WO2015174311A1

WO2015174311A1 - 蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Info

Publication number: WO2015174311A1
Application number: PCT/JP2015/063167
Authority: WO
Inventors: 井上　智; 菊池　克浩; 伸一川戸; 越智　貴志; 勇毅小林; 和樹松永; 松本　栄一; 正浩市原
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2014-05-13
Filing date: 2015-05-07
Publication date: 2015-11-19
Also published as: US20170081758A1; JP6429491B2; JP2015214740A; US9845530B2

Abstract

本発明は、成膜パターンの精度を維持しつつ、ゴーストの発生を抑制可能な蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。本発明は、外枠部と、前記外枠部の内側に設けられ、前記外枠部に固定された第一の桟部と、前記外枠部、及び、前記第一の桟部上に設けられ、前記外枠部に固定されたパターン形成部とを備え、前記パターン形成部には、パターン形成用の複数のマスク開口が設けられ、前記複数のマスク開口の各々は、第一の方向に沿って設けられ、前記複数のマスク開口は、前記第一の方向に直交する第二の方向に配置され、前記第一の桟部は、前記第一の方向、及び、前記第二の方向に直交する第三の方向に沿って見たときに前記複数のマスク開口のうちの隣り合う２つのマスク開口の間に位置し、かつ、前記パターン形成部に接触する蒸着装置用マスクである。

Description

蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

本発明は、蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下、ＥＬとも略記する。）素子の製造方法に関する。より詳しくは、大型基板上への有機ＥＬ素子の製造に好適な蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機ＥＬ素子の製造方法に関するものである。

近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化及び低消費電力化が求められている。

そのような状況下、有機材料の電界発光（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイ用の表示装置として高い注目を浴びている。

有機ＥＬ装置は、例えば、ガラス基板等の基板上に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）と、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子とを有している。有機ＥＬ素子は、第１電極、有機エレクトロルミネッセンス層（以下、有機ＥＬ層とも言う。）を及び第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極は、ＴＦＴと接続されている。有機ＥＬ層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等の層が積層された構造を有している。

フルカラー表示のディスプレイ用の有機ＥＬ装置は、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色の有機ＥＬ素子をサブ画素として備え、これらのサブ画素はマトリクス状に配列され、３色のサブ画素から画素が構成されている。そして、これらの有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることによって画像表示が行われる。

このような有機ＥＬ装置の製造においては、各色の有機ＥＬ素子（サブ画素）に対応させて、発光材料から発光層のパターンが形成される。

発光層のパターンの形成方法としては、基板に基板と同程度の大きさの蒸着マスクを接触させた状態で蒸着を行う方法（以下、コンタクト成膜法とも言う。）や、基板よりも小型の蒸着マスクを使用し、基板をマスクに対して相対的に移動させながら蒸着を行う方法（以下、スキャン成膜法とも言う。）等の方法が提案されている。スキャン成膜法に関する技術としては、例えば、以下が開示されている。

基板上に薄膜を形成するための薄膜蒸着装置において、蒸着源；蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数個の第１スリットが形成される第１ノズル；蒸着源と対向するように配され、第１方向に沿って複数個の第２スリットが形成される第２ノズル；第１ノズルと第２ノズルとの間の空間を区画するように、第１方向に沿って配された複数個の遮断壁を具備する遮断壁アセンブリ；第２ノズルと基板との間隔を制御する間隔制御部材と、第２ノズルと基板との間のアラインを調節するアライン制御部材とのうち、少なくとも一つ；を含む薄膜蒸着装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。

基板上に所定パターンの被膜を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクとを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、前記基板及び前記蒸着ユニット間の相対的移動方向を第１方向、前記第１方向に直交する方向を第２方向としたとき、前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に前記第２方向の位置が異なる複数の制限板を備え、前記複数の制限板のそれぞれは、前記複数のマスク開口のそれぞれに入射する前記蒸着粒子の前記第１方向に沿って見たときの入射角度を制限する有機ＥＬ素子の製造方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。

特開２０１３－２３１２３８号公報国際公開第２０１１／１４５４５６号

図３９は、スキャン蒸着法における基板及びマスクの断面模式図である。
図３９に示すように、スキャン蒸着法においては、基板１２９０の搬送中に基板１２９０がマスク１２０１と接触して損傷することを防止するため、蒸着を行う期間中、基板１２９０とマスク１２０１との間には隙間を設ける必要がある。そのため、蒸着源からの正常な蒸着粒子（気化した材料）１２９７によって、マスク１２０１に設けられたマスク開口１２３２のパターンに倣って形成された正規のパターン１２９３に加えて、ゴーストと呼ばれる異常な（不要な）パターン１２９４が発生しやすい。ゴースト１２９４は、通常、正規のパターン１２９３から基板１２９０の搬送方向（紙面に垂直な方向）に直交する方向にずれた場所に形成される。ゴースト１２９４が発生する原因としては、この方向の速度成分が大きく、所定の範囲外に進行する蒸着粒子１２９５が考えられる。この蒸着粒子１２９５が、基板１２９０の搬送方向に直交する方向においてマスク開口１２３２から大きくずれた場所に到達し、ゴースト１２９４が発生すると考えられる。

そして、このようなゴーストのために、例えばスキャン蒸着法を用いて有機ＥＬ表示装置に作製する場合に、高精細パネルや高性能パネルを作製することが困難となっていた。より具体的には、ゴーストは、ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置においては、本来の発光色に他の色が混じる混色発光等の異常発光を引き起こす可能性があった。異常発光は、有機ＥＬ表示装置の表示品位を大きく損なう。

ここで、本発明者らが検討を行った比較形態１に係る蒸着装置を例にして、ゴーストが発生する原因について更に詳述する。以下、水平面内にＸ軸及びＹ軸が存在し、鉛直方向にＺ軸が向く直交座標を適宜用いて説明する。

図４０は、本発明者らが検討を行った比較形態１に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。
図４０に示すように、比較形態１に係る蒸着装置は、真空チャンバ（図示せず）と、外枠部１１０２、及び、パターン形成部１１３０を含むマスク１１０１と、マスク１１０１を支持するマスクホルダ１１５５と、複数のノズル１１６３を有する蒸着源１１６０と、複数のノズル１１６３に対応して複数の開口１１７１が設けられたアパーチャー１１７０と、アパーチャー１１７０、及び、マスク１１０１の間の空間を仕切ってＸ軸方向に並ぶ複数の空間に分割する複数の制限板１１８０とを備えている。パターン形成部１１３０には、パターン形成用の複数のマスク開口１１３２が形成されている。気化した材料（蒸着粒子）をノズル１１６３の射出口１１６４から上方に噴出しながら、パターン形成部１１３０の上方をＹ軸方向（紙面に垂直な方向）に沿って基板１１９０を搬送する。これにより、マスク開口１１３２のパターンに倣った正規のパターンが基板１１９０上に形成される。

アパーチャー１１７０は、各射出口１１６４から噴き出した直後では等方的に広がっていた蒸着粒子の飛行範囲を制限している。これにより、成膜パターンの輪郭部に発生するボケの大きさ（幅）を低減するとともに、ゴーストの発生を防止することを図っている。なお、ボケとは、図３９に示したように、膜厚が一定の部分の両側に形成された膜厚が徐々に減少する部分を意味する。アパーチャー１１７０を通過した蒸着粒子は、理想的にはアパーチャー１１７０によって制限された範囲内を進行していく。しかしながら、実際には、アパーチャー１１７０を通過した後に蒸着粒子の散乱が生じたり、アパーチャー１１７０に付着した材料が再蒸発したりして、Ｘ軸方向の速度成分が大きく、所定の範囲外に進行する蒸着粒子が発生する。更に、真空チャンバ等の他の部材に付着した材料が再蒸発する等の原因により、Ｙ軸方向の側方から蒸着粒子がマスク１１０１の方に回り込んでくる可能性もある。これらの蒸着粒子は、基板１１９０の搬送方向に直交する方向の速度成分が大きいため、ボケとゴーストの発生要因となる。そこで、ボケの大きさを更に低減するとともに、ゴーストの発生を更に防止する観点から、複数の制限板１１８０がＸ軸方向の異なる位置に配置されている。これにより、Ｘ軸方向の速度成分が大きく、所定の範囲外に進行する蒸着粒子を制限板１１８０に付着させることができる。

しかしながら、比較形態１では、各制限板１１８０と、パターン形成部１１３０との間に隙間が存在している。そのため、パターン形成部１１３０に到達する直前で蒸着粒子の散乱が生じたり、パターン形成部１１３０近傍で材料の再蒸発が発生したりして、図４０に示すように、Ｘ軸方向の速度成分が大きく、所定の範囲外に進行する蒸着粒子１１９５がわずかに発生する。その結果、射出口１１６４から直線的にマスク開口１１３２に入射した蒸着粒子１１９７によって正規のパターンが形成されるとともに、蒸着粒子１１９５によって、正規のパターンからＸ軸方向にずれた場所にゴーストが発生する。また、両端の制限板１１８０と、パターン形成部１１３０との間に隙間を通って、側方からパターン形成部１１３０の方に回り込むＸ軸方向の速度成分が大きな蒸着粒子１１９６が発生する可能性もあり、この蒸着粒子１１９６によってゴーストが発生する可能性もある。

図４１は、特許文献１の図１３に記載の薄膜蒸着装置の斜視模式図である。
特許文献１の図１３に記載の薄膜蒸着装置では、図４１に示されるように、基板１３６０に対向して蒸着源１３１０が配置され、蒸着源１３１０の側方に配置された第１遮断壁１３３１と、パターン形成用の第２スリット１３５１が形成された第２ノズル１３５０との間に、第２遮断壁１３４１を配置している。しかしながら、第２ノズル１３５０は、第２ノズルフレーム１３５５に固定されているため、第２遮断壁１３４１と第２ノズル１３５０との間には少なくとも第２ノズルフレーム１３５５の厚み分の隙間が発生する。また、第１遮断壁１３３１と第２遮断壁１３４１との間にも隙間が存在する。したがって、これらの隙間を想定外の蒸着粒子が通過してゴーストが発生すると考えられる。

更に、特許文献２の段落［０１２８］には、制限板は蒸着マスクと接触してもよいことが記載され、段落［０１６０］には、制限板の上限を蒸着マスクまで延長してもよいことが記載されている。しかしながら、制限板を蒸着マスクに接触させると蒸着マスクが歪み、正確な蒸着パターンを形成できなくなる。

以上より、スキャン蒸着法を用いる場合、成膜パターンの精度を維持しつつ、ゴーストの発生を抑制するという点で更に改善の余地があった。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、成膜パターンの精度を維持しつつ、ゴーストの発生を抑制可能な蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明の一態様は、外枠部と、
前記外枠部の内側に設けられ、前記外枠部に固定された第一の桟部と、
前記外枠部、及び、前記第一の桟部上に設けられ、前記外枠部に固定されたパターン形成部とを備え、
前記パターン形成部には、パターン形成用の複数のマスク開口が設けられ、
前記複数のマスク開口の各々は、第一の方向に沿って設けられ、
前記複数のマスク開口は、前記第一の方向に直交する第二の方向に配置され、
前記第一の桟部は、前記第一の方向、及び、前記第二の方向に直交する第三の方向に沿って見たときに前記複数のマスク開口のうちの隣り合う２つのマスク開口の間に位置し、かつ、前記パターン形成部に接触する蒸着装置用マスクであってもよい。
以下、この蒸着装置用マスクを本発明に係る蒸着装置用マスクとも言う。

本発明に係る蒸着装置用マスクにおける好ましい実施形態について以下に説明する。なお、以下の好ましい実施形態は、適宜、互いに組み合わされてもよく、以下の２以上の好ましい実施形態を互いに組み合わせた実施形態もまた、好ましい実施形態の一つである。

本発明に係る蒸着装置用マスクは、本発明に係る蒸着装置用マスク、制限板、及び、蒸着源を基板側からこの順に含む蒸着ユニットに対して前記基板を相対的に移動させながら蒸着を行う蒸着装置に用いられてもよい。

本発明に係る蒸着装置用マスクは、前記外枠部の内側に設けられ、前記外枠部に固定された第二の桟部を備え、
前記パターン形成部は、前記外枠部、前記第一の桟部、及び、前記第二の桟部上に設けられ、
前記複数のマスク開口のうち、前記第二の方向において一方の端に位置するマスク開口を最端開口とし、前記最端開口の隣に位置するマスク開口を隣接開口とすると、
前記第二の桟部は、前記第三の方向に沿って見たときに前記最端開口の前記隣接開口と反対側に位置し、かつ、前記パターン形成部に接触してもよい。
以下、この蒸着装置用マスクを好適な実施形態に係る蒸着装置用マスクとも言う。

本発明の他の態様は、基板上に成膜する蒸着装置であって、
前記蒸着装置は、本発明に係る蒸着装置用マスク、又は、好適な実施形態に係る蒸着装置用マスクと、蒸着粒子を放出する蒸着源と、前記蒸着装置用マスク、及び、前記蒸着源の間に設けられ、前記蒸着装置用マスク、及び、前記蒸着源の間の空間を仕切って前記第二の方向に並ぶ複数の空間に分割する制限板とを含む蒸着ユニットと、
前記基板を前記蒸着装置用マスクから離した状態で、前記第一の方向に沿って前記蒸着ユニットに対して前記基板を相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記蒸着装置用マスクは、前記パターン形成部が前記基板側に位置し、かつ、前記第一の桟部が前記制限板側に位置するように、配置され、
前記制限板は、前記パターン形成部ではなく前記第一の桟部に接触する蒸着装置であってもよい。
以下、この蒸着装置を本発明に係る第一の蒸着装置とも言う。

本発明に係る第一の蒸着装置における好ましい実施形態について以下に説明する。なお、以下の好ましい実施形態は、適宜、互いに組み合わされてもよく、以下の２以上の好ましい実施形態を互いに組み合わせた実施形態もまた、好ましい実施形態の一つである。また、上述の好ましい実施形態と、以下の好ましい実施形態とが、適宜、互いに組み合わされてもよく、それらの２以上の好ましい実施形態を互いに組み合わせた実施形態もまた、好ましい実施形態の一つである。

本発明に係る第一の蒸着装置は、前記制限板、及び、前記蒸着源の間に設けられたアパーチャーを備え、
前記アパーチャーには、複数の開口が設けられ、
前記アパーチャーの前記複数の開口は、前記第二の方向に配置され、
前記制限板は、前記第三の方向に沿って見たときに前記アパーチャーの前記複数の開口のうちの隣り合う２つの開口の間に位置し、かつ、前記アパーチャーに接触してもよい。

前記第一の桟部、及び、前記制限板のうち、一方は、凹部を含み、他方の一部は、前記凹部に嵌め込まれてもよい。

前記蒸着ユニットは、前記蒸着装置用マスクを冷却する温度制御装置と、前記蒸着装置用マスクに接触する温度センサとを含み、
前記温度制御装置は、前記第一の桟部、及び、前記制限板の少なくとも一方に接触してもよい。

前記蒸着ユニットは、好適な実施形態に係る蒸着装置用マスクを含み、かつ、前記制限板を複数含み、
前記複数の制限板は、前記パターン形成部ではなく前記第二の桟部に接触する制限板を含でもよい。

前記第二の桟部、及び、前記第二の桟部に接触する前記制限板のうち、一方は、凹部を含み、他方の一部は、前記凹部に嵌め込まれてもよい。

前記蒸着ユニットは、好適な実施形態に係る蒸着装置用マスクを冷却する温度制御装置と、好適な実施形態に係る蒸着装置用マスクに接触する温度センサとを含み、
前記温度制御装置は、前記第一の桟部、及び、前記第一の桟部に接触する前記制限板の少なくとも一方に接触するとともに、前記第二の桟部、及び、前記第二の桟部に接触する前記制限板の少なくとも一方に接触してもよい。

本発明の他の態様は、基板上に成膜する蒸着装置であって、
前記蒸着装置は、本発明に係る蒸着装置用マスク、又は、好適な実施形態に係る蒸着装置用マスクと、蒸着粒子を放出する蒸着源と、前記蒸着装置用マスク、及び、前記蒸着源の間に設けられ、前記蒸着装置用マスク、及び、前記蒸着源の間の空間を仕切って前記第二の方向に並ぶ複数の空間に分割する制限板と、前記蒸着装置用マスクを冷却する温度制御装置と、前記蒸着装置用マスクに接触する温度センサとを含む蒸着ユニットと、
前記基板を前記蒸着装置用マスクから離した状態で、前記第一の方向に沿って前記蒸着ユニットに対して前記基板を相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記蒸着装置用マスクは、前記パターン形成部が前記基板側に位置し、かつ、前記第一の桟部が前記制限板側に位置するように、配置され、
前記温度制御装置は、前記第一の桟部、及び、前記制限板の間に配置され、前記第一の桟部、及び、前記制限板に接触する蒸着装置であってもよい。
以下、この蒸着装置を本発明に係る第二の蒸着装置とも言う。

本発明に係る第二の蒸着装置における好ましい実施形態について以下に説明する。なお、以下の好ましい実施形態は、適宜、互いに組み合わされてもよく、以下の２以上の好ましい実施形態を互いに組み合わせた実施形態もまた、好ましい実施形態の一つである。また、上述の好ましい実施形態と、以下の好ましい実施形態とが、適宜、互いに組み合わされてもよく、それらの２以上の好ましい実施形態を互いに組み合わせた実施形態もまた、好ましい実施形態の一つである。

本発明に係る第二の蒸着装置は、前記制限板、及び、前記蒸着源の間に設けられたアパーチャーを備え、
前記アパーチャーには、複数の開口が設けられ、
前記アパーチャーの前記複数の開口は、前記第二の方向に配置され、
前記制限板は、前記第三の方向に沿って見たときに前記アパーチャーの前記複数の開口のうちの隣り合う２つの開口の間に位置し、かつ、前記アパーチャーに接触してもよい。

前記蒸着ユニットは、好適な実施形態に係る蒸着装置用マスクを含み、かつ、前記制限板を複数含み、
前記複数の制限板は、前記第二の桟部との間に前記温度制御装置が配置され、かつ、前記温度制御装置が接触する制限板を含み、
前記温度制御装置は、前記第二の桟部に接触してもよい。

本発明の他の態様は、基板上に成膜する蒸着工程を含む蒸着方法であってもよく、
前記蒸着工程は、本発明に係る第一又は第二の蒸着装置を用いて行われてもよい。

本発明の更に他の態様は、本発明に係る第一又は第二の蒸着装置を用いて成膜する蒸着工程を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であってもよい。

本発明によれば、成膜パターンの精度を維持しつつ、ゴーストの発生を抑制可能な蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を実現することができる。

実施形態１に係る有機ＥＬ素子の製造方法により作製された有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。図１に示した有機ＥＬ表示装置の表示領域内の構成を示す平面模式図である。図１に示した有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板の構成を示す断面模式図であり、図２のＡ－Ｂ線断面を示す。実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。実施形態１に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。実施形態１に係る蒸着装置用マスクの斜視模式図である。実施形態１に係る蒸着装置用マスクの断面模式図であり、図６のＡ１－Ａ２線断面を示す。実施形態１に係る蒸着装置用マスクの断面模式図であり、図６のＢ１－Ｂ２線断面、又は、Ｃ１－Ｃ２線断面を示す。実施形態１に係る蒸着装置用マスクの拡大断面模式図である。実施形態１に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。実施形態１に係る蒸着装置用マスクの拡大断面模式図である。実施形態１に係る蒸着装置の斜視模式図である。実施形態１に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。実施形態１に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｘ軸方向に垂直な断面を示す。実施形態１に係る蒸着装置の平面模式図である。実施形態１に係る実施例において作製された基板の断面模式図である。比較例において作製された基板の断面模式図である。実施形態２に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。実施形態２に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。実施形態２に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。実施形態２に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。実施形態２に係る実施例に用いたマスクの平面模式図である。実施形態３に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。実施形態４に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。図２４の第一又は第二の桟部と制限板とを拡大して示す断面模式図である。実施形態４に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。実施形態４に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。実施形態５に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。実施形態５に係る蒸着装置用マスクの断面模式図であり、図２８のＡ１－Ａ２線断面を示す。実施形態５に係る蒸着装置用マスクの断面模式図であり、図２８のＡ１－Ａ２線断面を示す。実施形態５に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。実施形態５に係る蒸着装置用マスクの拡大平面模式図である。実施形態５に係る蒸着装置用マスクの拡大平面模式図である。実施形態５に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。実施形態１～５の変形例に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。実施形態１～５の変形例に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。実施形態１～５の変形例に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。実施形態１～５の変形例に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。スキャン蒸着法における基板及びマスクの断面模式図である。本発明者らが検討を行った比較形態１に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。特許文献１の図１３に記載の薄膜蒸着装置の斜視模式図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を図面に参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

なお、以下の実施形態では、水平面内にＸ軸及びＹ軸が存在し、鉛直方向にＺ軸が向く直交座標を適宜用いて説明する。また、以下の実施形態において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及び、Ｚ軸方向は、それぞれ、本発明に係るマスクと本発明に係る蒸着装置とにおける、第二の方向、第一の方向、及び、第三の方向に対応する。

（実施形態１）
本実施形態では、ＴＦＴ基板側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ素子の製造方法と、その製造方法により作製された有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置とについて主に説明するが、本実施形態は、他のタイプの有機ＥＬ素子の製造方法にも適用可能である。

まず、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体の構成について説明する。
図１は、実施形態１に係る有機ＥＬ素子の製造方法により作製された有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の表示領域内の構成を示す平面模式図である。図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板の構成を示す断面模式図であり、図２のＡ－Ｂ線断面を示す。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２（図３参照）が設けられたＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０上に設けられ、ＴＦＴ１２に接続された有機ＥＬ素子２０と、有機ＥＬ素子２０を取り囲むように枠状に設けられた接着層３０と、有機ＥＬ素子２０を覆うように配置された封止基板４０とを備えている。接着層３０は、ＴＦＴ基板１０の周縁部と、封止基板４０の周縁部とを互いに貼り合わせている。

封止基板４０と、有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０とを接着層３０を用いて貼り合わせることで、これら一対の基板１０及び４０の間に有機ＥＬ素子２０を封止している。これにより、酸素及び水分が外部から有機ＥＬ素子２０へ浸入することを防止している。

図３に示すように、ＴＦＴ基板１０は、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板１１を有している。図２に示すように、絶縁基板１１上には、複数の配線１４が形成されており、複数の配線１４は、水平（縦）方向に設けられた複数のゲート線と、垂直（横）方向に設けられ、ゲート線と交差する複数の信号線とを含んでいる。ゲート線には、ゲート線を駆動するゲート線駆動回路（図示せず）が接続され、信号線には、信号線を駆動する信号線駆動回路（図示せず）が接続されている。

有機ＥＬ表示装置１は、ＲＧＢフルカラー表示のアクティブマトリクス型の表示装置であり、配線１４で区画された各領域には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）又は青（Ｂ）のサブ画素（ドット）２Ｒ、２Ｇ又は２Ｂが配置されている。サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂは、マトリクス状に配列されている。各色のサブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂには、対応する色の有機ＥＬ素子２０及び発光領域が形成されている。

赤、緑及び青のサブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂは、それぞれ、赤色の光、緑色の光及び青色の光で発光し、３つのサブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂから１つの画素２が構成されている。

サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂには、それぞれ、開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂが設けられており、開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂは、それぞれ、赤、緑及び青の発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂによって覆われている。発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂは、垂直（縦）方向にストライプ状に形成されている。発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂのパターンは、各色毎に、蒸着により形成されている。なお、開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂについては後述する。

各サブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂには、有機ＥＬ素子２０の第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２が設けられている。各サブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの発光強度は、配線１４及びＴＦＴ１２による走査及び選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、各色の有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。

次に、ＴＦＴ基板１０及び有機ＥＬ素子２０の構成について詳述する。まず、ＴＦＴ基板１０について説明する。

図３に示すように、ＴＦＴ基板１０は、絶縁基板１１上に形成されたＴＦＴ１２（スイッチング素子）及び配線１４と、これらを覆う層間膜（層間絶縁膜、平坦化膜）１３と、層間膜１３上に形成された絶縁層であるエッジカバー１５とを有している。

ＴＦＴ１２は、各サブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂに対応して設けられている。なお、ＴＦＴ１２の構成は、一般的なものでよいので、ＴＦＴ１２における各層の図示及び説明は省略する。

層間膜１３は、絶縁基板１１上に、絶縁基板１１の全領域に渡って形成されている。層間膜１３上には、有機ＥＬ素子２０の第１電極２１が形成されている。また、層間膜１３には、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。

エッジカバー１５は、第１電極２１の端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることによって有機ＥＬ素子２０の第１電極２１と第２電極２６とが短絡することを防止するために形成されている。そのため、エッジカバー１５は、第１電極２１の端部を部分的に被覆するように形成されている。

エッジカバー１５には、上述の開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂが設けられている。このエッジカバー１５の各開口部１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂが、サブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの発光領域となる。言い換えれば、サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１５によって仕切られている。エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能する。

次に、有機ＥＬ素子２０について説明する。

有機ＥＬ素子２０は、直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層及び第２電極２６を含み、これらは、この順に積層されている。

第１電極２１は、有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、上述のようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。

第１電極２１と第２電極２６との間には、図３に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ、２３Ｇ又は２３Ｂ、電子輸送層２４、及び、電子注入層２５が、この順に積層されている。

なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２６を陰極とした場合のものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。

正孔注入層は、各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１及びエッジカバー１５を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に一様に形成されている。

なお、本実施形態では、上述のように、正孔注入層及び正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けた場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施形態は、この場合に特に限定されない。正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。

正孔注入層兼正孔輸送層２２上には、発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂが、それぞれ、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂに対応して形成されている。

各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂは、第１電極２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂは、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料から形成されている。

電子輸送層２４は、第２電極２６から各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層２５は、第２電極２６から各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂへの電子注入効率を高める機能を有する層である。

電子輸送層２４は、発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂ並びに正孔注入層兼正孔輸送層２２を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に一様に形成されている。また、電子注入層２５は、電子輸送層２４を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に一様に形成されている。

なお、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、上述のように互いに独立した層として形成されていてもよいし、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、有機ＥＬ表示装置１は、電子輸送層２４及び電子注入層２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。

第２電極２６は、有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２６は、電子注入層２５を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に一様に形成されている。

なお、発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂ以外の有機層は、有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成することができる。また、有機ＥＬ層には、必要に応じて、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂと電子輸送層２４との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加してもよく、これにより、正孔が電子輸送層２４に到達することを抑制でき、発光効率を向上することができる。

有機ＥＬ素子２０の構成としては、例えば、下記（１）～（８）に示すような層構成を採用することができる。
（１）第１電極／発光層／第２電極
（２）第１電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（３）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（４）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（５）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（６）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（７）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
なお、上述のように、正孔注入層と正孔輸送層とは、一体化されていてもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは、一体化されていてもよい。

また、有機ＥＬ素子２０の構成は上記（１）～（８）の層構成に特に限定されず、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて所望の層構成を採用することができる。

次に、有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。
図４は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。

図４に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極の作製工程Ｓ１、正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程Ｓ２、発光層蒸着工程Ｓ３、電子輸送層蒸着工程Ｓ４、電子注入層蒸着工程Ｓ５、第２電極蒸着工程Ｓ６、及び、封止工程Ｓ７を含んでいる。

以下に、図４に示すフローチャートに従って、図１～図３を参照して説明した各構成要素の製造工程について説明する。ただし、本実施形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一例に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるものではない。

また、上述したように、本実施形態に記載の積層順は、第１電極２１を陽極、第２電極２６を陰極とした場合のものであり、反対に第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。同様に、第１電極２１及び第２電極２６を構成する材料も反転する。

まず、図３に示すように、一般的な方法によりＴＦＴ１２、配線１４等が形成された絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間膜１３を形成する。

絶縁基板１１としては、例えば、厚さが０．７～１．１ｍｍであり、Ｙ軸方向の長さ（縦長さ）が４００～５００ｍｍであり、Ｘ軸方向の長さ（横長さ）が３００～４００ｍｍのガラス基板又はプラスチック基板が挙げられる。

層間膜１３の材料としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。ただし、ポリイミド樹脂は、一般に透明ではなく、有色である。このため、図３に示すように有機ＥＬ表示装置１としてボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、層間膜１３としては、アクリル樹脂等の透明性樹脂が、より好適に用いられる。

層間膜１３の膜厚は、ＴＦＴ１２による段差が埋まり、層間膜１３の表面が平坦になる程度である限り、特に限定されるものではない。例えば、略２μｍとしてもよい。

次に、層間膜１３に、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。

次に、導電膜（電極膜）として、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：インジウム錫酸化物）膜を、スパッタ法等により、１００ｎｍの厚さで成膜する。

次いで、ＩＴＯ膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてフォトレジストのパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、ＩＴＯ膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜１３上に第１電極２１をマトリクス状に形成する。

なお、第１電極２１に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料；金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料；を用いることができる。

また、導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。

第１電極２１の厚さは特に限定されるものではないが、上述のように、例えば、１００ｎｍとすることができる。

次に、層間膜１３と同様の方法により、エッジカバー１５を、例えば略１μｍの膜厚で形成する。エッジカバー１５の材料としては、層間膜１３と同様の絶縁材料を使用することができる。

以上の工程により、ＴＦＴ基板１０及び第１電極２１が作製される（Ｓ１）。

次に、上記工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークと、第１電極２１の表面洗浄のための酸素プラズマ処理とを施す。

次いで、一般的な蒸着装置を用いて、ＴＦＴ基板１０上に、正孔注入層及び正孔輸送層（本実施形態では正孔注入層兼正孔輸送層２２）を、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に蒸着する（Ｓ２）。

具体的には、表示領域全面に対応して開口したオープンマスクを、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整を行った後に密着して貼り合わせる。そして、ＴＦＴ基板１０とオープンマスクとを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域全面に均一に蒸着する。

なお、表示領域全面への蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れることなく蒸着することを意味する。

正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、及び、これらの誘導体；ポリシラン系化合物；ビニルカルバゾール系化合物；チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、又は、ポリマー；等が挙げられる。

正孔注入層と正孔輸送層とは、上述のように一体化されていてもよいし、独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚は、例えば、１０～１００ｎｍである。

正孔注入層及び正孔輸送層として、正孔注入層兼正孔輸送層２２を形成する場合、正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料として、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）を使用することができる。また、正孔注入層兼正孔輸送層２２の膜厚は、例えば３０ｎｍとすることができる。

次に、正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂに対応して発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂをそれぞれ別々に形成（パターン形成）する（Ｓ３）。

上述したように、各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂには、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。

発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂの材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、及び、これらの誘導体；トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体；ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体；トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体；ジトルイルビニルビフェニル；等が挙げられる。

各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂの膜厚は、例えば、１０～１００ｎｍである。

本発明に係る製造方法は、このような発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂの形成に特に好適に使用することができる。

本発明に係る製造方法を用いた各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂのパターンの形成方法については、後で詳述する。

次に、上記正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程Ｓ２と同様の方法により、電子輸送層２４を、正孔注入層兼正孔輸送層２２並びに発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂを覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に蒸着する（Ｓ４）。

続いて、上記正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程Ｓ２と同様の方法により、電子注入層２５を、電子輸送層２４を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に蒸着する（Ｓ５）。

電子輸送層２４及び電子注入層２５の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、及び、これらの誘導体や金属錯体；ＬｉＦ（フッ化リチウム）；等が挙げられる。

より具体的には、Ａｌｑ_３（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０－フェナントロリン、及び、これらの誘導体や金属錯体；ＬｉＦ；等が挙げられる。

上述したように、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、一体化されていても独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚は、例えば１～１００ｎｍであり、好ましくは１０～１００ｎｍである。また、電子輸送層２４及び電子注入層２５の合計の膜厚は、例えば２０～２００ｎｍである。

代表的には、電子輸送層２４の材料にＡｌｑ_３を使用し、電子注入層２５の材料にはＬｉＦを使用する。また、例えば、電子輸送層２４の膜厚は３０ｎｍとし、電子注入層２５の膜厚は１ｎｍとする。

次に、上記正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、第２電極２６を、電子注入層２５を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に蒸着する（Ｓ６）。この結果、ＴＦＴ基板１０上に、有機ＥＬ層、第１電極２１及び第２電極２６を含む有機ＥＬ素子２０が形成される。

第２電極２６の材料（電極材料）としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム等が挙げられる。第２電極２６の厚さは、例えば５０～１００ｎｍである。

代表的には、第２電極２６は、厚み５０ｎｍのアルミニウム薄膜から形成される。

次いで、図１に示したように、有機ＥＬ素子２０が形成されたＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、接着層３０を用いて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行う。

接着層３０の材料としては、例えば、封止樹脂、フリットガラス等を用いることができる。封止基板４０としては、例えば、厚さが０．４～１．１ｍｍのガラス基板又はプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。また、封止基板４０として掘り込みガラスを使用してもよい。

なお、封止基板４０の縦長さ及び横長さは、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズにより適宜調整してもよく、ＴＦＴ基板１０の絶縁基板１１と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機ＥＬ素子２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズに従って分断してもよい。

また、有機ＥＬ素子２０の封止方法は、上述の方法に特に限定されず、他のあらゆる封止方法を採用することが可能である。他の封止方式としては、例えば、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。

また、第２電極２６上には、第２電極２６を覆うように、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止するために、保護膜（図示せず）が設けられていてもよい。

保護膜は、絶縁性又は導電性の材料で形成することができる。このような材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコン等が挙げられる。保護膜の厚さは、例えば１００～１０００ｎｍである。

上記工程の結果、有機ＥＬ表示装置１が完成する。

この有機ＥＬ表示装置１においては、配線１４からの信号入力によりＴＦＴ１２をＯＮ（オン）させると、第１電極２１から有機ＥＬ層へホール（正孔）が注入される。一方で、第２電極２６から有機ＥＬ層に電子が注入され、正孔と電子とが各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂ内で再結合する。正孔及び電子の再結合によるエネルギーにより発光材料が励起され、その励起状態が基底状態に戻る際に光が出射される。各サブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの発光輝度を制御することで、所定の画像が表示される。

次に、発光層蒸着工程Ｓ３、本実施形態に係る蒸着装置用マスク、及び、本実施形態に係る蒸着装置について説明する。

本実施形態に係る蒸着装置用マスクは、マスク、制限板、及び、蒸着源を基板側からこの順に含む蒸着ユニットに対して基板を相対的に移動させながら蒸着を行う、本実施形態に係る蒸着装置に用いられるマスクである。まず、本実施形態に係る蒸着装置用マスクについて詳述し、本実施形態に係る蒸着装置については後で説明する。

図５は、実施形態１に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。図６は、実施形態１に係る蒸着装置用マスクの斜視模式図である。図７は、実施形態１に係る蒸着装置用マスクの断面模式図であり、図６のＡ１－Ａ２線断面を示す。図８は、実施形態１に係る蒸着装置用マスクの断面模式図であり、図６のＢ１－Ｂ２線断面、又は、Ｃ１－Ｃ２線断面を示す。
図５～８に示すように、本実施形態に係る蒸着装置用マスク１０１は、外枠部１０２と、複数の第一の桟部１１０と、２つの第二の桟部１２０と、パターン形成部１３０とを備えている。

外枠部１０２は、内側が開口した枠体であり、互いに対向する一対の長手状（例えば、直方体状）の縦枠部１０４と、互いに対向する一対の長手状（例えば、直方体状）の横枠部１０５とを含んでいる。Ｚ軸方向に沿って見たときの外枠部１０２の形状は、特に限定されず、適宜設定することができ、例えば、矩形状であってもよい。

外枠部１０２のＸ軸方向の幅は、基板のＸ軸方向の幅よりも大きく設定され、外枠部１０２のＹ軸方向の幅は、基板のＹ軸方向の幅よりも小さく設定されているがその他の外枠部１０２の寸法（例えば、Ｚ軸方向の寸法、並びに、Ｚ軸方向に沿って見たときの縦枠部１０４及び横枠部１０５の短手方向の幅）は、特に限定されず、適宜設定することができ、例えば、一般的なスキャン蒸着法において採用されるマスクフレームの寸法と同程度に設定されてもよい。

第一及び第二の桟部１１０及び１２０は、各々、長手状（例えば、直方体状）であり、外枠部１０２の内側に設けられ、外枠部１０２に固定されている。桟部１１０及び１２０は、Ｙ軸方向に沿って（例えば、Ｙ軸方向と平行に）、一対の横枠部１０５の間に架設されており、各々の両端部は、一対の横枠部１０５に接続されている。各桟部１１０、１１２にはＸ軸方向に隣接して貫通口１３７が形成され、第二の桟部１２０の一方と、複数の第一の桟部１１０と、第二の桟部１２０の他方とは、Ｘ軸方向においてこの順に、例えば等間隔で、配置されている。

第一の桟部１１０の上部（パターン形成部１３０側の部分）１１１のＺ軸方向における位置（高さ）と、第二の桟部１２０の上部（パターン形成部１３０側の部分）１２１のＺ軸方向における位置（高さ）とは、外枠部１０２の上部（パターン形成部１３０側の部分）１０３のＺ軸方向における位置（高さ）と実質的に同じである。例えば、第一の桟部１１０の上部１１１の表面と、第二の桟部１２０の上部１２１の表面と、外枠部１０２の上部１０３の表面とは、同一のＸＹ平面（Ｘ軸、及び、Ｙ軸に平行な平面）内に位置してもよい。

なお、第一及び第二の桟部１１０及び１２０の各寸法は、必要な剛性を確保でき、後述するマスク開口１３２を塞ぐことがなく、基板１９０の所望の場所に成膜パターンを形成することができる限り、特に限定されず、適宜設定することができる。

ただし、第一及び第二の桟部１１０及び１２０と、外枠部１０２との上にはパターン形成用の複数のマスク開口１３２が形成されたパターン形成部１３０が配置されることから、第一及び第二の桟部１１０及び１２０と、外枠部１０２との平坦度は高いことが好ましい。そのため、各桟部１１０、１２０のＺ軸方向の寸法（厚み）は、外枠部１０２のＺ軸方向の寸法（厚み）と実質的に同じであることが好ましい。また、これにより、桟部１１０及び１２０と、外枠部１０２との材料の加工性をよくすることができる。

また、パターン形成部１３０を各桟部１１０、１２０に接合（例えばスポット溶接）する場合は、各桟部１１０、１２０の強度が低いとマスク開口１３２のパターンが歪み、正確なパターンを基板に形成できなくなるおそれがある。したがって、その場合は、基板の寸法が４００ｍｍ×５００ｍｍ程度とすると、経験的には、Ｚ軸方向に沿って見たときの各桟部１１０、１２０の短手方向の幅は、５ｍｍ以上であることが好ましい。

他方、外枠部１０２には、テンションがかけられた状態でパターン形成部１３０が固定されるため、Ｚ軸方向に沿って見たときの外枠部１０２の短手方向の幅は、Ｚ軸方向に沿って見たときの各桟部１１０、１２０の短手方向の幅よりも数倍以上大きいことが好ましい。

また、各桟部１１０、１２０の外枠部１０２への固定方法は、特に限定されず、例えば、各桟部１１０、１２０と、外枠部１０２を別個に作製し、各桟部１１０、１２０を外枠部１０２に接合、例えばスポット溶接してもよい。そして、その後、パターン形成部１３０側の表面と、その反対側の表面とが所望の平行度及び平面度を有するように、桟部１１０及び１２０と外枠部１０２とを研磨してもよい。また、厚板に複数の貫通口１３７を形成して、隣り合う貫通口１３７の間の各隔壁部を桟部１１０又は１２０として用いてもよい。より詳細には、例えば、直方体状の材料に対して穴あけ加工や切出し加工を行い、更に必要に応じてテーパ加工を行い、最後に、パターン形成部１３０側の表面と、その反対側の表面とが所望の平行度及び平面度を有するように、桟部１１０及び１２０と外枠部１０２とを研磨してもよい。この方法によれば、桟部１１０及び１２０と外枠部１０２とを同時に形成することができ、各桟部１１０、１２０を外枠部１０２に接合する方法に比べて、各桟部１１０、１２０をより高精度に形成することが可能であり、より高精度に平面出し及び平行出しの研磨を行うことができる。

また、第一の桟部１１０の本数は、特に限定されず、後述するマスク開口１３２のパターンに応じて適宜設定することができ、１本であってもよい。

パターン形成部１３０は、開口パターンが形成された平板状であり、第一及び第二の桟部１１０及び１２０を覆うように外枠部１０２と桟部１１０及び１２０との上に配置されている。また、パターン形成部１３０は、各桟部１１０、１２０に隣接する貫通口１３７を覆っている。

パターン形成部１３０は、テンションがかけられた状態で外枠部１０２に接合、例えばスポット溶接されている。これにより、自重によるパターン形成部１３０の撓みを低減している。図５に示すように、パターン形成部１３０の周縁部を外枠部１０２にスポット溶接してもよい。図５中、スポット溶接部分は、点線で示している。

なお、Ｚ軸方向に沿って見たときのパターン形成部１３０の形状は、特に限定されず、適宜設定することができ、例えば、矩形状であってもよい。

また、パターン形成部１３０のＺ軸方向の寸法（厚み）は、特に限定されず、適宜設定することができ、例えば、一般的なスキャン蒸着法において採用されパターン形成部の厚みと同程度に設定されてもよい。

パターン形成部１３０には、複数の開口群１３１が形成されており、各開口群１３１は、パターン形成用の複数のマスク開口（貫通口）１３２を含んでいる。複数の開口群１３１は、互いに異なるパターンに形成されていてもよいが、通常、互いに実質的に同じパターンで形成される。換言すると、複数の開口群１３１に含まれる複数のマスク開口１３２は、通常、互いに実質的に同じパターンで形成されている。

複数の開口群１３１は、Ｘ軸方向に、例えば等間隔で、配置されている。Ｘ軸方向において隣り合う２つの開口群１３１の間の間隔は、Ｚ軸方向に沿って見たときの第一の桟部１１０の短手方向の幅よりも大きければ特に限定されず、適宜設定することができる。例えば、Ｚ軸方向に沿って見たときの各第一の桟部１１０の短手方向の幅を５ｍｍ以上にする場合は、Ｘ軸方向において隣り合う２つの開口群１３１の間の間隔も５ｍｍ以上に設定される。

また、Ｘ軸方向において隣り合う２つの開口群１３１の間の間隔は、各開口群１３１のＸ軸方向における幅、すなわち各開口群１３１においてＸ軸方向の両端に位置する２つのマスク開口１３２のＸ軸方向の距離よりも広く設定されていてもよい。これにより、マスク１０１を備える蒸着装置の設計の自由度を向上することができる。他方、このようなマスク開口１３２の配置では、１回の基板の搬送で基板の被蒸着領域の全域にパターンを形成することはできないが、マスク１０１を含む蒸着ユニットをＸ軸方向にシフトさせて複数回基板を搬送させることによって、基板の被蒸着領域の全域にパターンを形成することが可能である。なお、その詳細は後述する。

各開口群１３１内において、複数のマスク開口１３２は、Ｘ軸方向に、例えば等間隔で、配置されている。各マスク開口１３２は、Ｙ軸方向に沿って（例えば、Ｙ軸方向と平行に）、長手状に形成されている。このようなマスク開口１３２を介して、基板をＹ軸方向に沿って搬送しながら、気化した材料を基板に付着させることによって、Ｙ軸方向に延在するストライプ状のパターン（すなわち、発光層２３Ｒ、２３Ｇ又は２３Ｂ）を基板上に形成することができる。

なお、パターン形成部１３０に設けられる複数のマスク開口１３２のパターンは、Ｙ軸方向に沿って各々設けられた複数のマスク開口１３２がＸ軸方向に配置されたパターンであって、少なくとも一つの第一の桟部１１０を隣り合う２つのマスク開口１３２の間に配置することが可能なパターンである限り、特に限定されず、適宜設定することができる。

例えば、各開口群１３１内におけるマスク開口１３２のピッチは、特に限定されず、成膜しようとするパターンの位置、蒸着装置内におけるマスク１０１、基板、及び、蒸着源の相対的な位置関係、パターン形成部１３０の厚み等の条件を考慮した幾何学的計算に基づいて、適宜設定することができる。

また、各マスク開口１３２のＸ軸方向の寸法は、特に限定されず、成膜しようとするパターンのＸ軸方向の位置と幅、蒸着装置内におけるマスク１０１、基板、及び、蒸着源の相対的な位置関係、パターン形成部１３０の厚み等の条件を考慮した幾何学的計算に基づいて、適宜設定することができる。

また、各マスク開口１３２のＹ軸方向の寸法は、特に限定されず、蒸着レート、基板の搬送速度、成膜しようとするパターンの膜厚とＸ軸方向の位置、蒸着装置内におけるマスク１０１、基板、及び、蒸着源の相対的な位置関係、パターン形成部１３０の厚み等の条件を考慮した幾何学的計算に基づいて、適宜設定することができる。

更に、各開口群１３１内に含まれる複数のマスク開口１３２の本数は、特に限定されず、互いに独立して、適宜設定することが可能である。

そして、Ｚ軸方向に沿って見たときの各マスク開口１３２の形状は、特に限定されず、各マスク開口１３２は、例えば、Ｙ軸方向に延在する１つのスリット状の開口であってもよい。また、各マスク開口１３２は、複数の部分（マスク開口部）に分割されていてもよく、これらのマスク開口部がＹ軸方向に沿って配置されていてもよい。すなわち、各マスク開口１３２は、Ｙ軸方向に沿って配置された複数のマスク開口部を含むマスク開口列であってもよい。

以下、Ｘ軸方向において最も端に位置する２つのマスク開口を最端開口１３３とも言い、最端開口１３３の隣（内側）に位置する２つのマスク開口を隣接開口１３４とも言う。

図５に示すように、Ｚ軸方向に沿って見たとき、各第一の桟部１１０は、Ｘ軸方向において隣り合う２つのマスク開口１３２の間に配置されている。そして、図７に示すように、各第一の桟部１１０は、それらの２つのマスク開口１３２の間においてパターン形成部１３０に接触している。これらの２つのマスク開口１３２の間隔は、Ｚ軸方向に沿って見たときの第一の桟部１１０の短手方向の幅よりも大きければ特に限定されず、例えば、５ｍｍより大きく設定されてもよい。

また、図５に示すように、Ｚ軸方向に沿って見たときに、各第一の桟部１１０は、Ｘ軸方向において隣り合う２つの開口群１３１のうちの一方に含まれるマスク開口１３２と、他方に含まれるマスク開口１３２との間に配置されている。なお、Ｘ軸方向において隣り合う２つの開口群１３１とは、それらの間の間隔がＺ軸方向に沿って見たときの第一の桟部１１０の短手方向の幅よりも広く設定されている２つの開口群１３１を指す。

