WO2015079538A1 - Ｄｃ－ｄｃコンバータ - Google Patents

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WO2015079538A1
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reactor
voltage
converter
capacitor
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佐土原　正志
征二 橋本
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株式会社安川電機
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    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Definitions

  • the disclosed embodiment relates to a DC-DC converter.
  • One aspect of the embodiment has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a DC-DC converter having a wide application range.
  • a DC-DC converter includes a step-up chopper circuit, a first reactor, a first capacitor, and a first diode.
  • the step-up chopper circuit has an input terminal, an output terminal, a reactor, a blocking diode, and a switching element, and boosts the input voltage to generate an output voltage.
  • the input terminal is connected to a DC power source.
  • the output terminal is connected to a load.
  • the reactor is provided between the input terminal and the output terminal.
  • the blocking diode is connected in series with the reactor.
  • One end of the switching element is connected between the reactor and the blocking diode.
  • the first reactor is provided between the input terminal and one end of the switching element.
  • the first capacitor is provided between the first reactor and the switching element, and is connected in series with the first reactor.
  • the first diode has an anode terminal connected to the connection portion of the first reactor and the first capacitor, and a cathode terminal connected to the output terminal.
  • the DC-DC converter can be applied in a wide range.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the current flowing through the DC-DC converter when the second switching element according to the second embodiment is off.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining a current flowing through the DC-DC converter when the second switching element according to the second embodiment is on.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining an input voltage and an output voltage of the DC-DC converter according to the second embodiment, a voltage of the second capacitor, a control signal for the switching element, and a control signal for the second switching element.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a DC-DC converter 1 according to the present embodiment.
  • the DC-DC converter 1 includes a step-up chopper circuit 100, a ZVS (Zero Voltage Switching) circuit 110, a ZCS (Zero Current Switching) circuit 120, and a control circuit 130.
  • ZVS Zero Voltage Switching
  • ZCS Zero Current Switching
  • the step-up chopper circuit 100 has a positive input terminal Vin +, a negative input terminal Vin ⁇ , a positive output terminal Vout +, a negative output terminal Vout ⁇ , a reactor L100, a blocking diode D100, a switching element S100, and a smoothing capacitor C100.
  • the step-up chopper circuit 100 switches the accumulation of energy from the DC power source E to the reactor L100 and the release of the energy from the reactor L100 by turning on / off the switching element S100. As a result, the boost chopper circuit 100 boosts the voltage output from the DC power supply E.
  • the negative electrode potential of the DC power supply E is the ground potential of the DC-DC converter 1.
  • the negative output terminal Vout ⁇ is connected to the ground potential.
  • the reactor L100 is provided between the positive input terminal Vin + and the positive output terminal Vout +.
  • the reactor L100 has one end connected to the positive input terminal Vin + and the other end connected to the anode terminal of the blocking diode D100.
  • Blocking diode D100 is connected in series with reactor L100.
  • the blocking diode D100 of FIG. 1 has an anode terminal connected to the reactor L100 and a cathode terminal connected to the positive output terminal Vout +.
  • Switching element S100 has one end connected between reactor L100 and blocking diode D100. The other end of the switching element S100 is connected to the ground potential.
  • the switching element S100 switches whether to connect the other end of the reactor L100 to the negative input terminal Vin ⁇ based on a control signal from the control circuit 130.
  • a bipolar transistor is used as the switching element S100, but the switching element S100 is not limited to this.
  • a MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
  • MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
  • the ZVS circuit 110 includes a first reactor L101, a first capacitor C101, a first diode D101, and a second diode D102.
  • the first reactor L101 is provided between the positive electrode input terminal Vin + and one end of the switching element S100.
  • the first reactor L101 has one end connected to the positive input terminal Vin + and the other end connected to the anode terminal of the second diode D102.
  • the first diode D101 has an anode terminal connected to the connection portion A between the first reactor L101 and the first capacitor C101, and a cathode terminal connected to the positive output terminal Vout +.
  • the first diode D101 is provided as a discharging diode for the first capacitor C101.
  • the second diode D102 is provided as a backflow prevention diode so that current does not flow back from the first capacitor C101 to the first reactor L101.
  • the second diode D102 is provided between the first reactor L101 and the first capacitor C101, but may be provided between the first reactor L101 and the positive input terminal Vin +. Further, the second diode D102 may be omitted.
  • connection portion A is a portion where the other end of the first reactor L101 and one end of the first capacitor C101 are connected. Therefore, the anode terminal of the first diode D101 is connected to the other end of the first reactor L101 and to one end of the first capacitor C101.
  • the ZCS circuit 120 is a circuit for the switching element S100 to perform soft switching when the switching element S100 is turned on. By providing the ZCS circuit 120, switching loss occurring in the switching element S100 can be suppressed. Details of suppressing the switching loss by the ZCS circuit 120 will be described later.
  • the ZCS circuit 120 has a second reactor L102.
  • the second reactor L102 is provided between the blocking diode D100 and the positive output terminal Vout +.
  • the second reactor L102 has one end connected to the cathode terminal of the blocking diode D100 and the other end connected to the positive output terminal Vout +.
  • FIG. 2 is a diagram showing the DC-DC converter 1 when the switching element S100 is on.
  • the arrows in FIG. 2 indicate the path of current flowing through the DC-DC converter 1.
  • the switching element S100 When the switching element S100 is on, the other end of the first capacitor C101 is connected to the ground potential via the switching element S100. Accordingly, the current I2 flowing from the positive electrode of the DC power supply E to the first reactor L101 flows to the ground potential through the second diode D102, the first capacitor C101, and the switching element S100.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the DC-DC converter 1 at the time of turn-off in which the switching element S100 is switched from on to off.
  • the arrows in FIG. 3 indicate the path of current flowing through the DC-DC converter 1 at the time of turn-off.
  • the first capacitor C101 starts discharging at the time of turn-off. Accordingly, the current I3 flows through the DC-DC converter 1 from the first capacitor C101 to the first diode D101.
  • the voltage of the first capacitor C101 is equal to the output voltage Vout. Therefore, when the switching element S100 is turned off, the potential of the connection portion B is equal to the ground potential.
  • the DC-DC converter 1 can perform zero volt switching, and can suppress the switching loss generated in the switching element S100 at the time of turn-off.
  • a boost operation by soft switching is performed in a circuit including the first reactor L101, the first capacitor C101, the first diode D101, and the switching element S100.
  • the first reactor L101 and the first capacitor C101 are set to appropriate values so that the voltage of the first capacitor C101 is equal to the output voltage Vout. Is not limited to this. It is only necessary that the voltage of the switching element S100 at the time of turn-off can be made smaller than the output voltage Vout by accumulating charges in the first capacitor C101. As described above, by suppressing the voltage of the switching element S100 at the time of turn-off, the DC-DC converter 1 can perform soft switching, and suppress the switching loss corresponding to the voltage of the first capacitor C101. Can do.
  • FIG. 4 is a diagram showing the DC-DC converter 1 when the switching element S100 is off.
  • the arrows in FIG. 4 indicate the path of current flowing through the DC-DC converter 1.
  • the current I1 flows through the DC-DC converter 1 from the positive electrode of the DC power source E to the reactor L100.
  • the current I1 flows from the positive electrode of the DC power source E to the reactor L100, the blocking diode D100, and the second reactor L102. At this time, magnetic field energy is accumulated in the second reactor L102.
  • FIG. 5 is a diagram showing the DC-DC converter 1 at the turn-on time when the switching element S100 is switched from OFF to ON.
  • the arrows in FIG. 5 indicate paths of current flowing through the DC-DC converter 1 when the switching element S100 is turned on.
  • the other end of the reactor L100 is connected to the ground potential via the switching element S100.
  • the DC-DC converter 1 has a second reactor L102 as the ZCS circuit 120. Due to the second reactor L102, the current I1 flows to the blocking diode D100 and the second reactor L102 even when it is turned on.
  • the second reactor L102 is set to an appropriate value so that the current I1 does not flow through the switching element S100 at the time of turn-on.
  • the present invention is not limited to this. It suffices that the current flowing through the second reactor L102 can reduce the current flowing through the switching element S100 during turn-off. As a result, the DC-DC converter 1 can perform soft switching, and can suppress a switching loss corresponding to the current flowing through the first reactor L102.
  • the DC-DC converter 1 includes the second reactor L102 as the ZCS circuit 120, so that the switching loss when the switching element S100 is switched from OFF to ON can be suppressed.
  • the ZVS circuit 110 by providing the ZVS circuit 110, it is possible to suppress the switching loss that occurs when the switching element S100 is turned on.
  • the DC-DC converter 1 discharges energy accumulated in the ZVS circuit 110 to the positive output terminal Vout + side in order to realize soft switching of the switching element S100, thereby suppressing loss due to soft switching. Can do.
  • the DC-DC converter 1 can suppress the switching loss that occurs when the switching element S100 is switched from OFF to ON by providing the ZCS circuit 120 in addition to the ZVS circuit 110.
  • the DC-DC converter 1 is configured such that no reverse current for charging the first capacitor C101 in the second reactor L102 is generated. Therefore, time for canceling the reverse current is not required, and the DC-DC converter 1 can be applied in a wide range.
  • a surge voltage may be generated in the second reactor L102.
  • the surge voltage is determined by the potential Ldi / dt across the second reactor L102. Accordingly, a surge voltage is generated when the switching element S100 is switched from on to off and the current flowing through the switching element S100 moves to the second reactor L102 side.
  • the second reactor L102 is very small compared to the reactor L100. Further, the DC-DC converter 1 of FIG. 1 performs zero-volt switching when the switching element S100 is switched from on to off. Therefore, the surge voltage generated at the timing when the switching element S100 switches from on to off does not have a large value, and does not give a large problem to the DC-DC converter 1.
  • the snubber circuit 200 is provided so as to absorb the surge voltage.
  • Snubber circuit 200 absorbs a surge voltage generated in second reactor L102.
  • the DC-DC converter 2 shown in FIG. 6 has the same configuration as that of the DC-DC converter 1 shown in FIG. 1 except that the snubber circuit 200 and the snubber control circuit 210 are included. The description is omitted.
  • 6 includes a second capacitor C201, a third reactor L201, a third diode D201, a fourth diode D202, and a second switching element S201.
  • the second capacitor C201 has one end connected to the positive output terminal Vout + and the other end connected to one end of the second switching element S201.
  • the second capacitor C201 accumulates the surge voltage generated in the second reactor L102 as an electric charge.
  • the third diode D201 has an anode terminal connected to the connection C between the blocking diode D100 and the second reactor L102, and a cathode terminal connected to the other end of the second capacitor C201.
  • the third diode D201 operates as a backflow prevention diode that prevents the charge accumulated in the second capacitor C201 from flowing back to the connection portion C.
  • the third reactor L201 has one end connected to the positive electrode output terminal Vout + and the other end connected to the cathode terminal of the fourth diode D202.
  • the fourth diode D202 has an anode terminal connected to the ground potential and a cathode terminal connected to the other end of the third reactor L201. Therefore, the other end of the third reactor L201 is connected to the ground potential via the fourth diode D202.
  • the fourth diode D202 operates as a backflow prevention diode that prevents the electric charge accumulated in the second capacitor C201 from flowing to the ground potential.
  • the second switching element S201 is provided between the second capacitor C201 and the fourth diode D202.
  • the second switching element S201 in FIG. 6 has one end connected to the other end of the second capacitor C201 and the other end connected to the cathode terminal of the fourth diode D202. That is, the other end of the second switching element S201 is connected to the ground potential via the fourth diode D202.
  • the second switching element S201 switches whether to connect the other end of the second capacitor C201 to the ground potential according to the instruction of the snubber control circuit 210. Specifically, when the second switching element S201 is on, the other end of the second capacitor C201 is connected to the ground potential. When the second switching element S201 is off, the other end of the second capacitor C201 is electrically disconnected from the ground potential.
  • a bipolar transistor is used as the second switching element S201, but the present invention is not limited to this.
  • a MOSFET transistor may be used as the second switching element S201.
  • the collector terminal of the second switching element S201 is connected to the other end of the second capacitor C201, and the emitter terminal of the second switching element S201 is the cathode terminal of the fourth diode D202. Connected to.
  • the base terminal of the second switching element S201 is connected to the snubber control circuit 210 as a control terminal.
  • the snubber control circuit 210 controls whether or not the snubber circuit 200 absorbs / discharges the surge voltage generated in the second reactor L102. Specifically, the snubber control circuit 210 controls the snubber circuit 200 to repeatedly absorb / release the surge voltage when the voltage of the snubber circuit 200 becomes higher than a predetermined voltage.
  • the snubber control circuit 210 detects the voltage of the second capacitor C201 as the voltage of the snubber circuit 200, for example, with a voltage detection circuit (not shown). Further, the snubber control circuit 210 generates a control signal for switching on / off of the second switching element S201 based on the detected voltage of the second capacitor C201. The snubber control circuit 210 controls the second switching element S201 by outputting the generated control signal to the second switching element S201.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a path of a current flowing through the snubber circuit 200 when the second switching element S201 is off.
  • the snubber control circuit 210 is not shown.
  • the second capacitor C201 When the second switching element S201 is off, the second capacitor C201 is connected in parallel with the second reactor L102. Therefore, as shown in FIG. 7, a current flows through the snubber circuit 200 from the connection C to the second capacitor C201 through the third diode D201. As a result, the second capacitor C201 accumulates electric charges.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a path of a current flowing through the snubber circuit 200 when the second switching element S201 is on.
  • the snubber control circuit 210 is not shown.
  • the second switching element S201 When the second switching element S201 is on, the other end of the second capacitor C201 is connected to the ground potential. Thereby, as shown in FIG. 8, in the snubber circuit 200, a current flows from the other end of the second capacitor C201 to the positive output terminal Vout + through the second switching element S201 and the third reactor L201. Thus, when the second switching element S201 is on, the second capacitor C201 releases the accumulated charge to the positive output terminal Vout +.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating the input voltage Vin, the output voltage Vout, the voltage of the second capacitor C201, the control signal of the switching element S100, and the control signal of the second switching element S201 in the DC-DC converter 2.
  • the input voltage Vin becomes the constant voltage Ve.
  • the output voltage Vout becomes the voltage Ve equal to the input voltage Vin while the DC-DC converter 2 is not performing the boosting operation (before timing T1 in FIG. 9).
  • the switching element S100 is repeatedly turned on / off at a constant period based on a control signal from the control circuit 130 (after timing T1 in FIG. 9)
  • the DC-DC converter 2 performs a boost operation, and the output voltage Vout rises to the voltage Vr. To do.
  • the control circuit 130 controls the switching element S100 by applying the control signal of the switching element S100 shown in FIG. 9 to the control terminal of the switching element S100.
  • the second switching element S201 of the snubber circuit 200 performs hard switching, but the influence of the loss due to the hard switching on the entire DC-DC converter 2 is small. This is because the energy stored in the snubber circuit 200 is much smaller than the boosted power of the boost chopper circuit 100.

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Abstract

　ＤＣ－ＤＣコンバータ（１，２）は、昇圧チョッパ回路（１００）と、第１リアクトル（Ｌ１０１）と、第１コンデンサ（Ｃ１０１）と、第１ダイオード（Ｄ１０１）とを備える。昇圧チョッパ回路（１００）は、入力端子（Ｖｉｎ＋，Ｖｉｎ－）と、出力端子（Ｖｏｕｔ＋，Ｖｏｕｔ－）と、リアクトル（Ｌ１００）と、ブロッキングダイオード（Ｄ１００）と、スイッチング素子（Ｓ１００）とを有し、入力電圧（Ｖｉｎ）を昇圧して出力電圧（Ｖｏｕｔ）を生成する。第１リアクトル（Ｌ１０１）は、入力端子（Ｖｉｎ）とスイッチング素子（Ｓ１００）の一端との間に設けられる。第１コンデンサ（Ｃ１０１）は、第１リアクトル（Ｌ１０１）と直列接続される。第１ダイオード（Ｄ１０１）は、アノード端子が第１リアクトル（Ｌ１０１）と第１コンデンサ（Ｃ１０１）との接続部に接続され、カソード端子が出力端子（Ｖｏｕｔ＋）に接続される。

Description

ＤＣ－ＤＣコンバータ
　開示の実施形態は、ＤＣ－ＤＣコンバータに関する。
　昇圧型のＤＣ－ＤＣコンバータは、スイッチング素子がオン／オフを周期的に繰り返すことで入力電圧を昇圧する。このとき、オン／オフをソフトスイッチングで行うことで、スイッチングロスを低減する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１２－７０５０５号公報
　しかしながら、特許文献１に開示されたＤＣ－ＤＣコンバータでは、スイッチング素子をオンすると、逆電圧防止用ダイオードより出力側に設けられたリアクトルにスナバ回路用キャパシタを充電するための逆方向電流が発生する。かかる逆方向電流がキャンセルされるために時間がかかり、ソフトスイッチング用リアクタンスに流れる電流を十分にキャンセルできない。そのため、従来のＤＣ－ＤＣコンバータを適応できる範囲が限られるという問題があった。
　実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、適用範囲の広いＤＣ－ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
　実施形態の一態様に係るＤＣ－ＤＣコンバータは、昇圧チョッパ回路と、第１リアクトルと、第１コンデンサと、第１ダイオードとを備える。昇圧チョッパ回路は、入力端子と、出力端子と、リアクトルと、ブロッキングダイオードと、スイッチング素子と、を有し、入力電圧を昇圧して出力電圧を生成する。入力端子は、直流電源に接続される。出力端子は、負荷に接続される。リアクトルは、入力端子と出力端子との間に設けられる。ブロッキングダイオードは、リアクトルと直列接続される。スイッチング素子は、一端がリアクトルとブロッキングダイオードとの間に接続される。第１リアクトルは、入力端子とスイッチング素子の一端との間に設けられる。第１コンデンサは、第１リアクトルとスイッチング素子との間に設けられ、第１リアクトルと直列接続される。第１ダイオードは、アノード端子が第１リアクトル及び第１コンデンサの接続部に接続され、カソード端子が出力端子に接続される。
　実施形態の一態様によれば、ＤＣ－ＤＣコンバータを広範囲に適用することができる。
図１は、第１の実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータを示す図である。 図２は、第１の実施形態に係るスイッチング素子がオンの場合にＤＣ－ＤＣコンバータに流れる電流を説明する図である。 図３は、第１の実施形態に係るスイッチング素子のターンオフ時にＤＣ－ＤＣコンバータに流れる電流を説明する図である。 図４は、第１の実施形態に係るスイッチング素子がオフの場合にＤＣ－ＤＣコンバータに流れる電流を説明する図である。 図５は、第１の実施形態に係るスイッチング素子のターンオン時にＤＣ－ＤＣコンバータに流れる電流を説明する図である。 図６は、第２の実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータを示す図である。 図７は、第２の実施形態に係る第２スイッチング素子がオフの場合にＤＣ－ＤＣコンバータに流れる電流を説明する図である。 図８は、第２の実施形態に係る第２スイッチング素子がオンの場合にＤＣ－ＤＣコンバータに流れる電流を説明する図である。 図９は、第２の実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータの入力電圧及び出力電圧、第２コンデンサの電圧、スイッチング素子の制御信号、及び第２スイッチング素子の制御信号を説明する図である。
　以下、添付図面を参照して、本願の開示するＤＣ－ＤＣコンバータの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
（第１の実施形態）
　図１は、本実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータ１の回路図である。ＤＣ－ＤＣコンバータ１は、昇圧チョッパ回路１００と、ＺＶＳ（Ｚｅｒｏ　Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）回路１１０と、ＺＣＳ（Ｚｅｒｏ　Ｃｕｒｒｅｎｔ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）回路１２０と、制御回路１３０とを備える。
　昇圧チョッパ回路１００は、正極入力端子Ｖｉｎ＋、負極入力端子Ｖｉｎ－、正極出力端子Ｖｏｕｔ＋、及び負極出力端子Ｖｏｕｔ－、リアクトルＬ１００、ブロッキングダイオードＤ１００、スイッチング素子Ｓ１００、及び平滑コンデンサＣ１００を有する。
　昇圧チョッパ回路１００は、直流電源ＥからリアクトルＬ１００へのエネルギーの蓄積、及びかかるエネルギーのリアクトルＬ１００からの放出を、スイッチング素子Ｓ１００をオン／オフすることで切り替える。これにより、昇圧チョッパ回路１００は直流電源Ｅから出力される電圧を昇圧する。
　昇圧チョッパ回路１００は、正極入力端子Ｖｉｎ＋と負極入力端子Ｖｉｎ－との間の電圧（以下、入力電圧Ｖｉｎと称する）を昇圧して出力電圧Ｖｏｕｔを生成する。出力電圧Ｖｏｕｔは、正極出力端子Ｖｏｕｔ＋と負極出力端子Ｖｏｕｔ－とを介して負荷Ｒに印加される。
　正極入力端子Ｖｉｎ＋は、直流電源Ｅの正極に接続される。また、負極入力端子Ｖｉｎ－は、直流電源Ｅの負極に接続される。正極出力端子Ｖｏｕｔ＋は、負荷Ｒの正極に接続される。また、負極出力端子Ｖｏｕｔ－は、負荷Ｒの負極に接続される。
　なお、図１の例では、直流電源Ｅの負極の電位がＤＣ－ＤＣコンバータ１のグランド電位となっている。また、負極出力端子Ｖｏｕｔ－は、グランド電位に接続される。
　リアクトルＬ１００は、正極入力端子Ｖｉｎ＋と正極出力端子Ｖｏｕｔ＋との間に設けられる。図１の昇圧チョッパ回路１００では、リアクトルＬ１００は、一端が正極入力端子Ｖｉｎ＋に接続され、他端がブロッキングダイオードＤ１００のアノード端子に接続される。
　ブロッキングダイオードＤ１００は、リアクトルＬ１００と直列接続される。図１のブロッキングダイオードＤ１００は、アノード端子がリアクトルＬ１００に接続され、カソード端子が正極出力端子Ｖｏｕｔ＋に接続される。
　ブロッキングダイオードＤ１００は、正極出力端子Ｖｏｕｔ＋から正極入力端子Ｖｉｎ＋へと電流が逆流しないように逆流防止ダイオードとして設けられる。
　スイッチング素子Ｓ１００は、一端がリアクトルＬ１００とブロッキングダイオードＤ１００との間に接続される。また、スイッチング素子Ｓ１００は、他端がグランド電位に接続される。
　スイッチング素子Ｓ１００は、制御回路１３０からの制御信号に基づき、リアクトルＬ１００の他端を負極入力端子Ｖｉｎ－に接続するか否かを切り替える。図１ではスイッチング素子Ｓ１００としてバイポーラトランジスタを用いているが、スイッチング素子Ｓ１００はこれに限られない。例えば、スイッチング素子Ｓ１００としてＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）トランジスタを用いてもよい。
　なお、スイッチング素子Ｓ１００としてバイポーラトランジスタを用いる場合、スイッチング素子Ｓ１００のコレクタ端子がリアクトルＬ１００とブロッキングダイオードＤ１００との間に接続され、スイッチング素子Ｓ１００のエミッタ端子がグランド電位に接続される。また、ベース端子は、制御端子として制御回路１３０と接続される。
　平滑コンデンサＣ１００は、一端が正極出力端子Ｖｏｕｔ＋に接続され、他端が負極出力端子Ｖｏｕｔ－に接続される。平滑コンデンサＣ１００は出力電圧Ｖｏｕｔを平滑化する。なお、図１ではＤＣ－ＤＣコンバータ１が平滑コンデンサＣ１００を有する構成としているが、負荷Ｒが平滑コンデンサＣ１００を有する構成としてもよい。
　ＺＶＳ回路１１０は、スイッチング素子Ｓ１００のターンオフ時にスイッチング素子Ｓ１００がソフトスイッチングを行うための回路である。ＺＶＳ回路１１０は、スイッチング素子Ｓ１００のオン時に直流電源Ｅから供給されるエネルギーに基づき、スイッチング素子Ｓ１００のターンオフ時にスイッチング素子の電圧を抑制する。これにより、スイッチング素子Ｓ１００に発生するスイッチング損失を抑制することができる。ＺＶＳ回路１１０によってスイッチング損失を抑制する点についての詳細は後述する。
　ＺＶＳ回路１１０は、第１リアクトルＬ１０１、第１コンデンサＣ１０１、第１ダイオードＤ１０１、及び第２ダイオードＤ１０２を有する。
　第１リアクトルＬ１０１は、正極入力端子Ｖｉｎ＋とスイッチング素子Ｓ１００の一端との間に設けられる。図１では、第１リアクトルＬ１０１は、一端が正極入力端子Ｖｉｎ＋に接続され、他端が第２ダイオードＤ１０２のアノード端子に接続される。
　第１コンデンサＣ１０１は、第１リアクトルＬ１０１とスイッチング素子Ｓ１００との間に設けられ、第１リアクトルＬ１０１と直列接続される。図１では、第１コンデンサＣ１０１は、一端が第２ダイオードＤ１０２のカソード端子に接続され、他端がスイッチング素子Ｓ１００の一端に接続される。このように、図１の第１コンデンサＣ１０１は、第２ダイオードＤ１０２を介して第１リアクトルＬ１０１と直列接続される。
　第１ダイオードＤ１０１は、アノード端子が第１リアクトルＬ１０１と第１コンデンサＣ１０１との接続部Ａに接続され、カソード端子が正極出力端子Ｖｏｕｔ＋に接続される。第１ダイオードＤ１０１は、第１コンデンサＣ１０１の放電用ダイオードとして設けられる。
　図１のように、第１リアクトルＬ１０１及び第１コンデンサＣ１０１が第２ダイオードＤ１０２を介して直列接続される場合、接続部Ａは、第２ダイオードＤ１０２のカソード端子と第１コンデンサＣ１０１の一端とが接続する部分となる。すなわち、第１ダイオードＤ１０１のアノード端子は、第２ダイオードＤ１０２を介して第１リアクトルＬ１０１の他端と接続し、かつ第１コンデンサＣ１０１の一端と接続する。
　次に、第２ダイオードＤ１０２は、第１リアクトルＬ１０１と直列接続される。図１の第２ダイオードＤ１０２は、アノード端子が第１リアクトルＬ１０１の他端に接続され、カソード端子が第１コンデンサＣ１０１の一端に接続される。
　第２ダイオードＤ１０２は、第１コンデンサＣ１０１から第１リアクトルＬ１０１へと電流が逆流しないように逆流防止ダイオードとして設けられる。図１では、第２ダイオードＤ１０２は第１リアクトルＬ１０１と第１コンデンサＣ１０１との間に設けられるが、第１リアクトルＬ１０１と正極入力端子Ｖｉｎ＋との間に設けてもよい。また、第２ダイオードＤ１０２を省略してもよい。
　この場合、接続部Ａは、第１リアクトルＬ１０１の他端と第１コンデンサＣ１０１の一端とが接続する部分となる。従って、第１ダイオードＤ１０１のアノード端子は、第１リアクトルＬ１０１の他端と接続し、かつ第１コンデンサＣ１０１の一端と接続する。
　ＺＣＳ回路１２０は、スイッチング素子Ｓ１００のターンオン時にスイッチング素子Ｓ１００がソフトスイッチングを行うための回路である。ＺＣＳ回路１２０を設けることで、スイッチング素子Ｓ１００に発生するスイッチング損失を抑制することができる。ＺＣＳ回路１２０によってスイッチング損失を抑制する点についての詳細は後述する。
　ＺＣＳ回路１２０は、第２リアクトルＬ１０２を有する。第２リアクトルＬ１０２は、ブロッキングダイオードＤ１００と正極出力端子Ｖｏｕｔ＋との間に設けられる。図１では、第２リアクトルＬ１０２は、一端がブロッキングダイオードＤ１００のカソード端子と接続され、他端が正極出力端子Ｖｏｕｔ＋と接続される。
　続いて、図２乃至図５を用いてスイッチング素子Ｓ１００のオン／オフを切り替えた場合に、ＤＣ－ＤＣコンバータ１に流れる電流について説明する。なお、図２乃至図５では、簡略化のため制御回路１３０を省略している。
＜スイッチング素子Ｓ１００がオンの場合＞
　図２は、スイッチング素子Ｓ１００がオンの場合のＤＣ－ＤＣコンバータ１を示す図である。図２の矢印はＤＣ－ＤＣコンバータ１に流れる電流の経路を示す。
　スイッチング素子Ｓ１００がオンの場合、リアクトルＬ１００の他端がスイッチング素子Ｓ１００を介してグランド電位に接続される。従って、直流電源Ｅの正極からリアクトルＬ１００へと流れる電流Ｉ１は、スイッチング素子Ｓ１００を通ってグランド電位へと流れる。これにより、リアクトルＬ１００は磁界エネルギーを蓄積する。
　また、スイッチング素子Ｓ１００がオンの場合、第１コンデンサＣ１０１の他端がスイッチング素子Ｓ１００を介してグランド電位に接続される。従って、直流電源Ｅの正極から第１リアクトルＬ１０１へと流れる電流Ｉ２は、第２ダイオードＤ１０２、第１コンデンサＣ１０１、及びスイッチング素子Ｓ１００を通ってグランド電位へと流れる。
　第１コンデンサＣ１０１は、第１リアクトルＬ１０１からエネルギーの供給を受けて、電荷を蓄積する。本実施形態では、第１リアクトルＬ１０１及び第１コンデンサＣ１０１の値を適切に設定することで、第１コンデンサＣ１０１の電圧が出力電圧Ｖｏｕｔと同等になるようにする。
＜スイッチング素子Ｓ１００がオンからオフへと切り替わる場合＞
　次に、図３を用いて、スイッチング素子Ｓ１００がオンからオフへと切り替わる過渡状態について説明する。図３は、スイッチング素子Ｓ１００がオンからオフへと切り替わるターンオフ時のＤＣ－ＤＣコンバータ１を示す図である。図３の矢印はターンオフ時にＤＣ－ＤＣコンバータ１に流れる電流の経路を示す。
　ターンオフ時に第１コンデンサＣ１０１は放電を開始する。従って、ＤＣ－ＤＣコンバータ１には、第１コンデンサＣ１０１から第１ダイオードＤ１０１へと電流Ｉ３が流れる。
　リアクトルＬ１００に流れる電流Ｉ１は、スイッチング素子Ｓ１００がオフとなっても流れ続ける。ターンオフ時、電流Ｉ１は直流電源Ｅの正極からリアクトルＬ１００を通り第１コンデンサＣ１０１の他端へと流れる。
　第１リアクトルＬ１０１に流れる電流Ｉ２は、スイッチング素子Ｓ１００がオフとなっても流れ続ける。電流Ｉ２は、直流電源Ｅの正極から、第１リアクトルＬ１０１及び第２ダイオードＤ１０２を通って接続部Ａへと流れる。
　ここで、ＺＶＳ回路１１０によりスイッチング素子Ｓ１００のスイッチング損失を抑制する点について説明する。
　スイッチング素子Ｓ１００がオンの間に第１コンデンサＣ１０１に電荷が蓄積されることで、第１コンデンサＣ１０１の電圧は出力電圧Ｖｏｕｔと同等となっている。従って、スイッチング素子Ｓ１００のターンオフ時、接続部Ｂの電位はグランド電位と同等となる。
　そのため、スイッチング素子Ｓ１００の両端の電位がともにグランド電位と同等となり、スイッチング素子Ｓ１００の電圧がほぼゼロとなる。従って、ＤＣ－ＤＣコンバータ１は、ゼロボルトスイッチングを行うことができ、ターンオフ時にスイッチング素子Ｓ１００で発生するスイッチング損失を抑制することができる。
　本実施形態のＤＣ－ＤＣコンバータ１では、第１リアクトルＬ１０１、第１コンデンサＣ１０１、第１ダイオードＤ１０１、及びスイッチング素子Ｓ１００を含む回路でソフトスイッチングによる昇圧動作を行っているとも言える。
　なお、本実施形態では、第１リアクトルＬ１０１及び第１コンデンサＣ１０１を適切な値とすることで、第１コンデンサＣ１０１の電圧が出力電圧Ｖｏｕｔと等しくなるようにするとしたが、第１コンデンサＣ１０１の電圧はこれに限られない。第１コンデンサＣ１０１に電荷を蓄積することで、ターンオフ時のスイッチング素子Ｓ１００の電圧を出力電圧Ｖｏｕｔより小さくできればよい。このように、ターンオフ時のスイッチング素子Ｓ１００の電圧を抑制することで、ＤＣ－ＤＣコンバータ１は、ソフトスイッチングを行うことができ、第１コンデンサＣ１０１の電圧に相当する分のスイッチング損失を抑制することができる。
＜スイッチング素子Ｓ１００がオフの場合＞
　続いて、図４を用いてスイッチング素子Ｓ１００がオフの場合のＤＣ－ＤＣコンバータ１について説明する。図４は、スイッチング素子Ｓ１００がオフの場合のＤＣ－ＤＣコンバータ１を示す図である。図４の矢印は、ＤＣ－ＤＣコンバータ１に流れる電流の経路を示す。
　第１コンデンサＣ１０１の放電が完了し定常状態へと移行すると、ＤＣ－ＤＣコンバータ１には、直流電源Ｅの正極からリアクトルＬ１００へと電流Ｉ１が流れる。電流Ｉ１は、直流電源Ｅの正極から、リアクトルＬ１００、ブロッキングダイオードＤ１００、第２リアクトルＬ１０２へと流れる。このとき、第２リアクトルＬ１０２に磁界エネルギーが蓄積される。
＜スイッチング素子Ｓ１００がオフからオンへと切り替わる場合＞
　次に、図５を用いて、スイッチング素子Ｓ１００がオフからオンへと切り替わる過渡状態について説明する。図５は、スイッチング素子Ｓ１００がオフからオンへと切り替わるターンオン時のＤＣ－ＤＣコンバータ１を示す図である。図５の矢印はスイッチング素子Ｓ１００のターンオン時にＤＣ－ＤＣコンバータ１に流れる電流の経路を示す。
　スイッチング素子Ｓ１００がオフからオンへと切り替わるターンオン時、リアクトルＬ１００の他端がスイッチング素子Ｓ１００を介してグランド電位に接続される。
　ＺＣＳ回路１２０がないＤＣ－ＤＣコンバータの場合、ターンオン時にリアクトルＬ１００に流れる電流Ｉ１がスイッチング素子Ｓ１００へと流れる。従って、スイッチング素子Ｓ１００に流れる電流Ｉ１に相当するスイッチング損失が発生する。
　ＤＣ－ＤＣコンバータ１は、ＺＣＳ回路１２０として第２リアクトルＬ１０２を有する。かかる第２リアクトルＬ１０２によって、電流Ｉ１は、ターンオン時もブロッキングダイオードＤ１００、第２リアクトルＬ１０２へと流れる。
　従って、ターンオン時にスイッチング素子Ｓ１００に電流が流れず、スイッチング素子Ｓ１００をオフからオンに切り替えたときのスイッチング損失をゼロとすることができる。
　なお、本実施形態では、第２リアクトルＬ１０２を適切な値とすることで、ターンオン時にスイッチング素子Ｓ１００に電流Ｉ１が流れないとしたが、これに限られない。第２リアクトルＬ１０２に電流が流れることで、ターンオフ時のスイッチング素子Ｓ１００に流れる電流を小さくできればよい。これにより、ＤＣ－ＤＣコンバータ１は、ソフトスイッチングを行うことができ、第１リアクトルＬ１０２に流れる電流に相当する分のスイッチング損失を抑制することができる。
　このように、本実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータ１は、ＺＣＳ回路１２０として第２リアクトルＬ１０２を有することで、スイッチング素子Ｓ１００をオフからオンに切り替えたときのスイッチング損失を抑制することができる。
　以上のように、本実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータ１では、ＺＶＳ回路１１０を設けることで、スイッチング素子Ｓ１００のターンオン時に発生するスイッチング損失を抑制することができる。
　また、ＤＣ－ＤＣコンバータ１は、スイッチング素子Ｓ１００のソフトスイッチングを実現するためにＺＶＳ回路１１０に蓄積されるエネルギーを正極出力端子Ｖｏｕｔ＋側に放出するようにしており、ソフトスイッチングによる損失を抑制することができる。
　また、ＤＣ－ＤＣコンバータ１は、ＺＶＳ回路１１０に加えてＺＣＳ回路１２０を設けることで、スイッチング素子Ｓ１００をオフからオンに切り替えた時に発生するスイッチング損失を抑制することができる。
　また、ＤＣ－ＤＣコンバータ１は、第２リアクトルＬ１０２に第１コンデンサＣ１０１を充電するための逆方向電流が発生しない構成としている。従って、かかる逆方向電流をキャンセルするための時間が不要となり、ＤＣ－ＤＣコンバータ１を広範囲に適応することができる。
（第２の実施形態）
　次に、図６乃至図９を用いて第２の実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータ２について説明する。
　図１のＤＣ－ＤＣコンバータ１は第２リアクトルＬ１０２を有しているため、第２リアクトルＬ１０２にサージ電圧が発生する場合がある。
　サージ電圧は、第２リアクトルＬ１０２の両端の電位Ｌｄｉ／ｄｔで決定される。従って、スイッチング素子Ｓ１００がオンからオフへと切り替わり、スイッチング素子Ｓ１００に流れていた電流が第２リアクトルＬ１０２側へと移る場合に、サージ電圧が発生する。
　しかしながら、第２リアクトルＬ１０２は、リアクトルＬ１００に比べて非常に小さい。さらに図１のＤＣ－ＤＣコンバータ１は、スイッチング素子Ｓ１００がオンからオフへと切り替わる場合にゼロボルトスイッチングを行う。従って、スイッチング素子Ｓ１００がオンからオフへと切り替わるタイミングで発生するサージ電圧は大きな値とならずＤＣ－ＤＣコンバータ１に大きな問題を与えない。
　一方、スイッチング素子Ｓ１００がオフからオンへと切り替わり、第２リアクトルＬ１０２に流れる電流がすべてスイッチング素子Ｓ１００に流れるようになった場合について考える。この場合、第２リアクトルＬ１０２とブロッキングダイオードＤ１００との間の接続容量や浮遊容量により共振が発生し、第２リアクトルＬ１０２に発生するサージ電圧が、定常状態の２倍まで大きくなる可能性がある。
　そこで、本実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータ２では、スナバ回路２００を設け、かかるサージ電圧を吸収するようにする。
　図６のＤＣ－ＤＣコンバータ２は、図１のＤＣ－ＤＣコンバータ１の構成に加えスナバ回路２００及びスナバ制御回路２１０を有する。スナバ回路２００は、第２リアクトルＬ１０２に発生するサージ電圧を吸収する。
　なお、図６に示すＤＣ－ＤＣコンバータ２は、スナバ回路２００及びスナバ制御回路２１０を有する点を除き、図１に示すＤＣ－ＤＣコンバータ１と同じ構成であるため、同一構成要素には同一符号を付し説明を省略する。
　図６のスナバ回路２００は、第２コンデンサＣ２０１、第３リアクトルＬ２０１、第３ダイオードＤ２０１、第４ダイオードＤ２０２、及び第２スイッチング素子Ｓ２０１を有する。
　第２コンデンサＣ２０１は、一端が正極出力端子Ｖｏｕｔ＋に接続され、他端が第２スイッチング素子Ｓ２０１の一端に接続される。第２コンデンサＣ２０１は、第２リアクトルＬ１０２に発生するサージ電圧を電荷として蓄積する。
　第３ダイオードＤ２０１は、アノード端子がブロッキングダイオードＤ１００と第２リアクトルＬ１０２との接続部Ｃに接続され、カソード端子が第２コンデンサＣ２０１の他端に接続される。第３ダイオードＤ２０１は、第２コンデンサＣ２０１に蓄積された電荷が接続部Ｃへと逆流しないようにする逆流防止ダイオードとして動作する。
　第３リアクトルＬ２０１は、一端が正極出力端子Ｖｏｕｔ＋に接続され、他端が第４ダイオードＤ２０２のカソード端子に接続される。
　第４ダイオードＤ２０２は、アノード端子がグランド電位に接続され、カソード端子が第３リアクトルＬ２０１の他端に接続される。従って、第３リアクトルＬ２０１の他端は、第４ダイオードＤ２０２を介してグランド電位に接続される。
　また、第４ダイオードＤ２０２は、第２コンデンサＣ２０１に蓄積された電荷がグランド電位に流れないようにする逆流防止ダイオードとして動作する。
　第２スイッチング素子Ｓ２０１は、第２コンデンサＣ２０１と第４ダイオードＤ２０２との間に設けられる。図６の第２スイッチング素子Ｓ２０１は、一端が第２コンデンサＣ２０１の他端に接続され、他端が第４ダイオードＤ２０２のカソード端子に接続される。すなわち、第２スイッチング素子Ｓ２０１の他端は第４ダイオードＤ２０２を介してグランド電位に接続される。
　第２スイッチング素子Ｓ２０１は、スナバ制御回路２１０の指示に従い第２コンデンサＣ２０１の他端をグランド電位に接続するか否かを切り替える。具体的には、第２スイッチング素子Ｓ２０１がオンの場合、第２コンデンサＣ２０１の他端はグランド電位に接続される。また、第２スイッチング素子Ｓ２０１がオフの場合、第２コンデンサＣ２０１の他端はグランド電位から電気的に切り離される。
　図６では、第２スイッチング素子Ｓ２０１としてバイポーラトランジスタを用いているが、これに限られない。例えば第２スイッチング素子Ｓ２０１としてＭＯＳＦＥＴトランジスタを用いてもよい。
　なお、第２スイッチング素子Ｓ２０１としてバイポーラトランジスタを用いる場合、第２スイッチング素子Ｓ２０１のコレクタ端子が第２コンデンサＣ２０１の他端に接続され、第２スイッチング素子Ｓ２０１のエミッタ端子が第４ダイオードＤ２０２のカソード端子に接続される。また、第２スイッチング素子Ｓ２０１のベース端子は、制御端子としてスナバ制御回路２１０と接続される。
　スナバ制御回路２１０は、スナバ回路２００が第２リアクトルＬ１０２に発生するサージ電圧を吸収／放出するか否かを制御する。具体的には、スナバ制御回路２１０は、スナバ回路２００の電圧が所定の電圧より大きくなった場合にサージ電圧を吸収／放出を繰り返すようスナバ回路２００を制御する。
　本実施形態では、スナバ制御回路２１０は、スナバ回路２００の電圧として第２コンデンサＣ２０１の電圧を、例えば電圧検出回路（図示せず）で検出する。また、スナバ制御回路２１０は、検出した第２コンデンサＣ２０１の電圧に基づき、第２スイッチング素子Ｓ２０１のオン／オフを切り替える制御信号を生成する。スナバ制御回路２１０は、生成した制御信号を第２スイッチング素子Ｓ２０１に出力することで第２スイッチング素子Ｓ２０１を制御する。
　続いて、図７乃至図９を用いてスナバ回路２００の動作について説明する。図７は、第２スイッチング素子Ｓ２０１がオフの場合にスナバ回路２００に流れる電流の経路を示す図である。なお、図７ではスナバ制御回路２１０の図示を省略している。
　第２スイッチング素子Ｓ２０１がオフの場合、第２コンデンサＣ２０１は、第２リアクトルＬ１０２と並列接続される。従って、図７に示すように、スナバ回路２００には、接続部Ｃから第３ダイオードＤ２０１を通って第２コンデンサＣ２０１へと電流が流れる。これにより、第２コンデンサＣ２０１は電荷を蓄積する。
　続いて、図８は、第２スイッチング素子Ｓ２０１がオンの場合にスナバ回路２００に流れる電流の経路を示す図である。なお、図８ではスナバ制御回路２１０の図示を省略している。
　第２スイッチング素子Ｓ２０１がオンの場合、第２コンデンサＣ２０１の他端はグランド電位に接続される。これにより、図８に示すように、スナバ回路２００には、第２コンデンサＣ２０１の他端から第２スイッチング素子Ｓ２０１及び第３リアクトルＬ２０１を通って正極出力端子Ｖｏｕｔ＋へと電流が流れる。このように、第２スイッチング素子Ｓ２０１がオンの場合、第２コンデンサＣ２０１は蓄積した電荷を正極出力端子Ｖｏｕｔ＋へと放出する。
　次に、図９を用いて第２スイッチング素子Ｓ２０１のオン／オフを切り替えるタイミングについて説明する。図９は、ＤＣ－ＤＣコンバータ２における入力電圧Ｖｉｎ、出力電圧Ｖｏｕｔ、第２コンデンサＣ２０１の電圧、スイッチング素子Ｓ１００の制御信号、及び第２スイッチング素子Ｓ２０１の制御信号を説明する図である。
　ＤＣ－ＤＣコンバータ２の正極入力端子Ｖｉｎ＋及び負極入力端子Ｖｉｎ－が電圧Ｖｅの直流電源Ｅに接続されるため、入力電圧Ｖｉｎは一定電圧Ｖｅとなる。
　また、出力電圧Ｖｏｕｔは、ＤＣ－ＤＣコンバータ２が昇圧動作を行っていない間（図９のタイミングＴ１より前）は入力電圧Ｖｉｎに等しい電圧Ｖｅとなる。制御回路１３０からの制御信号に基づきスイッチング素子Ｓ１００が一定周期でオン／オフを繰り返すと（図９のタイミングＴ１以降）、ＤＣ－ＤＣコンバータ２は昇圧動作を行い、出力電圧Ｖｏｕｔは電圧Ｖｒまで上昇する。
　図９に示すように、制御回路１３０が生成するスイッチング素子Ｓ１００の制御信号は、一定の周期でＨｉｇｈ信号とＬｏｗ信号を繰り返す２値のデジタル信号である。スイッチング素子Ｓ１００の制御信号がＨｉｇｈの場合にスイッチング素子Ｓ１００はオンとなり、Ｌｏｗの場合にオフとなる。
　制御回路１３０は、図９に示すスイッチング素子Ｓ１００の制御信号をスイッチング素子Ｓ１００の制御端子に印加することでスイッチング素子Ｓ１００を制御する。
　ＤＣ－ＤＣコンバータ２が昇圧動作を開始すると、スナバ制御回路２１０は第２コンデンサＣ２０１の電圧の監視を行う。
　具体的にスナバ制御回路２１０は、第２コンデンサＣ２０１の電圧を検出する電圧検出回路（図示せず）の検出結果から、第２コンデンサＣ２０１の電圧が所定の電圧ＶＬ以上か否かを判定する。ここで、所定の電圧ＶＬは、例えばスイッチング素子Ｓ１００がオフの場合に第２リアクトルＬ１０２に発生する電圧リップルの最大振幅値よりも大きい値とする。
　スナバ制御回路２１０は、第２コンデンサＣ２０１の電圧が所定の電圧ＶＬ以上になった場合（図９のタイミングＴ２）に、第２スイッチング素子Ｓ２０１の制御信号を生成する。
　図９に示すように、第２スイッチング素子Ｓ２０１の制御信号は、一定の周期でＨｉｇｈ信号とＬｏｗ信号を繰り返す２値のデジタル信号である。第２スイッチング素子Ｓ２０１の制御信号がＨｉｇｈの場合に第２スイッチング素子Ｓ２０１はオンとなり、Ｌｏｗの場合にオフとなる。
　第２スイッチング素子Ｓ２０１の制御信号の周期、すなわち第２スイッチング素子Ｓ２０１のスイッチング周期は、スイッチング素子Ｓ１００のスイッチング周期より低速である。図９の例では、第２スイッチング素子Ｓ２０１のスイッチング周期を、スイッチング素子Ｓ１００のスイッチング周期の２倍としている。
　なお、図９の例では、第２スイッチング素子Ｓ２０１の制御信号のデューティー比を一定としているが、ＰＭＷ制御としてもよい。
　スナバ制御回路２１０は、図９に示す第２スイッチング素子Ｓ２０１の制御信号を第２スイッチング素子Ｓ２０１の制御端子に印加することで第２スイッチング素子Ｓ２０１を制御する。
　このように、第２スイッチング素子Ｓ２０１は、スナバ制御回路２１０の指示に従い低速スイッチングを行うことで、サージ電圧の吸収／放出を所定のスイッチング周期で繰り返す。これにより、第２コンデンサＣ２０１の電圧を所定の電圧ＶＬ以下に抑えることができる。
　以上のように、本実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータ２は、第１の実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータ１と同様の効果が得られるとともに、スナバ回路２００によってサージ電圧を吸収することができる。これにより、ＤＣ－ＤＣコンバータ２を安定して動作させることができるようになり、ＤＣ－ＤＣコンバータ２をより広範囲に適用することができる。
　さらに、本実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータ２では、スナバ回路２００で吸収したエネルギーを正極出力端子Ｖｏｕｔ＋へと放出するようにしている。そのため、スナバ回路２００でのエネルギー損失を抑制することができる。これにより、ＤＣ－ＤＣコンバータ２の損失を抑制することができる。
　なお、スナバ回路２００の第２スイッチング素子Ｓ２０１はハードスイッチングを行うが、かかるハードスイッチングによる損失がＤＣ－ＤＣコンバータ２全体に与える影響は小さい。これは、スナバ回路２００に蓄積されるエネルギーが昇圧チョッパ回路１００の昇圧電力に比べて非常に小さいためである。
　例えば、スナバ回路２００で蓄積されるエネルギーがＤＣ－ＤＣコンバータ２定格の３パーセントであるとする。このエネルギー全てを例えば抵抗で消費した場合、昇圧チョッパ回路１００の損失がたとえゼロであったとしても、ＤＣ－ＤＣコンバータ２全体でも９７パーセント以上の効率は得られないことになる。
　一方、本実施形態に係るスナバ回路２００では、スナバ回路２００で蓄積されるエネルギーを正極出力端子Ｖｏｕｔ＋側に放出している。この場合、第２スイッチング素子Ｓ２０１のハードスイッチングによる損失が例えば５パーセント発生したとしても、スナバ回路２００の損失量は定格の３パーセント×５パーセントとなる。従って、スナバ回路２００の損失はＤＣ－ＤＣコンバータ２定格の０．１５パーセントとなり、スナバ回路２００がＤＣ－ＤＣコンバータ２全体に与える影響は非常に小さいことがわかる。
　このように、本実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータ２では、ハードスイッチングを行っていても、スナバ回路２００で吸収したエネルギーを正極出力端子Ｖｏｕｔ＋へと放出することで、ＤＣ－ＤＣコンバータ２の損失を抑制することができる。
　また、本実施形態では、スナバ回路２００の電圧が、スイッチング素子Ｓ１００がオフの時に発生する第２リアクトルＬ１０２の電圧リップルより大きくなった場合に、第２スイッチング素子Ｓ２０１を低速スイッチングさせるようにしている。これにより、スナバ回路２００の電力消費が不要に大きくならないようにしつつ、スナバ回路２００を効率的に動作させることができる。
　スナバ回路２００に蓄積したエネルギーを放出すると、スナバ回路２００の電圧が低下する。スナバ回路２００の電圧があまりに低下すると、本来なら第２リアクトルＬ１０２で許容できる電圧変動分のエネルギーもスナバ回路２００が吸収し処理することになる。かかるエネルギーをスナバ回路２００で処理することになると、スナバ回路２００での損失が増え、ＤＣ－ＤＣコンバータ２の効率に影響を与える可能性がある。
　これを避けるようにスナバ制御回路２１０が第２スイッチング素子Ｓ２０１の制御信号を生成するか否かを判断する基準となる所定の電圧ＶＬを決定する。例えば、サージ電圧に対するＤＣ－ＤＣコンバータ２の耐圧性や、ＤＣ－ＤＣコンバータ２の効率等を総合的に考慮しながら決定すればよい。
　このように、適切な電圧ＶＬを決定し、スナバ回路２００の電圧がかかる電圧ＶＬより大きくなった場合に第２スイッチング素子Ｓ２０１のオン／オフを周期的に切り替えることで、スナバ回路２００が効率的にサージ電圧を吸収することができる。
　さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
　１、２　ＤＣ－ＤＣコンバータ
　１００　昇圧チョッパ回路
　１１０　ＺＶＳ回路
　１２０　ＺＣＳ回路
　１３０　制御回路
　２００　スナバ回路
　２１０　スナバ制御回路
　Ｌ１００　リアクトル
　Ｌ１０１　第１リアクトル
　Ｌ１０２　第２リアクトル
　Ｌ２０１　第３リアクトル
　Ｃ１００　平滑コンデンサ
　Ｃ１０１　第１コンデンサ
　Ｃ２０１　第２コンデンサ
　Ｄ１００　ブロッキングダイオード
　Ｄ１０１　第１ダイオード
　Ｄ１０２　第２ダイオード
　Ｄ２０１　第３ダイオード
　Ｄ２０２　第４ダイオード
　Ｓ１００　スイッチング素子
　Ｓ２０１　第２スイッチング素子
　Ｖｉｎ＋　正極入力端子
　Ｖｉｎ－　負極入力端子
　Ｖｏｕｔ＋　正極出力端子
　Ｖｏｕｔ－　負極出力端子
　Ｅ　直流電源
　Ｒ　負荷

Claims (6)

  1. 　直流電源に接続される入力端子と、
    　負荷に接続される出力端子と、
    　前記入力端子と前記出力端子との間に設けられるリアクトルと、
    　前記リアクトルと直列接続されるブロッキングダイオードと、
    　一端が前記リアクトルと前記ブロッキングダイオードとの間に接続されるスイッチング素子と、
    　を有し、入力電圧を昇圧して出力電圧を生成する昇圧チョッパ回路と、
    　前記入力端子と前記スイッチング素子の一端との間に設けられる第１リアクトルと、
    　前記第１リアクトルと前記スイッチング素子との間に設けられ、前記第１リアクトルと直列接続される第１コンデンサと、
    　アノード端子が前記第１リアクトルと前記第１コンデンサとの接続部に接続され、カソード端子が前記出力端子に接続される第１ダイオードと
    　を備えることを特徴とするＤＣ－ＤＣコンバータ。
  2. 　前記第１リアクトルと直列接続される第２ダイオードをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＤＣ－ＤＣコンバータ。
  3. 　前記ブロッキングダイオードと前記出力端子との間に第２リアクトルをさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載のＤＣ－ＤＣコンバータ。
  4. 　前記ブロッキングダイオードと前記第２リアクトルとの間のサージ電圧を吸収するスナバ回路をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載のＤＣ－ＤＣコンバータ。
  5. 　前記スナバ回路の電圧が、前記スイッチング素子がオフの場合に発生する前記第２リアクトルの電圧リップルより大きい値になった場合に、前記スイッチング素子のオン／オフの周期より低速な周期で前記サージ電圧の吸収／放出を繰り返すよう、前記スナバ回路を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のＤＣ－ＤＣコンバータ。
  6. 　直流電源からリアクトルへのエネルギーの蓄積、及び前記エネルギーの前記リアクトルからの放出をスイッチング素子のオン／オフで切り替えることで前記直流電源から出力される電圧を昇圧する昇圧手段と、
    　前記スイッチング素子のオン時に前記直流電源から供給されるエネルギーに基づき、前記スイッチング素子のターンオフ時に前記スイッチング素子の電圧を抑制する電圧抑制手段と、
    　を備えることを特徴とするＤＣ－ＤＣコンバータ。
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