WO2016030195A1 - Verfahren zur herstellung eines mehrschichtsubstrats und mehrschichtsubstrat - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines mehrschichtsubstrats und mehrschichtsubstrat Download PDF

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metal
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Gerhard Fuchs
Annette Fischer
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    • H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure

Definitions

  • a ceramic multilayer substrate is specified.
  • the multi-layer substrate serves as a carrier for components, in particular for electrical components.
  • the multilayer substrate has a via (via), which, for example, for contacting a component with a
  • Pads are produced by depositing a metal on the ceramic substrate.
  • a base body having several ceramic layers is provided. At least one of the layers, in particular an outermost layer of the
  • Main body has a hole.
  • the hole is filled with a metal by depositing the metal from a solution.
  • a via can be produced by at least one layer.
  • the ceramic composite is produced in LTCC or HTCC technology.
  • Layer stack is provided with a hole.
  • the hole is introduced, for example, by means of a laser or by punching.
  • the layer stack is sintered.
  • the hole is filled after sintering by depositing a metal from a solution.
  • the hole is completely filled.
  • the metal contains or is, for example, copper.
  • the surface becomes the cathode, where the metal separates from the solution.
  • a seed layer can be applied to the surface which facilitates the deposition of the metal or even makes it possible for the first time
  • Through-hole can be used.
  • Multilayer substrate specified wherein the multi-layer substrate has a base body with a plurality of ceramic layers
  • At least one of the layers has a
  • the hole and, correspondingly, the via formed by deposition of the metal pass through only part of the ceramic layers.
  • the plated through hole only passes through the outermost ceramic layer.
  • Embodiment performs the hole and accordingly through the Deposition formed through hole through several ceramic layers.
  • the via can also pass through the entire layer stack.
  • the multilayer substrate has a further contact, which is arranged in the interior of the base body and is connected to the through-connection. In one embodiment, this differs
  • the via has, for example, copper.
  • the further contact has the same material as the via.
  • both the further contacting and the plated-through hole comprise copper or consist essentially of copper.
  • the further contacting has an inner layer which is arranged on a ceramic layer in the interior of the main body.
  • the inner layer is For example, realized a passive component or a wiring structure.
  • the inner layer is
  • the further contacting can have a further through-connection, which passes through
  • the further via leads the via formed by deposition into the interior of the
  • a terminal contact is also connected to connect the metal
  • connection contact is arranged, for example, from a view of the outside from above the via.
  • the connection contact may be formed as a connection surface.
  • the pad for example, has a greater width than the via.
  • the terminal contact is preferably made in the same process as the via.
  • the terminal contact preferably has the same material as the
  • connection contact can for
  • Training a flat, solderable and bondable surface additionally be provided with a cover layer.
  • the capping layer may contain a metal that is de-energized or deposited with the connection of an external power source. For example, it is about
  • Nickel, palladium, gold, silver and / or tin are deposited by deposition
  • Connection contact can be generated a particularly flat surface of the terminal. This allows it
  • the terminal contact is in the form of a bump or a pillar.
  • connection contact is off the main body.
  • a component can be set at a distance from the surface of the body.
  • Solder balls required for attachment of the device Such a configuration of the connection contact allows a further increase in the packing density of the components.
  • a multilayer substrate is provided, wherein the
  • Multi-layer substrate a basic body with several
  • the multilayer substrate has a via and an associated one
  • the further contact has a different material than the via and / or is produced with a different manufacturing method than the via.
  • the further contacting comprises silver and the plated-through hole comprises copper.
  • the further contacting comprises silver and the plated-through hole comprises copper.
  • the through-connection is produced, for example, only after the sintering of the main body, in particular by depositing a metal from a solution.
  • a multilayer substrate has a base body with a plurality of ceramic layers, wherein the base body is made in HTCC technology and has an electrical contact, which leads through at least one of the layers, wherein the
  • Through-hole copper contains.
  • the plated-through hole is introduced, for example, by depositing a metal from a solution after sintering of the base body.
  • HTCC technology uses tungsten or molybdenum as the materials for via.
  • a through-hole made of copper allows among other things a cost saving and a better thermal and electrical conductivity.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view of a further embodiment of a multilayer substrate
  • FIG. 2B shows in a cross section a further embodiment of a multilayer substrate
  • FIGS. 3A to 3D method steps in a method for
  • FIG. 1 shows, in a cross-section, a multilayer substrate 1 with a main body 26, which has several, one above the other
  • Multilayer substrate 1 has an electrical contact 3, which has a through-connection 4 and a connection contact 5.
  • the connection contact 5 is designed as a connection surface.
  • the electrical contact 3 is in particular for contacting a component, for example one Chips (not shown) formed on the multilayer substrate.
  • the component is an LED, a sensor, a SAW filter or a fluidic reactor. In particular, it may be an electrical component.
  • Multilayer substrate serves, for example, as a carrier for the component and / or as an encapsulation, in particular in the form of a so-called package.
  • a carrier for the component and / or as an encapsulation, in particular in the form of a so-called package.
  • the component connected by a bonding wire to the terminal contact 5.
  • the component can also be connected to the connection contact 5 by solder balls.
  • connection contact 5 can also be used as a mechanical and / or electrical connection of a cover or a further substrate, for example for the formation of a
  • Package-on-package systems serve.
  • the further component is soldered or glued onto the connection contact 5.
  • the via 4 leads from an outer side 6 of the
  • Multilayer substrate 1 through an outermost ceramic layer 7, for example, the uppermost layer of the layer stack, therethrough.
  • the plated-through hole 4 extends from the terminal contact 5 into the interior of the substrate 1
  • Through-hole 4 is designed as a so-called blind via, that is, it does not pass completely through the substrate.
  • the connection contact 5 is arranged on the outer side 6 of the main body 26, in particular on an outermost layer 7.
  • the connection contact 5 is formed integrally with the feedthrough 4.
  • the connection contact 5 is formed integrally with the feedthrough 4.
  • Through-hole 4 and the terminal contact 5 are formed from the same material and are produced in the same process.
  • the via 4 and the terminal 5 copper on and are by
  • the via 4 has, for example, a width of 80 ym.
  • the connection contact 5 in the form of a
  • Terminal surface is much wider than that
  • the pad has a width of 250 ym and a height of 20 ym.
  • FIGS. 2A and 2B show in each case a cross-section of a multilayer substrate 1, in which the connection contact 5 is additionally provided with a cover layer 8.
  • Covering layer 8 is applied to a base layer 9, which is formed like the connection contact 5 in FIG. Through the cover layer 8 receives the connection contact 5 a
  • Cover 8 may also provide protection against corrosion.
  • the cover layer 8 may be formed in multiple layers.
  • the cover layer 8 has a nickel and a silver layer, the nickel layer acting as a solder barrier.
  • the cover layer 8 for example, a nickel and a gold layer.
  • a palladium layer may be applied to the nickel layer.
  • the cover layer 8 is constructed, for example, with Ni-Au or Ni-Pd-Au multilayer.
  • Terminal contact 5 has an open edge 10.
  • the base layer 9 for example, after the Applying the cover layer 8 structured, as will be explained below to Figures 3A to 3D.
  • Covering layer 8 also the lateral areas of the base layer 9, so that the base layer 9 is completely covered by the cover layer 8.
  • the base layer 9 is patterned, for example, even before the application of the cover layer 8, as will be explained below with reference to FIGS. 3A to 3D.
  • FIGS. 3A to 3D show method steps for
  • FIG. 3A shows a base body 26 for a multilayer substrate.
  • main body 26 for a multilayer substrate.
  • the green sheet which later forms the outermost ceramic layer 7, is provided with a hole 27.
  • the hole becomes
  • the green sheets contain, for example, a ceramic powder, a binder and a glass fraction as a sintering aid.
  • a ceramic powder for example, alumina is used as the ceramic powder
  • the LTCC (low
  • temperature cofired ceramics technology
  • HTCC high temperature cofired ceramics
  • very high temperature for example in the range of 1600 ° C sintered.
  • the green sheets here contain no glass content.
  • the surface of the ceramic is pretreated, so that a deposition of a metal to form the electrical contact is facilitated or only possible.
  • FIG. 3B shows schematically the step for pretreatment of the surface.
  • a seed layer is created within the hole 27 and on the outside of the main body 26.
  • the seed layer is for example 100 nm - 500 nm thick.
  • the surface within the hole 27 and on the outside 6 of the body 26 is chemically activated. Upon activation, the surface becomes
  • Example of a palladium chloride solution treated In the process, palladium atoms are deposited on the surface, which catalyze the further metallization.
  • the seed layer can also be applied by sputtering or by means of a PVD (Physical Vapor Deposition) method.
  • the seed layer has, for example, titanium, copper and / or chromium.
  • FIG. 3C shows the multilayer substrate 1, in which a metallization 28 is deposited in the hole 27 and on the outside 6. The hole 27 is completely filled with the metal.
  • copper is deposited. This can be done in two Stages are carried out, initially a relatively thin
  • connection contact 5 Copper layer is deposited electrolessly and then galvanically reinforced. Subsequently, the metallization 28 is structured to form the connection contact 5. For this purpose, for example, a photoresist mask on the metallization 28 at the
  • connection contact 5 Applied outside 6 of the layer stack, exposed and developed according to a desired pattern. There are now not provided for the connection contact 5
  • Figure 3D shows the multilayer substrate with the now
  • the plated-through hole 4 and the terminal contact 5 do not have a sintered metal paste. This allows an increase in the packing density of the components.
  • the plated-through hole 4 and the terminal contact 5 do not have a sintered metal paste. This allows an increase in the packing density of the components.
  • Terminal contact 5 are structured in the described method with a better resolution than is possible in a printing with a paste by screen printing.
  • connection contacts 5 for example with a gap of 30 ym, can be generated. Furthermore, a connection contact 5 with a particularly flat
  • Base 26 be formed very thin, since this
  • Layers 7, 16 in the green state no longer have to have a mechanical stability required for applying or introducing a paste.
  • the via 4 in the interior of the substrate is followed by a further contact, which has a sintered paste.
  • a paste is applied on a green sheet or within a hole in a green sheet, which is then baked with the layer stack. In particular, it is a thick-film paste.
  • a metallization 28 is first generated after the activation, as described above. On the metallization 28, a photoresist layer is applied, exposed and
  • connection contact 5 areas remain free. In these uncovered areas is now on the metallization 28 under connection of a power source or with an electroless method
  • Etching step performed until the metallization 28 is removed on the previously covered by the photoresist mask areas to the substrate. After the etching of the photoresist mask, for example, an open sandwiched Cu-Ni-Ag edge 10 is obtained, as can be seen in FIG. 2A.
  • the cover layer is applied only after the structuring of the base metallization.
  • the topcoat is in a chemical
  • the cover layer 8 also covers the lateral regions of the base layer 9, as can be seen in FIG. 2B.
  • the structuring of the base metallization may take place in the manner described above
  • subtractive methods also take place in an additive process. For this purpose, for example, after the activation of the surface, a photoresist mask is applied.
  • Photoresist mask is attached to the connector
  • the lacquer layer is removed at the exposed areas, so that at least one
  • Figure 4 shows a multilayer substrate 1, the two by
  • Connection contacts 5 has.
  • the two vias 4 have, for example, a distance of 400 ym to 500 ym. But it can also be smaller distances, for example, in the range of 100 ym are generated.
  • the plated-through holes 4 are each connected to a further contact 11 in the interior of the substrate 1.
  • Through hole 12 which continues the through-hole 4 produced by deposition into the interior of the substrate 1 inside.
  • the further via 12 leads through two further ceramic layers 2.
  • the further via 12 is formed from a baked paste. These are in the green films for the
  • the paste is sintered together with the green sheets.
  • the via 12 may also comprise copper.
  • the via 12 may also comprise copper.
  • a plurality of metallic inner layers 13 are provided between ceramic layers 2, wherein one of the
  • Inner layers 13 is electrically connected to the other vias 12.
  • the inner layers 13 for example, passive components and interconnection structures are realized.
  • the inner layers 13 are formed by a baked paste. For this, the green sheets are printed with the paste, laminated and sintered.
  • FIG. 5 shows a further embodiment of a
  • Multilayer substrate 1 Here, electrical contacts 3, 17 produced by deposition are provided on both a bottom side 15 and an upper side 14.
  • Contacts 3, 17 each have vias 4, 18 on.
  • the plated-through holes 4, 18 each pass only through the outermost layer 7, 16 of the substrate 1.
  • the contact 3 on the underside 15 has a through-connection 4 produced by deposition, which is connected directly to an inner layer 13.
  • the inner layer 13 is formed by a baked paste.
  • the contacting 17 on the upper side 14 has a through-connection 18 produced by deposition, which is connected to a further through-connection 12.
  • the further through-connection 12 is formed by a baked-on paste and leads through several ceramic layers 2 into the interior of the substrate 1.
  • the contact 17 on the top 14 has a
  • Terminal contact 19 in the form of a bump.
  • Terminal contact 19 is formed like the connection area shown in the preceding figures for contacting a component.
  • the bump is integral with the feedthrough 18
  • FIG. 6 shows a further embodiment for a metal from a solution.
  • a metal for example, it is a Cu-bump.
  • the terminal 19 may be provided with a coating, such as a tin coating, thereby enabling Cu-Sn diffusion bonding. But it is also possible Cu-Cu bonding.
  • FIG. 6 shows a further embodiment for a
  • Multi-layer substrate 1 The individual ceramic layers are not shown for reasons of clarity. There are several generated by deposition Through contacts 4, 20, 21 formed. A via 4 passes only through the outermost layer 7 and is connected to a further contact 11 formed by a baked paste.
  • a via 21 is not connected to any further contact.
  • the other via 20 is connected to a
  • FIG. 7 shows a further embodiment of a
  • Multi-layer substrate 1 in which the connection contacts 22 are formed in a columnar shape. These are so-called pillars, which are used in particular in power amplifiers.
  • a component 23 is attached on the multi-layer substrate 1.
  • connection contacts 22 are produced by deposition of a metal from a solution and connected to plated-through holes 4.
  • the connection contacts 22 can be generated together with the plated-through holes 4.
  • a solder layer 24 On the connection contacts 22 is a solder layer 24 for
  • the component 23 also has columnar connection contacts 25 which are placed on the terminal contacts 22 of the substrate 1 and connected thereto by the solder layer 24.

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtsubstrats (1) angegeben, bei dem ein Grundkörper (26) aufweisend mehrere keramische Schichten (2) bereitgestellt wird, wobei wenigstens eine Schicht (2) ein Loch (27) aufweist. Zur Bildung einer Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) wird das Loch (27) mit einem Metall durch Abscheiden des Metalls aus einer Lösung gefüllt. Weiterhin wird ein Mehrschichtsubstrat angegeben, bei dem eine Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) im Inneren des Grundkörpers (26) mit einer Weiterkontaktierung (11) verbunden ist, wobei die Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) ein anderes Material als die Weiterkontaktierung (11) aufweist und/oder mit einem anderen Verfahren hergestellt ist.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtsubstrats
und Mehrschichtsubstrat
Es wird ein keramisches Mehrschichtsubstrat angegeben.
Beispielsweise dient das Mehrschichtsubstrat als Träger für Bauelemente, insbesondere für elektrische Bauelemente.
Beispielsweise handelt es sich um einen LTCC (low temperature cofired ceramics) - oder um einen HTCC (high temperature cofired ceramics ) -Keramikverbund . Das Mehrschichtsubstrat weist eine Durchkontaktierung (Via) auf, die beispielsweise zur Kontaktierung eines Bauelements mit einem
Anschlusskontakt verbunden ist. Die erreichbare
Packungsdichte der Bauelemente hängt maßgeblich von der
Ausgestaltung der Vias und der Anschlusskontakte ab.
Aus der Druckschrift DE 10 2004 030 800 AI geht ein
keramisches Mehrschichtsubstrat hervor, bei dem lötbare
Anschlussflächen durch Abscheiden eines Metalls auf das keramische Substrat erzeugt werden.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
verbessertes Mehrschichtsubstrat und ein Verfahren zur
Herstellung eines Mehrschichtsubstrats anzugeben.
Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtsubstrats
angegeben. Dabei wird ein Grundkörper aufweisend mehrere keramische Schichten bereitgestellt. Wenigstens eine der Schichten, insbesondere eine äußerste Schicht des
Grundkörpers, weist ein Loch auf. Das Loch wird mit einem Metall durch Abscheiden des Metalls aus einer Lösung befüllt. Auf diese Weise kann eine Durchkontaktierung durch wenigstens eine Schicht erzeugt werden.
Beispielsweise wird der Keramikverbund in LTCC- oder in HTCC- Technologie hergestellt. Dabei werden Grünfolien zur
Ausbildung der keramischen Schichten bereitgestellt und übereinander gestapelt. Eine äußerste Schicht des
Schichtstapels ist mit einem Loch versehen. Das Loch wird beispielsweise mittels eines Lasers oder durch Stanzen eingebracht. Der Schichtstapel wird gesintert. Zur Erzeugung der Durchkontaktierung wird das Loch nach dem Sintern durch Abscheiden eines Metalls aus einer Lösung befüllt.
Vorzugsweise wird das Loch vollständig befüllt. Das Metall enthält oder ist beispielsweise Kupfer.
Zur Abscheidung des Metalls wird beispielsweise ein
galvanisches Verfahren verwendet. Insbesondere wird eine äußere Stromquelle angeschlossen. Die zu beschichtende
Oberfläche wird dabei zur Kathode, an der sich das Metall aus der Lösung abscheidet.
Die Oberfläche des Grundkörpers, auf der das Metall
abgeschieden werden soll, insbesondere die Oberfläche
innerhalb des Lochs, wird beispielsweise vor dem Abscheiden des Metalls vorbehandelt. Insbesondere kann eine Keimschicht („seed layer") auf die Oberfläche aufgebracht werden, die das Abscheiden des Metalls erleichtert oder überhaupt erst ermöglicht. Beispielsweise wird als Keimschicht eine
Metallisierung auf die Oberfläche der Keramik aufgebracht. Anschließend wird das Metall auf die Keimschicht durch
Abscheiden aus einer Lösung aufgebracht. Die Herstellung einer Durchkontaktierung durch Abscheiden eines Metalls hat den Vorteil, dass das Metall für die
Durchkontaktierung erst nach dem Sintern des Keramikverbundes eingebracht werden kann. Somit ist die Wahl des Metalls weitgehend unabhängig von der Herstellungsart des
Keramikverbundes, z. B. unabhängig davon, ob eine LTCC- oder HTCC-Technologie verwendet wird. Beispielsweise werden bei der HTCC-Technologie für die Durchkontaktierungen
üblicherweise Einbrandpasten enthaltend Wolfram oder Molybdän verwendet. Bei der Herstellung der Durchkontaktierung durch Abscheiden eines Metalls kann stattdessen auch in der HTCC- Technologie beispielsweise Kupfer als Material für die
Durchkontaktierung verwendet werden.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein
Mehrschichtsubstrat angegeben, wobei das Mehrschichtsubstrat einen Grundkörper mit mehreren keramischen Schichten
aufweist. Wenigstens eine der Schichten weist eine
Durchkontaktierung auf, wobei die Durchkontaktierung ein Metall aufweist, das durch Abscheiden aus einer Lösung eingebracht ist. Alle Eigenschaften, die in Bezug auf das Verfahren und das Mehrschichtsubstrat offenbart sind, sind auch entsprechend in Bezug auf die jeweiligen anderen Aspekte offenbart und umgekehrt, auch wenn die jeweilige Eigenschaft nicht explizit im Kontext des jeweiligen Aspekts erwähnt wird .
In einer Ausführungsform führt das Loch und entsprechend die durch Abscheidung des Metalls gebildete Durchkontaktierung nur durch einen Teil der keramischen Schichten hindurch.
Beispielsweise führt die Durchkontaktierung nur durch die äußerste keramische Schicht hindurch. In einer weiteren
Ausführungsform führt das Loch und entsprechend die durch Abscheidung gebildete Durchkontaktierung durch mehrere keramische Schichten hindurch. Die Durchkontaktierung kann auch durch den gesamten Schichtstapel hindurchführen. In einer Ausführungsform weist das Mehrschichtsubstrat eine Weiterkontaktierung auf, die im Inneren des Grundkörpers angeordnet ist und mit der Durchkontaktierung verbunden ist. In einer Ausführungsform unterscheidet sich die
Weiterkontaktierung im Material und/oder im
Herstellungsverfahren von der Durchkontaktierung.
In einer Ausführungsform weist die Weiterkontaktierung
Silber, Molybdän oder Wolfram auf. Die Durchkontaktierung weist beispielsweise Kupfer auf. In einer Ausführungsform weist die Weiterkontaktierung das gleiche Material auf wie die Durchkontaktierung. Beispielsweise weisen sowohl die Weiterkontaktierung als auch die Durchkontaktierung Kupfer auf oder bestehen im Wesentlichen aus Kupfer. In einer Ausführungsform wird zur Herstellung der
Weiterkontaktierung eine Paste verwendet, die gemeinsam mit den Grünfolien gesintert wird. Die Durchkontaktierung wird beispielsweise erst nach dem Sintern durch Abscheiden des Metalls erzeugt. Die Kombination der durch Abscheiden
erzeugten Durchkontaktierung mit einer Weiterkontaktierung aus einer eingebrannten Paste hat den Vorteil, dass durch die Weiterkontaktierung auch Bereiche des Grundkörpers
kontaktiert werden können, die bei einem Abscheideverfahren nicht oder nur schlecht erreichbar sind.
In einer Ausführungsform weist die Weiterkontaktierung eine Innenlage auf, die auf einer keramischen Schicht im Inneren des Grundkörpers angeordnet ist. Durch die Innenlage wird beispielsweise eine passive Komponente oder eine Verschaltungsstruktur realisiert. Die Innenlage wird
beispielsweise als Paste auf eine Grünfolie aufgebracht, die dann mit den anderen Grünfolien zu einem Stapel angeordnet und gesintert wird.
Alternativ oder zusätzlich dazu kann die Weiterkontaktierung eine weitere Durchkontaktierung aufweisen, die durch
wenigstens eine weitere keramische Schicht hindurchführt. Beispielsweise führt die weitere Durchkontaktierung die durch Abscheidung gebildete Durchkontaktierung ins Innere des
Grundkörpers hinein fort.
In einer Ausführungsform wird beim Abscheiden des Metalls aus der Lösung auch ein Anschlusskontakt zum Anschließen des
Bauelements auf der Außenseite des Grundkörpers erzeugt. Der Anschlusskontakt ist beispielsweise von einer Aufsicht auf die Außenseite aus gesehen oberhalb der Durchkontaktierung angeordnet. Der Anschlusskontakt kann als Anschlussfläche ausgebildet sein. Die Anschlussfläche weist beispielsweise eine größere Breite auf als die Durchkontaktierung.
Der Anschlusskontakt wird vorzugsweise im gleichen Verfahren wie die Durchkontaktierung hergestellt. Der Anschlusskontakt weist vorzugsweise das gleiche Material wie die
Durchkontaktierung auf. Der Anschlusskontakt kann zur
Ausbildung einer ebenen, löt- und bondbaren Oberfläche zusätzlich mit einer Deckschicht versehen sein. Die
Deckschicht kann beispielsweise ein Metall enthalten, das stromlos oder unter Anschluss einer äußeren Stromquelle abgeschiedenen wird. Beispielsweise handelt es sich um
Nickel, Palladium, Gold, Silber und/oder Zinn. Bei einer derartigen, durch Abscheiden aufgebrachten
Durchkontaktierung und einem darauf aufgebrachten
Anschlusskontakt kann eine besonders ebene Oberfläche des Anschlusskontakts erzeugt werden. Dies erlaubt es
beispielsweise, Lotkugeln zur Befestigung eines Bauelements direkt oberhalb der Durchkontaktierung auf den Anschluss¬ kontakt aufzubringen, so dass die Packungsdichte an
Bauelementen erhöht werden kann. In einer Ausführungsform ist der Anschlusskontakt in Form eines Buckels („Bump") oder einer Säule („Pillar")
ausgebildet. In diesem Fall steht der Anschlusskontakt vom Grundkörper ab. Auf den Anschlusskontakt kann ein Bauelement in einem Abstand von der Oberfläche des Grundkörpers gesetzt werden. Insbesondere sind bei einer buckel- oder
säulenartigen Ausgestaltung des Anschlusskontakts keine
Lotkugeln zur Befestigung des Bauelements erforderlich. Eine derartige Ausgestaltung des Anschlusskontakts erlaubt eine weitere Erhöhung der Packungsdichte der Bauelemente.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Mehrschichtsubstrat angeben, wobei das
Mehrschichtsubstrat einen Grundkörper mit mehreren
keramischen Schichten aufweist. Das Mehrschichtsubstrat weist eine Durchkontaktierung und eine damit verbundene
Weiterkontaktierung auf, wobei die Durchkontaktierung durch wenigstens eine der Schichten führt, und die
Weiterkontaktierung im Inneren des Grundkörpers angeordnet ist. Die Weiterkontaktierung weist ein anderes Material als die Durchkontaktierung auf und/oder ist mit einem anderen Herstellungsverfahren als die Durchkontaktierung erzeugt. Beispielsweise weist die Weiterkontaktierung Silber und die Durchkontaktierung Kupfer auf. Beispielsweise wird die
Weiterkontaktierung durch eine eingebrannte Paste gebildet. Die Durchkontaktierung wird beispielsweise erst nach dem Sintern des Grundkörpers, insbesondere durch Abscheidens eines Metalls aus einer Lösung, erzeugt.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Mehrschichtsubstrat angegeben. Das Mehrschichtsubstrat weist einen Grundkörper mit mehreren keramischen Schichten auf, wobei der Grundkörper in HTCC-Technologie hergestellt ist und eine elektrische Kontaktierung aufweist, die durch wenigstens eine der Schichten führt, wobei die
Durchkontaktierung Kupfer enthält. Die Durchkontaktierung wird beispielsweise durch Abscheiden eines Metalls aus einer Lösung nach dem Sintern des Grundkörpers eingebracht.
Üblicherweise werden bei der HTCC-Technologie als Materialien für eine Durchkontaktierung Wolfram oder Molybdän verwendet. Eine Durchkontaktierung aus Kupfer ermöglicht unter anderem eine Kostenersparnis sowie eine bessere thermische und elektrische Leitfähigkeit.
In der vorliegenden Offenbarung sind mehrere Aspekte einer Erfindung beschrieben. Alle Eigenschaften, die in Bezug auf das Verfahren oder eines der Mehrschichtsubstrate offenbart sind, sind auch entsprechend in Bezug auf die jeweiligen anderen Aspekte offenbart und umgekehrt, auch wenn die jeweilige Eigenschaft nicht explizit im Kontext des
jeweiligen Aspekts erwähnt wird. Im Folgenden werden die hier beschriebenen Gegenstände anhand von schematischen und nicht maßstabsgetreuen Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 in einem Querschnitten eine Ausführungsform eines
Mehrschichtsubstrats , Figur 2A in einem Querschnitten eine weitere Ausführungsform eines Mehrschichtsubstrats,
Figur 2B in einem Querschnitten eine weitere Ausführungsform eines Mehrschichtsubstrats,
Figuren 3A bis 3D Verfahrensschritte in einem Verfahren zur
Herstellung eines Mehrschichtsubstrats,
Figuren 4 bis 7 in Querschnitten weiter Ausführungsformen von
Mehrschichtsubstraten.
Vorzugsweise verweisen in den folgenden Figuren gleiche
Bezugszeichen auf funktionell oder strukturell entsprechende Teile der verschiedenen Ausführungsformen.
Figur 1 zeigt in einem Querschnitt ein Mehrschichtsubstrat 1 mit einem Grundkörper 26, der mehrere, übereinander
angeordnete, keramische Schichten 2 aufweist. Das
Mehrschichtsubstrat 1 weist eine elektrische Kontaktierung 3 auf, die eine Durchkontaktierung 4 und einen Anschlusskontakt 5 aufweist. Der Anschlusskontakt 5 ist als Anschlussfläche ausgebildet. Die elektrische Kontaktierung 3 ist insbesondere zur Kontaktierung eines Bauelements, beispielsweise eines Chips (nicht abgebildet) , ausgebildet, das auf dem Mehrschichtsubstrat angeordnet wird. Beispielsweise handelt es sich bei dem Bauelement um eine LED, einen Sensor, einen SAW-Filter oder um einen Fluidik-Reaktor . Insbesondere kann es sich um ein elektrisches Bauelement handeln. Das
Mehrschichtsubstrat dient beispielsweise als Träger für das Bauelement und/oder als Verkapselung, insbesondere in Form eines sogenannten Packages. Beispielsweise wird das
Bauelement durch einen Bonddraht mit dem Anschlusskontakt 5 verbunden. Das Bauelement, kann auch durch Lotkugeln („solder balls") mit dem Anschlusskontakt 5 verbunden werden.
Der Anschlusskontakt 5 kann aber auch als mechanischer und/oder elektrischer Anschluss eines Deckels oder eines weiteren Substrats, beispielsweise zur Ausbildung eines
Package-On-Package Systems, dienen. Beispielsweise wird die weitere Komponente auf den Anschlusskontakt 5 aufgelötet oder aufgeklebt . Die Durchkontaktierung 4 führt von einer Außenseite 6 des
Mehrschichtsubstrats 1 durch eine äußerste keramische Schicht 7, beispielsweise die oberste Schicht des Schichtstapels, hindurch. Insbesondere verläuft die Durchkontaktierung 4 vom Anschlusskontakt 5 ins Innere des Substrats 1. Die
Durchkontaktierung 4 ist als sogenannte Blindvia ausgeführt, d.h., sie führt nicht ganz durch das Substrat hindurch. Der Anschlusskontakt 5 ist an der Außenseite 6 des Grundkörpers 26, insbesondere auf einer äußersten Schicht 7, angeordnet. Der Anschlusskontakt 5 ist mit der Durchkontaktierung 4 einteilig ausgebildet. Insbesondere sind die
Durchkontaktierung 4 und der Anschlusskontakt 5 aus dem gleichen Material gebildet und werden im gleichen Verfahren hergestellt. Beispielsweise weisen die Durchkontaktierung 4 und der Anschlusskontakt 5 Kupfer auf und werden durch
Abscheiden eines Metalls aus einer Lösung erzeugt.
Die Durchkontaktierung 4 weist beispielsweise eine Breite von 80 ym auf. Der Anschlusskontakt 5 in Form einer
Anschlussfläche ist wesentlich breiter als die
Durchkontaktierung 4 ausgebildet. Beispielsweise weist die Anschlussfläche eine Breite von 250 ym auf und eine Höhe von 20 ym auf.
Die Figuren 2A und 2B zeigen in jeweils einem Querschnitt ein Mehrschichtsubstrat 1, bei dem der Anschlusskontakt 5 zusätzlich mit einer Deckschicht 8 versehen ist. Die
Deckschicht 8 ist auf eine Grundschicht 9 aufgebracht, die wie der Anschlusskontakt 5 in Figur 1 ausgebildet ist. Durch die Deckschicht 8 erhält der Anschlusskontakt 5 eine
besonders glatte, löt- und bondbare Oberfläche. Die
Deckschicht 8 kann auch einen Schutz vor Korrosion bieten. Die Deckschicht 8 kann mehrschichtig ausgebildet sein.
Beispielsweise weist die Deckschicht 8 eine Nickel- und eine Silberschicht auf, wobei die Nickelschicht als Lötbarriere fungiert. Alternativ weist die Deckschicht 8 beispielsweise eine Nickel- und eine Goldschicht auf. Auf die Nickelschicht kann zusätzlich eine Palladiumschicht aufgebracht sein. Somit ist die Deckschicht 8 beispielsweise mit Ni-Au oder Ni-Pd-Au mehrschichtig aufgebaut.
Bei der Ausführungsform gemäß Figur 2A bedeckt die
Deckschicht 8 nur die Oberseite der Grundschicht 9. Der
Anschlusskontakt 5 weist eine offene Kante 10 auf. In diesem Fall wird die Grundschicht 9 beispielsweise erst nach dem Aufbringen der Deckschicht 8 strukturiert, wie nachfolgend zu den Figuren 3A bis 3D erläutert wird.
Bei der Ausführungsform gemäß Figur 2B bedeckt die
Deckschicht 8 auch die seitlichen Bereiche der Grundschicht 9, so dass die Grundschicht 9 vollständig von der Deckschicht 8 bedeckt ist. In diesem Fall wird die Grundschicht 9 beispielsweise schon vor dem Aufbringen der Deckschicht 8 strukturiert, wie nachfolgend zu den Figuren 3A bis 3D erläutert wird.
In den Figuren 3A bis 3D sind Verfahrensschritte zur
Herstellung eines derartigen Mehrschichtsubstrats gezeigt. Figur 3A zeigt einen Grundkörper 26 für ein Mehrschichtsubstrat. Zur Herstellung des Grundkörpers 26 werden
Grünfolien zur Ausbildung von keramischen Schichten 2
übereinander zu einem Schichtstapel angeordnet und gemeinsam gesintert. Für die Durchkontaktierung 4 ist die Grünfolie, die später die äußerste keramische Schicht 7 bildet, mit einem Loch versehen 27. Beispielsweise wird das Loch
eingestanzt oder mittels eines Lasers eingebracht.
Die Grünfolien enthalten beispielsweise ein Keramikpulver, ein Bindemittel und einen Glasanteil als Sinterhilfsmittel. Beispielsweise wird als Keramikpulver Aluminiumoxid
verwendet. In einer Ausführungsform wird die LTCC(low
temperature cofired ceramics ) -Technologie angewendet. Dabei wird beispielsweise bei einer Temperatur von um die 900 °C gesintert. Alternativ wird die HTCC (high temperature cofired ceramics ) -Technologie angewendet. In diesem Fall wird bei sehr hoher Temperatur, beispielsweise im Bereich von 1600 °C gesintert. Hier enthalten die Grünfolien beispielsweise keinen Glasanteil.
Nach dem Sintern des Schichtstapels wird die Oberfläche der Keramik vorbehandelt, so dass eine Abscheidung eines Metalls zur Ausbildung der elektrischen Kontaktierung erleichtert oder erst ermöglicht wird.
Figur 3B zeigt schematisch den Schritt zur Vorbehandlung der Oberfläche. Insbesondere wird eine Keimschicht innerhalb des Lochs 27 und an der Außenseite des Grundkörpers 26 erzeugt. Die Keimschicht ist beispielsweise 100 nm - 500 nm dick.
In einer Ausführungsform wird die Oberfläche innerhalb des Lochs 27 und an der Außenseite 6 des Grundkörpers 26 chemisch aktiviert. Bei der Aktivierung wird die Oberfläche
beispielsweise mit einer palladiumhaltigen Lösung, zum
Beispiel einer Palladiumchlorid-Lösung behandelt. Dabei scheiden sich Palladium-Atome auf der Oberfläche ab, die die weitere Metallisierung katalysieren. Alternativ dazu kann die Keimschicht auch durch Sputtern oder mittels eines PVD- Verfahrens (Physical Vapor Deposition) aufgebracht werden. Die Keimschicht weist beispielsweise Titan, Kupfer und/oder Chrom auf.
Nachfolgend wird auf der aktivierten Fläche eine
Metallisierung 28 durch Abscheiden eines Metalls aus einer Lösung erzeugt. Figur 3C zeigt das Mehrschichtsubstrat 1, bei dem im Loch 27 und auf der Außenseite 6 eine Metallisierung 28 abgeschieden ist. Das Loch 27 ist vollständig mit dem Metall gefüllt.
Beispielsweise wird Kupfer abgeschieden. Dies kann in zwei Stufen erfolgen, wobei zunächst eine relative dünne
Kupferschicht stromlos abgeschieden wird und anschließend galvanisch verstärkt wird. Nachfolgend wird die Metallisierung 28 zur Ausbildung des Anschlusskontakts 5 strukturiert. Dazu wird beispielsweise eine Photolackmaske auf die Metallisierung 28 an der
Außenseite 6 des Schichtstapels aufgebracht, entsprechend einem gewünschten Muster belichtet und entwickelt. Es sind nun die nicht für den Anschlusskontakt 5 vorgesehenen
Bereiche von der Photolackmaske unbedeckt. Anschließend werden die unbedeckten Bereiche geäzt. Beispielsweise wird als Ätzmittel eine Eisen (III) -Ionen-haltige wässrige Lösung verwendet. Anschließend wird die Photolackmaske,
beispielsweise mit einem Lösungsmittel, entfernt.
Figur 3D zeigt das Mehrschichtsubstrat mit dem nun
strukturierten Anschlusskontakt 5 und der Durchkontaktierung 4.
Bei einer Herstellung mit dem beschriebenen Verfahren weisen die Durchkontaktierung 4 und der Anschlusskontakt 5 keine gesinterte Metallpaste auf. Dies ermöglicht eine Erhöhung der Packungsdichte der Bauelemente. Insbesondere kann der
Anschlusskontakt 5 bei dem beschriebenen Verfahren mit einer besseren Auflösung strukturiert werden als dies bei einem Bedrucken mit einer Paste durch Siebdruck möglich ist.
Dadurch können mehrere Anschlusskontakte 5, beispielsweise mit einem Zwischenraum von 30 ym, erzeugt werden. Weiterhin kann ein Anschlusskontakt 5 mit einer besonders ebenen
Oberfläche hergestellt werden, so dass z. B. Lotkugeln direkt oberhalb der Durchkontaktierung 4 angeordnet werden können. Dies ermöglicht ebenfalls eine Erhöhung der Packungsdichte. Zudem gewährleistet eine derartige Kontaktierung 3 eine sehr gute elektrische, thermische, mechanische und Hochfrequenz¬ technische Anbindung des Außenkontakts 5 an das Innenleben des Substrats 1. Weiterhin kann die Anzahl der
Arbeitsschritte reduziert werden, wenn die Durchkontaktierung 4 und der Anschlusskontakt 5 in einem gemeinsamen Verfahren hergestellt werden.
Weiterhin können die äußersten Schichten 7, 16 des
Grundkörpers 26 sehr dünn ausgebildet sein, da diese
Schichten 7, 16 im grünen Zustand nicht mehr eine für das Auf- bzw. Einbringen einer Paste erforderliche mechanische Stabilität aufweisen müssen. In einer Ausführungsform schließt sich an die Durchkontaktierung 4 im Inneren des Substrats eine Weiter- kontaktierung an, die eine gesinterte Paste aufweist. In diesem Fall wird auf einer Grünfolie oder innerhalb eines Lochs in einer Grünfolie eine Paste aufgebracht, die dann mit dem Schichtstapel eingebrannt wird. Insbesondere handelt es sich um eine Dickschichtpaste.
Gemäß einer Variante zur Herstellung des Anschlusskontakts 5 wird nach der Aktivierung zunächst, wie oben beschrieben, eine Metallisierung 28 erzeugt. Auf die Metallisierung 28 wird eine Photolackschicht aufgebracht, belichtet und
entwickelt, wobei die für den Anschlusskontakt 5 vorgesehenen Bereiche frei bleiben. In diesen nicht bedeckten Bereichen wird auf die Metallisierung 28 nun unter Anschluss einer Stromquelle oder mit einem stromlosen Verfahren eine
Deckschicht 8 (siehe Figur 2A) aufgebracht. Anschließend wird die Photolackmaske entfernt und ein
Ätzschritt durchgeführt, bis die Metallisierung 28 an den vorher von der Photolackmaske bedeckten Bereichen bis auf das Substrat entfernt ist. Nach dem Ätzen der Photolackmaske erhält man beispielsweise eine offene sandwichartige Cu-Ni- Ag-Kante 10, wie in Figur 2A zu sehen ist.
Gemäß einer alternativen Variante wird die Deckschicht erst nach dem Strukturieren der Grundmetallisierung aufgebracht. Beispielsweise wird die Deckschicht in einem chemischen
Verfahren stromlos auf der Grundschicht 9 abgeschieden. In diesem Fall bedeckt die Deckschicht 8 auch die seitlichen Bereiche der Grundschicht 9, wie in Figur 2B zu sehen ist.
Gemäß einer alternativen Variante kann die Strukturierung der Grundmetallisierung statt in dem oben beschriebenen
subtraktiven Verfahren auch in einem additiven Verfahren erfolgen. Dazu wird beispielsweise nach der Aktivierung der Oberfläche eine Photolackmaske aufgebracht. Die
Photolackmaske wird an den für den Anschlusskontakt
vorgesehenen Stellen belichtet. Die Lackschicht wird an den belichteten Stellen entfernt, so dass wenigstens eine
Aussparung gebildet wird. In die Aussparung wird die
Metallisierung für den Anschlusskontakt galvanisch
eingebracht. Anschließend werden die restlichen Bereiche der Photolackmaske entfernt.
Figur 4 zeigt ein Mehrschichtsubstrat 1, das zwei durch
Abscheidung erzeugte Durchkontaktierungen 4 und
Anschlusskontakte 5 aufweist. Die zwei Durchkontaktierungen 4 weisen beispielsweise einen Abstand von 400 ym bis 500 ym auf. Es können aber auch kleinere Abstände, beispielsweise im Bereich von 100 ym erzeugt werden. Die Durchkontaktierungen 4 sind im Inneren des Substrats 1 jeweils mit einer Weiterkontaktierung 11 verbunden. Die
Weiterkontaktierungen 11 weisen jeweils eine weitere
Durchkontaktierung 12 auf, die die durch Abscheidung erzeugte Durchkontaktierung 4 ins Innere des Substrats 1 hinein fortführt. Die weitere Durchkontaktierung 12 führt durch zwei weitere keramische Schichten 2 hindurch.
Die weitere Durchkontaktierung 12 ist aus einer eingebrannten Paste gebildet. Dazu werden in die Grünfolien für die
keramischen Schichten 2, die mit der weiteren Durchkontaktierung 12 versehen werden sollen, Löcher eingebracht und mit einer Paste gefüllt. Die Paste wird gemeinsam mit den Grünfolien gesintert. Beispielsweise weist die weitere
Durchkontaktierung 12 Silber auf. Die Durchkontaktierung 12 kann auch Kupfer aufweisen. Insbesondere bei Verwendung einer HTCC-Technologie eignen sich als Materialien auch Wolfram oder Molybdän. Zusätzlich sind zwischen keramischen Schichten 2 mehrere metallische Innenlagen 13 vorgesehen, wobei eine der
Innenlagen 13 mit den weiteren Durchkontaktierungen 12 elektrisch verbunden ist. Durch die Innenlagen 13 werden beispielsweise passive Komponenten und Verschaltungs- strukturen realisiert. Auch die Innenlagen 13 werden durch eine eingebrannte Paste gebildet. Dazu werden die Grünfolien mit der Paste bedruckt, laminiert und gesintert.
Figur 5 zeigt eine weitere Ausführungsform eines
Mehrschichtsubstrats 1. Hier sind sowohl an einer Unterseite 15 als auch an einer Oberseite 14 durch Abscheidung erzeugte elektrische Kontaktierungen 3, 17 vorgesehen. Die
Kontaktierungen 3, 17 weisen jeweils Durchkontaktierungen 4, 18 auf. Die Durchkontaktierungen 4, 18 führen jeweils nur durch die äußerste Schicht 7, 16 des Substrats 1 hindurch.
Die Kontaktierung 3 an der Unterseite 15 weist eine durch Abscheidung erzeugte Durchkontaktierung 4 auf, die direkt mit einer Innenlage 13 verbunden ist. Die Innenlage 13 ist von einer eingebrannten Paste gebildet.
Die Kontaktierung 17 an der Oberseite 14 weist eine durch Abscheidung erzeugte Durchkontaktierung 18 auf, die mit einer weiteren Durchkontaktierung 12 verbunden ist. Die weitere Durchkontaktierung 12 ist von einer eingebrannten Paste gebildet und führt durch mehrere keramische Schichten 2 ins Innere des Substrats 1.
Die Kontaktierung 17 an der Oberseite 14 weist einen
Anschlusskontakt 19 in Form eines Bumps auf. Der
Anschlusskontakt 19 ist wie die in den vorhergehenden Figuren gezeigte Anschlussfläche zur Kontaktierung eines Bauelements ausgebildet .
Der Bump ist mit der Durchkontaktierung 18 einteilig
ausgebildet und durch Abscheiden eines Metalls aus einer Lösung erzeugt. Beispielsweise handelt es sich um einen Cu- Bump. Der Anschlusskontakt 19 kann mit einer Beschichtung, beispielsweise einer Zinn-Beschichtung, versehen sein, wodurch Cu-Sn-Diffusionsbonden ermöglicht wird. Es ist aber auch Cu-Cu-Bonden möglich. Figur 6 zeigt eine weitere Ausführungsform für ein
Mehrschichtsubstrat 1. Die einzelnen keramischen Schichten sind aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht eingezeichnet. Es sind mehrere durch Abscheidung erzeugte Durchkontaktierungen 4, 20, 21 ausgebildet. Eine Durchkontaktierung 4 führt nur durch die äußerste Schicht 7 hindurch und ist mit einer durch eine eingebrannte Paste gebildeten Weiterkontaktierung 11 verbunden.
Zwei Durchkontaktierungen 20, 21 führen durch mehrere
Schichten 2 des Substrats hindurch. Eine Durchkontaktierung 21 ist nicht mit einer Weiterkontaktierung verbunden. Die andere Durchkontaktierung 20 ist mit einer
Weiterkontaktierung 11 aufweisend eine Innenlage 13 und eine weitere Durchkontaktierung 12 verbunden. Die Innenlage 13 und die weitere Durchkontaktierung 12 sind durch eingebrannte Pasten gebildet. In einer weiteren Ausführungsform führt eine durch
Abscheidung erzeugte Durchkontaktierung ganz durch das
Mehrschichtsubstrat hindurch.
Figur 7 zeigt eine weitere Ausführungsform eines
Mehrschichtsubstrats 1, bei dem die Anschlusskontakte 22 säulenförmig ausgebildet sind. Es handelt sich um sogenannte Pillars, die insbesondere bei Leistungsverstärkern eingesetzt werden. Auf dem Mehrschichtsubstrat 1 ist ein Bauelement 23 befestigt .
Die Anschlusskontakte 22 sind durch Abscheidung eines Metalls aus einer Lösung erzeugt und mit Durchkontaktierungen 4 verbunden. Beispielsweise können die Anschlusskontakte 22 gemeinsam mit den Durchkontaktierungen 4 erzeugt werden. Auf den Anschlusskontakten 22 ist eine Lotschicht 24 zur
Befestigung eines Bauelements 23, insbesondere eine
Zinnschicht, aufgebracht. Alternativ kann auch Cu-Cu Bonden zum Einsatz kommen. Das Bauelement 23 weist ebenfalls säulenförmige Anschlusskontakte 25 auf, die auf die Anschlusskontakte 22 des Substrats 1 aufgesetzt und mit diesen durch die Lotschicht 24 verbunden sind.
Bezugs zeichenliste
1 Mehrschichtsubstrat
2 keramische Schicht
3 elektrische Kontaktierung
4 Durchkontaktierung
5 Anschlusskontakt
6 Außenseite
7 äußerste Schicht
8 Deckschicht
9 Grundschicht
10 Kante
11 Weiterkontaktierung
12 weitere Durchkontaktierung
13 Innenlage
14 Oberseite
15 Unterseite
16 äußerste Schicht
17 elektrische Kontaktierung
18 Durchkontaktierung
19 Anschlusskontakt
20 Durchkontaktierung
21 Durchkontaktierung
22 Anschlusskontakt
23 Bauelement
24 Lotschicht
25 Anschlusskontakt des Bauelements 26 Grundkörper
27 Loch
28 Metallisierung

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtsubstrats,
A) Bereitstellen eines Grundkörpers (26) aufweisend mehrere keramische Schichten (2), wobei wenigstens eine Schicht (2) ein Loch (27) aufweist,
B) Befüllen des Lochs (27) mit einem Metall durch Abscheiden des Metalls aus einer Lösung zur Ausbildung einer
Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21).
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Metall Kupfer
enthält .
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei das Loch (27) durch mehrere keramische Schichten (2)
hindurchführt .
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei das Mehrschichtsubstrat (1) im Inneren des Grundkörpers (26) eine Weiterkontaktierung (11) aufweist, die mit der
Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) verbunden ist, wobei sich die Weiterkontaktierung (11) im Material und/oder dem
Herstellungsverfahren von der Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) unterscheidet.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
bei dem die Weiterkontaktierung (11) Silber, Wolfram,
Molybdän und/oder Kupfer aufweist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5,
bei dem die Weiterkontaktierung (11) eine eingebrannte Paste aufweist .
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6,
bei dem die Weiterkontaktierung (11) eine Innenlage (13) aufweist, die auf einer keramischen Schicht (2) im Inneren des Grundkörpers (26) angeordnet ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7,
bei dem die Weiterkontaktierung (11) eine weitere Durch- kontaktierung (12) aufweist, die durch wenigstens eine weitere keramische Schicht (2) führt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
wobei beim Abscheiden des Metalls ein Anschlusskontakt (5, 19, 22) zum Anschließen eines Bauelements (23) auf einer Außenseite (6, 14, 15) des Grundkörpers erzeugt wird.
10. Mehrschichtsubstrat, aufweisend einen Grundkörper (26) mit mehreren keramischen Schichten (2), wobei wenigstens eine der Schichten (2) eine Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) aufweist, die ein Metall enthält, das durch Abscheiden aus einer Lösung eingebracht ist.
11. Mehrschichtsubstrat, aufweisend einen Grundkörper (26) mit mehreren keramischen Schichten (2), wobei das
Mehrschichtsubstrat eine Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) und eine damit verbundene Weiterkontaktierung (11) aufweist, wobei die Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) durch wenigstens eine der Schichten (2) führt, und die Weiterkontaktierung ( 11 ) im Inneren des Grundkörpers (26) angeordnet ist und wobei die Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) ein anderes Material als die Weiterkontaktierung (11) aufweist und/oder mit einem anderen Herstellungsverfahren erzeugt ist.
12. Mehrschichtsubstrat nach Anspruch 11,
wobei die Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) Kupfer aufweist und die Weiterkontaktierung Silber, Wolfram, Molybdän
und/oder Kupfer aufweist.
13. Mehrschichtsubstrat, aufweisend einen Grundkörper (26) mit mehreren keramischen Schichten (2), wobei der Grundkörper (26) in HTCC-Technologie hergestellt ist und eine
Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) aufweist, die durch wenigstens eine der Schichten führt, wobei die
Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) Kupfer enthält.
14. Mehrschichtsubstrat nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei die Weiterkontaktierung (11) eine weitere
Durchkontaktierung (18) wenigstens einer keramischen Schicht aufweist .
15. Mehrschichtsubstrat nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei die Weiterkontaktierung (11) eine Innenlage (13) im Inneren des Grundkörpers (26) aufweist, die auf einer
keramischen Schicht (2) angeordnet ist.
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