JPWO2016063870A1 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016063870A1 JPWO2016063870A1 JP2016555231A JP2016555231A JPWO2016063870A1 JP WO2016063870 A1 JPWO2016063870 A1 JP WO2016063870A1 JP 2016555231 A JP2016555231 A JP 2016555231A JP 2016555231 A JP2016555231 A JP 2016555231A JP WO2016063870 A1 JPWO2016063870 A1 JP WO2016063870A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- electrode
- organic
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims abstract description 86
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 39
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 58
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 246
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 65
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 52
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 description 46
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 25
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 230000006870 function Effects 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 7
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 7
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZHKJHQBOAJQXQR-UHFFFAOYSA-N 1H-azirine Chemical compound N1C=C1 ZHKJHQBOAJQXQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 2H-isoindole Chemical compound C1=CC=CC2=CNC=C21 VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 2h-thiazine Chemical compound N1SC=CC=C1 AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006677 Appel reaction Methods 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229920000623 Cellulose acetate phthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017582 La2Ti2O7 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 108091034117 Oligonucleotide Proteins 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009973 Ti2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009815 Ti3O5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009848 Ti4O7 Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSIQJIWKELUFRJ-UHFFFAOYSA-N azepane Chemical compound C1CCCNCC1 ZSIQJIWKELUFRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYOVOXDWRFGKEX-UHFFFAOYSA-N azepine Chemical compound N1C=CC=CC=C1 XYOVOXDWRFGKEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONIICLYMWZJFZ-UHFFFAOYSA-N azetidine Chemical compound C1CNC1 HONIICLYMWZJFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229940081734 cellulose acetate phthalate Drugs 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGUYPUREGXCCQ-UHFFFAOYSA-N cerium(3+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[In+3].[Ce+3] UPGUYPUREGXCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- SURLGNKAQXKNSP-DBLYXWCISA-N chlorin Chemical compound C\1=C/2\N/C(=C\C3=N/C(=C\C=4NC(/C=C\5/C=CC/1=N/5)=CC=4)/C=C3)/CC\2 SURLGNKAQXKNSP-DBLYXWCISA-N 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N imidazoline Chemical compound C1CN=CN1 MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 150000002908 osmium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N titanium(III) oxide Chemical compound O=[Ti]O[Ti]=O GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13762—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering containing luminescent or electroluminescent additives
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
- G02F1/0316—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/061—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133621—Illuminating devices providing coloured light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133613—Direct backlight characterized by the sequence of light sources
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133621—Illuminating devices providing coloured light
- G02F1/133622—Colour sequential illumination
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
フィールドシーケンシャル方式において安定した駆動が可能な表示装置を提供する。バックライト(100)と、フィールドシーケンシャル方式の表示パネル(200)とを備え、バックライトの発光部が、赤、緑及び青の3原色を発光可能な有機エレクトロルミネッセンス素子であり、有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも1つの電極が、Ag又はAgを主成分として含む合金からなる表示装置を構成する。
Description
本発明は、光源として有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)を備えるフィールドシーケンシャル方式の表示装置に係わる。
表示装置として、フィールドシーケンシャル方式の表示装置が提案されている。フィールドシーケンシャル方式は、2色以上の光を継続的に切り替えて発光させ、かつ、その切り替えの速さを人間の眼の時間的分解能を越えた速さとし、人間が2色以上の色を混色して認識することを応用した方式である。フィールドシーケンシャル方式は、「時分割」による混色を利用したカラー表示方式である。
フィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、直下型やサイドエッジ型のバックライトとして、LEDに替わり有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子が提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
フィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、動画表示時に、バックライトを構成する赤(R)、緑(G)、青(B)のうちのいずれか一色を発光可能にするとともに、フィールド毎に継続的に各色を切り替えて(時分割して)発光させ、その切り替えの速さを充分に速くすることにより任意の色光を得る。
例えば、カラーのフィールドをRのフィールド、Gのフィールド及びBのフィールドに分光した状態で分割し、RGBの各フィールドを順番に時間差を付けて発光させ、一つのカラーのフィールドを表示パネルに表示する。このとき、Rのフィールドを表示する際にはバックライトの発光を赤(R)とし、Bのフィールドを表示する際には、バックライトの発光を青(B)とし、Gのフィールドを表示する際には、バックライトの発光を緑(G)としている。
このように時分割された3色のカラーの各フィールドを、発光色を切り替えながら連続して表示することにより、カラーの動画を表示できる。
このように時分割された3色のカラーの各フィールドを、発光色を切り替えながら連続して表示することにより、カラーの動画を表示できる。
フィールドシーケンシャル方式の表示装置は、カラーフィルタを用いる方式に比べ吸収による光の損失がないことや、高価なカラーフィルタを用いないことから、部材点数を減らすことができ、コスト削減のために大きな利点を有する。
フィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、フィールドシーケンシャル方式により表示パネルが高速駆動されるため、有機EL素子にも表示パネルの高速駆動の合わせた駆動速度が必要となる。
しかしながら、上述の特許文献1及び特許文献2に記載されたフィールドシーケンシャル液晶表示装置においては、バックライトに用いられる有機EL素子の透明電極としてITO(Indium Tin Oxide)が用いられている。有機EL素子の透明電極としてITOを用いた場合には、透明電極の抵抗値が高いため、フィールドシーケンシャル方式において必要となる駆動速度が十分に得られず、有機EL素子の駆動が不安定となることがある。
このため、ITOを透明電極として備える有機EL素子をバックライトとして用いた場合には、表示装置の駆動が不安定となる。
しかしながら、上述の特許文献1及び特許文献2に記載されたフィールドシーケンシャル液晶表示装置においては、バックライトに用いられる有機EL素子の透明電極としてITO(Indium Tin Oxide)が用いられている。有機EL素子の透明電極としてITOを用いた場合には、透明電極の抵抗値が高いため、フィールドシーケンシャル方式において必要となる駆動速度が十分に得られず、有機EL素子の駆動が不安定となることがある。
このため、ITOを透明電極として備える有機EL素子をバックライトとして用いた場合には、表示装置の駆動が不安定となる。
上述した問題の解決のため、本発明においては、フィールドシーケンシャル方式において安定した駆動が可能な表示装置を提供するものである。
本発明の表示装置は、バックライトと、フィールドシーケンシャル方式の表示パネルとを備える。そして、バックライトの発光部が、異なる色を発光する複数の発光ユニットを備える有機エレクトロルミネッセンス素子であり、有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも1つの電極が、Ag又はAgを主成分として含む合金からなる。
本発明によれば、安定した駆動が可能な表示装置を提供することができる。
以下、本発明を実施するための形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
1.表示装置の第1実施形態
2.表示装置の第2実施形態
3.タイミングチャート
なお、説明は以下の順序で行う。
1.表示装置の第1実施形態
2.表示装置の第2実施形態
3.タイミングチャート
〈1.表示装置の第1実施形態〉
図1に、フィールドシーケンシャル方式を適用可能な表示装置の概略構成図を示す。図1に示す表示装置は、表示パネル200と、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)からなるバックライト100とを備える。
また、図2に、この表示装置に用いられるバックライト100の平面配置を示す。
図1に、フィールドシーケンシャル方式を適用可能な表示装置の概略構成図を示す。図1に示す表示装置は、表示パネル200と、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)からなるバックライト100とを備える。
また、図2に、この表示装置に用いられるバックライト100の平面配置を示す。
[表示パネル]
表示パネル200は、TFT(Thin Film Transistor)方式により高速駆動されるフィールシーケンシャル方式用の表示パネルである。表示パネル200は、TFT方式における周知の構成であり、表示パネル200は、偏光板201を外面側に備えた2枚の透明基板202(例えば、ガラス基板若しくは透明フィルム基板)の間に液晶層206が挟まれている。
表示パネル200は、TFT(Thin Film Transistor)方式により高速駆動されるフィールシーケンシャル方式用の表示パネルである。表示パネル200は、TFT方式における周知の構成であり、表示パネル200は、偏光板201を外面側に備えた2枚の透明基板202(例えば、ガラス基板若しくは透明フィルム基板)の間に液晶層206が挟まれている。
下側の透明基板202上には、画素電極204、及び、薄膜トランジスタ(TFT)203が形成されている。さらに、透明基板202上には、マトリクス状にデータ線210と走査線(図示省略)とが絶縁層207を介して配置されている。そして、データ線210と走査線の交点に、TFT203及び画素電極204が配置されている。
また、絶縁層207の上方には、配向膜205により挟持された高速応答が可能な液晶層206が形成されている。液晶層206は、スペーサ208、シール209、及び、一対の配向膜205により、液晶層206を封入する空間が構成されている。
上記表示パネル200は、フィールドシーケンシャル方式によりフルカラーの画像を表示するため、高速応答可能なものが要求されるが、周知の強誘電性液晶や反強誘電液晶を用いた高速応答可能な液晶表示パネルや、OCB(Optically Compensated Bend, Optically Compensated Birefringence)型の液晶表示パネルを用いることが好ましい。また、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)型の表示パネルを用いてもよい。なお、表示パネル200は、フィールドシーケンシャル方式の表示装置に適用するため、カラーフィルタが設けられていない構成である。
[バックライト]
次に、図1に示すフィールドシーケンシャル方式に用いられるバックライト100について説明する。バックライト100の発光部は、帯状の有機EL素子からなる。この帯状の有機EL素子が発光面方向に並行に並べられている。
次に、図1に示すフィールドシーケンシャル方式に用いられるバックライト100について説明する。バックライト100の発光部は、帯状の有機EL素子からなる。この帯状の有機EL素子が発光面方向に並行に並べられている。
透明基板101上には、帯状でほぼ並行なストライプ状に形成された透明電極からなる第1電極102と、絶縁材料からなる隔壁108とが形成されている。隔壁108は、第1電極102に沿って形成され、第1電極102上に開口部を残して配置されている。第1電極102上には、赤、緑又は青の各色に発光する発光層を含む発光ユニット103r,103g,103bが形成されている。発光ユニット103r,103g,103b上、及び、隔壁レジスト上には、周縁の透明基板101上に渡って背面電極である第2電極104が段差に応じて堆積されている。
また、有機EL素子において、第1電極102、及び、第2電極104が、それぞれ挟持する発光ユニット103r,103g,103bに対して、一方が陰極として作用し、他方が陽極として作用する。そして、第1電極102、発光ユニット103r、及び、第2電極104が重なる部分が1つの有機EL素子として形成されている。同様に、第1電極102、発光ユニット103g、及び、第2電極104が重なる部分が1つの有機EL素子として形成され、第1電極102、発光ユニット103b、及び、第2電極104の重なる部分が1つの有機EL素子として形成されている。
図2に、バックライト100として形成された、R、G、Bの各色を発光するストライプ状の有機EL領域109r,109g,109bを示す。有機EL領域109r,109g,109bは、図1に示す第1電極102、発光ユニット103r,103g,103b、及び、第2電極104からなるそれぞれの有機EL素子に対応する。有機EL領域109r,109g,109bの面積は、それぞれのストライプの形成周期が、時分割駆動したときに平均化して白色表示に問題がない範囲であればよい。なお、図2は、このバックライト100の概略を図示したものであり、実際には発光色が赤、緑又は青の有機EL領域109r,109g,109bが互いに並行な帯状に多数配置されている。
第1電極102は、第1電極102と同じ材料からなる配線部を通して発光色毎に第1端子102r,102g,102bに接続されている。例えば、発光色が赤の有機EL領域109rの第1電極102は、配線部を通して第1端子102rに、発光色が青の有機EL領域109bの第1電極102は第1端子102bに、発光色が緑の有機EL領域109gの第1電極102は第1端子102gに、それぞれ接続されている。