また、図５に示すように、Ｚ軸方向に沿って見たとき、各最端開口１３３の隣接開口１３４と反対側に、第二の桟部１２０が１つずつ配置されている。換言すると、Ｚ軸方向に沿って見たとき、各最端開口１３３は、第二の桟部１２０、及び、隣接開口１３４の間に配置されている。そして、図７に示すように、各第二の桟部１２０は、最端開口１３３の隣接開口１３４と反対側のパターン形成部１３０の部分に接触している。最端開口１３３は、各々、パターン形成部１３０に形成された全てのマスク開口１３２の中でＸ軸方向において最も端に位置している。

図９及び１１は、実施形態１に係る蒸着装置用マスクの拡大断面模式図である。図１０は、実施形態１に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。図１０中、スポット溶接部分は、点線で示している。
各桟部１１０、１２０は、図７に示したように、パターン形成部１３０に単に接触しているだけでもよいし、図１０及び１１に示すように、接合（例えばスポット溶接）されていてもよい。いずれの場合も、パターン形成部１３０を各桟部１１０、１２０によって支えることができるため、パターン形成部１３０の自重による撓みを小さくすることができる。

前者の場合は、接合する箇所が、一般的な蒸着装置用マスクの場合と同じで済む。ただし、図９に示すように、蒸着粒子の流れやマスク１０１の各部の極微小な歪に起因して、パターン形成部１３０と、各桟部１１０、１２０との間に僅かに隙間１３５が生じる可能性がある。通常の蒸着ではこの隙間は問題にならないが、成膜レートを非常に高くした場合はこの隙間を通る蒸着粒子が問題になるおそれがある。

それに対して、後者の場合は、接合箇所１３６では各桟部１１０、１２０はパターン形成部１３０と一体化するため、パターン形成部１３０と、各桟部１１０、１２０との間にほとんど隙間が生じず、成膜レートを非常に高くした場合でもこの隙間を通る蒸着粒子が問題にならないという利点がある。

なお、各桟部１１０、１２０の強度は、外枠部１０２の強度より小さく、パターン形成部１３０のテンションを支えるのは外枠部１０２であるため、後者の場合も、通常、パターン形成部１３０の外枠部１０２への接合を省略することはできない。したがって、後者の場合は、通常、接合箇所が一般的な蒸着装置用マスクの場合よりも増えてしまう。ただし、各桟部１１０、１２０のパターン形成部１３０への接合は、これらの間の隙間を無くすことが目的であるため、各桟部１１０、１２０のパターン形成部１３０への接合箇所は、少なくしてもよい。

なお、マスク１０１の各部の材料は特に限定されず、適宜選択可能であるが、熱歪が小さい材料であることが好ましく、具体的には、外枠部１０２と、第一及び第二の桟部１１０及び１２０の材料としては、インバー材（鉄に略３６質量％のニッケルを加えた合金。さらに微量のＣｏを混ぜてもよい。）が好適である。外枠部１０２と桟部１１０及び１２０との熱歪が大きいと、蒸着を行う期間中にマスク開口１３２のパターンが変形するおそれがあるが、インバー材は、熱膨張係数の小さく、外枠部１０２と桟部１１０及び１２０との熱歪の発生を抑制し、マスク開口１３２のパターンの変形を抑制することができる。同様の観点から、パターン形成部１３０の材料としてもインバー材が好適である。ただし、パターン精度が低くてよい場合は、ステンレス合金を用いることができる。また、パターン形成部１３０のＺ軸方向の寸法（厚み）を極めて薄くする場合は、加工性に優れるニッケル（Ｎｉ）合金を用いることができる。

以上の通り、本実施形態に係る蒸着装置用マスク１０１は、外枠部１０２と、外枠部１０２の内側に設けられ、外枠部１０２に固定された第一の桟部１１０と、外枠部１０２、及び、第一の桟部１１０上に設けられ、外枠部１０２に固定されたパターン形成部１３０とを備え、パターン形成部１３０には、パターン形成用の複数のマスク開口１３２が設けられ、複数のマスク開口１３２の各々は、Ｙ軸方向（第一の方向）に沿って設けられ、複数のマスク開口１３２は、Ｙ軸方向（第一の方向）に直交するＸ軸方向（第二の方向）に配置され、第一の桟部１１０は、Ｙ軸方向（第一の方向）、及び、Ｘ軸方向（第二の方向）に直交するＺ軸方向（第三の方向）に沿って見たときに複数のマスク開口１３２のうちの隣り合う２つのマスク開口１３２の間に位置し、かつ、パターン形成部１３０に接触する。本実施形態に係るマスク１０１によれば、成膜パターンの精度を維持しつつ、ゴーストの発生を抑制することができる。

より詳しく説明すると、複数のマスク開口１３２は、Ｙ軸方向（第一の方向）に直交するＸ軸方向（第二の方向）に配置され、第一の桟部１１０は、Ｙ軸方向（第一の方向）、及び、Ｘ軸方向（第二の方向）に直交するＺ軸方向（第三の方向）に沿って見たときに複数のマスク開口１３２のうちの隣り合う２つのマスク開口１３２の間に位置し、かつ、パターン形成部１３０に接触することから、制限板をパターン形成部１３０ではなく第一の桟部１１０に接触させることができる。したがって、Ｘ軸方向において隣り合う２つのマスク開口１３２の間のパターン形成部１３０の部分と、制限板との間に第一の桟部１１０を配置することができ、それらの間の領域を第一の桟部１１０によって塞ぐことができる。そのため、マスク１０１近傍で蒸着粒子が散乱したり、マスク１０１近傍で制限板に付着した材料が再蒸発したりして、Ｘ軸方向の速度成分が大きく、想定外の方向に進行する蒸着粒子が発生したとしても、当該蒸着粒子の進行を第一の桟部１１０と制限板とによって効果的に遮ることができる。したがって、ゴーストの発生を抑制することができる。

また、第一の桟部１１０は、外枠部１０２の内側に設けられ、外枠部１０２に固定されることから、第一の桟部１１０の剛性を容易に高くすることが可能である。したがって、制限板１８０を第一の桟部１１０に接触させても、パターン形成部１３０に歪みが生じることを防止できるため、成膜パターンの精度の悪化を防止することが可能である。

更に、パターン形成部１３０を外枠部１０２のみならず、第一の桟部１１０によっても支持することができるため、自重によるパターン形成部１３０の撓みを効果的に低減することができる。

また、本実施形態に係る蒸着装置用マスク１０１は、外枠部１０２の内側に設けられ、外枠部１０２に固定された第二の桟部１２０を備え、パターン形成部１３０は、外枠部１０２、第一の桟部１１０、及び、第二の桟部１２０上に設けられ、複数のマスク開口１３２のうち、Ｘ軸方向（第二の方向）において一方の端に位置するマスク開口を最端開口１３３とし、最端開口１３３の隣に位置するマスク開口を隣接開口１３４とすると、第二の桟部１２０は、Ｚ軸方向（第三の方向）に沿って見たときに最端開口１３３の隣接開口１３４と反対側に位置し、かつ、パターン形成部１３０に接触する。

このように、複数のマスク開口１３２のうち、Ｘ軸方向（第二の方向）において一方の端に位置するマスク開口を最端開口１３３とし、最端開口１３３の隣に位置するマスク開口を隣接開口１３４とし、第二の桟部１２０は、Ｚ軸方向（第三の方向）に沿って見たときに最端開口１３３の隣接開口１３４と反対側に位置し、かつ、パターン形成部１３０に接触することから、制限板をパターン形成部１３０ではなく第二の桟部１２０に接触させることができる。したがって、最端開口１３３の隣接開口１３４と反対側のパターン形成部１３０の部分と、制限板との間に第二の桟部１２０を配置することができ、それらの間の領域を第二の桟部１２０によって塞ぐことができる。そのため、Ｙ軸方向の側方からパターン形成部１３０の方に回り込むＸ軸方向の速度成分が大きな蒸着粒子が発生したとしても、当該蒸着粒子の進行を第二の桟部１２０と制限板とによって効果的に遮ることができる。したがって、ゴーストの発生をより効果的に抑制することができる。

また、第二の桟部１２０は、外枠部１０２の内側に設けられ、外枠部１０２に固定されることから、第二の桟部１２０の剛性を容易に高くすることが可能である。したがって、制限板を第二の桟部１２０に接触させても、パターン形成部１３０に歪みが生じることを防止することができるため、成膜パターンの精度を維持することができる。

次に、本実施形態に係る蒸着装置について詳述する。
図１２は、実施形態１に係る蒸着装置の斜視模式図である。図１３は、実施形態１に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。図１４は、実施形態１に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｘ軸方向に垂直な断面を示す。図１５は、実施形態１に係る蒸着装置の平面模式図である。

図１２～１５に示すように、本実施形態に係る蒸着装置１５０は、真空チャンバ（蒸着室、図示せず）と、真空チャンバに接続された真空ポンプ（図示せず）と、基板ホルダ１５１と、移動機構（搬送機構）１５２と、シャッター１５３と、アライメント手段（図示せず）と、蒸着装置１５０を駆動制御するための駆動制御装置（図示せず）と、蒸着ユニット１５４とを備えており、蒸着ユニット１５４は、蒸着源１６０と、アパーチャー１７０と、複数の制限板１８０と、マスク１０１と、マスク１０１を支持するマスクホルダ１５５を含むユニットホルダと、スライド装置（図示せず）とを含んでいる。そして、マスク１０１の上方を真空蒸着（成膜）される基板１９０が搬送される。マスク１０１、制限板１８０、アパーチャー１７０、及び、蒸着源１６０は、基板１９０側からこの順に配置されている。

真空チャンバは、真空蒸着を行う空間を形成する容器であり、蒸着ユニット１５４と、基板ホルダ１５１と、移動機構１５２の少なくとも一部と、シャッター１５３と、アライメント手段の少なくとも一部とは、真空チャンバ内に設けられている。蒸着を行う際には真空ポンプによって真空チャンバ内が排気（減圧）され、少なくとも蒸着を行う期間中、真空チャンバ内は高真空状態（例えば、到達真空度：１×１０^－２Ｐａ以下）に維持される。

ユニットホルダは、少なくとも蒸着を行う期間中、マスク１０１、複数の制限板１８０、アパーチャー１７０、及び、蒸着源１６０を互いに一体化するための部材である。一体化する目的は、当該期間中、マスク１０１、複数の制限板１８０、アパーチャー１７０、及び、蒸着源１６０の射出口１６４の相対的な位置、及び、姿勢を一定に維持するためである。後述するように、スライド装置でマスク１０１をスライドさせる場合、複数の制限板１８０、アパーチャー１７０、及び、蒸着源１６０の射出口１６４もスライドさせる必要があるが、ユニットホルダで上述の部材を一体化することによって、これらの部材の位置関係、及び、姿勢を固定したまま、これらの部材を一緒にスライドさせることが可能となる。

スライド装置は、ユニットホルダによって一体化された上述の部材をＸ軸方向にスライド可能にする装置である。スライドさせる目的は、マスク１０１を用いた場合、基板１９０をマスク１０１の上方を一度移動させるだけでは基板１９０の全面に蒸着できないため、蒸着ユニット１５４全体をＸ軸方向にスライドさせて、再度基板を移動しながら蒸着を行い、１回目の蒸着で蒸着されなかった領域を蒸着するためである。

基板ホルダ１５１は、基板１９０を保持可能な部材であり、真空チャンバ内の上部に設けられている。基板ホルダ１５１は、被蒸着面がマスク１０１に対向するように基板１９０を保持する。基板ホルダ１５１としては、静電チャックが好適である。

発光層蒸着工程Ｓ３までに、基板１９０の絶縁基板１１上には、上述のように、ＴＦＴ１２、配線１４、層間膜１３、第１電極２１、エッジカバー１５、及び、正孔注入層兼正孔輸送層２２が形成されている。

基板ホルダ１５１は、移動機構１５２に接続されている。移動機構１５２は、基板１９０がマスク１０１のパターン形成部１３０と対向するように、基板ホルダ１５１をＹ軸方向に案内する。そして、基板ホルダ１５１と、基板ホルダ１５１に保持された基板１９０とをＹ軸方向に沿って定速で移動し、パターン形成部１３０の近傍を通過させる。他方、蒸着ユニット１５４は、少なくとも蒸着を行う期間中、真空チャンバに固定され、静止している。したがって、移動機構１５２により、基板１９０をＹ軸方向に沿って蒸着ユニット１５４に対して相対的に移動させることが可能となる。移動機構１５２は、例えば、Ｙ軸方向に延在する直線ガイドと、Ｙ軸方向に延在するボールネジと、ボールネジに螺合されたボールナットと、サーボモータ、ステッピングモータ等のボールネジを回転駆動する駆動モータ（電動機）と、駆動モータに電気的に接続されたモータ駆動制御装置とを含む機構であってもよい。

なお、移動機構１５２は、基板１９０を蒸着ユニット１５４に対して相対的に移動させることができればよい。したがって、移動機構１５２は、基板ホルダ１５１、及び、蒸着ユニット１５４に接続さてもよく、基板ホルダ１５１、及び、蒸着ユニット１５４の両方が移動機構１５２によって移動させられてもよい。また、移動機構１５２は、蒸着ユニット１５４に接続さてもよく、蒸着ユニット１５４が移動機構１５２によって移動させられ、基板１９０、及び、基板ホルダ１５１は、真空チャンバに固定されてもよい。

マスク１０１は、パターン形成部１３０が基板１９０側に位置し、かつ、第一及び第二の桟部１１０及び１２０が制限板１８０側に位置するように、配置されている。

マスク１０１は、基板１９０より小さく、マスク１０１のＹ軸方向の寸法は、基板１９０のＹ軸方向の寸法よりも小さい。これにより、マスク１０１の小型化が可能となり、基板１９０が大型化した場合もマスク１０１の製造性を確保することができる。また、マスク１０１の自重による撓みの大きさを低減することが可能である。

基板１９０の搬送中に基板１９０が損傷することを防止するために、蒸着を行う期間中、基板１９０は、マスク１０１の上を一定の間隔を空けて移動される。なお、この間隔の大きさは、特に限定されず、適宜設定することができる。例えば、このギャップは、一般的なスキャン蒸着法において採用されるマスク及び基板の間の間隔と同程度に設定されてもよい。

蒸着源１６０は、真空蒸着される材料（好適には有機材料）を加熱して気化、すなわち蒸発又は昇華させ、そして、気化した材料を真空チャンバ内に放出する部材であり、真空チャンバ内の下部に設けられている。より詳細には、蒸着源１６０は、蒸発部１６１と、蒸発部１６１に接続され、気化した材料が拡散する空間を形成する拡散部１６２と、拡散部１６２の上部（マスク１０１側の部分）に周期的に設けられた複数のノズル１６３とを含んでいる。蒸発部１６１は、材料を収容する耐熱性の容器（図示せず）、例えば坩堝と、容器に収容された材料を加熱する加熱装置（図示せず）、例えばヒータ及び加熱電源とを含んでいる。各ノズル１６３の先端には、射出口（開口）１６４が形成されている。射出口１６４は、拡散部１６２まで貫通しており、Ｘ軸方向に等間隔で配置されている。蒸発部１６１の容器内に材料を入れ、材料を加熱装置で加熱して気化させると、気体となった材料（蒸着粒子）は、拡散部１６２内を拡散し、最終的に射出口１６４から放出される。その結果、射出口１６４からは、蒸着粒子の流れである蒸着流１９１が発生し、蒸着流１９１（蒸着粒子）は、射出口１６４から等方的に広がっていく。

