WO2016047142A1 - 多孔性高分子フィルムの製造方法および多孔性高分子フィルム - Google Patents

多孔性高分子フィルムの製造方法および多孔性高分子フィルム Download PDF

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polymer film
main surface
etching
hole
porous polymer
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Inventor
勇三 村木
博 越川
八巻 徹也
前川 康成
庸介 百合
貴裕 湯山
知久 石坂
郁夫 石堀
吉田 健一
Original Assignee
日東電工株式会社
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J9/00Working-up of macromolecular substances to porous or cellular articles or materials; After-treatment thereof

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a porous polymer film using ion beam irradiation and subsequent chemical etching, and a porous polymer film.
  • a method for producing a porous polymer film by ion beam irradiation and subsequent chemical etching is known (for example, Patent Document 1).
  • the polymer film is irradiated with an ion beam
  • the polymer chain constituting the polymer film is damaged due to collision with ions in a portion where ions pass through the film. Damaged polymer chains are more susceptible to chemical etching than other portions of the polymer chain that are not colliding with ions. For this reason, by chemically etching the polymer film irradiated with the ion beam, a porous polymer film having pores extending along the trajectory of ion collision, typically through-holes, is obtained.
  • a porous polymer film in which a portion other than the pores formed by ion beam irradiation and chemical etching is nonporous is formed by making a polymer film that is irradiated with an ion beam a nonporous film. Can be formed.
  • the method for producing a porous polymer film of the present invention comprises a step (I) of irradiating a polymer film with an ion beam, and chemically etching at least a part of a portion of the polymer film after the ion beam irradiation where ions collide. And forming a through hole and / or a non-through hole extending along the trajectory of the ion collision in the film (II). And in the step (II), the masking layer is arranged on one main surface of the polymer film, and compared with the etching of the portion from the one main surface, from the other main surface of the polymer film. Chemical etching with a large degree of etching of the portion is performed.
  • the porous polymer film of the present invention is a porous polymer film obtained by the production method of the present invention.
  • a porous polymer film having a high degree of freedom in controlling the shape of the pores can be obtained.
  • This polymer film is expected to be applied to a wide variety of uses based on the shape of the pores.
  • FIG. 1 It is a figure which shows the observation image by the scanning electron microscope (SEM) of the main surface and cross section of the porous polymer film produced in Example 1.
  • FIG. 2 It is a figure which shows the observation image by SEM of the main surface and cross section of the porous polymer film produced in the comparative example 1.
  • FIG. 1 shows the observation image by the scanning electron microscope (SEM) of the main surface and cross section of the porous polymer film produced in Example 1.
  • the first aspect of the present disclosure includes a step (I) of irradiating a polymer film with an ion beam, and chemically etching at least a part of a portion of the polymer film after the ion beam irradiation where the ions collide, Forming a through hole and / or a non-through hole extending along a trajectory of ion collision in the film, and in the step (II), the polymer film is formed on one main surface.
  • Porous polymer that performs chemical etching with a greater degree of etching of the portion from the other main surface of the polymer film than the etching of the portion from the one main surface by the arrangement of the masking layer A method for producing a film is provided.
  • the etching of the portion from the other main surface is suppressed while suppressing the etching of the portion from the one main surface.
  • a method for producing a porous polymer film, in which chemical etching is carried out is carried out.
  • the through-hole having a hole diameter changing in a film thickness direction of the polymer film A porous polymer that forms the through-hole having an asymmetric shape in which a ratio a / b of an opening diameter a on the one principal surface of the molecular film to an opening diameter b on the other principal surface is 80% or less.
  • a method for producing a film is provided.
  • the first non-through hole having an opening on the one main surface of the polymer film.
  • the second non-through hole having an opening on the other main surface, the diameter a of the opening of the first non-through hole, and the diameter of the opening of the second non-through hole
  • a method for producing a porous polymer film wherein the ratio a / b to b is 80% or less.
  • the through-hole and / or the non-through-hole having an opening diameter of 10 ⁇ m or less is formed in the step (II).
  • a method for producing a polymer film is provided in the step (II).
  • the polymer film is at least one selected from an alkaline solution, an acidic solution, or an oxidizing agent, an organic solvent, and a surfactant.
  • a method for producing a porous polymer film comprising a resin that is decomposed by an alkaline solution or an acidic solution to which is added.
  • the polymer film is composed of at least one selected from polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyimide, and polyethylene naphthalate.
  • a method for producing a conductive polymer film is provided.
  • the masking layer is composed of at least one selected from polyolefin, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, and metal foil.
  • a method for producing a porous polymer film is provided.
  • the chemical etching is performed in a state where the masking layer is bonded to the one main surface with an adhesive.
  • a method for producing a porous polymer film is provided.
  • At least a part of the masking layer is used as a mark for distinguishing the one main surface from the other main surface.
  • a method for producing a porous polymer film is provided which forms the porous polymer film remaining on the main surface of the film.
  • the eleventh aspect of the present disclosure provides a porous polymer film obtained by the manufacturing method according to any one of the first to tenth aspects.
  • step (I) the polymer film (original film) is irradiated with an ion beam.
  • the ion beam is composed of accelerated ions.
  • a polymer film in which ions in the beam collide is formed.
  • chemical etching is performed in the step (II) on the formed polymer film after ion beam irradiation.
  • the collision trajectory is also called “ion track”.
  • the ions 2 When viewed on the size scale of the polymer film 1 that is an object to be irradiated, the ions 2 usually collide with the polymer film 1 in a substantially straight line, and thus a locus 3 extending in a straight line is formed in the film 1.
  • the ions 2 usually penetrate the polymer film 1.
  • the method of irradiating the polymer film 1 with an ion beam is not limited.
  • the ions 2 are removed from the beam line.
  • the polymer film 1 is irradiated.
  • a specific gas may be added to the chamber, or the polymer film 1 may be accommodated in the chamber, but the pressure in the chamber may not be reduced, and for example, ion beam irradiation may be performed at atmospheric pressure.
  • a roll around which the belt-shaped polymer film 1 is wound may be prepared, and the polymer film 1 may be continuously irradiated with an ion beam while the polymer film 1 is fed from the roll. Thereby, a porous polymer film can be manufactured efficiently.
  • the roll (feeding roll) and a winding roll for winding the polymer film 1 after irradiation with the ion beam are disposed, and the chamber is set in an arbitrary atmosphere such as reduced pressure or high vacuum.
  • the film may be continuously irradiated with an ion beam while the belt-shaped polymer film 1 is fed out, and the polymer film 1 after the beam irradiation may be wound on a winding roll.
  • the resin constituting the polymer film 1 is not limited as long as the porous polymer film is formed through the steps (I) and (II).
  • the resin constituting the polymer film 1 is a resin that can at least carry out chemical etching of the portion where the ions 2 collide in the step (II).
  • the polymer film 1 is composed of, for example, an alkaline solution, an acidic solution, or a resin that is decomposed by an alkaline solution or an acidic solution to which at least one selected from an oxidizing agent, an organic solvent, and a surfactant is added. These solutions are etching treatment solutions.
  • the resin constituting the polymer film 1 and the resin constituting the porous polymer film obtained through the step (II) are the same unless a layer or member made of a resin different from the former resin is further added. It is.
