WO2015078909A1 - Method for the production of an optoelectronic component - Google Patents

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WO2015078909A1
WO2015078909A1 PCT/EP2014/075656 EP2014075656W WO2015078909A1 WO 2015078909 A1 WO2015078909 A1 WO 2015078909A1 EP 2014075656 W EP2014075656 W EP 2014075656W WO 2015078909 A1 WO2015078909 A1 WO 2015078909A1
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optoelectronic
converter material
component
semiconductor chip
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PCT/EP2014/075656
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Matthias Wolf
Stephan Blaszczak
Dirk Becker
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil

Definitions

  • a method of manufacturing an optoelectronic component relates to a method herstel ⁇ len an optoelectronic component according to claim. 1
  • Chip-on-board arrangement is called. It is known, the optoelectronic semiconductor chips, for example
  • LED chips can be embedded in a converter ⁇ material, which serves to convert from the optoelectronic semiconductor chips seen to convert electromagnetic radiation having a wavelength from the blue spectral range in white light.
  • a method of manufacturing an optoelectronic device comprises the steps of disposing an optoelectronic semiconductor chip on an upper surface of a substrate and for arranging a converter material on top of the sub ⁇ strats by a printing method or a Formverfah ⁇ proceedings such that the optoelectronic semiconductor chip is covered by the converter material ,
  • This process made it ⁇ the fabrication of a optoelectronic component, wherein a wavelength of a light emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component electromagnetic radiation is converted by the converter material of the optoelectronic component.
  • the method is advantageously simple and time ⁇ saving feasible and is suitable for parallel processing of a plurality of optoelectronic devices. This allows for use of the method for cost-Mas ⁇ sencer of optoelectronic devices.
  • the Konverterma ⁇ TERIAL is arranged by means of a stencil printing process on the upper ⁇ side of the substrate.
  • the stencil printing process is simple and inexpensive to carry out.
  • the stencil printing method makes it possible in particular to simultaneously arrange converter material for a plurality of optoelectronic components.
  • the Konverterma ⁇ TERIAL is placed on top of the substrate by means of transfer molding, injection molding or compression molding.
  • ⁇ as these are also molding process inexpensive and easy to perform and suitable for parallel processing a plurality of optoelectronic components.
  • a plurality of optoelectronic semiconductor chip is placed on top of the sub ⁇ strats. In this case, each of the optoelectronic semiconductor chips is covered by the converter material.
  • the method further comprises a further step for dividing the substrate in order to obtain a plurality of optoelectronic components.
  • the method thereby enables a parallel production of a plurality of optoelectronic components. As a result, the production costs per individual optoelectronic component can advantageously be significantly reduced.
  • a dam raised above the upper side of the substrate is arranged on the upper side of the substrate.
  • the converter material is then placed in a portion of the top of the substrate defined by the dam.
  • the dam is angeord ⁇ net by a dosing on the top of the substrate.
  • the dam can be arranged by a Nadeldosier Kunststoffe on top of the substrate. The method thereby advantageously allows the application of a dam with a freely selectable geometry in many areas, which allows adaptation and optimization of the method and the optoelectronic component obtainable by the method to a specific application.
  • a depression is created on the upper side of the substrate prior to arranging the optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic semiconductor chip is then arranged in the recess.
  • the Converter material is at least partially disposed in the recess.
  • the recess provided on the upper side of the substrate can prevent a running of the converter material on the upper side of the substrate or a fraying of the edges of the converter material arranged on the upper side. This allows, for example, a Verwen ⁇ tion of a low-viscosity converter material.
  • the recess is created in a laminated onto the top of the substrate Die ⁇ lektrikum.
  • the method is thereby particularly simple and inexpensive to carry out.
  • the depression can be formed, for example, as an opening present in the dielectric prior to lamination onto the substrate. In this case, no separate geson ⁇ derten process steps are required for the creation of the recess at the top of the substrate.
  • the depression is created in a paint applied to the top of the substrate.
  • the paint can be for example a solder mask.
  • the sheep ⁇ evaporation of the recess on the upper side of the substrate can be combined with walls ⁇ ren anyway necessary process steps in this case, whereby the method is simple and economical feasible.
  • the substrate is designed as a printed circuit board.
  • the substrate in this case can also be used for electrically contacting the optoelectronic semiconductor chip and for electrically connecting the optoelectronic semiconductor chip to further optoelectronic semiconductor chips of the optoelectronic component.
  • 1 is a sectional side view of a first opto ⁇ electronic device.
  • FIG. 2 is a plan view of the first optoelectronic component
  • 3 is a plan view of a first component group with a plurality of the first optoelectronic components; 4 shows a sectional side view of a second opto ⁇ electronic component.
  • Figure 5 is a plan view of the second optoelectronic Bauele ⁇ ment.
  • FIG. 6 is a sectional side view of a third opto ⁇ electronic component.
  • FIG. 7 is a sectional side view of a fourth opto-electronic device.
  • Fig. 1 is a schematic sectional side view of egg ⁇ nes first optoelectronic component 10.
  • Fig. 2 shows a slightly schematized plan view of the first optoelectronic component 10.
  • the first opto-electronic Bauele ⁇ element 10 can also serve as chip-on-board component or multi-chip light kernel.
  • the first opto-electro ⁇ African component 10 may be provided to emit electromagnetic radiation having a wavelength ⁇ diagram of the visible spectral range (visible light).
  • the first opto-electronic device 10 can be seen ⁇ for example, to be buildin ⁇ Untitled means of a holder in a luminaire.
  • the first opto-electronic device 10 includes a sub ⁇ strat 100 having a top side 110.
  • the top 110 of the sub strats ⁇ 100 is substantially planar.
  • the substrate 100 may be formed, for example, as a printed circuit board, in particular as a printed circuit board with ceramic or metal core.
  • On the upper side 110 of the substrate 100 one or meh ⁇ eral electrical contact surfaces may be formed 120th
  • three optoelectronic semiconductor ⁇ chips 200 are disposed on the upper surface 110 of the substrate 100th
  • this number is chosen only as an example. There could also be fewer or more than three optoelectronic semiconductor chips 200.
  • the optoelectronic semiconductor chips 200 are designed to generate electromagnetic radiation.
  • the opto ⁇ electronic semiconductor chips 200 may be, for example light emitting diode chips (LED chips).
  • the optoelectronic semiconductor chip 200 may be formed as a surface-emitting semiconductor chip ⁇ or as volumenemittierende semiconductor chips off.
  • the optoelectronic semiconductor chips 200 may be formed, for example, as volume-emitting sapphire chips.
  • Each optoelectronic semiconductor chip 200 has a top surface 210 and a top surface 210 of the opposing sub ⁇ page 220.
  • the optoelectronic semiconductor chip 200 are such on the top surface 110 of the substrate 100 angeord ⁇ net that the bottoms 220 of the optoelectronic semiconductor chip face 200 of the top 110 of the substrate 100th If the optoelectronic semiconductor chips 200 are designed as surface emitting semiconductor chips, then the upper sides 210 of the optoelectronic semiconductor chips 200 can emit radiation emission surfaces of the optoelectronic Semiconductor chips 200 form. If the optoelectronic semiconductor chip 200 are formed as volumenemittierende semiconductor chip, the optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip can emit electromagnetic radiation 200 at the top 210 and to other surfaces of the optoelectronic semiconductor chip 200th
  • Each optoelectronic semiconductor chip 200 has electrical contacts which are electrically conductively connected to electrical contacts on the Obersei ⁇ te 110 of the substrate 100th
  • the electrical contacts of the optoelectronic semiconductor chips 200 may be arranged, for example, on the undersides 220 of the optoelectronic semiconductor chips 200 and connected via solder connections to the electrical contacts on the top side 110 of the substrate 100.
  • the electrical contacts of the optoelectronic semiconductor chips 200 can also be by means of bonding wires or in another way
  • the electrical ⁇ 's contact surfaces 120 on the top 110 of the substrate 100 are electrically conductively connected to the optoelectronic semiconductor chip 200 ver ⁇ connected via at the top 110 of the substrate 100 or in ⁇ nergur of the substrate 100 arranged conductor paths and serve for external electrical contacting of the first optoelectronic Component 10.
  • the opto ⁇ electronic semiconductor chip 200 arranged on the upper side 110 of the substrate 100 are covered by a converter material 300.
  • the converter material 300 covers the upper sides 210 of the optoelectronic semiconductor chips 200 and side surfaces of the optoelectronic semiconductor chips 200 extending between the upper sides 210 and the lower sides 220.
  • the optoelectronic semiconductor chips 200 are thus at least partially embedded in the converter material 300.
  • the converter material 300 is provided to convert a wavelength of electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips 200.
  • the optoelectronic semiconductor chip 200 may be formed ⁇ example as to emit electromagnetic radiation having a wavelength in the blue or ultraviolet spectral range.
  • the converter material 300 may be designed to convert this electromagnetic radiation with ei ⁇ ner wavelength from the blue or ultraviolet spectral range in white light.
  • the converter material 300 may comprise a matrix material and converter particles embedded in the matrix material.
  • the matrix material may for example comprise a silicone.
  • the converter particles embedded in the matrix material may comprise, for example, an organic or an inorganic phosphor.
  • the converters particles may also have Quan ⁇ ten discern.
  • the converter material 300 After arranging the opto ⁇ electronic semiconductor chip 200 at the top 110 of the Substrate 100 by means of a printing method or a form ⁇ method on the upper side 110 of the substrate 100 angeord ⁇ net.
  • a printing method in particular, a Template ⁇ nendruckbacter can be used.
  • a molding method for example, a transfer molding method (transfer molding), an injection molding method (injection molding) or a compression molding method (compression molding) can be used. Both a printing method and a molding method make it possible to arrange the converter material 300 directly on the top side 110 of the substrate 100 and thereby embed the optoelectronic semiconductor chips 200 in the converter material 300.
  • the converter material 300 can be applied directly with the desired geometry, which the converter material 300 should have after the completion of the production of the first optoelectronic component 10.
  • a leveling or other deformation of the converter material 300 according to the on ⁇ arrange the converter material 300 on the top 110 of the substrate 100 is not usually required.
  • difficulties and problems associated with such forming are thereby avoided.
  • Example ⁇ as preventing unwanted and uncontrolled Sedimentati ⁇ on of in the matrix material of the converter material 300 a ⁇ bedded Converter particles.
  • the first component grouping 15 comprises several of the first optoelectronic components 10 illustrated in FIGS. 1 and 2.
  • this 16 comprises the first optoelectronic component Components 10, which are arranged in egg ⁇ ner quadratic 4> ⁇ 4 arrangement.
  • the first component group 15 could also comprise a different number of first optoelectronic components 10, which are arranged in another square, rectangular or other arrangement.
  • the substrates 100 of the first opto-electronic components 10 of the first composite component 15 are integrally formed together as a common ⁇ men usedd total substrate.
  • the entire substrate can be divided along separation regions 130 into the individual substrates 100 of the individual optoelectronic components 10 of the first component assembly 15, whereby the first optoelectronic components 10 of the first component assembly 15 are separated.
  • the separation regions 130 extend in the exemplary matrix arrangement of the first opto-electronic components 10 of the first component composite 15 ent ⁇ long crossed straight lines between the first opto-electronic components 10.
  • scorings or grooves may be strats provided on the top 110 of the Automatsub-. However, this is not necessarily erfor ⁇ sary.
  • the dividing of the total substrate into the individual substrates 100 of the individual first optoelectronic components 10 in the separating regions 130 can be carried out, for example, by sawing or breaking.
  • the production of the first optoelectronic components 10 of the first component composite 15 can take place jointly and in parallel.
  • ⁇ sondere can take place arranging the converter material 300 on the top surfaces 110 of the substrates 100 of the individual first optoelectronic components 10 of the first composite component 15 with all of the first opto-electronic devices 10 of the first composite component 15 simultaneously.
  • the parallel processing of the first opto-electronic components 10 of the first component 15 is a composite kos ⁇ -effective mass production of the first opto-electronic elements 10 is made possible.
  • a scraping ⁇ lone can be used, for example, has a suitable opening in the region of each first optoelekt ⁇ tronic device 10 of the first composite components 15th If arranging the Converter material 300 by means of a molding process, so the overall substrate of the first component composite 15 may be placed in a mold for this purpose, which comprises for each first opto ⁇ electronic component 10 of the first component composite 15 an appropriate cavity for the converter material 300 on ⁇ .
  • Fig. 4 is a schematic sectional side view of egg ⁇ nes second optoelectronic component is 20.
  • Fig. 5 shows a simple schematic plan view of the second optoelekt ⁇ tronic device 20.
  • the second optoelectronic Bauele ⁇ element 20 has large similarities with the first optoelectronic component 10 of the Figures 1 and 2.
  • Components of the second optoelectronic component 20 which correspond to components present in the first optoelectronic component 10 are provided with the same reference symbols in FIG. 4 as in FIGS. 1 and 2 and will not be described again in detail below. In the following, only the differences between the second optoelectronic component 20 and the first optoelectronic component 10 as well as the differences between the methods for producing the optoelectronic components 10, 20 will be explained.
  • the second optoelectronic component 20 differs from the first opto-electronic device 10 in that a on the Obersei ⁇ te 110 of the substrate 100 of raised dam 400 is disposed on the top surface 110 of the substrate 100th
  • the dam 400 annularly surrounds the optoelectronic semiconductor chip 200 arranged on the upper side 110 of the substrate 100.
  • the dam 400 delimits a circular-disk-shaped section of the top side 110 of the substrate 100.
  • the section of the top side 110 of the substrate 100 delimited by the dam 400 could also have a rectangular or other shape exhibit.
  • the dam 400 may have, for example, a plastic material ⁇ .
  • the dam 400 comprises a material that for by the second optoelectronic component 20 emit ⁇ oriented electromagnetic radiation has a high reflectivity.
  • the dam 400 is placed in the preparation of the second optoelectronic component 20 prior to placing the converter mate rials ⁇ 300 on the top 110 of the substrate 100th Disposing the dam 400 on the top 110 of the sub ⁇ strats 100 can take place either before or after the arrangement of the optoelectronic semiconductor chip 200 on the top 110 of the substrate 100th
  • the positioning of the dam 400 on the upper side 110 of the substrate 100 can be carried out, for example, by a dosing method, for example by a needle dosing method.
  • the converter material 300 is arranged on the upper side 110 of the substrate 100 by means of a printing method or a molding method in the section delimited by the dam 400.
  • the printing method or molding method used for assembly of the Konvertermateri ⁇ 300 may correspond to the method used to prepare the first optoelectronic component 10th
  • the converter material 300 is merely in the circumscribed by the dam 400 portion of the top 110 of the substrate 100 disposed ⁇ . This ensures that the disposed on the upper ⁇ page 110 of the substrate 100 of the second optoelectronic device 20 converter material 300 has a sharply defined outer contour.
  • the second optoelectronic component 20 can also be produced simultaneously with a plurality of further second optoelectronic components 20 in a component combination.
  • Fig. 6 shows a schematic sectional side view of egg ⁇ nes third optoelectronic component 30.
  • the third optoelectronic component 30 has great similarities with the first optoelectronic component 10 of FIGS. 1 and 2.
  • Components of the third optoelectronic component 30 which correspond to components present in the first optoelectronic component 10 are provided with the same reference symbols in FIG. 6 as in FIGS. 1 and 2 and will not be described again in detail below.
  • the third optoelectronic component 30 differs from the first optoelectronic component 10 in that the substrate 100 of the third optoelectronic component 30 has a recess 510 on its upper side 110.
  • the recess 510 is formed in a dielectric 500, which forms the upper side 110 of the substrate 100.
  • the dielectric 500 may be laminated, for example, a core of the substrate 100 on ⁇ .
  • the recess 510 may be formed by an opening formed in the dielectric prior to lamination of the dielectric 500.
  • the recess 510 may also have been created only after the lamination of the dielectric 500.
  • the optoelectronic semiconductor chips 200 of the third opto ⁇ electronic component 30 are arranged in the formed on the upper side 110 of the substrate 100 recess 510 net. Also, the optoelectronic semiconductor chip 200 be ⁇ covering converter material 300 is at least partially disposed in the recess ⁇ 510 at the top 110 of the substrate 100th Placing the converter material 300 may be accomplished by a printing method or a molding method in which herstel ⁇ development of the third opto-electronic device 30 is again similar to that for preparing the first optoelectronic component 10 used method corresponds.
  • the converter material 300 is, however, disposed in the recess 510 at the Obersei ⁇ te 110 of the substrate 100th This will relievege ⁇ represents that arranged on the top 110 of the substrate 100 of the third optoelectronic component 30 converter material 300 has sharply defined outer contours.
  • the third optoelectronic component 30 can also be produced in a component composite together with a plurality of further third optoelectronic components 30.
  • Fig. 7 shows a schematic sectional side view of egg ⁇ nes fourth optoelectronic component 40.
  • the fourth optoelectronic component 40 has large similarities with the first opto-electronic device 10 of Figures 1 and 2.
  • Components of the fourth optoelectronic component 40 which correspond to components present in the first optoelectronic component 10 are provided with the same reference symbols in FIG. 7 as in FIGS. 1 and 2 and will not be described again in detail below.
  • Fol ⁇ constricting only the differences between the fourth optoelectronic component 40 and the first electro-opto ⁇ African component 10 and the differences between the preparation of the optoelectronic devices 40, 10 genutz- th process are explained.
  • the fourth optoelectronic component 40 differs from the first optoelectronic component 10 in that a lacquer 600 is arranged on the upper side 110 of the substrate 100 in the fourth optoelectronic component 40.
  • the paint 600 may be, for example, a solder resist.
  • the varnish 600 does not cover the top 110 of the substrate 100 entirely, but has a recess which forms a ⁇ Ver indentation 610 at the top 110 of the substrate 100th
  • the optoelectronic semiconductor chips 200 are arranged in the region of this depression 610 on the upper side 110 of the substrate 100.
  • the arrangement of the lacquer 600 on the upper side 110 of the substrate 100 can be used in the production of the fourth optical system.
  • electronic component 40 either before or after arranging the optoelectronic semiconductor chips 200 on the top 110 of the substrate 100 done.
  • Converter material 300 is likewise arranged at least partially in recess 610 on upper side 110 of substrate 100 in fourth optoelectronic component 40.
  • the arranging of the converter material 300, as in the production of the first optoelectronic component 10 can be effected by a printing method or a molding method.
  • the converter material 300 is, however, at least in part ⁇ , in the recess 610 at the top 110 of the sub strats 100 is disposed. This ensures that the converter material 300 on the upper side 110 of the substrate 100 of the fourth optoelectronic component 40 has sharply delimited outer contours.
  • the fourth optoelectronic component 40 may include public ⁇ sam 40 is made in a composite components ⁇ to a plurality of further fourth optoelectronic components.
  • the invention has been further illustrated and described with reference to the preferred Sinsbei ⁇ games. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention. Reference sign list

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Abstract

A method for producing an optoelectronic component comprises steps for disposing an optoelectronic semiconductor chip on an upper face of a substrate and for disposing a converter material on the upper face of the substrate using a printing process or a forming process in such a way that the optoelectronic semiconductor chip is covered by the converter material.

Description

Beschreibung description
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel¬ len eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 1. A method of manufacturing an optoelectronic component, the present invention relates to a method herstel ¬ len an optoelectronic component according to claim. 1
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2013 224 600.5, deren Offenbarungsge¬ halt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird. This patent application claims the priority of German patent application DE 10 2013 224 600.5, which is dependent Offenbarungsge ¬ hereby incorporated by reference.
Im Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente be¬ kannt, bei denen eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiter- chips auf einer Leiterplatte angeordnet ist, was auch alsIn the prior art optoelectronic devices are ¬ be known in which a plurality of optoelectronic semiconductor chips is arranged on a printed circuit board, also referred to as
Chip-on-Board-Anordnung bezeichnet wird. Es ist bekannt, die optoelektronischen Halbleiterchips, die beispielsweise Chip-on-board arrangement is called. It is known, the optoelectronic semiconductor chips, for example
Leuchtdiodenchips (LED-Chips) sein können, in ein Konverter¬ material einzubetten, das dazu dient, von den optoelektroni- sehen Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. LED chips) can be embedded in a converter ¬ material, which serves to convert from the optoelectronic semiconductor chips seen to convert electromagnetic radiation having a wavelength from the blue spectral range in white light.
Im Stand der Technik erfolgt das Einbetten der optoelektroni- sehen Halbleiterchips in das Konvertermaterial in einem mehr¬ stufigen Prozess. Zunächst wird durch Nadeldosieren ein Damm aus hochreflektivem Material angelegt, der die optoelektronischen Halbleiterchips umgrenzt. Die dadurch gebildete Kavität wird in einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt durch erneu- tes Nadeldosieren mit Konvertermaterial befüllt. Dieses wird anschließend nivelliert, beispielsweise durch eine Erwärmung. Das bekannte Verfahren ist mit einem hohen Aufwand und mit entsprechenden Kosten verbunden. Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einIn the prior art, the embedding of the optoelectronic semiconductor chips into the converter material takes place in a multi- stage process. First, a dam made of highly reflective material is applied by needle dosing, which delimits the optoelectronic semiconductor chips. The cavity formed thereby is filled in a subsequent processing step by renewed Nadeldosieren with converter material. This is then leveled, for example by heating. The known method is associated with a high cost and with corresponding costs. An object of the present invention is a
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprü¬ chen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben. Specify a method for producing an optoelectronic component. This task is performed by a procedure with the Characteristics of claim 1 solved. In the dependent Ansprü ¬ Chen various developments are given.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf einer Oberseite eines Substrats und zum Anordnen eines Konvertermaterials auf der Oberseite des Sub¬ strats mittels eines Druckverfahrens oder eines Formverfah¬ rens derart, dass der optoelektronische Halbleiterchip durch das Konvertermaterial bedeckt wird. Dieses Verfahren ermög¬ licht die Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, bei dem eine Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten elektromagnetischen Strahlung durch das Konvertermaterial des optoelektronischen Bauelements konvertiert wird. Dadurch kann das durch das Verfahren erhältliche optoelektronische Bauele¬ ment beispielsweise zur Emission von weißem Licht ausgebildet sein. Das Verfahren ist vorteilhafterweise einfach und zeit¬ sparend durchführbar und eignet sich zur parallelen Bearbeitung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente. Dies ermöglicht eine Nutzung des Verfahrens zur kostengünstigen Mas¬ senproduktion von optoelektronischen Bauelementen. A method of manufacturing an optoelectronic device comprises the steps of disposing an optoelectronic semiconductor chip on an upper surface of a substrate and for arranging a converter material on top of the sub ¬ strats by a printing method or a Formverfah ¬ proceedings such that the optoelectronic semiconductor chip is covered by the converter material , This process made it ¬ the fabrication of a optoelectronic component, wherein a wavelength of a light emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component electromagnetic radiation is converted by the converter material of the optoelectronic component. Thereby, for example, be configured to emit white light, which is available by the method optoelectronic Bauele ¬ ment. The method is advantageously simple and time ¬ saving feasible and is suitable for parallel processing of a plurality of optoelectronic devices. This allows for use of the method for cost-Mas ¬ senproduktion of optoelectronic devices.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Konverterma¬ terial mittels eines Schablonendruckverfahrens auf der Ober¬ seite des Substrats angeordnet. Vorteilhafterweise ist das Schablonendruckverfahren einfach und kostengünstig durchführbar. Das Schablonendruckverfahren ermöglicht es insbesondere, gleichzeitig Konvertermaterial für mehrere optoelektronische Bauelemente anzuordnen. In one embodiment of the method the Konverterma ¬ TERIAL is arranged by means of a stencil printing process on the upper ¬ side of the substrate. Advantageously, the stencil printing process is simple and inexpensive to carry out. The stencil printing method makes it possible in particular to simultaneously arrange converter material for a plurality of optoelectronic components.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Konverterma¬ terial mittels Spritzpressen, Spritzgießen oder Formpressen auf der Oberseite des Substrats angeordnet. Vorteilhafter¬ weise sind auch diese Formverfahren kostengünstig und einfach durchführbar und eignen sich für eine parallele Bearbeitung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips auf der Oberseite des Sub¬ strats angeordnet. Dabei wird jeder der optoelektronischen Halbleiterchips durch das Konvertermaterial bedeckt. Das Ver¬ fahren umfasst dabei außerdem einen weiteren Schritt zum Zerteilen des Substrats, um eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente zu erhalten. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine parallele Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente. Dadurch lassen sich die Herstellungskosten pro einzelnem optoelektronischen Bauelement vorteilhafterweise deutlich reduzieren. In one embodiment of the method the Konverterma ¬ TERIAL is placed on top of the substrate by means of transfer molding, injection molding or compression molding. Advantageously ¬ as these are also molding process inexpensive and easy to perform and suitable for parallel processing a plurality of optoelectronic components. In one embodiment of the method, a plurality of optoelectronic semiconductor chip is placed on top of the sub ¬ strats. In this case, each of the optoelectronic semiconductor chips is covered by the converter material. The method further comprises a further step for dividing the substrate in order to obtain a plurality of optoelectronic components. Advantageously, the method thereby enables a parallel production of a plurality of optoelectronic components. As a result, the production costs per individual optoelectronic component can advantageously be significantly reduced.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Anordnen des Konvertermaterials ein über die Oberseite des Substrats erhabener Damm auf der Oberseite des Substrats angeordnet. Das Konvertermaterial wird dann in einem durch den Damm umgrenzten Abschnitt der Oberseite des Substrats angeordnet. Durch das Anordnen des Konvertermaterials in dem durch den Damm umgrenzten Abschnitt der Oberseite des Substrats wird vorteilhafterweise ein Zerlaufen oder Ausfransen des Konvertermaterials an der Oberseite des Substrats verhindert. In one embodiment of the method, before the arrangement of the converter material, a dam raised above the upper side of the substrate is arranged on the upper side of the substrate. The converter material is then placed in a portion of the top of the substrate defined by the dam. By arranging the converter material in the portion of the upper side of the substrate delimited by the dam, bleeding or fraying of the converter material at the upper side of the substrate is advantageously prevented.
Dadurch wird vorteilhafterweise eine Verwendung eines dünn¬ flüssigen Konvertermaterials ermöglicht. Thus, a use of a thin liquid ¬ converter material is advantageously made possible.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Damm durch ein Dosierverfahren auf der Oberseite des Substrats angeord¬ net. Beispielsweise kann der Damm durch ein Nadeldosierverfahren auf der Oberseite des Substrats angeordnet werden. Das Verfahren ermöglicht dadurch vorteilhafterweise ein Anlegen eines Damms mit einer in weiten Bereichen frei wählbaren Geometrie, was eine Anpassung und Optimierung des Verfahrens und des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements an einen konkreten Anwendungsfall ermöglicht. In one embodiment of the method, the dam is angeord ¬ net by a dosing on the top of the substrate. For example, the dam can be arranged by a Nadeldosierverfahren on top of the substrate. The method thereby advantageously allows the application of a dam with a freely selectable geometry in many areas, which allows adaptation and optimization of the method and the optoelectronic component obtainable by the method to a specific application.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips eine Vertiefung an der Oberseite des Substrats geschaffen. Der optoelektronische Halbleiterchip wird dann in der Vertiefung angeordnet. Das Konvertermaterial wird zumindest teilweise in der Vertiefung angeordnet. Vorteilhafterweise kann die an der Oberseite des Substrats geschaffene Vertiefung ein Verlaufen des Konvertermaterials an der Oberseite des Substrats oder ein Ausfransen der Ränder des an der Oberseite angeordneten Konvertermaterials verhindern. Dies ermöglicht beispielsweise eine Verwen¬ dung eines dünnflüssigen Konvertermaterials. In one embodiment of the method, a depression is created on the upper side of the substrate prior to arranging the optoelectronic semiconductor chip. The optoelectronic semiconductor chip is then arranged in the recess. The Converter material is at least partially disposed in the recess. Advantageously, the recess provided on the upper side of the substrate can prevent a running of the converter material on the upper side of the substrate or a fraying of the edges of the converter material arranged on the upper side. This allows, for example, a Verwen ¬ tion of a low-viscosity converter material.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Vertiefung in einem auf die Oberseite des Substrats auflaminierten Die¬ lektrikum geschaffen. Vorteilhafterweise ist das Verfahren dadurch besonders einfach und kostengünstig durchführbar. Die Vertiefung kann beispielsweise als schon vor dem Auflaminie- ren auf das Substrat in dem Dielektrikum vorhandene Öffnung ausgebildet sein. In diesem Fall sind zur Schaffung der Vertiefung an der Oberseite des Substrats keine eigenen geson¬ derten Prozessschritte erforderlich. In one embodiment of the method, the recess is created in a laminated onto the top of the substrate Die ¬ lektrikum. Advantageously, the method is thereby particularly simple and inexpensive to carry out. The depression can be formed, for example, as an opening present in the dielectric prior to lamination onto the substrate. In this case, no separate geson ¬ derten process steps are required for the creation of the recess at the top of the substrate.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Vertiefung in einem auf die Oberseite des Substrats aufgebrachten Lack geschaffen. Der Lack kann beispielsweise ein Lötstopplack sein. Vorteilhafterweise kann auch in diesem Fall die Schaf¬ fung der Vertiefung an der Oberseite des Substrats mit ande¬ ren ohnehin erforderlichen Verfahrensschritten kombiniert werden, wodurch das Verfahren einfach und kostengünstig durchführbar ist. In one embodiment of the method, the depression is created in a paint applied to the top of the substrate. The paint can be for example a solder mask. Advantageously, the sheep ¬ evaporation of the recess on the upper side of the substrate can be combined with walls ¬ ren anyway necessary process steps in this case, whereby the method is simple and economical feasible.
In einer Ausführungsform des Verfahrens ist das Substrat als Leiterplatte ausgebildet. Vorteilhafterweise kann das Sub- strat in diesem Fall auch zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips und zur elektrischen Verbindung des optoelektronischen Halbleiterchips mit weiteren optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements dienen. In one embodiment of the method, the substrate is designed as a printed circuit board. Advantageously, the substrate in this case can also be used for electrically contacting the optoelectronic semiconductor chip and for electrically connecting the optoelectronic semiconductor chip to further optoelectronic semiconductor chips of the optoelectronic component.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusam- menhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung The above-described characteristics, features and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, become clearer and more clearly understandable in the context of the invention. In conjunction with the following description of the embodiments, which are explained in more detail in conjunction with the drawings. In each case show in a schematic representation
Fig. 1 eine geschnittene Seitenansicht eines ersten opto¬ elektronischen Bauelements; 1 is a sectional side view of a first opto ¬ electronic device.
Fig. 2 eine Aufsicht auf das erste optoelektronische Bauele- ment; FIG. 2 is a plan view of the first optoelectronic component; FIG.
Fig. 3 eine Aufsicht auf einen ersten Bauelementeverbund mit einer Mehrzahl der ersten optoelektronischen Bauelemente; Fig. 4 eine geschnittene Seitenansicht eines zweiten opto¬ elektronischen Bauelements; 3 is a plan view of a first component group with a plurality of the first optoelectronic components; 4 shows a sectional side view of a second opto ¬ electronic component.
Fig. 5 eine Aufsicht auf das zweite optoelektronische Bauele¬ ment ; Figure 5 is a plan view of the second optoelectronic Bauele ¬ ment.
Fig. 6 eine geschnittene Seitenansicht eines dritten opto¬ elektronischen Bauelements; und 6 is a sectional side view of a third opto ¬ electronic component. and
Fig. 7 eine geschnittene Seitenansicht eines vierten opto- elektronischen Bauelements. 7 is a sectional side view of a fourth opto-electronic device.
Fig. 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht ei¬ nes ersten optoelektronischen Bauelements 10. Fig. 2 zeigt eine leicht schematisierte Aufsicht auf das erste optoelekt- ronische Bauelement 10. Das erste optoelektronische Bauele¬ ment 10 kann auch als Chip-on-Board-Bauelement oder als Mul- tichip-Lightkernel bezeichnet werden. Das erste optoelektro¬ nische Bauelement 10 kann dazu vorgesehen sein, elektromagne¬ tische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich (sichtbares Licht) zu emittieren. Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise dazu vor¬ gesehen sein, mittels eines Halters in einer Leuchte befes¬ tigt zu werden. Das erste optoelektronische Bauelement 10 umfasst ein Sub¬ strat 100 mit einer Oberseite 110. Die Oberseite 110 des Sub¬ strats 100 ist im Wesentlichen eben ausgebildet. Das Substrat 100 kann beispielsweise als Leiterplatte ausgebildet sein, insbesondere als Leiterplatte mit Keramik- oder Metallkern. An der Oberseite 110 des Substrats 100 können eine oder meh¬ rere elektrische Kontaktflächen 120 ausgebildet sein. Auf der Oberseite 110 des Substrats 100 des ersten optoelekt¬ ronischen Bauelements 10 ist mindestens ein optoelektroni¬ scher Halbleiterchip 200 angeordnet. Im in Figuren 1 und 2 gezeigten Beispiel sind drei optoelektronische Halbleiter¬ chips 200 auf der Oberseite 110 des Substrats 100 angeordnet. Diese Anzahl ist jedoch lediglich beispielhaft gewählt. Es könnten auch weniger oder mehr als drei optoelektronische Halbleiterchips 200 vorhanden sein. Fig. 1 is a schematic sectional side view of egg ¬ nes first optoelectronic component 10. Fig. 2 shows a slightly schematized plan view of the first optoelectronic component 10. The first opto-electronic Bauele ¬ element 10 can also serve as chip-on-board component or multi-chip light kernel. The first opto-electro ¬ African component 10 may be provided to emit electromagnetic radiation having a wavelength ¬ diagram of the visible spectral range (visible light). The first opto-electronic device 10 can be seen ¬ for example, to be buildin ¬ Untitled means of a holder in a luminaire. The first opto-electronic device 10 includes a sub ¬ strat 100 having a top side 110. The top 110 of the sub strats ¬ 100 is substantially planar. The substrate 100 may be formed, for example, as a printed circuit board, in particular as a printed circuit board with ceramic or metal core. On the upper side 110 of the substrate 100 one or meh ¬ eral electrical contact surfaces may be formed 120th On the upper surface 110 of the substrate 100 of the first optoelekt ¬ tronic device 10 at least one optoelectronic ¬ shear semiconductor chip 200 is disposed. In the example shown in Figures 1 and 2, three optoelectronic semiconductor ¬ chips 200 are disposed on the upper surface 110 of the substrate 100th However, this number is chosen only as an example. There could also be fewer or more than three optoelectronic semiconductor chips 200.
Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 sind dazu ausge- bildet, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Die opto¬ elektronischen Halbleiterchips 200 können beispielsweise Leuchtdiodenchips (LED-Chips) sein. Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 können als oberflächenemittierende Halb¬ leiterchips oder als volumenemittierende Halbleiterchips aus- gebildet sein. Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 können beispielsweise als volumenemittierende Saphirchips ausgebildet sein. The optoelectronic semiconductor chips 200 are designed to generate electromagnetic radiation. The opto ¬ electronic semiconductor chips 200 may be, for example light emitting diode chips (LED chips). The optoelectronic semiconductor chip 200 may be formed as a surface-emitting semiconductor chip ¬ or as volumenemittierende semiconductor chips off. The optoelectronic semiconductor chips 200 may be formed, for example, as volume-emitting sapphire chips.
Jeder optoelektronische Halbleiterchip 200 weist eine Ober- seite 210 und eine der Oberseite 210 gegenüberliegende Unter¬ seite 220 auf. Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 sind derart auf der Oberseite 110 des Substrats 100 angeord¬ net, dass die Unterseiten 220 der optoelektronischen Halbleiterchips 200 der Oberseite 110 des Substrats 100 zugewandt sind. Falls die optoelektronischen Halbleiterchips 200 als oberflächenemittierende Halbleiterchips ausgebildet sind, so können die Oberseiten 210 der optoelektronischen Halbleiterchips 200 Strahlungsemissionsflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 200 bilden. Falls die optoelektronischen Halbleiterchips 200 als volumenemittierende Halbleiterchips ausgebildet sind, so können die optoelektronischen Halb¬ leiterchips 200 elektromagnetische Strahlung an der Oberseite 210 und an anderen Oberflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 200 emittieren. Each optoelectronic semiconductor chip 200 has a top surface 210 and a top surface 210 of the opposing sub ¬ page 220. The optoelectronic semiconductor chip 200 are such on the top surface 110 of the substrate 100 angeord ¬ net that the bottoms 220 of the optoelectronic semiconductor chip face 200 of the top 110 of the substrate 100th If the optoelectronic semiconductor chips 200 are designed as surface emitting semiconductor chips, then the upper sides 210 of the optoelectronic semiconductor chips 200 can emit radiation emission surfaces of the optoelectronic Semiconductor chips 200 form. If the optoelectronic semiconductor chip 200 are formed as volumenemittierende semiconductor chip, the optoelectronic semiconductor ¬ semiconductor chip can emit electromagnetic radiation 200 at the top 210 and to other surfaces of the optoelectronic semiconductor chip 200th
Jeder optoelektronische Halbleiterchip 200 weist elektrische Kontakte auf, die mit elektrischen Kontakten auf der Obersei¬ te 110 des Substrats 100 elektrisch leitend verbunden sind. Die elektrischen Kontakte der optoelektronischen Halbleiterchips 200 können beispielsweise an den Unterseiten 220 der optoelektronischen Halbleiterchips 200 angeordnet und über Lötverbindungen mit den elektrischen Kontakten an der Oberseite 110 des Substrats 100 verbunden sein. Die elektrischen Kontakte der optoelektronischen Halbleiterchips 200 können aber auch mittels Bonddrähten oder auf andere Weise Each optoelectronic semiconductor chip 200 has electrical contacts which are electrically conductively connected to electrical contacts on the Obersei ¬ te 110 of the substrate 100th The electrical contacts of the optoelectronic semiconductor chips 200 may be arranged, for example, on the undersides 220 of the optoelectronic semiconductor chips 200 and connected via solder connections to the electrical contacts on the top side 110 of the substrate 100. However, the electrical contacts of the optoelectronic semiconductor chips 200 can also be by means of bonding wires or in another way
elektrisch leitend mit den elektrischen Kontakten an der Oberseite 110 des Substrats 100 verbunden sein. Die elektri¬ schen Kontaktflächen 120 an der Oberseite 110 des Substrats 100 sind über an der Oberseite 110 des Substrats 100 oder in¬ nerhalb des Substrats 100 angeordnete Leiterbahnen elektrisch leitend mit den optoelektronischen Halbleiterchips 200 ver¬ bunden und dienen zur externen elektrischen Kontaktierung des ersten optoelektronischen Bauelements 10. be electrically connected to the electrical contacts on the upper side 110 of the substrate 100. The electrical ¬'s contact surfaces 120 on the top 110 of the substrate 100 are electrically conductively connected to the optoelectronic semiconductor chip 200 ver ¬ connected via at the top 110 of the substrate 100 or in ¬ nerhalb of the substrate 100 arranged conductor paths and serve for external electrical contacting of the first optoelectronic Component 10.
Die an der Oberseite 110 des Substrats 100 angeordneten opto¬ elektronischen Halbleiterchips 200 sind durch ein Konvertermaterial 300 bedeckt. Das Konvertermaterial 300 bedeckt die Oberseiten 210 der optoelektronischen Halbleiterchips 200 und sich zwischen den Oberseiten 210 und den Unterseiten 220 erstreckende Seitenflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 200. Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 sind somit zumindest teilweise in das Konvertermaterial 300 einge- bettet. Es wäre allerdings auch möglich, dass einzelne Ober¬ oder Seitenflächen einzelner optoelektronischer Halbleiterchips 200 nicht durch das Konvertermaterial 300 bedeckt sind. Bei dem in Figuren 1 und 2 dargestellten ersten Bauelement 10 sind alle optoelektronischen Halbleiterchips 200 in einen ge¬ meinsamen, einstückig zusammenhängenden Abschnitt des Konvertermaterials 300 eingebettet. Es wäre allerdings auch mög- lieh, die optoelektronischen Halbleiterchips 200 in mehrere voneinander getrennte Abschnitte des Konvertermaterials 300 einzubetten . The opto ¬ electronic semiconductor chip 200 arranged on the upper side 110 of the substrate 100 are covered by a converter material 300. The converter material 300 covers the upper sides 210 of the optoelectronic semiconductor chips 200 and side surfaces of the optoelectronic semiconductor chips 200 extending between the upper sides 210 and the lower sides 220. The optoelectronic semiconductor chips 200 are thus at least partially embedded in the converter material 300. It would also be possible, however, that single top ¬ or side surfaces of individual optoelectronic semiconductor chip 200 are not covered by the converter material 300th In the example illustrated in Figures 1 and 2 the first component 10, all of the optoelectronic semiconductor chip embedded in a ge ¬ common, integrally contiguous portion of the converter material 300 200th However, it would also be possible to embed the optoelectronic semiconductor chips 200 in a plurality of separate sections of the converter material 300.
Das Konvertermaterial 300 ist dazu vorgesehen, eine Wellen- länge von durch die optoelektronischen Halbleiterchips 200 emittierter elektromagnetischer Strahlung zu konvertieren. Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 können beispiels¬ weise dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spekt- ralbereich zu emittieren. Das Konvertermaterial 300 kann dazu ausgebildet sein, diese elektromagnetische Strahlung mit ei¬ ner Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. Das Konvertermaterial 300 kann ein Matrixmaterial und in das Matrixmaterial eingebettete Konverterpartikel aufweisen. Das Matrixmaterial kann beispielsweise ein Silikon aufweisen. Die in das Matrixmaterial eingebetteten Konverterpartikel können beispielsweise einen organischen oder einen anorganischen Leuchtstoff umfassen. Die Konverterpartikel können auch Quan¬ tenpunkte aufweisen. Die Konverterpartikel können dazu vorge¬ sehen sein, elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge zu absorbieren und anschließend elektromagneti¬ sche Strahlung mit einer zweiten, typischerweise größeren, Wellenlänge zu emittieren. Hierdurch können die in das Konvertermaterial 300 eingebetteten Konverterpartikel die The converter material 300 is provided to convert a wavelength of electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips 200. The optoelectronic semiconductor chip 200 may be formed ¬ example as to emit electromagnetic radiation having a wavelength in the blue or ultraviolet spectral range. The converter material 300 may be designed to convert this electromagnetic radiation with ei ¬ ner wavelength from the blue or ultraviolet spectral range in white light. The converter material 300 may comprise a matrix material and converter particles embedded in the matrix material. The matrix material may for example comprise a silicone. The converter particles embedded in the matrix material may comprise, for example, an organic or an inorganic phosphor. The converters particles may also have Quan ¬ tenpunkte. The converter particles to be pre see ¬, to absorb electromagnetic radiation having a first wavelength and emit electromagnetic then ¬ specific radiation at a second, typically larger wavelength. As a result, the converter particles embedded in the converter material 300, the
Konvertierung der Wellenlänge der durch die optoelektronischen Halbleiterchips 200 emittierten elektromagnetischen Strahlung bewirken. Conversion of the wavelength of the emitted by the optoelectronic semiconductor chips 200 electromagnetic radiation effect.
Zur Herstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 wird das Konvertermaterial 300 nach dem Anordnen der opto¬ elektronischen Halbleiterchips 200 an der Oberseite 110 des Substrats 100 mittels eines Druckverfahrens oder eines Form¬ verfahrens auf der Oberseite 110 des Substrats 100 angeord¬ net. Als Druckverfahren kann dabei insbesondere ein Schablo¬ nendruckverfahren genutzt werden. Als Formverfahren kann bei- spielsweise ein Spritzpressverfahren (Transfer Molding) , ein Spritzgießverfahren (Injection Molding) oder ein Formpressverfahren (Compression Molding) genutzt werden. Sowohl ein Druckverfahren als auch ein Formverfahren erlauben es, das Konvertermaterial 300 direkt an der Oberseite 110 des Sub- strats 100 anzuordnen und die optoelektronischen Halbleiterchips 200 dabei in das Konvertermaterial 300 einzubetten. For the production of the first optoelectronic component 10, the converter material 300 after arranging the opto ¬ electronic semiconductor chip 200 at the top 110 of the Substrate 100 by means of a printing method or a form ¬ method on the upper side 110 of the substrate 100 angeord ¬ net. As a printing method, in particular, a Template ¬ nendruckverfahren can be used. As a molding method, for example, a transfer molding method (transfer molding), an injection molding method (injection molding) or a compression molding method (compression molding) can be used. Both a printing method and a molding method make it possible to arrange the converter material 300 directly on the top side 110 of the substrate 100 and thereby embed the optoelectronic semiconductor chips 200 in the converter material 300.
Das Konvertermaterial 300 kann unmittelbar mit der gewünschten Geometrie angelegt werden, die das Konvertermaterial 300 nach dem Abschluss der Herstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 aufweisen soll. Eine Nivellierung oder eine andere Umformung des Konvertermaterials 300 nach dem An¬ ordnen des Konvertermaterials 300 auf der Oberseite 110 des Substrats 100 ist in der Regel nicht erforderlich. Vorteil- hafterweise werden dadurch mit einer solchen Umformung einhergehende Schwierigkeiten und Probleme vermieden. Beispiels¬ weise wird eine unerwünschte und unkontrollierte Sedimentati¬ on von in das Matrixmaterial des Konvertermaterials 300 ein¬ gebetteten Konverterpartikeln verhindert. The converter material 300 can be applied directly with the desired geometry, which the converter material 300 should have after the completion of the production of the first optoelectronic component 10. A leveling or other deformation of the converter material 300 according to the on ¬ arrange the converter material 300 on the top 110 of the substrate 100 is not usually required. Advantageously, difficulties and problems associated with such forming are thereby avoided. Example ¬ as preventing unwanted and uncontrolled Sedimentati ¬ on of in the matrix material of the converter material 300 a ¬ bedded Converter particles.
Fig. 3 zeigt eine leicht schematisierte Darstellung eines ersten Bauelementeverbunds 15. Der erste Bauelementeverbund 15 umfasst mehrere der in Figuren 1 und 2 dargestellten ersten optoelektronischen Bauelemente 10. In dem in Fig. 3 dar- gestellten Beispiel des ersten Bauelementeverbunds 15 umfasst dieser 16 erste optoelektronische Bauelemente 10, die in ei¬ ner quadratischen 4><4-Anordnung angeordnet sind. Der erste Bauelementeverbund 15 könnte jedoch auch eine andere Zahl erster optoelektronischer Bauelemente 10 umfassen, die in ei- ner anderen quadratischen, rechteckigen oder anderen Anordnung angeordnet sind. Die Substrate 100 der ersten optoelektronischen Bauelemente 10 des ersten Bauelementeverbunds 15 sind einstückig zusam¬ menhängend als gemeinsames Gesamtsubstrat ausgebildet. Das Gesamtsubstrat kann in einem späteren Bearbeitungsschritt entlang von Trennbereichen 130 in die einzelnen Substrate 100 der einzelnen optoelektronischen Bauelemente 10 des ersten Bauelementeverbunds 15 zerteilt werden, wodurch die ersten optoelektronischen Bauelemente 10 des ersten Bauelementeverbunds 15 vereinzelt werden. Die Trennbereiche 130 verlaufen in der beispielhaften Matrixanordnung der ersten optoelektronischen Bauelemente 10 des ersten Bauelementeverbunds 15 ent¬ lang gekreuzter gerader Linien zwischen den ersten optoelektronischen Bauelementen 10. In den Trennbereichen 130 können Ritzungen oder Rillen an der Oberseite 110 des Gesamtsub- strats vorgesehen sein. Dies ist jedoch nicht zwingend erfor¬ derlich. Das Zerteilen des Gesamtsubstrats in die einzelnen Substrate 100 der einzelnen ersten optoelektronischen Bauelemente 10 in den Trennbereichen 130 kann beispielsweise durch Sägen oder Brechen erfolgen. 3 shows a slightly schematized representation of a first component grouping 15. The first component grouping 15 comprises several of the first optoelectronic components 10 illustrated in FIGS. 1 and 2. In the example of the first component group 15 shown in FIG. 3, this 16 comprises the first optoelectronic component Components 10, which are arranged in egg ¬ ner quadratic 4><4 arrangement. However, the first component group 15 could also comprise a different number of first optoelectronic components 10, which are arranged in another square, rectangular or other arrangement. The substrates 100 of the first opto-electronic components 10 of the first composite component 15 are integrally formed together as a common ¬ menhängend total substrate. In a later processing step, the entire substrate can be divided along separation regions 130 into the individual substrates 100 of the individual optoelectronic components 10 of the first component assembly 15, whereby the first optoelectronic components 10 of the first component assembly 15 are separated. The separation regions 130 extend in the exemplary matrix arrangement of the first opto-electronic components 10 of the first component composite 15 ent ¬ long crossed straight lines between the first opto-electronic components 10. In the separation regions 130 scorings or grooves may be strats provided on the top 110 of the Gesamtsub-. However, this is not necessarily erfor ¬ sary. The dividing of the total substrate into the individual substrates 100 of the individual first optoelectronic components 10 in the separating regions 130 can be carried out, for example, by sawing or breaking.
Bis zum Zerteilen des Gesamtsubstrats kann die Herstellung der ersten optoelektronischen Bauelemente 10 des ersten Bauelementeverbunds 15 gemeinsam und parallel erfolgen. Insbe¬ sondere kann das Anordnen des Konvertermaterials 300 auf den Oberseiten 110 der Substrate 100 der einzelnen ersten optoelektronischen Bauelemente 10 des ersten Bauelementeverbunds 15 bei allen ersten optoelektronischen Bauelementen 10 des ersten Bauelementeverbunds 15 gleichzeitig erfolgen. Durch die parallele Bearbeitung der ersten optoelektronischen Bau- elemente 10 des ersten Bauelementeverbunds 15 wird eine kos¬ tengünstige Massenproduktion der ersten optoelektronischen Bauelemente 10 ermöglicht. Until the entire substrate has been cut, the production of the first optoelectronic components 10 of the first component composite 15 can take place jointly and in parallel. In particular ¬ sondere can take place arranging the converter material 300 on the top surfaces 110 of the substrates 100 of the individual first optoelectronic components 10 of the first composite component 15 with all of the first opto-electronic devices 10 of the first composite component 15 simultaneously. The parallel processing of the first opto-electronic components 10 of the first component 15 is a composite kos ¬-effective mass production of the first opto-electronic elements 10 is made possible.
Erfolgt das Anordnen des Konvertermaterials 300 mittels eines Schablonendruckverfahrens, so kann beispielsweise eine Schab¬ lone verwendet werden, die im Bereich jedes ersten optoelekt¬ ronischen Bauelements 10 des ersten Bauelementeverbunds 15 eine geeignete Öffnung aufweist. Erfolgt das Anordnen des Konvertermaterials 300 mittels eines Formverfahrens, so kann das Gesamtsubstrat des ersten Bauelementeverbunds 15 hierzu in einer Form angeordnet werden, die für jedes erste opto¬ elektronische Bauelement 10 des ersten Bauelementeverbunds 15 einen geeigneten Hohlraum für das Konvertermaterial 300 auf¬ weist. Is carried out placing the converter material 300 by means of a screen printing method, a scraping ¬ lone can be used, for example, has a suitable opening in the region of each first optoelekt ¬ tronic device 10 of the first composite components 15th If arranging the Converter material 300 by means of a molding process, so the overall substrate of the first component composite 15 may be placed in a mold for this purpose, which comprises for each first opto ¬ electronic component 10 of the first component composite 15 an appropriate cavity for the converter material 300 on ¬.
Fig. 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht ei¬ nes zweiten optoelektronischen Bauelements 20. Fig. 5 zeigt eine leicht schematisierte Aufsicht auf das zweite optoelekt¬ ronische Bauelement 20. Das zweite optoelektronische Bauele¬ ment 20 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 der Figuren 1 und 2 auf. Komponenten des zweiten optoelektronischen Bauelements 20, die beim ersten optoelektronischen Bauelement 10 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in Fig. 4 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in Figuren 1 und 2 und werden nachfolgend nicht erneut detailliert beschrieben. Im Folgenden werden lediglich die Unterschiede zwischen dem zweiten optoelektroni- sehen Bauelement 20 und dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 sowie die Unterschiede der Verfahren zur Herstellung der optoelektronischen Bauelemente 10, 20 erläutert. Fig. 4 is a schematic sectional side view of egg ¬ nes second optoelectronic component is 20. Fig. 5 shows a simple schematic plan view of the second optoelekt ¬ tronic device 20. The second optoelectronic Bauele ¬ element 20 has large similarities with the first optoelectronic component 10 of the Figures 1 and 2. Components of the second optoelectronic component 20 which correspond to components present in the first optoelectronic component 10 are provided with the same reference symbols in FIG. 4 as in FIGS. 1 and 2 and will not be described again in detail below. In the following, only the differences between the second optoelectronic component 20 and the first optoelectronic component 10 as well as the differences between the methods for producing the optoelectronic components 10, 20 will be explained.
Das zweite optoelektronische Bauelement 20 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 dadurch, dass auf der Oberseite 110 des Substrats 100 ein über die Obersei¬ te 110 des Substrats 100 erhabener Damm 400 angeordnet ist. Der Damm 400 umgrenzt die auf der Oberseite 110 des Substrats 100 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 200 ring- förmig. In dem in Figuren 4 und 5 dargestellten Beispiel des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 umgrenzt der Damm 400 einen kreisscheibenförmigen Abschnitt der Oberseite 110 des Substrats 100. Der durch den Damm 400 umgrenzte Abschnitt der Oberseite 110 des Substrats 100 könnte aber auch eine rechteckige oder eine andere Form aufweisen. , The second optoelectronic component 20 differs from the first opto-electronic device 10 in that a on the Obersei ¬ te 110 of the substrate 100 of raised dam 400 is disposed on the top surface 110 of the substrate 100th The dam 400 annularly surrounds the optoelectronic semiconductor chip 200 arranged on the upper side 110 of the substrate 100. In the example of the second optoelectronic component 20 illustrated in FIGS. 4 and 5, the dam 400 delimits a circular-disk-shaped section of the top side 110 of the substrate 100. The section of the top side 110 of the substrate 100 delimited by the dam 400, however, could also have a rectangular or other shape exhibit.
Der Damm 400 kann beispielsweise ein Kunststoffmaterial auf¬ weisen. Bevorzugt weist der Damm 400 ein Material auf, das für durch das zweite optoelektronische Bauelement 20 emit¬ tierte elektromagnetische Strahlung eine hohe Reflektivität aufweist . Der Damm 400 wird bei der Herstellung des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 vor dem Anordnen des Konvertermate¬ rials 300 auf der Oberseite 110 des Substrats 100 angeordnet. Das Anordnen des Damms 400 auf der Oberseite 110 des Sub¬ strats 100 kann wahlweise vor oder nach dem Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips 200 auf der Oberseite 110 des Substrats 100 erfolgen. Das Anordnen des Damms 400 auf der Oberseite 110 des Substrats 100 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren, etwa durch ein Nadeldosierverfahren, erfolgen . The dam 400 may have, for example, a plastic material ¬. Preferably, the dam 400 comprises a material that for by the second optoelectronic component 20 emit ¬ oriented electromagnetic radiation has a high reflectivity. The dam 400 is placed in the preparation of the second optoelectronic component 20 prior to placing the converter mate rials ¬ 300 on the top 110 of the substrate 100th Disposing the dam 400 on the top 110 of the sub ¬ strats 100 can take place either before or after the arrangement of the optoelectronic semiconductor chip 200 on the top 110 of the substrate 100th The positioning of the dam 400 on the upper side 110 of the substrate 100 can be carried out, for example, by a dosing method, for example by a needle dosing method.
Nach dem Anordnen des Damms 400 auf der Oberseite 110 des Substrats 100 wird das Konvertermaterial 300 mittels eines Druckverfahrens oder eines Formverfahrens in dem durch den Damm 400 umgrenzten Abschnitt auf der Oberseite 110 des Sub- strats 100 angeordnet. Das zur Anordnung des Konvertermateri¬ als 300 verwendete Druckverfahren oder Formverfahren kann dem zur Herstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 verwendeten Verfahren entsprechen. Allerdings wird das Konvertermaterial 300 dabei lediglich in dem durch den Damm 400 umgrenzten Bereich der Oberseite 110 des Substrats 100 ange¬ ordnet. Dadurch wird sichergestellt, dass das auf der Ober¬ seite 110 des Substrats 100 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 angeordnete Konvertermaterial 300 eine scharf begrenzte Außenkontur aufweist. After arranging the dam 400 on the upper side 110 of the substrate 100, the converter material 300 is arranged on the upper side 110 of the substrate 100 by means of a printing method or a molding method in the section delimited by the dam 400. The printing method or molding method used for assembly of the Konvertermateri ¬ 300 may correspond to the method used to prepare the first optoelectronic component 10th However, the converter material 300 is merely in the circumscribed by the dam 400 portion of the top 110 of the substrate 100 disposed ¬. This ensures that the disposed on the upper ¬ page 110 of the substrate 100 of the second optoelectronic device 20 converter material 300 has a sharply defined outer contour.
Wie das erste optoelektronische Bauelement 10 kann auch das zweite optoelektronische Bauelement 20 gleichzeitig mit einer Mehrzahl weiterer zweiter optoelektronischer Bauelemente 20 in einem Bauelementeverbund hergestellt werden. Like the first optoelectronic component 10, the second optoelectronic component 20 can also be produced simultaneously with a plurality of further second optoelectronic components 20 in a component combination.
Fig. 6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht ei¬ nes dritten optoelektronischen Bauelements 30. Das dritte optoelektronische Bauelement 30 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 der Figuren 1 und 2 auf. Komponenten des dritten optoelektronischen Bauelements 30, die bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in Fig. 6 mit den- selben Bezugszeichen versehen wie in Figuren 1 und 2 und werden nachfolgend nicht erneut detailliert beschrieben. Im Fol¬ genden werden lediglich die Unterschiede zwischen dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 und dem ersten optoelektro¬ nischen Bauelement 10 erläutert, sowie die Unterschiede zwi- sehen den zur Herstellung des dritten optoelektronischen Bauelements 30 und des ersten optoelektronischen Bauelements 10 genutzten Verfahren. Fig. 6 shows a schematic sectional side view of egg ¬ nes third optoelectronic component 30. The third optoelectronic component 30 has great similarities with the first optoelectronic component 10 of FIGS. 1 and 2. Components of the third optoelectronic component 30 which correspond to components present in the first optoelectronic component 10 are provided with the same reference symbols in FIG. 6 as in FIGS. 1 and 2 and will not be described again in detail below. In Fol ¬ constricting only the differences between the third opto-electronic component 30 and the first opto-electro ¬ African device 10 are explained, and the differences be- see used in the preparation of the third opto-electronic component 30 and the first optoelectronic component 10 process.
Das dritte optoelektronische Bauelement 30 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 dadurch, dass das Substrat 100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 an seiner Oberseite 110 eine Vertiefung 510 aufweist. Die Vertiefung 510 ist in einem Dielektrikum 500 ausgebildet, das die Oberseite 110 des Substrats 100 bildet. Das Dielektrikum 500 kann beispielsweise auf einen Kern des Substrats 100 auf¬ laminiert sein. In diesem Fall kann die Vertiefung 510 durch eine bereits vor dem Auflaminieren des Dielektrikums 500 in dem Dielektrikum ausgebildete Öffnung gebildet sein. Die Vertiefung 510 kann aber auch erst nach dem Auflaminieren des Dielektrikums 500 geschaffen worden sein. The third optoelectronic component 30 differs from the first optoelectronic component 10 in that the substrate 100 of the third optoelectronic component 30 has a recess 510 on its upper side 110. The recess 510 is formed in a dielectric 500, which forms the upper side 110 of the substrate 100. The dielectric 500 may be laminated, for example, a core of the substrate 100 on ¬. In this case, the recess 510 may be formed by an opening formed in the dielectric prior to lamination of the dielectric 500. However, the recess 510 may also have been created only after the lamination of the dielectric 500.
Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 des dritten opto¬ elektronischen Bauelements 30 sind in der an der Oberseite 110 des Substrats 100 ausgebildeten Vertiefung 510 angeord- net. Auch das die optoelektronischen Halbleiterchips 200 be¬ deckende Konvertermaterial 300 ist zumindest teilweise in der Vertiefung 510 an der Oberseite 110 des Substrats 100 ange¬ ordnet . Das Anordnen des Konvertermaterials 300 kann bei der Herstel¬ lung des dritten optoelektronischen Bauelements 30 wiederum durch ein Druckverfahren oder ein Formverfahren erfolgen, das dem zur Herstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 genutzten Verfahren entspricht. Dabei wird das Konvertermaterial 300 allerdings in der Vertiefung 510 an der Obersei¬ te 110 des Substrats 100 angeordnet. Hierdurch wird sicherge¬ stellt, dass das an der Oberseite 110 des Substrats 100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 angeordnete Konvertermaterial 300 scharf begrenzte Außenkonturen aufweist. The optoelectronic semiconductor chips 200 of the third opto ¬ electronic component 30 are arranged in the formed on the upper side 110 of the substrate 100 recess 510 net. Also, the optoelectronic semiconductor chip 200 be ¬ covering converter material 300 is at least partially disposed in the recess ¬ 510 at the top 110 of the substrate 100th Placing the converter material 300 may be accomplished by a printing method or a molding method in which herstel ¬ development of the third opto-electronic device 30 is again similar to that for preparing the first optoelectronic component 10 used method corresponds. In this case, the converter material 300 is, however, disposed in the recess 510 at the Obersei ¬ te 110 of the substrate 100th This will sicherge ¬ represents that arranged on the top 110 of the substrate 100 of the third optoelectronic component 30 converter material 300 has sharply defined outer contours.
Auch das dritte optoelektronische Bauelement 30 kann in einem Bauelementeverbund gemeinsam mit einer Mehrzahl weiterer dritter optoelektronischer Bauelemente 30 hergestellt werden. The third optoelectronic component 30 can also be produced in a component composite together with a plurality of further third optoelectronic components 30.
Fig. 7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht ei¬ nes vierten optoelektronischen Bauelements 40. Das vierte optoelektronische Bauelement 40 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 der Figuren 1 und 2 auf. Komponenten des vierten optoelektronischen Bauelements 40, die bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in Fig. 7 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in Figuren 1 und 2 und wer- den nachfolgend nicht erneut detailliert beschrieben. Im Fol¬ genden werden lediglich die Unterschiede zwischen dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 und dem ersten optoelektro¬ nischen Bauelement 10 und die Unterschiede zwischen den zur Herstellung der optoelektronischen Bauelemente 40, 10 genutz- ten Verfahren erläutert. Fig. 7 shows a schematic sectional side view of egg ¬ nes fourth optoelectronic component 40. The fourth optoelectronic component 40 has large similarities with the first opto-electronic device 10 of Figures 1 and 2. Components of the fourth optoelectronic component 40 which correspond to components present in the first optoelectronic component 10 are provided with the same reference symbols in FIG. 7 as in FIGS. 1 and 2 and will not be described again in detail below. In Fol ¬ constricting only the differences between the fourth optoelectronic component 40 and the first electro-opto ¬ African component 10 and the differences between the preparation of the optoelectronic devices 40, 10 genutz- th process are explained.
Das vierte optoelektronische Bauelement 40 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 dadurch, dass bei dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 auf der Oberseite 110 des Substrats 100 ein Lack 600 angeordnet ist. Der Lack 600 kann beispielsweise ein Lötstopplack sein. Der Lack 600 bedeckt die Oberseite 110 des Substrats 100 nicht vollständig, sondern weist eine Aussparung auf, die eine Ver¬ tiefung 610 an der Oberseite 110 des Substrats 100 bildet. Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 sind im Bereich dieser Vertiefung 610 auf der Oberseite 110 des Substrats 100 angeordnet. Das Anordnen des Lacks 600 auf der Oberseite 110 des Substrats 100 kann bei der Herstellung des vierten opto- elektronischen Bauelements 40 wahlweise vor oder nach dem Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips 200 auf der Oberseite 110 des Substrats 100 erfolgen. Das die optoelektronischen Halbleiterchips 200 bedeckendeThe fourth optoelectronic component 40 differs from the first optoelectronic component 10 in that a lacquer 600 is arranged on the upper side 110 of the substrate 100 in the fourth optoelectronic component 40. The paint 600 may be, for example, a solder resist. The varnish 600 does not cover the top 110 of the substrate 100 entirely, but has a recess which forms a ¬ Ver indentation 610 at the top 110 of the substrate 100th The optoelectronic semiconductor chips 200 are arranged in the region of this depression 610 on the upper side 110 of the substrate 100. The arrangement of the lacquer 600 on the upper side 110 of the substrate 100 can be used in the production of the fourth optical system. electronic component 40 either before or after arranging the optoelectronic semiconductor chips 200 on the top 110 of the substrate 100 done. The covering the optoelectronic semiconductor chips 200
Konvertermaterial 300 ist bei dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 ebenfalls zumindest teilweise in der Vertiefung 610 an der Oberseite 110 des Substrats 100 angeordnet. Bei der Herstellung des vierten optoelektronischen Bauelements 40 kann das Anordnen des Konvertermaterials 300, wie bei der Herstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10, durch ein Druckverfahren oder ein Formverfahren erfolgen. Dabei wird das Konvertermaterial 300 allerdings zumindest teil¬ weise in der Vertiefung 610 an der Oberseite 110 des Sub- strats 100 angeordnet. Hierdurch wird sichergestellt, dass das Konvertermaterial 300 auf der Oberseite 110 des Substrats 100 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 scharf umgrenzte Außenkonturen aufweist. Auch das vierte optoelektronische Bauelement 40 kann gemein¬ sam mit einer Mehrzahl weiterer vierter optoelektronischer Bauelemente 40 in einem Bauelementeverbund hergestellt wer¬ den . Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlas- sen. Bezugs zeichenliste Converter material 300 is likewise arranged at least partially in recess 610 on upper side 110 of substrate 100 in fourth optoelectronic component 40. In the production of the fourth optoelectronic component 40, the arranging of the converter material 300, as in the production of the first optoelectronic component 10, can be effected by a printing method or a molding method. In this case, the converter material 300 is, however, at least in part ¬, in the recess 610 at the top 110 of the sub strats 100 is disposed. This ensures that the converter material 300 on the upper side 110 of the substrate 100 of the fourth optoelectronic component 40 has sharply delimited outer contours. The fourth optoelectronic component 40 may include public ¬ sam 40 is made in a composite components ¬ to a plurality of further fourth optoelectronic components. The invention has been further illustrated and described with reference to the preferred Ausführungsbei ¬ games. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention. Reference sign list
10 erstes optoelektronisches Bauelement10 first optoelectronic component
15 erster Bauelementeverbund 15 first component association
20 zweites optoelektronisches Bauelement 20 second optoelectronic component
30 drittes optoelektronisches Bauelement30 third optoelectronic component
40 viertes optoelektronisches Bauelement 40 fourth optoelectronic component
100 Substrat 100 substrate
110 Oberseite  110 top
120 elektrische Kontaktfläche  120 electrical contact area
130 Trennbereich  130 separation area
200 optoelektronischer Halbleiterchip200 optoelectronic semiconductor chip
210 Oberseite 210 top
220 Unterseite  220 bottom
300 Konvertermaterial 300 converter material
400 Damm 400 dam
500 Dielektrikum 500 dielectric
510 Vertiefung  510 recess
600 Lack 600 paint
610 Vertiefung  610 well

Claims

Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40) Method for producing an optoelectronic component (10, 20, 30, 40)
- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (200) auf einer Oberseite (110) eines Substrats (100);  - arranging an optoelectronic semiconductor chip (200) on an upper side (110) of a substrate (100);
- Anordnen eines Konvertermaterials (300) auf der Ober¬ seite (110) des Substrats (100) mittels eines Druckver¬ fahrens oder eines Formverfahrens derart, dass der opto¬ elektronische Halbleiterchip (200) durch das Konverterma¬ terial (300) bedeckt wird. - Arranging a converter material (300) on the upper side ¬ (110) of the substrate (100) by means of a Druckver ¬ process or a molding process such that the opto ¬ electronic semiconductor chip (200) by the converter material ¬ (300) is covered.
Verfahren gemäß Anspruch 1, Method according to claim 1,
wobei das Konvertermaterial (300) mittels eines Schablo¬ nendruckverfahrens auf der Oberseite (110) des Substrats (100) angeordnet wird. wherein the converter material (300) by means of a Template ¬ nendruckverfahrens on the top (110) of the substrate (100) is placed.
Verfahren gemäß Anspruch 1, Method according to claim 1,
wobei das Konvertermaterial (300) mittels Spritzpressen, Spritzgießen oder Formpressen auf der Oberseite (110) des Substrats (100) angeordnet wird. wherein the converter material (300) is arranged by means of transfer molding, injection molding or compression molding on the upper side (110) of the substrate (100).
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips (200) auf der Oberseite (110) des Substrats (100) ange¬ ordnet wird, A method according to any of the preceding claims, wherein a plurality of optoelectronic semiconductor chip (200) on the top (110) of the substrate (100) is attached ¬ assigns,
wobei jeder der optoelektronischen Halbleiterchips (200) durch das Konvertermaterial (300) bedeckt wird, wherein each of the optoelectronic semiconductor chips (200) is covered by the converter material (300),
wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt um- fasst : the method comprising the following further step:
- Zerteilen des Substrats (100), um eine Mehrzahl opto¬ elektronischer Bauelemente (10, 20, 30, 40) zu erhalten. - Dividing the substrate (100) to obtain a plurality of opto ¬ electronic components (10, 20, 30, 40).
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei vor dem Anordnen des Konvertermaterials (300) ein über die Oberseite (110) des Substrat (100) erhabener Damm (400) auf der Oberseite des Substrats (100) angeord¬ net wird, wobei das Konvertermaterial (300) in einem durch den Damm (400) umgrenzten Abschnitt der Oberseite (110) des Sub¬ strats (100) angeordnet wird. A method according to any one of the preceding claims, wherein prior to placing of the converter material (300) is an over the top (110) of the substrate (100) raised dam (400) on top of the substrate (100) ¬ angeord net, wherein the converter material (300) is arranged in a delimited by the dam (400) portion of the upper surface (110) of the sub ¬ strats (100).
Verfahren gemäß Anspruch 5, Method according to claim 5,
wobei der Damm (400) durch ein Dosierverfahren auf der Oberseite (110) des Substrats (100) angeordnet wird. wherein the dam (400) is placed on the top (110) of the substrate (100) by a dosing process.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, Method according to one of claims 1 to 4,
wobei vor dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips (200) eine Vertiefung (510, 610) an der Oberseite (110) des Substrats (100) geschaffen wird, wherein, prior to arranging the optoelectronic semiconductor chip (200), a depression (510, 610) is created on the upper side (110) of the substrate (100),
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) in der Vertiefung (510, 610) angeordnet wird, wherein the optoelectronic semiconductor chip (200) is arranged in the depression (510, 610),
wobei das Konvertermaterial (300) zumindest teilweise in der Vertiefung (510, 610) angeordnet wird. wherein the converter material (300) is at least partially disposed in the recess (510, 610).
Verfahren gemäß Anspruch 7, Method according to claim 7,
wobei die Vertiefung (510) in einem auf die Oberseite (110) des Substrats (100) auflaminierten Dielektrikum (500) geschaffen wird. wherein the recess (510) is provided in a dielectric (500) laminated to the top surface (110) of the substrate (100).
Verfahren gemäß Anspruch 7, Method according to claim 7,
wobei die Vertiefung (610) in einem auf die Oberseite (110) des Substrats (100) aufgebrachten Lack (600) ge¬ schaffen wird. wherein the recess (610) in one of the top (110) of the substrate (100) applied coating (600) will create ge ¬.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Substrat (100) als Leiterplatte ausgebildet ist . Method according to one of the preceding claims, wherein the substrate (100) is formed as a printed circuit board.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1198016A2 (en) * 2000-10-13 2002-04-17 LumiLeds Lighting U.S., LLC Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
EP1693904A2 (en) * 2005-02-18 2006-08-23 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
JP2006313886A (en) * 2005-04-08 2006-11-16 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device with silicone resin layer formed by screen printing
US20060284207A1 (en) * 2005-06-20 2006-12-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package with metal reflective layer and method of manufacturing the same
US20090212305A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Mitsunori Harada Semiconductor light emitting device
DE102009039891A1 (en) * 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic module having at least a first semiconductor body with a radiation exit side and an insulating layer and method for its production
US20110303941A1 (en) * 2010-08-09 2011-12-15 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and lighting system

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100854328B1 (en) * 2006-07-07 2008-08-28 엘지전자 주식회사 LED package and method for making the same
EP1914809A1 (en) * 2006-10-20 2008-04-23 Tridonic Optoelectronics GmbH Cover for optoelectronic components
US20110186874A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Soraa, Inc. White Light Apparatus and Method
JP5375777B2 (en) * 2010-09-09 2013-12-25 パナソニック株式会社 Resin coating device in LED package manufacturing system
US8912562B2 (en) * 2010-12-29 2014-12-16 3M Innovative Properties Company Remote phosphor LED constructions
US20120305956A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Led phosphor patterning
AT13372U1 (en) * 2012-04-30 2013-11-15 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED module with high luminous flux density
US9761763B2 (en) * 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1198016A2 (en) * 2000-10-13 2002-04-17 LumiLeds Lighting U.S., LLC Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
EP1693904A2 (en) * 2005-02-18 2006-08-23 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
JP2006313886A (en) * 2005-04-08 2006-11-16 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device with silicone resin layer formed by screen printing
US20060284207A1 (en) * 2005-06-20 2006-12-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package with metal reflective layer and method of manufacturing the same
US20090212305A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Mitsunori Harada Semiconductor light emitting device
DE102009039891A1 (en) * 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic module having at least a first semiconductor body with a radiation exit side and an insulating layer and method for its production
US20110303941A1 (en) * 2010-08-09 2011-12-15 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and lighting system

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