WO2016018082A1 - 수직 다층 에미터 구조를 갖는 태양전지 및 그 태양전지의 제조방법 - Google Patents

수직 다층 에미터 구조를 갖는 태양전지 및 그 태양전지의 제조방법 Download PDF

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안홍길
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주식회사 케이피이
안홍길
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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a solar cell having a vertical multilayer emitter structure and a method of manufacturing the solar cell.
  • a typical solar cell has a p-type silicon wafer 100 and an n-type emitter 101 formed by diffusion of a dopant to be n-type on one surface thereof.
  • An anti-reflection film 102 is formed on the n-type emitter 101, an n-type electrode 105 is provided on the anti-reflection film 102, and a p-type electrode 103 is formed on the other surface of the silicon wafer 100.
  • the amount of electrons generated is limited in proportion to the area of the wafer 100 in the P-N junction surface.
  • An object of the present invention is to provide a solar cell and a method for manufacturing the solar cell having a relatively simple structure and a high power generation efficiency at a relatively low process cost.
  • Solar cell according to the present invention is a plate-like wafer. And an emitter having a vertical emitter portion extending laterally from the plate surface on one side of the wafer and at least one horizontal emitter portion extending parallel to the plate surface from the vertical emitter portion. Accordingly, in the solar cell according to the present invention, upper and lower surfaces of the horizontal emitter portion may be bonded to the wafer to form a wide bonding surface.
  • the emitter is connected to the vertical emitter portion and has a surface horizontal emitter portion extending along the plate surface to generate relatively more electrons and facilitate the bonding of the electrodes.
  • the surface horizontal emitter portion may be connected to a vertical emitter portion of another adjacent emitter to efficiently prepare a movement path of electrons.
  • the emitter is n-type, and the remaining portion of the wafer except for the emitter is preferably p-type.
  • the n-type electrode attached to the surface horizontal emitter portion and the p-type electrode attached to the other surface of the wafer further preferably.
  • a solar cell manufacturing method includes the steps of forming an n-type base emitter on a plate-shaped p-type wafer with a predetermined foundation width and foundation depth; Forming a p-type transition with a predetermined partial width and partial depth corresponding to a portion of the foundation width and the foundation depth of the n-type base emitter; Forming an n-type surface horizontal emitter on a top surface of the p-type wafer by diffusing phosphoryl chloride (POCl 3 ) gas at a high temperature; And installing an electrode on each of the n-type surface horizontal emitter and the p-type wafer.
  • POCl 3 phosphoryl chloride
  • the depth of the n-type base emitter is 0.5 micrometer or more and the depth of the p-type converting portion is less than 0.5 micrometer.
  • the depth of the n-type surface horizontal emitter portion is preferably 0.3 micrometer or less.
  • the solar cell and the solar cell manufacturing method according to the present invention can achieve a relatively high power generation efficiency with a relatively simple structure by connecting the horizontal emitter unit vertically.
  • 1 is an exemplary view showing a general solar cell
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of a solar cell according to the present invention.
  • FIG. 3 (A) to (D) is a process explanatory diagram showing a manufacturing process of a solar cell according to the present invention
  • FIG. 4 (A) to (F) is a process explanatory diagram showing a manufacturing process of a solar cell according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of a solar cell according to the present invention.
  • the solar cell according to the present invention is parallel to the plate surface from the vertical emitter portion 27 and the vertical emitter portion 27 extending laterally from the plate surface on one side of the wafer 10 to the plate surface. It will have an emitter 25 having a horizontal emitter portion 26 extended to be.
  • the emitter 25 has a surface horizontal emitter portion 40 which is connected to the vertical emitter portion 27 and extends along the plate surface of the wafer 10, and the surface horizontal emitter portion 40 is adjacent to another vertical. It is connected to the emitter portion 27.
  • the n-type electrode 51 is provided in the surface horizontal emitter part 40, and the p-type electrode 52 is provided in the other surface of the wafer 10.
  • the solar cell according to the present invention is formed with the horizontal emitter portion 26 embedded in the wafer 10 so that the upper and lower surfaces of the horizontal emitter portion 26 are bonded to the wafer 10. . Accordingly, the amount of electrons generated in the wafer 10 due to light may be increased. The generated electrons are moved to the n-type electrode 51 along the vertical emitter portion 27, and the holes are moved to the p-type electrode 52.
  • FIG. 3 (A) to (D) is a manufacturing process chart for manufacturing a solar cell according to the present invention.
  • a patterned mask is first placed on a plate-shaped p-type silicon wafer 10 and then phosphorus (P) is formed at a predetermined foundation width and foundation depth.
  • P phosphorus
  • the base depth of the n-type base emitter 20 is set to be 0.5 micrometer or more from the top surface of the wafer 10.
  • the wafer 10 uses a surface subjected to a texturing process in order to increase the light absorption rate.
  • the patterned mask is placed on the n-type base emitter 20, and the base width of the n-type base emitter 20 is ion-implanted by boron B.
  • the p-type switching part 30 is formed to a predetermined part width and part depth corresponding to a part of the foundation depth.
  • the p-type conversion unit 30 is to be less than 0.5 micrometers in depth, and to be formed in the outer region except the center of the n-type basic emitter 20.
  • the n-type surface horizontal emitter portion 40 is supplied by supplying phosphoryl chloride (POCL 3 ) gas while applying a high temperature heat in a tube furnace to the upper surface of the wafer 10. ).
  • the depth of the n-type surface horizontal emitter portion 40 is 0.3 micrometer or less.
  • the n-type base emitter 20 and the p-type conversion part 30 are heat treated and stabilized when phosphoryl chloride (POCL 3 ) gas is supplied at a high temperature.
  • an n-type electrode 51 and a p-type electrode 52 are provided on each of the n-type surface horizontal emitter portion 40 and the other surfaces of the wafer 10. do.
  • the emitter 25 includes an n-type horizontal emitter portion 26 and an n-type horizontal horizontal emitter portion 40 extending parallel to the plate surface of the wafer 10, and a wafer. It has an n-type vertical emitter portion 27 extending horizontally from the plate surface of one side of the (10) to interconnect the n-type horizontal emitter portion 26 and the n-type surface horizontal emitter portion 40.
  • FIG. 4A is a manufacturing process chart for manufacturing a solar cell according to another embodiment of the present invention.
  • a method of manufacturing a solar cell according to another embodiment of the present invention first places a patterned mask on a plate-shaped p-type silicon wafer 10a, and then a predetermined primary base width and Phosphorus (P) is ion implanted to the primary foundation depth to form a plurality of primary n-type foundation emitters 21a.
  • the wafer 10a uses a surface that has undergone a texturing process to increase light absorption.
  • the patterned mask is placed on the primary n-type basic emitter 21a, and the boron B is ion-implanted to form the primary n-type basic emitter 21a.
  • the primary p-type switching portion 31a is formed to have a predetermined primary portion width and a primary portion depth corresponding to a portion of the primary foundation width and the primary foundation depth of.
  • the primary p-type switching unit 31a is formed in the outer region except for the center of the primary n-type base emitter 21a.
  • phosphorus (P) is ion-implanted in a region corresponding to the primary n-type basic emitter 21a at a predetermined secondary foundation width and the secondary foundation depth, thereby performing secondary injection.
  • An n-type base emitter 22a is formed.
  • the secondary n-type base emitter 22a has a depth lower than that of the primary p-type switching section 31a.
  • the patterned mask is placed on the secondary n-type base emitter 22a, and the boron B is ion-implanted to form the secondary n-type base emitter 22a.
  • the secondary p-type switching portion 32a is formed to have a predetermined secondary portion width and a secondary portion depth corresponding to a portion of the secondary foundation width and the secondary foundation depth of.
  • the secondary p-type switching unit 32a is formed in the outer region except for the center of the secondary n-type basic emitter 22a.
  • the n-type surface horizontal emitter portion 40a is supplied by supplying phosphoryl chloride (POCL 3 ) gas to the upper surface of the wafer 10a by applying a high temperature heat in a tube furnace. ).
  • the primary and secondary n-type basic emitters 21a and 22a and the primary and secondary p-type conversion parts 31a and 32a are heat-treated when the phosphoryl chloride (POCL 3 ) gas is supplied at a high temperature. Stabilizes.
  • n-type electrodes 51a and p-type electrodes 52a are provided on the n-type surface horizontal emitter portion 40a and the other surfaces of the wafer 10a, respectively. do.
  • the solar cell manufactured according to this manufacturing process includes a vertical emitter portion 27a and a vertical emitter portion (a) extending horizontally from one side plate surface of the wafer 10a to the plate surface.
  • 27a) has an emitter 25a having a plurality of horizontal emitter portions 26a extending in parallel to the plate surface.
  • the emitter 25a has an n-type surface horizontal emitter portion 40a which is connected to the vertical emitter portion 27a and extends along the plate surface of the wafer 10a, and the n-type surface horizontal emitter portion 40a. Is connected to another adjacent vertical emitter portion 27a.
  • the n-type electrode 51a is provided on the n-type surface horizontal emitter portion 40a, and the p-type electrode 52a is provided on the other surface of the wafer 10a.
  • the solar cell according to the present invention has a plurality of n-type horizontal emitter portions 26a and n-type surface horizontal emitter portions 40a interconnected by vertical emitter portions 27a.
  • the horizontal emitter portion 26a has upper and lower surfaces bonded to the wafer 10a, thereby increasing the amount of electrons generated inside the wafer 10a by light.
  • the generated electrons are moved to the n-type electrode 51a along the vertical emitter portion 27a, and the holes are moved to the p-type electrode 52a.
  • n-type and p-type according to the present invention may be provided opposite to each other.

Abstract

본 발명은 수직 다층 에미터 구조를 갖는 태양전지 및 그 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 비교적 간단한 구조이며 비교적 저렴한 공정비용으로 발전효율이 높은 태양전지 및 태양전지의 제조방법을 제공하는 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 태양전지는 판상의 웨이퍼와; 상기 웨이퍼의 일측 판면으로부터 판면에 가로방향으로 연장된 수직에미터부와 상기 수직에미터부로부터 판면에 평행하게 연장된 적어도 하나의 수평에미터부를 갖는 에미터를 포함한다. 본 발명에 따른 태양전지 제조방법은 판상의 p형 웨이퍼의 상부에 소정 기초 폭 및 기초 깊이로 n형 기초 에미터를 형성하는 단계와; 상기 n형 기초 에미터의 기초 폭 및 기초 깊이의 일부에 해당하는 소정 부분 폭 및 부분 깊이로 p형 전환부를 형성하는 단계와; 상기 p형 웨이퍼의 상면에 염화포스포릴(POCl3) 가스를 고온 상태에서 확산하여 n형 표면수평에미터부를 형성하는 단계와; 상기 n형 표면수평에미터부와 상기 p형 웨이퍼 각각에 전극을 설치하는 단계를 포함한다.

Description

수직 다층 에미터 구조를 갖는 태양전지 및 그 태양전지의 제조방법
본 발명은 수직 다층 에미터 구조를 갖는 태양전지 및 그 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
일반적인 태양전지는 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, p형 실리콘 웨이퍼(100)와, 그 일면에 n형이 되는 도펀트의 확산에 의해 형성된 n형 에미터(101)를 갖는다. 그리고 n형 에미터(101) 상에는 반사방지막(102)이 형성되고, 반사방지막(102) 상에는 n형 전극(105)이 설치되며, 실리콘 웨이퍼(100)의 타측 표면에는 p형 전극(103)이 설치되는 구조를 갖는다. 한편, 태양전지는 빛을 수령하면 P-N 접합면에서 전자가 발생된다.
그러나 이러한 일반적인 태양전지는 P-N 접합면이 웨이퍼(100) 면적에 비례하여 전자의 발생량이 제한적이었다.
이러한 한계를 극복하기 위해, 미국 특허등록번호 US8344242(발명의 명칭: MULTI JUNCTION SOLAR CELLS)와 같이, GaAs를 바탕으로 다양한 파장의 밴드갭을 갖는 물질을 적층하는 구조가 개시된 바 있으나, 이러한 태양전지는 실리콘 웨이퍼로 제조하기에 적합하지 않고, 고가의 공정비용이 수반되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 비교적 간단한 구조이며 비교적 저렴한 공정비용으로 발전효율이 높은 태양전지 및 태양전지의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 태양전지는 판상의 웨이퍼와. 상기 웨이퍼의 일측 판면으로부터 판면에 가로방향으로 연장된 수직에미터부와 상기 수직에미터부로부터 판면에 평행하게 연장된 적어도 하나의 수평에미터부를 갖는 에미터를 포함한다. 이에 따라, 본원발명에 따른 태양전지는 수평에미터부의 상하양면이 웨이퍼와 접합되어 넓은 접합면을 형성할 수 있다.
여기서, 상기 에미터는 상기 수직에미터부에 연결되어 상기 판면을 따라 연장된 표면수평에미터부를 갖는 것이 비교적 더 많은 전자를 발생시킬 수 있고 전극의 접합이 용이하다.
그리고 상기 표면수평에미터부는 인접한 다른 에미터의 수직에미터부와 연결되는 것이 전자의 이동경로를 효율적으로 마련할 수 있다.
또한, 상게 에미터는 n형이며, 상기 에미터를 제외한 상기 웨이퍼의 잔존부분은 p형인 것이 바람직하다.
이때, 상기 표면수평에미터부에 부착되는 복수의 n형 전극과 상기 웨이퍼의 타측 표면에 부착되는 p형 전극을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 태양전지 제조방법은 판상의 p형 웨이퍼의 상부에 소정 기초 폭 및 기초 깊이로 n형 기초 에미터를 형성하는 단계와; 상기 n형 기초 에미터의 기초 폭 및 기초 깊이의 일부에 해당하는 소정 부분 폭 및 부분 깊이로 p형 전환부를 형성하는 단계와; 상기 p형 웨이퍼의 상면에 염화포스포릴(POCl3) 가스를 고온 상태에서 확산하여 n형 표면수평에미터부를 형성하는 단계와; 상기 n형 표면수평에미터부와 상기 p형 웨이퍼 각각에 전극을 설치하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 n형 기초 에미터의 깊이는 0.5마이크로미터 이상이고 상기 p형 전환부의 깊이는 0.5마이크로미터 미만인 것이 바람직하다.
그리고 상기 n형 표면수평에미터부의 깊이는 0.3마이크로미터 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 태양전지 및 태양전지 제조방법은 수평에미터부가 수직으로 연결되어 비교적 간단한 구조로써 비교적 높은 발전효율을 이룰 수 있다.
도 1은 일반적인 태양전지를 나타낸 예시도이고,
도 2는 본 발명에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 단면도이고,
도 3 (A) 내지 (D)는 본 발명에 따른 태양전지의 제조과정을 나타낸 공정 설명도이며,
도 4 (A) 내지 (F)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 제조과정을 나타낸 공정 설명도이다.
도 2는 본 발명에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 태양전지는 웨이퍼(10)의 일측 판면으로부터 판면에 가로방향으로 연장된 수직에미터부(27)와 수직에미터부로(27)부터 판면에 평행하게 연장된 수평에미터부(26)를 갖는 에미터(25)를 갖게 된다.
그리고 에미터(25)는 수직에미터부(27)에 연결되어 웨이퍼(10)의 판면을 따라 연장되는 표면수평에미터부(40)를 가지며, 표면수평에미터부(40)는 인접한 다른 수직에미터부(27)와 연결된다. 표면수평에미터부(40)에는 n형 전극(51)이 설치되고, 웨이퍼(10)의 타측 표면에는 p형 전극(52)이 설치된다.
이러한 구조에 의해, 본 발명에 따른 태양전지는 수평에미터부(26)가 웨이퍼(10) 내부에 임베디드된 상태로 형성되어 수평에미터부(26)의 상하양면이 웨이퍼(10)와 접합된다. 이에 따라 빛에 의해 웨이퍼(10) 내부에서 발생되는 전자의 양을 증가시킬 수 있다. 발생된 전자는 수직에미터부(27)를 따라 n형 전극(51)으로 이동되고, 정공은 p형 전극(52)으로 이동된다.
도 3 (A) 내지 (D)는 본 발명에 따른 태양전지를 제조하는 제조 공정도이다. 도 3 (A)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 먼저 판상의 p형 실리콘 웨이퍼(10) 상에 패터닝된 마스크를 올려놓은 후 소정 기초 폭 및 기초 깊이로 인(P)을 이온 주입하여 복수의 n형 기초 에미터(20)를 형성한다. 여기서, n형 기초 에미터(20)의 기초 깊이는 웨이퍼(10)의 상면으로부터 0.5마이크로미터 이상이 되도록 한다. 한편, 웨이퍼(10)는 빛의 흡수율을 높이기 위해 표면이 텍스쳐링 공정을 거친 것을 이용한다.
다음으로, 도 3 (B)에서 볼 수 있는 바와 같이 n형 기초 에미터(20)에 패터닝 된 마스크를 올려놓은 후 보론(B)을 이온 주입하여 n형 기초 에미터(20)의 기초 폭 및 기초 깊이의 일부에 해당하는 소정 부분 폭 및 부분 깊이로 p형 전환부(30)를 형성한다. 여기서, p형 전환부(30)는 그 깊이가 0.5마이크로미터 미만이 되도록 하며, n형 기초 에미터(20)의 중심부를 제외한 외곽영역에 형성되도록 한다.
다음으로, 도 3 (C)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)의 상면에 튜브 퍼니스에서 고온의 열을 가하면서 염화포스포릴(POCL3) 가스를 공급하여 n형 표면수평에미터부(40)를 형성한다. 여기서, n형 표면수평에미터부(40)의 깊이는 0.3마이크로미터 이하가 되도록 한다. n형 기초 에미터(20)와 p형 전환부(30)는 염화포스포릴(POCL3) 가스가 고온으로 공급될 때 열처리되어 안정화된다.
다음으로, 도 3 (D)에서 볼 수 있는 바와 같이, n형 표면수평에미터부(40)와 웨이퍼(10)의 타측 표면 각각에 n형 전극(51)과 p형 전극(52)을 설치한다.
이러한 제조방법에 의해, 본 발명에 따른 에미터(25)는 웨이퍼(10)의 판면에 평행하게 연장되는 n형 수평에미터부(26) 및 n형 표면수평에미터부(40)와, 웨이퍼(10)의 일측 판면으로부터 판면에 가로방향으로 연장되어 n형 수평에미터부(26) 및 n형 표면수평에미터부(40)를 상호 연결하는 n형 수직에미터부(27)를 갖는다.
도 4 (A) 내지 (F)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지를 제조하는 제조 공정도이다. 도 4 (A)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 먼저 판상의 p형 실리콘 웨이퍼(10a) 상에 패터닝된 마스크를 올려놓은 후 소정 1차 기초 폭 및 1차 기초 깊이로 인(P)을 이온 주입하여 복수의 1차 n형 기초 에미터(21a)를 형성한다. 한편, 웨이퍼(10a)는 빛의 흡수율을 높이기 위해 표면이 텍스쳐링 공정을 거친 것을 이용한다.
다음으로, 도 4 (B)에서 볼 수 있는 바와 같이 1차 n형 기초 에미터(21a)에 패터닝 된 마스크를 올려놓은 후 보론(B)을 이온 주입하여 1차 n형 기초 에미터(21a)의 1차 기초 폭 및 1차 기초 깊이의 일부에 해당하는 소정 1차 부분 폭 및 1차 부분 깊이로 1차 p형 전환부(31a)를 형성한다. 여기서, 1차 p형 전환부(31a)는 1차 n형 기초 에미터(21a)의 중심부를 제외한 외곽영역에 형성되도록 한다.
다음으로, 도 4 (C)에 도시된 바와 같이, 1차 n형 기초 에미터(21a)에 해당하는 영역에 소정 2차 기초 폭 및 2차 기초 깊이로 인(P)을 이온 주입하여 2차 n형 기초 에미터(22a)를 형성한다. 여기서, 2차 n형 기초 에미터(22a)는 그 깊이가 1차 p형 전환부(31a)보다 낮도록 한다.
다음으로 도 4 (D)에서 볼 수 있는 바와 같이, 2차 n형 기초 에미터(22a)에 패터닝 된 마스크를 올려놓은 후 보론(B)을 이온 주입하여 2차 n형 기초 에미터(22a)의 2차 기초 폭 및 2차 기초 깊이의 일부에 해당하는 소정 2차 부분 폭 및 2차 부분 깊이로 2차 p형 전환부(32a)를 형성한다. 여기서, 2차 p형 전환부(32a)는 2차 n형 기초 에미터(22a)의 중심부를 제외한 외곽영역에 형성되도록 한다.
다음으로, 도 4 (E)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10a)의 상면에 튜브 퍼니스에서 고온의 열을 가하면서 염화포스포릴(POCL3) 가스를 공급하여 n형 표면수평에미터부(40a)를 형성한다. 이때, 1차 및 2차 n형 기초 에미터(21a, 22a)와, 1차 및 2차 p형 전환부(31a, 32a)는 염화포스포릴(POCL3) 가스가 고온으로 공급될 때 열처리되어 안정화된다.
다음으로, 도 4 (F)에서 볼 수 있는 바와 같이, n형 표면수평에미터부(40a)와 웨이퍼(10a)의 타측 표면 각각에 n형 전극(51a) 및 p형 전극(52a)을 설치한다.
이러한 제조공정에 따라 제조된 태양전지는 도 4 (F)에서 볼 수 있는 바와 같이, 웨이퍼(10a)의 일측 판면으로부터 판면에 가로방향으로 연장된 수직에미터부(27a)와 수직에미터부(27a)로부터 판면에 평행하게 연장된 복수의 수평에미터부(26a)를 갖는 에미터(25a)를 갖게 된다.
그리고 에미터(25a)는 수직에미터부(27a)에 연결되어 웨이퍼(10a)의 판면을 따라 연장되는 n형 표면수평에미터부(40a)를 가지며, n형 표면수평에미터부(40a)는 인접한 다른 수직에미터부(27a)와 연결된다. n형 표면수평에미터부(40a)에는 n형 전극(51a)이 설치되고, 웨이퍼(10a)의 타측 표면에는 p형전극(52a)이 설치된다.
이러한 구조에 의해, 본 발명에 따른 태양전지는 수직에미터부(27a)에 의해 상호 연결된 복수의 n형 수평에미터부(26a) 및 n형 표면수평에미터부(40a)를 갖는다. 여기서, 수평에미터부(26a)는 상하양면이 웨이퍼(10a)와 접합되며, 이에 따라 빛에 의해 웨이퍼(10a) 내부에서 발생되는 전자의 양을 증가시킬 수 있다. 발생된 전자는 수직에미터부(27a)를 따라 n형 전극(51a)으로 이동되고, 정공은 p형 전극(52a)로 이동된다.
본 발명에 따른 n형과 p형은 상호 반대로 마련될 수 있다.

Claims (8)

  1. 태양전지에 있어서,
    판상의 웨이퍼와;
    상기 웨이퍼의 일측 판면으로부터 판면에 가로방향으로 연장된 수직에미터부와 상기 수직에미터부로부터 판면에 평행하게 연장된 적어도 하나의 수평에미터부를 갖는 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에미터는 상기 수직에미터부에 연결되어 상기 판면을 따라 연장된 표면수평에미터부를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 표면수평에미터부는 인접한 다른 에미터의 수직에미터부와 연결되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  4. 제1항에 있어서,
    상게 에미터는 n형이며, 상기 에미터를 제외한 상기 웨이퍼의 잔존부분은 p형인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 표면수평에미터부에 부착되는 복수의 n형 전극과 상기 웨이퍼의 타측 표면에 부착되는 p형 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  6. 태양전지 제조방법에 있어서,
    판상의 p형 웨이퍼의 상부에 소정 기초 폭 및 기초 깊이로 n형 기초 에미터를 형성하는 단계와;
    상기 n형 기초 에미터의 기초 폭 및 기초 깊이의 일부에 해당하는 소정 부분 폭 및 부분 깊이로 p형 전환부를 형성하는 단계와;
    상기 p형 웨이퍼의 상면에 염화포스포릴(POCl3) 가스를 고온 상태에서 확산하여 n형 표면수평에미터부를 형성하는 단계와;
    상기 n형 표면수평에미터부와 상기 p형 웨이퍼 각각에 전극을 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 n형 기초 에미터의 깊이는 0.5마이크로미터 이상이고 상기 p형 전환부의 깊이는 0.5마이크로미터 미만인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 n형 표면수평에미터부의 깊이는 0.3마이크로미터 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
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