WO2016052605A1 - 太陽光発電システム用のセンサユニット及び監視システム - Google Patents

太陽光発電システム用のセンサユニット及び監視システム Download PDF

Info

Publication number
WO2016052605A1
WO2016052605A1 PCT/JP2015/077706 JP2015077706W WO2016052605A1 WO 2016052605 A1 WO2016052605 A1 WO 2016052605A1 JP 2015077706 W JP2015077706 W JP 2015077706W WO 2016052605 A1 WO2016052605 A1 WO 2016052605A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
shunt resistor
sensor unit
power generation
solar cell
generation system
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/077706
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
明史 小杉
今井 庸二
Original Assignee
太陽誘電株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 太陽誘電株式会社 filed Critical 太陽誘電株式会社
Publication of WO2016052605A1 publication Critical patent/WO2016052605A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S50/00Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
    • H02S50/10Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/74Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a sensor unit and a monitoring system for a photovoltaic power generation system, and more specifically to a sensor unit and a monitoring system for abnormality diagnosis of a photovoltaic power generation system. More specifically, the present invention relates to a sensor unit and a monitoring system using a shunt resistor.
  • an abnormality diagnosis system that detects current output from the solar cell module and performs abnormality diagnosis of the solar cell module or a string including the solar cell module based on the detected current value.
  • JP 2010-123880 A Patent Document 1
  • the value of the current output from this solar cell module can be detected using a current detection circuit equipped with a current transformer and a Hall element.
  • a current detection circuit equipped with a current transformer and a Hall element.
  • the circuit configuration becomes complicated when a current transformer or a Hall element is used.
  • a current detection circuit using a shunt resistor is used.
  • the shunt resistor is connected in series to the current path of the current output from the solar cell module. Therefore, by measuring the voltage across the shunt resistor, the current flowing through the current path is detected based on the measured voltage and the resistance value of the shunt resistor.
  • a shunt resistor is inserted in series with the current path. Therefore, when the shunt resistor is deteriorated or damaged, energy loss in the shunt resistor is large. turn into. In addition, if a disconnection occurs at the connection between the shunt resistor and the current path, the power generated by the solar cell module cannot be recovered at all. Furthermore, since the shunt resistor is connected in series with the current path, when the generated power is recovered from the string in which a plurality of solar cell modules are connected in series, the recovery efficiency of the generated power from the entire string is deteriorated. .
  • the present invention provides a sensor unit that can suppress a decrease in the recovery efficiency of the generated power from the solar cell module when a failure occurs in the connection portion between the shunt resistor and the shunt resistor and the current path. Objective. Other objects of the present invention will be clarified through the description of the entire specification.
  • a sensor unit for a photovoltaic power generation system is connected in parallel to a shunt resistor to which a current from a solar cell module is supplied and the shunt resistor, and the shunt resistor has a defect.
  • a semiconductor switch that is energized when a preset threshold value is exceeded, a control unit that outputs a signal based on the voltage across the shunt resistor, and a wireless unit that outputs the signal wirelessly.
  • the present invention it is possible to suppress a decrease in the recovery efficiency of the generated power from the solar cell module when a failure occurs in the shunt resistor or the connection portion between the shunt resistor and the current path.
  • the block diagram which shows roughly the function of the solar energy power generation system provided with the sensor unit which concerns on one Embodiment of this invention The block diagram which shows roughly the function of the sensor unit which concerns on one Embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is a block diagram schematically showing functions of a photovoltaic power generation system provided with a sensor unit according to an embodiment of the present invention. As illustrated, this solar power generation system monitors the state of an array 13 including a plurality of solar cell modules, a power conditioner 14 that converts DC power from the array 13 into AC power, and the solar cell module 5. A management unit 15.
  • the array 13 can comprise a plurality of strings. In the example of FIG. 1, two strings 11-1 and 11-2 are shown, but the array 13 may comprise any number of strings. In this specification, the strings included in the array 13 are collectively referred to as strings 11 unless it is necessary to distinguish individual strings.
  • the string 11 includes a plurality of solar cell modules connected in series.
  • the string 11-1 includes n solar cell modules 5-1 to 5-n connected in series
  • the string 11-2 includes m solar cell modules 5-1 to 5-m connected in series.
  • the solar cell modules included in each string 11 are collectively referred to as the solar cell module 5 unless it is necessary to distinguish the individual solar cell modules.
  • modules at both ends of the plurality of solar cell modules 5 included in the string 11 are connected to the power conditioner 14.
  • the solar cell module 5-1 and the solar cell module 5-n are connected to the power conditioner 14.
  • Each string 11 is provided with a sensor unit 10.
  • the sensor unit 10 has a plurality of external terminals for connecting to the solar cell module 5.
  • the sensor unit 10 shown in FIG. 1 has four external terminals 10a to 10d. More specifically, the external terminal 10a is connected to the positive electrode terminal 5a of the solar cell module 5-4 disposed on the upstream side of the own unit, and the current from the positive electrode terminal 5a is input.
  • the external terminal 10b is connected to the external terminal 10a through a current path, and outputs the current flowing through the current path to the negative electrode terminal 5b of the solar cell module 5-3 disposed downstream of the solar cell module 5-4. .
  • the external terminal 10c is connected to the positive terminal 5a of the solar cell module 5-3, and the current from the positive terminal 5a is input. Furthermore, the external terminal 10d is connected to the external terminal 10c through a current path, and the current flowing through the current path is connected to the negative terminal 5b of the solar cell module 5-2 disposed downstream of the solar cell module 5-3. Output.
  • the sensor unit 10 provided in the predetermined string 11 measures a physical quantity indicating the state of the string, such as a current, voltage, or power output from the string, or a temperature of the solar cell module 5 included in the string. be able to.
  • the sensor unit 10 also indicates the state of the specific solar cell module 5 such as the output current, voltage or power of the specific solar cell module 5 included in the string, or the temperature of the specific solar cell module 5.
  • the physical quantity shown may be measured.
  • the physical quantity indicating the state of the string and the physical quantity indicating the state of the solar cell module 5 may be collectively referred to as “physical quantity indicating the state of the solar cell module”.
  • the physical quantity indicating the state of the solar cell module 5 measured by the sensor unit 10 is transmitted from the antenna of the sensor unit 10 to the management unit 15 for abnormality diagnosis.
  • the sensor unit 10 may perform an abnormality diagnosis by itself based on the measurement result and transmit the diagnosis result to the management unit 15.
  • the management unit 15 is configured to be capable of wireless communication with a plurality of sensor units 10.
  • the management unit 15 in one embodiment is communicably connected to a host server (not shown), and can transmit the measurement result of the sensor unit 10 received from the sensor unit 10 to the host server.
  • the host server diagnoses whether each string 11 is abnormal based on the measurement result received from each sensor unit via the management unit 15, that is, the physical quantity indicating the state of each string 11.