  • the polymer film 1 may be composed of at least one selected from, for example, polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate, polyimide, and polyethylene naphthalate.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the polymer film 1 composed of these resins has a feature that the chemical etching of the portion where the ions 2 collide smoothly proceeds, but the chemical etching of other portions does not easily proceed. This makes it easy to control the chemical etching of the portion corresponding to the locus 3 in FIG. For this reason, use of such a polymer film 1 can increase the degree of freedom in controlling the shape of the pores of the porous polymer film, for example.
  • the polymer film 1 may be composed of two or more kinds of resins, and may contain materials other than the resin as long as the porous polymer film is formed through the steps (I) and (II).
  • the material include additives such as light stabilizers and antioxidants, oligomer components derived from resin raw materials, and metal oxides (for example, white pigments such as alumina and titanium oxide).
  • the thickness of the polymer film 1 as the original film is, for example, 10 to 200 ⁇ m. Usually, the thickness of the polymer film 1 does not change depending on before and after the ion beam irradiation in the step (I).
  • the polymer film 1 that is irradiated with an ion beam can be, for example, a non-porous film.
  • porosity other than the pores formed by steps (I) and (II) is nonporous.
  • a polymer film is obtained.
  • ion 2 irradiated and collided with the polymer film 1 is not limited, since a chemical reaction with the resin constituting the polymer film 1 is suppressed, an ion having a mass number larger than that of neon, specifically Is preferably at least one ion selected from argon ions, krypton ions and xenon ions.
  • the state of the locus 3 formed on the polymer film 1 after the beam irradiation also varies depending on the type and energy of the ions 2 irradiated on the film. For example, in the case of argon ions, krypton ions, and xenon ions, for the same energy, the length of the locus 3 formed on the polymer film 1 becomes longer as the ion having the smaller atomic number.
  • the change in the state of the locus 3 accompanying the change in the ion species and the change in the ion energy affects the shape of the pores formed by the chemical etching in the step (II). For this reason, it is possible to further increase the degree of freedom in controlling the shape of the pores as the porous polymer film by combining the selection of the ion species and the energy thereof.
  • the type of the masking layer is not particularly limited, but is preferably a layer composed of a material that is difficult to be chemically etched at least compared to the portion of the polymer film 1 where the ions 2 collide. More specifically, “not easily etched” means, for example, that the amount etched per unit time is small, that is, the etching rate is small. Whether or not chemical etching is difficult can be determined based on the conditions of the asymmetric etching actually performed in the step (II) (such as the type of etching treatment liquid, the etching temperature, and the etching time). As will be described later, when the asymmetric etching is performed a plurality of times in the step (II) while changing the type and / or arrangement surface of the masking layer, each etching may be determined based on the etching conditions.
  • the cross-section of the formed non-through hole has a conical shape due to the relationship Vt >> Vb between the etching rate Vt in the direction along the locus 3 and the etching rate Vb in the direction perpendicular to the direction in which the locus 3 extends. ing. That is, in the example shown in FIG. 4, a porous polymer film 6 having a non-through hole 5 having a conical cross-sectional shape extending from one main surface of the polymer film 1 is obtained ((c)). See).
  • a porous polymer film 6 is obtained in which non-through holes are formed asymmetrically in the thickness direction.
  • the ratio a / b between the opening diameter a of the through hole in the one main surface and the opening diameter b of the through hole in the other main surface is, for example, 80% or less, and the etching conditions in the step (II) Thus, this ratio can be made smaller.
  • the opening diameter formed in the main surface of the polymer film 1 by the second chemical etching is It is larger than the opening diameter formed by the first chemical etching. That is, in the example shown in FIG. 6, a porous polymer film 6 is obtained in which through holes having different opening diameters between both main surfaces are formed.
  • through holes or non-through holes having various cross-sectional shapes can be formed by performing multiple times of asymmetric etching while controlling each etching condition.
  • the density of through-holes and / or non-through-holes formed in steps (I) and (II) is not particularly limited (pore density: the number of pore openings formed per 1 cm 2 of the main surface of the polymer film).
  • pore density the number of pore openings formed per 1 cm 2 of the main surface of the polymer film.
  • through holes / non-through holes are formed so that the hole density is 10 holes / cm 2 to 1 ⁇ 10 8 holes / cm 2 .
  • the hole density can be controlled by, for example, ion beam irradiation conditions (ion species, ion energy, ion collision density (irradiation density), etc.).
  • the thickness of the porous polymer film 6 is, for example, 10 to 200 ⁇ m.
  • the production method of the present invention may include any step other than steps (I) and (II).
  • Example 1 A polyethylene film (thickness 55 ⁇ m) as a masking layer was attached to one main surface of the beam-irradiated PET film produced in Production Example 1 with an acrylic adhesive. This was immersed for 135 seconds in an etching treatment liquid (ethanol concentration 40 mass%, potassium hydroxide concentration 14.5 mass%) maintained at 70 ° C., and chemical etching shown in FIG. 5 was performed. After the etching is completed, the PET film is taken out from the etching treatment solution, washed by being immersed in 60 ° C. RO water (reverse osmosis membrane filtered water) for 10 minutes, and then stored in a drying oven at 40 ° C. for 30 minutes to be dried. I let you. Thereafter, the masking layer was peeled off to obtain a porous polymer film in which asymmetric through holes were formed.
  • an etching treatment liquid ethanol concentration 40 mass%, potassium hydroxide concentration 14.5 mass%
  • required from the said SEM image was 2.3 micrometers about the main surface which has not arrange
  • Example 1 A porous polymer film was obtained by carrying out chemical etching as in Example 1 except that no masking layer was disposed.
  • the porous polymer film produced by the production method of the present invention can be used for various applications.

