WO2015089884A1 - 波长选择型彩色滤光片及使用该波长选择型彩色滤光片的显示结构 - Google Patents

波长选择型彩色滤光片及使用该波长选择型彩色滤光片的显示结构 Download PDF

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    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate

Definitions

  • the present invention relates to the field of flat display, and more particularly to a wavelength selective type color filter and a display structure using the wavelength selective type color filter. Background technique
  • the flat display device includes a liquid crystal display device (LCD) and an organic electroluminescence (OLED) display device, which have many advantages such as thin body saving, no radiation, and the like, and are widely used.
  • LCD liquid crystal display device
  • OLED organic electroluminescence
  • a display structure of a conventional liquid crystal display device generally includes a TFT (Thin Film Transistor) substrate 100, a CF (Color Filter) substrate 300 disposed opposite to the TFT substrate 100, and a TFT substrate 100 and The liquid crystal 500 between the CF substrates 300, the TFT substrate 100 generally includes: a substrate 102 and a thin film transistor array 104 formed on the substrate 102.
  • the thin film transistor array 104 is formed on the substrate 102 by a mask process; see FIG.
  • the CF substrate 300 includes a substrate 302 and RGB (red, green and blue) color resists 304 and BM (black matrix) 306 formed on the substrate 302.
  • the CF-based plate 300 selectively filters the absorption characteristics of light of a specific wavelength by different color resists 304, so that the transmittance of the absorptive CF substrate 300 is about 2/3, and the light utilization efficiency is low. Poor saturation. Moreover, since the TFT array and the CF are respectively formed on two different substrates, and the alignment is formed to form a display structure, there is a certain precision limitation in the alignment process, thereby affecting the aperture ratio and the utilization ratio of the light.
  • the Fabry-Perot structure is a cavity structure formed by two high-reflectivity diaphragm materials placed in parallel, with the input light reaching the first diaphragm material vertically, passing through the cavity from the first
  • A is the absorption coefficient of the diaphragm material and the material in the cavity
  • R is the reflectance of the diaphragm material
  • 11 is the refractive index of the material in the cavity, 1.
  • ⁇ is the wavelength of light
  • ⁇ ) is the variation of the transmission rate of the FP cavity with wavelength. It can be seen from the above equation that the transmission rate of the FP cavity is related to the wavelength of the light.
  • the Fabry-Perot structure can select the light of different wavelengths by using the nature of the light, and the selection mode is reflective (non-absorptive), so The use of light is more efficient, and the color saturation of the light obtained by the Fabry Perot structure is also better.
  • Applying the Fabry-Perot structure to the color filter can improve the color saturation of the light filtered by the color filter, improve the light utilization efficiency, and make the color filter and the TFT array structure. It is possible to integrate on the same substrate at the same time. Summary of the invention
  • An object of the present invention is to provide a wavelength selective type color filter which utilizes a wavelength selective characteristic of a Fabry-Perot structure to make a filter type reflective ((non-absorptive)) and improve light utilization efficiency.
  • Another object of the present invention is to provide a display structure in which a wavelength selective type color filter and a TFT array structure layer are simultaneously integrated on the same substrate by using a wavelength selective type color filter of a Fabry Perot structure.
  • the present invention provides a wavelength selective type color filter comprising: a first high reflectivity material layer, a first dielectric material layer formed on the first high reflectivity material layer, and formed on a second layer of high reflectivity material on the first layer of dielectric material; the first and second layers of high reflectivity material having at least two fixed spacings between the layers.
  • the first and second high reflectivity material layers are a metal material layer, a non-metal material layer or a composite material layer, and the first and second high reflectivity material layers are single layer or multi-layer structure;
  • the first dielectric The material layer is a metal compound layer, an organic material layer or a composite material layer, and the first dielectric material layer has a single layer structure.
  • the first and second high reflectivity material layers are each a single layer of silver film; the first dielectric material layer is a single layer of silicon dioxide film.
  • the monolayer thin film of silver having a thickness of 20 nm, the first having three fixed spacing between two highly reflective material layer, respectively, are 200 nm, 345 mn, 290 nm tl
  • the present invention also provides a wavelength selective type color filter, comprising: a first high reflectivity material layer, a first dielectric material layer formed on the first high reflectivity material layer, and a first dielectric layer a second high-reflection material layer on the layer of the material; the first and second high-reflectivity material layers have at least two fixed spacings between the layers;
  • the first, reflective material layer is a metal material layer, a non-metal material layer or
  • the layer is a single layer structure.
  • the layer is a single layer of silicon dioxide film.
  • the monolayer thin film of silver having a thickness of 20 nm, the first having three fixed spacing between two high Tu layer are 200 nm, 345 mn, 290 nm tl
  • the invention also provides a display structure, comprising: a substrate,
  • the wavelength selective type color filter includes: a first high reflectivity material layer a first dielectric material layer formed on the first high reflectivity material layer, and a second high reflectivity material layer formed on the first dielectric material layer; the first and second high reflectivity materials There are at least two fixed spacings between the layers.
  • the substrate is a glass substrate. Or a transparent plastic substrate; the flat layer is a dielectric layer; the TFT germanium layer is formed on the flat by film formation, exposure, development, and etching processes
  • the layer is a single layer structure.
  • the first and second high reflectivity material layers are each a single layer of silver film
  • the layer is a single layer of silicon dioxide film.
  • the thickness of the silver film is 20 nm, and the distance between the first and second high reflectivity material layers is 20i) nm, 345nm, and 290nm, respectively.
  • a white organic electroluminescent structure layer formed on the T'FT array structure layer.
  • the wavelength selective type color filter of the present invention improves the color saturation of the obtained light by utilizing the wavelength selection characteristic of the Fabry Perot structure so that the filtering mode is reflective (non-absorptive). Improve the efficiency of light utilization.
  • the display structure of the present invention improves the color saturation of the obtained light and improves the light utilization efficiency by using the wavelength selective type color filter of the Fabry-Perot structure, and enables the wavelength selective type color filter and the TFT array structure.
  • the layers can be integrated on the same substrate at the same time, so that the influence of the alignment accuracy can be reduced, and the corresponding display panel aperture ratio can be improved to achieve a high transmittance of the corresponding display panel.
  • FIG. 1 is a schematic view of a conventional liquid crystal display structure
  • FIG. 2 is a schematic structural view of a conventional color filter substrate
  • FIG. 3 is a schematic structural view of a preferred embodiment of a wavelength selective color filter of the present invention
  • FIG. 4 is a schematic structural view of a first embodiment of the display structure of the present invention
  • Fig. 5 is a schematic view showing the structure of a second embodiment of the display structure of the present invention. detailed description
  • FIG. 3 is a structural diagram of a preferred embodiment of a wavelength selective color filter according to the present invention.
  • the first layer of dielectric material 30 has at least two thicknesses.
  • the wavelength selective type color filter has a multi-layer parallel planar film structure, which can be determined by using a material which is Fabry-Perot structure.
  • the input light directly reaches the first high reflectivity material layer 20, and the light from the second high reflectivity material layer 40 after passing through the first dielectric material layer 30 is output light, and the transfer function formula of the FP cavity can be used.
  • the light transmittance of the wavelength selective type color filter of the present invention is shown.
  • the transfer function formula of the FP cavity is as follows:
  • A is the absorption coefficient of the first and second high reflectivity material layers 20, 40 and the first dielectric material layer 30, and R is the first and second high reflectivity material layers 20, 40
  • the reflectivity n is the refractive index of the first dielectric material layer 30, 0 is the thickness of the first dielectric material layer 30, and ⁇ 1 is the first and second high reflectivity material layers 20, 40
  • ⁇ is the wavelength of light
  • ⁇ ( ⁇ ) is a characteristic of the light transmittance of the wavelength selective type color filter of the present invention with wavelength.
  • the materials of the first and second high reflectivity material layers 20, 40 and the first dielectric material layer 30, and the thickness of the first dielectric material layer 30 act to determine the light transmittance of the wavelength selective color filter with wavelength; therefore, the first and second high reflectivity material layers can be individually adjusted.
  • the first, second 20, 40 may be a metal material layer, a non-metal material layer or a composite material layer, a layer or a multilayer structure.
  • the first and second high reflectivity material layers 20, 40 are in the visible light range of wavelength 380 nm to 780 nm, ⁇ ' ⁇ " ⁇ *- 50% and less than the %.
  • Still reflection - layers 20, 40 are single-layer silver film
  • the refractive index is between 1.3 and 2, 1.
  • the first dielectric material layer 30 is a single-layer silicon dioxide (SiO 2 ) film. Since the first, second high reflectivity material layers 20, 40 have at least two fixed spacings between them, they define the thickness of the first dielectric material layer 30 at different locations to correspond to different wavelengths of light.
  • the thickness of the single-layer silver film of the first and second high-reflection material layers 20, 40 is solid; the distance between the two is ii, and the U is 200 iim, 345 nm, 290 nm, that is,
  • the thickness of the single-layer silicon dioxide film corresponding to three fixed pitch positions is 200 nm, 345 nm, and 290 nm, which in turn correspond to wavelengths of blue (426 nm), green (537 nm), and red (618 nm).
  • a wavelength selective type color filter having a full-band average transmittance of more than 50% is calculated according to the above formula.
  • the wavelength selective color filter can achieve a low full width at half maximum by adjusting the reflectivity of the first and second high reflectivity material layers 20 40 and the thickness of the first dielectric material layer 30. At 30nm, and a high efficiency specific wavelength selection close to 100%, high color saturation can be achieved, which greatly improves the utilization of light.
  • the display structure includes: a substrate 1 and a wavelength selective color filter formed on the substrate 1. a light sheet 2, a flat layer 4 formed on the wavelength selective type color filter 2, and a TFT array structure layer 6 formed on the flat layer 4; the wavelength selective type color filter 2 includes: a first high reflection The material layer 20, the first dielectric material layer 30 formed on the first high reflectivity material layer 20, and the second high reflectivity material layer 40 formed on the first dielectric material layer 30.
  • the first There are at least two fixed spacings between the two layers of high reflectivity material 20, 40, i.e., the first layer of dielectric material 30 has at least two thicknesses.
  • the substrate 1 is a glass substrate or a transparent plastic substrate.
  • the first and second high reflectivity material layers 20, 40 may be a metal material layer, a non-metal material layer or a composite material layer, and may be a single layer or a multilayer structure.
  • the first and second high reflectivity material layers 20, 40 have a reflectance greater than 50% and less than 00% in a visible light range of wavelengths from 380 nm to 780 nm.
  • the first and second high-reflectivity material layers 20, 40 are each a single-layer silver film.
  • the first dielectric material layer 30 may be a metal compound layer, an organic material layer or a composite material layer, generally a single layer.
  • the first dielectric material layer 30 is visible in a visible light range of 380 nm to 780 nm. , the refractive index is between 1, 3 and 2, 1.
  • the first dielectric material layer 30 is a single-layer silicon dioxide (SiO 2 ) film.
  • first and second high reflectivity material layers 20, 40 Since there are at least two fixed spacings between the first and second high reflectivity material layers 20, 40, they define thicknesses of different locations of the first dielectric material layer 30 to correspond to different wavelengths of light.
  • the materials of the first and second high reflectivity material layers 20, 40 and the first dielectric material layer 30, and the thickness of the first dielectric material layer 30 cooperates to determine the light transmittance of the wavelength selective color filter with wavelength; therefore, the first and second high reflectivity material layers 20, 40 or the first can be individually adjusted.
  • the material of the dielectric material layer 30 may also be individually adjusted to the thickness of the first dielectric material layer 30, or the first and second high reflectivity material layers 20, 40 and the first dielectric shield material layer 30 may be simultaneously adjusted. The material and the thickness of the first layer of dielectric material 30 are adjusted to achieve a choice of wavelengths of transmitted light.
  • the thickness of the single-layer silver film as the first and second high-reflectivity material layers 20, 40 is 20 ⁇ , and has three fixed pitches of 200 nm, 345 rim, and 290 nm, respectively.
  • the single layer of silicon dioxide film of the first dielectric material layer 30 corresponds to three fixed pitch positions
  • the thickness is 200 urn, 345 nm, 290 mil, which corresponds to the wavelengths of blue (426 nm), green (537 nm) and red (618 nm), which can be calculated according to the above formula. % wavelength selective color filter.
  • the flat layer 4 may be a dielectric material layer such as a metal compound layer, an organic material layer or a composite material layer, which is a single layer.
  • the function of the flat layer 4 is to facilitate the integration of the TFT array structure layer 6 during preparation.
  • the TFT array structure layer 6 is formed by directly forming a conventional TFT array structure on the flat layer 4, and can be formed by conventional film formation, exposure, development, etching, and the like.
  • a spacer PS
  • liquid crystal not shown
  • the first embodiment can be further improved by using an OLED (Organic Electro Luminescence) material.
  • OLED Organic Electro Luminescence
  • FIG. 5 which is a second embodiment of the present invention, with respect to the first embodiment, the second embodiment The white organic electroluminescent structure layer 8 formed on the TFT array structure layer 6 is further included.
  • the display structure of the second embodiment of the present invention is a high efficiency bottom emission type full color OLED display structure.
  • the wavelength selective type color filter of the present invention improves the color saturation of the obtained light by utilizing the wavelength selection characteristic of the Fabry-Perot structure so that the filtering mode is reflective (non-absorptive). Improve the efficiency of light utilization.
  • the display structure of the present invention improves the color saturation of the obtained light and improves the light utilization efficiency by using the wavelength selective color filter of the Fabry-Peroi structure, and makes the wavelength selective type color filter and the TFT.
  • the array structure layer can be integrated on the same substrate at the same time, so that the influence of the alignment accuracy can be reduced, the corresponding display panel aperture ratio can be improved, and the corresponding high transmittance of the display panel can be achieved.

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Abstract

一种波长选择型彩色滤光片及使用波长选择型彩色滤光片的显示结构。波长选择型彩色滤光片（2）包括：第一高反射率材料层（20）、形成于一第一高反射率材料层上的第一介电质材料层（30）、及形成于第一介电质材料层上的第二高反射率材料层（40）：第一、二高反射率材料层之间具有至少两种固定间距；其通过利用Fabry-Perot结构的波长选择特性，使得滤光方式为反射式滤光，提高了所得光线的色彩饱和度并提高了光的利用效率。显示结构的波长选择型彩色滤光片（2）和TFT阵列结构层（6）能够同时集成于同一基板（1），因此能减少对位精度的影响，可以提升对应的显示面板开口率，达成对应的显示面板的高穿透率。

Description

技术领域
本发明涉及平面显示领域 , 尤其涉及一种波长选择型彩色滤光片及使 用该波长选择型彩色滤光片的显示结构。 背景技术
平面显示装置包括液晶显示装置 （LCD ) 和有机电致发光（OLED ) 显示装置， 其具有机身薄 省电、 无辐射等众多优点， 得到了广泛的应 用。
请参阅图 1， 现有的液晶显示装置的显示结构一般包括： TFT (薄膜 晶体管 )基板 100、 与 TFT基板 100相对贴合设置的 CF (彩色滤光片 ) 基板 300及设于 TFT基板 100与 CF基板 300之间的液晶 500， TFT基板 100一般包括： 基板 102及形成于基板 102上的薄膜晶体管阵列 104, 该 薄膜晶体管阵列 104通过光罩制程形成于基板 102上； 请参阅图 2， 所述 CF基板 300包括： 基板 302及形成于基板 302上的 RGB (红绿蓝 ) 色阻 304和 BM (黑色矩阵 ) 306。
所述 CF基.板 300通过不同的色阻 304对特定波长光线的吸收特性进 行选择滤光， 因此该种吸收性 CF基板 300的穿透率损失约 2/3， 光的利用 效率低， 色彩饱和度较差。 而且由于 TFT阵列及 CF分别形成在两块不同 的基板上， 再进行对位组合形成显示结构， 在对位工艺上存在一定的精度 限制， 从而影响了开口率及光的利用率。
Fabry- Perot (法布里-珀罗）结构是由两块平行放置止的高反射率的膜片 材料形成的腔结构， 以输入光垂直到达第一个膜片材料， 通过腔体后从第
Figure imgf000003_0001
上式中， A 为膜片材料及腔内材料的吸收系数， R为膜片材料反射 率， 11 为腔内材料折射率， 1。为腔长， 为腔体长度改变量， λ为光的波 长， Τ(|λ)为 FP腔随波长的传输率变化特征。 通过上式可知 FP腔的传输率 与光的波长有关， Fabry- Perot结构可以利用光的千涉性质对不同的波长的 光线进行选择， 并且该种选择方式为反射式 (非吸收性）， 因此光线的利用 效率较高， 而且由 Fabry Perot结构选择后得到的光线的色彩饱和度也较 好。
将 Fabry- Perot结构应用于彩色滤光片上， 能够很好的改善彩色滤光片 滤光后的光线的色彩饱和度， 并提高了光的利用效率， 并使得彩色滤光片 和 TFT阵列结构有可能同时集成于同一基板。 发明内容
本发明的目的在于提供一种波长选择型彩色滤光片， 其通过利用 Fabry-Perot结构的波长选择特性， 使得滤光方式为反射式（ (非吸收性） ， 提高光的利用效率。
本发明的另一目的在于提供一种显示结构， 其通过利用 Fabry Perot结 构的波长选择型彩色滤光片， 使得波长选择型彩色滤光片和 TFT阵列结构 层同时集成于同一基板。
为实现上述目的， 本发明提供一种波长选择型彩色滤光片， 包括： 第 一高反射率材料层、 形成于第一高反射率材料层上的第一介电质材料层、 及形成于第一介电质材料层上的第二高反射率材料层； 所述第一、 二高反 射率材料层之间具有至少两种固定间距。
所述第一、 二高反射率材料层为金属材料层、 非金属材料层或复合材 料层， 所述第一、 二高反射率材料层为单层或多层结构； 所述第一介电质 材料层为金属化合物层、 有机材料层或复合材料层， 所述第一介电质材料 层为单层结构。
所述第一、 二高反射率材料层均为单层银薄膜； 所述第一介电质材料 层为单层二氧化硅薄膜。
所述单层银薄膜厚度为 20 nm, 所述第一、 二高反射率材料层之间具 有三种固定间距， 分别是 200 nm、 345 mn、 290 nmtl
本发明还提供一种波长选择型彩色滤光片， 包括： 第一高反射率材料 层、 形成于第一高反射率材料层上的第一介电质材料层、 及形成于第一介 电质材料层上的第二高反.射率材料层； 所述第一、 二高反射率材料层之间 具有至少两种固定间距； 其中， 所述第一、 反射率材料层为金属材料层、 非金属材料层或
Figure imgf000005_0001
-层为单层结构。
所述第一、 二高
Figure imgf000005_0002
层为单层二氧化硅薄膜。
所述单层银薄膜厚度为 20 nm, 所述第一、 二高 枓层之间具 有三种固定间距， 分别是 200 nm、 345 mn、 290 nmtl
本发明还提供一种显示结构， 包括： 基板、
型彩色滤光片、 形成于波长选择型彩色滤光片上的平坦层、 及形成于平坦 层上的 TFT阵列结构层； 所述波长选择型彩色滤光片包括： 第一高反射率 材料层、 形成于第一高反射率材料层上的第一介电质材料层、 及形成于第 一介电质材料层上的第二高反射率材料层； 所述第一、 二高反射率材料层 之间具有至少两种固定间距。
所述基板为玻璃基板。 或透明塑料基板； 所述平坦层为介电 层； 所述 TFT Ϊ层通过成膜、 曝光、 显影、 及蚀刻工序形成于平坦
Figure imgf000005_0003
层为单层结构。
所述第一、 二高反射率材料层均为单层银薄膜；
层为单层二氧化硅薄膜。
层银薄膜厚度为 20 nm, 所述第一、 二高反射率材料层之间具 距， 分别是 20i) nm、 345nm、 290nm。
还包括形成于 T'FT阵列结构层上的白光有机电致发光结构层。
本发明的有益效果： 本发明的波长选择型彩色滤光片， 其通过利用 Fabry Perot 结构的波长选择特性， 使得滤光方式为反射式（非吸收性） ， 提高了所得光线的色彩饱和度并提高了光的利用效率。 本发明的显示结构 其通过利用 Fabry- Perot结构的波长选择型彩色滤光片， 提高了所得光线的 色彩饱和度并提高了光的利用效率， 并使得波长选择型彩色滤光片和 TFT 阵列结构层能够同时集成于同一基板， 因此能减少对位精度的影响， 可以 提升对应的显示面板开口率， 达成对应的显示面板的高穿透率。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容， 请参阅以下有关本 明加以限制。 附图说明
下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图 1为现有的液晶显示结构示意图；
图 2为现有的彩色滤光片基板结构示意图；
图 3为本发明波长选 ^型彩色滤光片一优选实施例的结构示意图； 图 4为本发明显示结构第一实施例的结构示意图；
图 5为本发明显示结构第二实施 的结构示意图。 具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图 3， 为本发明波长选择型彩色滤光片 优选实施例的结构示
Figure imgf000006_0001
20、 40之间具有至少两种固定间距， 即所述第一介电质材料层 30 具有至 少两种厚度。
由此可见， 所述波长选择型彩色滤光片具有多层平行平面薄膜结构， 结合所使用的材料可以判定， 其为 Fabry- Perot (法布里-珀罗）结构。 以输入 光垂直到达第一高反射率材料层 20, 通过第一介电质材料层 30后从第二 高反射率材料层 40出来的光为输出光， 此时可用 FP腔的传输函数公式来 显示本发明波长选择型彩色滤光片光线穿透率。 FP腔的传输函数公式如 下：
Figure imgf000006_0002
-Perot结构的 FP腔的设置可知， 应用于本发明 中， A 为所述第一、 二高反射率材料层 20、 40及所述第一介电质材料层 30 的吸收系数， R 为所述第一、 二高反射率材料层 20、 40 的反射率， n 为所述第一介电质材料层 30 折射率， 】0为所述第一介电质材料层 30 厚 度， Δ 1为所述第一、 二高反射率材料层 20、 40之间不同固定间距的改变 量， λ为光的波长， Τ( λ) 为本发明波长选择型彩色滤光片随波长的光线穿 透率变化特征。
由上式可知， 第一、 二高反射率材料层 20、 40及第一介电质材料层 30 的材料， 与所述第一介电质材料层 30 的厚度（第一、 二高反射率材料 层 20、 40之间的固定间距）共同作用， 决定所述波长选择型彩色滤光片 随波长的光线穿透率； 因此可以通过单独调整第一、 二高反射率材料层 质 一
Figure imgf000007_0001
现 所述第一 , 二
Figure imgf000007_0002
20、 40 可以是金属材料层、 非金属材 料层或复合材料层， 层或多层结构。 所述第一、 二高反射率材料 层 20、 40于波长 380nm至 780nm的可视光范围内， ^' ^ " ·*- 50%且小 于議％。
Figure imgf000007_0003
.尚反射 - 层 20、 40均为单层银薄膜
Figure imgf000007_0004
的可视光范围内， 折射率介于 1.3至 2, 1之间。
在本实施例中第一介电质材料层 30为单层二氧化硅（ Si02 )薄膜。 由于所述第一， 二高反射率材料层 20、 40之间具有至少两种固定间 距， 其定义了第一介 材料层 30 不同位置的厚度， 从而对应不同波长 的光线。
在本.实施例中， 为弟一、 二高反.射率材料层 20、 40 的单层银薄膜 厚度均 固； 间 ί巨， 分另 U是 200 iim, 345 nm, 290 nm, 即作为
Figure imgf000007_0005
的单层二氧化硅薄膜对应三个固定间距位置 的厚度分别是 200 nm, 345 nm, 290 nm， 依次对应蓝色 (426 nm)、 绿色 (537 nm)及红色 (618 nm)的波长， 可根据上述公式计算得到全波段平均穿透率大 于 50%的波长选择型彩色滤光片。
实际使用中， 所述波长选择型彩色滤光片可藉由调整第一、 二高反射 率材料层 20 40的反射率及第一介电质材料层 30的厚度， 实现半高宽小 于 30nm， 且穿透接近 100%的高效率特定波长选择， 可以实现高色彩饱和 度， 从而大大提高光线的利用率。
请参阅图 4 , 为本发明使用所述波长选择型彩色滤光片的显示结构的 第一实施例的结构示意图， 所述显示结构包括： 基板 1、 形成于基板 I 上 的波长选择型彩色滤光片 2、 形成于波长选择型彩色滤光片 2 上的平坦层 4、 及形成于平坦层 4上的 TFT阵列结构层 6; 所述波长选择型彩色滤光 片 2 包括： 第一高反射率材料层 20、 形成于第一高反射率材料层 20上的 第一介电质材料层 30、 及形成于第一介电质材料层 30上的第二高反射率 材料层 40。 所述第一。 二高反射率材料层 20、 40之间具有至少两种固定 间距， 即所述第一介电质材料层 30具有至少两种厚度。
所述基板 1为玻璃基板、 或透明塑料基板。
所述第一、 二高反射率材料层 20、 40 可以是金属材料层、 非金属材 料层或复合材料层， 可以是单层或多层结构。 所述第一、 二高反射率材料 层 20、 40于波长 380nm至 780nm的可视光范围内， 反射率大于 50%且小 于 00%。
在本实施例中第一、 二高反.射率材料层 20、 40均为单层银薄膜。
所述第一介电质材料层 30 可以是金属化合物层、 有机材料层或复合 材料层， 一般为单层„ 所述第一介电质材料层 30于波长 380nm至 780nm 的可视光范围内， 折射率介于 1 ,3至 2, 1之间。
在本实施例中第一介电质材料层 30为单层二氧化硅 (Si02)薄膜。
由于所述第一、 二高反射率材料层 20、 40之间具有至少两种固定间 距， 其定义了第一介电质材料层 30 不同位置的厚度， 从而对应不同波长 的光线。
具体地， 第一、 二高反射率材料层 20、 40及第一介电质材料层 30的 材料， 与所述第一介电质材料层 30 的厚度 （第一、 二高反射率材料层 20、 40之间的固定间距）共同作用， 决定所述波长选择型彩色滤光片随波 长的光线穿透率； 因此可以通过单独调整第一、 二高反射率材料层 20、 40 或第一介电质材料层 30 的材料， 也可以单独调整所述第一介电质材料层 30 的厚度， 抑或同时调整第一、 二高反射率材料层 20、 40及第一介电盾 材料层 30的材料和调整所述第一介电质材料层 30的厚度， 来实现对透过 光线的波长的选择。
在本实施例中， 作为第一、 二高反射率材料层 20、 40 的单层银薄膜 厚度均为 20■， 其具有三种固定间距， 分别是 200 nm, 345 rim, 290 nm, 即作为第一介电质材料层 30 的单层二氧化硅薄膜对应三种固定间距位置 的厚度分别是 200 urn, 345 nm， 290 mil, 依次对应蓝色 （426 nm ) 、 绿色 ( 537 nm )及红色 （618 nm ) 的波长， 可根据上述公式计算得到全波段平 均穿透率大于 50%的波长选择型彩色滤光片。
所述平坦层 4可以为介电质材料层， 例如是金属化合物层、 有机材料 层或复合材料层， 其为单层。 设置平坦层 4 的作用在于， 制备时， 有利于 TFT阵列结构层 6的集成。
所述 TFT阵列结构层 6为现有的 TFT阵列结构直接形成于平坦层 4 上得到， 制备时可以通过常规的成膜、 曝光， 显影、 蚀刻等工序形成。
本发明的显示结构， 可以在 TFT阵列结构层 6形成闾隔物 （PS ) , 然 后与另一基板（未图示）相贴合， 并注入液晶 （未图示） ， 形成液晶显示 面板。
除此之外， 还可以利用 OLED (有机电致发光） 材料进一步改进第一 实施例， 请参阅图 5， 其为本发明第二实施例， 相对于第一实施例而言， 第二实施例还包括形成于 TFT阵列结构层 6上的白光有机电致发光结构层 8 , 此时本发明第二实施例的显示结构即为高效率的底部发光型全彩式 OLED显示器结构。
综上所述， 本发明的波长选择型彩色滤光片， 其通过利用 Fabry- Perot 结构的波长选择特性， 使得滤光方式为反射式 (非吸收性）， 提高了所得光 线的色彩饱和度并提高了光的利用效率。 本发明的显示结构其通过利用 Fabry-Peroi 结构的波长选.择型彩色滤光片 , 提高了所得光线的色彩饱和度 并提高了光的利用效率， 并使得波长选择型彩色滤光片和 TFT阵列结构层 能够同时集成于同一基板， 因此能减少对位精度的影响， 可以提升对应的 显示面板开口率， 达成对应的显示面板的高穿透率。
以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims

一种波长选择型彩色滤光片， 包括： 第一高反射率材料层、 形成 于第一高反射率材料层上的第一介电质材料层、 及形成于第一介电质材料 层上的第二高反射率材料层； 所述第一 二高反射率材料层之间具有至少 两 †固定间 .Ϊ巨。
2 , 如权利要求 1 所述的波长选择型彩色滤光片， 其中， 所述第一、 二高反射率材料层为金属材料层、
一、 二高反射率材料层为单层或多层结构；
化合物层、 有机材料层或 H"层， 所
Figure imgf000010_0001
构。
3 , 如权利要求 2 所述的波长选择型彩色滤光片， 其中， 所述;
Figure imgf000010_0002
均为单层^ >薄膜； 所述第一 -层为单层二氧化 硅薄膜。
4、 如权利要求 3 所述的波长选择型彩色滤光片， 其中， 所述单层银 薄膜厚度为 20 nm， 所述第一、 二高反射率材料层之间具有三种固定间 距， 分别是 200nm> 345 nm、 290 nm。
5、 一种波长选择型彩色滤光片， 包括： 第一高反射率材料层、 形成 于第一高反射率材料层上的第一介电质材料层、 及形成于第一介电质材料 层上的第二高反射率材料层； 所述第一、 二高反射率材料层之间具有至少 两: 固定间 巨；
其中， 所述第一、 二高反射率材料层为金属材料层、 非金属材料层或 复合材料层， 所述第一、 二高反射率材料层为单层或多层结构； 所述第一 介电质材料层为金属化合物层、 有机材料层或复合材料层， 所述第一介电 质材料层为单层结构。
6、 如权利要求 5 所述的波长选择型彩色滤光片， 其中， 所述第一、 二高反射率材料层均为单层银薄膜； 所述第一介电盾材料层为单层二氧化 硅薄膜。
7、 如权利要求 6 所述的波长选择型彩色滤光片， 其中， 所述单层银 薄膜厚度为 20 nm, 所述第一、 二高反射率材料层之间具有三种固定间 距， 分别是 200腿、 345 誦、 290亂
8、 一种显示结构， 包括： 基板、 形成于基板上的波长选择型彩色滤 光片、 形成于波长选择型彩色滤光片上的平坦层、 及形成于平坦层上的 TFT 阵列结构层； 所述波长选择型彩色滤光片包括： 第一高反射率材料 层、 形成于第一高反射率材料层上的第一介电质材料层、 及形成于第一介 电质材料层上的第二高反射率材料层； 所述第一、 二高反射率材料层之间 具有至少两种固定间距。
9、 如权利要求 8 所述的显示结构， 其中， 所述基板为玻璃基板、 或 透明塑料基板； 所述平坦层为 电质材料层； 所述 TFT阵列结构层通过成 膜、 曝光、 显影、 及蚀刻工序形成于平坦层上。
10、 如权利要求 8所述的显示结构， 其中， 所述第一、 二高反射率材 料层为金属材料层、 非金属材料层或复合材料层， 所述第一。 二高反射率 材料层为单层或多层结构； 所述第一介电质材料层为金属化合物层、 有机 材料层或复合材料层， 所述第一介电质材料层为单层结构。
I 如权利要求 10 所述的显示结构， 其中， 所述第一、 二高反射率 材料层均为单层银薄膜； 所述第一介电质材料层为单层二氧化硅薄膜。
12 , 如权利要求 11 所述的显示结构， 其中， 所述单层银薄膜厚度为 20 nm, 所述第一、 二高反射率材料层之间具有三种固定间距， 分别是 200 rim、 345 nm-, 290 nm。
13 , 如权利要求 8所述的显示结构， 还包括形成于 TFT阵列结构层上 的白光有机电致发光结构层。
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