  • Abnormality (failure) diagnosis can be executed using any known logic.
  • an example of abnormality determination logic is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-123880 (see paragraphs [0033], [0034], etc.).
  • the abnormality diagnosis may be executed by the sensor unit 10 or the management unit 15 instead of the host server. In this case, a diagnosis result is transmitted from the sensor unit 10 or the management unit 15 to the host server, and a log of the diagnosis result is accumulated in the host server.
  • the sensor unit 10 includes a current path CP1 that connects the external terminal 10a and the external terminal 10b, and a current path CP2 that connects the external terminal 10c and the external terminal 10d.
  • the current output from the solar cell module 5 (for example, the solar cell module 5-4) disposed upstream of the sensor unit 10 in the string 11 is input to the sensor unit 10 from the external terminal 10a. This input current is output from the external terminal 10b to the solar cell module 5-3 through the current path CP1.
  • the current output from the solar cell module 5-3 is input to the sensor unit 10 from the external terminal 10c, and is output from the external terminal 10d to the solar cell module 5-2 through the current path CP2.
  • the current path CP1 and the current path CP2 are made of a conductor formed on a circuit board.
  • the sensor unit 10 includes a shunt resistor Rs provided on the current path CP1, a semiconductor switch 21 connected in parallel with the shunt resistor R1, and both ends of the shunt resistor Rs.
  • An amplifier 22 that amplifies the voltage; an AD converter 23 that converts an analog voltage signal output from the amplifier 22 into a digital voltage signal; a power supply unit 24 connected between the external terminal 10b and the external terminal 10c;
  • a microcomputer 25 that performs control and a wireless unit 26 that performs wireless communication with other sensor units 10 and the management unit 15 are provided.
  • the microcomputer 25 is an example of a control unit.
  • the power supply unit 24 in the embodiment of FIG. 2 is connected between the external terminal 10b and the external terminal 10c, and, for example, is the power supplied from the solar cell module 5-3 via these terminals. A capacitor to be charged may be provided.
  • the power supply unit 24 is electrically connected to electronic components provided in the sensor unit 10, such as the microcomputer 25 and the wireless unit 26, and functions as a power source for these electronic components.
  • the shunt resistor Rs may be a single resistance element, or may be composed of a plurality of resistance elements connected in series and / or in parallel.
  • the shunt resistor Rs is configured so that, in a normally functioning state, the voltage drop across the current path CP1 when the current flows, that is, the voltage across the shunt resistor Rs is approximately several tens of mV. Is done.
  • Such a shunt resistor Rs may cause a problem. For example, the shunt resistor Rs itself is damaged and no current flows, or the heat loss increases even when the current is passed. Further, the lead wire connected to the shunt resistor Rs may be disconnected or a connection failure may occur.
  • connection point between the shunt resistor Rs and the external terminal 10b is connected to the ground. The potential at this connection point becomes the reference potential.
  • the amplifier 22 is configured to amplify the voltage across the shunt resistor Rs and output the amplified voltage signal to the A / D converter 23.
  • the amplifier 22 includes an input resistor R1, an input resistor R2, an operational amplifier Op, bypass capacitors C1 and C2, and a negative feedback resistor R3.
  • One end of the input resistor R1 is connected to a connection point between one end of the shunt resistor RS and the external terminal 10a, and the other end is connected to a non-inverting input terminal of the operational amplifier Op.
  • One end of the input resistor R2 is connected to the connection point between the other end of the shunt resistor RS and the external terminal 10b, and the other end is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier Op.
  • the resistance values of the input resistor R1 and the input resistor R2 are set to be equal to each other.
  • the connection point between the input resistor R1 and the non-inverting input terminal of the operational amplifier Op is connected to the ground indicating the reference potential via the bypass capacitor C1, and the connection between the input resistor R2 and the inverting input terminal of the operational amplifier Op. The point is connected to the ground indicating the reference potential via the bypass capacitor C2.
  • the amplifier 22 can amplify the voltage across the shunt resistor Rs with an amplification factor according to the ratio between the resistance value of the negative feedback resistor R3 and the resistance value of the input resistor R2. That is, the amplifier 22 outputs an analog voltage signal obtained by amplifying the voltage across the shunt resistor Rs with a predetermined amplification factor.
  • the analog voltage signal output from the amplifier 22 is converted into a digital voltage signal by the A / D converter 23 and input to the microcomputer 25 as described above.
  • the microcomputer 25 calculates the current value of the current flowing through the current path CP1 based on the digital voltage signal output from the A / D converter 23, the resistance value of the shunt resistor Rs, and the amplification factor of the amplifier 22. be able to.
  • the microcomputer 25 can also calculate the voltage at both ends of the shunt resistor Rs based on the calculated current value and the shunt resistor Rs value. Note that the microcomputer includes the amplifier 22 and the A / D converter 23, and may directly acquire the voltage across the shunt resistor Rs.
  • the microcomputer 25 can diagnose the presence or absence of abnormality in the string 11 provided with the sensor unit 10 based on the calculated current value of CP1 and the voltage across the shunt resistor Rs. In addition, when the microcomputer 25 determines that an abnormality has occurred in the string 11, an abnormality detection signal indicating the occurrence of the abnormality together with an ID for identifying the string 11 is transmitted via the wireless unit 26 to the management unit 15. And can be transmitted to a host device such as a host server.
  • the microcomputer 25 acquires the physical quantity (for example, voltage value, power value, temperature, etc.) indicating the state of the string 11 acquired from various built-in sensors of the sensor unit 10. Alternatively, it is possible to diagnose whether the string 11 is abnormal based on the physical quantity acquired in this way. Abnormality (failure) diagnosis can be executed using any known logic. Further, the microcomputer 25 can also perform various arithmetic processes such as average value calculation and peak value calculation of physical quantities indicating the measured state of the string 11.
  • the microcomputer 25 can also perform various arithmetic processes such as average value calculation and peak value calculation of physical quantities indicating the measured state of the string 11.
  • the wireless unit 26 in the embodiment shown in FIG. 2 sends a signal indicating that the string 11 is abnormal and various measured values to other communication devices (for example, other sensor units) based on the control of the microcomputer 25. 10 and a management unit 15) to be described later.
  • the wireless unit 26 performs wireless communication using a short-range wireless standard such as Zigbee (registered trademark) or Bluetooth (registered trademark), or a wireless communication standard such as IEEE 802.11 wireless LAN or WiMAX. Configured as follows.
  • the wireless unit 26 may directly wirelessly transmit information to the management unit 15 according to the distance to the management unit 15, or may first transmit the information to another sensor unit 10 in the vicinity. 10 may be transmitted to the management unit 15.
  • multi-hop communication may be performed by the plurality of sensor units 10.