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Abstract

 本発明の製造方法は、多孔性高分子フィルムの製造方法であって、イオンビームを高分子フィルムに照射する工程(I)と、イオンビーム照射後の高分子フィルムにおけるイオンが衝突した部分の少なくとも一部を化学エッチングして、イオンの衝突の軌跡に沿って延びる貫通孔および/または非貫通孔を当該フィルムに形成する工程(II)とを含む。工程(II)では、高分子フィルムの一方の主面へのマスキング層の配置により、当該一方の主面からの上記部分のエッチングに比べて、他方の主面からの上記部分のエッチングの程度が大きい化学エッチングを実施する。この方法は、形成する細孔の形状、典型的には断面形状、の制御の自由度が高い。

Description

多孔性高分子フィルムの製造方法および多孔性高分子フィルム
 本発明は、イオンビームの照射とその後の化学エッチングとを用いた多孔性高分子フィルムの製造方法、および多孔性高分子フィルムに関する。
 イオンビームの照射とその後の化学エッチングとにより多孔性高分子フィルムを製造する方法が知られている(例えば、特許文献1)。高分子フィルムにイオンビームを照射すると、当該フィルムにおけるイオンが通過した部分において、高分子フィルムを構成するポリマー鎖にイオンとの衝突による損傷が生じる。損傷が生じたポリマー鎖は、イオンが衝突していない他の部分のポリマー鎖よりも化学エッチングされやすい。このため、イオンビームを照射した高分子フィルムを化学エッチングすることにより、イオンの衝突の軌跡に沿って延びる細孔、典型的には貫通孔、が形成された多孔性高分子フィルムが得られる。
 この製造方法では、例えば、イオンビームを照射する高分子フィルムを無孔フィルムとすることにより、イオンビーム照射および化学エッチングにより形成した上記細孔以外の部分が無孔である多孔性高分子フィルムを形成できる。
特開昭59-117546号公報
 本発明の目的の一つは、イオンビーム照射およびその後の化学エッチングを利用した多孔性高分子フィルムの製造方法であって、形成する細孔の形状、典型的にはその断面形状、の制御の自由度が高い方法の提供である。
 本発明の多孔性高分子フィルムの製造方法は、イオンビームを高分子フィルムに照射する工程(I)と、前記イオンビーム照射後の高分子フィルムにおけるイオンが衝突した部分の少なくとも一部を化学エッチングして、前記イオンの衝突の軌跡に沿って延びる貫通孔および/または非貫通孔を当該フィルムに形成する工程(II)と、を含む。そして前記工程(II)において、前記高分子フィルムの一方の主面へのマスキング層の配置により、当該一方の主面からの前記部分のエッチングに比べて、前記高分子フィルムの他方の主面からの前記部分のエッチングの程度が大きい化学エッチングを実施する。
 本発明の多孔性高分子フィルムは、本発明の製造方法により得た多孔性高分子フィルムである。
 本発明の製造方法によれば、細孔の形状、典型的には断面形状、の制御の自由度が高い多孔性高分子フィルムが得られる。この高分子フィルムは、その細孔の形状に基づき、従来になく幅広い種々の用途への応用が期待される。
本発明の製造方法における工程(I)の概略(イオンビーム照射の概略)を説明するための模式図である。 イオンビーム照射後の化学エッチングによる、高分子フィルムへの細孔形成の概略を説明するための模式図である。 従来の製造方法における化学エッチング工程の一例を模式的に示す工程図である。 本発明の製造方法における工程(II)の一例を模式的に示す工程図である。 本発明の製造方法における工程(II)の一例を模式的に示す工程図である。 本発明の製造方法における工程(II)の一例を模式的に示す工程図である。 実施例1において作製した多孔性高分子フィルムの主面および断面の走査型電子顕微鏡(SEM)による観察像を示す図である。 比較例1において作製した多孔性高分子フィルムの主面および断面のSEMによる観察像を示す図である。
 本開示の第1の態様は、イオンビームを高分子フィルムに照射する工程(I)と、前記イオンビーム照射後の高分子フィルムにおけるイオンが衝突した部分の少なくとも一部を化学エッチングして、前記イオンの衝突の軌跡に沿って延びる貫通孔および/または非貫通孔を当該フィルムに形成する工程(II)と、を含み、前記工程(II)において、前記高分子フィルムの一方の主面へのマスキング層の配置により、当該一方の主面からの前記部分のエッチングに比べて、前記高分子フィルムの他方の主面からの前記部分のエッチングの程度が大きい化学エッチングを実施する、多孔性高分子フィルムの製造方法を提供する。
 本開示の第2の態様は、第1の態様に加え、前記工程(II)において、前記一方の主面からの前記部分のエッチングを抑止しながら、前記他方の主面からの前記部分のエッチングを進行させる化学エッチングを実施する、多孔性高分子フィルムの製造方法を提供する。
 本開示の第3の態様は、第1または第2の態様に加え、前記工程(II)において、前記高分子フィルムの膜厚方向に孔径が変化している前記貫通孔であって、前記高分子フィルムの前記一方の主面における開口径aと前記他方の主面における開口径bとの比a/bが80%以下である非対称な形状を有する前記貫通孔を形成する、多孔性高分子フィルムの製造方法を提供する。
 本開示の第4の態様は、第1から第3のいずれかの態様に加え、前記工程(II)において、前記高分子フィルムの前記一方の主面に開口を有する第1の前記非貫通孔と、前記他方の主面に開口を有する第2の前記非貫通孔とを形成し、前記第1の非貫通孔の前記開口の径aと、前記第2の非貫通孔の前記開口の径bとの比a/bが80%以下である、多孔性高分子フィルムの製造方法を提供する。
 本開示の第5の態様は、第1から第4のいずれかの態様に加え、前記工程(II)において、開口径10μm以下の前記貫通孔および/または前記非貫通孔を形成する、多孔性高分子フィルムの製造方法を提供する。
 本開示の第6の態様は、第1から第5のいずれかの態様に加え、前記高分子フィルムが、アルカリ性溶液、酸性溶液、または酸化剤、有機溶剤および界面活性剤から選ばれる少なくとも1種を添加したアルカリ性溶液もしくは酸性溶液により分解する樹脂から構成される、多孔性高分子フィルムの製造方法を提供する。
 本開示の第7の態様は、第1から第5のいずれかの態様に加え、前記高分子フィルムが、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミドおよびポリエチレンナフタレートから選ばれる少なくとも1種から構成される、多孔性高分子フィルムの製造方法を提供する。
 本開示の第8の態様は、第1から第7のいずれかの態様に加え、前記マスキング層が、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコールおよび金属箔から選ばれる少なくとも1種から構成される、多孔性高分子フィルムの製造方法を提供する。
 本開示の第9の態様は、第1から第8のいずれかの態様に加え、前記工程(II)において、前記マスキング層が粘着剤によって前記一方の主面に貼り合わされた状態で前記化学エッチングを実施する、多孔性高分子フィルムの製造方法を提供する。
 本開示の第10の態様は、第1から第9のいずれかの態様に加え、前記一方の主面と前記他方の主面とを区別する目印として、前記マスキング層の少なくとも一部を前記一方の主面に残留させた前記多孔性高分子フィルムを形成する、多孔性高分子フィルムの製造方法を提供する。
 本開示の第11の態様は、第1から第10のいずれかの態様の製造方法により得た多孔性高分子フィルムを提供する。
 [工程(I)]
 工程(I)では、イオンビームを高分子フィルム(原フィルム)に照射する。イオンビームは、加速されたイオンにより構成される。イオンビームの照射により、当該ビーム中のイオンが衝突した高分子フィルムが形成される。本発明の製造方法では、形成されたイオンビーム照射後の高分子フィルムに対して、工程(II)で化学エッチングを実施する。
