CN101589648A

CN101589648A - 有机发光装置

Info

Publication number: CN101589648A
Application number: CNA2007800414823A
Authority: CN
Inventors: 具弘谟
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Electronics Inc; LG Display Co Ltd
Priority date: 2006-11-08
Filing date: 2007-07-24
Publication date: 2009-11-25
Anticipated expiration: 2027-07-24
Also published as: KR100784554B1; CN101589648B

Abstract

公开了一种有机发光装置。该有机发光装置包括：显示面板；偏光器，该偏光器位于所述显示面板上并包括延迟器和偏光膜。该偏光膜包括基层和位于该基层内的屏蔽图案。该屏蔽图案靠近所述显示面板的区域比该屏蔽图案远离所述显示面板的区域大。所述屏蔽图案形成在所述显示面板的非发射区域中。

Description

有机发光装置

技术领域

示例性实施方式涉及一种有机发光装置。

背景技术

在显示装置中，有机发光装置具有诸如快速响应时间和低功耗之类的优点。而且，因为有机发光装置不需要背光单元，所以有机发光装置可以制造得薄且轻。

有机发光装置包括发射单元，该发射单元包括位于阳电极与阴电极之间的有机发射层。有机发光装置通过结合从阳电极接收的空穴和从阴电极接收的电子而在有机发射层内形成激子(该激子为电子空穴对)，并通过激子恢复到基态能级时产生的能量而发射光。

发明内容

技术问题

有机发光装置由于从各个亚像素发射的光而显示图像，并且从外部进入的光入射在有机发光装置的发光面板上。然而，因为入射在发光面板上的光与从发光面板发射的光发生干涉，所以有机发光装置的对比度被降低了。

技术方案

有机发光装置包括显示面板和偏光器，该偏光器位于所述显示面板上并包括延迟器和偏光膜。所述偏光膜包括基层和位于该基层内的屏蔽(shiel ding)图案。所述屏蔽图案靠近所述显示面板的区域比所述屏蔽图案远离所述显示面板的区域大。所述屏蔽图案形成在所述显示面板的非发射区域中。

有利效果

由于根据示例性实施方式的有机发光装置包括屏蔽图案，因此从外界进入的光被屏蔽，从而提高了对比度。入射在有机发光装置上的外部光消失，从而改善了图像质量。

附图说明

附图示出了本发明的实施方式并与说明书一起来说明本发明的原理，包含附图是为了进一步理解本发明，并且这些附图结合在本说明书中并构成本说明书的一部分。在附图中：

图1是根据示例性实施方式的有机发光装置的侧剖视图；

图2是图1的部分Z的放大视图；

图3和图4是在根据另一示例性实施方式的有机发光装置中图1的部分Z的放大视图；

图5至图7是根据示例性实施方式的偏光膜的立体图；以及

图8是根据示例性实施方式的有机发光装置的平面图。

具体实施方式

下面将对在附图中示出的发明实施例的实施方式进行详细描述。

图1是根据示例性实施方式的有机发光装置的侧剖视图。

如图1所示，根据示例性实施方式的有机发光装置包括有机发光面板100和位于该有机发光面板100的发射表面上的偏光器170。

偏光器170包括延迟器175和位于该延迟器175上的偏光膜180。偏光膜180包括基层180a和屏蔽图案180b。基层180a可以包含碘类材料或染料类材料。屏蔽图案180吸收或反射从外界进入的光。屏蔽图案180可以成形为类似楔形。因此，屏蔽图案180靠近有机发光面板100的区域可以比屏蔽图案180远离有机发光面板100的区域大。屏蔽图案180可具有诸如圆锥形和四棱锥形之类的角形和诸如柱形和四棱柱之类的棱柱形状。