  • FIG. 3 is a schematic view schematically showing an example of a semiconductor switch used in an embodiment of the present invention.
  • the semiconductor switch 21 in one embodiment of the present invention includes a diode 31.
  • the diode 31 is arranged in the current path CP1 so that its anode is connected to the external terminal 10a and its cathode is connected to the external terminal 10b.
  • the diode 31 has a forward voltage drop when the shunt resistor Rs or the connection between the shunt resistor Rs and the current path CP1 is normal, or the resistance value of the shunt resistor Rs is the nominal resistance value.
  • the voltage is configured to be smaller than the voltage between both ends of the shunt resistor Rs when the value is close to.
  • the forward voltage drop of the diode 31 is set to an arbitrary value within the range of about 0.4V to about 0.8V.
  • the voltage across the shunt resistor Rs is smaller than the forward voltage drop of the diode 31, so the diode 31 does not conduct and the current flowing through the current path CP1 is not shunted. It passes through the resistor Rs.
  • the diode 31 in one embodiment of the present invention can be a Schottky barrier diode.
  • Schottky barrier diodes have a characteristic that the forward voltage drop is lower than other types of diodes. Therefore, when a Schottky barrier diode is used as a semiconductor switch, current flows through the bypass path. Loss can be reduced.
  • the forward voltage drop of the Schottky barrier diode is larger than the voltage across the shunt resistor Rs when there is no abnormality in the shunt resistor Rs.
  • the microcomputer 25 determines whether the voltage across the shunt resistor Rs is equal to or higher than a predetermined value set in advance as described above, based on the digital voltage signal input from the A / D converter 23. To do. Further, if it is determined that the voltage across the shunt resistor Rs has become a predetermined value or more, it is determined that an abnormality has occurred in the shunt resistor Rs, and a detection signal indicating that an abnormality in the shunt resistor Rs has occurred is generated. it can. This detection signal is transmitted to the management unit 15 and the host server via the wireless unit 26.
  • FIG. 4 shows an example in which a field effect transistor (FET) is used as the semiconductor switch 21.
  • FET field effect transistor
  • the FET 41 in one embodiment of the present invention is arranged in the current path CP1 so that its source is connected to the external terminal 10a and its drain is connected to the external terminal 10b.
  • a drive signal is supplied from the microcomputer 25 to the gate of the FET 41. Therefore, the FET 41 is controlled to be turned on / off based on the drive signal from the microcomputer 25. When turned on, the current input from the external terminal 10a flows to the external terminal 10b through the FET 41.
  • the microcomputer 25 monitors the voltage across the shunt resistor Rs based on the digital voltage signal input from the A / D converter 23, and when the voltage becomes equal to or higher than a predetermined threshold described later, the FET 41
  • the drive signal is configured to be supplied to the gates of the first and second gates.
  • This threshold value is set to a value larger than the voltage across the shunt resistor Rs when the shunt resistor Rs is operating normally.
  • the threshold value is set to an arbitrary value within a range of about 60 mV to about 120 mV, for example.
  • the semiconductor switch 21 when an abnormality occurs in the shunt resistor Rs and the resistance value increases, the semiconductor switch 21 is turned on and passes through the bypass path including the semiconductor switch 21. Current flows from the external terminal 10a to the external terminal 10b. Thereby, when the resistance value of the shunt resistor Rs becomes equal to or higher than a predetermined value set in advance, at least a part of the current flows via the bypass current path including the semiconductor switch 21. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the recovery efficiency of the generated power from the solar cell module as compared with the case where the entire current continues to flow through the shunt resistor Rs whose resistance value has abnormally increased. In the sensor unit according to the embodiment of the present invention, even when the shunt resistor Rs is disconnected, it is detected that an abnormality has occurred in the shunt resistor Rs based on the voltage across the semiconductor switch 21. be able to.
  • the sensor unit 10 is connected in parallel to the shunt resistor Rs to which the current from the solar cell module 5 is supplied and the shunt resistor Rs, and is set in advance to indicate that the shunt resistor Rs has a problem.
  • a semiconductor switch 21 that is energized when exceeding a threshold value, a microcomputer 25 (control unit) that outputs a signal based on the voltage across the shunt resistor Rs, and a wireless unit 26 that outputs the signal wirelessly are provided.
  • the semiconductor switch 21 becomes conductive, and the current from the solar cell module 5 passes through the semiconductor switch 21. Flowing. In other words, the current is recovered without being interrupted at the shunt resistor Rs or being lost due to heat generation. Accordingly, it is possible to suppress a reduction in the efficiency of collecting the generated power from the solar cell module 5.
  • the shunt resistor Rs is preferably connected in series between two adjacent solar cell modules among the plurality of solar cell modules 5 connected in series. Also, connected to one end of the shunt resistor Rs, connected to the first terminal 10a to which the current from the upstream solar cell module among the two adjacent solar cell modules 5 is supplied, and to the other end of the shunt resistor Rs, It is preferable to further include a second terminal 10b that outputs a current to the downstream solar cell module among the two adjacent solar cell modules.
  • the string It is possible to suppress a reduction in the recovery efficiency of the generated power from the power source.
  • the semiconductor switch 21 is preferably a diode 31 that conducts when the voltage exceeds a threshold, for example, a Schottky barrier diode. According to this embodiment, an apparatus for supplying a control signal to the semiconductor switch 21 is not necessary. Further, by using the Schottky barrier diode, it is possible to reduce a loss when current flows through the semiconductor switch 21 (bypass circuit).
  • the semiconductor switch 21 is preferably a transistor, for example, a field effect transistor 41 that is turned on under the control of the microcomputer 25 (control unit) when the voltage across the shunt resistor Rs exceeds a threshold value.
  • the threshold value can be set flexibly according to the characteristics of the shunt resistor Rs and the solar cell module 5, even when a failure occurs in the shunt resistor Rs, the generated power of the solar cell module 5 is efficiently recovered. can do.
  • an amplifier 22 that amplifies the voltage across the shunt resistor Rs
  • an A / D converter 23 that converts an analog signal output from the amplifier 22 into a digital signal, and outputs the digital signal to the microcomputer 25 (control unit); Is preferably further provided. According to this embodiment, by converting the acquired voltage into a digital signal, the microcomputer 25 (control unit) can easily handle it.
  • the other end of the shunt resistor Rs is connected to a ground showing a reference potential. According to such an embodiment, the voltage across the shunt resistor Rs can be accurately measured, so that the accuracy of the on / off determination of the semiconductor switch 21 is improved.
  • the monitoring system includes the sensor unit 10 described above and a higher-level management unit 15 that receives a signal output from the wireless unit 26. According to this embodiment, since the malfunction of the solar cell module 5 can be managed centrally, it contributes to efficient management.
