WO2015170738A1

WO2015170738A1 - ワイヤボンディング構造の製造方法、ワイヤボンディング構造、電子装置

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Publication number: WO2015170738A1
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Inventors: 和也生駒
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Abstract

　本発明のワイヤボンディング構造の製造方法は、Ｃｕよりなるワイヤを用意する工程と、前記ワイヤを、電子素子に形成された第１接合対象に接合する工程と、を備える。前記接合する工程の前には、前記ワイヤは、外周面および退避面を有している。前記退避面は、前記外周面から前記ワイヤの中心軸側に退避した面である。前記接合する工程においては、前記退避面を前記第１接合対象に対して押し付けた状態で、前記ワイヤに超音波振動を付加する。

Description

ワイヤボンディング構造の製造方法、ワイヤボンディング構造、電子装置

　本発明は、ワイヤボンディング構造の製造方法と、ワイヤボンディング構造と、電子装置と、に関する。

　図９３および図９４は、従来のボンディングツールおよびこれを用いたワイヤボンディング方法の一例を示している。図９３に示すように、ボンディングツールＸは、ウエッジ９１、ワイヤガイド９２、およびカッタ９３を備えている。ウエッジ９１、ワイヤガイド９２、およびカッタ９３は、図示しないホーンによって支持されている。上記ホーンは、ウエッジ９１を接続対象に対して押し付けた状態で超音波振動を生じる。ワイヤガイド９２は、ワイヤ９６をウエッジ９１の先端へと導くためのものである。ウエッジ９１は、その先端と接続対象との間にワイヤ９６を挟んだ状態で超音波振動および圧力を加えることにより、ワイヤ９６と上記接続対象とを接合する。カッタ９３は、接続が完了したワイヤ９６を切断する。

　このワイヤボンディング方法においては、まず、リード９７Ａに搭載された半導体素子９８の電極パッド９８ａに対するファーストボンディングを行う。ウエッジ９１によってワイヤ９６を接続対象である電極パッド９８ａに押し当てる。この状態で超音波振動を加えると、ワイヤ９６が電極パッド９８ａに接合される。この接合された部分は、図９４に示すファーストボンディング部９６Ａとなる。

　次いで、ボンディングツールＸを、リード９７Ｂの直上へと移動させ、セカンドボンディングを行う。この工程では、ウエッジ９１によってワイヤ９６を、もう一方の接続対象であるパッド部９７Ｂａに押し当てつつ超音波振動を加える。これにより、ワイヤ９６は、パッド部９７Ｂａに接合される。この接合された部分は、図９４に示すセカンドボンディング部９６Ｂとなる。ファーストボンディング部９６Ａとセカンドボンディング部９６Ｂとは、橋絡部９６Ｃを介して繋がっている。これにより、半導体素子９８の電極９８ａとリード９７Ｂとを導通させることができる。

特開２０１１－２１６５１８号公報

　従来、ワイヤ９６としては、Ａｌよりなるものが多く用いられていた。近年、パワーデバイスと呼ばれる電子装置の開発が進められている。パワーデバイスと呼ばれる電子装置におけるワイヤには大電流が流れる。そこでワイヤ９６としてＣｕよりなるものを用いることが考えられている。Ｃｕよりなるワイヤ９６は、電気抵抗や熱抵抗が小さく、半導体素子９８にて発生した熱を、効率的に電子装置の外部に放出することができる。しかしながら、Ｃｕよりなるワイヤ９６は、Ａｌよりなるワイヤ９６よりも硬質であり、変形しにくい。そのため、ウエッジ９１によってワイヤ９６を接続対象である電極パッド９８ａに押し当てる際、ワイヤ９６があまり変形せずに、電極パッド９８ａに過大な力が負荷されるおそれがある。このようなことでは、半導体素子９８の損傷を招いてしまう。

　本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、Ｃｕよりなるワイヤを用いた場合であっても、電子素子の損傷を防止しつつ、ワイヤを接合対象に対し適切に接合できるワイヤボンディング構造の製造方法を提供することをその主たる課題とする。

　本発明の第１の側面によると、Ｃｕよりなるワイヤを用意する工程と、前記ワイヤを、電子素子に形成された第１接合対象に接合する工程と、を備え、前記接合する工程の前には、前記ワイヤは、外周面および退避面を有しており、前記退避面は、前記外周面から前記ワイヤの中心軸側に退避した面であり、前記接合する工程においては、前記退避面を前記第１接合対象に対して押し付けた状態で、前記ワイヤに超音波振動を付加する、ワイヤボンディング構造の製造方法が提供される。

　好ましくは、前記接合する工程を開始する時点において、前記退避面は平坦である。

　好ましくは、前記接合する工程の前に、前記ワイヤを押付対象に対して押し付けることにより、前記退避面を形成する工程を更に備える。

　好ましくは、前記押付対象は、セラミックあるいは金属よりなる。

　好ましくは、前記ワイヤを押し付けるためのウエッジを用意する工程を更に備え、前記退避面を形成する工程においては、前記ウエッジによって前記ワイヤを前記押付対象に対して押し付け、前記第１接合対象に接合する工程においては、前記ウエッジによって前記ワイヤを前記第１接合対象に対して押し付ける。

　好ましくは、前記ウエッジには、前記ワイヤをガイドするガイド溝が形成されており、前記退避面を形成する工程と前記第１接合対象に接合する工程との間に、前記ガイド溝に前記ワイヤがはまった状態を維持しつつ、前記ガイド溝が前記押付対象に正対する位置から、前記ガイド溝が前記第１接合対象に正対する位置まで、前記ウエッジを移動する工程を更に備え、前記退避面を形成する工程においては、前記ガイド溝の内面によって前記ワイヤを前記押付対象に対して押し付け、前記第１接合対象に接合する工程においては、前記ガイド溝の前記内面によって前記ワイヤを前記第１接合対象に対して押し付ける。

　好ましくは、前記ワイヤは、直径が１５０～１０００μｍの円形状である。

　好ましくは、前記ワイヤは、直径が３００～１０００μｍの円形状である。

　好ましくは、前記ワイヤは、全体がＣｕよりなる。

　好ましくは、前記ワイヤを第２接合対象に押し付けた状態で超音波振動を付加することにより、前記ワイヤを前記第２接合対象に接合する工程を更に備える。

　好ましくは、前記電子素子は、半導体素子である。

　好ましくは、前記半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴ、あるいは、ＩＧＢＴである。

　本発明の第２の側面によると、第１面を有する第１接合対象と、第２接合対象と、前記第１接合対象および前記第２接合対象のいずれにも接合されたワイヤと、を備え、前記ワイヤは、Ｃｕよりなり、且つ、直径が１５０～１０００μｍの円形状である、ワイヤボンディング構造が提供される。

　好ましくは、前記ワイヤは、全体がＣｕよりなる。

　好ましくは、前記ワイヤは、前記第１接合対象に接合されたボンディング部を含み、前記ボンディング部は、外周面と、前記第１接合対象に接合された接合面と、を有し、前記接合面は、前記外周面から前記ワイヤの中心軸側に退避した面である。

　好ましくは、第１方向に直交する断面による断面形状における、前記接合面の寸法は、前記ワイヤの直径の６０～８０％であり、前記第１方向は、前記ワイヤの中心軸の延びる方向であって、前記第１面の向く方向に直交する方向である。

　好ましくは、前記第１方向に直交する断面形状における、前記接合面の寸法は、９０～８００μｍである。

　好ましくは、前記第１方向における前記接合面の寸法は、前記ワイヤの直径の３～１０倍である。

　好ましくは、前記第１方向における前記接合面の寸法は、１２００～４０００μｍである。

　好ましくは、前記接合面は、長径が前記ワイヤの中心軸の延びる方向に一致する楕円形状である。

　好ましくは、前記接合面には、楕円形状の楕円痕が形成されており、前記楕円痕は、前記接合面の縁の内側に位置する。

　好ましくは、前記ボンディング部は、第１被押圧面および第２被押圧面を有し、前記第１被押圧面および前記第２被押圧面は、前記外周面から前記ワイヤの前記中心軸側に退避した面であり、前記第１被押圧面および前記第２被押圧面は、前記第１面に直交する方向に見た場合、前記中心軸を通り且つ前記第１面に直交する仮想平面を挟んで互いに反対側に位置している。

　好ましくは、前記第１被押圧面および前記第２被押圧面は、前記仮想平面に対して、傾斜している。

　好ましくは、前記ボンディング部には、前記第１被押圧面の縁からずれた位置に形成された第１曲線痕、および、前記第２被押圧面の縁からずれた位置に形成された第２曲線痕が形成されている。

　好ましくは、前記ボンディング部を第１ボンディング部とし、前記ワイヤは、第２ボンディング部と、橋絡部と、を含み、前記橋絡部は、前記第１ボンディング部および前記第２ボンディング部をつないでおり、前記第２ボンディング部は、前記第２接合対象に接合されている。

　本発明の第３の側面によると、本発明の第２の側面によって提供されるワイヤボンディング構造と、前記第１接合対象が形成された電子素子と、を備え、前記第１接合対象は、電極パッドである、電子装置が提供される。

　好ましくは、前記電子素子は、半導体素子である。

　好ましくは、前記第１接合対象は、Ａｌよりなる。

　好ましくは、前記第１接合対象の厚さは、１～１０μｍである。

　好ましくは、前記ワイヤに流れる最大電流値は、１５０～２００Ａである。

　好ましくは、前記第１接合対象は、金属層および電極パッドを含み、前記金属層には、前記ワイヤが接合され、前記金属層は、前記ワイヤと前記電極パッドの間に介在しており、前記金属層の厚さは、前記電極パッドの厚さよりも、厚い。

　本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかる電子装置の実装構造を示す要部断面図である。本発明の第１実施形態にかかる電子装置の正面図である。本発明の第１実施形態にかかる電子装置の平面図である。本発明の第１実施形態にかかる電子装置の底面図である。本発明の第１実施形態にかかる電子装置の断面図である。本発明の第１実施形態にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。本発明の第１実施形態にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。図５に示した電子装置の部分拡大断面図である。（ａ）は本発明の第１実施形態にかかる電子装置の製造工程の一工程における正面図である。（ｂ）は（ａ）に示す構成の平面図である。本発明の第１実施形態にかかるワイヤボンディング方法の一工程を示す正面図である。本発明の第１実施形態にかかるワイヤボンディング方法に用いるボンディングツールを示す全体概略図である。図１０に示したボンディングツールにおけるウエッジの一部を示す斜視図である。図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図１０に続く一工程を示す図である。図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。図１４に示す工程を行ったときのワイヤを下方から見た図である。図１４に示す工程を行ったときのワイヤを上方から見た図である。図１４に続く一工程を示す図である。図１８のＸＩＸ－ＸIＸ線に沿う断面図である。図１８に続く一工程を示す図である。図２０に続く一工程を示す図である。図２１に続く一工程を示す図である。図２２に続く一工程を示す図である。図２３に示したワイヤボンディング構造の部分拡大図である。図２４のＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿う断面図である。図２４に示したワイヤボンディング構造の平面図である。図２４に示したワイヤボンディング構造におけるワイヤの底面図（ワイヤ以外省略）である。図２６のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。（ａ）は本発明の第１実施形態にかかる電子装置の製造工程の一工程における正面図である。（ｂ）は（ａ）に示す構成の平面図である。本発明の第１実施形態にかかる電子装置の製造工程の一工程における正面図（一部断面図）である。本発明の第１実施形態にかかるワイヤボンディング構造の変形例の部分拡大図である。本発明の第１実施形態の第１変形例にかかる電子装置の断面図である。本発明の第１実施形態の第１変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。本発明の第１実施形態の第１変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。本発明の第１実施形態の第２変形例にかかる電子装置の断面図である。本発明の第１実施形態の第２変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。本発明の第１実施形態の第２変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。本発明の第１実施形態の第３変形例にかかる電子装置の断面図である。本発明の第１実施形態の第３変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。本発明の第１実施形態の第３変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。本発明の第１実施形態にかかる電子装置の実装構造の変形例を示す要部断面図である。本発明の第２実施形態にかかる電子装置の実装構造を示す要部断面図である。本発明の第２実施形態にかかる電子装置の正面図である。本発明の第２実施形態にかかる電子装置の平面図である。本発明の第２実施形態にかかる電子装置の底面図である。本発明の第２実施形態にかかる電子装置の断面図である。本発明の第２実施形態にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。本発明の第２実施形態にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。図４６に示した電子装置の部分拡大断面図である。（ａ）は本発明の第２実施形態にかかる電子装置の製造工程の一工程における正面図である。（ｂ）は（ａ）に示す構成の平面図である。（ａ）は本発明の第２実施形態にかかる電子装置の製造工程の一工程における正面図である。（ｂ）は（ａ）に示す構成の平面図である。（ａ）は本発明の第２実施形態にかかる電子装置の製造工程の一工程における正面図である。（ｂ）は（ａ）に示す構成の平面図である。本発明の第２実施形態にかかる電子装置の製造工程の一工程における断面図である。本発明の第２実施形態の第１変形例にかかる電子装置の断面図である。本発明の第２実施形態の第１変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。本発明の第２実施形態の第１変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。本発明の第２実施形態の第２変形例にかかる電子装置の断面図である。本発明の第２実施形態の第２変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。本発明の第２実施形態の第２変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。本発明の第２実施形態の第２変形例にかかる電子装置の製造工程の一工程における断面図である。本発明の第２実施形態の第３変形例にかかる電子装置の断面図である。本発明の第２実施形態の第３変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。本発明の第２実施形態の第３変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。本発明の第２実施形態の第４変形例にかかる電子装置の断面図である。本発明の第２実施形態の第４変形例にかかる電子装置の底面図である。本発明の第２実施形態の第４変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。本発明の第２実施形態の第５変形例にかかる電子装置の部分拡大断面図である。本発明の第２実施形態の第６変形例にかかる電子装置の部分拡大断面図である。本発明の第２実施形態の第７変形例にかかる電子装置の断面図である。本発明の第２実施形態の第７変形例にかかる電子装置の底面図である。本発明の第２実施形態の第７変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。本発明の第２実施形態の第７変形例にかかる電子装置の製造工程の一工程における斜視図である。本発明の第２実施形態の第７変形例にかかる電子装置の製造工程の一工程における斜視図である。本発明の第２実施形態にかかる電子装置の実装構造の変形例を示す要部断面図である。本発明の第３実施形態にかかる電子装置の実装構造を示す要部断面図である。本発明の第３実施形態にかかる電子装置の正面図である。本発明の第３実施形態にかかる電子装置の平面図である。本発明の第３実施形態にかかる電子装置の底面図である。本発明の第３実施形態にかかる電子装置の断面図である。本発明の第３実施形態にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。本発明の第３実施形態にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。図７９に示した電子装置の部分拡大断面図である。（ａ）は本発明の第３実施形態にかかる電子装置の製造工程の一工程における正面図である。（ｂ）は（ａ）に示す構成の平面図である。（ａ）は本発明の第３実施形態にかかる電子装置の製造工程の一工程における正面図である。（ｂ）は（ａ）に示す構成の平面図である。本発明の第３実施形態にかかる電子装置の製造工程の一工程における断面図である。本発明の第３実施形態にかかる電子装置の製造工程の一工程において製造される中間品を示す正面図である。本発明の第３実施形態の第１変形例にかかる電子装置の断面図である。本発明の第３実施形態の第１変形例にかかる電子装置の底面図である。図８７に示した電子装置の部分拡大断面図である。（ａ）は本発明の第３実施形態の第１変形例にかかる電子装置の製造工程の一工程における正面図である。（ｂ）は（ａ）に示す構成の平面図である。（ａ）は本発明の第３実施形態の第１変形例にかかる電子装置の製造工程の一工程における正面図である。（ｂ）は（ａ）に示す構成の平面図である。本発明の第３実施形態にかかる電子装置の実装構造の変形例を示す要部断面図である。従来のワイヤボンディング方法の一例における、ファーストボンディング工程を示す図である。従来のワイヤボンディング方法の一例における、セカンドボンディング工程を示す図である。

［第１実施形態］
　図１～図３０を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。

　図１は、本実施形態にかかる電子装置の実装構造を示す要部断面図である。

　図１に示す電子装置の実装構造Ｂ１は、電子装置Ａ１０と、実装基板８１と、放熱板８２とを備える。

　実装基板８１は、複数の電子部品が実装される基板である。実装基板８１は、絶縁性の材料よりなる。実装基板８１には図示しない配線パターンが形成されている。実装基板８１には、複数の孔８１１が形成されている。放熱板８２は、実装基板８１に立設されている。放熱板８２は、熱伝導率の比較的大きな材料、たとえば、アルミニウムなどの金属よりなる。

　図２は、本実施形態にかかる電子装置の正面図である。図３は、本実施形態にかかる電子装置の平面図である。図４は、本実施形態にかかる電子装置の底面図である。図５は、本実施形態にかかる電子装置の断面図である。図６は、本実施形態にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。図７は、本実施形態にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。図８は、図５に示した電子装置の部分拡大断面図である。

　これらの図に示す電子装置Ａ１０は、電子素子１と、電極２～４と、放熱部材５と、接着層６１（図８参照、その他の図では略）と、メッキ層６２（図１、図５参照、その他の図では略）と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、を備える。図６、図７では、樹脂パッケージ７を、２点鎖線で示している。図１に示すように、電子装置Ａ１０は、実装基板８１に実装されている。電子装置Ａ１０は、電子素子１の種類により、電気回路におけるスイッチング機能、整流機能、増幅機能などを果たす電子部品として用いられる。

　図１、図５、図６に示す電子素子１は、平面視矩形状である。電子素子１は、たとえば、ダイオードやトランジスタなどの半導体からなる素子である。本実施形態では、電子素子１はトランジスタである。あるいは、電子素子１として、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、および、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が挙げられる。そして、電子装置Ａ１０の使用の際に、ワイヤ６９に流れる最大電流値は、たとえば、１５０～２００Ａである。

　図５～図７によく表れているように、電極２は、ダイボンディングパッド２１と、リード２２とを含む。ダイボンディングパッド２１およびリード２２は、たとえば、銅などの導電材料よりなる。ダイボンディングパッド２１およびリード２２は、一体成型されている。本実施形態においては、ダイボンディングパッド２１およびリード２２は、厚さが均一の導電部材を、たとえば折り曲げ成型するなど、一体成型することにより形成されている。

　ダイボンディングパッド２１は、電子素子１を搭載するためのものである。ダイボンディングパッド２１は、ｘｙ平面に広がる平板状である。ダイボンディングパッド２１は、配置面２１１と、裏面２１２とを有する。配置面２１１は方向ｚ１を向く。裏面２１２は、方向ｚ２を向く。配置面２１１には、電子素子１が配置されている。ダイボンディングパッド２１には電子素子１にて発生した熱が伝わる。ダイボンディングパッド２１には、配置面２１１から裏面２１２にわたって貫通する孔２１４が形成されている。図６に示すように、孔２１４は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１の方向ｘ２側の端部からｘ１方向に凹む凹状である。

　リード２２は、ダイボンディングパッド２１から線状に延びる形状である。リード２２は挿入実装用のものである。図１に示したように、リード２２は孔８１１に挿入される。これにより、電子装置Ａ１０が実装基板８１に実装される。リード２２を実装基板８１に固定するために、孔８１１にハンダ８４が充填されている。図５～図７に示すように、リード２２は、連結部２２１と、端子部２２２とを有する。連結部２２１は、ダイボンディングパッド２１につながる。連結部２２１は、ダイボンディングパッド２１から配置面２１１と交差する方向に延びる。端子部２２２は連結部２２１につながる。端子部２２２は、連結部２２１から方向ｘ１に向かって延びる。端子部２２２は後述の樹脂パッケージ７から突出する部位を有する。上述のように、リード２２は、ダイボンディングパッド２１とともに、厚さが均一の導体部材を一体成型したものである。そのため、図５に示すように、端子部２２２のうち樹脂パッケージ７から突出する部分における厚さＬ２（方向ｚにおける寸法）は、ダイボンディングパッド２１の厚さＬ１（方向ｚにおける寸法）と同一である。

　図６に示すように、電極３は、ワイヤボンディングパッド３１と、リード３２とを含む。電極３は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１の方向ｘ１側、且つ、リード２２の方向ｙ１側、に位置する。ワイヤボンディングパッド３１およびリード３２は、一体成型されている。ワイヤボンディングパッド３１およびリード３２は、たとえば銅などの導電性材料よりなる。ワイヤボンディングパッド３１は、ダイボンディングパッド２１より小さい略矩形の平板状である。リード３２は、ワイヤボンディングパッド３１とつながる。リード３２は、ワイヤボンディングパッド３１から方向ｘ１に向かって線状に延びる形状である。リード３２は、リード２２に並列されている。リード３２は、後述の樹脂パッケージ７から突出する部位を有する。リード３２は挿入実装用のものである。図１に示すように、リード３２は孔８１１に挿入される。これにより、電子装置Ａ１０が実装基板８１に実装される。リード３２を実装基板８１に固定するために、孔８１１にハンダ８４が充填されている。

　図６に示すように、電極４は、ワイヤボンディングパッド４１と、リード４２とを含む。電極４は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１の方向ｘ１側、且つ、リード２２の方向ｙ２側、に位置する。ワイヤボンディングパッド４１およびリード４２は、一体成型されている。ワイヤボンディングパッド４１およびリード４２は、たとえば銅などの導電性材料よりなる。ワイヤボンディングパッド４１は、ダイボンディングパッド２１より小さい略矩形の平板状である。リード４２は、ワイヤボンディングパッド４１とつながる。リード４２は、ワイヤボンディングパッド４１から方向ｘ１に向かって線状に延びる形状である。リード４２は、リード２２に並列されている。リード４２とリード３２との間に、リード２２が位置する。リード４２は、後述の樹脂パッケージ７から突出する部位を有する。リード４２は挿入実装用のものである。図１に示すように、リード４２は、孔８１１に挿入される。これにより、電子装置Ａ１０が実装基板８１に実装される。リード４２を実装基板８１に固定するために、孔８１１にハンダ８４が充填されている。

　図８に示すように、接着層６１は、電子素子１とダイボンディングパッド２１との間に介在する。接着層６１は、電子素子１をダイボンディングパッド２１に接着するためのものである。本実施形態においては、接着層６１を介して、電子素子１がダイボンディングパッド２１と導通している。接着層６１は、たとえば、銀ペーストもしくはハンダペーストである。

　図５～図７に示すように、放熱部材５は、ダイボンディングパッド２１を挟んで、電子素子１が配置された側と反対側に配置されている。すなわち、放熱部材５と電子素子１との間にダイボンディングパッド２１が位置する。放熱部材５は、孔２１４よりも方向ｘ１側に位置する。本実施形態においては、放熱部材５は、略矩形の板状である。放熱部材５が略矩形の板状である場合には、放熱部材５を形成するのに穴を空けるなどの特殊な加工をする必要がないため、放熱部材５を製造し易い。放熱部材５は、ダイボンディングパッド２１と接着剤を介して接合されていてもよいが、本実施形態においては、ダイボンディングパッド２１と超音波接合によって、接合されている。そのため、放熱部材５とダイボンディングパッド２１との間には、接着剤などが介在しておらず、放熱部材５とダイボンディングパッド２１とは直接接する。

　放熱部材５は、電子素子１にて発生した熱を速やかに電子装置Ａ１０の外部に放出するために、設けられている。電子素子１にて発生した熱を速やかに電子装置Ａ１０の外部に放出するには、放熱部材５を構成する材料の熱伝導率は大きければ大きいほど良い。好ましくは、放熱部材５は、樹脂パッケージ７を構成する材料の熱伝導率よりも熱伝導率が大きい材料よりなる。さらに好ましくは、放熱部材５は、ダイボンディングパッド２１を構成する材料の熱伝導率よりも熱伝導率が大きい材料よりなる。放熱部材５は、たとえば、アルミニウム、銅、もしくは、鉄などの導体よりなる。なお、放熱部材５は、アルミニウムに銀メッキがされたものであってもよい。

　図１～図８に示す樹脂パッケージ７は、電子素子１、電極２～４、および、放熱部材５を覆っている。樹脂パッケージ７は、たとえば、黒色のエポキシ樹脂よりなる。図１～図４に示すように、樹脂パッケージ７は、第１面７１と、第２面７２とを有する。第１面７１は、平坦面７１５とテーパ面７１６とを有する。図１に示すように、平坦面７１５は、放熱板８２に正対する。平坦面７１５と放熱板８２との間にはグリース８９が介在していてもよい。もしくは、図示しないが、平坦面７１５と放熱板８２とが接していてもよい。これらは、電子装置Ａ１０の放熱性向上の観点から好ましい。テーパ面７１６は、平坦面７１５につながる。テーパ面７１６は、方向ｚ１に向かうにつれ、ｘｙ平面における外側に向かう形状である。図４に示すように、樹脂パッケージ７には、平坦面７１５から凹むピン跡７１１が形成されている。

　図２、図３に示すように、第２面７２は、複数の平坦面７２５と、複数のテーパ面７２６とを有する。各テーパ面７２６は、複数の平坦面７２５のいずれかにつながる。各テーパ面７２６は、方向ｚ２に向かうにつれ、ｘｙ平面における外側に向かう形状である。各テーパ面７２６は、境界７３において、テーパ面７１６とつながる。図３に示すように、樹脂パッケージ７には、平坦面７２５から凹むピン跡７２１が形成されている。また、樹脂パッケージ７には、ネジ穴７８が形成されている。図１に示すように、ネジ穴７８には、電子装置Ａ１０を放熱板８２に固定するためのネジ８３が挿通される。

　図５、図６に示す各ワイヤ６９は、たとえば、アルミニウムなどの金属よりなる。２本のワイヤ６９のうちの一つは、電子素子１とワイヤボンディングパッド３１とに接合されている。これにより、電子素子１とワイヤボンディングパッド３１とが導通している。２本のワイヤ６９のうちの一つは、電子素子１とワイヤボンディングパッド４１とに接合されている。これにより、電子素子１とワイヤボンディングパッド４１とが導通している。電子素子１がトランジスタでなくダイオードである場合には、ワイヤボンディングパッド３１，４１のいずれにもワイヤ６９がボンディングされている必要はない。この場合、ワイヤボンディングパッド３１，４１のいずれか一方に、ワイヤ６９がボンディングされていればよい。

　図１、図５に示すメッキ層６２は、各リード２２，３２，４２の樹脂パッケージ７から突出している部位を覆っている。メッキ層６２は、たとえば、スズと銀と銅との合金よりなる。

　次に、図９～図３０を用いて、電子装置Ａ１０の製造方法について説明する。

　まず、図９に示すように、電極２’，３’，４’を形成する。次に、同図（ａ）に示すように、電極２’のダイボンディングパッド２１に、放熱部材５を接合する。本実施形態においては、ダイボンディングパッド２１と放熱部材５との接合は、超音波接合によって行う。次に、後に図２９（ａ），（ｂ）にて示すように、接着層６１（図８参照、図２９では省略）を介して電子素子１をダイボンディングパッド２１に配置する。電子素子１を配置する位置は、ダイボンディングパッド２１を挟んで放熱部材５とは反対側である。

　次に、電子素子１とワイヤボンディングパッド３１とに、ワイヤ６９を接合する。同様に、電子素子１とワイヤボンディングパッド４１とに、ワイヤ６９を接合する。ワイヤ６９の接合は、以下のボンディングツール９００Ａを用いて、次のように行う。

　図１０は、本発明の第１実施形態にかかるワイヤボンディング方法の一工程を示す正面図である。図１１は、本発明の第１実施形態にかかるワイヤボンディング方法に用いるボンディングツールを示す全体概略図である。

　これらの図に示すボンディングツール９００Ａは、ウエッジ９０１と、ワイヤガイド９０２と、カッタ９０３、本体９０４と、ホーン９０５と、を備える。ボンディングツール９００Ａは、ワイヤ６９を接合対象にボンディングするために用いられる。

　ホーン９０５は、ウエッジ９０１を保持しており、ウエッジ９０１を接合対象に押し付けながら、超音波振動を付加するためのものである。ホーン９０５は、本体９０４に支持されている。本実施形態においては、ホーン９０５は、弾性支持部材（図示略）を介して本体９０４に固定されている。これにより、ホーン９０５は、本体９０４によって弾性的に支持されている。

　ワイヤガイド９０２は、ウエッジ９０１に対して固定されており、たとえばワイヤリール９６５からのワイヤ６９をウエッジ９０１へと導くためのものである。

　図１２は、図１０に示したボンディングツールにおけるウエッジの一部を示す斜視図である。図１３は、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。

　ウエッジ９０１は、ワイヤ６９を押し付けるとともに、超音波振動によって接合対象に接合する部分である。ウエッジ９０１は、たとえばタングステンカーバイトからなる。図１２、図１３に示すように、ウエッジ９０１には、ガイド溝９１１が形成されている。ガイド溝９１１は、ウエッジ９０１の下端に設けられている。本実施形態では、ガイド溝９１１の断面形状はＶ字状である。

　カッタ９０３は、ワイヤ６９を切断するためのものであり、ウエッジ９０１に隣接して配置されている。本実施形態においては、カッタ９０３は、本体９０４に対して剛的に取り付けられている。

　本実施形態で用いるワイヤ６９の断面形状は円形状である。ワイヤ６９は、直径が１５０～１０００μｍの円形状である。より好ましくは、ワイヤ６９は、直径が２００～１０００μｍの円形状である。より好ましくは、ワイヤ６９は、直径が３００～１０００μｍの円形状である。ワイヤ６９はＣｕよりなる。好ましくは、ワイヤ６９は全体がＣｕよりなる。

　次に、図１０、図１４～図２３を用いて、ボンディングツール９００Ａを用いたワイヤボンディング方法について説明する。なお、以下の工程では、ワイヤ６９は、変形したり、あるいは、切断される等して、ワイヤリール９６５に巻かれた状態から変化する。しかしながら、以下の説明においては、いずれの場面においても、ワイヤをワイヤ６９として示すこととする。

　図１０に示すように、あらかじめワイヤボンディング方法を開始可能な状態とされたボンディングツール９００Ａのウエッジ９０１の先端を押付対象９８２の直上に位置させる。そして、ウエッジ９０１の先端を押付対象９８２に向かわせる。このとき、ワイヤ６９の先端部分は、ガイド溝９１１にはまっている。押付対象９８２は、たとえば、セラミックあるいは金属よりなる。本実施形態では、押付対象９８２の表面は平坦である。また、押付対象９８２は、たとえば電極２または電極３の一部であってもよい。

　次いで、図１４に示すように、ウエッジ９０１によってワイヤ６９を押付対象９８２の表面に対して押し付ける。具体的には、ガイド溝９１１の内面９１１ａによってワイヤ６９を押付対象９８２の表面に対して押し付ける。

　図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。図１６は、図１４に示す工程を行ったときのワイヤを下方から見た図である。図１７は、図１４に示す工程を行ったときのワイヤを上方から見た図である。図１６、図１７では、ウエッジ９０１の図示を省略しており、図１６では、押付対象９８２を、仮想線を用いて示している。

　図１５、図１６に示すように、押付対象９８２へのワイヤ６９の押し付けによって、退避面９２３αが形成される。退避面９２３αは、押し付けの際、押付対象９８２に当接していた部分である。退避面９２３αは、断面が円弧状の外周面９２１からワイヤ６９の中心軸Ｏｘ側に退避した面である。本実施形態では、押付対象９８２の表面が平坦であるため、退避面９２３αは平坦となっている。また、図１５、図１７に示すように、押付対象９８２へのワイヤ６９の押し付けの際、第１被押圧面９２５および第２被押圧面９２６が形成される。第１被押圧面９２５および第２被押圧面９２６は、ガイド溝９１１の内面９１１ａに押し付けられていた部分である。第１被押圧面９２５および第２被押圧面９２６は、断面が円弧状の外周面９２１からワイヤ６９の中心軸Ｏｘ側に退避した面である。

　次いで、図示は省略するが、ガイド溝９１１にワイヤ６９を配置した状態を維持しつつ、ガイド溝９１１が押付対象９８２に正対する位置から、ガイド溝９１１が電極パッド９８１に正対する位置まで、ウエッジ９０１を移動する。そして、ウエッジ９０１の先端を電極パッド９８１に向かわせる。このとき、ワイヤ６９の先端部分は、ガイド溝９１１にはまったままである。

　次いで、図１８、図１９に示すように、ファーストボンディング工程を行う。ファーストボンディング工程では、ワイヤ６９を、電子素子１に形成された電極パッド９８１に接合する。ここで、電極パッド９８１は、本発明で言う第１接合対象の一例に相当する。具体的には、退避面９２３αを電極パッド９８１に対して押し付けた状態で、ワイヤ６９に超音波振動を付加する。より具体的には、ワイヤ６９を電極パッド９８１に接合する際、ウエッジ９０１によってワイヤ６９を電極パッド９８１に対して押し付ける。更に具体的には、ガイド溝９１１の内面９１１ａによってワイヤ６９を電極パッド９８１に対して押し付ける。これにより、ワイヤ６９が更に押しつぶされる。そして、ワイヤ６９と電極パッド９８１とが超音波溶接される。この溶接された部分が、第１ボンディング部９０６Ａとなり、ワイヤ６９のうち電極パッド９８１に接合する面は、接合面９２３となる。

　次いで、図２０に示すように、セカンドボンディング工程を行う。セカンドボンディング工程では、ワイヤ６９をワイヤボンディングパッド３１に接合する。ここで、ワイヤボンディングパッド３１は、本発明で言う第２接合対象の一例に相当する。具体的には、ワイヤ６９をワイヤボンディングパッド３１に押し付けた状態で超音波振動を付加する。これにより、ワイヤ６９とワイヤボンディングパッド３１とが超音波溶接される。この溶接された部分が、第２ボンディング部９０６Ｂとなる。

　次いで、図２１に示すように、ボンディングツール９００Ａを図左方に移動させる。この移動により、カッタ９０３は、第２ボンディング部９０６Ｂの図左方の端とワイヤボンディングパッド３１の図左方の端との間に位置する。

　次いで、図２２に示すように、本体９０４を押し下げると、本体９０４に対して剛的に取り付けられたカッタ９０３が、本体９０４とともに下降する。本実施形態においては、このカッタ９０３の下降により、ワイヤ６９に切れ目がつけられる。すなわち、本体９０４の下降量は、カッタ９０３がワイヤ６９を完全に切断してしまわない程度に設定されている。

　この後は、図２３に示すように、ウエッジ９０１とともにワイヤ６９をワイヤボンディングパッド３１から離間させる。これにより、切れ目がつけられたワイヤ６９は切断される。

　以上の工程を経ることにより、図２３に示すワイヤボンディング構造９００Ｂが製造される。

　同図に示すワイヤボンディング構造９００Ｂは、ワイヤ６９と、電極パッド９８１と、ワイヤボンディングパッド３１と、を備える。

　図２４は、図２３に示したワイヤボンディング構造の部分拡大図である。図２５は、図２４のＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿う断面図である。図２６は、図２４に示したワイヤボンディング構造の平面図である。図２７は、図２４に示したワイヤボンディング構造におけるワイヤの底面図（ワイヤ以外省略）である。図２８は、図２６のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。

　電極パッド９８１およびワイヤボンディングパッド３１は、導電性の材料よりなる。このような材料としては、たとえばＡｌが挙げられる。電極パッド９８１およびワイヤボンディングパッド３１はそれぞれ、互いに異なる金属よりなる複数の金属層が積層された構造であってもよい。電極パッド９８１およびワイヤボンディングパッド３１は、たとえば、電極パッド、もしくは、リードフレームである。本実施形態において、電極パッド９８１は電極パッドであり、ワイヤボンディングパッド３１はリードフレームである。電極パッドである電極パッド９８１の厚さは、たとえば、１～１０μｍである。電極パッド９８１は、第１面９８１ａを有している。

　図２３に示すように、ワイヤ６９は、電極パッド９８１およびワイヤボンディングパッド３１のいずれにも接合されている。ワイヤ６９は、第１ボンディング部９０６Ａと、第２ボンディング部９０６Ｂと、橋絡部９０６Ｃと、を含む。

　第１ボンディング部９０６Ａは電極パッド９８１に接合されている。具体的には、第１ボンディング部９０６Ａは、電極パッド９８１における第１面９８１ａに接合されている。第１ボンディング部９０６Ａは、外周面９２１と、接合面９２３と、第１被押圧面９２５と、第２被押圧面９２６と、を有する。

　図２４、図２５、図２７に示す接合面９２３は、電極パッド９８１に接合された面であり、外周面９２１からワイヤ６９の中心軸Ｏｘ側に退避した面である。図２７に示すように、本実施形態では、接合面９２３は、長径がワイヤ６９の中心軸Ｏｘの延びる方向に一致する楕円形状である。接合面９２３には、楕円形状の楕円痕９２３Ｃが形成されていてもよい。楕円痕９２３Ｃは、接合面９２３の縁９２３Ｂの内側に位置する。楕円痕９２３Ｃは、図１５、図１６に示した退避面９２３αの縁が、金属の加工硬化によってその他の部位よりも硬くなったことにより、形成されたものである。本実施形態とは異なり、接合面９２３に、楕円痕９２３Ｃが形成されていなくてもよい。

　図２７に示すように、ワイヤ６９の中心軸Ｏｘの延びる方向であって、第１面９８１ａの向く方向に直交する方向を、第１方向Ｘ１と定義している。第１方向Ｘ１に直交する断面による断面形状における、接合面９２３の寸法Ｌ１１（図２５、図２７参照）は、たとえば、ワイヤ６９の直径の６０～８０％である。ワイヤ６９の直径は、後述の円形状の橋絡部９０６Ｃの直径を意味する。第１方向Ｘ１に直交する断面形状における、接合面９２３の寸法Ｌ１１（図２５、図２７参照）は、たとえば、９０～８００μｍである。第１方向Ｘ１における接合面９２３の寸法Ｌ１２（図２７参照）は、たとえば、ワイヤ６９の直径の３～１０倍である。第１方向Ｘ１における接合面９２３の寸法Ｌ１２（図２７参照）は、たとえば、１２００～４０００μｍである。

　図２４～図２６に示す第１被押圧面９２５および第２被押圧面９２６は、外周面９２１からワイヤ６９の中心軸Ｏｘ側に退避した面である。図２５に示すように、第１被押圧面９２５および第２被押圧面９２６は、第１面９８１ａに直交する方向に見た場合、中心軸Ｏｘを通り且つ第１面９８１ａに直交する仮想平面Ｐ１を挟んで互いに反対側に位置している。第１被押圧面９２５および第２被押圧面９２６は、仮想平面Ｐ１に対して、傾斜している。

　第１被押圧面９２５および第２被押圧面９２６に対するガイド溝９１１の内面９１１ａの位置が、押付対象９８２へのワイヤ６９の押し付け工程（図１４、図１５参照）から、電極パッド９８１へのワイヤ６９の接合工程（図１８、図１９参照）の間に、多少位置ずれしてしまう可能性がある。この場合、図２６に示すように、電極パッド９８１にワイヤ６９を接合する際に、ガイド溝９１１の内面９１１ａがワイヤ６９を押し付けることにより、ワイヤ６９に第１曲線痕９２７や第２曲線痕９２８が形成される可能性がある。同図に示すように、第１曲線痕９２７は、第１被押圧面９２５の縁９２５Ｂからずれた位置に形成されている。同様に、第２曲線痕９２８は、第２被押圧面９２６の縁９２６Ｂからずれた位置に形成されている。本実施形態とは異なり、ワイヤ６９に第１曲線痕９２７や第２曲線痕９２８が形成されていなくてもよい。

　図２３に示す第２ボンディング部９０６Ｂは、ワイヤ６９のうちワイヤボンディングパッド３１に接合している部位である。図２３、図２４に示す橋絡部９０６Ｃは、第１ボンディング部９０６Ａおよび第２ボンディング部９０６Ｂをつないでいる。図２８に示すように、橋絡部９０６Ｃの断面形状は円形状である。

　図２３に示すように、ワイヤボンディング構造９００Ｂの電極パッド９８１は、電子素子１に積層されている。

　以上のように、ワイヤ６９をワイヤボンディンングパッド３１と電子素子１とに接合する。詳細は説明しないが、同様に、ワイヤ６９をワイヤボンディングパッド４１と電子素子１とに接合する。このようにして、図２９に示す構成を得ることができる。

　次に、図３０に示すように、金型８５および金型８６によって、リード２２’，３２’，４２’を挟み込む（図３０では、リード４２’のみ示す）。金型８５，８６がリード２２’，３２’，４２’を挟み込んでいる状態で、金型８５，８６をリード２２’，３２’，４２’に固定する。ピン８７，８８を用いて、金型８５，８６に対しダイボンディングパッド２１を固定する。金型８５，８６によってリード２２’，３２’，４２’を挟み込んだ際、金型８５および金型８６に囲まれた空間８９１が形成される。空間８９１は、ダイボンディングパッド２１や、電子素子１などを収容している。

　次に、空間８９１に樹脂を注入する。次に、ダイボンディングパッド２１からピン８７をわずかに離間させる。すると、ダイボンディングパッド２１とピン８７との間にも樹脂が入り込む。同様にダイボンディングパッド２１からピン８８をわずかに離間させる。すると、ダイボンディングパッド２１およびピン８８の間に樹脂が入り込む。その後、樹脂が完全に硬化した後に、樹脂パッケージ７から金型８５，８６を取り外す。このようにして、図２～図４に示した上述の樹脂パッケージ７が形成される。樹脂パッケージ７のうち金型８５によって形成された面が、上述の第１面７１となる。一方、樹脂パッケージ７のうち金型８６によって形成された面が、上述の第２面７２となる。樹脂パッケージ７のうちピン８７が挿入されていた部位は、上述のピン跡７１１となる。同様に、樹脂パッケージ７のうちピン８８が挿入されていた部位は、上述のピン跡７２１となる。その後、線８９９（図２９参照）に沿ってリード２２’，３２’，４２’を切断するなどして、電子装置Ａ１０が製造される。

　電子装置Ａ１０は、上述したワイヤボンディング構造９００Ｂを含んでいる。以降に説明する他の電子装置においても、ワイヤボンディング構造９００Ｂが同様の態様で含まれている点は、共通である。

　次に、本実施形態の作用効果について説明する。

　本実施形態においては、ワイヤ６９を電極パッド９８１に接合する工程の前には、ワイヤ６９は退避面９２３αを有している。退避面９２３αは、外周面９２１からワイヤ６９の中心軸Ｏｘ側に退避した面である。ワイヤ６９を電極パッド９８１に接合する工程においては、退避面９２３αを電極パッド９８１に対して押し付けた状態で、ワイヤ６９に超音波振動を付加する。このような構成によると、ワイヤ６９を電極パッド９８１に接合する際に、ウエッジ９０１によってワイヤ６９が電極パッド９８１に押し付けられたときに、電極パッド９８１に接するワイヤ６９の面積をより大きくすることができる。これにより、ウエッジ９０１によってワイヤ６９が電極パッド９８１に押し付けられたときに、ワイヤ６９から電極パッド９８１に対し、局所的な力が与えられることを抑制できる。その結果、電極パッド９８１が形成された電子素子１が損傷することを、防止できる。以上より、本実施形態によると、Ｃｕよりなるワイヤ６９を用いた場合であっても、電子素子１の損傷を防止しつつ、ワイヤ６９を電極パッド９８１に対し適切に接合できる。

　本実施形態においては、ワイヤ６９を電極パッド９８１に接合する工程を開始する時点において、退避面９２３αは平坦である。このような構成によると、ワイヤ６９を電極パッド９８１に接合する際に、ウエッジ９０１によってワイヤ６９が電極パッド９８１に押し付けられたときに、電極パッド９８１に接するワイヤ６９の面積を更に大きくすることができる。したがって、上述した理由と同様の理由により、Ｃｕよりなるワイヤ６９を用いた場合であっても、電子素子１の損傷を更に防止しつつ、ワイヤ６９を電極パッド９８１に対しより適切に接合できる。

　本実施形態においては、ワイヤ６９を電極パッド９８１に接合する前に、ワイヤ６９を押付対象９８２に対して押し付けることにより、退避面９２３αを形成する。このような構成は、ワイヤ６９に退避面９２３αを形成するのに好適である。なお本実施形態とは異なり、ワイヤリール９６５に巻かれた時点から、退避面９２３αが既に形成されているワイヤ６９を用いてもよい。この場合、ワイヤ６９を押付対象９８２に押し付けることにより、退避面９２３αを形成する工程を行う必要はない。

　ワイヤ６９の直径が太ければ太いほど、ワイヤ６９および電極パッド９８１を接合するには、ワイヤ６９を電極パッド９８１に対し、より大きな力で押し付ける必要がある。本実施形態においては、直径が１５０～１０００μｍ程度の、直径の太いワイヤ６９を用いるが、電子素子１の損傷を防止しつつ、ワイヤ６９を電極パッド９８１に対し適切に接合できる。

　電子装置Ａ１０は、放熱部材５を備えている。そのため、電子素子１からダイボンディングパッド２１に伝わった熱は、放熱部材５を介して、放熱板８２に伝導し得る。よって、電子素子１からダイボンディングパッド２１に伝わった熱は、放熱板８２に伝わりやすくなる。したがって、電子装置Ａ１０は、電子素子１が過度に高温となることを抑制するのに適する。すなわち、電子装置Ａ１０は、放熱性に優れている。

　電子装置Ａ１０においては、電極２は、均一の厚さの導電部材を成型することにより形成されている。そのため、電極２を形成するために、ダイボンディングパッド２１の厚さとリード２２の厚さが異なる導電部材を用いる必要がない。均一の厚さの導電部材は、低コストで製造できる。したがって、電子装置Ａ１０は、製造コストの削減を図るのに適する。

　電子装置Ａ１０においては、ダイボンディングパッド２１と放熱部材５とは、超音波接合によって接合されている。超音波接合によりダイボンディングパッド２１と放熱部材５とを接合する際には、ダイボンディングパッド２１の温度を上昇させる必要がない。そのため、放熱部材５を接合する際に、ダイボンディングパッド２１が酸化されにくい。すなわち、放熱部材５を接合した後であっても、ダイボンディングパッド２１の配置面２１１が酸化膜に覆われておらず導電材料が露出した状態を保つことができる。したがって、電子装置Ａ１０は、ダイボンディングパッド２１と電子素子１とをより確実に導通させるのに適する。

　以下に、本実施形態の変形例を示す。以下の変形例では、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

＜ワイヤボンディング構造９００Ｂの変形例＞
　本変形例においては、ワイヤ６９を第１接合対象９８１Ａに接合する工程の前には、ワイヤ６９は退避面９２３αを有していない。そして、第１接合対象９８１Ａが、金属層９８０および電極パッド９８１を含む点において、第１実施形態とは異なる。電極パッド９８１は、第１実施形態で述べた電極パッド９８１の説明をそのまま適用できるから、本実施形態では説明を省略する。金属層９８０は、電極パッド９８１および第１ボンディング部９０６Ａの間に介在している。金属層９８０の厚さは、電極パッド９８１の厚さよりも厚い。金属層９８０の厚さは、たとえば、５０～１５０μｍである。

　本実施形態によると、ワイヤ６９を第１接合対象９８１Ａに接合する際、金属層９８０が緩衝層としての役割を果たす。そのため、電極パッド９８１に局所的な力が与えられることを、防止できる。その結果、第１接合対象９８１Ａが形成された電子素子１が損傷することを、防止できる。以上より、本実施形態によると、Ｃｕよりなるワイヤ６９を用いた場合であっても、電子素子１の損傷を防止しつつ、ワイヤ６９を第１接合対象９８１Ａに対し適切に接合できる。

＜第１変形例＞
　次に、図３２～図３４を用いて、本実施形態にかかる電子装置の第１変形例について説明する。

　図３２は、本変形例にかかる電子装置の断面図である。図３３は、本変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。図３４は、本変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。

　これらの図に示す電子装置Ａ１１は、電子装置Ａ１０と同様に、電子素子１と、電極２～４と、放熱部材５と、接着層６１（図８参照、本変形例では図示略）と、メッキ層６２と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、を備える。電子装置Ａ１１は、放熱部材５の形状が電子装置Ａ１０と相違する。電子装置Ａ１１における電子素子１、電極２～４、接着層６１、メッキ層６２、ワイヤ６９、および、樹脂パッケージ７の各構成は、電子装置Ａ１０の構成と同様であるから、説明を省略する。

　本変形例においては、放熱部材５は、平板部５１と、突出部５２とを含む。平板部５１は、略矩形の板状を呈する。平板部５１は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１と重なる。突出部５２は、平板部５１から方向ｘ１に向かって突出している。突出部５２は、ｘｙ平面視において、リード２２と重なる。図３３、図３４に示すように、突出部５２とワイヤボンディングパッド３１との間に隙間３９が形成されている。同様に、突出部５２とワイヤボンディングパッド４１との間に隙間４９が形成されている。突出部５２の方向ｘ１側の先端は、ダイボンディングパッド２１よりも方向ｘ１側に位置する。

　次に、本変形例の作用効果について説明する。

　電子装置Ａ１１においては、放熱部材５は、平板部５１から突出する突出部５２を含む。放熱部材５が突出部５２を含む構成は、ｘｙ平面視において、放熱部材５の面積を大きくするのに適する。そのため、電子装置Ａ１１によると、放熱部材５を介して、ダイボンディングパッド２１から放熱板８２に熱が伝わりやすくなる。

　電子装置Ａ１１においては、ｘｙ平面視において、突出部５２とワイヤボンディングパッド３１との間に隙間３９が形成されている。このような構成によると、ｘｙ平面視において、突出部５２がワイヤボンディングパッド３１と重なる領域を小さくすることができる。ワイヤ６９をワイヤボンディングパッド３１に接合する際には、ワイヤボンディングパッド３１の方向ｚ２側に図示しないヒータを配置する。ｘｙ平面視における突出部５２とワイヤボンディングパッド３１とが重なる領域が小さいと、当該ヒータを配置し易い。したがって、電子装置Ａ１１によると、ワイヤボンディングパッド３１にワイヤ６９を容易に接合できる。同様の理由により、電子装置Ａ１１によると、ワイヤボンディングパッド４１にワイヤ６９を容易に接合できる。

＜第２変形例＞
　次に、図３５～図３７を用いて、本実施形態にかかる電子装置の第２変形例について説明する。

　図３５は、本変形例にかかる電子装置の断面図である。図３６は、本変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。図３７は、本変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。

　これらの図に示す電子装置Ａ１２は、電子装置Ａ１０と同様に、電子素子１と、電極２～４と、放熱部材５と、接着層６１（図８参照、本変形例では図示略）と、メッキ層６２と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、を備える。電子装置Ａ１２は、放熱部材５の形状が、電子装置Ａ１０と相違する。電子装置Ａ１２における電子素子１、電極２～４、接着層６１、メッキ層６２、ワイヤ６９、および、樹脂パッケージ７の各構成は、電子装置Ａ１０の構成と同様であるから、説明を省略する。放熱部材５には、ネジ挿通用の円形のネジ穴５４が形成されている。図３６に示すように、放熱部材５は、ダイボンディングパッド２１よりも、方向ｘ２の側に位置する部位を有する。

　電子装置Ａ１２は、ｘｙ平面視において、放熱部材５の面積を大きくするのに適する。そのため、電子装置Ａ１２によると、放熱部材５を介して、ダイボンディングパッド２１から放熱板８２に熱が伝わりやすくなる。

　なお、本変形例における放熱部材５は、電子装置Ａ１１における平板部５１と突出部５２とを備える構成であってもよい。

＜第３変形例＞
　次に、図３８～図４０を用いて、本実施形態にかかる電子装置の第３変形例について説明する。

　図３８は、本変形例にかかる電子装置の断面図である。図３９は、本変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。図４０は、本変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。

　これらの図に示す電子装置Ａ１３は、電子装置Ａ１０と同様に、電子素子１と、電極２～４と、放熱部材５と、接着層６１（図８参照、本変形例では図示略）と、メッキ層６２と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、を備える。電子装置Ａ１３は、放熱部材５の形状が、電子装置Ａ１０と相違する。電子装置Ａ１２における電子素子１、電極２～４、接着層６１、メッキ層６２、ワイヤ６９、および、樹脂パッケージ７の各構成は、電子装置Ａ１０の構成と同様であるから、説明を省略する。放熱部材５には、方向ｘ２の端部から方向ｘ１側に凹む凹部５５が形成されている。凹部５５は、方向ｘ２側に開口している。ｘｙ平面視において、凹部５５は、ダイボンディングパッド２１における孔２１４と重なる。図３９に示すように、本変形例においても、放熱部材５は、ダイボンディングパッド２１よりも、方向ｘ２の側に位置する部位を有する。

　電子装置Ａ１３は、ｘｙ平面視において、放熱部材５の面積を大きくするのに適する。そのため、電子装置Ａ１３によると、放熱部材５を介して、ダイボンディングパッド２１から放熱板８２に熱が伝わりやすくなる。

＜電子装置の実装構造の変形例＞
　次に、図４１を用いて、本実施形態にかかる電子装置の実装構造の変形例について示す。

　図４１は、本変形例にかかる電子装置の実装構造の要部断面図である。同図に示す電子装置の実装構造Ｂ２は、電子装置Ａ１０と、実装基板８１と、放熱板８２とを備える。電子装置の実装構造Ｂ２は、電子装置の実装構造Ｂ１と異なり、実装基板８１と平行に放熱板８２が形成されている。そして、リード２２，３２，４２のいずれもが屈曲した状態で、電子装置Ａ１０が実装基板８１に実装されている。なお、電子装置Ａ１０に代えて、電子装置Ａ１１～Ａ１３のいずれかが実装基板８１に実装されていてもよい。

［第２実施形態］
　次に、図４２～図５３を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。

　図４２は、本実施形態にかかる電子装置の実装構造を示す要部断面図である。

　図４２に示す電子装置の実装構造Ｂ３は、電子装置Ａ２０と、実装基板８１と、放熱板８２とを備える。

　図４３は、本実施形態にかかる電子装置の正面図である。図４４は、本実施形態にかかる電子装置の平面図である。図４５は、本実施形態にかかる電子装置の底面図である。図４６は、本実施形態にかかる電子装置の断面図である。図４７は、本実施形態にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。図４８は、本実施形態にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。図４９は、図４６に示した電子装置の部分拡大断面図である。

　これらの図に示す電子装置Ａ２０は、電子素子１と、電極２～４と、放熱部材５と、接着層６１（図４９参照、その他の図では略）と、メッキ層６２（図４２、図４６参照、その他の図では略）と、接合層６３（図４９参照、その他の図では略）と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、を備える。図４７、図４８では、樹脂パッケージ７を、２点鎖線で示している。図４２に示すように、電子装置Ａ２０は、実装基板８１に実装されている。電子装置Ａ２０は、電子素子１の種類により、電気回路におけるスイッチング機能、整流機能、増幅機能などを果たす電子部品として用いられる。

　図４２、図４６、図４７に示す電子素子１は、平面視矩形状である。電子素子１は、たとえば、ダイオードやトランジスタなどの半導体からなる素子である。本実施形態では、電子素子１はトランジスタである。

　図４２、図４６～図４８に示す電極２は、ダイボンディングパッド２１と、リード２２とを含む。ダイボンディングパッド２１およびリード２２は、たとえば、銅などの導電材料よりなる。

　ダイボンディングパッド２１は、電子素子１を搭載するためのものである。ダイボンディングパッド２１は、平板状である。ダイボンディングパッド２１は、配置面２１１と、裏面２１２とを有する。配置面２１１は方向ｚ１を向く。裏面２１２は、方向ｚ２を向く。配置面２１１には、電子素子１が配置されている。ダイボンディングパッド２１には電子素子１にて発生した熱が伝わる。ダイボンディングパッド２１には、配置面２１１から裏面２１２にわたって貫通する孔２１４が形成されている。図４７に示すように、孔２１４は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１の方向ｘ２側の端部からｘ１方向に凹む形状である。

　リード２２は、ダイボンディングパッド２１から線状に延びる形状である。リード２２は挿入実装用のものである。図４２に示すように、リード２２は孔８１１に挿入される。これにより、電子装置Ａ２０が実装基板８１に実装される。リード２２を実装基板８１に固定するために、孔８１１にはハンダ８４が充填されている。図４６～図４８に示すように、リード２２は、接合部２２３と、端子部２２２とを有する。本実施形態においては、接合部２２３と端子部２２２とは一体成型されている。接合部２２３は、ダイボンディングパッド２１に接合されている。接合部２２３は、配置面２１１と交差する方向に延びる形状である。図４６に示すように、接合部２２３は、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２よりも、方向ｚ２側に位置する部位を有する。すなわち、接合部２２３の方向ｚ２側の先端は、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２よりも、方向ｚ２側に位置する。端子部２２２は、接合部２２３につながる。端子部２２２は、接合部２２３から方向ｘ１に向かって延びる。端子部２２２は、後述の樹脂パッケージ７から突出する部位を有する。

　図４７、図４８に示す電極３は、ワイヤボンディングパッド３１と、リード３２とを含む。電極３は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１の方向ｘ１側、且つ、リード２２の方向ｙ１側、に位置する。ワイヤボンディングパッド３１およびリード３２は、一体成型されている。ワイヤボンディングパッド３１およびリード３２は、たとえば銅などの導電性材料よりなる。ワイヤボンディングパッド３１は、ダイボンディングパッド２１より小さい略矩形の平板状である。リード３２は、ワイヤボンディングパッド３１とつながる。リード３２は、ワイヤボンディングパッド３１から方向ｘ１に向かって線状に延びる形状である。リード３２は、リード２２に並列されている。リード３２は、後述の樹脂パッケージ７から突出する部位を有する。リード３２は挿入実装用のものである。図４２に示すように、リード３２は孔８１１に挿入される。これにより、電子装置Ａ２０が実装基板８１に実装される。リード３２を実装基板８１に固定するために、孔８１１にはハンダ８４が充填されている。

　図４７、図４８に示す電極４は、ワイヤボンディングパッド４１と、リード４２とを含む。電極４は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１の方向ｘ１側、且つ、リード２２の方向ｙ２側、に位置する。ワイヤボンディングパッド４１およびリード４２は、一体成型されている。ワイヤボンディングパッド４１およびリード４２は、たとえば銅などの導電性材料よりなる。ワイヤボンディングパッド４１は、ダイボンディングパッド２１より小さい略矩形の平板状である。リード４２は、ワイヤボンディングパッド４１とつながる。リード４２は、ワイヤボンディングパッド４１から方向ｘ１に向かって線状に延びる形状である。リード４２は、リード２２に並列されている。リード４２とリード３２との間に、リード２２が位置する。リード４２は、後述の樹脂パッケージ７から突出する部位を有する。リード４２は挿入実装用のものである。図４２に示すように、リード４２は孔８１１に挿入される。これにより、電子装置Ａ２０が実装基板８１に実装される。リード４２を実装基板８１に固定するために、孔８１１にはハンダ８４が充填されている。

　図４９に示すように、接着層６１は、電子素子１とダイボンディングパッド２１との間に介在する。接着層６１は、電子素子１をダイボンディングパッド２１に接着するためのものである。本実施形態においては、接着層６１を介して、電子素子１がダイボンディングパッド２１と導通している。接着層６１は、たとえば、銀ペーストもしくはハンダペーストである。

　図４６～図４８に示す放熱部材５は、ダイボンディングパッド２１を挟んで、電子素子１が配置された側と反対側に配置されている。すなわち、放熱部材５と電子素子１との間にダイボンディングパッド２１が位置する。放熱部材５は、孔２１４よりも方向ｘ１側に位置する。放熱部材５は、略矩形の板状である。放熱部材５が略矩形の板状である場合には、放熱部材５を形成するのに穴を空けるなどの特殊な加工をする必要がないため、放熱部材５を製造し易い。

　放熱部材５は、電子素子１にて発生した熱を速やかに電子装置Ａ２０の外部に放出するために、設けられている。本実施形態において放熱部材５は、セラミックなどの絶縁材料よりなる。このようなセラミックとしては、たとえば、アルミナ、ジルコニア、もしくは、チッ化アルミニウムが挙げられる。

　放熱部材５は、面５ａ，５ｂを有する。面５ａは、方向ｚ１を向く。面５ｂは、方向ｚ２を向く。面５ａは、ダイボンディングパッド２１に接合されている。

　図４９に示す接合層６３は、たとえば、銀ペーストである。接合層６３は、面５ａとダイボンディングパッド２１との間に介在する。接合層６３は、面５ａとダイボンディングパッド２１を接合している。

　図４２～図４６に示すように、樹脂パッケージ７は、電子素子１、電極２～４、および、放熱部材５を覆っている。樹脂パッケージ７は、たとえば、黒色のエポキシ樹脂よりなる。図４３に示すように、樹脂パッケージ７は、第１面７１と、第２面７２とを有する。第１面７１は、平坦面７１５とテーパ面７１６とを有する。平坦面７１５は、電子装置Ａ２０を実装基板８１に実装するための実装面である。図４５、図４６に示すように、平坦面７１５からは、放熱部材５の面５ｂが露出している。平坦面７１５は、面５ｂと面一となっている。平坦面７１５は、必ずしも面５ｂと面一となっている必要はない。たとえば、平坦面７１５から放熱部材５がわずかに突出していてもよい。図４２に示すように、平坦面７１５および面５ｂは、放熱板８２に正対する。面５ｂと放熱板８２との間に放熱用のグリース８９が介在していてもよい。もしくは、図示しないが、面５ｂと放熱板８２が接していてもよい。これらは、電子装置Ａ２０の放熱性向上の観点から好ましい。テーパ面７１６は、平坦面７１５につながる。テーパ面７１６は、方向ｚ１に向かうにつれ、ｘｙ平面における外側に向かう形状である。

　図４３に示すように、第２面７２は、複数の平坦面７２５と、複数のテーパ面７２６とを有する。各テーパ面７２６は、複数の平坦面７２５のいずれかにつながる。各テーパ面７２６は、方向ｚ２に向かうにつれ、ｘｙ平面における外側に向かう形状である。各テーパ面７２６は、境界７３において、テーパ面７１６とつながる。図４４に示すように、樹脂パッケージ７には、複数の平坦面７２５の一つから凹むピン跡７２１が形成されている。樹脂パッケージ７には、ネジ穴７８が形成されている。図４２に示すように、ネジ穴７８には、電子装置Ａ２０を放熱板８２に固定するためのネジ８３が挿通される。

　図４７に示す２本のワイヤ６９は、たとえば、アルミニウムなどの金属よりなる。２本のワイヤ６９のうちの一つは、電子素子１とワイヤボンディングパッド３１とに接合されている。これにより、電子素子１とワイヤボンディングパッド３１とが導通している。２本のワイヤ６９のうちの一つは、電子素子１とワイヤボンディングパッド４１とに接合されている。これにより、電子素子１とワイヤボンディングパッド４１とが導通している。電子素子１がトランジスタでなくダイオードである場合には、ワイヤボンディングパッド３１，４１のいずれにもワイヤ６９がボンディングされている必要はない。この場合、ワイヤボンディングパッド３１，４１のいずれか一方に、ワイヤ６９がボンディングされていればよい。

　図４２、図４６に示すメッキ層６２は、各リード２２，３２，４２の樹脂パッケージ７から突出している部位を覆っている。メッキ層６２は、たとえば、スズと銀と銅との合金よりなる。

　次に、図５０～図５３を用いて、電子装置Ａ２０の製造方法について説明する。

　まず、図５０に示すように、ダイボンディングパッド２１および放熱部材５を準備する。次に、接合層６３（図４９参照、図５０では略）を介して、ダイボンディングパッド２１を、放熱部材５の面５ａに接合する。次に、図５１に示すように、ダイボンディングパッド２１にリード２２’を、たとえば溶接をするなどして、接合する。ダイボンディングパッド２１とリード２２’との接合は、リード２２’の端子部２２２’を、放熱部材５の面５ｂから方向ｚにおいて距離Ｌ３だけ離間させた状態で行う。リード２２’の周囲には電極３’および電極４’が、配置されている。

　次に、図５２に示すように、接着層６１（図４９参照、図５２では略）を介して、ダイボンディングパッド２１に電子素子１を配置する。電子素子１を配置する位置は、ダイボンディングパッド２１を挟んで放熱部材５とは反対側である。

　次に、電子素子１と電極３’のワイヤボンディングパッド３１とに、ワイヤ６９を接合する。同様に、電子素子１と電極４’のワイヤボンディングパッド４１とに、ワイヤ６９を接合する。ワイヤ６９の接合は、第１実施形態で述べたように行う。

　次に、図５３に示すように、金型８５および金型８６によって、リード２２’，３２’，４２’（図５３ではリード２２’のみ示す）を挟み込む。金型８５，８６がリード２２’，３２’，４２’を挟み込んでいる状態で、金型８５，８６をリード２２’，３２’，４２’に固定する。また、ピン８８を用いて、金型８５，８６に対しダイボンディングパッド２１を固定する。金型８５は、放熱部材５の面５ｂに当接している。金型８５のうち面５ｂに当接する面と、方向ｚにおける、金型８５のうち端子部２２２’に当接する部位との離間距離Ｌ４は、上述の距離Ｌ３と略同一である。金型８５，８６によってリード２２’，３２’，４２’を挟み込んだ際、金型８５および金型８６に囲まれた空間８９１が形成される。空間８９１は、ダイボンディングパッド２１や、電子素子１などを収容している。

　次に、空間８９１に樹脂を注入する。次に、ダイボンディングパッド２１からピン８８をわずかに離間させる。すると、ダイボンディングパッド２１およびピン８８の間に樹脂が入り込む。その後、樹脂が完全に硬化した後に、樹脂パッケージ７から金型８５，８６を取り外す。このようにして、図４３～図４６に示した上述の樹脂パッケージ７が形成される。樹脂パッケージ７のうち金型８５によって形成された面が、上述の第１面７１となる。一方、樹脂パッケージ７のうち金型８６によって形成された面が、上述の第２面７２となる。樹脂パッケージ７のうちピン８８が挿入されていた部位は、上述のピン跡７２１となる。その後、図５２に示す線８９９に沿ってリード２２’，３２’，４２’を切断するなどして、電子装置Ａ２０が製造される。

　次に、本実施形態の作用効果について説明する。

　電子装置Ａ２０は、放熱部材５を備えている。そのため、電子素子１からダイボンディングパッド２１に伝わった熱は、放熱部材５を介して、放熱板８２に伝導し得る。よって、電子素子１からダイボンディングパッド２１に伝わった熱は、放熱板８２に伝わりやすくなる。したがって、電子装置Ａ２０は、電子素子１が過度に高温となることを抑制するのに適する。すなわち、電子装置Ａ２０は、放熱性に優れている。

　電子装置Ａ２０においては、放熱部材５の面５ｂが、樹脂パッケージ７の平坦面７１５から露出している。そのため、放熱部材５から放熱板８２へ、樹脂パッケージ７を介さずに、熱が伝導しうる。これにより、放熱部材５から放熱板８２へ速やかに熱が伝わる。したがって、電子装置Ａ２０は、電子素子１が過度に高温となることを抑制するのにさらに適する。すなわち、電子装置Ａ２０は、放熱性に特に優れている。

　本実施形態にかかる製造方法においては、図５０に示すように放熱部材５とダイボンディングパッド２１とを接合した後に、図５１に示すようにリード２２’をダイボンディングパッド２１に接合している。そのため、放熱部材５の厚さ（方向ｚにおける寸法）のばらつきがあっても、放熱部材５の面５ｂとリード２２’の端子部２２２’との方向ｚにおける離間距離Ｌ３を、ほぼ一定にすることができる。これにより、離間距離Ｌ３を、図５３に示した金型８５における距離Ｌ４と略同一にすることができる。仮にＬ３＜Ｌ４である場合を想定する。この場合、金型８５はリード２２’の端子部２２２’に当接する。だが、金型８５は、放熱部材５の面５ｂには当接せず、金型８５と面５ｂとの間には隙間が生じる。金型８５と面５ｂとの間に隙間が生じたままでは、面５ｂを樹脂パッケージ７から露出させることができない。また、仮にＬ３＞Ｌ４である場合を想定する。この場合、金型８５は、放熱部材５の面５ｂに当接する。だが、金型８５は、リード２２’の端子部２２２’に当接せず、金型８５と端子部２２２’との間には隙間が生じる。金型８５と端子部２２２’との間に隙間が生じたままでは、空間８９１から樹脂が流れ出すため、樹脂パッケージ７を形成することができない。一方、本実施形態にかかる方法では、距離Ｌ３を距離Ｌ４と略同一にすることができるため、金型８５，８６によってリード２２’を挟むとき、金型８５を、面５ｂおよびリード２２’の端子部２２２’のいずれにも、確実に当接させることができる。したがって、本実施形態にかかる方法は、面５ｂが樹脂パッケージ７から露出している装置を確実に製造するのに適する。

　電子装置Ａ２０においては、放熱部材５は、セラミックよりなる。セラミックよりなる放熱部材５の厚さは、放熱部材５ごとにばらつきやすい。このような場合であっても、放熱部材５をダイボンディングパッド２１に接合した後に、リード２２’をダイボンディングパッド２１に接合すると、方向ｚにおける、面５ｂと端子部２２２’との離間距離Ｌ３を、距離Ｌ４と略同一にすることができる。したがって、本実施形態にかかる方法は、放熱部材５がセラミックよりなる場合に面５ｂが樹脂パッケージ７から露出している装置を確実に製造するのに、より好適である。

＜第１変形例＞
　次に、図５４～図５６を用いて、本実施形態の電子装置の第１変形例について説明する。

　図５４は、本変形例にかかる電子装置の断面図である。図５５は、本変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。図５６は、本変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。

　これらの図に示す電子装置Ａ２１は、電子装置Ａ２０と同様に、電子素子１と、電極２～４と、放熱部材５と、接着層６１（図４９参照、本変形例では図示略）と、メッキ層６２と、接合層６３（図４９参照、本変形例では図示略）と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、を備える。電子装置Ａ２１は、電極２の構成および放熱部材５の形状が、電子装置Ａ２０と相違する。電子装置Ａ２１における電子素子１、電極３，４、接着層６１、メッキ層６２、接合層６３、ワイヤ６９、および樹脂パッケージ７の各構成は、電子装置Ａ２０の構成と同様であるから、説明を省略する。

　電極２は、ダイボンディングパッド２１と、リード２２とを含む。本変形例においては、ダイボンディングパッド２１は、板状部２１５および延出部２１６を有する。板状部２１５は、略矩形の板状を呈する。延出部２１６は、板状部２１５から、配置面２１１と交差する方向に延びる。より具体的には、延出部２１６は、方向ｚ２側から方向ｚ１側に向かう方向に延びる。板状部２１５および延出部２１６は、一体成型されている。リード２２は、方向ｘ１に向かって延びる線状である。リード２２は、延出部２１６と接合されている。図５４に示すように、延出部２１６はリード２２よりも方向ｚ１側に位置する部位を有する。すなわち、延出部２１６の方向ｚ１側の先端は、リード２２よりも方向ｚ１側に位置する。

　本変形例においては、放熱部材５は、平板部５１と、突出部５２とを含む。平板部５１は、略矩形の板状を呈する。図５５、図５６に示すように、平板部５１は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１と重なる。突出部５２は、平板部５１から方向ｘ１に向かって突出している。突出部５２は、ｘｙ平面視において、リード２２と重なる。本変形例においては、突出部５２とワイヤボンディングパッド３１との間に隙間３９が形成されている。同様に、突出部５２とワイヤボンディングパッド４１との間に隙間４９が形成されている。突出部５２の方向ｘ１側の先端は、板状部２１５の端面よりも方向ｘ１側に位置する。

　次に、本変形例の作用効果について説明する。

　電子装置Ａ２１においては、放熱部材５は、平板部５１から突出する突出部５２を含む。放熱部材５が突出部５２を含む構成は、ｘｙ平面視において、放熱部材５の面積を大きくするのに適する。そのため、電子装置Ａ２１によると、放熱部材５を介して、ダイボンディングパッド２１から放熱板８２に熱が伝わりやすくなる。

　電子装置Ａ２１においては、ｘｙ平面視において、突出部５２とワイヤボンディングパッド３１との間に隙間３９が形成されている。このような構成によると、ｘｙ平面視において、突出部５２がワイヤボンディングパッド３１と重なる領域を小さくすることができる。ワイヤ６９をワイヤボンディングパッド３１に接合する際には、ワイヤボンディングパッド３１の方向ｚ２側に図示しないヒータを配置する。ｘｙ平面視における突出部５２とワイヤボンディングパッド３１とが重なる領域が小さいと、当該ヒータを配置し易い。したがって、電子装置Ａ２１によると、ワイヤボンディングパッド３１にワイヤ６９を容易に接合できる。同様の理由により電子装置Ａ２１によると、ワイヤボンディングパッド４１にワイヤ６９を容易に接合できる。

＜第２変形例＞
　次に、図５７～図６０を用いて、本実施形態の電子装置の第２変形例について説明する。

　図５７は、本変形例にかかる電子装置の断面図である。図５８は、本変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。図５９は、本変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。

　これらの図に示す電子装置Ａ２２は、電子装置Ａ２０と同様に、電子素子１と、電極２～４と、放熱部材５と、接着層６１（図４９参照、本変形例では図示略）と、メッキ層６２と、接合層６３（図４９参照、本変形例では図示略）と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、を備える。電子装置Ａ２２は、放熱部材５の形状が、電子装置Ａ２０と相違する。電子装置Ａ２２における電子素子１、電極２～４、接着層６１、メッキ層６２、接合層６３、ワイヤ６９、および、樹脂パッケージ７の各構成は、電子装置Ａ２０の構成と同様であるから、説明を省略する。放熱部材５は、外郭形状が矩形状の平板である。放熱部材５には、ネジ挿通用の円形のネジ穴５４が形成されている。ネジ穴５４は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１に形成された孔２１４と重なる。図５８に示すように、放熱部材５は、ダイボンディングパッド２１よりも、方向ｘ２の側に位置する部位を有する。本変形例ではさらに、放熱部材５は、ｘｙ平面視において、樹脂パッケージ７から方向ｘ２側に、はみ出る部位を有する。

　電子装置Ａ２２においては、放熱部材５は、ダイボンディングパッド２１よりも、方向ｘ２の側に位置する部位を有する。これは、ｘｙ平面視において、放熱部材５の面積を大きくするのに適する。そのため、電子装置Ａ２２によると、放熱部材５を介して、ダイボンディングパッド２１から放熱板８２に熱が伝わりやすくなる。

　電子装置Ａ２２においては、放熱部材５は、ｘｙ平面視において、樹脂パッケージ７から方向ｘ２側にはみ出る部位を有する。これは、ｘｙ平面視において、放熱部材５の面積を大きくするのに適する。そのため、電子装置Ａ２２によると、放熱部材５を介して、ダイボンディングパッド２１から放熱板８２に熱が伝わりやすくなる。

　電子装置Ａ２２においては、放熱部材５は、ｘｙ平面視において、樹脂パッケージ７から方向ｘ２側にはみ出る部位を有している。このような電子装置Ａ２２を製造するには、図６０に示す金型８５，８６を用いる。同図に示す金型８５，８６を用いる場合には、金型８５および金型８６が、放熱部材５を挟み込む。そのため、図５３に示したピン８８を用いる必要がない。ピン８８を用いないならば、ピン８８の移動に要する手間および時間を削減できる。そのため、電子装置Ａ２２は、製造工程の簡素化、および、効率化を図るのに適する。

　なお、本変形例における放熱部材５は、電子装置Ａ２１における平板部５１と突出部５２とを備える構成であってもよい。

＜第３変形例＞
　次に、図６１～図６３を用いて、本実施形態の電子装置の第３変形例について説明する。

　図６１は、本変形例にかかる電子装置の断面図である。図６２は、本変形例にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。図６３は、本変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。

　これらの図に示す電子装置Ａ２３は、電子装置Ａ２０と同様に、電子素子１と、電極２～４と、放熱部材５と、接着層６１（図４９参照、本変形例では図示略）と、メッキ層６２と、接合層６３（図４９参照、本変形例では図示略）と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、を備える。電子装置Ａ２３は、放熱部材５の形状が、電子装置Ａ２０と相違する。電子装置Ａ２３における電子素子１、電極２～４、接着層６１、メッキ層６２、および、樹脂パッケージ７の各構成は、電子装置Ａ２０の構成と同様であるから、説明を省略する。

　放熱部材５には、方向ｘ２の端部から方向ｘ１側に凹む凹部５５が形成されている。凹部５５は、方向ｘ２側に開口している。ｘｙ平面視において、凹部５５は、ダイボンディングパッド２１における孔２１４と重なる。図６２に示すように、放熱部材５は、ダイボンディングパッド２１よりも、方向ｘ２の側に位置する部位を有する。

　電子装置Ａ２３は、ｘｙ平面視において、放熱部材５の面積を大きくするのに適する。そのため、電子装置Ａ２３によると、放熱部材５を介して、ダイボンディングパッド２１から放熱板８２に熱が伝わりやすくなる。

＜第４変形例＞
　次に、図６４～図６６を用いて、本実施形態の電子装置の第４変形例について説明する。

　図６４は、本変形例にかかる電子装置の断面図である。図６５は、本変形例にかかる電子装置の底面図である。図６６は、本変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。

　これらの図に示す電子装置Ａ２４は、電子装置Ａ２０と同様に、電子素子１と、電極２～４と、放熱部材５と、接着層６１（図４９参照、本変形例では図示略）と、メッキ層６２と、接合層６３（図４９参照、本変形例では図示略）と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、を備える。電子装置Ａ２４は、放熱部材５の形状が、電子装置Ａ２０と相違する。電子装置Ａ２４における電子素子１、電極２～４、接着層６１、メッキ層６２、接合層６３の各構成は、電子装置Ａ２０の構成と同様であるから、説明を省略する。

　本変形例においては、放熱部材５は、四角錐台状である。放熱部材５は、脱落防止部５９１を含む。脱落防止部５９１は、放熱部材５のうち、ｘｙ平面視において面５ｂからはみ出る部分である。すなわち、脱落防止部５９１は、ｘｙ平面視において面５ｂと重ならない部分である。図６４によく表れているように、脱落防止部５９１よりも方向ｚ２に向かう側には、樹脂パッケージ７が形成されている。このような構成によると、樹脂パッケージ７に対する放熱部材５の方向ｚ２側への移動が規制される。したがって、放熱部材５が樹脂パッケージ７から脱落することを防止できる。

　なお、本変形例にかかる構成を、本実施形態にかかる第１～第３変形例の各構成と組み合わせてもよい。

＜第５変形例＞
　次に、図６７を用いて、本実施形態の電子装置の第５変形例について説明する。

　図６７は、本実施形態の第５変形例にかかる電子装置の部分拡大断面図である。

　同図に示す電子装置Ａ２５は、接合層６３の構成が、電子装置Ａ２０と異なる。電子装置Ａ２５における電子素子１、電極２～４、放熱部材５、接着層６１、メッキ層６２、ワイヤ６９、および、樹脂パッケージ７の各構成は、電子装置Ａ２０の構成と同様であるから、説明を省略する。

　本変形例においては、接合層６３は、樹脂層６３１と、フィラー６３２とを含む。樹脂層６３１は、放熱部材５の面５ａとダイボンディングパッド２１との間に介在している。樹脂層６３１は、たとえば、エポキシなどの樹脂よりなる。フィラー６３２は、微細な形状であり、樹脂層６３１に混入されている。フィラー６３２は、樹脂層６３１を構成する材料の熱伝導率より大きい熱伝導率の材料よりなる。このような材料としては、ＡｌＮ、Ａｇなどが挙げられる。

　このような構成によれば、ダイボンディングパッド２１から放熱部材５へ、熱を伝えやすいフィラー６３２を経由して、熱が伝導しうる。そのため、ダイボンディングパッド２１から放熱部材５へ熱が伝わりやすくなる。したがって、電子装置Ａ２５は、放熱性に優れる。

　なお、本実施形態の第１～第４変形例における接合層６３として、本変形例の構成を採用してもよい。

＜第６変形例＞
　次に、図６８を用いて、本実施形態の電子装置の第６変形例について説明する。

　図６８は、本実施形態の第６変形例にかかる電子装置の部分拡大断面図である。

　同図に示す電子装置Ａ２６は、放熱部材５の構成が、上述の電子装置Ａ２０と異なる。電子素子１、電極２～４、接着層６１、メッキ層６２、接合層６３、２本のワイヤ６９、および、樹脂パッケージ７の各構成は、電子装置Ａ２０の構成と同様であるから、説明を省略する。

　放熱部材５は、基材５５１と、絶縁膜５５２とを含む。基材５５１は、たとえば、アルミニウムなどの金属よりなる。絶縁膜５５２は、絶縁材料からなる。絶縁膜５５２は、基材５５１を構成する金属の酸化物よりなる。絶縁膜５５２は、基材５５１がアルミニウムよりなる場合、アルミニウムの陽極酸化皮膜であるとよい。絶縁膜５５２は、面５ａ，５ｂを構成している。

　なお、本実施形態の第１～第５変形例における放熱部材５として、本変形例の構成を採用してもよい。

＜第７変形例＞
　次に、図６９～図７３を用いて、本実施形態の電子装置の第７変形例について説明する。

　図６９は、本変形例にかかる電子装置の断面図である。図７０は、本変形例にかかる電子装置の底面図である。図７１は、本変形例にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。

　これらの図に示す電子装置Ａ２７は、電子装置Ａ２０と同様に、電子素子１と、電極２～４と、接着層６１（図４９参照、本変形例では図示略）と、メッキ層６２と、接合層６３（図４９参照、本変形例では図示略）と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、を備える。電子装置Ａ２７は、放熱部材５の構成が、上述の電子装置Ａ２０と異なる。電子装置Ａ２７における電子素子１、電極２～４、接着層６１、メッキ層６２、接合層６３、２本のワイヤ６９、および、樹脂パッケージ７の各構成は、電子装置Ａ２０の構成と同様であるから、説明を省略する。

　本変形例においては、放熱部材５は、第１基板５８と、第２基板５９とを含む。第１基板５８および第２基板５９はいずれも、セラミックなどの絶縁材料よりなる。このようなセラミックとしては、たとえば、アルミナ、ジルコニア、もしくは、チッ化アルミニウムが挙げられる。

　第１基板５８は、矩形状の平板である。第１基板５８は、面５ａを構成している。第２基板５９は、第１基板５８より小さい矩形状の平板である。第２基板５９は、第１基板５８に積層されている。第２基板５９は、面５ｂを構成している。第２基板５９は、後述のように、第１基板５８とともに焼成することにより、接合されている。第２基板５９は、ｘｙ平面視において、全体にわたって第１基板５８と重なる。

　第１基板５８は、脱落防止部５８１を有する。脱落防止部５８１は、ｘｙ平面視において、第２基板５９からはみ出ている部位である。すなわち、脱落防止部５８１は、第１基板５８のうち、ｘｙ平面視において、第２基板５９と重ならない部位である。図６９に示すように、脱落防止部５８１よりも方向ｚ２に向かう側に、樹脂パッケージ７が形成されている。このような構成によると、樹脂パッケージ７に対する放熱部材５の方向ｚ２側への移動が規制される。したがって、放熱部材５が樹脂パッケージ７から脱落することを防止できる。

　次に、図７２、図７３を用いて、電子装置Ａ２７の放熱部材５の製造方法の一例について簡単に説明する。

　まず、図７２に示すように、セラミックからなるシート８７１を用意する。次に、シート８７１に、セラミックよりなる複数の基板８７２を配置する。次に、シート８７１と複数の基板８７２とを一括して焼成する。次に、図７３に示すように、シート８７１を、複数の個片８７３に切断する。各個片８７３には、基板８７２が接合されている。基板８７２が接合された個片８７３の一つを、放熱部材５として用いる。放熱部材５をダイボンディングパッド２１に接合層６３（図４９参照、本変形例では図示略）を介して接合するなど、電子装置Ａ２０に関して述べた方法と同様の方法を行うことにより、電子装置Ａ２７を製造することができる。

　なお、本実施形態の第１～第６変形例における放熱部材５として、第１基板５８と第２基板５９とが積層された本変形例の構成を採用してもよい。

＜電子装置の実装構造の変形例＞
　次に、図７４を用いて、電子装置の実装構造の変形例について示す。

　図７４は、本実施形態にかかる電子装置の実装構造の変形例を示す要部断面図である。

　同図に示す電子装置の実装構造Ｂ４は、電子装置Ａ２０と、実装基板８１と、放熱板８２とを備える。電子装置の実装構造Ｂ４は、電子装置の実装構造Ｂ３と異なり、実装基板８１と平行に放熱板８２が形成されている。そして、リード２２，３２，４２のいずれもが屈曲した状態で、電子装置Ａ２０が実装基板８１に実装されている。なお、電子装置Ａ２０に代えて、電子装置Ａ２１～Ａ２７のいずれかが実装基板８１に実装されていてもよい。

［第３実施形態］
　次に、図７５～図８６を用いて、本発明の第３実施形態について説明する。

　図７５は、本実施形態にかかる電子装置の実装構造を示す要部断面図である。

　図７５に示す電子装置の実装構造Ｂ５は、電子装置Ａ３０と、実装基板８１と、放熱板８２とを備える。

　図７６は、本実施形態にかかる電子装置の正面図である。図７７は、本実施形態にかかる電子装置の平面図である。図７８は、本実施形態にかかる電子装置の底面図である。図７９は、本実施形態にかかる電子装置の断面図である。図８０は、本実施形態にかかる電子装置の平面図（一部透視化）である。図８１は、本実施形態にかかる電子装置の底面図（一部透視化）である。図８２は、図７９に示した電子装置の部分拡大断面図である。

　これらの図に示す電子装置Ａ３０は、電子素子１と、電極２～４と、接着層６１（図８２参照、その他の図では省略）と、メッキ層６２（図７５、図７９参照、その他の図では省略）と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、絶縁膜８と、を備える。図８０、図８１では、樹脂パッケージ７を２点鎖線で示している。電子装置Ａ３０は、実装基板８１に実装されている。図７５に示すように、電子装置Ａ３０は、電子素子１の種類により、電気回路におけるスイッチング機能、整流機能、増幅機能などを果たす電子部品として用いられる。

　図７５、図７９、図８０に示す電子素子１は、平面視矩形状である。電子素子１は、たとえば、ダイオードやトランジスタなどの半導体からなる素子である。本実施形態では、電子素子１はトランジスタである。

　図７９～図８１に示す電極２は、ダイボンディングパッド２１と、リード２２とを含む。ダイボンディングパッド２１およびリード２２は、たとえば、銅などの導電材料よりなる。

　ダイボンディングパッド２１は、電子素子１を搭載するためのものである。ダイボンディングパッド２１は、平板状である。ダイボンディングパッド２１は、配置面２１１と、裏面２１２とを有する。配置面２１１は方向ｚ１を向く。裏面２１２は、方向ｚ２を向く。配置面２１１には、電子素子１が配置されている。ダイボンディングパッド２１には電子素子１にて発生した熱が伝わる。ダイボンディングパッド２１には、配置面２１１から裏面２１２にわたって貫通する孔２１４が形成されている。図８０に示すように、孔２１４は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１の方向ｘ２側の端部からｘ１方向に凹む形状である。

　リード２２は、ダイボンディングパッド２１から線状に延びる形状である。リード２２は挿入実装用のものである。図７５に示すように、リード２２が孔８１１に挿入される。これにより、電子装置Ａ３０が実装基板８１に実装される。リード２２を実装基板８１に固定するために、孔８１１にはハンダ８４が充填されている。図７９～図８１に示すように、リード２２は、連結部２２１と、端子部２２２とを有する。本実施形態においては、連結部２２１と端子部２２２とは一体成型されている。連結部２２１は、ダイボンディングパッド２１につながる。連結部２２１は、ダイボンディングパッド２１から、配置面２１１と交差する方向に延びる形状である。端子部２２２は、連結部２２１につながる。端子部２２２は、連結部２２１から方向ｘ１に向かって延びる。端子部２２２は、後述の樹脂パッケージ７から突出する部位を有する。

　図８０、図８１に示す電極３は、ワイヤボンディングパッド３１と、リード３２とを含む。電極３は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１の方向ｘ１側、且つ、リード２２の方向ｙ１側、に位置する。ワイヤボンディングパッド３１およびリード３２は、一体成型されている。ワイヤボンディングパッド３１およびリード３２は、たとえば銅などの導電性材料よりなる。ワイヤボンディングパッド３１は、ダイボンディングパッド２１より小さい略矩形の平板状である。リード３２は、ワイヤボンディングパッド３１とつながる。リード３２は、ワイヤボンディングパッド３１から方向ｘ１に向かって線状に延びる形状である。リード３２は、リード２２に並列されている。リード３２は、後述の樹脂パッケージ７から突出する部位を有する。リード３２は挿入実装用のものである。図７５に示すように、リード３２は孔８１１に挿入される。これにより、電子装置Ａ３０が実装基板８１に実装される。リード３２を実装基板８１に固定するために、孔８１１にハンダ８４が充填されている。

　図８０、図８１に示す電極４は、ワイヤボンディングパッド４１と、リード４２とを含む。電極４は、ｘｙ平面視において、ダイボンディングパッド２１の方向ｘ１側、且つ、リード２２の方向ｙ２側、に位置する。ワイヤボンディングパッド４１およびリード４２は、一体成型されている。ワイヤボンディングパッド４１およびリード４２は、たとえば銅などの導電性材料よりなる。ワイヤボンディングパッド４１は、ダイボンディングパッド２１より小さい略矩形の平板状である。リード４２は、ワイヤボンディングパッド４１とつながる。リード４２は、ワイヤボンディングパッド４１から方向ｘ１に向かって線状に延びる形状である。リード４２を実装基板８１に固定するために、孔８１１にハンダ８４が充填されている。リード４２は、リード２２に並列されている。リード４２とリード３２との間に、リード２２が位置する。リード４２は、後述の樹脂パッケージ７から突出する部位を有する。リード４２は挿入実装用のものである。図７５に示すように、リード４２が孔８１１に挿入される。これにより、電子装置Ａ３０が実装基板８１に実装される。

　図８２に示す接着層６１は、電子素子１とダイボンディングパッド２１との間に介在する。接着層６１は、電子素子１をダイボンディングパッド２１に接着するためのものである。本実施形態においては、接着層６１を介して、電子素子１がダイボンディングパッド２１と導通している。接着層６１は、たとえば、銀ペーストもしくはハンダペーストである。

　図７９に示すように、樹脂パッケージ７は、電子素子１、および、電極２～４を覆っている。樹脂パッケージ７は、たとえば、黒色のエポキシ樹脂よりなる。図７６に示すように、樹脂パッケージ７は、第１面７１と、第２面７２とを有する。第１面７１は、平坦面７１５とテーパ面７１６とを有する。図７５に示すように、平坦面７１５は、電子装置Ａ３０を実装基板８１に実装するための実装面である。図８２に示すように、平坦面７１５からは、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２が露出している。本実施形態においては、平坦面７１５は、裏面２１２と面一となっている。なお、平坦面７１５は、裏面２１２と面一でなくてもよい。図７６に示すように、テーパ面７１６は、平坦面７１５につながる。テーパ面７１６は、方向ｚ１に向かうにつれ、ｘｙ平面における外側に向かう形状である。

　図７６に示すように、第２面７２は、複数の平坦面７２５と、複数のテーパ面７２６とを有する。各テーパ面７２６は、複数の平坦面７２５のいずれかにつながる。各テーパ面７２６は、方向ｚ２に向かうにつれ、ｘｙ平面における外側に向かう形状である。各テーパ面７２６は、境界７３において、テーパ面７１６とつながる。樹脂パッケージ７には、図７７に示すように、複数の平坦面７２５の一つから凹むピン跡７２１が形成されている。また、図７７、図７８に示すように、樹脂パッケージ７には、ネジ穴７８が形成されている。図７５に示すように、ネジ穴７８には、電子装置Ａ３０を放熱板８２に固定するためのネジ８３が挿通される。

　図７９、図８２によく表れているように、絶縁膜８は、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２と、樹脂パッケージ７における平坦面７１５とを覆っている。絶縁膜８は、裏面２１２と平坦面７１５とを直接覆っている。すなわち、絶縁膜８は、裏面２１２および平坦面７１５に接している。電子装置Ａ３０を使用する際にダイボンディングパッド２１に電流が流れるのであるならば、絶縁膜８は、厚さ方向に約６ｋＶの電圧が印加されても、絶縁破壊しないことが好ましい。絶縁膜８の厚さ（方向ｚにおける寸法）は、ダイボンディングパッド２１の厚さ（方向ｚにおける寸法）より小さい。ダイボンディングパッド２１の厚さは、たとえば、２００～８００μｍである。一方、絶縁膜８の厚さは、たとえば、１０～２００μｍである。絶縁膜８を構成する材料の絶縁耐圧は、たとえば、３～４．６ｋＶ／ｍｍである。絶縁膜８を構成する材料は、たとえば、ポリアミドイミドもしくはポリイミドが挙げられる。絶縁膜８は、面８ａを有する。面８ａは、方向ｚ２を向く。

　図７５に示すように、面８ａは、放熱板８２に正対している。面８ａと放熱板８２との間には、放熱用のグリース８９が介在していてもよい。もしくは、図示しないが、面８ａと放熱板８２とが接していてもよい。これらは、電子装置Ａ３０の放熱性向上の観点から好ましい。

　図８０に示す２本のワイヤ６９は、たとえば、アルミニウムなどの金属よりなる。２本のワイヤ６９のうちの一つは、電子素子１とワイヤボンディングパッド３１とに接合されている。これにより、電子素子１とワイヤボンディングパッド３１とが導通している。２本のワイヤ６９のうちの一つは、電子素子１とワイヤボンディングパッド４１とに接合されている。これにより、電子素子１とワイヤボンディングパッド４１とが導通している。電子素子１がトランジスタでなくダイオードである場合には、ワイヤボンディングパッド３１，４１のいずれにもワイヤ６９がボンディングされている必要はない。この場合、ワイヤボンディングパッド３１，４１のいずれか一方に、ワイヤ６９がボンディングされていればよい。

　図７５、図７９に示すメッキ層６２は、各リード２２，３２，４２の樹脂パッケージ７から突出している部位を覆っている。メッキ層６２は、たとえば、スズと銀と銅との合金よりなる。

　次に、図８３～図８６を用いて、電子装置Ａ３０の製造方法の一例について説明する。

　まず、図８３に示すように、電極２’，３’，４’を形成する。次に、図８４に示すように、ダイボンディングパッド２１の配置面２１１に、図８２に示した接着層６１を介して電子素子１を配置する。電子素子１の配置は、還元雰囲気中の、たとえば３００～３５０℃の環境にて行う。

　次に、電子素子１とワイヤボンディングパッド３１とに、ワイヤ６９を接合する。同様に、電子素子１とワイヤボンディングパッド４１とに、ワイヤ６９を接合する。ワイヤ６９の接合は、第１実施形態で示したように行う。

　次に、図８５に示すように、金型８５および金型８６によって、リード２２’，３２’，４２’を挟み込む（図８５では、リード４２’のみ示す）。金型８５，８６がリード２２’，３２’，４２’を挟み込んでいる状態で、金型８５，８６をリード２２’，３２’，４２’に固定する。ピン８８を用いて、金型８５，８６に対しダイボンディングパッド２１を固定する。金型８５は、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２に当接している。金型８５，８６によってリード２２’，３２’，４２’を挟み込んだ際、金型８５および金型８６に囲まれた空間８９１が形成される。空間８９１は、ダイボンディングパッド２１や、電子素子１などを収容している。

　次に、空間８９１に樹脂を注入する。次に、ダイボンディングパッド２１からピン８８をわずかに離間させる。すると、ダイボンディングパッド２１およびピン８８の間に樹脂が入り込む。その後、樹脂が完全に硬化したのち、樹脂パッケージ７から金型８５，８６を取り外す。このようにして、図８６に示す樹脂パッケージ７が形成される。樹脂パッケージ７のうち金型８５によって形成された面が、第１面７１となる。一方、樹脂パッケージ７のうち金型８６によって形成された面が、第２面７２となる。樹脂パッケージ７のうちピン８８が挿入されていた部位は、ピン跡７２１となる。

　次に、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２と、樹脂パッケージ７の平坦面７１５とに、絶縁膜８を形成する。絶縁膜８の形成は、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２などを表面処理することにより行う。このような表面処理としては、たとえば、スプレーコーティングが挙げられる。なお、この際、ネジ穴７８の一部に絶縁膜８が形成されることもある。その後、図８４に示した線８９９に沿ってリード２２’，３２’，４２’を切断するなどして、電子装置Ａ３０が製造される。

　次に、本実施形態の作用効果について説明する。

　電子装置Ａ３０においては、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２が樹脂パッケージ７から露出している。そのため、裏面２１２を覆う絶縁膜８も樹脂パッケージ７に覆われていない部分を有する。これにより、ダイボンディングパッド２１から絶縁膜８に伝わった熱は、樹脂パッケージ７を介さずに、放熱板８２へ伝導しうる。その結果、絶縁膜８から放熱板８２へ速やかに熱が伝わる。したがって、電子装置Ａ３０は、電子素子１が過度に高温となることを抑制するのに適する。すなわち、電子装置Ａ３０は、放熱性に特に優れている。

　上述のように、ダイボンディングパッド２１への電子素子１の配置は、約３００～３５０℃の環境においてなされる。また、本実施形態にかかる電子装置の製造方法においては、電子素子１をダイボンディングパッド２１に配置した後に、絶縁膜８を形成している。そのため、絶縁膜８を構成する材料として、ダイボンディングパッド２１が配置される際の温度（３００～３５０℃）よりも耐熱温度が低いものを、用いることができる。その結果、絶縁膜８を構成する材料の選択の幅が広がる。

＜第１変形例＞
　次に、図８７～図９１を用いて、本実施形態にかかる電子装置の第１変形例について説明する。

　図８７は、本実施形態の第１変形例にかかる電子装置の断面図である。図８８は、本実施形態の第１変形例にかかる電子装置の底面図である。図８９は、図８７に示した電子装置の部分拡大断面図である。

　これらの図に示す電子装置Ａ３１は、電子素子１と、電極２～４と、接着層６１（図８９参照、本変形例では図示略）と、メッキ層６２と、２本のワイヤ６９と、樹脂パッケージ７と、絶縁膜８と、を備える。電子素子１、電極２～４、接着層６１、メッキ層６２、およびワイヤ６９の各構成は、上述の電子装置Ａ３０と同様であるから、説明を省略する。

　図８７、図８９に示すように、絶縁膜８は、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２を覆っている。絶縁膜８は、裏面２１２を直接覆っている。すなわち、絶縁膜８は、裏面２１２に接している。電子装置Ａ３０を使用する際にダイボンディングパッド２１に電流が流れるのであるならば、絶縁膜８は、厚さ方向に約６ｋＶの電圧が印加されても、絶縁破壊しないことが好ましい。絶縁膜８の厚さ（方向ｚにおける寸法）は、ダイボンディングパッド２１の厚さ（方向ｚにおける寸法）より小さい。ダイボンディングパッド２１の厚さは、たとえば、２００～８００μｍである。一方、絶縁膜８の厚さは、たとえば、１０～２００μｍである。絶縁膜８を構成する材料の絶縁耐圧は、たとえば、３～４．６ｋＶ／ｍｍである。本変形例においては、絶縁膜８を構成する材料の耐熱温度は、たとえば、４００℃程度であることが好ましい。絶縁膜８を構成する材料は、たとえば、ポリアミドイミド系の材料が挙げられる。絶縁膜８は、面８ａを有する。面８ａは、方向ｚ２を向く。面８ａは、樹脂パッケージ７から露出する露出面となっている。

　面８ａと放熱板８２とは接しているか、もしくは、面８ａと放熱板８２との間に放熱用のグリース（図示略）が介在しているとよい。これは、電子装置Ａ３１の放熱性向上の観点から好ましい。

　図８７、図８９に示すように、本変形例においては、平坦面７１５は、絶縁膜８の面８ａと面一となっている。なお、平坦面７１５と面８ａとが面一であることは必ずしも必要ではない。図示しないが、たとえば、樹脂パッケージ７が面８ａの一部を覆っていてもよい。

　次に、図９０、図９１を用いて、電子装置Ａ３１の製造方法の一例について説明する。

　まず、図９０に示すように、電極２’，３’，４’を形成する。次に、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２に、絶縁膜８を形成する。絶縁膜８の形成は、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２を表面処理することにより行う。このような表面処理としては、たとえば、スプレーコーティングが挙げられる。次に、図９１に示すように、ダイボンディングパッド２１の配置面２１１に、接着層６１を介して電子素子１を配置する。電子素子１の配置は、還元雰囲気中の、たとえば３００～３５０℃の環境にて行う。

　その後、電子装置Ａ３０を製造するのと同様に、ワイヤ６９をボンディングし、樹脂パッケージ７を形成するなどして、電子装置Ａ３１を製造する。

　電子装置Ａ３１においては、ダイボンディングパッド２１の裏面２１２が樹脂パッケージ７から露出している。そのため、裏面２１２を覆う絶縁膜８も樹脂パッケージ７に覆われていない部分を有する。これにより、ダイボンディングパッド２１から絶縁膜８に伝わった熱は、樹脂パッケージ７を介さずに、放熱板８２へ伝導しうる。その結果、絶縁膜８から放熱板８２へ速やかに熱が伝わる。したがって、電子装置Ａ３１は、電子素子１が過度に高温となることを抑制するのに適する。すなわち、電子装置Ａ３１は、放熱性に特に優れている。

　次に、図９２を用いて、本実施形態の電子装置の実装構造の変形例について示す。

　図９２は、本変形例にかかる電子装置の実装構造の要部断面図である。同図に示す電子装置の実装構造Ｂ６は、電子装置Ａ３０と、実装基板８１と、放熱板８２とを備える。電子装置の実装構造Ｂ６は、電子装置の実装構造Ｂ５と異なり、実装基板８１と平行に放熱板８２が形成されている。そして、リード２２，３２，４２のいずれもが屈曲した状態で、電子装置Ａ３０が実装基板８１に実装されている。なお、電子装置Ａ３０に代えて、電子装置Ａ３１が実装基板８１に実装されていてもよい。

　本発明の範囲は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

　以上のまとめとして、これらの実施形態にかかる構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
〔付記１〕
　電子素子と、
　放熱部材と、
　上記電子素子が配置された配置面を有し、且つ、上記電子素子および上記放熱部材の間に位置するダイボンディングパッドと、
　上記電子素子、上記放熱部材、および、上記ダイボンディングパッドを覆う樹脂パッケージと、
　上記ダイボンディングパッドとつながり、且つ、上記樹脂パッケージから突出する挿入実装用の第１リードと、を備える、挿入実装型の電子装置。
〔付記２〕
　上記ダイボンディングパッドおよび上記第１リードは、一体成型されたものであり、
　上記ダイボンディングパッドの厚さは、上記第１リードの厚さと同一である、付記１に記載の電子装置。
〔付記３〕
　上記第１リードは、上記配置面と交差する方向に延び且つ上記ダイボンディングパッドにつながる連結部と、上記連結部につながり且つ上記樹脂パッケージから突出する部位を有する端子部と、を含む、付記２に記載の電子装置。
〔付記４〕
　上記放熱部材は、超音波接合によって上記ダイボンディングパッドに接合されている、付記２または３に記載の電子装置。
〔付記５〕
　上記放熱部材は、上記樹脂パッケージを構成する材料よりも熱伝導率の大きい材料よりなる、付記２ないし４のいずれかに記載の電子装置。
〔付記６〕
　上記放熱部材は、上記ダイボンディングパッドを構成する材料よりも熱伝導率の大きい材料よりなる、付記２ないし４のいずれかに記載の電子装置。
〔付記７〕
　上記放熱部材は、アルミニウム、銅、もしくは、鉄よりなる、付記２ないし４のいずれかに記載の電子装置。
〔付記８〕
　上記放熱部材は、上記ダイボンディングパッドに接合された第１面と、上記第１面と反対側を向く第２面とを有し、
　上記第２面は、上記樹脂パッケージから露出している、付記１に記載の電子装置。
〔付記９〕
　上記第１リードは、上記ダイボンディングパッドに接合されている、付記８に記載の電子装置。
〔付記１０〕
　上記第１リードは、上記配置面と交差する方向に延び且つ上記ダイボンディングパッドに接合された接合部と、上記接合部につながり且つ上記樹脂パッケージから突出する部位を有する端子部と、を含み、
　上記接合部および上記端子部は、一体成型されている、付記９に記載の電子装置。
〔付記１１〕
　上記ダイボンディングパッドは、上記電子素子が配置された板状部と、上記板状部から上記配置面と交差する方向に延び且つ上記第１リードに接合された延出部と、を含み、
　上記板状部および上記延出部は、一体成型されている、付記９に記載の電子装置。
〔付記１２〕
　上記延出部は、上記板状部から、上記第２面側から上記第１面側に向かう方向に延びる、付記１１に記載の電子装置。
〔付記１３〕
　上記放熱部材は、絶縁材料よりなる、付記８ないし１２のいずれかに記載の電子装置。
〔付記１４〕
　上記絶縁材料は、セラミックである、付記１３に記載の電子装置。
〔付記１５〕
　上記セラミックは、アルミナ、ジルコニア、または、チッ化アルミニウムである、付記１４に記載の電子装置。
〔付記１６〕
　上記放熱部材は、金属よりなる基材と、上記基材を包む絶縁膜とを含む、付記８ないし１２のいずれかに記載の電子装置。
〔付記１７〕
　上記絶縁膜は、上記金属の酸化物よりなる、付記１６に記載の電子装置。
〔付記１８〕
　上記放熱部材は、上記配置面と垂直である方向視において、上記第２面からはみ出る脱落防止部を含み、
　上記脱落防止部は、上記樹脂パッケージよりも、上記第２面から上記第１面に向かう側に位置する、付記８ないし１７のいずれかに記載の電子装置。
〔付記１９〕
　上記放熱部材は、上記配置面と垂直である方向視において、上記樹脂パッケージからはみ出る部位を有する、付記８ないし１８のいずれかに記載の電子装置。
〔付記２０〕
　上記放熱部材は、上記第１面を構成する第１基板と、上記第１基板に積層され且つ上記第２面を構成する第２基板と、を含み、
　上記第１基板は、上記配置面と垂直である方向視において上記第２基板からはみ出ており、且つ、上記樹脂パッケージよりも、上記第２面から上記第１面に向かう側に位置する脱落防止部を有する、付記１３ないし１５のいずれかに記載の電子装置。
〔付記２１〕
　上記第２基板は、上記配置面と垂直である方向視において、全体にわたって上記第１基板と重なる、付記２０に記載の電子装置。
〔付記２２〕
　上記第１面および上記ダイボンディングパッドの間に介在し且つ上記第１面および上記ダイボンディングパッドを接合する接合層を更に備える、付記８ないし２１のいずれかに記載の電子装置。
〔付記２３〕
　上記接合層は、銀ペーストである、付記２２に記載の電子装置。
〔付記２４〕
　上記接合層は、上記第１面および上記ダイボンディングパッドの間に介在し且つ樹脂よりなる樹脂層と、上記樹脂層に混入されたフィラーと、を含む、付記２２に記載の電子装置。
〔付記２５〕
　上記放熱部材は、上記配置面と垂直である方向視において上記ダイボンディングパッドと重なる平板部と、上記第１リードと重なり且つ上記第１リードが突出する方向に向かって上記平板部から突出する突出部と、を更に含む、付記１ないし２４のいずれかに記載の電子装置。
〔付記２６〕
　第１ワイヤボンディングパッドと、
　上記第１リードに並列され、且つ、上記第１ワイヤボンディングパッドにつながる挿入実装用の第２リードと、を更に備え、
　上記配置面と垂直である方向視において、上記第１ワイヤボンディングパッドと上記突出部との間には隙間が形成されている、付記２５に記載の電子装置。
〔付記２７〕
　第２ワイヤボンディングパッドと、
　上記第１リードに並列され、且つ、上記第２ワイヤボンディングパッドにつながる挿入実装用の第３リードと、を更に備え、
　上記第１リードは、上記第２リードおよび上記第３リードの間に位置し、
　上記配置面と垂直である方向視において、上記第２ワイヤボンディングパッドと上記突出部との間には隙間が形成されている、付記２６に記載の電子装置。
〔付記２８〕
　上記ダイボンディングパッドには、孔が形成されており、
　上記放熱部材は、矩形状であり、且つ、上記孔より上記第１リードが突出する方向の側に位置する、付記１ないし２４のいずれかに記載の電子装置。
〔付記２９〕
　上記ダイボンディングパッドには、孔が形成されており、
　上記放熱部材には、上記孔と重なるネジ穴が形成されている、付記１ないし２４のいずれかに記載の電子装置。
〔付記３０〕
　上記ダイボンディングパッドには、孔が形成されており、
　上記放熱部材は、上記第１リードが突出する方向と反対側に開口し且つ上記孔と重なる凹部を有する、付記１ないし２４のいずれかに記載の電子装置。
〔付記３１〕
　上記電子素子および上記ダイボンディングパッドの間に介在する接着層を更に備える、付記１ないし３０のいずれかに記載の電子装置。
〔付記３２〕
　第１面と上記第１面とは反対側の第２面とを有する放熱部材を準備し、
　上記第１面にダイボンディングパッドを接合し、
　上記ダイボンディングパッドを接合する工程の後に、上記ダイボンディングパッドにリードを接合し、
　上記ダイボンディングパッドを挟んで上記放熱部材とは反対側に、電子素子を配置し、
　上記第２面を露出させ且つ上記リードの一部と上記ダイボンディングパッドと上記電子素子とを覆う樹脂パッケージを形成する、各工程を備える、挿入実装型の電子装置の製造方法。
〔付記３３〕
　上記放熱部材を準備する工程は、
　　セラミックよりなるシートに、セラミックよりなる複数の基板を配置し、
　　上記シートと上記複数の基板とを一括して焼成し、
　　上記シートを、各々が上記複数の基板のいずれかが接合された複数の個片に切断する、各工程を含む、付記３２に記載の挿入実装型の電子装置の製造方法。
〔付記３４〕
　電子素子と、
　上記電子素子を覆う樹脂パッケージと、
　上記電子素子が配置され且つ上記樹脂パッケージに覆われた配置面、および、上記配置面と反対側を向き且つ上記樹脂パッケージから露出する裏面を有するダイボンディングパッドと、
　上記裏面を覆う絶縁膜と、
　上記ダイボンディングパッドとつながり、且つ、上記樹脂パッケージから突出する挿入実装用の第１リードと、を備える、挿入実装型の電子装置。
〔付記３５〕
　上記絶縁膜は、上記樹脂パッケージを覆う、付記３４に記載の電子装置。
〔付記３６〕
　上記樹脂パッケージは、上記裏面と面一であり且つ上記絶縁膜に覆われた実装面を有する、付記３５に記載の電子装置。
〔付記３７〕
　上記絶縁膜は、上記樹脂パッケージから露出する露出面を有し、
　上記樹脂パッケージは、上記露出面と面一である実装面を有する、付記３４に記載の電子装置。
〔付記３８〕
　上記第１リードは、上記配置面と交差する方向に延び且つ上記ダイボンディングパッドにつながる連結部と、上記連結部につながり且つ上記樹脂パッケージから突出する部位を有する端子部と、を含む、付記３４ないし３７のいずれかに記載の電子装置。
〔付記３９〕
　第１ワイヤボンディングパッドと、
　第２ワイヤボンディングパッドと、
　上記第１リードに並列され、且つ、上記第１ワイヤボンディングパッドにつながる挿入実装用の第２リードと、
　上記第１リードに並列され、且つ、上記第２ワイヤボンディングパッドにつながる挿入実装用の第３リードと、を更に備え、
　上記第１リードは、上記第２リードおよび上記第３リードの間に位置する、付記３４ないし３８のいずれかに記載の電子装置。
〔付記４０〕
　上記絶縁膜は、ポリアミドイミドもしくはポリイミドよりなる、付記３４ないし３９のいずれかに記載の電子装置。
〔付記４１〕
　上記電子素子と上記ダイボンディングパッドとの間に介在する接着層を更に備える、付記３４ないし４０のいずれかに記載の電子装置。
〔付記４２〕
　配置面と上記配置面の反対側を向く裏面とを有するダイボンディングパッドを用い、
　上記配置面に電子素子を配置する工程と、
　上記電子素子を配置する工程の後に、上記裏面が臨む開口を有し、且つ、上記配置面および上記電子素子を覆う樹脂パッケージを形成する工程と、
　上記裏面に絶縁膜を形成する工程と、を備える、挿入実装型の電子装置の製造方法。
〔付記４３〕
　上記絶縁膜を形成する工程は、上記樹脂パッケージを形成する工程の後に行う、付記４２に記載の電子装置の製造方法。
〔付記４４〕
　上記絶縁膜を形成する工程においては、上記絶縁膜により上記樹脂パッケージの一部を覆う、付記４３に記載の電子装置の製造方法。
〔付記４５〕
　上記絶縁膜を形成する工程は、上記電子素子を配置する工程の前に行う、付記４２に記載の電子装置の製造方法。
〔付記４６〕
　上記絶縁膜を形成する工程は、スプレーコーティングにより行う、付記４２ないし４５のいずれかに記載の電子装置の製造方法。

Claims

　Ｃｕよりなるワイヤを用意する工程と、
　前記ワイヤを、電子素子に形成された第１接合対象に接合する工程と、を備え、
　前記接合する工程の前には、前記ワイヤは、外周面および退避面を有しており、
　前記退避面は、前記外周面から前記ワイヤの中心軸側に退避した面であり、
　前記接合する工程においては、前記退避面を前記第１接合対象に対して押し付けた状態で、前記ワイヤに超音波振動を付加する、ワイヤボンディング構造の製造方法。
　前記接合する工程を開始する時点において、前記退避面は平坦である、請求項１に記載のワイヤボンディング構造の製造方法。
　前記接合する工程の前に、前記ワイヤを押付対象に対して押し付けることにより、前記退避面を形成する工程を更に備える、請求項１または請求項２に記載のワイヤボンディング構造の製造方法。
　前記押付対象は、セラミックあるいは金属よりなる、請求項３に記載のワイヤボンディング構造の製造方法。
　前記ワイヤを押し付けるためのウエッジを用意する工程を更に備え、
　前記退避面を形成する工程においては、前記ウエッジによって前記ワイヤを前記押付対象に対して押し付け、
　前記第１接合対象に接合する工程においては、前記ウエッジによって前記ワイヤを前記第１接合対象に対して押し付ける、請求項３または請求項４に記載のワイヤボンディング構造の製造方法。
　前記ウエッジには、前記ワイヤをガイドするガイド溝が形成されており、
　前記退避面を形成する工程と前記第１接合対象に接合する工程との間に、前記ガイド溝に前記ワイヤがはまった状態を維持しつつ、前記ガイド溝が前記押付対象に正対する位置から、前記ガイド溝が前記第１接合対象に正対する位置まで、前記ウエッジを移動する工程を更に備え、
　前記退避面を形成する工程においては、前記ガイド溝の内面によって前記ワイヤを前記押付対象に対して押し付け、
　前記第１接合対象に接合する工程においては、前記ガイド溝の前記内面によって前記ワイヤを前記第１接合対象に対して押し付ける、請求項５に記載のワイヤボンディング構造の製造方法。
　前記ワイヤは、直径が１５０～１０００μｍの円形状である、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のワイヤボンディング構造の製造方法。
　前記ワイヤは、直径が３００～１０００μｍの円形状である、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のワイヤボンディング構造の製造方法。
　前記ワイヤは、全体がＣｕよりなる、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のワイヤボンディング構造の製造方法。
　前記ワイヤを第２接合対象に押し付けた状態で超音波振動を付加することにより、前記ワイヤを前記第２接合対象に接合する工程を更に備える、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のワイヤボンディング構造の製造方法。
　前記電子素子は、半導体素子である、請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載のワイヤボンディング構造の製造方法。
　前記半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴ、あるいは、ＩＧＢＴである、請求項１１に記載のワイヤボンディング構造の製造方法。
　第１面を有する第１接合対象と、
　第２接合対象と、
　前記第１接合対象および前記第２接合対象のいずれにも接合されたワイヤと、を備え、
　前記ワイヤは、Ｃｕよりなり、且つ、直径が１５０～１０００μｍの円形状である、ワイヤボンディング構造。
　前記ワイヤは、直径が３００～１０００μｍの円形状である、請求項１３に記載のワイヤボンディング構造。
　前記ワイヤは、全体がＣｕよりなる、請求項１３または請求項１４に記載のワイヤボンディング構造。
　前記ワイヤは、前記第１接合対象に接合されたボンディング部を含み、
　前記ボンディング部は、外周面と、前記第１接合対象に接合された接合面と、を有し、
　前記接合面は、前記外周面から前記ワイヤの中心軸側に退避した面である、請求項１３ないし請求項１５のいずれかに記載のワイヤボンディング構造。
　第１方向に直交する断面による断面形状における、前記接合面の寸法は、前記ワイヤの直径の６０～８０％であり、
　前記第１方向は、前記ワイヤの中心軸の延びる方向であって、前記第１面の向く方向に直交する方向である、請求項１６に記載のワイヤボンディング構造。
　前記第１方向に直交する断面形状における、前記接合面の寸法は、９０～８００μｍである、請求項１７に記載のワイヤボンディング構造。
　前記第１方向における前記接合面の寸法は、前記ワイヤの直径の３～１０倍である、請求項１７に記載のワイヤボンディング構造。
　前記第１方向における前記接合面の寸法は、１２００～４０００μｍである、請求項１７に記載のワイヤボンディング構造。
　前記接合面は、長径が前記ワイヤの中心軸の延びる方向に一致する楕円形状である、請求項１６に記載のワイヤボンディング構造。
　前記接合面には、楕円形状の楕円痕が形成されており、前記楕円痕は、前記接合面の縁の内側に位置する、請求項２１に記載のワイヤボンディング構造。
　前記ボンディング部は、第１被押圧面および第２被押圧面を有し、
　前記第１被押圧面および前記第２被押圧面は、前記外周面から前記ワイヤの前記中心軸側に退避した面であり、
　前記第１被押圧面および前記第２被押圧面は、前記第１面に直交する方向に見た場合、前記中心軸を通り且つ前記第１面に直交する仮想平面を挟んで互いに反対側に位置している、請求項２２に記載のワイヤボンディング構造。
　前記第１被押圧面および前記第２被押圧面は、前記仮想平面に対して、傾斜している、請求項２３に記載のワイヤボンディング構造。
　前記ボンディング部には、前記第１被押圧面の縁からずれた位置に形成された第１曲線痕、および、前記第２被押圧面の縁からずれた位置に形成された第２曲線痕が形成されている、請求項２３または請求項２４に記載のワイヤボンディング構造。
　前記ボンディング部を第１ボンディング部とし、
　前記ワイヤは、第２ボンディング部と、橋絡部と、を含み、
　前記橋絡部は、前記第１ボンディング部および前記第２ボンディング部をつないでおり、
　前記第２ボンディング部は、前記第２接合対象に接合されている、請求項１６に記載のワイヤボンディング構造。
　請求項１３ないし請求項２６のいずれかに記載のワイヤボンディング構造と、
　前記第１接合対象が形成された電子素子と、を備え、
　前記第１接合対象は、電極パッドである、電子装置。
　前記電子素子は、半導体素子である、請求項２７に記載の電子装置。
　前記半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴ、あるいは、ＩＧＢＴである、請求項２８に記載の電子装置。
　前記第１接合対象は、Ａｌよりなる、請求項２７ないし請求項２９のいずれかに記載の電子装置。
　前記第１接合対象の厚さは、１～１０μｍである、請求項２７ないし請求項３０のいずれかに記載の電子装置。
　前記ワイヤに流れる最大電流値は、１５０～２００Ａである、請求項２７ないし請求項３１のいずれかに記載の電子装置。
　前記第１接合対象は、金属層および電極パッドを含み、
　前記金属層には、前記ワイヤが接合され、前記金属層は、前記ワイヤと前記電極パッドの間に介在しており、
　前記金属層の厚さは、前記電極パッドの厚さよりも、厚い、請求項２７に記載の電子装置。