 イオンビームを高分子フィルムに照射すると、図1に示すように、ビーム中のイオン2が高分子フィルム1に衝突し、衝突したイオン2は当該フィルム1の内部に軌跡3(このようなイオンの衝突の軌跡を「イオントラック」ともいう)を残す。被照射物である高分子フィルム1のサイズスケールで見ると、通常、イオン2はほぼ直線状に高分子フィルム1と衝突するため、直線状に延びた軌跡3が当該フィルム1に形成される。イオン2は、通常、高分子フィルム1を貫通する。
 高分子フィルム1にイオンビームを照射する方法は限定されない。例えば、高分子フィルム1をチャンバーに収容し、チャンバー内の圧力を低くした後(例えば、照射するイオン2のエネルギーの減衰を抑制するために高真空雰囲気とした後)、ビームラインからイオン2を高分子フィルム1に照射する。チャンバー内に特定の気体を加えてもよいし、高分子フィルム1をチャンバーに収容するが当該チャンバー内の圧力を減圧せず、例えば大気圧でイオンビームの照射を実施してもよい。
 帯状の高分子フィルム1が巻回されたロールを準備し、当該ロールから高分子フィルム1を送り出しながら、連続的に高分子フィルム1にイオンビームを照射してもよい。これにより、多孔性高分子フィルムを効率的に製造できる。上述したチャンバー内に上記ロール(送り出しロール)と、イオンビーム照射後の高分子フィルム1を巻き取る巻き取りロールとを配置し、減圧、高真空などの任意の雰囲気としたチャンバー内において送り出しロールから帯状の高分子フィルム1を送り出しながら連続的に当該フィルムにイオンビームを照射し、ビーム照射後の高分子フィルム1を巻き取りロールに巻き取ってもよい。
 高分子フィルム1を構成する樹脂は、工程(I)および(II)を経て多孔性高分子フィルムが形成される限り限定されない。高分子フィルム1を構成する樹脂は、工程(II)において、イオン2が衝突した部分の化学エッチングを少なくとも実施できる樹脂である。高分子フィルム1は、例えば、アルカリ性溶液、酸性溶液、または酸化剤、有機溶剤および界面活性剤から選ばれる少なくとも1種を添加したアルカリ性溶液もしくは酸性溶液により分解する樹脂から構成される。これらの溶液は、エッチング処理液である。高分子フィルム1を構成する樹脂と、工程(II)を経て得られた多孔性高分子フィルムを構成する樹脂とは、前者の樹脂とは異なる樹脂からなる層あるいは部材をさらに付加しない限り、同一である。
 高分子フィルム1は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート、ポリイミドおよびポリエチレンナフタレートから選ばれる少なくとも1種から構成されてもよい。これらの樹脂から構成される高分子フィルム1は、イオン2が衝突した部分の化学エッチングがスムーズに進行しながらも、その他の部分の化学エッチングが進行し難い特徴を有しており、高分子フィルム1における軌跡3に対応する部分の化学エッチングの制御が容易となる。このため、このような高分子フィルム1の使用により、例えば、多孔性高分子フィルムとしての細孔の形状の制御の自由度をより高くできる。
 高分子フィルム1は2種以上の樹脂から構成されていてもよく、工程(I)および(II)を経て多孔性高分子フィルムが形成される限り、樹脂以外の材料を含んでいてもよい。当該材料は、例えば、光安定剤および酸化防止剤などの添加剤、樹脂原料に由来するオリゴマー成分、ならびに金属酸化物(例えば、アルミナおよび酸化チタンといった白色顔料)である。
 原フィルムである高分子フィルム1の厚さは、例えば10~200μmである。工程(I)でのイオンビーム照射の前後によって、通常、高分子フィルム1の厚さは変化しない。
 イオンビームを照射する高分子フィルム1は、例えば、無孔のフィルムでありうる。この場合、工程(I)および(II)以外に当該フィルムに孔を設けるさらなる工程を実施しない限り、工程(I)および(II)により形成された細孔以外の部分が無孔である多孔性高分子フィルムが得られる。上記さらなる工程を実施した場合、工程(I)および(II)により形成された細孔と、上記さらなる工程により形成された孔とを有する多孔性高分子フィルムが得られる。
 高分子フィルム1に照射、衝突させるイオン2の種類は限定されないが、高分子フィルム1を構成する樹脂との化学的な反応が抑制されることから、ネオンより質量数が大きいイオン、具体的にはアルゴンイオン、クリプトンイオンおよびキセノンイオンから選ばれる少なくとも1種のイオンが好ましい。
 ビーム照射後の高分子フィルム1に形成される軌跡3の状態は、当該フィルムに照射したイオン2の種類およびエネルギーによっても変化する。例えば、アルゴンイオン、クリプトンイオンおよびキセノンイオンでは、同じエネルギーの場合、原子番号が小さい原子のイオンほど、高分子フィルム1に形成される軌跡3の長さが長くなる。イオン種の変化およびイオンのエネルギーの変化に伴う軌跡3の状態の変化は、工程(II)の化学エッチングにより形成される細孔の形状に影響を与える。このため、イオン種およびそのエネルギーの選択を併用することにより、多孔性高分子フィルムとしての細孔の形状の制御の自由度をより高くできる。
 イオン2がアルゴンイオンである場合、そのエネルギーは、典型的には100~1000MeVである。イオン2がクリプトンイオンである場合、そのエネルギーは、典型的には100~1000MeVである。イオン2がキセノンイオンである場合、そのエネルギーは、典型的には100~1000MeVである。厚さ10~200μm程度のポリエステルフィルムを高分子フィルム1として使用する場合、イオン2のエネルギーは100~600MeVが好ましい。高分子フィルム1に照射するイオン2のエネルギーは、イオン種および高分子フィルムを構成する樹脂の種類に応じて調整しうる。
 高分子フィルム1に照射するイオン2のイオン源は限定されない。イオン源から放出されたイオン2は、例えば、イオン加速器により加速された後にビームラインを経て高分子フィルム1に照射される。イオン加速器は、例えばサイクロトロン、より具体的な例はAVFサイクロトロンである。
 イオン2の経路となるビームラインの圧力は、ビームラインにおけるイオン2のエネルギー減衰を抑制する観点から、10-5~10-3Pa程度の高真空が好ましい。イオン2を照射する高分子フィルム1が収容されるチャンバーの圧力が高真空に達していない場合は、イオン2を透過する隔壁によって、ビームラインとチャンバーとの間の圧力差を保持してもよい。隔壁は、例えば、チタン膜あるいはアルミニウム膜から構成される。
 イオン2は、例えば、高分子フィルム1の主面に垂直な方向から当該フィルムに照射される。図1に示す例では、このような照射が行われている。この場合、軌跡3がフィルム1の主面に垂直に延びるため、後の化学エッチングにより、フィルム1の主面に垂直な方向に延びる細孔が形成された多孔性高分子フィルムが得られる。イオン2は、高分子フィルム1の主面に対して斜めの方向から当該フィルムに照射してもよい。この場合、後の化学エッチングにより、フィルム1の主面に対して斜めの方向に延びる細孔が形成された多孔性高分子フィルムが得られる。高分子フィルム1に対してイオン2を照射する方向は、公知の手段により制御できる。
 イオン2は、例えば、複数のイオン2の飛跡が互いに平行となるように高分子フィルム1に照射される。図1に示す例では、このような照射が行われている。この場合、後の化学エッチングにより、互いに平行に延びる複数の細孔が形成された多孔性高分子フィルムが得られる。イオン2を、複数のイオン2の飛跡が互いに非平行(例えば互いにランダム)となるように高分子フィルム1に照射してもよい。
 イオン2は、2以上のビームラインから高分子フィルム1に照射してもよい。
 工程(I)は、高分子フィルム1の主面、例えば上記一方の主面、にマスキング層が配置された状態で実施してもよい。
 [工程(II)]
 工程(II)では、工程(I)においてイオンビームを照射した後の高分子フィルム1におけるイオン2が衝突した部分の少なくとも一部を化学エッチングして、イオン2の衝突の軌跡3に沿って延びる細孔(貫通孔および/または非貫通孔)を当該フィルム1に形成する。
 軌跡3に沿って延びる細孔の形成を図2を用いて説明する。ただし、図2は、イオンビーム照射後の化学エッチングによる、軌跡3に沿って延びる細孔の形成を説明するための模式図であり、本発明の製造方法の工程(II)は図2に反映されていない。イオンビームを照射した後の高分子フィルムには衝突の軌跡(イオントラック)3が残存している。軌跡3では、高分子フィルムを構成するポリマー鎖に、イオン2との衝突による損傷が生じている。損傷が生じたポリマー鎖は、イオン2と衝突していないポリマー鎖に比べて、化学エッチングにより分解、除去されやすい。このためイオンビーム照射後の高分子フィルムを化学エッチングすることにより、当該高分子フィルムにおける軌跡3の部分が選択的に除去され、イオン2の衝突の軌跡3に沿って延びる細孔31が形成された、多孔性高分子フィルム32が得られる。図1に示すように軌跡3は直線状に延びているため、直線状に延びる、より具体的にはその中心軸が直線状に延びる、細孔31が形成される。
 ここで、従来の方法では、イオンビームを照射した高分子フィルム(原フィルム)1を何の加工もすることなく単にエッチング処理液に浸漬することで、化学エッチングを実施する。このため従来の方法では、図3の(a)に示すように、エッチング処理液に接する高分子フィルム1の双方の主面から、イオンの衝突の軌跡(イオントラック)3に沿って細孔51の形成が始まる。これは、フィルム1におけるイオンが衝突した部分がその他の部分に比べてエッチングされやすいこと、換言すれば、イオントラック3の伸長方向に対して垂直な方向(上記その他の部分にエッチング領域が進入する方向)のエッチング速度Vbよりもイオントラック3に沿った方向へのエッチング速度Vtの方が大きいこと、に基づく。エッチング時間の経過に伴い、フィルム1の双方の主面から形成された細孔51はイオントラック3に沿ってさらに延び((b)を参照)、やがてフィルム1の厚さ方向に対称的に延びた細孔51は当該厚さ方向の中心付近でつながって、イオントラック3に沿って延びるスピンドル型あるいは砂時計型とも称される形状を有する貫通孔である細孔51が形成される((c)を参照)。(c)の細孔51は、フィルム1の双方の主面から対称的に延びた細孔が結合した構造を有するため、双方の主面における当該細孔51の開口の径はほぼ等しい。さらにエッチングを進行させると、イオントラック3の伸長方向に対して垂直な方向のエッチングが進行し、より大きな孔径を有する貫通孔(穿孔)である細孔53が形成される((d)を参照)。その過程で細孔51(53)の形状は、孔径がフィルムの厚さ方向で一定である円柱に変化する。このようにして、複数の細孔53を有する高分子フィルム52が得られる。図3では、説明を分かり易くするために、細孔51,53の幅(孔径)がその長さよりも誇張して描かれている。
 多孔性高分子フィルムを種々の用途に応用することを考慮すると、イオンビーム照射および化学エッチングにより形成される細孔の形状、典型的にはその断面の形状、の制御の自由度が高い製造方法が望まれる。ここで、断面は、典型的には、フィルムの膜厚方向に切断した断面である。しかし、図3に示す例をはじめとする従来の製造方法では、高分子フィルムの双方の主面から当該フィルムの厚さ方向の中心付近まで延び、各主面における開口径がほぼ同等である非貫通孔;高分子フィルムの双方の主面にほぼ同等の開口径の開口を有し、当該フィルムの厚さ方向の中心付近に最小孔径を有するスピンドル型の貫通孔;または孔径が全体としてほぼ一定である円柱型の貫通孔、である細孔しか形成できない。
 一方、本発明の製造方法の工程(II)では、イオンビーム照射後の高分子フィルム1の一方の主面にマスキング層を配置した化学エッチングを実施する。このため、この化学エッチングでは、高分子フィルム1におけるイオン2が衝突した部分のエッチングについて、マスキング層が配置された上記一方の主面からのイオントラック部のエッチングに比べて、高分子フィルム1の他方の主面からのイオントラック部のエッチングの程度が大きくなる。すなわち、工程(II)では、高分子フィルム1におけるイオン2が衝突した部分のエッチングについて、当該フィルムの双方の主面からのエッチングが非対称的に進行する化学エッチングを実施する(以下、単に「非対称エッチング」ともいう)。このような、マスキング層の配置による非対称エッチング、より具体的には、高分子フィルムの一方の主面からと他方の主面からとの間で非対称に進行するエッチング、を実施することにより、形成する細孔の形状、典型的にはその断面形状、の制御の自由度が高い、多孔性高分子フィルムの製造方法が達成される。「エッチングの程度が大きい」とは、より具体的には、例えば、上記部分について単位時間あたりのエッチング量が大きいこと、すなわち上記部分についてエッチング速度が大きいことを意味する。
 従来の製造方法では、当該部分のエッチングについて、あくまでも高分子フィルムの双方の主面からのエッチングが均等に(対称的に)進行する(以下、単に「対称エッチング」ともいう)。
 工程(II)の化学エッチングは、ビーム照射後の高分子フィルム1におけるイオン2が衝突した部分の少なくとも一部に対して実施する。イオン2は、通常、高分子フィルム1を貫通する。このため、当該部分の全てを化学エッチングすることにより細孔として貫通孔が、当該部分の一部を化学エッチングすることにより細孔として非貫通孔が、それぞれ形成される。本明細書における「非貫通孔」とは、高分子フィルムをその厚さ方向に貫通していない細孔のことである。本明細書における「多孔性」とは、これらの細孔(貫通孔および/または非貫通孔)が複数形成されていることをいう。すなわち、「多孔性高分子フィルム」とは、これらの細孔を複数有する高分子フィルムを意味する。本発明の製造方法により得られた多孔性高分子フィルムにおける細孔以外の部分は、高分子フィルムの状態を変化させる工程をさらに実施しない限り、基本的に、イオンビーム照射前の高分子フィルム1と同じである。当該細孔以外の部分は、例えば無孔でありうる。
 工程(II)では、高分子フィルム1におけるイオン2が衝突した部分のエッチングについて、マスキング層を配置した一方の主面からの当該部分のエッチングを抑止しながら、他方の主面からの当該部分のエッチングを進行させる化学エッチングを(非対称エッチングを)実施してもよい。このようなエッチングは、例えば、マスキング層の種類および厚さの選択、マスキング層の配置、エッチング条件の選択などにより、実施できる。このようなエッチングのために、例えば、高分子フィルム1におけるイオン2が衝突した部分に比べて化学エッチングされ難いマスキング層、あるいは工程(II)で実施するエッチング条件下において化学エッチングされないマスキング層を選択できる。
 マスキング層の種類は特に限定されないが、少なくとも、高分子フィルム1におけるイオン2が衝突した部分に比べて化学エッチングされ難い材料から構成される層であることが好ましい。「エッチングされ難い」とは、より具体的には、例えば、単位時間あたりにエッチングされる量が小さいこと、すなわち、被エッチング速度が小さいことを意味する。化学エッチングされ難いか否かは、工程(II)において実際に実施する非対称エッチングの条件(エッチング処理液の種類、エッチング温度、およびエッチング時間など)に基づいて判断できる。後述のように工程(II)において複数回の非対称エッチングを、マスキング層の種類および/または配置面を変えながら実施する場合、各エッチングの条件に基づいてそれぞれのエッチングについて判断すればよい。
 マスキング層は、高分子フィルム1におけるイオン2が衝突していない部分との対比では、当該部分よりも化学エッチングされ易くても、され難くても、いずれでもよいが、され難いことが好ましい。され難い場合、例えば、非対称エッチングの実施に必要なマスキング層の厚さを薄くすることができる。
 工程(I)において、マスキング層を配置した高分子フィルム1にイオンビームを照射した場合、当該マスキング層にもイオントラックが形成される。これを考慮すると、マスキング層を構成する材料は、イオンビームの照射によってもそのポリマー鎖が損傷を受け難い材料であることが好ましい。
 マスキング層は、例えば、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコールおよび金属箔から選ばれる少なくとも1種から構成される。これらの樹脂は、化学エッチングされ難いとともに、イオンビームの照射によっても損傷を受け難い。
 マスキング層は、非対称エッチングを実施する領域に相当する、高分子フィルム1の一方の主面の少なくとも一部に配置すればよい。もちろん必要に応じて、高分子フィルム1の一方の主面の全体に配置できる。
