WO2015165892A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

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WO2015165892A1
WO2015165892A1 PCT/EP2015/059181 EP2015059181W WO2015165892A1 WO 2015165892 A1 WO2015165892 A1 WO 2015165892A1 EP 2015059181 W EP2015059181 W EP 2015059181W WO 2015165892 A1 WO2015165892 A1 WO 2015165892A1
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cavity
optoelectronic component
housing
potting material
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Chun Yong Oh
Sin Tze CHU
Sok Gek Beh
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 13.
  • An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component with the Merkma ⁇ len of claim 1. Another object of the vorlie ⁇ constricting invention is to provide a method for producing an optoelectronic component. This object is achieved by a method having the features of claim 13. In the dependent claims various developments of Wei ⁇ are indicated.
  • An optoelectronic component comprises a housing with egg ⁇ ner formed on an upper side of the housing cavity.
  • the cavity has a circumferential wall.
  • the wall has a ramp section.
  • the ramp section has a lower inclination than the remaining sections of the
  • the ramp portion of the dung Wan ⁇ can facilitate the cavity of the housing of this construction ⁇ optoelectronic elements, filling the cavity with a potting material.
  • the ramp section of the wall of the cavity can serve as an inflow ramp for the potting material.
  • Ver ⁇ cast material can be filled into the cavity of the housing of the opto-electronic component ⁇ that Ver ⁇ casting material passes over the ramp portion of the wall of the cavity in the cavity.
  • the ramp section of the wall of the cavity allows control of the flow direction of the potting material.
  • a dispensing needle can be placed over the ramp section of the wall.
  • the dosing needle has to be placed in close proximity to an object placed in the Kavi ⁇ ty optoelectronic semiconductor chip or a extending in the cavity bonding wire, whereby the risk of damaging the optoelectronic semiconductor chip or of the bonding wire advantageously ⁇ example is reduced.
  • the cavity is subdivided into a first chamber and a second chamber.
  • the first chamber and the second chamber of the cavity can thereby be used for producing a die bond and for producing a Drahtbondverbin extension.
  • a dam formed by the housing extends between the first chamber and the second chamber.
  • the dam can prevent solder from inadvertently flowing from one of the cavities of the cavity to the other cavity cavity, which could cause a short circuit.
  • a side of the dam facing the first chamber has a smaller inclination than a side of the dam facing the second chamber.
  • the dam for filling the cavity of the housing of the opto-electro ⁇ African device can be used with potting material.
  • the side facing the first chamber of the dam can serve to direct potting material in the first chamber of the cavity.
  • the ramp section adjoins a longitudinal end of the dam. This advantageously makes it possible to flow for filling the Ka ⁇ tivity of the housing of the optoelectronic component Ver ⁇ cast material over the ramp portion and one or more side walls of the dam in one or more chambers of the Kavi ⁇ ty.
  • the potting material flows from the ramp section via the dam into the cavity.
  • the wall in the ramp section is oriented in the direction of the first chamber.
  • the ramps ⁇ portion of the wall of the cavity of the housing of optoelekt ⁇ tronic device characterized a filling of the first chamber of the cavity of the housing of the optoelectronic Bauele ⁇ management.
  • the optoelectronic component on the base of the first chamber is a bed ⁇ ter into the housing first lead frame portion is accessible.
  • the first leadframe section accessible at the bottom of the first chamber of the cavity can provide an electrically conductive connection to an external contact surface of the optoelectronic device.
  • atientbet ⁇ Teter in the housing second lead frame portion is accessible.
  • the accessible at the bottom of the second chamber of the cavity of the optoelectronic component secondêtrah ⁇ menabites can provide an electrically conductive connection to an externally accessible external contact surface of the optoelectronic component.
  • an optoelectronic semiconductor chip is arranged in the first chamber of the cavity.
  • the optoelectronic semiconductor ⁇ chip may for example be a light-emitting diode chip (LED chip).
  • a bonding wire extends between the first chamber and the second chamber.
  • the bonding wire can be completely domestic nerrenz the cavity of the housing of the optoelectronic ⁇ construction elements run, so that the bonding wire is protected from damage by external influences.
  • a potting material is arranged in the cavity.
  • Kgs ⁇ NEN a cavity arranged in the optoelectronic semiconductor chip and extending in the cavity bonding wire can be embedded in the molding material.
  • the optoelectronic semiconductor chip and the bonding wire are advantageously protected against damage by external influences.
  • the potting material can be reliably introduced into the cavity using the ramp section of the wall of the cavity even if the cavity has a small size.
  • the potting material comprises silicone. 2 also in this case has the Ver ⁇ cast material embedded particles which T1O exhibit.
  • the potting material thereby causes protection of an optoelectronic semiconductor chip arranged in the cavity from damage due to external influences.
  • the rial embedded in the Vergussmate- particles can scatter a light emitted by the optoelectronic semiconductor chip electromagnetic radiation dif ⁇ fus to effect a uniform emission of light.
  • a method for producing an optoelectronic component comprises steps for providing a housing having a cavity formed on an upper side of the housing, wherein the cavity is subdivided into a first chamber and a second chamber, wherein the cavity has a circumferential wall, the wall forming a ramp section wherein the ramp portion has a lower inclination than the remaining portions of the wall, for filling the second chamber with potting material and for filling the first chamber with potting material.
  • this method enables a simple, fast and reliable filling of the chambers of the cavity of the housing of the optoelectronic component obtainable by the method.
  • the filling of the second chamber and the first chamber with potting material takes place by needle dosing.
  • the filling of the chambers of the cavity with potting material can take place here with a small number of individual dosing steps.
  • a dispensing needle is arranged above the ramp section of the wall for filling the first chamber.
  • the potting material can then flow via the ramp section of the wall of the cavity of the housing into the first chamber of the cavity of the housing of the device which is optoelectronic by the method.
  • FIG. 1 shows a plan view of an upper side of a housing of an optoelectronic component
  • Figure 2 is a perspective view of a portion of the Ge ⁇ housing of the optoelectronic device
  • Figure 3 is a sectional side view of a portion of the Ge ⁇ housing
  • Figure 4 is a plan view of the top of the housing after ei ⁇ nem filling a first chamber of a cavity with potting material; and FIG. 5 shows a plan view of the upper side of the housing after ei ⁇ nem filling a second chamber of the cavity with potting material.
  • Figure 1 shows a simple schematic plan view of a Ge ⁇ housing 100 of an optoelectronic component 10.
  • Figure 2 shows a perspective view of part of the Geotrou ⁇ ses 100 of the optoelectronic component 10.
  • the optical elec- tronic device 10 is adapted to electromagnetic radiation ⁇ cal , For example, visible lightrulstrah ⁇ len.
  • the optoelectronic component 10 may be, for example, a light-emitting diode component (LED component).
  • the housing 100 of the optoelectronic component 10 may, for example, comprise a plastic material, such as an epoxy resin.
  • the housing 100 of the optoelectronic component 10 can be produced, for example, by a molding process (molding process). In particular, the housing 100 of the optoelectronic component 10, for example, by
  • the housing 100 may be manufactured as part of a contiguous housing package comprising a plurality of housings 100. In this case, the housing 100 is only separated after completion of further ge ⁇ common processing steps by dividing the housing ⁇ composite.
  • a first lead frame portion 110 and a second conductor ⁇ frame portion 120 are embedded.
  • the first Porterrahmenab ⁇ section 110 and the second lead frame portion 120 are formed as sections of a substantially flat sheet and laterally arranged side by side in a common plane net.
  • the first conductor frame portion 110 and the second Lei ⁇ terrahmenabites 120 each have an electrically conduct ⁇ on the material, for example a metal.
  • the first Lei ⁇ terrahmenab mustard 110 and the second lead frame portion 120 are spaced apart from each other in the housing 100 and through portions of the housing 100 electrically mutually iso ⁇ lines.
  • the first lead frame portion 110 and the second lead frame portion 120 in the manufacture of the optoelectronic component 10 are preferably already embedded in the housing 100 during Her ⁇ position of the housing 100th DA in the first leadframe portion 110 and the second lead frame portion 120 can be reshaped for example in a Formverfah ⁇ ren through the material of the housing 100th
  • the first conductor frame portion 110 and the second lead frame portion 120 may be provided as portions of a related ⁇ , larger lead frame having a plurality of first lead frame portions 110 and second lead frame portions 120th In this case, the leadframe is embedded in a coherent package of packages. Only during the unification of the housing 100 by dividing the housing assembly, the first lead frame portion 110 and the second lead frame portion 120 are separated from the remaining Tei ⁇ len of the lead frame.
  • the housing 100 has a top surface 101 and one of the upper ⁇ side 101 opposite bottom 102.
  • Figure 1 shows a plan view of the top 101 of the housing 100. Also in Figure 2, the top 101 of the housing 100 is visible. At the top 101 of the housing 100, a cavity 200 is formed.
  • the cavity 200 extends as a recess from the upper side 101 of the housing 100 into the housing 100. At a bottom 201 of the cavity 200 are not covered by the material of the housing 100 covered sections of the first lead frame portion 110 and the secondêtrahmenab ⁇ section 120 free.
  • the cavity 200 is divided into a first chamber 210 and a second chamber 220.
  • the first chamber 210 and the second chamber 220 are adjacent to each other.
  • a part of the first lead frame portion 110 is accessible.
  • a bottom 221 of the second chamber 220 of the cavity 200 a part of the second lead frame portion 120 is exposed.
  • the first chamber 210 of the cavity 200 is formed larger in the example shown in Figures 1 and 2 than the second chamber 220 of the cavity 200. This means that the first chamber 210 has a larger volume than the second Kam ⁇ mer 220.
  • the At the base 211 of the first chamber 210 exposed part of the first leadframe portion 110 has a larger area than that at the bottom 221 of the second Kam ⁇ mer 220 exposed portion of the second leadframe portion 120th
  • a dam 250 formed by the material of the housing 100 extends.
  • the dam 250 is above the base 201, 211, 221 of the chambers 210, 220 of the cavity 200 exposed parts of the lead frame sections 110, 120 sublime.
  • the dam 250 is formed lower than the depth of the cavity 200 such that a top of the dam 250 is recessed from the top 101 of the housing 100.
  • the first chamber 210 and second chamber 220 of the cavity 200 are thus connected to ⁇ over the dam 250 away coherently with each other.
  • the dam 250 is formed as a substantially rectilinear beam portion of the housing 100.
  • the cavity 200 of the housing 100 is bounded laterally by a formed by the material of the housing 100 surrounding Wan ⁇ dung 230th
  • a part of the peripheral wall 230 delimited in the circumferential direction of the cavity 200 is formed by a ramp section 240.
  • the ramp portion 240 is disposed in a portion of the circumferential wall 230 adjacent to a longitudinal end 280 of the dam 250 between the first chamber 210 and the second chamber 220 of the cavity 200.
  • the ramp section 240 is inclined relative to a longitudinal extension direction of the dam 250 and faces the first chamber 210 of the cavity 200.
  • the Ram ⁇ penabites 240 opposite the longitudinal direction of the dam 250 have an angle of about 45 ° and thus also at an angle of about 45 ° to the first chamber 210 of the cavity 200.
  • the circumferential wall 230 along the circumferential direction of the cavity 200 has a slope 231 almost everywhere.
  • the inclination of 231 indicates the angle at which the umlau ⁇ Fende wall 230 extends from the top 101 of the housing 100 to the base 201 of the cavity 200th
  • the inclination 231 may, for example, have a right angle.
  • the slope 231 may also have a smaller than a right angle.
  • the cavity 200,101 of Gezza ⁇ ses 100 expands conically from its base 201 toward the top.
  • the ramp portion 240 of the circumferential wall 230 has egg ⁇ ne inclination 241.
  • the inclination 241 is less or shallower than the inclination 231 of most of the remaining portions of the peripheral wall 230.
  • the inclination 241 of the ramp portion 240 of the peripheral wall 230 may be about 45 ° be ⁇ wear.
  • FIG. 3 shows a schematic sectional side view of part of the housing 100 of the optoelectronic component 10.
  • the sectional plane runs perpendicular to the plane
  • FIGS. 1 and 2 show an optoelectronic semiconductor chip 300 of the optoelectronic component 10.
  • the opto ⁇ electronic semiconductor chip 300 is designed to emit electromagnetic radiation, for example visible light.
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 may be formed, for example, as a light-emitting diode chip (LED chip).
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 has an upper side 301 and an underside opposite the upper side 301.
  • the top surface 301 forms a radiation emission area of the optoelectronic semiconductor chip 300.
  • a converter element may be arranged ⁇ , which is intended to convert a wavelength of the generated by the optoelectronic semiconductor chip 300 electromagnetic radiation.
  • the converter element can be designed, for example, to convert electromagnetic radiation generated by the optoelectronic semiconductor chip 300 into blue light having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral range.
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 is arranged on the base 211 of the first chamber 210 in the cavity 200 of the housing 100 of the optoelectronic component 10.
  • the lower side of the optoelectronic semiconductor chip 300 faces the part of the first leadframe section 110 which is exposed at the base 211 of the first chamber 210 of the cavity 200 and is connected to the first leadframe section 110.
  • the connection between the optoelectronic semiconductor chip 300 and the first conductor frame section 110 may be formed, for example, as a solder connection, as an adhesive connection or as another chip bond connection.
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 has a lower electrical contact area on its underside.
  • the lower electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip 300 is electrically connected via the chip bonding connection between the optoelectronic semiconductor chip 300 and the first lead frame portion 110 with the first Lei ⁇ terrahmenabêt 110th
  • the upper electrical contact surface 310 arranged on the upper side 301 of the optoelectronic semiconductor chip 300 is connected in an electrically conductive manner via a bonding wire 330 to the part of the second conductor frame section 120 which is exposed at the base 221 of the second chamber 220 of the cavity 200.
  • the bonding wire 330 extends over the dam 250 extending between the first chamber 210 and the second chamber 220 of the cavity 200.
  • the bonding wire 330 extends completely within the Ka ⁇ tivity 200th
  • the first conductor frame portion 110 and the second lead frame portion 120 have at an outer side of the housing 100 of the optoelectronic component 10 accessible Kunststoffbe ⁇ rich, which are provided for electrical contacting of the optoelectronic component 10th
  • This contact surface ⁇ preparation can for example be arranged at the bottom 102 of the housing 100th
  • the optoelectronic component 10 may be provided, for example, as an SMT component for surface mounting.
  • An electrical connection of the optoelectronic component 10 can be found in this Case, for example, by reflow soldering (reflow soldering) done.
  • FIG. 10 shows a schematic plan view of the upper side 101 of the housing 100 of the optoelectronic component 10 in a processing state which chronologically follows that of FIGS. 1 and 2.
  • a potting material 290 has been angeord ⁇ net.
  • the potting material 290 preferably has an optically substantially transparent material, ⁇ example, a silicone. Additionally, the potting material 290 can include embedded scattering particles, for example, scattering ⁇ particles having T1O. 2
  • the molding material 290 may be introduced into the second chamber 220 of the cavity 200, for example by Nadeldosie ⁇ ren (Dispensing). For this purpose, a dispensing needle is placed over the second chamber 220 of the cavity 200.
  • the Vergussma ⁇ material 290 is introduced in a flowable form in the second chamber 220 of the cavity 200 and then cured.
  • the potting material 290 extending from the base 221 of the second chamber 220 to a level that is preferably below ⁇ half of the top of the dam 250th Which differs from the upper electrical contact surface 310 of the optoelectronic
  • Semiconductor chips 300 to the second lead frame section 120 extending ⁇ bonding wire 330 is at least partially embedded in the disposed in the second chamber 220 potting material 290 ⁇ . This protects the connection between the bonding wire 330 and the second lead frame section 120 before a loading ⁇ damage by external influences.
  • FIG. 5 shows a schematic plan view of the upper side 101 of the housing 100 of the optoelectronic component 10 in a state of processing following the illustration of FIG.
  • a cavity 200 of the housing 100 is also provided in the first chamber 210.
  • cast material 290 has been filled.
  • the filled in the first chamber 210 of the cavity 200 potting material 290 is be ⁇ vorzugt the same configuration as that in the second chamber 220 of the cavity 200 filled potting material 290. It is also possible al lerdings, 200 different in the chambers 210, 220 of the cavity To incorporate potting materials.
  • the potting material 290 is introduced by needle dosing into the first chamber 210 of the cavity 200 of the housing 100.
  • a dispensing needle is arranged in the direction perpendicular to the top 101 of the hous ⁇ ses 100 of the optoelectronic component 10 direction above the ramp portion 240 of the peripheral wall 230 of the cavity 200.
  • the light emitted by the dosing ⁇ needle potting material 290 flows along the Nei ⁇ supply 241 of the ramp portion 240 in the direction of the first chamber 210 of the cavity 200.
  • the direction of flow of the potting material 290 is predetermined by the first chamber 210 facing orientation of the ramp portion 240th
  • a portion of the potting material 290 flowing down the ramp section 240 flows via the first side 210 of the cavity 200 facing ⁇ first side 260 of the dam 250 in the first chamber 210 of the cavity 200.
  • the flat inclination 261 of the first chamber 210 of the cavity 200 facing The first side 260 of the dam 250 indicates the flow direction of the potting material 290 and causes a reliable introduction of the potting ⁇ material 290 in the first chamber 210 of the cavity 200th
  • the placement of the dispensing needle used for needle dosing over the ramp portion 240 of the circumferential wall 230 of the cavity 200 has the advantage that the first chamber
  • the 210 may be formed with a small size.
  • Plat ⁇ cation of dispensing over the ramp portion 240 advantageously, the risk of accidental BeCdi ⁇ supply of the bonding wire 330 is reduced.
  • the slope 241 of the ramp portion 240 and the slope 261 of the first side 260 of the dam 250 of the given flow Ver ⁇ molding material 290 in the first chamber 210 of the cavity 200 is a uniform and complete filling of the first Chamber 210 of the cavity 200 with the potting material 290 under ⁇ supports. This can make it possible to carry out the filling of the first chamber 210 of the cavity 200 with the potting material 290 at a higher speed and in a smaller number of individual steps.
  • the potting material 290 arranged in the first chamber 210 of the cavity 200 of the housing 100 of the optoelectronic component 10 extends from the bottom 211 of the first chamber 210 to a level below the top edge of the first chamber 210 is located between the first chamber 210 and the second chamber 220 of the cavity 200 réellere ⁇ ckenden dam 250.
  • the upper side 301 of the optoelectronic semiconductor chip 300 can be covered by the potting material 290, as shown in the schematic representation of FIG. However, the upper side 301 of the optoelectronic semi ⁇ conductor chip 300 may also remain free and be raised above the top of the potting material 290 or flush with the potting material 290.
  • the filling of the other casting material can, for example, by Na ⁇ deldosieren via the ramp portion 240 of the circumferential wall around the cavity 200 230th
  • the cavity 200 may be filled so completely that the dam 250 between the first chamber 210 and the second chamber 220 is completely embedded in the potting material.

Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst ein Gehäuse (100) mit einer an einer Oberseite (101) des Gehäuses (100) ausgebildeten Kavität (200). Die Kavität (200) weist eine umlaufende Wandung (230) auf. Die Wandung (230) weist einen Rampenabschnitt (240) auf. Der Rampenabschnitt (240) weist eine geringere Neigung auf als die übrigen Abschnitte der Wandung (230). Der Rampenabschnitt (240) der Wandung (230) der Kavität (200) kann dabei als Zuflussrampe für ein Vergussmaterial dienen.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Her¬ stellung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 13.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2014 106 020.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Im Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente, bei¬ spielsweise Leuchtdioden-Bauelemente, bekannt, die ein Gehäu¬ se mit eingebetteten Leiterrahmenabschnitten aufweisen. Solche Gehäuse weisen eine Kavität auf, in der ein optoelektro¬ nischer Halbleiterchip angeordnet und elektrisch leitend mit den Leiterrahmenabschnitten verbunden ist. Die Kavität ist mit einem Vergussmaterial verfüllt, in das der optoelektroni¬ sche Halbleiterchip eingebettet ist. Das Einbringen des Vergussmaterials erfolgt in der Regel durch Nadeldosieren. Die¬ ses muss wegen der beengten Platzverhältnisse häufig langsam und in mehreren Teilschritten durchgeführt werden. Außerdem besteht dabei die Gefahr einer Beschädigung eines in der Kavität verlaufenden Bonddrahts.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkma¬ len des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorlie¬ genden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 13 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Wei¬ terbildungen angegeben. Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse mit ei¬ ner an einer Oberseite des Gehäuses ausgebildeten Kavität. Die Kavität weist eine umlaufende Wandung auf. Die Wandung weist einen Rampenabschnitt auf. Der Rampenabschnitt weist eine geringere Neigung auf als die übrigen Abschnitte der
Wandung. Vorteilhafterweise kann der Rampenabschnitt der Wan¬ dung der Kavität des Gehäuses dieses optoelektronischen Bau¬ elements eine Befüllung der Kavität mit einem Vergussmaterial erleichtern. Der Rampenabschnitt der Wandung der Kavität kann dabei als Zuflussrampe für das Vergussmaterial dienen. Ver¬ gussmaterial kann so in die Kavität des Gehäuses des opto¬ elektronischen Bauelements eingefüllt werden, dass das Ver¬ gussmaterial über den Rampenabschnitt der Wandung der Kavität in die Kavität läuft. Dadurch ermöglicht der Rampenabschnitt der Wandung der Kavität eine Steuerung der Fließrichtung des Vergussmaterials. Zum Einfüllen von Vergussmaterial in die Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements kann beispielsweise eine Dosiernadel über dem Rampenabschnitt der Wandung platziert werden. Dies wird durch die reduzierte Nei- gung des Rampenabschnitts der Wandung der Kavität unter¬ stützt. Vorteilhafterweise kann dadurch verhindert werden, dass die Dosiernadel in unmittelbarer Nähe eines in der Kavi¬ tät angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips oder eines in der Kavität verlaufenden Bonddrahts platziert werden muss, wodurch die Gefahr einer Beschädigung des optoelektronischen Halbleiterchips oder des Bonddrahts vorteilhafter¬ weise reduziert wird.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Kavität in eine erste Kammer und eine zweite Kammer unterteilt. Vorteilhafterweise können die erste Kammer und die zweite Kammer der Kavität dadurch zur Herstellung einer Chipbondverbindung und zur Herstellung einer Drahtbondverbin dung genutzt werden.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements erstreckt sich zwischen der ersten Kammer und der zweiten Kammer ein durch das Gehäuse gebildeter Damm. Vorteilhafter- weise kann der Damm verhindern, dass Lot unbeabsichtigt von einer der Kammern der Kavität zur anderen Kammer der Kavität fließt, was einen Kurzschluss verursachen könnte.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist eine der ersten Kammer zugewandte Seite des Damms eine geringere Neigung auf als eine der zweiten Kammer zugewandte Seite des Damms. Vorteilhafterweise kann dadurch auch der Damm zur Befüllung der Kavität des Gehäuses des optoelektro¬ nischen Bauelements mit Vergussmaterial genutzt werden. Dabei kann die der ersten Kammer zugewandte Seite des Damms dazu dienen, Vergussmaterial in die erste Kammer der Kavität zu leiten .
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements grenzt der Rampenabschnitt an ein Längsende des Damms an. Dies ermöglicht es vorteilhafterweise, zur Befüllung der Ka¬ vität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements Ver¬ gussmaterial über den Rampenabschnitt und eine oder mehrere Seitenwände des Damms in eine oder mehrere Kammern der Kavi¬ tät fließen zu lassen. Dabei fließt das Vergussmaterial von dem Rampenabschnitt über den Damm in die Kavität.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Wandung in dem Rampenabschnitt in Richtung der ersten Kammer orientiert. Vorteilhafterweise ermöglicht der Rampen¬ abschnitt der Wandung der Kavität des Gehäuses des optoelekt¬ ronischen Bauelements dadurch eine Befüllung der ersten Kammer der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauele¬ ments .
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist am Grund der ersten Kammer ein in das Gehäuse eingebette¬ ter erster Leiterrahmenabschnitt zugänglich. Vorteilhafterweise kann der am Grund der ersten Kammer der Kavität zugängliche erste Leiterrahmenabschnitt eine elektrisch leitende Verbindung zu einer externen Kontaktfläche des optoelektronischen Bauelements bereitstellen. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist am Grund der zweiten Kammer ein in das Gehäuse eingebet¬ teter zweiter Leiterrahmenabschnitt zugänglich. Vorteilhaf- terweise kann der am Grund der zweiten Kammer der Kavität des optoelektronischen Bauelements zugängliche zweite Leiterrah¬ menabschnitt eine elektrisch leitende Verbindung zu einer von außen zugänglichen externen Kontaktfläche des optoelektronischen Bauelements bereitstellen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in der ersten Kammer der Kavität ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Der optoelektronische Halbleiter¬ chip kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Chip (LED-Chip) sein.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements erstreckt sich ein Bonddraht zwischen der ersten Kammer und der zweiten Kammer. Dabei kann der Bonddraht vollständig in- nerhalb der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bau¬ elements verlaufen, wodurch der Bonddraht vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt ist.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in der Kavität ein Vergussmaterial angeordnet. Dabei kön¬ nen ein in der Kavität angeordneter optoelektronischer Halbleiterchip und ein in der Kavität verlaufender Bonddraht in das Vergussmaterial eingebettet sein. Dadurch sind der opto¬ elektronische Halbleiterchip und der Bonddraht vorteilhafter- weise vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt. Vorteilhafterweise kann das Vergussmaterial unter Nutzung des Rampenabschnitts der Wandung der Kavität auch dann zuverlässig in die Kavität eingebracht werden, wenn die Kavität eine geringe Größe aufweist.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Vergussmaterial Silikon auf. Dabei weist das Ver¬ gussmaterial außerdem eingebettete Partikel auf, die T1O2 aufweisen. Vorteilhafterweise bewirkt das Vergussmaterial dadurch einen Schutz eines in der Kavität angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen. Außerdem können die in das Vergussmate- rial eingebetteten Partikel eine durch den optoelektronischen Halbleiterchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung dif¬ fus streuen, um eine gleichmäßige Abstrahlung von Licht zu bewirken . Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Gehäuses mit einer an einer Oberseite des Gehäuses ausgebildeten Kavität, wobei die Kavität in eine erste Kammer und eine zweite Kammer unterteilt ist, wobei die Kavität eine umlaufende Wandung aufweist, wobei die Wandung einen Rampenabschnitt aufweist, wobei der Rampenabschnitt eine geringere Neigung aufweist als die übrigen Abschnitte der Wandung, zum Befüllen der zweiten Kammer mit Vergussmaterial und zum Befüllen der ersten Kammer mit Vergussmaterial. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine einfache, schnelle und zuverlässige Befüllung der Kammern der Kavität des Gehäuses des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements. Dabei besteht nur eine geringe Gefahr einer Beschädigung eines in der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements angeord- neten optoelektronischen Halbleiterchips oder eines sich in der Kavität erstreckenden Bonddrahts. Beim Befüllen der Kavität mit Vergussmaterial kann vorteilhafterweise der Rampenab¬ schnitt der Wandung der Kavität des Gehäuses genutzt werden, um das Vergussmaterial in eine gewünschte Fließrichtung in die Kavität einfließen zu lassen. Hierdurch kann vorteilhafterweise eine zuverlässig und gleichmäßige Verteilung des Vergussmaterials in der Kavität erreicht werden.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Befüllen der zweiten Kammer und der ersten Kammer mit Vergussmaterial durch Nadeldosieren. Vorteilhafterweise kann das Befüllen der Kammern der Kavität mit Vergussmaterial dabei mit einer ge¬ ringen Anzahl einzelner Dosierschritte erfolgen. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird zum Befüllen der ersten Kammer eine Dosiernadel über dem Rampenabschnitt der Wandung angeordnet. Vorteilhafterweise kann das Vergussmate- rial dann über den Rampenabschnitt der Wandung der Kavität des Gehäuses in die erste Kammer der Kavität des Gehäuses des durch das Verfahren optoelektronischen Bauelements fließen. Dabei ist es nicht erforderlich, die Dosiernadel unmittelbar über der ersten Kammer der Kavität zu platzieren, wodurch das Risiko einer versehentlichen Beschädigung eines der ersten Kammer der Kavität des Gehäuses angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips oder eines in der Kavität des Gehäuses angeordneten Bonddrahts vorteilhafterweise verringert wird. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
Figur 1 eine Aufsicht auf eine Oberseite eines Gehäuses eines optoelektronischen Bauelements; Figur 2 eine perspektivische Darstellung eines Teils des Ge¬ häuses des optoelektronischen Bauelements;
Figur 3 eine geschnittene Seitenansicht eines Teils des Ge¬ häuses;
Figur 4 eine Aufsicht auf die Oberseite des Gehäuses nach ei¬ nem Befüllen einer ersten Kammer einer Kavität mit Vergussmaterial; und Figur 5 eine Aufsicht auf die Oberseite des Gehäuses nach ei¬ nem Befüllen einer zweiten Kammer der Kavität mit Vergussmaterial . Figur 1 zeigt eine leicht schematisierte Aufsicht auf ein Ge¬ häuse 100 eines optoelektronischen Bauelements 10. Figur 2 zeigt eine perspektivische Darstellung eines Teils des Gehäu¬ ses 100 des optoelektronischen Bauelements 10. Das optoelekt- ronische Bauelement 10 ist dazu ausgebildet, elektromagneti¬ sche Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, abzustrah¬ len. Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement (LED-Bauelement) sein. Das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 kann beispielsweise ein Kunststoffmaterial , etwa ein Epoxidharz, aufweisen. Das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfah- ren) hergestellt werden. Insbesondere kann das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 beispielsweise durch
Spritzpressen (Transfer Molding) oder durch Spritzgießen (In- jection Molding) hergestellt werden. Das Gehäuse 100 kann als Teil eines eine Vielzahl von Gehäusen 100 umfassenden, zusammenhängenden Gehäuseverbunds hergestellt werden. In diesem Fall wird das Gehäuse 100 erst nach Abschluss weiterer ge¬ meinsamer Bearbeitungsschritte durch Zerteilen des Gehäuse¬ verbunds vereinzelt.
In das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 sind ein erster Leiterrahmenabschnitt 110 und ein zweiter Leiter¬ rahmenabschnitt 120 eingebettet. Der erste Leiterrahmenab¬ schnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 sind als Abschnitte eines im Wesentlichen flachen Bleches ausgebildet und lateral nebeneinander in einer gemeinsamen Ebene angeord- net. Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Lei¬ terrahmenabschnitt 120 weisen jeweils ein elektrisch leiten¬ des Material auf, beispielsweise ein Metall. Der erste Lei¬ terrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 sind in dem Gehäuse 100 voneinander beabstandet und durch Abschnitte des Gehäuses 100 elektrisch gegeneinander iso¬ liert . Bevorzugt werden der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 bei der Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10 bereits während der Her¬ stellung des Gehäuses 100 in das Gehäuse 100 eingebettet. Da- bei können der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 beispielsweise in einem Formverfah¬ ren durch das Material des Gehäuses 100 umformt werden.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrah- menabschnitt 120 können als Abschnitte eines zusammenhängen¬ den, größeren Leiterrahmens mit einer Mehrzahl erster Leiterrahmenabschnitte 110 und zweiter Leiterrahmenabschnitte 120 bereitgestellt werden. In diesem Fall wird der Leiterrahmen in einen zusammenhängenden Gehäuseverbund eingebettet. Erst während des Vereinzeins des Gehäuses 100 durch Zerteilen des Gehäuseverbunds werden der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 von den übrigen Tei¬ len des Leiterrahmens getrennt. Das Gehäuse 100 weist eine Oberseite 101 und eine der Ober¬ seite 101 gegenüberliegende Unterseite 102 auf. Figur 1 zeigt eine Aufsicht auf die Oberseite 101 des Gehäuses 100. Auch in Figur 2 ist die Oberseite 101 des Gehäuses 100 sichtbar. An der Oberseite 101 des Gehäuses 100 ist eine Kavität 200 ausgebildet. Die Kavität 200 erstreckt sich als Vertiefung von der Oberseite 101 des Gehäuses 100 in das Gehäuse 100 hinein. An einem Grund 201 der Kavität 200 liegen nicht durch das Material des Gehäuses 100 bedeckte Schnitte des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 und des zweiten Leiterrahmenab¬ schnitts 120 frei. Die Kavität 200 ist in eine erste Kammer 210 und eine zweite Kammer 220 unterteilt. Die erste Kammer 210 und die zweite Kammer 220 sind benachbart nebeneinander angeordnet. An einem Grund 211 der ersten Kammer 210 der Ka- vität 200 ist ein Teil des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 zugänglich. An einem Grund 221 der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 liegt ein Teil des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 frei. Die erste Kammer 210 der Kavität 200 ist im in Figuren 1 und 2 dargestellten Beispiel größer ausgebildet als die zweite Kammer 220 der Kavität 200. Dies bedeutet, dass die erste Kammer 210 ein größeres Volumen aufweist als die zweite Kam¬ mer 220. Außerdem weist der am Grund 211 der ersten Kammer 210 freiliegende Teil des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 eine größere Fläche auf als der am Grund 221 der zweiten Kam¬ mer 220 freiliegende Teil des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120.
Zwischen der ersten Kammer 210 der Kavität 200 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 erstreckt sich ein durch das Material des Gehäuses 100 gebildeter Damm 250. Der Damm 250 ist über die am Grund 201, 211, 221 der Kammern 210, 220 der Kavität 200 freiliegenden Teile der Leiterrahmenabschnitte 110, 120 erhaben. Der Damm 250 ist jedoch niedriger als die Tiefe der Kavität 200 ausgebildet, sodass eine Oberseite des Damms 250 gegenüber der Oberseite 101 des Gehäuses 100 zu- rückversetzt ist. Die erste Kammer 210 und die zweite Kammer 220 der Kavität 200 sind somit über den Damm 250 hinweg zu¬ sammenhängend miteinander verbunden. Der Damm 250 ist als im Wesentlichen geradliniger Balkenabschnitt des Gehäuses 100 ausgebildet .
Die Kavität 200 des Gehäuses 100 wird seitlich durch eine durch das Material des Gehäuses 100 gebildete umlaufende Wan¬ dung 230 begrenzt. Ein in Umfangsrichtung der Kavität 200 begrenzter Teil der umlaufenden Wandung 230 wird durch einen Rampenabschnitt 240 gebildet. Der Rampenabschnitt 240 ist in einem an ein Längsende 280 des Damms 250 angrenzenden Teil der umlaufenden Wandung 230 zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 angeordnet. Der Rampenabschnitt 240 ist dabei gegenüber einer Längserstre- ckungsrichtung des Damms 250 geneigt und der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zugewandt. Beispielsweise kann der Ram¬ penabschnitt 240 gegenüber der Längserstreckungsrichtung des Damms 250 einen Winkel von etwa 45° aufweisen und somit auch unter einem Winkel von etwa 45° der ersten Kammer 210 der Ka- vität 200 zugewandt sein.
Von dem Rampenabschnitt 240 der umlaufenden Wandung 230 abge- sehen, weist die umlaufende Wandung 230 entlang der Umfangs- richtung der Kavität 200 fast überall eine Neigung 231 auf. Die Neigung 231 gibt den Winkel an, unter dem sich die umlau¬ fende Wandung 230 von der Oberseite 101 des Gehäuses 100 zum Grund 201 der Kavität 200 erstreckt. Die Neigung 231 kann beispielsweise einen rechten Winkel aufweisen. Die Neigung 231 kann allerdings auch einen kleineren als einen rechten Winkel aufweisen. In diesem Fall weitet sich die Kavität 200 von ihrem Grund 201 in Richtung der Oberseite 101 des Gehäu¬ ses 100 konisch auf.
Der Rampenabschnitt 240 der umlaufenden Wandung 230 weist ei¬ ne Neigung 241 auf. Die Neigung 241 ist geringer bzw. flacher als die Neigung 231 der meisten übrigen Abschnitte der umlaufenden Wandung 230. Beispielsweise kann die Neigung 241 des Rampenabschnitts 240 der umlaufenden Wandung 230 etwa 45° be¬ tragen .
Figur 3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauele- ments 10. Die Schnittebene verläuft dabei senkrecht zur
Längserstreckungsrichtung des zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 des Gehäuses 100 verlaufenden Damms 250 durch den Damm 250. Der Damm 250 weist eine der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zugewandte erste Seite 260 und eine der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 zugewandte zweite Seite 270 auf. Die erste Seite 260 des Damms 250 weist eine Neigung 261 auf. Die zwei¬ te Seite 270 des Damms 250 weist eine Neigung 271 auf. Die Neigung 261 der ersten Seite 260 ist geringer als die Neigung 271 der zweiten Seite 270 des Damms 250. Somit ist der Damm 250 an seiner ersten Seite 260 flacher ausgebildet als an seiner zweiten Seite 270. Figuren 1 und 2 zeigen einen optoelektronischen Halbleiterchip 300 des optoelektronischen Bauelements 10. Der opto¬ elektronische Halbleiterchip 300 ist dazu ausgebildet, elekt- romagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 kann beispielsweise als Leuchtdioden-Chip (LED-Chip) ausgebildet sein . Der optoelektronische Halbleiterchip 300 weist eine Oberseite 301 und eine der Oberseite 301 gegenüberliegende Unterseite auf. Die Oberseite 301 bildet eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300. Im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 10 wird durch den optoelektro- nischen Halbleiterchip 300 erzeugte elektromagnetische Strah¬ lung an der Oberseite 301 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 abgestrahlt. An der Oberseite 301 des optoelektro¬ nischen Halbleiterchips 300 kann ein Konverterelement ange¬ ordnet sein, das dazu vorgesehen ist, eine Wellenlänge von durch den optoelektronischen Halbleiterchip 300 erzeugter elektromagnetischer Strahlung zu konvertieren. Das Konverterelement kann beispielsweise dazu ausgebildet sein, durch den optoelektronischen Halbleiterchip 300 erzeugte elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren .
Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist am Grund 211 der ersten Kammer 210 in der Kavität 200 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 angeordnet. Dabei ist die Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips 300 dem am Grund 211 der ersten Kammer 210 der Kavität 200 freiliegenden Teil des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 zugewandt und mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 verbunden. Die Verbin- dung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 kann beispielsweise als Lötverbindung, als Klebeverbindung oder als andere Chipbondverbindung ausgebildet sein. Der sich zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 erstre¬ ckende Damm 250 kann vorteilhafterweise sicherstellen, dass während der Ausbildung der Chipbondverbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und dem ersten Leiter- rahmenabschnitt 110 am Grund 211 der ersten Kammer 210 der Kavität 200 ein zur Herstellung der Chipbondverbindung verwendetes Verbindungsmaterial nicht versehentlich in die zwei¬ te Kammer 220 der Kavität 200 des Gehäuses 100 gelangt. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 weist an seiner
Oberseite 301 eine obere elektrische Kontaktfläche 310 auf. Außerdem weist der optoelektronische Halbleiterchip 300 an seiner Unterseite eine untere elektrische Kontaktfläche auf. Die untere elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300 ist über die Chipbondverbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 elektrisch leitend mit dem ersten Lei¬ terrahmenabschnitt 110 verbunden. Die an der Oberseite 301 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 angeordnete obere elektrische Kontaktfläche 310 ist über einen Bonddraht 330 elektrisch leitend mit dem am Grund 221 der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 freiliegenden Teil des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 verbunden. Der Bonddraht 330 erstreckt sich über den zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kam- mer 220 der Kavität 200 verlaufenden Damm 250 hinweg. Bevorzugt verläuft der Bonddraht 330 vollständig innerhalb der Ka¬ vität 200.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrah- menabschnitt 120 weisen an einer Außenseite des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 zugängliche Kontaktbe¬ reiche auf, die zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements 10 vorgesehen sind. Diese Kontaktberei¬ che können beispielsweise an der Unterseite 102 des Gehäuses 100 angeordnet sein. In diesem Fall kann das optoelektronische Bauelement 10 beispielsweise als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage vorgesehen sein. Eine elektrische Anbin- dung des optoelektronischen Bauelements 10 kann in diesem Fall beispielsweise durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow- Löten) erfolgen.
Figur 10 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Oberseite 101 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 in einem der Darstellung der Figuren 1 und 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. In der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 des Gehäuses 100 ist ein Vergussmaterial 290 angeord¬ net worden. Das Vergussmaterial 290 weist bevorzugt ein op- tisch im Wesentlichen transparentes Material auf, beispiels¬ weise ein Silikon. Zusätzlich kann das Vergussmaterial 290 eingebettete Streupartikel aufweisen, beispielsweise Streu¬ partikel, die T1O2 aufweisen. Das Vergussmaterial 290 kann beispielsweise durch Nadeldosie¬ ren (Dispensing) in die zweite Kammer 220 der Kavität 200 eingebracht werden. Hierzu wird eine Dosiernadel über der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 platziert. Das Vergussma¬ terial 290 wird in fließfähiger Form in die zweite Kammer 220 der Kavität 200 eingebracht und härtet anschließend aus.
Das Vergussmaterial 290 erstreckt sich vom Grund 221 der zweiten Kammer 220 bis zu einem Niveau, das bevorzugt unter¬ halb der Oberkante des Damms 250 liegt. Der sich von der obe- ren elektrischen Kontaktfläche 310 des optoelektronischen
Halbleiterchips 300 zum zweiten Leiterrahmenabschnitt 120 er¬ streckende Bonddraht 330 ist zumindest teilweise in das in der zweiten Kammer 220 angeordnete Vergussmaterial 290 einge¬ bettet. Dies schützt die Verbindung zwischen dem Bonddraht 330 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 120 vor einer Be¬ schädigung durch äußere Einwirkungen.
Figur 5 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Oberseite 101 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 in einem der Darstellung der Figur 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. In einem zwischen den Darstellungen der Figuren 4 und 5 erfolgten Bearbeitungsschritt ist auch in die erste Kammer 210 der Kavität 200 des Gehäuses 100 ein Ver- gussmaterial 290 eingefüllt worden. Das in die erste Kammer 210 der Kavität 200 eingefüllte Vergussmaterial 290 ist be¬ vorzugt gleich ausgebildet wie das in die zweite Kammer 220 der Kavität 200 eingefüllte Vergussmaterial 290. Es ist al- lerdings auch möglich, in die Kammern 210, 220 der Kavität 200 unterschiedliche Vergussmaterialien einzubringen.
Das Vergussmaterial 290 wird durch Nadeldosieren in die erste Kammer 210 der Kavität 200 des Gehäuses 100 eingebracht.
Hierzu wird eine Dosiernadel in zur Oberseite 101 des Gehäu¬ ses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 senkrechte Richtung oberhalb des Rampenabschnitts 240 der umlaufenden Wandung 230 der Kavität 200 angeordnet. Das durch die Dosier¬ nadel abgegebene Vergussmaterial 290 fließt entlang der Nei¬ gung 241 des Rampenabschnitts 240 in Richtung der ersten Kammer 210 der Kavität 200. Die Fließrichtung des Vergussmaterials 290 wird dabei durch die der ersten Kammer 210 zugewandte Orientierung des Rampenabschnitts 240 vorgegeben. Ein Teil des den Rampenabschnitt 240 hinabfließenden Vergussmaterials 290 fließt über die der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zu¬ gewandte erste Seite 260 des Damms 250 in die erste Kammer 210 der Kavität 200. Die flache Neigung 261 der der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zugewandten ersten Seite 260 des Damms 250 gibt dabei die Fließrichtung des Vergussmaterials 290 vor und bewirkt eine zuverlässige Einleitung des Verguss¬ materials 290 in die erste Kammer 210 der Kavität 200.
Die Platzierung der für das Nadeldosieren verwendeten Dosiernadel über dem Rampenabschnitt 240 der umlaufenden Wandung 230 der Kavität 200 hat den Vorteil, dass die erste Kammer
210 mit geringer Größe ausgebildet sein kann. Durch die Plat¬ zierung der Dosiernadel über dem Rampenabschnitt 240 wird vorteilhafterweise die Gefahr einer versehentlichen Beschädi¬ gung des Bonddrahts 330 reduziert. Durch den durch die Nei- gung 241 des Rampenabschnitts 240 und die Neigung 261 der ersten Seite 260 des Damms 250 vorgegebenen Fluss des Ver¬ gussmaterials 290 in die erste Kammer 210 der Kavität 200 wird eine gleichmäßige und vollständige Befüllung der ersten Kammer 210 der Kavität 200 mit dem Vergussmaterial 290 unter¬ stützt. Dies kann es ermöglichen, das Befüllen der ersten Kammer 210 der Kavität 200 mit dem Vergussmaterial 290 mit höherer Geschwindigkeit und in einer geringeren Zahl an Ein- zelschritten durchzuführen.
In dem in Figur 5 schematisch dargestellten Bearbeitungsstand des optoelektronischen Bauelements 10 erstreckt sich das in der ersten Kammer 210 der Kavität 200 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 angeordnete Vergussmaterial 290 vom Grund 211 der ersten Kammer 210 bis zu einem Niveau, das unterhalb der Oberkante des sich zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 erstre¬ ckenden Damms 250 liegt. Die Oberseite 301 des optoelektroni- sehen Halbleiterchips 300 kann, wie in der schematischen Darstellung der Figur 5 gezeigt, durch das Vergussmaterial 290 bedeckt sein. Die Oberseite 301 des optoelektronischen Halb¬ leiterchips 300 kann allerdings auch frei verbleiben und über die Oberseite des Vergussmaterials 290 erhaben sein oder bün- dig mit dem Vergussmaterial 290 abschließen.
Es ist möglich, das Befüllen der Kavität 200 nach dem in Figur 5 dargestellten Bearbeitungsstand weiter fortzusetzen, bis die Kavität 200 vollständig mit dem Vergussmaterial 290 oder einem anderen Vergussmaterial gefüllt ist. Das Einfüllen des weiteren Vergussmaterials kann beispielsweise durch Na¬ deldosieren über den Rampenabschnitt 240 der um die Kavität 200 umlaufenden Wandung 230 erfolgen. Die Kavität 200 kann so vollständig befüllt werden, dass der Damm 250 zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 vollständig in das Vergussmaterial eingebettet ist.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Er- findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt.
Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . Bezugs zeichenliste
10 optoelektronisches Bauelement
100 Gehäuse
101 Oberseite
102 Unterseite
110 erster Leiterrahmenabschnitt
120 zweiter Leiterrahmenabschnitt
200 Kavität
201 Grund
210 erste Kammer
211 Grund
220 zweite Kammer
221 Grund
230 umlaufende Wandung
231 Neigung
240 Rampenabschnitt
241 Neigung
250 Damm
260 erste Seite
261 Neigung
270 zweite Seite
271 Neigung
280 Längsende
290 Vergussmaterial
300 optoelektronischer Halbleiterchip
301 Oberseite
310 obere elektrische Kontaktfläche
330 Bonddraht

Claims

Optoelektronisches Bauelement (10)
mit einem Gehäuse (100) mit einer an einer Oberseite (101) des Gehäuses (100) ausgebildeten Kavität (200), wobei die Kavität (200) eine umlaufende Wandung (230) aufweist,
wobei die Wandung (230) einen Rampenabschnitt (240) auf¬ weist,
wobei der Rampenabschnitt (240) eine geringere Neigung (241) aufweist als die übrigen Abschnitte der Wandung (230) .
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 1, wobei die Kavität (200) in eine erste Kammer (210) und eine zweite Kammer (220) unterteilt ist.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 2, wobei sich zwischen der ersten Kammer (210) und der zweiten Kammer (220) ein durch das Gehäuse (100) gebildeter Damm (250) erstreckt.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 3, wobei eine der ersten Kammer (210) zugewandte Seite (260) des Damms (250) eine geringere Neigung (261) aufweist als eine der zweiten Kammer (220) zugewandte Seite (270) des Damms (250 ) .
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der An¬ sprüche 3 und 4,
wobei der Rampenabschnitt (240) an ein Längsende (280) des Damms (250) angrenzt.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der An¬ sprüche 2 bis 5,
wobei die Wandung (230) in dem Rampenabschnitt (240) in Richtung der ersten Kammer (210) orientiert ist.
7. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der An¬ sprüche 2 bis 6,
wobei am Grund der ersten Kammer (210) ein in das Gehäuse (100) eingebetteter erster Leiterrahmenabschnitt (110) zugänglich ist.
8. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der An¬ sprüche 2 bis 7,
wobei am Grund der zweiten Kammer (220) ein in das Gehäu¬ se (100) eingebetteter zweiter Leiterrahmenabschnitt (120) zugänglich ist.
9. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der An¬ sprüche 2 bis 8,
wobei in der ersten Kammer (210) der Kavität (200) ein optoelektronischer Halbleiterchip (300) angeordnet ist.
10. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der An¬ sprüche 2 bis 9,
wobei sich ein Bonddraht (330) zwischen der ersten Kammer (210) und der zweiten Kammer (220) erstreckt.
11. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor¬ hergehenden Ansprüche,
wobei in der Kavität (200) ein Vergussmaterial (290) an¬ geordnet ist.
12. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 11, wobei das Vergussmaterial (290) Silikon aufweist, wobei das Vergussmaterial (290) eingebettete Partikel aufweist, die T1O2 aufweisen.
13. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10)
mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines Gehäuses (100) mit einer an einer Oberseite (101) des Gehäuses (100) ausgebildeten Kavität wobei die Kavität (200) in eine erste Kammer (210) und eine zweite Kammer (220) unterteilt ist,
wobei die Kavität (200) eine umlaufende Wandung (230) aufweist,
wobei die Wandung (230) einen Rampenabschnitt (240) auf¬ weist,
wobei der Rampenabschnitt (240) eine geringere Neigung (241) aufweist als die übrigen Abschnitte der Wandung (230) ;
- Befüllen der zweiten Kammer (220) mit Vergussmaterial
(290) ;
- Befüllen der ersten Kammer (210) mit Vergussmaterial (290) .
Verfahren gemäß Anspruch 13,
wobei das Befüllen der zweiten Kammer (220) und der ersten Kammer (210) mit Vergussmaterial (290) durch Nadeldo sieren erfolgt.
15. Verfahren gemäß Anspruch 14,
wobei zum Befüllen der ersten Kammer (210) eine Dosierna del über dem Rampenabschnitt (240) der Wandung (230) an¬ geordnet wird.
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