WO2015178704A2 - 그래파인의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터 - Google Patents

그래파인의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터 Download PDF

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WO2015178704A2
WO2015178704A2 PCT/KR2015/005119 KR2015005119W WO2015178704A2 WO 2015178704 A2 WO2015178704 A2 WO 2015178704A2 KR 2015005119 W KR2015005119 W KR 2015005119W WO 2015178704 A2 WO2015178704 A2 WO 2015178704A2
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graphene
graphyne
work function
fermi level
transistor
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PCT/KR2015/005119
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이윤택
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이윤택
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    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/095—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being Schottky barrier gate field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
    • H01L29/812—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate

Definitions

  • the present invention relates to a transistor and a manufacturing method for controlling one or more of the work function (work function) having one or more bend deformation, position shift, selected from the graphene (Graphyne), more specifically graphene (Graphyne) one or more bend deformation, position shift, selection of one or more of the graphene (Graphyne) having at least one selected from the elastic, elastic, flexible having a unit selected from one or more of micro, nano units
  • One or more transistors for controlling one or more work functions work function having one or more bend deformation, position shift, selected from the graphene (Graphyne), more specifically graphene (Graphyne) one or more bend deformation, position shift, selection of one or more of the graphene (Graphyne) having at least one selected from the elastic, elastic, flexible having a unit selected from one or more of micro, nano units
  • One or more transistors for controlling one or more work functions are examples of the work function (work function) having one or more bend deformation, position shift, selected from the graph
  • Graphyne is a carbon allotrope-like material with graphene-like properties.
  • the transistor size must be reduced to shorten the electron's travel distance or use a material with higher electron mobility to make the electron move faster.
  • Graphyne which has high electron mobility, is attracting attention as a substitute material for silicon, but the problem is that Graphyne has a 'conductor' characteristic. Graphyne is metallic and can't block current. Transistors represent the digital signals 0 and 1 with the flow and interruption of current. Graphene can be used to 'semiconduct' it or to provide sufficient vacuum gaps, gaps (for example, insulation layers), air gaps, vacuum layers, Air layer, should have one selected.
  • one or more of the standby power problems that have been recognized as a challenge have been selected from the height of the Schottky Barrier and the height of the Fermi level.
  • One or more bend deformations, position shifts, and one or more of graphene are selected to solve one or more of the work functions.
  • Transistors that control one or more work functions with one or more bend deformations, position shifts, and one or more of graphene made of graphyne are different from conventional transistors.
  • the height adjustment of one or more Schottky Barriers, rather than the channel potential control (silicon transistor type), allows the electronics to move at high speeds while blocking the current.Graphyne's one or more bending strains, position shifts, It is solved by adjusting one or more of the work function by having one or more selected.
  • At least one Fermi level (Graphyne) transistor having one or more bending strains, position shifts, and one or more of the Work functions (Graphes) can be selected.
  • one or more Work functions can be used to cut off the current while increasing the speed of electron movement.
  • one or more bending strains or positional shifts are caused to be selected.
  • Graphyne which has been selected for one or more of deformation and displacement, adjusts the height of one or more of one or more of Schottky Barrier, Fermi level, or Work function. Transistor) to control one or more).
  • One or more Schottky Barriers are selected from one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, thereby increasing the height of one or more Schottky Barriers.
  • the transistor to be developed using Graphene's fast conductivity, with sufficient vacuum gaps, gaps (which can refer to insulating layers for example), air gaps, It is possible to develop a transistor with a higher conduction speed than a conventional field effect transistor with a vacuum layer, an air layer, and one selected from among them.
  • the graphene is selected from one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, using graphene to obtain graphene.
  • One or more graphenes are selected from one or more of bending deformation, position shifting, and have a transistor for controlling one or more work functions.
  • Graphyne a carbon allotrope, has a characteristic of transferring electrons faster than silicon.
  • the transistor size must be reduced to shorten the electron's travel distance or use a material with higher electron mobility to make the electron move faster.
  • the present invention is provided with one or more bend deformation, position shift, or one or more of graphene (Graphyne), so that one or more of the height of one or more Schottky Barrier, Fermi level (Fermi level) of One or more height adjustments, one or more of which are selected, one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, one or more selected at the bottom of Graphyne At least one of the piezo material, the magnetic particles, the charged particles or the charged particles, due to the electrostatic level of the barrier control circuit intersecting It is an object to provide a transistor that adjusts one or more of a work function by selecting one or more of deformation and position shift.
  • the present invention is provided with one or more of the bending deformation of the graphene (Graphyne), the position shift, at least one of the height of one or more of the Schottky Barrier (Schottky Barrier) control, Fermi level (Fermi level) of One or more height adjustments, one or more of graphene, one or more bending strains or position shifts, due to the electrostatic level of the barrier adjustment circuit intersecting one or more of the choices. It is an object of the present invention to provide a transistor for controlling the above.
  • At least one of the problems of standby power, which has been recognized as a challenge, while maintaining the speed of electrons that Graphyne is proud of, is one or more of the height of the Schottky Barrier and the height of the Fermi level.
  • One or more bend deformations, position shifts, and one or more of graphene are selected to solve one or more of the work functions.
  • Transistors that control one or more work functions with one or more bend deformations, position shifts, and one or more of graphene made of graphyne are different from conventional transistors.
  • the height of the Schottky Barrier, rather than the channel potential control (silicon transistor type), allows the electrons to move at high speeds while blocking current, which is one or more bends of graphene made of graphene. It is solved by adjusting one or more work functions by selecting one or more of deformation, position movement, and the like.
  • a transistor for controlling one or more work functions including one or more bend strains, position shifts, or one or more of graphene made of graphene, may be selected from the By adjusting one or more of Schottky Barrier's height and Fermi level's height, one or more of the Work Functions can be adjusted to allow the electronics to move at high speed while blocking current.
  • one or more Fermi level transistors for controlling one or more work functions, including one or more bending strains, position shifts, and one or more of graphene made of graphyne.
  • one or more Work functions can be used to cut off the current while increasing the speed of electron movement.
  • One or more bend deformations, position shifts, and one or more of graphenes made of graphene are selected so that one or more work functions can be adjusted to control the current while increasing the speed of electron transfer. It is to be blocked.
  • a transistor for controlling one or more work functions, including one or more of bend deformation, position shift, and selection of graphyne.
  • one or more bending strains, position shifts, and one or more of graphene are selected, so that one or more heights of one or more Schottky Barriers are adjusted to adjust the work function (work function).
  • Transistors for controlling one or more are selected, so that one or more heights of one or more Schottky Barriers are adjusted to adjust the work function (work function).
  • one or more bending strains, position shifts, and one or more of graphene is selected, by adjusting one or more height of one or more Fermi level (Fermi level) Work function (work function) Transistors for controlling one or more).
  • One or more Schottky Barriers are selected from one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, thereby increasing the height of one or more Schottky Barriers.
  • the transistor can be developed by using graphene's fast conductivity, and the graphene, which has been difficult in the conventional structure, may have sufficient vacuum gap and gap (eg, insulating layer). It is possible to develop transistors with faster conduction speed than conventional field effect transistors with the choice of air gap, air gap, vacuum layer and air layer.
  • the graphene is selected from one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, using graphene to obtain graphene.
  • a transistor having one or more selected from one or more bending strains, position shifts, and fine-tuning of a work function is provided.
  • one or more bends of graphene are selected such that one or more of the standby power problem is selected from the height of one or more Schottky Barrier, the height of the Fermi level, and the Fermi level.
  • a. 110 consisting of one to three, one or more selected from one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, and graphene on top
  • One or more graphenes (Graphyne) having at least one of the bending deformation, the position shift, having been selected, connected to one or more control of the Work funiction (work function) to one or more 300, here can be connected to one or more circuits It means that there is.
  • At least one of 110 (one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles, or charged particles, due to the electrostatic level of 300 (hatched areas) passing through, consisting of 1 to 3 Work funiction (work function) to one or more 300, including being selected and having one or more of graphene, one or more bend deformation, position shift, selected
  • the drawings are connected by one or more adjustments of, which means that they can be connected by one or more circuits. This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • One or three graphenes consisting of one to three, constitute the height of one or more Schottky Barriers with one or more 300 (unhatched), and cross over 300 (hatched areas) Due to the electrostatic level of at least one selected from at least one of 110 (one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, and graphene on top) Graphene having one or more bend deformations, position shifts, and one or more selected, leading to one or more adjustments of Work funiction to one or more 300
  • One or more Graphynes consisting of one to three, capable of adjusting one or more heights of one or more Schottky Barriers with one or more 300 (not hatched), Fermi level One or more of the heights of which can be controlled, one or more of which are selected, and because of the electrostatic level of 300 (hatched areas) passing through them, 110 (one or more Piezo materials, magnetic particles, Having at least one of particles having a charge or a charged particle, and one or more of graphene having one or more of graphene, one or more of bending deformation, shifting, and the like. Drawings that connect to one or more controls of Work funiction
  • e. 110 consisting of one to three, one or more selected from one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, and graphene on top
  • One or more graphenes (Graphyne) having at least one of the bending deformation, the position shift, having been selected, connected to one or more control of the Work funiction (work function) to one or more 300, here can be connected to one or more circuits It means that there is.
  • one or more of the height of one or more of the Schottky Barrier, one or more of the height of the Fermi level (Fermi level), one or more selected from 110 One or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, and one or more graphenes (with graphene on top) It may mean a drawing that is connected to one or more adjustments of Work funiction (work function) with one or more of 300, including one or more of bending deformation, position movement, and the like.
  • the components presented in this drawing have one or more physical dimensions set forth in the present invention within the scope of the description presented in one aspect and the size or The appearance may vary.
  • the configuration of this figure may be described as one or more reconstructed as one or more Coulomb blockades.
  • One or more Graphynes 200 constitute the height of one or more Schottky Barriers with one or more 300, one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles
  • One or more of the particles, one or more selected is selected by one or more graphene (200) one or more of bending strain, position shift, connected to one or more control of the work funiction to one or more 300
  • the figures, here, mean that they can be connected in one or more circuits. This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • One or more Graphynes 200 constitute the height of one or more Schottky Barriers with one or more 300, and the power outages of 300 (not shown in the drawings but included in the drawings intersecting) that intersect.
  • the miracle level causes one or more of the piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, to bend or shift one or more Graphene 200 one or more.
  • One or more selected, wherein the drawing is connected to one or more adjustments of the work funiction by adjusting one or more heights of one or more Schottky Barriers to one or more 300, in which one or more circuits may be connected. it means.
  • This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • One or more Graphynes 200 constitute the height of one or more Schottky Barriers with one or more 300, one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles
  • One or more Graphynes 200 constitute one or more of the heights of one or more Schottky Barrier, one or more Fermi levels, one or more Piezos with one or more 300, and one or more Piezos. At least one selected from (piezo) material, magnetic particles, charged particles, or charged particles, is selected from at least one of graphene (200) or one or more of bending deformation, displacement, By adjusting one or more heights of one or more Fermi levels, one or more 300 connections to one or more adjustments of the Work funiction, which means that one or more circuits may be connected. This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • One or more Graphynes 200 constitute the height of one or more Fermi levels with one or more 300, one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles
  • One or more of the particles, one or more selected graphene (Graphyne) (200) is one or more bend deformation, position shift, one or more of the selected one or more of the height of one or more Fermi level (Fermi level)
  • More than 300 drawings are connected by one or more adjustments of the work funiction, which means that they can be connected by one or more circuits. This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • the components presented in this drawing have one or more physical dimensions set forth in the present invention within the scope of the description presented in one aspect and the size or The appearance may vary.
  • the configuration of this figure may be described as one or more reconstructed as one or more Coulomb blockades.
  • a. 90 or 100 consisting of one to three, one or more selected from one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, and having graphene on top
  • This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • the passage in the drawings consisting of 1 to 3, means selected from among adhesive material, elastomer, liquid polymer, insulator, insulating layer, and in one embodiment of the present invention, the empty space in the drawing is a vacuum layer, an air layer ( Air layer), one or more of the height of the Schottky Barrier, one or more of the height of the Fermi level (Fermi level) means that one or more of the selected.
  • One or three graphenes consisting of one to three, constitute the height of one or more Schottky Barriers with one or more 300 (unhatched), and cross over 300 (hatched areas) Due to the electrostatic level of, 90 or 100 (one or more of Piezo material, magnetic particles, charged or charged particles, and graphene on top)
  • One or more graphenes including one or more bend deformations, position shifts, and one or more selected, leading to one or more adjustments of the work funiction to one or more 300
  • One or more graphenes consisting of 1 to 3, are placed on top of 90 or 100 (one or more selected from one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, etc.).
  • 90 or 100 select one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, one or more graphenes, one or more bending strains, displacements,
  • One or more of the drawings which are connected to one or more adjustments of Work funiction (work function) to one or more 300, which means that it can be connected to one or more circuits.
  • Work funiction work function
  • This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • the components presented in this drawing have one or more physical dimensions set forth in the present invention within the scope of the description presented in one aspect and the size or The appearance may vary.
  • the configuration of this figure may be described as one or more reconstructed as one or more Coulomb blockades.
  • One or more Graphynes 200 constitute the height of one or more Schottky Barriers with one or more 300 (unhatched) and have one or more Piezo materials, magnetic particles, charges One or more of the particles or charged particles, one or more of Graphene 200, one or more of bending strain, displacement, or one or more selected from 300 of the Work funiction (work function) Drawings connected by one or more adjustments, which means that they can be connected by one or more circuits.
  • This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • One or more Graphynes 200 constitute the height of one or more Schottky Barriers with one or more 300 (not hatched), and cross over 300 (not shown in the drawing but not in the drawing) Due to the electrostatic level of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (200) At least one of bending deformation, position shifting, and one or more of 300 is selected by one or more control of the work funiction (work function), which means that it can be connected by one or more circuits. This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • One or more Graphynes 200 constitute the height of one or more Schottky Barriers with one or more 300 (unhatched) and have one or more Piezo materials, magnetic particles, charges One or more of the particles or charged particles, one or more of the graphene (200) is selected one or more of bending deformation, position shift, the height of one or more Fermi level (Fermi level)
  • one or more 300 diagrams are connected to one or more adjustments of the work funiction, which means that they can be connected to one or more circuits. This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • One or more Graphynes 200 constitute one or more of the heights of one or more Schottky Barrier, one or more Fermi levels, one or more Piezos with one or more 300, and one or more Piezos. At least one selected from (piezo) material, magnetic particles, charged particles, or charged particles, is selected from at least one of graphene (200) or one or more of bending deformation, displacement, By adjusting one or more heights of one or more Fermi levels, one or more 300 connections to one or more adjustments of the Work funiction, which means that one or more circuits may be connected. This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • One or more Graphynes 200 constitute the height of one or more Fermi levels with one or more 300 (unhatched), one or more Piezo materials, magnetic particles, charges One or more of the particles or charged particles, one or more of the graphene (200) is selected one or more of bending deformation, position shift, the height of one or more Fermi level (Fermi level)
  • one or more 300 diagrams are connected to one or more adjustments of the work funiction, which means that they can be connected to one or more circuits. This is a general transistor principle, which means that only one circuit can move electrons.
  • the components presented in this drawing have one or more physical dimensions set forth in the present invention within the scope of the description presented in one aspect and the size or The appearance may vary.
  • the configuration of this figure may be described as one or more reconstructed as one or more Coulomb blockades.
  • One or more of 110 selected one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, one or more graphene 200
  • One or more of flexural deformation, position shift, and one or more of 300 are selected and connected to one or more adjustments of Work funiction (work function) to one or more 300, which means that one or more circuits may be connected.
  • Work funiction work function
  • the passage in the drawings consisting of 1 to 3, means selected from among adhesive material, elastomer, liquid polymer, insulator, insulating layer, and in one embodiment of the present invention, the empty space in the drawing is a vacuum layer, an air layer ( Air layer), one or more of the height of the Schottky Barrier, one or more of the height of the Fermi level (Fermi level) means that one or more of the selected.
  • One or three graphenes consisting of one to three, constitute the height of one or more Schottky Barriers with one or more 300 (unhatched), and cross over 300 (hatched areas) Due to the electrostatic level of, 110 (one or more selected from one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles,) one or more 200 (Graphyne) A drawing that is connected to one or more adjustments of a work funiction to one or more 300, including one or more of anomaly bending deformation, position shift, or the like.
  • e. 110 (one or more selected from one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, consisting of 1 to 3) is selected from at least 200 (Graphyne).
  • the components presented in this drawing have one or more physical dimensions set forth in the present invention within the scope of the description presented in one aspect and the size or The appearance may vary.
  • the configuration of this figure may be described as one or more reconstructed as one or more Coulomb blockades.
  • a. 110 (one or more selected from one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, consisting of 1 to 4) comprises one or more 200 (Graphyne)
  • One or more flexural deformations, position shifts, and one or more of 300 which are not drawn in the drawing but include the circuit configuration of the drawing, which are connected to one or more adjustments of the work funiction.
  • the components shown in the drawings have one or more physical dimensions presented in the present invention within the scope of the description presented in one aspect and the size or The appearance may vary.
  • the configuration of this figure may be described as one or more reconstructed as one or more Coulomb blockades.
  • one or more heights of one or more Schottky Barriers can be adjusted, the height of the Fermi level being one
  • one or more selected one or more of magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected (at the bottom of the bottom) is graphene ( The upper layer to which the deformation is applied) may be connected to one or more adjustments of the work funiction, by selecting one or more of bending deformation, moving position, and the like.
  • This is the principle of a general transistor, which means that electrons can be moved to more than one circuit.
  • one or more heights of one or more Schottky Barriers can be adjusted, the height of the Fermi level being one One or more of the above controllable ones, one or more of which are selected from one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, are provided at the bottom Graphene (Graphyne) (deformation is applied to the upper layer) is provided with one or more of the bending deformation, the position shift, may be selected, it may mean a drawing connected to one or more control of the work funiction (work function). This is the principle of a general transistor, which means that electrons can be moved to more than one circuit.
  • the drawing shows that the circuit passing through (barrier adjustment) and graphene (Graphyne) are connected to one battery, and due to the electrostatic level of the circuit passing through (barrier adjustment),
  • It may mean a drawing which is provided to be selected and connected to one or more adjustments of a work funiction. This is the principle of a general transistor, which means that electrons can be moved to more than one circuit.
  • the drawing shows that the circuit passing through (barrier adjustment) and graphene (Graphyne) are connected to one battery, and due to the electrostatic level of the circuit passing through (barrier adjustment),
  • One or more of the materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, which are provided at the bottom, bends one or more graphene (deformed top layer), Position movement it may mean a drawing that is provided with one or more of the selected to be connected to one or more adjustments of the work funiction (work function). This is the principle of a general transistor, which means that electrons can be moved to more than one circuit.
  • one or more heights of one or more Schottky Barriers can be adjusted, Fermi level One or more of the height of the (Fermi level) can be adjusted, one or more of the selected one or more of graphene (Graphyne) (deformation is applied) one or more of bending deformation, position shift, selected It can mean a drawing that is connected to one or more control of the work funiction (work function). This is the principle of a general transistor, which means that electrons can be moved to more than one circuit.
  • the components presented in this drawing have one or more physical dimensions set forth in the present invention within the scope of the description presented in one aspect and the size or The appearance may vary.
  • the configuration of this figure may be described as one or more reconstructed as one or more Coulomb blockades.
  • one or more heights of one or more Schottky Barriers can be adjusted, the height of the Fermi level being one
  • one or more selected one or more of magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected (at the bottom of the bottom) is graphene ( The upper layer to which the deformation is applied) may be connected to one or more adjustments of the work funiction, by selecting one or more of bending deformation, moving position, and the like.
  • This is the principle of a general transistor, which means that electrons can be moved to more than one circuit.
  • one or more heights of one or more Schottky Barriers can be adjusted, the height of the Fermi level being one One or more of the above controllable ones, one or more of which are selected from one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, are provided at the bottom Graphene (Graphyne) (deformation is applied to the upper layer) is provided with one or more of the bending deformation, the position shift, may be selected, it may mean a drawing connected to one or more control of the work funiction (work function). This is the principle of a general transistor, which means that electrons can be moved to more than one circuit.
  • the drawing shows that the circuit passing through (barrier adjustment) and graphene (Graphyne) are connected to one battery, and due to the electrostatic level of the circuit passing through (barrier adjustment),
  • It may mean a drawing which is provided to be selected and connected to one or more adjustments of a work funiction. This is the principle of a general transistor, which means that electrons can be moved to more than one circuit.
  • the drawing shows that the circuit passing through (barrier adjustment) and graphene (Graphyne) are connected to one battery, and due to the electrostatic level of the circuit passing through (barrier adjustment),
  • One or more of the materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, which are provided at the bottom, bends one or more graphene (deformed top layer), Position movement it may mean a drawing that is provided with one or more of the selected to be connected to one or more adjustments of the work funiction (work function). This is the principle of a general transistor, which means that electrons can be moved to more than one circuit.
  • one or more heights of one or more Schottky Barriers can be adjusted, Fermi level One or more of the height of the (Fermi level) can be adjusted, one or more of the selected one or more of graphene (Graphyne) (deformation is applied) one or more of bending deformation, position shift, selected It can mean a drawing that is connected to one or more control of the work funiction (work function). This is the principle of a general transistor, which means that electrons can be moved to more than one circuit.
  • the components presented in this drawing have one or more physical dimensions set forth in the present invention within the scope of the description presented in one aspect and the size or The appearance may vary.
  • the configuration of this figure may be described as one or more reconstructed as one or more Coulomb blockades.
  • one or more Piezo (Piezo) materials are formed due to a barrier control circuit intersecting one or more Piezo (Piezo) materials by using one or more Piezo (Piezo) materials at the lower end of Graphyne (Graphyne) using the characteristics of the curved paper.
  • One or more of these graphenes (Graphyne) is selected by one or more of the bending deformation, position shift, and at least one of the Work function (work function) to adjust one or more of the height of one or more Fermi level (Fermi level) It is a figure explaining the main circuit diagram of the transistor provided with the thing and adjusting one or more work functions.
  • one or more Piezo (Piezo) materials are formed due to a barrier control circuit intersecting one or more Piezo (Piezo) materials by using one or more Piezo (Piezo) materials at the lower end of Graphyne (Graphyne) using the characteristics of the curved paper.
  • One or more of these graphenes (Graphyne) is selected by one or more of the bending deformation, position shift, and at least one work function (control function), one or more height of one or more Schottky Barrier, It is also to be understood as a diagram illustrating the main circuit diagram of a transistor for adjusting one or more of the work function, having one or more selected among the one or more of the heights of one or more Fermi levels. Can be.
  • the components shown in the drawings have one or more physical dimensions presented in the present invention within the scope of the description presented in one aspect and the size or The appearance may vary.
  • the configuration of this figure may be described as one or more reconstructed as one or more Coulomb blockades.
  • Piezo materials 90 One or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, and graphene.
  • Piezo materials One or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, and graphene.
  • Piezo materials 110 One or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, and graphene.
  • 300 A material configured to control one or more heights of at least one selected from Graphyne, Schottky Barrier, and Fermi level, in one embodiment of the present invention It may mean. In one embodiment of the invention, 300 may mean that at least one of silicon, semiconductor, is selected. In one embodiment of the invention, one or more of one or more of the height of one or more Schottky Barrier, one or more of the height of the Fermi level (adjustable), one or more selected from One or more of the Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, (at the bottom of the bottom) are graphene (the top layer with deformation).
  • one or more of the height of one or more of the Schottky Barrier, one or more of the height of the Fermi level (Fermi level), one or more selected from the electrostatic One or more graphenes (Graphyne) by the level may be selected by one or more of the bending deformation, position shift, it may mean a circuit connected to one or more control of the work funiction (work function).
  • 500 in one embodiment of the present invention, it means the surrounding environment (for example, a material including one or more selected from 90, 100, 110, etc.) in which the configuration of the drawings is included. In one embodiment of the invention, 500 may mean silicon.
  • the empty space means that the vacuum layer, the air layer (air layer) is selected from.
  • the passage means a layer selected from at least one of an adhesive layer, a liquid polymer layer, an elastomer layer, an insulator layer, an insulation layer, a vacuum layer, an air layer (air layer).
  • the 610 means an empty space, or 200 passages, or 300 passages (part).
  • the empty space means that the vacuum layer, the air layer (air layer) is selected from.
  • the passage means a layer selected from at least one of an adhesive layer, a liquid polymer layer, an elastomer layer, an insulator layer, an insulation layer, a vacuum layer, an air layer (air layer).
  • a transistor for controlling one or more work functions by selecting one or more of bending strain, position shift, and the like of graphene applied to the present invention is configured as shown in FIGS. 1 to 9.
  • This is the principle of a transistor to adjust one or more work functions by adjusting one or more heights of one or more Schottky Barriers by selecting one or more of them.
  • One or more Schottky Barriers are selected from one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, thereby increasing the height of one or more Schottky Barriers.
  • Fermi level Fermi level
  • the above description is adjustable due to the electrostatic level of the circuit crossing the top (barrier adjustment).
  • This configuration results in one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, causing one or more bending strains of one or more graphenes provided on top. It can be understood that Graphyne, which has been subjected to the above bending strain, controls one or more of one or more of the height of one or more Schottky Barriers, the height of the Fermi level, or the like.
  • transistors can be developed using graphene's fast conductivity, and graphene has sufficient vacuum gap and gap (eg, insulating layer). It is possible to develop a transistor having a higher conduction speed than a conventional field effect transistor in a state having one selected from), air gap, vacuum layer, and air layer.
  • vacuum gap and gap eg, insulating layer
  • At least one of the height of one or more Schottky Barriers, the height of Fermi level, and the like, while maintaining the movement speed of the electrons that Graphyne is proud of, have been recognized as a challenge. It is solved by adjusting one or more of the work function by selecting one or more of bend deformation, position shift, and graphene.
  • the transistor having one or more bending strains, position shifts, and at least one of the graphene made of graphyne to control one or more work functions is different from the conventional transistor.
  • the above description is made of Graphyne made of Graphyne.
  • One or more bending strains, position shifts, and one or more of the work function (work function) are adjusted to one or more of them.
  • a transistor that controls one or more of the work function by selecting one or more of bending strain, position shift, and the like of graphene made of graphene is different from the conventional transistor.
  • the current can be interrupted at a high rate of electron movement.
  • one or more transistors for controlling one or more work functions including one or more bending strains, position shifts, and one or more of graphene made of graphene, may be used.
  • one or more of Barrier's height and Fermi level's height By adjusting one or more of Barrier's height and Fermi level's height, one or more of the Work Functions can be adjusted so that the current can be cut off while the electron transfer speed is high.
  • transistor for controlling one or more work functions by having one or more bend deformations, position shifts, and one or more selected from graphene made of graphyne. .
  • the present invention provides a transistor for controlling one or more work functions, having one or more selected from one or more bending strains, position shifts, and graphenes.
  • the present invention includes one or more bending strains, position shifts, and one or more of graphene (Graphyne), wherein one or more of the height of the schottky barrier (Schottky Barrier) is adjusted to adjust the work function (working) Provide a transistor that controls one or more functions).
  • graphene graphene
  • the present invention is provided with one or more of the bending deformation, position shift, graphene (Graphyne) having one or more of the height of the Fermi level (Fermi level) by adjusting one or more of the work function (work) Provide a transistor that controls one or more functions).
  • the present invention utilizes one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, using the flexural properties of Graphyne. At least one of graphene, at least one of piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, due to the electrostatic level of the barrier control circuit crossing One or more graphenes are selected from one or more of bending strain, position shift, and provide a transistor for controlling one or more work functions.
  • the present invention includes at least one of at least one of a piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, at least one of which is selected at the bottom of graphyne.
  • a piezo material One or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, due to the electrostatic level of the barrier control circuit being crossed by one or more bending strains of graphene It is the principle of a transistor to adjust one or more work functions by adjusting one or more heights of one or more Schottky Barriers by selecting one or more of the positions, position shifts, and the like.
  • One or more Schottky Barriers are selected from one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, thereby increasing the height of one or more Schottky Barriers.
  • This configuration is one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, one or more bend deformation, position shifting of one or more graphene (top)
  • the height of one or more choices of one or more Schottky Barrier, Fermi level, or Graphene where one or more bending strains or one or more of the position shifts are selected, causing the selection of one or more of It can be understood to control more than one.
  • the invention is one or more selected from one or more of Piezo (piezo) material, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more bending strains of graphene (Graphyne), At least one of the position shifting is selected, and a transistor is provided to adjust one or more Work functions by adjusting one or more heights of one or more Schottky Barriers.
  • the invention is one or more selected from one or more of Piezo (piezo) material, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more bending strains of graphene (Graphyne), At least one of the position shift, and is selected to include one or more transistors to adjust the work function (work function) by adjusting the height of one or more Fermi level (Fermi level).
  • the present invention uses one or more of the piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, using the flexural properties of Graphyne. At least one of graphene, at least one of piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, due to the electrostatic level of the barrier control circuit crossing
  • One or more graphenes is selected from one or more of the bending deformation, position shift, and has a transistor for controlling one or more of the work function (work function).
  • At least one of the piezo material, the magnetic particles, the charged particles or the charged particles is selected from one or more of graphene (bending strain, position shift, Equipped with one or more of the selected bends together with graphene (Graphyne) even in the situation where the choice of the adhesive material, elastomer, liquid polymer, insulator, insulator (insulation layer), at the top of the graphene (Graphyne) It means that one or more of the transformation, position movement, can be selected.
  • the graphene can be transferred together in a state in which one or more magnetic particles are provided together to form a circuit.
  • the vacuum layer, the air layer (air layer), which may be provided as a dismantling layer to be selected from, the dissolution layer is used in a conventional semiconductor process that can be used by cleavage or decomposition Decomposition layer.
  • This may mean that the selected of the adhesive material, the elastomer, the liquid polymer, the insulator, the insulator (insulation layer) in the drawing leads to the passage.
  • the bending strain can be described as Young's modulus.
  • the bending strain is a radius of curvature 1/2 R value (one or more selected among the thin film, ultra thin film, and ultra thin film whose surface strain is determined by dividing by twice the radius of curvature r related to bending). It can also be understood as.
  • magnetic particles means one or more nano magnetic particles.
  • the magnetic particles include all synthetic materials having magnet properties.
  • magnetic particles should be understood to include all nanocomposites having Magnet properties.
  • At least one of the piezo material, the magnetic particles, the charged particles or the charged particles is selected from one or more of graphene (bending strain, position shift, One or more of the selected may have one or more complex shapes, one or more layouts associated with the nonlinear elastic physics principle, and the nonlinear elastic physics principle and the increase in the magnitude ( ⁇ pre) of one or more prestrain One or more of the associated complex one or more forms, one or more layouts.
  • At least one of the piezo material, the magnetic particles, the charged particles or the charged particles is selected from one or more of graphene (bending strain, position shift, One or more of the choices is one or more of set bending theory, which is based on one or more of the basic bending dynamics in the selection of one or more of thin, ultra or super thin, where the surface strain is determined by doubling the radius of curvature (r) associated with bending. , Combinatorics, Geometry, Groups, or Controls.
  • At least one of the piezo material, the magnetic particles, the charged particles or the charged particles is selected from one or more of graphene (bending strain, position shift, One or more bending moments ⁇ M> in one or more layers having one or more selected, one or more selected from one or more of regular, irregular, uniform, non-uniform, porous, one or more one-dimensional, two-dimensional, One or more of three-dimensional, n-dimensional, one or more of the same, non-identical, global, partial, continuous, non-persistent, set theory, combinatorics, geometry, group
  • At least one curvature, one or more of the adjustments is obtained from one or more curvatures, including one or more of the same, non-identical, set theory, combinatorics, geometries ),
  • the second derivative of at least one ⁇ u> comprising Group (Group), one or more to be selected one or more of.
  • At least one of at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, and having at least one graphene, at least one It is performed in the plane provided, and may be optionally compatible with one or more of the conventional electronic device manufacturing process.
  • At least one of the piezo material, the magnetic particles, the charged particles or the charged particles is selected from one or more of graphene (bending strain, position shift, The selection of one or more is performed in a plane having one or more, and in one embodiment of the present invention, one or more may be selectively compatible with the conventional electronic device manufacturing process.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles for use in a conventional planar shape manufacturing system for applications requiring non-linear shapes. Selecting one or more of the graphene (Graphyne) one or more of the bending deformation, position shift, may be selected may have a form that can overcome the geometrical limitations that are produced in the plane.
  • At least one of the piezo material, the magnetic particles, the charged particles or the charged particles is selected from one or more of graphene (bending strain, position shift, It is also possible for one or more of the negative curvatures to be selected, although the selection of one or more relates to a surface having one or more positive curvatures.
  • At least one of the piezo material, the magnetic particles, the charged particles or the charged particles is selected from one or more of graphene (bending strain, position shift, One or more of the selected may have one or more non-coplanar planes and one or more interconnected shapes.
  • having one or more graphenes may comprise a process of diffusing into one or more carrier media such as one or more carrier fluids.
  • one or more of one or more of the magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more of the graphene (Graphyne) provided at the bottom of the deformation, position shift, one of What has been selected above is described as mobility.
  • the unit of u is cm2 s-1 V-1. In one embodiment of the invention, this proportionality holds when E is not very large, and in isotropic media u is a scalar constant.
  • the unit of u is cm2 s-1 V-1. In particular, it is called flow mobility when distinguished from Hall mobility.
  • mobility refers to the inverse of the impedance.
  • the complex ratio with the force of a point or other point in a single oscillating mechanical system is called mobility.
  • the ratio V / E of the average moving speed V and E is called mobility when the charged particles are energized in the electric field of intensity E.
  • a type of frequency response function which is the ratio of the speed of a point to the excitation force of that point or another point.
  • the inverse of the mechanical impedance which is a complex function of frequency.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Graphyne's bending mechanics, which occur when one or more of the following strain deformations, displacements, and the like are selected, are one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles, or charged particles. It may be understood that graphyne has a Young's modulus as compared to the above selection.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom.
  • One or more of the following bending deformations, displacements, and the like are selected, comprising (1) at least one micrometer and at least 100 micrometers, and (2) at least 0.1 nanometer and at most 100 nanometers, One or more of the above (1) to (2) may be provided.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • the transistor of the present invention may include one or more strain isolation layers (eg, vacuum layers, air layers, etc.) free from deformations occurring when one or more of bending strain, position shift, and the like are selected. .
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Basic bending mechanics in which one or more of the bending strains, position shifts, and selections are selected by one or more of thin films, ultra thin films, and ultrathins whose surface strain is determined by dividing the radius of curvature (r) with respect to bending.
  • r radius of curvature
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • the transistor of the present invention has a structure in which the deformation is zero (e.g., a sufficiently rigid structure) in order to avoid a catastrophic deformation such as delamination, which may occur when it is provided with one or more of the bending deformation, position shift, and the like. It can be provided.
  • one or more of one or more of the piezo (piezo) material, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • the at least one of the bending deformation, position shift, and the selected one may have a geometric shape.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one of bending deformation, shifting, and selection may be understood as having at least one of at least one multilayer, single, at least one of being selected and having at least one of bending deformation, shifting, and the like. .
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Adjusting one or more of the heights of one or more of the Schottky Barrier, Fermi level, or one or more of Schottky Barrier, including one or more of the bending strains, position shifts, etc., is the area where one or more strains occur Although controlled by, in one embodiment of the invention, it can be influenced by the area where deformation does not occur.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Adjusting one or more of the heights of one or more of Schottky Barrier, Fermi level, or more, including one or more of bending deformation, position shift, and the like, may result in non-spatial uniformity. It is provided with.
  • having one or more selected from one or more bend strains, position shifts, or the like may already be interpreted as having spatially uniform characteristics.
  • the spatially uniform property, the spatially uniform property, is described as (plane-strain) coefficients.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Adjusting the height of one or more of the one or more choices of one or more Schottky Barrier, Fermi level, including one or more of bending deflection, displacement, etc., is not spatially uniform. At least one of the property, at least one spatially uniform property, and at least one property selected.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having one or more selected of bending strain, displacement, or the like is described as the distance d at which deformation occurs from the top surface.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having one or more of the flexural deformations, position shifts, and the like selected is described as the bending dynamics of a composite beam (or beam or plate) having one or more bending stiffnesses and effective extensibility.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • One or more bending moments ⁇ M> one or more bending energies, one or more of axial forces F
  • One or more out-of-plane displacements that include one or more of non-identical, global, partial, continuous, non-persistent, set theory, combinatorics, geometry, groups, and adjustments. Obtained in terms of ⁇ u>. Its strain energy is also obtained in terms of ⁇ u>.
  • the displacement ⁇ u> extends to the Fourier series with the coefficients to be determined by minimizing the total energy.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom.
  • One or more choices of bending strain, displacement, or the like are obtained from one or more curvatures, which are one or more of the same, non-identical, holistic, partial, continuous, non-persistent, set theory
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Adjusting one or more of the heights of one or more choices of one or more Schottky Barriers, Fermi levels, or the like, including one or more of bending deflections, position shifts, and one or more bending deflections, position shifts One or more selected, one or more selected, one or more closely selected, closely adjacent, close enough, close enough, one or more selected.
  • One or more of the physical dimensions are defined.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one selected from bending strain, displacement, or at least one of 10 ⁇ m, 1 ⁇ m, 100 nm, and 1 nm is defined as one or more of the mathematical values and physical dimensions selected.
  • the transistor of the present invention comprises one or more piezo (piezo) materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, at least one selected from one or more graphene ( And at least one of the bend deformation, position shift, and at least one of Schottky Barrier, Fermi level, and at least one of the heights of at least one selected from Graphyne.
  • Sufficient rigid material may be used to protect the layer sensitive to deformation occurring at the time.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one selected from bending strain, displacement, and at least one of graphene may be used in a range of 25%, 20%, 10%, 25% to 0.1% of bending strain, It may be interpreted as having one or more of the position movement, but is not limited thereto.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having one or more selected of bending deformation, shifting, or the like may include one or more multi-layered structures, one or more selected, and described as equivalent tensile strength and equivalent bending strength. Can be.
  • the one or more dissolution layers are selected from one or more of one or more of one or more of one or more polymethyl methacrylates (PMMA), and one or more selected from one or more of cleavage, decomposition and removal. It can be interpreted as having the above.
  • PMMA polymethyl methacrylates
  • the manufacturing method of the present invention includes one or more fixed and support structures (e.g., semiconductors) to enable high-accuracy liftoff printing elements, such as electronic component arrangements or pattern arrangements of elements (e. fixture).
  • fixed and support structures e.g., semiconductors
  • high-accuracy liftoff printing elements such as electronic component arrangements or pattern arrangements of elements (e. fixture).
  • one or more of the adhesive layer, the adhesive region, the adhesive material may mean a less than the binding force of the one or more selected from the adhesive region, the adhesive, the adhesive precursor presented in the present invention.
  • At least one adhesive layer, the adhesive region, the adhesive material may mean that one or more selected from the adhesive region, the adhesive, the adhesive precursor is provided.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one selected from bending strain, displacement, and at least one having at least one selected from one or more structures, shapes, and components satisfying at least one finite element simulation.
  • the finite element simulation can be performed with an element having a selection of one or more 8-node, 4-node elements.
  • the finite element simulation may exhibit similar membrane deformation patterns.
  • the finite element simulation includes one or more finite element methods (FEM), finite difference methods (FDM), finite volume methods, Taguchi method, to act in a dynamically independent manner. ), One or more of robust design is selected.
  • the transistor of the present invention may use an alignment maintaining element to manufacture the transistor of the present invention.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one of bending strain, position shift, and the like may have one or more buckling strains.
  • one or more buckling strains may occur as small multiple wavelengths are fused together.
  • one or more Graphenes provided on top of one or more selected from one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, said one One or more of the above Piezo (piezo) materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, may be provided in a form that sufficiently covers.
  • the transistor of the invention is a.
  • the transistor of the invention is a.
  • One or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more bend strains, displacements, one or more graphenes In order to isolate one or more mechanical deformations that occur when having one or more selected, one or more of the manufacturing methods presented in the present invention may be used for one or more of the above-mentioned a to b.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • At least one of bending strain, shifting, and at least one selected from one layer, multi-layered state is selected as one or more points, ribbons, nanoribbons, strips, corrugations, hills, small faces, small lines,
  • One or more of the surface, line can be provided.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Selection of one or more of bending deformation, position shift, and the like may mean as follows.
  • at least one graphyne is at least one 1).
  • Graphene (Graphyne) and the graphene (Graphyne) is a form having a conductive material in the portion connected to the drain, 3).
  • Graphyne and the conductive material has a multi-layered state, but may have bending deformation, 4).
  • Graphene and low Young's modulus materials have a multi-layered state and can have bending deformation, 5).
  • Graphene and low Young's modulus conductive material may be selected from among 1) to 5) above, which may be formed in a multi-layered state and may have a bending deformation.
  • the conductive material may mean a conductive material in one or more atomic or molecular forms.
  • the conductive material may mean a conductive polymer.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Bending strain, position shift, or at least one of the choices are: a. Strain thickness is approximately 0.1 nanometers to 100 micrometers, b. Strain ranges from approximately 1 nanometer to 1 millimeter c. Strain length is approximately 1 nanometer to 100 micrometers, d. The strain length is at least 1 micrometer or less, e. A strain width of at least 1 micrometer or less, f. Microstrip deformation (thickness 340 nanometers, width 5 micrometers, length less than 1 millimeter), g.
  • the above physical dimensions are 0.1 nanometers to 200 micrometers, but may be provided with one or more selected from the one consisting of a to h, consisting of, but not limited to the one or more physical dimensions may be provided with one or more.
  • At least one of at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles is selected from (a). Inclusions of less than 4-20 ppma (parts per million atoms), (b). Inclusions of less than approximately 1-4 ppma per million atoms, (c). Inclusion degree of about 1 ppma or less, (d). Preferably, for some products, inclusions of about 100 parts per billion (ms) or less, (e). More preferably, one or more inclusions of about 1 ppba or less may be provided for some products. (f). More preferably one or more selected from one or more of a range of inclusions of approximately 1 to 10 ppba or less for some products, (g).
  • one or more may be selected from one or more of the range of inclusions of approximately 1 to 10 ppmv (parts per million by volume) or less, (h). More preferably, at least one selected from the range of inclusions of about 1 to 10 parts per billion by volume (ppbv) or less for some products may be provided, wherein (a) to (h) It is provided with one or more selected.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Bending strain, position shift, or at least one of the choices are: a. At least one deviation at an average surface location of at least one less than 100 nanometers, b. Preferably at least one deviation at an average surface location of at least one less than 10 nanometers, c. More preferably one or more deviations in the average surface location of one or more than one nanometer, d. More preferably, for some products, one or more deviations from the average surface position of one or more Angstroms or more are selected, and one or more selected from the above a to d consisting of.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom At least one of the bending deformation, displacement, and at least one selected includes at least one buckling deformation, membrane deformation, bending deformation, and at least one deformation selected.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom At least one of bending strain, position shift, and the like is selected as one layer, multi-layered state, and one or more sine waves, Gaussian waves, Lorentzian waves, periodic waves, aperiodic waves, One or more of the selected wave form may be provided.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom At least one selected from bending strain, position shift, and at least one selected from the group consisting of at least one sine wave, Gaussian wave, Lorentzian wave, periodic wave, aperiodic wave,
  • the wave shape is one or more selected from one or more bend strain, position shift, or at least one graphene (Graphyne) at least one bending strain, position shift, at least one of the deformation interval of the physical dimensions proposed in the present invention It may be provided in the form of a wave.
  • the deformation interval of the physical dimensions set forth in the present invention from the point at which one or more of the selection of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, moves. At least one bend deformation, position shift, and at least one selected from among one or more sine wave, Gaussian wave, Lorentzian wave, periodic wave, aperiodic wave, Can be.
  • one or more of the graphene and one or more Piezo (piezo) materials, magnetic particles, charged particles or charged particles is selected from a “bottom-up” such as nanocrystals.
  • One or more process platforms may be provided with one or more process platforms that facilitate the manufacture of functional devices that exhibit enhanced reliability with respect to semiconductor material based devices produced by process technology.
  • the reliability is indicative of the performance of a functional device for exhibiting good electronic properties over an extended period of operation, and for each piece-to- the electrical properties of the overall device of the device manufactured using the methods and compositions of the present invention. piece) can indicate uniformity.
  • At least one of at least one of graphene and at least one Piezo (piezo) material, magnetic particles, charged particles or charged particles is selected for the "downward" process technology.
  • One or more process platforms may be provided with one or more process platforms that facilitate the manufacture of functional devices that exhibit enhanced reliability with respect to semiconductor material based devices produced by the same.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Bending strain, position shift, or at least one of the choices are: a. At least one physical contact (eg, not closely attached or overlapping), but at least one electrical contact with at least one first and second electrode, b. At least one physical contact and in electrical contact with at least one of the first and second electrodes, c. It may be understood that at least one of the above a to c, which is configured to be in electrical contact with at least one first and second electrode, is selected.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • one or more of bending strain, shifting, and the like may be understood to include one or more of bending strain, shifting, or one or more graphenes in the form of one or more slopes. .
  • a transistor having one or more bend strains, position shifts, and one or more of graphene selected to control one or more work functions includes: a.
  • Graphene's flexural paper uses properties to select one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more at the bottom of Graphyne. Due to the electrostatic level of the barrier control circuit intersected with one or more piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene Adjust at least one Work function by selecting at least one of bending deflection, position shift, and b.
  • One or more work functions including one or more height adjustments of one or more Schottky Barriers, one or more height adjustments of one or more Fermi levels, A transistor for controlling the above is provided.
  • One or more of the graphene (Graphyne) having at least one of the bending deformation, the position shift, the transistor for controlling one or more work functions (work function) is provided with a CPU, memory, semiconductor integrated circuit, microprocessor, battery
  • the electronic device, the electronic component, the electronic device, and at least one selected from one or more selected from one or more, one or two, three or more, one or more selected may be provided.
  • a transistor having at least one bending strain, a position shift, or at least one of the graphenes to adjust one or more work functions is selected from the group consisting of CPU, memory, and semiconductor integrated circuits. At least one selected from the group consisting of a microprocessor, a battery-equipped electronic device, an electronic component, an electronic device, and at least one selected from one, two, and three dimensional. Can be.
  • a transistor having one or more bend strains, position shifts, and one or more of graphene selected to control one or more work functions includes: a.
  • Graphene's flexural paper uses properties to select one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more at the bottom of Graphyne. Due to the electrostatic level of the barrier control circuit intersected with one or more piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene Adjust at least one Work function by selecting at least one of bending deflection, position shift, and b.
  • One or more height adjustments of one or more Schottky Barriers, one or more height adjustments of one or more Fermi levels, and having one or more selected from consists of one or more Schottky Barrier. Bending one or more graphenes, with one or more heights already controlled, one or more heights of one or more Fermi levels adjusted, and one or more selected from One or more of the following: one or more of the following: deformation, repositioning, adjustment of one or more heights of one or more Schottky Barriers, one or more height adjustments of one or more Fermi levels, It may mean that it is provided.
  • a transistor having one or more bend strains, position shifts, and one or more of graphene selected to control one or more work functions includes: a.
  • Graphene's flexural paper uses properties to select one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more at the bottom of Graphyne. Due to the electrostatic level of the barrier control circuit intersected with one or more piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene
  • One or more of the following bending deformations, position shifts, and one or more of the Work functions can be designed to take into account Fermi-level pinning.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • An important point is to have one or more Graphyne and one or more contact angles, thereby adjusting one or more heights of one or more of Schottky Barrier, Fermi level, In other words, it has a transistor that controls one or more work functions.
  • the one or more contact angles are one or more magnetic particles, one or more point contact, surface contact, spherical contact, regular point contact, irregular point contact, regular shape At least one selected from among linear contact, irregularly shaped line contact, regular form contact, irregular form contact, regular form contact, irregular form contact, and one or more graphenes. It can be understood that having at least one of the bending deformation, the position shift, is selected.
  • the at least one graphene and at least one contact angle means at least one contact angle in nano units.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having one or more selected of bending strain, displacement, or the like can be described as continuum mechanics.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom What has at least one selected from bending strain, displacement, and the like can be described as an elastic body.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one of the bending strains, position shifts, and the like may be explained by one or more bending theory by introducing continuum mechanics.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one selected from bending deformation, displacement, and the like may have elasticity, and at least one of bending deformation, displacement, and the like may be selected.
  • Elasticity is a force applied to an object. When this disappears, the object is intended to be restored to its original shape.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • the one having at least one of bending deformation, position shifting, and the like is selected in a multi-layered state, that is, an adhesive material, an elastomer, a liquid polymer, a non-conductor, an insulator (insulation layer), and is provided together with an upper portion of graphyne. It may be meant to have a multi-layered elasticity in the state and to have one or more selected from one or more bending deformation, position shift.
  • the elasticity of the multilayered state can be understood to have one or more Young's modulus.
  • continuum mechanics is based on the concept of continuum, which assumes that each element retains the properties of the material as it is, even though it is infinitely divided into smaller elements. Indeed, matters are composed of atoms, not contiguous, so that they have a non-uniform microstructure.
  • the material is uniformly distributed in the object, completely filling the space occupied by the object, and thus physical quantities such as energy or momentum are maintained in the extreme.
  • differential equations can be used to describe the present invention in continuum mechanics.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • At least one of the graphene (Graphyne) is provided with one or more sides of the graphene (Graphyne) may be provided with one or more selected from one or more of bending deformation, position shift, have.
  • at least one graphene (Graphyne) may be provided with at least one of the graphene (Graphyne) is selected one or more of bending deformation, position shift, at the bottom. Therefore, the present invention may be interpreted as meaning to include all that is provided on the top or side, the main point is one or more of graphene (Graphyne) bend deformation, position shift, It is provided with what is selected.
  • a transistor for controlling one or more work functions comprising one or more of bend strain, position shift, and graphene, is selected from (I).
  • One or more rooms selected Means law eg, the one or more accumulations
  • Means law e.g, the one or more accumulations
  • i. one or more of one, one, two, three, or n dimensional, (b) in one or more directions, (c) one or more continous, non-persistent at least one of at least one of total, partial, and (e) at least one of regular, irregular, uniform, non-uniform, porous, and at least one of (a) to (e). It is provided with one or more selected, and II. At least one selected from (a) to (e) in I is provided, but a.
  • each of the one or more methods selected is a spatially controlled characteristic of one or more processes having one or more virtually any type of spatially controlled semiconductor process to be carried out in a manufacturing step separate from the manufacturing step, b. Duration of each of the one or more methods selected, c. Temperature of the environment in which each of the selected one or more methods is applied, d. Pressure of the environment in which each of the selected one or more methods is applied, e. Power of the environment to which each of the selected one or more methods is applied, f. The concentration of at least one selected from gas, liquid, and solid in the environment to which each selected one or more methods are applied, g. Space where each of the one or more methods selected is applied, h.
  • At least one selected from a to g is provided with at least one selected from at least one of (a) to (e), (II). Including at least one method selected from the above (I), 1. One or more of one or two-dimensional, three-dimensional, n-dimensional is selected, 2. In more than one direction, 3. One or more of being persistent or non-persistent, 4. At least one of the whole or the partial is selected, 5. One or more of at least one of regular, irregular, uniform, non-uniform, porous, is selected, characterized in that provided with one or more selected from 1 to 5 consisting of.
  • one or more of at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, and at least one graphene provided thereon can be equipped with the following manufacturing methods.
  • (One) Polymethyl methacrylate (PMMA) is coated on graphyne. (2). Irradiate x-rays of radiated light through a mask. (3). The polymer of the part irradiated with x-rays is easily dissolved in the developer (solvent) because the chemical bond is broken. (4) A barrier adjustment circuit is provided on the top. (5). The polymethyl methacrylate (PMMA) layer is dissolved in a solvent solution. At least one selected from the method of manufacturing (1), (1) to (5), and the method of production provided as (1) may be provided.
  • one or more of at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, and at least one graphene provided thereon can be equipped with the following manufacturing methods.
  • PMMA Polymethyl methacrylate
  • the polymer of the part irradiated with x-rays is easily dissolved in the developer (solvent) because the chemical bond is broken.
  • a barrier adjustment circuit is provided on the top.
  • the polymethyl methacrylate (PMMA) layer is dissolved in a solvent solution. It may be provided with one or more selected from the (1) to (9) manufacturing method, the manufacturing method leading to (1) to (13), which is provided as.
  • one or more of at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, and at least one graphene provided thereon can be equipped with the following manufacturing methods.
  • one or more of at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, and at least one graphene provided thereon can be equipped with the following photolithographic manufacturing methods.
  • Mask making (2).
  • Photosensitive agent spin coating (mainly comprising a positive photosensitive film or a negative photosensitive film, here a positive photosensitive film), (3).
  • Soft bake (4). Alignment and exposure, (5). Development, (6). Hard bake, (7). Etching, it may be provided with one or more manufacturing methods leading to (1) to (7) provided by.
  • nanoparticles selected at least one of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, graphyne, to reduce the description
  • There may be several methods for regularly arranging the marking on the solid substrate. One). Dispersing the nanoparticles in a volatile organic solvent to evaporate the organic solvent on the substrate to leave only the nanoparticles on the substrate. In order to disperse the nanoparticles, it is necessary to make the surface of the nanoparticles hydrophobic.
  • the self-assembled monomolecular film (SAM) of dodecanethiol is preferably attached to the surface of the particles to make it hydrophobic.
  • HOPG Highly Ordered Pyrolytic Graphite
  • mica pyrolytic graphite
  • Surfaces can be created using a scanning probe microscope and self-assembled monolayer (SAM) technology. For example, a dip pen nanolithography in which nanoparticles are planted only using a probe of an atomic force microscope like a pen, and further covered with a probe, may be provided with a manufacturing method described in (1) to (4).
  • SAM self-assembled monolayer
  • one or more bending strains or positional shifts are caused to be selected. Adjusting the height of one or more of Graphine's one or more choices such as one or more of Schottky Barrier, Fermi level or Fermi level, which has been applied to one or more of the transformations or displacements, is a shockley equation (Shockley). Equation).
  • one or more Piezo materials due to the electrostatic level of the cross-circuit for barrier adjustment passing one or more graphenes on top, one or more Piezo materials, magnetic particles, particles with a charge or charges One or more of the particles, which are selected, causes one or more of the graphenes to be selected by one or more of bend deformation or displacement.
  • Graphyne's control of the height of one or more of the choices of one or more Schottky Barriers, Fermi levels, or more can be described by the shockley equation.
  • one or more bending strains or positional shifts are caused to be selected.
  • Graphyne which has been selected for one or more of deformation and displacement, adjusts the height of one or more of one or more of Schottky Barrier, Fermi level, or Work function. Transistor) to control one or more).
  • the electrostatic level of the cross-circuit circuit for adjusting the barrier passing one or more graphynes (selection of adhesive layers, van der Waals forces, at the bottom) intersecting at the top One or more bending strains or position shifts resulting in one or more bending strains or position shifts being applied to one or more Graphynes, one or more Schottky Barrier, Fermi level, One or more transistors may be provided to control one or more work functions by adjusting one or more heights of the selected one.
  • one or more Graphyne one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, adhesive layers are formed underneath, van der Waals forces, Due to the electrostatic level of the cross-circuit for the adjustment of the barrier passing over the top of one or more), causing one or more bending deformations or displacements to be selected and thus one or more bending deformations or displacements It has a transistor that controls one or more work functions by adjusting the height of one or more selected graphene (Graphyne), one or more of Schottky Barrier, Fermi level, or more. can do.
  • Graphyne In one embodiment of the invention, 1). At least one lower part of Graphyne, 2). At the top of one or more graphynes, 3). Any one or more selected from one or more of graphene and one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, wherein 1) to 3), The above-selected form is selected from among one or more bending strains, an adhesive layer which can help the elastic recovery of Graphyne, in which one or more of the position shifts are applied, an elastomer, a layer having a low Young's modulus, and the like. It may be provided, but is not limited thereto. Also in one embodiment of the invention, 1). At least one lower part of Graphyne, 2).
  • the shape may include one or more bending deformations, an adhesive layer which may help to recover the elasticity of Graphyne, in which one or more of the position shifts are applied, an elastomer, a van der Waals force, a layer having a low Young's modulus, One or more selected may be provided, but is not limited thereto.
  • At least one of the at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles is selected on top of at least one graphene (Graphyne) is provided at the bottom In the multilayered state in which one of the insulator, the adhesive material, the elastomer, the liquid polymer, the insulator, the insulator (insulation layer) is selected, one or more of the bending strain, the position shift, and the selection of the graphene are provided. And a transistor for adjusting one or more Work functions by adjusting one or more heights of one or more selected from one or more Schottky Barriers, Fermi levels, and the like.
  • Figure 300 of the present invention may mean 300 in a multi-layered state.
  • the Fermi level is a. If you supply a state (shape or shape) and electrons at a higher level than the Fermi level, the Fermi level goes up. b. It provides state and shape at the same time above Fermi level. c.
  • the graphene (Graphyne) is spatially distorted but provides a state (shape or shape) and electrons at the same time, at least one of at least one selected from a to d consisting of.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Bending strain, position shift, or at least one of the choices are: a. At least one deviation at an average surface location of at least one micrometer or less, b. Preferably at least one deviation at an average surface location of at least one less than 100 nanometers, c. Preferably at least one deviation at an average surface location of at least one less than 10 nanometers, d. Preferably at least one deviation in at least one average surface location of less than 1 nanometer, e. More preferably, for some products, one or more deviations from the average surface position of one or more Angstroms or more are provided, and one or more selected from the above consisting of a to e.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • At least one selected from bending strain, displacement, and the like has elasticity of at least one graphene.
  • the elasticity is an inherent property of graphene, and it may mean that one or more shape deformations of graphene are returned after one or more of the one or more bending deformations, position shifts, and the like are selected.
  • the elasticity can be understood to have a Young's modulus.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom At least one of bending deformation, displacement, and at least one selected from among at least one of regular, irregular, uniform, non-uniform and porous surface structures that increase the contact area is selected. Red, one or more selected one or more.
  • one or more "Surface textures” may be used collectively of any shape that appears functionally in an increased surface area.
  • the one or more "Surface textures” are selected one or more of the internal or external, and may have one or more relief features or another surface roughness. .
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom At least one of the bending deformation, displacement, and selection is provided with one or more surface roughness.
  • the surface roughness is (a). One or more selected ranges of 1 micrometer rms (Root mean square) or less, (b). One or more selected ranges of 100 nm rms (Root mean square) or less, (c). At least one selected range of 10 nm rms (Root mean square) or less, (d). At least one selected range of 1 nm rms (Root mean square) or less, (e). One or more selected ranges of at least 0.1 nm rms (Root mean square), wherein at least one of (a) to (e) is selected.
  • the Young's modulus is between 0.1 MPa and 50 MPa, 100 Mpa or less, one or more 5 MPa or more, 1 MPa or more, 0.1 MPa or more and 100 MPa, one or more modulus, but is not limited thereto.
  • Young's modulus refers to Young's modulus of Graphyne.
  • the Young's modulus is one or more Young's modulus in a multilayered form provided with one or more selected from Graphyne or Graphyne and Graphene. It may mean a layer to be provided.
  • a low Young's modulus may mean a layer having a Young's modulus of 100 MPa or less, 10 MPa or less, 5 MPa or less, or 1 MPa or less, but is not limited thereto.
  • a low Young's modulus has a low Young's modulus compared to a layer provided inward of the radius of curvature that occurs during bending deformation in which one or more layers are provided. It may mean a layer provided.
  • a low Young's modulus is a low Young's modulus provided on top of one or more selected from one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, It may mean a layer having Young's modulus.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom At least one of bending deformation, displacement, and (a) is selected.
  • At least one selected from (a) to (h) consisting of a cross section, a longitudinal section, a cross section in one or more directions, a cross-sectional area of 0.1 nanometer or more.
  • One or more of the above graphene (Graphyne) may be provided that one or more of the bending deformation, position shift, selected.
  • At least one selected from at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, the inherent properties of one or more graphenes provided below One flexibility is that one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, in a variety of forms provided for the numerous device arrangements available that are not possible with conventional fragile silicon-based electronic devices. One or more may be selected and one or more graphanes may be provided. It also allows for the selection of at least one of processable constituent materials and at least one of graphene and at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles. In one embodiment of the present invention, one or more of one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, and one or more graphenes provided below are less expensive. Therefore, the present invention can be manufactured by a printing technology capable of manufacturing electronic devices in a large substrate area.
  • At least one selected from at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, and at least one graphene provided thereunder may be provided with one or more manufacturing methods for one or more transfer printing.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • Selection of one or more of the bending strains, displacements, or the like leads to one or more deformations that characterize the failure point, one or more mechanical shocks that characterize the failure point, or one or more of the following. Means to be provided without.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom At least one of bending deformation, displacement, and (a) is selected.
  • the strain is about 25%, (b).
  • the strain is less than about 25%, (c).
  • the strain is less than about 10%, (d).
  • the strain applied is less than about 1%, (e) more preferably the strain is less than about 0.5%, at least one selected from (a) to (e) selected from One or more graphenes, including one or more of bending deformation, position shifting, and one or more of Schottky Barrier, Fermi level, to adjust the height of one or more selected
  • the strain is not limited to about 25%, and one or more of Schottky Barrier, Fermi level, or the like is used to adjust the height of one or more selected. Sufficient strain may be provided.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • the electrostatic level of the crossing barrier adjustment circuit having at least one of bending deformation, position shift, and the like may be provided in the form of pulse or in the form of hertz such as terahertz, gigahertz, megahertz, or the like. Can be.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one selected from bending deformation, shifting, and the like may mean adjusting the at least one graphene (first electrode) with at least one conductive material (second electrode).
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • the barrier adjustment circuit passing over the top can be patterned by one or more of the manufacturing methods proposed in the present invention.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having one or more selected from bending strain, displacement, or the like can be described as one or more bending kinetics, wherein the one or more bending kinetics are described in the present invention, one or more designs and one or more efficiency of one or more structures to be claimed and claimed. May be considered in view of.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one of the bending strain, displacement, or the like may include a structure or layer (e.g., vacuum layer, air layer, or any of the selected layers) where the strain for one or more of the small curvature radii r is zero. It can be provided.
  • a structure or layer e.g., vacuum layer, air layer, or any of the selected layers
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having one or more selected of bending strain, displacement, or the like is described as the distance (d) at which deformation occurred from one or more located geometric planes of one or more of any small radius of curvature (r), and one or more Piezo materials.
  • One or more Schottky Barriers, or Fermi levels In adjusting one or more heights of one or more selected, one or more Schottky Barrier, due to the distance (d) from which deformation occurs from one or more located geometric planes of one or more of the optional small curvature radii (r), Fermi level is described as adjusting one or more heights of one or more selected.
  • the distance d described above can be designed as a composite beam (or beam, or plate) with an effective stretch stiffness.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • One or more bending moments ⁇ M> one or more bending energies, one or more of axial forces F
  • One or more bending deformation, displacement, or the like are selected through one or more Obtained in terms of out-of-plane displacement ⁇ u>.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one of bending strain, position shift, and the like, the strain energy influenced by one or more surface displacements ⁇ u> is obtained in terms of ⁇ u>.
  • the displacement ⁇ u> extends to the Fourier series with the coefficients to be determined by minimizing the total energy.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • One or more bending moments ⁇ M> in each layer in which one or more of bending strain, displacement, or the like are selected are obtained from one or more curvatures and solved as a second derivative of one or more ⁇ u>.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having one or more selected of bending deformation, shifting, or at least one structural shape capable of mechanical deformation is selected from one or more of regular, irregular, uniform, non-uniform, porous, one or more one-dimensional, two One or more of three-dimensional, three-dimensional, it is selected, it can be understood to have one or more.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one selected from bending strain, displacement, or the like, may mean at least one or more layers having one or more spatially non-uniform properties as compared to before operation.
  • a manufacturing method having a fixed and support fixture of the present invention generates an anchor to facilitate a high accuracy liftoff arrangement, thereby creating a support from the support substrate to the polymeric material.
  • the process of removing a fixed arrangement can be provided.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom Having at least one of bending deformation, displacement, and selection satisfies a finite element model of one or more buckling sheets in performing finite element simulation, and in one embodiment of the invention, the finite element model Is described below. Elements having elements, having one or more selected from among eight or four-node elements, exhibit similar buckling deformation patterns and have a finite element model that is sufficiently spaced to act in a dynamically independent manner.
  • At least one selected from at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, and at least one of the graphene (Graphyne) manufacturing method provided on top Is a spatially controlled semiconductor process to be carried out in one or more specific planar processing steps, circuit liftoff strategy, compressible connector layout, applying tension, fixtures, manufacturing steps separate from manufacturing steps.
  • Virtually any type of, the production method presented in the present invention may be provided with one or more selected manufacturing methods.
  • the manufacturing method to be used may include a process of dividing the hydrophobic region and the hydrophilic region to diffuse due to the carrier medium.
  • the graphene may take the form of one or more liquid polymer or elastomer that is not cured without a curing agent provided on the one or more top surfaces.
  • the piezo material may be provided with one or more alignment retaining elements that mechanically couple to a parent substrate, such as a semiconductor wafer.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • Graphene's flexural paper uses properties to select one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, one or more at the bottom of Graphyne Due to the electrostatic level of the barrier control circuit intersected with one or more piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene Adjust one or more Work Functions by selecting one or more of Bending Deformation, Position Shift, and one or more Work Functions by adjusting one or more of the heights of one or more Fermi Levels.
  • a transistor To
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • Graphene's flexural paper uses properties to select one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more at the bottom of Graphyne. Due to the electrostatic level of the barrier control circuit intersected with one or more piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene Adjust at least one Work function by selecting one or more of the following bending deformations, position shifts,
  • One or more work functions including one or more height adjustments of one or more Schottky Barriers, one or more height adjustments of one or more Fermi levels, A transistor to adjust abnormally;
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • Graphene's flexure uses one of its characteristics to provide at least one of magnetic particles, charged particles or charged particles, at least one of which is selected at the bottom of Graphyne to intersect the barrier adjustment Due to the electrostatic level of the circuit, one or more of the magnetic particles, the charged particles, or the charged particles, one or more selected from one or more of graphene, bending deformation, position shift, A transistor for adjusting one or more Work functions, and controlling one or more Work functions by adjusting one or more heights of one or more Fermi levels;
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • Graphene's flexure uses one of its characteristics to provide at least one of magnetic particles, charged particles or charged particles, at least one of which is selected at the bottom of Graphyne to intersect the barrier adjustment Due to the electrostatic level of the circuit, one or more of the magnetic particles, the charged particles, or the charged particles, one or more selected from one or more of graphene, bending deformation, position shift, To adjust one or more Work functions,
  • One or more work functions including one or more height adjustments of one or more Schottky Barriers, one or more height adjustments of one or more Fermi levels, A transistor to adjust abnormally;
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • One or more magnetic particles are formed by one or more magnetic particles due to the electrostatic level of the barrier control circuit intersected by providing one or more magnetic particles at the lower end of the graphene (Graphyne) by using the characteristic of the curved sheet of graphene (Graphyne).
  • Graphyne is one or more of bending deformation, position shift, and at least one work function is adjusted, but one or more heights of one or more Fermi levels are adjusted to adjust one or more work functions.
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • One or more magnetic particles are formed by one or more magnetic particles due to the electrostatic level of the barrier control circuit intersected by providing one or more magnetic particles at the lower end of the graphene (Graphyne) by using the characteristic of the curved sheet of graphene (Graphyne).
  • Graphyne is one or more bend deformation, position shift, one or more of the work function (work function) is controlled,
  • One or more work functions including one or more height adjustments of one or more Schottky Barriers, one or more height adjustments of one or more Fermi levels, A transistor to adjust abnormally;
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • Adjusting one or more work functions by selecting one or more of one or more bending strains, position shifts, or one or more graphenes; of
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • One or more graphynes and one or more silicon constitute one or more of the height of one or more Schottky Barrier, one or more Fermi levels, and one or more Schottky Barrier.
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • At least one of graphene and at least one of silicon and semiconductors constitutes at least one of the height of at least one Schottky Barrier, at least one of the heights of Fermi level, A transistor for controlling one or more of at least one selected from the group consisting of one or more heights of one or more Schottky Barriers, one or more heights of one or more Fermi levels;
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • one or more of the height of one or more of the Schottky Barrier adjustment, one or more of the height of one or more Fermi level (Fermi level) is selected, consisting of one or more selected Graphene and one or more of silicon, semiconductors, one or more of the choices comprise one or more of the height of one or more Schottky Barrier, one or more of the Fermi level, one or more of At least one of the height of the Schottky Barrier (Schottky Barrier), one or more of the height of one or more Fermi level (Fermi level), characterized in that it comprises one or more selected from consisting of.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • One or more of graphene and one or more of semiconductors, metals, silicon, conductors, conductive materials, constitute the height of one or more Fermi levels, and one or more Fermi levels.
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • adjusting one or more heights of one or more Fermi levels is selected from one or more of graphene and one or more semiconductors, metals, silicon, conductors, conductive materials, and the like. It is characterized in that it comprises the height of one or more Fermi level (Fermi level), and controlling the height of one or more Fermi level (Fermi level).
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • Adjusting one or more heights of one or more graphynes and one or more Schottky Barriers is described as adjusting one or more heights of one or more Fermi levels; of
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • At least one of the one or more bending deformations, position shifts, is selected as one or more layers of the multi-layer state, one or more Young's modulus is provided,
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • One or more magnetic particles are provided with one or more selected from one or more of graphene (Graphyne) and one or more bending strain, position shift,
  • the at least one magnetic particle is at least one selected from at least one of magnets, nano magnet particles, synthetic materials with nano magnet properties, synthetic materials with magnet properties, and at least one selected. Equipped,
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • One or more graphene and one or more contact angles while adjusting one or more work functions, the one or more contact angles are one or more regular point contact, irregular One or more of the following types: point contact, regular type line contact, irregular type line contact, regular type surface contact, irregular type surface contact, regular type contact, irregular type contact, With one or more things to become,
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • a transistor for controlling one or more work functions wherein the one or more contact angles include one or more magnetic particles in which one or more point contacts, surface contacts, round contacts, regular point contacts, and irregularities.
  • the one or more contact angles include one or more magnetic particles in which one or more point contacts, surface contacts, round contacts, regular point contacts, and irregularities.
  • point contact regular type line contact, irregular type line contact, regular type surface contact, irregular type surface contact, regular type contact, irregular type contact, At least one graphene (Graphyne) having at least one selected from one or more of bending deformation, shifting, and the like; of
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • One or more graphene and one or more contact angles while adjusting one or more work functions, the one or more contact angles are one or more regular point contact, irregular
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • one or more bend strains or position shifts are selected, resulting in one or more bend strains or position shifts.
  • One or more of the graphene applied is selected from consisting of one or more of the height of one or more Schottky Barrier, one or more of the height of one or more Fermi level, is selected.
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • the bending deformation is in the state of a layer selected from one layer, multi-layer state,
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • the height of one or more Fermi levels may be selected from one or more of bend deformation, position shift, and one or more work functions of Graphyne. In adjusting to solve,
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • one or more of the height of one or more Schottky Barriers, the height of the Fermi level, one of one or more bending strains of graphyne, displacement In solving the work function (work function) by adjusting one or more,
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • Fermi level goes up.
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • Graphene (Graphyne) (first electrode) to the conductive material (second electrode) to adjust the distance of one or more, at least one Fermi level (Fermi level) configuration is provided with at least one,
  • Graphene Graphene
  • surface roughness surface roughness
  • Fermi level Fermi level
  • Graphene (Graphyne) is provided with at least one surface structure (Surface texture), at least one Fermi level (Fermi level) by the height adjustment of the configuration,
  • Graphyne (Graphyne) is provided with one or more deviations from the average surface position, one or more by adjusting the height of one or more Fermi level (Fermi level),
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • Graphene (Graphyne) (first electrode) to the conductive material (second electrode) to adjust the distance of one or more, at least one Fermi level (Fermi level) configuration is provided with at least one,
  • At least one selected from graphene (first electrode) at least one selected from closely adjacent, adherent, adjacent, sufficiently close, closely adhered to the conductive material (second electrode).
  • at least one Fermi level (Fermi level) by the height adjustment of the configuration is provided,
  • Graphene is provided with one or more surface roughness (surface roughness), one or more configuration by one or more height adjustment of the Fermi level (Fermi level),
  • Graphene (Graphyne) is provided with at least one surface structure (Surface texture), at least one Fermi level (Fermi level) by the height adjustment of the configuration,
  • Graphyne (Graphyne) is provided with one or more deviations from the average surface position, one or more by adjusting the height of one or more Fermi level (Fermi level),
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • Graphene (Graphyne) (first electrode) to the conductive material (second electrode) to adjust the distance of one or more, at least one Fermi level (Fermi level) configuration is provided with at least one,
  • At least one selected from graphene (first electrode) at least one selected from closely adjacent, adherent, adjacent, sufficiently close, closely adhered to the conductive material (second electrode).
  • at least one Fermi level (Fermi level) by the height adjustment of the configuration is provided,
  • Graphene (Graphyne) is provided with at least one surface structure (Surface texture), at least one Fermi level (Fermi level) by the height adjustment of the configuration,
  • Graphyne (Graphyne) is provided with one or more deviations from the average surface position, one or more by adjusting the height of one or more Fermi level (Fermi level),
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • DiscreTe charging effecTs in small sysTems (individual charging effect in small systems) in controlling graphene (first electrode) with one or more heights of conductive material (second electrode) and one or more Fermi levels. ) Having one or more configurations for controlling one or more heights of one or more Fermi levels; of
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • first electrode is described as a form of one or more Coulomb blockades with a conductive material (second electrode), and has one or more electrically contacted configurations; of
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • first electrode is described in the form of a conductive material (second electrode) and one or more Single electron transistors, and has one or more electrical contacts; of
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • the transistor having at least one of the bending strain, position shift selected from graphene (Graphyne) to adjust one or more of the work function (work function)
  • the transistor for adjusting one or more of the work function (work function) having at least one of the bending strain, position shift, and the like of the graphene (Graphyne) is selected
  • CPU central processing unit
  • memory semiconductor integrated circuit
  • microprocessor battery-equipped electronics
  • electronic components electronics, at least one selected from one or more of one, two-dimensional, three-dimensional, one of One or more selected and provided;
  • a transistor for controlling one or more of the work function (work function) by having at least one selected from one or more bending strains, position shifts, and the like of a graphene, is provided.
  • the Fermi level described in the present invention is (a). An energy level with a probability that the electron will be filled in half (b). The energy height of the outermost electron at zero degrees of absolute temperature, (c). It is understood that at least one of (a) to (c), consisting of the weakest bound energy level in Graphyne, is selected.
  • the Schottky Barrier means a barrier to electrons formed in the potential energy due to the metal-semiconductor junction.
  • the charged or charged particles may mean that at least one selected from endohedral fullerene, positively charged particles, negatively charged particles, positive and negatively charged particles.
  • Piezo means the reverse piezoelectric effect. In other words, mechanical deformation occurs when an electric field is applied.
  • one or more magnetic particles bend, transform, or position graphene (Graphyne) at least one.
  • One or more motions of one or more magnetic particles provided when one or more heights are adjusted to one or more work functions can be described by the Ampere law (Ampere's circuital law) or the Ampere-Maxwell equation. Can be.
  • the electrostatic level may mean an electrostatic level derived from Hertz.
  • the electrostatic level is selected from one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more graphenes (one or more Graphyne) It has been described in the present invention to have an electrostatic level to be useful for explaining the Fermi level in adjusting one or more heights of one or more Fermi levels by having at least one of bending deformation and position shifting.
  • the electrostatic level is one or more selected from one or more of the Piezo (piezo) materials, magnetic particles, charged particles or charged particles of the present invention, one or more graphyne (Graphyne) At least one of the electrical force required to have one or more of the following one or more bending deformations, position shifts, any action that can generate an electric field, any action that can generate a magnetic field, any action that is electrostatic, Integral means.
  • the electrostatic level is the electrical force required to have one or more of graphene selected from one or more of bending deformation, displacement, any action that can generate an electric field, static electricity By any action, one or more of the choices is inclusive.
  • the graphene (Graphyne) having one or more bend deformation selection of one or more of the position shift can be described as only the bending deformation, but the bending end of the graphene (Graphyne) Since it can also be described in the form of the position movement has been described as having one or more selected from one or more bending deformation, position movement to supplement the detailed description.
  • adjusting one or more heights of the Fermi level is useful to illustrate adjusting one or more heights of the Schottky Barrier.
  • the Fermi level can be simply measured with a voltmeter (which can be provided so that the circuit configuration of the invention can be measured with a voltmeter), and also in one embodiment of the invention, the piezo (reverse piezoelectric effect) Because of the temperature-sensitive (quasi-Fermi level) can be provided in the specification of the present invention has been described in detail.
  • the material provided under the graphene may be provided with only a particle having a charge or a particle having a charge.
  • an elastomeric layer or an insulating layer is also provided under the graphene (for example, for insulation), so that one or more Piezo (piezo) materials, magnetic particles, charges in a multilayer state can be provided. At least one selected from among the particles having a particle or a charged particle may be provided with at least one selected from bending deformation, shifting, and the like.
  • the magnetic particles may mean that one or more of organic radicals, magnetic metal complexes, single molecule magnets, and the like are selected as organic molecules showing magnetic properties.
  • the work function refers to the energy required to bring an electron out of a solid at the surface of a solid.
  • one or more bending strains, displacements, or graphenes are selected at a low temperature, such that at least one of the heights of at least one Schottky Barrier is at least one conductive material. It may mean that one or more of the work function (control function) is provided by having one or more selected from the control, one or more adjustment of the height of one or more Fermi level (Fermi level).
  • At least one of graphene is selected from one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, at low temperature.
  • Graphyne is selected one or more of bending deformation, position shifting, one or more conductive materials, one or more heights of one or more Schottky Barriers, one or more heights of one or more Fermi levels Adjustment, which may mean that one or more of the Work function (work function) to be adjusted to have one or more selected.
  • the above description means that the vacuum layer and the insulating layer may be provided at the top of the graphene (Graphyne) at the same time.
  • graphyne of the present invention may refer to multilayer graphene (multi-layer graphene).
  • graphyne of the present invention may mean graphinyne.
  • the transistor of the present invention may have an epitaxial growth and doping process.
  • the ultra-thin film or the deposited film has a thickness selected from 10 micrometers or less, 1 micrometer or less, 100 nanometers or less, 10 nanometers or less.
  • the manufacturing method of the present invention may be meant to include a manufacturing method of various modifications.
  • deposition may include thermal thermal layer deposition (ALD), thermal chemical vapor deposition (CVD), evaporation, chemical vapor deposition (CVD), and initiated chemical vapor deposition (Initiated Chemical Vapor Deposition).
  • iCVD thermal thermal layer deposition
  • atomic layer deposition atomic layer deposition
  • catalytic chemical vapor deposition CCVD
  • An important point is that the structure of the present invention solves the graphene (Graphyne) standby power problem by selecting one or more of graphene (Graphyne) bending deformation, position shift ,. In that sense, a variety of methods can be used in the manufacturing method and manufacturing order.
  • thermal ALD thermal atomic layer deposition, thermal chemical vapor deposition (evaporation), evaporation, chemical vapor deposition (CVD), initiated chemical vapor deposition (iCVD), atomic layer deposition (atomic layer) Vapor deposition
  • the formation temperature of the ultra-thin film on the insulating layer or graphene (Graphyne) may be about 100 ⁇ 400 °C.
  • the Initiated Chemical Vapor Deposition is a process that does not use a solvent, and can greatly improve the purity of the polymer thin film.
  • a wet etch or lift is performed in a patterning process for forming a gate electrode (cross circuit), a source electrode (graphene connected) and a drain electrode (conductive material). Lift-off processes and the like may be used.
  • a gate electrode may be formed on a layer (vacuum layer, air layer, insulating layer, or the like) provided on one or more graphenes. Or a vacuum electrode, an air layer, an insulating layer, and a drain electrode (conductive material) are formed on the source electrode (graphine) and the source electrode, and a gate electrode (cross circuit) is formed on the side. Can be formed.
  • the gate electrode (cross circuit) and the drain electrode (conductive material) may be formed of a metal or a metal compound.
  • the metal may include at least one selected from the group consisting of Au, Cu, Ni, Ti, Pt, Ru, and Pd, and may be formed in a single layer or a multilayer structure.
  • the metal compound may be, for example, a conductive metal oxide or a metal alloy.
  • the gate electrode (intersected circuit) may include graphyne.
  • the drain electrode (conductive material) may also include at least one graphene.
  • the drain electrode (conductive material) may be formed of the same material as the gate electrode (cross circuit) or may be formed of another material.
  • one or more of at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, and at least one graphene provided thereon can be equipped with the following manufacturing methods.
  • PMMA polymethylmethacrylate
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • Graphyne or deposit an insulating layer instead of PMMA in step 9)
  • a barrier adjustment circuit intersecting the upper portion is provided.
  • All polymethyl methacrylate (PMMA) layers are dissolved in a solvent solution (eg acetone). It may be provided with one or more selected from the (1) to (9) manufacturing method, the manufacturing method leading to (1) to (11), which is provided as.
  • one or more of at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, and at least one graphene provided thereon can be equipped with the following manufacturing methods.
  • Polymethyl methacrylate (PMMA) or the like is coated on graphyne (or an insulating layer is deposited instead of PMMA in step 9). (10). A barrier adjustment circuit intersecting the upper portion is provided. (11).
  • the polymethyl methacrylate (PMMA) layer is dissolved in a solvent solution (eg acetone). It may be provided with one or more selected from the (1) to (9) manufacturing method, the manufacturing method leading to (1) to (11), which is provided as.
  • one or more of at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, and at least one graphene provided thereon can be equipped with the following manufacturing methods.
  • a barrier adjustment circuit intersecting the upper portion is provided.
  • All polymethyl methacrylate (PMMA) layers are dissolved in a solvent solution (eg, acetone). It may be provided with one or more selected from the (1) to (9) manufacturing method, the manufacturing method leading to (1) to (11), which is provided as.
  • At least one of at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, and at least one of graphene provided thereon It may be provided with a nano imprint lithography process.
  • the insulating layer, PMMA layer and resist layer may be formed using spin coating method.
  • a cross circuit provided in the present invention is basically (a) below the cross circuit.
  • An insulating layer, or (b). May be selected from the above (a) to (b) consisting of a vacuum layer, an air layer and an insulating layer, and a process including a CMOS may optionally be used.
  • the present invention has not been described in the interest of becoming too complicated and blurred.
  • the sacrificial layer for forming a vacuum layer on the top or bottom of the graphene may be made of a material that is dissolved in an organic solvent, such as acetone, benzene or chloroform. Therefore, when using an organic solvent, the sacrificial layer can be removed.
  • the sacrificial layer may be a polymethyl methacrylate (PMMA) layer.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • the present invention is not limited thereto, and any material that is soluble in an organic solvent may be possible.
  • the drain electrode (conductive material), gate electrode (intersecting barrier adjustment circuit), and source electrode (connected to Graphyne) are each independently Au, Al, Ag, Be, Bi, Co, Cu, Cr, Hf, In, Mn, Mo, Mg, Ni, Nb, Pb, Pd, Pt, Rh, Re, Ru, Sb, Ta, Te, Ti, V, W, Zr, and Zn It may consist of one or more selected from the group. In this case, when the electrode is composed of a mixed metal, it may be applied in the form of an alloy or, in some cases, bonded.
  • the source electrode and the drain electrode connected to the graphene (Graphyne) having one or more bend deformation, position shift, and at least one of the selected material is also graphene (Graphyne), but is not limited thereto.
  • the transistor of the present invention is optionally provided with an insulating layer at a position above or below graphene, which is optionally included in the manufacturing method of the present invention.
  • an insulating layer at a position above or below graphene, which is optionally included in the manufacturing method of the present invention.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the method may further be provided.
  • the production process of dissolving the PMMA layer in the present invention when the production process of dissolving the PMMA layer in the present invention is presented, for example, (1). Securing a passage (eg, etching, ion beam, etc.) through which acetone can flow into the PMMA layer (2). After dissolving the PMMA layer (3).
  • the fabrication process of refilling the passageway e.g., evaporation
  • the description of the fabrication process of the present invention may be understood as not described in detail, but as described (to prevent the specification from becoming too complex).
  • the present invention there is a manufacturing process for manufacturing the structure of the transistor of the present invention, wherein the thin film is formed after the step of having at least one selected from magnetic particles, charged particles or charged particles,
  • the process sequence of optionally adding (or depositing) the process may be described, but the description of the manufacturing process of the present invention may not be described in detail, but may be understood as being described (to prevent the specification from becoming too complicated).
  • the transistor of the present invention comprises the steps of separately fabricating the barrier adjustment circuit of graphene and the top layer of graphene and then face to face (wafer bonding process).
  • Graphyne's bending strain integrates graphene and barrier adjustment circuitry, with one or more of the Fermi Level adjustments, the Schottky Barrier height adjustments, and one or more of the choices.
  • Use a 3D integration method comprising the steps of:
  • the 3D integration method refers to a process of separating and manufacturing the barrier adjustment circuits of the upper layers of graphene and graphene, and then later integrating them in a face to face (wafer bonding process).
  • the source layer (left-source connected with Graphyne) consists of a metal (A).
  • the drain layer (Graphyne and the right side-drain, which is physically provided with a gap, here means height-Fermi level height control), is copper (Cu) that can be adhered to in later wafer bonding steps.
  • Cu copper
  • graphene or other metal may be provided, and only the barrier adjustment circuit wafer and the contact portion may be provided with Cu
  • B copper
  • Drain layer (Graphyne and Schottky Barrier) to the right side-Drain is composed of silicon or semiconductor, Graphyne and Schottky Barrier-Fermi level height control
  • silicon (Cu) is provided with silicon (Cu) in the silicon or semiconductor (possibly later in the wafer bonding step), (C).
  • the right side-drain to form the drain layer (Graphyne and Schottky Barrier) has silicon or semiconductor with graphene and physical gaps (in this case height-fermi level height control Consisting of a Schottky Barrier) and thereafter, copper (Cu) is provided in silicon or semiconductor (which can be adhered to later in the wafer bonding step), consisting of (A) to ( It is provided with C).
  • the metal contacts at least one of the exposed portions of the graphene layer (s) and at least one of left-source, drain, and the like, which are connected to graphene.
  • the source layer is deposited to have a thickness of about 1 nanometer to about 100 nanometers by e-beam evaporation and sputtering, and the drain layer Cu is about thin by electrochemical deposition. It can be deposited to be on the order of 5 nanometers to 800 micrometers ( ⁇ m). After this (a).
  • Insulation layer deposition (evaporation method, thermal ALD (thermal atomic layer deposition), thermal chemical vapor deposition (CVD), chemical vapor deposition (CVD), initiated chemical vapor deposition (iCVD) Graphene (or Graphyne) patterning may be added using Atomic Layer Deposition, Atomic Layer Deposition, but not described for the sake of brevity.
  • Graphyne) / deposited on a substrate (b).
  • Chemical mechanical polishing (CMP) is used to remove excess metal and to reduce the thickness of the insulating layer to a desirable level, for example, from about 5 nanometers to about 100 nanometers, or (a).
  • Insulation layer deposition evaporation method, thermal ALD (thermal atomic layer deposition), thermal chemical vapor deposition (CVD), chemical vapor deposition (CVD), initiated chemical vapor deposition (iCVD) ), Atomic layer deposition, the manufacturing method selected from (c).
  • Chemical mechanical polishing (CMP) is used to remove excess metal and to reduce the thickness of the insulating layer to a desirable level, for example, from about 5 nanometers to about 100 nanometers, ( d).
  • CMP Chemical mechanical polishing
  • a process sequence consisting of dissolving the PMMA layer to form a vacuum layer (the method described in one aspect) may be provided. The method presented in the above aspect is called a 'Graphyne wafer'.
  • the face-to-face joining method is then used to integrate the graphene wafer and the barrier conditioning circuit wafer.
  • Barrier-control circuit wafers are inverted to face to face bond with graphene wafers.
  • graphene wafers may be flipped to face to face bond with the barrier conditioning circuit wafer.
  • the copper and copper bonds are coupled between the corresponding source and drain metal contacts of the two wafers. Typical bonding temperatures are below 400 ° C. Therefore, the devices are not destroyed during the process. In one embodiment of the invention, conductive materials that are bonded near 400 ° C. may be used instead of copper to copper bonds.
  • 3D integration is a very promising technique for meeting the gap of packaging and integrated circuit technology for the Graphyne bending circuit presented in the present invention.
  • Techniques for stacking CMOS device layers are known.
  • 3D integration can be a new way to improve system performance without scaling.
  • the parasitic resistance and parasitic capacitance of the interconnects will become more important in determining the performance of the overall circuit.
  • 3D integration offers a great advantage to the Graphyne bending circuits presented in the present invention.
  • Such advantages include (a) the reduction in overall wiring length and thus the interconnect latency, (b) the significant increase in interconnects between chips, and (c) the ability to integrate dissimilar materials, process technologies and functions. Include.
  • Graphyne may be provided by a wide variety of methods, including the methods described above. .
  • Composite circuits eg barrier circuits (CMOS circuits)
  • barrier regulation circuits can be prefabricated in standard clean-room facilities without potential contamination from carbon materials.
  • Alignment in the face-to-face (wafer bonding process) can be used to control graphene and standby power problems by adjusting the height of one or more Fermi Levels, and the height of the Schottky Barrier.
  • CMOS circuits barrier circuits
  • Alignment in the face-to-face wafer bonding process
  • graphene bending circuits in which one or more selected are provided with one or more, they are always coupled to the desired location of the circuit.
  • CMOS devices eg barrier control circuit wafers
  • temperature during processing, wet etching, and gas ambient can still be maintained because of graphene and standby power.
  • graphene bending circuits are fabricated separately on different substrates, with one or more selected from one or more of the following Fermi Level adjustments, Schottky Barrier adjustments, and the like. . 5)
  • the circuit latency which is dominated by the interconnects, is significantly reduced.
  • the barrier adjustment circuit wafer coupled with the graphyne wafer (copper-to-copper) is removed more than a certain time, it may be manufactured that one or more of the additional devices, metal layers, and the like are selected on the structure. have. Alternatively, one or more of the additional devices, metal layers, and the like can also be fabricated in Graphene wafers coupled with a barrier conditioning circuit wafer (copper-to-copper).
  • the remaining portions of the two wafers except for the corresponding source and drain metal contacts may be subjected to a CMP process.
  • the insulating layer may be provided with at least one selected from the adhesive layer, the adhesive, the adhesive precursor, the van der Waals force.
  • van der Waals forces instead of van der Waals forces, a force selected from among surface tension, interfacial tension, and the like may be substituted.
  • the adhesive layer is meant to be selected from among the adhesives, vibration bonding, thermal bonding, adhesion presented in a series of processes capable of bonding in the atmosphere of the semiconductor process.
  • the source and drain metal contacts may have a structure in which copper is provided on one wafer, or dividedly provided on both wafers to contact.
  • the method of (a) to (d), which consists of removing the self-assembled monolayer (SAM) (for example, washing with a solvent), may be partially included in the manufacturing method of the present invention.
  • the graphene (Graphyne) in a transistor for controlling one or more of the work function (Graphyne) having at least one of the bending strain, position shift, and at least one of the graphene (Graphyne), the graphene (Graphyne)
  • the curved surface of the barrier is characterized by having at least one piezo (piezo) material, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected at the bottom of the graphene (cross) by using a characteristic barrier Due to the electrostatic level of the regulating circuit, at least one of the piezo material, the magnetic particles, the charged particles or the charged particles, is selected from at least one graphene, at least one bending strain, position
  • the end of the movement, one or more of which is selected (the highest form of deformation, for example, the top of a hill, a variant of graphyne) Point) it can be utilized is understood as quantum dots (Quantum dot).
  • one or more of the graphenes bend deformation, position shift, end point of the one or more selected (form in the highest position to be deformed, for example deformation of Graphyne)
  • the highest point of the hill is at the top of Graphyne (1).
  • Quantum dots of patterned ultra thin films or deposited films provided with ultra thin films or deposited films.
  • the ultra-thin film, the deposited film, the ultra-thin film or the quantum dots of the patterned ultra-thin film or deposited film after the deposition film is provided, patterned
  • the selected one of the graphene (Graphyne) quantum dots it can be understood and utilized as a quantum dot (Quantum dot) is the highest vertex provided by the deformation in the state provided with the top of the graphene (Graphyne).
  • the end of the uppermost portion of the deformation of one or more of the graphene (Graphyne) is selected as a quantum dot (patterned graphene) Graphyne), the patterned graphene (Graphyne) can be understood and utilized as a quantum dot (Quantum dot), which is the highest vertex provided by a variation of the selected one.
  • the transistor of the present invention is provided with a graphene quantum dot of graphyne on graphyne, ⁇ 1>.
  • Graphene (Graphyne) is transferred to the upper portion of the graphene (Graphyne) after the patterning, or patterned graphene (Graphyne) by transferring the graphene (Graphyne) with a quantum dot (Quantum dot), or ⁇ 2>. (One). With Graphyne, (2). Patterning, (4).
  • quantum dots (Graphyne) of the graphene may be provided with the manufacturing method of the above ⁇ 1> to ⁇ 2> consisting of may comprise a quantum dots of Graphyne (Graphyne). Subsequently, in one embodiment of the invention, using face to face bonding (other methods of fabrication may be used), one or more of graphene's bending deformation, displacement, The uppermost part of the modification includes a transistor provided with a quantum dot.
  • the present invention is provided with a selected one of the patterned graphene (Graphyne), the patterned graphene (Graphyne) quantum dots, the graphene basically presented in the present invention (Graphyne) can be interpreted as a meaning included in the graphene (Graphyne) in having one or more selected from bending deformation, position shift, and the like.
  • the single electronic transistor can significantly lower the power consumption, which can significantly increase the use time of the battery, thereby significantly reducing the size of the battery.
  • the graphyne circuit configuration of the present invention may also be meant as a two-dimensional circuit in which the three-dimensional circuit configuration is planar (for example, the three-dimensional configuration is planar). Is a two-dimensional layer structure-easy to understand
  • the insulating layer described in one aspect is meant to include at least one selected from an air gap, a vacuum gap, an adhesive layer, on the graphene (Graphyne).
  • the insulating layer described in one aspect is one or more of the height adjustment of the Fermi Level (Fermi Level), the height adjustment of the Schottky Barrier to solve the problem of standby power of Graphyne (Graphyne), It is meant to include one or more circuit configurations having one or more selected.
  • the insulating layer described in one aspect may mean a layer that can be adjusted as a Young's modulus of at least one selected from bending, position shift, of graphene (Graphyne).
  • the insulating layer described in one aspect may mean that the adhesive layer, an elastomer layer, a non-conductive layer, an insulating layer.
  • the insulating layer described in one aspect may mean selected from the adhesive layer, the elastomer layer, the non-conductive layer, the insulating layer, one or more of the graphene (Graphyne) bending, position shift, It can mean integrally the layer which can be adjusted as the Young's modulus being selected.
  • the insulating layer described in one aspect is
  • Adhesive layer selected from
  • Insulation layer including one selected from AIR layer, vacuum layer, adhesive layer, insulation layer
  • Insulation layer including a thin film layer, and further comprising an air layer, a vacuum layer, selected from above the thin film layer
  • a method comprising at least one of at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles includes one of the methods set forth in the specification of the present invention. It can be provided in combination above (for example, printing and floating).
  • the position of the barrier adjustment circuit is shown in principle in the upper part of the graphene (Graphyne), it can also be provided in the lower part of the graphene (Graphyne), the lower part of the graphene (Graphyne) At least one bend deformation, displacement of at least one graphene, at least one selected from at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles, It may be provided with one or more selected.
  • the position of the barrier adjustment circuit may be located at a position selected from the top or bottom or side of the graphene (Graphyne), the angle formed with the graphene bending circuit (Graphyne) in the horizontal state An angle of 0 degrees to 90 degrees, or an angle provided with an inclination in a vertical state may be provided.
  • the electrostatic level of the barrier control circuit one or more of the piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more of the bending strain, displacement, What is chosen above is provided.
  • one or more of one or more Piezo materials, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more selected graphene (Graphyne) is provided at the bottom
  • At least one of the graphene (Graphyne) is provided with one or more sides of the graphene (Graphyne) may be provided with one or more selected from one or more of bending deformation, position shift, have. Also in one embodiment of the present invention, at least one of the graphene (Graphyne) is provided with one or more at least one of the graphene (Graphyne) is provided with one or more of the bending deformation, position shift, selected from the side and bottom can do.
  • One or more graphenes are represented as having one or more selected from one or more of bending strain, position shift, and the like.
  • Barrier adjustment circuit is provided in the position selected from the top, bottom, side, of graphyne (3).
  • the barrier adjustment circuit is a position where the height of Fermi Lever in Graphyne can be adjusted together, plus one or more of (more than one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles).
  • at least one of Piezo material, magnetic particles, charged or charged particles is selected from at least one of bending strain, displacement, and graphene. What can be done, 5).
  • At least one selected from at least one Piezo material, magnetic particles, charged particles or charged particles is provided at a position selected from the top, bottom, side, and the like of graphyne. 6).
  • the barrier adjustment circuit is selected from among top, bottom, side, and graphene and one or more of Piezo materials, magnetic particles, charged or charged particles, and the like. Provided in position, 7).
  • the barrier adjustment circuit is provided at a position where at least one of magnetic particles, charged particles or charged particles, may be selected from at least one of bending deformation, displacement, and graphene. 8). At least one of magnetic particles, charged particles or charged particles, wherein the graphene is selected from one or more of bending deformation, position shifting, bending deformation, bending deformation 9) provided at a position capable of providing a reflective reflective deformation portion of a negative portion or a reflective position shifting portion of an outer portion thereof.
  • the barrier adjustment circuit is provided at a position where at least one of magnetic particles, charged particles, or charged particles, may be selected from at least one of bending deformation, displacement, and graphene. 10.
  • at least one of Piezo material, magnetic particles, charged or charged particles is selected from at least one of bending strain, displacement, and graphene.
  • the bending deformation one or more of the above 1) to 10), which is provided in a position that can be provided with a reflective bending deformation portion of the outer portion to be bent deformation, or a reflective position movement portion of the outer portion, or 1) to 10), may be interpreted in the sense that may include the configuration of one or more selected, an important point is that the graphene (Graphyne) is selected one or more of bending deformation, position shift, It is provided.
  • At least one Piezo material) in the present invention (1 or more of the piezo) is provided with one or more selected from one or more of bending deformation, position shift, at least one graphene (Graphyne) To express it as 1).
  • Barrier adjustment circuit is provided in the position selected from the top, bottom, side, of graphyne (3).
  • One or more Piezo materials may be provided with one or more selected from graphene, bending deformation, displacement, 4).
  • At least one Piezo material is provided in a position selected from the top, bottom, side, of graphyne (5).
  • the barrier adjustment circuit being provided at a position selected from among the top, bottom, side, of graphyne and one or more Piezo materials, 6). 1) to 6), wherein the barrier adjustment circuit is provided at a position where at least one Piezo material may include at least one selected from graphene, bending deformation, shifting, and the like. It may be interpreted as meaning that may include the configuration of one or more selected or one or more of the above 1) to 6), the important point is that the graphene (Graphyne) one or more bending deformation, position shift It is provided with one or more selected.
  • a cross circuit (or crossed barrier adjustment circuit) provided in the present invention basically (a) below the cross circuit (or crossed barrier adjustment circuit).
  • the crossing circuit (or crossing barrier adjustment circuit) proposed in the present invention may be provided under the graphyne layer, for example, 1).
  • Insulation layer / graphine / magnetic particles / insulation layer (or substrate layer) / barrier adjustment circuit 2).
  • Insulation layer / vacuum layer / graphine / magnetic particles / insulation layer (or substrate layer) / barrier adjustment circuit 3).
  • Insulation layer / Graphyne / charged particles / insulation layer (or substrate layer) / barrier adjustment circuit 4).
  • Insulating layer / vacuum layer / Graphyne / charged particles / insulating layer (or substrate layer) / barrier adjustment circuit may be provided.
  • each of the manufacturing processes presented herein may optionally add a chemical mechanical polishing (CMP) manufacturing process prior to the start of the process (thickness and flatness to a desired level). To adjust).
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the transistor of the present invention comprises the steps of separately fabricating the barrier adjustment circuit of graphene and the top layer of graphene and then face to face (wafer bonding process). Integrating a 3D integration method comprising the step of integrating a graphene bending circuit and a barrier adjustment circuit of one or more of the following: adjusting the height of one or more Fermi Levels, adjusting the height of the Schottky Barrier. use.
  • the 3D integration method is a process that separates and manufactures the barrier adjustment circuits of the upper layers of graphene and graphene, and then integrates them in a face to face (wafer bonding process) later. In one embodiment of the invention, (1).
  • the barrier adjustment circuit may be formed on the substrate 1 having the graphene circuit.
  • the face-to-face joining method may further comprise several steps, but basically comprises a graphene bending circuit wafer, a CMOS wafer, a graphene bending circuit wafer and The step of face to face bonding the CMOS wafer is performed.
  • the barrier adjustment circuit in this step is 1) provided on the graphene bending circuit wafer, 2) provided on the CMOS wafer, 3) after face to face bonding, provided on the graphyne bending circuit wafer or CMOS wafer, It is provided in the position chosen from 1) to 3) comprised.
  • the first wafer and the second wafer may be provided with a method of face to side bonding the first wafer to the second wafer while performing face to face bonding.
  • the transistor of the present invention may refer to a semiconductor device having both graphene-based circuits and barrier adjustment circuits (CMOS circuits).
  • CMOS circuits barrier adjustment circuits
  • a transistor having at least one bending strain, position shift, or one or more of graphene, which adjusts one or more work functions is selected from “(Fermi in transistors). level (Fermi level) ⁇ ) "at least one. (Fermi level in the transistor) is described as follows.
  • Fermi level is the total chemical potential of an electron (or electrochemical potential for an electron) and is usually expressed in ⁇ or EF.
  • the Fermi level in the body is a thermodynamic amount, which means that it does not need to add one electron to the body (does not calculate the work required to remove the electron from where it came from).
  • the Fermi level does not necessarily correspond to the actual energy level (the Fermi level in the insulator depends on the band gap), and even requires the presence of a band structure.
  • Fermi levels are precisely defined as thermodynamic quantities, and the difference in Fermi levels can be simply measured with a voltmeter.
  • the voltage displayed is the basis for the overall work that can be obtained per unit cost, which is obtained by allowing a small amount of charge to flow at one point in the other.
  • the Fermi level of the body refers to the work necessary to express the work required to add electrons to it or to remove the electrons.
  • Fermi level EF lies in at least one band. Insulators and semiconductors have a Fermi level in the band gap, but the thermal electron or hole filling in the semiconductor band is close enough to the Fermi level.
  • Fermi-Dirac distribution Gives the probability of occupying the energy state ⁇ of the electron (in thermodynamic equilibrium).
  • the position of ⁇ in the band structure of the material is important for determining the electrical behavior of the material.
  • ⁇ lies in the large band gap.
  • ⁇ lies within the delocalized band. Many nearby ⁇ s of the state are thermally active and easily carry current.
  • ⁇ is close to the edge of the band, so that ⁇ is in the dilution number of the thermally excited carrier that resides near the edge of the band.
  • the quasi-equilibrium approach can simply build up some non-equilibrium effects, such as the electrical or thermal conductivity of a piece of metal (such as caused by a gradient of ⁇ ) (as a result of gradients in T).
  • thermodynamic equilibrium it is a typical thermodynamic equilibrium for the difference of 1 V to be in an electrical potential vacuum (Volta potential).
  • the source of this vacuum potential change may be a change in the work function of another conductive material exposed to a vacuum (a conductive material in electrical contact with Graphyne).
  • the external conductor is not only sensitive to the material, but also the surface selected. (Its crystal orientation, and other details)
  • Fermi level is the above proposal. This also has the advantage of being able to measure with a voltmeter.
  • the definition should be clear if the single charging effect is non-negligible for a single electron.
  • it is considered as in the form of a capacitor, made from two identical parallel plates.
  • F (N, T) is the free energy feature of the grand formal ensemble.
  • the number of electrons in the body is fixed (but if the body is still connected to a heat bath), it is in a formal ensemble.
  • adjusting one or more heights of the Fermi level can be described as a form of Coulomb blockade.
  • the Fermi level was not defined by a charging event determined by one electron charge, rather it is a statistical charging event with a trace amount of electrons.
  • the element is called a beam.
  • Shells are of the same size in length and width, but are also very small geometrical shapes (also called 'walls').
  • the bending deformation of the shell can be described as the bending deformation of the plate.
  • the definition of the beamforming function is that one dimension (or dimension) is larger than the other two dimensions (or dimensions).
  • Dynamic bending of plaTes means Dynamics of Thin Kirchhoff plaTes.
  • the dynamic theory of the plate determines the propagation of waves of the plates and applies the standing waves vibration modes.
  • Young's modulus is described as follows.
  • Young's modulus E can be calculated by dividing the tensile stress by elongation deformation of the elastic (initial linear) portion of the stress-strain curve:
  • E is the Young's modulus (elastic modulus)
  • F is the force acting on the object in tension
  • a 0 is the original cross section of the cross section through which a force is applied
  • L 0 is the original length of the object.
  • the Young's modulus of the material can be used to calculate the force exerted by a specific strain (force exerted in a multilayered state containing deformed graphene or graphyne).
  • F is the force exerted by the material when contracted or stretched by ⁇ L.
  • Elastic potential energy (elastic potential energy provided in a multilayered state containing deformed graphene or graphyne)
  • adjusting one or more heights of the Fermi level may be described as Coulomb blockade.
  • Coulomb blockade is described as follows.
  • the Coulomb blockade (abbreviated CB), named after the electrical force of Charles-Aug de Coulomb, means the increased resistance of a small bias voltage in an electronic device containing at least one low capacitance tunnel junction.
  • Tunnel junctions are the simplest form, meaning in an insulating barrier where the conductivity between the electrodes is thin.
  • a tunnel junction acts as a resistor with a constant resistance known as an ohmic resistor.
  • the resistance is exponentially dependent on the barrier thickness.
  • the graphene is selected from one or more of the piezo (piezo) materials, magnetic particles, charged particles or charged particles). It can be understood that the insulating layer provided at the upper end of the graphene is adjusted by selecting one or more of bending deformation, position shift, or the like.
  • Typical barrier thickness is in nanometers.
  • Insulators are also called dielectrics in this context, tunnel junctions act as capacitors.
  • Tunnel junction capacitors increase charge voltage at one base charge by causing tunneling electrons Where e is the charge 1.6 x 10 -19 coulombs, and Is the capacitance of the junction.
  • the gate capacitance can be adjusted by a third electrode (cross circuit described in the present invention, i.e., barrier adjustment circuit intersected) whose coupling to the island is known as the electrical potential of the island.
  • a third electrode cross circuit described in the present invention, i.e., barrier adjustment circuit intersected
  • Energy levels that are not accessible in the blocking state are within the tunneling range of electrons at the source junction.
  • One or more of electrons (one action), one or more magnetic particles, particles having a charge, or particles having a charge, are selected from graphene provided on the upper side, and an insulating layer provided on the graphene. With one or more bend deflections, position shifts, and one or more choices (2 actions), electrons will occupy the tunnel on the island (3 actions), previously occupying the vacancy energy level.
  • At least one bending strain with graphene having one or more Piezo (piezo) materials provided thereon together with an insulating layer provided above the graphene You can have one or more of the following options: Move, Position.
  • the bias voltage should be lower than the charge divided by the island's magnetic capacitance: ;
  • Tunneling resistance Must be greater than Is Heisenberg's originating uncertainty principle.
  • Useful embodiments of the invention may include various optional configuration and procedure components and steps.
  • one or more magnets select one or more of magnets, magnetic atoms, magnetic particles, magnetic nanoparticles, magnetic compounds, magnetic combinations, magnetic alloys, nano magnetic compounds, nano magnetic combinations, nano magnetic alloys, nano magnetic molecules, It can be understood that it can be replaced by being.
  • magnetic particles may refer to one or more magnetic particles.
  • the content of the present invention has been described at the level of those skilled in the art.
  • a synthetic material of several types of magnetic particles including the magnetic particles provided (e.g., magnet composites), available and known in the Applicant's prior art, are known. Can be understood to be unintentionally included in the critical combination claimed herein.
  • the provided Piezo material is available in the Applicant's prior art and is intended for the important combination claimed herein in the various forms of Piezo material. It can be understood that it is not included.
  • the charged or charged particles are provided in the applicant's prior art, It is to be understood that various forms are inadvertently included in the significant combinations claimed herein.

Landscapes

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Description

그래파인의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터
본 발명은 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터 및 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그래파인(Graphyne)을 마이크로단위, 나노단위 중 하나 이상 선택되는 단위를 구비하는 탄성, 신축성, 유연성 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 하나 이상 구비하는 것이다.
1. 실리콘(Si) 소재의 트랜지스터가 수십 억개씩 들어가 있는 현행 반도체로는 `10나노급`이 미세공정의 한계로 꼽힌다.
2. 하지만 그래파인(Graphyne) 소재로 반도체의 용량과 처리속도를 확 높이면 차세대 반도체 시장의 주도권을 쥘 수 있다.
3. 그래파인(Graphyne)은 탄소 동소체의 구조의 물질로서 그래핀과 유사한 특성을 지니고 있다.
4. 반도체 성능을 높이려면 트랜지스터 크기를 줄여 전자의 이동거리를 좁히거나 전자의 이동도가 더 높은 소재를 사용해 전자가 빠르게 움직이도록 해야 한다.
5. 높은 전자 이동도를 갖고 있는 그래파인(Graphyne)은 실리콘을 대체할 물질로 주목받고 있지만 문제는 그래파인(Graphyne)이 `도체` 특성을 갖고 있다는 점이다. 그래파인(Graphyne)이 금속성을 지니고 있어 전류를 차단할 수 없다는 얘기다. 트랜지스터는 전류의 흐름과 차단으로 디지털 신호인 0과 1을 나타낸다. 그래파인(Graphyne)을 사용하려면 이를 `반도체화`하는 과정이나 충분한 진공 gap(진공갭), gap(갭, 예를들어 절연층을 의미할 수 있음), Air gap(에어갭), 진공층, 에어층, 중 선택되는 것을 가져야 한다.
6. 그래파인(Graphyne)이 자랑하는 전자의 이동속도를 유지하면서도 그동안 난제로 인식됐던 대기 전력 문제를 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다.
7. 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 하나 이상의 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이조절을 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이며 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다.
8. 또한 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 시켜 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하여 Work function(일함수)를 하나 이상 조절하고자 하는 트랜지스터의 원리입니다. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)는 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것으로 인하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하게 되며, 이는 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)를 하나 이상 조절하는 방법으로도 활용될 수 있습니다. 이는 상부의 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적인 준위로 인하여 조절이 가능합니다. 이러한 구성은 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 이해되어 질 수 있습니다. 이는 그래파인(Graphyne)의 빠른 전도도를 이용하여 트랜지스터를 개발 할 수 있으며, 충분한 진공 gap(진공갭), gap(갭, 예를들어 절연층을 의미할 수 있음), Air gap(에어갭), 진공층, 에어층, 중 선택되는 것을 구비한 상태로 종래 전계효과트랜지스터보다 전도속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있습니다.
본 발명의 한 실시형태에서, 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
1. 실리콘(Si) 소재의 트랜지스터가 수십 억개씩 들어가 있는 현행 반도체로는 `10나노급`이 미세공정의 한계로 꼽힌다.
2. 하지만 그래파인(Graphyne) 소재로 반도체의 용량과 처리속도를 확 높이면 차세대 반도체 시장의 주도권을 쥘 수 있다.
3. 그래파인(Graphyne)은 탄소 동소체 구조의 물질로 실리콘보다 빠르게 전자를 전달하는 특성을 지니고 있다.
4. 반도체 성능을 높이려면 트랜지스터 크기를 줄여 전자의 이동거리를 좁히거나 전자의 이동도가 더 높은 소재를 사용해 전자가 빠르게 움직이도록 해야 한다.
그러나, 상기 그래파인(Graphyne)의 뛰어난 전도도를 활용하고자 하는 경우, 너무 뛰어난 전도도로 인해 종래의 트랜지스터 방식으로는 전류의 흐름과 차단을 조절하기가 어려운 문제점이 발생하였다.
따라서, 본 발명은 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 중 하나 이상 선택되는 것을 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공함에 그 목적이 있다.
1. 그래파인(Graphyne)이 자랑하는 전자의 이동속도를 유지하면서도 그동안 난제로 인식됐던 대기 전력 문제를 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다.
2. 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이를 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이며 이는 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다.
3. 또한 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 하나 이상의 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
4. 또한 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
5. 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 시켜 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)를 하나 이상 조절하고자 하는 트랜지스터의 원리입니다. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)는 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것으로 인하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하게 되며, 이는 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)를 하나 이상 조절하는 방법으로도 활용될 수 있습니다. 이는 상부의 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적인 준위로 인하여 조절이 가능합니다. 이러한 구성은 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형이 가해진 하나 이상의 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 조절하는 것으로 이해되어 질 수 있습니다. 이는 그래파인(Graphyne)의 빠른 전도도를 이용하여 트랜지스터를 개발 할 수 있으며, 종래의 구조가 어려웠던 그래파인(Graphyne)을 충분한 진공 gap(진공갭), gap(갭, 예를들어 절연층을 의미할 수 있음), Air gap(에어갭), 진공층, 에어층, 중 선택되는 것을 구비한 상태로 종래 전계효과트랜지스터보다 전도속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있습니다.
본 발명의 한 실시형태에서, 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
상기에서 설명한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따르면, 대기 전력 문제를 하나 이상의 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결하면 종래의 트랜지스터보다 처리속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한 상기에서 설명한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따르면, 대기 전력 문제를 하나 이상의 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결하면 종래의 트랜지스터보다 처리속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있는 효과가 있게 된다.
도 1
a. 1 내지 3 으로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)이 상부에 구비된)이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3 으로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)이 상부에 구비된)이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3 으로 구성되는, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)이 상부에 구비된)이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면
d. 1 내지 3 으로 구성되는, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)이 상부에 구비된)이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면
e. 1 내지 3 으로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)이 상부에 구비된)이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)이 상부에 구비된)이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
f. 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면의 구성은 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)로서 하나 이상 재구성되어 설명될 수 있다.
도 2
a. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 구성하고, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면에는 없지만 도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 구성하고, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
d. 도면의 구성이 다음과 같이 설명될 수 있다. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
e. 도면의 설명과는 무관하게 도면의 구성이 다음과 같이 설명될 수 있다. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 구성하고, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
f. 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면의 구성은 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)로서 하나 이상 재구성되어 설명될 수 있다.
도 3
a. 1 내지 3 으로 구성되는, 90 또는 100(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)이 상부에 구비된)이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3 으로 구성되는, 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 90 또는 100(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)이 상부에 구비된)이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3 으로 구성되는, 도면에서 통로는 접착물질, 엘라스토머, 액체고분자, 부도체, 절연층, 중 선택되는 것을 의미하며, 본 발명의 한 실시형태에서, 도면에서 빈공간은 진공층, Air층(에어층), 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
d. 1 내지 3 으로 구성되는, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 90 또는 100(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)이 상부에 구비된)이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면
e. 1 내지 3 로 구성되는, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)은 90 또는 100(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)의 위에 구비되어 있지만 도면에는 90 또는 100으로 같이 설명한다. 작동내용은 아래와 같이 설명된다. 90 또는 100(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 90 또는 100(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
f. 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면의 구성은 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)로서 하나 이상 재구성되어 설명될 수 있다.
도 4
a. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 구성하고, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면에는 없지만 도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 구성하고, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
d. 도면의 구성이 다음과 같이 설명될 수 있다. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
e. 도면의 설명과는 무관하게 도면의 구성이 다음과 같이 설명될 수 있다. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 구성하고, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
f. 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면의 구성은 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)로서 하나 이상 재구성되어 설명될 수 있다.
도 5
a. 1 내지 3 으로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3 으로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는 빗금쳐져 있는 부위-장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 그래파인(Graphyne)(200)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3 으로 구성되는, 도면에서 통로는 접착물질, 엘라스토머, 액체고분자, 부도체, 절연층, 중 선택되는 것을 의미하며, 본 발명의 한 실시형태에서, 도면에서 빈공간은 진공층, Air층(에어층), 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
d. 1 내지 3 으로 구성되는, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래파인(Graphyne))을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면
e. 1 내지 3 로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래파인(Graphyne))을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래파인(Graphyne))을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 300으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
f. 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면의 구성은 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)로서 하나 이상 재구성되어 설명될 수 있다.
도 6
a. 1 내지 4 로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래파인(Graphyne))을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300(도면에 작성되어 있지는 않으나 도면의 회로구성이 포함되어 있는)으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래파인(Graphyne))을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 300(도면에 작성되어 있지는 않으나 도면의 회로구성이 포함되어 있는)으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
b. 1 내지 4 로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(도면에 작성되어 있지는 않으나 도면의 회로구성이 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래파인(Graphyne))을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300(도면에 작성되어 있지는 않으나 도면의 회로구성이 포함되어 있는)으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래파인(Graphyne))을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 300(도면에 작성되어 있지는 않으나 도면의 회로구성이 포함되어 있는)으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
c. 1 내지 4 로 구성되는, 하나 이상의 200(그래파인(Graphyne))이 하나 이상의 300(도면에 작성되어 있지는 않으나 도면의 회로구성이 포함되어 있는)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면에 작성되어 있지는 않으나 도면의 회로구성이 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래파인(Graphyne))을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300(도면에 작성되어 있지는 않으나 도면의 회로구성이 포함되어 있는)으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 110(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래파인(Graphyne))을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 300(도면에 작성되어 있지는 않으나 도면의 회로구성이 포함되어 있는)으로 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
d. 상기 a 내지 c 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면의 구성은 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)로서 하나 이상 재구성되어 설명될 수 있다.
도 7
a. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 우측면의 회로로 Work funiction(일함수)의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여, Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여, Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
d. 상기 a 내지 c 에서, 본 도면은 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)과 그래파인(Graphyne)이 하나의 전지에 연결되어 있으며, 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
e. 상기 a 내지 c 에서, 본 도면은 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)과 그래파인(Graphyne)이 하나의 전지에 연결되어 있으며, 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
f. 본 도면의 설정과 관계없이, 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
g. 상기 a 내지 f 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다.
h. 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면의 구성은 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)로서 하나 이상 재구성되어 설명될 수 있다.
도 8
a. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 우측면의 회로로 Work funiction(일함수)의 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다
b. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여, Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다
c. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여, Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다
d. 상기 a 내지 c 에서, 본 도면은 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)과 그래파인(Graphyne)이 하나의 전지에 연결되어 있으며, 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다
e. 상기 a 내지 c 에서, 본 도면은 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)과 그래파인(Graphyne)이 하나의 전지에 연결되어 있으며, 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다
f. 본 도면의 설정과 관계없이, 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다. 이는 일반적인 트랜지스터의 원리로서 하나 이상의 회로로도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
g. 상기 a 내지 f 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다.
h. 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면의 구성은 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)로서 하나 이상 재구성되어 설명될 수 있다.
도 9
a. 본 도면은, 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터의 주요 회로도를 설명하는 도면이다.
b. 본 도면은, 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터의 주요 회로도를 설명하는 도면으로도 이해될 수 있다.
c. 상기 a 내지 b 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다.
d. 상기 a 내지 c 중 하나 이상 선택되는 것에서, 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면에서 제시되는 구성요소는 일면에서 제시하는 설명의 범위 안에서 본 발명에서 제시하는 물리적 치수를 하나 이상 구비하며 그 크기나 모양이 달라질 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 본 도면의 구성은 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)로서 하나 이상 재구성되어 설명될 수 있다.
[부호의 설명]
90 : 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)을 의미한다.
100 : 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)을 의미한다.
110 : 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)을 의미한다.
200 : 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 의미한다.
300 : 그래파인(Graphyne)과 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절할 수 있게 구성되는 물질, 본 발명의 한 실시형태에서 다층상태의 300을 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 300 은 실리콘, 반도체, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래파인(Graphyne)(변형이 가해져 있는 상부층)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 회로를 의미 할 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 정전기적 준위에 의하여 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여 Work funiction(일함수)의 하나 이상의 조절으로 연결되는 회로를 의미 할 수 있다.
500 : 본 발명의 한 실시형태에서, 도면의 구성이 포함되어 있는 주위 환경(예를들어 90, 100, 110, 중 하나 이상 선택되는 것이 포함되는 물질)을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 500 은 실리콘을 의미할 수 있다.
(◆300, 500◆) : 300 또는 500을 의미한다.
600 : 빈공간, 또는 90 또는 100의 통로, 또는 300의 통로(일부)를 의미한다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 빈공간은 진공층, Air층(에어층), 중 선택되는 것을 의미한다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 통로는 하나 이상의 접착층, 액체고분자층, 엘라스토머층, 부도체층, 절연층, 진공층, Air층(에어층), 중 하나 이상 선택되는 층을 의미한다.
610 : 빈공간, 또는 200의 통로, 또는 300의 통로(일부)를 의미한다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 빈공간은 진공층, Air층(에어층), 중 선택되는 것을 의미한다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 통로는 하나 이상의 접착층, 액체고분자층, 엘라스토머층, 부도체층, 절연층, 진공층, Air층(에어층), 중 하나 이상 선택되는 층을 의미한다.
1000 : 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
본 발명에 적용된 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 도 1 내지 도 9 에 도시된 바와 같이 구성되는 것이다.
하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 일반적으로 통용되는 용어들로서 이는 생산자의 의도 또는 관계에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서에서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 시켜 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)를 하나 이상 조절하고자 하는 트랜지스터의 원리이다. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)은 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것으로 인하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하게 되며, 이는 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)를 하나 이상 조절하는 방법으로도 활용될 수 있다. 상기 설명은 상부의 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적인 준위로 인하여 조절이 가능합니다. 이러한 구성은 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 조절하는 것으로 이해되어 질 수 있습니다. 상기 설명의 내용을 토대로 검토하면 그래파인(Graphyne)의 빠른 전도도를 이용하여 트랜지스터를 개발 할 수 있으며, 그래파인(Graphyne)을 충분한 진공 gap(진공갭), gap(갭, 예를들어 절연층을 의미할 수 있음), Air gap(에어갭), 진공층, 에어층, 중 선택되는 것을 구비한 상태로 종래 전계효과트랜지스터보다 전도속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있다.
본 발명은 그래파인(Graphyne)이 자랑하는 전자의 이동속도를 유지하면서도 그동안 난제로 인식됐던 대기 전력 문제를 하나 이상의 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결한다.
그리고, 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 하나 이상의 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이를 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이며 상기 설명은 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결한다.
또한, 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것을 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
또한, 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 하나 이상의 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.
또한, 그래파인(Graphyne)으로 만든 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터로 이해되어 질 수 있음이다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 시켜 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)를 하나 이상 조절하고자 하는 트랜지스터의 원리이다. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)는 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것으로 인하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하게 되며, 이는 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)를 하나 이상 조절하는 방법으로도 활용될 수 있다. 이는 상부의 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적인 준위로 인하여 조절이 가능하다. 이러한 구성은 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 이해되어 질 수 있다. 이는 그래파인(Graphyne)의 빠른 전도도를 이용하여 트랜지스터를 개발 할 수 있으며, 그래파인(Graphyne)을 충분한 진공 gap(진공갭), gap(갭, 예를들어 절연층을 의미할 수 있음), Air gap(에어갭), 진공층, 에어층, 중 선택되는 것을 구비한 상태로 종래 전계효과트랜지스터보다 전도속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하는 것은 그래파인(Graphyne)의 상단부에 접착물질, 엘라스토머, 액체고분자, 부도체, 절연체(절연층), 중 선택되는 것이 구비되어 있는 상황에서도 그래파인(Graphyne)과 함께 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)를 구비하는데 있어서 전사기술, 리소그래피기술을 사용할 수 있으며, 교차되는 회로를 꾸미는데 있어서, 오버레이 기술등 통용되는 종래의 반도체 제조기술을 사용하여 제작 할 수 있음이다. 본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)이 전사되는데 있어서 하나 이상의 자성입자가 함께 구비되어 있는 상태로 같이 전사되어 회로를 구성할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 진공층, Air층(에어층), 중 선택되는 것을 구비하는데 있어서 해체층으로서 구비할 수 있으며, 해체층은 분열이나 분해시켜 사용할 수 있는 종래의 반도체 공정에서 사용하는 해체층을 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 상부에 접착물질, 엘라스토머, 액체고분자, 부도체, 절연체(절연층), 중 선택되는 것이 구비되는 다층상태에서 하나 이상의 굽힘변형이 구비되어, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. 이는 도면에서 접착물질, 엘라스토머, 액체고분자, 부도체, 절연체(절연층), 중 선택되는 것이 통로로 이어지는 것을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 굽힘변형은 영률(Young's modulus)로서 설명될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 굽힘변형은 곡률반경 1/2 R 값(구부러짐과 관계된 곡률 반경(r)의 두배로 나누어줌으로써 표면 변형률이 결정되는 박막, 초박막, 초경박 중 하나 이상 선택되는 것)으로서도 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자는 하나 이상의 나노 자성입자를 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자는 Magnet(자석) 성질을 구비하는 모든 합성물질을 포함하는 것으로 이해되어져야 한다.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자는 Magnet(자석) 성질을 구비하는 모든 나노 합성물질을 포함하는 것으로 이해되어져야 한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 비선형 탄성 물리학적 원리와 관련된 복잡한 하나 이상의 형태, 하나 이상의 레이아웃를 하나 이상 구비할 수 있으며, 하나 이상의 초기변형률(prestrain)의 크기(εpre)가 증가할수록 상기 비선형 탄성 물리학적 원리와 관련된 복잡한 하나 이상의 형태, 하나 이상의 레이아웃 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 구부러짐과 관계된 곡률 반경(r)의 두배로 나누어줌으로써 표면 변형률이 결정되는 박막, 초박막, 초경박 중 하나 이상 선택되는 것에서의 기초적인 굽힘 역학을 하나 이상 set theory(조합이론), Combinatorics(조합론), Geometry(기하학), Group(그룹), 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하여 유도된다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 하나 이상의 층에서 하나 이상의 구부림 모멘트<M>은 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 지속적, 비지속적, set theory(조합이론), Combinatorics(조합론), Geometry(기하학), Group(그룹), 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 곡률로부터 얻어지고, 그것은 하나 이상 동일, 비동일, set theory(조합이론), Combinatorics(조합론), Geometry(기하학), Group(그룹), 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 <u>의 2차 도함수이다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 구비하는 것은, 하나 이상 구비하는 평면에서 수행되며, 종래 전자장치 제조공정과 하나 이상 선택적으로 호환될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상 구비하는 평면에서 수행되며, 본 발명의 한 실시예에서, 종래 전자장치 제조공정과 하나 이상 선택적으로 호환될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 종래 평면 형상 제조 시스템을 비선형 형태를 필요로 하는 적용에 사용하기 위해 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 평면으로 제조되는 기하학적 한계를 극복할 수 있는 형태를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 양의 곡률을 하나 이상 구비하는 표면과 관련됨에 불구하고 음의 곡률을 하나 이상 구비하는 것들 역시 가능하다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 비동일 평면을 하나 이상 구비하고 하나 이상 상호연결된 형태를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 구비하는데 있어서, 하나 이상의 캐리어 유동체와 같은 하나 이상의 캐리어 매개물로 확산되는 공정을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 mobility(이동도)로서 설명된다.
본 발명의 한 실시예에서, mobility(이동도)는 에어층, 진공층, 기체층, 액체층, 고체층, 중 선택되는 것 내에서 이온, 전자, 콜로이드입자 등 전하를 가진 입자가 전기장 때문에 힘을 받을 때, 그 평균이동속도 v와 전기장의 세기 E의 관계 v=uE로 정의되는 계수 u이다. 전기장의 세기가 크지 않을 때만 성립하며, u의 단위는 cm2 s-1 V-1이다. 본 발명의 한 실시예에서, 이 비례관계는 E가 그다지 크지 않을 때 성립하며, 등방성 매질에서는 u는 스칼라상수이다. u의 단위는 cm2 s-1 V-1이다. 특히 홀이동도(Hall mobility)와 구분할 때는 유동이동도라 한다. 단위부피당의 입자수를n, 입자의 전하를 e라 하면, 입자의 운동에 따른 전기전도도 σ는 σ=neu이다. 입자의 확산계수 D는 일반적으로 아인슈타인의 관계식 u=eD/kT(k는 볼츠만상수, T는 절대온도)가 성립한다.
본 발명의 한 실시예에서, mobility(이동도)는 임피던스의 역수를 말한다. 단(單)진동하는 기계시스템의 어떤 점 속도와 같은 점 또는 다른 점의 힘과의 복소수 비를 이동도라 한다. (1) 세기 E의 전장에서 전하를 갖는 입자가 힘을 받을 때 평균 이동속도 V와 E의 비 V/E를 이동도 라고 한다. (2) 주파수 응답 함수의 일종이며, 어떤 점의 속도와 그와 같은 점 또는 다른 점의 여자력의 비이다. 기계 임피던스의 역수이며 주파수의 복소 함수가 된다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할때 발생하는 그래파인(Graphyne)의 굽힘역학은 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것에 비하여 그래파인(Graphyne)이 영률(Young's modulus)를 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 (1) 하나 이상의 1 마이크로미터 이상 100 마이크로미터 이하의 범위, (2) 하나 이상의 0.1 나노미터 이상 100 나노미터 이하의 범위, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (2) 중 하나 이상 선택되는 범위를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할때 발생하는 변형으로부터 자유로운 변형 고립층(예를들어 진공층, 에어층, 중 선택되는 것)을 본 발명의 트랜지스터는 하나 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 구부러짐과 관계된 곡률 반경(r)의 두배로 나누어줌으로써 표면 변형률이 결정되는 박막, 초박막, 초경박 중 하나 이상 선택되는 것에서의 기초적인 굽힘 역학으로 해석되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것이 구비할때 발생될 수 있는, 박리 등의 치명적인 변형을 피하기 위하여 변형이 영인 구조(예를들어, 충분히 단단한 구조)를 본 발명의 트랜지스터는 구비할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 기하학적인 형태를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 다층구조, 단일, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 하나 이상의 변형이 발생하는 면적으로 인하여 조절되어지지만, 본 발명의 한 실시예에서, 변형이 발생하지 않는 면적에 의하여 영향을 받을 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 공간적으로 균일하지 않은 특성을 구비하여 구비된다. 본 발명의 한 실시예에서, 이미 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 공간적으로 균일한 특성을 구비하는 것으로 해석되어 질 수 있다. 상기 공간적으로 균일한 특성, 공간적으로 뷸균일한 특성은 (평면-변형) 계수들로서 설명되어 진다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 하나 이상 공간적으로 균일하지 않은 특성, 하나 이상 공간적으로 균일한 특성, 중 하나 이상 선택되는 특성을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 상부 표면으로부터 변형이 발생하는 거리(d)로서 설명되어 진다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 구부림 강성도 및 효과적인 신장성을 가지는 합성보(또는 보, 또는 플레이트)의 굽힘역학으로 설명되어 진다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 구부림 모멘트<M> (하나 이상의 굽힘 에너지, 축방향 힘 F 중 하나 이상 선택되는 것)은 플레이트 이론을 통하여 그것의 하나 이상 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 지속적, 비지속적, set theory(조합이론), Combinatorics(조합론), Geometry(기하학), Group(그룹), 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 평면밖 변위 <u>의 항으로 얻어진다. 또한 그것의 변형 에너지는 <u>의 항으로 얻어진다. 더하여 상기 변위 <u>는 전체 에너지를 최소화하는 것에 의해 결정되어질 계수들과 함께 푸리에 급수로 확장된다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 곡률로부터 얻어지고, 그것은 하나 이상 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 지속적, 비지속적, set theory(조합이론), Combinatorics(조합론), Geometry(기하학), Group(그룹), 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 <u>의 2차 도함수이다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상 가깝게, 붙으며, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 밀접하게 붙는, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다. 상기 하나 이상 가깝게, 붙으며, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 밀접하게 붙는, 중 하나 이상 선택되는 것은 100 ㎛, 1 ㎛, 100 ㎚, 1 ㎚ 중 하나 이상 선택되는 수치보다 적은 수학 값, 물리적 치수 중 하나 이상 선택되는 것으로 정의된다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 10 ㎛, 1 ㎛, 100 ㎚, 1 ㎚ 중 하나 이상 선택되는 수치보다 적은 수학 값, 물리적 치수 중 하나 이상 선택되는 것으로 정의된다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 트랜지스터는 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것을 구비할때 발생하는 변형에 민감한 층을 보호하기 위하여 충분한 단단한 재질이 사용될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 25%, 20%, 10%, 25% 내지 0.1% 의 범위, 중 하나 이상 선택되는 범위에서 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 해석되어 질 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 다층구조, 단일, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하되, 등가 장력 강도(Equivalent tensile strength) 및 등가 굽힘 강도(Equivalent bending strength)로서 설명될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 해체층은 하나 이상의 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)를 하나 이상 구비, 이용 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상의 분열, 분해, 제거 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것으로 해석되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 제조방법은 전자 구성 요소 배열 또는 요소의 패턴 배열과 같이(예를 들어, 반도체) 고정확성 리프트오프 인쇄 요소들을 가능하게 하기 위해 하나 이상의 고정 및 지지 구조(fixture)를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 접착층, 접착영역, 접착물질은 본 발명에서 제시하는 접착영역, 접착제, 접착 전구체 중 하나 이상 선택되는 것의 결합력보다 적은 결합력을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 접착층, 접착영역, 접착물질은 접착영역, 접착제, 접착 전구체 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되는 것을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 유한 요소 시뮬레이션을 만족하는 하나 이상의 구조, 형태, 구성요소 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 유한 요소 시뮬레이션은 하나 이상의 8-노드, 4-노드 요소 중 선택되는 것을 가지는 요소를 구비하여 실행될 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 상기 유한 요소 시뮬레이션은 유사한 맴브레인 변형 패턴을 나타낼 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 유한 요소 시뮬레이션은, 역학적으로 독립적 방식으로 행동하기 위해 하나 이상의 유한요소법(FEM), 유한차분법(FDM), 유한체적법(Finite Volume Method), 다구찌 기법(Taguchi method), 로버스트 설계(Robust Design) 중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 트랜지스터는, 본 발명의 트랜지스터를 제조하기 위해서 정렬 유지 소자를 사용할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 버클링변형을 구비할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 버클링변형은 작은 다수의 파장들이 함께 융합되는 것과 같이 발생할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것의 상부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)은 상기 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 충분히 덮는 형태로 구비될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 트랜지스터는 a. 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 비동일 평면의 설계를 위하여, b. 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할때 발생하는 하나 이상의 기계적인 변형격리를 위하여, 로 구성되는 상기 a 내지 b, 중 하나 이상 선택되는 것을 위하여, 본 발명에서 제시하는 제조방법을 하나 이상 사용할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로 하나 이상의 점, 리본, 나노리본, 띠, 파형, 언덕(hill), 작은 면, 작은 선, 면, 선, 중 하나 이상 선택되는 형태를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 아래와 같이 의미될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)은 하나 이상의 1). 그래파인(Graphyne), 2). 그래파인(Graphyne)과 상기 그래파인(Graphyne)이 드레인에 연결되는 부분에 전도성물질을 구비하는 형태, 3). 그래파인(Graphyne)과 전도성물질이 다층상태를 구비하되 굽힘변형을 구비할 수 있는 형태, 4). 그래파인(Graphyne)과 낮은 영률(Young's modulus)의 물질이 다층상태를 구비하되 굽힘변형을 구비할 수 있는 형태, 5). 그래파인(Graphyne)과 낮은 영률(Young's modulus)의 전도성 물질이 다층상태를 구비하되 굽힘변형을 구비할 수 있는 형태, 로 구성되는 상기 1) 내지 5) 중 선택되는 것을 의미할 수 있으나 기본적으로 그래파인(Graphyne)의 뛰어난 전도도와 큰 기계적 변형에도 파괴되지 않는다는 점 및 큰 기계적 변형에도 전도도가 변화되지 않는다는 점을 이용한다는 측면에서 다양한 변형형태가 구비될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 전도성물질은 하나 이상의 원자형태 또는 분자형태의 전도성물질을 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 전도성물질은 전도성 폴리머(conducting polymer)를 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 변형두께가 대략 0.1 나노미터 ~ 100 마이크로미터, b. 변형폭이 대략 1 나노미터 ~ 1 밀리미터 c. 변형길이가 대략 1 나노미터 ~ 100 마이크로미터, d. 변형길이가 1 마이크로미터 이상 또는 이하, e. 변형폭이 1 마이크로미터 이상 또는 이하, f. 마이크로스트립변형(두께 340 나노미터, 폭 5 마이크로미터, 길이 1밀리미터 이하), g. 변형간격(1 마이크로미터 이상 또는 이하), h. 하나 이상의 변형길이, 변형넓이, 변형면적, 변형부피, 변형폭, 변형높이, 변형두께, 변형단면적, 변형간격, 표면 거칠기, 표면 변형범위, 표면 비변형범위, 편평도, 중 하나 이상 선택되는 것의 하나 이상의 물리적 치수가 0.1 나노미터 ~ 200 마이크로미터, 로 구성되는 상기 a 내지 h, 로 구성되는 것중 하나 이상 선택되는 것을 구비하지만 상기 하나 이상의 물리적 치수에 한정되지 않고 하나 이상 구비될 수 있다.
* 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것은 (a). 4 ~ 20 ppma(parts per million atoms) 미만의 포함도, (b). 100만 원자 당 대략 1 ~ 4 ppma 미만의 포함도, (c). 대략 1 ppma 이하의 포함도, (d). 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 100 ppba(parts per billionatoms) 이하의 포함도, (e). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 ppba 이하의 포함도를 하나 이상 구비할 수 있다. (f). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 내지 10 ppba 이하의 포함도의 범위중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다, (g). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 내지 10 ppmv(parts per million by volume) 이하의 포함도의 범위중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다, (h). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 내지 10 ppbv(parts per billion by volume) 이하의 포함도의 범위중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (h) 중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 적어도 하나 이상의 100 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, b. 바람직하게는 하나 이상의 10 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, c. 좀더 바람직하게는 하나 이상의 1 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, d. 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 하나 이상의 1 Angstrom(옹스트롬) 이상의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, 로 구성되는 상기 a 내지 d 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 버클링 변형, 맴브레인 변형, 굽힘 변형, 중 하나 이상 선택되는 하나 이상의 변형을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로 하나 이상의 사인파, 가우시안(Gaussian)파, 로렌츠형(Lorentzian)파, 주기적인파, 비주기적인파, 중 하나 이상 선택되는 파 형태를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 사인파, 가우시안(Gaussian)파, 로렌츠형(Lorentzian)파, 주기적인파, 비주기적인파, 중 하나 이상 선택되는 파 형태를 하나 이상 구비하되, 상기 파 형태는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로부터 본 발명에서 제시하는 물리적 치수의 변형간격을 두고 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것이 파 형태로 구비될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 운동하는 지점으로부터 본 발명에서 제시하는 물리적 치수의 변형간격을 두고 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 사인파, 가우시안(Gaussian)파, 로렌츠형(Lorentzian)파, 주기적인파, 비주기적인파, 중 하나 이상 선택되는 파 형태로 구비될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne) 및 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것은 나노결정과 같은 "상향식" 공정 기술에 의해 생성된 반도체 재료 기반 장치에 관한 강화된 신뢰성을 보이는 기능적인 장치의 제조를 용이하게 하는 공정 플랫폼을 하나 이상 구비하여 하나 이상 제조할 수 있다. 더하여 상기 신뢰성은 확장된 작동 기간에 걸쳐 우수한 전자 특성을 보이기 위한 기능적인 장치의 성능을 나타내고, 본 발명의 방법 및 조성을 사용하여 제조된 장치의 총체의 전기적 특성에 관한 각각에 대한(piece-to-piece) 획일성을 나타낼 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne) 및 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것은 "하향식" 공정 기술에 의해 생성된 반도체 재료 기반 장치에 관한 강화된 신뢰성을 보이는 기능적인 장치의 제조를 용이하게 하는 공정 플랫폼을 하나 이상 구비하여 하나 이상 제조할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고(예를들어, 밀접하게 붙거나 오버랩되지 않는), 하나 이상의 제1 및 제2 전극과 전기적으로 하나 이상 접촉하는 구성, b. 하나 이상 물리적으로 접촉하고, 하나 이상의 제1 및 제2 전극과 전기적으로 하나 이상 접촉하는 구성, c. 하나 이상의 제1 및 제2 전극과 전기적으로 하나 이상 접촉하는 구성, 로 구성되는 상기 a 내지 c 중 하나 이상 선택되는 것으로 이해될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 기울기를 구비하는 형태로 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 a. 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. 상기 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 CPU, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 베터리가 구비되는 전자장치, 전자부품, 전자장치, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 CPU, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 베터리가 구비되는 전자장치, 전자부품, 전자장치, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 a. 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것이 이미 구비되어 있는 상태에서 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되는 것을 의미할 수 있다. 덧붙여 설명하자면 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는데 있어서 도움을 주는것으로 해석될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 a. 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 것은 Fermi-level pinning(페르미레벨피닝)이 고려되어 설계되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할때 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)로서 설명되어 질 수 있다. 중요한 요점은 그래파인(Graphyne)과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, 이것으로 인하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다는 점이다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 점 접촉, 면 접촉, 둥근면접촉, 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있음이다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 나노단위에서의 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)을 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 연속체 역학으로서 설명될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 탄성체로서 설명되어 질 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 연속체 역학을 도입하여 하나 이상의 굽힘변형(Bending)이론으로 설명 될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 탄성을 구비하며 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 의미될 수 있으며, 탄성(elasticity)이란 물체에 가해진 힘이 사라졌을 때 물체가 원래의 모양으로 복구되고자 하는 성질이다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 다층상태 즉, 접착물질, 엘라스토머, 액체고분자, 부도체, 절연체(절연층), 중 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)의 상단부에 함께 구비되어 있는 상태로 다층상태의 탄성을 구비하며 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 의미될 수 있다. 상기 다층상태의 탄성은 하나 이상의 영률(Young's modulus)를 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 연속체 역학은 더 작은 요소로 무한히 나누어도 그 각각의 요소가 원래의 전체로서의 물질의 성질을 그대로 유지한다고 가정하는 연속체의 개념을 기반으로 한다. 실제로 물질은 연속적인 것이 아니라 원자로 이루어져 있다는 점, 그래서 불균일한 미시 구조를 갖고 있다는 점은 무시된다. 본 발명의 한 실시예에서, 연속체에서는 물체 내에 물질이 균일하게 분포되어 있고, 물체가 차지한 공간을 완전히 꽉 채우고 있으며, 따라서 에너지나 운동량 등의 물리량들이 극소 극한에서도 그대로 유지된다고 가정한다. 본 발명의 한 실시예에서, 연속체 역학에서는 본 발명을 설명하는데에 미분 방정식을 사용할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는데 있어서, 도면에서 보았을때 하부라 표현하였지만 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 상부에 하나 이상 구비되어 그래파인(Graphyne)이 하부로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다. 또한 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 측면에 하나 이상 구비되어 그래파인(Graphyne)이 반대되는 측면으로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다. 또한 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 측면에 하나 이상 구비되어 그래파인(Graphyne)이 하부로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다. 따라서, 본 발명에서 하부에 구비되는 것으로 표현하는 것은 상부나 측면에 구비되는 것을 모두 포함하는 의미로 해석될 수 있으며, 중요한 요점은 그래파인(Graphyne)이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것이다.
본 발명의 한 실시형태에서,그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 (Ⅰ). 하나 이상의 가공, 증착, 스퍼터증착, 음극 아크 증착, 전자빔 물리 기상 증착, 증발 증착, 펄스 레이저 증착, 진동증착, 마스크, 광학적필터, 마스킹, 에칭, 등방성에칭, 이방성에칭, 습식에칭, 패터닝, 측면 패터닝, 한 방향 이상의 패터닝, 전사, 전이, 재생, 오버레이(over lay), 전자기 방사, 프린팅, 3D 프린트, 샘플회전, 기울기, 산화, 롤러, 주조, 나노주조, 인쇄, 캐스팅, 경화, 응고, 부유, 발열체사용, 프레싱, 롤 프레싱, 연마, 예비 변형, 트렌치(trench)의 시리즈, 큐어링, 몰딩, 회로를들어올림, 혼합, 채움, 반데르발스 힘, 봉지화(둘러쌓음), METAL(메탈), CLEAN(클린), IMP(임프), DIFF(디프), PHOTO(포토), CVD(화학기상증착), CMP(씨엠피), DEPOSITION(디포지션), ANNEALING(어닐링), WET(웨트), 식각, 레이저, 용접, 응축, FUSI, 이중확산, packaging(페키징), Bangding Wire(와이어본딩), Wide Square(와이드스퀘어), Bonding(본딩), Soldering(숄더링), wave Soldering(웨이브숄더링), BRAZING(브레이징), 리프트오프(lift off), 물질 성장, 도핑, 코팅, 증발, 담금, 금속증발, 용융, 분말코팅, 함침, 침전, 젤화, 필터, 절단, 용해, 세척, 건조, 전처리, 자기조직화, 포토리소그래피, 리소그래피, 리토그라피(석판인쇄술), 광학적 리토그라피, 형상식각, 금속증착, 절연막 형성, 선택적 식각, 마스크를 사용하지 않는 전자빔 리토그라피, FIB(focused-ion-beam(포커스드온빔)공정, 제거, HMDS, BOE, 스핀-온-도판트, PECVD, RIE, 피라나처리, HF, 스핀코팅, 자외선오존처리, PR패턴, PR제거, 아세톤세척, 에탄올세척, 융합, UVO처리, 배열제조, 전자빔, 이온빔, 성형, 초음파, 빛, 노광, 광, 집광, 램프, 레이저 파동 시리즈(광핀셋)로 위치이동, 리플로우(reflow) 현상, 플라즈마, 접착, 정전기력, 자기력, 정자기력, 음파, 압착, 압축, 전자파, 변형, 고주파, 침투, 확산, 산란, 분리, 분해, 화학적활성, 분열, 노출, 가열, 흡수, 방출, 냉각, 균열, 하나 이상의 고정 및 지지 구조(fixture), 비결합, 결합, 분사, 부착, 접촉, 밀착, 메니스커스원리, 박리, DNA사슬접기, 배열, 배치, 합성, 연결, 적층, 형상만들기, 조립, 조합, 형태변형, 위치시킴, 조직화, 자기조립(self-assembled), 자기조립단분자막(Self-assembled monolayer), Niemeyer-Dolan technique(니에메예르-고언 기술-그림자증착법), 터널접합, 교차, 근접, 밀접, 밀착, 패턴, 집적, 부각, 위치결정공정, 용액 인쇄, 제조 단계로부터 개별한 제조 단계에서 실시될 공간적으로 제어된 반도체 공정의 사실상 어떠한 유형, 중 선택되는 것으로 구성되는 것은 각각의 선택되는 방법이 하나 이상 구비되는 각각의 선택되는 하나 이상의 방법(예를들어, 상기 집적은 하나 이상의 집적)을 의미하되, Ⅰ. (a) 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로, (b) 한 방향 이상에서, (c) 하나 이상 지속적, 비지속적 중 하나 이상 선택되는 것으로, (d) 하나 이상 전체적, 부분적 중 하나 이상 선택되는 것으로, (e) 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되며, Ⅱ. 상기 Ⅰ 에서 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하되, ⓐ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법은 제조 단계로부터 개별한 제조 단계에서 실시될 공간적으로 제어된 반도체 공정의 사실상 어떠한 유형도 하나 이상 구비하는 하나 이상의 공정의 공간적으로 제어되는 특성, ⓑ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법의 지속시간, ⓒ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 온도, ⓓ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 압력, ⓔ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 전력, ⓕ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 기체, 액체, 고체 중 하나 이상 선택되는 것의 농도, ⓖ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 공간, ⓗ. 상기 ⓐ 내지 ⓖ 중 하나 이상 선택되는 것이 상기 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 구비되는 단계, (Ⅱ). 상기 (Ⅰ) 에서 하나 이상 선택된 방법을 하나 이상 구비하여, ①. 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로, ②. 한 방향 이상에서, ③. 하나 이상 지속적, 비지속적 중 하나 이상 선택되는 것으로, ④. 하나 이상 전체적, 부분적 중 하나 이상 선택되는 것으로, ⑤. 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로, 로 구성되는 상기 ① 내지 ⑤ 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 구비하는 것은 아래와 같은 제조방법을 구비할 수 있다. (1). 그래파인(Graphyne) 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)등을 코팅한다. (2). 마스크를 통하여 방사광의 x선을 조사한다. (3). x선이 조사된 부분의 고분자는 화학 결합이 끊어짐으로 현상액(용매)에 녹기 쉽게 된다. (4) 상부에 교차되는 장벽조정회로를 구비 한다. (5). 용매액으로 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 용해시킨다. 로 구비되는 (1) 의 제조방법, (1) 부터 (5) 로 이어지는 제조방법, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 구비하는 것은 아래와 같은 제조방법을 구비할 수 있다. (1). 기판 세정, (2). 금속증착, 레지스터 도포, (3). 노광, (4). 현상, (5). 에칭(등방성이나 이방성 에칭, 또는 습식에칭), (6). 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비, (7). 레지스터, 금속제거, (8). 그래파인(Graphyne) 코팅(또는 인쇄, 또는 전사), (9). 그래파인(Graphyne) 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)등을 코팅한다.(10). 마스크를 통하여 방사광의 x선을 조사한다. (11). x선이 조사된 부분의 고분자는 화학 결합이 끊어짐으로 현상액(용매)에 녹기 쉽게 된다. (12) 상부에 교차되는 장벽조정회로를 구비 한다. (13). 용매액으로 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 용해시킨다. 로 구비되는 (1) 부터 (9) 로 이어지는 제조방법, (1) 부터 (13) 로 이어지는 제조방법, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 구비하는 것은 아래와 같은 제조방법을 구비할 수 있다. (1). 기판 세정, (2). 금속증착, 레지스터 도포, (3). 노광, (4). 현상, (5). 에칭(등방성이나 이방성 에칭, 또는 습식에칭), (6). 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비, (7). 레지스터, 금속제거, (8). 그래파인(Graphyne) 코팅(또는 인쇄, 또는 전사), (9). 그래파인(Graphyne) 위에 절연층 등을 코팅한다., 로 구비되는 (1) 부터 (8) 로 이어지는 제조방법, (1) 부터 (9) 로 이어지는 제조방법, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 구비하는 것은 아래와 같은 포토리소그래피 제조방법을 구비할 수 있다. (1). 마스크제작, (2). 감광제 스핀코팅(양성감광막 또는 음성감광막, 여기서는 양성감광막을 주로 구비한다), (3). Soft bake, (4). 정렬(alignment)과 노출(exposure), (5). 현상(development), (6). Hard bake, (7). 식각(etching), 로 구비되는 (1) 부터 (7) 로 이어지는 제조방법을 하나 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 설명을 줄이기 위해 나노입자(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 그래파인(Graphyne), 중 하나 이상 선택되는 것)로 표기한다를 고체 기판에 규칙적으로 배열하는 데는 몇가지 방법이 있을 수 있다. (1). 나노입자를 휘발성 유기 용매에 분산시켜 기판상에서 유기 용매를 증발시켜 기판에 나노입자만 남기는 방법이다. 나노입자를 유기상에 분산시키기 위해서는 나노입자 표면을 소수성으로 할 필요가 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 도데케인싸이올의 자기-조립 단분자막(SAM)을 입자 표면에 부착시켜 소수성으로 하는 것이 좋다. (2). 기판을 수시간 나노입자 용액에 담가 놓고 기판과 나노입자의 물리적, 화학적 상호작용에 따라 나노입자를 흡착시켜 집합시키는 방법. 입자를 배열하는 기판에는 HOPG(Highly Ordered Pyrolytic Graphite)높은 열분해 흑연)나 운모가 사용된다. (3). 자장에 의한 배열로 코발트 초자성 나노입자, 산화철 초자성 나노입자, 같은 초자성 나노입자를 자장안에서 자기장의 방향에 따라 끈모양으로 집합시키는 방법. (4). 주사탐침현미경과 SAM(self-assembled monolayer) 기술을 이용한 표면을 만들 수 있다. 예를 들어, 원자힘 현미경의 탐침을 펜과 같이 이용하여 탐침으로 더 씌운 곳만 나노입자를 심는 딥펜 나노리소그래피., 로 구성되는 (1) 내지 (4) 로 설명되는 제조방법을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 shockley equation(쇼클리방정식)으로 설명되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 shockley equation(쇼클리방정식)으로 설명되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(하부에 접착층, 반데르발스 힘, 중 선택되는 것이 형성된)을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 하부에 접착층이 형성, 반데르발스 힘, 중 하나 이상 선택되는 것)을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 1). 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 하단부, 2). 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 상단부, 3). 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것 사이, 로 구성되는 상기 1) 내지 3), 중 하나 이상 선택되는 형태는 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)의 탄성회복을 도와줄 수 있는 접착층, 엘라스토머, 낮은 영률(Young's modulus)을 구비하는 층, 중 선택되는 것이 구비될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 또한 본 발명의 한 실시형태에서, 1). 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 하단부, 2). 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것 사이, 로 구성되는 상기 1) 내지 2), 중 선택되는 형태는 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)의 탄성회복을 도와줄 수 있는 접착층, 엘라스토머, 반데르발스 힘, 낮은 영률(Young's modulus)을 구비하는 층, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 상부에 부도체, 접착물질, 엘라스토머, 액체고분자, 부도체, 절연체(절연층), 중 선택되는 것이 구비되는 다층상태에서, 상기 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되어, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. 이는 도면에서 접착물질, 엘라스토머, 액체고분자, 부도체, 절연층, 중 선택되는 것이 통로로 이어지는 것을 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 도면 300은 다층상태의 300을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것에서, Fermi level(페르미레벨)은 a. 페르미 레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 공급해주면 페르미 레벨은 올라간다. b. 페르미레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공한다. c. 그래파인(Graphyne)을 공간적인 왜곡시키되 전자를 동시에 제공한다, d. 그래파인(Graphyne)을 공간적으로 왜곡시키되 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공한다, 으로 구성되는 a 내지 d 로 구성되는 것중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 적어도 하나 이상의 1 마이크로미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, b. 바람직하게는 하나 이상의 100 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, c. 바람직하게는 하나 이상의 10 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, d. 바람직하게는 하나 이상의 1 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, e. 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 하나 이상의 1 Angstrom(옹스트롬) 이상의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, 로 구성되는 상기 a 내지 e 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 탄성을 구비한다. 상기 탄성은 그래파인(Graphyne)의 고유한 성질이며, 상기 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비된 이후 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 형태변형이 되돌아 오는 것으로 의미될 수 있다. 상기 탄성은 영률(Young's modulus)를 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 접촉 면적을 증가시키는 표면 구조를 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 "표면 구조(Surface texture)"는 증가된 표면 영역에 작용상 나타나는 어떠한 형태를 총칭하여 사용할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 "표면 구조(Surface texture)"는 내적, 외적 중 하나 이상 선택되는 것으로 돌출 형상(relief feature) 또는 또 다른 표면 거칠기(surface roughness)를 하나 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 표면 거칠기(surface roughness)를 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 표면 거칠기(surface roughness)는, (a). 1 마이크로미터 rms(Root mean square) 이하의 하나 이상 선택되는 범위, (b). 100 nm rms(Root mean square) 이하의 하나 이상 선택되는 범위, (c). 10 nm rms(Root mean square) 이하의 하나 이상 선택되는 범위, (d). 1 nm rms(Root mean square) 이하의 하나 이상 선택되는 범위, (e). 0.1 nm rms(Root mean square) 이상의 하나 이상 선택되는 범위, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 영률(Young's modulus)은 0.1 MPa 이상과 50 MPa 사이, 100 Mpa 이하, 하나 이상의 5 MPa 이상, 1 MPa 이상, 0.1 MPa 이상과 100 MPa 사이, 로 구성되는 영률(Young's modulus)을 하나 이상 구비하지만, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명의 한 실시예에서, 영률(Young's modulus)은 그래파인(Graphyne)의 영률(Young's modulus)을 의미한다. 본 발명의 한 실시예에서, 영률(Young's modulus)은 그래파인(Graphyne) 또는 그래파인(Graphyne)과 상부, 하부, 중 하나 이상 선택되는 것에 구비되는 다층형태에서의 하나 이상의 영률(Young's modulus)을 구비하는 층을 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)에 비교하여 상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 상부, 하부, 중 하나 이상 선택되는 위치에 구비되는 층은 하나 이상의 그래파인(Graphyne)보다 낮은 영률(Young's modulus)을 구비하는 층으로 의미될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서 낮은 영률(Young's modulus)은 100 MPa 이하, 10 MPa 이하, 5 MPa 이하 또는 1 MPa 이하의 영률(Young's modulus)를 가진 층을 의미할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 본 발명의 한 실시예에서, 낮은 영률(Young's modulus)은 하나 이상의 층이 상기 하나 이상의 층이 구비되는, 굽힘변형시 발생하는 곡률반경의 안쪽으로 구비되는 층에 비교하여 낮은 영률(Young's modulus)을 구비하는 층으로 의미될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 낮은 영률(Young's modulus)은 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것의 상부에 구비되는 낮은 영률(Young's modulus)을 구비하는 층을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 (a). 1 마이크로미터 이하의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (b). 500 나노미터 이하의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (c). 1 마이크로미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (d). 500 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (e). 100 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (f). 10 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (g). 1 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (h). 0.1 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (h) 중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 하나 이상의 물리적 치수에 한정되지 않고 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)이 갖는 고유한 유연성은 종래 깨지기 쉬운 실리콘 기반의 전자 장치들에는 가능하지 않은 사용가능한 수많은 장치배열 위해 제공되는 다양한 형태로 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 구비되게 할 수 있다. 또한 공정가능한 구성재료들과 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되도록 한다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)은 적은 비용으로 큰 기판영역에 전자 장치들을 제조할 수 있는 인쇄 기술로 제조 가능하다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 구비하는 것은 하나 이상의 전사 프린트하는 제조방법을 하나 이상 구비하여 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 파괴점(failure point)을 특징짖는 하나 이상의 변형, 파괴점(failure point)을 특징짖는 하나 이상의 기계적 충격, 중 하나 이상 선택되는 것과 같은 심각한 변형을 유도하지 않고 구비되는 것을 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 (a). 변형률이 약 25%으로, (b). 변형률이 약 25% 미만으로, (c). 변형률이 약 10% 미만으로, (d). 바람직하게는 가해지는 변형률이 약 1% 미만으로, (e) 더욱 바람직하게는 가해지는 변형률이 약 0.5% 미만으로, 로 선택되는 상기 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 의미될 수 있으나, 일면에서 제시하는 상기 변형률은 25% 내외로 한정되지는 않으며 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하기 위한 충분한 변형률을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위는 펄스형태나 테라헤르쯔, 기가헤르쯔, 메가헤르쯔, 등의 헤르쯔 형태로 구비되거나, 펄스나 헤르쯔로부터 파생될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 간격조정하는 것으로 의미될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상 파손되지 않고 약 0.1% 이상, 약 1% 이상, 약 10% 이상, 약 25% 이상, 중 하나 이상 선택되는 것의 변형을 하나 이상 구비할 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne), 그래파인(Graphyne) 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정회로는 본 발명에서 제시하는 제조방법으로 하나 이상 패턴화할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 굽힘 역학으로 설명될 수 있으며, 상기 하나 이상의 굽힘 역학은 본 발명에서 제시, 청구하고자 하는 하나 이상의 구조의 하나 이상의 설계 및 하나 이상의 효율의 관점에 있어서 고려될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 임의의 적은 곡률반경(r)에 대한 변형이 영인 구조 또는 층(예를들어, 진공층, 에어층, 중 선택되는 층)을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 임의의 적은 곡률반경(r)의 하나 이상 위치한 기하학적 면에서부터 변형이 발생한 거리(d)로서 설명되며, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것에서, 하나 이상의 임의의 적은 곡률반경(r)의 하나 이상 위치한 기하학적 면에서부터 변형이 발생한 거리(d)로 인하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 설명되어 진다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기에서 설명하는 거리(d)는 효과적인 신장성 강성도를 가지는 합성보(또는 보, 또는 플레이트)로서 설계되어질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 구부림 모멘트<M> (하나 이상의 굽힘 에너지, 축방향 힘 F 중 하나 이상 선택되는 것)은 플레이트 이론을 통하여 하나 이상 구비하는 하나 이상의 평면밖 변위 <u>의 항으로 얻어진다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 표면 변위 <u>에 영향을 받는 변형 에너지는 <u>의 항으로 얻어진다. 더하여 상기 변위 <u>는 전체 에너지를 최소화하는 것에 의해 결정되어질 계수들과 함께 푸리에 급수로 확장된다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것에서 각각의 층에서 하나 이상의 구부림 모멘트<M>은 하나 이상의 곡률로부터 얻어지고, 하나 이상의 <u>의 2차 도함수로서 풀이된다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 기계적 변형을 도모할 수 있는 구조적 모양을 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 작동하기 전과 비교하여, 하나 이상 공간적으로 균일하지 않은 특성을 하나 이상 구비하는 적어도 하나이상의 층을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 고정 및 지지 구조(fixture)를 구비하는 제조방법은 고정확성 리프트오프 배열을 용이하게하기 위한 앵커(anchor)를 발생시키고, 이에 의해 지지 기판으로부터 폴리머 재료에 고정된 배열을 제거시키는 공정을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 유한 요소 시뮬레이션을 수행하는 데 있어서 하나 이상의 좌굴(buckling)시트의 유한 요소 모델을 만족하며, 본 발명의 한 실시예에서, 상기 유한 요소 모델은 아래와 같이 설명된다. 요소를 구비하되, 하나 이상의 8-노드, 4-노드 요소 중 선택되는 것을 가지는 요소는 유사한 버클링 변형 패턴을 나타내며, 역학적으로 독립적 방식으로 행동하기 위해 충분하게 이격되는 유한 요소 모델을 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 상부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 제조방법은 하나 이상의 특정 평면 공정 단계들, 회로 리프트오프(liftoff) 전략, 압축성 연결체 레이아웃, 장력을 인가하는 단계, 고정장치(fixture), 제조 단계로부터 개별한 제조 단계에서 실시될 공간적으로 제어된 반도체 공정의 사실상 어떠한 유형, 본 발명에서 제시하는 제조방법, 중 하나 이상 선택되는 제조방법을 구비하여 구비될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 사용될 제조방법에는 소수성영역과 친수성영역을 구분하여 캐리어 매개물로 인해 확산하는 공정을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 상부에는 경화제 없이 경화되지 않는 액체 고분자 또는 엘라스토머가 상기 하나 이상의 상부 표면에 하나 이상 구비되는 형태를 취할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 제조방법은 반도체 웨이퍼와 같은 모체 기판으로 기계적으로 결합시키는 하나 이상의 정렬 유지 소자와 함께 제공될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 정렬 유지 소자는 또한 하나 이상의 전사, 조립, 집적, 본 발명에서 제시하는 하나 이상의 제조방법 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 공정 단계 중에 반도체 소자의 선택된 패턴을 정의하는 복수의 반도체 소자의 관련된 위치 및 배향을 유지하는데 유용하다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되,
b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되,
b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자를 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자를 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되,
b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne) 상단부에 하나 이상의 접착층, 액체고분자층, 엘라스토머층, 부도체층, 절연층, 진공층, Air층(에어층), 중 하나 이상 선택되는 층을 구비하며,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 실리콘이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 실리콘, 반도체, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 실리콘, 반도체, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 반도체, 금속, 실리콘, 도체, 전도성 물질, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 구성하고, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 반도체, 금속, 실리콘, 도체, 전도성 물질, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 구성하고, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 설명되는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하되,
b. 상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로 하나 이상의 영률(Young's modulus)로서 하나 이상 구비되며,
c. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)은
상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 상단부에 하나 이상의 낮은 영률(Young's modulus)을 구비하는 층, 낮은 영률(Young's modulus)을 구비하는 전도성 물질층, 중 선택되는 층; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)은
상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 하단부에 접착층, 엘라스토머, 반데르발스 힘, 낮은 영률(Young's modulus)을 구비하는 층, 중 하나 이상 선택되는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되,
b. 하나 이상의 자성입자는 하나 이상의 Magnet(자석), 나노 Magnet(자석) 입자, 나노 Magnet(자석) 성질을 구비하는 합성물질, Magnet(자석) 성질을 구비하는 합성물질, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하며,
c. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
b. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 상기 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 하나 이상의 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하면서,
c. Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
b. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되,
c. Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비하되, 상기 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 점 접촉, 면 접촉, 둥근면접촉, 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
b. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 상기 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 하나 이상의 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 연속체 역학이 구비되어 설명되며,
c. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
상기 굽힘변형은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로
a. Beam(빔)의 굽힘변형
b. Plate(플레이트)의 굽힘변형
c. 하나 이상의 층의 굽힘변형
d. QuasisTaTic bending of beams(빔 QuasisTaTic(준정적) 굽힘)
e. QuasisTaTic bending of plaTes(판 Quasistatic(준정적) 굽힘)
f. Kirchhoff-Love theory of plates(플레이트의 키르히 호프 - 사랑 이론)
g. Mindlin-Reissner Theory of plaTes(판 Mindlin-Reissner(민드린-레이스너) 이론)
h. Dynamic bending of plaTes(동적 판 굽힘)
i. Dynamics of Thin Kirchhoff plaTes(얇은 키르히 호프 판의 역학)
j. 곡률
,로 구성되는 a 내지 j 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 대기 전력 문제를 해결하는데 있어서, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있어서,
b. 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 해결하는 것; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
a. 대기 전력 문제를 해결하는데 있어서, 하나 이상의 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있어서,
b. 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 해결하는 것; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은
a. 매개 변수
Figure PCTKR2015005119-appb-I000001
를 조절,
b. 페르미 레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 공급해주면 페르미 레벨은 올라간다,
c. 페르미레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공한다,
d. 그래파인(Graphyne)을 공간적인 왜곡시키되 전자를 동시에 제공한다,
e. 그래파인(Graphyne)을 공간적으로 왜곡시키되 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공하는 것으로 구성되는 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
b. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
c. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 간격조정하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
d. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 가깝게, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
e. 그래파인(Graphyne)이 표면 거칠기(surface roughness)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
f. 그래파인(Graphyne)이 표면 구조(Surface texture)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
g. 그래파인(Graphyne)이 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
, 로 구성되는 상기 a 내지 g 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
b. 하나 이상 물리적으로 접촉하고, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
c. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
d. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 간격조정하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
e. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 가깝게, 붙으며, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 밀접하게 붙는, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
f. 그래파인(Graphyne)이 표면 거칠기(surface roughness)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
g. 그래파인(Graphyne)이 표면 구조(Surface texture)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
h. 그래파인(Graphyne)이 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
, 로 구성되는 상기 a 내지 h 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
b. 하나 이상 물리적으로 접촉하고, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
c. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
d. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 간격조정하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
e. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 가깝게, 붙으며, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 밀접하게 붙는, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
f. 그래파인(Graphyne)이 표면 구조(Surface texture)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
g. 그래파인(Graphyne)이 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
, 로 구성되는 상기 a 내지 g 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하되, 상기 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,
a. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 데 있어서, DiscreTe charging effecTs in small sysTems(작은 시스템에서 개별 충전 효과)로서 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하되, 상기 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,
a. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)의 형태로서 설명되며, 전기적으로 하나 이상 접촉되는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하되, 상기 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,
a. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Single electron transistor(단일 전자 트랜지스터)의 형태로서 설명되며, 전기적으로 하나 이상 접촉되는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
상기 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는
CPU, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 베터리가 구비되는 전자장치, 전자부품, 전자장치, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 것; 를
구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 과제에서 설명하는 Fermi level(페르미레벨)은 (a). 전자가 체워질 확률이 1/2인 에너지 준위, (b). 절대온도 0도에서 최외각 전자가 가지는 에너지 높이, (c). 그래파인(Graphyne) 내에서 가장 약하게 속박되어 있는 에너지 준위, 로 구성되는 (a) 내지 (c) 중 하나 이상 선택되는 것의 의미를 가지는 것으로 이해된다.
본 발명의 한 실시형태에서, 쇼키 장벽(Schottky Barrier)는 금속 - 반도체 접합으로 인한 잠재적 인 에너지 에 형성된 전자에 대한 장벽을 의미한다.
본 발명의 한 실시형태에서, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자는 내향플러렌(Endohedral fullerene), 양전하입자, 음전하입자, 양과음전하입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, Piezo(피에조)는 역압전효과(converse piezoelectric effect)를 의미한다. 즉 전기장을 가해주면 기계적인 변형이 일어난다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적 준위로 인하여, 하나 이상의 자성입자가 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level(페르미레벨), 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절할때 구비되는 하나 이상의 자성입자의 하나 이상의 운동은 암페어법칙(앙페르 회로 법칙(Ampere's circuital law)) 또는 앙페르-맥스웰 방정식으로 설명될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 정전기적 준위는 헤르쯔로부터 파생되는 정전기적 준위를 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 정전기적 준위는 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 페르미레벨의 높이를 하나 이상 조절하는데 있어서, 상기 페르미레벨을 설명하는데 유용하기에 정전기적 준위를 구비하는 것으로 본 발명에서 설명하였다.
본 발명의 한 실시예에서, 정전기적 준위는 본 발명의 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는데 필요한 전기적인 힘, 전기장을 발생시킬 수 있는 어떠한 작용, 자기장을 발생시킬 수 있는 어떠한 작용, 정전기적인 어떠한 작용, 중 하나 이상 선택되는 것을 통합적으로 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 정전기적 준위는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는데 필요한 전기적인 힘, 전기장을 발생시킬 수 있는 어떠한 작용, 정전기적인 어떠한 작용, 중 하나 이상 선택되는 것을 통합적으로 의미한다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 굽힘변형으로만도 설명될 수 있지만, 그래파인(Graphyne)의 굽힘변형되는 끝단부를 위치이동이 되는 형태로도 설명할 수 있기에 자세한 설명을 보충하기 위해 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 설명하였다.
본 발명의 한 실시예에서, 페르미레벨의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하는 것을 설명하는데 유용하다.
본 발명의 한 실시예에서, 페르미레벨은 전압계로 간단히 측정될 수 있으며(본 발명의 회로 구성이 전압계로 측정가능하도록 구비가 가능한), 또한 본 발명의 한 실시예에서, 피에조(역압전효과)로 인해 온도에 민감한(준 페르미레벨)이 구비될 수 있기에 본 발명의 명세서에서는 페르미레벨을 자세히 설명하였다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하부에 구비되는 물질은 전하를갖는입자 또는 전하를띠는입자 만으로도 구비 될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 그래파인(Graphyne)의 하부에도 엘라스토머층이나 절연층이 구비되어(예를들어, 절연을 위한), 다층상태로 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를띠는입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자는 자성을 나타내는 유기 분자로 유기라디칼, 자성 금속 복합체, 단일 분자 자석, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, Work function(일함수)는 어떤 고체의 표면에서 한 개의 전자를 고체 밖으로 빼내는 데 필요한 에너지를 의미합니다.
발명의 한 실시형태에서, 그래파인(Graphyne)이 낮은 온도 상태에서 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 전도성 물질에, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 것으로 되는 것을 의미할 수 있다.
발명의 한 실시형태에서, 그래파인(Graphyne)이 낮은 온도 상태에서 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 전도성 물질에, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 것으로 되는 것을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne) 상단부에 하나 이상의 접착층, 액체고분자층, 엘라스토머층, 부도체층, 절연층, 진공층, Air층(에어층), 중 하나 이상 선택되는 층을 구비하며, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 것을 구비한다. 예를들어, 상기 설명은 진공층과 절연층이 그래파인(Graphyne)의 상단부에 동시에 구비될 수 있음을 의미한다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 그래파인(Graphyne)은 다층 그래파인(Graphyne)(멀티층 그래파인(Graphyne))을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 그래파인(Graphyne)은 그래프딘(Graphdiyne)을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 트랜지스터는 에피텍셜 성장 및 도핑 공정을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명에서 제시되는 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 주어질 때마다 상기 하나 이상 선택되는 것의 상부에 초박막이나 증착막이 같이 구비되어 있는 상태(본 발명에서 제시하는 제조방법으로)를 의미하는 것으로 해석할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 초박막이나 증착막은 10 마이크로미터 이하, 1 마이크로미터 이하, 100 나노미터 이하, 10 나노미터 이하, 중 선택되는 두께를 구비한다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 제조방법은 다양한 변형형태의 제조방법을 포함하는 것으로 의미될 수 있다. 예를들어, 증착은 열 ALD(thermal atomic layer deposition), 열 CVD(thermal chemical vapor deposition), 증발(evaporation) 법, 기상 증착 공정(chemical vapor deposition, CVD), 개시 화학 증착 공정(Initiated Chemical Vapor Deposition, iCVD), Atomic layer deposition(원자층증착), 촉매화학기상증착(catalytic chemical vapor deposition (CCVD)), 중 선택되는 증착을 의미할 수 있다. 중요한 요점은, 본 발명에서 제시하는 그래파인(Graphyne)의 대기전력문제를 그래파인(Graphyne)의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 해결하는 구조라는 점이다. 그러한 의미에서 제조방법 및 제조순서는 다양한 방법들이 사용 될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne) 상부에 절연층 또는 그래파인(Graphyne) 상부에 초박막을 구비하는데 있어서(예를들어, 단일 전자 트랜지스터를 제작하는데 있어서), 열 ALD(thermal atomic layer deposition), 열 CVD(thermal chemical vapor deposition), 증발(evaporation) 법, 기상 증착 공정(chemical vapor deposition, CVD), 개시 화학 증착 공정(Initiated Chemical Vapor Deposition, iCVD), Atomic layer deposition(원자층증착), 중 선택되는 공정을 이용할 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 상기 절연층 또는 그래파인(Graphyne) 상부에 초박막의 형성 온도는, 예컨대, 100∼400℃ 정도일 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 개시 화학 증착 공정(Initiated Chemical Vapor Deposition, iCVD)은 용매를 사용하지 않는 공정으로서, 고분자 박막의 순도를 크게 개선할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 게이트전극(교차되는 회로)과 소오스전극(그래파인(Graphyne)이 연결되는) 및 드레인전극(전도성물질)을 형성하기 위한 패터닝 공정에는 습식 식각(wet etch) 또는 리프트-오프(lift-off) 공정 등이 사용될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne) 상부에 구비된 층(진공층, 에어층, 절연층, 중 선택되는 것) 상부에 게이트전극(교차되는 회로)을 형성할 수 있다. 또는 소오스전극(그래파인(Graphyne)) 및 소오스전극 상부에 진공층, 에어층, 절연층, 중 선택되는 것 및 측면에 드레인전극(전도성물질)을 형성하고 게이트전극(교차되는 회로)이 상부에 형성 될수 있다. 게이트전극(교차되는 회로) 및 드레인전극(전도성물질)은 금속이나 금속화합물로 형성할 수 있다. 상기 금속은 예컨대, Au, Cu, Ni, Ti, Pt, Ru, Pd 등으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있고, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 상기 금속화합물은, 예컨대, 도전성 금속산화물 또는 금속합금일 수 있다. 게이트전극(교차되는 회로)은 그래파인(Graphyne)을 포함할 수도 있다. 드레인전극(전도성물질) 또한 적어도 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 포함할 수 있다. 드레인전극(전도성물질)은 게이트전극(교차되는 회로)과 동일한 물질로 형성하거나, 다른물질로 형성할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 구비하는 것은 아래와 같은 제조방법을 구비할 수 있다. (1). 기판 세정, (2). 금속증착, 레지스터 도포, (3). 노광, (4). 현상, (5). 에칭(등방성이나 이방성 에칭, 또는 습식에칭), (6). 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비, (7). 레지스터, 금속제거, (8). 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)이 코팅된 그래파인(Graphyne) 전사(또는 인쇄) 후 패터닝, (9). 그래파인(Graphyne) 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)등을 코팅한다.(또는 9번 공정에서 PMMA대신 절연층을 증착한다) (10). 상부에 교차되는 장벽조정회로를 구비 한다. (11). 용매액(실 예로, 아세톤)으로 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 모두 용해시킨다. 로 구비되는 (1) 부터 (9) 로 이어지는 제조방법, (1) 부터 (11) 로 이어지는 제조방법, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 구비하는 것은 아래와 같은 제조방법을 구비할 수 있다. (1). 기판 세정, (2). 금속증착, 레지스터 도포, (3). 노광, (4). 현상, (5). 에칭(등방성이나 이방성 에칭, 또는 습식에칭), (6). 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비, (7). 레지스터, 금속제거, (8). 그래파인(Graphyne)을 용매에서 분산시켜 분산액을 제조하는 단계; 상기 분산액을 코팅 후 열(또는 상온에서)로 증발시키는 단계;그 이후 패터닝 공정을 구비한다, (9). 그래파인(Graphyne) 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)등을 코팅한다(또는 9번 공정에서 PMMA대신 절연층을 증착한다). (10). 상부에 교차되는 장벽조정회로를 구비 한다. (11). 용매액(실 예로, 아세톤)으로 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 용해시킨다. 로 구비되는 (1) 부터 (9) 로 이어지는 제조방법, (1) 부터 (11) 로 이어지는 제조방법, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 상부에 구비된 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 구비하는 것은 아래와 같은 제조방법을 구비할 수 있다. (1). 기판 세정, (2). 금속증착, 레지스터 도포, (3). 노광, (4). 현상, (5). 에칭(등방성이나 이방성 에칭, 또는 습식에칭), (6). 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비, (7). 레지스터, 금속제거, (8). 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)이 코팅된 그래파인(Graphyne) 전사(또는 인쇄) 후 패터닝, (9). 그래파인(Graphyne) 위에 절연층을 구비한다(예를들어, 증착). (10). 상부에 교차되는 장벽조정회로를 구비 한다. (11). 용매액(예로, 아세톤)으로 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 모두 용해시킨다. 로 구비되는 (1) 부터 (9) 로 이어지는 제조방법, (1) 부터 (11) 로 이어지는 제조방법, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 상부에 구비되는 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 구비하는 것은 나노 임프린트 리소그래피 공정을 구비하여 구비될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 절연층, PMMA층 및 레지스트층은 스핀코팅법을 이용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명에서 제시되는 교차회로가 구비되는 것이 주어질 때마다 기본적으로 교차회로 하부에 (a). 절연층, 또는 (b). 진공층, 에어층 중 선택되는 것과 절연층이 구비된 것, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (b) 중 선택되는 것;을 의미할 수 있으며, 더하여 CMOS를 구비하는 공정이 선택적으로 사용될 수 있으나, 발명의 요지가 너무 복잡해져서 흐려질 것을 염려하여 기재하지는 않았다.
본 발명의 한 실시형태에서, 그래파인(Graphyne)의 상부 또는 하부에 진공층을 형성하기 위한 희생층은 아세톤, 벤젠 또는 클로로포름 등 유기용매에 용해되는 물질로 이루어질 수 있다. 따라서, 유기용매를 사용하는 경우, 상기 희생층은 제거될 수 있다. 일 예로, 상기 희생층은 PMMA(poly-methylmethacrylate)층일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 유기용매에 녹는 물질이라면 어느 것이든 가능할 수 있다
본 발명의 한 실시형태에서, 드레인 전극(전도성물질), 게이트전극(교차되는 장벽조정회로), 소오스전극(그래파인(Graphyne)에 연결된)은 각각 독립적으로 Au, Al, Ag, Be, Bi, Co, Cu, Cr, Hf, In, Mn, Mo, Mg, Ni, Nb, Pb, Pd, Pt, Rh, Re, Ru, Sb, Ta, Te, Ti, V, W, Zr, 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다. 이때, 혼합금속으로 전극을 구성할 경우, 합금이거나 경우에 따라, 접합된 형태로 적용할 수도 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 그래파인(Graphyne)과 연결되는 소오스전극 및 드레인전극은 또한 상기 일면에서 제시하는 재질 이외에, 그래파인(Graphyne)을 구비할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 트랜지스터는 본 발명의 제조방법에 선택적으로 포함그룹으로 구비되는, 그래파인(Graphyne)의 상부 또는 하부의 위치에, 절연층을 구비하는 단계에서, 선택적으로 화학적 기계적 연마 (chemical mechanical polishing(CMP)) 를 이용하여 상기 절연층의 두께를 바람직한 수준인 예를 들어, 약 5 나노미터에서 100 나노미터 정도가 되도록 줄이기 위하여(또는 평탄하게 만들기 위하여) 연마되는 제조방법을 추가로 더 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명에서 PMMA층을 용해하는 제조공정이 제시되는 때에는 예를들어, (1). 아세톤이 PMMA층으로 흘러들어갈 수 있는 통로를 확보(예를들어, 식각, 이온빔 등)하고, (2). PMMA층을 용해한 후 (3). 통로를 다시 매꾸는(예를들어, 증착) 제조공정이 부분적으로 전부기재 될 수 있으나 본 발명의 제조공정의 설명에는 자세히 다 기재하지는 않았지만 기재된 것으로 이해할 수 있다(명세서가 너무 복잡해지는 것을 방지하기 위하여).
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 트랜지스터의 구조를 제조하는 제조공정이 있어서, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 단계 후 박막을 구비(또는 증착) 하는 공정이 선택적으로 추가되는 공정순서가 기재 될 수 있으나 본 발명의 제조공정의 설명에는 자세히 다 기재하지는 않았지만 기재된 것으로 이해 할 수 있다(명세서가 너무 복잡해지는 것을 방지하기 위하여).
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 트랜지스터는 그래파인(Graphyne)과 그래파인(Graphyne)의 상부층의 장벽조정회로를 분리하여 제조하는 단계와 그 다음 페이스 투 페이스(웨이퍼 결합 프로세스)들을 구비하여 그래파인(Graphyne)의 굽힘변형을 통하여 하나 이상의 Fermi Level(페르미레벨)의 높이조절, 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이조절, 중 하나 이상 선택되는 것의 그래파인(Graphyne) 회로와 장벽조정회로를 통합하는 단계를 포함하는 3D 통합방법을 사용한다. 상기 3D 통합방법은 그래파인(Graphyne)과 그래파인(Graphyne)의 상부층의 장벽조정회로를 분리하여 제조한 다음 나중에 그 둘을 페이스 투 페이스(웨이퍼 결합 프로세스)에서 통합하는 공정을 의미한다.
발명의 한 실시형태에서, 소스층 (그래파인(Graphyne)과 연결되는 좌측부-소스) 은, 메탈로 구성되며, (A). 드레인층 (그래파인(Graphyne)과 물리적으로 갭(여기서는 높낮이-페르미레벨의 높이조절을 의미한다)이 구비되어 있는 우측부-드레인) 은 추후 웨이퍼 결합 단계에서 접착(adhesion) 이 가능한 구리 (Cu) 로 구성된다(물론, 그래파인(Graphyne) 또는 다른 메탈이 구비되고 장벽조정회로 웨이퍼와 컨텍부분만 Cu로 구비가 가능하다), (B). 드레인층 (그래파인(Graphyne)과 쇼키 장벽(Schottky Barrier)을 구성하기 위한 우측부-드레인은 실리콘, 또는 반도체로 그래파인(Graphyne)과 쇼키 장벽(Schottky Barrier)을 구성하고-페르미레벨의 높이조절로도 의미될 수 있다) 그 후에, 실리콘 또는 반도체에 구리 (Cu)가 구비된다(추후 웨이퍼 결합 단계에서 접착(adhesion) 이 가능한), (C). 드레인층 (그래파인(Graphyne)과 쇼키 장벽(Schottky Barrier)을 구성하기 위한 우측부-드레인은 실리콘, 또는 반도체가 그래파인(Graphyne)과 물리적인 갭을 구비하며(여기서는 높낮이-페르미레벨의 높이조절을 의미한다) 쇼키 장벽(Schottky Barrier)을 구성하고) 그 후에, 실리콘 또는 반도체에 구리 (Cu)가 구비된다(추후 웨이퍼 결합 단계에서 접착(adhesion) 이 가능한), 로 구성되는 (A) 내지 (C) 중 선택되는 것을 구비한다.
따라서, 상기 메탈은 그래파인(Graphyne)층(들)의 노출된 부분들과 그래파인(Graphyne)과 연결되는 좌측부-소스, 드레인, 중 하나 이상 선택되는 위치에 컨택한다. 소스층은 전자빔 증착 (e-beam evaporation) 과 스퍼터링(sputtering) 을 이용하여 두께가 약 1 나노미터에서 100 나노미터정도가 되도록 증착되고, 드레인층(Cu)은 전기화학적 증착을 이용하여 두께가 약 5 나노미터에서 800 마이크로미터 (μm) 정도가 되도록 증착될 수 있다. 이 후 (a). 절연층 증착(증발(evaporation) 법, 열 ALD(thermal atomic layer deposition), 열 CVD(thermal chemical vapor deposition), 기상 증착 공정(chemical vapor deposition, CVD), 개시 화학 증착 공정(Initiated Chemical Vapor Deposition, iCVD), Atomic layer deposition(원자층증착), 중 선택되는 제조방법)을 사용하여 상기 그래파인(Graphyne)(또는 그래파인(Graphyne) 패턴화가 추가될 수 있으나 간략한 설명을 위해 설명하지 않았음-패턴된 그래파인(Graphyne))/기판 위에 증착된다), (b). 화학적 기계적 연마 (chemical mechanical polishing(CMP)) 를 이용하여 여분의 메탈을 제거하고 상기 절연층의 두께를 바람직한 수준인 예를 들어, 약 5 나노미터에서 100 나노미터 정도가 되도록 줄이기 위하여 연마된다, 또는 (a). PMMA drop-coating(드랍코팅)(또는 spin-coating(스핀코팅)), (b). 절연층 증착(증발(evaporation) 법, 열 ALD(thermal atomic layer deposition), 열 CVD(thermal chemical vapor deposition), 기상 증착 공정(chemical vapor deposition, CVD), 개시 화학 증착 공정(Initiated Chemical Vapor Deposition, iCVD), Atomic layer deposition(원자층증착), 중 선택되는 제조방법), (c). 화학적 기계적 연마 (chemical mechanical polishing(CMP)) 를 이용하여 여분의 메탈을 제거하고 상기 절연층의 두께를 바람직한 수준인 예를 들어, 약 5 나노미터에서 100 나노미터 정도가 되도록 줄이기 위하여 연마된다, (d). PMMA층 용해하여 진공층 형성(방법은 일면에서 설명하였음), 로 구성되는 공정순서를 구비할 수 있다. 상기 일면에서 제시하는 방법을 '그래파인(Graphyne) 웨이퍼'라 명한다. 이 후, 그래파인(Graphyne) 웨이퍼와 장벽조정회로 웨이퍼 를 통합하는데 사용되는 페이스 투 페이스(face to face) 결합방식을 사용한다. 장벽조정회로 웨이퍼는 그래파인(Graphyne) 웨이퍼와 페이스 투 페이스(face to face) 결합을 하기 위하여 뒤집어져 있다. 이와 달리 그래파인(Graphyne) 웨이퍼가 장벽조정회로 웨이퍼와 페이스 투 페이스(face to face) 결합을 하기 위하여 뒤집어질 수도 있다
상기, 두 웨이퍼들의 대응하는 소스와 드레인 메탈 컨택들 사이에는 구리 대 구리 결합으로 결합되어 있다. 일반적인 결합 온도는 400°C 이하이다. 그러므로, 상기 디바이스들은 상기 프로세스 동안에 파괴되지 않는다. 발명의 한 실시형태에서, 구리 대 구리 결합 대신에 400°C 근처로 결합되는 전도성 물질이 사용될 수 있다.
3D 통합은 본 발명에서 제시하는 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로를 위한 패키징과 집적회로 기술의 갭을 충족하기 위한 매우 유망한 기술이다. CMOS 디바이스 층들을 쌓는 기술은 알려져 있다. 3D 통합기술 은 스케일링 없이도 시스템의 성능을 향상시킬 수 있는 새로운 방법이 될 수 있다. 또한, 그래파인(Graphyne)내에서 이동성이 매우 높은 캐리어들과 함께, 인터커넥트들의 기생저항과 기생용량이 전체 회로의 성능을 결정하는데 더욱 중요하게 될 것이다. 이런 관점에서, 3D 통합은 본 발명에서 제시하는 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로들에 큰 장점을 제공한다. 그러한 장점들로는 (a) 전체 배선길이의 감소 및 그로 인한 인터커넥트 지연시간의 감소, (b) 칩들간 인터커넥트들의 현저한 증가 그리고 (c) 이질적인 (dissimilar) 재료들, 프로세스 기술들 및 기능들의 통합 능력 등을 포함한다.
따라서, 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로들을 생산하기 위한 본 발명 기술의 장점들에는 다음과 같다: 1) 전술한 방법들을 포함하여, 광범위하게 다양한 방법들에 의해서 그래파인(Graphyne)이 구비될 수 있다. 2) 탄소재료들로부터의 잠재적 오염 없이 표준 클린룸 (standard clean-room) 시설에서 장벽조정회로가 포함된 복합회로(예를들어, 장벽조정회로(CMOS 회로))가 사전 제조될 수 있다. 3) 페이스 투 페이스(웨이퍼 결합 프로세스)에서의 정렬 (alignment) 은 그래파인(Graphyne)과 대기전력문제를 하나 이상의 Fermi Level(페르미레벨)의 높이조절, 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이조절, 중 하나 이상 선택되는 것들이 하나 이상 구비되는 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로에 있어서, 항상 회로의 바람직한 위치에 결합되게 해 준다. 4) 프로세스 중의 온도, 습식 식각, 가스 분위기 (gas ambient) 와 같이 기존 CMOS 디바이스(예를들어, 장벽조정회로 웨이퍼)에서 요구되는 것들이 여전히 유지될 수 있는데 그 이유는 그래파인(Graphyne)과 대기전력문제를 하나 이상의 Fermi Level(페르미레벨)의 높이조절, 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이조절, 중 하나 이상 선택되는 것들이 하나 이상 구비되는 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로가 다른 기판에서 별도로 제조되기 때문이다. 5) 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로들의 경우 인터커넥트들에 의해 지배되는, 회로 지연시간이 상당히 감소된다.
더하여, 상기 그래파인(Graphyne) 웨이퍼와 (구리 대 구리(copper-to-copper)) 결합된 장벽조정회로 웨이퍼는 일정이상 제거한 후, 구조상에 추가적인 디바이스, 메탈층, 중 하나 이상 선택되는 것이 제조될수 있다. 또는 장벽조정회로 웨이퍼와 (구리 대 구리(copper-to-copper))결합된 그래파인(Graphyne) 웨이퍼에서도 추가적인 디바이스, 메탈층, 중 하나 이상 선택되는 것이 제조될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 일면에서 제시하는 페이스 투 페이스(face to face) 결합방식에 있어서, 두 웨이퍼들의 대응하는 소스와 드레인 메탈 컨택들 사이를 제외한 나머지 부분(예를들어, CMP 공정을 거친 절연층)중 선택되는 부분에는 접착층, 접착제, 접착전구체, 반데르발스 힘, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비될 수 있다. 발명의 한 실시형태에서, 반데르발스 힘 대신에 표면장력, 계면장력, 중 선택되는 힘이 대체되어 구비될 수 있다. 발명의 한 실시형태에서, 상기 접착층은 접착제, 진동접착, 열접착, 반도체 공정의 분위기 안에서 접착을 할 수 있는 일련의 공정으로 제시되는 접착, 중 선택되는 것을 의미한다.
본 발명의 한 실시형태에서, 상기 소스와 드레인 메탈 컨택은 구리가 한쪽 웨이퍼에 모두 구비되거나, 양쪽 웨이퍼에 나눠서 구비되어 컨택되는 구조를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명에서 제시하는 그래파인(Graphyne)을 구비하는 방법에 있어서, (a) 단층 그래파인(Graphyne) 또는 다층 그래파인(Graphyne)층 상에 자기-조립 단분자막(SAM)을 부착하는 단계; (b) 상기 자기-조립 단분자막(SAM)을 마스크로 이용하여 상기 단층 그래파인(Graphyne) 또는 다층 그래파인(Graphyne)층을 식각하는 단계; (d). 자기-조립 단분자막(SAM)을 제거(예를들어, 용매로 세척), 로 구성되는 상기 (a) 내지 (d) 의 방법을 본 발명의 제조방법에 부분적으로 포함할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서, 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것의 끝점(변형되는 가장 높은 위치에 있는 형태, 예를들어 그래파인(Graphyne)의 변형형태인 언덕(hill)의 가장 꼭지점)은 양자점(Quantum dot)으로서 이해되어 활용 될 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것의 끝점(변형되는 가장 높은 위치에 있는 형태, 예를들어 그래파인(Graphyne)의 변형형태인 언덕(hill)의 가장 꼭지점)은 그래파인(Graphyne) 상부에 (1). 초박막, (2). 증착막, (3). 초박막이나 증착막이 구비된 후 패터닝된 초박막이나 증착막의 양자점, (4). 패터닝된 그래파인(Graphyne)의 양자점, 중 선택되는 것이 구비된 후(본 발명에서 제시하는 제조방법으로), 상기 초박막, 증착막, 초박막이나 증착막이 구비된 후 패터닝된 초박막이나 증착막의 양자점, 패터닝된 그래파인(Graphyne)의 양자점, 중 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)의 상부에 같이 구비되어 있는 상태에서의 변형으로 구비되는 가장 높은 꼭지점인 양자점(Quantum dot)으로서도 이해되어 활용 될 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 그래파인(Graphyne)의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것의 변형의 가장 상위부분의 끝부분이 양자점(Quantum dot)으로 이해되어 지는 것은 패터닝된 그래파인(Graphyne), 패터닝된 그래파인(Graphyne)의 양자점, 중 선택되는 것의 변형으로 구비되는 가장 높은 꼭지점인 양자점(Quantum dot)으로서도 이해되어 활용 될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 트랜지스터는 그래파인(Graphyne) 위에 그래파인(Graphyne)의 양자점(Quantum dot)을 구비하기 위하여, <1>. 그래파인(Graphyne)의 상부에 그래파인(Graphyne)을 전사한 후 패터닝하거나, 패터닝된 그래파인(Graphyne)을 전사하여 그래파인(Graphyne)의 양자점(Quantum dot)을 구비, 또는 <2>. (1). 그래파인(Graphyne) 구비, (2). 패터닝, (4). 그래파인(Graphyne)의 양자점(Quantum dot)을 구비, 로 구성되는 상기 <1> 내지 <2>의 제조방법을 구비하여 그래파인(Graphyne)의 양자점(Quantum dot)을 구비할 수 있다. 그 이후, 발명의 한 실시형태에서, 페이스 투 페이스 결합방식을 사용하여(다른 형태의 제조방법이 사용될 수 있음), 그래파인(Graphyne)의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 그 변형의 가장 상위부분의 끝부분이 양자점(Quantum dot)으로 구비되는 트랜지스터를 구비한다.
본 발명의 한 실시형태에서, 그래파인(Graphyne)의 상부에 패터닝된 그래파인(Graphyne), 패터닝된 그래파인(Graphyne)의 양자점, 중 선택되는 것을 구비하는 것은 본 발명에서 기본적으로 제시하는 그래파인(Graphyne)의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것에서의 상기 그래파인(Graphyne)에 포함되는 의미로 해석될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 단일전자트랜지스터는 소비전력을 매우 낮출 수 있으므로 베터리의 사용시간을 현저히 늘릴 수 있으며, 그러함으로 인하여 베터리의 크기도 현저히 줄일 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 그래파인(Graphyne) 회로구성은 3차원적인 회로구성이 평면에서 이루어지는 2차원적인 회로로도 의미될 수 있다.(예를들어, 3차원적인 구성이 평면에 2차원적인 층으로 이루어지는 구조-눕혀서 본다고 생각하면 이해가 쉽다)
본 발명의 한 실시형태에서, 일면에서 설명하는 상기 절연층은 그래파인(Graphyne) 상부에 AIR갭, 진공갭, 접착층, 중 선택되는 것을 하나 이상 포함하는 것으로 의미된다.
본 발명의 한 실시형태에서, 일면에서 설명하는 상기 절연층은 그래파인(Graphyne)의 대기전력문제를 해결하는 하나 이상의 Fermi Level(페르미레벨)의 높이조절, 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이조절, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 회로구성을 하나 이상 포함하는 것으로 의미된다.
본 발명의 한 실시형태에서, 일면에서 설명하는 상기 절연층은 그래파인(Graphyne)의 굽힘, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 영률로서 조절할 수 있는 층을 통합적으로 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 일면에서 설명하는 상기 절연층은 접착층, 엘라스토머층, 부도체층, 절연층, 중 선택되는 것을 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 일면에서 설명하는 상기 절연층은 접착층, 엘라스토머층, 부도체층, 절연층, 중 선택되는 것을 의미할 수 있되, 그래파인(Graphyne)의 굽힘, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 영률로서 조절할 수 있는 층을 통합적으로 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 일면에서 설명하는 절연층은
a. 접착층, 엘라스토머층, 부도체층, 절연층, 중 선택되는 것
b. 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 영률로서 조절할 수 있는 층
c. AIR층, 진공층, 접착층, 절연층 중 선택되는 것을 포함하고 있는 절연층
d. 박막층을 포함하고, 박막층 상부에 AIR층, 진공층, 중 선택되는 것을 더 포함하고 있는 절연층
,로 구성되는 상기 a 내지 d 중 하나 이상 선택되는 층을 의미하는 단계; 를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 방법에는 본 발명의 명세서에서 제시하는 방법을 하나 이상 조합하여(예를들어, 인쇄와 부유) 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 장벽조정회로의 위치는 그래파인(Graphyne)의 상부에 있는 것을 원칙적으로 표한하였지만, 그래파인(Graphyne)의 하부에도 구비될 수 있으며, 그래파인(Graphyne)의 하부에 구비되어, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 상부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 장벽조정회로의 위치는 그래파인(Graphyne)의 상부 또는 하부 또는 측면, 중 선택되는 장소에 위치할 수 있으며, 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로와 이루는 각도는 수평상태에서 0도 내지 90의 각도, 또는 수직상태에서 기울기를 갖으며 구비하는 각도, 등을 구비할 수 있다. 중요한 요점은 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는데 있어서, 도면에서 보았을때 하부라 표현하였지만 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 상부에 하나 이상 구비되어 그래파인(Graphyne)이 하부로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다. 또한 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 측면에 하나 이상 구비되어 그래파인(Graphyne)이 반대되는 측면으로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다. 또한 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 측면 및 하부에 하나 이상 구비되어 그래파인(Graphyne)이 측면 및 하부로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다. 따라서, 본 발명에서 본 발명의 한 실시예적으로 (하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하부(또는 하단부)에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 표현하는 것은 1). 그래파인(Graphyne)의 상부, 하부, 측면, 중 선택되는 위치를 의미하는 것, 2). 장벽조정회로가 그래파인(Graphyne)의 상부, 하부, 측면, 중 선택되는 위치로 구비되는 것, 3). 장벽조정회로가 그래파인(Graphyne)의 Fermi Lever의 높이를 같이 조절할 수 있는 위치이며, 더하여 (하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 그래파인(Graphyne)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있는 것, 4). (하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 그래파인(Graphyne)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있는 것, 5). (하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 그래파인(Graphyne)의 상부, 하부, 측면, 중 선택되는 위치로 구비되는 것, 6). 장벽조정회로가 그래파인(Graphyne)과 (하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)의 상부, 하부, 측면, 중 선택되는 위치에 구비되는 것, 7). 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있는 위치에 장벽조정회로가 구비되는 것, 8). 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는데 있어서, 굽힘변형되되, 굽힘변형되는 외각부의 반사적 굽힘변형부나, 외각부의 반사적 위치이동부를 구비할 수 있는 위치에 구비되는 것, 9). 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있는 위치에 장벽조정회로가 구비되되, 굽힘변형되는 외각부의 반사적 굽힘변형부나, 외각부의 반사적 위치이동부를 구비하는 구성인 것, 10). (하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 그래파인(Graphyne)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는데 있어서, 굽힘변형되되, 굽힘변형되는 외각부의 반사적 굽힘변형부나, 외각부의 반사적 위치이동부를 구비할 수 있는 위치에 구비되는 것, 로 구성되는 상기 1) 내지 10), 중 하나 이상 선택되는 것 또는 상기 1) 내지 10), 중 하나 이상 선택되는 것의 구성상황을 포함할 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 중요한 요점은 그래파인(Graphyne)이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것이다.
본 발명에서 본 발명의 한 실시예적으로 (하나 이상의 Piezo(피에조) 물질)이 하부(또는 하단부)에서, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 표현하는 것은 1). 그래파인(Graphyne)의 상부, 하부, 측면, 중 선택되는 위치를 의미하는 것, 2). 장벽조정회로가 그래파인(Graphyne)의 상부, 하부, 측면, 중 선택되는 위치로 구비되는 것, 3). (하나 이상의 Piezo(피에조) 물질)이 그래파인(Graphyne)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있는 것, 4). (하나 이상의 Piezo(피에조) 물질)이 그래파인(Graphyne)의 상부, 하부, 측면, 중 선택되는 위치로 구비되는 것, 5). 장벽조정회로가 그래파인(Graphyne)과 (하나 이상의 Piezo(피에조) 물질)의 상부, 하부, 측면, 중 선택되는 위치에 구비되는 것, 6). 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질이 그래파인(Graphyne)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있는 위치에 장벽조정회로가 구비되는 것, 로 구성되는 상기 1) 내지 6), 중 하나 이상 선택되는 것 또는 상기 1) 내지 6), 중 하나 이상 선택되는 것의 구성상황을 포함할 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 중요한 요점은 그래파인(Graphyne)이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것이다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명에서 제시되는 교차회로(또는 교차되는 장벽조정회로)가 구비되는 것이 주어질 때마다 기본적으로 교차회로(또는 교차되는 장벽조정회로) 하부에 (a). 절연층, 또는 (b). 진공층, 에어층 중 선택되는 것과 절연층이 구비된 것, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (b) 중 선택되는 것;을 의미할 수 있으며, 더하여 교차회로에 CMOS 회로를 구비하는 공정이 선택적으로 사용될 수 있으나, 발명의 요지가 너무 복잡해져서 흐려질 것을 염려하여 기재하지는 않았다. 본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명에서 제시되는 교차회로(또는 교차되는 장벽조정회로)는 그래파인(Graphyne)층 하부에 구비될 수 있으며, 예를들어, 1). 절연층/그래파인(Graphyne)/자성입자/절연층(또는 기판층)/장벽조정회로, 2). 절연층/진공층/그래파인(Graphyne)/자성입자/절연층(또는 기판층)/장벽조정회로, 3). 절연층/그래파인(Graphyne)/전하를갖는입자/절연층(또는 기판층)/장벽조정회로, 4). 절연층/진공층/그래파인(Graphyne)/전하를갖는입자/절연층(또는 기판층)/장벽조정회로의 순서를 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명에서 제시하는 각각의 제조공정에는 공정 시작전에 화학적 기계적 연마 (chemical mechanical polishing(CMP) 제조공정이 이 선택적으로 추가될 수 있다(두께 및 평탄도를 바람직한 수준으로 조절하기 위하여).
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 트랜지스터는 그래파인(Graphyne)과 그래파인(Graphyne)의 상부층의 장벽조정회로를 분리하여 제조하는 단계와 그 다음 페이스 투 페이스(웨이퍼 결합 프로세스)들을 구비하여 하나 이상의 Fermi Level(페르미레벨)의 높이조절, 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이조절, 중 하나 이상 선택되는 것의 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로와 장벽조정회로를 통합하는 단계를 포함하는 3D 통합방법을 사용한다. 상기 3D 통합방법은 그래파인(Graphyne)과 그래파인(Graphyne)의 상부층의 장벽조정회로를 분리하여 제조한 다음 나중에 그 둘을 페이스 투 페이스(웨이퍼 결합 프로세스)에서 통합하는 공정이다. 본 발명의 한 실시형태에서, (1). 하나 이상의 Fermi Level(페르미레벨)의 높이조절, 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이조절, 중 하나 이상 선택되는 것의 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로와 장벽조정회로를 구비하고 (2). CMOS 웨이퍼를 분리하여 제조한 다음 나중에 그 둘을<(1)과(2)를> 페이스 투 페이스(웨이퍼 결합 프로세스)에서 통합하는 제조방법을 구비할 수 있음은 물론이다. 또는, 본 발명의 한 실시형태에서, (1). 하나 이상의 Fermi Level(페르미레벨)의 높이조절, 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이조절, 중 하나 이상 선택되는 것의 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로를 구비하고, (2). CMOS 웨이퍼를 분리하여 제조한 다음 나중에 그 둘을 <(1)과(2)를> 페이스 투 페이스(웨이퍼 결합 프로세스)에서 통합하는 제조방법 이후, (3). 상기 페이스 투 페이스 결합으로 뒤집어서 결합 후, 그래파인(Graphyne) 회로가 구비되어 있는 기판(1)에 장벽조정회로를 형성할 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 페이스 투 페이스 결합방법은 여러 단계들을 추가 포함할 수 있으나, 기본적으로 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로 웨이퍼를 구비, CMOS 웨이퍼를 구비, 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로 웨이퍼와 CMOS 웨이퍼를 페이스 투 페이스 결합하는 단계를 수행하는 것이다. 상기 단계에서 장벽조정회로는 1) 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로 웨이퍼에 구비, 2) CMOS 웨이퍼에 구비, 3) 페이스 투 페이스 결합이후, 그래파인(Graphyne) 굽힘 회로 웨이퍼 또는 CMOS 웨이퍼에 구비, 로 구성되는 1) 내지 3) 중 선택되는 위치에 구비된다.
본 발명의 한 실시형태에서, 제 1 웨이퍼 및 제 2 웨이퍼는, 상기 제 1 웨이퍼를 상기 제 2 웨이퍼와 페이스 투 페이스 결합을 수행하되, 측면 대 측면으로 결합하는 방법을 구비할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 트랜지스터는 그래파인(Graphyne) 기반의 회로와 장벽조정회로(CMOS 회로)를 모두 갖는 반도체 디바이스를 의미할 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 "(◆트랜지스터에서의 Fermi level(페르미레벨)◆)"을 하나 이상 구비한다. 상기 (◆트랜지스터에서의 Fermi level(페르미레벨)◆)은 아래와 같이 설명된다.
(001-001). Fermi level(페르미레벨)
(001-001-01). 페르미 레벨은 전자 (또는 전자에 대한 전기 화학 전위)의 총 화학 포텐셜이며 일반적으로 μ 또는 EF로 표시됩니다.
(001-001-02). 신체의 페르미 레벨은 열역학적 양이며, 그 의미는 (그것이 나온 곳에서 전자를 제거하는 데 필요한 작업을 계산하지 않음) 본체에 전자를 하나 추가 할 필요 열역학적 일입니다.
(001-001-03). 페르미 레벨 방법에 대한 정확한 이해는 다음과 같이 설명됩니다, 전자 밴드 구조는 전압과 관련이 있습니다. 더하여 전자 성질을 결정하는 전하의 흐름은 고체 물리학의 이해에 필수적이며, 회로 전자에서 페르미 레벨은 열역학적 평형이, 에너지 레벨이 임의의 주어진 시간에 점유되는 50 %의 확률을 가질 것으로, 전자의 가상의 에너지 레벨로 간주 될 수 있습니다.
(001-001-04). 페르미 레벨은 반드시 실제 에너지 레벨 (절연체에 페르미 준위가 밴드 갭에 달려있다)에 대응하지 않으며, 심지어 밴드 구조의 존재를 요구합니다.
(001-001-05). 그럼에도 불구하고, 페르미 레벨은 정확하게 열역학적 양으로 정의되며, 페르미 레벨의 차이는 전압계로 간단히 측정 할 수 있습니다.
(001-002). 페르미 레벨과 전압
(001-002-01). 전자 회로의 과도하게 단순화 된 설명으로는 전류는 정전기 전위(electrostatic potential)의 차이에 의해 구동되는 것으로 알려져 있습니다, 하지만 정확한 설명은 아래에서 설명됩니다.
(001-002-02). 분명히, 정전기 전위(electrostatic potential)가 물자의 전하의 흐름에 영향을 미치는 유일한 요인은 아닙니다 파울리 반발 및 열 효과 또한 중요한 역할을 합니다.
(001-002-03). 사실, 전자 회로에서 측정 한 "전압"이라고 하는 양은 단순히 전자 (페르미 레벨)를 위한 화학 포텐셜에 관한 것입니다.
(001-002-04). 전압계의 리드가 회로의 두 지점에 연결되어 있는 경우, 표시되는 전압은 전하의 작은 양이 다른 한 지점에서 유동 할 수 있도록 하여 구하는, 단위 비용 당 얻을 수있는 전체 작업의 기준입니다.
(001-002-05). 간단한 와이어 (단락을 형성) : 서로 다른 전압의 두 지점 사이에 접속되는 경우, 전류는 열로 가능한 업무를 변환 네거티브 전압에 포지티브 전압(positive voltage to negative voltage)으로부터 흐를 것입니다.
(001-002-06). 신체의 페르미 레벨은 그것에 전자를 추가하는 데 필요한 작업을 표현하거나 전자를 제거하는데 필요한 작업을 의미합니다.
(001-002-07). 따라서, 관찰 된 차이는 화학식으로 페르미 레벨 - 다른 - (μB-μA) 전자 회로에서, 두 지점 "A"와 "B"사이의 전압 (VA-VB)가 정확히 대응 차이에 관련되어 아래와 같이 설명됩니다,
Figure PCTKR2015005119-appb-I000002
(001-002-08). 여기서 -e 는 전자 충전 입니다.
(001-002-09). 간단한 경로가 제공되는 경우 위의 논의에서 그것은 전자가 낮은 μ (고전압)에 높은 μ (낮은 전압)의 신체에서 움직일 것이다는 것을 알 수 있습니다.
(001-002-10). 전자의 이 흐름은 낮은 μ가 (충전 또는 다른 반발 효과 때문에) 증가의 원인이 될 수 있고, 마찬가지로 높은 μ가 감소하게 되는 원인이 됩니다.
(001-002-11). 결국, μ는 두 기관(both bodies)에서 같은 값으로 정착됩니다.
(001-002-12). 이 평형 전자 회로 (해제) 상태에 관한 중요한 사실에 이르게합니다(아래설명) :
(001-002-13). 열역학적 평형 상태에서의 전자 회로는, 그 접속 부분에 걸쳐 일정한 페르미 레벨을 갖습니다.
(001-002-14). 이것은 또한 임의의 두 점 사이 (전압계로 측정) 전압이 평형에서는 0이 되는 것을 의미합니다.
(001-003-01). 페르미 레벨과 밴드 구조
(001-003-02). 금속 및 반 금속에서 페르미 레벨 EF는 적어도 하나의 밴드 안에 놓여있습니다. 절연체 및 반도체는 페르미 레벨이 밴드 갭 내에 있습니다, 그러나 반도체 밴드에서 열적 전자 또는 정공 채워야 하는 것은, 페르미 레벨에 충분히 가까이 있습니다.
(001-003-03). 고체의 밴드 이론에서는, 전자가 단일 입자 에너지 고유 상태에서 이루어지는 밴드 일련 점유로 여겨지며, ε에 의해 각각 표지 됩니다.
(001-003-04). 이러한 단일 입자 픽쳐가 근사치이지만, 크게 전자 행동의 이해를 단순화하며 올바르게 적용될 때 전체적으로 올바른 결과를 제공합니다.
(001-003-05). 페르미-디랙 분포
Figure PCTKR2015005119-appb-I000003
는 (열역학적 평형에서) 전자가 갖는 에너지 상태 ε을 점유할 확률을 줍니다.
(001-003-06). 대안으로, 파울리 배타 원리에 의해 부과 된 제한을 주어 그 상태를 차지할 전자의 평균 수를 줍니다 :
Figure PCTKR2015005119-appb-I000004
(001-003-07). 여기서 T는 절대 온도 와 K는 볼츠만 상수를 의미합니다.
(001-003-08). 상태가 페르미 레벨 (ε = μ)에 있을 경우, 이 상태는 임의의 주어진 시간에 점유 될 확률이 50 %가 있을 것입니다.
(001-003-09). 물질의 밴드 구조 내의 μ의 위치는 재료의 전기적 거동을 결정하는데 중요합니다.
(001-003-09-1). 절연체에서, μ는, 큰 밴드 갭 내에 자리잡습(lies)니다.
(001-003-09-2). 금속, 반 금속 또는 퇴화 반도체(degenerate semiconductor)에서, μ는 비편 재화 밴드(delocalized band) 내에 자리 잡고 있습니다. 상태의 많은 인근 μ는 열적으로 활성화되고 쉽게 전류(current)를 수행(carry)합니다.
(001-003-09-3). 내장(intrinsic)이나 도핑 된(lightly doped) 반도체에서, μ는 그 밴드의 가장자리 근처에 거주하는 열적으로 여기 된(thermally excited) 캐리어의 희석 수에 있다는 것을, 그리하여, 밴드의 가장자리에 가까이 있습니다.
(001-003-10). 반도체와 밴드 구조에서 μ의 위치를 반 금속은 일반적으로 도핑 또는 게이팅에 의해 상당한 정도로 제어 할 수 있습니다(그래파인(Graphyne)과 전기적으로 접촉하는 전도성 물질 회로 구성에 상기 이론들은 유용하게 사용됩니다).
(001-003-11). 이러한 컨트롤은 변경되지 않습니다 μ를 전극에 의해 고정 된 것이 아니라 그들은 전체 밴드 구조가 아래로 이동 (때로는 밴드 구조의 모양을 변경)하는 원인이 됩니다.
(001-004-01). 로컬 전도대 내부 화학 포텐셜, 및 매개 변수
Figure PCTKR2015005119-appb-I000005
(001-004-02). 심볼 경우 E 은 , 그 바깥 쪽 밴드 바닥의 에너지를 기준으로 측정 된 전자 에너지 레벨을 나타 내기 위해
Figure PCTKR2015005119-appb-I000006
후 일반적으로 우리가 E =
Figure PCTKR2015005119-appb-I000007
가지고 사용됩니다, 특히 우리 파라미터 정의 할
Figure PCTKR2015005119-appb-I000008
를 밴드 가장자리에 페르미 레벨을 참조하여 아래와 같이 표기합니다:
Figure PCTKR2015005119-appb-I000009
(001-004-03). 이 페르미 - 디랙 분포 함수는 또한 다음과 같이 표기합니다.
Figure PCTKR2015005119-appb-I000010
(001-004-04).
Figure PCTKR2015005119-appb-I000011
는 직접 활성 전하 캐리어(active charge carriers)의 갯수뿐만 아니라 전형적인 운동 에너지에 관련되며, 따라서 그것은 직접적으로 (전기적으로 전도성) 재료의 지역 특성을 결정하는데 관여합니다.
(001-004-05). 이러한 이유로 단일 균질 전도성 물질 내의 전자의 특성에 집중 때
Figure PCTKR2015005119-appb-I000012
의 값에 집중하는 일반적인 이유가 됩니다.
(001-004-06). 자유 전자의 에너지 상태와 유사하여, E 상태가 있습니다 운동 에너지 상태와
Figure PCTKR2015005119-appb-I000013
는 잠재적 인 에너지인 것입니다.
(001-004-07). 이것을 염두에 두고, 매개 변수
Figure PCTKR2015005119-appb-I000014
는 또한 "페르미 (Fermi) 운동 에너지"로 표시 할 수 있습니다.
(001-004-08). μ는 달리, 매개 변수
Figure PCTKR2015005119-appb-I000015
는
Figure PCTKR2015005119-appb-I000016
의 변화로 인해 여러 값을 가지며, 평형 상수가 아닙니다.
(001-004-09).
Figure PCTKR2015005119-appb-I000017
는 대개 재료의 품질(예를들어, 그래파인(Graphyne)의 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 표면 거칠기(surface roughness))의 요인에 따라, 재료에 지역마다(location to location) 다릅니다.
(001-004-10). 그래파인(Graphyne)의 표면 근방, 는 강하게 외부인가 전계(교차되는 장벽조정회로)에 의해 제어 될 수 있습니다.
(001-004-11).
Figure PCTKR2015005119-appb-I000019
는 멀티 밴드 소재에서 한 곳에서 여러 값에 걸릴 수 있습니다.
(001-005-01). 페르미 준위와 평형 중 온도
(001-005-02). 준 페르미 준위
(001-005-03). 페르미 레벨 μ 및 온도 T의 예는 아무것도 하지 않고 선반(shelf)에 앉아(sitting)있는 경우로서, 열역학적 평형 상태에서 고체 상태 장치에 대한 상수를 정의합니다.
(001-005-04). 장치가 평형 상태에서 빠져 나올 경우 및 사용에 투입 될 경우, 엄격하게 페르미 레벨과 온도를 말하는 것은 더 이상 잘 정의되지 않습니다.
(001-005-05). 다행히, 정확하게 열 분배의 측면에서 국가(상태)의 점령을 설명하는, 특정 위치에 대한 준 페르미 준위와 준 온도를 정의하는 것이 가능합니다.
(001-005-06). 이때, 이 장치는 '준 평형 상태'에 있다고 합니다.
(001-005-07). 준 평형 접근 방식은 하나의 (T에서 그라디언트의 결과로) (μ의 그라데이션으로 인해 발생과 같은) 금속 조각의 전기 전도도나 열전도와 같은 일부 비 평형 효과를 간단하게 구축 할 수 있습니다.
(001-005-08). 준 μ 와 준 T는 변화 (또는 전혀 존재한다)와 같은 비 평형 상태에 있습니다. 아래의 두개로 예시됩니다.
(001-005-08-1). 장치가 변경(altered)되었지만, 다시 평형(re-equilibrate)을 구비하기 위한 충분한 시간을 가지고 있지 않을 때. (압전(piezoelectric) 또는 초전(pyroelectric) 물질에서와 같이).
*(001-005-08-2). 시스템은 전자기장을 변화에 노출되어있는 경우(커패시터 등)
(001-006-01). 페르미 레벨 - 참조 제로 페르미 레벨의 위치
(001-006-02). 많은 좌표계의 원점의 선택처럼, 에너지의 영점을 임의로 정의 할 수 있습니다.
(001-006-03). 관찰 할 수있는 현상은 에너지의 차이에 따라 달라집니다.
(001-006-04). 별개의 신체를 비교할 때, 그러나, 그들은 모두 제로 에너지의 위치를 자신의 선택에 일치하거나, 다른 무의미한 결과를 얻을 수 있는 것이 중요합니다.
(001-006-05). 따라서 명시 적으로 다른 구성 요소가 계약(agreement)을 보장하기 위해 공통 지점의 이름을 하는 것이 도움이 될 수 있습니다.
(001-006-06). 기준점 (예컨대 "진공" 아래를 참조)를 모호하게 선택되는 경우에, 다른 한편으로는, 더 많은 문제를 야기 할 것입니다.
(001-006-07). 일반적인 점(point)의 실제(practical)와 잘된 정렬 선택(well-justified choice)은 전기 접지 또는 접지(Earth)와 같은 부피가 큰 물리적 도체입니다. 이러한 도체는 좋은 열역학적 평형 상태에 있는 것으로 간주 될 수 있고, 그래서 그것의 μ 는 잘 정의됩니다.
(001-006-08). 그것은 전하의 저장을 제공하여 전자의 많은 수의 충전 효과를 발생시키지 않고 추가하거나 제거 할 수 있습니다
(001-006-09). 또한 다른 개체의 페르미 레벨이 전압계로 간단히 측정 할 수 있도록, 액세스되는 장점이 있습니다.
(001-007-01). 두 개의 금속(그래파인(Graphyne)과 전기적으로 접촉되는 전도성 물질). 그러나, "진공"의 정확히 위치를 정의하여 주의하지 않는 한 이 방법은 권장되지 않습니다.
(001-007-02). 두 개의 금속(그래파인(Graphyne)과 전기적으로 접촉되는 전도성 물질)이 열역학적 평형 (동일 페르미 레벨)에 같이 있을 때, 진공 정전기 전위 φ이 때문에 그것의 차이에서 평평하지 않은 일 함수를 보여줄 수 있습니다.
(001-007-03). 원칙적으로, 하나의 에너지에 대한 기준점으로 진공 고정 전자의 상태를 고려할 수 있습니다. 그러나, "진공"의 정확히 위치를 정의하여 주의하지 않는 한 이 방법은 권장되지 않습니다. 문제는 진공에서 모든 지점이 동일하다는 것입니다.
(001-007-04). 열역학적 평형, 그것은 전위(electrical potential) 진공 (볼타 전위)에 존재하기 위해 1 V의 차이에 대한 전형적인 열역학적 평형입니다.
(001-007-05). 발명의 한 실시형태에서, 이 진공 전위 변동의 소스는 진공에 노출 된 다른 전도성 물질 사이(그래파인(Graphyne)과 전기적으로 접촉되는 전도성 물질)의 일 함수의 변화일 수 있습니다.
(001-007-06). 다만 외부 도체, 정전기 전위는 물질에 민감하게 의존할 뿐만 아니라, 어떤면(surface)이 선택됩니다. (그 결정 배향, 및 다른 세부 사항)
(001-007-07). 보편성에 가장 근사치를 제공하는 매개 변수는 접지(Earth)를 참조할 수 있습니다. 페르미 준위는 위의 제안입니다. 이것은 또한 전압계로 측정 할 수 있다는 장점을 갖습니다.
(001-008-01). DiscreTe charging effecTs in small sysTems(작은 시스템에서 개별 충전 효과)
(001-008-02). 작은 시스템에서 개별충전효과로 인해 싱글 일렉트론에 "대전 효과"비 무시(non-negligible)할 경우에, 상기 정의는 명확해야 합니다. 예를 들어, 커패시터, 두 개의 동일한 평행 판으로 만든 것과 같은 형식에서처럼 고려됩니다.
(001-008-03). 커패시터가 충전되지 않은 경우, 페르미 레벨은 양쪽에 동일하므로, 다른 한 플레이트에서 전자를 이동하는 no 에너지를 가지는 것으로 생각할 수 있습니다.
(001-008-04). 전자가 이동되었을 때, 커패시터 (약간) 충전이 되었습니다, 그래서 이것은 에너지의 약간의 금액(amount)을 거쳐야합니다.
(001-008-05). 통상 커패시터, 이것은 무시할 만하지만 나노 스케일 커패시터(그래파인(Graphyne)과 전도성 물질을 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 구비되는 형태에서)는 더 중요 할 수 있습니다.
(001-008-06). 이 경우 하나는 화학 포텐셜의 열역학적 정의뿐만 아니라, 장치의 상태에 대한 정확한 전기적 절연 이여야 합니다, 또는 그것은 전극에 접속(connected to an electrode)입니다.
(001-008-07). 신체 전극 (리저버)와 전자 에너지를 교환 할 수 있는 경우, 그것은 정식 그랜드 앙상블(grand canonical ensemble)에 의해 설명됩니다.
(001-008-08). 화학 전위의 값 μ은 전극에 의해 고정 될 수 있다고 할 수 있고, 전자의 개수 N 의 신체는 변동될 수 있습니다.
(001-008-09). 이 경우, 본체의 화학 포텐셜은 극미량으로서, 전자의 평균 개수를 증가시키기 위해 필요한 작업의 극미량입니다 (비록 언제든지 전자의 수는 정수일지라도, 그 것의 평균 개수가 연속적으로 변화합니다.)
Figure PCTKR2015005119-appb-I000020
(001-008-10). F (N, T)는 그랜드 정식 앙상블의 자유 에너지 기능입니다.
(001-008-11). 체내에서의 전자의 개수가 고정됩니다 (그러나 몸은 여전히 열적 가열 욕(heat bath)에 접속되어 있으면), 그것은 정식 앙상블에 있습니다.
(001-008-12). 일은 이미 전자가, 정확히 N이 신체에 전자를 하나 추가 할 필요에 따라 우리는 문자 그대로 이 경우에 "화학 포텐셜"을 정의 할 수 있습니다.
Figure PCTKR2015005119-appb-I000021
(001-008-13). F (N, T)의 자유 에너지 정규 앙상블의 함수, 또는 대안 적으로 그 신체에서 전자를 제거함으로써 얻어진 작품으로서,
Figure PCTKR2015005119-appb-I000022
(001-008-14). 이러한 화학 전위는 동일하지 않습니다 μ ≠ μ ' ≠ μ'' 를 제외하고, 열역학적 제한입니다.
(001-008-15). 상기 차이는 쿨롱 봉쇄를 보여주는 것과 같은 작은 시스템에서 중요합니다. 본 발명의 한 실시예에서, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)의 형태로서 설명될 수 있습니다.
(001-008-16). 파라미터 μ (즉, 전자의 개수가 변동하는 것이 허용되는 경우)에도 작은 시스템에서, 정확히 전압계 전압이 관련되어 남아 있습니다.
(001-008-17). 정확히 말하면, 다음, 페르미 레벨은 하나의 전자 전하에 의해 결정 충전 이벤트에 의해 정의되지 않았습니다, 오히려 전자의 극미량으로 통계 충전 이벤트입니다.
(002-001-01). Bending(굽힘)
(002-001-02). 공정 역학에서, (또는 굴곡라고도 함)는 벤딩 요소의 종 방향 축에 수직으로 인가되는 외부 하중을 받는 가느다란 구조 요소(element)의 동작을 특징 짓습니다.
(002-001-03). 길이가 폭과 두께보다 훨씬 더 긴 경우, 요소는 빔이라고 합니다.
(002-001-04). 한편, 쉘(shell)은 길이와 폭이 동일한 정도의 크기로 되어 있지만, ( '벽'이라고도 함) 구조의 두께가 상당히 작은 기하학적 형태의 구조입니다
(002-001-05). 그것의 끝에서 지원 측면으로 로드되어 큰 변형하지만, 얇은 벽, 벤딩 경험은 쉘(shell)의 예입니다. 본 발명의 한 실시형태에서, 쉘(shell)의 벤딩변형은 플레이트의 굽힘변형으로 설명 될 수 있습니다.
(002-002-01). QuasisTaTic bending of beams(빔 QuasisTaTic(준정적) 굽힘)
(002-002-02). 가로 하중이 그것에 인가 될 때 빔 변형과 응력은 그 안에 전개됩니다. quasistatic(준정적) 경우, 굽힘편향(bending deflection) 및 굽힘 응력(bending stresses)의 양은 시간에 걸쳐 변하지 않는 것으로 가정합니다.
(002-002-03). 빔의 밑면에서 재료가 연신되는 동안 단부에서 지지되고 중간에 아래쪽으로 로드(loaded)되어 수평 빔에서 빔의 과잉 측 재료가 압축됩니다. 횡 방향 하중에 의한 내부 응력의 두 가지 형태가 있습니다 :
(002-002-03-1). 하중 방향에 수직 인 횡 방향 하중, 더하기(plus) 평면에 상보 전단 응력, 응력에 평행 한 전단응력;
(002-002-03-2). 빔의 상부에 직접 압축 응력, 및 빔의 하부 영역에 직접적인 인장 응력.
(002-002-04). 그들은 크기가 같고 방향은 반대로이며, 상기 각각의 설명에서 마지막 두 힘은 몇 모멘트를 형성합니다. 이 굽힘 모멘트는 빔에 발생하는 굽힘 늘어짐 변형 특성에 강한저항을 보여줍니다. 빔 내의 응력 분포는 매우 정확하게 몇몇 간단한 가정이 사용되는 경우에도 예측 될 수 있습니다.
(002-003-01). QuasisTaTic bending of plaTes(판 Quasistatic(준정적) 굽힘)
(002-003-02). 변위를 강조하는 얇은 판의 변형
(002-003-03). 빔 형성 기능의 정의는 하나의 치수(또는 차원)이 다른 2개의 치수(또는 차원)보다 큰것입니다.
(002-003-04). 상기에서 평평하며 그 치수(또는 차원) 중 하나가 많으면 구조가 플레이트라고 할 수 있습니다. 널리 사용되어 것 중에, 적용 하중에 따라 판의 변형 및 응력을 설명하는 여러 가지 이론이 있습니다. 이들은
(002-003-04-1). 판의 키르히 호프 - 사랑 이론 (또한 고전 판 이론이라고 함)
(002-003-04-2). Mindlin-Reissner 판 이론 (또한 플레이트의 1 차 전단 이론이라고도 함)
(002-004-01). Kirchhoff-Love theory of plates(플레이트의 키르히 호프 - 사랑 이론)
(002-004-02). 키르히 호프 - 사랑 이론의 가정은
(002-004-02-1). 중간 표면에 수직 인 직선(straight lines)이 직선 변형 후(straight after deformation)에 남습니다.
(002-004-02-2). 중간 표면에 수직(normal)인 직선을 변형 한 후 중간 표면에 수직(normal)을 유지합니다.
(002-004-02-3). 판의 두께는 변형 동안 변경되지 않습니다.
(002-004-03). 이러한 가정은 아래와 같이 의미됩니다.
Figure PCTKR2015005119-appb-I000023
Figure PCTKR2015005119-appb-I000024
(002-004-04). 여기서
Figure PCTKR2015005119-appb-I000025
는 판에 한 점의 변위이고
Figure PCTKR2015005119-appb-I000026
는 중간 표면의 변위입니다.
(002-004-05). 변형률 - 변위 관계는 아래와 같습니다.
Figure PCTKR2015005119-appb-I000027
Figure PCTKR2015005119-appb-I000028
Figure PCTKR2015005119-appb-I000029
(002-004-06). 평형 방정식은 아래와 같습니다.
Figure PCTKR2015005119-appb-I000030
(002-004-07). 상기 식에서
Figure PCTKR2015005119-appb-I000031
는 판의 표면에 통상 가해지는 힘입니다.
(002-004-08). 변위의 관점에서, 외부 부하가 없는 상태에서 등방성 선형 탄성 플레이트 평형 방정식은 다음과 같이 쓸 수 있습니다
Figure PCTKR2015005119-appb-I000032
직접 텐서 표시법으로는,
Figure PCTKR2015005119-appb-I000033
(002-005-01). Mindlin-Reissner Theory of plaTes(판 Mindlin-Reissner(민드린-레이스너) 이론)
(002-005-02). 이 이론의 특별한 가정은 중간 표면에 법선이 직선과 비 신축성하지만 변형 후 중간 표면에 반드시 정상(normal)이 남아 있다는 것입니다
(002-005-03). 플레이트의 변위가 주어집니다.
Figure PCTKR2015005119-appb-I000034
Figure PCTKR2015005119-appb-I000035
(002-005-04). 상기 식에서
Figure PCTKR2015005119-appb-I000036
는 정상(normal)의 회전입니다.
(002-005-05). 이러한 가정에서 발생 하는 변형-변위 관계는 아래와 같습니다.
Figure PCTKR2015005119-appb-I000037
Figure PCTKR2015005119-appb-I000038
Figure PCTKR2015005119-appb-I000039
(002-005-06). 상기 식에서
Figure PCTKR2015005119-appb-I000040
는 전단 보정 계수입니다. 평형 방정식 에서는 아래와 같이 설명됩니다.
Figure PCTKR2015005119-appb-I000041
Figure PCTKR2015005119-appb-I000042
여기에서,
Figure PCTKR2015005119-appb-I000043
입니다.
(002-006-01). Dynamic bending of plaTes(동적 판 굽힘), Dynamic bending of plaTes(동적 판 굽힘)는 Dynamics of Thin Kirchhoff plaTes(얇은 키르히 호프 판의 역학)을 의미합니다.
(002-007-01). Dynamics of Thin Kirchhoff plaTes(얇은 키르히 호프 판의 역학)
(002-007-02). 플레이트의 동적 이론은 플레이트(plates)의 전파(propagation of waves)를 결정하고, 정상파(standing waves) 진동 모드(vibration modes)를 적용합니다.
(002-007-03). 키르히 호프 판의 동적 굽힘을 지배하는 방정식은
Figure PCTKR2015005119-appb-I000044
입니다.
상기 식에서, 밀도와 plate(판)는
Figure PCTKR2015005119-appb-I000045
Figure PCTKR2015005119-appb-I000046
그리고
Figure PCTKR2015005119-appb-I000047
(002-007-04). 원형 판의 몇몇 진동 모드 표시.
(002-007-04-1). 모드 k = 0, p = 1,
(002-007-04-2). 모드 k = 0, p = 2,
(002-007-04-3). 모드 k = 1, p = 2,
,로 구성되는 상기 설명하는 (001-001) 내지 (002-007-04-3) 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비되어 있는 것을 의미하되, (a). 상기 (001-001) 내지 (002-007-04-3) 중 하나 이상 선택되는 것의 설명의 의미, (b). 일반적으로 통용되는 상기 (001-001) 내지 (002-007-04-3) 중 하나 이상 선택되는 것에 대한 의미, (c). 상기 (001-001) 내지 (002-007-04-3) 중 하나 이상 선택되는 것의 이론에 대한 설명, 설명의 전체적 범위, 설명의 부분적 범위, 중 하나 이상 선택되는 것, (d). 상기 (001-001) 내지 (002-007-04-3) 중 하나 이상 선택되는 것의 전체적인 요소, 부분적인 요소, 중 하나 이상 선택되는 것, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (d) 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, 영률(Young's modulus)은 아래와 같이 설명된다.
(001-1). 영률 E는 응력 - 변형 곡선의 탄성 (초기 선형) 부분의 신장 변형에 의해 인장 응력을 나눔으로써 계산 될 수 있습니다　:
Figure PCTKR2015005119-appb-I000048
여기에서,
(001-2). E는　영률 (탄성 계수)입니다
(001-3). F는　긴장(tension)에서 물체에 작용하는 힘입니다;
(001-4). A　0은 힘이 적용되는 것을 통하는 단면적의 원래의 단면적입니다
(001-5). ΔL은 개체 변경의 길이의 양(amount)입니다
(001-6). L　0은 객체의 원래 길이입니다.
(002). 늘어나거나 수축 물질에 의해 가해지는 힘　
(002-1). 재료의 영률은 특정 변형률에 따라 발휘되는 힘을 계산하는데 사용될 수 있습니다.(변형이 된 그래파인(Graphyne)이나 그래파인(Graphyne)이 포함된 다층상태에서 발휘되는 힘)
Figure PCTKR2015005119-appb-I000049
(002-2). F는 ΔL에 의해 계약 된(contracted) 또는 기지개(stretched) 될 때, 물질에 의해 가해지는 힘입니다.
(002-3). 후크의 법칙은 이상적인 스프링의 강성을 설명하는 이 공식에서 파생 될 수 있습니다:
Figure PCTKR2015005119-appb-I000050
(002-4). 그것은 포화 상태(saturation)에 오는 곳
Figure PCTKR2015005119-appb-I000051
　과
Figure PCTKR2015005119-appb-I000052
　입니다.
(003). 탄성 위치 에너지(변형이 된 그래파인(Graphyne)이나 그래파인(Graphyne)이 포함된 다층상태에서 구비되는 탄성 위치 에너지)　
(003-1). 저장된 탄성 위치 에너지는 L에 대해 이 식의 적분에 의해 주어집니다:
Figure PCTKR2015005119-appb-I000053
(003-2). 여기서　Ue는　탄성 퍼텐셜 에너지(elastic potential energy) 입니다.
(003-3). 단위 부피당 잠재적 탄성 에너지는 다음과 같습니다 :
Figure PCTKR2015005119-appb-I000054
(003-4). 여기서
Figure PCTKR2015005119-appb-I000055
　는 material(재료)의 변형입니다
(003-5). 이 공식은 또한 후크의 법칙의 정수로 표현 될 수 있습니다 :
Figure PCTKR2015005119-appb-I000056
(004). 탄성 상수 사이의 관계　
(004-1). 균질 등방성 재료에 대한 간단한 관계는 한 두 가지가 알려진대로 그들 모두를 계산을 허용하는 탄성 상수 (영률 E, 전단 계수(shear modulus) G, 대량 계수(bulk modulus) K, 푸 아송의 비(Poisson's ratio) v), 사이에 존재합니다:
Figure PCTKR2015005119-appb-I000057
,로 구성되는 상기 설명하는 (001-1) 내지 (004-1) 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비되어 있는 것을 의미하되, (a). 상기 (001-1) 내지 (004-1)중 하나 이상 선택되는 것의 설명의 의미, (b). 일반적으로 통용되는 상기 (001-1) 내지 (004-1)중 하나 이상 선택되는 것에 대한 의미, (c). 상기 (001-1) 내지 (004-1)중 하나 이상 선택되는 것의 이론에 대한 설명, 설명의 전체적 범위, 설명의 부분적 범위, 중 하나 이상 선택되는 것, (d). 상기 (001-1) 내지 (004-1)중 하나 이상 선택되는 것의 전체적인 요소, 부분적인 요소, 중 하나 이상 선택되는 것, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (d) 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다.
본 발명의 한 실시예에서, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)로서 설명될 수 있다. 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)는 아래와 같이 설명된다.
(001-1). 물리학에서, 찰스 - 오거 드 쿨롱의 전기 힘의 이름을 따서 명명 쿨롱 봉쇄 (약칭 CB)는, 적어도 하나의 낮은 정전 용량 터널 접합을 포함하는 전자 장치의 작은 바이어스 전압의 증가 저항을 의미합니다.
(001-2). 소수 전자가 관여하고 외부의 정적 자계(여기서는 정전기적 준위를 의미한다)가 인가되는 경우, 쿨롱 봉쇄 전자 사이의 상호 작용에 의한 스핀 양자 역학적 효과를 포함합니다 (또는 파울리 봉쇄(Pauli blockade)로 불리는). 쿨롱봉쇄(Coulomb blockade)는 스핀 봉쇄(spin blockade) 위한 접지(ground)를 제공합니다.
(002). Coulomb blockade in a tunnel junction(터널 접합의 쿨롱 봉쇄)
(002-1). 터널 접합은 가장 간단한 형태로, 전극 간의 도전성이 얇은 절연 배리어에서를 의미합니다.
(002-2). 고전 전기 역학의 법칙에 따르면, 전류가 절연 장벽을 통과 할 수 없습니다.
(002-3). 그러나 양자 역학의 법칙에 따르면, nonvanishing(논배니슁)가 (0보다 큰) 확률를 갖으며, 다른쪽에 도달하는 배리어의 한쪽에서의 전자 (양자 터널링 참조)가 있습니다.
(002-4). 바이어스 전압이 인가되는 경우, 이 전류가, 그리고, 추가 효과를 무시하는 것을 의미합니다, 터널링 전류가 바이어스 전압에 비례합니다.
(002-5). 전기적인 관점에서, 터널 접합은 오믹 저항(ohmic resistor)으로 알려진 일정한 저항을 갖는 저항으로서 행동합니다.
(002-6). 저항은 장벽 두께에 기하 급수적으로 의존합니다.(본 발명에서는 장벽의 두께가 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 시켜 그래파인(Graphyne)의 상단부에 구비된 절연층이 조정되는 것으로 이해할 수 있다.)
(002-7). 일반적인 장벽의 두께는 수(several) 나노 미터에 있습니다.
(002-8). 뿐만 아니라, 두 도체(그래파인(Graphyne)과 전도성물질)의 배열 사이에 절연층을 가지지만 저항을 가지지 않으며, 그것은 유한 한 커패시턴스로 해석될 수 있습니다.
(002-9). 절연체도 이러한 맥락에서 유전체라고 합니다, 터널 접합은 커패시터로 동작합니다.
(002-10). 때문에 전기 요금의 불연속성에, 터널 접합을 통해 전류가 다음과 같이 설명됩니다. 정확히 하나의 전자가 (두 개의 전자가 터널하는 동시에(simultaneously)에서, 우리는 cotunneling(코터널링) 을 무시합니다) 터널 장벽을 통해 (터널)을 통과하는 일련의 이벤트입니다
(002-11). 터널 접합 커패시터는 원인이 되는 터널링 전자에 의해 하나의 기본 요금으로 충전　전압　상승　
Figure PCTKR2015005119-appb-I000058
입니다,　여기서 e 는　전하량　1.6 x 10　-19　　쿨롱을 의미하며,　및
Figure PCTKR2015005119-appb-I000059
　는 접합의 정전 용량을 의미합니다.　
(002-12). 커패시턴스가 매우 작은 경우, 전압 상승은 터널링로부터 다른 전자를 방지하기에 충분한 클 수 있습니다.
(002-13). 전류는 그 다음 낮은 바이어스 전압에서 억제되며, 소자의 저항은 더 이상 일정하지 않게 됩니다.
(002-14). 제로 바이어스 주변의 차동 저항의 증가는 쿨롱 봉쇄라고 합니다.
(003). Single electron transistor(단일 전자 트랜지스터)의 형태로서 설명
(003-1). 그것은 섬으로 알려진 낮은 자체 커패시턴스으로 하나의 공통 전극(본 발명에서 설명하는 교차회로)에 터널 접합을 통해 연결된 드레인(전도성 물질)과 소스(그래파인(Graphyne))로 알려진 두 개의 전극으로 구성됩니다.
(003-2). 게이트　용량은 섬에 결합이 섬의 전기적 전위로 알려진 제 3 전극(본 발명에서 설명하는 교차회로 즉, 교차되는 장벽조정회로)에 의해 조정될 수 있습니다.
(003-3). 블로킹 상태에서 액세스 가능하지 않은 에너지 준위는 소스 접점에서 전자의 터널링 범위 내에 있습니다.
(003-4). 섬 전극(island electrode)에 있는 모든 에너지 준위는 낮은 에너지와 함께 점유하고 있습니다.
(003-5). 양의 전압이 게이트 전극(본 발명에서 설명하는 교차회로 즉, 교차되는 장벽조정회로)에 인가되면 섬 전극의 에너지 준위가 낮아집니다.
(003-5-1). 전자(1행동), 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 상부에 구비된 그래파인(Graphyne)을, 그래파인(Graphyne) 상부에 구비된 절연층과 함께 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비(2행동), 전자가 아일랜드 상에 터널(3행동), 이전에 공석 에너지 레벨을 점유 할 것입니다.
(003-5-2). 거기서부터 할 수 있습니다. 터널이 드레인 전극 상에 위치(tunnel onto the drain electrode) (4행동). 비탄성적으로 산란 및 드레인 전극의 페르미 레벨 에 도달할 것입니다(5행동).
(003-5-3). 발명의 한 실시예에서, 상기 (5 행동) 달성 후 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질이 상부에 구비된 그래파인(Graphyne)을, 그래파인(Graphyne) 상부에 구비된 절연층과 함께 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비(6행동) 할 수 있습니다.
(003-6). 섬 전극의 에너지 준위가 균등의 간격으로 이격되어　
Figure PCTKR2015005119-appb-I000060
를 나타냅니다. 이것이 자기 커패시턴스를 　
Figure PCTKR2015005119-appb-I000061
를 일으킵니다, 정의는 섬(island) 입니다,
Figure PCTKR2015005119-appb-I000062
(003-7). 쿨롱 봉쇄를 달성하기 위해, 세 가지 조건이 충족되어야 할 것입니다 :
(003-7-1). 바이어스 전압은 섬의 자기 커패시턴스로 나눈 전하량보다 낮아야 합니다 :
Figure PCTKR2015005119-appb-I000063
　;　
(003-7-2). 소스접촉 열 에너지(thermal energy in the source contact) 더하기 섬에 있는 열에너지(thermal energy in the island), 즉　
Figure PCTKR2015005119-appb-I000064
는 충전 에너지 이하로 해야합니다　
Figure PCTKR2015005119-appb-I000065
그렇지 않으면 전자는 열 자극을 통해 절연층을 통과 할 수있을 것입니다, 그리고
(003-7-3). 터널링 저항은　
Figure PCTKR2015005119-appb-I000066
보다 커야합니다.　
Figure PCTKR2015005119-appb-I000067
는 하이젠 베르크의 유래되는　불확정성 원리입니다
,로 구성되는 상기 설명하는 (001-1) 내지 (003-7-3) 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비되어 있는 것을 의미하되, (a). 상기 (001-1) 내지 (003-7-3)중 하나 이상 선택되는 것의 설명의 의미, (b). 일반적으로 통용되는 상기 (001-1) 내지 (003-7-3)중 하나 이상 선택되는 것에 대한 의미, (c). 상기 (001-1) 내지 (003-7-3)중 하나 이상 선택되는 것의 이론에 대한 설명, 설명의 전체적 범위, 설명의 부분적 범위, 중 하나 이상 선택되는 것, (d). 상기 (001-1) 내지 (003-7-3)중 하나 이상 선택되는 것의 전체적인 요소, 부분적인 요소, 중 하나 이상 선택되는 것, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (d) 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 일면에서 상세하게 서술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 일면에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다.
본 발명에 특별히 기술된 것보다, 일반적으로 알려진 방법, 알려진 수학식, 알려진 법칙, 알려진 논문, 알려진 설명, 장치, 장치 소자, 재료, 순서 및 기술은 불필요한 실험에 의지하지 않고 넓게 드러나 있는 본 발명의 실시에 적용될 수 있다. 여기서 기술된 방법, 장치, 장치 소자, 재료, 순서 그리고 특히 기술적으로 동일하게 알려진 모든 기술은 본 발명의 실시예에 적용될 수 있다.
여기서 채용된 용어 및 표현들은 발명의 상세한 설명의 용어로써 사용되나 의미를 제한하는 것은 아니며, 설명되거나 도시된 특징과의 임의의 등가물의 용어나 표현을 제한할 의도는 없다. 다만, 본 발명의 청구된 범위 안에서 다양한 변형들이 가능하다. 그러므로, 본 발명이 몇몇 바람직한 실시예들에 의해 개시되었음에 불구하고 대표적 실시예 및 선택적 특징들, 여기서 개시된 개념의 수정 및 변화가 종래 기술등에 의해 재분류될 수 있다고 이해되어야 하며, 이러한 수정 및 변화들은 첨부된 청구항에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 범위 안에서 고려될 수 있다.
여기서 제공된 특정 실시예는 본 발명의 유용한 실시예의 예시이고, 본 발명이 장치들, 장치 구성요소들, 방법단계들의 많은 변화들을 사용하여 수행되어질 수 있다는 것은 명백하다.
본 발명의 유용한 실시예는 다양한 선택적 구성 및 절차 구성요소 및 단계들을 포함할 수 있다.
여기서 치환된 구성요소들이 개시될 때, 그것은 모든 하위 그룹 및 그룹의 모든 개별 멤버들이 각각 개시된 것으로 이해되어야 한다.
여기서 마쿠쉬 그룹 또는 다른 그룹들이 사용될 때, 상기 그룹의 모든 개별 멤버들 및 모든 조합과 상기 그룹의 가능한 하위 조합은 개시된 범위 안에서 개별적으로 포함된다.
부가적으로, 다른 설명이 필요하지 않은 경우, 본 발명의 한 실시형태에서, 개시된 물질의 변형물은 개시된 바에 의해 망라되는 것으로 의도된다. 예를 들어 하나 이상의 자석은 자석, 자석 원자, 자석 입자, 자석 나노 입자, 자석 화합물, 자석 결합물, 자석 합금, 나노 자석 화합물, 나노 자석 결합물, 나노 자석 합금, 나노 자석 분자, 중 하나 이상 선택되는 것으로 대체될 수 있는 것으로 이해될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 단수개로 설명된 것은 복수개를 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 자성입자는 하나 이상의 자성입자를 의미할 수 있다.
여기서 개시되거나 설명된 구성요소의 물질이나 구성요소의 구체적인 명칭은 본 발명이 속하는 기술분야의 일반적 기술을 가진자가 같은 구성요소의 물질이나 구성요소의 구체적인 명칭을 다르게 부를 수도 있는 점에서 임의의 예시로서 불려질 수 있다.
여기서 개시되거나 설명된 구성요소의 모든 조합은 달리 언급되지 않더라도 본 발명을 실시하기 위하여 사용되어질 수 있다. 예를 들어, 온도, 시간, 농도, 전압, 전기, 분위기 등과 같은 범위가 상세하게 주어질 때 뿐만 아니라 상기 범위들에 포함된 모든 개별 값들은 개시된 범위에 포함되는 것으로 의도된다.
본 발명의 한 실시형태에서, 여기서 개시되거나 설명된 구성요소의 모든 분자구조 또는 합성분자조합 또는 합성물은 달리 언급되지 않더라도 본 발명을 실시하기 위하여 사용되어질 수 있다.
여기서 개시된 설명에 포함된 설명의 범위, 하위 범위, 포함범위 내의 개별 값들은 여기서 청구된 청구항에는 나타나지 않을 수 있다고 이해되어질 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 내용은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자의 레벨에서 설명되었다. 더하여, 중요한 조합이 청구된 때, 본 발명의 한 실시형태에서, 제공되는 자성입자(예를들어, 자석합성물질)을 포함하며 출원인의 종래 기술에서 활용가능하고 알려진 자성입자의 여러 형태의 합성물질은 여기서 청구된 중요한 조합에 의도되지 않게 포함된 것으로 이해될 수 있다. 또한, 중요한 조합이 청구된 때, 본 발명의 한 실시형태에서, 제공되는 Piezo(피에조) 물질은 출원인의 종래 기술에서 활용가능하고 알려진 Piezo(피에조) 물질의 여러 형태가 여기서 청구된 중요한 조합에 의도되지 않게 포함된 것으로 이해될 수 있다. 또한, 중요한 조합이 청구된 때, 본 발명의 한 실시형태에서, 제공되는 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자는 출원인의 종래 기술에서 활용가능하고 알려진 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자의 여러 형태가 여기서 청구된 중요한 조합에 의도되지 않게 포함된 것으로 이해될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 범위, 하위 범위, 포함범위로 설명된 본 발명은, 본 발명의 설명의 범위내에서 실현될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자는 본 발명을 실시하기위한 다양한 방법들이 과도한 실험에 기대지 않고도 본 발명의 실시에 채용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 임의의 재료들 및 방법들의 기능적으로 등가인 알려진 모든 기술들은 본 발명의 한 실시형태에서, 포함되어질 수 있다.
이상, 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 내용에 한정되지 않으며, 여러 가지 하나 이상의 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함이 명백하다.
또한 적당하게 도식적으로 설명된 본 발명은 임의의 구성요소 또는 구성요소들, 상세하게 개시되지 않은 제한 또는 제한들이 없는 경우에도 실현될 수 있다.
임의의 재료들 및 방법들의 기능적으로 등가인 알려진 모든 기술들은 본 발명의 실시예에 적용될 수 있다.
[참고문헌]
(문헌1) Published Online, May 17 2012, Science 1 June 2012:Vol. 336 no. 6085 pp. 1140-1143, DOI: 10.1126/science.1220527, Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier, Heejun Yang, Jinseong Heo, Seongjun Park, Hyun Jae Song, David H. Seo, Kyung-Eun Byun, Philip Kim, InKyeong Yoo, Hyun-Jong Chung, Kinam Kim

Claims (43)

  1. 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
    그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  2. 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
    a. 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되,
    b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  3. 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
    그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  4. 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
    a. 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되,
    b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  5. 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
    그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자를 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  6. 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
    a. 그래파인(Graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자를 그래파인(Graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되,
    b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  7. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)은
    상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 상단부에 하나 이상의 접착층, 액체고분자층, 엘라스토머층, 부도체층, 절연층, 진공층, Air층(에어층), 중 하나 이상 선택되는 층; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  8. 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,
    상기 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것은
    하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 실리콘이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  9. 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,
    상기 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것은
    하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 실리콘, 반도체, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  10. 청구항 1항 또는 청구항 3항 또는 청구항 5항에 있어서,
    상기 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은
    하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 하나 이상의 반도체, 금속, 실리콘, 도체, 전도성 물질, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 구성하고, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  11. 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,
    상기 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은
    하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 설명되는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  12. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
    하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로
    하나 이상의 영률(Young's modulus)로서 하나 이상 구비되는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  13. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)은
    상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 상단부에 하나 이상의 낮은 영률(Young's modulus)을 구비하는 층, 낮은 영률(Young's modulus)을 구비하는 전도성 물질층, 중 선택되는 층; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  14. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)은
    상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 하단부에 접착층, 엘라스토머, 반데르발스 힘, 낮은 영률(Young's modulus)을 구비하는 층, 중 하나 이상 선택되는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  15. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    a. 상기 하나 이상의 자성입자는,
    b. 하나 이상의 Magnet(자석), 나노 Magnet(자석) 입자, 나노 Magnet(자석) 성질을 구비하는 합성물질, Magnet(자석) 성질을 구비하는 합성물질, 중 하나 이상 선택되는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  16. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    a. 상기 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
    b. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 상기 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 하나 이상의 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  17. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    a. 상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
    b. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되,
    c. 상기 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 점 접촉, 면 접촉, 둥근면접촉, 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  18. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    a. 상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
    b. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, Work function(일함수)을 하나 이상 조절하되,
    c. 상기 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 하나 이상의 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 연속체 역학이 구비되어 설명되는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  19. 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서,
    하나 이상의 그래파인(Graphyne)을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(Graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  20. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 굽힘변형은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로
    a. Beam(빔)의 굽힘변형
    b. Plate(플레이트)의 굽힘변형
    c. 하나 이상의 층의 굽힘변형
    d. QuasisTaTic bending of beams(빔 QuasisTaTic(준정적) 굽힘)
    e. QuasisTaTic bending of plaTes(판 Quasistatic(준정적) 굽힘)
    f. Kirchhoff-Love theory of plates(플레이트의 키르히 호프 - 사랑 이론)
    g. Mindlin-Reissner Theory of plaTes(판 Mindlin-Reissner(민드린-레이스너) 이론)
    h. Dynamic bending of plaTes(동적 판 굽힘)
    i. Dynamics of Thin Kirchhoff plaTes(얇은 키르히 호프 판의 역학)
    j. 곡률
    ,로 구성되는 a 내지 j 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  21. 청구항 19항에 있어서,
    상기 굽힘변형은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로
    a. Beam(빔)의 굽힘변형
    b. Plate(플레이트)의 굽힘변형
    c. 하나 이상의 층의 굽힘변형
    d. QuasisTaTic bending of beams(빔 QuasisTaTic(준정적) 굽힘)
    e. QuasisTaTic bending of plaTes(판 Quasistatic(준정적) 굽힘)
    f. Kirchhoff-Love theory of plates(플레이트의 키르히 호프 - 사랑 이론)
    g. Mindlin-Reissner Theory of plaTes(판 Mindlin-Reissner(민드린-레이스너) 이론)
    h. Dynamic bending of plaTes(동적 판 굽힘)
    i. Dynamics of Thin Kirchhoff plaTes(얇은 키르히 호프 판의 역학)
    j. 곡률
    ,로 구성되는 a 내지 j 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  22. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
    하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 대기 전력 문제를 해결하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  23. 청구항 19항에 있어서,
    상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것은,
    하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 대기 전력 문제를 해결하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  24. 청구항 19 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)은
    상기 하나 이상의 그래파인(Graphyne)의 상단부에 하나 이상의 진공층, Air층(에어층), 중 선택되는 층; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  25. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은
    a. 매개 변수
    Figure PCTKR2015005119-appb-I000068
    를 조절,
    b. 페르미 레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 공급해주면 페르미 레벨은 올라간다,
    c. 페르미레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공한다,
    d. 그래파인(Graphyne)을 공간적인 왜곡시키되 전자를 동시에 제공한다,
    e. 그래파인(Graphyne)을 공간적으로 왜곡시키되 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공한다,
    , 로 구성되는 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  26. 청구항 19항에 있어서,
    상기 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은
    a. 매개 변수
    Figure PCTKR2015005119-appb-I000069
    를 조절,
    b. 페르미 레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 공급해주면 페르미 레벨은 올라간다,
    c. 페르미레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공한다,
    d. 그래파인(Graphyne)을 공간적인 왜곡시키되 전자를 동시에 제공한다,
    e. 그래파인(Graphyne)을 공간적으로 왜곡시키되 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공한다,
    , 로 구성되는 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  27. 청구항 19항에 있어서,
    상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
    하나 이상의 영률(Young's modulus)로서 하나 이상 구비되는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  28. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
    a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    b. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    c. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 간격조정하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    d. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 가깝게, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    e. 그래파인(Graphyne)이 표면 거칠기(surface roughness)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    f. 그래파인(Graphyne)이 표면 구조(Surface texture)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    g. 그래파인(Graphyne)이 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    , 로 구성되는 상기 a 내지 g 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  29. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,
    a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    b. 하나 이상 물리적으로 접촉하고, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    c. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    d. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 간격조정하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    e. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 가깝게, 붙으며, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 밀접하게 붙는, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    f. 그래파인(Graphyne)이 표면 거칠기(surface roughness)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    g. 그래파인(Graphyne)이 표면 구조(Surface texture)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    h. 그래파인(Graphyne)이 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    , 로 구성되는 상기 a 내지 h 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  30. 청구항 19 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것은,
    a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    b. 하나 이상 물리적으로 접촉하고, 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    c. 하나 이상의 그래파인(Graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    d. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 간격조정하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    e. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 가깝게, 붙으며, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 밀접하게 붙는, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    f. 그래파인(Graphyne)이 표면 구조(Surface texture)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    g. 그래파인(Graphyne)이 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,
    , 로 구성되는 상기 a 내지 g 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  31. 청구항 1항 또는 청구항 3항 또는 청구항 5항에 있어서,
    상기 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,
    a. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 데 있어서, DiscreTe charging effecTs in small sysTems(작은 시스템에서 개별 충전 효과)로서 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  32. 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,
    상기 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,
    a. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 데 있어서, DiscreTe charging effecTs in small sysTems(작은 시스템에서 개별 충전 효과)로서 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  33. 청구항 1항 또는 청구항 3항 또는 청구항 5항에 있어서,
    상기 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,
    a. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)의 형태로서 설명되며, 전기적으로 하나 이상 접촉되는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  34. 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,
    상기 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,
    a. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade)의 형태로서 설명되며, 전기적으로 하나 이상 접촉되는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  35. 청구항 19항에 있어서,
    상기 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,
    a. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 데 있어서, DiscreTe charging effecTs in small sysTems(작은 시스템에서 개별 충전 효과)로서 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  36. 청구항 1항 또는 청구항 3항 또는 청구항 5항에 있어서,
    상기 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,
    a. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Single electron transistor(단일 전자 트랜지스터)의 형태로서 설명되며, 전기적으로 하나 이상 접촉되는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  37. 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,
    상기 하나 이상의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,
    a. 그래파인(Graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 Single electron transistor(단일 전자 트랜지스터)의 형태로서 설명되며, 전기적으로 하나 이상 접촉되는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  38. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 굽힘변형은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로
    a. 점, 리본, 나노리본, 띠, 파형, 언덕(hill), 작은 면, 작은 선, 면, 선, 중 하나 이상 선택되는 형태를 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  39. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 굽힘변형은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로
    a. 사인파, 가우시안(Gaussian)파, 로렌츠형(Lorentzian)파, 주기적인파, 비주기적인파, 중 하나 이상 선택되는 파 형태를 하나 이상 구비하는 것; 을
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  40. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은
    상기 그래파인(Graphyne)이 그래파인(Graphyne), 패터닝된 그래파인(Graphyne), 패터닝된 그래파인(Graphyne)의 양자점, 중 선택되는 것이며,
    상기 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것의 변형의 가장 상위부분의 끝부분이 양자점(Quantum dot)으로 이해되어 지는 단계; 를
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  41. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은
    상기 그래파인(Graphyne)이 그래파인(Graphyne) 상부에 초박막, 증착막, 초박막이나 증착막이 구비된 후 패터닝된 초박막이나 증착막의 양자점, 패터닝된 그래파인(Graphyne), 패터닝된 그래파인(Graphyne)의 양자점, 중 선택되는 것을 구비한 그래파인(Graphyne)인 것이며,
    상기 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것의 변형의 가장 상위부분의 끝부분이 양자점(Quantum dot)으로 이해되어 지는 단계; 를
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  42. 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는
    CPU, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 베터리가 구비되는 전자장치, 전자부품, 전자장치, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 것; 를
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
  43. 청구항 1항 내지 청구항 41항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는
    CPU, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 베터리가 구비되는 전자장치, 전자부품, 전자장치, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 것; 를
    구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(Graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터.
PCT/KR2015/005119 2014-05-21 2015-05-21 그래파인의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터 WO2015178704A2 (ko)

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CN108408715A (zh) * 2018-03-05 2018-08-17 四川大学 原位氮掺杂石墨炔类材料及其合成方法和应用
TWI806771B (zh) * 2022-09-16 2023-06-21 英業達股份有限公司 抗靜電型電子裝置

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