  • the monitoring system includes a plurality of sensor units 10 described above and an upper management unit 15 that receives a signal output from the wireless unit 26 of one sensor unit 10 via the wireless unit 26 of another sensor unit 10. Prepare. According to this embodiment, it is sufficient for each sensor unit 10 to output a radio wave having a strength that can be received by the adjacent sensor unit 10. Therefore, the electric power supplied to each sensor unit 10 can be suppressed, and the efficiency of the entire photovoltaic power generation system is improved.

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】 シャント抵抗で太陽電池モジュールの出力を測定するセンサユニットにおいて、シャント抵抗やシャント抵抗と線路との接続部に不具合が発生した場合における太陽電池モジュールからの発電電力の回収効率の低下を抑制する。 【解決手段】 太陽光発電システム用のセンサユニットは、太陽電池モジュールからの電流が供給されるシャント抵抗と、前記シャント抵抗に並列に接続され、前記シャント抵抗に不具合が生じていることを示す予め設定された閾値を超えると通電する半導体スイッチと、前記シャント抵抗の両端の電圧に基づく信号を出力する制御ユニットと、前記信号を無線により出力する無線ユニットと、を備える。

Description

太陽光発電システム用のセンサユニット及び監視システム
 本発明は、太陽光発電システム用のセンサユニット及び監視システムに関し、より具体的には、太陽光発電システムの異常診断用のセンサユニット及び監視システムに関する。さらに具体的には、本発明は、シャント抵抗を用いたセンサユニット及び監視システムに関する。
 太陽光発電システムにおいては、太陽電池モジュールから出力される電流を検出し、この検出された電流の値に基づいて当該太陽電池モジュール又は当該太陽電池モジュールが含まれるストリングの異常診断を行う異常診断システムが知られている(例えば、特開2010-123880号公報(特許文献1)参照)。
 この太陽電池モジュールから出力される電流の値は、カレントトランスやホール素子を備えた電流検出回路を用いて検出することができる。しかしながら、カレントトランスやホール素子を用いると回路構成が複雑になるという問題がある。
 そこで、回路構成を簡素にするために、シャント抵抗を用いた電流検出回路が用いられている。このシャント抵抗を用いた電流検出回路では、太陽電池モジュールから出力された電流の電流路にシャント抵抗が直列に接続される。したがって、当該シャント抵抗の両端間の電圧を測定することにより、この測定された電圧と当該シャント抵抗の抵抗値とに基づいて、当該電流路に流れる電流が検出される。
特開2010-123880号公報
 しかしながら、上述したシャント抵抗を用いた電流センサ(電流検出回路)では、電流路に直列にシャント抵抗が挿入されるため、当該シャント抵抗の劣化や破損が起こると、当該シャント抵抗におけるエネルギー損失が大きくなってしまう。また、シャント抵抗と電流路との接続部に断線が起こると、太陽電池モジュールによって発電された電力を全く回収できなくなってしまう。さらに、シャント抵抗は電流路に直列に接続されるため、複数の太陽電池モジュールを直列に接続したストリングから発電電力を回収する場合には、ストリング全体からの発電電力の回収効率が劣化してしまう。
 そこで、本発明は、シャント抵抗やシャント抵抗と電流路との接続部に不具合が発生した場合における太陽電池モジュールからの発電電力の回収効率の低下を抑制することができるセンサユニットを提供することを目的とする。本発明のこれら以外の目的は、明細書全体の記載を通じて明らかにされる。
 本発明の一実施形態に係る太陽光発電システム用のセンサユニットは、太陽電池モジュールからの電流が供給されるシャント抵抗と、前記シャント抵抗に並列に接続され、前記シャント抵抗に不具合が生じていることを示す予め設定された閾値を超えると通電する半導体スイッチと、前記シャント抵抗の両端の電圧に基づく信号を出力する制御ユニットと、前記信号を無線により出力する無線ユニットと、を備える。
 本発明によれば、シャント抵抗またはシャント抵抗と電流路との接続部に不具合が発生した場合における太陽電池モジュールからの発電電力の回収効率の低下を抑制することができる。
本発明の一実施形態に係るセンサユニットが設けられた太陽光発電システムの機能を概略的に示すブロック図 本発明の一実施形態に係るセンサユニットの機能を概略的に示すブロック図 本発明の一実施形態に係るセンサユニットに設けられた半導体スイッチの一例を模式的に示す図 本発明の他の実施形態に係るセンサユニットに設けられた半導体スイッチの一例を模式的に示す図
 以下、適宜図面を参照し、本発明の様々な実施形態を説明する。なお、図面において共通の又は類似する構成要素には同一又は類似の参照符号が付されている。
[太陽光発電システムの概要]
 図1を参照して、本発明の実施形態におけるセンサユニットが適用される典型的な太陽光発電システムを説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るセンサユニットが設けられた太陽光発電システムの機能を概略的に示すブロック図である。図示のとおり、この太陽光発電システムは、複数の太陽電池モジュールを含むアレイ13と、当該アレイ13からの直流電力を交流電力に変換するパワーコンディショナ14と、太陽電池モジュール5の状態を監視するマネジメントユニット15と、を備える。
 アレイ13は、複数のストリングを備えることができる。図1の例においては、ストリング11-1及びストリング11-2の2つのストリングが示されているが、アレイ13は任意の数のストリングを備えることができる。本明細書においては、個々のストリングを区別する必要がある場合を除き、アレイ13に含まれるストリングをストリング11と総称する。
 ストリング11は、直列に接続された複数の太陽電池モジュールを備える。例えば、ストリング11-1はn個の太陽電池モジュール5-1~5-nを直列に接続して成り、ストリング11-2はm個の太陽電池モジュール5-1~5-mを直列に接続して成る。本明細書においては、個々の太陽電池モジュールを区別する必要がある場合を除き、各ストリング11に含まれる太陽電池モジュールを太陽電池モジュール5と総称する。図1に示すように、ストリング11に含まれる複数の太陽電池モジュール5のうち両端にあるモジュールは、パワーコンディショナ14に接続される。例えばストリング11-1については、太陽電池モジュール5-1及び太陽電池モジュール5-nがパワーコンディショナ14に接続される。
 各ストリング11には、センサユニット10が設けられている。本発明の一実施形態に係るセンサユニット10は、太陽電池モジュール5と接続するための複数の外部端子を有している。例えば、図1に示すセンサユニット10は、4個の外部端子10a~10dを有している。具体的に述べると、外部端子10aは、自ユニットよりも上流側に配置された太陽電池モジュール5-4の正極端子5aに接続され、当該正極端子5aからの電流が入力される。外部端子10bは、外部端子10aと電流路を介して接続され、当該電流路を流れる電流を太陽電池モジュール5-4よりも下流に配置された太陽電池モジュール5-3の負極端子5bに出力する。外部端子10cは、太陽電池モジュール5-3の正極端子5aに接続され、当該正極端子5aからの電流が入力される。さらに、外部端子10dは、外部端子10cと電流路を介して接続され、当該電流路を流れる電流を太陽電池モジュール5-3よりも下流に配置された太陽電池モジュール5-2の負極端子5bに出力する。
 所定のストリング11に設けられたセンサユニット10は、当該ストリングが出力する電流、電圧、もしくは電力、又は当該ストリングに含まれる太陽電池モジュール5の温度等の、当該ストリングの状態を示す物理量を測定することができる。センサユニット10はまた、当該ストリングに含まれている特定の太陽電池モジュール5の出力電流、電圧もしくは電力、又は当該特定の太陽電池モジュール5の温度等の、当該特定の太陽電池モジュール5の状態を示す物理量を測定してもよい。本明細書では、ストリングの状態を示す物理量と太陽電池モジュール5の状態を示す物理量とを一括して「太陽電池モジュールの状態を示す物理量」と称することがある。
 センサユニット10により測定された太陽電池モジュール5の状態を示す物理量は、異常診断のためにセンサユニット10のアンテナからマネジメントユニット15に送信される。あるいは、センサユニット10は、測定結果に基づいて自ら異常診断を行い、その診断結果をマネジメントユニット15に送信してもよい。
 マネジメントユニット15は、複数のセンサユニット10と無線通信可能に構成されている。一実施形態におけるマネジメントユニット15は、不図示のホストサーバと通信可能に接続されており、センサユニット10から受信した当該センサユニット10の測定結果を当該ホストサーバに送信することができる。ホストサーバは、マネジメントユニット15を介して各センサユニットから受信した測定結果、つまり各ストリング11の状態を示す物理量に基づいて、各ストリング11に異常がないか診断する。異常(故障)診断は、公知の任意のロジックを用いて実行することができる。例えば、異常判定ロジックの一例が特開2010-123880号公報(段落[0033]、[0034]等参照)に記載されている。あるいは、異常診断は、ホストサーバではなく、センサユニット10又はマネジメントユニット15で実行されてもよい。この場合、ホストサーバには、センサユニット10又はマネジメントユニット15から診断結果が送信され、当該ホストサーバには、当該診断結果のログが蓄積される。
[センサユニットの詳細]
 次に、図2を参照して、本発明の一実施形態に係るセンサユニット10の機能を説明する。図示のとおり、本発明の一実施形態に係るセンサユニット10は、外部端子10aと外部端子10bとを接続する電流路CP1と、外部端子10cと外部端子10dを接続する電流路CP2と、を備える。ストリング11においてセンサユニット10よりも上流に配置されている太陽電池モジュール5(例えば、太陽電池モジュール5-4)から出力された電流は、外部端子10aからセンサユニット10に入力される。この入力された電流は、電流路CP1を通って外部端子10bから太陽電池モジュール5-3に出力される。また、太陽電池モジュール5-3から出力された電流は、外部端子10cからセンサユニット10に入力され、電流路CP2を通って外部端子10dから太陽電池モジュール5-2に出力される。本発明の一実施形態において、この電流路CP1及び電流路CP2は、回路基板上に形成された導体から成る。
 また、本発明の一実施形態に係るセンサユニット10は、電流路CP1上に設けられたシャント抵抗Rsと、このシャント抵抗R1と並列に接続された半導体スイッチ21と、シャント抵抗Rsの両端間の電圧を増幅する増幅器22と、増幅器22から出力されたアナログ電圧信号をディジタル電圧信号に変換するAD変換器23と、外部端子10bと外部端子10cとの間に接続された電源ユニット24と、各種制御を行うマイクロコンピュータ25と、他のセンサユニット10やマネジメントユニット15との間で無線通信を行う無線ユニット26とを備える。なお、マイクロコンピュータ25は、制御ユニットの一例である。
 この図2の実施形態における電源ユニット24は、外部端子10bと外部端子10cとの間に接続されており、また、例えば、これらの端子を介して太陽電池モジュール5-3から供給される電力で充電されるコンデンサを備えていてもよい。電源ユニット24は、マイクロコンピュータ25、無線ユニット26等の、センサユニット10に設けられている電子部品に電気的に接続されており、これらの電子部品に対する電源として機能する。
 シャント抵抗Rsは、単一の抵抗素子でもよいし、又は、直列及び/又は並列に接続された複数の抵抗素子から構成されてもよい。シャント抵抗Rsは、正常に機能している状態において、電流路CP1を電流が流れるときの両端間における電圧降下、つまり、シャント抵抗Rsの両端間の電圧が、概ね数十mVとなるように構成される。かかるシャント抵抗Rsは、不具合を生ずることがある。例えば、シャント抵抗Rs自体が損傷して電流を通さなくなったり、電流を通す場合でも熱損失が増大したりする。また、シャント抵抗Rsに接続されたリード線が断線したり、接続不良を生じたりすることがある。ここでは、これらの状況をまとめて、シャント抵抗Rsに不具合が生じている、と言うこととする。後述するバイパス回路がないと、シャント抵抗Rsに不具合が生じたときに、太陽電池モジュール5からの電流が遮断されたり、シャント抵抗Rsにおける熱損失が増大したりして、太陽電池モジュール5の発電電力の回収効率が低下するおそれがある。なお、一実施形態において、シャント抵抗Rsと外部端子10bとの接続点は、グラウンドに接続されている。この接続点における電位が基準電位となる。
 増幅器22は、シャント抵抗Rsの両端間の電圧を増幅し、増幅された電圧信号をA/D変換器23に出力するように構成される。具体的には、増幅器22は、入力抵抗R1と、入力抵抗R2と、オペアンプOpと、バイパスコンデンサC1、C2と、負帰還抵抗R3と、を備える。入力抵抗R1は、その一端がシャント抵抗Rの一端と外部端子10aとの接続点に接続されるとともに、その他端がオペアンプOpの非反転入力端子に接続されている。入力抵抗R2は、その一端がシャント抵抗Rの他端と外部端子10bとの接続点に接続されるとともに、その他端がオペアンプOpの反転入力端子に接続されている。入力抵抗R1及び入力抵抗R2の抵抗値は、互いに等しくなるように設定される。入力抵抗R1とオペアンプOpの非反転入力端子との接続点は、バイパスコンデンサC1を介して、基準電位を示すグラウンドに接続されており、また、入力抵抗R2とオペアンプOpの反転入力端子との接続点は、バイパスコンデンサC2を介して、基準電位を示すグラウンドに接続されている。
 このような構成により、増幅器22は、シャント抵抗Rsの両端間の電圧を、負帰還抵抗R3の抵抗値と入力抵抗R2の抵抗値との比に応じた増幅率で増幅することができる。つまり、増幅器22は、シャント抵抗Rsの両端間の電圧を所定の増幅率で増幅したアナログ電圧信号を出力する。増幅器22から出力されたアナログ電圧信号は、上述したように、A/D変換器23においてディジタル電圧信号に変換され、マイクロコンピュータ25に入力される。
 マイクロコンピュータ25は、A/D変換器23から出力されたディジタル電圧信号と、シャント抵抗Rsの抵抗値と、増幅器22の増幅率とに基づいて、電流路CP1に流れる電流の電流値を算出することができる。また、マイクロコンピュータ25は、算出した電流の値とシャント抵抗Rsの値とに基づいて、シャント抵抗Rsの両端における電圧を算出することもできる。なお、マイクロコンピュータは、増幅器22及びA/D変換器23を内蔵しており、シャント抵抗Rsの両端間における電圧を直接取得してもよい。
 マイクロコンピュータ25は、算出したCP1の電流値やシャント抵抗Rsの両端間の電圧に基づいて、センサユニット10が設けられているストリング11における異常の有無を診断することができる。加えて、マイクロコンピュータ25は、ストリング11に異常が発生したと判断した場合には、当該ストリング11を識別するIDとともに異常の発生を示す異常検出信号を、無線ユニット26を介して、マネジメントユニット15やホストサーバなどの上位の装置に送信することができる。
 なお、マイクロコンピュータ25は、センサユニット10を流れる電流の値以外にも、センサユニット10の各種内蔵センサから取得したストリング11の状態を示す物理量(例えば、電圧値、電力値、温度等)に取得してもよく、このようにして取得された物理量に基づいて、ストリング11に異常がないか診断することができる。異常(故障)診断は、公知の任意のロジックを用いて実行することができる。また、マイクロコンピュータ25は、測定されたストリング11の状態を示す物理量の平均値算出やピーク値算出といった様々な演算処理を行うこともできる。
 図2に示した実施形態における無線ユニット26は、マイクロコンピュータ25の制御に基づいて、ストリング11に異常があることを示す信号や各種の測定値を、他の通信装置(例えば、他のセンサユニット10や後述するマネジメントユニット15)に無線送信するように構成される。この無線ユニット26は、例えば、Zigbee(登録商標)、Bluetooth(登録商標)等の近距離無線用の規格や、IEEE802.11系の無線LANやWiMAX等の無線通信規格を用いて無線通信を行うように構成される。無線ユニット26は、マネジメントユニット15との距離に応じて、マネジメントユニット15に対して情報を直接無線送信してもよいし、近傍にある他のセンサユニット10にまず送信し、当該他のセンサユニット10からマネジメントユニット15に対して送信するようにしてもよい。加えて、複数のセンサユニット10によりマルチホップ通信を行ってもよい。
 半導体スイッチ21は、上述したように、電流路CP1においてシャント抵抗Rsと並列に設けられ、シャント抵抗Rsに不具合が生じたときに太陽電池モジュール5からの電流を迂回させるバイパス回路として機能する。半導体スイッチ21の詳細について、図3を参照してさらに説明する。図3は、本発明の一実施形態において用いられる半導体スイッチの一例を模式的に示す概略図である。図3に示すように、本発明の一実施形態における半導体スイッチ21は、ダイオード31を備える。このダイオード31は、そのアノードが外部端子10aに接続されるとともに、そのカソードが外部端子10bに接続されるように電流路CP1に配置される。
 本発明の一実施形態におけるダイオード31は、その順方向電圧降下がシャント抵抗Rsまたはシャント抵抗Rsと電流路CP1との接続部に異常がない場合、または、シャント抵抗Rsの抵抗値が公称抵抗値に近接した値である場合のシャント抵抗Rsの両端間の電圧よりも小さくなるように構成される。例えば、ダイオード31の順方向電圧降下は、約0.4V~約0.8Vの範囲内の任意の値に設定される。これにより、シャント抵抗Rsに異常がない場合には、シャント抵抗Rsの両端間の電圧がダイオード31の順方向電圧降下よりも小さいため、ダイオード31は導通せず、電流路CP1を流れる電流はシャント抵抗Rsを通過する。
 一方、シャント抵抗Rsの劣化、シャント抵抗Rsと電流路CP1との断線、及びこれら以外の理由により、シャント抵抗Rsの抵抗値が異常に上昇した場合には、シャント抵抗Rsの両端における電圧がダイオード31の順方向電圧を超え、ダイオード31が導通する。したがって、電流路CP1を流れる電流の一部又は全部は、半導体スイッチ21(ダイオード31)経由で外部端子10aから外部端子10bに流れる。
 本発明の一実施形態におけるダイオード31は、ショットキーバリアダイオードとすることができる。ショットキーバリアダイオードは、他の種類のダイオードと比較して順方向電圧降下が低いという特徴を有しているため、半導体スイッチとしてショットキーバリアダイオードを使用することにより、電流がバイパス経路を流れる際の損失を低減することができる。ただし、当該ショットキーバリアダイオードの順方向電圧降下は、シャント抵抗Rsに異常がない場合のシャント抵抗Rsの両端間の電圧よりも大きい点に留意されたい。
 また、マイクロコンピュータ25は、A/D変換器23から入力されたディジタル電圧信号に基づいて、シャント抵抗Rsの両端間の電圧が上記のとおり予め設定された所定の値以上になったかどうかを判定する。さらに、シャント抵抗Rsの両端間の電圧が所定の値以上になったと判定すると、シャント抵抗Rsに異常が生じたと判断し、シャント抵抗Rsの異常が生じたことを示す検出信号を生成することができる。この検出信号は、無線ユニット26を介してマネジメントユニット15やホストサーバに送信される。
 図2に示した回路においては、シャント抵抗Rsが断線した場合であっても、半導体スイッチ21の両端間の電圧を示すディジタル電圧信号がマイクロコンピュータ25に入力されるので、マイクロコンピュータ25は、シャント抵抗Rsが劣化してその抵抗値が増加した場合だけでなく、シャント抵抗Rsが破損してシャント抵抗Rsに全く電流が流れない場合でも、半導体スイッチ21の両端に生じる電圧に基づいてシャント抵抗Rsに異常が発生したことを検出することができる。上述のとおり、ここでは、シャント抵抗Rs自体の不具合も、シャント抵抗Rsに接続されたリード線に生じた不具合も、シャント抵抗Rsの不具合として扱われる。これら検出信号も、無線ユニット26を介してマネジメントユニット15やホストサーバに送信される。太陽光発電システムのオペレータは、この検出信号に基づいて、異常が検出されたシャント抵抗Rsを特定し、当該シャント抵抗Rsの点検や修理を行うことができる。
 半導体スイッチ21として、ダイオード以外にも様々なスイッチを用いることができる。例えば、半導体スイッチ21として電界効果トランジスタ(FET)を用いる例を図4に示す。図4に示すように、本発明の一実施形態におけるFET41は、そのソースが外部端子10aに接続されるとともにドレインが外部端子10bに接続されるように、電流路CP1に配置される。また、FET41のゲートには、マイクロコンピュータ25から駆動信号が供給される。したがって、FET41は、マイクロコンピュータ25からの駆動信号に基づいてオン・オフ制御され、オン時には外部端子10aから入力された電流がFET41を通って外部端子10bに流れる。マイクロコンピュータ25は、A/D変換器23から入力されるディジタル電圧信号に基づいて、シャント抵抗Rsの両端間の電圧を監視し、この電圧が後述する所定の閾値以上になったときに、FET41のゲートに駆動信号を供給するように構成される。
 この閾値は、シャント抵抗Rsが正常に動作している場合のシャント抵抗Rsの両端間の電圧よりも大きい値に設定される。閾値は、例えば、約60mV~約120mVの範囲内の任意の値に設定される。これにより、シャント抵抗Rsに異常がない場合には、シャント抵抗Rsの両端間の電圧が閾値よりも小さいため、FET41はオフするように制御されており、電流路CP1を流れる電流はシャント抵抗Rsを通過する。一方、シャント抵抗Rsに異常が発生してその抵抗値が増加し、それによってシャント抵抗Rsの両端間の電圧が当該閾値よりも大きくなると、マイクロコンピュータ25からFET41のゲートに駆動信号が供給される。そうするとFET41のソース-ドレイン間が導通し、電流路CP1を流れる電流の一部又は全部が、半導体スイッチ21(FET41)経由で外部端子10aから外部端子10bに流れるようになる。
 以上のように、本発明の様々な実施形態によれば、シャント抵抗Rsに異常が生じてその抵抗値が増加した場合に半導体スイッチ21がオンされ、当該半導体スイッチ21を含むバイパス経路を経由して外部端子10aから外部端子10bへ電流が流れる。これにより、シャント抵抗Rsの抵抗値が予め設定された所定の値以上になった場合には、電流の少なくとも一部が半導体スイッチ21を含むバイパス電流路経由で流れる。そのため、抵抗値が異常に増加したシャント抵抗Rsに全電流が流れ続ける場合と比較して、太陽電池モジュールからの発電電力の回収効率の低下を抑制することができる。また、本発明の一実施形態に係るセンサユニットにおいては、シャント抵抗Rsが断線した場合であっても、半導体スイッチ21の両端間の電圧に基づいてシャント抵抗Rsに異常が生じたことを検出することができる。