 高分子フィルム1の主面へのマスキング層の配置方法は、非対称エッチングを実施する間、マスキング層が当該主面から剥離しない限り限定されない。マスキング層は、例えば、粘着剤により高分子フィルム1の主面に配置される。すなわち工程(II)において、マスキング層が粘着剤によって上記一方の主面に貼り合わされた状態で、上記化学エッチングを(非対称エッチングを)実施してもよい。粘着剤によるマスキング層の配置は、比較的容易に行うことができる。また、粘着剤の種類を選択することにより、非対称エッチング後の高分子フィルム1からのマスキング層の剥離が容易となる。
 工程(II)では、非対称エッチングを複数回実施してもよい。また、少なくとも一回の非対称エッチングを実施する限り、対称エッチングを実施してもよい。例えば、エッチングの途中でマスキング層を高分子フィルム1から剥離することにより、非対称エッチングから対称エッチングの進行に切り替えてもよい。
 非対称エッチングを複数回実施する場合、各回のエッチングにおいて、マスキング層を配置する高分子フィルム1の主面を入れかえてもよい。より具体的には、例えば、一方の主面にマスキング層を配置した状態で第1の非対称エッチングを実施した後、当該一方の主面を露出させるとともに他方の主面にマスキング層を配置した状態で第2の非対称エッチングを実施してもよい。第2の非対称エッチングでは、第1の非対称エッチングにおける他方の主面が、マスキング層が配置された「一方の主面」となる。
 非対称エッチングを複数回実施する場合、各回のエッチングにおいてエッチング条件を変化させてもよい。
 工程(II)において非対称エッチングを複数回実施することにより、形成する細孔の形状、典型的にはその断面形状、の制御の自由度がより高くなる。また、マスキング層を配置する主面の入れ替え、および/またはエッチング条件の変化を併用することにより、形成する細孔の形状の制御の自由度がさらに高くなる。
 図4~6に、工程(II)の例と、当該例において形成される細孔の形状(断面形状)を示す。
 図4に示す例では、イオンビーム照射後の高分子フィルム1の一方の主面にマスキング層4を配置し((a)を参照)、この状態で化学エッチングを実施している。これにより、マスキング層が配置されていない他方の面から、イオンビームの照射により形成された軌跡3に沿ってエッチングが進行し、当該軌跡3に沿って延びる非貫通孔が細孔5として形成される((b)を参照)。(b)に示すように、マスキング層4が配置されている主面からはエッチングが進行せず、細孔が形成されない。形成された非貫通孔の断面は、軌跡3に沿う方向のエッチング速度Vtと、軌跡3の延びる方向に垂直な方向のエッチング速度Vbとの関係Vt>>Vbにより、円錐状の形状を有している。すなわち、図4に示す例では、高分子フィルム1の一方の主面から延びる、円錐状の断面形状を有する非貫通孔5が形成された多孔性高分子フィルム6を得ている((c)を参照)。
 このように本発明の製造方法では、非貫通孔の中心軸の中点(多孔性高分子フィルム6の一方の主面に形成された非貫通孔の開口と、当該非貫通孔の先端との間の中点)を通るとともに非貫通孔の延びる方向に垂直に当該非貫通孔を切断する面を対称面として、当該対称面に対して非対称な形状、典型的には断面形状、を有する非貫通孔を形成できる。非貫通孔の中心軸は、通常、軌跡3に沿っている。
 別の側面から見ると、図4に示す例では、厚さ方向に非対称に非貫通孔が形成された多孔性高分子フィルム6を得ている。
 図5に示す例は、図4に示す例においてさらに化学エッチングを進行させる例である。図5に示す例では、イオンビーム照射後の高分子フィルム1の一方の主面にマスキング層4を配置し((a)を参照)、この状態で化学エッチングを実施している。これにより、マスキング層が配置されていない他方の面から、イオンビームの照射により形成された軌跡3に沿ってエッチングが進行し、当該軌跡3に沿って延びる貫通孔が細孔5として形成される((b)を参照)。(b)に示すように、マスキング層4が配置されている主面からはエッチングが進行せず、細孔が形成されない。図4に示す例と同様、VtとVbの関係により、形成された貫通孔の断面は円錐状の形状を有するとともに、エッチングのさらなる進行により、その先端がフィルム1の上記一方の主面に開口している。そして、当該貫通孔の上記一方の主面における開口径と、他方の主面における開口径とは互いに異なっており、エッチングの基点となった上記他方の主面における開口径の方が大きい。すなわち、図5に示す例では、円錐状の断面形状を有する貫通孔であって、その開口径が双方の主面間で異なる貫通孔が形成された多孔性高分子フィルム6を得ている((c)を参照)。上記一方の主面における貫通孔の開口径aと、上記他方の主面における貫通孔の開口径bとの比a/bは、例えば、80%以下であり、工程(II)におけるエッチングの条件により、この比をさらに小さい値とすることもできる。
 このように本発明の製造方法では、工程(II)において、高分子フィルムの膜厚方向に孔径が変化している貫通孔であって、高分子フィルムの一方の主面における開口径aと他方の主面における開口径bとの比a/bが80%以下である非対称な形状を有する貫通孔(以下、「非対称な形状を有する貫通孔」を単に「非対称貫通孔」ともいう)を形成できる。貫通孔の中心軸は、通常、軌跡3に沿っている。
 別の側面から見ると、図5に示す例では、厚さ方向に非対称に貫通孔が形成された(厚さ方向に非対称な形状を有する貫通孔が形成された)多孔性高分子フィルム6を得ている。
 図5に示す例では既に一回の非対称エッチングを実施しているため、図5の(c)に示すマスキング層4が剥離された状態からさらに化学エッチングを進行させてもよい。これにより、例えば、貫通孔5の開口径、あるいは多孔性高分子フィルム6の一方の主面における貫通孔5の開口径と、他方の主面における貫通孔5の開口径との比を制御できる。
 図6に示す例は、複数回(二回)の非対称エッチングを実施する例である。図6に示す例では、イオンビーム照射後の高分子フィルム1の一方の主面にマスキング層4を配置し((a)を参照)、この状態で化学エッチングを実施する。これにより、マスキング層が配置されていない他方の主面から、イオンビームの照射により形成された軌跡3に沿ってエッチングが進行し、当該他方の主面に開口を有し、当該軌跡3に沿って延びる非貫通孔(第1の非貫通孔)が細孔5として形成される((b)を参照)。次に、高分子フィルム1においてマスキング層4を配置する主面を入れ替え、先程のエッチング時にマスキング層を配置していた主面を露出させ、露出していた主面を新たな一方の主面としてマスキング層4を配置する((c)を参照)。そして、この状態で化学エッチングを実施する。これにより、マスキング層が配置されていない主面から軌跡3に沿ってエッチングが進行し、当該主面に開口を有し、当該軌跡3に沿って延びる非貫通孔(第2の非貫通孔)が細孔5として形成される((d)を参照)。第1の非貫通孔と第2の非貫通孔とは、同一の軌跡3に沿って延びている。各回のエッチング時間を制御することにより、第1の非貫通孔の開口径aと第2の非貫通孔の開口径bとの比a/bを制御できる。比a/bは、例えば、80%以下であり、さらに小さい値とすることもできる。
 このように本発明の製造方法では、工程(II)において、高分子フィルムの一方の主面に開口を有する第1の非貫通孔と、他方の主面に開口を有する第2の非貫通孔であって、第1の非貫通孔の開口径aと第2の非貫通孔の開口径bとの比a/bが80%以下である非貫通孔を形成できる。
 (d)に示す状態からさらに化学エッチングを進行させると、第1の非貫通孔と第2の非貫通孔とは互いにつながって貫通孔となる((e)を参照)。これにより、非対称貫通孔が形成された多孔性高分子フィルム6が得られる((f)を参照)。
 図6に示す例では、1回目の化学エッチングに比べて2回目の化学エッチングのエッチング時間が長いため、2回目の化学エッチングにより高分子フィルム1の主面に形成された開口径の方が、1回目の化学エッチングにより形成された開口径よりも大きい。すなわち、図6に示す例では、その開口径が双方の主面間で異なる貫通孔が形成された多孔性高分子フィルム6を得ている。
 図6に示す例によれば、複数回の非対称エッチングを各エッチングの条件を制御しながら実施することにより、種々の断面形状を有する貫通孔または非貫通孔を形成できることが容易に理解できる。
 図4~6に示すような多孔性高分子フィルム6、特に、双方の主面間で開口径が異なる貫通孔が形成された多孔性高分子フィルム6は、従来の製造方法では得ることができない。
 図4~6では、説明を分かり易くするために、細孔5の幅(孔径)がその長さよりも誇張して描かれている。
 工程(II)で形成する貫通孔および/または非貫通孔の開口径は特に限定されないが、例えば、開口径10μm以下の貫通孔および/または非貫通孔を形成する。フィルムの双方の主面に細孔の開口が形成される場合、この開口径の値は、相対的に小さな開口の径でも、相対的に大きな開口の径でもありうる。開口径は、例えば、エッチング温度、エッチング時間、およびエッチング処理液の組成などのエッチング条件により制御できる。開口径の下限は、例えば、0.01μmである。
 工程(I)においてイオンビーム照射を実施する高分子フィルム1が無孔である場合などには、全ての貫通孔および/または非貫通孔の開口径が10μm以下である多孔性高分子フィルム6とすることもできる。あるいは、開口径の平均(平均開口径)が10μm以下である多孔性高分子フィルム6とすることもできる。
 工程(I)および(II)で形成する貫通孔および/または非貫通孔の密度(孔密度:高分子フィルムの主面1cmあたりに形成された細孔の開口の数)は特に限定されないが、例えば、孔密度が10個/cm~1×10個/cmとなるように貫通孔/非貫通孔を形成する。孔密度は、例えば、イオンビームの照射条件(イオン種、イオンのエネルギー、およびイオンの衝突密度(照射密度)など)により制御できる。
 化学エッチングに使用するエッチング処理液は特に限定されない。エッチング処理液は、例えば、アルカリ性溶液、酸性溶液、または酸化剤、有機溶剤および界面活性剤から選ばれる少なくとも1種を添加したアルカリ性溶液もしくは酸性溶液である。アルカリ性溶液は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのような塩基を含む溶液(典型的には水溶液)である。酸性溶液は、例えば、硝酸、硫酸のような酸を含む溶液(典型的には水溶液)である。酸化剤は、例えば、重クロム酸カリウム、過マンガン酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウムである。有機溶剤は、例えば、メタノール、エタノール、2-プロパノール、エチレングリコール、アミノアルコール、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミドである。界面活性剤は、例えば、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキル硫酸塩である。
 マスキング層を用いた非対称エッチングとすることを除き、具体的なエッチングの手法は公知の手法に従えばよい。例えば、エッチング処理液に、マスキング層を配置したビーム照射後の高分子フィルムを所定の温度かつ所定の時間、浸漬すればよい。
 エッチングの温度は、例えば、40~150℃であり、エッチングの時間は、例えば、10秒~60分である。
 多孔性高分子フィルム6の厚さは、例えば、10~200μmである。
 多孔性高分子フィルムにおいて、貫通孔および/または非貫通孔の延びる方向(中心軸の方向)は、当該フィルムの主面に対して垂直な方向でも、傾いた方向でもありうる。垂直を含めその角度は、原フィルムである高分子フィルム1に対するイオンビームの照射角度により制御できる。
 工程(II)の後、マスキング層は剥離すればよい。しかし、工程(II)の後、必要に応じてその一部または全部を高分子フィルムに残留させることができる。残留させたマスキング層は、例えば、多孔性高分子フィルム6における上記一方の主面(工程(II)においてマスキング層を配置した主面)と上記他方の主面とを区別する目印として用いることができる。すなわち、本発明の製造方法では、上記一方の主面と上記他方の主面とを区別する目印として、マスキング層の少なくとも一部を当該一方の主面に残留させた多孔性高分子フィルムを形成してもよい。
 本発明の効果が得られる限り、本発明の製造方法は工程(I),(II)以外の任意の工程を含んでいてもよい。
 本発明の製造方法により得た多孔性高分子フィルムは、様々な用途に使用できる。この多孔性高分子フィルムは、当該フィルムが有する細孔の形状、典型的には断面形状、の制御の自由度が高く、その細孔の形状に基づき、従来になく幅広い種々の用途への応用が期待される。
 (製造例1)
 高分子フィルムとして、無孔のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(Kolon社製ASTROLL FQ0025、厚さ25μm)を準備した。次に、準備したPETフィルムに、AVFサイクロトロンに接続されたビームラインからキセノンイオン(エネルギー460MeV)を、入射角が当該フィルムの主面に垂直な方向となるように照射した。キセノンイオンの照射密度は、1.5×10個/cmとした。このようにして、イオンが照射されたPETフィルムを得た。
 (実施例1)
 製造例1で作製したビーム照射PETフィルムの一方の主面に、マスキング層としてポリエチレンフィルム(厚さ55μm)をアクリル系粘着剤により貼付した。これを70℃に保持したエッチング処理液(エタノール濃度40質量%、水酸化カリウム濃度14.5質量%の水溶液)に135秒浸漬し、図5に示す化学エッチングを実施した。エッチング終了後、エッチング処理液から上記PETフィルムを取り出し、これを60℃のRO水(逆浸透膜濾過水)に10分浸漬して洗浄した後、40℃の乾燥オーブンに30分収容して乾燥させた。その後、マスキング層を剥離し、非対称貫通孔が形成された多孔性高分子フィルムを得た。
 得られた多孔性高分子フィルムの表面および断面の状態(走査型電子顕微鏡(SEM)による観察像)を図7に示す。図7の(a)はマスキング層を配置しなかった主面を、(b)はマスキング層を配置した主面を、(c)はフィルム断面を、それぞれ示す。図7に示すように、実施例1で得られたフィルムは、複数の非対称貫通孔が形成され、当該貫通孔の開口径が主面間で異なる多孔性高分子フィルムであることが確認された。また、当該SEM像から求めた各主面における貫通孔の開口径の平均値は、マスキング層を配置しなかった主面について2.3μm、マスキング層を配置した主面について0.3μmであった。
 (比較例1)
 マスキング層を配置しなかった以外は実施例1と同様に化学エッチングを実施して、多孔性高分子フィルムを得た。
 得られた多孔性高分子フィルムの表面および断面の状態(SEM観察像)を図8に示す。図8の(a)は当該フィルムの一方の主面を、(b)は他方の主面を、(c)はフィルム断面を、それぞれ示す。図8に示すように、比較例1で得られたフィルムは、矩形状の断面形状を有する、フィルムの厚さ方向に孔径がほぼ均一な貫通孔が形成された多孔性高分子フィルムであることが確認された。また、当該SEM像から求めた各主面における貫通孔の開口径の平均値は、双方の主面ともに2.3μmであった。なお、図8の(c)において、多孔性高分子フィルムの厚さ方向に貫通孔の径の変動が多少観察されるが、この変動は、貫通孔の延びる方向に完全に一致する観察面とすることが困難であること、およびミクロトームによる切断によって観察面を露出させる際に、多孔性高分子フィルムの構成ポリマーがその切断方向に多少流れてしまうこと、によるものである。
 本発明は、その意図および本質的な特徴から逸脱しない限り、他の実施形態に適用しうる。この明細書に開示されている実施形態は、あらゆる点で説明的なものであってこれに限定されない。本発明の範囲は、上記説明ではなく添付したクレームによって示されており、クレームと均等な意味および範囲にあるすべての変更はそれに含まれる。
 本発明の製造方法により製造した多孔性高分子フィルムは、種々の用途に使用できる。
 

Claims (11)

  1.  イオンビームを高分子フィルムに照射する工程(I)と、