なお、蒸着源１６０の種類は、特に限定されず、例えば、点蒸着源（ポイントソース）でもよいし、線蒸着源（ラインソース）でもよいし、面蒸着源であってもよい。また、蒸着源１６０の加熱方法は、特に限定されず、例えば、抵抗加熱法、電子ビーム法、レーザ蒸着法、高周波誘導加熱法、アーク法等が挙げられる。また、ノズル１６３の配置は特に限定されず、例えば、Ｙ軸方向に複数列のノズル１６３を配置してもよい。更に、複数の蒸着源１６０をＹ軸方向に並べて配置してもよい。

シャッター１５３は、蒸着源１６０、及び、アパーチャー１７０の間に挿入可能な状態で設けられている。シャッター１５３がこれらの間に挿入されることで蒸着流１９１が遮断される。このように、蒸着源１６０、及び、アパーチャー１７０の間にシャッター１５３を適宜差し挟むことによって、基板１９０の余計な部分（非蒸着領域）への蒸着を防止することができる。

アパーチャー１７０は、複数の開口（貫通口）１７１が設けられた厚板状の部材であり、蒸着源１６０から離れてＸＹ平面と略平行に配置されている。複数の開口１７１は、Ｘ軸方向に等間隔で配置されており、蒸着源１６０の射出口１６４のＸ軸方向のピッチと略同一のピッチで配置されている。

なお、蒸着源１６０、及び、アパーチャー１７０の間の間隔は、特に限定されず、適宜設定することができ、例えば、一般的なスキャン蒸着法において採用される蒸着源、及び、アパーチャーの間の間隔と同程度に設定されてもよい。

全ての開口１７１は、略同一寸法で略同一の形状に形成されており、Ｚ軸方向に沿って見たときの各開口１７１の形状は、例えば、矩形又は正方形である。Ｚ軸方向に沿って見たときの各開口１７１の形状は、特に限定されず、互いに独立して適宜設定することができるが、通常、Ｙ軸方向と平行な一対の辺を含む形状である。

各開口１７１の下方には１つの射出口１６４が配置されており、開口１７１と、射出口１６４とが一対一に対応している。また、各射出口１６４のＸ軸方向の位置は、対応する開口１７１の中央のＸ軸方向の位置と略一致し、Ｙ軸方向に沿って見たときに、各射出口１６４は、対応する開口１７１の中心の略真下に位置している。

ただし、開口１７１と、射出口１６４との対応関係は特に限定されず、例えば、１つの射出口１６４に対して複数の開口１７１が対応して配置されてもよいし、複数の射出口１６４に対して１つの開口１７１が対応して配置されてもよい。後者は、複数の材料を同時に蒸着する、いわゆる共蒸着に好適である。また、Ｙ軸方向に沿って見たときに、各射出口１６４は、対応する開口１７１の中心の真下からずれた場所に配置されてもよい。

なお、「射出口１６４に対応する開口１７１」とは、その射出口１６４から放出された蒸着粒子が通過可能なように設計された開口１７１を意味する。

各開口１７１には下方から、ある広がりをもって射出口１６４から放出された蒸着流１９１が上昇してくる。蒸着流１９１に含まれる蒸着粒子のうちの一部は、開口１７１を通過することができる。他方、残りの蒸着粒子は、アパーチャー１７０の底面部、又は、開口１７１内のアパーチャー１７０の壁部に衝突して付着するため、開口１７１を通過することができず、マスク１０１に到達することができない。また、アパーチャー１７０は、各蒸着流１９１が対応する開口１７１以外の開口１７１（例えば対応する開口１７１の隣の開口１７１）を通過することを防止している。

アパーチャー１７０は、各射出口１６４から噴き出した直後では等方的に広がっていた蒸着粒子の飛行範囲を制限し、指向性の悪い成分、具体的にはＸ軸方向の速度成分が相対的に大きい蒸着粒子を遮り、指向性の高い成分、具体的にはＸ軸方向の速度成分が相対的に小さい蒸着粒子を通過させる。そして、アパーチャー１７０は、基板１９０に対する蒸着流１９１の入射角が必要以上に大きくなるのを抑制し、基板１９０に入射する蒸着粒子のＸ軸方向における指向性を向上する。このように、アパーチャー１７０を配置することによって、成膜パターンのボケの大きさを低減できるとともに、ゴーストの発生を抑制することができる。

アパーチャー１７０を通過した蒸着粒子は、理想的にはアパーチャー１７０によって制限された範囲内を進行していく。しかしながら、実際にはマスク１０１に到達する前に蒸着粒子の散乱が生じ、Ｘ軸方向の速度成分が大きく、所定の範囲外に進行する蒸着粒子が発生する可能性がある。また、アパーチャー１７０に付着した材料が再蒸発して、Ｘ軸方向の速度成分が大きく、所定の範囲外に進行する蒸着粒子が発生する可能性もある。したがって、蒸着源１６０、及び、マスク１０１の間にアパーチャー１７０のみを配置すると、Ｘ軸方向の速度成分が大きく、所定の範囲外に進行する蒸着粒子に起因して、成膜パターンのボケが大きくなり、ゴーストが発生する。また、側方からパターン形成部１３０の方に回り込むＸ軸方向の速度成分が大きな蒸着粒子に起因して、成膜パターンのボケが大きくなり、ゴーストが発生する可能性もある。そこで、本実施形態では、アパーチャー１７０、及び、マスク１０１の間に更に複数の制限板１８０を配置して、アパーチャー１７０を通過した後に散乱した蒸着粒子が所定の範囲外に進行しないようにしている。また、アパーチャー１７０に付着した材料が再蒸発して発生した蒸着粒子が所定の範囲外に進行しないようにしている。更に、回り込んできた蒸着粒子がマスク開口１３２に飛来しないようにしている。

複数の制限板１８０は、マスク１０１と蒸着源１６０との間の空間を仕切ってＸ軸方向に並ぶ複数の空間に分割するように配置されている。これにより、散乱、再蒸発等に起因するＸ軸方向の速度成分が大きい蒸着粒子は、制限板１８０に衝突して付着し、マスク１０１に到達することができない。また、Ｘ軸方向の速度成分が大きい蒸着粒子がマスク１０１の方に回り込んできたしとても、その蒸着粒子を制限板１８０に衝突させて付着させることができる。したがって、複数の制限板１８０をアパーチャー１７０とともに配置することによって、アパーチャー１７０のみを配置した場合に比べて、成膜パターンのボケの大きさをより低減できるとともに、ゴーストの発生をより抑制することができる。

複数の制限板１８０は、板状の部材であり、Ｘ軸方向の異なる位置に配置されている。複数の制限板１８０は、Ｘ軸方向に等間隔で配置されており、アパーチャー１７０の開口１７１のＸ軸方向のピッチと略同一のピッチで配置されている。

制限板１８０の材料は、特に限定されないが、熱歪が小さい材料が好ましい。具体的には、ＳＵＳ３０４が好ましく、インバー材がより好ましい。

各制限板１８０の形状は、特に限定されず、互いに独立して適宜設定することができ、例えば、各制限板１８０は、平板状であってもよいし、屈曲又は湾曲していてもよいし、波板状であってもよい。

Ｚ軸方向に沿って見たとき、隣り合う一組の制限板１８０の間に、蒸着源１６０の１つの射出口１６４と、アパーチャー１７０の１つの開口１７１と、マスク１０１の１つの開口群１３１とが配置されている。また、Ｚ軸方向に沿って見たとき、各射出口１６４のＸ軸方向の位置は、その射出口１６４を挟む一組の制限板１８０の中央のＸ軸方向の位置と略一致する。

ただし、制限板１８０と、射出口１６４との対応関係は特に限定されず、例えば、１つの射出口１６４に対してＸ軸方向に隣り合う複数組の制限板１８０が対応して配置されてもよいし、複数の射出口１６４に対してＸ軸方向に隣り合う一組の制限板１８０が対応して配置されてもよい。後者は、複数の材料を同時に蒸着する、いわゆる共蒸着に好適である。また、Ｚ軸方向に沿って見たとき、各射出口１６４のＸ軸方向の位置は、その射出口１６４を挟む一組の制限板１８０の中央のＸ軸方向の位置からずれていてもよい。

なお、「射出口１６４に対応する隣り合う一組の制限板１８０」とは、その射出口１６４から放出された蒸着粒子が通過可能なように設計された隣り合う一組の制限板１８０を意味する。

また、制限板１８０と、開口群１３１との対応関係は特に限定されず、例えば、複数の開口群１３１に対してＸ軸方向に隣り合う一組の制限板１８０が対応して配置されてもよい。

なお、「開口群１３１に対応する隣り合う一組の制限板１８０」とは、その一組の制限板１８０の間を通過してきた蒸着粒子が通過可能なように設計された開口群１３１を意味する。

全ての制限板１８０は、略同一寸法で略同一の形状に形成されており、各制限板１８０は、ＹＺ平面（Ｙ軸、及び、Ｚ軸に平行な平面）に沿って、すなわち、Ｙ軸方向、及び、Ｚ軸方向に沿って配置されている。各制限板１８０は、ＹＺ平面と略平行に配置された平板状の部材であってもよい。Ｘ軸方向に沿って見たときの各制限板１８０の形状は、例えば、矩形又は正方形である。

各制限板１８０のＸ軸方向の寸法（厚さ）は、マスク開口１３２を塞ぐことがなく、基板１９０の所望の場所に成膜パターンを形成することができる限り、特に限定されず、適宜、設定することができる。例えば、一般的なスキャン蒸着法において採用される制限板のＸ軸方向の寸法と同程度に設定されてもよい。また、各制限板１８０の厚さは、一定でも一定でなくてもよく、例えば、各制限板１８０は、蒸着源１６０側で厚く、マスク１０１側で薄い、テーパ断面を有していてもよい。

各制限板１８０のＹ軸方向の寸法は、特に限定されないが、通常、アパーチャー１７０の各開口１７１のＹ軸方向の寸法よりも大きく設定され、各桟部１１０、１２０のＹ軸方向の寸法以上に設定され、各マスク開口１３２のＹ軸方向の寸法よりも大きく設定されている。

各制限板１８０のＺ軸方向の寸法は、特に限定されず、適宜設定することができ、例えば、一般的なスキャン蒸着法において採用される制限板のＺ軸方向の寸法と同程度に設定されてもよい。

このような制限板１８０を配置することによって、隣り合う制限板１８０の間の空間（以下、制限空間とも言う。）１８３には、各々、下方の対応する射出口１６４から蒸着流１９１が上昇してくることになる。蒸着流１９１に含まれる蒸着粒子のうちの大部分は、制限空間１８３を通過することができ、マスク１０１に到達することができる。他方、所定の範囲外に進行する残りの蒸着粒子は、制限板１８０に付着するため、制限空間１８３を通過することができず、マスク１０１に到達することができない。

しかしながら、制限板１８０を配置したとしても、上述した比較形態１のように、各制限板１８０とマスク１０１との間に隙間があると、依然、ゴーストが発生してしまう。そこで、本実施形態では、各制限板１８０をマスク１０１に接触させている。これにより、アパーチャー１７０を通過した後に散乱した蒸着粒子や再蒸発により発生した蒸着粒子等、Ｘ軸方向の速度成分が大きく、所定の範囲外に進行する蒸着粒子が他の制限空間１８３に進入する確率を著しく小さくすることができ、好ましくは限りなくゼロにすることが可能である。その結果、ゴーストの発生を効果的に抑制することができる。

より詳細には、Ｘ軸方向において両端に位置する２枚の制限板１８０を除いて、各制限板１８０のマスク１０１側の縁部（上縁部）１８１は、第一の桟部１１０の下部（制限板１８０側の部分）１１２に沿うように形成されており、各制限板１８０の上縁部１８１と、基板第一の桟部１１０の下部１１２とは、互いに接触している。例えば、各第一の桟部１１０の下部１１２は、平坦な表面を有し、各制限板１８０の上縁部１８１は、対応する第一の桟部１１０の下部１１２の平坦な表面に接触する直線的な輪郭を有してもよい。

Ｘ軸方向において両端に位置する２枚の制限板１８０に関しては、それらの外側にはマスク開口がないことから、それらの制限板１８０をマスク１０１に接触させなくとも、アパーチャー１７０を通過した後の発生する散乱と、制限板１８０又はアパーチャー１７０に付着した材料の再蒸着とが問題となることはほとんどない。しかしながら、Ｙ軸方向の側方からパターン形成部１３０の方に回り込むＸ軸方向の速度成分が大きな蒸着粒子に起因してゴーストが発生する場合もあるので、その場合は、Ｘ軸方向において両端に位置する２枚の制限板１８０もマスク１０１に接触させることが好ましい。

より詳細には、Ｘ軸方向において両端に位置する２枚の制限板１８０の各々のマスク１０１側の縁部（上縁部）１８１は、第二の桟部１２０の下部（制限板１８０側の部分）１２２に沿うように形成されており、各制限板１８０の上縁部１８１と、第二の桟部１２０の下部１２２とは、互いに接触していることが好ましい。例えば、各第二の桟部１２０の下部１２２は、平坦な表面を有し、各制限板１８０の上縁部１８１は、対応する第二の桟部１２０の下部１２２の平坦な表面に接触する直線的な輪郭を有してもよい。

各制限板１８０と、対応する桟部１１０又は１２０とが互いに接触する領域のＹ軸方向の寸法は、特に限定されないが、ゴーストの発生を効果的に抑制する観点からは、各マスク開口１３２のＹ軸方向の寸法よりも大きく設定されることが好ましい。

各制限板１８０は、アパーチャー１７０と離れて配置されてもよいが、ゴーストの発生をより効果的に抑制する観点からは、各制限板１８０をアパーチャー１７０に接触させることが好ましい。

より詳細には、各制限板１８０の上縁部１８１と反対側の縁部（アパーチャー１７０側の縁部、下縁部）１８２は、アパーチャー１７０の上部１７２（制限板１８０側の部分）に沿うように形成されており、各制限板１８０の下縁部１８２と、アパーチャー１７０の上部１７２とは、互いに接触していることが好ましい。例えば、アパーチャー１７０の上部１７２は、平坦な表面を有し、各制限板１８０の下縁部１８２は、アパーチャー１７０の上部１７２の平坦な表面に接触する直線的な輪郭を有してもよい。

各制限板１８０と、アパーチャー１７０とが互いに接触する領域のＹ軸方向の寸法は、特に限定されないが、ゴーストの発生を効果的に抑制する観点からは、アパーチャー１７０の各開口１７１のＹ軸方向の寸法よりも大きく設定されることが好ましい。

また、各制限板１８０は、アパーチャー１７０に接合、例えばスポット溶接されていてもよいが、蒸着装置１５０の内部構造のメンテナンスを行いやすくする観点からは、各制限板１８０は、アパーチャー１７０と接触しているだけで接合してないことが好ましい。

制限空間１８３を通過した蒸着粒子の大部分は、マスク１０１のパターン形成部１３０に到達する。パターン形成部１３０には、複数のマスク開口１３２が形成されているため、パターン形成部１３０に到達した蒸着粒子の一部がマスク開口１３２を通過することができ、マスク開口１３２に対応したパターンで基板１９０上に蒸着粒子を堆積させることができる。

なお、制限空間１８３を通過した蒸着粒子の一部がパターン形成部１３０近傍で散乱したり、桟部１１０及び１２０や制限板１８０に付着した材料が再蒸発したりする可能性もあるが、本実施形態では、各桟部１１０、１２０がパターン形成部１３０と接触して配置されていることから、そのような蒸着粒子に起因するゴーストの発生を抑制することができる。

また、Ｙ軸方向の速度成分が大きな蒸着粒子については、基板１９０の搬送方向と、マスク開口１３２とに沿って進行するため、特にゴーストの発生要因にはならない。

以下、発光層蒸着工程Ｓ３における蒸着装置１５０の動作について説明する。

発光層蒸着工程Ｓ３では、まず、真空チャンバ内を減圧し、高真空状態（例えば、到達真空度：１×１０^－２Ｐａ以下）にする。また、材料を加熱して蒸着流１９１を発生させる。次に、搬入口（図示せず）から基板１９０を真空チャンバ内に搬入し、基板ホルダ１５１によって基板１９０を保持する。次に、蒸着範囲外の待機位置において、アライメント手段によって、基板１９０、及び、マスク１０１のアライメントを行う。そして、基板１９０を蒸着範囲外の待機位置に置いたまま、シャッター１５３を蒸着源１６０、及び、アパーチャー１７０の間から後退させ、成膜レートが安定するのを待つ。成膜レートの安定には３０分前後が必要となる。シャッター１５３を開けた直後は蒸着流が安定しておらず、成膜レートが変動し、正確な膜厚で成膜することが困難となる。したがって、シャッター１５３を開けた後、所定時間（３０分前後）経過してから、成膜を行う。この所定時間中は、ダミー基板を蒸着範囲内に設置し、ダミー基板に蒸着する（ダミー蒸着）。成膜レートの安定化後、ダミー基板を除去する。

次に、図１２に示したように、基板１９０、及び、マスク１０１が互いにすれ違うように、移動機構１５２によって、Ｙ軸方向に沿って、一定の相対速度で、基板１９０を蒸着ユニット１５４に対して相対的に移動させる。その結果、蒸着ユニット１５４に対して相対的に移動している基板１９０の被蒸着領域に、マスク開口１３２を通過した蒸着粒子が次々に付着していき、ストライプ状のパターン（蒸着膜）１９５が形成される。基板１９０の被蒸着領域がマスク１０１上を通過したところでシャッター１５３を蒸着源１６０、及び、アパーチャー１７０の間に挿入し、基板１９０上への１回目の蒸着を終了する。基板１９０は、マスク１０１上を通過した後、一時的に停止される。なお、図１２に示したパターン１９５の各ラインは、開口群に対応しており、実際には各ラインはマスク開口１３２に対応した複数の細線を含んでいる。

１回目の蒸着後、スライド装置によって蒸着ユニット１５４をＸ軸方向にスライドさせる。そして、基板１９０、及び、マスク１０１のアライメントを行い、シャッターを開けて成膜レートが安定化した後、１回目の蒸着と同様に２回目の蒸着を行う。具体的には、移動機構１５２によって、１回目の蒸着とは反対の方向に、一定の相対速度で、基板１９０をマスク１０１に対して相対的に移動させながら、マスク１０１を介して基板１９０の被蒸着領域（ただし、１回目の蒸着によってパターンが形成されていない領域）に蒸着粒子を付着させてストライプ状の膜（蒸着膜）を形成していく。この結果、基板１９０の被蒸着領域の全域に、発光層２３Ｒ、２３Ｇ又は２３Ｂとして、ストライプ状のパターンが形成される。

なお、パターンの膜厚が所望の膜厚を達するように、基板１９０をマスク１０１上を複数回往復させて複数回の蒸着を行ってもよい。

また、１回目の蒸着と２回目の蒸着の間、シャッターを開けたままにし、２回目の蒸着前の成膜レートの安定化を省略してもよい。

また、１回目の蒸着を終了した後、基板１９０を始めの待機位置に戻し、ここで、Ｘ軸方向にスライドされた蒸着ユニット１５４のマスク１０１と、基板１９０とのアライメントを行ってもよい。そして、移動機構１５２によって、１回目の蒸着と同じ方向に、一定の相対速度で、基板１９０をマスク１０１に対して相対的に移動させながら、マスク１０１を介して基板１９０の被蒸着領域（ただし、１回目の蒸着によってパターンが形成されていない領域）に蒸着粒子を付着させてもよい。

発光層蒸着工程Ｓ３では、３種類の発光材料を用いて、上述の一連の蒸着を３回行い、３色の発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂを順に形成する。なお、発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂの形成順序は、特に限定されず、適宜設定することが可能である。

全ての発光層の蒸着が終了後、移動機構１５２によって基板１９０を搬出口（図示せず）の手前まで搬送し、搬出口から基板１９０を真空チャンバの外に搬出する。これにより、発光層蒸着工程Ｓ３が完了する。

以上、説明したように、本実施形態に係る蒸着装置１５０は、基板１９０上に成膜する蒸着装置であって、本実施形態に係る蒸着装置１５０は、本実施形態に係るマスク１０１と、蒸着粒子を放出する蒸着源１６０と、マスク１０１、及び、蒸着源１６０の間に設けられ、マスク１０１、及び、蒸着源１６０の間の空間を仕切ってＸ軸方向（第二の方向）に並ぶ複数の空間に分割する制限板１８０とを含む蒸着ユニット１５４と、基板１９０をマスク１０１から離した状態で、Ｙ軸方向（第一の方向）に沿って蒸着ユニット１５４に対して基板１９０を相対的に移動させる移動機構１５２とを備え、マスク１０１は、パターン形成部１３０が基板１９０側に位置し、かつ、第一の桟部１１０が制限板１８０側に位置するように、配置され、制限板１８０は、パターン形成部１３０ではなく第一の桟部１１０に接触する。

このように、本実施形態に係る蒸着装置１５０は、本実施形態に係るマスク１０１と、制限板１８０とを備え、制限板１８０は、パターン形成部１３０ではなく第一の桟部１１０に接触することから、上述のように、成膜パターンの精度を維持しつつ、ゴーストの発生を抑制することができる。

より詳細には、制限板１８０は、パターン形成部１３０ではなく第一の桟部１１０に接触することから、Ｘ軸方向において隣り合う２つのマスク開口１３２の間のパターン形成部１３０の部分と、制限板１８０との間に第一の桟部１１０を配置することができ、それらの間の領域を第一の桟部１１０によって塞ぐことができる。そのため、マスク１０１近傍で蒸着粒子が散乱したり、マスク１０１近傍で制限板に付着した材料が再蒸発したりして、Ｘ軸方向の速度成分が大きく、想定外の方向に進行する蒸着粒子が発生したとしても、当該蒸着粒子の進行を第一の桟部１１０と制限板１８０とによって効果的に遮ることができる。したがって、ゴーストの発生を抑制することができる。

また、上述のように、第一の桟部１１０は、外枠部１０２の内側に設けられ、外枠部１０２に固定されることから、第一の桟部１１０の剛性を容易に高くすることが可能である。したがって、制限板１８０を第一の桟部１１０に接触させても、パターン形成部１３０に歪みが生じることを防止できるため、成膜パターンの精度の悪化を防止することが可能である。

また、本実施形態に係る蒸着装置１５０は、制限板１８０、及び、蒸着源１６０の間に設けられたアパーチャー１７０を備え、アパーチャー１７０には、複数の開口１７１が設けられ、アパーチャー１７０の複数の開口１７１は、Ｘ軸方向（第二の方向）に配置され、制限板１８０は、Ｚ軸方向（第三の方向）に沿って見たときにアパーチャー１７０の複数の開口１７１のうちの隣り合う２つの開口１７１の間に位置し、かつ、アパーチャー１７０に接触する。

このように、本実施形態に係る蒸着装置１５０は、制限板１８０、及び、蒸着源１６０の間に設けられたアパーチャー１７０を備え、アパーチャー１７０には、複数の開口１７１が設けられ、アパーチャー１７０の複数の開口１７１は、Ｘ軸方向（第二の方向）に配置されることから、制限板１８０の配置場所に関わらず、アパーチャー１７０の開口１７１の配置場所、及び、寸法を決定することができ、蒸着源１６０から放出された蒸着粒子のうちの不要な成分（例えば、Ｘ軸方向の速度成分が大きい蒸着粒子）を効率的にアパーチャー１７０に付着させることができる。したがって、蒸着流１９１の範囲を効果的に制限することができる。すなわち、Ｙ軸方向に沿って見たときのマスク１０１に進入する蒸着粒子の入射角度を効果的に小さくすることができる。

また、制限板１８０は、Ｚ軸方向（第三の方向）に沿って見たときにアパーチャー１７０の複数の開口１７１のうちの隣り合う２つの開口１７１の間に位置し、かつ、アパーチャー１７０に接触することから、Ｘ軸方向において隣り合う２つの開口１７１に挟まれたアパーチャー１７０の部分と、制限板１８０との間の領域を、制限板１８０によって塞ぐことができる。そのため、アパーチャー１７０近傍で蒸着粒子が散乱したり、アパーチャー１７０又は制限板１８０に付着した材料が再蒸発したりして、Ｘ軸方向の速度成分が大きく、想定外の方向に進行する蒸着粒子が発生したとしても、当該蒸着粒子の進行を制限板１８０によって効果的に遮ることができる。したがって、アパーチャー１７０を配置せずに制限板１８０のみを配置した場合に比べて、ゴーストの発生をより効果的に抑制することができる。

また、上述のように、マスク１０１は、外枠部１０２の内側に設けられ、外枠部１０２に固定された第二の桟部を備え、パターン形成部１３０は、外枠部１０２、第一の桟部１１０、及び、第二の桟部１２０上に設けられ、複数のマスク開口１３２のうち、Ｘ軸方向（第二の方向）において一方の端に位置するマスク開口を最端開口１３３とし、最端開口１３３の隣に位置するマスク開口を隣接開口１３４とすると、第二の桟部１２０は、Ｚ軸方向（第三の方向）に沿って見たときに最端開口１３３の隣接開口１３４と反対側に位置し、かつ、パターン形成部１３０に接触し、複数の制限板１８０は、パターン形成部１３０ではなく第二の桟部１２０に接触する制限板を含むことから、最端開口１３３の隣接開口１３４と反対側のパターン形成部１３０の部分と、制限板１８０との間に第二の桟部１２０を配置することができ、それらの間の領域を第二の桟部１２０によって塞ぐことができる。そのため、Ｙ軸方向の側方からパターン形成部１３０の方に回り込むＸ軸方向の速度成分が大きな蒸着粒子が発生したとしても、当該蒸着粒子の進行を第二の桟部１２０と制限板１８０とによって効果的に遮ることができる。したがって、ゴーストの発生をより効果的に抑制することができる。

また、上述のように、第二の桟部１２０は、外枠部１０２の内側に設けられ、外枠部１０２に固定されることから、第二の桟部１２０の剛性を容易に高くすることが可能である。したがって、制限板１８０を第二の桟部１２０に接触させても、パターン形成部１３０に歪みが生じることを防止することができるため、成膜パターンの精度を維持することができる。

以下、本実施形態に係る実施例について説明する。
まず、素ガラス基板（無アルカリガラス）を洗浄した後、２００℃、大気圧下の窒素雰囲気のオーブンに１時間投入し、その後、真空中、２００℃で２時間加熱した。次に、ＵＶ／Ｏ_３（紫外線／オゾン）によって該基板の表面を処理した。その後、本実施形態に係る蒸着装置を用いて、１０^－３Ｐａ以下の高真空において、本実施形態に係る蒸着装置用マスクを介してＡｌｑ_３（トリス（８－キノリノラト）アルミニウム）を該基板上に膜厚１００ｎｍとなるように蒸着した。その後、成膜パターンの表面形状を段差計（商品名「Ａｌｐｈａ－Ｓｔｅｐ」、ケーエルエー・テンコール社製）を用いて測定した。

各制限板の材料としては、ＳＵＳ３０４を用い、所定の蒸着粒子のみマスクに飛来するように各制限板を設置した。外枠部と各桟部との材料としては、インバー材を用いた。これは、熱歪が大きいとマスク開口のパターンが変形するおそれがあるためである。蒸着源のるつぼの温度は２６０℃～２８０℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

図１６は、実施形態１に係る実施例において作製された基板の断面模式図である。
図１６に示すように、本実施例では、素ガラス基板１９２上にはゴーストが発生せず、正規のパターン１９３のみが形成されていた。

次に、比較例について説明する。
本比較例は、マスクに第一及び第二の桟部を設けずに、マスクと各制限板との間に隙間を設けたことを除いて、上記実施例と同様である。本比較例において作製された基板についても、上記実施例と同様にして成膜パターンの表面形状を測定した。

図１７は、比較例において作製された基板の断面模式図である。
図１７に示すように、本比較例では、素ガラス基板１９２上に正規のパターン１９３に加えてゴースト１９４が形成されていた。

（実施形態２）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一又は同様の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。本実施形態は、以下で説明する点を除いて、実施形態１と実質的に同じである。
図１８～２１は、実施形態２に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。

実施形態１では、各制限板が対応する端部との間に隙間が生じないように配置されていたため、蒸着源の熱がマスクに伝わりやすく、マスク、特にパターン形成部が熱歪により変形するおそれがある。

それに対して、図１８に示すように、本実施形態に係る蒸着装置２５０の蒸着ユニット１５４は、マスク１０１を冷却する温度制御装置１５６と、マスク１０１に接触する複数の温度センサ１５７とを更に含んでいる。このため、温度センサ１５７によって測定されたマスク１０１の温度に基づいて、温度制御装置１５６によってマスク１０１を適宜、冷却することが可能になり、マスク１０１、特にパターン形成部１３０の熱歪による変形を効果的に防止することが可能である。

温度制御装置１５６は、各桟部１１０、１２０と、対応する制限板１８０との間に配置され、各桟部１１０、１２０と、制限板１８０とに接触している。このため、Ｘ軸方向の速度成分が大きい不要な蒸着粒子の進行を桟部１１０及び１２０と制限板１８０と温度制御装置１５６とによって効果的に遮ることができ、実施形態１と同様に、ゴーストの発生を効果的に抑制することができる。

なお、温度制御装置１５６の具体的な構成は特に限定されず、例えば、具体例としては、水、液体窒素等の冷媒が流れる配管が挙げられる。

また、温度センサ１５７の具体的な構成は特に限定されず、例えば、具体例としては、熱電対が挙げられる。

また、温度センサ１５７の設置場所は特に限定されず、例えば、図１８に示すように、マスク１０１の外枠部１０２の上部１０３上に設置してもよい。基板１９０とパターン形成部１３０の間の隙間は、通常、非常に狭いため、これらの間に温度センサ１５７を配置することは困難である。他方、外枠部１０２の上方には基板１９０が存在しない領域が存在し得るため、温度センサ１５７を外枠部１０２の上部１０３上に設置することが可能である。

また、図１９に示すように、温度センサ１５７をマスク１０１の外枠部１０２の下部（制限板１８０側の部分）１０６に接触するように配置してもよい。この場合、温度センサ１５７は、マスクホルダ１５５から離れた場所に設置される。

基板１９０とパターン形成部１３０の間の隙間は、通常、非常に狭いため、マスク開口１３２が形成された領域ではパターン形成部１３０の基板１９０側に温度センサ１５７を配置することは困難である。他方、マスク開口１３２と、各桟部１１０、１２０との間にはスペースが存在し得る。そこで、図２０に示すように、各桟部１１０、１２０に温度センサ１５７を接触させて、パターン形成部１３０近傍に温度センサ１５７を設置してもよい。

また、図２１に示すように、各桟部１１０、１２０の下部１１２、１２２近傍に温度センサ１５７を接触させてもよい。

以上、説明したように、本実施形態に係る蒸着装置２５０は、基板１９０上に成膜する蒸着装置であって、本実施形態に係る蒸着装置２５０は、マスク１０１と、蒸着粒子を放出する蒸着源１６０と、マスク１０１、及び、蒸着源１６０の間に設けられ、マスク１０１、及び、蒸着源１６０の間の空間を仕切ってＸ軸方向（第二の方向）に並ぶ複数の空間に分割する制限板１８０と、マスク１０１を冷却する温度制御装置１５６と、マスク１０１に接触する温度センサ１５７とを含む蒸着ユニット１５４と、基板１９０をマスク１０１から離した状態で、Ｙ軸方向（第一の方向）に沿って蒸着ユニット１５４に対して基板１９０を相対的に移動させる移動機構１５２とを備え、マスク１０１は、パターン形成部１３０が基板１９０側に位置し、かつ、第一の桟部１１０が制限板１８０側に位置するように、配置され、温度制御装置１５６は、第一の桟部１１０、及び、制限板１８０の間に配置され、第一の桟部１１０、及び、制限板１８０に接触する。

このように、蒸着ユニット１５４が、マスク１０１を冷却する温度制御装置１５６と、マスク１０１に接触する温度センサ１５７とを含むことから、マスク１０１、特にパターン形成部１３０の熱歪による変形を効果的に防止することができる。

また、温度制御装置１５６は、第一の桟部１１０、及び、制限板１８０の間に配置され、第一の桟部１１０、及び、制限板１８０に接触することから、Ｘ軸方向の速度成分が大きい不要な蒸着粒子の進行を第一の桟部１１０と制限板１８０と温度制御装置１５６とによって効果的に遮ることができ、実施形態１と同様に、ゴーストの発生を効果的に抑制することができる。

また、マスク１０１は、外枠部１０２の内側に設けられ、外枠部１０２に固定された第二の桟部１２０を備え、パターン形成部１３０は、外枠部１０２、第一の桟部１１０、及び、第二の桟部１２０上に設けられ、複数のマスク開口１３２のうち、Ｘ軸方向（第二の方向）において一方の端に位置するマスク開口を最端開口１３３とし、最端開口１３３の隣に位置するマスク開口を隣接開口１３４とすると、第二の桟部１２０は、Ｚ軸方向（第三の方向）に沿って見たときに最端開口１３３の隣接開口１３４と反対側に位置し、かつ、パターン形成部１３０に接触し、複数の制限板１８０は、第二の桟部１２０との間に温度制御装置１５６が配置され、かつ、温度制御装置１５６が接触する制限板１８０を含み、温度制御装置１５６は、第二の桟部１２０に接触する。

このように、第二の桟部１２０は、Ｚ軸方向（第三の方向）に沿って見たときに最端開口１３３の隣接開口１３４と反対側に位置し、かつ、パターン形成部１３０に接触し、複数の制限板１８０は、第二の桟部１２０との間に温度制御装置１５６が配置され、かつ、温度制御装置１５６が接触する制限板１８０を含み、温度制御装置１５６は、第二の桟部１２０に接触することから、Ｙ軸方向の側方からパターン形成部１３０の方に回り込むＸ軸方向の速度成分が大きな蒸着粒子が発生したとしても、当該蒸着粒子の進行を第二の桟部１２０と制限板１８０と温度制御装置１５６とによって効果的に遮ることができる。したがって、ゴーストの発生をより効果的に抑制することができる。

また、第二の桟部１２０は、外枠部１０２の内側に設けられ、外枠部１０２に固定されることから、第二の桟部１２０の剛性を容易に高くすることが可能である。したがって、各制限板１８０を温度制御装置１５６に接触させ、更に、温度制御装置１５６を第二の桟部１２０に接触させても、パターン形成部１３０に歪みが生じることを防止することができるため、成膜パターンの精度を維持することができる。

また、本実施形態に係る蒸着装置２５０は、制限板１８０、及び、蒸着源１６０の間に設けられたアパーチャー１７０を備え、アパーチャー１７０には、複数の開口１７１が設けられ、アパーチャー１７０の複数の開口１７１は、Ｘ軸方向（第二の方向）に配置され、制限板１８０は、Ｚ軸方向（第三の方向）に沿って見たときにアパーチャー１７０の複数の開口１７１のうちの隣り合う２つの開口１７１の間に位置し、かつ、アパーチャー１７０に接触する。したがって、実施形態１と同様に、Ｙ軸方向に沿って見たときのマスク１０１に進入する蒸着粒子の入射角度を効果的に小さくすることができ、また、ゴーストの発生をより効果的に抑制することができる。

以下、本実施形態に係る実施例について説明する。図２２は、実施形態２に係る実施例に用いたマスクの平面模式図である。
本実施例では、温度センサとしての複数の熱電対を蒸着流に影響が無い場所に設置した。具体的には、図２２に示すように、本実施例では基板を使用しなかったため、各熱電対２５６を開口群１３１の近傍においてパターン形成部１３０上に配置した。そして、マスク２０２の温度を熱電対２５６に接続された温度モニタ２５８で検出し、その検出結果に基づいて、マスク２０２の温度が設定温度と同等になるように、温度制御装置のフィードバック制御を行った。設定温度は、室温（２０～２８℃）とした。室温より高くなると、マスク２０２が熱歪により変形しやすくなるためである。温度制御装置としては、冷却水が流れる５ｍｍφのＳＵＳ製の配管を用い、冷却水は、真空チャンバの外部から配管内に導入した。各制限板の板厚は５ｍｍとし、各制限板と各桟部の間に配管を設置し、この中に冷却水を流した。マスク２０２の設置位置が変動しないように、制限板及び配管を設けた。

そして、実施形態１に係る実施例と同様の条件にて蒸着流を発生させたところ、本実施例ではマスク２０２の温度上昇を防止することができ、マスク２０２の温度を２０～２８℃とすることができた。

他方、実施形態１に係る実施例において、本実施例と同様に、パターン形成部上に熱電対を設置してマスクの温度を測定したところ、６０～８０℃であった。

（実施形態３）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１及び２と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１及び２とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一又は同様の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。本実施形態は、以下で説明する点を除いて、実施形態１と実質的に同じである。
図２３は、実施形態３に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。

実施形態２では、温度制御装置が各桟部とそれに対応する制限板との間に配置さていたが、温度制御装置の設置場所は、特に限定されず、適宜設定することができる。

図２３に示すように、本実施形態に係る蒸着装置３５０の蒸着ユニット１５４は、実施形態２と同様に、マスク１０１を冷却する温度制御装置１５６と、マスク１０１に接触する複数の温度センサ１５７とを更に含んでいる。しかしながら、温度制御装置１５６は、各桟部１１０、１２０と、対応する制限板１８０との間には配置されず、各桟部１１０、１２０は、対応する制限板１８０と接触しており、温度制御装置１５６は、各桟部１１０、１２０と、各制限板１８０との少なくとも一方に接触するように配置されている。すなわち、本実施形態に係る蒸着装置３５０は、温度制御装置１５６と温度センサ１５７と備えることを除いて、実施形態１に係る蒸着装置と実質的に同じである。本実施形態によっても、実施形態２と同様の効果を奏することができる。ただし、本実施形態と実施形態２を比較すると、温度制御装置１５６の配置場所の違いから、実施形態２の方が制限板１８０からの熱を各桟部１１０、１２０に伝えにくいという利点があるが、実施形態２の方が各部材の加工精度が必要となる。これに対し、本実施形態では実施形態２に比べて、制限板１８０の温度制御により時間がかかるが、各部材の加工精度は若干低くてもよい。

温度制御装置１５６は、図２３に示すように、各桟部１１０、１２０と、各制限板１８０との両方に接触するように配置されてもよいし、各桟部１１０、１２０に接触し、各制限板１８０に接触しないように配置されてもよいし、各桟部１１０、１２０に接触せず、各制限板１８０に接触するように配置されてもよい。

以上、説明したように、本実施形態において、蒸着ユニット１５４は、マスク１０１を冷却する温度制御装置１５６と、マスク１０１に接触する温度センサ１５７とを含み、温度制御装置１５６は、第一の桟部１１０、及び、制限板１８０（第一の桟部１１０に接触する制限板）の少なくとも一方に接触する。また、温度制御装置１５６は、第二の桟部１２０、及び、第二の桟部１２０に接触する制限板１８０の少なくとも一方に接触する。したがって、マスク１０１、特にパターン形成部１３０の熱歪による変形を効果的に防止することができる。

（実施形態４）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１～３と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１～３とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一又は同様の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。本実施形態は、以下で説明する点を除いて、実施形態１と実質的に同じである。
図２４、２６及び２７は、実施形態４に係る蒸着装置の断面模式図であり、Ｙ軸方向に垂直な断面を示す。図２５は、図２４の第一又は第二の桟部と制限板とを拡大して示す断面模式図である。

実施形態１のように、各制限板を第一又は第二の桟部に単に接触させた場合、これらの間に僅かに隙間が生じる可能性があり、Ｘ軸方向の速度成分が大きく、想定外の方向に進行する蒸着粒子がこの隙間を通過してゴーストを発生させる可能性がある。

それに対して、本実施形態では、第一の桟部と、それに対応する制限板との一方が凹部を含み、他方の一部がその凹部に嵌め込まれている。また、第二の桟部と、それに対応する制限板との一方が凹部を含み、他方の一部がその凹部に嵌め込まれている。

例えば、図２４及び２５に示すように、本実施形態に係る蒸着装置４５０では、各桟部１１０、１２０の下部１１２、１２２は、凸状に形成され、各桟部１１０、１２０は、対応する制限板１８０の上縁部１８１に沿う凸部１１３、１２３を有している。また、各制限板１８０の上縁部１８１は、凹状に形成され、各制限板１８０は、対応する桟部１１０、１２０の下部１１２、１２２に沿う凹部１８４を有している。そして、各桟部１１０、１２０の凸部１１３、１２３が、対応する制限板１８０の凹部１８４に嵌め込まれている。そのため、平均自由行程が長い真空状態においては、凹部１８４と、そこに嵌め込まれた凸部１１３、１２３との間を蒸着粒子が通過する可能性は、著しく低くなる。したがって、本実施形態は、実施形態１に比べて、ゴーストの発生をより効果的に抑制することができる。

各制限板１８０のみに凹部を設け、各桟部１１０、１２０に凸部を設けなくてもよい。より詳細には、図２６に示すように、各制限板１８０の上縁部１８１は、凹状に形成され、各制限板１８０は、対応する桟部１１０、１２０の下部１１２、１２２に沿う凹部１８４を有していてもよい。そして、各桟部１１０、１２０の下部１１２、１２２が、対応する制限板１８０の凹部１８４に嵌め込まれていてもよい。これよっても、実施形態１に比べて、ゴーストの発生をより効果的に抑制することができる。

また、各桟部１１０、１２０のみに凹部を設け、各制限板１８０に凸部を設けなくてもよい。より詳細には、図２７に示すように、各桟部１１０、１２０の下部１１２、１２２は、凹状に形成され、各桟部１１０、１２０は、対応する制限板１８０の上縁部１８１に沿う凹部１１４、１２４を有していてもよい。そして、各制限板１８０が、対応する桟部１１０又は１２０の凹部１１４又は１２４に嵌め込まれていてもよい。これよっても、実施形態１に比べて、ゴーストの発生をより効果的に抑制することができる。

嵌め込み部にける各桟部１１０、１２０と、それに対応する制限板との形状は、互いに、厳密に適合していてもよいし、厳密に適合していなくてもよい。前者によれば、ゴーストの発生を特に効果的に抑制することができる。後者によれば、マスク１０１、及び、制限板１８０の設置、及び、分離を容易に行うことができるため、作業性を向上することができる。

また、本実施形態においても実施形態３と同様に、温度制御装置、及び、温度センサを設けてもよい。

以上、説明したように、本実施形態では、第一の桟部１１０、及び、制限板１８０のうち、一方は、凹部１１４又は１８４を含み、他方の一部は、凹部１１４又は１８４に嵌め込まれる。また、第二の桟部１２０、及び、第二の桟部１２０に接触する制限板１８０のうち、一方は、凹部１２４又は１８４を含み、他方の一部は、凹部１２４又は１８４に嵌め込まれる。そのため、平均自由行程が長い真空状態において、嵌め込み部を蒸着粒子が通過する可能性を著しく低くすることができる。したがって、本実施形態は、実施形態１に比べて、ゴーストの発生をより効果的に抑制することができる。

（実施形態５）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１～４と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１～４とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一又は同様の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。本実施形態は、以下で説明する点を除いて、実施形態１と実質的に同じである。実施形態１～４では、必要に応じて第二の桟部を設けていたが、本実施形態では、第二の桟部を設けない代わりに、必要に応じて外枠部に制限板を接触させている。

図２８は、実施形態５に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。図２９及び３０は、実施形態５に係る蒸着装置用マスクの断面模式図であり、図２８のＡ１－Ａ２線断面を示す。
本実施形態の蒸着装置用マスク１０１は、図２８に示すように、外枠部１０２と、複数の第一の桟部１１０と、パターン形成部（図２８～３０では図示せず）とを備えている。

外枠部１０２は、一対の長手状（例えば、直方体状）の縦枠部１０４と、一対の長手状（例えば、直方体状）の横枠部１０５とを含んでおり、各第一の桟部１１０は、一対の横枠部１０５の間に架設されている。各第一の桟部１１０には貫通口１３７がＸ軸方向に隣接して形成され、複数の第一の桟部１１０は、Ｘ軸方向において、例えば等間隔で、配置されている。Ｚ軸方向に沿って見たとき、各貫通口１３７のコーナー部は、丸みをもっている。

図２９及び３０に示すように、本実施形態においても、各第一の桟部１１０に対応する制限板１８０が、対応する第一の桟部１１０と接触するように配置されている。他方、Ｘ軸方向において両端に位置する２枚の制限板１８０に関しては、外枠部１０２の縦枠部１０４にそれぞれ接触するように配置されている。これによっても、実施形態１と同様に、Ｙ軸方向の側方からパターン形成部の方に回り込むＸ軸方向の速度成分が大きな蒸着粒子に起因するゴーストの発生を抑制することができる。

より詳細には、Ｘ軸方向において両端に位置する２枚の制限板１８０の各々の外枠部１０２側の縁部（上縁部）１８１は、縦枠部１０４の下部（制限板１８０側の部分）１０７に沿うように形成されており、各制限板１８０の上縁部１８１と、縦枠部１０４の下部１０７とは、互いに接触している。例えば、各縦枠部１０４の下部１０７は、平坦な表面を有し、各制限板１８０の上縁部１８１は、対応する縦枠部１０４の下部１０７の平坦な表面に接触する直線的な輪郭を有している。

Ｘ軸方向において両端に位置する各制限板１８０と、対応する縦枠部１０４とが互いに接触する領域のＹ軸方向の寸法は、特に限定されないが、ゴーストの発生を効果的に抑制する観点からは、各マスク開口１３２のＹ軸方向の寸法よりも大きく設定されることが好ましい。

図２９に示すように、ＸＺ平面と平行な断面において、各縦枠部１０４の第一の桟部１１０に対向する面は、その面が蒸着源側を向くように傾斜していてもよく、また、各第一の桟部１１０は、基板側から蒸着源側に徐々に細くなるテーパ形状を有していてもよい。その結果、各貫通口１３７は、基板側から蒸着源側に徐々に広がっていてもよい。他方、図３０に示すように、ＸＺ平面と平行な断面において、各第一の桟部１１０は、長方形状をしていてもよい。

図３１は、実施形態５に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。
図３１に示すように、実施形態５に係る蒸着装置用マスク１０１は、貫通口１３７に対応して複数の開口群１３１が設けられたパターン形成部１３０を含んでいる。パターン形成部１３０の周縁部は、外枠部１０２に接合（例えばスポット溶接）されている。図３１中、スポット溶接部分は、点線で示している。各開口群１３１は、Ｘ軸方向に配置された複数のマスク開口列１３８を含んでいる。各マスク開口列１３８は、Ｙ軸方向に沿って配置された複数のマスク開口部１３９を含んでいる。

図３２及び３３は、実施形態５に係る蒸着装置用マスクの拡大平面模式図である。
Ｚ軸方向に沿って見たときの各マスク開口部１３９の形状は、特に限定されず、図３２に示すように、レーストラック状であってもよいし、図３３に示すように、角が丸められた長方形状であってもよい。

図３４は、実施形態５に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。図３４中、スポット溶接部分は、点線で示している。
各第一の桟部１１０は、図３１に示したように、パターン形成部１３０に単に接触し、パターン形成部１３０と接合されていなくてもよいし、図３４に示すように、パターン形成部１３０と接合（例えばスポット溶接）されていてもよい。

以下、実施形態１～５における他の変形例について説明する。

各実施形態では、パターン形成部に複数の開口群を設け、開口群毎に複数のマスク開口を設ける場合について説明したが、複数の開口群を設けることなく、複数のマスク開口をパターン形成部に一様に形成してもよい。そして、１回の搬送で基板の被蒸着領域の全域に蒸着を行ってもよい。ただし、その場合は、高精細なパターンになる程、第一の桟部を配置するスペースを確保することが困難となる。したがって、成膜パターンの高精細化の観点からは、上述のように、Ｘ軸方向に複数の開口群を配置し、Ｚ軸方向から見たときに隣り合う２つの開口群の間に各々位置するように複数の第一の桟部を配置することが好ましい。

図３５及び３６は、実施形態１～５の変形例に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。図３５及び３６中、スポット溶接部分は、点線で示している。
図３５及び３６に示すように、本変形例に係る蒸着装置用マスク１０１は、一対の長手状の縦枠部１０４、及び、一対の長手状の横枠部１０５を含む外枠部１０２と、Ｘ軸方向に沿って（例えば、Ｘ軸方向と平行に）、一対の縦枠部１０４の間に架設された横桟部１４０と、貫通口１３７が千鳥配置となるように横桟部１４０及び横枠部１０５の間に架設された複数の第一の桟部１１０と、貫通口１３７に対応して複数の開口群１３１が千鳥に設けられたパターン形成部１３０とを備えてもよい。これにより、第一の桟部１１０を配置するスペースを確保しつつ、１回の搬送で基板の被蒸着領域の全域に蒸着を行うことが可能である。この変形例においても、ゴーストを抑制する観点から、Ｙ軸方向に延在する複数の制限板１８０が設けられ、各制限板１８０は、第一の桟部１１０又は外枠部１０２に接触している。また、必要に応じて、横桟部１４０に接触し、Ｘ軸方向に延在する制限板１８５が設けられる。

横桟部１４０は、長手状（例えば、直方体状）であり、外枠部１０２の内側に設けられ、外枠部１０２に固定されている。横桟部１４０の両端部は、一対の縦枠部１０４に接続されている。横桟部１４０の上部（パターン形成部１３０側の部分）のＺ軸方向における位置（高さ）は、第一の桟部１１０の上部（パターン形成部１３０側の部分）のＺ軸方向における位置（高さ）と、外枠部１０２の上部（パターン形成部１３０側の部分）のＺ軸方向における位置（高さ）と実質的に同じである。例えば、横桟部１４０の上部の表面と、第一の桟部１１０の上部の表面と、外枠部１０２の上部の表面とは、同一のＸＹ平面内に位置してもよい。

なお、横桟部１４０の寸法は、必要な剛性を確保でき、複数の開口群１３１を塞ぐことがなく、基板の所望の場所に成膜パターンを形成することができる限り、特に限定されず、適宜設定することができる。

ただし、横桟部１４０と、第一の桟部１１０と、外枠部１０２との上にパターン形成部１３０が配置されることから、横桟部１４０と、第一の桟部１１０と、外枠部１０２との平坦度は高いことが好ましい。そのため、横桟部１４０のＺ軸方向の寸法（厚み）は、各第一の桟部１１０のＺ軸方向の寸法（厚み）、及び、外枠部１０２のＺ軸方向の寸法（厚み）と実質的に同じであることが好ましい。また、これにより、横桟部１４０と、第一の桟部１１０と、外枠部１０２との材料の加工性をよくすることができる。

また、パターン形成部１３０を横桟部１４０に接合（例えばスポット溶接）する場合は、横桟部１４０の強度が低いとマスク開口１３２のパターンが歪み、正確なパターンを基板に形成できなくなるおそれがある。したがって、その場合は、基板の寸法が４００ｍｍ×５００ｍｍ程度とすると、経験的には、Ｚ軸方向に沿って見たときの横桟部１４０の短手方向の幅は、５ｍｍ以上であることが好ましい。

また、横桟部１４０の外枠部１０２への固定方法は、特に限定されず、第一の桟部の場合と同様に、例えば、横桟部１４０と、第一の桟部１１０と、外枠部１０２とを別個に作製し、横桟部１４０を外枠部１０２に接合（例えばスポット溶接）し、次に、各桟部１１０を横桟部１４０及び外枠部１０２に接合（例えばスポット溶接）し、その後、パターン形成部１３０側の表面と、その反対側の表面とが所望の平行度及び平面度を有するように、第一の桟部１１０と横桟部１４０と外枠部１０２とを研磨してもよい。また、厚板に複数の貫通口１３７を形成して、隣り合う貫通口１３７の間の各隔壁部を第一の桟部１１０又は横桟部１４０として用いてもよい。より詳細には、例えば、直方体状の材料に対して穴あけ加工や切出し加工を行い、更に必要に応じてテーパ加工を行い、最後に、パターン形成部１３０側の表面と、その反対側の表面とが所望の平行度及び平面度を有するように、第一の桟部１１０と横桟部１４０と外枠部１０２とを研磨してもよい。

各開口群１３１は、Ｘ軸方向に配置された複数のマスク開口列１３８を含んでいる。各マスク開口列１３８は、Ｙ軸方向に沿って配置された複数のマスク開口部１３９を含んでいる。Ｚ軸方向に沿って見たときの各マスク開口部１３９の形状は、特に限定されず、図３２に示したように、レーストラック状であってもよいし、図３３に示したように、角が丸められた長方形状であってもよい。

図３７及び３８は、実施形態１～５の変形例に係る蒸着装置用マスクの平面模式図である。図３７及び３８中、スポット溶接部分は、点線で示している。
図３５及び３６に示したように、外枠部１０２のみがパターン形成部１３０の周縁部と接合（例えばスポット溶接）されてもよいし、図３７及び３８に示すように、開口群１３１の境界領域に沿って、パターン形成部１３０が各第一の桟部１１０と、外枠部１０２と、横桟部１４０とに接合（例えばスポット溶接）されてもよい。

上述した各実施形態に係るマスクと蒸着装置は、発光層蒸着工程以外の蒸着工程、例えば、電子輸送層蒸着工程Ｓ４に適用されてもよい。これにより、発光層以外の有機ＥＬ層や第２電極の蒸着工程においても、ゴーストの発生を抑制することができる。このように、発光層蒸着工程以外の蒸着工程において、発光層蒸着工程と同様にして、薄膜のパターンを形成してもよい。例えば、電子輸送層を各色のサブ画素毎に形成してもよい。

各実施形態に係る蒸着装置の構成部材の向きは、特に限定されず、例えば、上述した構成部材全てを上下反転させて配置してもよいし、基板を縦にした状態で、蒸着流を横（側方）から基板に吹き付けてもよい。

各実施形態に係る蒸着装置を用いて製造される有機ＥＬ表示装置は、モノクロ表示の表示装置であってもよいし、各画素は複数のサブ画素に分割されていなくてもよい。この場合、発光層蒸着工程では、１色の発光材料の蒸着だけを行い、１色の発光層のみを形成してもよい。

更に、各実施形態では、有機ＥＬ素子の有機層を形成する場合を例に説明したが、本発明に係る蒸着装置の用途は、有機ＥＬ素子の製造に特に限定されず、種々の薄膜のパターンの形成に利用することができる。

上述した実施形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、適宜組み合わされてもよい。また、各実施形態の変形例は、他の実施形態に組み合わされてもよい。

１：有機ＥＬ表示装置
２：画素
２Ｒ、２Ｇ、２Ｂ：サブ画素
１０：ＴＦＴ基板
１１：絶縁基板
１２：ＴＦＴ
１３：層間膜
１３ａ：コンタクトホール
１４：配線
１５：エッジカバー
１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ：開口部
２０：有機ＥＬ素子
２１：第１電極
２２：正孔注入層兼正孔輸送層（有機層）
２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂ：発光層（有機層）
２４：電子輸送層（有機層）
２５：電子注入層（有機層）
２６：第２電極
３０：接着層
４０：封止基板
１０１：蒸着装置用マスク
１０２：外枠部
１０３：外枠部の上部
１０４：縦枠部
１０５：横枠部
１０６：外枠部の下部
１０７：縦枠部の下部
１１０：第一の桟部
１１１：第一の桟部の上部
１１２：第一の桟部の下部
１１３：第一の桟部の凸部
１１４：第一の桟部の凹部
１２０：第二の桟部
１２１：第二の桟部の上部
１２２：第二の桟部の下部
１２３：第二の桟部の凸部
１２４：第二の桟部の凹部
１３０：パターン形成部
１３１：開口群
１３２：マスク開口
１３３：最端開口
１３４：隣接開口
１３５：隙間
１３６：接合箇所
１３７：貫通口
１３８：マスク開口列
１３９：マスク開口部
１４０：横桟部
１５０、２５０、３５０、４５０：蒸着装置
１５１：基板ホルダ
１５２：移動機構（搬送機構）
１５３：シャッター
１５４：蒸着ユニット
１５５：マスクホルダ
１５６：温度制御装置
１５７：温度センサ
１６０：蒸着源
１６１：蒸発部
１６２：拡散部
１６３：ノズル
１６４：射出口
１７０：アパーチャー
１７１：アパーチャーの開口
１７２：アパーチャーの上部
１８０、１８５：制限板
１８１：制限板の上縁部
１８２：制限板の下縁部
１８３：制限空間
１８４：制限板の凹部
１９０：基板
１９１：蒸着流
１９２：素ガラス基板
１９３：正規のパターン
１９４：ゴースト（異常パターン）
１９５：パターン（蒸着膜）
２５６：熱電対
２５８：温度モニタ

Claims

外枠部と、
前記外枠部の内側に設けられ、前記外枠部に固定された第一の桟部と、
前記外枠部、及び、前記第一の桟部上に設けられ、前記外枠部に固定されたパターン形成部とを備え、
前記パターン形成部には、パターン形成用の複数のマスク開口が設けられ、
前記複数のマスク開口の各々は、第一の方向に沿って設けられ、
前記複数のマスク開口は、前記第一の方向に直交する第二の方向に配置され、
前記第一の桟部は、前記第一の方向、及び、前記第二の方向に直交する第三の方向に沿って見たときに前記複数のマスク開口のうちの隣り合う２つのマスク開口の間に位置し、かつ、前記パターン形成部に接触する蒸着装置用マスク。
前記蒸着装置用マスクは、前記外枠部の内側に設けられ、前記外枠部に固定された第二の桟部を備え、
前記パターン形成部は、前記外枠部、前記第一の桟部、及び、前記第二の桟部上に設けられ、
前記複数のマスク開口のうち、前記第二の方向において一方の端に位置するマスク開口を最端開口とし、前記最端開口の隣に位置するマスク開口を隣接開口とすると、
前記第二の桟部は、前記第三の方向に沿って見たときに前記最端開口の前記隣接開口と反対側に位置し、かつ、前記パターン形成部に接触する請求項１記載の蒸着装置用マスク。
基板上に成膜する蒸着装置であって、
前記蒸着装置は、請求項１又は２記載の蒸着装置用マスクと、蒸着粒子を放出する蒸着源と、前記蒸着装置用マスク、及び、前記蒸着源の間に設けられ、前記蒸着装置用マスク、及び、前記蒸着源の間の空間を仕切って前記第二の方向に並ぶ複数の空間に分割する制限板とを含む蒸着ユニットと、
前記基板を前記蒸着装置用マスクから離した状態で、前記第一の方向に沿って前記蒸着ユニットに対して前記基板を相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記蒸着装置用マスクは、前記パターン形成部が前記基板側に位置し、かつ、前記第一の桟部が前記制限板側に位置するように、配置され、
前記制限板は、前記パターン形成部ではなく前記第一の桟部に接触する蒸着装置。
前記蒸着装置は、前記制限板、及び、前記蒸着源の間に設けられたアパーチャーを備え、
前記アパーチャーには、複数の開口が設けられ、
前記アパーチャーの前記複数の開口は、前記第二の方向に配置され、
前記制限板は、前記第三の方向に沿って見たときに前記アパーチャーの前記複数の開口のうちの隣り合う２つの開口の間に位置し、かつ、前記アパーチャーに接触する請求項３記載の蒸着装置。
前記第一の桟部、及び、前記制限板のうち、一方は、凹部を含み、他方の一部は、前記凹部に嵌め込まれる請求項３又は４記載の蒸着装置。
前記蒸着ユニットは、前記蒸着装置用マスクを冷却する温度制御装置と、前記蒸着装置用マスクに接触する温度センサとを含み、
前記温度制御装置は、前記第一の桟部、及び、前記制限板の少なくとも一方に接触する請求項３～５のいずれかに記載の蒸着装置。
前記蒸着ユニットは、請求項２記載の蒸着装置用マスクを含み、かつ、前記制限板を複数含み、
前記複数の制限板は、前記パターン形成部ではなく前記第二の桟部に接触する制限板を含む請求項３～５のいずれかに記載の蒸着装置。
前記第二の桟部、及び、前記第二の桟部に接触する前記制限板のうち、一方は、凹部を含み、他方の一部は、前記凹部に嵌め込まれる請求項７記載の蒸着装置。
前記蒸着ユニットは、前記蒸着装置用マスクを冷却する温度制御装置と、前記蒸着装置用マスクに接触する温度センサとを含み、
前記温度制御装置は、前記第一の桟部、及び、前記第一の桟部に接触する前記制限板の少なくとも一方に接触するとともに、前記第二の桟部、及び、前記第二の桟部に接触する前記制限板の少なくとも一方に接触する請求項７又は８記載の蒸着装置。
基板上に成膜する蒸着装置であって、
前記蒸着装置は、請求項１又は２記載の蒸着装置用マスクと、蒸着粒子を放出する蒸着源と、前記蒸着装置用マスク、及び、前記蒸着源の間に設けられ、前記蒸着装置用マスク、及び、前記蒸着源の間の空間を仕切って前記第二の方向に並ぶ複数の空間に分割する制限板と、前記蒸着装置用マスクを冷却する温度制御装置と、前記蒸着装置用マスクに接触する温度センサとを含む蒸着ユニットと、
前記基板を前記蒸着装置用マスクから離した状態で、前記第一の方向に沿って前記蒸着ユニットに対して前記基板を相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記蒸着装置用マスクは、前記パターン形成部が前記基板側に位置し、かつ、前記第一の桟部が前記制限板側に位置するように、配置され、
前記温度制御装置は、前記第一の桟部、及び、前記制限板の間に配置され、前記第一の桟部、及び、前記制限板に接触する蒸着装置。
前記蒸着装置は、前記制限板、及び、前記蒸着源の間に設けられたアパーチャーを備え、
前記アパーチャーには、複数の開口が設けられ、
前記アパーチャーの前記複数の開口は、前記第二の方向に配置され、
前記制限板は、前記第三の方向に沿って見たときに前記アパーチャーの前記複数の開口のうちの隣り合う２つの開口の間に位置し、かつ、前記アパーチャーに接触する請求項１０記載の蒸着装置。
前記蒸着ユニットは、請求項２記載の蒸着装置用マスクを含み、かつ、前記制限板を複数含み、
前記複数の制限板は、前記第二の桟部との間に前記温度制御装置が配置され、かつ、前記温度制御装置が接触する制限板を含み、
前記温度制御装置は、前記第二の桟部に接触する請求項１０又は１１記載の蒸着装置。
基板上に成膜する蒸着工程を含む蒸着方法であって、
前記蒸着工程は、請求項３～１２のいずれかに記載の蒸着装置を用いて行われる蒸着方法。
請求項３～１２のいずれかに記載の蒸着装置を用いて成膜する蒸着工程を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。