 以上のとおり、センサユニット10は、太陽電池モジュール5からの電流が供給されるシャント抵抗Rsと、シャント抵抗Rsに並列に接続され、シャント抵抗Rsに不具合が生じていることを示す予め設定された閾値を超えると通電する半導体スイッチ21と、シャント抵抗Rsの両端の電圧に基づく信号を出力するマイクロコンピュータ25(制御ユニット)と、当該信号を無線により出力する無線ユニット26と、を備える。かかる実施形態によれば、シャント抵抗Rsに不具合が生じ、シャント抵抗Rsの両端間の電圧が閾値を超えると、半導体スイッチ21が導通し、太陽電池モジュール5からの電流は半導体スイッチ21を経由して流れる。つまり、電流は、シャント抵抗Rsにおいて遮断されたり、発熱して損失になったりすることなく、回収される。したがって、太陽電池モジュール5からの発電電力の回収効率の低下を抑制することができる。
 また、シャント抵抗Rsは、直列に接続された複数の太陽電池モジュール5のうち隣り合う2つの太陽電池モジュールの間に直列に接続されていることが好ましい。また、シャント抵抗Rsの一端に接続され、隣り合う2つの太陽電池モジュール5のうち上流側の太陽電池モジュールからの電流が供給される第1端子10aと、シャント抵抗Rsの他端に接続され、隣り合う2つの太陽電池モジュールのうち下流側の太陽電池モジュールへ電流を出力する第2端子10bと、を更に備えることが好ましい。これらの実施形態によれば、複数の太陽電池モジュール5が直列に接続されることで形成されるストリングに対してセンサユニット10が適用される場合に、シャント抵抗Rsに不具合が生じても、ストリングからの発電電力の回収効率の低下を抑制することができる。
 また、半導体スイッチ21は、電圧が閾値を超えると導通するダイオード31、例えばショットキーバリアダイオードであることが好ましい。かかる実施形態によれば、半導体スイッチ21に制御信号を供給する装置が不要となる。また、ショットキーバリアダイオードが用いられることで、電流が半導体スイッチ21(バイパス回路)を流れる際の損失を低減することができる
 また、半導体スイッチ21は、シャント抵抗Rsの両端間の電圧が閾値を超えるとマイクロコンピュータ25(制御ユニット)の制御によってオンするトランジスタ、例えば電界効果トランジスタ41であることが好ましい。かかる実施形態によれば、シャント抵抗Rsや太陽電池モジュール5の特性に応じて閾値を柔軟に設定できるから、シャント抵抗Rsに不具合が生じた場合でも、太陽電池モジュール5の発電電力を効率よく回収することができる。
 また、シャント抵抗Rsの両端間の電圧を増幅する増幅器22と、増幅器22から出力されるアナログ信号をディジタル信号に変換し、マイクロコンピュータ25(制御ユニット)に出力するA/D変換器23と、を更に備えることが好ましい。かかる実施形態によれば、取得された電圧をディジタル信号に変換することで、マイクロコンピュータ25(制御ユニット)において容易に扱うことが可能となる。
 また、シャント抵抗Rsの他端は、基準電位を示すグラウンドに接続されていることが好ましい。かかる実施形態によれば、シャント抵抗Rsの両端間の電圧を正確に測定することができるから、半導体スイッチ21のオン・オフの判定の精度が向上する。
 監視システムは、上述したセンサユニット10と、無線ユニット26から出力される信号を受信する上位のマネジメントユニット15と、を備える。かかる実施形態によれば、太陽電池モジュール5の不具合を一元的に管理することができるので、効率的な管理に資する。
 監視システムは、複数の上述したセンサユニット10と、一のセンサユニット10の無線ユニット26から出力される信号を他のセンサユニット10の無線ユニット26を介して受信する上位のマネジメントユニット15と、を備える。かかる実施形態によれば、個々のセンサユニット10は、隣り合うセンサユニット10が受信できる程度の強度の電波を出力すれば足りる。したがって、個々のセンサユニット10に供給される電力を抑えることができ、太陽光発電システム全体としての効率が向上する。
 以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれに限定されない。上述した各部材の素材、形状、及び配置は、本発明を実施するための実施形態に過ぎず、発明の趣旨を逸脱しない限り、様々な変更を行うことができる。
 5-1~5-m(5-n) 太陽電池モジュール
 5a 正極端子
 5b 負極端子
 10 センサユニット
 10a、10b、10c、10d 外部端子
 21 半導体スイッチ
 22 増幅器
 23 A/D変換器
 24 電源ユニット
 25 マイクロコンピュータ
 26 無線ユニット
 31 ダイオード
 41 電界効果トランジスタ

Claims (11)

  1.  太陽電池モジュールからの電流が供給されるシャント抵抗と、
     前記シャント抵抗に並列に接続され、前記シャント抵抗に不具合が生じていることを示す予め設定された閾値を超えると通電する半導体スイッチと、
     前記シャント抵抗の両端の電圧に基づく信号を出力する制御ユニットと、
     前記信号を無線により出力する無線ユニットと、
     を備えることを特徴とする太陽光発電システム用のセンサユニット。
  2.  前記シャント抵抗は、直列に接続された複数の前記太陽電池モジュールのうち隣り合う2つの前記太陽電池モジュールの間に直列に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電システム用のセンサユニット。
  3.  前記シャント抵抗の一端に接続され、隣り合う2つの前記太陽電池モジュールのうち上流側の前記太陽電池モジュールからの前記電流が供給される第1端子と、
     前記シャント抵抗の他端に接続され、隣り合う2つの前記太陽電池モジュールのうち下流側の前記太陽電池モジュールへ前記電流を出力する第2端子と、
     を更に備えることを特徴とする請求項2に記載の太陽光発電システム用のセンサユニット。
  4.  前記半導体スイッチは、
     前記電圧が前記閾値を超えると導通するダイオードである
     ことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の太陽光発電システム用のセンサユニット。
  5.  前記半導体スイッチは、ショットキーバリアダイオードであることを特徴とする請求項4に記載の太陽光発電システム用のセンサユニット。
  6.  前記半導体スイッチは、
     前記電圧が前記閾値を超えると前記制御ユニットの制御によってオンするトランジスタであることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の太陽光発電システム用のセンサユニット。
  7.  前記半導体スイッチは、電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項6に記載の太陽光発電システム用のセンサユニット。
  8.  前記電圧を増幅する増幅器と、
     前記増幅器から出力されるアナログ信号をディジタル信号に変換し、前記制御ユニットに出力するA/D変換器と、
     を更に備えることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の太陽光発電システム用のセンサユニット。
  9.  前記シャント抵抗の前記他端は、基準電位を示すグラウンドに接続されていることを特徴とする請求項3~8のいずれか一項に記載の太陽光発電システム用のセンサユニット。
  10.  請求項1~9のいずれか一項に記載の太陽光発電システム用のセンサユニットと、
     前記無線ユニットから出力される前記信号を受信する上位のマネジメントユニットと、
     を備えることを特徴とする監視システム。
  11.  請求項2~9のいずれか一項に記載の複数の太陽光発電システム用のセンサユニットと、
     一の前記太陽光発電システム用のセンサユニットの前記無線ユニットから出力される前記信号を他の前記太陽光発電システム用のセンサユニットの前記無線ユニットを介して受信する上位のマネジメントユニットと、
     を備えることを特徴とする監視システム。
PCT/JP2015/077706 2014-10-03 2015-09-30 太陽光発電システム用のセンサユニット及び監視システム WO2016052605A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-204802 2014-10-03
JP2014204802A JP2017220688A (ja) 2014-10-03 2014-10-03 太陽光発電システム用の電流検出回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016052605A1 true WO2016052605A1 (ja) 2016-04-07

Family

ID=55630630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/077706 WO2016052605A1 (ja) 2014-10-03 2015-09-30 太陽光発電システム用のセンサユニット及び監視システム

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2017220688A (ja)
WO (1) WO2016052605A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111278886B (zh) 2017-11-16 2023-02-17 三菱化学株式会社 热固性树脂组合物、预浸料、纤维增强复合材料及其制造方法
JP7246010B2 (ja) * 2019-06-27 2023-03-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 保護装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06273476A (ja) * 1993-03-19 1994-09-30 Advantest Corp 電圧印加電流測定回路
JP2011077477A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Sansha Electric Mfg Co Ltd 監視装置
JP2013034044A (ja) * 2011-08-01 2013-02-14 Kyosan Electric Mfg Co Ltd 接点入力回路
JP2013197217A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Toshiba Corp 太陽電池発電システム及びその状態監視方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06273476A (ja) * 1993-03-19 1994-09-30 Advantest Corp 電圧印加電流測定回路
JP2011077477A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Sansha Electric Mfg Co Ltd 監視装置
JP2013034044A (ja) * 2011-08-01 2013-02-14 Kyosan Electric Mfg Co Ltd 接点入力回路
JP2013197217A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Toshiba Corp 太陽電池発電システム及びその状態監視方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017220688A (ja) 2017-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6626703B2 (ja) 電池パックにおける接触点を点検するための方法及びその装置
TWI399899B (zh) 電池組電路、電池系統及電池組保護方法
US10139443B2 (en) Circuit apparatus and method for detecting a state of an interlock loop
CN106489232B (zh) 开关电源装置
US10305424B2 (en) Solar photovoltaic system inspection method and inspection apparatus
EP3336565B1 (en) Secondary battery monitoring device and method for diagnosing failure
JP4849094B2 (ja) 地絡検出回路
JP5611302B2 (ja) 電源装置および電源装置の異常判定方法
US20130300426A1 (en) Battery system with cell voltage detecting units
US20160172720A1 (en) Method and Apparatus for Contact Detection in Battery Packs
US10996245B2 (en) Fluxgate electrical current transducer
CN107534314A (zh) 电流限制
WO2016052605A1 (ja) 太陽光発電システム用のセンサユニット及び監視システム
KR102431408B1 (ko) 이차 전지 감시 장치 및 고장 진단 방법
US20140239714A1 (en) Electrical Control System
US8804784B2 (en) Semiconductor laser driving device and image forming apparatus having the semiconductor laser driving device
JP6140527B2 (ja) 太陽光発電向けストリングモニタシステム
JP2019515631A5 (ja) 故障電流リミッタ及び故障電流リミッタの方法
US20170199236A1 (en) System and Method for Detecting Connector Faults in Power Conversion System
KR20110040557A (ko) 차량용 안테나 장치 및 그 이상 여부를 검출하는 방법
JP5989171B1 (ja) 電流検出回路、及びその回路を備えた車両用電子制御装置
US11592467B2 (en) Input circuit for the fail-safe reading in of an analog input signal
CN102780397A (zh) 降压式变换电路
JP3196043U (ja) 太陽光発電監視装置
TWI705637B (zh) 電子元件即時保護及監測通知系統

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15845534

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15845534

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP