents

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organic
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一由 小俣
司 八木
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コニカミノルタ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a field sequential display device including an organic electroluminescence element (organic EL element) as a light source.
  • organic EL element organic electroluminescence element
  • the field sequential method is a color display method using a color mixture by “time division”.
  • organic electroluminescence (EL) elements have been proposed as direct-type or side-edge type backlights instead of LEDs (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).
  • any one of red (R), green (G), and blue (B) constituting the backlight can be emitted and continuously displayed for each field.
  • Each color is switched (time-division) to emit light, and an arbitrary color light is obtained by sufficiently increasing the switching speed.
  • a color field is divided into an R field, a G field, and a B field, and each RGB field is caused to emit light with a time difference in order, and one color field is displayed on the display panel.
  • the backlight emission is red (R)
  • the backlight emission is blue (B)
  • the G field is displayed.
  • the backlight emission is green (G).
  • a color moving image can be displayed by displaying each of the three color fields that are time-divided in this manner while continuously changing the emission color.
  • the field sequential display device has no light loss due to absorption and does not use an expensive color filter compared to a method using a color filter, so the number of members can be reduced, which is a great advantage for cost reduction.
  • the display panel is driven at a high speed by the field sequential method. Therefore, the organic EL element also requires a driving speed in combination with the high speed driving of the display panel.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • ITO is used as a transparent electrode of an organic EL element used for a backlight.
  • the driving speed required in the field sequential method cannot be obtained sufficiently, and the driving of the organic EL element becomes unstable.
  • driving of the display device becomes unstable.
  • the present invention provides a display device capable of stable driving in a field sequential method.
  • the display device of the present invention includes a backlight and a field sequential display panel.
  • the light emission part of a backlight is an organic electroluminescent element provided with the several light emission unit which light-emits a different color, and at least 1 electrode of an organic electroluminescent element consists of an alloy which has Ag or Ag as a main component.
  • a display device capable of stable driving can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a display device to which a field sequential method can be applied.
  • the display device shown in FIG. 1 includes a display panel 200 and a backlight 100 made of an organic electroluminescence element (organic EL element).
  • FIG. 2 shows a planar arrangement of the backlight 100 used in the display device.
  • the display panel 200 is a display panel for a field sequential method that is driven at a high speed by a TFT (Thin Film Transistor) method.
  • the display panel 200 has a well-known configuration in the TFT system, and the display panel 200 has a liquid crystal layer 206 between two transparent substrates 202 (for example, a glass substrate or a transparent film substrate) provided with a polarizing plate 201 on the outer surface side. Is sandwiched.
  • a pixel electrode 204 and a thin film transistor (TFT) 203 are formed on the lower transparent substrate 202. Further, data lines 210 and scanning lines (not shown) are arranged in a matrix on the transparent substrate 202 with an insulating layer 207 interposed therebetween. A TFT 203 and a pixel electrode 204 are disposed at the intersection of the data line 210 and the scanning line.
  • TFT thin film transistor
  • a liquid crystal layer 206 capable of high-speed response sandwiched by the alignment film 205 is formed.
  • a spacer 208, a seal 209, and a pair of alignment films 205 form a space that encloses the liquid crystal layer 206.
  • the display panel 200 is required to be capable of high-speed response in order to display a full-color image by a field sequential method.
  • a display panel of a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) type may be used. Note that since the display panel 200 is applied to a field sequential display device, a color filter is not provided.
  • the light emitting part of the backlight 100 is composed of a strip-shaped organic EL element. These strip-shaped organic EL elements are arranged in parallel in the light emitting surface direction.
  • a first electrode 102 made of a transparent electrode formed in a strip-like and substantially parallel stripe shape and a partition wall 108 made of an insulating material are formed.
  • the partition wall 108 is formed along the first electrode 102 and is disposed on the first electrode 102 leaving an opening.
  • the light emission units 103r, 103g, and 103b containing the light emitting layer which light-emits each color of red, green, or blue are formed.
  • the second electrode 104 that is a back electrode is deposited according to the level difference over the transparent substrate 101 at the periphery.
  • one of the first electrode 102 and the second electrode 104 functions as a cathode and the other functions as an anode with respect to the light-emitting units 103r, 103g, and 103b sandwiched therebetween.
  • a portion where the first electrode 102, the light emitting unit 103r, and the second electrode 104 overlap is formed as one organic EL element.
  • a portion where the first electrode 102, the light emitting unit 103g, and the second electrode 104 overlap is formed as one organic EL element, and a portion where the first electrode 102, the light emitting unit 103b, and the second electrode 104 overlap is formed. It is formed as one organic EL element.
  • FIG. 2 shows stripe-shaped organic EL regions 109r, 109g, and 109b formed as the backlight 100 and emitting R, G, and B colors.
  • the organic EL regions 109r, 109g, and 109b correspond to the respective organic EL elements including the first electrode 102, the light emitting units 103r, 103g, and 103b, and the second electrode 104 shown in FIG.
  • the area of the organic EL regions 109r, 109g, and 109b may be within a range where the stripe formation period is averaged when time-division driving is performed and there is no problem in white display.
  • FIG. 2 schematically shows the backlight 100. Actually, a large number of organic EL regions 109r, 109g, 109b whose emission colors are red, green, or blue are arranged in parallel to each other. .
  • the first electrode 102 is connected to the first terminals 102r, 102g, and 102b for each emission color through a wiring portion made of the same material as the first electrode 102.
  • the first electrode 102 of the organic EL region 109r whose emission color is red is connected to the first terminal 102r through the wiring portion
  • the first electrode 102 of the organic EL region 109b whose emission color is blue is the emission color of the first terminal 102b.
  • the first electrodes 102 of the green organic EL region 109g are connected to the first terminal 102g, respectively.
  • first terminals 102r, 102g, and 102b are formed on the transparent substrate 101 on the side of the first electrode 102 according to the number of colors emitted from the organic EL regions 109r, 109g, and 109b. And each 1st terminal 102r, 102g, 102b is connected to one edge part of the 1st electrode 102 corresponding to the same luminescent color through a wiring part.
  • all the first electrodes 102 in the organic EL region 109r whose emission color is red and the first terminal 102r for red emission are electrically connected. Further, all the first electrodes 102 of the organic EL region 109g whose emission color is green are electrically connected to the first terminal 102g for green light emission. All the first electrodes 102 of the organic EL region 109b whose emission color is blue and the first terminals 102b for blue light emission are electrically connected.
  • the organic EL regions 109r, 109g, and 109b for each of the R, G, and B emission colors can be individually driven.
  • the luminance can be changed for each of the organic EL regions 109r, 109g, and 109b of each emission color.
  • a second terminal 111 that is electrically separated from the first electrode 102 is formed adjacent to the organic EL regions 109r, 109g, and 109b.
  • the second electrode 104 is connected to the second terminal 111 by a conductive layer.
  • the second terminal 111 is connected to an external circuit and is supplied with a predetermined voltage.
  • the organic EL regions 109r, 109g, and 109b are switched to emit light by time division driving.
  • this display device it is necessary to switch fields within about 1/60 second or less in order to prevent flickering of images due to color switching. Therefore, in order to perform display of one color per field using the organic EL element having the above-described configuration, the organic EL regions 109r, 109g, and 109b are sometimes opened in about 1/180 second or less, that is, 6 milliseconds or less. It is necessary to drive separately.
  • the first terminals 102r, 102g, and 102b are driven and controlled to emit R, G, and B colors.
  • all the first electrodes 102 in the organic EL region 109r, all the first electrodes 102 in the organic EL region 109g, and all the first electrodes 102 in the organic EL region 109b are time-division driven for each emission color. .
  • the organic EL element includes a first electrode 102 and a second electrode 104, and units 103r, 103g, and 103b containing an organic material having a light emitting property between the electrodes. Each of these components is provided on the transparent substrate 101.
  • the first electrode 102 is configured as a translucent electrode. In this configuration, only a portion where the light emitting unit 103 is sandwiched between the first electrode 102 and the second electrode 104 is a light emitting region in the organic EL element.
  • the organic EL element is configured as a bottom emission type in which generated light is extracted at least from the transparent substrate 101 side.
  • Examples of the transparent substrate 101 of the organic EL element include, but are not limited to, glass and plastic.
  • Examples of the transparent substrate 101 preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film.
  • polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate ( CAP), cellulose esters such as cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by J
  • the 1st electrode 102 is a transparent electrode in an organic EL element, and is a conductive layer comprised using silver or the alloy which has silver as a main component.
  • the main component refers to a component having the highest component ratio among the components constituting the first electrode 102.
  • Examples of the alloy mainly composed of silver (Ag) constituting the first electrode 102 include silver magnesium (AgMg), silver copper (AgCu), silver palladium (AgPd), silver palladium copper (AgPdCu), and silver indium ( AgIn) and the like.
  • the first electrode 102 may have a configuration in which silver or an alloy layer mainly containing silver is divided into a plurality of layers as necessary. Further, the layer thickness of the first electrode 102 is preferably in the range of 2 to 15 nm, more preferably in the range of 3 to 12 nm, and particularly preferably in the range of 4 to 9 nm. When the layer thickness is less than 15 nm, the absorption component or reflection component of the layer is small, and the light transmittance of the first electrode 102 is increased. Further, when the layer thickness is thicker than 2 nm, the conductivity of the layer can be sufficiently ensured.
  • a wet process such as a coating method, an ink jet method, a coating method, a dip method, a dry method such as a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a sputtering method, a CVD method, or the like is used. Examples include a method using a process. Among these, the vapor deposition method is preferably applied.
  • the 1st electrode 102 comprised using the alloy which has silver or silver as a main component is formed on the following base layer.
  • the foundation layer is a layer provided on the transparent substrate 101 side of the first electrode 102.
  • the material constituting the underlayer is not particularly limited.
  • a nitrogen atom or a sulfur atom that can suppress aggregation of silver is used.
  • the upper limit of the layer thickness needs to be less than 50 nm, preferably less than 30 nm, and preferably less than 10 nm. More preferably, it is particularly preferably less than 5 nm.
  • the lower limit of the layer thickness is required to be 0.05 nm or more, preferably 0.1 nm or more, and particularly preferably 0.3 nm or more.
  • the upper limit of the layer thickness is not particularly limited, and the lower limit of the layer thickness is the same as that of the low refractive index material. .
  • the layer is formed with a necessary layer thickness that allows uniform film formation.
  • the thickness thereof is preferably set to a thickness that does not hinder the light transmittance of the organic EL element, for example, 5 nm or less.
  • the base layer needs to have a thickness that can ensure the film uniformity of the first electrode 102.
  • the metal layer has one or more atomic layers in the underlayer.
  • the underlayer is preferably a continuous film. Note that even if there is a defect in the continuous phase of the layer containing the metal serving as the silver growth nucleus in the underlayer, the film of the first electrode 102 is sufficient if the defect is smaller than the Ag atoms constituting the first electrode 102. Uniformity can be ensured.
  • the compound containing a nitrogen atom constituting the underlayer is not particularly limited as long as it is a compound containing a nitrogen atom in the molecule, but is preferably a compound having a heterocycle having a nitrogen atom as a heteroatom.
  • the heterocycle having a nitrogen atom as a hetero atom include aziridine, azirine, azetidine, azeto, azolidine, azole, azinane, pyridine, azepan, azepine, imidazole, pyrazole, oxazole, thiazole, imidazoline, pyrazine, morpholine, thiazine, indole, Examples include isoindole, benzimidazole, purine, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, cinnoline, pteridine, acridine, carbazole, benzo-C-cinnoline, porphyrin, chlorin, choline and
  • a method using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, a dip method, a vacuum deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a sputtering method, an ion plating method, plasma
  • a method using a dry process such as a CVD method or a thermal CVD method.
  • assist such as IAD (ion assist) in order to increase the film density.
  • the layer containing zinc oxide (zinc oxide-containing layer) constituting the base layer contains zinc oxide (ZnO) as a main component.
  • the main component in the zinc oxide-containing layer is a component having the highest constituent ratio among constituent components, and is preferably 50 atomic% or more.
  • the zinc oxide-containing layer may contain materials other than zinc oxide.
  • the dielectric material or the oxide semiconductor material may be an insulating material or a conductive material.
  • Examples of the dielectric material or oxide semiconductor material contained in the zinc oxide-containing layer include TiO 2 , ITO (indium tin oxide), ZnS, Nb 2 O 5 , ZrO 2 , CeO 2 , and Ta 2 O 5.
  • the zinc oxide-containing layer may contain only one type of dielectric material or oxide semiconductor material, and may contain two or more types.
  • the dielectric material or the oxide semiconductor material is particularly preferably ZnS, TiO 2 , GZO, ITO.
  • the zinc oxide-containing layer may contain MgF 2 , SiO 2 or the like in addition to the dielectric material and the oxide semiconductor material.
  • MgF 2 MgF 2
  • SiO 2 SiO 2
  • the zinc oxide-containing layer is likely to be amorphous, and the flexibility of the organic EL element is likely to be enhanced.
  • the zinc oxide-containing layer contains zinc oxide as a main component from the viewpoint of suppressing the aggregation of silver during film formation of the first electrode 102 and obtaining the first electrode 102 that is thin but has a uniform thickness. It is preferable.
  • the amount of zinc atoms contained in the zinc oxide-containing layer is preferably 0.1 to 50 at%, more preferably 0.5 to 50 at%, based on the total number of atoms constituting the zinc oxide-containing layer. .
  • the amount of zinc atoms is excessive, uniform film formation of the zinc oxide-containing layer becomes difficult and transparency may be lowered.
  • the kind and content of each atom contained in the first electrode 102 are specified by, for example, the XPS method.
  • the thickness of the zinc oxide-containing layer is usually preferably 3 to 35 nm, more preferably 5 to 25 nm.
  • the thickness of the zinc oxide-containing layer is 3 nm or more, the film formability of the first electrode 102 is sufficiently improved.
  • the thickness of the zinc oxide-containing layer is 35 nm or less, the influence on the optical characteristics of the organic EL element is small, and the light transmittance of the organic EL element is hardly lowered.
  • the thickness of the zinc oxide-containing layer is measured with an ellipsometer or the like.
  • the first electrode 102 is formed on the base layer, and is sufficiently conductive even without a high-temperature annealing treatment after the first electrode 102 is formed.
  • the film may be subjected to high-temperature annealing after film formation.
  • the Ag atom adhering to a base material produces
  • a metal such as Pd, Al, Ti, Pt, or Mo
  • the first electrode 102 made of silver or an alloy containing silver as a main component may be provided on an underlayer formed using a compound containing nitrogen atoms.
  • the silver atoms constituting the first electrode 102 interact with the compound containing nitrogen atoms constituting the underlayer, and The diffusion distance on the surface of the formation is reduced and silver aggregation is suppressed.
  • the zinc atom contained in the zinc oxide-containing layer has a high affinity with the silver of the first electrode 102. For this reason, at the time of forming the first electrode 102, the silver constituting the first electrode 102 is less likely to aggregate on the zinc oxide-containing layer, and the first electrode 102 having a thin and uniform thickness can be formed. Furthermore, since zinc atoms have a high affinity with silver contained in the first electrode 102, aggregation of silver due to moisture and corrosion of silver can be suppressed in a high humidity environment.
  • the first electrode 102 made of silver or an alloy containing silver as a main component has a thinner layer and the conductivity is ensured, so that the conductivity of the first electrode 102 can be improved and light can be transmitted. It becomes possible to aim at coexistence with improvement of property.
  • the second electrode 104 has a function of supplying, for example, electrons to the light emitting units 103r, 103g, and 103b, and is an electrode film that is a counter electrode with respect to the first electrode 102 that is a transparent electrode.
  • a material having a work function (4 eV or less) metal referred to as an electron injecting metal
  • an alloy referred to as an electrically conductive compound
  • a mixture thereof is used as the second electrode 104.
  • the sheet resistance as the second electrode 104 is several ⁇ / sq.
  • the film thickness is usually selected from the range of 10 nm to 5 ⁇ m, preferably 50 to 200 nm.
  • Electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.
  • a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, A magnesium / aluminum mixture, a magnesium / indium mixture, an aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, a lithium / aluminum mixture, aluminum, or the like is preferable.
  • the second electrode 104 can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the light emitting units 103r, 103g, and 103b each include at least a light emitting organic material between the first electrode 102 and the second electrode 104, and have a light emitting layer that emits light of each color of red, green, and blue. Further, another layer may be provided between the light emitting layer and the electrode.
  • the light emitting layer is formed of a single layer or a plurality of layers.
  • a non-light emitting intermediate layer may be provided between the light emitting layers.
  • a hole blocking layer hole blocking layer
  • an electron injection layer cathode buffer layer
  • An electron blocking layer electron barrier layer
  • a hole injection layer anode buffer layer
  • the electron transport layer is a layer having a function of transporting electrons.
  • the electron transport layer includes an electron injection layer and a hole blocking layer in a broad sense.
  • the electron transport layer may be composed of a plurality of layers.
  • the hole transport layer is a layer having a function of transporting holes.
  • the hole transport layer includes a hole injection layer and an electron blocking layer in a broad sense.
  • the hole transport layer may be composed of a plurality of layers.
  • the light emitting layer preferably contains a phosphorescent compound as a light emitting material.
  • the light emitting layer may be a mixture of a plurality of light emitting materials, or a phosphorescent light emitting material and a fluorescent light emitting material (fluorescent dopant, fluorescent compound) may be mixed and used in the same light emitting layer.
  • a host compound such as a light emitting host
  • a light emitting material light emitting dopant
  • the light emitting layer can be formed by forming a light emitting material or a host compound by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or an ink jet method.
  • the light emitting layer is not particularly limited in its configuration as long as the light emitting material included satisfies the light emission requirements.
  • the light emitting layer is a layer that emits light by recombination of electrons injected from the electrode or the electron transport layer and holes injected from the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. Alternatively, it may be an interface between the light emitting layer and an adjacent layer. Moreover, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum and emission maximum wavelength. In this case, a non-light emitting auxiliary layer may be provided between the light emitting layers.
  • the total thickness of the light emitting layers is preferably in the range of 1 to 100 nm, and more preferably in the range of 1 to 30 nm because a lower driving voltage can be obtained.
  • the thickness of each light emitting layer is preferably adjusted in the range of 1 to 50 nm, more preferably in the range of 1 to 20 nm. Note that the sum of the thicknesses of the light emitting layers is a layer thickness including the intermediate layers when a non-light emitting intermediate layer exists between the light emitting layers.
  • Host compound As the host compound contained in the light emitting layer, a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission at room temperature (25 ° C) of less than 0.1 is preferable. More preferably, the phosphorescence quantum yield is less than 0.01. Moreover, it is preferable that the volume ratio in the layer is 50% or more among the compounds contained in a light emitting layer.
  • a known host compound may be used alone, or a plurality of types may be used.
  • a plurality of types of host compounds it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient.
  • a plurality of kinds of light emitting materials described later it is possible to mix different light emission, thereby obtaining an arbitrary light emission color.
  • Luminescent material examples include phosphorescent compounds (phosphorescent compounds, phosphorescent luminescent materials) and fluorescent compounds (fluorescent compounds, fluorescent luminescent materials).
  • a phosphorescent compound is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and the phosphorescence quantum yield is 0 at 25 ° C. A preferred phosphorescence quantum yield is 0.1 or more, although it is defined as 0.01 or more compounds.
  • the phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition.
  • the phosphorescence quantum yield in solution can be measured using various solvents, but when using a phosphorescent compound, the above phosphorescence quantum yield (0.01 or more) can be achieved in any solvent. That's fine.
  • the phosphorescent compound can be appropriately selected from known compounds used for the light emitting layer of the organic EL device.
  • it is a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, a platinum compound (platinum complex compound) or a rare earth complex, and most preferred among them.
  • the at least one light emitting layer may contain two or more phosphorescent compounds, and the concentration ratio of the phosphorescent compound in the light emitting layer may vary in the thickness direction of the light emitting layer.
  • the phosphorescent compound is 0.1 volume% or more and less than 30 volume% with respect to the total amount of the light emitting layer.
  • Fluorescent compounds include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes. System dyes, polythiophene dyes, rare earth complex phosphors, and the like.
  • injection layer hole injection layer, electron injection layer
  • the injection layer is a layer provided between the electrode and the light-emitting layer in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance.
  • the injection layer can be provided as necessary. If it is a hole injection layer, it may exist between the anode (anode) and the light emitting layer or hole transport layer, and if it is an electron injection layer, it may exist between the cathode (cathode) and the light emitting layer or electron transport layer. .
  • the electron injection layer is preferably a very thin layer, and the layer thickness is preferably in the range of 1 nm to 10 ⁇ m, depending on the material.
  • the hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
  • the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers. Further, the hole transport layer may have a single layer structure made of one kind or two or more kinds of materials.
  • the layer thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the hole transport material has any of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic.
  • the hole transport layer material can be doped with impurities to increase the p property. It is preferable to increase the p property of the hole transport layer because an element with lower power consumption can be manufactured.
  • the hole transport layer is formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Can do.
  • the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer (not shown) are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be provided as a single layer structure or a stacked structure of a plurality of layers.
  • the electron transport layer may have a single-layer structure made of one kind or two or more kinds of materials.
  • the thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the electron transport layer having a single-layer structure and the electron transport layer having a multilayer structure as an electron transport material (also serving as a hole blocking material) constituting a layer portion adjacent to the light emitting layer, electrons injected from the cathode are emitted from the light emitting layer. It suffices to have a function of transmitting to the network. As such a material, any one of conventionally known compounds can be selected and used.
  • the material for the electron transport layer (electron transport compound)
  • a compound containing a nitrogen atom constituting the above-described underlayer may be used. This is the same for the electron transport layer that also serves as the electron injection layer, and the same material as that for the above-described underlayer may be used.
  • the electron transport layer can be formed by thinning the above material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method.
  • Blocking layer hole blocking layer, electron blocking layer
  • the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film. For example, as described in JP-A Nos. 11-204258 and 11-204359 and “Organic EL elements and the forefront of industrialization (published by NTT Corporation on November 30, 1998)”. There is a hole blocking layer.
  • the hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense.
  • the hole blocking layer is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons but has a very small ability to transport holes, and recombines electrons and holes by blocking holes while transporting electrons. Probability can be improved.
  • the structure of an electron carrying layer can be used as a hole-blocking layer as needed.
  • the hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
  • the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense.
  • the electron blocking layer is made of a material that has a function of transporting holes but has a very small ability to transport electrons. By blocking holes while transporting holes, the electron recombination probability is improved. Can be made.
  • the structure of a positive hole transport layer can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the thickness of the hole blocking layer is preferably in the range of 3 to 100 nm, more preferably in the range of 5 to 30 nm.
  • Second Embodiment of Display Device> a second embodiment of the field sequential display device will be described.
  • the second embodiment is different from the first embodiment only in the configuration of the organic EL element of the backlight. For this reason, in the following description, only the configuration of the organic EL element will be described, and the description of the configuration of the display panel and the like and the overlapping description in each configuration will be omitted.
  • FIG. 3 shows a schematic configuration diagram of a field sequential display device according to the second embodiment.
  • the field sequential display device shown in FIG. 3 includes a display panel 200 and a backlight 300 composed of an organic electroluminescence element (organic EL element).
  • organic EL element organic electroluminescence element
  • a so-called three-layer stack in which three layers of light-emitting units are stacked in the thickness direction (light emission direction) of the organic EL elements that constitute the light-emitting portion of the backlight 300. It has a structure. Further, unlike the first embodiment, the organic EL element does not have a partition made of an insulating material for distinguishing organic EL elements having different emission colors, and is continuous over the entire area where the backlight 300 is provided. Is formed.
  • the organic EL elements constituting the backlight 300 are provided on a transparent substrate 301 with a first electrode 302, a first light emitting unit 303, a first intermediate electrode 304, a second light emitting unit 305, The two intermediate electrodes 306, the third light emitting unit 307, and the second electrode 308 are stacked in this order.
  • the organic EL element includes a first light-emitting unit 303, a second light-emitting unit 305, and a first light-emitting unit 303 sandwiched between the first electrode 302, the first intermediate electrode 304, the second intermediate electrode 306, and the second electrode 308, respectively.
  • One of the three light emitting units 307 functions as a cathode and the other functions as an anode.
  • the first electrode 302 is composed of a transparent electrode. Similar to the first electrode of the first embodiment described above, it is configured using silver or an alloy containing silver as a main component. Examples of the alloy mainly composed of silver (Ag) include silver magnesium (AgMg), silver copper (AgCu), silver palladium (AgPd), silver palladium copper (AgPdCu), silver indium (AgIn), and the like.
  • the first electrode 302 is preferably in the range of 2 to 15 nm, more preferably in the range of 3 to 12 nm, and particularly preferably in the range of 4 to 9 nm.
  • the layer thickness is less than 15 nm, the absorption component or reflection component of the layer is small, and the light transmittance of the first electrode 102 is increased. Further, when the layer thickness is thicker than 2 nm, the conductivity of the layer can be sufficiently ensured.
  • the transparent electrode composed of silver or an alloy containing silver as a main component is formed on the base layer.
  • the underlayer as in the first embodiment, for example, the first electrode 302, the first intermediate electrode 304, and the second intermediate electrode 306 made of silver or an alloy containing silver as a main component are formed.
  • a layer containing a nitrogen atom or sulfur atom that can suppress aggregation of silver, a layer containing a metal such as Pd, Al, Ti, Pt, or Mo that becomes a growth nucleus when forming a silver film, and zinc oxide A content layer is mentioned.