附着层177a和177b可位于有机发光面板100与延迟器175之间或延迟器175与偏光膜180之间。

图2是图1的部分Z的放大视图。

如图2所示，设有第一基板110。第一基板110可以由玻璃、塑料或金属形成。第一电极150位于第一基板110上。第一电极150可以是阳电极。第一电极150可以包括诸如氧化铟锡(ITO)层之类的透明导电氧化层。存储层(bank layer)155位于第一电极150上，以露出第一电极150的一部分并限定发射区域。第一电极150由存储层155露出的区域限定为发射区域E。除了发射区域E之外的区域限定为非发射区域N。换言之，存储层155可沿着发射区域E的外侧形成，并且存储层155的边缘可以倾斜而具有渐缩形状。

倒梯形(trapper-shaped)阻挡肋163可位于存储层155上。有机发射层160位于第一电极150由存储层155露出的区域上，第二电极165位于有机发射层160上。第二电极165可以是阴电极。第二电极165可以通过阻挡肋163而形成图案。第二电极165可以由诸如铝(Al)、镁(Mg)和银(Ag)之类的具有低功函数和优良反射率的材料形成。有机发射层160从第一电极150接收空穴并从第二电极165接收电子而形成激子。因而，有机发光装置由于激子恢复到基态能级时产生的光而显示图像。

上面形成有有机发光二极管(OLED)的第一基板110可以附着到第二基板167，以防止有机发光二极管(OLED)受到外部潮气和氧气的影响。

从有机发射层160发射的光被第二电极165反射，因而有机发射层160沿着第一基板110的后方向发射光。因此，根据该示例性实施方式的有机发光装置为底部发射型装置。

偏光器170位于第一基板110的后表面上。附着层177a可以位于有机发光面板100与偏光器170之间。

偏光器170可以包括延迟器175以及包括基层180a和屏蔽图案180b的偏光膜180。

延迟器175可以是四分之一波片。延迟器175使从外界进入的光波的相位或从有机发光面板100发射的光波的相位延迟四分之一个波长。

偏光膜180位于延迟器175上。附着层177b可以位于延迟器175与偏光膜180之间。

基层180a可以包括碘类材料或染料类材料。更具体地说，通过根据由其分子结构确定的偏光方向拉伸均具有不同光吸收特性的碘类材料或染料类材料并将被拉伸的碘类材料或染料类材料沿着一个方向排列可以制成基层180a。为了在可见光的整个区域都能够获得偏光特性，基层180a可以包括均具有不同吸收区域的碘类材料或两种或更多种二色性染料类材料。

基层180a的最大有效偏光值可以调整成与面板100的发光度曲线中的最大值相对应的波长或与外部光波的最大强度相对应的波长。

基层180a的透射率和极化率在红色、绿色和蓝色波长中彼此之间可以不同。例如，基层180a的透射率可以增加，而基层180a的极化率在红色和绿色波长中可以降低。基层180a的透射率和极化率可以调节成与红色、绿色和蓝色的亚像素的压力电压相比光效率最大。

屏蔽图案180b位于基层180a内部。屏蔽图案180b可以形成在与位于非发射区域N中的存储层155相对应的位置处。由于发射区域E是指第一电极150的露出区域，即有机发射层160与第一电极150的接触区域，因此屏蔽区域180b可以形成在存储层155的倾斜区域中。

屏蔽图案180b的下部部分的区域可以与屏蔽图案180b的上部部分的区域不同。例如，屏蔽图案180b可以具有诸如圆锥形、三棱锥和四棱锥之类的角形、诸如柱形和四棱柱之类的棱柱形、或者楔形形状。屏蔽图案180b形成在基层180a的内部，使得屏蔽图案180b靠近有机发光面板100的区域比屏蔽图案180b远离有机发光面板100的区域大。

屏蔽图案180b可以是不透明的。具体地说，屏蔽图案180b的颜色可以是黑色的。屏蔽图案180b可以包含碳黑、碳纳米管、氧化硅或氮化硅。因此，屏蔽图案180b可以具有光吸收性质或光屏蔽性质。屏蔽图案180b还可以包含金属粉末。如果屏蔽图案180b包括金属粉末，则屏蔽图案180b可以具有电磁干涉屏蔽功能。

因而，当从外界进入的光入射在有机发光装置上时，入射光的一部分在偏光膜180的屏蔽图案180b中被吸收或者被屏蔽图案180b反射。入射光的其余部分被偏光膜180的基层180a反射而入射在延迟器170上。

延迟器175使入射在延迟器175上的光延迟四分之一个波长，并将线性偏振光改变成圆形偏振光，这是因为延迟器175的中心轴与偏光器170的中心轴成45度角。

接着，光穿过延迟器175的部分入射在有机发光面板100上，于是被吸收或漫反射掉。光的其余部分穿过延迟器175并被延迟半个波长。因而，被反射的光再次穿过延迟器175而与外部光形成直角，也就是说没有入射在有机发光装置上，于是消失了。

如上所述，根据示例性实施方式的有机发光装置通过位于非发射区域N的屏蔽图案180b和延迟器175有效地吸收并屏蔽了从外界进入的入射光，而不会降低孔径比，由此增加对比度并提高了有机发光装置的图像质量。

图3和图4是在根据另一示例性实施方式的有机发光装置中图1的部分Z的放大视图。

如图3和图4所示，薄膜晶体管(TFT)和电连接至该薄膜晶体管(TFT)的有机发光二极管(OLED)位于基板210上。

更具体地说，半导体层215位于基板210上。半导体层215可以包括非晶硅或多晶硅。作为栅绝缘层的第一绝缘层220位于半导体层215上，栅极225位于第一绝缘层220上，以与半导体层215相对应。

第二绝缘层230位于栅极225上。源极235a和漏极235b位于第二绝缘层230上，并穿过第二绝缘层230和第一绝缘层220电连接至半导体层215。

第三绝缘层240位于源极235a和漏极235b上。第三绝缘层240可以诸如聚酰亚胺和聚丙稀类树脂之类的有机材料、氧化硅或氮化硅。

第一电极250位于第三绝缘层240上。第一电极250可以穿过第三绝缘层240电连接至漏极235b。第一电极250可以是阳电极。第一电极250可以包括反射金属层和具有高功函数的透明导电层。

存储层255位于第一电极250上。存储层255提供第一电极250之间的电绝缘，并露出第一电极250的一部分。

有机发射层260位于露出的第一电极250上。尽管没有示出，空穴传输层和空穴注入层可以位于第一电极250与有机发射层260之间。此外，电子注入层和电子传输层可位于有机发射层260与第二电极265之间。

第二电极265位于有机发射层260上。第二电极265可以是透射(transmissive)电极，并包括诸如铝(Al)、镁(Mg)和银(Ag)之类的具有低功函数的材料。

因而，有机发射层260从第一电极250接收空穴并从第二电极265接收电子以形成激子。于是，有机发光层260由于激子恢复至基态能级时产生的光而显示图像。从有机发射层260发射的光被第一电极250反射，通过第二电极265透射并被发射到外界。换言之，根据示例性实施例的有机发光装置是顶部发射型有机发光装置。

图3的薄膜晶体管(TFT)包括半导体层215、第一绝缘层220、栅极225、第二绝缘层230、源极235a、漏极235b和第三绝缘层240。虽然在一个实施方式中给出了其中第一电极250形成在第三绝缘层240上的实施例，但是示例性实施方式并不局限与此。例如，如图4所示，第一电极250可以形成在第二绝缘层230上以电连接至漏极235b。

钝化层267位于基板210上，薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)位于该基板210上。钝化层267可以以膜或封装基板的形式形成。钝化层267可以包括透明材料以透射由有机发射层260产生的光。

偏光器270位于钝化层267的后表面上。偏光器270可包括延迟器275和偏光膜280，偏光膜280包括基层280a和屏蔽图案280b。

延迟器275可以是四分之一波片。延迟器275使从外界进入的光波的相位或从有机发光面板200发射的光波的相位延迟四分之一个波长。

偏光膜280的基层280a可以包含碘类材料或染料类材料。基层280a的最大有效偏光值可以调整成与有机发光面板200的发光度曲线中的最大值相对应的波长或与外部光波的最大强度相对应的波长。

屏蔽图案280b位于基层280a内部。屏蔽图案280b可以位于非发射区域N中。换言之，屏蔽图案280b可以位于与存储层255、薄膜晶体管(TFT)或接触孔245相对应的位置处。尽管没有示出，但是除了图3和图4所示的薄膜晶体管(TFT)之外，其他薄膜晶体管或电容器也可以位于该非发射区域N中。

屏蔽图案280b的形成材料的示例可包括碳黑、碳纳米管、氧化硅或氮化硅。屏蔽图案280b还可以包含金属粉末。如果屏蔽图案280b包含金属粉末，则屏蔽图案280b可以具有电磁干涉屏蔽功能。

屏蔽图案280b的下部部分的区域可以与屏蔽图案280b的上部部分的区域不同。例如，屏蔽图案280b可以具有诸如圆锥形、三棱锥和四棱锥之类的角形、诸如柱形和四棱柱之类的棱柱、或者楔形形状。屏蔽图案280b形成在基层280a的内部，使得屏蔽图案280b靠近有机发光面板200的区域比屏蔽图案280b远离有机发光面板200的区域大。

因此，根据示例性实施例的有机发光装置通过位于非发射区域N中的屏蔽图案280b和延迟器275有效地吸收并屏蔽了从外界进入的入射光，而不会降低孔径比，由此增加对比度并提高图像质量。

图5至图7为根据示例性实施方式的偏光膜的立体图。

如图5所示，偏光膜380包括基层380a和屏蔽图案380b。屏蔽图案380b可以具有沿着纵向方向布置的图案与沿着横向方向布置的图案交叉的栅格形式。

所述纵向方向可以是形成数据线的方向，而横向方向可以是形成扫描线的方向。

如图6和图7所示，屏蔽图案480b和580b均可以包括沿着纵向方向布置的图案或沿着横向方向布置的图案。在这种情况下，屏蔽图案480b和580b中的每个的中心轴不必与屏蔽图案480b和580b中的每个的基层成直角。在一些情况下，屏蔽图案480b和580b中的每个的中心轴可以相对于屏蔽图案480b和580b中的每个的基层倾斜。

图8是根据示例性实施方式的有机发光装置的平面图。

如图8所示，根据示例性实施例的有机发光装置包括发射区域E和非发射区域N。如图2和图3所示，发射区域E可以由亚像素SP中的存储层限定。

屏蔽图案680b可以形成在非发射区域N中。屏蔽图案680b沿着横向方向的宽度W可以在10□至30□的范围内。通常，亚像素SP的有机发射层利用遮光板通过真空淀积形成。为了利用遮光板在各个亚像素SP中形成有机发射层，发射区域E之间沿着横向方向的距离(即屏蔽图案680b沿着横向方向的宽度W)可以等于或者大于10□。如果屏蔽图案680b沿着横向方向的宽度W等于或小于30□，则分辨率增加。

屏蔽图案680b沿着纵向方向的宽度H可以从50□至65□。在有源矩阵型有机发光装置的情况下，亚像素SP包括至少两个薄膜晶体管和电容器，以便驱动有机发光二极管。在有源矩阵型有机发光装置为底部发射型装置的情况下，有机发光二极管产生的光在亚像素SP中的薄膜晶体管和电容器的形成区域中不发射到基板的外部。因而，当发射区域E之间沿着纵向方向的距离(例如，屏蔽图案680b沿着纵向方向的宽度H)等于或大于50□时，则确保了薄膜晶体管和电容器的形成区域。当宽度H等于或小于60□时，分辨率增加。

屏蔽图案680b沿着纵向方向的宽度H可以在20□至40□的范围内。在无源矩阵型有机发光装置的情况下，因为亚像素SP不包括用于驱动有机发光二极管的薄膜晶体管，因此发射区域增大。在有源矩阵型有机发光装置为顶部发射型装置的情况下，由有机发光二极管产生的光不发射到基板的后表面而是发射到基板的前表面。因此，尽管顶部发射型有机发光装置包括两个薄膜晶体管和电容器，但是顶部发射型有机发光装置比底部发射型有机发光装置具有更大的发射区域。因而，当屏蔽图案680b沿着纵向方向的宽度H等于或大于20□时，发射层可以形成在每个亚像素中。当宽度H等于或小于40□时，分辨率增加。

在不脱离本发明的精神或范围的情况下，本领域技术人员可以对本发明进行各种修改和改变。因而，只要这些修改和改变落入所附权利要求及其等同物的范围内，本发明就覆盖所有这些修改和改变。

工业实用性

如上所述，由于根据示例性实施方式的有机发光装置包括屏蔽图案，从外界进入的光被屏蔽从而增加了对比度。入射在有机发光装置上的外界光消失，从而提高了图像质量。因此，根据示例性实施方式的有机发光装置具有工业实用性。

Claims

1、一种有机发光装置，该有机发光装置包括：

显示面板；以及

偏光器，该偏光器位于所述显示面板上并包括延迟器和偏光膜，该偏光膜包括基层和位于该基层内的屏蔽图案，该屏蔽图案的靠近所述显示面板的区域比该屏蔽图案的远离所述显示面板的区域大，所述屏蔽图案形成在所述显示面板的非发射区域中。

2、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，该显示面板包括多个位于扫描线和数据线的交叉区域中的亚像素。

3、如权利要求2所述的有机发光装置，其中，所述亚像素包括：第一电极；存储层，该存储层位于所述第一电极上以露出该第一电极的一部分；有机发射层，该有机发射层位于被露出的第一电极上；以及第二电极，该第二电极位于所述有机发射层上。

4、如权利要求3所述的有机发光装置，其中，所述屏蔽图案形成在与所述存储层相对应的位置处。

5、如权利要求3所述的有机发光装置，其中，所述亚像素包括薄膜晶体管或电容器。

6、如权利要求4所述的有机发光装置，其中，所述薄膜晶体管或电容器形成在所述存储层下面。

7、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述延迟器为四分之一波片。

8、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述基层包含碘类材料或染料类材料，并且

所述基层通过拉伸碘类材料或染料类材料然后使被拉伸的碘类材料或染料类材料在一个方向上排列而形成。

9、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述屏蔽图案具有角形、棱柱形或锲形的形状。

10、如权利要求2所述的有机发光装置，其中，所述屏蔽图案是沿着扫描线或数据线的形成方向布置的条带形图案。

11、如权利要求2所述的有机发光装置，其中，所述屏蔽图案是沿着扫描线或数据线的形成方向布置的网格形图案。

12、如权利要求10所述的有机发光装置，其中，沿着所述扫描线的形成方向布置的屏蔽图案的宽度在大约10□至大约30□的范围内。

13、如权利要求10所述的有机发光装置，其中，沿着所述数据线的形成方向布置的屏蔽图案的宽度在大约50□至大约65□的范围内。

14、如权利要求13所述的有机发光装置，其中，沿着所述数据线的形成方向布置的屏蔽图案的宽度在大约20□至大约40□的范围内。

15、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述屏蔽图案是不透明的。

16、如权利要求15所述的有机发光装置，其中，所述屏蔽图案的颜色为黑色。

17、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述屏蔽图案具有光吸收特性或光屏蔽特性。

18、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述屏蔽图案包含碳。