WO2016017308A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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    • H03H9/725—Duplexers

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave device in which a protective film is provided on a piezoelectric substrate.
  • Patent Document 1 discloses an acoustic wave device including a piezoelectric substrate, an IDT electrode, and a protective film formed so as to cover the IDT electrode.
  • the protective film can be formed of a dielectric material such as alumina or sapphire.
  • the protective film has a thickness of 0.03 ⁇ to 0.5 ⁇ .
  • heat can be dissipated by forming a protective film made of a dielectric material having high thermal conductivity on the IDT electrode portion.
  • a protective film made of a dielectric material having high thermal conductivity
  • the thickness of the protective film on the IDT electrode is increased, the resonator characteristics may be deteriorated.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device that has high heat dissipation and is unlikely to cause deterioration of electrical characteristics such as resonator characteristics.
  • the acoustic wave device is laminated on the piezoelectric substrate, the first and second bus bars, and the first and second bus bars connected to the first and second bus bars.
  • An IDT electrode having an electrode finger, a mounting electrode electrically connected to the IDT electrode, a protective film formed so as to cover the IDT electrode, and having an insulating property.
  • a thermally conductive material layer formed on at least a part of the region excluding the excitation region and the mounting electrode.
  • the acoustic wave device further includes a wiring electrode provided to connect the first and second bus bars of the IDT electrode and the mounting electrode.
  • the wiring electrode has a laminated structure in which two metal layers are laminated.
  • the thermal conductive material layer is provided so as to be in contact with at least a part of the wiring electrode.
  • the thermally conductive material layer is laminated on the wiring electrode.
  • the thermally conductive material layer is sandwiched between the wiring electrode and the piezoelectric substrate.
  • the thermally conductive material layer is adjacent to the wiring electrode.
  • the thermally conductive material layer is connected to the mounting electrode.
  • the thickness of the thermally conductive material layer is greater than the thickness of the protective film.
  • the protective film is made of at least one of SiO 2 and SiN.
  • the thermally conductive material layer is selected from the group consisting of alumina, sapphire, aluminum nitride, diamond, aluminum nitride doped with scandium, SiO 2 and SiN. And at least one kind of dielectric material.
  • a ladder-type filter circuit is configured.
  • a resonator excluding the resonator connected to the mounting electrode, the mounting electrode are connected by the thermally conductive material layer.
  • the thermally conductive material layer having insulating properties is provided in at least a part of the region excluding the IDT electrode on the first and second electrode fingers and the mounting electrode, the heat dissipation is high, and It is possible to provide an elastic wave device in which deterioration of electrical characteristics such as resonator characteristics hardly occurs.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing a structure in which the protective film of the acoustic wave device shown in FIG. 1 is removed.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing a structure in which the protective film and the heat conductive material layer of the elastic wave device shown in FIG. 1 are removed.
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view of a region where the wiring electrode is provided in the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a diagram where the wiring electrode is provided.
  • FIG. 4C is a schematic plan view of an electrode structure of a 1-port elastic wave resonator.
  • FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of a region where a wiring electrode is provided in the acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 5B is a diagram where the wiring electrode is provided. It is a typical sectional view of a field which is not.
  • FIG. 6A is a schematic cross-sectional view of a region where wiring electrodes are provided in the acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention
  • FIG. 6B is a diagram where wiring electrodes are provided. It is a typical sectional view of a field which is not.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing a structure in which the protective film of the acoustic wave device shown in FIG. 1 is removed
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing a structure in which the protective film and the heat conductive material layer of the elastic wave device shown in FIG. 1 are removed.
  • 4A is a schematic cross-sectional view of a region where the wiring electrode is provided in the acoustic wave device according to the first embodiment
  • FIG. 4B is a diagram where the wiring electrode is provided.
  • FIG. 4C is a schematic plan view of an electrode structure of a 1-port elastic wave resonator.
  • an acoustic wave device 1 has a rectangular plate-like piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is made of a piezoelectric single crystal substrate such as LiTaO 3 or LiNbO 3 .
  • the piezoelectric substrate 2 may be formed of piezoelectric ceramics.
  • a ladder type filter circuit is configured on the piezoelectric substrate 2. That is, on the piezoelectric substrate 2, series arm resonators S1-1, S1-2, S2, S3, S4-1, S4-2 each made of an acoustic wave resonator and parallel arm resonators P1 to P4 are provided. Is provided. The series arm resonators S1-1, S1-2, S2, S3, S4-1, and S4-2 and the parallel arm resonators P1 to P4 are formed of one-port type acoustic wave resonators.
  • the 1-port elastic wave resonator has an electrode structure shown in FIG. That is, the IDT electrode 3 and the reflectors 9 and 10 disposed on both sides of the IDT electrode 3 in the elastic wave propagation direction are formed on the piezoelectric substrate. Thereby, a 1-port elastic wave resonator is configured.
  • the IDT electrode 3 can be formed of an appropriate metal material such as Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W, or an alloy mainly composed of any of these metals.
  • the IDT electrode 3 may be a single layer or a laminate in which two or more metal layers are laminated.
  • the IDT electrode 3 has a plurality of first electrode fingers 3c and a plurality of second electrode fingers 3d.
  • the plurality of first electrode fingers 3c and the plurality of second electrode fingers 3d extend in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • the plurality of first electrode fingers 3c and the plurality of second electrode fingers 3d are interleaved with each other.
  • the plurality of first and second electrode fingers 3c and 3d are respectively connected to the first and second bus bars 3a and 3b shown in FIG.
  • the first electrode finger 3c and the second electrode finger 3d having different potentials overlap each other in the surface acoustic wave propagation direction, and the region for exciting the surface acoustic wave is defined as the excitation region E.
  • FIG. 3 a plurality of first electrode fingers of IDT electrodes in series arm resonators S1-1, S1-2, S2, S3, S4-1, S4-2 and parallel arm resonators P1 to P4;
  • a portion where a plurality of second electrode fingers are interleaved with each other is schematically shown by a block formed by connecting diagonal lines of a rectangular frame shape.
  • the first and second bus bars 3a and 3b of the series arm resonator S1-1 are respectively positioned at both ends in the direction in which the electrode fingers of the block extend. is doing.
  • the second bus bar 3b of the series arm resonator S1-1 is shared with the first bus bar 3a of the series arm resonator S1-2.
  • the other series arm resonators S1-2, S2, S3, S4-1, S4-2 and parallel arm resonators P1 to P4 are also shown in the same manner as the series arm resonator S1-1.
  • the first and second bus bars 3a and 3b have a laminated structure in which two metal layers are laminated.
  • the first and second bus bars 3a and 3b may be a single layer.
  • the series arm resonators S1-1 and S4-2 are connected to a bump electrode 11 constituting a mounting electrode. More specifically, the series arm resonator S1-1 is connected to the bump electrode 11 made of Au or Au alloy through the wiring electrode 6 and the receiving terminal 7a connected to the first bus bar 3a. On the other hand, the series arm resonator S4-2 is connected to the bump electrode 11 through the wiring electrode 6 and the antenna terminal 7b connected to the second bus bar 3b.
  • the mounting electrode can also be constituted by a solder ball.
  • the acoustic wave device 1 is mounted on the surface of the mounting substrate via the bump electrode 11.
  • a front surface land electrode bonded to the bump electrode 11 is provided on the front surface of the mounting substrate, and a rear surface land electrode is provided on the rear surface of the mounting substrate.
  • the front surface land electrode and the rear surface land electrode are connected by a connection conductor.
  • the heat capacity of the mounting substrate is preferably larger than the heat capacity of the piezoelectric substrate 2.
  • the volume of the mounting substrate is preferably larger than the volume of the piezoelectric substrate 2.
  • Series arm resonators S1-2, S2, S3, and S4-1 are connected in series between the series arm resonator S1-1 and the series arm resonator S4-2.
  • the series arm resonators S 1-2, S 2, S 3, and S 4-1 are not connected to the bump electrode 11 via the wiring electrode 6.
  • the parallel arm resonator P1 has one end connected to the ground terminal 8a and the other end connected to the series arm resonator S1-1.
  • the parallel arm resonator P2 has one end connected to the ground terminal 8b and the other end connected to the series arm resonators S1-2 and S2.
  • the parallel arm resonator P3 has one end connected to the ground terminal 8b and the other end connected to the series arm resonators S2 and S3.
  • the parallel arm resonator P4 has one end connected to the ground terminal 8b and the other end connected to the series arm resonators S3 and S4-1.
  • the wiring electrode 6 can be formed of an appropriate metal material.
  • the wiring electrode 6 has a laminated structure in which two metal layers are laminated.
  • the wiring electrode 6 may be a single layer.
  • a heat conductive material layer 5 made of an insulating material is laminated on the region excluding the top and the bump electrode 11.
  • the thermally conductive material layer 5 includes the IDT electrodes of the series arm resonators S1-1, S1-2, S2, S3, S4-1, S4-2 and the parallel arm resonators P1 to P4.
  • the first and second electrode fingers and the bump electrode 11 are connected to each other.
  • the heat generated in the IDT electrode 3 can be radiated to the outside of the acoustic wave device 1.
  • the heat dissipation can be further improved. This is because the heat generated by the IDT electrode 3 is transferred to the mounting substrate on which the acoustic wave device 1 is mounted via the bump electrode 11 connected to the thermally conductive material layer 5 and is radiated to the outside of the acoustic wave device 1. .
  • the series arm resonators S1-1, S1-2, S2, S3, S4-1, S4-2, the parallel arm resonators P1 to P4, and the thermally conductive material layer As shown in FIG. 1, the series arm resonators S1-1, S1-2, S2, S3, S4-1, S4-2, the parallel arm resonators P1 to P4, and the thermally conductive material layer.
  • a protective film 4 is further provided on 5. The protective film 4 is provided for adjusting the frequency.
  • the protective film 4 is not particularly limited, it is possible to form SiO 2 and, of SiN or the like.
  • the material constituting the heat conductive material layer 5 is not particularly limited as long as it is an insulator having high heat conductivity.
  • the material is made of aluminum nitride doped with alumina, sapphire, aluminum nitride, diamond, and scandium. At least one dielectric selected from the group can be used.
  • the same material as the protective film 4 such as SiN or SiO 2 may be used.
  • the thickness of the heat conductive material layer 5 is not particularly limited, but is preferably thicker than the thickness of the protective film 4. Specifically, the thickness of the heat conductive material layer 5 is preferably 1 ⁇ m to 60 ⁇ m, and more preferably 1 ⁇ m to 15 ⁇ m. When the thickness of the heat conductive material layer 5 is within the above range, the heat dissipation can be more effectively improved. Experiments have confirmed that if the thickness of the heat conductive material layer 5 is 1 ⁇ m or more, a further heat dissipation effect can be obtained. The heat dissipation effect by the heat conductive material layer 5 can be enhanced by increasing the thickness of the heat conductive material layer 5.
  • the thickness of the heat conductive material layer 5 is 60 ⁇ m or less because warpage of the wafer can be further suppressed and the difficulty of the manufacturing process can be reduced. Furthermore, there are cases where the thickness of the bump electrode 11 must be increased according to the thickness of the heat conductive material layer 5. An increase in the inductive component due to the increase in the thickness of the bump electrode 11 may adversely affect the attenuation characteristics of the filter circuit. In order to more reliably suppress the adverse effect on the attenuation characteristics, the thickness of the heat conductive material layer 5 is more preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less.
  • the heat conductive material layer 5 is provided on the wiring electrode 6 and the protective film 4 is provided thereon.
  • the heat conductive material layer 5 and the protective film 4 are laminated in this order on the piezoelectric substrate 2 in the region where the wiring electrode 6 is not provided.
  • a thermally conductive material layer 5 is provided on the excitation region where the first and second electrode fingers of the IDT electrode 3 overlap each other in the elastic wave propagation direction. It is not done. Since the thermal conductive material layer 5 is provided at a position that does not overlap the excitation region of the IDT electrode 3 in plan view of the piezoelectric substrate 2, the influence of the thermal conductive material layer 5 on the excitation of the IDT electrode 3 is suppressed. it can. It is more preferable that the heat conductive material layer 5 is provided at a position where the piezoelectric substrate 2 does not overlap the reflector in plan view.
  • the heat conductive material layer 5 is not provided on the first and second electrode fingers of the IDT electrode 3, and the heat conductive material is formed on at least one of the first and second bus bars of the IDT electrode 3. It is preferable to carry out the structure in which the layer 5 is provided.
  • the heat conductive material layer 5 is provided on the wiring electrode 6 or the piezoelectric substrate 2, even when heat is generated by the IDT electrode 3, heat is radiated to the outside of the acoustic wave device 1. can do.
  • the series arm resonators S1-2, S2, S3, and S4-1 that are not directly connected to the bump electrode 11 are also connected to the bump electrode 11 via the thermally conductive material layer 5, and therefore, further. Heat can be effectively dissipated.
  • the heat dissipation path having conductivity is disposed in the vicinity of the IDT electrode, the heat dissipation path has a function of the wiring electrode.
  • the heat conductive material layer 5 is not provided on the first and second electrode fingers of the IDT electrode 3, it is possible to prevent the surface acoustic wave from being excited and to reduce the resonator characteristics. It is difficult to cause deterioration of the mechanical characteristics It is preferable that the heat conductive material layer 5 is continuously formed so as to be connected to the first bus bar of the IDT electrode 3 and the mounting electrode.
  • the thermally conductive material layer 5 is connected to the first bus bar connected to the signal line and the bump electrode connected to the ground potential, a short circuit occurs between the first bus bar and the bump electrode. Does not occur. Therefore, it is possible to dissipate heat by connecting the heat conductive material layer 5 to the first bus bar and the bump electrode without worrying about a short circuit.
  • the distance between the first bus bar and the first bus bar is the shortest, and the thermally conductive material layer 5 is connected to the first bus bar and the bump electrode having a different potential.
  • the thermally conductive material layer is only present at a position overlapping the first and second bus bars, a position overlapping the wiring electrode, and a position overlapping the piezoelectric substrate portion in the gap between the wiring electrode and the wiring electrode.
  • 5 is preferably provided. More preferably, the thermally conductive material layer 5 is provided in direct contact with the first and second bus bars and the wiring electrodes.
  • FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of a region where the wiring electrode of the acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention is provided
  • FIG. 5B is a diagram where the wiring electrode is provided. It is a typical sectional view of a field which does not exist.
  • the wiring electrode 6 and the protective film 4 are laminated in this order on the piezoelectric substrate 2, and the heat conductive material layer 5 is laminated on the protective film 4. Is provided. Further, as shown in FIG. 5B, the protective film 4 and the heat conductive material layer 5 are laminated in this order on the piezoelectric substrate 2 even in the region where the wiring electrode 6 is not provided. About another structure, it has the same structure as the elastic wave apparatus 1 which concerns on 1st Embodiment.
  • the heat conductive material layer 5 is not directly laminated on the wiring electrode 6. However, since the heat conductive material layer 5 is provided on the protective film 4, heat can be radiated through the protective film 4 and the heat conductive material layer 5. Similarly to the first embodiment, since the heat conductive material layer 5 is not provided on the first and second electrode fingers of the IDT electrode 3, the electrical characteristics such as the resonator characteristics are deteriorated. Is unlikely to occur. Therefore, the heat conductive material layer 5 may be formed on the protective film 4 except on the first and second electrode fingers of the IDT electrode 3.
  • the thermal conductive material layer 5 preferably has a thermal conductivity higher than that of the protective film 4, and the thermal conductive material layer 5 preferably has a higher thermal conductivity than the protective film 4. .
  • the thermal conductivity can be changed depending on the material.
  • FIG. 6A is a schematic cross-sectional view of a region where the wiring electrode of the acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention is provided
  • FIG. 6B is a diagram where the wiring electrode is provided. It is a typical sectional view of a field which does not exist.
  • a thermally conductive material layer 5, a wiring electrode 6, and a protective film 4 are laminated on the piezoelectric substrate 2 in this order. That is, in the third embodiment, the heat conductive material layer 5 is provided so as to be sandwiched between the piezoelectric substrate 2 and the wiring electrode 6. Although not shown in FIGS. 6A and 6B, the heat conductive material layer 5 is also provided below the first and second bus bars of the IDT electrode 3. Other structures are the same as those in the first embodiment.
  • the heat conductive material layer 5 is provided so as to be in contact with the lower part of the wiring electrode 6, the heat generated in the IDT electrode 3 travels through the heat conductive material layer 5 to generate an elastic wave. Released to the outside of the device 1. Specifically, heat generated by excitation of the IDT electrode 3 provided on the piezoelectric substrate 2 is transmitted to the mounting substrate through the wiring electrode 6 and the bump electrode 11.
  • the heat conductive material layer 5 may be provided so as to be sandwiched between the piezoelectric substrate 2 and the wiring electrode 6.
  • a heat conductive material layer 5 may be provided so as to be adjacent to 6. Even in this case, the heat generated in the IDT electrode 3 can be released through the thermally conductive material layer 5.
  • the thermally conductive material layer is provided in at least a part of the region excluding the excitation region of the IDT electrode and the bump electrode, the heat dissipation is high and the power durability is excellent.
  • An elastic wave device can be provided.
  • the heat conductive material layer is not provided on the first and second electrode fingers of the IDT electrode, the electrical characteristics such as the resonator characteristics are hardly deteriorated.
  • the thermally conductive material layer is not provided on the first and second electrode fingers and the bump electrode conductor.
  • the series arm resonator that is not connected to the bump electrode is connected to the bump electrode through the thermally conductive material layer, thereby further improving the effect. Therefore, heat dissipation can be improved. Therefore, the elastic wave device according to the present invention can be suitably used as a transmission filter of the demultiplexing device.
  • IDT electrode Al as the main material, thickness 200nm Protective film: formed by SiO 2, thickness 30nm ⁇ Wiring electrode: Al is the main material, thickness 3 ⁇ m -Thermally conductive material layer: formed of SiN-Thermally conductive material layer thickness: 1 ⁇ m thick on the wiring electrode, 4 ⁇ m thick on the piezoelectric substrate without the wiring electrode -Thermally conductive material layer pattern: Fabricated on parts other than the electrode fingers and bump electrodes of the IDT electrode-Mount the piezoelectric substrate on the mounting substrate using the PCB substrate via the bump electrode-0.8W on the transmission filter resonator part ⁇ External temperature: 25 °C
  • the maximum temperature of the IDT electrode of the series arm resonator not connected to the bump electrode is about 10 ° C., compared to the sample without the heat conductive material layer. I confirmed that it was lower.
  • the heat conductive material layer When the heat conductive material layer is not provided, heat is not efficiently dissipated because it is not connected to the bump electrode through the wiring. On the other hand, when the heat conductive material layer is provided, the heat conductive material layer is not provided. It is considered that heat is efficiently radiated because the layer becomes a heat flow path to the bump electrode.
  • SYMBOLS 1 Elastic wave apparatus 2 ... Piezoelectric substrate 3 ... IDT electrode 3a, 3b ... 1st, 2nd bus-bar 3c, 3d ... 1st, 2nd electrode finger 4 ... Protective film 5 ... Thermally conductive material layer 6 ... Wiring Electrode 7a ... Reception terminal 7b ... Antenna terminal 7c ... Transmission terminals 8a, 8b ... Ground terminals 9, 10 ... Reflector 11 ... Bump electrodes S1-1, S1-2, S2, S3, S4-1, S4-2 ... Series Arm resonators P1, P2, P3, P4 ... Parallel arm resonators

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Abstract

　放熱性が高く、かつ共振子特性などの電気的特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供する。　圧電基板２と、前記圧電基板２上に積層されており、第１，第２のバスバーと、該第１，第２のバスバーに接続されている第１，第２の電極指３ｃ，３ｄとを有するＩＤＴ電極３と、前記ＩＤＴ電極３に電気的に接続されているバンプ電極と、前記ＩＤＴ電極３を覆うように形成されている保護膜４と、絶縁性を有し、前記ＩＤＴ電極３の励振領域上及び前記バンプ電極上を除く領域の少なくとも一部に形成されている熱伝導性材料層５とを備える、弾性波装置。

Description

弾性波装置
　本発明は、圧電基板上に保護膜が設けられている弾性波装置に関する。
　従来、共振子や帯域フィルタとして弾性波装置が広く用いられている。
　例えば、下記特許文献１には、圧電基板と、ＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極を覆うように形成されている保護膜とを備える、弾性波装置が開示されている。特許文献１では、上記保護膜は、アルミナやサファイアなどの誘電体材料により形成できるとされている。また、上記保護膜の厚みは、０．０３λ～０．５λとされている。
特開２０１３－１６８８６４号公報
　近年、キャリアアグリーゲーションなどの複数バンドの同時利用や、ＬＴＥなどの高速通信化に伴い、フィルタに印加される電力が増大している。そのため、特許文献１のような弾性波装置では、ＩＤＴ電極部で発熱し、電気特性が変動したり、ＩＤＴ電極部が溶融したりすることがあった。
　この場合、熱伝導率が高い誘電体からなる保護膜を、ＩＤＴ電極部に形成することにより放熱させることができる。しかしながら、十分に放熱させるためには、保護膜の膜厚を厚くする必要があった。ＩＤＴ電極上の保護膜の膜厚を厚くすると、共振子特性が劣化することがあった。
　本発明の目的は、放熱性が高く、かつ共振子特性などの電気的特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、上記圧電基板上に積層されており、第１，第２のバスバーと、該第１，第２のバスバーに接続されている第１，第２の電極指とを有するＩＤＴ電極と、上記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている実装電極と、上記ＩＤＴ電極を覆うように形成されている保護膜と、絶縁性を有し、上記ＩＤＴ電極の励振領域上及び上記実装電極上を除く領域の少なくとも一部に形成されている熱伝導性材料層とを備える。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、上記ＩＤＴ電極の上記第１，第２のバスバーと、上記実装電極とを接続するように設けられている配線電極をさらに備える。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、上記配線電極が、２つの金属層が積層された積層構造を有する。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、上記配線電極の少なくとも一部に接するように設けられている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、上記配線電極上に積層されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、上記配線電極及び上記圧電基板に挟まれている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、上記配線電極に隣接している。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、上記実装電極に接続されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層の厚みが、上記保護膜の厚みよりも厚い。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記保護膜が、ＳｉＯ２と、ＳｉＮのうち少なくとも一方からなる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、スカンジウムがドープされた窒化アルミニウム、ＳｉＯ２及びＳｉＮからなる群から選択された少なくとも１種の誘電体からなる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、ラダー型のフィルタ回路が構成されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記ラダー型のフィルタ回路の直列腕共振子のうち、上記実装電極と接続されている共振子を除く共振子と、上記実装電極とが、上記熱伝導性材料層により接続されている。
　本発明では、ＩＤＴ電極の第１，第２の電極指上及び実装電極上を除く領域の少なくとも一部に絶縁性を有する熱伝導性材料層が設けられているため、放熱性が高く、かつ共振子特性などの電気的特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図２は、図１に示される弾性波装置の保護膜を除去した構造を示す模式的平面図である。 図３は、図１に示される弾性波装置の保護膜及び熱伝導性材料層を除去した構造を示す模式的平面図である。 図４（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置において、配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図４（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図であり、図４（ｃ）は、１ポート型弾性波共振子の電極構造の模式的平面図である。 図５（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置において、配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図５（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図である。 図６（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置において、配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図６（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図であり、図２は、図１に示される弾性波装置の保護膜を除去した構造を示す模式的平面図であり、図３は、図１に示される弾性波装置の保護膜及び熱伝導性材料層を除去した構造を示す模式的平面図である。また、図４（ａ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置において、配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図４（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図であり、図４（ｃ）は、１ポート型弾性波共振子の電極構造の模式的平面図である。
　図１に示すように、本発明に係る弾性波装置１は、矩形板状の圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３のような圧電単結晶基板からなる。圧電基板２は、圧電セラミックスにより形成されてもよい。
　図３に示すように、圧電基板２上には、ラダー型のフィルタ回路が構成されている。すなわち、圧電基板２上に、それぞれが弾性波共振子からなる直列腕共振子Ｓ１－１，Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１，Ｓ４－２と、並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４とが設けられている。直列腕共振子Ｓ１－１，Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１，Ｓ４－２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４は、１ポート型弾性波共振子からなる。
　１ポート型弾性波共振子は、図４（ｃ）に示す電極構造を有する。すなわち、ＩＤＴ電極３と、ＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側に配置された反射器９，１０とが、圧電基板上に形成されている。それによって、１ポート型弾性波共振子が構成されている。
　ＩＤＴ電極３は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗまたはこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。ＩＤＴ電極３は、単層であってもよいし、２種以上の金属層が積層された積層体であってもよい。
　ＩＤＴ電極３は、複数本の第１の電極指３ｃと、複数本の第２の電極指３ｄとを有する。複数本の第１の電極指３ｃ及び複数本の第２の電極指３ｄは、弾性波伝搬方向と直交する方向に延びている。複数本の第１の電極指３ｃと、複数本の第２の電極指３ｄとは、互いに間挿し合っている。複数本の第１，第２の電極指３ｃ，３ｄは、図３に示す、第１，第２のバスバー３ａ，３ｂにそれぞれ接続されている。ＩＤＴ電極３において、互いに電位の異なる第１の電極指３ｃと第２の電極指３ｄとが弾性表面波伝搬方向において互いに重なっている領域であって、弾性表面波を励振する領域を励振領域Ｅとする。
　図３においては、直列腕共振子Ｓ１－１，Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１，Ｓ４－２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４におけるＩＤＴ電極の複数本の第１の電極指と、複数本の第２の電極指とが互いに間挿し合っている部分を、矩形枠状の対角線同士を結んでなるブロックにより略図的に示している。直列腕共振子Ｓ１－１を代表してより詳細に説明すると、ブロックの電極指が伸びる方向の両端には、直列腕共振子Ｓ１－１の第１，第２のバスバー３ａ，３ｂがそれぞれ位置している。直列腕共振子Ｓ１－１の第２のバスバー３ｂは、直列腕共振子Ｓ１－２の第１のバスバー３ａと共有されている。なお、他の直列腕共振子Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１，Ｓ４－２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４についても、直列腕共振子Ｓ１－１と同様にして示されている。
　本実施形態において、第１，第２のバスバー３ａ，３ｂは、２つの金属層が積層された積層構造を有している。もっとも、第１，第２のバスバー３ａ，３ｂは、単層であってもよい。
　図３に示すように、直列腕共振子Ｓ１－１，Ｓ４－２は、実装電極を構成するバンプ電極１１に接続されている。より具体的には、直列腕共振子Ｓ１－１は、第１のバスバー３ａに連なっている配線電極６及び受信端子７ａを介して、ＡｕまたはＡｕ合金からなるバンプ電極１１に接続されている。他方、直列腕共振子Ｓ４－２は、第２のバスバー３ｂに連なっている配線電極６及びアンテナ端子７ｂを介して、バンプ電極１１に接続されている。なお、実装電極は半田ボールによって構成することもできる。弾性波装置１が実装基板の表面上にバンプ電極１１を介して実装されている。バンプ電極１１と接合される表面ランド電極が実装基板の表面に設けられ、裏面ランド電極が実装基板の裏面に設けられている。表面ランド電極と裏面ランド電極とは接続導体で接続されている。なお、実装基板の熱容量は圧電基板２の熱容量より大きいことが好ましい。また、実装基板の体積が圧電基板２の体積より大きいことが好ましい。
　直列腕共振子Ｓ１－１と、直列腕共振子Ｓ４－２との間には、直列腕共振子Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１が直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１は、配線電極６を介して、バンプ電極１１と接続されていない。
　並列腕共振子Ｐ１は、一端がアース端子８ａに接続されており、他端が直列腕共振子Ｓ１－１に接続されている。並列腕共振子Ｐ２は、一端がアース端子８ｂに接続されており、他端が直列腕共振子Ｓ１－２，Ｓ２に接続されている。並列腕共振子Ｐ３は、一端がアース端子８ｂに接続されており、他端が直列腕共振子Ｓ２及びＳ３に接続されている。そして、並列腕共振子Ｐ４は、一端がアース端子８ｂに接続されており、他端が直列腕共振子Ｓ３，Ｓ４－１に接続されている。
　配線電極６は、適宜の金属材料により形成することができる。本実施形態において、配線電極６は、２つの金属層が積層された積層構造を有している。もっとも、配線電極６は単層であってもよい。
　図２に示すように、直列腕共振子Ｓ１－１，Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１，Ｓ４－２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のＩＤＴ電極の第１，第２の電極指上並びにバンプ電極１１上を除く領域には、絶縁性を有する材料からなる熱伝導性材料層５が積層されている。
　より具体的には、熱伝導性材料層５は、直列腕共振子Ｓ１－１，Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１，Ｓ４－２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のＩＤＴ電極の第１，第２の電極指と、バンプ電極１１とを接続するように設けられている。
　熱伝導性材料層５が設けられることにより、ＩＤＴ電極３で発生した熱を弾性波装置１の外部に放熱することができる。特に、本実施形態のように、熱伝導性材料層５がバンプ電極１１に接続されている場合、より一層放熱性を高めることができる。ＩＤＴ電極３で発熱した熱が、熱伝導性材料層５に連なるバンプ電極１１を介して弾性波装置１が実装される実装基板に伝って、弾性波装置１の外部に放熱されるためである。
　従って、本実施形態のように、バンプ電極１１と接続されていない直列腕共振子Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１が、熱伝導性材料層５によりバンプ電極１１に接続されている場合には、さらに一層効果的に放熱性を改善することができる。
　本実施形態においては、図１に示すように、直列腕共振子Ｓ１－１，Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１，Ｓ４－２、並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４及び熱伝導性材料層５上に、さらに保護膜４が設けられている。保護膜４は、周波数を調整するために設けられている。
　保護膜４を構成する材料としては、特に限定されないが、ＳｉＯ２や、ＳｉＮ等により形成することができる。
　また、熱伝導性材料層５を構成する材料としては、熱伝導率が高い絶縁体であれば特に限定されず、例えば、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、ダイヤモンド及びスカンジウムがドープされた窒化アルミニウムからなる群から選択された少なくとも１種の誘電体を用いることができる。もっとも、ＳｉＮやＳｉＯ２等、保護膜４と同じ材料を用いてもよい。
　熱伝導性材料層５の厚みとしては、特に限定されないが、保護膜４の厚みよりも厚いことが望ましい。具体的に、熱伝導性材料層５の厚みとしては、１μｍ～６０μｍであることが好ましく、１μｍ～１５μｍであることがより好ましい。熱伝導性材料層５の厚みが上記範囲内にある場合、より一層効果的に放熱性を高めることができる。実験により、熱伝導性材料層５の厚みが１μｍ以上あれば、より一層放熱効果が得られることが確認されている。熱伝導性材料層５による放熱効果は、熱伝導性材料層５の厚みを厚くすることで高められる。一方で、熱伝導性材料層５の厚みを６０μｍより厚く成膜する場合、製造工程でのウエハの反り等の問題が無視できなくなることがある。よって、熱伝導性材料層５の厚みが６０μｍ以下であれば、ウエハの反りをより一層抑制でき、製造工程の難易度を下げられるため好ましい。さらに、熱伝導性材料層５の厚みに応じて、バンプ電極１１の厚みを厚くしなければならない場合が発生する。バンプ電極１１の厚み増加に起因する誘導成分の増加は、フィルタ回路の減衰特性に悪影響を与える場合がある。減衰特性への悪影響をより一層確実に抑制するためには、熱伝導性材料層５の厚みが１μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。
　以下、図４（ａ）及び図４（ｂ）の模式的断面図を参照して、圧電基板２上における、熱伝導性材料層５と、配線電極６又は保護膜４との位置関係について、より詳細に説明する。
　図４（ａ）に示すように、配線電極６が設けられている領域においては、配線電極６上に熱伝導性材料層５が設けられており、その上に保護膜４が設けられている。また、図４（ｂ）に示す、配線電極６が設けられていない領域においては、圧電基板２上に熱伝導性材料層５及び保護膜４がこの順に積層されている。
　図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極３の第１及び第２の電極指が弾性波伝搬方向において互いに重なる励振領域上には、熱伝導性材料層５が設けられていない。圧電基板２を平面視して、熱伝導性材料層５がＩＤＴ電極３の励振領域と重ならない位置に設けられているため、ＩＤＴ電極３の励振への熱伝導性材料層５の影響を抑制できる。圧電基板２を平面視して、熱伝導性材料層５が反射器と重ならない位置に設けられていることがさらに好ましい。ＩＤＴ電極３の第１，第２の電極指上に、熱伝導性材料層５が設けられておらず、ＩＤＴ電極３の第１及び第２のバスバーの少なくとも一方上には、熱伝導性材料層５が設けられている構造で実施することが好ましい。
　このように、本実施形態においては、配線電極６又は圧電基板２上に熱伝導性材料層５が設けられているため、ＩＤＴ電極３で発熱した場合においても、弾性波装置１の外部に放熱することができる。特に、バンプ電極１１に直接接続されていない直列腕共振子Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１についても、熱伝導性材料層５を介してバンプ電極１１に接続されているため、より一層効果的に放熱することができる。また、導電性を有する放熱経路がＩＤＴ電極の近傍に配置される構成では放熱経路が配線電極の機能を有する。この場合、配線電極とＩＤＴ電極３との間に容量成分または誘導成分が発生する課題がある。これに対して、本実施形態においては、絶縁性を有する放熱経路であるため、放熱経路とＩＤＴ電極３との間に発生する容量成分または誘導成分を低減できる。またさらに、熱伝導性材料層５は、ＩＤＴ電極３の第１，第２の電極指上には設けられていないため、弾性表面波の励振が阻害されて共振子特性が低下するなどの電気的特性の劣化が生じ難い。熱伝導性材料層５が、ＩＤＴ電極３の第１のバスバーと実装電極とに接続されるように連続して形成されることが好ましい。第１のバスバーとバンプ電極とに電位差が存在する場合でも、絶縁性を有する熱伝導性材料層５では短絡が発生しない。具体的には、信号線路に接続される第１のバスバーとアース電位に接続されるバンプ電極とに熱伝導性材料層５が接続される場合、第１のバスバーとバンプ電極とのでの短絡が発生しない。従って、短絡の心配なく、第1のバスパーとバンプ電極とに熱伝導性材料層５を接続して放熱させることができる。特に、第１のバスバーと、第１のバスバーとの距離が最も短く、第１のバスバーと電位の異なるバンプ電極とに熱伝導性材料層５が接続されることが好ましい。第１のバスバーと電位の異なるバンプ電極が複数であってもよい。圧電基板を平面視して、第１、第２のバスバーと重なる位置、配線電極と重なる位置、および配線電極と配線電極との隙間の圧電基板部分と重なる位置とにのみ、熱伝導性材料層５が設けられることが好ましい。熱伝導性材料層５が、第１、第２のバスバー、配線電極に直接接触して設けられることがさらに好ましい。
　図５（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図５（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図である。
　図５（ａ）に示すように、第２の実施形態においては、圧電基板２上に配線電極６及び保護膜４がこの順に積層されており、保護膜４の上に熱伝導性材料層５が設けられている。また、図５（ｂ）に示すように、配線電極６が設けられていない領域においても、圧電基板２上に保護膜４及び熱伝導性材料層５がこの順に積層されている。その他の構造については、第１の実施形態に係る弾性波装置１と同じ構造を有している。
　第２の実施形態においては、熱伝導性材料層５が配線電極６上に直接積層されていない。しかしながら、保護膜４上に熱伝導性材料層５が設けられているため、保護膜４及び熱伝導性材料層５を介して放熱することができる。また、第１の実施形態と同様に、熱伝導性材料層５は、ＩＤＴ電極３の第１，第２の電極指上には設けられていないため、共振子特性などの電気的特性の劣化が生じ難い。従って、熱伝導性材料層５は、ＩＤＴ電極３の第１，第２の電極指上を除く、保護膜４上に形成されていてもよい。十分な放熱効果を得るため、熱伝導性材料層５が保護膜４以上の熱伝導率を備えることが好ましく、熱伝導性材料層５が保護膜４より高い熱伝導率を備えることがより好ましい。熱伝導率は材料によって変更することができる。
　図６（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図６（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図である。
　図６（ａ）に示すように、第３の実施形態においては、圧電基板２上に、熱伝導性材料層５、配線電極６及び保護膜４がこの順に積層されている。すなわち、第３の実施形態においては、圧電基板２と配線電極６とに挟まれるように、熱伝導性材料層５が設けられている。また、図６（ａ）及び図６（ｂ）では図示されていないが、ＩＤＴ電極３の第１，第２のバスバーの下部にも熱伝導性材料層５が設けられている。その他の構造は、第１の実施形態と同じである。
　第３の実施形態においては、配線電極６の下部に接するように熱伝導性材料層５が設けられているため、ＩＤＴ電極３で発生した熱が熱伝導性材料層５を伝って、弾性波装置１の外部に放出される。詳細には、圧電基板２上に設けられたＩＤＴ電極３の励振により発生した熱が、配線電極６、バンプ電極１１を介して実装基板に伝わる。なお、熱伝導性材料層５は、圧電基板２と配線電極６とに挟まれるように設けられていてもよい。
　なお、図４～図６においては図示されていないが、本発明においては、圧電基板２の主面に向かって見て、ＩＤＴ電極３の第１，第２のバスバー、反射器、または配線電極６に隣接するように熱伝導性材料層５が設けられていてもよい。この場合においても、熱伝導性材料層５を介して、ＩＤＴ電極３で発生した熱を放出することができる。
　本発明においては、上記のように、ＩＤＴ電極の励振領域及びバンプ電極上を除く領域の少なくとも一部に熱伝導性材料層が設けられているため、放熱性が高く、耐電力性に優れている弾性波装置を提供することができる。また、本発明に係る弾性波装置では、ＩＤＴ電極の第１，第２の電極指上に熱伝導性材料層が設けられていないため、共振子特性などの電気的特性が劣化し難い。熱伝導性材料層は、第１，第２の電極指上及びバンプ電極の導体上に設けられていない。
　また、本発明では、上述したように、ラダー型のフィルタ回路において、バンプ電極に接続されていない直列腕共振子を、熱伝導性材料層を介してバンプ電極に接続させることで、より一層効果的に放熱性を高めることができる。従って、本発明に係る弾性波装置は、分波装置の送信フィルタとして好適に用いることができる。
　次に、具体的な実験例につき説明する。
　（実験例）
　以下の条件で、ＬｉＴａＯ３基板上に、送信フィルタ及び受信フィルタを備える、分波装置を作製し、ＩＤＴ電極の最高温度を測定した。
　・ＩＤＴ電極：Ａｌを主材料、厚み２００ｎｍ
　・保護膜：ＳｉＯ２により形成、厚み３０ｎｍ
　・配線電極：Ａｌを主材料、厚み３μｍ
　・熱伝導性材料層：ＳｉＮにより形成
　・熱伝導性材料層厚み：配線電極上では厚み１μｍ、配線電極のない圧電基板上では厚み４μｍ
　・熱伝導性材料層パターン：ＩＤＴ電極の電極指及びバンプ電極以外の部分に作製
　・バンプ電極を介してＰＣＢ基板を用いた実装基板に圧電基板を実装
　・送信フィルタ共振子部に、０．８Ｗの電力を印加
　・外部温度：２５℃
　なお、同様の条件で熱伝導性材料層が設けられていないサンプルも併せて作製し、比較検討を行った。
　熱伝導性材料層が設けられているサンプルは、熱伝導性材料層が設けられていないサンプルと比較して、バンプ電極に接続されていない直列腕共振子のＩＤＴ電極の最高温度が約１０℃低くなっていることを確認した。
　熱伝導性材料層が設けられていない場合には、バンプ電極に配線を通して接続されないために放熱が効率よく行われず、他方、熱電導性材料層が設けられている場合には、熱伝導性材料層がバンプ電極までの熱流路となるために効率よく放熱されるものと考えられる。
１…弾性波装置
２…圧電基板
３…ＩＤＴ電極
３ａ，３ｂ…第１，第２のバスバー
３ｃ，３ｄ…第１，第２の電極指
４…保護膜
５…熱伝導性材料層
６…配線電極
７ａ…受信端子
７ｂ…アンテナ端子
７ｃ…送信端子
８ａ，８ｂ…アース端子
９，１０…反射器
１１…バンプ電極
Ｓ１－１，Ｓ１－２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４－１，Ｓ４－２…直列腕共振子
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…並列腕共振子

Claims (13)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に積層されており、第１，第２のバスバーと、該第１，第２のバスバーに接続されている第１，第２の電極指とを有するＩＤＴ電極と、
    　前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている実装電極と、
    　前記ＩＤＴ電極を覆うように形成されている保護膜と、
    　絶縁性を有し、前記ＩＤＴ電極の励振領域上及び前記実装電極上を除く領域の少なくとも一部に形成されている熱伝導性材料層とを備える、弾性波装置。
  2. 　前記ＩＤＴ電極の前記第１，第２のバスバーと、前記実装電極とを接続するように設けられている配線電極をさらに備える、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記配線電極が、２つの金属層が積層された積層構造を有する、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記熱伝導性材料層が、前記配線電極の少なくとも一部に接するように設けられている、請求項２に記載の弾性波装置。
  5. 　前記熱伝導性材料層が、前記配線電極上に積層されている、請求項４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記熱伝導性材料層が、前記配線電極及び前記圧電基板に挟まれている、請求項４に記載の弾性波装置。
  7. 　前記熱伝導性材料層が、前記配線電極に隣接している、請求項４～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記熱伝導性材料層が、前記実装電極に接続されている、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記熱伝導性材料層の厚みが、前記保護膜の厚みよりも厚い、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記保護膜が、ＳｉＯ２と、ＳｉＮのうち少なくとも一方からなる、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記熱伝導性材料層が、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、スカンジウムがドープされた窒化アルミニウム、ＳｉＯ２及びＳｉＮからなる群から選択された少なくとも１種の誘電体からなる、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　ラダー型のフィルタ回路が構成されている、請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記ラダー型のフィルタ回路の直列腕共振子のうち、前記実装電極と接続されている共振子を除く共振子と、前記実装電極とが、前記熱伝導性材料層により接続されている、請求項１２に記載の弾性波装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200099715A (ko) * 2019-02-15 2020-08-25 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6020519B2 (ja) * 2014-06-20 2016-11-02 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6793192B2 (ja) * 2016-06-27 2020-12-02 シャープ株式会社 高周波加熱装置
JP6823711B2 (ja) * 2017-03-31 2021-02-03 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
CN110858763B (zh) * 2018-08-22 2025-07-08 天工方案公司 多层压电基板
US11025220B2 (en) * 2018-11-06 2021-06-01 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave device with high thermal conductivity layer on interdigital transducer
JP2021097313A (ja) * 2019-12-17 2021-06-24 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスパッケージ
CN114726333B (zh) * 2022-03-29 2023-06-23 锐石创芯(重庆)科技有限公司 声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法
CN118890024B (zh) * 2024-07-19 2025-12-09 泉州市三安集成电路有限公司 弹性波器件及其制备方法
CN119696541B (zh) * 2025-02-25 2025-07-04 深圳飞骧科技股份有限公司 声表面波滤波器的制备方法及声表面波滤波器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000049567A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
JP2000183679A (ja) * 1998-12-21 2000-06-30 Oki Electric Ind Co Ltd 梯子型弾性表面波フィルタ
JP2000196407A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Tdk Corp 弾性表面波装置
WO2007055077A1 (ja) * 2005-11-14 2007-05-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
JP2007259023A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ及びそれを用いた通信機器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5072642B2 (ja) * 2007-03-28 2012-11-14 京セラ株式会社 弾性表面波装置及びこれを用いた分波器並びに通信装置
JP4570653B2 (ja) * 2007-12-05 2010-10-27 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 弾性表面波フィルタ
JP2010193429A (ja) * 2009-01-26 2010-09-02 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置
US8471433B2 (en) * 2009-10-14 2013-06-25 Panasonic Corporation Elastic wave device and electronic device using the same
JP6116120B2 (ja) * 2012-01-24 2017-04-19 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法
JP2013168864A (ja) 2012-02-16 2013-08-29 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性表面波素子及び電子部品
JP6170349B2 (ja) * 2013-06-18 2017-07-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000049567A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
JP2000183679A (ja) * 1998-12-21 2000-06-30 Oki Electric Ind Co Ltd 梯子型弾性表面波フィルタ
JP2000196407A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Tdk Corp 弾性表面波装置
WO2007055077A1 (ja) * 2005-11-14 2007-05-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
JP2007259023A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ及びそれを用いた通信機器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200099715A (ko) * 2019-02-15 2020-08-25 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기
KR102276515B1 (ko) * 2019-02-15 2021-07-14 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기
US11695385B2 (en) 2019-02-15 2023-07-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk-acoustic wave resonator

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