  • the first intermediate electrode 304 and the second intermediate electrode 306 are provided between the first light emitting unit 303, the second light emitting unit 305, and the third light emitting unit 307 in the organic EL element. For this reason, it is preferable that the first intermediate electrode 304 and the second intermediate electrode 306 have few absorption components and reflection components of the layer and have high light transmittance.
  • the same configuration as the first electrode 302 described above can be applied.
  • silver of 2 to 15 nm or an alloy containing silver as a main component can be used.
  • the first intermediate electrode 304 and the second intermediate electrode 306 may be formed on the above-described base layer, or constitute a light emitting unit. You may form directly on organic material layers, such as an electron carrying layer.
  • first intermediate electrode 304 and the second intermediate electrode 306 for example, aluminum of 5 nm to 20 nm can be used. Furthermore, the structure which laminated
  • first intermediate electrode 304 and the second intermediate electrode 306 ITO (indium / tin oxide), IZO (indium / zinc oxide), ZnO 2 , TiN, ZrN, HfN, TiO x , VO x , CuI, InN, GaN, CuAlO 2 , CuGaO 2 , SrCu 2 O 2 , LaB 6 , RuO 2 and other conductive inorganic compound layers, Au / Bi 2 O 3 and other two-layer films, SnO 2 / Ag / Multilayer films such as SnO 2 , ZnO / Ag / ZnO, Bi 2 O 3 / Au / Bi 2 O 3 , TiO 2 / TiN / TiO 2 , TiO 2 / ZrN / TiO 2 , fullerenes such as C 60 , oligos Conductive organic material layers such as thiophene, conductive organic compound layers such as metal phthalocyanines, metal-free phthalo
  • the second electrode 308 is an electrode film that is a counter electrode with respect to the first electrode 302, the first intermediate electrode 304, and the second intermediate electrode 306 that are transparent electrodes.
  • the second electrode 308 corresponds to the second electrode of the first embodiment described above, and a configuration similar to that of the second electrode of the first embodiment can be applied.
  • a material having a work function (4 eV or less) metal referred to as an electron injecting metal
  • an alloy referred to as an alloy
  • an electrically conductive compound an electrically conductive compound
  • a mixture thereof as an electrode material is used.
  • the first light emitting unit 303, the second light emitting unit 305, and the third light emitting unit 307 each have a light emitting layer that emits a predetermined color.
  • Each light emitting layer includes at least a light emitting organic material.
  • each light emitting layer includes a light emitting dopant of each color of blue (B), green (G), and red (R) as the light emitting organic material.
  • the first light emitting unit 303, the second light emitting unit 305, and the third light emitting unit 307 emit light of any one of R, G, and B, respectively. This corresponds to the stripe-shaped organic EL region and the light emitting unit that emit each color of R, G, and B in the first embodiment.
  • the 1st light emission unit 303, the 2nd light emission unit 305, and the 3rd light emission unit 307 are set as the structure similar to the light emission unit which light-emits each red, green, or blue color of the above-mentioned 1st Embodiment, respectively. be able to.
  • the organic EL element has a configuration capable of freely adjusting the emission color by controlling each light emitting layer.
  • the organic EL elements may be stacked so that the diode characteristics of the first light emitting unit 303, the second light emitting unit 305, and the third light emitting unit 307 are in the same direction, or stacked differently. Also good. For example, all of the first light emitting unit 303, the second light emitting unit 305, and the third light emitting unit 307 may be stacked in the same direction, and the first light emitting unit 303, the third light emitting unit 307, and the like. The diode characteristics may be stacked in the same direction, and only the second light emitting unit 305 may be stacked in a direction in which the diode characteristics are different from those of the two light emitting units.
  • FIG. 4 shows an equivalent circuit diagram and a timing chart of the organic EL element.
  • a pair of electrodes sandwiching the first light emitting unit 303, the second light emitting unit 305, and the third light emitting unit 307 (the first electrode 302, the first intermediate electrode 304, the second intermediate electrode 306, and the like shown in FIG. A second electrode 308) is connected in parallel.
  • the first light emitting unit 303 emits red (R)
  • the second light emitting unit 305 emits blue (B)
  • the third light emitting unit 307 emits green (G)
  • the timing chart shown in FIG. 4 is a diagram showing the drive timing of the display panel and the light emission timing of each light emitting unit of the organic EL element of the backlight.
  • a timing chart of driving pulses of Vr, Vg, and Vb when the R, G, and B fields are sequentially driven to form one frame for the organic EL region (pixel) is shown.
  • the light emitting unit sequentially divides each color of R, G, and B, and emits each color, for example, by dividing one frame into three equal parts (1/3 frame). Then, the display panel shields the light emitted by the time division in synchronism for each of the three primary colors, so that time-division field images (R field, G field, B field) are sequentially formed. Then, one frame image is formed by temporal color mixing of the time-division field images of the respective colors.
  • the ratios of the light emission periods of the R, G, and B light emitting units are the same is described.
  • the ratio of the light emission periods of the light emitting units may be arbitrarily changed. Is possible.
  • the life of the backlight can be extended by adjusting the light emission periods of R, G, and B according to the life of each light emitting unit.
  • the light emission period of the light emitting unit having relatively large deterioration with time is longer than that of the other light emitting units.
  • the organic EL element including the light emitting unit capable of emitting the R, G, and B primary colors has been described.
  • the light emitting color of the light emitting unit is not limited to this.
  • a configuration including a light emitting unit capable of emitting complementary colors of yellow, cyan, and magenta may be used.
  • the three primary colors may be emitted by combining these complementary colors.

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Abstract

　フィールドシーケンシャル方式において安定した駆動が可能な表示装置を提供する。バックライト（１００）と、フィールドシーケンシャル方式の表示パネル（２００）とを備え、バックライトの発光部が、赤、緑及び青の３原色を発光可能な有機エレクトロルミネッセンス素子であり、有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの電極が、Ａｇ又はＡｇを主成分として含む合金からなる表示装置を構成する。

Description

表示装置
　本発明は、光源として有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を備えるフィールドシーケンシャル方式の表示装置に係わる。
　表示装置として、フィールドシーケンシャル方式の表示装置が提案されている。フィールドシーケンシャル方式は、２色以上の光を継続的に切り替えて発光させ、かつ、その切り替えの速さを人間の眼の時間的分解能を越えた速さとし、人間が２色以上の色を混色して認識することを応用した方式である。フィールドシーケンシャル方式は、「時分割」による混色を利用したカラー表示方式である。
　フィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、直下型やサイドエッジ型のバックライトとして、ＬＥＤに替わり有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
　フィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、動画表示時に、バックライトを構成する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちのいずれか一色を発光可能にするとともに、フィールド毎に継続的に各色を切り替えて（時分割して）発光させ、その切り替えの速さを充分に速くすることにより任意の色光を得る。
　例えば、カラーのフィールドをＲのフィールド、Ｇのフィールド及びＢのフィールドに分光した状態で分割し、ＲＧＢの各フィールドを順番に時間差を付けて発光させ、一つのカラーのフィールドを表示パネルに表示する。このとき、Ｒのフィールドを表示する際にはバックライトの発光を赤（Ｒ）とし、Ｂのフィールドを表示する際には、バックライトの発光を青（Ｂ）とし、Ｇのフィールドを表示する際には、バックライトの発光を緑（Ｇ）としている。
　このように時分割された３色のカラーの各フィールドを、発光色を切り替えながら連続して表示することにより、カラーの動画を表示できる。
　フィールドシーケンシャル方式の表示装置は、カラーフィルタを用いる方式に比べ吸収による光の損失がないことや、高価なカラーフィルタを用いないことから、部材点数を減らすことができ、コスト削減のために大きな利点を有する。
特開２００８－６６３６６号公報 特開２００７－１７２９４５号公報
　フィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、フィールドシーケンシャル方式により表示パネルが高速駆動されるため、有機ＥＬ素子にも表示パネルの高速駆動の合わせた駆動速度が必要となる。
　しかしながら、上述の特許文献１及び特許文献２に記載されたフィールドシーケンシャル液晶表示装置においては、バックライトに用いられる有機ＥＬ素子の透明電極としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられている。有機ＥＬ素子の透明電極としてＩＴＯを用いた場合には、透明電極の抵抗値が高いため、フィールドシーケンシャル方式において必要となる駆動速度が十分に得られず、有機ＥＬ素子の駆動が不安定となることがある。
　このため、ＩＴＯを透明電極として備える有機ＥＬ素子をバックライトとして用いた場合には、表示装置の駆動が不安定となる。
　上述した問題の解決のため、本発明においては、フィールドシーケンシャル方式において安定した駆動が可能な表示装置を提供するものである。
　本発明の表示装置は、バックライトと、フィールドシーケンシャル方式の表示パネルとを備える。そして、バックライトの発光部が、異なる色を発光する複数の発光ユニットを備える有機エレクトロルミネッセンス素子であり、有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの電極が、Ａｇ又はＡｇを主成分として含む合金からなる。
　本発明によれば、安定した駆動が可能な表示装置を提供することができる。
第１実施形態の表示装置の概略構成図である。 表示装置に用いられるバックライトの平面配置図である。 第２実施形態の表示装置の概略構成図である。 有機ＥＬ素子の等価回路図とタイミングチャートである。
　以下、本発明を実施するための形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
　なお、説明は以下の順序で行う。
１．表示装置の第１実施形態
２．表示装置の第２実施形態
３．タイミングチャート
〈１．表示装置の第１実施形態〉
　図１に、フィールドシーケンシャル方式を適用可能な表示装置の概略構成図を示す。図１に示す表示装置は、表示パネル２００と、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）からなるバックライト１００とを備える。
　また、図２に、この表示装置に用いられるバックライト１００の平面配置を示す。
［表示パネル］
　表示パネル２００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）方式により高速駆動されるフィールシーケンシャル方式用の表示パネルである。表示パネル２００は、ＴＦＴ方式における周知の構成であり、表示パネル２００は、偏光板２０１を外面側に備えた２枚の透明基板２０２（例えば、ガラス基板若しくは透明フィルム基板）の間に液晶層２０６が挟まれている。
　下側の透明基板２０２上には、画素電極２０４、及び、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０３が形成されている。さらに、透明基板２０２上には、マトリクス状にデータ線２１０と走査線（図示省略）とが絶縁層２０７を介して配置されている。そして、データ線２１０と走査線の交点に、ＴＦＴ２０３及び画素電極２０４が配置されている。
　また、絶縁層２０７の上方には、配向膜２０５により挟持された高速応答が可能な液晶層２０６が形成されている。液晶層２０６は、スペーサ２０８、シール２０９、及び、一対の配向膜２０５により、液晶層２０６を封入する空間が構成されている。
　上記表示パネル２００は、フィールドシーケンシャル方式によりフルカラーの画像を表示するため、高速応答可能なものが要求されるが、周知の強誘電性液晶や反強誘電液晶を用いた高速応答可能な液晶表示パネルや、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend, Optically Compensated Birefringence）型の液晶表示パネルを用いることが好ましい。また、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）型の表示パネルを用いてもよい。なお、表示パネル２００は、フィールドシーケンシャル方式の表示装置に適用するため、カラーフィルタが設けられていない構成である。
［バックライト］
　次に、図１に示すフィールドシーケンシャル方式に用いられるバックライト１００について説明する。バックライト１００の発光部は、帯状の有機ＥＬ素子からなる。この帯状の有機ＥＬ素子が発光面方向に並行に並べられている。
　透明基板１０１上には、帯状でほぼ並行なストライプ状に形成された透明電極からなる第１電極１０２と、絶縁材料からなる隔壁１０８とが形成されている。隔壁１０８は、第１電極１０２に沿って形成され、第１電極１０２上に開口部を残して配置されている。第１電極１０２上には、赤、緑又は青の各色に発光する発光層を含む発光ユニット１０３ｒ，１０３ｇ，１０３ｂが形成されている。発光ユニット１０３ｒ，１０３ｇ，１０３ｂ上、及び、隔壁レジスト上には、周縁の透明基板１０１上に渡って背面電極である第２電極１０４が段差に応じて堆積されている。
　また、有機ＥＬ素子において、第１電極１０２、及び、第２電極１０４が、それぞれ挟持する発光ユニット１０３ｒ，１０３ｇ，１０３ｂに対して、一方が陰極として作用し、他方が陽極として作用する。そして、第１電極１０２、発光ユニット１０３ｒ、及び、第２電極１０４が重なる部分が１つの有機ＥＬ素子として形成されている。同様に、第１電極１０２、発光ユニット１０３ｇ、及び、第２電極１０４が重なる部分が１つの有機ＥＬ素子として形成され、第１電極１０２、発光ユニット１０３ｂ、及び、第２電極１０４の重なる部分が１つの有機ＥＬ素子として形成されている。
　図２に、バックライト１００として形成された、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色を発光するストライプ状の有機ＥＬ領域１０９ｒ，１０９ｇ，１０９ｂを示す。有機ＥＬ領域１０９ｒ，１０９ｇ，１０９ｂは、図１に示す第１電極１０２、発光ユニット１０３ｒ，１０３ｇ，１０３ｂ、及び、第２電極１０４からなるそれぞれの有機ＥＬ素子に対応する。有機ＥＬ領域１０９ｒ，１０９ｇ，１０９ｂの面積は、それぞれのストライプの形成周期が、時分割駆動したときに平均化して白色表示に問題がない範囲であればよい。なお、図２は、このバックライト１００の概略を図示したものであり、実際には発光色が赤、緑又は青の有機ＥＬ領域１０９ｒ，１０９ｇ，１０９ｂが互いに並行な帯状に多数配置されている。
　第１電極１０２は、第１電極１０２と同じ材料からなる配線部を通して発光色毎に第１端子１０２ｒ，１０２ｇ，１０２ｂに接続されている。例えば、発光色が赤の有機ＥＬ領域１０９ｒの第１電極１０２は、配線部を通して第１端子１０２ｒに、発光色が青の有機ＥＬ領域１０９ｂの第１電極１０２は第１端子１０２ｂに、発光色が緑の有機ＥＬ領域１０９ｇの第１電極１０２は第１端子１０２ｇに、それぞれ接続されている。
　第１端子１０２ｒ，１０２ｇ，１０２ｂは、第１電極１０２の側方の透明基板１０１上において、有機ＥＬ領域１０９ｒ，１０９ｇ，１０９ｂの発光色数に応じて同じ数が形成されている。そして、各第１端子１０２ｒ，１０２ｇ，１０２ｂは、同じ発光色に対応する第１電極１０２の一方の端部に配線部を介して接続されている。
　すなわち、発光色が赤である有機ＥＬ領域１０９ｒの全ての第１電極１０２と、赤色発光用の第１端子１０２ｒとが電気的に接続させられている。また、発光色が緑である有機ＥＬ領域１０９ｇの全ての第１電極１０２と、緑色発光用の第１端子１０２ｇとが電気的に接続されている。発光色が青である有機ＥＬ領域１０９ｂの全ての第１電極１０２と、青色発光用の第１端子１０２ｂとが電気的に接続されている。
　従って、各第１端子１０２ｒ，１０２ｇ，１０２ｂをそれぞれ個別に駆動制御することにより、Ｒ、Ｇ、Ｂ各発光色の有機ＥＬ領域１０９ｒ，１０９ｇ，１０９ｂを個別に駆動することができる。また、各発光色の有機ＥＬ領域１０９ｒ，１０９ｇ，１０９ｂ毎に輝度を変えることが可能となっている。
　また、図２に示すように、有機ＥＬ領域１０９ｒ，１０９ｇ，１０９ｂに隣接して、第１電極１０２と電気的に離間する第２端子１１１が形成されている。第２電極１０４が、導電性層により第２端子１１１に接続されている。第２端子１１１は外部回路と接続され、所定の電圧が供給されている。
　フィールドシーケンシャル方式の表示装置のバックライトにおいては、有機ＥＬ領域１０９ｒ，１０９ｇ，１０９ｂを切り替えて時分割駆動で発光させる。この表示装置において、色の切り替えによる画像のちらつき（フリッカ）が生じないようにするためには、フィールドを約１／６０秒以下で切り替える必要がある。従って、上述の構成の有機ＥＬ素子を用いて１フィールドあたり１色の表示を行うためには、少なくとも約１／１８０秒以下、即ち６ミリ秒以下で、有機ＥＬ領域１０９ｒ，１０９ｇ，１０９ｂを時分割駆動させる必要がある。
　有機ＥＬ素子の時分割駆動では、第１端子１０２ｒ，１０２ｇ，１０２ｂをそれぞれ駆動制御してＲ、Ｇ、Ｂの各色を発光させる。例えば、有機ＥＬ領域１０９ｒの全ての第１電極１０２と、有機ＥＬ領域１０９ｇの全ての第１電極１０２と、有機ＥＬ領域１０９ｂの全ての第１電極１０２とを、発光色毎に時分割駆動する。
［有機ＥＬ素子］
　次に、バックライトの発光部を構成する有機ＥＬ素子の各構成について説明する。
　有機ＥＬ素子は、第１電極１０２及び第２電極１０４と、この電極間に発光性を有する有機材料を含むユニット１０３ｒ，１０３ｇ，１０３ｂを備える。そして、これらの各構成が、透明基板１０１上に設けられている。
　また、有機ＥＬ素子において、第１電極１０２が、透光性の電極として構成されている。この構成において、第１電極１０２と第２電極１０４とで発光ユニット１０３が挟持されている部分のみが、有機ＥＬ素子における発光領域である。そして、有機ＥＬ素子は、発生させた光を、少なくとも透明基板１０１側から取り出すボトムエミッション型として構成されている。
　以下、これら各構成の詳細について説明する。
［基板］
　有機ＥＬ素子の透明基板１０１としては、例えばガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。好ましく用いられる透明基板１０１としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。
　樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。
［第１電極］
　第１電極１０２は、有機ＥＬ素子における透明電極であり、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成された導電層である。ここで、主成分とは、第１電極１０２を構成する成分のうち、構成比率が最も高い成分をいう。
　第１電極１０２を構成する銀（Ａｇ）を主成分とする合金としては、例えば、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）等が挙げられる。
　第１電極１０２は、銀又は銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。
　さらに、この第１電極１０２の層厚は、２～１５ｎｍの範囲内にあることが好ましく、３～１２ｎｍの範囲内にあることがより好ましく、４～９ｎｍの範囲内にあることが特に好ましい。層厚が１５ｎｍより薄い場合には、層の吸収成分又は反射成分が少なく、第１電極１０２の光透過率が大きくなる。また、層厚が２ｎｍより厚い場合には、層の導電性を十分に確保することができる。
　第１電極１０２の成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも、蒸着法が好ましく適用される。
（下地層）
　また、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成された第１電極１０２は、下記の下地層上に形成さることが好ましい。下地層は、第１電極１０２の透明基板１０１側に設けられる層である。
　下地層を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、銀又は銀を主成分とする合金からなる第１電極１０２の成膜に際し、銀の凝集を抑制できる窒素原子や硫黄原子を含んだ化合物等や、銀を成膜する際に成長核となるＰｄ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ等の金属を含む層、及び、酸化亜鉛を含む層が挙げられる。
　下地層が、低屈折率材料（屈折率１．７未満）からなる場合、その層厚の上限としては、５０ｎｍ未満である必要があり、３０ｎｍ未満であることが好ましく、１０ｎｍ未満であることが更に好ましく、５ｎｍ未満であることが特に好ましい。層厚を５０ｎｍ未満とすることにより、光学的ロスを最小限に抑えられる。一方、層厚の下限としては、０．０５ｎｍ以上が必要であり、０．１ｎｍ以上であることが好ましく、０．３ｎｍ以上であることが特に好ましい。層厚を０．０５ｎｍ以上とすることにより、下地層の成膜を均一とし、その効果（銀の凝集抑制）を均一とすることができる。
　下地層が、高屈折率材料（屈折率１．７以上）からなる場合、その層厚の上限としては特に制限はなく、層厚の下限としては上記低屈折率材料からなる場合と同様である。
　ただし、単なる下地層の機能としては、均一な成膜が得られる必要層厚で形成されれば十分である。
　下地層が銀の成長核となる金属を含む層である場合には、その厚さ、有機ＥＬ素子の光透過性を阻害しない程度の厚さとし、例えば５ｎｍ以下とすることが好ましい。一方、この下地層は、第１電極１０２の膜均一性を確保することができる程度の厚さを必要とする。この厚さとして下地層は、各金属原子が１原子層以上形成されていればよい。また、下地層は、連続膜であることが好ましい。なお、この下地層において、銀の成長核となる金属を含む層の連続相に欠陥があっても、この欠陥が第１電極１０２を構成するＡｇ原子よりも小さければ、第１電極１０２の膜均一性を確保することができる。
　下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物としては、分子内に窒素原子を含んでいる化合物であれば特に限定されないが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物であることが好ましい。窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ－Ｃ－シンノリン、ポルフィリン、クロリン、コリン等が挙げられる。
　下地層の成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、真空蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも、成膜性の観点から電子ビーム蒸着法、又は、スパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）等のアシストを用いることが好ましい。
　また、下地層を構成する酸化亜鉛を含む層（酸化亜鉛含有層）は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分として含む。酸化亜鉛含有層における主成分とは、構成する成分のうち構成比率が最も高い成分であり、好ましくは５０原子％以上である。酸化亜鉛含有層を第１電極１０２の下地層として用いることにより、第１電極１０２に含まれる銀原子の配列を均一にし、光透過性と抵抗特性の両立を達成することができる。
　酸化亜鉛含有層は、酸化亜鉛以外の材料が含まれていてもよい。酸化亜鉛含有層に含まれる、酸化亜鉛以外の材料としては、誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。酸化亜鉛含有層に含まれる、誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＳ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、Ｇａ２Ｏ３等が含まれる。酸化亜鉛含有層には、誘電性材料又は酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、特に好ましくは、ＺｎＳ、ＴｉＯ２、ＧＺＯ、ＩＴＯである。
　なお、酸化亜鉛含有層には、上記の誘電性材料や酸化物半導体材料以外に、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２等が含まれてもよい。例えば、ＳｉＯ２が含まれると、酸化亜鉛含有層が非晶質になりやすく、有機ＥＬ素子のフレキシブル性が高まりやすい。
　また、酸化亜鉛含有層には、第１電極１０２の成膜時の銀の凝集を抑制し、薄くとも均一な厚さの第１電極１０２を得るとの観点から、酸化亜鉛を主成分として含むことが好ましい。酸化亜鉛含有層に含まれる亜鉛原子の量は、酸化亜鉛含有層を構成する全原子の数に対して０．１～５０ａｔ％であることが好ましく、より好ましくは０．５～５０ａｔ％である。
　一方、亜鉛原子の量が過剰であると、酸化亜鉛含有層の均一な成膜が難しくなり、透明性が低下する場合がある。第１電極１０２に含まれる各原子の種類や、その含有量は、例えばＸＰＳ法等で特定される。
　酸化亜鉛含有層の厚さは、通常３～３５ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５～２５ｎｍである。酸化亜鉛含有層の厚さが３ｎｍ以上であると、第１電極１０２の成膜性が十分に向上する。一方、酸化亜鉛含有層の厚さが、３５ｎｍ以下であると、有機ＥＬ素子の光学特性への影響が小さく、有機ＥＬ素子の光透過性が低下し難い。酸化亜鉛含有層の厚さは、エリプソメータ等で測定される。
　第１電極１０２は、下地層上に成膜されることにより、第１電極１０２成膜後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。
　基材上にＡｇを主成分とする第１電極１０２を形成する場合、基材に付着したＡｇ原子が表面拡散しながら、ある大きさの塊（核）を生成する。そして、この塊（核）の周囲に沿うように、初期の薄膜成長が進む。このため、形成初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長し、厚みが１５μｍ程度になると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、膜の表面がいまだ平滑ではなく、プラズモン吸収が生じやすい。
　これに対し、予め下地層として、銀を成膜する際に成長核となるＰｄ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ等の金属を含む層を形成しておくと、第１電極１０２を構成するＡｇ等の金属材料が、下地層上を移動し難くなる。また、Ｐｄ等の金属原子は、成長核同士の間隔を、Ａｇ原子が表面拡散して形成される塊同士の間隔よりも狭くすることができる。従って、このＰｄの成長核を起点としてＡｇ層が成長すると、厚みが薄くても平坦な層となりやすい。
　また、例えば、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された下地層上に、銀又は銀を主成分とする合金からなる第１電極１０２を設けた構成とすることができる。これにより、下地層の上部に第１電極１０２を成膜する際には、第１電極１０２を構成する銀原子が下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の下地層表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。
　また、酸化亜鉛含有層に含まれる亜鉛原子は、第１電極１０２の銀との親和性が高い。このため、第１電極１０２の成膜時に、第１電極１０２を構成する銀が酸化亜鉛含有層上で凝集しにくくなり、厚さが薄く均一な第１電極１０２を形成することができる。さらに、亜鉛原子は第１電極１０２に含まれる銀との親和性が高いため、高湿度環境下での水分による銀の凝集や、銀の腐食を抑制できる。
　即ち、一般的に核成長型（Volumer-Weber：ＶＷ型）により銀粒子が島状に孤立しやすい銀の成膜において、上述の下地層を用いることにより、成膜される銀の凝集が抑えられる。このため、銀又は銀を主成分とする合金からなる第１電極１０２の成膜においては、単層成長型（Frank-van der Merwe：ＦＭ型）で薄膜成長するようになる。従って、上述のように、銀又は銀を主成分とする合金からなる第１電極１０２が、より薄い層厚で導電性が確保されたものとなり、第１電極１０２の導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になる。
［第２電極］
　第２電極１０４は、発光ユニット１０３ｒ，１０３ｇ，１０３ｂに、例えば電子を供給する機能を有し、透明電極である第１電極１０２に対して対向電極となる電極膜である。第２電極１０４は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
　第２電極１０４としてのシート抵抗は数Ω／ｓｑ．以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ～５μｍの範囲内、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
　このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
　これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物やアルミニウム等が好適である。
　第２電極１０４は、蒸着やスパッタリング等の方法によりこれらの電極物質の薄膜を形成することにより、作製することができる。
［発光ユニット］
　発光ユニット１０３ｒ，１０３ｇ，１０３ｂは、第１電極１０２と第２電極１０４との間において、少なくとも発光性を有する有機材料を含み、赤、緑又は青の各色に発光する発光層を有し、さらに、発光層と電極との間に他の層を備えていてもよい。
　発光ユニット１０３ｒ，１０３ｇ，１０３ｂの代表的な素子構成としては、以下の構成を上げることができるが、これらに限定されるものではない。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（３）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／（電子阻止層／）発光層／（正孔阻止層／）電子輸送層／電子注入層／陰極
　上記の中で（７）の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
　上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除く層が、発光性を有する発光ユニットである。
（発光ユニット）
　上記構成において、発光層は、単層または複数層で構成される。発光層が複数の場合は、各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
　また、必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層（正孔障壁層）や電子注入層（陰極バッファー層）等を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層（電子障壁層）や正孔注入層（陽極バッファー層）等を設けてもよい。
　電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する層である。電子輸送層には、広い意味で電子注入層、及び、正孔阻止層も含まれる。また、電子輸送層は、複数層で構成されていてもよい。
　正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する層である。正孔輸送層には、広い意味で正孔注入層、及び、電子阻止層も含まれる。また、正孔輸送層は、複数層で構成されていてもよい。
［発光層］
　発光層には、発光材料としてリン光発光化合物が含有されていることが好ましい。また、発光層は、複数の発光材料を混合してもよく、また、リン光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物）とを同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成として、ホスト化合物（発光ホスト等）、発光材料（発光ドーパント）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。発光層は、発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により成膜して形成することができる。
　発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。発光層は、電極又は電子輸送層から注入された電子と、正孔輸送層から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接する層との界面であってもよい。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には、非発光性の補助層を有していてもよい。
　発光層の層厚の総和は、１～１００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、より低い駆動電圧を得ることができることから１～３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。複数層を積層した構成の発光層の場合、個々の発光層の層厚としては、１～５０ｎｍの範囲内に調整することが好ましく、１～２０ｎｍの範囲内に調整することがより好ましい。なお、発光層の層厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む層厚である。
（１）ホスト化合物
　発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
　ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
（２）発光材料
　発光材料としては、リン光発光性化合物（リン光性化合物、リン光発光材料）と蛍光発光性化合物（蛍光性化合物、蛍光発光材料）が挙げられる。
（リン光発光性化合物）
　リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
　上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、リン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
　リン光発光性化合物は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。好ましくは、元素の周期表で８～１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物若しくは白金化合物（白金錯体系化合物）又は希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
　少なくとも一つの発光層は、２種以上のリン光発光性化合物を含有していてもよく、発光層におけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。好ましくは、発光層の総量に対し、リン光発光性化合物が０．１体積％以上３０体積％未満である。
（蛍光発光性化合物）
　蛍光発光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
［注入層：正孔注入層、電子注入層］
　注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、電極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
　注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層であれば、アノード（陽極）と発光層又は正孔輸送層との間、電子注入層であればカソード（陰極）と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。
　電子注入層はごく薄い膜からなる層であることが望ましく、素材にもよるがその層厚は１ｎｍ～１０μｍの範囲内であることが好ましい。
［正孔輸送層］
　正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は、単層又は複数層設けることができる。また、正孔輸送層は、１種又は２種以上の材料からなる一層構造であってもよい。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内である。
　正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。また、正孔輸送層の材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。正孔輸送層のｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
　正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することで形成することができる。
［電子輸送層］
　電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層（図示略）も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。また、電子輸送層は、１種又は２種以上の材料からなる１層構造であってもよい。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内である。
　単層構造の電子輸送層及び積層構造の電子輸送層において、発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる。）としては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
　また、電子輸送層の材料（電子輸送性化合物）として、上述した下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物を用いてもよい。これは、電子注入層を兼ねた電子輸送層であっても同様であり、上述した下地層を構成する材料と同様のものを用いてもよい。
　電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
［阻止層：正孔阻止層、電子阻止層］
　阻止層は、上記のように、有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１－２０４２５８号公報、同１１－２０４３５９号公報及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
　正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
　一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔との再結合確率を向上させることができる。また、正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３～１００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５～３０ｎｍの範囲内である。
〈２．表示装置の第２実施形態〉
　次に、フィールドシーケンシャル方式の表示装置の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、バックライトの有機ＥＬ素子の構成のみが上述の第１実施形態と異なる。このため、以下の説明では、有機ＥＬ素子の構成のみを説明し、表示パネル等の構成、及び、各構成において重複する説明は省略する。
　図３に、第２実施形態のフィールドシーケンシャル方式の表示装置の概略構成図を示す。図３に示すフィールドシーケンシャル方式の表示装置は、表示パネル２００と、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）からなるバックライト３００とを備える。
　図３に示すフィールドシーケンシャル方式の表示装置では、バックライト３００の発光部を構成する有機ＥＬ素子が、厚さ方向（光の射出方向）に３層の発光ユニットが積層された、いわゆる３層スタック構造を有している。また、有機ＥＬ素子は、上述の第１実施形態と異なり、発光色の異なる有機ＥＬ素子を区分するための絶縁材料からなる隔壁を有さず、バックライト３００が設けられる領域の全面に連続して形成されている。
　また、図３に示すように、バックライト３００を構成する有機ＥＬ素子は、透明基板３０１上に、第１電極３０２、第１発光ユニット３０３、第１中間電極３０４、第２発光ユニット３０５、第２中間電極３０６、第３発光ユニット３０７、及び、第２電極３０８が、この順に積層されている。そして、有機ＥＬ素子は、第１電極３０２、第１中間電極３０４、第２中間電極３０６、及び、第２電極３０８が、それぞれ挟持する第１発光ユニット３０３、第２発光ユニット３０５、及び、第３発光ユニット３０７に対して、一方が陰極として作用し、他方が陽極として作用する。
［第１電極］
　第１電極３０２は、透明電極により構成されている。上述の第１実施形態の第１電極と同様に、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成される。銀（Ａｇ）を主成分とする合金としては、例えば、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）等が挙げられる。
　第１電極３０２は、２～１５ｎｍの範囲内にあることが好ましく、３～１２ｎｍの範囲内にあることがより好ましく、４～９ｎｍの範囲内にあることが特に好ましい。層厚が１５ｎｍより薄い場合には、層の吸収成分又は反射成分が少なく、第１電極１０２の光透過率が大きくなる。また、層厚が２ｎｍより厚い場合には、層の導電性を十分に確保することができる。
　また、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成される透明電極は、下地層上に形成されていることが好ましい。下地層としては、上述の第１実施形態と同様に、例えば、銀又は銀を主成分とする合金からなる第１電極３０２、第１中間電極３０４、及び、第２中間電極３０６の成膜に際し、銀の凝集を抑制できる窒素原子や硫黄原子を含んだ化合物等や、銀を成膜する際に成長核となるＰｄ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ等の金属を含む層、及び、酸化亜鉛含有層が挙げられる。
［中間電極］
　第１中間電極３０４、及び、第２中間電極３０６は、有機ＥＬ素子において、第１発光ユニット３０３、第２発光ユニット３０５、及び、第３発光ユニット３０７の間に設けられる。このため、第１中間電極３０４、及び、第２中間電極３０６は、層の吸収成分及び反射成分が少なく、光透過率が大きいことが好ましい。
　第１中間電極３０４、及び、第２中間電極３０６としては、例えば、上述の第１電極３０２と同様の構成を適用できる。例えば、２～１５ｎｍの銀又は銀を主成分とした合金を用いることができる。第１中間電極３０４、及び、第２中間電極３０６として、銀又は銀を主成分とした合金を形成する場合には、上述の下地層上に形成してもよく、或いは、発光ユニットを構成する電子輸送層等の有機材料層上に直接形成してもよい。
　また、第１中間電極３０４、及び、第２中間電極３０６としては、例えば、５ｎｍ～２０ｎｍのアルミニウム等を用いることができる。さらに、アルミニウムと上述の銀又は銀を主成分とした合金を積層した構成、及びその他の導電性材料を積層した構成とすることもできる。
　さらに、第１中間電極３０４、及び、第２中間電極３０６としては、ＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯｘ、ＶＯｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＢ６、ＲｕＯ２等の導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ２Ｏ３等の２層膜や、ＳｎＯ２／Ａｇ／ＳｎＯ２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３／Ａｕ／Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２／ＴｉＮ／ＴｉＯ２、ＴｉＯ２／ＺｒＮ／ＴｉＯ２等の多層膜、またＣ６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等を用いることができる。
［第２電極］
　第２電極３０８は、透明電極である第１電極３０２、第１中間電極３０４、及び、第２中間電極３０６に対して対向電極となる電極膜である。第２電極３０８は、上述の第１実施形態の第２電極に相当し、第１実施形態の第２電極と同様の構成を適用することができる。例えば、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
［発光ユニット］
　第１発光ユニット３０３、第２発光ユニット３０５、及び、第３発光ユニット３０７は、それぞれ所定の色を発光する発光層を有する。各発光層は、少なくとも発光性の有機材料を含み、例えば、発光性の有機材料として、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び、赤（Ｒ）の各色の発光ドーパントを有することにより、第１発光ユニット３０３、第２発光ユニット３０５、及び、第３発光ユニット３０７が、それぞれＲ、Ｇ、Ｂのいずれかの色を発光する。これは、上述の第１実施形態における、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色を発光するストライプ状の有機ＥＬ領域及び発光ユニットに相当する。このため、第１発光ユニット３０３、第２発光ユニット３０５、及び、第３発光ユニット３０７は、それぞれ上述の第１実施形態の赤、緑又は青の各色に発光する発光ユニットと同様の構成とすることができる。
　第１発光ユニット３０３を挟持する第１電極３０２及び第１中間電極３０４、第２発光ユニット３０５を挟持する第１中間電極３０４及び第２中間電極３０６、並びに、第３発光ユニット３０７を挟持する第２中間電極３０６及び第２電極３０８を、それぞれ個別に制御することにより、第１発光ユニット３０３、第２発光ユニット３０５、及び、第３発光ユニット３０７を、それぞれ個別に光らせることができる構成である。このため、有機ＥＬ素子は、各発光層を制御することにより、発光色を自由に調整することが可能な構成である。
　また、有機ＥＬ素子は、第１発光ユニット３０３、第２発光ユニット３０５、及び、第３発光ユニット３０７のダイオード特性が同じ向きになるように積層されていてもよく、異なるように積層されていてもよい。例えば、第１発光ユニット３０３、第２発光ユニット３０５、及び、第３発光ユニット３０７のすべてダイオード特性が同じ向きに積層されていてもよく、また、第１発光ユニット３０３と第３発光ユニット３０７とのダイオード特性が同じ向きに積層され、第２発光ユニット３０５のみが両発光ユニットとダイオード特性が異なる向きに積層されていてもよい。
〈３．タイミングチャート〉
　次に、図４に有機ＥＬ素子の等価回路図とタイミングチャートを示す。
　第１発光ユニット３０３、第２発光ユニット３０５、及び、第３発光ユニット３０７をそれぞれ挟む１組の電極（図３に示す第１電極３０２、第１中間電極３０４、第２中間電極３０６、及び、第２電極３０８）が並列に接続されている。ここでは一例として、第１発光ユニット３０３が赤（Ｒ）、第２発光ユニット３０５が青（Ｂ）、第３発光ユニット３０７が緑（Ｇ）を発光する場合について説明する。
　図４に示すタイミングチャートは、表示パネルの駆動タイミングと、バックライトの有機ＥＬ素子の各発光ユニットの発光タイミングとを示す図である。有機ＥＬ領域（画素）について、Ｒ、Ｇ、Ｂ各フィールドを順に駆動して１フレームとするときのＶｒ、Ｖｇ、Ｖｂの駆動パルスのタイミングチャートを示している。
　発光ユニットがＲ、Ｇ、Ｂの各色を順次時分割して、例えば１フレームを３等分（１／３フレーム）して各色を発光する。そして、この時分割して発光した光を、表示パネルが三原色毎に同期させて遮光することにより、時分割された各色のフィールド画像（Ｒフィールド、Ｇフィールド、Ｂフィールド）が順次形成される。
　そして、時分割された各色のフィールド画像の時間的な混色により、一つのフレーム画像が形成される。
　なお、上述のタイミングチャートでは、各Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光ユニットの発光期間の比率が同一の場合について説明しているが、各発光ユニットの発光期間の比率は、任意に変更することも可能である。
　特に、各発光ユニットの寿命に応じて、各Ｒ、Ｇ、Ｂの発光期間を調整することで、バックライトの長寿命化を実現することができる。その際、相対的に経時劣化が大きい（寿命が短い）発光ユニットの発光期間を、他の発光ユニットよりも長くすることが好ましい。例えば、最も寿命の短い発光ユニットの発光期間の比率を、最も長くすることが好ましい。これにより、経時劣化によるバックライトの輝度の低下や、色度の変化を抑制することができ、表示装置の信頼性が向上する。
［効果］
　上述の第１実施形態及び第２実施形態のフィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、バックライトとなる有機ＥＬ素子の透明電極として、銀又は銀を主成分とした合金が適用される。このため、有機ＥＬ素子の透明電極として、光透過性が高く、導電性の高い電極を形成することができる。即ち、電極の導電性が高まることにより、有機ＥＬ素子の各色Ｒ、Ｇ、Ｂの各色を発光する発光ユニットを駆動する際のＶｒ、Ｖｇ、Ｖｂの駆動パルスに対する応答性が高まる。この結果、表示装置においてバックライトに要求される、少なくとも約１／１８０秒以下の時分割駆動においても、有機ＥＬ素子において安定した高速駆動が可能となる。従って、フィールドシーケンシャル方式の表示装置の駆動に必要とされる、高速駆動に対応することが可能な有機ＥＬ素子を構成することができる。そして、フィールドシーケンシャル方式において表示装置の安定した駆動が可能となる。
　なお、上述の実施形態では、Ｒ、Ｇ、Ｂの三原色を発光可能な発光ユニットを備える有機ＥＬ素子について説明したが、発光ユニットの発光色についてはこれに限定されない。例えば、イエロー、シアン、マゼンダの補色を発光可能な発光ユニットを備える構成としてもよい。また、この場合には、これらの補色を合成することにより、３原色を発光する構成としてもよい。さらに、３原色のいずれかを発光する発光ユニットと、補色のいずれかを発光する発光ユニットとを組み合わせた構成としてもよい。
　なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
　１００，３００　バックライト、１０１，２０２，３０１　透明基板、１０２，３０２　第１電極、１０２ｒ，１０２ｇ，１０２ｂ　第１端子、１０３ｒ，１０３ｇ，１０３ｂ　発光ユニット、１０４，３０８　第２電極、１０８　隔壁、１０９ｒ，１０９ｇ，１０９ｂ　有機ＥＬ領域、１１１　第２端子、２００　表示パネル、２０１　偏光板、２０３　薄膜トランジスタ、２０４　画素電極、２０５　配向膜、２０６　液晶層、２０７　絶縁層、２０８　スペーサ、２０９　シール、２１０　データ線、３０３　第１発光ユニット、３０４　第１中間電極、３０５　第２発光ユニット、３０６　第２中間電極、３０７　第３発光ユニット

Claims (7)

  1. 　バックライトと、フィールドシーケンシャル方式の表示パネルと、を備える表示装置であって、
    　前記バックライトの発光部が、異なる色を発光する複数の発光ユニットを備える有機エレクトロルミネッセンス素子であり、
    　前記有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの電極が、Ａｇ又はＡｇを主成分として含む合金からなる
    　表示装置。
  2. 　前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、異なる色を発光する発光ユニットが積層された構成を有する請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記発光部において、異なる色を発光する前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、発光面方向に並べられた構成を有する請求項１に記載の表示装置。
  4. 　最も前記表示パネル側に形成される前記電極がＡｇ又はＡｇを主成分として含む合金からなる請求項１に記載の表示装置。
  5. 　Ａｇ又はＡｇを主成分として含む合金からなる前記電極が、窒素原子を含む化合物からなる下地層上に形成されている請求項１に記載の表示装置。
  6. 　前記発光ユニットが積層された前記有機エレクトロルミネッセンス素子において、積層された前記発光ユニットの間に形成される中間電極が、Ａｇ又はＡｇを主成分として含む合金からなる請求項２に記載の表示装置。
  7. 　異なる色を発光する複数の前記発光ユニットにおいて、第１発光ユニットの発光期間の比率が、他の色を発光する第２発光ユニットの発光期間の比率と異なる請求項１に記載の表示装置。
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