     前記イオンビーム照射後の高分子フィルムにおけるイオンが衝突した部分の少なくとも一部を化学エッチングして、前記イオンの衝突の軌跡に沿って延びる貫通孔および/または非貫通孔を当該フィルムに形成する工程(II)と、を含み、
     前記工程(II)において、
     前記高分子フィルムの一方の主面へのマスキング層の配置により、当該一方の主面からの前記部分のエッチングに比べて、前記高分子フィルムの他方の主面からの前記部分のエッチングの程度が大きい化学エッチングを実施する、
     多孔性高分子フィルムの製造方法。
  2.  前記工程(II)において、
     前記一方の主面からの前記部分のエッチングを抑止しながら、前記他方の主面からの前記部分のエッチングを進行させる化学エッチングを実施する、請求項1に記載の多孔性高分子フィルムの製造方法。
  3.  前記工程(II)において、
     前記高分子フィルムの膜厚方向に孔径が変化している前記貫通孔であって、前記高分子フィルムの前記一方の主面における開口径aと前記他方の主面における開口径bとの比a/bが80%以下である非対称な形状を有する前記貫通孔を形成する、請求項1に記載の多孔性高分子フィルムの製造方法。
  4.  前記工程(II)において、前記高分子フィルムの前記一方の主面に開口を有する第1の前記非貫通孔と、前記他方の主面に開口を有する第2の前記非貫通孔とを形成し、
     前記第1の非貫通孔の前記開口の径aと、前記第2の非貫通孔の前記開口の径bとの比a/bが80%以下である、請求項1に記載の多孔性高分子フィルムの製造方法。
  5.  前記工程(II)において、開口径10μm以下の前記貫通孔および/または前記非貫通孔を形成する請求項1に記載の多孔性高分子フィルムの製造方法。
  6.  前記高分子フィルムが、アルカリ性溶液、酸性溶液、または酸化剤、有機溶剤および界面活性剤から選ばれる少なくとも1種を添加したアルカリ性溶液もしくは酸性溶液により分解する樹脂から構成される請求項1に記載の多孔性高分子フィルムの製造方法。
  7.  前記高分子フィルムが、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミドおよびポリエチレンナフタレートから選ばれる少なくとも1種から構成される請求項1に記載の多孔性高分子フィルムの製造方法。
  8.  前記マスキング層が、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコールおよび金属箔から選ばれる少なくとも1種から構成される請求項1に記載の多孔性高分子フィルムの製造方法。
  9.  前記工程(II)において、前記マスキング層が粘着剤によって前記一方の主面に貼り合わされた状態で前記化学エッチングを実施する、請求項1に記載の多孔性高分子フィルムの製造方法。
  10.  前記一方の主面と前記他方の主面とを区別する目印として、前記マスキング層の少なくとも一部を前記一方の主面に残留させた前記多孔性高分子フィルムを形成する、請求項1に記載の多孔性高分子フィルムの製造方法。
  11.  請求項1~10のいずれかに記載の製造方法により得た多孔性高分子フィルム。
     
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01312084A (ja) * 1988-06-09 1989-12-15 Hitachi Ltd 絶縁膜の形成方法およびそれを用いた素子構造
JPH09504900A (ja) * 1993-09-08 1997-05-13 シリコン・ビデオ・コーポレイション パッキング密度の高い電子放出デバイスの構造及び製造方法
WO2008063125A1 (en) * 2006-11-20 2008-05-29 Senseair Ab A process for treating a flexible thin film substrate, in the form of a dielectric plastic foil, and a thin film substrate thus formed
JP2010283231A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Sharp Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP2013001804A (ja) * 2011-06-16 2013-01-07 Mitsubishi Gas Chemical Co Inc 複数の多孔性フィルム及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01312084A (ja) * 1988-06-09 1989-12-15 Hitachi Ltd 絶縁膜の形成方法およびそれを用いた素子構造
JPH09504900A (ja) * 1993-09-08 1997-05-13 シリコン・ビデオ・コーポレイション パッキング密度の高い電子放出デバイスの構造及び製造方法
WO2008063125A1 (en) * 2006-11-20 2008-05-29 Senseair Ab A process for treating a flexible thin film substrate, in the form of a dielectric plastic foil, and a thin film substrate thus formed
JP2010283231A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Sharp Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP2013001804A (ja) * 2011-06-16 2013-01-07 Mitsubishi Gas Chemical Co Inc 複数の多孔性フィルム及びその製造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
APEL ET AL.: "Diode-like single-ion track membrane prepared by electro-stopping", NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B: BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, vol. 184, no. 3, November 2001 (2001-11-01), pages 337 - 346, XP004310727, ISSN: 0168-583X, DOI: doi:10.1016/S0168-583X(01)00722-4 *
DMITRIEV ET AL.: "A high-frequency plasma- discharge effect on poly(ethylene) terephthalate films exposed to heavy ions", NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B: BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, vol. 171, no. 4, December 2000 (2000-12-01), pages 448 - 454, XP004221501, ISSN: 0168-583X, DOI: doi:10.1016/S0168-583X(00)00298-6 *
HERMSDORF ET AL.: "Supported particle track etched polyimide membranes: a grazing incidence small-angle X-ray scattering study", LANGMUIR, vol. 20, 13 October 2004 (2004-10-13), pages 10303 - 10310, ISSN: 0743-7463 *

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