第1端子102r,102g,102bは、第1電極102の側方の透明基板101上において、有機EL領域109r,109g,109bの発光色数に応じて同じ数が形成されている。そして、各第1端子102r,102g,102bは、同じ発光色に対応する第1電極102の一方の端部に配線部を介して接続されている。
第1端子102r,102g,102bは、第1電極102の側方の透明基板101上において、有機EL領域109r,109g,109bの発光色数に応じて同じ数が形成されている。そして、各第1端子102r,102g,102bは、同じ発光色に対応する第1電極102の一方の端部に配線部を介して接続されている。
すなわち、発光色が赤である有機EL領域109rの全ての第1電極102と、赤色発光用の第1端子102rとが電気的に接続させられている。また、発光色が緑である有機EL領域109gの全ての第1電極102と、緑色発光用の第1端子102gとが電気的に接続されている。発光色が青である有機EL領域109bの全ての第1電極102と、青色発光用の第1端子102bとが電気的に接続されている。
従って、各第1端子102r,102g,102bをそれぞれ個別に駆動制御することにより、R、G、B各発光色の有機EL領域109r,109g,109bを個別に駆動することができる。また、各発光色の有機EL領域109r,109g,109b毎に輝度を変えることが可能となっている。
また、図2に示すように、有機EL領域109r,109g,109bに隣接して、第1電極102と電気的に離間する第2端子111が形成されている。第2電極104が、導電性層により第2端子111に接続されている。第2端子111は外部回路と接続され、所定の電圧が供給されている。
フィールドシーケンシャル方式の表示装置のバックライトにおいては、有機EL領域109r,109g,109bを切り替えて時分割駆動で発光させる。この表示装置において、色の切り替えによる画像のちらつき(フリッカ)が生じないようにするためには、フィールドを約1/60秒以下で切り替える必要がある。従って、上述の構成の有機EL素子を用いて1フィールドあたり1色の表示を行うためには、少なくとも約1/180秒以下、即ち6ミリ秒以下で、有機EL領域109r,109g,109bを時分割駆動させる必要がある。
有機EL素子の時分割駆動では、第1端子102r,102g,102bをそれぞれ駆動制御してR、G、Bの各色を発光させる。例えば、有機EL領域109rの全ての第1電極102と、有機EL領域109gの全ての第1電極102と、有機EL領域109bの全ての第1電極102とを、発光色毎に時分割駆動する。
[有機EL素子]
次に、バックライトの発光部を構成する有機EL素子の各構成について説明する。
有機EL素子は、第1電極102及び第2電極104と、この電極間に発光性を有する有機材料を含むユニット103r,103g,103bを備える。そして、これらの各構成が、透明基板101上に設けられている。
また、有機EL素子において、第1電極102が、透光性の電極として構成されている。この構成において、第1電極102と第2電極104とで発光ユニット103が挟持されている部分のみが、有機EL素子における発光領域である。そして、有機EL素子は、発生させた光を、少なくとも透明基板101側から取り出すボトムエミッション型として構成されている。
以下、これら各構成の詳細について説明する。
次に、バックライトの発光部を構成する有機EL素子の各構成について説明する。
有機EL素子は、第1電極102及び第2電極104と、この電極間に発光性を有する有機材料を含むユニット103r,103g,103bを備える。そして、これらの各構成が、透明基板101上に設けられている。
また、有機EL素子において、第1電極102が、透光性の電極として構成されている。この構成において、第1電極102と第2電極104とで発光ユニット103が挟持されている部分のみが、有機EL素子における発光領域である。そして、有機EL素子は、発生させた光を、少なくとも透明基板101側から取り出すボトムエミッション型として構成されている。
以下、これら各構成の詳細について説明する。
[基板]
有機EL素子の透明基板101としては、例えばガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。好ましく用いられる透明基板101としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。
有機EL素子の透明基板101としては、例えばガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。好ましく用いられる透明基板101としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。
[第1電極]
第1電極102は、有機EL素子における透明電極であり、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成された導電層である。ここで、主成分とは、第1電極102を構成する成分のうち、構成比率が最も高い成分をいう。
第1電極102は、有機EL素子における透明電極であり、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成された導電層である。ここで、主成分とは、第1電極102を構成する成分のうち、構成比率が最も高い成分をいう。
第1電極102を構成する銀(Ag)を主成分とする合金としては、例えば、銀マグネシウム(AgMg)、銀銅(AgCu)、銀パラジウム(AgPd)、銀パラジウム銅(AgPdCu)、銀インジウム(AgIn)等が挙げられる。
第1電極102は、銀又は銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。
さらに、この第1電極102の層厚は、2〜15nmの範囲内にあることが好ましく、3〜12nmの範囲内にあることがより好ましく、4〜9nmの範囲内にあることが特に好ましい。層厚が15nmより薄い場合には、層の吸収成分又は反射成分が少なく、第1電極102の光透過率が大きくなる。また、層厚が2nmより厚い場合には、層の導電性を十分に確保することができる。
さらに、この第1電極102の層厚は、2〜15nmの範囲内にあることが好ましく、3〜12nmの範囲内にあることがより好ましく、4〜9nmの範囲内にあることが特に好ましい。層厚が15nmより薄い場合には、層の吸収成分又は反射成分が少なく、第1電極102の光透過率が大きくなる。また、層厚が2nmより厚い場合には、層の導電性を十分に確保することができる。
第1電極102の成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)、スパッタ法、CVD法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも、蒸着法が好ましく適用される。
(下地層)
また、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成された第1電極102は、下記の下地層上に形成さることが好ましい。下地層は、第1電極102の透明基板101側に設けられる層である。
下地層を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、銀又は銀を主成分とする合金からなる第1電極102の成膜に際し、銀の凝集を抑制できる窒素原子や硫黄原子を含んだ化合物等や、銀を成膜する際に成長核となるPd、Al、Ti、Pt、Mo等の金属を含む層、及び、酸化亜鉛を含む層が挙げられる。
また、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成された第1電極102は、下記の下地層上に形成さることが好ましい。下地層は、第1電極102の透明基板101側に設けられる層である。
下地層を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、銀又は銀を主成分とする合金からなる第1電極102の成膜に際し、銀の凝集を抑制できる窒素原子や硫黄原子を含んだ化合物等や、銀を成膜する際に成長核となるPd、Al、Ti、Pt、Mo等の金属を含む層、及び、酸化亜鉛を含む層が挙げられる。
下地層が、低屈折率材料(屈折率1.7未満)からなる場合、その層厚の上限としては、50nm未満である必要があり、30nm未満であることが好ましく、10nm未満であることが更に好ましく、5nm未満であることが特に好ましい。層厚を50nm未満とすることにより、光学的ロスを最小限に抑えられる。一方、層厚の下限としては、0.05nm以上が必要であり、0.1nm以上であることが好ましく、0.3nm以上であることが特に好ましい。層厚を0.05nm以上とすることにより、下地層の成膜を均一とし、その効果(銀の凝集抑制)を均一とすることができる。
下地層が、高屈折率材料(屈折率1.7以上)からなる場合、その層厚の上限としては特に制限はなく、層厚の下限としては上記低屈折率材料からなる場合と同様である。
ただし、単なる下地層の機能としては、均一な成膜が得られる必要層厚で形成されれば十分である。
下地層が、高屈折率材料(屈折率1.7以上)からなる場合、その層厚の上限としては特に制限はなく、層厚の下限としては上記低屈折率材料からなる場合と同様である。
ただし、単なる下地層の機能としては、均一な成膜が得られる必要層厚で形成されれば十分である。
下地層が銀の成長核となる金属を含む層である場合には、その厚さ、有機EL素子の光透過性を阻害しない程度の厚さとし、例えば5nm以下とすることが好ましい。一方、この下地層は、第1電極102の膜均一性を確保することができる程度の厚さを必要とする。この厚さとして下地層は、各金属原子が1原子層以上形成されていればよい。また、下地層は、連続膜であることが好ましい。なお、この下地層において、銀の成長核となる金属を含む層の連続相に欠陥があっても、この欠陥が第1電極102を構成するAg原子よりも小さければ、第1電極102の膜均一性を確保することができる。
下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物としては、分子内に窒素原子を含んでいる化合物であれば特に限定されないが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物であることが好ましい。窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ−C−シンノリン、ポルフィリン、クロリン、コリン等が挙げられる。
下地層の成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、真空蒸着法(抵抗加熱、EB法等)、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法、熱CVD法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも、成膜性の観点から電子ビーム蒸着法、又は、スパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、IAD(イオンアシスト)等のアシストを用いることが好ましい。
また、下地層を構成する酸化亜鉛を含む層(酸化亜鉛含有層)は、酸化亜鉛(ZnO)を主成分として含む。酸化亜鉛含有層における主成分とは、構成する成分のうち構成比率が最も高い成分であり、好ましくは50原子%以上である。酸化亜鉛含有層を第1電極102の下地層として用いることにより、第1電極102に含まれる銀原子の配列を均一にし、光透過性と抵抗特性の両立を達成することができる。
酸化亜鉛含有層は、酸化亜鉛以外の材料が含まれていてもよい。酸化亜鉛含有層に含まれる、酸化亜鉛以外の材料としては、誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。酸化亜鉛含有層に含まれる、誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、例えば、TiO2、ITO(インジウム・スズ酸化物)、ZnS、Nb2O5、ZrO2、CeO2、Ta2O5、Ti3O5、Ti4O7、Ti2O3、TiO、SnO2、La2Ti2O7、IZO(酸化インジウム・酸化亜鉛)、AZO(AlドープZnO)、GZO(GaドープZnO)、ATO(SbドープSnO)、ICO(インジウムセリウムオキサイド)、Ga2O3等が含まれる。酸化亜鉛含有層には、誘電性材料又は酸化物半導体材料が1種のみ含まれてもよく、2種以上が含まれてもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、特に好ましくは、ZnS、TiO 2、GZO、ITOである。
なお、酸化亜鉛含有層には、上記の誘電性材料や酸化物半導体材料以外に、MgF2、SiO2等が含まれてもよい。例えば、SiO2が含まれると、酸化亜鉛含有層が非晶質になりやすく、有機EL素子のフレキシブル性が高まりやすい。
また、酸化亜鉛含有層には、第1電極102の成膜時の銀の凝集を抑制し、薄くとも均一な厚さの第1電極102を得るとの観点から、酸化亜鉛を主成分として含むことが好ましい。酸化亜鉛含有層に含まれる亜鉛原子の量は、酸化亜鉛含有層を構成する全原子の数に対して0.1〜50at%であることが好ましく、より好ましくは0.5〜50at%である。
一方、亜鉛原子の量が過剰であると、酸化亜鉛含有層の均一な成膜が難しくなり、透明性が低下する場合がある。第1電極102に含まれる各原子の種類や、その含有量は、例えばXPS法等で特定される。
一方、亜鉛原子の量が過剰であると、酸化亜鉛含有層の均一な成膜が難しくなり、透明性が低下する場合がある。第1電極102に含まれる各原子の種類や、その含有量は、例えばXPS法等で特定される。
酸化亜鉛含有層の厚さは、通常3〜35nmであることが好ましく、より好ましくは5〜25nmである。酸化亜鉛含有層の厚さが3nm以上であると、第1電極102の成膜性が十分に向上する。一方、酸化亜鉛含有層の厚さが、35nm以下であると、有機EL素子の光学特性への影響が小さく、有機EL素子の光透過性が低下し難い。酸化亜鉛含有層の厚さは、エリプソメータ等で測定される。
第1電極102は、下地層上に成膜されることにより、第1電極102成膜後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。
基材上にAgを主成分とする第1電極102を形成する場合、基材に付着したAg原子が表面拡散しながら、ある大きさの塊(核)を生成する。そして、この塊(核)の周囲に沿うように、初期の薄膜成長が進む。このため、形成初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長し、厚みが15μm程度になると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、膜の表面がいまだ平滑ではなく、プラズモン吸収が生じやすい。
これに対し、予め下地層として、銀を成膜する際に成長核となるPd、Al、Ti、Pt、Mo等の金属を含む層を形成しておくと、第1電極102を構成するAg等の金属材料が、下地層上を移動し難くなる。また、Pd等の金属原子は、成長核同士の間隔を、Ag原子が表面拡散して形成される塊同士の間隔よりも狭くすることができる。従って、このPdの成長核を起点としてAg層が成長すると、厚みが薄くても平坦な層となりやすい。
また、例えば、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された下地層上に、銀又は銀を主成分とする合金からなる第1電極102を設けた構成とすることができる。これにより、下地層の上部に第1電極102を成膜する際には、第1電極102を構成する銀原子が下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の下地層表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。
また、酸化亜鉛含有層に含まれる亜鉛原子は、第1電極102の銀との親和性が高い。このため、第1電極102の成膜時に、第1電極102を構成する銀が酸化亜鉛含有層上で凝集しにくくなり、厚さが薄く均一な第1電極102を形成することができる。さらに、亜鉛原子は第1電極102に含まれる銀との親和性が高いため、高湿度環境下での水分による銀の凝集や、銀の腐食を抑制できる。
即ち、一般的に核成長型(Volumer-Weber:VW型)により銀粒子が島状に孤立しやすい銀の成膜において、上述の下地層を用いることにより、成膜される銀の凝集が抑えられる。このため、銀又は銀を主成分とする合金からなる第1電極102の成膜においては、単層成長型(Frank-van der Merwe:FM型)で薄膜成長するようになる。従って、上述のように、銀又は銀を主成分とする合金からなる第1電極102が、より薄い層厚で導電性が確保されたものとなり、第1電極102の導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になる。
[第2電極]
第2電極104は、発光ユニット103r,103g,103bに、例えば電子を供給する機能を有し、透明電極である第1電極102に対して対向電極となる電極膜である。第2電極104は、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
第2電極104としてのシート抵抗は数Ω/sq.以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μmの範囲内、好ましくは50〜200nmの範囲内で選ばれる。
第2電極104は、発光ユニット103r,103g,103bに、例えば電子を供給する機能を有し、透明電極である第1電極102に対して対向電極となる電極膜である。第2電極104は、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
第2電極104としてのシート抵抗は数Ω/sq.以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μmの範囲内、好ましくは50〜200nmの範囲内で選ばれる。
このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物やアルミニウム等が好適である。
第2電極104は、蒸着やスパッタリング等の方法によりこれらの電極物質の薄膜を形成することにより、作製することができる。
これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物やアルミニウム等が好適である。
第2電極104は、蒸着やスパッタリング等の方法によりこれらの電極物質の薄膜を形成することにより、作製することができる。
[発光ユニット]
発光ユニット103r,103g,103bは、第1電極102と第2電極104との間において、少なくとも発光性を有する有機材料を含み、赤、緑又は青の各色に発光する発光層を有し、さらに、発光層と電極との間に他の層を備えていてもよい。
発光ユニット103r,103g,103bは、第1電極102と第2電極104との間において、少なくとも発光性を有する有機材料を含み、赤、緑又は青の各色に発光する発光層を有し、さらに、発光層と電極との間に他の層を備えていてもよい。
発光ユニット103r,103g,103bの代表的な素子構成としては、以下の構成を上げることができるが、これらに限定されるものではない。
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(3)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(5)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(7)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/(電子阻止層/)発光層/(正孔阻止層/)電子輸送層/電子注入層/陰極
上記の中で(7)の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除く層が、発光性を有する発光ユニットである。
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(3)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(5)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(7)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/(電子阻止層/)発光層/(正孔阻止層/)電子輸送層/電子注入層/陰極
上記の中で(7)の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除く層が、発光性を有する発光ユニットである。
(発光ユニット)
上記構成において、発光層は、単層または複数層で構成される。発光層が複数の場合は、各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
また、必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層(正孔障壁層)や電子注入層(陰極バッファー層)等を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層(電子障壁層)や正孔注入層(陽極バッファー層)等を設けてもよい。
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する層である。電子輸送層には、広い意味で電子注入層、及び、正孔阻止層も含まれる。また、電子輸送層は、複数層で構成されていてもよい。
正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する層である。正孔輸送層には、広い意味で正孔注入層、及び、電子阻止層も含まれる。また、正孔輸送層は、複数層で構成されていてもよい。
上記構成において、発光層は、単層または複数層で構成される。発光層が複数の場合は、各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
また、必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層(正孔障壁層)や電子注入層(陰極バッファー層)等を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層(電子障壁層)や正孔注入層(陽極バッファー層)等を設けてもよい。
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する層である。電子輸送層には、広い意味で電子注入層、及び、正孔阻止層も含まれる。また、電子輸送層は、複数層で構成されていてもよい。
正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する層である。正孔輸送層には、広い意味で正孔注入層、及び、電子阻止層も含まれる。また、正孔輸送層は、複数層で構成されていてもよい。
[発光層]
発光層には、発光材料としてリン光発光化合物が含有されていることが好ましい。また、発光層は、複数の発光材料を混合してもよく、また、リン光発光材料と蛍光発光材料(蛍光ドーパント、蛍光性化合物)とを同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成として、ホスト化合物(発光ホスト等)、発光材料(発光ドーパント)を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。発光層は、発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により成膜して形成することができる。
発光層には、発光材料としてリン光発光化合物が含有されていることが好ましい。また、発光層は、複数の発光材料を混合してもよく、また、リン光発光材料と蛍光発光材料(蛍光ドーパント、蛍光性化合物)とを同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成として、ホスト化合物(発光ホスト等)、発光材料(発光ドーパント)を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。発光層は、発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により成膜して形成することができる。
発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。発光層は、電極又は電子輸送層から注入された電子と、正孔輸送層から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接する層との界面であってもよい。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には、非発光性の補助層を有していてもよい。
発光層の層厚の総和は、1〜100nmの範囲内にあることが好ましく、より低い駆動電圧を得ることができることから1〜30nmの範囲内であることがより好ましい。複数層を積層した構成の発光層の場合、個々の発光層の層厚としては、1〜50nmの範囲内に調整することが好ましく、1〜20nmの範囲内に調整することがより好ましい。なお、発光層の層厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む層厚である。
(1)ホスト化合物
発光層に含有されるホスト化合物としては、室温(25℃)におけるリン光発光のリン光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。さらに好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が50%以上であることが好ましい。
発光層に含有されるホスト化合物としては、室温(25℃)におけるリン光発光のリン光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。さらに好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が50%以上であることが好ましい。
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
(2)発光材料
発光材料としては、リン光発光性化合物(リン光性化合物、リン光発光材料)と蛍光発光性化合物(蛍光性化合物、蛍光発光材料)が挙げられる。
発光材料としては、リン光発光性化合物(リン光性化合物、リン光発光材料)と蛍光発光性化合物(蛍光性化合物、蛍光発光材料)が挙げられる。
(リン光発光性化合物)
リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、リン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。
リン光発光性化合物は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。好ましくは、元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物若しくは白金化合物(白金錯体系化合物)又は希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
少なくとも一つの発光層は、2種以上のリン光発光性化合物を含有していてもよく、発光層におけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。好ましくは、発光層の総量に対し、リン光発光性化合物が0.1体積%以上30体積%未満である。
(蛍光発光性化合物)
蛍光発光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
蛍光発光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
[注入層:正孔注入層、電子注入層]
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、電極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、電極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層であれば、アノード(陽極)と発光層又は正孔輸送層との間、電子注入層であればカソード(陰極)と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。
電子注入層はごく薄い膜からなる層であることが望ましく、素材にもよるがその層厚は1nm〜10μmの範囲内であることが好ましい。
電子注入層はごく薄い膜からなる層であることが望ましく、素材にもよるがその層厚は1nm〜10μmの範囲内であることが好ましい。
[正孔輸送層]
正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は、単層又は複数層設けることができる。また、正孔輸送層は、1種又は2種以上の材料からなる一層構造であってもよい。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmの範囲内である。
正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は、単層又は複数層設けることができる。また、正孔輸送層は、1種又は2種以上の材料からなる一層構造であってもよい。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmの範囲内である。
正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。また、正孔輸送層の材料に不純物をドープしてp性を高くすることもできる。正孔輸送層のp性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することで形成することができる。
[電子輸送層]
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層(図示略)も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。また、電子輸送層は、1種又は2種以上の材料からなる1層構造であってもよい。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmの範囲内である。
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層(図示略)も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。また、電子輸送層は、1種又は2種以上の材料からなる1層構造であってもよい。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmの範囲内である。
単層構造の電子輸送層及び積層構造の電子輸送層において、発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる。)としては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
また、電子輸送層の材料(電子輸送性化合物)として、上述した下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物を用いてもよい。これは、電子注入層を兼ねた電子輸送層であっても同様であり、上述した下地層を構成する材料と同様のものを用いてもよい。
電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
[阻止層:正孔阻止層、電子阻止層]
阻止層は、上記のように、有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
阻止層は、上記のように、有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔との再結合確率を向上させることができる。また、正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。正孔阻止層の層厚としては、好ましくは3〜100nmの範囲内であり、更に好ましくは5〜30nmの範囲内である。
〈2.表示装置の第2実施形態〉
次に、フィールドシーケンシャル方式の表示装置の第2実施形態について説明する。第2実施形態は、バックライトの有機EL素子の構成のみが上述の第1実施形態と異なる。このため、以下の説明では、有機EL素子の構成のみを説明し、表示パネル等の構成、及び、各構成において重複する説明は省略する。
次に、フィールドシーケンシャル方式の表示装置の第2実施形態について説明する。第2実施形態は、バックライトの有機EL素子の構成のみが上述の第1実施形態と異なる。このため、以下の説明では、有機EL素子の構成のみを説明し、表示パネル等の構成、及び、各構成において重複する説明は省略する。
図3に、第2実施形態のフィールドシーケンシャル方式の表示装置の概略構成図を示す。図3に示すフィールドシーケンシャル方式の表示装置は、表示パネル200と、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)からなるバックライト300とを備える。
図3に示すフィールドシーケンシャル方式の表示装置では、バックライト300の発光部を構成する有機EL素子が、厚さ方向(光の射出方向)に3層の発光ユニットが積層された、いわゆる3層スタック構造を有している。また、有機EL素子は、上述の第1実施形態と異なり、発光色の異なる有機EL素子を区分するための絶縁材料からなる隔壁を有さず、バックライト300が設けられる領域の全面に連続して形成されている。
また、図3に示すように、バックライト300を構成する有機EL素子は、透明基板301上に、第1電極302、第1発光ユニット303、第1中間電極304、第2発光ユニット305、第2中間電極306、第3発光ユニット307、及び、第2電極308が、この順に積層されている。そして、有機EL素子は、第1電極302、第1中間電極304、第2中間電極306、及び、第2電極308が、それぞれ挟持する第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307に対して、一方が陰極として作用し、他方が陽極として作用する。
[第1電極]
第1電極302は、透明電極により構成されている。上述の第1実施形態の第1電極と同様に、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成される。銀(Ag)を主成分とする合金としては、例えば、銀マグネシウム(AgMg)、銀銅(AgCu)、銀パラジウム(AgPd)、銀パラジウム銅(AgPdCu)、銀インジウム(AgIn)等が挙げられる。
第1電極302は、透明電極により構成されている。上述の第1実施形態の第1電極と同様に、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成される。銀(Ag)を主成分とする合金としては、例えば、銀マグネシウム(AgMg)、銀銅(AgCu)、銀パラジウム(AgPd)、銀パラジウム銅(AgPdCu)、銀インジウム(AgIn)等が挙げられる。
第1電極302は、2〜15nmの範囲内にあることが好ましく、3〜12nmの範囲内にあることがより好ましく、4〜9nmの範囲内にあることが特に好ましい。層厚が15nmより薄い場合には、層の吸収成分又は反射成分が少なく、第1電極102の光透過率が大きくなる。また、層厚が2nmより厚い場合には、層の導電性を十分に確保することができる。
また、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成される透明電極は、下地層上に形成されていることが好ましい。下地層としては、上述の第1実施形態と同様に、例えば、銀又は銀を主成分とする合金からなる第1電極302、第1中間電極304、及び、第2中間電極306の成膜に際し、銀の凝集を抑制できる窒素原子や硫黄原子を含んだ化合物等や、銀を成膜する際に成長核となるPd、Al、Ti、Pt、Mo等の金属を含む層、及び、酸化亜鉛含有層が挙げられる。
[中間電極]
第1中間電極304、及び、第2中間電極306は、有機EL素子において、第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307の間に設けられる。このため、第1中間電極304、及び、第2中間電極306は、層の吸収成分及び反射成分が少なく、光透過率が大きいことが好ましい。
第1中間電極304、及び、第2中間電極306は、有機EL素子において、第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307の間に設けられる。このため、第1中間電極304、及び、第2中間電極306は、層の吸収成分及び反射成分が少なく、光透過率が大きいことが好ましい。
第1中間電極304、及び、第2中間電極306としては、例えば、上述の第1電極302と同様の構成を適用できる。例えば、2〜15nmの銀又は銀を主成分とした合金を用いることができる。第1中間電極304、及び、第2中間電極306として、銀又は銀を主成分とした合金を形成する場合には、上述の下地層上に形成してもよく、或いは、発光ユニットを構成する電子輸送層等の有機材料層上に直接形成してもよい。
また、第1中間電極304、及び、第2中間電極306としては、例えば、5nm〜20nmのアルミニウム等を用いることができる。さらに、アルミニウムと上述の銀又は銀を主成分とした合金を積層した構成、及びその他の導電性材料を積層した構成とすることもできる。
さらに、第1中間電極304、及び、第2中間電極306としては、ITO(インジウム・錫酸化物)、IZO(インジウム・亜鉛酸化物)、ZnO2、TiN、ZrN、HfN、TiOx、VOx、CuI、InN、GaN、CuAlO2、CuGaO2、SrCu2O2、LaB6、RuO2等の導電性無機化合物層や、Au/Bi2O3等の2層膜や、SnO2/Ag/SnO2、ZnO/Ag/ZnO、Bi2O3/Au/Bi2O3、TiO2/TiN/TiO2、TiO2/ZrN/TiO2等の多層膜、またC60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等を用いることができる。
[第2電極]
第2電極308は、透明電極である第1電極302、第1中間電極304、及び、第2中間電極306に対して対向電極となる電極膜である。第2電極308は、上述の第1実施形態の第2電極に相当し、第1実施形態の第2電極と同様の構成を適用することができる。例えば、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
第2電極308は、透明電極である第1電極302、第1中間電極304、及び、第2中間電極306に対して対向電極となる電極膜である。第2電極308は、上述の第1実施形態の第2電極に相当し、第1実施形態の第2電極と同様の構成を適用することができる。例えば、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
[発光ユニット]
第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307は、それぞれ所定の色を発光する発光層を有する。各発光層は、少なくとも発光性の有機材料を含み、例えば、発光性の有機材料として、青(B)、緑(G)、及び、赤(R)の各色の発光ドーパントを有することにより、第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307が、それぞれR、G、Bのいずれかの色を発光する。これは、上述の第1実施形態における、R、G、Bの各色を発光するストライプ状の有機EL領域及び発光ユニットに相当する。このため、第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307は、それぞれ上述の第1実施形態の赤、緑又は青の各色に発光する発光ユニットと同様の構成とすることができる。
第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307は、それぞれ所定の色を発光する発光層を有する。各発光層は、少なくとも発光性の有機材料を含み、例えば、発光性の有機材料として、青(B)、緑(G)、及び、赤(R)の各色の発光ドーパントを有することにより、第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307が、それぞれR、G、Bのいずれかの色を発光する。これは、上述の第1実施形態における、R、G、Bの各色を発光するストライプ状の有機EL領域及び発光ユニットに相当する。このため、第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307は、それぞれ上述の第1実施形態の赤、緑又は青の各色に発光する発光ユニットと同様の構成とすることができる。
第1発光ユニット303を挟持する第1電極302及び第1中間電極304、第2発光ユニット305を挟持する第1中間電極304及び第2中間電極306、並びに、第3発光ユニット307を挟持する第2中間電極306及び第2電極308を、それぞれ個別に制御することにより、第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307を、それぞれ個別に光らせることができる構成である。このため、有機EL素子は、各発光層を制御することにより、発光色を自由に調整することが可能な構成である。
また、有機EL素子は、第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307のダイオード特性が同じ向きになるように積層されていてもよく、異なるように積層されていてもよい。例えば、第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307のすべてダイオード特性が同じ向きに積層されていてもよく、また、第1発光ユニット303と第3発光ユニット307とのダイオード特性が同じ向きに積層され、第2発光ユニット305のみが両発光ユニットとダイオード特性が異なる向きに積層されていてもよい。
〈3.タイミングチャート〉
次に、図4に有機EL素子の等価回路図とタイミングチャートを示す。
第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307をそれぞれ挟む1組の電極(図3に示す第1電極302、第1中間電極304、第2中間電極306、及び、第2電極308)が並列に接続されている。ここでは一例として、第1発光ユニット303が赤(R)、第2発光ユニット305が青(B)、第3発光ユニット307が緑(G)を発光する場合について説明する。
次に、図4に有機EL素子の等価回路図とタイミングチャートを示す。
第1発光ユニット303、第2発光ユニット305、及び、第3発光ユニット307をそれぞれ挟む1組の電極(図3に示す第1電極302、第1中間電極304、第2中間電極306、及び、第2電極308)が並列に接続されている。ここでは一例として、第1発光ユニット303が赤(R)、第2発光ユニット305が青(B)、第3発光ユニット307が緑(G)を発光する場合について説明する。
図4に示すタイミングチャートは、表示パネルの駆動タイミングと、バックライトの有機EL素子の各発光ユニットの発光タイミングとを示す図である。有機EL領域(画素)について、R、G、B各フィールドを順に駆動して1フレームとするときのVr、Vg、Vbの駆動パルスのタイミングチャートを示している。
発光ユニットがR、G、Bの各色を順次時分割して、例えば1フレームを3等分(1/3フレーム)して各色を発光する。そして、この時分割して発光した光を、表示パネルが三原色毎に同期させて遮光することにより、時分割された各色のフィールド画像(Rフィールド、Gフィールド、Bフィールド)が順次形成される。
そして、時分割された各色のフィールド画像の時間的な混色により、一つのフレーム画像が形成される。
発光ユニットがR、G、Bの各色を順次時分割して、例えば1フレームを3等分(1/3フレーム)して各色を発光する。そして、この時分割して発光した光を、表示パネルが三原色毎に同期させて遮光することにより、時分割された各色のフィールド画像(Rフィールド、Gフィールド、Bフィールド)が順次形成される。
そして、時分割された各色のフィールド画像の時間的な混色により、一つのフレーム画像が形成される。
なお、上述のタイミングチャートでは、各R、G、Bの各発光ユニットの発光期間の比率が同一の場合について説明しているが、各発光ユニットの発光期間の比率は、任意に変更することも可能である。
特に、各発光ユニットの寿命に応じて、各R、G、Bの発光期間を調整することで、バックライトの長寿命化を実現することができる。その際、相対的に経時劣化が大きい(寿命が短い)発光ユニットの発光期間を、他の発光ユニットよりも長くすることが好ましい。例えば、最も寿命の短い発光ユニットの発光期間の比率を、最も長くすることが好ましい。これにより、経時劣化によるバックライトの輝度の低下や、色度の変化を抑制することができ、表示装置の信頼性が向上する。
特に、各発光ユニットの寿命に応じて、各R、G、Bの発光期間を調整することで、バックライトの長寿命化を実現することができる。その際、相対的に経時劣化が大きい(寿命が短い)発光ユニットの発光期間を、他の発光ユニットよりも長くすることが好ましい。例えば、最も寿命の短い発光ユニットの発光期間の比率を、最も長くすることが好ましい。これにより、経時劣化によるバックライトの輝度の低下や、色度の変化を抑制することができ、表示装置の信頼性が向上する。
[効果]
上述の第1実施形態及び第2実施形態のフィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、バックライトとなる有機EL素子の透明電極として、銀又は銀を主成分とした合金が適用される。このため、有機EL素子の透明電極として、光透過性が高く、導電性の高い電極を形成することができる。即ち、電極の導電性が高まることにより、有機EL素子の各色R、G、Bの各色を発光する発光ユニットを駆動する際のVr、Vg、Vbの駆動パルスに対する応答性が高まる。この結果、表示装置においてバックライトに要求される、少なくとも約1/180秒以下の時分割駆動においても、有機EL素子において安定した高速駆動が可能となる。従って、フィールドシーケンシャル方式の表示装置の駆動に必要とされる、高速駆動に対応することが可能な有機EL素子を構成することができる。そして、フィールドシーケンシャル方式において表示装置の安定した駆動が可能となる。
上述の第1実施形態及び第2実施形態のフィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、バックライトとなる有機EL素子の透明電極として、銀又は銀を主成分とした合金が適用される。このため、有機EL素子の透明電極として、光透過性が高く、導電性の高い電極を形成することができる。即ち、電極の導電性が高まることにより、有機EL素子の各色R、G、Bの各色を発光する発光ユニットを駆動する際のVr、Vg、Vbの駆動パルスに対する応答性が高まる。この結果、表示装置においてバックライトに要求される、少なくとも約1/180秒以下の時分割駆動においても、有機EL素子において安定した高速駆動が可能となる。従って、フィールドシーケンシャル方式の表示装置の駆動に必要とされる、高速駆動に対応することが可能な有機EL素子を構成することができる。そして、フィールドシーケンシャル方式において表示装置の安定した駆動が可能となる。
なお、上述の実施形態では、R、G、Bの三原色を発光可能な発光ユニットを備える有機EL素子について説明したが、発光ユニットの発光色についてはこれに限定されない。例えば、イエロー、シアン、マゼンダの補色を発光可能な発光ユニットを備える構成としてもよい。また、この場合には、これらの補色を合成することにより、3原色を発光する構成としてもよい。さらに、3原色のいずれかを発光する発光ユニットと、補色のいずれかを発光する発光ユニットとを組み合わせた構成としてもよい。
なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
100,300 バックライト、101,202,301 透明基板、102,302
第1電極、102r,102g,102b 第1端子、103r,103g,103b
発光ユニット、104,308 第2電極、108 隔壁、109r,109g,109b 有機EL領域、111 第2端子、200 表示パネル、201 偏光板、203
薄膜トランジスタ、204 画素電極、205 配向膜、206 液晶層、207 絶縁層、208 スペーサ、209 シール、210 データ線、303 第1発光ユニット、304 第1中間電極、305 第2発光ユニット、306 第2中間電極、307
第3発光ユニット
第1電極、102r,102g,102b 第1端子、103r,103g,103b
発光ユニット、104,308 第2電極、108 隔壁、109r,109g,109b 有機EL領域、111 第2端子、200 表示パネル、201 偏光板、203
薄膜トランジスタ、204 画素電極、205 配向膜、206 液晶層、207 絶縁層、208 スペーサ、209 シール、210 データ線、303 第1発光ユニット、304 第1中間電極、305 第2発光ユニット、306 第2中間電極、307
第3発光ユニット
Claims (7)
- バックライトと、フィールドシーケンシャル方式の表示パネルと、を備える表示装置であって、
前記バックライトの発光部が、異なる色を発光する複数の発光ユニットを備える有機エレクトロルミネッセンス素子であり、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも1つの電極が、Ag又はAgを主成分として含む合金からなる
表示装置。 - 前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、異なる色を発光する発光ユニットが積層された構成を有する請求項1に記載の表示装置。
- 前記発光部において、異なる色を発光する前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、発光面方向に並べられた構成を有する請求項1に記載の表示装置。
- 最も前記表示パネル側に形成される前記電極がAg又はAgを主成分として含む合金からなる請求項1に記載の表示装置。
- Ag又はAgを主成分として含む合金からなる前記電極が、窒素原子を含む化合物からなる下地層上に形成されている請求項1に記載の表示装置。
- 前記発光ユニットが積層された前記有機エレクトロルミネッセンス素子において、積層された前記発光ユニットの間に形成される中間電極が、Ag又はAgを主成分として含む合金からなる請求項2に記載の表示装置。
- 異なる色を発光する複数の前記発光ユニットにおいて、第1発光ユニットの発光期間の比率が、他の色を発光する第2発光ユニットの発光期間の比率と異なる請求項1に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014214825 | 2014-10-21 | ||
JP2014214825 | 2014-10-21 | ||
PCT/JP2015/079577 WO2016063870A1 (ja) | 2014-10-21 | 2015-10-20 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016063870A1 true JPWO2016063870A1 (ja) | 2017-09-07 |
Family
ID=55760903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016555231A Pending JPWO2016063870A1 (ja) | 2014-10-21 | 2015-10-20 | 表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170307928A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2016063870A1 (ja) |
CN (1) | CN106852172A (ja) |
WO (1) | WO2016063870A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112219453B (zh) | 2018-05-30 | 2023-04-04 | 日本先锋公司 | 发光模块 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1584955B (zh) * | 2003-08-18 | 2010-04-28 | 铼宝科技股份有限公司 | 显示面板及其电极基板与电极面板 |
JP2006269100A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表示装置 |
JP2008047340A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2012204110A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Sony Corp | 表示素子および表示装置ならびに電子機器 |
WO2013141057A1 (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | コニカミノルタ株式会社 | 有機電界発光素子 |
-
2015
- 2015-10-20 WO PCT/JP2015/079577 patent/WO2016063870A1/ja active Application Filing
- 2015-10-20 JP JP2016555231A patent/JPWO2016063870A1/ja active Pending
- 2015-10-20 US US15/518,405 patent/US20170307928A1/en not_active Abandoned
- 2015-10-20 CN CN201580056977.8A patent/CN106852172A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016063870A1 (ja) | 2016-04-28 |
CN106852172A (zh) | 2017-06-13 |
US20170307928A1 (en) | 2017-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI670846B (zh) | 終端及顯示幕 | |
US9786720B2 (en) | Organic light emitting display device | |
US8405098B2 (en) | Organic light emitting device, display unit including the same, and illuminating device including the same | |
KR101469031B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
EP3104427A1 (en) | Organic light-emitting display device and top emitting oled device for improving viewing angle characteristics | |
CN100358171C (zh) | 电致发光显示装置 | |
JP2007005173A (ja) | 表示装置 | |
JP2007294404A (ja) | 表示装置 | |
KR20130093187A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US9165984B2 (en) | OLEDs for use in NVIS capable devices | |
US20120223349A1 (en) | Front side emitting type organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
CN102916030A (zh) | 有机电致发光显示元件以及其制造方法 | |
KR20140032628A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US9203056B1 (en) | OLED structure | |
JP2013207010A (ja) | 発光素子、発光素子の製造方法、表示装置および照明装置 | |
KR20160134918A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR20120072949A (ko) | 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법 | |
JP2008141174A (ja) | 有機発光装置 | |
WO2016063870A1 (ja) | 表示装置 | |
JP2003282235A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP2009158881A (ja) | 有機el装置及び有機el装置の製造方法 | |
WO2016063871A1 (ja) | 表示装置 | |
JP2012209184A (ja) | 有機電界発光素子、表示装置及び照明装置 | |
JP2010010576A (ja) | 有機発光素子アレイ | |
JP2009070621A (ja) | 表示装置 |