CN114726333B - 声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法 - Google Patents

声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法，包括压电基底、IDT结构、引线、焊盘以及钝化层；压电基底的上表面具有第一承载区和第二承载区；IDT结构设置在第一承载区；引线设置在第二承载区，并与IDT结构电性连接；焊盘设置在引线的上表面；钝化层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层覆盖IDT结构的外表面、引线的外表面以及焊盘的外表面，第二保护层位于第二承载区、并覆盖在第一保护层与焊盘的侧面相对区域的外表面。在本发明中，通过在焊盘周围设置两层保护层，可以实现焊盘周围的钝化层的加厚处理，进而避免钝化层在焊盘的侧面发生断裂。

Description

声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法
技术领域
本发明属于射频滤波装置领域，涉及一种声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法。
背景技术
如图1所示，声表面波器件(即SAW器件100a)是通信系统的关键器件，SAW器件100a主要包括压电基底1a、叉指换能器结构(即IDT结构2a)、引线3a、焊盘4a以及钝化层5a。其中，IDT结构2a和引线3a均设置在压电基底1a的上表面，且引线3a具有多个，这些引线3a分别与IDT结构2a的相应电极电性连接。生产时，通过蚀刻压电基底1a上的金属层可以同时制备出IDT结构2a和引线3a。焊盘4a设置在引线3a的上表面，钝化层5a覆盖IDT结构2a、引线3a以及焊盘4a的外表面，用于将IDT结构2a、引线3a以及焊盘4a与周围环境隔离开来，以增强SAW器件100a对外来离子沾污的阻挡能力，保护SAW器件100a内部的互联和防止受到机械和化学损伤。但是，如果功能区的钝化层5a过厚，则会恶化声学性能，显著降低SAW器件100a的Q值，因此钝化层5a的厚度通常设置的较薄。
SAW器件100a在使用时，通常会封装在相应的基板上，在将SAW器件100a封装到基板的过程中，一般先在位于焊盘4a的上表面的钝化层5a上设置开孔6a，并采用化学镀等方式在开孔6a的底部制备UBM(Under-Bump Metallization)镍金7a，然后在镍金7a上印刷焊球8a(焊球8a的材质通常为锡)，最后通过SMT(Surface Mounted Technology)工艺使焊球8a与基板上的相应焊点焊接在一起。
化学镀镍金7a所采用的药液对焊盘4a(焊盘4a的材质通常为Al)具有较强的腐蚀性，为了避免药液由上到下蚀刻穿焊盘4a，进而导致SAW器件100a损坏，焊盘4a的厚度通常会设置的较大，又由于钝化层5a厚度较薄，所以导致制备SAW器件100a时，钝化层5a容易在焊盘4a的侧面断裂形成缝隙9a，使得钝化层5a难以对引线3a和焊盘4a进行有效保护。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术中SAW器件的钝化层容易在焊盘的侧面断裂的问题，提供一种声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种声表面波器件，包括压电基底、IDT结构、引线、焊盘以及钝化层；所述压电基底的上表面具有第一承载区和第二承载区；所述IDT结构设置在所述第一承载区；所述引线设置在所述第二承载区，并与所述IDT结构电性连接；所述焊盘设置在所述引线的上表面；所述钝化层包括第一保护层和第二保护层，其中，所述第一保护层覆盖所述IDT结构的外表面、所述引线的外表面以及所述焊盘的外表面；所述第二保护层位于所述第二承载区，并覆盖在所述第一保护层与所述焊盘的侧面相对区域的外表面。
可选的，所述第二保护层的厚度大于所述第一保护层的厚度。
可选的，所述第一保护层的厚度为15nm-30nm，所述第二保护层的厚度大于50nm。
可选的，所述第一保护层和所述第二保护层的材质不同。
可选的，所述焊盘包括至少两个焊层；所述至少两个焊层中的第一焊层设置在所述引线的上表面，所述至少两个焊层中的第二焊层设置在所述第一焊层的上表面；所述第一焊层的侧面凸出所述第二焊层，以使所述第一焊层与所述第二焊层之间形成第一台阶结构。
可选的，所述声表面波器件上设有开孔，所述开孔设置在所述第二保护层与所述焊盘的上表面相对的区域；沿着由上而下的方向，所述开孔包括依次连通设置的第一段孔、第二段孔以及第三段孔，所述第一段孔设置在所述第一保护层上并贯穿所述第二保护层，所述第二段孔设置在所述第一保护层上并贯穿所述第一保护层，所述第三段孔为设置在所述焊盘的上表面的盲孔；所述声表面波器件还包括焊球，所述焊球的一端设置在所述开孔内，并与所述焊盘电性连接，所述焊球的另一端位于所述开孔外。
为解决上述技术问题，本发明实施例还提供一种封装模组，包括基板以及上述任意一项所述的声表面波器件，所述声表面波器件电连接在所述基板上。
为解决上述技术问题，本发明实施例还提供一种声表面波器件的制作方法，包括：在压电基底的上表面制备IDT结构及引线，其中，所述IDT结构与所述引线电性连接，所述IDT结构位于所述压电基底的第一承载区，所述引线位于所述压电基底的第二承载区；在所述引线区的上表面制备焊盘；在所述第一承载区和第二承载区设置第一保护层，其中，所述第一保护层覆盖所述IDT结构的外表面、所述引线的外表面以及所述焊盘的外表面；在所述第二承载区制备第二保护层，其中，所述第二承载区覆盖在所述第一保护层与所述焊盘相对区域的外表面。
可选的，在所述第二承载区设置第二保护层的步骤包括：在所述第一承载区和所述第二承载区设置第二保护层，其中，所述第二保护层覆盖所述第一保护层的外表面；去除位于所述第一承载区的所述第二保护层。
可选的，去除位于所述第一承载区的所述第二保护层的步骤包括：在位于所述第一承载区的第二保护层上使用蚀刻液，以蚀刻位于所述第一承载区的所述第二保护层，其中，所述第一保护层为所述蚀刻液的耐性材料。
在本发明实施例提供的声表面波器件及封装模组中，第一保护层用于对IDT结构、引线以及焊盘的外表面进行全面覆盖，相当于是现有技术中的钝化层，第二保护层用于对焊盘侧面的钝化层进行加厚，进而避免钝化层在焊盘的侧面发生断裂。同时，由于钝化层覆盖在IDT结构上的那部分的厚度较小，可以有效避免对声表面波器件的声学性能产生不良影响。
附图说明
图1为现有技术中的声表面波器件的剖面示意图；
图2为本发明实施例一提供的声表面波器件的剖面示意图一；
图3为本发明实施例一提供的声表面波器件的制备方法的示意图；
图4为本发明实施例一提供的声表面波器件的剖面示意图二；
图5为本发明实施例一提供的声表面波器件的剖面示意图三；
图6为本发明实施例二提供的声表面波器件的剖面示意图。
说明书中的附图标记如下：
100、声表面波器件；1、压电基底；11、第一承载区；12、第二承载区；2、IDT结构；3、引线；4、焊盘；41、第一焊层；42、第二焊层；5、钝化层；51、第一保护层；511、第一区、512、第二区；513、第三区；52、第二保护层；6、开孔；61、第一段孔；62、第二段孔；63、第三段孔；7、焊球；8、凸点下金属。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一
如图2所示，在实施例一中，声表面波器件100包括压电基底1、IDT结构2、引线3、焊盘4以及钝化层5。其中，压电基底1的上表面具有第一承载区11和第二承载区12，IDT结构2和引线3电性连接，二者均设置在压电基底1的上表面，且IDT结构2位于第一承载区11，引线3位于第二承载区12。焊盘4设置在引线3的上表面，钝化层5覆盖在IDT结构2、引线3以及焊盘4的外表面。
在实施例一中，IDT结构2和引线3的材质是相同的，二者均可以采用铜铝合金。此外，IDT结构2的厚度为100nm-500nm，且IDT结构2的厚度和引线3的厚度是相同的。生产时，先在压电基底1的上表面设置一层金属，然后再去除该金属层的相应区域，以使第一承载区11的金属层形成IDT结构2，第二承载区12的金属层形成引线3。
在实施例一中，焊盘4的材料可以是为铝、铝铜合金等，其厚度为1.5um-3um。生产时，焊盘4可以通过蒸发等方式形成在引线3的上表面。
在实施例一中，钝化层5可以是通过磁控溅射或等离子体增强化学的气相沉积法制备。另外，IDT结构2、引线3以及焊盘4三者的外表面可以是指，不设置钝化层5时三者裸露在外的表面。钝化层5覆盖在IDT结构2、引线3以及焊盘4的外表面，主要是为了将三者与外部环境隔开。
如图2所示，在实施例一中，钝化层5包括第一保护层51和第二保护层52，其中第二保护层52位于第一保护层51的上方。另外，第一保护层51覆盖IDT结构2、引线3以及焊盘4的外表面，第二保护层52位于所述第二承载区12，且第二保护层52覆盖在第一保护层51与焊盘4的侧面相对区域的外表面。也即焊盘4的侧面依次覆盖了第一保护层51和第二保护层52。
在本实施例中，第一保护层51完全覆盖在IDT结构2、引线3以及焊盘4的外表面，主要是为了将三者与外部环境隔开，此时，第一保护层51相当于是现有技术中的钝化层5a(参考图1)。第二保护层52的作用是对焊盘4侧面的钝化层5进行加厚，进而避免钝化层5在焊盘4的侧面发生断裂。
同时，由于钝化层5覆盖在IDT结构2上的那部分的厚度较小，可以有效避免对声表面波器件100的声学性能产生不良影响。也即通过本实施例的设置，可以在保证声表面波器件100的声学性能的前提下，避免焊盘4侧面的钝化层5发生断裂，使钝化层5可以对焊盘4进行更好的保护。
生产制备第二保护层52时，除了第一保护层51与焊盘4的侧面相对区域的外表面上会生长第二保护层52之外，第一保护层51与焊盘4的上表面相对区域的外表面上也会生长第二保护层52。为了简化生产工艺，与焊盘4的上表面相对的第二保护层52通常会被保留下，因此，实际的声表面波器件中，第二保护层52也会覆盖第一保护层51与焊盘4的上表面相对区域的外表面。
实际生产中，制备第二保护层52时，第一承载区11上也会生长第二保护层52，也即第一保护层51与IDT的外表面相对的区域上也会生长第二保护层52。后续生产中，需要对位于第一承载区11的第二保护层52进行清除。
在实施例一中，可以通过蚀刻液蚀刻的方式去除第一承载区11上的第二保护层52，为了避免第一保护层51受到该蚀刻液的腐蚀，第一保护层51与第二保护层52的材质不同，且第一保护层51通常为该蚀刻液的耐性材料。在实际产品中，第一保护层51的材料可以是Si3N4，第二保护层52的材料可以是SiO2，蚀刻液可以是氢氟酸。
在实际生产中，第一保护层51的厚度为15nm-30nm，其中，第一保护层51各区域的厚度可以是相同的。另外，第一保护层51的厚度可以是与现有技术中的钝化层5a的厚度相同，此时，第一保护层51制备完成以后，可能会在焊盘4的侧面断裂产生缝隙。后续制备的第二保护层52可以填充该缝隙。
由于第二保护层52设置在第二承载区12，其厚度不会对声表面波器件100的声学性能产生影响，故在实施例一中，可以将第二保护层52的厚度设置的大于第一保护层51的厚度，这样不仅可以使第二保护层52更好地填充第一保护层51上的缝隙，还可以避免第二保护层52断裂。其中，第二保护层52的厚度可以是大于50nm，且第二保护层52的各区域的厚度可以是相同的。
如图2所示，位于第二承载区12的第一保护层51包括第一区511、第二区512、以及第三区513。其中，第一区511覆盖在引线3的上表面，并覆盖焊盘4的侧面下端的一定高度，该高度等于第一区511的厚度；第二区512覆盖在焊盘4的侧面，其下端与第一区511接触，其上端端面与焊盘4的上表面平齐；第三区513覆盖在焊盘4的上表面，其下端与第二区512接触。本实施例所说的，“第二保护层覆盖在第一保护层与焊盘的侧面相对区域的外表面”主要是指第二保护层52覆盖在第二区512的外表面。当然，在实际产品中，第二保护层52除了覆盖第二区512的外表面之外，还覆盖第一区511与焊盘4的侧面相背的表面。实际产品中，第二保护层52可以是完全覆盖位于第二承载区12上的第一保护层51的外表面。
如图3所示，在本发明实施例还提供了一种声表面波器件100的制作方法，该方法用于制备实施例一的声表面波器件100，其中该方法包括：步骤S1，在压电基底1的上表面制备IDT结构2及引线3，其中，IDT结构2与引线3电性连接，IDT结构2位于压电基底1的第一承载区11，引线3位于压电基底1的第二承载区12；步骤S2，在引线3区的上表面制备焊盘4；步骤S3，在第一承载区11和第二承载区12制备第一保护层51，其中，第一保护层51覆盖IDT结构2的外表面、引线3的外表面以及焊盘4的外表面；步骤S3，在第二承载区12制备第二保护层52，其中，第二承载区12覆盖在第一保护层51与焊盘4相对区域的外表面。
其中，在步骤S1中，除了采用先在压电基底1的上表面制备金属层，然后再蚀刻该金属层以形成IDT结构2及引线3的方式之外，还可以是采用剥离(lift-off)的方式直接在压电基底1上形成IDT结构2及引线3。在步骤S3中，可以通过磁控溅射或等离子体增强化学的气相沉积法制备第一保护层51。步骤S4的实现包括以下步骤：S41，在第一承载区11和第二承载区12制备第二保护层52，其中，第二保护层52覆盖第一保护层51的外表面，且该步骤可以采用磁控溅射或等离子体增强化学的气相沉积法实现；步骤S42，去除位于第一承载区11的第二保护层52。在实际生产中，步骤S42包括在位于第一承载区11的第二保护层52上使用蚀刻液，以蚀刻位于第一承载区11的第二保护层52。其中，除了采用蚀刻液蚀刻方式去除位于第一承载区11的第二保护层52之外，还可以通过RIE(反应离子刻蚀)等方式去除位于第一承载区11的第二保护层52。
如图4和图5所示，声表面波器件100上设有开孔6，开孔6设置在钝化层5与焊盘4的上表面相对的区域。其中，沿着由上而下的方向，开孔6包括依次连通设置的第一段孔61、第二段孔62以及第三段孔63，第一段孔61设置在第一保护层51上并贯穿第二保护层52，第二段孔62设置在第一保护层51上并贯穿第一保护层51，第三段孔63为设置在焊盘4的上表面的盲孔。
如图5所示，声表面波器件100还包括焊球7，焊球7的一端设置在开孔6内，并与焊盘4电性连接，焊球7的另一端位于开孔6外。焊球7的材料可以是锡，使用时，焊球7用于与其他器件上的焊盘4焊接，进而使声表面波器件100与该器件封装在一起。
如图5所示，声表面波器件100还包括凸点下金属8，凸点下金属8电连接在焊球7和开孔6的底面之间，用于增强焊球7的附着力。凸点下金属8的材质为镍金，其可以通过化学镀方式制备。在现有场景中，由于焊盘4a侧面的钝化层5a容易断裂，所以在化学镀镍金时，化学镀液经常会从钝化层5a的裂缝9a处对焊盘4a产生腐蚀，容易导致声表面波器件100a的损坏。而在本实施例中，由于焊盘4周围的钝化层5采用加厚处理，可以避免焊盘4侧面的钝化层5断裂，故采用本实施例的设置方式可以有效避免化学镀液腐蚀损坏声表面波器件100。
此外，现有设计中，钝化层5a通常会在焊盘4a与引线3a的交接处发生断裂，在化学镀镍金时，化学镀液也会从裂缝9a处腐蚀引线3a，故通过本实施例的设置方式还可以使钝化层5可以对引线3进行有效保护，避免引线3被化学镀液腐蚀。
实施例二
如图6所示，实施例二与实施例一的区别在于：在实施例二中，沿着由下而上的方向，焊盘4包括至少两个焊层，这些焊层中具有第一焊层41和第二焊层42，其中第一焊层41设置在引线3的上表面，第二焊层42设置在第一焊层41的上表面。其中，第一焊层41的侧面凸出第二焊层42，以使第一焊层41与第二焊层42之间形成第一台阶结构；钝化层5覆盖第一焊层41的外表面以及第二焊层42的外表面。
在本实施例中，通过对焊盘4进行分层设置，可以在焊盘4总厚度不变的情况下，使每一个焊层相对于支撑该焊层的界面的高度较小，这样可以避免钝化层5在每一个焊层的侧面发生断裂，进而实现避免钝化层5在焊盘4的侧面发生断裂，使得钝化层5可以对焊盘4进行更好的保护。其中，支撑第一焊层41的界面为引线3的上表面，支撑第二焊层42的界面为第一焊层41的上表面。
生产时，先在引线3上制备第一焊层41，然后在第一焊层41上制备第二焊层42。
本发明实施例还提供了一种封装模组，该封装模组包括基板以及上述任一实施例所述的声表面波器件100，其中声表面波器件100电连接在基板上。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种声表面波器件，其特征在于，包括压电基底、IDT结构、引线、焊盘以及钝化层；
所述压电基底的上表面具有第一承载区和第二承载区；
所述IDT结构设置在所述第一承载区；
所述引线设置在所述第二承载区，并与所述IDT结构电性连接；
所述焊盘设置在所述引线的上表面；
所述钝化层包括第一保护层和第二保护层，其中，所述第一保护层覆盖所述IDT结构的外表面、所述引线的外表面以及所述焊盘的外表面；所述第二保护层位于所述第二承载区，并覆盖在所述第一保护层与所述焊盘的侧面相对区域的外表面。
2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第二保护层的厚度大于所述第一保护层的厚度。
3.根据权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一保护层的厚度为15nm-30nm，所述第二保护层的厚度大于50nm。
4.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层的材质不同。
5.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述焊盘包括至少两个焊层；
所述至少两个焊层中的第一焊层设置在所述引线的上表面，所述至少两个焊层中的第二焊层设置在所述第一焊层的上表面；
所述第一焊层的侧面凸出所述第二焊层，以使所述第一焊层与所述第二焊层之间形成第一台阶结构。
6.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述声表面波器件上设有开孔，所述开孔设置在所述第二保护层与所述焊盘的上表面相对的区域；
沿着由上而下的方向，所述开孔包括依次连通设置的第一段孔、第二段孔以及第三段孔，所述第一段孔设置在所述第一保护层上并贯穿所述第二保护层，所述第二段孔设置在所述第一保护层上并贯穿所述第一保护层，所述第三段孔为设置在所述焊盘的上表面的盲孔；
所述声表面波器件还包括焊球，所述焊球的一端设置在所述开孔内，并与所述焊盘电性连接，所述焊球的另一端位于所述开孔外。
7.一种封装模组，其特征在于，包括基板以及权利要求1-6任意一项所述的声表面波器件，所述声表面波器件电连接在所述基板上。
8.一种声表面波器件的制作方法，其特征在于，包括：
在压电基底的上表面制备IDT结构及引线，其中，所述IDT结构与所述引线电性连接，所述IDT结构位于所述压电基底的第一承载区，所述引线位于所述压电基底的第二承载区；
在所述引线区的上表面制备焊盘；
在所述第一承载区和第二承载区设置第一保护层，其中，所述第一保护层覆盖所述IDT结构的外表面、所述引线的外表面以及所述焊盘的外表面；
在所述第二承载区制备第二保护层，其中，所述第二承载区覆盖在所述第一保护层与所述焊盘相对区域的外表面。
9.根据权利要求8所述的声表面波器件的制作方法，其特征在于，在所述第二承载区设置第二保护层的步骤包括：
在所述第一承载区和所述第二承载区制备第二保护层，其中，所述第二保护层覆盖所述第一保护层的外表面；
去除位于所述第一承载区的第二保护层。
10.根据权利要求9所述的声表面波器件的制作方法，其特征在于，去除位于所述第一承载区的第二保护层的步骤包括：在位于所述第一承载区的第二保护层上使用蚀刻液，以蚀刻位于所述第一承载区的第二保护层，其中，所述第一保护层为所述蚀刻液的耐性材料。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114726333B (zh) * 2022-03-29 2023-06-23 锐石创芯(重庆)科技有限公司 声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10107572A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP3435639B2 (ja) * 2000-04-13 2003-08-11 株式会社村田製作所 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
JP4518877B2 (ja) * 2004-08-26 2010-08-04 京セラ株式会社 弾性表面波装置
JP2013055244A (ja) * 2011-09-05 2013-03-21 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及びその製造方法
CN104104357B (zh) * 2014-07-18 2017-07-21 天津大学 谐振器以及谐振器的加工方法
JP6330912B2 (ja) * 2014-07-28 2018-05-30 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN108918673A (zh) * 2018-08-17 2018-11-30 中国科学院声学研究所 一种具有微加热功能的声表面波湿度传感器
CN110729249B (zh) * 2019-11-15 2021-12-28 西安微电子技术研究所 一种焊盘下器件的双顶层金属cmos工艺
CN111121843B (zh) * 2019-12-18 2021-03-02 上海交通大学 一种声表面波传感器的一体化封装结构及封装方法
CN114726333B (zh) * 2022-03-29 2023-06-23 锐石创芯(重庆)科技有限公司 声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法

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