WO2015113331A1 - 一种显示装置及其制作方法 - Google Patents

一种显示装置及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015113331A1
WO2015113331A1 PCT/CN2014/076132 CN2014076132W WO2015113331A1 WO 2015113331 A1 WO2015113331 A1 WO 2015113331A1 CN 2014076132 W CN2014076132 W CN 2014076132W WO 2015113331 A1 WO2015113331 A1 WO 2015113331A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
area
display device
wave plate
polarizer
pixel
Prior art date
Application number
PCT/CN2014/076132
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
田允允
崔贤植
王强涛
Original Assignee
京东方科技集团股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京东方科技集团股份有限公司 filed Critical 京东方科技集团股份有限公司
Priority to US14/435,966 priority Critical patent/US9419251B2/en
Priority to EP14861180.9A priority patent/EP3101690B1/en
Publication of WO2015113331A1 publication Critical patent/WO2015113331A1/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Definitions

  • the present invention relates to the field of display technologies, and in particular, to a display device and a method of fabricating the same. Background technique
  • a display device using an OLED is a novel display device. Compared with a liquid crystal display device, the 0 LED display device has the advantages of self-illumination, fast response speed, wide viewing angle, and the like. With flexible display, transparent display and 3D display, it has been rapidly developed and popularized.
  • OLED Organic Light-Emitting Diode
  • the OLED display device includes a metal component inside, and when external light is incident thereon, since the metal has a strong reflection coefficient, most of the external light incident thereon is reflected, thereby displaying the OLED display device.
  • the effect has a negative impact.
  • the second substrate 13 of the current OLED display device is provided with a wave plate 14 stacked in series and containing light absorption (for example, Polyvinyl Alcohol (PVA) layer
  • the polarizer is a vertical polarizer
  • the wave plate includes a wave plate and a wave plate as an example
  • the light absorbing layer absorbs the reflected light of the external light to reduce the negative influence of the external light on the display effect of the OLED display device.
  • the vertically polarized light passes through the wave plate and the wave plate to become left circularly polarized light, and the left circularly polarized light is reflected by the metal to become right circularly polarized light, and the right circularly polarized light passes through the wave ⁇ .
  • the horizontally polarized light cannot pass through the vertical polarizer, and Absorbed by the light absorbing layer.
  • the current surface of the second substrate of the OLED display device is provided with a wave plate sequentially stacked and a polarizer including the light absorbing layer
  • the light for display of the OLED display device needs to pass through the wave plate and the polarizing plate in sequence.
  • the wave plate will lose some of the light for display, and the light absorption contained by the polarizing plate will also absorb most of the light for display, thereby causing the light for display to be transparent.
  • the rate of passing is relatively low.
  • the second substrate of the OLED display device is provided with a wave plate and a polarizer including a light absorbing layer, which are sequentially stacked on the entire surface, thereby causing a low transmittance of the light for display.
  • the present invention provides a display device and a method of fabricating the same, which solves the problem of relatively low transmittance of light for display in a display device existing in the prior art.
  • a display device comprising:
  • first base substrate having at least one metal pattern on the first base substrate
  • second base substrate disposed opposite to the first base substrate
  • a polarizer disposed on an outer side of the second base substrate facing away from the first base substrate
  • an area of the overlapping area of the metal pattern and the pixel display area is smaller than an area of the pixel display area
  • the polarizer comprises a light absorbing layer, and the light absorbing layer of the polarizer completely covers the at least one metal pattern;
  • the display device includes a wave plate, and the wave plate is located on an outer side or an inner side of the second substrate and below the polarizer.
  • the wave plate covers the at least one metal pattern in a comprehensive manner, and the polarizer completely covers the wave plate; and the wave plate intersects with the pixel display area
  • the area of the stacked area is smaller than the area of the pixel display area.
  • the display device when the wave plate is on an inner side surface of the second substrate, the display device further includes a planarization layer covering the wave plate.
  • the wave plate comprises a wave plate and a wave plate.
  • the light absorbing layer is polyvinyl alcohol.
  • the polarizer further includes a cellulose triacetate layer, wherein the cellulose triacetate layer completely coincides with the light absorbing layer.
  • the metal pattern includes one or more of a gate line, a data line, a gate, a source, and a drain.
  • the light absorbing layer when the display device includes a pixel size smaller than a set size threshold, the light absorbing layer does not overlap the pixel display region.
  • the display device is an OLED display device.
  • the metal pattern does not overlap, partially overlap, or completely overlap the pixel display area.
  • the metal pattern completely overlaps the pixel display region, and an area of the metal pattern is smaller than an area of the pixel display region.
  • the light absorbing layer of the polarizer does not overlap, partially overlap or completely overlap the pixel display region. According to another exemplary embodiment of the present invention, the light absorbing layer of the polarizer completely overlaps the pixel display region, and an area of the light absorbing layer of the polarizer is smaller than that of the pixel display region. area.
  • a method of fabricating a display device comprising the steps of:
  • the area of the stacked area is smaller than the area of the pixel display area.
  • the method further includes: forming a wave plate on an inner side surface of the second substrate to enable the first substrate and the second substrate to be After the substrate is paired with the box, the wave plate covers at least one of the metal patterns, and the polarizer completely covers the wave plate, wherein an area of the overlapping area between the wave plate and the pixel display area is smaller than The area of the pixel display area.
  • the method further includes: forming a planarization layer covering the wave plate.
  • the wave plate comprises
  • the metal pattern includes one or more of a gate line, a data line, a gate, a source, and a drain. kind.
  • the display device is an OLED display device.
  • the light absorbing layer included in the polarizer completely covers at least one metal pattern, thereby ensuring that the negative influence of external light on the display effect of the OLED display device can be reduced;
  • the area of the overlapping area of the layer and the pixel display area is smaller than the area of the pixel display area, so that the light transmittance of the area where the pixel display area does not overlap with the light absorbing layer is relatively high, thereby improving the use of the OLED display device The transmittance of the displayed light.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a prior art OLED display device
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an OLED display device in accordance with an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a top plan view of an array substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is another schematic diagram of an array substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic flowchart of a method according to an embodiment of the present invention. detailed description
  • a display device includes: a first substrate having at least one metal pattern on the first substrate; a second substrate; and the first substrate The substrate is disposed opposite to each other; and a polarizer is disposed on an outer side of the second substrate that faces away from the first substrate, wherein an area of the overlapping area of the metal pattern and the pixel display area is smaller than The area of the pixel display area; wherein the polarizer comprises a light absorbing layer, and the light absorbing layer of the polarizer completely covers the at least one metal pattern; and wherein the light absorbing layer of the polarizer The area of the overlapping area of the pixel display area is smaller than The area of the pixel display area.
  • the light absorbing layer included in the polarizer completely covers at least one metal pattern, it is ensured that the negative influence of the external light on the display effect of the display device can be reduced; moreover, the area of the overlapping area of the light absorbing layer and the pixel display area is smaller than the The area of the pixel display area is such that the light transmittance in the area where the pixel display area does not overlap with the light absorbing layer is relatively high, thereby improving the transmittance of the light for display of the display device.
  • the display device provided by the embodiment of the present invention includes a first substrate and a second substrate disposed opposite to each other, and the first substrate has at least one metal pattern thereon, wherein the metal pattern and the pixel display The area of the overlapping area of the area is smaller than the area of the pixel display area.
  • the display device further includes: a polarizer located on an outer side of the second substrate opposite the first substrate.
  • the polarizer comprises a light absorbing layer covering at least one of the metal patterns, and an area of the overlapping area of the light absorbing layer and the pixel display area is smaller than an area of the pixel display area i or .
  • the light absorbing layer can absorb the external light reflected by the metal pattern to reduce the display effect of the external light on the OLED display device.
  • the negative effect of the light absorbing layer is such that the light absorbing layer does not block all the pixel display regions, so that the light transmittance of the region where the pixel display region does not overlap with the light absorbing layer is relatively high, so as to improve the display for the OLED display device.
  • Transmittance of the light that is, the embodiment of the present invention can achieve the negative effect of reducing the external light on the display effect of the OLED display device, and can improve the transmittance of the light for display of the OLED display device (ie, improve Pixel transmission rate).
  • the metal pattern in the embodiment of the present invention may be any metal pattern included in the array substrate of the display device that satisfies the condition that the area of the overlap region with the pixel display region is smaller than the area of the pixel display region.
  • the metal pattern in the embodiment of the invention comprises a metal line, a metal electrode and a metal film layer.
  • the metal pattern in the embodiment of the invention comprises one or more of a gate line, a data line, a gate, a source and a drain.
  • the array substrate includes two adjacent pixels, and the gate lines and the data lines that are insulated from each other define a plurality of pixels, wherein, for each pixel defined, the area corresponding to the pixels may be divided into a display area and a non-display area.
  • the pixel display area in the embodiment of the present invention is a display area of the pixel for display, that is, a light transmission area of the pixel.
  • each pixel of the array substrate includes an organic light-emitting layer 11 and a PDL (pixel defining layer) 12 in the same layer as the organic light-emitting layer 11, wherein the OLED display device
  • the pixel display area is an area corresponding to the organic light-emitting layer 11 between two adjacent PDLs 12.
  • the area of the overlapping area of each of the metal pattern and the pixel display area on the first substrate is smaller than the area of the pixel display area.
  • the metal pattern and the pixel display area have the following three positional relationships:
  • the metal pattern does not overlap with the pixel display area
  • the metal pattern completely overlaps the pixel display area, and the area of the metal pattern is smaller than the area of the pixel display area.
  • the light absorbing layer covers all of the metal patterns in its entirety.
  • the area of the overlapping area of all the metal patterns and the pixel display area is smaller than the area of the pixel display area, and the light absorbing layer covers all of the metal patterns.
  • the negative influence of external light on the display effect of the OLED display device can be ensured.
  • the degree is relatively low, and it is also possible to ensure the transmittance of the light for display of the OLED display device is improved.
  • the light absorbing layer may cover a part of the metal pattern.
  • the light absorbing layer completely covers a part of the metal pattern.
  • the area of the overlapping area of all the metal patterns and the pixel display area is smaller than the area of the pixel display area, and the light absorbing layer covers a part of the metal pattern.
  • the light absorbing layer and the pixel display area have the following three positional relationships:
  • the light absorbing layer does not overlap with the pixel display area
  • the light absorbing layer completely overlaps the pixel display region, and the area of the light absorbing layer is smaller than the area of the pixel display region.
  • the polarizer further comprises a TAC (cellulose triacetate) layer, wherein the TAC layer completely coincides with the light absorbing layer.
  • TAC cellulose triacetate
  • the TAC layer and the light absorbing layer may not completely overlap.
  • the display device comprises a wave plate on an outer side or an inner side of the second substrate and below the polarizer.
  • the planarization layer covering the wave plate is further included.
  • the planarization layer may planarize the inner side surface of the second substrate.
  • the wave plate may also be integrated into the polarizer as a film layer included in the polarizer.
  • the wave plate covers at least one of the metal patterns, an area of the overlapping area of the wave plate and the pixel display area is smaller than an area of the pixel display area, and the polarizer is completely covered. The wave plate.
  • the external light pair is reduced.
  • the OLED display device exhibits a negative effect of the effect, the transmittance of the light for display of the OLED display device is improved.
  • the embodiment in which the wave plate covers at least one of the metal patterns in the embodiment of the present invention is similar to the embodiment in which the light absorbing layer completely covers at least one of the metal patterns, and details are not described herein again.
  • the area of the overlapping area of the wave plate and the pixel display area is smaller than the area of the pixel display area and the area of the overlapping area of the light absorbing layer and the pixel display area.
  • Embodiments that are smaller than the area of the pixel display area are similar, and are not described herein again.
  • the polarizer may not completely cover the wave plate.
  • the wave plate and the polarizer completely overlap and the area of the wave plate is larger than the area of the polarizer, or the wave plate and the polarizer completely overlap.
  • the wave plate in the embodiment of the present invention includes a wave plate and a wave plate.
  • the crystal axis of the wave plate is 15 degrees, and the crystal axis of the wave plate is 75 degrees.
  • the present invention is implemented.
  • the ⁇ " wave plate in the example is located above or below the wave plate.
  • the wave plate in the embodiment of the invention can be combined with the polarizer to reduce the negative influence of external light on the display effect of the OLED display device.
  • the wave plate in the embodiment of the present invention may also be other types of wave plates or wave plate combinations, as long as it can cooperate with the polarizer to reduce external light to the OLED display device. Show the negative effects of the effect.
  • the light absorbing layer does not overlap the pixel display area.
  • the size of the pixel is relatively small, when the light-absorbing layer and the pixel display region do not overlap, it is ensured that the pixel has a large transmittance.
  • the size threshold can be set according to needs, experience, or specific application scenarios.
  • the display device is an OLED display device.
  • the OLED display device includes a first substrate 1 , a gate 2 on the first substrate 1 , a gate insulating layer 3 on the first substrate 1 and covering the gate 2 .
  • the OLED display device further includes a second substrate disposed on the first substrate substrate 1
  • the wave plate 14A, the wave plate 14B, and the planarization layer 15 which are sequentially stacked on the inner side surface of the second base substrate 13, and the polarizing layer including the light absorbing layer 16A on the outer side surface of the second base substrate 13
  • the sheet 16; wherein the polarizer 16 further includes a TAC layer 16B.
  • the length and width of the light absorbing layer of the wave plate and the polarizer may be determined according to the principle of light reflection and the principle of refraction. Embodiments for determining the length and width of the light absorbing layer of the wave plate and the polarizer will be described below in a specific embodiment.
  • the light absorption layer of the wave plate and the polarizer is determined by taking the gate as a metal pattern and the structure of the OLED display device as shown in FIG. 3 as an example.
  • An embodiment of the width is described, wherein the dimension of the gate in a direction parallel to the gate line is the width dimension of the gate.
  • the width of the wave plate can be obtained according to the following formula:
  • S is the width value of the wave plate and S m is the width value of the gate.
  • d is the value of the distance from the gate to the waveplate.
  • the wave plate 14B, the "wave plate 14A" and the light absorbing layer 16A of the polarizer are located directly above the gate electrode 2;
  • n1 is the refractive index of the medium where the refraction angle is located
  • n2 is the refractive index of the medium where the incident angle is located
  • w, h, m, nl, and n2 are known quantities, and thus according to the above four equations (Formula 2 - Formula 5) It is possible to approximate "sum"; according to formula 5, the difference between the width value of the light absorbing layer and the width value of the wave plate and the wave plate can be finally obtained; thus, the width value of the light absorbing layer can be finally obtained.
  • a method for fabricating a display device includes:
  • Step 501 Form an area of at least one overlapping region with the pixel display region on the first substrate and the second substrate in the oppositely disposed first substrate and the second substrate to be smaller than an area of the pixel display region.
  • a metal pattern and forming a polarizer including a light absorbing layer on an outer side surface of the second substrate opposite the first substrate;
  • Step 502 The first substrate and the second substrate are paired with the second substrate, so that the light absorbing layer covers at least one of the metal patterns, and the light absorbing layer and the pixel are displayed.
  • the area of the overlapping area of the area is smaller than the area of the pixel display area.
  • the method further includes:
  • the wave plate Forming a wave plate on an inner side surface of the second base substrate, so that after the first base substrate and the second base substrate are paired, the wave plate covers at least one of the metal a pattern, an area of the overlapping area of the wave plate and the pixel display area is smaller than an area of the pixel display area, and the polarizer completely covers the wave plate.
  • the method further includes: A planarization layer covering the wave plate is formed.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种显示装置及其制作方法,用以解决现有技术中存在的OLED显示装置的用于显示的光线的透过率比较低的问题。本发明实施例提供一种显示装置,包括相对设置的第一衬底基板(1)和第二衬底基板(13),所述第一衬底基板(1)上具有至少一个金属图案,其中所述金属图案与像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积,其特征在于,还包括:位于第二衬底基板(13)背向第一衬底基板(1)的外侧面上的偏光片(16);所述偏光片(16)包括的聚乙烯醇PVA层(16A)全面覆盖至少一个所述金属图案,并且,所述PVA层(16A)与所述像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积。本发明提高了OLED显示装置的用于显示的光线的透过率。

Description

一种显示装置及其制作方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域, 特别涉及一种显示装置及其制作方法。 背景技术
釆用 OLED ( Organic Light-Emitting Diode, 有机发光二极管)的显示 装置是一种新型的显示装置, 与液晶显示装置相比, 0LED显示装置具有 自发光、 响应速度快和宽视角等优点, 而且可以进行柔性显示、 透明显示 和 3D显示, 因而得到了快速发展与普及。
OLED显示装置内部包含金属部件, 当外界光射入到其上时, 由于金 属具有较强的反射系数, 因而会将射入到其上的大部分外界光反射出去, 从而对 OLED显示装置的显示效果产生消极影响。
为了减小外界光对 OLED显示装置显示效果的消极影响, 如图 1所 示, 目前的 OLED显示装置的第二衬底基板 13上整面设置有依次层叠的 波片 14和包含光吸收(例如聚乙烯醇 Polyvinyl Alcohol, 简称 PVA )层
16A的偏光片 16。 下面以偏光片为垂直偏光片、 波片包括^"波片和 波 片为例, 对光吸收层吸收外界光的反射光, 以减小外界光对 OLED显示 装置显示效果的消极影响的原理进行简单说明:外界光通过垂直偏光片后
λ λ
成为垂直偏振光, 该垂直偏振光通过^ "波片和 波片后成为左圓偏振光, λ 该左圓偏振光经过金属反射后成为右圓偏振光, 该右圓偏振光通过 波 λ
片和 波片后成为水平偏振光, 该水平偏振光不能通过垂直偏光片, 并 被光吸收层吸收。
由于目前 OLED 显示装置的第二衬底基板上整面设置有依次层叠的 波片和包含光吸收层的偏光片, 因而 OLED显示装置的用于显示的光线 需要依次通过所述波片和偏振片,而所述波片会损耗掉部分所述用于显示 的光线, 所述偏振片包含的光吸收也会吸收大部分所述用于显示的光线, 从而导致所述用于显示的光线的透过率比较低。
综上所述, 目前 OLED显示装置的第二衬底基板上整面设置有依次 层叠的波片和包含光吸收层的偏光片,从而导致所述用于显示的光线的透 过率比较低。 发明内容
本发明的目的旨在解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一 个方面。
本发明提供一种显示装置及其制作方法,用以解决现有技术中存在的 显示装置的用于显示的光线的透过率比较低的问题。
根据本发明的一个方面, 提供一种显示装置, 包括:
第一衬底基板, 在所述第一衬底基板上具有至少一个金属图案; 第二衬底基板, 与所述第一衬底基板相对地设置; 和
偏光片,设置在所述第二衬底基板的背向所述第一衬底基板的外侧面 上,
其中,所述金属图案与像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素 显示区域的面积;
其中, 所述偏光片包括光吸收层, 并且所述偏光片的光吸收层全面覆 盖所述至少一个金属图案; 并且
其中,所述偏光片的光吸收层与所述像素显示区域的交叠区域的面积 小于所述像素显示区域的面积。 根据本发明的一个实例性的实施例, 所述显示装置包括波片, 并且所 述波片位于所述第二衬底基板的外侧面上或者内侧面上且位于所述偏光 片的下方。
根据本发明的另一个实例性的实施例,所述波片全面覆盖所述至少一 个金属图案, 并且所述偏光片全面覆盖所述波片; 并且所述波片与所述像 素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积。
根据本发明的另一个实例性的实施例 ,在所述波片位于所述第二衬底 基板的内侧面上时, 所述显示装置还包括包覆所述波片的平坦化层。 根据本发明的另一个实例性的实施例, 所述波片包括 波片和 波 片。
才艮据本发明的另一个实例性的实施例, 所述光吸收层为聚乙烯醇。 根据本发明的另一个实例性的实施例,所述偏光片还包括三醋酸纤维 素层, 其中所述三醋酸纤维素层与所述光吸收层完全重合。
根据本发明的另一个实例性的实施例, 所述金属图案包括栅线、数据 线、 栅极、 源极和漏极中的一种或多种。
根据本发明的另一个实例性的实施例,在所述显示装置包括的像素尺 寸小于设定的尺寸阔值时, 所述光吸收层与所述像素显示区域无交叠。
根据本发明的另一个实例性的实施例, 所述显示装置为 OLED显示 装置。
根据本发明的另一个实例性的实施例,所述金属图案与所述像素显示 区域无交叠、 部分交叠或完全交叠。
根据本发明的另一个实例性的实施例,所述金属图案与所述像素显示 区域完全交叠, 并且所述金属图案的面积小于所述像素显示区域的面积。
才艮据本发明的另一个实例性的实施例,所述偏光片的光吸收层与所述 像素显示区域无交叠、 部分交叠或完全交叠。 才艮据本发明的另一个实例性的实施例 ,所述偏光片的光吸收层与所述 像素显示区域完全交叠,并且所述偏光片的光吸收层的面积小于所述像素 显示区域的面积。
根据本发明的另一个方面,提供一种显示装置的制作方法, 包括以下 步骤:
在第一衬底基板上形成至少一个金属图案, 其中, 所述至少一个金属 图案与像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积; 在第二衬底基板的背向所述第一衬底基板的外侧面上形成包括光吸 收层的偏光片; 和
将所述第一衬底基板和所述第二衬底基板对盒,以使所述光吸收层全 面覆盖所述至少一个金属图案, 其中, 所述光吸收层与所述像素显示区域 的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积。
根据本发明的一个实例性的实施例, 前述方法还包括: 在所述第二衬 底基板的内侧面上形成波片,以使在将所述第一衬底基板和所述第二衬底 基板对盒后, 所述波片全面覆盖至少一个所述金属图案, 并且所述偏光片 全面覆盖所述波片, 其中, 所述波片与所述像素显示区域的交叠区域的面 积小于所述像素显示区域的面积。
根据本发明的另一个实例性的实施例, 在形成所述波片之后, 前述方 法还包括: 形成包覆所述波片的平坦化层。
根据本发明的另一个实例性的实施例, 在前述方法中, 所述波片包括
^"波片和 波片。 根据本发明的另一个实例性的实施例, 在前述方法中, 所述金属图案 包括栅线、 数据线、 栅极、 源极和漏极中的一种或多种。
才艮据本发明的另一个实例性的实施例, 在前述方法中, 所述显示装置 为 OLED显示装置。 与现有技术相比, 在本发明实施例中, 偏光片包括的光吸收层全面覆 盖至少一个金属图案, 从而保证了可以减小外界光对 OLED显示装置显 示效果的消极影响; 而且, 光吸收层与像素显示区域的交叠区域的面积小 于所述像素显示区域的面积,使得在像素显示区域未与光吸收层交叠的区 域的透光率比较高, 从而提高了 OLED显示装置的用于显示的光线的透 过率。 附图说明
图 1为现有技术中 OLED显示装置的截面图;
图 2为本发明实施例中 OLED显示装置的截面图;
图 3为本发明实施例中阵列基板的俯视图;
图 4为本发明实施例提供的阵列基板另一示意图; 和
图 5为本发明实施例的方法流程示意图。 具体实施方式
下面通过实施例, 并结合附图,对本发明的技术方案作进一步具体的 说明。 在说明书中, 相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。 下述 参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解 释, 而不应当理解为对本发明的一种限制。
根据本发明的一个总体构思, 提供一种显示装置, 包括: 第一衬底基 板, 在所述第一衬底基板上具有至少一个金属图案; 第二衬底基板, 与所 述第一衬底基板相对地设置; 和偏光片,设置在所述第二衬底基板的背向 所述第一衬底基板的外侧面上, 其中, 所述金属图案与像素显示区域的交 叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积; 其中, 所述偏光片包括光吸 收层, 并且所述偏光片的光吸收层全面覆盖所述至少一个金属图案; 并且 其中,所述偏光片的光吸收层与所述像素显示区域的交叠区域的面积小于 所述像素显示区域的面积。
由于偏光片包括的光吸收层全面覆盖至少一个金属图案,从而保证了 可以减小外界光对显示装置显示效果的消极影响; 而且, 光吸收层与像素 显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积,使得在像素显 示区域未与光吸收层交叠的区域的透光率比较高,从而提高了显示装置的 用于显示的光线的透过率。
下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步详细描述。
较佳地,本发明实施例提供的显示装置包括相对设置的第一衬底基板 和第二衬底基板, 所述第一衬底基板上具有至少一个金属图案, 其中所述 金属图案与像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面 积; 另外, 所述显示装置还包括: 位于第二衬底基板背向第一衬底基板的 外侧面上的偏光片。
所述偏光片包括的光吸收层全面覆盖至少一个所述金属图案, 并且, 所述光吸收层与所述像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示 区 i或的面积、。
实施中, 以 OLED显示装置为例, 通过控制偏光片中吸收材料光吸 收层的图形的覆盖区域, 使得光吸收层能够吸收金属图案反射的外界光, 以减小外界光对 OLED显示装置显示效果的消极影响; 而且, 使得光吸 收层未遮挡住所有像素显示区域,从而使得在像素显示区域未与光吸收层 交叠的区域的透光率比较高, 以提高 OLED显示装置的用于显示的光线 的透过率; 即, 本发明实施例在实现减小外界光对 OLED显示装置显示 效果的消极影响的同时, 可实现提高 OLED显示装置的用于显示的光线 的透过率 (即, 提高像素透过率)。
较佳地,本发明实施例中的金属图案可以为显示装置的阵列基板包含 的任一种满足如下条件的金属图案:与像素显示区域的交叠区域的面积小 于像素显示区域的面积。 较佳地, 本发明实施例中的金属图案包括金属线、金属电极和金属膜 层。
较佳地, 本发明实施例中的金属图案包括栅线、 数据线、 栅极、 源极 和漏极中的一种或多种。
需要说明的是,阵列基板包含的交叉设置且相互绝缘的栅线和数据线 界定了多个像素, 其中, 对于界定的每个像素, 所述像素对应的区域可以 分为显示区域和非显示区域;本发明实施例中的像素显示区域为像素的用 于显示的显示区域, 即, 像素的透光区域。
比如, 以 OLED显示装置为例, 如图 2所示, 阵列基板的每个像素 包含有机发光层 11和与有机发光层 11位于同层的 PDL(像素定义层)12, 其中, OLED显示装置的像素显示区域为相邻两个 PDL12之间的有机发 光层 11对应的区域。
较佳地,位于第一衬底基板上的每个所述金属图案与像素显示区域的 交叠区域的面积均小于所述像素显示区域的面积。
较佳地,在金属图案与像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素 显示区域的面积时, 金属图案与像素显示区域存在如下三种位置关系:
1、 金属图案与像素显示区域无交叠;
2、 金属图案与像素显示区域仅部分交叠;
3、 金属图案与像素显示区域完全交叠, 并且, 金属图案的面积小 于像素显示区域的面积。
下面将对本发明实施例中光吸收层全面覆盖至少一个所述金属图案 的实施方式进行介绍。
1、 光吸收层全面覆盖全部所述金属图案。
较佳地,全部所述金属图案与像素显示区域的交叠区域的面积小于像 素显示区域的面积, 光吸收层全面覆盖全部所述金属图案。
实施中, 可以保证外界光对 OLED显示装置显示效果的消极影响的 程度比较低, 还可以保证提高 OLED 显示装置的用于显示的光线的透过 率。
具体实施中,在全部所述金属图案与像素显示区域的交叠区域的面积 小于像素显示区域的面积时,光吸收层也可以全面覆盖部分所述金属图案。
2、 光吸收层全面覆盖部分所述金属图案。
较佳地, 在金属图案与像素显示区域之间不满足如下关系时: 全部所 述金属图案与像素显示区域的交叠区域的面积小于像素显示区域的面积, 光吸收层全面覆盖部分金属图案。
实施中, 可以保证减小外界光对 OLED显示装置显示效果的消极影 响, 还可以保证提高 OLED显示装置的用于显示的光线的透过率。
较佳地,在光吸收层与像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素 显示区域的面积时, 光吸收层与像素显示区域存在如下三种位置关系:
( 1 ) 光吸收层与像素显示区域无交叠;
( 2 ) 光吸收层与像素显示区域仅部分交叠;
( 3 ) 光吸收层与像素显示区域完全交叠, 并且, 光吸收层的面积小 于像素显示区域的面积。
较佳地, 所述偏光片还包括 TAC (三醋酸纤维素)层, 其中所述 TAC 层与所述光吸收层完全重合。
实施中,可以保证提高 OLED显示装置的用于显示的光线的透过率。 具体实施中, TAC层与光吸收层也可以不完全重合。
较佳地,所述显示装置包括的波片位于所述第二衬底基板的外侧面上 或者内侧面上且位于所述偏光片的下方。
较佳地, 在所述波片位于所述第二衬底基板的内侧面上时,还包括包 覆所述波片的平坦化层。
实施中, 平坦化层可以使得第二衬底基板的内侧面表面平整。
具体实施中, 波片也可以集成到偏光片中, 作为偏光片包含的膜层。 较佳地, 所述波片全面覆盖至少一个所述金属图案, 所述波片与所述 像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积, 并且, 所 述偏光片全面覆盖所述波片。
实施中, 通过控制波片的图形的覆盖区域, 实现在减小外界光对
OLED显示装置显示效果的消极影响的同时,提高 OLED显示装置的用于 显示的光线的透过率。
具体实施中,本发明实施例中波片全面覆盖至少一个所述金属图案的 实施方式与光吸收层全面覆盖至少一个所述金属图案的实施方式类似,在 此不再赘述。
具体实施中,本发明实施例中波片与所述像素显示区域的交叠区域的 面积小于所述像素显示区域的面积的实施方式与光吸收层与所述像素显 示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积的实施方式类似, 在此不再赘述。
具体实施中, 偏光片也可以不全面覆盖波片, 比如, 波片与偏光片完 全交叠且波片的面积大于偏光片的面积, 或者, 波片与偏光片完全重合, 具体可以根据实际应用场景设定。 较佳地, 本发明实施例中的波片包括^"波片和 波片。 较佳地, 波片的晶轴为 15度, 波片的晶轴为 75度。 具体实施中, 本发明实施例中的^"波片位于 波片的上方或者下方。 实施中, 本发明实施例中的波片可以和偏光片配合, 实现减小外界光 对 OLED显示装置显示效果的消极影响。
需要说明的是,本发明实施例中的波片也可以为其他类型的波片或者 波片组合, 只要能够和偏光片配合实现减小外界光对 OLED显示装置显 示效果的消极影响即可。
较佳地, 在所述显示装置包括的像素尺寸小于设定的尺寸阔值时, 所 述光吸收层与像素显示区域无交叠。
实施中, 对于高分辨率显示装置, 由于其像素的尺寸比较小, 在光吸 收层与像素显示区域无交叠时, 可以保证其具有较大的透过率。
具体实施中, 尺寸阔值可以根据需要、 经验或者具体应用场景设定。 较佳地, 所述显示装置为 OLED显示装置。
下面将以一个具体的实施例, 对本发明实施例中的 OLED显示装置 的结构进行介绍。
实施例一
如图 2所示, OLED显示装置包括第一衬底基板 1 , 位于第一衬底基 板 1上的栅极 2, 位于第一衬底基板 1上、 且全面覆盖栅极 2的栅绝缘层 3 ,位于栅绝缘层 3上的有源层 4,位于有源层 4上的 ESL (刻蚀阻挡层) 5, 位于 ESL5上、 且分别位于 ESL5两侧的源极 6A和漏极 6B, 位于源 极 6A和漏极 6B上的 PVX (钝化层) 7,位于 PVX7上的 Resin (平坦层 ) 8, 位于 Resin8上、 且通过过孔与漏极 6B电性连接的 Anode (阳极) 9, 位于 Anode9上的有机发光层 11和 PDL12, 以及位于有机发光层 11和 PDL12上的 Cathode (阴极) 10;
OLED 显示装置还包括与第一衬底基板 1 对盒设置的第二衬底基板
13 ,位于第二衬底基板 13内侧面、且依次层叠的^"波片 14A、 波片 14B 和平坦化层 15, 以及位于第二衬底基板 13外侧面的、 包含光吸收层 16A 的偏光片 16; 其中, 偏光片 16还包括 TAC层 16B。
具体实施中,对于外界光从多个方向入射到显示装置的应用场景, 可 以根据光线反射原理和折射原理,确定波片和偏光片的光吸收层的长度和 宽度。 下面将以一个具体实施例,对确定波片和偏光片的光吸收层的长度和 宽度的实施方式进行介绍。
实施例二
需要说明的是, 为了简化计算, 在本发明实施例二中, 以栅极为金属 图案, 以及 OLED显示装置结构为如图 3所示的结构为例, 对确定波片 和偏光片的光吸收层的宽度的实施方式进行介绍, 其中, 栅极在与栅线平 行方向的尺寸为栅极的宽度尺寸。
1、 确定波片的宽度值。 如图 3所示, 波片 14B、 ^"波片 14A和偏光片的光吸收层 16A 位于栅极 2的正上方。
假设入射到栅极 2上的外界光的入射角度为 6> e ( 0°, 90。), 则根据 正切定理, 可以根据下列公式一得出波片的宽度可以:
S= AS + Sm; 公式一
其中, S为波片的宽度值, Sm为栅极的宽度值,
Figure imgf000013_0001
d 为栅极到波片之间的距离值。
比如, 为 60° , d为 5微米, 栅极的宽度为 5微米, 则 1/2 λ波片 和 1/4 λ波片的宽度值为: S=Sm+ A S=5+5.8=10.8微米。
2、 确定光吸收层的宽度值。 如图 4所示, 波片 14B、 ^"波片 14A和偏光片的光吸收层 16A 位于栅极 2的正上方;
根据图 4 , 可以构造出如下等式关系:
1、 tan a = ^-; 公式二 2、 tan ? =―; 公式三
m
3、 xl + x2 = w ; 公式四
sin a _ n2
4、 — ^ =— r ; 公式五
sm β n\
其中, nl为折射角所在介质的折射率, n2为入射角所在介质的折射 率, w、 h、 m、 nl和 n2为已知量, 因而根据上述四个等式(公式二 -公式 五) 可以近似求出 "和 ; 根据公式五可以最终得出光吸收层的宽度值与 波片和 ^"波片的宽 度值差值; 从而可以最终得出光吸收层的宽度值。
较佳地, 如图 5所示, 本发明实施例提供的显示装置的制作方法, 包 括:
步骤 501、 在相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板中的所述第一 衬底基板上形成至少一个与像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像 素显示区域的面积的金属图案; 以及, 在所述第二衬底基板背向所述第一 衬底基板的外侧面上形成包括光吸收层的偏光片;
步骤 502、 将所述第一衬底基板和所述第二衬底基板对盒, 以使所述 光吸收层全面覆盖至少一个所述金属图案, 并且, 所述光吸收层与所述像 素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积。
较佳地, 该方法还包括:
在所述第二衬底基板的内侧面上形成波片,以使在将所述第一衬底基 板和所述第二衬底基板对盒后 ,所述波片全面覆盖至少一个所述金属图案 , 所述波片与所述像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示区域 的面积, 并且, 所述偏光片全面覆盖所述波片。
较佳地, 在形成所述波片之后, 还包括: 形成包覆所述波片的平坦化层。
具体实施中, 与现有技术中偏振片的贴合技术相比,对本发明实施例 中的偏振片进行贴合时需要较高的精度控制。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知 了基本创造性概念, 则可对这些实施例作出另外的变更和修改。 所以, 所 附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更 和修改。 本发明的精神和范围。 这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权 利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在 内。

Claims

权 利 要 求
1、 一种显示装置, 其特征在于, 包括:
第一衬底基板, 在所述第一衬底基板上具有至少一个金属图案; 第二衬底基板, 与所述第一衬底基板相对地设置; 和
偏光片,设置在所述第二衬底基板的背向所述第一衬底基板的外侧面 上,
其中,所述金属图案与像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素 显示区域的面积;
其中, 所述偏光片包括光吸收层, 并且所述偏光片的光吸收层全面覆 盖所述至少一个金属图案; 并且
其中,所述偏光片的光吸收层与所述像素显示区域的交叠区域的面积 小于所述像素显示区域的面积。
2、 如权利要求 1所述的显示装置, 其特征在于,
所述显示装置包括波片,并且所述波片位于所述第二衬底基 面上或者内侧面上且位于所述偏光片的下方。
3、 如权利要求 2所述的显示装置, 其特征在于,
所述波片全面覆盖所述至少一个金属图案,并且所述偏光片全面覆盖 所述波片; 并且
所述波片与所述像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示 区 i或的面积、。
4、 如权利要求 3所述的显示装置, 其特征在于, 在所述波片位于所述第二衬底基板的内侧面上时,所述显示装置还包 括包覆所述波片的平坦化层。 λ
5、 如权利要求 3所述的显示装置, 其特征在于, 所述波片包括 ^"波 λ
片和 波片。
6、 如权利要求 1所述的显示装置, 其特征在于, 所述光吸收层为聚 乙烯醇。
7、 如权利要求 6所述的显示装置, 其特征在于, 所述偏光片还包括 三醋酸纤维素层, 其中所述三醋酸纤维素层与所述光吸收层完全重合。
8、 如权利要求 1所述的显示装置, 其特征在于, 所述金属图案包括 栅线、 数据线、 栅极、 源极和漏极中的一种或多种。
9、 如权利要求 1~8任一所述的显示装置, 其特征在于,
在所述显示装置包括的像素尺寸小于设定的尺寸阔值时,所述光吸收 层与所述像素显示区域无交叠。
10、 如权利要求 9 所述的显示装置, 其特征在于, 所述显示装置为 OLED显示装置。
11、 如权利要求 1所述的显示装置, 其特征在于, 所述金属图案与所 述像素显示区域无交叠、 部分交叠或完全交叠。
12、 如权利要求 11所述的显示装置, 其特征在于,
所述金属图案与所述像素显示区域完全交叠 ,并且所述金属图案的面 积小于所述像素显示区域的面积。
13、 如权利要求 1所述的显示装置, 其特征在于, 所述偏光片的光吸 收层与所述像素显示区域无交叠、 部分交叠或完全交叠。
14、 如权利要求 13所述的显示装置, 其特征在于,
所述偏光片的光吸收层与所述像素显示区域完全交叠,并且所述偏光 片的光吸收层的面积 d、于所述像素显示区域的面积。
15、 一种显示装置的制作方法, 包括以下步骤:
在第一衬底基板上形成至少一个金属图案, 其中, 所述至少一个金属 图案与像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积; 在第二衬底基板的背向所述第一衬底基板的外侧面上形成包括光吸 收层的偏光片; 和
将所述第一衬底基板和所述第二衬底基板对盒,以使所述光吸收层全 面覆盖所述至少一个金属图案, 其中, 所述光吸收层与所述像素显示区域 的交叠区域的面积小于所述像素显示区域的面积。
16、 如权利要求 15所述的方法, 还包括:
在所述第二衬底基板的内侧面上形成波片,以使在将所述第一衬底基 板和所述第二衬底基板对盒后 ,所述波片全面覆盖至少一个所述金属图案 , 并且所述偏光片全面覆盖所述波片,
其中 ,所述波片与所述像素显示区域的交叠区域的面积小于所述像素 显示区域的面积。
17、如权利要求 16所述的方法,其特征在于,在形成所述波片之后, 还包括:
形成包覆所述波片的平坦化层。 λ
18、 如权利要求 17所述的方法, 其特征在于, 所述波片包括 波片 λ
和 波片。
19、 如权利要求 15所述的方法, 其特征在于, 所述金属图案包括栅 线、 数据线、 栅极、 源极和漏极中的一种或多种。
20、如权利要求 15所述的方法,其特征在于,所述显示装置为 OLED 显示装置。
PCT/CN2014/076132 2014-01-28 2014-04-24 一种显示装置及其制作方法 WO2015113331A1 (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/435,966 US9419251B2 (en) 2014-01-28 2014-04-24 Display device and method of manufacturing the same
EP14861180.9A EP3101690B1 (en) 2014-01-28 2014-04-24 Display device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410041270.7 2014-01-28
CN201410041270.7A CN103811532B (zh) 2014-01-28 2014-01-28 一种显示装置及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015113331A1 true WO2015113331A1 (zh) 2015-08-06

Family

ID=50708042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2014/076132 WO2015113331A1 (zh) 2014-01-28 2014-04-24 一种显示装置及其制作方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9419251B2 (zh)
EP (1) EP3101690B1 (zh)
CN (1) CN103811532B (zh)
WO (1) WO2015113331A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103811532B (zh) * 2014-01-28 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其制作方法
CN104538421B (zh) * 2014-12-16 2018-07-13 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示基板及其制造方法
CN104914615A (zh) * 2015-06-29 2015-09-16 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其制造方法
CN105808065B (zh) * 2016-03-10 2020-06-23 联想(北京)有限公司 一种电子设备及显示控制方法
CN109616587B (zh) * 2018-12-04 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法和显示装置
CN109659340B (zh) * 2018-12-12 2021-01-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板以及显示面板的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101589648A (zh) * 2006-11-08 2009-11-25 乐金显示有限公司 有机发光装置
WO2013039072A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 シャープ株式会社 発光デバイス、表示装置、照明装置および発電装置
CN203707189U (zh) * 2014-01-28 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3748406B2 (ja) * 2001-12-18 2006-02-22 株式会社日立製作所 表示装置
TWI263091B (en) * 2003-02-27 2006-10-01 Innolux Display Corp A black matrix, color filter and method for manufacturing the same, liquid crystal display
JP4184189B2 (ja) * 2003-08-13 2008-11-19 株式会社 日立ディスプレイズ 発光型表示装置
JP4223992B2 (ja) * 2004-05-25 2009-02-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR20080092466A (ko) * 2006-02-02 2008-10-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
US7990051B2 (en) * 2006-11-08 2011-08-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device
JP2010032768A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Hitachi Displays Ltd 表示装置およびその製造方法
KR100995067B1 (ko) * 2009-01-21 2010-11-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5473506B2 (ja) * 2009-09-14 2014-04-16 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド カラーフィルタ及び発光表示素子
KR101698544B1 (ko) * 2009-12-02 2017-01-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시모듈
KR101233348B1 (ko) * 2010-06-09 2013-02-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101780250B1 (ko) * 2010-09-24 2017-09-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR101784994B1 (ko) * 2011-03-31 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120127085A (ko) * 2011-05-13 2012-11-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
DE102011056836B4 (de) * 2011-06-22 2020-12-24 Lg Display Co., Ltd. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung
KR101885698B1 (ko) * 2011-06-27 2018-08-07 삼성디스플레이 주식회사 광투과율 제어가 가능한 표시장치
US9891361B2 (en) * 2011-08-05 2018-02-13 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101457769B1 (ko) * 2011-12-15 2014-11-13 주식회사 엘지화학 반사형 편광판
JP5949205B2 (ja) * 2012-06-22 2016-07-06 大日本印刷株式会社 カラーフィルタ
KR101480928B1 (ko) * 2012-08-07 2015-01-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
JP5964807B2 (ja) * 2013-08-30 2016-08-03 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル有機電界発光装置及びその製造方法
KR102092082B1 (ko) * 2013-11-11 2020-03-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
CN103682158A (zh) * 2013-12-10 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其制备方法及显示装置
CN103682155A (zh) * 2013-12-10 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示器件、其光学薄膜层叠体及制备方法
CN103811532B (zh) * 2014-01-28 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其制作方法
KR102493417B1 (ko) * 2022-10-19 2023-02-01 쌍신전자통신주식회사 적층형 패치 안테나

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101589648A (zh) * 2006-11-08 2009-11-25 乐金显示有限公司 有机发光装置
WO2013039072A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 シャープ株式会社 発光デバイス、表示装置、照明装置および発電装置
CN203707189U (zh) * 2014-01-28 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3101690A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN103811532B (zh) 2016-07-06
EP3101690A4 (en) 2017-10-25
US20160028046A1 (en) 2016-01-28
EP3101690B1 (en) 2021-08-18
CN103811532A (zh) 2014-05-21
US9419251B2 (en) 2016-08-16
EP3101690A1 (en) 2016-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015113331A1 (zh) 一种显示装置及其制作方法
CN103207426B (zh) 一种偏光片及显示装置
KR101961427B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이를 제조하는 방법
US20160320885A1 (en) Display device with touch sensor
WO2016070542A1 (zh) 阵列基板、液晶显示面板及显示装置
WO2020258869A1 (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
TWI553881B (zh) 薄膜電晶體基板
US9664973B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
WO2022001412A1 (zh) 触控基板及触控显示装置
TW201022793A (en) Liquid crystal display device with touch screen function
WO2018041081A1 (zh) 阵列基板、显示面板及制作方法和显示装置
KR20150057850A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20150001022A (ko) 편광 소자, 이를 포함하는 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR20200037765A (ko) 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
US20150138476A1 (en) Liquid crystal display device
TW201500769A (zh) 可切換式平面/立體(2d/3d)顯示裝置及其製造方法
WO2014187104A1 (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
KR102526936B1 (ko) 표시 패널 및 표시 패널용 모기판
KR102090562B1 (ko) 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP2011017878A5 (zh)
US10101615B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal panel and display device
US11042068B2 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, display device
WO2015003406A1 (zh) 一种tft-lcd阵列基板及显示装置
US9746711B2 (en) Pixel structure and liquid-crystal display
TWI692089B (zh) 顯示裝置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14435966

Country of ref document: US

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2014861180

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2014861180

Country of ref document: EP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14861180

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE