WO2015081640A1 - 一种oled器件及其制作方法、显示装置及电子产品 - Google Patents

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吴长晏
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京东方科技集团股份有限公司
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Definitions

  • Embodiments of the present invention relate to the field of display technologies, and in particular, to an OLED device, a manufacturing method thereof, a display device, and an electronic product.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • LCD liquid crystal display
  • OLED displays are lighter and thinner because they do not require a backlight.
  • OLED displays are increasingly used in a variety of high-performance displays due to their high brightness, low power consumption, wide viewing angle, high response speed, and wide operating temperature range.
  • the luminescence mechanism of OLED is that under the action of an applied electric field, electrons and holes are injected into the organic luminescent material from the positive and negative electrodes, respectively, so that migration, recombination and attenuation in the organic luminescent material emit light.
  • a prior art OLED device has the structure shown in Figure 1, including an anode layer 10, a cathode layer 20, and an organic functional layer 30 between the two layers.
  • the organic functional layer 30 may further include various functional layers including the electron transport layer 31, the hole transport layer 32, and the organic light-emitting layer.
  • the organic light-emitting layer generally includes organic light-emitting materials of three colors of red, green and blue.
  • the organic light-emitting layer may include a first light-emitting unit 331, a second light-emitting unit 332, and a second light-emitting unit 333 capable of emitting blue light, red light, and green light, respectively.
  • the purpose of the OLED multilayer structure is to: Different functional layers have different functions, so that the various functions can be optimized individually. Interface characteristics are especially important between different functional layers. Because heterogeneous interfaces may contain a variety of complex physical mechanisms, such as energy conversion, carrier recombination, carrier separation, carrier injection, carrier accumulation, etc., in vacuum thermal evaporation technology, between different functional layers. The placement of the Q-tmie, the process environment, or the surface treatment prior to vacuum thermal evaporation is particularly important. The purpose is to make it possible to have a perfect interface between different materials forming different functional layers.
  • Another existing Hybrid OLED device is a solution process from the Solution Process and the Vacuum Thermal Evaporation Process (VTE Process).
  • VTE Process Vacuum Thermal Evaporation Process
  • a fabricated OLED device On both sides of the interface of different processes, they are different materials. In the conversion of the two process processes, the hetero interface properties are inevitably affected, especially the luminescent layer.
  • the functional layer including the hole transport layer 32, the second light emitting unit 332, and the third light emitting unit 333 is formed by a solution process, including the first light emitting unit 331, and electronic transmission.
  • the film layer inside layer 31 is formed by a vacuum thermal evaporation process (VTE Process). Since the first illuminating unit and the second illuminating unit and the third illuminating unit are formed by different processes, the functions of the first illuminating unit and the second illuminating unit and the third illuminating unit are affected.
  • a hybrid transition layer (HCL) formed by a vacuum thermal evaporation process is added to the interface alternated between the solution process and the vacuum thermal evaporation process.
  • the efficiency and life of the first film layer formed by vacuum thermal evaporation can be improved.
  • a mixed transition formed by a vacuum thermal evaporation process is disposed between the first light-emitting unit formed by the vacuum thermal evaporation process and the second light-emitting unit and the third light-emitting unit formed by the solution process.
  • the layer (HCL) 40 can improve and improve the efficiency and lifetime of the first lighting unit.
  • the mixed transition layer needs to have an electron transport function in the sub-pixels of the second light-emitting unit and the third light-emitting unit formed by the solution process, and the first light-emitting unit formed in the vacuum thermal evaporation process.
  • the hole transmission function is provided in the sub-pixels. Therefore, the material of the HCL is difficult to select, and the carrier is difficult to balance, so that it is easy to emit the color of another sub-pixel in a certain sub-pixel.
  • An object of the embodiments of the present invention is to provide an OLED device, a manufacturing method thereof, a display device, and an electronic product, which can solve the problem of unbalanced carrier transport in a mixed transition layer, thereby improving the lifetime of the OLED, lowering the operating voltage, and improving the efficiency.
  • an OLED device includes at least a first electrode, a second electrode, and an organic functional layer between the first electrode and the second electrode, wherein the organic layer
  • the functional layer includes at least a first functional layer formed by using the first process, and adopting a second portion of the functional layer formed by the second process, and a hybrid transition layer disposed between the first portion of the functional layer and the second portion of the functional layer.
  • the mixed transition layer is formed by at least a first host material and a second host material, wherein a hole mobility of the first host material is greater than an electron mobility, and an electron mobility of the second host material is greater than a hole mobility .
  • the first host material comprises at least a p-type host material; and the second host material comprises an N-type host material.
  • the mixed transition layer has a triplet energy greater than 2, 1 eV.
  • the organic functional layer includes: an electron transport layer located on a side close to the first electrode; a hole transport layer located on a side close to the second electrode; and a hole transport layer and a An organic light-emitting layer between the electron transport layers, the organic light-emitting layer comprising a first light-emitting unit located on a side close to the electron transport layer and a first layer disposed on a side close to the hole transport layer Two light emitting units and a third light emitting unit.
