WO2016008994A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements Download PDF

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power distribution
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Thomas Wehlus
Johannes Rosenberger
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Osram Oled GmbH
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Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic component and to a method for producing an optoelectronic component
  • the optoelectronic component emits or absorbs light.
  • the optoelectronic component is, for example, a light-emitting diode, for example an organic light-emitting diode (OLED), a photodetector or a solar cell.
  • An OLED has an anode and a cathode with an organic functional layer system in between.
  • the organic functional layer system may include one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, a charge carrier pair generation layer structure of two or more each
  • CGL Charge pair generation charge generating layer
  • HT hole transport layer
  • E electron transport layer
  • An OLED can be segmented and therefore have several OLED elements.
  • the OLED elements may, for example, be electrically connected in parallel and / or share at least one common electrode.
  • two OLED elements have the same cathode, but have separate organic functional layer structures and correspondingly separate anodes.
  • the OLED elements can be controlled and used as a uniform illuminated area.
  • the OLED elements can also be functionally independent of each other and / or controlled independently.
  • One difficulty here is to control internal OLED elements without current supply lines to these internal OLED elements disturbing the luminous pattern and / or the appearance of the outer luminous surfaces.
  • interior lighting areas were represented by means of internal OLED elements and independent of the outside
  • Illuminate lighting areas at least one point led to the edge. Detached interior
  • Illuminated areas are so far only possible if there is no further illuminated area outside the corresponding luminous area.
  • the power distribution structure may include a plurality of rectilinear power line sections that are integral with each other and predetermined angles
  • a current distribution structure which has a structure consisting of hexagons, for example regular hexagons, wherein the sides of the hexagons represent the current line sections and the included angles can be 120 °, for example.
  • the power distribution structure may also be referred to as a busbar structure, and the power line sections may also be referred to as busbars.
  • An object of the invention is to provide an optoelectronic component which has one or more inner functional surfaces, for example emission surfaces or absorption surfaces, which do not touch a lateral edge of the optoelectronic component, are spaced therefrom and / or are surrounded by outer functional surfaces that fulfill a desired functionality, light up, for example, in the operation of the optoelectronic component, for example, shine homogeneously, and / or in which a supply or removal of electricity is easily possible.
  • a further object of the invention is a method for producing an optoelectronic component
  • Optoelectronic device to provide such that it has one or more inner functional surfaces, such as emission surfaces or absorption surfaces, which do not touch a lateral edge of the optoelectronic device, are spaced therefrom and / or surrounded by outer functional surfaces that have a desired
  • Functionality for example, shine in the operation of the optoelectronic device, for example, shine homogeneously, and / or in which a supply or
  • an optoelectronic component having a first electrode having at least one outer
  • Electrode segment which is formed on a lateral edge of the first electrode, and at least one inner
  • Electrode segment which is formed spaced from the edge of the first electrode. Above the first electrode is an electrically conductive current distribution structure
  • At least one power supply extends from the at least one outer sub-structure, which extends at least over the outer electrode segment, and at least one inner sub-structure which extends at least over the inner electrode segment and which is electrically insulated from the outer sub-structure.
  • At least one power supply extends from the
  • Partial structure is electrically coupled to the inner substructure and is electrically isolated from the outer substructure, wherein a structure of the power supply line to the current distribution structure corresponds.
  • a Insulation structure covers the power distribution structure and the power supply line.
  • Layer structure is over the first electrode, the
  • Insulating structure formed.
  • a second electrode is over the organic functional layer structure
  • the power supply whose structure to the
  • Current distribution structure corresponds, allows the inner sub-structure to supply current from the outside or dissipate current from the inner sub-structure to the outside.
  • the fact that the structure of the power supply line corresponds to the power distribution structure may help to guide the power supply line and the power distribution structure to the inner substructure and conceal it under the insulation structure, so that there is no structure from outside
  • Insulating structure for electrically insulating the
  • Partial structure is an element of an inner functional
  • the power distribution structure is used to distribute the current across two or more functional areas, and the power supply is used to supply or dissipate power to and from an interior functional area
  • the busbars are not just for
  • the power supply line can be formed in addition to the power distribution sections, wherein the power supply line can not be distinguished from the power line sections by a user of the optoelectronic component due to their structure from the outside.
  • the structure of the power supply line of the power distribution structure is geometrically similar. That is, the structure of the power supply line can be mapped onto the power distribution structure by means of rotation, reflection, displacement, extension and / or compression.
  • angles occurring in the power distribution structure correspond to the angles occurring in the power supply line
  • / or lengths of power line sections of the power distribution structure correspond to lengths of
  • Power distribution structure is distinguishable and / or that the power supply line can be easily and / or inexpensively formed and / or that the power supply line can be formed together with the power distribution structure under the insulation structure. According to a development, the outer part structure
  • Power distribution sections wherein the power supply line adjacent to the power distribution sections.
  • the power supply sections run
  • the power supply line runs laterally next to or above the current distribution sections.
  • the power supply sections extend laterally adjacent to or above the power distribution sections. This can easily contribute to the structure of the power supply line corresponding to the power distribution structure and / or that the power supply line from the outside does not correspond to the power supply structure
  • Power distribution structure is distinguishable and / or that the power supply line can be formed together with the power distribution structure under the insulation structure.
  • the power supply line runs
  • the power supply sections run parallel to the
  • Power distribution sections This can easily contribute to the structure of the power supply line corresponding to the power distribution structure and / or that the power supply line from the outside does not correspond to the power supply structure
  • Power distribution structure is distinguishable and / or that the power supply line can be formed together with the power distribution structure under the insulation structure.
  • the power supply line is formed integrally with the inner part structure.
  • the power supply originally as part of the
  • the outer electrode segment is formed between the lateral edge of the first electrode and the inner electrode segment. This allows for an inner functional surface covering the inner electrode segment to operate independently of an outer functional surface having the outer electrode segment.
  • the inner electrode segment is surrounded in the lateral direction by the one outer electrode segment, a further outer electrode segment and / or a plurality of outer electrode segments. This makes it possible to operate a free-standing, in all directions from the edge spaced, inner functional surface having the inner electrode segment, independently of an outer functional surface having the outer electrode segment.
  • a current distribution section of the current distribution structure and a power supply section of the power supply line closest thereto are one
  • Insulating structure covered. is at a
  • Insulating structure section integrally formed.
  • Insulating the power distribution structure is also used for insulating and covering the power supply line, wherein the power supply sections so close to the
  • Power distribution structure is distinguishable.
  • Insulating structure portion of the insulating structure covered and an adjacent thereto power supply portion of the power supply line is of a second Insulating structure portion of the insulating structure covered, wherein the first and the second insulating structure portion are physically separated from each other.
  • first and the second insulating structure portion are physically separated from each other.
  • Insulating structure section formed in two pieces.
  • a power supply section and an adjacent power distribution section are insulated and covered by two different isolation structure sections, but these may be so close to each other that they are external to a user
  • Isolation structure section are perceived. This can easily contribute to the structure of the power supply line corresponding to the power distribution structure and / or that the power supply line from the outside can not be distinguished from the power distribution structure.
  • the object is achieved according to a further aspect by a method for producing an optoelectronic
  • a first electrode is provided, which has at least one outer
  • Electrode segment which is formed on a lateral edge of the first electrode, and at least one inner
  • Electrode segment which is formed spaced from the edge of the first electrode. Over the first electrode becomes an electrically conductive current distribution structure
  • Electrode segment extends, and at least one inner
  • Electrode segment extends and is electrically isolated from the outer substructure. At least one
  • An organic functional layer structure is formed over the first electrode, the current distribution structure, the
  • a second electrode is formed over the organic functional layer structure.
  • the first electrode is first formed in one piece and then severed so that the
  • Electrode segments are formed. This can easily contribute to the simple and / or cost-effective design of the optoelectronic component with the electrode segments.
  • the power distribution structure is formed by first integrally forming the power distribution structure and then severing it so that the partial structures are formed. This can easily contribute to the optoelectronic
  • the power supply line is formed by the current distribution structure.
  • the current distribution structure is formed so that it extends over the entire active region of the
  • Substructures and the power supply line are formed, wherein the power supply line and the inner substructure remain connected to each other and are electrically isolated from the outer substructure. This can easily contribute to the optoelectronic device with the
  • Power supply lines and / or the substructures simple and / or to train cost-effectively.
  • the power supply can be formed in a simple manner and / or cost.
  • the power supply line is formed in addition to the power distribution structure. This can easily contribute to further inner
  • FIG. 2 shows a plan view of an optically active region of an exemplary embodiment of an optoelectronic component, a plan view of an optically active region of an exemplary embodiment of an optoelectronic component, FIG.
  • FIG. 4 shows a plan view of an optically active region of an exemplary embodiment of an optoelectronic component in a first state during a process
  • FIG. 5 shows a plan view of the optically active region of the optoelectronic component according to FIG. 4 in a second state during the method for producing the optoelectronic component
  • FIG. 6 shows a plan view of the optically active region of the optoelectronic component in a third state during the method for producing the optoelectronic component
  • Figure 7 is a plan view of the optically active region of the optoelectronic device in a
  • Figure 8 is a detailed sectional view of a
  • Figure 9 is a plan view of the power distribution structure of Figure 8.
  • Figure 10 is a detailed sectional view of a
  • Figure 11 is a detailed sectional view of a
  • Figure 12 is a plan view of the power distribution structure of Figure 11;
  • Figure 13 is a detailed sectional view of a
  • An optoelectronic component may be an electromagnetic radiation emitting device or a
  • An electromagnetic radiation absorbing component may be, for example, a solar cell or a photodetector.
  • Component may be in various embodiments, an electromagnetic radiation emitting semiconductor device and / or as an electromagnetic
  • electromagnetic radiation emitting diode as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation be formed emitting transistor.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • light emitting diode light emitting diode
  • organic light emitting diode organic light emitting diode
  • Component may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a
  • Fig.l shows an embodiment of an optoelectronic component 1, in particular an organic light-emitting diode
  • the optoelectronic component 1 has a carrier 12. On the carrier 12 is an opto-electronic
  • Layer structure has a first electrically conductive layer 14, which has a first contact portion 16, a second contact portion 18 and a first electrode 20.
  • the carrier 12 with the first electrically conductive layer 14 may be referred to as a substrate.
  • the second contact section 18 is electrically coupled to the first electrode 20 of the optoelectronic layer structure.
  • the first electrode 20 is electrically insulated from the first contact portion 16 by means of an electrical insulation barrier 21.
  • Above the first electrode 20 is an optically functional layer structure, for example a
  • organic functional layer structure 22 may be any organic functional layer structure 22.
  • Layer structure 22 is a second electrically conductive layer, in particular a second electrode 23 of FIG.
  • the first electrode 20 serves, for example, as the anode or cathode of the optoelectronic layer structure.
  • the second electrode 23 serves corresponding to the first electrode 20 as the cathode or anode of the optoelectronic
  • the optoelectronic component 1 is segmented and has an outer segment and an inner segment.
  • the outer segment forms an outer functional surface and the inner segment forms an inner functional surface.
  • the outer segment is of an outer light emitting diode element 50
  • the inner segment is of an inner one
  • Light emitting diode element 52 is formed. The outermost portion
  • Light emitting diode element 50 forms a lateral edge of an optically active region of the optoelectronic component 1.
  • the inner light emitting diode element 52 is spaced from the lateral edge.
  • the outer light emitting diode element 50 is formed between the inner light emitting diode element 52 and the lateral edge.
  • the light emitting diode elements 50, 52 have separate segments of the organic functional layer structure 22 and separate segments of the first electrode 20. In particular, the first one
  • Electrode 20 an outer electrode segment 51 of the outer light-emitting element 50 and an inner electrode segment 53 of the inner light-emitting element 52 on. If that
  • Optoelectronic component 1 has more or fewer segments, so the first electrode 20 correspondingly more or fewer electrode segments 51, 53 on.
  • Light emitting diode elements 50, 52 share the second electrode 23, which is not segmented.
  • the electrode segments 51, 53 are not shown with different, electrically isolated from each other, areas of the second Contact portion 18 is electrically coupled, so that the
  • Light emitting diode elements 50, 52 can be operated independently.
  • the light emitting diode elements 50, 52 are
  • an electrically conductive current distribution structure 60 is formed.
  • Power distribution structure 60 is formed in direct physical contact with first electrode 20.
  • Current distribution structure 60 is used to distribute electrical current across the optically active region of the
  • a busbar structure Above the power distribution structure 60 is a
  • Insulation structure 61 is formed.
  • the insulation structure 61 is
  • photoactive polyimide for example, photoactive polyimide, novolac resins, and / or epoxy resins.
  • the transparent materials may be transparent only in some wavelength ranges and not transparent and / or absorbent in other wavelength ranges.
  • the current distribution structure 60 and the isolation structure 61 are better in FIG.
  • Insulation structure 61 may be formed significantly smaller.
  • Contact section 18 is an encapsulation layer 24 of the optoelectronic layer structure formed, which encapsulates the optoelectronic layer structure.
  • Encapsulation layer 24 are over the first contact portion 16 a first recess of the encapsulation layer 24 and the second contact portion 18, a second recess of the encapsulation layer 24 is formed. In the first recess of the encapsulation layer 24, a first contact region 32 is exposed and in the second recess of the
  • Encapsulation layer 24 a second contact region 34 is exposed.
  • the first contact region 32 is used for electrical
  • an adhesive layer 36 is formed over the encapsulation layer 24.
  • an adhesive layer 36 is formed above the adhesive layer 36.
  • Cover body 38 is formed.
  • the adhesive layer 36 serves to attach the
  • Cover body 38 serves to protect the optoelectronic component 1, for example, against mechanical
  • cover body 38 may serve for distributing and / or dissipating heat generated in the optoelectronic component 1.
  • the substrate projects laterally below the cover body 38.
  • the optoelectronic component 1 may comprise two or more outer light-emitting diode elements 50 and corresponding outer electrode segments 51 and / or two or more inner light-emitting elements
  • the light-emitting diode elements 50, 52 may for example be designed so that with their help characters, symbols, numbers, letters or images can be displayed. Further, inner light emitting diode elements 52 may be formed that are completely separate from other inner ones
  • Light emitting diode elements 52 are surrounded. Further, in the light emitting diode elements 50, 52 instead of the first electrode 20, the second electrode 23 may be segmented and / or the first Electrode 20 may not be segmented and / or formed in one piece. Furthermore, the light-emitting diode elements 50, 52 may have the same organic functional layer structure 22. In other words, the organic functional layer structure 22 may not be segmented and none
  • segmented organic functional layer structure 22 is preferred when the
  • Light-emitting diode elements 50, 52 are executed significantly different in color and or brightness, for example, at a brightness deviation more than 20%. Furthermore, the insulation structure 61 may not be transparent. Furthermore, the substrate and the insulation structure 61 may not be transparent. Furthermore, the substrate and the insulation structure 61 may not be transparent. Furthermore, the substrate and the insulation structure 61 may not be transparent. Furthermore, the substrate and the insulation structure 61 may not be transparent. Furthermore, the substrate and the
  • Cover body 38 may be formed flush or almost flush at their side edges, wherein a contact of the
  • Contact areas 32, 34 can be made for example via recesses and / or holes in the cover body 38 and / or in the carrier 12. Furthermore, the carrier 12 can be dispensed with and the first electrically conductive layer 14 can be used as carrier. Furthermore, it is possible to dispense with the covering body 38.
  • the optoelectronic component 1 may be designed to be flexible, for example.
  • Fig. 2 shows a plan view of an optically active
  • the optoelectronic component 1 for example, largely as shown in FIG. 1
  • Optoelectronic component 1 may be designed accordingly.
  • the optically active region is the region in which the optoelectronic component 1 radiates electromagnetic radiation, for example light.
  • the optically active region is rectangular in plan view.
  • a lateral edge 55 of the optically active region is from the outer
  • the inner electrode segment 53 is rectangular.
  • the inner light emitting diode element 52 and in particular the inner electrode segment 53 are completely surrounded by the outer light emitting diode element 50 and the outer electrode 51, respectively.
  • the outer electrode 51 is formed between the inner electrode 53 and the lateral edge 55.
  • the insulating structure 61 extends integrally over the entire optically active region of the optoelectronic
  • the current distribution structure 60 which is covered by the insulation structure 61 in FIG. 2, does not extend in one piece over the entire optically active region of the optoelectronic component 1.
  • the current distribution structure 60 has substructures electrically insulated from one another, as explained in more detail below.
  • one or more power supply lines are formed under the insulation structure 61, as explained in more detail below.
  • a user of the optoelectronic component 1 thus perceives only the insulation structure 61 from the outside, as shown in FIG.
  • the insulating structure 61 forms a hexagonal lattice having a plurality of regular hexagons.
  • Isolation structure 61 may, for example, of a
  • the material may comprise, for example, photoactive polyimide coatings, novolak resins and / or epoxy resins.
  • Electrode segment 53 is independent of the isolation structure 61. In other words, the structure of the inner electrode segment 53 and the insulating structure 61 do not correspond to each other.
  • the outer light-emitting element 50 forms an outer
  • the inner light-emitting element 52 forms an inner functional surface which is hatched in FIG.
  • the outer functional surface and the inner functional surface are used in the operation of the
  • the user of the optoelectronic component 1 perceives the inner and / or the outer functional surface as luminous surface.
  • the inner and / or the outer functional surface as luminous surface.
  • optoelectronic component 1 are driven so that only the inner functional surface lights or that only the outer functional surface lights or that both surfaces simultaneously or alternately, for example, alternately or overlapping in time, shine.
  • Insulating structure 61 polygons having less than six corners, for example, three, four or five corners or having more than six corners. Furthermore, the inner
  • Light emitting diode element 50 have a different shape
  • the inner light emitting diode element 52 and / or the inner electrode segment 53 may be in the form of a character, a symbol, a letter, a digit, and / or an image. Furthermore, several internal
  • Light emitting diode elements 52 may be formed, with the aid of a lettering and / or a number can be displayed. Furthermore, the outer functional surface and / or the inner
  • Device 1 for absorbing electromagnetic radiation, for example, for detecting light or for
  • FIG. 3 shows a plan view of an optically active
  • Electrode segment 53 to the insulating structure 61.
  • an edge of the inner electrode segment 53 runs along and / or parallel to the insulation structure 61.
  • the structure of the inner functional surface corresponds to the insulation structure 61.
  • Fig. 4 shows a plan view of an optically active
  • FIG. 4 shows a first state of the optoelectronic component 1, in which the first electrode 20 has a planar and non-segmented design.
  • the current distribution structure 60 is formed over, in particular on the first electrode 20.
  • the power distribution structure 60 in the first state forms a contiguous network over the first electrode 20.
  • the power distribution structure 60 may also be referred to as hexagonal
  • Busbar grille be designated.
  • the power distribution structure 60 is formed by a plurality of power distribution sections 80.
  • Current distribution sections 80 are rectilinear and include an angle of 120 ° in pairs.
  • Power distribution sections 80 form a hexagonal grid having a plurality of regular hexagons. The structure of the power distribution structure 60 is reflected in FIG.
  • Insulation structure 61 again, since the insulating structure 61, the power distribution structure 60 covered.
  • the power distribution sections 80 comprise or are formed of a metal.
  • the metal may comprise, for example, silver, copper, gold and / or aluminum. Alternatively or additionally, the power distribution sections 80
  • Carbon nanotubes for example, single wall or
  • Multiwall carbon nanotubes and / or an electrically conductive metal oxide, for example, indium tin oxide,
  • the power distribution structure 60 may be implemented as a metallization of the first electrode 20.
  • the current distribution structure 60 may have a height of 700 nm, for example, perpendicular to the plane of the drawing.
  • Current distribution structure 60 may have a width of, for example, parallel to the plane of drawing.
  • the insulation structure may have a height of 10 ym perpendicular to the plane of the drawing.
  • the isolation structure may have a width of, for example, parallel to the plane of the drawing.
  • Power distribution structure 60 are formed.
  • FIG. 5 shows a plan view of the optically active region of the optoelectronic component 1 according to FIG. 4 during the method for producing the optoelectronic component
  • Component 1 in a second state.
  • Figure 5 shows the first electrode 20 with the
  • Power distribution structure 60 and optionally the
  • Insulation structure 61 severed in places
  • the power distribution structure 60 is severed such that from the original power distribution structure 60 a
  • Power supply line 62, an outer sub-structure 64 and an inner sub-structure 66 are formed.
  • the inner sub-structure 66 is continuous, unitary and optionally formed under the insulating structure 61.
  • the outer sub-structure 64 is integrally formed, in one piece and optionally under the insulating structure 61.
  • the power supply line 62 is continuous, integral and possibly under the insulation structure 61
  • Substructure 66 are contiguous and integral
  • Substructure 66 are electrically coupled together.
  • the power supply line 62 and the inner substructure 66 are electrically insulated from the outer substructure 64.
  • the power supply line 62 has or is formed by a plurality of power supply sections 82.
  • Power supply sections 82 are originally, ie before the cutting of the power distribution structure 60, of the
  • Power distribution structure 60 In particular, the structure of the power supply line 62 of the power distribution structure 60 is geometrically similar. In particular, the structure of the
  • Current supply 62 can be mapped mathematically by rotation, reflection and / or displacement on the power distribution structure 60.
  • the rotation, reflection and / or displacement on the power distribution structure 60 can be mapped mathematically by rotation, reflection and / or displacement on the power distribution structure 60.
  • the power supply sections 82 are formed in parallel with the power distribution sections 80.
  • the insulation structure 61 can now be formed over the current distribution structure 60, in particular over the inner substructure 66 and the outer substructure 64, and above the current feed line 62.
  • Fig. 6 shows the optically active region of
  • Optoelectronic component 1 according to FIG. 5 in one third state during the procedure.
  • the first electrode 20 is severed along the path 90, in particular cut.
  • the structure of the path 90 corresponds in the region of the power supply line 62 to the structure of
  • the structure of the path 90 in the region of the power supply line 62 is geometrically similar to the structure of the power supply line 62 and the power distribution structure 60.
  • the path 90 runs in the region of
  • Power supply 62 laterally adjacent, adjacent and parallel to the power supply line 62nd
  • the structure of the path 90 does not correspond between the inner electrode 53 and the outer electrode 51 to the structure of the power supply line 62 and the
  • Power distribution structure 60 In particular, the structure of the path 90 between the inner electrode 53 and the outer electrode 51 to the structure of the power supply line 62 and the power distribution structure 60 is not geometrically
  • the path 90 extends between the inner electrode 53 and the outer electrode 51 independently of
  • the severing of the first electrode 20 can also be described as
  • Segmenting the first electrode 20 are designated.
  • the outer electrode 51 and the inner electrode 53 are electrically isolated from each other.
  • the power supply line 62 is electrically isolated from the outer electrode 51. Further, segmentation defines the structure of the inner functional surface and the structure of the outer functional surface. By means of the structure shown in FIG. 6, the functional surfaces shown in FIG. 2 are produced. Optionally, that can
  • Fig. 7 shows the optically active region of the
  • Optoelectronic component 1 according to Figure 5 in an alternative third state during the process in which, starting from the second state shown in Figure 5, the first electrode 20 is severed along the path 90.
  • the structure of the path 90 corresponds to the structure of the power supply line 62 and the power distribution structure 60 in the region of the power supply line 62 and between the inner electrode 53 and the outer electrode 51.
  • the structure of the path 90 is in the region of the power supply line 62 and between the inner electrode 53 and the outer electrode 51 to the structure of the power supply line 62 and the
  • the path 90 extends laterally, adjacent and parallel to the power supply line 62 and between the inner electrode 53 and the outer electrode 51
  • Power supply line 62 and the power distribution structure 60 can also as
  • Segmenting the first electrode 20 are designated.
  • the outer electrode 51 and the inner electrode 53 are electrically isolated from each other.
  • the power supply line 62 is electrically isolated from the outer electrode 51. Further, segmentation defines the structure of the inner functional surface and the structure of the outer functional surface. By means of the structure shown in FIG. 7, the functional surfaces illustrated in FIG. 3 are generated. Optionally, that can
  • the current distribution structure 60 is used to produce the current supply line 62 such that the current supply line 62 is formed by current distribution sections 80 originally belonging to the current distribution structure 60. This automatically causes the structure of the power supply line 62 to correspond to the power distribution structure 60.
  • the power supply line 62 is formed in addition to the power distribution structure 60. Also in these embodiments, the
  • Power supply 62 is formed so that the structure of the power supply line 62 to the power distribution structure 60th
  • the structure of the power supply line 62 is geometrically similar to the structure of the power distribution structure 60 such that the power supply sections 82 are adjacent to the power supply line 62
  • Power distribution sections 80 of the power distribution structure 60 are formed so that the power supply sections 82 are formed parallel to the power distribution sections 80, that the power supply sections 82 are formed laterally adjacent to or vertically above the power distribution sections 80, that the power supply sections 82 are formed so close to the power distribution sections 80 that they from the user of the optoelectronic component 1 from the outside can not be resolved as individual elements and / or that under an insulating structure section of the
  • Insulating structure 61 are arranged and / or the
  • Power supply line 62 from the insulating structure 61 to
  • Fig. 8 shows a detailed sectional view of a
  • Embodiment of a power distribution structure 60 Embodiment of a power distribution structure 60.
  • Current distribution structure 60 can be seen in plan view, for example, according to those shown in Figures 2, 3 and 4
  • Power distribution structures 60 may be formed. The
  • Power distribution section 80 is of a
  • Insulating structure section 84 covered.
  • Isolation structure section 84 is part of a
  • Insulation structure 61 which extends over the entire
  • the isolation structure section 84 has a length perpendicular to the plane of the drawing which is smaller than a width of the plane lying in the plane of the drawing
  • the power supply line 62 has a power supply section 82 formed of an electrically conductive material.
  • the power supply section 82 is formed in addition to the power distribution section 80.
  • Power supply section 82 is formed on the electrode layer 14.
  • the power supply section 82 is disposed laterally adjacent to and adjacent to the power distribution section 80 so as to be covered by the same insulating structure section 84. Further, the power supply section 82 and the power distribution section 80 are formed adjacent and parallel to each other. Thus, the structure of the power supply line 62 is formed corresponding to the power distribution structure 60.
  • the finished optoelectronic component 1 only the generally non-transparent, as a rule, is external
  • the isolation structure 61 is formed independently of the power supply line 62 for electrically insulating the power distribution structure 60. Therefore, forming the power supply line 62 under the same isolation structure 84 as the power distribution structure 60 does not constitute further optical restriction of the corresponding functional area of the optoelectronic device 1.
  • Lines such as power supply lines, be arranged side by side and under the same insulating structure section 84.
  • FIG. 9 shows a plan view of the current distribution structure 60 according to FIG. 8.
  • the current distribution structure 60 can be perpendicular to
  • Drawing level have a height of 700 nm, for example.
  • the power distribution structure 60 may be parallel to
  • Drawing plane have a width of, for example ....
  • the insulation structure may have a height of 10 ym perpendicular to the plane of the drawing.
  • Isolation structure 61 may, for example, of a
  • the material may comprise, for example, photoactive polyimide coatings, novolak resins and / or epoxy resins.
  • FIG. 10 shows a detailed sectional view of an embodiment of the current distribution structure 60.
  • the current distribution structure 60 can be seen in plan view, for example, according to that shown in FIGS. 2, 3 and 4
  • Power distribution structures 60 may be designed accordingly.
  • the power distribution structure 60 and the power supply line 62 are largely formed according to the power supply and power supply 62 shown in FIG. 8, wherein the
  • Insulating structure portion 86 is covered and electrically insulated and the power supply section 82 of a second insulating structure section 88 covered and
  • Insulating structure sections 86, 88 are physical
  • isolation structure sections 86, 88 are arranged so close to each other that they are perceived by a user of the optoelectronic component 1 from the outside as a one-piece structure and not as separate
  • Power supply section 82 and the power distribution section 80 adjacent and formed parallel to each other.
  • the structure of the power supply line 62 is formed corresponding to the power distribution structure 60.
  • Fig. 11 shows a detailed sectional view of a
  • Embodiment of the Stromversannons Concept 60.
  • the power distribution structure 60 can be seen in plan view, for example, according to those shown in Figures 2, 3 and 4
  • Power distribution structures 60 may be formed. The
  • Power distribution section 80 is formed. Further, the power supply section 82 and the power distribution section 80 are formed adjacent and parallel to each other. Thus, the structure of the power supply line 62 is formed corresponding to the power distribution structure 60. In top view the optically active region, the power supply line 62 is not recognizable as the power distribution structure 60 additional structure. The formation of the power supply line 62 over the
  • Power distribution structure 60 can be done for example by means of printing.
  • the power distribution section 80, then the material of the insulating structure section 84, and then the power supply section 82 may be successively and stacked by means of printing, for example, by ink jet printing, screen printing, or doctor blading.
  • Lines for example, power supply lines, one above the other and be arranged under the same insulating structure section 84.
  • Fig. 12 shows a plan view of the
  • the power distribution structure 60 can be perpendicular to
  • Drawing level have a height of 700 nm, for example.
  • the power distribution structure 60 may be parallel to
  • Drawing plane have a width of, for example ....
  • the insulation structure may have a height of 10 ym perpendicular to the plane of the drawing.
  • Isolation structure 61 may, for example, of a
  • the material may comprise, for example, photoactive polyimide coatings, novolak resins and / or epoxy resins.
  • rho_Alu 2.6510 * 10 "2 ohm mm 2 / m.
  • a power supply line 62 formed of aluminum and its power supply sections 82 are the same
  • Insulating structure sections 84 are formed as the corresponding current distribution sections 80, with 70 ym
  • Width a height of 4.5 ym and a length of 5 cm has a resistance of 4.2 ohms and allows a Bestromen of inner functional surfaces, such as inside illuminated areas.
  • a conventional power distribution structure 60 in particular a busbar, for example, has a metallization height of 700 nm, and a corresponding isolation structure 61 has a height of about 10 ym above the power distribution structure 60. If the height of the insulation structure 61 above the
  • the current distribution structure 60 is somewhat reduced and the metallization of the current distribution structure is made thicker, so that it is possible without problems in the same external dimensions to have the required conductive structure
  • FIG. 13 shows a detailed sectional view of a layer structure of an embodiment of a
  • the optoelectronic component 1 can be designed as a top emitter and / or bottom emitter. If the optoelectronic component 1 as a top emitter and
  • the optoelectronic device 1 as an optically transparent device
  • a transparent organic light emitting diode For example, a transparent organic light emitting diode, be designated.
  • the optoelectronic component 1 has the carrier 12 and an active region above the carrier 12. Between the carrier 12 and the active region, a first, not shown, barrier layer, for example, a first, not shown, barrier layer, for example, a first
  • the active region comprises the first electrode 20, the organic functional layer structure 22 and the second electrode 23.
  • Above the active region is the encapsulation layer 24
  • the encapsulation layer 24 may serve as a second barrier layer, for example as a second barrier layer
  • the cover body 38 is arranged.
  • the cover body 38 may, for example, by means of the adhesive layer 36 on the
  • Encapsulation layer 24 may be arranged.
  • the active area is an electrically active area
  • the active area is for example the area of the optoelectronic Component 1, in which electric current for operation of the optoelectronic component 1 flows and / or in which electromagnetic radiation is generated or absorbed.
  • the organic functional layer structure 22 may include one, two or more functional layered structure units and one, two or more intermediate layers between them
  • the carrier 12 may be translucent or transparent.
  • the carrier 12 serves as a carrier element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements.
  • the carrier 12 may comprise or be formed, for example, glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material.
  • the carrier 12 may be a plastic film or a
  • Laminate with one or more plastic films Laminate with one or more plastic films
  • the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the
  • the carrier 12 may comprise or be formed from a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound,
  • the carrier 12 may be formed as a metal foil or metal-coated foil.
  • the carrier 12 may be part of or form part of a mirror structure.
  • the carrier 12 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed in such a way.
  • the first electrode 20 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 20 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 20 comprises an electrically conductive material, for example metal and / or a conductive transparent oxide
  • the first electrode 20 may comprise a layer stack of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • metal for example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides, such as, for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • metal oxides such as, for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3
  • ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn 2 SnO 4, Cd SnO 3, Zn SnO 3, Mgln 204, GalnO 3, Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 12 or mixtures are also included
  • the first electrode 20 may comprise, as an alternative or in addition to the materials mentioned: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires.
  • the first electrode 20 may have or be formed from one of the following structures: a network of metallic nanowires, for example of Ag, which are combined with conductive polymers
  • the first electrode 20 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides.
  • the first electrode 20 may, for example, have a layer thickness in a range of 10 nm to 500 nm,
  • nm for example from 25 nm to 250 nm, for example from 50 nm to 100 nm.
  • the first electrode 20 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be provided by a power source (not shown), such as a power source or a power source
  • Electrode 20 are indirectly fed via the carrier 12.
  • the first electrical potential may be, for example, the
  • Ground potential or another predetermined reference potential is ground potential or another predetermined reference potential.
  • the organic functional layer structure 22 may include a hole injection layer, a hole transport layer, a
  • the hole injection layer may be on or above the first
  • Electrode 20 may be formed.
  • the hole injection layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoOx, WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz , F16CuPc; NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) -N, '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB N, N'-bis (naphthalen-2-yl) -N, '-bis (phenyl) -benzidine); TPD (N, '- bis (3-methylphenyl) - N,' - bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD (N, '- bis (3-methylphenyl) - N,' - bis (phenyl) benzidine); Spiro-NPB (N, 'bis (naphthalen-1-yl
  • the hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • Hole transport layer may be formed.
  • Hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) -N, '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB N, N'-bis (naphthalen-2-yl) -N, '-bis (phenyl) -benzidine); TPD (N, '- bis (3-methylphenyl) - N,' - bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD (N, '- bis (3-methylphenyl) - N,' - bis (phenyl) benzidine); Spiro-NPB (N, 'bis (naphthalen-1-yl) -N,' -bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
  • the hole transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm,
  • nm for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the one or more emitter layers may be formed, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters.
  • the emitter layer may be organic polymers, organic
  • the emitter layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: organic or organometallic
  • Iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic
  • the emitter materials may suitably be in one
  • Embedded matrix material for example one
  • the first emitter layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm
  • nm for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • Emitter layer have multiple sub-layers that emit light of different colors. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression. Alternatively or additionally, it can be provided in the beam path of the primary emission generated by these layers
  • a white radiation At least partially absorbed and emitted a secondary radiation of different wavelengths, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation, a white
  • the electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials: NET-18; 2, 2 ', 2 "- (1, 3, 5-benzyltriyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazoles); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1, 3 , 4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthrolines (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3, 5-diphenyl-4H- 1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5
  • the electron transport layer may have a layer thickness
  • nm in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example, in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Electron injection layer may be formed.
  • Electron injection layer may include or may be formed of one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, Cs 2 CO 3, Cs 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2, 2 ', 2 "- (1,3,5-benzene triyl) tris (1-phenyl-1-H-benzimidazoles); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1 , 3, 4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthrolines (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3, 5-diphenyl- 4H-1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl -1,10-
  • the electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • organic functional layer structure 22 having two or more organic functional layer structure units
  • corresponding intermediate layers may be interposed between the organic functional layer structure units
  • Layered structure units may each be formed individually according to one embodiment of the above-described organic functional layered structure 22.
  • the intermediate layer may be formed as an intermediate electrode.
  • the intermediate electrode may be electrically connected to an external voltage source.
  • the external voltage source can be at the intermediate electrode
  • the intermediate electrode can also have no external electrical connection, for example by the intermediate electrode having a floating electrical potential.
  • the organic functional layer structure unit may, for example, have a layer thickness of at most approximately 3 ⁇ m, for example a layer thickness of maximum about 1 ym, for example, a layer thickness of at most about 300 nm.
  • the optoelectronic component 1 can optionally have further functional layers, for example arranged on or above the one or more emitter layers or on or above the electron transport layer.
  • the further functional layers can be, for example, internal or external input / output coupling structures, which can further improve the functionality and thus the efficiency of the optoelectronic component 1.
  • the second electrode 23 may be formed according to any one of the configurations of the first electrode 20, wherein the first electrode 20 and the second electrode 23 are the same or
  • the second electrode 23 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the second electrode 23 may have a second electrical connection to which a second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential may be provided by the same or a different energy source as the first electrical potential.
  • the second electrical potential can be different from the first electrical potential.
  • the second electrical potential can be different from the first electrical potential.
  • Difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example, a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V. up to about 12 V.
  • the encapsulation layer 24 may also be referred to as
  • Thin-layer encapsulation may be referred to.
  • Encapsulation layer 24 may be translucent or
  • Then be formed transparent layer.
  • Encapsulation layer 24 forms a barrier to chemical contaminants or atmospheric agents, especially to water (moisture) and oxygen.
  • the encapsulation layer 24 is designed such that it can be damaged by substances which can damage the optoelectronic component, for example water,
  • Oxygen or solvent not or at most can be penetrated at very low levels.
  • Encapsulation layer 24 may be formed as a single layer, a layer stack, or a layered structure.
  • the encapsulation layer 24 may include or be formed from: alumina, zinc oxide, zirconia,
  • Indium tin oxide Indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and alloys thereof.
  • the encapsulation layer 24 may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm
  • the encapsulation layer 24 may comprise a high refractive index material, for example, one or more high refractive index materials, such as one
  • the first barrier layer on the carrier 12 corresponding to a configuration of
  • Encapsulation layer 24 may be formed.
  • the encapsulation layer 24 may be formed, for example, by a suitable deposition method, e.g. by atomic layer deposition (ALD), e.g. a plasma-assisted ALD method.
  • ALD atomic layer deposition
  • plasma-assisted ALD atomic layer deposition
  • PEALD Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
  • CVD plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-assisted plasma-
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • a coupling or decoupling layer for example as an external film (not shown) on the support 12 or as an internal coupling-out layer (not shown) in
  • the input / outcoupling layer may have a matrix and scattering centers distributed therein, wherein the average refractive index of the input / outcoupling layer is greater than the average refractive index of the layer from which the
  • one or more antireflection coatings may additionally be formed.
  • the adhesive layer 36 may include, for example, adhesive and / or paint, by means of which the cover body 38, for example, arranged on the encapsulation layer 24, for example glued, is.
  • the adhesive layer 36 may be transparent or translucent.
  • Adhesive layer 36 may, for example, comprise particles which scatter electromagnetic radiation, for example light-scattering particles. As a result, the adhesive layer 36 can act as a scattering layer and lead to an improvement in the color angle distortion and the coupling-out efficiency.
  • dielectric As light-scattering particles, dielectric
  • Metal oxide for example silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or
  • Indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20x) aluminum oxide, or titanium oxide may also be suitable, provided that they have a refractive index that is different from the effective one Refractive index of the matrix of adhesive layer 36
  • nanoparticles for example, air bubbles, acrylate, or glass bubbles.
  • metallic nanoparticles metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • the adhesive layer 36 may have a layer thickness greater than 1 ym, for example, a layer thickness of several ym.
  • the adhesive may be a lamination adhesive.
  • the adhesive layer 36 may have a refractive index that is less than the refractive index of the cover body 38.
  • the adhesive layer 36 may include, for example, a
  • the adhesive layer 36 may also have a
  • high refractive adhesive for example, has high refractive, non-diffusing particles and has a coating thickness-averaged refractive index
  • functional layer structure 22 for example in a range of about 1.6 to 2.5, for example from 1.7 to about 2.0.
  • the active area On or above the active area may be a so-called
  • Getter layer or getter structure i. a laterally structured getter layer (not shown) may be arranged.
  • the getter layer can be translucent, transparent or opaque.
  • the getter layer may include or be formed from a material that includes fabrics
  • a getter layer may include or be formed from a zeolite derivative.
  • the getter layer may have a layer thickness greater than 1 ym,
  • a layer thickness of several ym for example, a layer thickness of several ym.
  • the getter layer have a lamination adhesive or in the
  • the covering body 38 can be formed, for example, by a glass body, a metal foil or a sealed plastic film covering body.
  • the cover body 38 can be formed, for example, by a glass body, a metal foil or a sealed plastic film covering body.
  • the cover body 38 may, for example, a
  • Refractive index for example, at a wavelength of 633 nm
  • Refractive index for example, 1.3 to 3, for example, from 1.4 to 2, for example from 1.5 to 1.8.
  • Embodiments limited.
  • the embodiments shown in Figures 8, 10 and 11 may be combined.
  • Current distribution section 80 close to each other, adjacent, laterally next to, be formed vertically above and / or parallel to each other. For example, even more
  • Insulating structure portion 84 or at least according to Figure 10 may be formed close to each other. This can be used, for example, two or more internal functional
  • an inner functional surface can be realized that is completely surrounded in the lateral direction by one or more other inner functional surfaces.

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Abstract

Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (1)bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement (1) weist auf: eine erste Elektrode (20) aufweisend mindestens ein äußeres Elektrodensegment (51), das an einem lateralen Rand (55) der ersten Elektrode (20) ausgebildet ist, und mindestens ein inneres Elektrodensegment (53), das von dem lateralen Rand (55) der ersten Elektrode (20) beabstandet ausgebildet ist; eineüber der ersten Elektrode (20) ausgebildete elektrisch leitfähige Stromverteilungsstruktur (60) aufweisend mindestens eine äußere Teilstruktur (64), die sich zumindest über das äußere Elektrodensegment (51) erstreckt, und mindestens eine innere Teilstruktur (66), die sich zumindest über das das innere Elektrodensegment (53) erstreckt und die gegenüber der äußeren Teilstruktur (64) elektrisch isoliert ist; mindestens eine Stromzuleitung (62), die sich von dem lateralen Rand (55) der ersten Elektrode (20) hin zu der inneren Teilstruktur (66) erstreckt, die mit der inneren Teilstruktur (66) elektrisch gekoppelt ist, die von der äußeren Teilstruktur (64) elektrisch isoliert ist und deren Struktur zu der Stromverteilungsstruktur (60) korrespondiert; eine Isolierungsstruktur, die die Stromverteilungsstruktur (60) und die Stromzuleitung (62) bedeckt; eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20), der Stromverteilungsstruktur (60), der Stromzuleitung (62)undder Isolierungsstruktur (84); und eine zweite Elektrode (23) über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22).

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements .
Ein optoelektronisches Bauelement emittiert oder absorbiert Licht. Das optoelektronische Bauelement ist beispielsweise eine Leuchtdiode, beispielsweise eine organische Leuchtdiode (OLED) , ein Photodetektor oder eine Solarzelle. Eine OLED weist eine Anode und eine Kathode mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen auf. Das organische funktionelle Schichtensystem kann aufweisen eine oder mehrer Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („Charge generating layer", CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten.
In der OLED-Entwicklung ist im Moment ein Trend zu
segmentierten Leuchtflächen zu erkennen. Eine OLED kann segmentiert sein und daher mehrere OLED-Elemente aufweisen. Die OLED-Elemente können beispielsweise elektrisch parallel geschaltet sein und/oder sich zumindest eine gemeinsame Elektrode teilen. Beispielsweise weisen zwei OLED-Elemente dieselbe Kathode auf, haben jedoch voneinander getrennte organische funktionelle Schichtenstrukturen und entsprechend voneinander getrennte Anoden. In diesem Fall können die OLED Elemente als einheitliche Leuchtfläche angesteuert und verwendet werden. Die OLED-Elemente können jedoch auch funktionell voneinander unabhängig sein und/oder voneinander unabhängig angesteuert werden. Eine Schwierigkeit dabei besteht darin, innenliegende OLED-Elemente anzusteuern, ohne dass Stromzuleitungen zu diesen innen liegenden OLED- Elementen das Leuchtbild und/oder das Aussehen der außen liegenden Leuchtflächen stören. Bisher wurden innenliegende Leuchtbereiche, die mittels innen liegenden OLED-Elementen dargestellt werden und unabhängig von außen liegenden
Leuchtbereichen leuchten sollen, an mindestens einer Stelle bis zum Rand geführt. Freistehende innen liegende
Leuchtflächen sind bisher nur möglich, wenn außerhalb der entsprechenden Leuchtfläche keine weitere Leuchtfläche mehr liegt . Im Bereich einer zusammenhängenden Leuchtfläche ist es bekannt, bei einer der Elektroden eine elektrisch leitfähige Stromverteilungsstruktur auszubilden, die sich wie ein Netz über die entsprechende Leuchtfläche erstreckt und zu einer gleichmäßigen Verteilung des elektrischen Stroms beiträgt. Die Stromverteilungsstruktur kann beispielsweise mehrere geradlinige Stromleitungsabschnitte aufweisen, die einstückig zusammenhängen und miteinander vorgegebene Winkel
einschließen. Beispielsweise ist ein Stromverteilungsstruktur bekannt, die eine aus Sechsecken, beispielsweise regulären Sechsecken, bestehende Struktur aufweist, wobei die Seiten der Sechsecke die Stromleitungsabschnitte darstellen und die eingeschlossenen Winkel beispielsweise jeweils 120° sein können. Die Stromverteilungsstruktur kann auch Busbar- Struktur bezeichnet werden und die Stromleitungsabschnitte können auch Busbars bezeichnet werden.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, das eine oder mehrere innere funktionelle Flächen, beispielsweise Emissionsflächen oder Absorptionsflächen, aufweist, die einen lateralen Rand des optoelektronischen Bauelements nicht berühren, von diesem beabstandet sind und/oder von äußeren funktionellen Flächen umgeben sind, die eine gewünschte Funktionalität erfüllen, beispielsweise im Betrieb des optoelektronischen Bauelements leuchten, beispielsweise homogen leuchten, und/oder bei denen ein Zuführen oder Abführen von Strom einfach möglich ist. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
bereitzustellen, das einfach und/oder kostengünstig
durchführbar ist und/oder das ermöglicht, das
optoelektronische Bauelement derart bereitzustellen, dass es eine oder mehrere innere funktionelle Flächen, beispielsweise Emissionsflächen oder Absorptionsflächen, aufweist, die einen lateralen Rand des optoelektronischen Bauelements nicht berühren, von diesem beabstandet sind und/oder von äußeren funktionellen Flächen umgeben sind, die eine gewünschte
Funktionalität erfüllen, beispielsweise im Betrieb des optoelektronischen Bauelements leuchten, beispielsweise homogen leuchten, und/oder bei denen ein Zuführen oder
Abführen von Strom einfach möglich ist. Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein optoelektronisches Bauelement mit einer ersten Elektrode aufweisend mindestens ein äußeres
Elektrodensegment, das an einem lateralen Rand der ersten Elektrode ausgebildet ist, und mindestens ein inneres
Elektrodensegment, das von dem Rand der ersten Elektrode beabstandet ausgebildet ist. Über der ersten Elektrode ist eine elektrisch leitfähige Stromverteilungsstruktur
ausgebildet, die mindestens eine äußere Teilstruktur, die sich zumindest über das äußere Elektrodensegment erstreckt, und mindestens eine innere Teilstruktur aufweist, die sich zumindest über das innere Elektrodensegment erstreckt und die gegenüber der äußeren Teilstruktur elektrisch isoliert ist. Mindestens eine Stromzuleitung erstreckt sich von dem
lateralen Rand der ersten Elektrode hin zu der inneren
Teilstruktur, ist mit der inneren Teilstruktur elektrisch gekoppelt und ist von der äußeren Teilstruktur elektrisch isoliert, wobei eine Struktur der Stromzuleitung zu der Stromverteilungsstruktur korrespondiert. Eine Isolierungsstruktur bedeckt die Stromverteilungsstruktur und die Stromzuleitung. Eine organische funktionelle
Schichtenstruktur ist über der ersten Elektrode, der
Stromverteilungsstruktur, der Stromzuleitung und der
Isolierungsstruktur ausgebildet. Eine zweite Elektrode ist über der organischen funktionellen Schichtenstruktur
ausgebildet .
Die Stromzuleitung, deren Struktur zu der
Stromverteilungsstruktur korrespondiert, ermöglicht, der inneren Teilstruktur von außen Strom zuzuführen oder Strom von der inneren Teilstruktur nach außen abzuführen. Dass die Struktur der Stromzuleitung zu der Stromverteilungsstruktur korrespondiert, kann dazu beitragen, die Stromzuleitung und die Stromverteilungsstruktur zu der inneren Teilstruktur zu führen und unter der Isolierungsstruktur zu verbergen, so dass von außen keine weitere Struktur als die
Isolierungsstruktur zum elektrischen Isolieren der
Stromverteilungsstruktur erkennbar ist. Die innere
Teilstruktur ist ein Element einer inneren funktionellen
Fläche, beispielsweise eines oder mehrerer OLED-Elemente, des optoelektronischen Bauelements und ermöglicht, dass die entsprechende innere funktionelle Fläche die von ihr
gewünschte Funktionalität erfüllt, beispielsweise im Betrieb des optoelektronischen Bauelements leuchtet, beispielsweise homogen leuchtet, und/oder dass ein Zuführen oder Abführen von Strom hin zu oder weg von der inneren funktionellen
Fläche einfach möglich ist. Insbesondere können mittels der Stromzuleitung, deren Struktur zu der
Stromverteilungsstruktur korrespondiert, unterschiedliche, homogen bestromte, freistehende Leuchtflächen definiert sein, ohne dass dies von außen sichtbar ist.
Die Stromverteilungsstruktur wird zum Verteilen des Stroms über zwei oder mehr funktionelle Flächen verwendet und die Stromzuleitung wird zum Zuführen oder Abführen von Strom zu bzw. von einer innen liegenden funktionellen Fläche
verwendet. Dabei können zunächst zu der Stromverteilungsstruktur gehörende Stromverteilungsabschnitte als Stromzuleitung zur Stromführung genutzt werden. In anderen Worten werden die Busbars nicht nur zur
Stromverteilung sondern auch zum gezielten Leiten von Strom zu Tief im inneren des Bauteils ausgeführten Leuchtflächen genutzt. Alternativ dazu kann die Stromzuleitung zusätzlich zu den Stromverteilungsabschnitten ausgebildet werden, wobei die Stromzuleitung aufgrund ihrer Struktur von außen von einem Nutzer des optoelektronischen Bauelements nicht von den Stromleitungsabschnitten unterschieden werden kann.
Gemäß einer Weiterbildung ist die Struktur der Stromzuleitung der Stromverteilungsstruktur geometrisch ähnlich. Das heißt, dass die Struktur der Stromzuleitung mittels einer Drehung, Spiegelung, Verschiebung, Streckung und/oder Stauchung auf die Stromverteilungsstruktur abgebildet werden kann.
Beispielsweise entsprechen in der Stromverteilungsstruktur auftretende Winkel den Winkeln, die in der Stromzuleitung auftreten, und/oder Längen von Stromleitungsabschnitten der Stromverteilungsstruktur entsprechen Längen von
Stromzuleitungsabschnitten der Stromzuleitung. Die
geometrische Ähnlichkeit kann dazu beitragen, dass die
Stromzuleitung von außen nicht von der
Stromverteilungsstruktur unterscheidbar ist und/oder dass die Stromzuleitung einfach und/oder kostengünstig ausgebildet werden kann und/oder dass die Stromzuleitung gemeinsam mit der Stromverteilungsstruktur unter der Isolierungsstruktur ausgebildet werden kann. Gemäß einer Weiterbildung ist die äußere Teilstruktur
einstückig ausgebildet und weist mehrere geradlinige
Stromverteilungsabschnitte auf, wobei die Stromzuleitung benachbart zu den Stromverteilungsabschnitten verläuft.
Insbesondere verlaufen die Stromzuleitungsabschnitte
benachbart zu den Stromverteilungsabschnitten. Dies kann auf einfache Weise dazu beitragen, dass die Struktur der
Stromzuleitung zu der Stromverteilungsstruktur korrespondiert und/oder dass die Stromzuleitung von außen nicht von der Stromverteilungsstruktur unterscheidbar ist und/oder dass die Stromzuleitung gemeinsam mit der Stromverteilungsstruktur unter der Isolierungsstruktur ausgebildet werden kann. Gemäß einer Weiterbildung verläuft die Stromzuleitung lateral neben oder über den Stromverteilungsabschnitten. Insbesondere verlaufen die Stromzuleitungsabschnitte lateral neben oder über den Stromverteilungsabschnitten. Dies kann auf einfache Weise dazu beitragen, dass die Struktur der Stromzuleitung zu der Stromverteilungsstruktur korrespondiert und/oder dass die Stromzuleitung von außen nicht von der
Stromverteilungsstruktur unterscheidbar ist und/oder dass die Stromzuleitung gemeinsam mit der Stromverteilungsstruktur unter der Isolierungsstruktur ausgebildet werden kann.
Gemäß einer Weiterbildung verläuft die Stromzuleitung
parallel zu den Stromverteilungsabschnitten. Insbesondere verlaufen die Stromzuleitungsabschnitte parallel zu den
Stromverteilungsabschnitten. Dies kann auf einfache Weise dazu beitragen, dass die Struktur der Stromzuleitung zu der Stromverteilungsstruktur korrespondiert und/oder dass die Stromzuleitung von außen nicht von der
Stromverteilungsstruktur unterscheidbar ist und/oder dass die Stromzuleitung gemeinsam mit der Stromverteilungsstruktur unter der Isolierungsstruktur ausgebildet werden kann.
Gemäß einer Weiterbildung ist die Stromzuleitung einstückig mit der inneren Teilstruktur ausgebildet. Beispielsweise kann die Stromzuleitung ursprünglich als Teil der
Stromverteilungsstruktur ausgebildet werden und dann von der äußeren Teilstruktur elektrisch isoliert werden. Dies kann dazu beitragen, dass die Stromzuleitung einfach ausgebildet werden kann. Gemäß einer Weiterbildung ist das äußere Elektrodensegment zwischen dem lateralen Rand der ersten Elektrode und dem inneren Elektrodensegment ausgebildet. Dies ermöglicht, eine innere funktionelle Fläche, die das innere Elektrodensegment aufweist, unabhängig von einer äußeren funktionellen Fläche, die das äußere Elektrodensegment aufweist, zu betreiben.
Gemäß einer Weiterbildung ist das innere Elektrodensegment in lateraler Richtung von dem einen äußeren Elektrodensegment, einem weiteren äußeren Elektrodensegment und/oder mehreren äußeren Elektrodensegmenten umgeben. Dies ermöglicht, eine freistehende, also in allen Richtungen vom Rand beabstandete, innere funktionelle Fläche, die das innere Elektrodensegment aufweist, unabhängig von einer äußeren funktionellen Fläche, die das äußere Elektrodensegment aufweist, zu betreiben.
Gemäß einer Weiterbildung sind ein Stromverteilungsabschnitt der Stromverteilungsstruktur und ein dazu nächstliegender Stromzuleitungsabschnitt der Stromzuleitung von einem
einstückigen Isolierungsstrukturabschnitt der
Isolierungsstruktur bedeckt. Insbesondere ist bei einem
Schnitt senkrecht zu der Erstreckungsrichtung des
Stromverteilungsabschnitts und des Stromzuleitungsabschnitt die entsprechende Schnittfläche des
Isolierungsstrukturabschnitts einstückig ausgebildet. In anderen Worten wird die Isolierungsstruktur, die zum
Isolieren der Stromverteilungsstruktur ausgebildet ist, auch zum Isolieren und Bedecken der Stromzuleitung verwendet, wobei die Stromzuleitungsabschnitte derart nah bei den
Stromverteilungsabschnitten verlaufen, dass diese und jene von demselben Isolierungsstrukturabschnitt isoliert und bedeckt sind. Dies kann auf einfache Weise dazu beitragen, dass die Struktur der Stromzuleitung zu der
Stromverteilungsstruktur korrespondiert und/oder dass die Stromzuleitung von außen nicht von der
Stromverteilungsstruktur unterscheidbar ist.
Gemäß einer Weiterbildung ist ein Leitungsabschnitt der
Stromverteilungsstruktur von einem ersten
Isolierungsstrukturabschnitt der Isolierungsstruktur bedeckt und ein dazu nächstliegender Stromzuleitungsabschnitt der Stromzuleitung ist von einem zweiten Isolierungsstrukturabschnitt der Isolierungsstruktur bedeckt, wobei der erste und der zweite Isolierungsstrukturabschnitt körperlich voneinander getrennt sind. Insbesondere ist bei einem Schnitt senkrecht zu der Erstreckungsrichtung des
Stromverteilungsabschnitts und des Stromzuleitungsabschnitt die entsprechende Schnittfläche des
Isolierungsstrukturabschnitts zweistückig ausgebildet. In anderen Worten sind ein Stromzuleitungsabschnitt und ein benachbarter Stromverteilungsabschnitt von zwei verschiedenen Isolierungsstrukturabschnitten isoliert und bedeckt, wobei diese jedoch derart nah beieinander liegen können, dass sie von einem Nutzer von außen als ein einziger
Isolierungsstrukturabschnitt wahrgenommen werden. Dies kann auf einfache Weise dazu beitragen, dass die Struktur der Stromzuleitung zu der Stromverteilungsstruktur korrespondiert und/oder dass die Stromzuleitung von außen nicht von der Stromverteilungsstruktur unterscheidbar ist.
Die Aufgabe wird gelöst gemäß einem weiteren Aspekt durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements. Bei dem Verfahren wird eine erste Elektrode bereitgestellt, die aufweist mindestens ein äußeres
Elektrodensegment, das an einem lateralen Rand der ersten Elektrode ausgebildet ist, und mindestens ein inneres
Elektrodensegment, das von dem Rand der ersten Elektrode beabstandet ausgebildet ist. Über der ersten Elektrode wird eine elektrisch leitfähige Stromverteilungsstruktur
ausgebildet, die aufweist mindestens eine äußere
Teilstruktur, die sich zumindest über das äußere
Elektrodensegment erstreckt, und mindestens eine innere
Teilstruktur, die sich zumindest über das innere
Elektrodensegment erstreckt und die gegenüber der äußeren Teilstruktur elektrisch isoliert ist. Mindestens eine
Stromzuleitung wird ausgebildet, die sich von dem Rand der äußeren Elektrode hin zu der inneren Teilstruktur erstreckt, die mit der inneren Teilstruktur elektrisch gekoppelt ist, die von der äußeren Teilstruktur elektrisch isoliert ist und deren Struktur zu der Stromverteilungsstruktur korrespondiert. Eine Isolierungsstruktur wird über der
Stromverteilungsstruktur und der Stromzuleitung ausgebildet. Eine organische funktionelle Schichtenstruktur wird über der ersten Elektrode, der Stromverteilungsstruktur, der
Stromzuleitung und der Isolierungsstruktur ausgebildet. Eine zweite Elektrode wird über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet.
Gemäß einer Weiterbildung wird die erste Elektrode zunächst einstückig ausgebildet und dann so durchtrennt, dass die
Elektrodensegmente ausgebildet werden. Dies kann auf einfache Weise dazu beitragen, das optoelektronische Bauelement mit den Elektrodensegmenten einfach und/oder kostengünstig auszubilden .
Gemäß einer Weiterbildung wird die Stromverteilungsstruktur ausgebildet, indem die Stromverteilungsstruktur zunächst einstückig ausgebildet wird und dann so durchtrennt wird, dass die Teilstrukturen ausgebildet werden. Dies kann auf einfache Weise dazu beitragen, das optoelektronische
Bauelement mit den Teilstrukturen einfach und/oder
kostengünstig auszubilden.
Gemäß einer Weiterbildung wird die Stromzuleitung von der Stromverteilungsstruktur gebildet. Beispielsweise wird zunächst die Stromverteilungsstruktur so ausgebildet, dass sie sich über den gesamten aktiven Bereich des
optoelektronischen Bauelements erstreckt. Nachfolgend werden Stromverteilungsabschnitte der Stromverteilungsstruktur von der restlichen Stromverteilungsstruktur derart elektrisch isoliert, beispielsweise werden Verbindungen der
Stromverteilungsstruktur derart durchtrennt, dass die
Teilstrukturen und die Stromzuleitung gebildet sind, wobei die Stromzuleitung und die innere Teilstruktur miteinander verbunden bleiben und gegenüber der äußeren Teilstruktur elektrisch isoliert sind. Dies kann auf einfache Weise dazu beitragen, das optoelektronische Bauelement mit den
Stromzuleitungen und/oder den Teilstrukturen einfach und/oder kostengünstig auszubilden. Insbesondere kann die Stromzuleitung auf einfache Weise und/oder kostengünstig ausgebildet werden. Gemäß einer Weiterbildung die Stromzuleitung zusätzlich zu der Stromverteilungsstruktur ausgebildet wird. Dies kann auf einfache Weise dazu beitragen, dass weitere innere
funktionelle Fläche, die von anderen inneren funktionellen Flächen umgeben sind, ausgebildet und/oder unabhängig betrieben werden können.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements, Figur 2 eine Draufsicht auf einen optisch aktiven Bereich eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements , eine Draufsicht auf einen optisch aktiven Bereich eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements ,
Figur 4 eine Draufsicht auf einen optisch aktiven Bereich eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements in einem ersten Zustand während eines
Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements ,
Figur 5 eine Draufsicht auf den optisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 4 in einem zweiten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements, Figur 6 eine Draufsicht auf den optisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements in einem dritten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements,
Figur 7 eine Draufsicht auf den optisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements in einem
alternativen dritten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements,
Figur 8 eine detaillierte Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer
Stromverteilungsstruktur ; Figur 9 eine Draufsicht auf die Stromverteilungsstruktur gemäß Figur 8 ;
Figur 10 eine detaillierte Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer
Stromverteilungsstruktur;
Figur 11 eine detaillierte Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer
Stromverteilungsstruktur ;
Figur 12 eine Draufsicht auf die Stromverteilungsstruktur gemäß Figur 11;
Figur 13 eine detaillierte Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen
Bauelements .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein
elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle oder ein Photodetektor sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes
Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter- Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische
Strahlung emittierende Diode, als eine organische
elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement
beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende
Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine
Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen
Gehäuse .
Fig.l zeigt ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, insbesondere eine organische Leuchtdiode
(OLED) . Das optoelektronische Bauelement 1 weist einen Träger 12 auf. Auf dem Träger 12 ist eine optoelektronische
Schichtenstruktur ausgebildet. Die optoelektronische
Schichtenstruktur weist eine erste elektrisch leitfähige Schicht 14 auf, die einen ersten Kontaktabschnitt 16, einen zweiten Kontaktabschnitt 18 und eine erste Elektrode 20 aufweist. Der Träger 12 mit der ersten elektrisch leitfähigen Schicht 14 kann als Substrat bezeichnet werden. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrode 20 der optoelektronischen Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt. Die erste Elektrode 20 ist von dem ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer elektrischen Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert. Über der ersten Elektroden 20 ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur, beispielsweise eine
organische funktionelle Schichtenstruktur 22, der
optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die
organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann
beispielsweise eine, zwei oder mehr übereinander ausgebildete Teilschichten aufweisen, wie weiter unten mit Bezug zu Figur 13 näher erläutert. Über der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 22 ist eine zweite elektrisch leitfähige Schicht, insbesondere eine zweite Elektrode 23 der
optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet, die
elektrisch mit dem ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist.
Die erste Elektrode 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode 20 als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen
Schichtenstruktur .
Das optoelektronische Bauelement 1 ist segmentiert und weist ein äußeres Segment und ein inneres Segment auf. Das äußere Segment bildet eine äußere funktionelle Fläche und das innere Segment bildet eine innere funktionelle Fläche. Das äußere Segment ist von einem äußeren Leuchtdiodenelement 50
gebildet. Das innere Segment ist von einem inneren
Leuchtdiodenelement 52 gebildet. Das äußere
Leuchtdiodenelement 50 bildet einen lateralen Rand eines optisch aktiven Bereichs des optoelektronischen Bauelements 1. Das innere Leuchtdiodenelement 52 ist von dem lateralen Rand beabstandet. Das äußere Leuchtdiodenelement 50 ist zwischen dem inneren Leuchtdiodenelement 52 und dem lateralen Rand ausgebildet. Die Leuchtdiodenelemente 50, 52 weisen voneinander getrennte Segmente der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und voneinander getrennte Segmente der ersten Elektrode 20 auf. Insbesondere weist die erste
Elektrode 20 ein äußeres Elektrodensegment 51 des äußeren Leuchtdiodenelements 50 und ein inneres Elektrodensegment 53 des inneren Leuchtdiodenelements 52 auf. Falls das
optoelektronische Bauelement 1 mehr oder weniger Segmente aufweist, so weist die erste Elektrode 20 entsprechend mehr bzw. weniger Elektrodensegmente 51, 53 auf. Die
Leuchtdiodenelemente 50, 52 teilen sich die zweite Elektrode 23, die nicht segmentiert ist. Die Elektrodensegmente 51, 53 sind mit nicht dargestellten verschiedenen, voneinander elektrisch isolierten, Bereichen des zweiten Kontaktabschnitts 18 elektrisch gekoppelt, so dass die
Leuchtdiodenelemente 50, 52 unabhängig voneinander betrieben werden können. Die Leuchtdiodenelemente 50, 52 sind
elektrisch parallel geschaltet.
Über der ersten Elektrode 20 ist eine elektrisch leitfähige Stromverteilungsstruktur 60 ausgebildet. Die
Stromverteilungsstruktur 60 ist in direktem körperlichen Kontakt zu der ersten Elektrode 20 ausgebildet. Die
Stromverteilungsstruktur 60 dient zum Verteilen elektrischen Stroms über den optisch aktiven Bereich des
optoelektronischen Bauelements. Die Stromverteilungsstruktur
60 kann auch als Busbar-Struktur bezeichnet werden. Über der Stromverteilungsstruktur 60 ist eine
Isolierungsstruktur 61 ausgebildet. Die Isolierungsstruktur
61 bedeckt die Stromverteilungsstruktur 60 und isoliert diese elektrisch gegenüber der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 22. Die Isolierungsstruktur 61 ist
transparent ausgebildet. Für die Isolierungsstruktur 61 können transparente Materialien verwendet werden,
beispielsweise photoaktive Polyimidlacke, Novolak Harze, und/oder Epoxidharze. Die transparenten Materialien können lediglich in manchen Wellenlängenbereichen transparent und in anderen Wellenlängenbereichen nicht transparent und/oder absorbierend sein. Die Stromverteilungsstruktur 60 und die Isolierungsstruktur 61 sind in Figur 1 zu besseren
Veranschaulichung bezogen auf das gesamte optoelektronische Bauelement 1 relativ groß eingezeichnet. Tatsächlich können die Stromverteilungsstruktur 60 und/oder die
Isolierungsstruktur 61 deutlich kleiner ausgebildet sein.
Über der zweiten Elektrode 23 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem zweiten
Kontaktabschnitt 18 ist eine Verkapselungsschicht 24 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. In der
Verkapselungsschicht 24 sind über dem ersten Kontaktabschnitt 16 eine erste Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 und über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 eine zweite Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. In der ersten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung der
Verkapselungsschicht 24 ist ein zweiter Kontaktbereich 34 freigelegt .
Der erste Kontaktbereich 32 dient zum elektrischen
Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts 18.
Über der Verkapselungsschicht 24 ist eine Haftmittelschicht 36 ausgebildet. Über der Haftmittelschicht 36 ist ein
Abdeckkörper 38 ausgebildet.
Die Haftmittelschicht 36 dient zum Befestigen des
Abdeckkörpers 38 an der Verkapselungsschicht 24. Der
Abdeckkörper 38 dient zum Schützen des optoelektronischen Bauelements 1, beispielsweise vor mechanischen
Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem optoelektronischen Bauelement 1 erzeugt wird. Das Substrat steht seitlich unter dem Abdeckkörper 38 hervor.
Alternativ kann das optoelektronische Bauelement 1 zwei oder mehr äußere Leuchtdiodenelemente 50 und entsprechende äußere Elektrodensegmente 51 und/oder zwei oder mehr innere
Leuchtdiodenelemente 52 und entsprechende innere
Elektrodensegmente 53 aufweisen. Die Leuchtdiodenelemente 50, 52 können beispielsweise so ausgebildet sein, dass mit ihrer Hilfe Zeichen, Symbole, Ziffern, Buchstaben oder Bilder darstellbar sind. Ferner können innere Leuchtdiodenelemente 52 ausgebildet sein, die vollständig von anderen inneren
Leuchtdiodenelementen 52 umgeben sind. Ferner kann bei den Leuchtdiodenelementen 50, 52 anstatt der ersten Elektrode 20 die zweite Elektrode 23 segmentiert sein und/oder die erste Elektrode 20 kann nicht segmentiert und/oder einstückig ausgebildet sein. Ferner können die Leuchtdiodenelemente 50, 52 dieselbe organische funktionellen Schichtenstruktur 22 aufweisen. In anderen Worten kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 nicht segmentiert sein und keine
getrennten Segmente aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 von
Leuchtdiodenelementen 50, 52 nicht getrennt sein, die
bezüglich ihrer Farbe und Helligkeit ähnlich sind und/oder nur separat, also unabhängig voneinander an und aus
geschaltet werden. Hingegen wird die segmentierte organische funktionelle Schichtenstruktur 22 bevorzugt, wenn die
Leuchtdiodenelemente 50, 52 bezüglich ihrer Farbe und oder Helligkeit deutlich unterschiedlich ausgeführt werden, beispielsweise bei einer Helligkeitsabweichung mehr als 20%. Ferner kann die Isolierungsstruktur 61 nicht transparent ausgebildet sein. Ferner können das Substrat und der
Abdeckkörper 38 an ihren Seitenkanten bündig oder nahezu bündig ausgebildet sein, wobei eine Kontaktierung der
Kontaktbereiche 32, 34 beispielsweise über Ausnehmungen und/oder Löcher im Abdeckkörper 38 und/oder im Träger 12 erfolgen kann. Ferner kann auf den Träger 12 verzichtet werden und die erste elektrisch leitfähige Schicht 14 kann als Träger verwendet werden. Ferner kann auf den Abdeckkörper 38 verzichtet werden. Das optoelektronische Bauelement 1 kann beispielsweise flexibel ausgebildet sein.
Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf einen optisch aktiven
Bereich eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 1. Das optoelektronische Bauelement 1 kann beispielsweise weitgehend dem in Figur 1 gezeigten
optoelektronischen Bauelement 1 entsprechend ausgebildet sein. Der optisch aktive Bereich ist der Bereich, in dem das optoelektronische Bauelement 1 elektromagnetische Strahlung, beispielsweise Licht, abstrahlt. Der optisch aktive Bereich ist in Draufsicht rechteckig ausgebildet. Ein lateraler Rand 55 des optisch aktiven Bereichs ist von dem äußeren
Leuchtdiodenelement 50 und insbesondere von dem äußeren Elektrodensegment 51 gebildet. Das innere Elektrodensegment 53 ist rechteckig ausgebildet. Das innere Leuchtdiodenelement 52 und insbesondere das innere Elektrodensegment 53 sind vollständig von dem äußeren Leuchtdiodenelement 50 bzw. der äußeren Elektrode 51 umgeben. In anderen Worten ist die äußere Elektrode 51 zwischen der inneren Elektrode 53 und dem lateralen Rand 55 ausgebildet.
Die Isolierungsstruktur 61 erstreckt sich einstückig über den gesamten optisch aktiven Bereich des optoelektronischen
Bauelements 1. Die Stromverteilungsstruktur 60, die in Figur 2 von der Isolierungsstruktur 61 bedeckt ist, erstreckt sich nicht einstückig über den gesamten optisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements 1. Insbesondere weist die Stromverteilungsstruktur 60 voneinander elektrisch isolierte Teilstrukturen auf, wie weiter unten näher erläutert.
Außerdem sind unter der Isolierungsstruktur 61 noch eine oder mehrere Stromzuleitungen ausgebildet, wie weiter unten näher erläutert. Ein Nutzer des optoelektronischen Bauelements 1 nimmt von außen somit nur die Isolierungsstruktur 61 wahr, wie sie in Figur 2 gezeigt ist.
Die Isolierungsstruktur 61 bildet ein hexagonales Gitter mit einer Mehrzahl von regulären Sechsecken. Die
Isolierungsstruktur 61 kann beispielsweise von einem
transparenten oder zumindest teilweise transparenten, also in einem Teilwellenlängenbereich transparenten, Material gebildet sein oder dieses aufweisen. Das Material kann beispielsweise photoaktive Polyimidlacke, Novolak Harze und/oder Epoxidharze aufweisen. Die Struktur des inneren Leuchtdiodenelements 52 und/oder des inneren
Elektrodensegments 53 ist von der Isolierungsstruktur 61 unabhängig. In anderen Worten korrespondieren die Struktur des inneren Elektrodensegments 53 und die Isolierungsstruktur 61 nicht zueinander.
Das äußere Leuchtdiodenelement 50 bildet eine äußere
funktionelle Fläche. Das innere Leuchtdiodenelement 52 bildet eine innere funktionelle Fläche, die in Figur 2 schraffiert dargestellt ist. Die äußere funktionelle Fläche und die innere funktionelle Fläche dienen im Betrieb des
optoelektronischen Bauelements 1 zum Emittieren
elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise von Licht. Der Nutzer des optoelektronischen Bauelements 1 nimmt im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 1 die innere und/oder die äußere funktionelle Fläche als Leuchtfläche wahr. Im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 1 kann die innere
funktionelle Fläche unabhängig von der äußeren funktionellen Fläche Bereichs betrieben, beispielsweise angesteuert und/oder geregelt, werden. Beispielsweise kann das
optoelektronische Bauelement 1 so angesteuert werden, dass lediglich die innere funktionelle Fläche leuchtet oder dass lediglich die äußere funktionelle Fläche leuchtet oder dass beide Flächen gleichzeitig oder abwechselnd, beispielsweise alternierend oder zeitlich überlappend, leuchten.
Alternativ kann die Isolierungsstruktur 61
Isolierungsstruktur 61 Vielecke mit weniger als sechs Ecken, beispielsweise drei, vier oder fünf Ecken oder mit mehr als sechs Ecken aufweisen. Ferner können das innere
Leuchtdiodenelement 52 und/oder das äußere
Leuchtdiodenelement 50 eine andere Form aufweisen,
beispielsweise ein Polygon mit mehr oder weniger als vier
Ecken oder eine rundliche Form, beispielsweise ein Oval oder einen Kreis. Ferner kann das innere Leuchtdiodenelement 52 und/oder das innere Elektrodensegment 53 die Form eines Zeichens, eines Symbols, eines Buchstabens, einer Ziffer, und/oder eines Bildes haben. Ferner können mehrere innere
Leuchtdiodenelemente 52 ausgebildet sein, mit deren Hilfe ein Schriftzug und/oder eine Zahl darstellbar sind. Ferner können die äußere funktionelle Fläche und/oder die innere
funktionelle Fläche im Betrieb des optoelektronischen
Bauelements 1 zum Absorbieren elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise von zum Detektieren von Licht oder zum
Erzeugen von Energie, dienen. Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf einen optisch aktiven
Bereich eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements, das beispielsweise weitgehend dem im
Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechend ausgebildet ist. Bei dem optoelektronischen Bauelement 1 korrespondiert die Struktur des inneren
Elektrodensegments 53 zu der Isolierungsstruktur 61.
Insbesondere verläuft ein Rand des inneren Elektrodensegments 53 entlang und/oder parallel zu der Isolierungsstruktur 61. Somit korrespondiert die Struktur der inneren funktionellen Fläche zu der Isolierungsstruktur 61.
Fig. 4 zeigt eine Draufsicht auf einen optisch aktiven
Bereich eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements, das beispielsweise weitgehend dem in
Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelement 1 entspricht, während eines Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements 1. Insbesondere zeigt Figur 4 einen ersten Zustand des optoelektronischen Bauelements 1, in dem die erste Elektrode 20 flächig und nicht segmentiert ausgebildet ist. Die Stromverteilungsstruktur 60 ist über, insbesondere auf der ersten Elektrode 20 ausgebildet. Die Stromverteilungsstruktur 60 bildet in dem ersten Zustand ein zusammenhängendes Netzwerk über der ersten Elektrode 20. Die Stromverteilungsstruktur 60 kann auch als hexagonales
Busbargitter bezeichnet werden.
Die Stromverteilungsstruktur 60 ist von einer Vielzahl von Stromverteilungsabschnitten 80 gebildet. Die
Stromverteilungsabschnitte 80 sind geradlinig und schließen paarweise einen Winkel von je 120° ein. Die
Stromverteilungsabschnitte 80 bilden ein hexagonales Gitter mit einer Mehrzahl von regulären Sechsecken. Die Struktur der Stromverteilungsstruktur 60 spiegelt sich in der
Isolierungsstruktur 61 wieder, da die Isolierungsstruktur 61 die Stromverteilungsstruktur 60 bedeckt. Die
Stromverteilungsstruktur 60 und die Isolierungsstruktur 61 korrespondieren zueinander. Die Stromverteilungsabschnitte 80 weisen ein Metall auf oder sind davon gebildet. Das Metall kann beispielsweise Silber, Kupfer, Gold und/oder Aluminium aufweisen. Alternativ oder zusätzlich können die Stromverteilungsabschnitte 80
Kohlenstoffnanoröhren, beispielsweise Einzelwand- oder
Mehrwand-Kohlenstoffnanoröhren, und/oder ein elektrisch leitfähiges Metalloxid, beispielsweise Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Zinkoxid, und/oder Nickeloxid aufweisen oder davon gebildet sein. Die Stromverteilungsstruktur 60 kann als Metallisierung der ersten Elektrode 20 ausgeführt sein. Die Stromverteilungsstruktur 60 kann senkrecht zu Zeichenebene eine Höhe von beispielsweise 700 nm aufweisen. Die
Stromverteilungsstruktur 60 kann parallel zur Zeichenebene eine Breite von beispielsweise ... aufweisen. Gegebenenfalls kann die Isolierungsstruktur senkrecht zur Zeichenebene eine Höhe von 10 ym aufweisen. Die Isolierungsstruktur kann parallel zur Zeichenebene eine Breite von beispielsweise ... aufweisen .
Nachfolgend kann die Isolierungsstruktur 61 über der
Stromverteilungsstruktur 60 ausgebildet werden.
Fig. 5 zeigt eine Draufsicht auf den optisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements 1 gemäß Figur 4 während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen
Bauelements 1, und zwar in einem zweiten Zustand.
Insbesondere zeigt Figur 5 die erste Elektrode 20 mit der
Stromverteilungsstruktur 60 gemäß Fig. 4, wobei die
Stromverteilungsstruktur 60 und gegebenenfalls die
Isolierungsstruktur 61 stellenweise durchtrennt,
beispielsweise geschnitten ist.
Die Stromverteilungsstruktur 60 ist derart durchtrennt, dass von der ursprünglichen Stromverteilungsstruktur 60 eine
Stromzuleitung 62, eine äußere Teilstruktur 64 und eine innere Teilstruktur 66 gebildet sind. Die innere Teilstruktur 66 ist in sich zusammenhängend, einstückig und gegebenenfalls unter der Isolierungsstruktur 61 ausgebildet. Die äußere Teilstruktur 64 ist in sich zusammenhängend, einstückig und gegebenenfalls unter der Isolierungsstruktur 61 ausgebildet. Die Stromzuleitung 62 ist in sich zusammenhängend, einstückig und gegebenenfalls unter der Isolierungsstruktur 61
ausgebildet. Die Stromzuleitung 62 und die innere
Teilstruktur 66 sind zusammenhängend und einstückig
ausgebildet. Die Stromzuleitung 62 und die innere
Teilstruktur 66 sind elektrisch miteinander gekoppelt. Die Stromzuleitung 62 und die innere Teilstruktur 66 sind von der äußeren Teilstruktur 64 elektrisch isoliert.
Die Stromzuleitung 62 weist mehrere Stromzuleitungsabschnitte 82 auf oder ist von diesen gebildet. Die
Stromzuleitungsabschnitte 82 sind ursprünglich, also vor dem Durchtrennen der Stromverteilungsstruktur 60, von den
Stromverteilungsabschnitten 80 gebildet und werden nach dem Durchtrennen als Stromzuleitungsabschnitte 82 bezeichnet. Die Struktur der Stromzuleitung 62 korrespondiert zu der
Stromverteilungsstruktur 60. Insbesondere ist die Struktur der Stromzuleitung 62 der Stromverteilungsstruktur 60 geometrisch ähnlich. Insbesondere kann die Struktur der
Stromzuleitung 62 mathematisch mittels Drehung, Spiegelung und/oder Verschiebung auf die Stromverteilungsstruktur 60 abgebildet werden. Insbesondere sind die
Stromzuleitungsabschnitte 82 geradlinig ausgebildet und schließen paarweise je einen Winkel von 120° ein.
Insbesondere sind die Stromzuleitungsabschnitte 82 parallel zu den Stromverteilungsabschnitten 80 ausgebildet.
Falls die Isolierungsstruktur 61 noch nicht ausgebildet ist, so kann diese nun über der Stromverteilungsstruktur 60, insbesondere über der inneren Teilstruktur 66 und der äußeren Teilstruktur 64, und über der Stromzuleitung 62 ausgebildet werden.
Fig. 6 zeigt den optisch aktiven Bereich des
optoelektronischen Bauelements 1 gemäß Fig. 5 in einem dritten Zustand während des Verfahrens. Die erste Elektrode 20 ist entlang des Pfades 90 durchtrennt, insbesondere geschnitten. Die Struktur des Pfades 90 korrespondiert im Bereich der Stromzuleitung 62 zu der Struktur der
Stromzuleitung 62 und der Stromverteilungsstruktur 60.
Insbesondere ist die Struktur des Pfades 90 im Bereich der Stromzuleitung 62 zu der Struktur der Stromzuleitung 62 und der Stromverteilungsstruktur 60 geometrisch ähnlich.
Insbesondere verläuft der Pfad 90 im Bereich der
Stromzuleitung 62 lateral neben, benachbart und parallel zu der Stromzuleitung 62.
Die Struktur des Pfades 90 korrespondiert zwischen der inneren Elektrode 53 und der äußeren Elektrode 51 nicht zu der Struktur der Stromzuleitung 62 und der
Stromverteilungsstruktur 60. Insbesondere ist die Struktur des Pfades 90 zwischen der inneren Elektrode 53 und der äußeren Elektrode 51 zu der Struktur der Stromzuleitung 62 und der Stromverteilungsstruktur 60 geometrisch nicht
ähnlich. Der Pfad 90 verläuft zwischen der inneren Elektrode 53 und der äußeren Elektrode 51 unabhängig von der
Stromverteilungsstruktur 60.
Das Durchtrennen der ersten Elektrode 20 kann auch als
Segmentieren der ersten Elektrode 20 bezeichnet werden.
Aufgrund des Durchtrennens sind die äußere Elektrode 51 und die innere Elektrode 53 elektrisch voneinander isoliert.
Außerdem ist die Stromzuleitung 62 von der äußeren Elektrode 51 elektrisch isoliert. Ferner definiert das Segmentieren die Struktur der inneren funktionellen Fläche und die Struktur der äußeren funktionellen Fläche. Mittels der in Figur 6 dargestellten Struktur werden die in Figur 2 dargestellten funktionellen Flächen erzeugt. Optional können das
Durchtrennen der ersten Elektrode 20 und das Durchtrennen der Stromverteilungsstruktur 60 in einem Arbeitsdurchgang, also mit einem Schnitt, durchgeführt werden. Falls die Isolierungsstruktur 61 noch nicht ausgebildet ist, so kann diese nun über der Stromverteilungsstruktur 60, insbesondere über der inneren Teilstruktur 66 und der äußeren Teilstruktur 64, und über der Stromzuleitung 62 ausgebildet werden.
Fig . 7 zeigt den optisch aktiven Bereich des
optoelektronischen Bauelements 1 gemäß Figur 5 in einem alternativen dritten Zustand während des Verfahrens, in dem ausgehend von dem in Figur 5 dargestellten zweiten Zustand die erste Elektrode 20 entlang des Pfades 90 durchtrennt ist. Die Struktur des Pfades 90 korrespondiert im Bereich der Stromzuleitung 62 und zwischen der inneren Elektrode 53 und der äußeren Elektrode 51 zu der Struktur der Stromzuleitung 62 und der Stromverteilungsstruktur 60. Insbesondere ist die Struktur des Pfades 90 im Bereich der Stromzuleitung 62 und zwischen der inneren Elektrode 53 und der äußeren Elektrode 51 zu der Struktur der Stromzuleitung 62 und der
Stromverteilungsstruktur 60 geometrisch ähnlich. Insbesondere verläuft der Pfad 90 im Bereich der Stromzuleitung 62 und zwischen der inneren Elektrode 53 und der äußeren Elektrode 51 lateral neben, benachbart und parallel zu der
Stromzuleitung 62 bzw. der Stromverteilungsstruktur 60. Das Durchtrennen der ersten Elektrode 20 kann auch als
Segmentieren der ersten Elektrode 20 bezeichnet werden.
Aufgrund des Durchtrennens sind die äußere Elektrode 51 und die innere Elektrode 53 elektrisch voneinander isoliert.
Außerdem ist die Stromzuleitung 62 von der äußeren Elektrode 51 elektrisch isoliert. Ferner definiert das Segmentieren die Struktur der inneren funktionellen Fläche und die Struktur der äußeren funktionellen Fläche. Mittels der in Figur 7 dargestellten Struktur werden die in Figur 3 dargestellten funktionellen Flächen erzeugt. Optional können das
Durchtrennen der ersten Elektrode 20 und das Durchtrennen der Stromverteilungsstruktur 60 in einem Arbeitsdurchgang, also mit einem Schnitt, durchgeführt werden. Falls die Isolierungsstruktur 61 noch nicht ausgebildet ist, so kann diese nun über der Stromverteilungsstruktur 60, insbesondere über der inneren Teilstruktur 66 und der äußeren Teilstruktur 64, und über der Stromzuleitung 62 ausgebildet werden.
Bei den im Vorhergehenden erläuterten Verfahren zum
Herstellen des optoelektronischen Bauelements 1 wird die Stromverteilungsstruktur 60 insofern zum Herstellen der Stromzuleitung 62 verwendet, dass die Stromzuleitung 62 von ursprünglich zu der Stromverteilungsstruktur 60 gehörenden Stromverteilungsabschnitten 80 gebildet wird. Dies bewirkt automatisch, dass die Struktur der Stromzuleitung 62 zu der Stromverteilungsstruktur 60 korrespondiert. In den
nachfolgend beschriebenen Figuren 8 bis 12 werden im
Unterschied dazu Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauelements 1 beschrieben, bei denen die Stromzuleitung 62 zusätzlich zu der Stromverteilungsstruktur 60 ausgebildet wird. Auch bei diesen Ausführungsbeispielen wird die
Stromzuleitung 62 so ausgebildet, dass die Struktur der Stromzuleitung 62 zu der Stromverteilungsstruktur 60
korrespondiert .
Dass die Struktur der Stromzuleitung 62 zu der
Stromverteilungsstruktur 60 korrespondiert, bedeutet
beispielsweise, dass die Struktur der Stromzuleitung 62 zu der Struktur der Stromverteilungsstruktur 60 geometrisch ähnlich ist, dass die Stromzuleitungsabschnitte 82 der Stromzuleitung 62 benachbart zu den
Stromverteilungsabschnitten 80 der Stromverteilungsstruktur 60 ausgebildet sind, dass die Stromzuleitungsabschnitte 82 parallel zu den Stromverteilungsabschnitten 80 ausgebildet sind, dass die Stromzuleitungsabschnitte 82 lateral neben oder senkrecht über den Stromverteilungsabschnitten 80 ausgebildet sind, dass die Stromzuleitungsabschnitte 82 so nah bei den Stromverteilungsabschnitten 80 ausgebildet sind, dass diese von dem Nutzer des optoelektronischen Bauelements 1 von außen nicht als Einzelelemente auflösbar sind und/oder dass sie unter einem Isolierungsstrukturabschnitt der
Isolierungsstruktur 61 angeordnet sind und/oder die
Stromzuleitung 62 von der Isolierungsstruktur 61 zum
elektrischen Isolieren der Stromverteilungsstruktur 60 bedeckt ist.
Fig. 8 zeigt eine detaillierte Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer Stromverteilungsstruktur 60. Die
Stromverteilungsstruktur 60 kann in Draufsicht beispielsweise gemäß den in den Figuren 2, 3 und 4 gezeigten
Stromverteilungsstrukturen 60 ausgebildet sein. Die
Stromverteilungsstruktur 60 weist den
Stromverteilungsabschnitt 80 auf. Der
Stromverteilungsabschnitt 80 ist von einem
Isolierungsstrukturabschnitt 84 bedeckt. Der
Isolierungsstrukturabschnitt 84 ist Teil einer
Isolierungsstruktur 61, die sich über die gesamte
Stromverteilungsstruktur 60 erstreckt. Der
Stromverteilungsabschnitt 80 ist auf der Elektrodenschicht 14 ausgebildet. Der Isolierungsstrukturabschnitt 84 weist senkrecht zur Zeichenebene eine Länge auf, die kleiner ist als eine in der Zeichenebene liegende Breite des
Isolierungsstrukturabschnitts 84. Die Stromzuleitung 62 weist einen Stromzuleitungsabschnitt 82 auf, der von einem elektrisch leitfähigen Material gebildet ist. Der Stromzuleitungsabschnitt 82 ist zusätzlich zu dem Stromverteilungsabschnitt 80 ausgebildet. Der
Stromzuleitungsabschnitt 82 ist auf der Elektrodenschicht 14 ausgebildet. Der Stromzuleitungsabschnitt 82 ist lateral neben dem Stromverteilungsabschnitt 80 angeordnet und zwar benachbart zu diesem und derart nahe, dass sie von demselben Isolierungsstrukturabschnitt 84 bedeckt sind. Ferner sind der Stromzuleitungsabschnitt 82 und der Stromverteilungsabschnitt 80 benachbart und parallel zueinander ausgebildet. Somit ist die Struktur der Stromzuleitung 62 korrespondierend zu der Stromverteilungsstruktur 60 ausgebildet. Bei dem fertiggestellten optoelektronischen Bauelement 1 ist von außen lediglich die in der Regel nicht transparente
Isolierungsstruktur 61 zu erkennen. Die Isolierungsstruktur 61 ist unabhängig von der Stromzuleitung 62 zum elektrischen Isolieren der Stromverteilungsstruktur 60 ausgebildet. Daher stellt das Ausbilden der Stromzuleitung 62 unter derselben Isolierungsstruktur 84 wie die Stromverteilungsstruktur 60 keine weitere optische Einschränkung der entsprechenden funktionellen Fläche des optoelektronischen Bauelements 1 dar.
Optional können noch eine, zwei oder mehr elektrische
Leitungen, beispielsweise Stromzuleitungen, nebeneinander und unter demselben Isolierungsstrukturabschnitt 84 angeordnet sein.
Fig. 9 zeigt eine Draufsicht auf die Stromverteilungsstruktur 60 gemäß Fig. 8. Die Stromverteilungsstruktur 60 kann senkrecht zu
Zeichenebene eine Höhe von beispielsweise 700 nm aufweisen. Die Stromverteilungsstruktur 60 kann parallel zur
Zeichenebene eine Breite von beispielsweise ... aufweisen.
Gegebenenfalls kann die Isolierungsstruktur senkrecht zur Zeichenebene eine Höhe von 10 ym aufweisen. Die
Isolierungsstruktur 61 kann beispielsweise von einem
transparenten oder zumindest teilweise transparenten, also in einem Teilwellenlängenbereich transparenten, Material gebildet sein oder dieses aufweisen. Das Material kann beispielsweise photoaktive Polyimidlacke, Novolak Harze und/oder Epoxidharze aufweisen.
Fig. 10 zeigt eine detaillierte Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels der Stromverteilungsstruktur 60. Die Stromverteilungsstruktur 60 kann in Draufsicht beispielsweise gemäß den in den Figuren 2, 3 und 4 gezeigten
Stromverteilungsstrukturen 60 entsprechend ausgebildet sein. Die Stromverteilungsstruktur 60 und die Stromzuleitung 62 sind weitgehend der in Fig. 8 gezeigten Stromzuführung und Stromzuleitung 62 entsprechend ausgebildet, wobei der
Stromverteilungsabschnitt 80 von einem ersten
Isolierungsstrukturabschnitt 86 bedeckt und elektrisch isoliert ist und der Stromzuleitungsabschnitt 82 von einem zweiten Isolierungsstrukturabschnitt 88 bedeckt und
elektrisch isoliert ist. Der erste und der zweite
Isolierungsstrukturabschnitt 86, 88 sind körperlich
voneinander getrennt. Der erste und der zweite
Isolierungsstrukturabschnitt 86, 88 sind jedoch derart nah beieinander angeordnet, dass sie von einem Nutzer des optoelektronischen Bauelements 1 von außen als einstückige Struktur wahrgenommen werden und nicht als getrennte
Strukturen aufgelöst werden können. Ferner sind der
Stromzuleitungsabschnitt 82 und der Stromverteilungsabschnitt 80 benachbart und parallel zueinander ausgebildet. Somit ist die Struktur der Stromzuleitung 62 korrespondierend zu der Stromverteilungsstruktur 60 ausgebildet. Optional können noch eine, zwei oder mehr elektrische
Leitungen, beispielsweise Stromzuleitungen, nebeneinander und unter weiteren Isolierungsstrukturabschnitten angeordnet sein . Fig. 11 zeigt eine detaillierte Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels der Stromversteilungsstruktur 60. Die Stromverteilungsstruktur 60 kann in Draufsicht beispielsweise gemäß den in den Figuren 2, 3 und 4 gezeigten
Stromverteilungsstrukturen 60 ausgebildet sein. Die
Stromverteilungsstruktur 60 und die Stromzuleitung 62 sind weitgehend der in Figur 8 gezeigten Stromverteilungsstruktur 60 bzw. Stromzuleitung 62 entsprechend ausgebildet, wobei der Stromzuleitungsabschnitt 82 senkrecht über dem
Stromverteilungsabschnitt 80 ausgebildet ist. Ferner sind der Stromzuleitungsabschnitt 82 und der Stromverteilungsabschnitt 80 benachbart und parallel zueinander ausgebildet. Somit ist die Struktur der Stromzuleitung 62 korrespondierend zu der Stromverteilungsstruktur 60 ausgebildet. In Draufsicht auf den optisch aktiven Bereich ist die Stromzuleitung 62 nicht als zu der Stromverteilungsstruktur 60 zusätzliche Struktur erkennbar . Das Ausbilden der Stromzuleitung 62 über der
Stromverteilungsstruktur 60 kann beispielsweise mittels Druckens erfolgen. Beispielsweise können nacheinander und übereinander der Stromverteilungsabschnitt 80, dann das Material des Isolierungsstrukturabschnitts 84 und dann der Stromzuleitungsabschnitt 82 mittels Druckens ausgebildet werden, beispielsweise mittels Tintenstrahldruck, Siebdruck oder Rakeln.
Optional können noch eine, zwei oder mehr elektrische
Leitungen, beispielsweise Stromzuleitungen, übereinander und unter demselben Isolierungsstrukturabschnitt 84 angeordnet sein .
Fig. 12 zeigt eine Draufsicht auf die
Stromverteilungsstruktur 60 gemäß Fig. 11.
Die Stromverteilungsstruktur 60 kann senkrecht zu
Zeichenebene eine Höhe von beispielsweise 700 nm aufweisen. Die Stromverteilungsstruktur 60 kann parallel zur
Zeichenebene eine Breite von beispielsweise ... aufweisen.
Gegebenenfalls kann die Isolierungsstruktur senkrecht zur Zeichenebene eine Höhe von 10 ym aufweisen. Die
Isolierungsstruktur 61 kann beispielsweise von einem
transparenten oder zumindest teilweise transparenten, also in einem Teilwellenlängenbereich transparenten, Material gebildet sein oder dieses aufweisen. Das Material kann beispielsweise photoaktive Polyimidlacke, Novolak Harze und/oder Epoxidharze aufweisen. Wird davon ausgegangen, dass die innere funktionelle Fläche ca. 10 cm2 aufweist und eine Stromdichte von 2,5 mA/cm2 benötigt, sollte die Stromzuleitung 62 einen Strom von 25 mA bei 6V problemlos transportieren können. Lässt man einen Spannungsabfall von beispielsweise 0,125 Volt zu, so ergibt sich ein maximal zulässiger Wiederstand von 4 Ohm (R=U/I;
125V/25A = 5 Ohm) . Der Widerstand einer Leiterbahn kann mittels R = rho*Länge/Querschnittsflache berechnet werden, wobei rho der spezifische Widerstand des Leiterbahnmaterials ist. Für Aluminium gilt rho_Alu = 2,6510 * 10"2 Ohm mm2/m.
Eine Stromzuleitung 62, die aus Aluminium gebildet ist und deren Stromzuleitungsabschnitte 82 unter denselben
Isolierungsstrukturabschnitten 84 ausgebildet sind wie die entsprechenden Stromverteilungsabschnitte 80, mit 70 ym
Breite, einer Höhe von 4,5 ym und einer Länge von 5 cm hat einen Widerstand von 4.2 Ohm und ermöglicht ein Bestromen von inneren funktionellen Flächen, beispielsweise innenliegenden Leuchtflächen.
Eine herkömmliche Stromverteilungsstruktur 60, insbesondere ein Busbar, hat beispielsweise eine Metallisierungshöhe von 700 nm, und eine entsprechende Isolierungsstruktur 61 hat über der Stromverteilungsstruktur 60 eine Höhe von ca. 10 ym. Wird die Höhe der Isolierungsstruktur 61 über der
Stromverteilungsstruktur 60 demgegenüber etwas reduziert und die Metallisierung der Stromverteilungsstruktur dicker ausgeführt so ist es ohne Probleme möglich in den gleichen Außendimensionen die benötigte Leitfähige Struktur
unterzubringen .
Eine weitere Entspannung der Situation tritt ein, falls man die Leuchtfläche über mehrere unter der Isolierungsstruktur 61 versteckte Stromzuleitungen 62 bestromt. Werden
beispielsweise vier Stromzuleitungen 62 statt einer
Stromzuleitung 62 für eine innere funktionelle Fläche
verwendet, entspannt sich die Situation deutlich. Da dies dann eine Parallelschaltung von Stromzuleitungen 62 ist, kann pro Stromzuleitung 62 ein Widerstand von 20 Ohm angesetzt werden, um insgesamt die erlaubten 5 Ohm zu erreichen. Dies würde für Aluminium bereits bei einer Höhe von 1,4 ym und einer Breite von 5 ym erreicht. Durch die Verwendung von Kupfer (1, 678 * 1Q~Z mmVm) oder Silber (1, 587 * 1Q~Z mmVm) lässt sich die die benötigte Querschnittsfläche um weitere 60% senken. Fig. 13 zeigt eine detaillierte Schnittdarstellung einer Schichtstruktur eines Ausführungsbeispiels eines
optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise des im
Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelements 1, beispielsweise eines der Leuchtdiodenelemente 50, 52, wobei in Figur 13 die Stromverteilungsstruktur 60, die
Isolierungsstruktur 61 und die Stromzuleitung 62 nicht dargestellt sind. Das optoelektronische Bauelement 1 kann als Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter ausgebildet sein. Falls das optoelektronische Bauelement 1 als Top-Emitter und
Bottom-Emitter ausgebildet ist, kann das optoelektronische Bauelement 1 als optisch transparentes Bauelement,
beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden. Das optoelektronische Bauelement 1 weist den Träger 12 und einen aktiven Bereich über dem Träger 12 auf. Zwischen dem Träger 12 und dem aktiven Bereich kann eine erste nicht dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine erste
Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Der aktive Bereich weist die erste Elektrode 20, die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 und die zweite Elektrode 23 auf. Über dem aktiven Bereich ist die Verkapselungsschicht 24
ausgebildet. Die Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barriereschicht, beispielsweise als zweite
Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Über dem aktiven
Bereich und gegebenenfalls über der Verkapselungsschicht 24, ist der Abdeckkörper 38 angeordnet. Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise mittels der Haftmittelschicht 36 auf der
Verkapselungsschicht 24 angeordnet sein.
Der aktive Bereich ist ein elektrisch aktiver Bereich
und/oder ein Teil des optisch aktiven Bereichs. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 1, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 1 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichten zwischen den
Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen . Der Träger 12 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 12 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 12 kann beispielsweise Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Träger 12 eine Kunststofffolie oder ein
Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien
aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine aufweisen. Ferner kann der
Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen. Der Träger 12 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung,
beispielsweise Stahl. Der Träger 12 kann als Metallfolie oder metallbeschichtete Folie ausgebildet sein. Der Träger 12 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden. Der Träger 12 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 20 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid
(transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn- Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten.
Als Metall können beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder
Legierungen dieser Materialien verwendet werden.
Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoff- Verbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder In203 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Zn2In205 oder In4Sn3012 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs .
Die erste Elektrode 20 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Beispielsweise kann die erste Elektrode 20 eine der folgenden Strukturen aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind, ein Netzwerk aus
Kohlenstoff-Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren
kombiniert sind und/oder Graphen-Schichten und Komposite. Ferner kann die erste Elektrode 20 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,
beispielsweise von 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.
Die erste Elektrode 20 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist. Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle (nicht dargestellt) bereitgestellt werden, beispielsweise von einer Stromquelle oder einer
Spannungsquelle. Alternativ kann das erste elektrische
Potential an den Träger 12 angelegt sein und der ersten
Elektrode 20 über den Träger 12 mittelbar zugeführt werden. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das
Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein .
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine
Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninj ektionsschicht aufweisen .
Die Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten
Elektrode 20 ausgebildet sein. Die Lochinjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc; NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, N ' -Bis (naphthalen-2-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (N, ' -Bis ( 3-methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin) ; Spiro TPD (N, ' -Bis (3-methylphenyl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (N, N ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, N ' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N,N'-Bis(3- methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [ 4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl ] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl ]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N' -bis-naphthalen-2- yl-N, ' -bis-phenyl-amino) -phenyl ]-9H-fluor; N, N '
bis (phenanthren- 9-yl ) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin; 2,7 Bis[N,N- bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis (biphenyl-4-yl ) amino ] 9, 9-spiro-bifluoren; 2 , 2 ' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N, N- ditolyl-amino) -phenyl ] cyclohexan; 2, 2 ',7, 7' tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, N, ' , ' -tetra- naphthalen-2-yl-benzidin .
Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.
Auf oder über der Lochinjektionsschicht kann die
Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die
Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, N ' -Bis (naphthalen-2-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (N, ' -Bis ( 3-methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin) ; Spiro TPD (N, ' -Bis (3-methylphenyl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (N, N ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, N ' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N,N'-Bis(3- methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [ 4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl ] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl ]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N' -bis-naphthalen-2- yl-N, ' -bis-phenyl-amino) -phenyl ]-9H-fluor; N, N '
bis (phenanthren- 9-yl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin; 2, 7-Bis [N,N- bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis (biphenyl-4-yl ) amino ] 9, 9-spiro-bifluoren; 2 , 2 ' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [ 4- (N, N- ditolyl-amino) -phenyl ] cyclohexan; 2 , 2 ' , 7 , 7 ' -tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren; und N, Ν,Ν',Ν' tetra-naphthalen- 2-yl-benzidin .
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Lochtransportschicht kann die eine oder mehrere Emitterschichten ausgebildet sein, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern. Die Emitterschicht kann organische Polymere, organische
Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. Die Emitterschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder organometallische
Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5-substituiertes Poly-p- phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise
Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic
(Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) - iridium III), grün phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris (2- phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb- bpy) 3*2 (PF6) (Tris [ 4 , 4 ' -di-tert-butyl- (2,2')- bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA ( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) - amino ] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4- Dicyanomethylen) -2-methyl-6-j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem
Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) . Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem
Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer
technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid, oder einem Silikon.
Die erste Emitterschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein
Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung
zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer
Farbeindruck ergibt.
Auf oder über der Emitterschicht kann die
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein. Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET-18; 2, 2', 2" - (1, 3, 5-Benzinetriyl ) -tris (1- phenyl-l-H-benzimidazole) ; 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert- butylphenyl) -1, 3, 4-oxadiazole, 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5-diphenyl-4H-l , 2, 4-triazole; 1, 3-Bis [2- (2, 2 ' -bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l , 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6'-Bis[5- (biphenyl-4-yl) -1, 3, 4-oxadiazo-2-yl ] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene ; 2, 7-Bis [2- (2, 2 ' - bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] -9, 9-dimethylfluorene ; 1, 3-Bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline; 2, 9- Bis (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;
Tris(2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl ) phenyl) borane; 1-methyl- 2 - (4 - (naphthalen-2-yl) phenyl) -lH-imidazo [4,5- f] [ 1 , 10 ] phenanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Elektronentransportschicht kann die
Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die
Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs2C03, Cs3P04, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2, 2', 2" -(1,3, 5-Benzinetriyl) -tris ( 1 -phenyl-1-H- benzimidazole) ; 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) - 1,3, 4-oxadiazole, 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5-diphenyl-4H-l , 2, 4-triazole; 1, 3-Bis [2- (2, 2 ' -bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen); 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l, 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6'-Bis[5- (biphenyl-4-yl) -1, 3, 4-oxadiazo-2-yl ] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] -9, 9-dimethylfluorene ; 1, 3-Bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline; 2, 9- Bis (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;
Tris (2, 4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl ) phenyl) borane; 1-methyl- 2 - (4 - (naphthalen-2-yl) phenyl) -lH-imidazo [4,5- f] [ 1 , 10 ] phenanthroline ; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.
Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können entsprechende Zwischenschichten zwischen den organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten
ausgebildet sein. Die organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten können jeweils einzeln für sich gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ausgebildet sein. Die Zwischenschicht kann als eine Zwischenelektrode ausgebildet sein. Die Zwischenelektrode kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode
beispielsweise ein drittes elektrisches Potential
bereitstellen. Die Zwischenelektrode kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.
Das optoelektronische Bauelement 1 kann optional weitere funktionale Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten oder auf oder über der Elektronentransportschicht. Die weiteren funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Ein-/Auskoppelstrukturen sein, die die Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 1 weiter verbessern können.
Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 20 und die zweite Elektrode 23 gleich oder
unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 23 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 23 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential. Das zweite elektrische
Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann
beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die
Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als
Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die
Verkapselungsschicht 24 kann als transluzente oder
transparente Schicht ausgebildet sein. Die
Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. In anderen Worten ist die Verkapselungsschicht 24 derart ausgebildet, dass sie von Stoffen, die das optoelektronische Bauelement schädigen können, beispielsweise Wasser,
Sauerstoff oder Lösemittel, nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Die
Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein.
Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid,
Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid,
Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid,
Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.
Die Verkapselungsschicht 24 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise ungefähr 40 nm.
Die Verkapselungsschicht 24 kann ein hochbrechendes Material aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem
Brechungsindex von 1,5 bis 3, beispielsweise von 1,7 bis 2,5, beispielsweise von 1,8 bis 2.
Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger 12 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der
Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein.
Die Verkapselungsschicht 24 kann beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , z.B. eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , z.B. eines plasmaunterstützten
Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen
Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren.
Optional kann eine Ein- oder Auskoppelschicht beispielsweise als externe Folie (nicht dargestellt) auf dem Träger 12 oder als interne Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im
Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelements 1 ausgebildet sein. Die Ein-/Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein-/Auskoppelschicht größer ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die
elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten ausgebildet sein.
Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Klebstoff und/oder Lack aufweisen, mittels dessen der Abdeckkörper 38 beispielsweise auf der Verkapselungsschicht 24 angeordnet, beispielsweise aufgeklebt, ist. Die Haftmittelschicht 36 kann transparent oder transluzent ausgebildet ein. Die
Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die Haftmittelschicht 36 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen.
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (Si02), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (Zr02), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder
Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der Haftmittelschicht 36
verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
Die Haftmittelschicht 36 kann eine Schichtdicke größer 1 ym aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren ym. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff ein Laminations-Klebstoff sein.
Die Haftmittelschicht 36 kann einen Brechungsindex aufweisen, der kleiner ist als der Brechungsindex des Abdeckkörpers 38. Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise einen
niedrigbrechenden Klebstoff aufweisen, wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Die Haftmittelschicht 36 kann jedoch auch einen
hochbrechenden Klebstoff aufweisen, der beispielsweise hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und der einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der
ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 22 entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,6 bis 2,5, beispielsweise von 1,7 bis ungefähr 2,0.
Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine sogenannte
Getter-Schicht oder Getter-Struktur, d.h. eine lateral strukturierte Getter-Schicht, (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die
schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet. Eine Getter-Schicht kann beispielsweise ein Zeolith- Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter- Schicht kann eine Schichtdicke größer 1 ym aufweisen,
beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren ym. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter-Schicht einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder in der
Haftmittelschicht 36 eingebettet sein.
Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise von einem Glaskörper, einer Metallfolie oder einem abgedichteten Kunststofffolien- abdeckkörper gebildet sein. Der Abdeckkörper 38 kann
beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen
Randbereichen des optoelektronischen Bauelements 1 auf der Verkapselungsschicht 24 bzw. dem aktiven Bereich angeordnet sein. Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise einen
Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von beispielsweise 1,3 bis 3, beispielsweise von 1,4 bis 2, beispielsweise von 1,5 bis 1,8 aufweisen.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die in den Figuren 8, 10 und 11 gezeigten Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert sein. Beispielsweise können zwei oder mehr Stromzuleitungsabschnitte 82 und/oder
Stromverteilungsabschnitt 80 nah beieinander, benachbart, lateral neben, senkrecht über und/oder parallel zueinander ausgebildet sein. Beispielsweise können noch weitere
Stromzuleitungsabschnitte 82 unter demselben
Isolierungsstrukturabschnitt 84 oder zumindest gemäß Figur 10 nah beieinander ausgebildet sein. Dies kann beispielsweise dazu genutzt werden, zwei oder mehr innere funktionelle
Flächen zu realisieren, wobei die inneren funktionellen
Flächen lateral nebeneinander und/oder ineinander
geschachtelt sein können. Beispielsweise kann mit voneinander verschiedenen Stromzuleitungen 62 bzw. den entsprechenden Stromzuleitungsabschnitten 83 eine innere funktionelle Fläche realisiert sein, die in lateraler Richtung vollständig von einer oder mehreren anderen inneren funktionellen Flächen umgeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement (1), mit
einer ersten Elektrode (20) aufweisend mindestens ein äußeres Elektrodensegment (51), das an einem lateralen Rand (55) der ersten Elektrode (20) ausgebildet ist, und
mindestens ein inneres Elektrodensegment (53) , das von dem lateralen Rand (55) der ersten Elektrode (20) beabstandet ausgebildet ist,
einer über der ersten Elektrode (20) ausgebildeten elektrisch leitfähigen Stromverteilungsstruktur (60)
aufweisend mindestens eine äußere Teilstruktur (64), die sich zumindest über das äußere Elektrodensegment (51) erstreckt, und mindestens eine innere Teilstruktur (66), die sich zumindest über das innere Elektrodensegment (53) erstreckt und die gegenüber der äußeren Teilstruktur (64) elektrisch isoliert ist,
mindestens einer Stromzuleitung (62), die sich von dem lateralen Rand (55) der ersten Elektrode (20) hin zu der inneren Teilstruktur (66) erstreckt, die mit der inneren Teilstruktur (66) elektrisch gekoppelt ist, die von der äußeren Teilstruktur (64) elektrisch isoliert ist und deren Struktur zu der Stromverteilungsstruktur (60) korrespondiert, eine Isolierungsstruktur (84), die die
Stromverteilungsstruktur (60) und die Stromzuleitung (62) bedeckt,
einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20), der Stromverteilungsstruktur (60), der Stromzuleitung (62) und der Isolierungsstruktur (84),
einer zweiten Elektrode (23) über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22).
2. Optoelektronisches Bauelement (1) nach Anspruch 1, bei dem die Struktur der Stromzuleitung (62) der
Stromverteilungsstruktur (60) geometrisch ähnlich ist.
3. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der
Ansprüche 1 oder 2, bei dem die Stromverteilungsstruktur (60) einstückig ausgebildet ist und mehrere geradlinige
Stromverteilungsabschnitte (80) aufweist und bei dem die Stromzuleitung (62) benachbart zu den
Stromverteilungsabschnitten (80) verläuft.
4. Optoelektronisches Bauelement (1) nach Anspruch 3, bei dem die Stromzuleitung (62) lateral neben oder senkrecht über den Stromverteilungsabschnitten (80) verläuft.
5. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der
Ansprüche 3 oder 4, bei dem die Stromzuleitung (62) parallel zu den Stromverteilungsabschnitten (80) verläuft.
6. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der
vorstehenden Ansprüche, bei dem die Stromzuleitung (62) einstückig mit der inneren Teilstruktur (66) ausgebildet ist.
7. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der
vorstehenden Ansprüche, bei dem das äußere Elektrodensegment (53) zwischen dem lateralen Rand (55) der ersten Elektrode (20) und dem inneren Elektrodensegment (53) ausgebildet ist.
8. Optoelektronisches Bauelement (1) nach Anspruch 7, bei dem das innere Elektrodensegment (53) in lateraler Richtung von dem einen äußeren Elektrodensegment (51), einem weiteren äußeren Elektrodensegment (51) und/oder mehreren äußeren Elektrodensegmenten (51) umgeben ist.
9. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der
vorstehenden Ansprüche, bei dem ein Stromverteilungsabschnitt (80) der Stromverteilungsstruktur (60) und ein dazu
nächstliegender Stromzuleitungsabschnitt (82) der
Stromzuleitung (62) von einem einstückigen
Isolierungsstrukturabschnitt (84) der Isolierungsstruktur bedeckt sind.
10. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der
Ansprüche 1 bis 8, bei dem ein Stromverteilungsabschnitt (80) der Stromverteilungsstruktur (60) von einem ersten
Isolierungsstrukturabschnitt (86) der Isolierungsstruktur bedeckt ist und ein dazu nächstliegender
Stromzuleitungsabschnitt (82) der Stromzuleitung (62) von einem zweiten Isolierungsstrukturabschnitt (88) der
Isolierungsstruktur bedeckt ist, wobei der erste und der zweite Isolierungsstrukturabschnitt (86, 88) körperlich voneinander getrennt sind.
11. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements (1), bei dem
eine erste Elektrode (20) bereitgestellt wird, die aufweist mindestens ein äußeres Elektrodensegment (51), das an einem lateralen Rand (55) der ersten Elektrode (20) ausgebildet ist, und mindestens ein inneres Elektrodensegment (53) , das von dem lateralen Rand (55) der ersten Elektrode (20) beabstandet ausgebildet ist,
über der ersten Elektrode (20) eine elektrisch
leitfähige Stromverteilungsstruktur (60) ausgebildet wird, die aufweist mindestens eine äußere Teilstruktur (64), die sich zumindest über das äußere Elektrodensegment (51)
erstreckt, und mindestens eine innere Teilstruktur (66), die sich zumindest über das innere Elektrodensegment (53)
erstreckt und die gegenüber der äußeren Teilstruktur (64) elektrisch isoliert ist,
mindestens eine Stromzuleitung (62) ausgebildet wird, die sich von dem lateralen Rand (55) der ersten Elektrode (20) hin zu der inneren Teilstruktur (66) erstreckt, die mit der inneren Teilstruktur (66) elektrisch gekoppelt ist, die von der äußeren Teilstruktur (64) elektrisch isoliert ist und deren Struktur zu der Stromverteilungsstruktur (60)
korrespondiert,
eine Isolierungsstruktur (84) über der
Stromverteilungsstruktur (60) und der Stromzuleitung (62) ausgebildet wird, eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20), der Stromverteilungsstruktur (60), der Stromzuleitung (62) und der Isolierungsstruktur (84) ausgebildet wird, und
eine zweite Elektrode über der organischen funktionellen
Schichtenstruktur (22) ausgebildet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem die
Elektrodensegmente (51, 53) ausgebildet werden, indem die erste Elektrode (20) zunächst einstückig ausgebildet wird und dann so durchtrennt wird, dass die Elektrodensegmente (51, 53) ausgebildet werden.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 12, bei dem die Stromverteilungsstruktur (60) ausgebildet wird, indem die
Stromverteilungsstruktur (60) zunächst einstückig ausgebildet wird und dann so durchtrennt wird, dass die Teilstrukturen (64, 66) ausgebildet werden.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem die Stromzuleitung (62) von der Stromverteilungsstruktur (60) gebildet wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem die Stromzuleitung (62) zusätzlich zu der
Stromverteilungsstruktur (60) ausgebildet wird.
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