  • the first partial functional layer includes the electron transport layer and the first light emitting unit;
  • the second partial functional layer includes the hole transport layer, the second light emitting unit, and the second light emitting unit;
  • the mixed transition layer is disposed between the first light emitting unit and the second light emitting unit and the third light emitting unit.
  • a difference in molecular orbital energy level between the first host material in the mixed transition layer and the highest occupancy of the first light-emitting unit is less than 3 ev.
  • the highest occupied molecular orbital energy level difference between the first host material and the hole transport layer in the mixed transition layer is less than 3 ev.
  • the highest host molecular orbital energy level difference between the first host material of the mixed transition layer and the second light emitting unit and the third light emitting unit is greater than leV.
  • the first light emitting unit is formed of a blue light emitting material
  • the second light emitting unit is formed of a red light emitting material
  • the third light emitting unit is formed of a green light emitting material.
  • the mixed transition layer is formed by the first process.
  • the first process includes a vacuum thermal evaporation process
  • the second process includes a solution process
  • a display device package a plurality of pixel units arranged in a matrix manner, wherein each pixel unit includes the above
  • an electronic product comprising the display device as described above.
  • a method of fabricating an OLED device comprising the steps of: Step A: sequentially forming a hole transport layer by a second process, located on a side adjacent to the hole transport layer and a second light emitting unit and a third light emitting unit disposed in the same layer; Step B, forming a mixed transition layer through the first process by using at least the first host material and the second host material, wherein a hole mobility of the first host material Above the electron mobility, the electron mobility of the second host material is greater than the hole mobility; and step C. sequentially forming the first light emitting unit and the electron transport layer by the first process.
  • the hybrid transition layer of the OLED device according to the embodiment of the invention can simultaneously meet the functional requirements of electron transport and hole transport, solve the problem of unbalanced carrier transport in the mixed transition layer in the prior art, thereby improving the lifetime of the OLED and reducing the operating voltage. And the purpose of improving efficiency.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of an OLED device in the prior art
  • FIG. 2 is a schematic structural view of a Hybnd OLED device in the prior art
  • FIG. 3 is a schematic structural diagram of a Hybnd OLED device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a flowchart of a method for manufacturing a Hybrid OLED device according to an embodiment of the present invention.
  • the examples are only intended to illustrate the invention, but are not intended to limit the scope of the invention.
  • an embodiment of the present invention provides an OLED device including at least a first electrode 100, a second electrode 200, and an organic functional layer between the first electrode 100 and the second electrode 200.
  • the organic functional layer includes at least a first partial functional layer 310 formed using a first process and a second partial functional layer 320 formed using a second process.
  • a hybrid transition layer 400 is disposed between the first partial functional layer 310 and the second partial functional layer 320.
  • the hybrid transition layer 400 is formed using at least a first host material and a second host material.
  • the first host material has a hole mobility greater than the electron mobility
  • the second host material has an electron mobility greater than the hole mobility.
  • At least a portion of the organic functional layer of the OLED device is formed using a first process, and at least another portion is formed by a second process.
  • a mixed transition layer 400 is disposed in the interface between the two processes, and the mixed transition layer 400 is composed of at least a first host material having a hole mobility greater than an electron mobility and a second host material having an electron mobility greater than a hole mobility. form.
  • the hybrid transition layer 400 made of the first host material and the second host material can simultaneously satisfy the electron transport and the empty
  • the functional requirements of the hole transmission solve the problem of unbalanced carrier transmission in the hybrid transition layer (such as HCL 40, as shown in FIG. 2) in the prior art, thereby improving the lifetime of the OLED, achieving the purpose of reducing the operating voltage and improving the efficiency.
  • the first host material may employ a P-type host material having a hole mobility greater than the electron mobility; and the second host material may employ an N-type host material having an electron mobility greater than a hole mobility.
  • the mixed transition layer 400 has a triplet energy (Triplet Energy) greater than 2, 1 eV.
  • first electrode 100 and the second electrode 200 may be, for example, an anode or a cathode.
  • first electrode 100 is used as a cathode (Cathode)
  • second electrode 200 is an anode (Anode) as an example, and is not limited thereto.
  • the first process and the second process may specifically adopt any existing substrate production process capable of patterning.
  • the first process is a vacuum vapor deposition process (VTE Process)
  • the second process is a solution process (solution process) as an example, and is not limited thereto.
  • the illustrated 0 LED device includes a first electrode 100, a second electrode 200, and an organic functional layer disposed between the first electrode 100 and the second electrode 200.
  • the organic functional layer includes:
  • An electron transport layer 301 (electron transport layer, ETL) located near the side of the first electrode 100;
  • HTL hole transport layer 302
  • EML Emitting Ivlaterial Layer
  • the organic light emitting layer includes a first light emitting unit 303 (EML1), a second light emitting unit 304 (EML2), and a third light emitting unit 305 (EML3).
  • EML1 first light emitting unit 303
  • EML2 second light emitting unit 304
  • EML3 third light emitting unit 305
  • the first light emitting unit 303 is located on a side close to the electron transport layer 301; the second light emitting unit 304 and the third light emitting unit 305 are both located on a side close to the hole transport layer 302.
  • the first partial functional layer 310 includes the electron transport layer 301 and the first light emitting unit 303; and the second partial functional layer 320 includes the hole transport layer 302 and the second light emitting unit 304.
  • the third light emitting unit 305 is located on a side close to the electron transport layer 301; the second light emitting unit 304 and the third light emitting unit 305 are both located on a side close to the hole transport layer 302.
  • the first partial functional layer 310 includes the electron transport layer 301 and the first light emitting unit 303; and the second partial functional layer 320 includes the hole transport layer 302 and the second light emitting unit 304.
  • the third light emitting unit 305 is provided to the third light emitting unit 305.
  • the hybrid transition layer 400 is formed between the first light emitting unit 303 and the second light emitting unit 304 and the third light emitting unit 305.
  • the electron transport layer 301 and the first light emitting unit 303 in the organic functional layer are formed by a first process (VTE Process), the second light emitting unit 304, the third light emitting unit 305, and The hole transport layer 302 is formed using a second process (Solution Process).
  • the mixed transition layer 400 is disposed between the first light emitting unit 303 formed by the vacuum evaporation film process and the second light emitting unit 304 and the third light emitting unit 305 formed by the solution process.
  • the structure of the organic functional layer is not limited thereto.
  • the organic functional layer may further include a hole injection layer and an electron injection layer.
  • the hole injection layer may be located on a side of the hole transport layer 302 remote from the organic light-emitting layer, and the electron injection layer may be located on a side of the electron transport layer 301 remote from the organic light-emitting layer.
  • alternating interfaces of the two processes may also be located between other functional layers of the organic functional layer.
  • the alternate interface of the two processes is not located between the first light emitting unit 303 and the second light emitting unit 304, and the third light emitting unit 305, but between the organic light emitting layer and the electron transport layer 301.
  • the mixed transition layer 400 is located between the organic light emitting layer and the electron transport layer 301. I will not list them one by one here.
  • the first light emitting unit 303, the second light emitting unit 304, and the third light emitting unit 305 are respectively made of blue, green, and red luminescent materials. Of course, they can also be luminescent materials of other colors.
  • the first light emitting unit 303 is formed of a blue light emitting material
  • the second light emitting unit 304 is formed of a red light emitting material
  • the third light emitting unit 305 is formed of a green light emitting material.
  • the first light emitting unit 303 may also be formed of a green light emitting material
  • the second light emitting unit 304 may be formed of a red light emitting material
  • the third light emitting unit 305 may be formed of a blue light emitting material. I will not list them one by one here.
  • the first lighting unit 303, the second lighting unit 304, and the third lighting unit 305 are arranged in two layers.
  • the first illumination The unit 303, the second lighting unit 304, and the third lighting unit 305 may also be arranged in a three-layer arrangement.
  • the number of the light emitting units in the organic light emitting layer and the arrangement manner of the light emitting units are not limited.
  • the mixed transition layer 400 is formed by, for example, the same process as the first partial functional layer 310, that is, the first process (vacuum evaporation film process).
  • the first host material in the mixed transition layer 400 and the highest occupied molecular orbital of the first light-emitting unit 303 (Highest occupied molecule orbital, HOMO)
  • the energy level difference is less than 3 ev.
  • the highest occupied molecular orbital level difference between the first host material and the hole transport layer 302 in the mixed transition layer 400 is less than 3 ev; the first host material of the mixed transition layer 400 and the second light emitting unit 304,
  • the highest occupied molecular orbital energy level difference of the third light emitting unit 305 is greater than leV.
  • step 401 in fabricating an OLED device according to an embodiment of the present invention, step 401, first, forming a hole transport layer, a second light emitting unit, and a light emitting unit, for example, by a solution process; step 402, and then, for example, The vacuum evaporation film process forms a mixed transition layer; in step 403, the first light emitting unit and the electron transport layer are sequentially formed, for example, by a vacuum evaporation film process.
  • Embodiments of the present invention also provide a display device including a plurality of pixel units, each of which includes an OLED device provided by an embodiment of the present invention.
  • each pixel unit of the display device has one or more colors.
  • the organic light-emitting layer of the OLED device includes a first light-emitting unit, a second light-emitting unit, and a first light-emitting unit capable of emitting blue, red, and green, respectively.
  • the OLED device is not limited to including a plurality of light emitting units, and is not limited to the above three light emitting units, and may further include a plurality of light emitting units emitting other colors.
  • the display device provided by the embodiment of the present invention is provided with a mixed transition layer 400 formed by, for example, a vacuum thermal evaporation process in two alternate processes of the organic functional layer.
  • the mixed transition layer 400 comprises two or more materials, and usually comprises a P-type host material and an N-type host material, and the mixed transition layer 400 is formed on the sub-pixels of a plurality of colors.
  • Embodiments of the present invention also provide an electronic product including at least the display device as described above.
  • the electronic products are, for example, mobile phones, computers, televisions, digital cameras, and the like.
  • the above is a specific embodiment of the present invention, but the scope of the present invention is not limited thereto, and any person skilled in the art can easily think of changes or substitutions within the technical scope of the present invention. It should be covered by the scope of the present invention. Therefore, the scope of the invention should be determined by the scope of the appended claims.

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Abstract

一种OLED器件及其制造方法、显示装置和电子产品，该OLED器件包括第一电极（100）、第二电极（200）、以及位于第一电极（100）和第二电极（200）之间的有机功能层，该有机功能层包括采用第一制程形成的第一部分功能层（310）、采用第二制程形成的第二部分功能层（320）、以及设置在第一部分功能层（310）和第二部分功能层（320）之间的混合过渡层（400），该混合过渡层（400）至少采用第一主体材料和第二主体材料形成，第一主体材料的空穴迀移率大于电子迀移率，第二主体材料的电子迀移率大于空穴迀移率。

Description

种 OLED器件及 显示装置及电子产品
本发明实施例涉及显示技术领域， 尤其涉及一种 OLED器件及其制造方 法、 显示装置及电子产品。
OLED ( Organic Light Emitting Diode, 有机发光二极管） 显示器是一种 自发光显示器。与 LCD (liquid crystal display,液晶显示器）相比， 由于 OLED 显示器不需要背光源， 因此 OLED显示器更为轻薄。 此外， OLED显示器还 具有高亮度、 低功耗、 宽视角、 高响应速度、 宽使用温度范围等优点而越来 越多地被应用于各种高性能显示领域当中。
OLED 的发光机理是在外加电场的作用下， 电子和空穴分别从正负两极 注入有机发光材料， 从而在该有机发光材料中进行迁移、复合并衰减而发光。
一种现有的 OLED器件的结构如图 1所示， 包括阳极层 10、 阴极层 20 和位于这两层之间的有机功能层 30。 该有机功能层 30中还可包括电子传输 层 31、 空穴传输层 32和有机发光层等在内的多种功能层。 其中有机发光层 通常包括红、 绿、 蓝三种颜色的有机发光材料。 如图 1所示， 有机发光层可 以包括分别能够发出蓝光、 红光和绿光的第一发光单元 331、 第二发光单元 332和第≡发光单元 333。
OLED 多层结构目的在于： 不同功能层具有不同的功效， 进而使得各方 面功效能够各自优化。 而不同功能层间， 介面特性尤其重要。 因为异质介面 可能包含有多种复杂的物理机制， 例如， 能量转换、 载子复合、 载子分离、 载子注入、 载子累积等等， 因此在真空热蒸镀技术中， 不同功能层间的留置 寸间 （Q- tmie)、 制程环境、 或是真空热蒸镀前的表面处理， 显得特别重要。 目的都是希望能使得形成不同功能层的不同材料间能有够有较完美的介面产
, 另一种现有的 Hybrid OLED器件是由溶液制程 （Solution Process) 和真 空热蒸镀制禾呈 ( VacuumThermal Evaporation process,VTE Process )两禾中工艺混 合制成的一种 OLED器件。 在不同制程的介面两侧， 分别为不同材料。 在两 种制程工艺的转换中， 异质介面特性必然受到影响， 尤其是发光层。 例如图 2所示， Hybrid OLED器件包括空穴传输层 32、 第二发光单元 332、 第三发 光单元 333在内的功能层采用溶液制程（Solution Process)形成， 包括第一发 光单元 331、电子传输层 31在内的薄膜层采用真空热蒸镀制程（VTE Process) 形成。 由于第一发光单元与第二发光单元、 第三发光单元采用不同制程形成， 因此会导致第一发光单元与第二发光单元、 第三发光单元功能受到影响。
因此， 在现有技术中出现另一种 OLED， 其在溶液制程与真空热蒸镀制 程交替的介面中加入了一层采用真空热蒸镀制程形成的混合过渡层 （Hybrid Connecting Layer, HCL),可以使得采用真空热蒸镀形成的第一层薄膜层的效 率及寿命获得改善。 例如图 2中所示， 在采用真空热蒸镀制程形成的第一发 光单元与采用溶液制程形成的第二发光单元和第三发光单元之间设置一层采 用真空热蒸镀制程形成的混合过渡层 （HCL) 40， 可以改善和提高第一发光 单元的效率和寿命。
但是， 该混合过渡层 （HCL) 需要既在采用溶液制程形成的第二发光单 元和第三发光单元的子像素中起电子传输功能， 又在采 ^真空热蒸镀制程形 成的第一发光单元的子像素中起空穴传输功能。因此使得该 HCL的材料难以 选择， 载子难以平衡， 从而容易在某一子像素中， 发出别的子像素的颜色。
(一） 要解决的技术问题
本发明实施例的目的是提供一种 OLED器件及其制造方法、 显示装置及 电子产品， 能够解决混合过渡层载子传输不平衡的问题， 进而改善 OLED的 寿命、 降低操作电压以及提升效率。
(二） 技术方案
本发明实施例所提供的技术方案如下：
根据本发明实施例的一个方面， 提供了一种 OLED器件， 至少包括第一 电极、 第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机功能层， 其中， 所述有机功能层至少包括采用第一制程形成的第一部分功能层、 采用 第二制程形成的第二部分功能层、 以及设置在所述第一部分功能层和所述第 二部分功能层之间的混合过渡层。
所述混合过渡层至少采用第一主体材料和第二主体材料形成， 其中所述 第一主体材料的空穴迁移率大于电子迁移率， 所述第二主体材料的电子迁移 率大于空穴迁移率。
进一步的， 所述第一主体材料至少包括 p型主体材料； 并 i所述第二主 体材料包括 N型主体材料。
进一步的， 所述混合过渡层的三线态能量大于 2, 1 eV。
迸一步的， 所述有机功能层包括： 位于靠近所述第一电极一侧的电子传 输层； 位于靠近所述第二电极一侧的空穴传输层； 以及位于所述空穴传输层 和所述电子传输层之间的有机发光层， 所述有机发光层包括位于靠近所述电 子传输层的一侧的第一发光单元以及位于靠近所述空穴传输层的一侧且同层 设置的第二发光单元和第三发光单元。
所述第一部分功能层包括所述电子传输层和所述第一发光单元； 所述第 二部分功能层包括所述空穴传输层、所述第二发光单元和所述第≡发光单元; 并且所述混合过渡层被设置在所述第一发光单元与所述第二发光单元、 所述 第三发光单元之间。
进一步的， 所述混合过渡层中的第一主体材料与第一发光单元的最高占 据的分子轨道能级差小于 3ev。
进一步的， 所述混合过渡层中的第一主体材料与所述空穴传输层的最高 占据的分子轨道能级差小于 3ev。
进一步的， 所述混合过渡层的第一主体材料与所述第二发光单元、 所述 第三发光单元的最高占据的分子轨道能级差大于 leV。
进一步的， 所述第一发光单元由蓝色发光材料形成， 所述第二发光单元 由红色发光材料形成， 所述第三发光单元由绿色发光材料形成。
进一步的， 所述混合过渡层采用所述第一制程形成。
迸一步的， 所述第一制程包括真空热蒸镀制程， 并且所述第二制程包括 溶液制程。
根据本发明实施例的另一方面， 提供了一种显示装置， 所述显示装置包 括以行列方式设置的多个像素单元， 其中， 每个像素单元包括如上所述的
OLED器件。
根据本发明实施例的另一方面， 提供了一种电子产品， 其包括如上所述 的显示装置。
根据本发明实施例的另一方面， 提供了一种 OLED器件的制造方法， 包 括如下步骤： 步骤 A. 通过第二制程依次形成空穴传输层、 位于靠近所述空 穴传输层的一侧且同层设置的第二发光单元和第三发光单元；步骤 B, 至少采 用第一主体材料和第二主体材料通过第一制程形成混合过渡层， 其中， 所述 第一主体材料的空穴迁移率大于电子迁移率， 所述第二主体材料的电子迁移 率大于空穴迁移率；以及步骤 C. 通过所述第一制程依次形成第一发光单元和 电子传输层。
(≡) 有益效果
本发明实施例的有益效果如下：
根据本发明实施例的 OLED器件的混合过渡层能够同时满足电子传输及 空穴传输的功能需求， 解决现有技术中混合过渡层载子传输不平衡的问题， 进而改善 OLED寿命， 达到降低操作电压以及提升效率的目的。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案， 下面将对实 施例描述中所需要使 ^的 ^图作筒单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附 图仅仅是本发明的一些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创 造性劳动的前提下， 还可以根据这些 Pf†图获得其他的 Pf†图。
图 1为现有技术中的 OLED器件的结构示意图；
图 2为现有技术中的 Hybnd OLED器件的结构示意图；
图 3为本发明实施例所提供的 Hybnd OLED器件的结构示意图； 以及 图 4为本发明实施例所提供的 Hybrid OLED器件的制造方法的流程图。 实施例仅用于说明本发明， 但不用来限制本发明的范围。
为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发 明实施例的^图， 对本发明实施例的技术方案进行清楚、 完整地描述。 显然， 所描述的实施例是本发明的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描 述的本发明的实施例， 本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例， 都属 于本发明保护的范围。
除非另作定义， 此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领 域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。 本发明专利申请说明书以及权 利要求书中使用的 "第一 "、 "第二" 以及类似的词语并不表示任何顺序、 数 量或者重要性， 而只是用来区分不同的组成部分。 同样， "一个"或者 "一" 等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。 "连接"或者 "相连" 等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接， 不管是直接的还是间接的。 "上"、 "下"、 "左"、 "右"等仅用于表示相对位置 关系， 当被描述对象的绝对位置改变后， 则该相对位置关系也相应地改变。
以下结合^图对本发明的原理和特征进行描述， 所举实例只用于解释本 发明， 并非用于限定本发明的范围。
如图 3所示， 本发明实施例提供了一种 OLED器件， 其至少包括第一电 极 100、 第二电极 200以及位于所述第一电极 100和所述第二电极 200之间 的有机功能层。 所述有机功能层至少包括采用第一制程形成的第一部分功能 层 310和采用第二制程形成的第二部分功能层 320。所述第一部分功能层 310 和所述第二部分功能层 320之间设置混合过渡层 400。 例如， 所述混合过渡 层 400至少采用第一主体材料和第二主体材料形成。 例如， 所述第一主体材 料的空穴迁移率大于电子迁移率， 所述第二主体材料的电子迁移率大于空穴 迁移率。
在上述方案中， OLED器件的有机功能层至少一部分采用第一制程形成， 而至少另一部分是采 ^第二制程形成。 在两种制程交替的介面中设置有混合 过渡层 400, 且该混合过渡层 400至少由空穴迁移率大于电子迁移率的第一 主体材料和电子迁移率大于空穴迁移率的第二主体材料形成。 这种采 ^第一 主体材料和第二主体材料制成的混合过渡层 400能够同时满足电子传输及空 穴传输的功能需求， 解决现有技术中混合过渡层 （ 例如 HCL 40, 见图 2所 示） 的载子传输不平衡的问题， 进而改善 OLED寿命， 达到降低操作电压以 及提升效率的目的。
例如， 所述第一主体材料可以采用空穴迁移率大于电子迁移率的 P型主 体材料； 所述第二主体材料可以采用电子迁移率大于空穴迁移率的 N型主体 材料。 进一步的， 所述混合过渡层 400的三线态能量 （Triplet Energy) 大于 2, 1 eV。
需要说明的是， 第一电极 100、 第二电极 200可以例如是阳极 （Anode) 或阴极（Cathode)。在本发明实施例中，是以第一电极 100为阴极（Cathode) , 第二电极 200为阳极 （Anode) 为例迸行的说明， 并不以此为限。
还需要说明的是， 第一制程和第二制程具体可以采用现有的任意一种能 够实现图案化的基板生产工艺。 在本发明实施例中， 是以第一制程为真空蒸 鍍膜制程（VTE Process ) , 第二制程为溶液制程（Solution Process) 为例进行 的说明， 并不以此为限。
以下说明一种本发明实施例中所提供的 0LED器件。
如图 3所示， 所示 0LED器件包括第一电极 100、 第二电极 200和设置 于所述第一电极 100和第二电极 200之间的有机功能层。
例如， 所述有机功能层包括：
位于靠近所述第一电极 100 —侧的电子传输层 301 ( Electron Transport Layer, ETL )；
位于靠近所述第二电极 200—侧的空穴传输层 302( Hole Transport Layer, HTL): 以及
位于所述空穴传输层 302 和所述电子传输层 301 之间的有机发光层 ( Emitting Ivlaterial Layer， EML )。
例如， 所述有机发光层包括第一发光单元 303 (EML1 )、 第二发光单元 304 (EML2) 和第三发光单元 305 (EML3 )。
例如， 所述第一发光单元 303位于靠近所述电子传输层 301的一侧； 所 述第二发光单元 304和所述第三发光单元 305均位于靠近所述空穴传输层 302 的一侧。 例如， 所述第一部分功能层 310包括所述电子传输层 301和所述第一发 光单元 303 ; 而所述第二部分功能层 320包括所述空穴传输层 302、所述第二 发光单元 304和所述第三发光单元 305。
例如， 所述混合过渡层 400形成于所述第一发光单元 303与所述第二发 光单元 304、 所述第三发光单元 305之间。
例如， 在本实施例中， 有机功能层中的电子传输层 301和第一发光单元 303采用第一制程（真空蒸镀膜制程， VTE Process )形成，第二发光单元 304、 第三发光单元 305 和空穴传输层 302 采用第二制程 （溶液制程， Solution Process ) 形成。 混合过渡层 400设置于采用真空蒸镀膜制程形成的第一发光 单元 303与采用溶液制程形成的第二发光单元 304和第三发光单元 305之间。
需要说明的是， 在本实施例中， 有机功能层的结构并不局限于此。例如， 该有机功能层还可以包括空穴注入层和电子注入层。 其中空穴注入层可以位 于空穴传输层 302的远离有机发光层的一侧， 电子注入层可以位于电子传输 层 301的远离有机发光层的一侧。
此外， 还需要说明的是， 上述实施例是两种制程交替介面位于有机发光 层中。 而在本发明的其他实施例中， 两种制程的交替介面也可能位于有机功 能层的其他功能层之间。 例如， 两种制程的交替介面并非位于第一发光单元 303和第二发光单元 304、第三发光单元 305之间， 而是位于有机发光层和电 子传输层 301之间。 此时， 所述混合过渡层 400即位于所述有机发光层和电 子传输层 301之间。 在此不再一一列举。
此外， 第一发光单元 303、 第二发光单元 304和第三发光单元 305分别 由蓝、 绿、 红色发光材料制成。 当然， 它们也可以为其他颜色的发光材料。 在本发明实施例中， 所述第一发光单元 303采用由蓝色发光材料形成， 所述 第二发光单元 304由红色发光材料形成， 而所述第三发光单元 305由绿色发 光材料形成。 当然可以理解的是， 在实际应用中， 第一发光单元 303也可以 由绿色发光材料形成， 第二发光单元 304可以由红色发光材料形成， 并且第 三发光单元 305可以由蓝色发光材料形成。 在此不再一一列举。
此外， 还需要说明的是， 本实施例中第一发光单元 303、 第二发光单元 304和第三发光单元 305排列为两层设置。 然而， 在实际应用中， 第一发光 单元 303、 第二发光单元 304和第三发光单元 305也可以排列为三层设置。 当然这也仅是一种举例说明。 本发明实施例对有机发光层中的发光单元个数 及各发光单元的排列方式并不作限制。
还需说明的是， 在本发明实施例中， 所述混合过渡层 400是例如采用与 所述第一部分功能层 310相同的制程， 即第一制程 （真空蒸镀膜制程） 形成 的。
为了进一步的保证混合过渡层 400载子传输平衡， 在本发明实施例中， 所述混合过渡层 400中的第一主体材料与第一发光单元 303的最高占据的分 子轨道 (Highest occupied molecule orbital, HOMO)能级差小于 3ev。 所述混 合过渡层 400中的第一主体材料与所述空穴传输层 302的最高占据的分子轨 道级差小于 3ev; 所述混合过渡层 400的第一主体材料与所述第二发光单元 304、 所述第三发光单元 305的最高占据的分子轨道能级差大于 leV。
图 4为本发明实施例所提供的 Hybnd OLED器件的制造方法 400的流程 图。 如图 4所示， 在制造根据本发明实施例的 OLED器件时， 歩骤 401， 首 先， 例如通过溶液制程形成空穴传输层、 第二发光单元和第 发光单元； 步 骤 402, 然后， 例如通过真空蒸镀膜制程形成混合过渡层； 步骤 403， 再例如 遥过真空蒸镀膜制程依次形成第一发光单元和电子传输层。
本发明的实施例还提供了一种显示装置， 其包括多个像素单元， 每一像 素单元包括本发明实施例所提供的 OLED器件。 在本发明的实施例中， 该显 示装置的每一像素单元具有≡种或 种以上颜色。 所述 OLED器件的有机发 光层包括能够分别发出蓝、 红、 绿色的第一发光单元、 第二发光单元和第 发光单元。 当然， 所述 OLED器件不限于包括 种发光单元， 也不限于以上 三种发光单元， 还可以包括发出其他颜色的多个发光单元。 本发明实施例所 提供的显示装置是在有机功能层的两种制程交替的介面中设置有例如真空热 蒸镀制程形成的混合过渡层 400。 该混合过渡层 400包含有两种或两种以上 的材料， 且通常包含有 P型主体材料及 N型主体材料， 且混合过渡层 400同 寸制作于多种颜色的子像素上。
本发明的实施例还提供了一种电子产品， 该电子产品至少包括如上所述 的显示装置。 该电子产品例如是手机、 电脑、 电视、 数码相机等。 以上所述， 伩为本发明的具体实施方式， 但本发明的保护范围并不局限 于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内， 可轻易 想到变化或替换， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。 因此， 本发明的保护 范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1. 一种 OLED器件， 至少包括第一电极、 第二电极以及位于所述第一电 极和所述第二电极之间的有机功能层， 其中， 所述有机功能层至少包括采用 第一制程形成的第一部分功能层、 采用第二制程形成的第二部分功能层、 以 及设置在所述第一部分功能层和所述第二部分功能层之间的混合过渡层； 其 中，
所述混合过渡层至少采用第一主体材料和第二主体材料形成， 其中所述 第一主体材料的空穴迁移率大于电子迁移率， 所述第二主体材料的电子迁移 率大于空穴迁移率。
2. 根据权利要求 1所述的 0LED器件， 其中，
所述有机功能层至少包括：
位于靠近所述第一电极一侧的电子传输层；
位于靠近所述第二电极一侧的空穴传输层； 以及
设置在所述空穴传输层和所述电子传输层之间的有机发光层，
3. 根据权利要求 2所述的 0LED器件， 其中，
所述有机发光层至少包括位于靠近所述电子传输层的一侧的第一发光单 元、 以及位于靠近所述空穴传输层的一侧且同层设置的第二发光单元和第三 发光单元；
其中， 所述第一部分功能层至少包括所述电子传输层和所述第一发光单 元；
所述第二部分功能层至少包括所述空穴传输层、 所述第二发光单元和所 述第三发光单元； 并且
所述混合过渡层被设置在所述第一发光单元与所述第二发光单元、 所述 第三发光单元之间。
4. 根据权利要求 1至 3中任一项所述的 0LED器件， 其中，
所述第一主体材料至少包括 P型主体材料；
所述第二主体材料至少包括 N型主体材料。
5. 根据权利要求 1至 4中任一项所述的 0LED器件， 其中， 所述混合过渡层的三线态能量大于 2,1 eV。
6. 根据权利要求 3所述的 OLED器件， 其中，
所述混合过渡层中的第一主体材料与第一发光单元的最高占据的分子轨 倉级差小于 3ev。
7. 根据权利要求 2或 3所述的 OLED器件， 其中，
所述混合过渡层中的第一主体材料与所述空穴传输层的最高占据的分子 轨道能级差小于 3ev。
8. 根据权利要求 3所述的 OLED器件， 其中，
所述混合过渡层的第一主体材料与所述第二发光单元、 所述第三发光单 元的最高占据的分子轨道能级差大于 leV。
9. 根据权利要求 3所述的 OLED器件， 其中，
所述第一发光单元由蓝色发光材料形成， 所述第二发光单元由红色发光 材料形成， 所述第三发光单元由绿色发光材料形成。
10. 根据权利要求 1至 9中任一项所述的 OLED器件， 其中，
所述混合过渡层采用所述第一制程形成。
11. 根据权利要求 i至 10中任一项所述的 OLED器件， 其中，
所述第一制程包括真空热蒸鍍制程； 所述第二制程包括溶液制程。
12. 一种显示装置， 所述显示装置包括以行列方式设置的多个像素单元, 其中， 每个像素单元包括如权利要求 1至 10中任一项所述的 OLED器件。
13. 一种电子产品， 其包括如权利要求 12所述的显示装置。
14. 一种 OLED器件的制造方法， 包括如下步骤：
歩骤 A, 通过第二制程依次形成空穴传输层、 位于靠近所述空穴传输层 的一侧且同层设置的第二发光单元和第≡发光单元；
歩骤 B. 至少采用第一主体材料和第二主体材料遥过第一制程形成混合 过渡层， 其中， 所述第一主体材料的空穴迁移率大于电子迁移率， 所述第二 主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率； 以及
步骤 C. 通过所述第一制程依次形成第一发光单元和电子传输层。
15. 根据权利要求 14所述的制造方法， 其中，
所述第一主体材料至少包括 P型主体材料； 所述第二主体材料至少包括 N型主体材料。
16. 根据权利要求！4或 15所述的制造方法， 其中，
所述混合过渡层的三线态能量大于 2, 1 eV。
17. 根据权利要求！4至 16中任一项所述的制造方法， 其中，
所述混合过渡层中的第一主体材料与第一发光单元的最高占据的分子轨 倉级差小于 3ev。
18. 根据权利要求 14至 17中任一项所述的制造方法， 其中，
所述混合过渡层中的第一主体材料与所述空穴传输层的最高占据的分子 轨道能级差小于 3ev。
19. 根据权利要求！4至 18中任一项所述的制造方法， 其中，
所述混合过渡层的第一主体材料与所述第二发光单元、 所述第 发光单 元的最高占据的分子轨道能级差大于 leV。
20. 根据权利要求 14至 19中任一项所述的制造方法， 其中，
所述第一发光单元由蓝色发光材料形成， 所述第二发光单元由红色发光 材料形成， 所述第三发光单元由绿色发光材料形成。
21. 根据权利要求 14至 20中任一项所述的制造方法， 其中，
所述第一制程包括真空热蒸鍍制程； 所述第二制程包括溶液制程。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI694628B (zh) * 2018-02-06 2020-05-21 星宸光電股份有限公司 電子元件

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103715367B (zh) * 2013-12-24 2016-03-30 合肥京东方光电科技有限公司 有机发光二极管及电子设备
CN104022229A (zh) 2014-05-30 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件及其制备方法、显示装置
CN104600201A (zh) * 2015-01-30 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CN104701458B (zh) * 2015-03-24 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件及其制作方法、显示装置
CN104868061B (zh) * 2015-06-04 2017-07-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CN105185917B (zh) 2015-08-07 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件及显示装置
CN105528984A (zh) 2016-02-02 2016-04-27 京东方科技集团股份有限公司 发射电极扫描驱动单元、驱动电路以及驱动方法、阵列基板
CN106058062B (zh) * 2016-05-31 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 一种混合发光器件、显示面板和显示装置
CN105895821B (zh) 2016-07-01 2017-12-29 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管及其制造方法和显示装置
CN106159101B (zh) * 2016-08-31 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及显示装置
CN106409879B (zh) * 2016-11-30 2018-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种oled单元、器件及显示装置
CN111129330A (zh) * 2019-12-26 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN113826231B (zh) * 2020-04-09 2024-03-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板与显示装置
CN111710306B (zh) * 2020-06-28 2022-03-01 深圳康佳电子科技有限公司 一种自发光lcd液晶屏幕、显示装置及电视机

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101055923A (zh) * 2006-04-13 2007-10-17 Lg电子株式会社 有机电致发光器件及其制造方法
US20090294778A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-03 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, display apparatus, and electronic system
CN101847692A (zh) * 2009-03-26 2010-09-29 精工爱普生株式会社 发光元件、发光装置、显示装置及电子设备
CN102130306A (zh) * 2009-11-03 2011-07-20 精工爱普生株式会社 有机el装置的制造方法、有机el装置及电子设备
CN102842680A (zh) * 2011-06-21 2012-12-26 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101055923A (zh) * 2006-04-13 2007-10-17 Lg电子株式会社 有机电致发光器件及其制造方法
US20090294778A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-03 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, display apparatus, and electronic system
CN101847692A (zh) * 2009-03-26 2010-09-29 精工爱普生株式会社 发光元件、发光装置、显示装置及电子设备
CN102130306A (zh) * 2009-11-03 2011-07-20 精工爱普生株式会社 有机el装置的制造方法、有机el装置及电子设备
CN102842680A (zh) * 2011-06-21 2012-12-26 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI694628B (zh) * 2018-02-06 2020-05-21 星宸光電股份有限公司 電子元件

Also Published As

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