WO2015065162A1 - 전도성 구조체 및 이의 제조방법 - Google Patents

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layer
darkening
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윤정환
임진형
김용찬
이일하
김기환
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주식회사 엘지화학
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    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49158—Manufacturing circuit on or in base with molding of insulated base

Definitions

  • the present specification relates to a conductive structure and a method of manufacturing the same.
  • the touch screen panel may be classified as follows according to the detection method of the signal. That is, a resistive type that senses a position pressed by pressure in a state in which a DC voltage is applied through a change in current or a voltage value, and a capacitance coupling in which an AC voltage is applied There is a capacitive type, and an electromagnetic type for sensing a selected position as a change in voltage in the state of applying a magnetic field.
  • the problem to be solved by the present application is to provide a conductive structure that can lower the light reflectivity of the conductive pattern, while minimizing the effect on the conductivity of the conductive pattern.
  • One embodiment of the present application to prepare a substrate; Forming a conductive pattern layer on the substrate; And forming the darkening pattern layer on an upper surface, a lower surface, or an upper surface and a lower surface of the conductive pattern layer, wherein the darkening pattern layer comprises a copper-manganese-based material represented by Cu a Mn b O c N d . It provides a method for producing a conductive structure comprising.
  • b is 0.01 or more and 0.5 or less as the mass ratio of Mn to the copper-manganese materials
  • c is 0.05 or more and 0.6 or less
  • d is copper as the mass ratio of O to the copper-manganese materials.
  • -Mass ratio of N to manganese-based material, not less than 0 and not more than 0.15, and a is the remainder of the sum of the mass ratios of the components other than Cu as the mass ratio of Cu to copper-manganese-based material.
  • One embodiment of the present application provides a touch screen panel including the conductive structure.
  • One embodiment of the present application provides a display device including the conductive structure.
  • One embodiment of the present application provides a solar cell including the conductive structure.
  • the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present application may prevent light reflection of the conductive pattern layer by improving the absorbance of the conductive pattern layer while minimizing the influence on the conductivity of the conductive pattern layer. Accordingly, the conductive structure according to the embodiment of the present application has the advantage of excellent visibility by improving the concealment of the conductive pattern layer.
  • a touch screen panel having improved visibility and a display device and a solar cell including the same may be developed using the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present application.
  • 1 to 3 illustrate a laminated structure of a conductive structure according to an embodiment of the present application.
  • Figure 4 shows the results of measuring the total reflectance according to the wavelength of 600 nm or more and 750 nm or less of the conductive structure according to Examples 1 to 4 using Solidspec 3700 (UV-Vis spectrophotometer, Shimadzu).
  • Figure 5 shows the heat resistance test results of the darkening layer prepared according to Comparative Example 5 and Comparative Example 6.
  • Figure 6 shows the heat resistance test results of the darkening layer prepared according to Example 7, Example 10 and Example 11.
  • the display device is a term referring to a TV, a computer monitor, and the like, and includes a display element for forming an image and a case for supporting the display element.
  • Examples of the display device include a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), an electrophoretic display, a cathode-ray tube (CRT), and an OLED display. Can be mentioned.
  • the display device may be provided with an RGB pixel pattern and an additional optical filter for implementing an image.
  • the inventors of the present application have studied a technique for replacing the transparent ITO thin film with a metal fine pattern having a sheet resistance value of several ⁇ / ⁇ .
  • a metal thin film having a high electrical conductivity as the electrode use of the touch screen panel.
  • a specific shape fine electrode pattern In order to achieve this, it was found that the pattern is well recognized by the human eye in view of visibility due to the high reflectance, and that the glare may occur due to high reflectivity and haze value for the external light. .
  • the inventors of the present application in the touch screen panel including a conductive metal fine pattern provided in the effective screen portion, the fact that the light reflection and diffraction characteristics by the pattern layer has a major influence on the visibility of the conductive metal fine pattern. It was found out and wanted to improve it. Specifically, in the touch screen panel based on the existing ITO, the problem caused by the reflectivity of the conductive pattern is not very large due to the high transmittance of the ITO itself, but in the touch screen panel including the conductive metal micro pattern provided in the effective screen unit It has been found that the reflectivity and darkening properties of the conductive metal micropattern are important.
  • the present application can be differentiated from the touch screen panel using a conventional ITO-based transparent conductive thin film layer, the conductivity of the metal fine pattern electrode and the improved reflection and diffraction characteristics for external light Provide a structure. Furthermore, when the conductive laminate according to the embodiment of the present application is applied to the display unit of an electronic device such as a touch screen panel, excellent conductivity and visibility may be ensured.
  • b is 0.01 or more and 0.5 or less as the mass ratio of Mn to the copper-manganese materials
  • c is 0.05 or more and 0.6 or less
  • d is copper as the mass ratio of O to the copper-manganese materials.
  • -Mass ratio of N to manganese-based material, not less than 0 and not more than 0.15, and a is the remainder of the sum of the mass ratios of the components other than Cu as the mass ratio of Cu to copper-manganese-based material.
  • conductive means electrically conductive
  • reflectivity means light reflectance
  • reffractive index means light refractive index
  • the sum of a to d in the copper-manganese material may be 1, and the value of a may mean a mass ratio other than the mass ratio of Mn, O, and N in the copper-manganese material.
  • the copper-manganese-based material may not include N.
  • d may be 0 and c may be 0.25 or more and 0.6 or less.
  • the mass ratio (c) of O in the copper-manganese material when the copper-manganese material does not include N, the mass ratio (c) of O in the copper-manganese material may be 0.25 or more and 0.6 or less. Specifically, when the copper-manganese material does not contain N, the mass ratio (c) of O in the copper-manganese material may be 0.3 or more and 0.55 or less.
  • the copper-manganese-based material does not contain N, when the mass ratio (c) of O is less than 0.25, a high reflectance region occurs at a high temperature of 150 °C to cause a darkening effect is reduced.
  • the copper-manganese-based material may include N.
  • d in the copper-manganese-based material may be greater than 0 and less than 0.15. More specifically, according to the exemplary embodiment of the present application, in the copper-manganese-based material, d may be greater than 0 and less than or equal to 0.11.
  • d in the copper-manganese-based material, d may be greater than 0 and 0.15 or less, and c + d may be 0.15 or more and 0.6 or less.
  • the mass ratio (c) of O when the copper-manganese material includes N may be 0.05 or more and less than 0.6.
  • d in the copper-manganese-based material, d may be greater than 0 and 0.15 or less, and c + d may be 0.18 or more and 0.55 or less.
  • d in the copper-manganese-based material, d may be greater than 0 and less than or equal to 0.15, and c + d may be greater than or equal to 0.25 and less than or equal to 0.52.
  • the copper-manganese-based material includes N
  • darkening properties may be maintained even at a high temperature of 150 ° C. even if the mass ratio of O is included within a range of less than 0.25.
  • the mass ratio of O in the copper-manganese-based material is less than 0.25
  • the sum of the content ratios of O and N is in the range of 0.15 to 0.6
  • the darkening property of the darkening pattern layer is well at high temperatures. It may be oiled, and furthermore, there is an advantage that the color change of the darkening pattern layer hardly occurs even at a high temperature.
  • the darkening pattern layer may be formed through a deposition process.
  • the darkening pattern layer may include the copper-manganese-based material using CuMn as the source material of the deposition process, and the content of Mn in the CuMn may be 10% by mass to 50% by mass.
  • the mass ratio of Mn in the copper-manganese-based material is 0.1 or more and 0.5 or less It can have a value of.
  • the content of Mn of CuMn which is a source material of the deposition process, may be adjusted according to the ratio of O and N of the copper-manganese-based material.
  • the binding form between each element and each molecule in the copper-manganese material is not limited.
  • the darkening pattern layer may be introduced in order to lower the reflectivity of the conductive metal micropattern and improve absorbance characteristics.
  • the darkening pattern layer may be provided on at least one surface of the conductive pattern layer in the touch screen panel, thereby greatly improving the visibility deterioration problem due to the high reflectivity of the conductive pattern layer.
  • the darkening pattern layer has high light absorption, the amount of light incident on the conductive pattern layer itself and the light reflected from the conductive pattern layer may be reduced. Accordingly, the reflectivity according to the conductive pattern layer can be lowered, thereby reducing or eliminating glare. As a result, since the reflectivity of light can be lowered as compared with the case where the user directly looks at the conductive pattern layer, the visibility of the conductive pattern layer can be greatly improved.
  • the darkening pattern layer refers to a layer having absorbance to reduce the amount of light incident on the conductive pattern layer itself and the light reflected from the conductive pattern layer, and the darkening pattern layer is darkened. Layer, light absorbing layer, blackening layer, blackening layer, or the like.
  • the darkening pattern layer is made of a darkening pattern
  • the conductive pattern layer is made of a conductive pattern.
  • the darkening pattern of the darkening pattern layer may be expressed by terms such as light absorbing pattern, blackening pattern, and blackening pattern. In addition, the form of a pattern is mentioned later.
  • the extinction coefficient k of the darkening pattern layer may be 0.2 or more and 2.5 or less, preferably 0.4 or more and 1.2 or less, and more preferably 0.5 or more and 1.1 or less. have.
  • the extinction coefficient k may be a value measured in the visible light wavelength region, and the visible light region refers to a region having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less.
  • the extinction coefficient k is 0.2 or more, there exists an effect which enables darkening.
  • the extinction coefficient k also called absorption coefficient, is a measure that can define how strongly the conductive structure absorbs light at a specific wavelength, and is a factor that determines the transmittance of the conductive structure. For example, for transparent dielectric materials, the k value is very small with k ⁇ 0.2. However, as the metal component increases in the material, the k value increases. If the metal component is increased to a certain amount or more, almost no permeation occurs and most of the surface reflection is a metal, and the extinction coefficient k is greater than 2.5, which is not preferable for forming a darkening pattern layer.
  • the refractive index of the darkening pattern layer may be 0 or more and 3 or less, preferably 2 or more and 3 or less, and more preferably 2.2 or more and 2.8 or less.
  • the refractive index may be a value measured in the visible light wavelength region, and the visible light region refers to a region having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less.
  • the extinction coefficient k and the refractive index n related to the extinction interference are important factors. Having a high extinction coefficient and a low refractive index can ultimately reduce the reflectance and lower the visibility.
  • the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present application may increase the extinction coefficient k value and reduce the reflectance by adding manganese (Mn), which is a metal, to the copper (Cu) darkening pattern layer.
  • Mn manganese
  • Cu copper
  • Mn manganese
  • the total reflection of the conductive structure may be 25% or less.
  • the total reflectance may be a value measured in the visible light wavelength region, and the visible light region refers to a region having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less.
  • the total reflectance of the conductive structure may be 20% or less with respect to light of at least one wavelength of light having a wavelength of 600 nm or more and 750 nm or less, and more specifically, at least one wavelength of light having a wavelength of 600 nm or more and 750 nm or less. It may be 15% or less with respect to the light.
  • the conductive structure may have an average total reflectance of 20% or less in a wavelength region of 600 nm or more and 750 nm or less. The smaller the total reflectance, the better the darkening effect.
  • the total reflectance may be measured in a direction opposite to a surface where the darkening pattern contacts the conductive pattern.
  • the total reflectance may be 20% or less with respect to light of at least one wavelength of light having a wavelength of 600 nm or more and 750 nm or less, and more specifically, light of at least one wavelength of light having a wavelength of 600 nm or more and 750 nm or less. It may be less than 15% relative to.
  • the conductive structure may have an average total reflectance of 20% or less in a wavelength region of 600 nm or more and 750 nm or less.
  • the darkening pattern may be provided between the conductive pattern and the substrate and measured on the substrate side.
  • the total reflectance may be 20% or less with respect to light having at least one wavelength among light having a wavelength of 600 nm or more and 750 nm or less, and more specifically, at least 600 nm or more and 750 nm or less light. It may be 15% or less for light of one wavelength.
  • the conductive structure may have an average total reflectance of 20% or less in a wavelength region of 600 nm or more and 750 nm or less.
  • the conductive pattern layer may be provided between the substrate and the darkening pattern layer, and the total reflectance may be measured from the surface of the substrate provided with the conductive pattern.
  • the glare effect of the conductive pattern layer may be blocked by the darkening pattern layer.
  • the darkening pattern layer may be provided between the substrate and the conductive pattern layer, and the total reflectance may be measured on the opposite side of the surface of the substrate having the conductive pattern.
  • the glare effect of the conductive pattern layer may be blocked by the darkening pattern layer.
  • the conductive structure including the darkening pattern layer may reflect the reflection from the conductive pattern layer of the conductive structure, thereby reducing the sparkling perceived by the human eye and may exhibit low visibility. That is, as the total reflectance of the conductive structure is lower, the visibility of the conductive pattern layer is lowered, thereby increasing the efficiency of the darkening pattern layer.
  • the darkening pattern layer may include a first surface in contact with the conductive pattern layer and a second surface facing the first surface.
  • the total reflectance (R t ) of the conductive structure may be calculated by Equation 1 below.
  • Total reflectance (R t ) total reflectance of the substrate + closure rate ⁇ total reflectance of the darkening pattern layer
  • the total reflectance R t of the conductive structure may be calculated by Equation 2 below.
  • Total reflectance (R t ) total reflectance of substrate + closure rate ⁇ total reflectance of darkening pattern layer ⁇ 2
  • the total reflectance of the substrate may be a total reflectance of the touch tempered glass, and when the surface is a film, it may be a total reflectance of the film.
  • closure rate may be expressed as an area ratio occupied by a region covered by the conductive pattern with respect to the plane of the conductive structure, that is, (1-opening ratio).
  • the difference between with and without the darkening pattern layer depends on the total reflectance of the darkening pattern layer.
  • the total reflectance (R t ) of the conductive structure according to the embodiment of the present application is 10% or more 20 compared to the total reflectivity (R 0 ) of the conductive structure having the same configuration except that the darkening pattern layer is absent It may be reduced by less than%, may be reduced by more than 20% and less than 30%, may be reduced by more than 30% and 40% or less, may be reduced by more than 40% and less than 50%, less than 50% and less than 70% May be reduced. That is, when the total reflectance range is changed from 1% to 30% or less while changing the closing rate range to 1% or more and 10% or less in Equations 1 and 2, the total reflectance reduction effect may be up to 70%. At least 10% total reflectance reduction can be achieved.
  • the darkening pattern layer includes a first surface in contact with the conductive pattern layer and a second surface facing the first surface, and the second of the darkening pattern
  • the total reflectance (R t ) of the conductive structure may be 40% or less than the total reflectance (R 0 ) of the substrate, and may be 30% or less, It may be 20% or less, and may be 10% or less.
  • the conductive structure may have a brightness value L * of 55 or less based on CIE (International Commission for Illumination) L * a * b * color coordinates.
  • L * the lower the brightness L *, the lower the reflectance, which is advantageous.
  • the conductive structures may have chromaticities a * and b * of 0 or less, respectively, based on CIE L * a * b * color coordinates.
  • the chromaticities a * and b * represent hues and chroma, and the lower the chromaticities a * and b *, the lower the reflectance is, which is advantageous.
  • the conductive structure including the conductive pattern layer and the darkening pattern layer may have a sheet resistance of more than 0 ⁇ / ⁇ and 300 ⁇ / ⁇ or less, and specifically 1 ⁇ / ⁇ or more and 100 ⁇ / ⁇ It may be less than or equal to, more specifically, 1 50 / ⁇ or more, 50 ⁇ / ⁇ , it may be more specifically 1 ⁇ / ⁇ or more 20 ⁇ / ⁇ or less.
  • the sheet resistance of the conductive structure is greater than 0 kV / ⁇ and 300 kV / ⁇ or less, there is an effect of replacing the conventional ITO transparent electrode.
  • the sheet resistance of the conductive structure is 1 ⁇ / ⁇ or more and 100 ⁇ / ⁇ or less, or 1 ⁇ / ⁇ or more and 50 ⁇ / ⁇ or less, especially 1 ⁇ / ⁇ or more and 20 ⁇ / ⁇ or less. Due to this extremely low RC delay during signal application, the touch recognition speed can be remarkably improved, and based on this, it is easy to apply a large area touch screen of 7 inches or more.
  • the sheet resistance of the conductive pattern layer or the darkening pattern layer before patterning in the conductive structure may be greater than 0 ⁇ / ⁇ and less than or equal to 2 ⁇ / ⁇ , specifically greater than 0 ⁇ / ⁇ and less than 0.7 ⁇ / ⁇ .
  • the sheet resistance may be adjusted according to the thickness of the conductive pattern layer or the darkening pattern layer.
  • the thickness of the darkening pattern layer may be 20 nm or more and 100 nm or less, specifically 25 nm or more and 100 nm or less, more specifically 30 nm or more and 80 nm or less.
  • the darkening pattern layer may have a different preferred thickness depending on the material used and the manufacturing process. Specifically, considering the case of forming a darkening pattern layer through an etching process, if the thickness is less than 20 nm, process control may not be easy, and if it is more than 100 nm, it may be disadvantageous in terms of production speed.
  • the process control is easy and the production speed is improved, which may be more advantageous in the manufacturing process.
  • the reflectance is further reduced, and the darkening pattern layer is better formed, which has a more advantageous effect.
  • the darkening pattern layer may further include at least one of a dielectric material and a metal.
  • the dielectric material may be SiO, SiO 2 , MgF 2 , SiN x (x is an integer of 1 or more), but is not limited thereto.
  • the metal include Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Ag, and the like, but are not limited thereto.
  • the darkening pattern layer may further include one or more kinds of dielectric materials and one or more kinds of metals.
  • the dielectric material is distributed to gradually decrease as it moves away from the direction in which external light is incident, and the metal is preferably distributed to the contrary.
  • the content of the dielectric material may be 20 wt% or more and 50 wt% or less, and the content of the metal may be 50 wt% or more and 80 wt% or less.
  • a transparent substrate may be used as the substrate, but is not particularly limited.
  • glass, a plastic substrate, a plastic film, and the like may be used.
  • the plastic may be polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC) or polyamide (PA).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PC polycarbonate
  • PA polyamide
  • the thickness of the conductive pattern layer is not particularly limited, but may be more than 0.01 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less in terms of the conductivity of the conductive pattern layer and the economics of the pattern forming process.
  • the thickness of the conductive pattern layer may be 0.01 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the material of the conductive pattern layer is preferably a material having a resistivity of 1 ⁇ 10 6 ⁇ ⁇ cm or more and 30 ⁇ 10 6 ⁇ ⁇ cm or less, preferably 1 ⁇ 10 6 ⁇ ⁇ cm or more It may be 7 ⁇ 10 6 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the conductive pattern layer includes at least one material selected from the group consisting of metals, metal alloys, metal oxides and metal nitrides, the material has a resistivity of 1 ⁇ 10 6 ⁇ Cm or more and 30 ⁇ 10 6 dB ⁇ cm or less.
  • the material of the conductive pattern layer preferably comprises at least one of metal, metal alloy, metal oxide, metal nitride.
  • the material of the conductive pattern layer is a metal material that is excellent in electrical conductivity and easy to etch.
  • a material having excellent electrical conductivity has a disadvantage of high reflectivity.
  • the conductive pattern layer may be formed using a material having high reflectivity by using the darkening pattern layer. In the present application, even when using a material having a reflectance of 70% to 80% or more, by adding the darkening pattern layer, the reflectivity can be lowered, the concealability of the conductive pattern layer can be improved, and the contrast characteristics can be maintained or improved. .
  • the conductive pattern layer includes copper, aluminum, silver, neodymium, molybdenum, nickel, an alloy including two or more thereof, an oxide including one or more thereof, and one or more thereof. It may include one or more selected from the group consisting of nitride. Specifically, according to the exemplary embodiment of the present application, the conductive pattern layer may include copper.
  • the conductive pattern layer may have a single or multi-layered structure.
  • the conductive pattern layer includes copper
  • batch etching with the darkening layer including copper is possible, and thus, the production process efficiency is high, and the cost is reduced, thereby providing economic advantages.
  • copper is advantageous Al than the specific resistance value of 1.7 ⁇ 10 -6 cm then the specific resistance value of 2.8 ⁇ 10 -6 cm. Therefore, when copper is used to form a conductive pattern layer that satisfies a sheet resistance value of more than 0 ⁇ / ⁇ but not more than 2 ⁇ / ⁇ , preferably greater than 0 ⁇ / ⁇ and not more than 0.7 ⁇ / ⁇ , it can be formed thinner than Al. There is an advantage.
  • the sheet resistance may be adjusted according to the thickness of the conductive pattern layer.
  • the conductive pattern layer containing Cu has an advantage of high efficiency and economical in the production process.
  • the darkening pattern layer may be provided on only one side of the conductive pattern layer, may be provided on both sides. Specifically, the darkening pattern layer may be provided on an upper surface, a lower surface, or both an upper surface and a lower surface of the conductive pattern layer.
  • the darkening pattern of the darkening pattern layer may be patterned simultaneously or separately with the conductive pattern of the conductive pattern layer.
  • the darkening pattern layer and the conductive pattern layer may form a stacked structure by a simultaneous or separate patterning process.
  • the structure in which at least a portion of the light absorbing material is recessed or dispersed in the conductive pattern or the conductive pattern of a single layer may be differentiated from the structure in which a part of the surface side is physically or chemically modified by further surface treatment.
  • the darkening pattern layer may be provided directly on the substrate or directly on the conductive pattern layer without an adhesive layer or an adhesive layer.
  • the adhesive layer or adhesive layer may affect durability or optical properties.
  • the conductive structure according to the embodiment of the present application is completely different in the manufacturing method compared to the case using the adhesive layer or the adhesive layer.
  • the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present application has excellent interface characteristics between the substrate or the conductive pattern layer and the darkening pattern layer, as compared with the case of using the adhesive layer or the adhesive layer.
  • the darkening pattern layer may be formed of a single layer or may be formed of two or more layers.
  • the darkening pattern layer preferably has an achromatic color.
  • the achromatic color means a color that appears when light incident on a surface of an object is not selectively absorbed and is evenly reflected and absorbed for the wavelength of each component.
  • the darkening pattern layer is made of a darkening pattern
  • the conductive pattern layer is made of a conductive pattern.
  • the darkening pattern of the darkening pattern layer and the conductive pattern of the conductive pattern layer may be the same shape pattern.
  • the range of the darkening pattern is not necessarily the same as the conductive pattern, and the case where the line width of the darkening pattern is narrower or wider than the line width of the conductive pattern is included in the scope of the present application.
  • the darkening pattern may have a pattern shape having a line width smaller or larger than that of the conductive pattern.
  • the line width of the darkening pattern may be 80% or more and 120% or less of the line width of the conductive pattern.
  • the area provided with the pattern in the darkening pattern layer may be 80% or more and 120% or less of the area provided with the pattern in the conductive pattern layer. That is, the area of the darkening pattern may be 80% or more and 120% or less of the area of the conductive pattern.
  • the darkening pattern is preferably in the form of a pattern having a line width equal to or larger than the line width of the conductive pattern.
  • the darkening pattern When the darkening pattern has a line width larger than the line width of the conductive pattern, the darkening pattern may give a greater effect of masking the conductive pattern when the user looks at it. The advantage is that it can effectively block the effect. However, even if the line width of the darkening pattern is the same as the line width of the conductive pattern can achieve the desired effect in the present application.
  • the line width of the conductive pattern may be greater than 0 ⁇ m and less than or equal to 10 ⁇ m, specifically 0.1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, more specifically 0.2 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less, even more specifically 0.5 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the opening ratio of the conductive pattern layer that is, the area ratio not covered by the pattern may be 70% or more, 85% or more, and 95% or more.
  • the opening ratio of the conductive pattern layer including the conductive pattern may be 90% or more and 99.9% or less, but is not limited thereto.
  • the conductive pattern may be a regular pattern or an irregular pattern.
  • a pattern form in the art such as a mesh pattern may be used.
  • the irregular pattern is not particularly limited, but may be in the form of a boundary line of figures constituting the Voronoi diagram.
  • the darkening pattern layer is irregular, the diffraction pattern of the reflected light by the directional illumination may be removed by the irregular pattern, and the darkening pattern layer including the darkening pattern layer may be formed by scattering light. Since the influence can be minimized, problems in visibility can be minimized.
  • 1 to 3 illustrate a laminated structure of a conductive structure according to an embodiment of the present application.
  • 1 to 3 illustrate the stacking order of the conductive pattern layer and the darkening pattern layer, wherein the conductive pattern layer and the darkening pattern layer are actually applied to a fine transparent electrode such as a touch screen panel. But may be in the form of a pattern.
  • the darkening pattern layer 200 is disposed between the substrate 100 and the conductive pattern layer 300. This can greatly reduce the reflectivity by the conductive pattern layer when the user looks at the touch screen panel from the substrate side.
  • the darkening pattern layer 200 is disposed on the conductive pattern layer 300. This can greatly reduce the reflectivity by the conductive pattern layer when the user looks at the touch screen panel from the opposite side of the substrate side.
  • the darkening pattern layers 200 and 220 are disposed between the substrate 100 and the conductive pattern layer 300 and on the conductive pattern layer 300. This can greatly reduce the reflectivity by the conductive pattern layer when the user looks at the touch screen panel from the substrate side and the opposite side.
  • the structure of the conductive structure according to the embodiment of the present application may be provided with a darkening pattern layer on at least one surface of the conductive pattern layer.
  • the structure of the conductive structure according to the embodiment of the present application may be a structure in which a substrate, a darkening pattern layer, a conductive pattern layer, and a darkening pattern layer are sequentially stacked.
  • the conductive structure may include an additional conductive pattern layer and a darkening pattern layer on the outermost darkening pattern layer.
  • the structure of the conductive structure is the structure of the substrate / darkening pattern layer / conductive pattern layer, the structure of the substrate / conductive pattern layer / darkening pattern layer, the substrate / darkening pattern layer / conductive pattern Structure of layer / darkening pattern layer, structure of substrate / conductive pattern layer / darkening pattern layer / conductive pattern layer, substrate / darkening pattern layer / conductive pattern layer / darkening pattern layer / conductive pattern layer / darkening pattern layer.
  • the conductive pattern layer may include a conductive pattern
  • the darkening pattern layer may include a darkening pattern
  • One embodiment of the present application provides a touch screen panel including the conductive structure.
  • the conductive structure according to the embodiment of the present application may be used as the touch sensitive electrode substrate.
  • One embodiment of the present application provides a display device including the touch screen panel.
  • the touch screen panel according to the exemplary embodiment of the present application may further include an additional structure in addition to the conductive structure including the substrate, the conductive pattern layer, and the darkened pattern layer.
  • the two structures may be disposed in the same direction as each other, and the two structures may be disposed in opposite directions to each other.
  • the two or more structures that may be included in the touch screen panel of the present application need not be the same structure, and only one of the structures closest to the user includes the above-described substrate, conductive pattern layer, and darkening pattern layer. It may be sufficient to, and the additionally included structure may not include a darkening pattern layer.
  • the layer laminated structure in two or more structures may mutually differ. When two or more structures are included, an insulating layer may be provided between them. At this time, the insulating layer may be further provided with the function of the adhesive layer.
  • Touch screen panel is a lower substrate; Upper substrate; And a V electrode layer provided on one or both surfaces of the lower substrate and the surface in contact with the upper substrate.
  • the electrode layer may perform X-axis position detection and Y-axis position detection, respectively.
  • an electrode layer provided on a surface of the lower substrate and the upper substrate of the lower substrate; And one or both of the electrode layer provided on the surface in contact with the upper substrate and the lower substrate of the upper substrate may be a conductive structure according to an embodiment of the present application described above. If only one of the electrode layers is the conductive structure according to the present application, the other may have a conductive pattern known in the art.
  • an insulating layer or a spacer is provided between the lower substrate and the upper substrate so as to maintain a constant distance between the electrode layers and prevent connection. It can be equipped.
  • the insulating layer may include an adhesive or UV or thermosetting resin.
  • the touch screen panel may further include a ground connected to the conductive pattern of the conductive structure described above.
  • the ground portion may be formed at an edge portion of a surface on which the conductive pattern of the substrate is formed.
  • at least one surface of the laminate including the conductive structure may be provided with at least one of an antireflection film, a polarizing film, and a fingerprint film.
  • an antireflection film e.g., a polarizing film
  • a fingerprint film e.g., a fingerprint film.
  • touch screen panels include OLED display panels, liquid crystal displays, and cathode-ray tubes (CRTs) and plasma display panels (PDPs). It can be applied to a display device.
  • CTRs cathode-ray tubes
  • PDPs plasma display panels
  • the conductive pattern layer and the darkening pattern layer may be provided on both surfaces of the substrate, respectively.
  • the touch screen panel according to the exemplary embodiment of the present application may further include an electrode part or a pad part on the conductive structure.
  • the effective screen unit, the electrode unit, and the pad unit may be configured of the same conductor.
  • the darkening pattern layer may be provided on the side of the user.
  • One embodiment of the present application provides a display device including the conductive structure.
  • a conductive structure according to an embodiment of the present application may be used in a color filter substrate or a thin film transistor substrate.
  • the solar cell may include an anode electrode, a cathode electrode, a photoactive layer, a hole transport layer and / or an electron transport layer
  • the conductive structure according to an embodiment of the present application may be used as the anode electrode and / or cathode electrode.
  • the conductive structure may replace conventional ITO in a display device or a solar cell, and may utilize a flexible property. In addition, it can be used as a next-generation transparent electrode along with CNT, conductive polymer, graphene.
  • One embodiment of the present application provides a method of manufacturing the conductive structure. Specifically, one embodiment of the present application comprises the steps of preparing a substrate; Forming a conductive pattern layer on the substrate; And forming the darkening pattern layer on an upper surface, a lower surface, or an upper surface and a lower surface of the conductive pattern layer, wherein the darkening pattern layer comprises a copper-manganese-based material represented by Cu a Mn b O c N d . It provides a method for producing a conductive structure comprising.
  • a to d in the copper manganese-based material are the same as described above.
  • the forming of the conductive pattern layer may include forming a conductive layer on the substrate, and the forming of the darkening pattern layer may include the top, bottom, or top surface of the conductive layer. It may include forming a darkening layer on the lower surface, wherein the conductive pattern layer and the darkening pattern layer may be formed by simultaneously patterning the conductive layer and the darkening layer.
  • the conductive layer means a layer including a material constituting the conductive pattern layer and formed before the conductive pattern layer is patterned.
  • the darkening layer includes a material constituting the darkening pattern layer, and means a layer formed before the darkening pattern layer is patterned.
  • the step of simultaneously patterning may be to collectively etch using an etchant.
  • the method of manufacturing the conductive structure may include forming a darkening pattern layer on a substrate and forming a conductive pattern layer after forming the darkening pattern layer.
  • the method of manufacturing the conductive structure may include forming a conductive pattern layer on the substrate and forming a darkening pattern layer after forming the conductive pattern layer.
  • a darkening pattern layer is formed on a substrate, and after the darkening pattern layer is formed, a conductive pattern layer is formed, and the conductive pattern layer is formed. Afterwards, the method may further include forming a darkening pattern layer.
  • One embodiment of the present application to form a conductive layer on the substrate; Forming a darkening layer comprising the copper-manganese based material before, after, or before and after formation of the conductive layer; And patterning each or simultaneously of the conductive layer and the darkening layer.
  • the method of manufacturing the conductive structure after forming a conductive layer on the substrate and patterning the conductive layer, to form a darkening layer on the patterned conductive layer and the darkening layer Patterning.
  • the method of manufacturing the conductive structure may include patterning the two layers simultaneously after forming a conductive layer on the substrate and forming a darkening layer on the conductive layer.
  • the method of manufacturing the conductive structure may include patterning the two layers simultaneously after forming a conductive layer on the substrate and forming a darkening layer on the conductive layer.
  • a conductive layer is formed on the patterned darkening layer and the conductive layer. Patterning.
  • the method of manufacturing the conductive structure may include patterning the two layers simultaneously after forming a darkening layer on the substrate and forming the conductive layer on the darkening layer. have.
  • the method of manufacturing the conductive structure after forming a darkening layer on the substrate and patterning the darkening layer, a conductive layer is formed on the patterned darkening layer, and After patterning the conductive layer, the method may further include forming a darkening layer on the patterned conductive layer and patterning the darkening layer.
  • a darkening layer is formed on the substrate, and after the conductive layer is formed on the darkening layer, a darkening layer is formed on the conductive layer. Patterning three layers simultaneously.
  • the darkening layer and the conductive layer when the darkening layer and the conductive layer is formed of two or more layers, the darkening layer and the conductive layer may be patterned respectively or simultaneously.
  • the sheet resistance of the conductive pattern layer or the darkening pattern layer before patterning may be greater than 0 ⁇ / ⁇ and less than or equal to 2 ⁇ / ⁇ , preferably greater than 0 ⁇ / ⁇ and greater than or equal to 0.7 ⁇ / ⁇ .
  • the sheet resistance is 2 ⁇ / ⁇ or less, in particular, when 0.7 ⁇ / ⁇ or less, the lower the sheet resistance of the conductive pattern layer or the darkening pattern layer before patterning, the easier the fine patterning design and manufacturing process are performed. Since the sheet resistance of the conductive structure is lowered, there is an effect of increasing the reaction speed of the electrode.
  • the formation of the darkened pattern or the darkened pattern layer may use a method known in the art.
  • it can be formed by a method such as evaporation, sputtering, wet coating, evaporation, electrolytic plating or electroless plating, lamination of metal foil, and specifically, can be formed by sputtering method. .
  • the forming of the darkening pattern layer may use a deposition process. Specifically, after forming a darkening layer using Cu containing Mn as a source material, it can be patterned through an etching process or the like. In addition, Cu and Mn may be deposited separately to form the darkening pattern layer. In the case of deposition using Cu containing Mn as a source material and the deposition using Cu and Mn as source materials, etching can be performed using Cu etchant. Therefore, when the conductive pattern layer includes Cu, the conductive pattern layer and the darkening pattern layer may be collectively etched using a Cu etchant and patterned in one step.
  • the source material refers to a target in the sputtering process.
  • the relative ratio of Cu and Mn may be adjusted, and thus, darkening characteristics and durability characteristics may be easily adjusted.
  • the addition of oxygen and nitrogen can be controlled by introducing a gas in a vacuum atmosphere when using the deposition process.
  • the method of forming the conductive pattern layer is not particularly limited, and the conductive pattern layer may be formed by a direct printing method, or a method of patterning the conductive layer after forming the conductive layer may be used.
  • an ink or paste of a conductive material may be used, and the paste may further include a binder resin, a solvent, a glass frit, etc., in addition to the conductive material. It may also include.
  • a material having etching resist properties may be used.
  • the conductive pattern layer may be formed by a method such as evaporation, sputtering, wet coating, evaporation, electrolytic plating or electroless plating, lamination of metal foil, or the like.
  • a method of forming the conductive pattern layer a method of applying conductivity by firing and / or drying after coating an organic metal, a nano metal or a composite solution thereof on a substrate may be used.
  • Organic silver may be used as the organic metal, and nano silver particles may be used as the nano metal.
  • the conductive pattern may use a method using an etching resist pattern.
  • the etch resist pattern can be formed using a printing method, a photolithography method, a photography method, a method using a mask or laser transfer, for example, thermal transfer imaging, and the like. Preferred but not limited thereto.
  • the conductive thin film layer may be etched and patterned using the etching resist pattern, and the etching resist pattern may be easily removed by a strip process.
  • a conductive layer having a thickness of 60 nm was formed on a polyethylene terephthalate (PET) substrate by DC sputtering using a Cu single target.
  • a darkening layer including a copper-manganese-based material having a thickness of 46 nm was formed on the conductive layer by using a Cu-Mn alloy target by radio frequency sputtering (RF sputtering).
  • RF sputtering radio frequency sputtering
  • a conductive layer having a thickness of 60 nm was formed on a polyethylene terephthalate (PET) substrate by DC sputtering using a Cu single target.
  • a darkening layer including a copper-manganese-based material having a thickness of 52 nm was formed on the conductive layer by using a Cu-Mn alloy target by radio frequency sputtering (RF sputtering). Thereafter, the conductive layer and the darkening layer were patterned through batch etching to prepare a conductive structure.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a conductive layer having a thickness of 60 nm was formed on a polyethylene terephthalate (PET) substrate by DC sputtering using a Cu single target.
  • a darkening layer including a copper-manganese-based material having a thickness of 61 nm was formed on the conductive layer by using a Cu-Mn alloy target by radio frequency sputtering (RF sputtering). Thereafter, the conductive layer and the darkening layer were patterned through batch etching to prepare a conductive structure.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a conductive layer having a thickness of 60 nm was formed on a polyethylene terephthalate (PET) substrate by DC sputtering using a Cu single target.
  • a darkening layer including a copper-manganese-based material having a thickness of 70 nm was formed on the conductive layer by using a Cu-Mn alloy target by radio frequency sputtering (RF sputtering). Thereafter, the conductive layer and the darkening layer were patterned through batch etching to prepare a conductive structure.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a conductive layer having a thickness of 60 nm was formed on a polyethylene terephthalate (PET) substrate by DC sputtering using a Cu single target.
  • a darkening pattern layer having a thickness of 35 nm including copper oxide was formed by a radio frequency sputtering (RF sputtering) method using a CuO single target.
  • RF sputtering radio frequency sputtering
  • a conductive layer having a thickness of 60 nm was formed on a polyethylene terephthalate (PET) substrate by DC sputtering using a Cu single target.
  • a darkening pattern layer having a thickness of 50 nm including copper oxide was formed on the conductive layer by using a CuO single target (RF Frequency Sputtering) method. Furthermore, the conductive layer and the darkening layer were patterned through an etching process to prepare a conductive structure.
  • a conductive layer having a thickness of 60 nm was formed on a polyethylene terephthalate (PET) substrate by DC sputtering using a Cu single target.
  • a darkening pattern layer having a thickness of 60 nm including copper oxide was formed on the conductive layer by using a CuO single target (RF frequency sputtering) method. Furthermore, the conductive layer and the darkening layer were patterned through an etching process to prepare a conductive structure.
  • a conductive layer having a thickness of 80 nm was formed on a polyethylene terephthalate (PET) substrate by DC sputtering using an Al single target.
  • a darkening pattern layer having a thickness of 50 nm including copper oxide was formed on the conductive layer by using a CuO single target (RF Frequency Sputtering) method. Furthermore, the conductive layer and the darkening layer were patterned through an etching process to prepare a conductive structure.
  • Figure 4 shows the results of measuring the total reflectance according to the wavelength of 600 nm or more and 750 nm or less of the conductive structure according to Examples 1 to 4 using Solidspec 3700 (UV-Vis spectrophotometer, Shimadzu).
  • the conductive structure according to the embodiment is measured to have a low reflectance, which is a result of reducing the reflectance of the conductive pattern layer by the darkening pattern layer.
  • the conductive structure according to the embodiment has a lower total reflectance than the conductive structure of the comparative example. That is, compared to the darkening pattern layer using copper oxide, it can be seen that the darkening pattern layer using the copper-manganese-based material according to the embodiment has an effect of improving the concealability of the conductive pattern.
  • optical constant average refractive index (n) and average extinction coefficient (k) of the conductive structures according to Examples 1 to 4 were measured by an ellipsometer, and the average refractive index at a wavelength of 600 nm or more and 750 nm or less was 2.68. The average extinction coefficient was 0.69.
  • the optical constant average refractive index (n) and the average extinction coefficient (k) of the conductive structures according to Comparative Examples 1 to 4 were measured by an ellipsometer, the average refractive index at a wavelength of 600 nm or more and 750 nm or less was 2.48. The extinction coefficient was 0.25.
  • the conductive structure according to the embodiment has a higher extinction coefficient value while having a refractive index similar to that of the conductive structure according to the comparative example. Accordingly, it can be seen that the conductive structure according to the present application has an effect of improving the concealability of the conductive pattern.
  • the darkening pattern layer of the conductive structure according to the embodiment has a low chromaticity and brightness, it can effectively prevent the glare of the conductive pattern layer.
  • radio frequency sputtering in an atmosphere having an oxygen fraction of 0% : 46 nm thick darkening layer was formed by RF sputtering method.
  • This experiment is to measure the heat resistance of the darkening layer, and a separate patterning process is omitted.
  • radio frequency sputtering in an atmosphere having an oxygen fraction of 10% : 46 nm thick darkening layer was formed by RF sputtering method.
  • This experiment is to measure the heat resistance of the darkening layer, and a separate patterning process is omitted.
  • radio frequency sputtering in an atmosphere having an oxygen fraction of 20% : 46 nm thick darkening layer was formed by RF sputtering method.
  • This experiment is to measure the heat resistance of the darkening layer, and a separate patterning process is omitted.
  • radio frequency sputtering in an atmosphere having an oxygen fraction of 29% : 46 nm thick darkening layer was formed by RF sputtering method.
  • This experiment is to measure the heat resistance of the darkening layer, and a separate patterning process is omitted.
  • radio frequency sputtering in an atmosphere having an oxygen fraction of 50% : 46 nm thick darkening layer was formed by RF sputtering method.
  • This experiment is to measure the heat resistance of the darkening layer, and a separate patterning process is omitted.
  • radio frequency sputtering in an atmosphere having an oxygen fraction of 71% : 46 nm thick darkening layer was formed by RF sputtering method.
  • This experiment is to measure the heat resistance of the darkening layer, and a separate patterning process is omitted.
  • radio frequency sputtering in an atmosphere having an oxygen fraction of 77% : 46 nm thick darkening layer was formed by RF sputtering method.
  • This experiment is to measure the heat resistance of the darkening layer, and a separate patterning process is omitted.
  • radio frequency sputtering in an atmosphere having an oxygen fraction of 100% : 46 nm thick darkening layer was formed by RF sputtering method.
  • This experiment is to measure the heat resistance of the darkening layer, and a separate patterning process is omitted.
  • radio frequency sputtering in an atmosphere having a nitrogen fraction of 100% : 46 nm thick darkening layer was formed by RF sputtering method.
  • This experiment is to measure the heat resistance of the darkening layer, and a separate patterning process is omitted.
  • the darkening layer prepared according to Comparative Example 5, Comparative Example 6, Example 7, Example 10 and Example 11 was subjected to a heat resistance test for 24 hours in an atmosphere of 150 °C to observe whether the darkening layer is damaged.
  • Figure 5 shows the heat resistance test results of the darkening layer prepared according to Comparative Example 5 and Comparative Example 6.
  • Figure 6 shows the heat resistance test results of the darkening layer prepared according to Example 7, Example 10 and Example 11.
  • the darkening layer according to the comparative example may confirm that the lower metal layer is exposed during the heat test.
  • the darkening layer according to the embodiment even when the heat test is performed, only a change in color may be observed, and the lower metal layer may not be exposed. This means that since the darkening layer according to the embodiment has more excellent heat resistance characteristics, even when a high-temperature atmosphere is formed in an application or process conditions, it is possible to effectively prevent glare of the metal pattern layer.
  • a conductive layer was formed by forming a pattern layer of ZnO on the copper pattern layer formed on the substrate. Furthermore, when the thickness of the pattern layer made of ZnO was 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm and 100 nm, the change in reflectance of the conductive structure was simulated.

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Abstract

본 명세서는 전도성 층의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 층에 의한 반사를 방지 할 수 있으며 흡광도를 향상시킴으로씨 전도성 층의 은폐성을 향상시키기 위한 기재， 전도성 층， 적어도 하나의 중간층 및 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체 및 그의 제조방법에 관한 것을 개시하였다.

Description

전도성 구조체 및 이의 제조방법
본 명세서는 2013년 11월 4일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2013-0133201호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 터치 스크린 패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류할 수 있다. 즉, 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식(resistive type)과, 교류 전압을 인가한 상태에서 캐패시턴스 커플링(capacitance coupling)을 이용하는 정전 용량 방식(capacitive type)과, 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등이 있다.
최근 대면적의 터치 스크린 패널에 대한 필요가 증가함에 따라 전극의 저항을 줄이면서도 시인성이 우수한 대형 터치 스크린 패널을 구현할 수 있는 기술 개발이 필요하였다.
[선행기술문헌]
대한민국 공개공보 제2010-0007605호
본 출원이 해결하고자 하는 과제는 전도성 패턴의 전도도에 미치는 영향을 최소화하면서, 전도성 패턴의 광반사율을 낮출 수 있는 전도성 구조체를 제공하는 것이다.
본 출원의 일 구현예는 기재; 상기 기재 상에 구비된 전도성 패턴층; 및 상기 전도성 패턴층의 적어도 일면에 구비되는 암색화 패턴층을 포함하고, 상기 암색화 패턴층은 CuaMnbOcNd 로 표시되는 구리-망간계 물질을 포함하는 전도성 구조체를 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 기재를 준비하는 단계; 상기 기재 상에 전도성 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 패턴층 상면, 하면 또는 상면과 하면 상에 상기 암색화 패턴층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 암색화 패턴층은 CuaMnbOcNd 로 표시되는 구리-망간계 물질을 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
상기 구리-망간계 물질에 있어서, b는 구리-망간계 물질에 대한 Mn의 질량비로서 0.01 이상 0.5 이하이고, c는 구리-망간계 물질에 대한 O의 질량비로서 0.05 이상 0.6 이하이며, d는 구리-망간계 물질에 대한 N의 질량비로서 0 이상 0.15 이하이고, a는 구리-망간계 물질에 대한 Cu의 질량비로서 Cu 외의 성분들의 질량비의 합에 대한 나머지 값이다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양전지를 제공한다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 전도성 패턴층의 전도도에 미치는 영향을 최소화하면서, 전도성 패턴층의 흡광도를 향상시킴으로써 전도성 패턴층의 광반사를 방지할 수 있다. 이에 따라, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 전도성 패턴층의 은폐성을 향상시켜 시인성이 우수한 장점이 있다.
나아가, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체를 이용하여 시인성이 개선된 터치 스크린 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 태양 전지를 개발할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 4는 실시예 1 내지 4에 따른 전도성 구조체의 600 nm 이상 750 nm 이하 파장에 따른 전반사율을 Solidspec 3700(UV-Vis spectrophotometer, Shimadzu社)를 사용하여 측정한 결과를 나타낸 것이다.
도 5는 비교예 5 및 비교예 6 에 따라 제조된 암색화층의 내열 테스트 결과를 나타낸 것이다.
도 6은 실시예 7, 실시예 10 및 실시예 11 에 따라 제조된 암색화층의 내열 테스트 결과를 나타낸 것이다.
도 7은 비교예 7에 따라 제도된 전도성 구조체의 반사율 변화를 시뮬레이션한 것이다.
본 출원에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 출원에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하 본 출원을 보다 상세히 설명한다.
본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.
상기 디스플레이 소자로는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 전기영동 디스플레이 (Electrophoretic display) 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), OLED 디스플레이 등을 예로 들 수 있다. 디스플레이 소자에는 화상 구현을 위한 RGB 화소 패턴 및 추가적인 광학 필터가 구비되어 있을 수 있다.
한편, 디스플레이 장치와 관련하여, 스마트 폰 및 태블릿 PC, IPTV 등의 보급이 가속화됨에 따라 키보드나 리모컨 등 별도의 입력 장치 없이 사람의 손이 직접 입력 장치가 되는 터치 기능에 대한 필요성이 점점 커지고 있다. 또한, 특정 포인트 인식뿐만 아니라 필기가 가능한 다중 인식(multi-touch) 기능도 요구되고 있다.
현재, 상용화된 대부분의 터치 스크린 패널(TSP, touch screen panel)은 투명 전도성 ITO 박막을 기반으로 하고 있으나, 대면적 터치 스크린 패널 적용시 ITO 투명 전극 자체의 비교적 높은 면저항(최저 150 Ω/□, Nitto denko 社 ELECRYSTA 제품)으로 인한 RC 지연 때문에 터치 인식 속도가 느려지게 되고, 이를 극복하기 위한 추가적인 보상 칩(chip)을 도입해야 하는 등의 문제점이 있다.
본 출원의 발명자들은 상기 투명 ITO 박막을 수 Ω/□ 수준의 면저항값을 가지는 금속 미세 패턴으로 대체하기 위한 기술을 연구하였다. 이에, 본 출원의 발명자들은, 터치 스크린 패널의 전극 용도로서, 높은 전기 전도도를 가지는 금속 박막인 Ag, Mo/Al/Mo, Mo/Ti/Cu 등을 이용하는 경우에는, 특정 모양의 미세 전극 패턴을 구현하고자 할 때, 높은 반사도로 인하여 시인성 측면에 있어서 패턴이 사람의 눈에 잘 인지되는 문제점과 함께 외부 광에 대하여 높은 반사도 및 헤이즈(Haze) 값 등으로 인하여 눈부심 등이 일어날 수 있다는 문제점을 발견하였다.
본 출원의 발명자들은, 유효 화면부에 구비된 전도성 금속 미세 패턴을 포함하는 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 전도성 금속 미세 패턴의 시인성에 상기 패턴층에 의한 광반사 및 회절 특성이 주요한 영향을 미친다는 사실을 밝혀내었으며, 이를 개선하고자 하였다. 구체적으로, 기존 ITO를 기반으로 한 터치 스크린 패널에서는 ITO 자체의 높은 투과도로 인하여 전도성 패턴의 반사도에 의한 문제가 그리 크게 나타나지 않았으나, 유효 화면부 내에 구비된 전도성 금속 미세 패턴을 포함하는 터치 스크린 패널에서는 상기 전도성 금속 미세 패턴의 반사도 및 암색화 특성이 중요하다는 것을 밝혀내었다.
상기와 같은 문제점을 해결하고자, 본 출원은 종래의 ITO 기반의 투명 전도성 박막층을 사용한 터치 스크린 패널과 차별화될 수 있고, 금속 미세 패턴 전극의 은폐성 및 외부광에 대한 반사 및 회절 특성이 개선된 전도성 구조체를 제공한다. 나아가, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 적층체를 터치 스크린 패널 등의 전자 소자의 표시부에 적용하는 경우, 우수한 전도성 및 시인성을 확보할 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 기재; 상기 기재 상에 구비된 전도성 패턴층; 및 상기 전도성 패턴층의 적어도 일면에 구비되는 암색화 패턴층을 포함하고, 상기 암색화 패턴층은 CuaMnbOcNd 로 표시되는 구리-망간계 물질을 포함하는 전도성 구조체를 제공한다.
상기 구리-망간계 물질에 있어서, b는 구리-망간계 물질에 대한 Mn의 질량비로서 0.01 이상 0.5 이하이고, c는 구리-망간계 물질에 대한 O의 질량비로서 0.05 이상 0.6 이하이며, d는 구리-망간계 물질에 대한 N의 질량비로서 0 이상 0.15 이하이고, a는 구리-망간계 물질에 대한 Cu의 질량비로서 Cu 외의 성분들의 질량비의 합에 대한 나머지 값이다.
본 명세서에서 "전도성"이라 함은 전기 전도성을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 "반사율"은 광반사율을 의미하고, "굴절율"은 광굴절율을 의미한다.
상기 구리-망간계 물질에서의 a 내지 d의 총합은 1일 수 있으며, 상기 a의 값은 상기 구리-망간계 물질에서 Mn, O, N의 질량비를 제외한 나머지 질량비를 의미할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 구리-망간계 물질은 N을 포함하지 않을 수 있다. 구체적으로, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 구리-망간계 물질에서 d는 0 이고, c는 0.25 이상 0.6 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 구리-망간계 물질이 N을 포함하지 않는 경우, 상기 구리-망간계 물질에서의 O의 질량비(c)는 0.25 이상 0.6 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 구리-망간계 물질이 N을 포함하지 않는 경우, 상기 구리-망간계 물질에서의 O의 질량비(c)는 0.3 이상 0.55 이하일 수 있다.
상기 구리-망간계 물질이 N을 포함하지 않는 경우, O의 질량비(c)가 0.25 미만인 경우, 150 ℃의 고온 조건에서 반사율이 높은 영역이 발생하여 암색화 효과가 저하되는 문제점이 발생한다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 구리-망간계 물질은 N을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 구리-망간계 물질에서 d는 0 초과 0.15 이하일 수 있다. 보다 구체적으로, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 구리-망간계 물질에서 d는 0 초과 0.11 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 구리-망간계 물질에서에서 d는 0 초과 0.15 이하이고, c+d는 0.15 이상 0.6 이하 일 수 있다. 구체적으로, 상기 구리-망간계 물질이 N을 포함하는 경우의 O의 질량비(c)는 0.05 이상 0.6 미만일 수 있다. 구체적으로, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 구리-망간계 물질에서에서 d는 0 초과 0.15 이하이고, c+d는 0.18 이상 0.55 이하일 수 있다. 또한, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 구리-망간계 물질에서에서 d는 0 초과 0.15 이하이고, c+d는 0.25 이상 0.52 이하일 수 있다.
상기 구리-망간계 물질이 N을 포함하는 경우, O의 질량비가 0.25 미만의 범위 내로 포함되더라도 150 ℃의 고온 조건에서도 암색화 특성이 유지될 수 있다. 구체적으로, 상기 구리-망간계 물질에서 O의 질량비가 0.25 미만이더라도, O 및 N의 함량비의 합이 0.15 이상 0.6 이하의 범위 내에 있는 경우, 상기 암색화 패턴층의 암색화 특성은 고온에서도 잘 유질될 수 있으며, 나아가 고온에서도 암색화 패턴층의 색변화가 거의 발생하지 않는 장점이 있다.
본 출원의 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴층은 증착 공정을 통하여 형성될 수 있다. 이 경우, 증착 공정의 소스 물질을 CuMn을 사용하여 상기 암색화 패턴층은 상기 구리-망간계 물질을 포함하게 되며, 상기 CuMn에서 Mn의 함량은 10 질량% 내지 50 질량%일 수 있다. 구체적으로, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 증착 공정으로 통하여 상기 구리-망간계 물질 포함하는 암색화 패턴층을 형성하는 경우, 상기 구리-망간계 물질에서의 Mn의 질량비는 0.1 이상 0.5 이하의 값을 가질 수 있다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 구리-망간계 물질의 O 및 N의 비율에 따라, 증착 공정의 소스 물질인 CuMn의 Mn의 함량을 조절할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 a 내지 d의 값을 만족하면, 구리-망간계 물질에서의 각 원소, 각 분자간의 결합 형태는 한정되지 않는다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에 따르면, 전도성 금속 미세 패턴의 반사도를 낮추고 흡광도 특성을 개선하기 위하여, 상기 암색화 패턴층을 도입할 수 있다. 상기 암색화 패턴층은 터치 스크린 패널 내 전도성 패턴층의 적어도 일면에 구비됨으로써 상기 전도성 패턴층의 높은 반사도에 따른 시인성 저하 문제를 크게 개선시킬 수 있다.
구체적으로, 상기 암색화 패턴층은 높은 광흡광성을 가지므로 전도성 패턴층 자체로 입사되는 빛과 전도성 패턴층으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 전도성 패턴층에 따른 반사도를 낮출 수 있게 되어, 눈부심 현상을 완화 또는 제거할 수 있다. 이에 의하여, 사용자가 직접 전도성 패턴층을 바라보는 경우에 비하여 빛의 반사도를 낮출 수 있으므로, 전도성 패턴층의 시인성을 크게 개선시킬 수 있다.
본 명세서에서, 상기 암색화 패턴층은 흡광성을 가져서 전도성 패턴층 자체로 입사되는 빛과 전도성 패턴층으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킬 수 있는 층을 의미하는 것으로서, 암색화 패턴층은 암색화 층, 흡광성 층, 흑화 층, 흑화성 층 등의 용어로 표현될 수 있다.
또한, 상기 암색화 패턴층은 암색화 패턴으로 이루어져 있으며, 상기 전도성 패턴층은 전도성 패턴으로 이루어져 있다. 상기 암색화 패턴층의 암색화 패턴은 흡광성 패턴, 흑화 패턴, 흑화성 패턴 등의 용어로 표현될 수 있다. 또한, 패턴의 형태는 후술한다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 암색화 패턴층의 소멸계수(Extinction coefficient) k가 0.2 이상 2.5 이하일 수 있고, 바람직하게는 0.4 이상 1.2 이하일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 0.5 이상 1.1 이하일 수 있다.
상기 소멸계수 k는 가시광선 파장 영역에서 측정한 값일 수 있고, 상기 가시광선 영역은 380 nm 이상 780 nm 이하의 파장을 갖는 영역을 의미한다.
소멸계수 k가 0.2 이상이면 암색화를 가능하게 하는 효과가 있다. 상기 소멸계수 k는 흡수계수(Absorption Coefficient)라고도 하며, 특정 파장에서 전도성 구조체가 빛을 얼마나 강하게 흡수하는지를 정의할 수 있는 척도로서, 전도성 구조체의 투과도를 결정하는 요소이다. 예를 들어, 투명한 유전체(dielectric) 물질인 경우, k < 0.2로 k값이 매우 작다. 그러나, 물질 내부에 금속 성분이 증가할수록 k값이 증가하게 된다. 만약, 금속 성분이 일정량 이상으로 많아지면, 투과가 거의 일어나지 않고, 대부분 표면 반사만 일어나는 금속이 되며, 소멸계수 k는 2.5 초과가 되어 암색화 패턴층의 형성에는 바람직하지 않다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 구조체는 암색화 패턴층의 굴절율이 0 이상 3 이하 일 수 있고, 바람직하게는 2 이상 3 이하 일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 2.2 이상 2.8 이하일 수 있다.
상기 굴절율은 가시광선 파장 영역에서 측정한 값일 수 있고, 상기 가시광선 영역은 380nm이상 780nm이하의 파장을 갖는 영역을 의미한다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴층을 형성하기 위해 금속을 증착할 때, 소멸간섭과 연관성이 있는 소멸계수(k)와 굴절율(n)은 중요한 요소이다. 높은 소멸계수와 낮은 굴절율을 가지게 되면, 궁극적으로 반사율을 저감 시켜 시인성을 낮출 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 구리(Cu)계 암색화 패턴층에 금속인 망간(Mn)을 추가함으로써, 소멸계수 k값을 증가시키고, 반사율을 저감시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 망간(Mn)을 포함하는 경우, 구리의 부식을 방지하여 암색화 패턴층의 내구성을 높일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 전도성 구조체의 전반사율(total reflection)은 25 % 이하일 수 있다.
상기 전반사율은 가시광선 파장 영역에서 측정한 값일 수 있고, 상기 가시광선 영역은 380 nm 이상 780 nm 이하의 파장을 갖는 영역을 의미한다.
구체적으로, 상기 전도성 구조체의 전반사율은 파장이 600 nm이상 750 nm이하인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 20 % 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 파장이 600 nm 이상 750 nm 이하인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 15 % 이하일 수 있다. 또는, 상기 전도성 구조체는 600 nm 이상 750 nm 이하 파장영역에서 평균 전반사율이 20 % 이하일 수 있다. 상기 전반사율은 작을수록 암색화 효과가 더욱 우수하다.
상기 전반사율의 측정은 상기 암색화 패턴이 상기 전도성 패턴과 접하는 면의 반대면 방향에서 측정한 것일 수 있다. 이 방향에서 측정하였을 때 전반사율은 파장이 600 nm 이상 750 nm 이하인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 20 % 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 파장이 600 nm 이상 750 nm 이하인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 15 % 이하일 수 있다. 또는, 상기 전도성 구조체는 600 nm 이상 750 nm 이하 파장영역에서 평균 전반사율이 20 % 이하일 수 있다.
또한, 상기 암색화 패턴이 상기 전도성 패턴과 기재 사이에 구비되고, 상기 기재측에서 측정한 것일 수 있다. 상기 기재측에서 전반사율을 측정하였을 때 전반사율은 파장이 600 nm 이상 750 nm 이하인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 20 % 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 파장이 600 nm 이상 750 nm 이하인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 15 % 이하일 수 있다. 또는, 상기 전도성 구조체는 600 nm 이상 750 nm 이하 파장영역에서 평균 전반사율이 20 % 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴층이 기재와 암색화 패턴층 사이에 구비되고, 상기 전반사율은 상기 전도성 패턴이 구비된 상기 기재의 면에서 측정한 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성 패턴층이 형성된 기재의 면을 외부에서 바라보는 경우, 상기 암색화 패턴층에 의하여 상기 전도성 패턴층의 눈부심 효과는 차단될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴층이 기재와 전도성 패턴층 사이에 구비되고, 상기 전반사율은 상기 전도성 패턴이 구비된 상기 기재의 면의 반대 면에서 측정한 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성 패턴층이 형성되지 않는 기재의 하부면을 외부에서 바라보는 경우, 상기 암색화 패턴층에 의하여 상기 전도성 패턴층의 눈부심 효과는 차단될 수 있다.
일반적으로 전반사율이 25 % 이하일 때 인간의 눈에 인식되기 어렵고, 시인성이 낮다. 따라서, 본 출원의 일 구현예에 따른 암색화 패턴층을 포함하는 전도성 구조체는 전도성 구조체의 전도성 패턴층으로부터 반사되어 인간의 눈에 인식되는 반짝임을 줄여 시인성이 낮은 효과를 나타낼 수 있다. 즉, 전도성 구조체의 전반사율이 낮을수록 전도성 패턴층의 시인성은 낮아져 암색화 패턴층의 효율을 높일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 패턴층은 상기 전도성 패턴층과 접하는 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함할 수 있다. 상기 암색화 패턴층의 제2 면 측에서 상기 전도성 구조체의 전반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 전반사율(Rt)은 하기 수학식 1로 계산될 수 있다.
[수학식 1]
전반사율(Rt) = 기재의 전반사율 + 폐쇄율 × 암색화 패턴층의 전반사율
또한, 상기 전도성 구조체의 구성이 전도성 구조체 2종이 라미네이션된 경우에는 전도성 구조체의 전반사율(Rt)는 하기 수학식 2로 계산될 수 있다.
[수학식 2]
전반사율(Rt) = 기재의 전반사율 + 폐쇄율 × 암색화 패턴층의 전반사율 × 2
상기 수학식 1 및 2에서 기재의 전반사율은 터치 강화유리의 전반사율일 수 있고, 표면이 필름인 경우에는 필름의 전반사율일 수 있다.
또한, 상기 폐쇄율은 전도성 구조체의 평면을 기준으로 전도성 패턴에 의하여 덮이는 영역이 차지하는 면적 비율, 즉 (1-개구율)로 나타낼 수 있다.
따라서, 암색화 패턴층이 있는 경우와 없는 경우의 차이는 암색화 패턴층의 전반사율에 의하여 의존하게 된다. 이러한 관점에서, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 전반사율(Rt)은 상기 암색화 패턴층이 없는 것을 제외하고 동일한 구성을 갖는 전도성 구조체 전반사율(R0)에 비하여 10 % 이상 20 % 이하 감소된 것일 수 있고, 20 % 이상 30 % 이하 감소된 것일 수 있으며, 30 % 이상 40 % 이하 감소된 것일 수 있고, 40 % 이상 50 % 이하 감소된 것일 수 있으며, 50 % 이상 70 % 이하 감소된 것일 수 있다. 즉, 상기 수학식 1 및 2에서 폐쇄율 범위를 1 % 이상 10 % 이하 범위로 변화시키면서 전반사율 범위를 1 % 이상 30 % 이하까지 변화시키는 경우 최대 70 %의 전반사율 감소 효과를 나타낼 수 있고, 최소 10 %의 전반사율 감소 효과를 나타낼 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 패턴층은 상기 전도성 패턴층과 접하는 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하고, 상기 암색화 패턴의 제2 면 측에서 상기 전도성 구조체의 전반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 전반사율(Rt)은 상기 기재의 전반사율(R0)과의 차이가 40 % 이하일 수 있고, 30 % 이하일 수 있으며, 20% 이하일 수 있고, 10 % 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 구조체는 CIE(국제조명위원회: Commission Internationale de l'Eclairage) L*a*b* 색좌표 기준으로 명도값(L*)이 55 이하일 수 있다. 명도 L*이 낮을수록 반사율이 낮아져서 유리한 효과가 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 구조체는 CIE(국제조명위원회: Commission Internationale de l'Eclairage) L*a*b* 색좌표 기준으로 색도 a* 및 b*는 각각 0 이하일 수 있다. 상기 색도(Chromaticity) a* 및 b*는 색상(Hue)과 채도(Chroma)를 나타내고, 색도 a* 및 b*가 낮을수록 반사율이 낮아져서 유리한 효과가 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴층 및 암색화 패턴층을 포함하는 전도성 구조체는 면저항이 0 Ω/□ 초과 300 Ω/□ 이하일 수 있고, 구체적으로 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하일 수 있다.
상기 전도성 구조체의 면저항이 0 Ω/□ 초과 300 Ω/□ 이하이면 종래의 ITO 투명 전극을 대체할 수 있는 효과가 있다. 전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하인 경우, 또는 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하인 경우, 특히 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하인 경우에는 종래 ITO 투명 전극 사용시보다 면저항이 상당히 낮기 때문에 신호 인가시 RC 지연이 짧아져 터치 인식 속도를 현저하게 개선할 수 있으며, 이를 바탕으로 7인치 이상 대면적 터치스크린 적용이 용이하다는 장점이 있다.
상기 전도성 구조체에서 패턴화 하기 이전의 전도성 패턴층 또는 암색화 패턴층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하, 구체적으로 0 Ω/□ 초과 0.7 Ω/□ 이하일 수 있다. 패터닝 전의 전도성 패턴층 또는 암색화 패턴층의 면저항이 낮을수록 미세 패터닝 설계 및 제조 공정이 용이하게 진행되며, 패터닝 후의 전도성 구조체의 면저항이 낮아져서 전극의 반응 속도를 빠르게 하는 효과가 있다. 상기 면저항은 전도성 패턴층 또는 암색화 패턴층의 두께에 따라 조절될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴층의 두께는 20 nm 이상 100 nm 이하, 구체적으로 25 nm 이상 100 nm 이하, 더욱 구체적으로 30 nm 이상 80 nm 이하일 수 있다. 상기 암색화 패턴층은 사용하는 재료 및 제조 공정에 따라 바람직한 두께가 상이할 수 있다. 구체적으로, 식각(etching) 공정을 통하여 암색화 패턴층을 형성하는 경우를 고려하면 두께가 20 nm 미만이면 공정 조절이 쉽지 않을 수 있고, 100 nm 초과이면 생산 속도 측면에서 불리할 수 있다.
구체적으로, 상기 암색화 패턴층의 두께가 25 nm 이상 100 nm 이하인 경우, 더욱 구체적으로 30 nm 이상 80 nm 이하인 경우, 공정 조절이 쉽고, 생산 속도가 개선되어서 제조 공정에서 더욱 유리할 수 있다. 이 경우 반사율이 더욱 감소하여, 암색화 패턴층이 더 잘 형성되어 더욱 유리한 효과가 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴층은 유전성 물질 및 금속 중 적어도 하나를 추가로 포함할 수 있다. 상기 유전성 물질로는 SiO, SiO2, MgF2, SiNx(x는 1 이상의 정수) 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 금속으로는 Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Ag 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴층은 유전성 물질 중 1종 이상과 금속 중 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 유전성 물질은 외부광이 입사되는 방향으로부터 멀어질수록 점차적으로 감소되도록 분포되어 있고, 상기 금속은 그 반대로 분포되어 있는 것이 바람직하다. 이때, 상기 유전성 물질의 함량은 20 중량% 이상 50 중량% 이하일 수 있고, 상기 금속의 함량은 50 중량% 이상 80 중량% 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 기재로는 투명 기판을 사용할 수 있으나, 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유리, 플라스틱 기판, 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다.
구체적으로, 상기 플라스틱은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 또는 폴리아미드(PA)일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.01 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 것이 전도성 패턴층의 전도도 및 패턴 형성 공정의 경제성 측면에서 보다 우수한 효과를 나타낼 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴층의 두께는 0.01 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴층의 재료는 비저항 1×106 Ωㆍcm이상 30×106 Ωㆍcm이하의 물질이 적절하며, 바람직하게는 1×106 Ωㆍcm이상 7×106 Ωㆍcm이하일 수 있다.
구체적으로, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴층은 금속, 금속 합금, 금속 산화물 및 금속 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하고, 상기 물질은 비저항이 1×106 Ωㆍcm 이상 30×106 Ωㆍcm 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 전도성 패턴층의 재료는 금속, 금속 합금, 금속 산화물, 금속 질화물 중 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 전도성 패턴층의 재료는 전기 전도도가 우수하고, 식각(etching)이 용이한 금속 재료일수록 좋다. 다만, 일반적으로 전기 전도도가 우수한 재료는 반사도가 높은 단점이 있다. 그러나, 본 출원에서는 상기 암색화 패턴층을 사용함으로써 반사도가 높은 재료를 이용하여 전도성 패턴층을 형성할 수 있다. 본 출원에서는 반사도가 70 % 내지 80 % 이상인 재료를 이용하는 경우에도, 상기 암색화 패턴층을 추가함으로써 반사도를 낮추고, 전도성 패턴층의 은폐성을 향상시킬 수 있으며, 콘트라스트 특성을 유지 또는 향상시킬 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴층은 구리, 알루미늄, 은, 네오디뮴, 몰리브덴, 니켈, 이들 중 2 이상을 포함하는 합금, 이들 중 1 이상을 포함하는 산화물 및 이들 중 1 이상을 포함하는 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴층은 구리를 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴층은 단일 또는 다층의 구조일 수 있다.
전도성 패턴층이 구리를 포함하는 경우, 구리를 포함하는 상기 암색화층과 일괄 에칭이 가능하게 되어, 생산 공정 효율이 높고, 비용이 절감되어 경제적인 장점이 있다.
또한, 구리는 비저항 값이 1.7×10-6 cm 이어서 비저항값이 2.8×10-6 cm인 Al 보다도 유리하다. 그러므로, 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하, 바람직하게는 0 Ω/□ 초과 0.7 Ω/□ 이하의 면저항 값을 만족하는 전도성 패턴층을 형성하기 위하여 구리를 사용하는 경우 Al 보다도 얇게 형성할 수 있는 장점이 있다. 상기 면저항은 전도성 패턴층의 두께에 따라 조절될 수 있다. 예를 들어, 면저항이 0.6 Ω/□ 이상 0.7 Ω/□ 이하를 만족하기 위해 Al의 경우는 80 nm 이상 90 nm 이하를 형성해야 하지만, Cu의 경우는 55 nm 이상 65 nm 이하를 형성해야 하므로, 층의 두께를 더 얇게 형성할 수 있어서 경제적이다.
또한, Cu가 Al 보다 스퍼터링 공정에서 2.5배 정도의 우수한 수율을 가지므로, 이론적으로 4 배 내지 5배의 증착 속도 향상을 기대할 수 있다. 따라서, Cu를 포함하는 전도성 패턴층은 생산 공정에 있어서, 효율이 높고 경제적이어서 우수한 장점이 있다.
본 출원의 일 구현예에 있어서, 상기 암색화 패턴층은 상기 전도성 패턴층의 어느 한 면에만 구비될 수 있고, 양면 모두에 구비될 수도 있다. 구체적으로, 상기 암색화 패턴층은 상기 전도성 패턴층의 상면, 하면, 또는 상면과 하면에 모두 구비될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴층의 암색화 패턴은 상기 전도성 패턴층의 전도성 패턴과 동시에 또는 별도로 패턴화될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴층과 상기 전도성 패턴층은 동시에 또는 별도의 패터닝 공정에 의하여 적층 구조를 형성할 수 있다. 이러한 점에서, 흡광 물질의 적어도 일부가 전도성 패턴 내에 함몰 또는 분산되어 있는 구조나 단일층의 전도성 패턴이 추가 표면처리에 의하여 표면측 일부가 물리적 또는 화학적 변형이 이루어진 구조와는 차별될 수 있다.
또한, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 패턴층은 접착층 또는 점착층을 개재하지 않고, 직접 상기 기재 상에 또는 직접 상기 전도성 패턴층 상에 구비될 수 있다. 상기 접착층 또는 점착층은 내구성이나 광학 물성에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 접착층 또는 점착층을 이용하는 경우와 비교할 때 제조방법이 전혀 상이하다. 더욱이, 접착층이나 점착층을 이용하는 경우에 비하여, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 기재 또는 전도성 패턴층과 암색화 패턴층의 계면 특성이 우수하다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴층은 단일층으로 이루어질 수도 있고, 2층 이상의 복수층으로 이루어질 수도 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴층은 무채색(無彩色) 계열의 색상을 띠는 것이 바람직하다. 이 때, 무채색 계열의 색상이라 함은 물체의 표면에 입사(入射)하는 빛이 선택 흡수되지 않고, 각 성분의 파장(波長)에 대해 골고루 반사 흡수될 때에 나타나는 색을 의미한다.
상기 암색화 패턴층은 암색화 패턴으로 이루어져 있으며, 상기 전도성 패턴층은 전도성 패턴으로 이루어져 있다. 여기서, 상기 암색화 패턴층의 암색화 패턴과 상기 전도성 패턴층의 전도성 패턴은 동일한 형상의 패턴일 수 있다. 다만, 상기 암색화 패턴의 범위가 상기 전도성 패턴과 완전히 동일할 필요는 없으며, 암색화 패턴의 선폭이 전도성 패턴의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 출원의 범위에 포함된다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴은 상기 전도성 패턴의 선폭에 비하여 작거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 암색화 패턴의 선폭은 상기 전도성 패턴의 선폭의 80 % 이상 120 % 이하일 수 있다.
또한, 상기 암색화 패턴층에서 패턴이 구비된 면적은 상기 전도성 패턴층에서 패턴이 구비된 면적의 80 % 이상 120 % 이하일 수 있다. 즉, 암색화 패턴의 면적이 전도성 패턴의 면적의 80 % 이상 120 % 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴은 전도성 패턴의 선폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태인 것이 바람직하다.
상기 암색화 패턴이 상기 전도성 패턴의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖는 경우, 사용자가 바라볼 때 암색화 패턴이 전도성 패턴을 가려주는 효과를 더 크게 부여할 수 있으므로, 전도성 패턴 자체의 광택이나 반사에 의한 효과를 효율적으로 차단할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 상기 암색화 패턴의 선폭이 상기 전도성 패턴의 선폭과 동일하여도 본 출원에 목적하는 효과를 달성할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴의 선폭은 0 ㎛ 초과 10 ㎛ 이하일 수 있고, 구체적으로 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하 일 수 있으며, 더욱 구체적으로 0.2 ㎛ 이상 8 ㎛ 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴층의 개구율, 즉 패턴에 의하여 덮이지 않는 면적 비율은 70 % 이상일 수 있고, 85 % 이상일 수 있으며, 95 % 이상일 수 있다. 또한, 상기 전도성 패턴을 포함하는 전도성 패턴층의 개구율은 90 % 이상 99.9 % 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 규칙적 패턴일 수도 있고, 불규칙적인 패턴일 수도 있다.
상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 출원에서 암색화 패턴층이 불규칙인 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 암색화 패턴층을 포함하는 암색화 패턴층에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 적층 구조를 도시한 것이다. 도 1 내지 도 3은 전도성 패턴층 및 암색화 패턴층의 적층 순서를 예시하기 위한 것이며, 상기 전도성 패턴층 및 상기 암색화 패턴층은 실제로 터치 스크린 패널 등의 미세 투명 전극 용도로 적용시 전면층이 아니라 패턴 형태일 수 있다.
도 1에 따르면, 상기 암색화 패턴층(200)이 상기 기재(100)와 상기 전도성 패턴층(300) 사이에 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재 측에서 터치 스크린 패널을 바라보는 경우 전도성 패턴층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.
도 2에 따르면, 상기 암색화 패턴층(200)이 상기 전도성 패턴층(300) 위에 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재측의 반대면에서 터치 스크린 패널을 바라보는 경우 전도성 패턴층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.
도 3에 따르면, 상기 암색화 패턴층(200, 220)이 상기 기재(100)와 상기 전도성 패턴층(300) 사이와, 상기 전도성 패턴층(300) 위에 모두 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 터치 스크린 패널을 기재측에서 바라보는 경우와 그 반대측에서 바라보는 경우 모두 전도성 패턴층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 암색화 패턴층이 전도성 패턴층의 적어도 일면에 구비된 것일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재, 암색화 패턴층, 전도성 패턴층 및 암색화 패턴층이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다. 또한, 상기 전도성 구조체는 최외곽의 암색화 패턴층 상에 추가의 전도성 패턴층 및 암색화 패턴층을 포함할 수 있다.
즉, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재/암색화 패턴층/전도성 패턴층의 구조, 기재/전도성 패턴층/암색화 패턴층의 구조, 기재/암색화 패턴층/전도성 패턴층/암색화 패턴층의 구조, 기재/전도성 패턴층/암색화 패턴층/전도성 패턴층 의 구조, 기재/암색화 패턴층/전도성 패턴층/암색화 패턴층/전도성 패턴층/암색화 패턴층의 구조, 기재/암색화 패턴층/전도성 패턴층/암색화 패턴층/전도성 패턴층/암색화 패턴층/전도성 패턴층/암색화 패턴층의 구조 등일 수 있다.
상기 설명에서 전도성 패턴층은 전도성 패턴을 포함할 수 있고, 암색화 패턴층은 암색화 패턴을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다. 예컨대, 정전용량식 터치스크린 패널에 있어서, 상기 본 출원의 일 구현예에 다른 전도성 구조체는 터치 감응식 전극 기판으로 사용될 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 상기 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 전술한 기재, 전도성 패턴층 및 암색화 패턴층을 포함하는 전도성 구조체 이외에 추가의 구조체를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 2개의 구조체가 서로 같은 방향으로 배치될 수도 있으며, 2개의 구조체가 서로 반대 방향으로 배치될 수도 있다. 본 출원의 터치 스크린 패널에 포함될 수 있는 2개 이상의 구조체는 동일한 구조일 필요는 없으며, 어느 하나, 바람직하게는 사용자에 가장 가까운 측의 구조체만 전술한 기재, 전도성 패턴층 및 암색화 패턴층을 포함하는 것이기만 해도 좋으며, 추가로 포함되는 구조체는 암색화 패턴층을 포함하지 않아도 좋다. 또한, 2개 이상의 구조체 내의 층 적층 구조가 서로 상이해도 좋다. 2개 이상의 구조체가 포함되는 경우 이들 사이에는 절연층이 구비될 수 있다. 이 때 절연층은 점착층의 기능이 추가로 부여될 수도 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 하부 기재; 상부 기재; 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면　및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면 중 어느 한 면 또는 양면에 구비된　전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극층은 각각 X축 위치 검출 및 Y축 위치 검출 기능을 할 수 있다.
이 때, 상기 하부 기재 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층; 및 상기 상부 기재 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층 중 하나 또는 두 개 모두가 전술한 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체일 수 있다. 상기 전극층 중 어느 하나만이 본 출원에 따른 전도성 구조체인 경우, 나머지 다른 하나는 당 기술분야에 알려져 있는 전도성 패턴을 가질 수 있다.
상기 상부 기재와 상기 하부 기재 모두의 일면에 전극층이 구비되어 ２층의　전극층이 형성되는 경우, 상기 전극층의 간격을 일정하기 유지하고 접속이 일어나지 않도록 상기 하부 기재와 상부 기재 사이에 절연층 또는 스페이서가 구비될　수　있다. 상기 절연층은 점착제 또는 UV 혹은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다.
상기 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 구조체 중의 전도성 패턴과 연결된 접지부를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 접지부는 상기 기재의 전도성 패턴이 형성된 면의 가장자리부에 형성될 수 있다. 또한，상기 전도성 구조체를 포함하는 적층재의 적어도 일면에는 반사 방지 필름, 편광 필름, 내지문 필름 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 설계사양에 따라 전술한 기능성 필름 이외에 다른 종류의 기능성 필름을 더 포함할 수도 있다.
상기와 같은 터치 스크린 패널은 OLED 디스플레이 패널(OLED Display Panel), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel,PDP)와 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 기재의 양면에 각각 전도성 패턴층 및 암색화 패턴층이 구비될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 상기 전도성 구조체 상에 전극부 또는 패드부를 추가로 포함할 수 있으며. 이 때 유효 화면부와 전극부 및 패드부는 동일한 전도체로 구성될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 암색화 패턴층은 사용자가 바라보는 측에 구비될 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 컬러필터 기판 또는 박막 트랜지스터 기판 등에 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체가 사용될 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양 전지를 제공한다. 예컨대, 태양 전지는 애노드전극, 캐소드 전극, 광활성층, 정공수송층 및/또는 전자수송층을 포함할 수 있는데, 본 출원의 일 구현예에 따는 전도성 구조체는 상기 애노드 전극 및/또는 캐소드 전극으로 사용될 수 있다.
상기 전도성 구조체는 디스플레이 장치 또는 태양 전지에서 종래의 ITO를 대체할 수 있고, 플렉서블(flexible)한특성을 활용할 수 있다. 또한, CNT, 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등과 함께 차세대 투명 전극으로 활용할 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다. 구체적으로, 본 출원의 일 구현예는 기재를 준비하는 단계; 상기 기재 상에 전도성 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 패턴층 상면, 하면 또는 상면과 하면 상에 상기 암색화 패턴층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 암색화 패턴층은 CuaMnbOcNd 로 표시되는 구리-망간계 물질을 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
상기 구리 망간계 물질에서의 a 내지 d는 전술한 바와 동일하다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴층을 형성하는 단계는 상기 기재 상에 전도성층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 암색화 패턴층을 형성하는 단계는 상기 전도성층 상면, 하면 또는 상면 및 하면에 암색화층을 형성하는 것을 포함하며, 상기 전도성 패턴층 및 상기 암색화 패턴층은 상기 전도성층과 상기 암색화층을 동시에 패터닝하는 단계에 의하여 형성되는 것일 수 있다.
상기 전도성층은 상기 전도성 패턴층을 구성하는 물질을 포함하고, 상기 전도성 패턴층이 패턴화되기 전에 형성된 층을 의미한다.
상기 암색화층은 상기 암색화 패턴층을 구성하는 물질을 포함하고, 상기 암색화 패턴층이 패턴화되기 전에 형성된 층을 의미한다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 동시에 패터닝하는 단계는 에칭액을 이용하여 일괄 에칭하는 것일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암색화 패턴층을 형성하고, 상기 암색화 패턴층을 형성한 이후에 전도성 패턴층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 전도성 패턴층을 형성하고, 상기 전도성 패턴층을 형성한 이후에 암색화 패턴층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암색화 패턴층을 형성하고, 상기 암색화 패턴층을 형성한 이후에 전도성 패턴층을 형성하고, 상기 전도성 패턴층을 형성한 이후에 암색화 패턴층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 기재 상에 전도성층을 형성하는 단계; 상기 전도성 층의 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 상기 구리-망간계 물질을 포함하는 암색화층을 형성하는 단계; 및 전도성 층 및 암색화 층을 각각 또는 동시에 패턴화하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 전도성층을 형성하고 상기 전도성층을 패턴화한 이후에, 상기 패턴화된 전도성 층 상에 암색화 층을 형성하고 상기 암색화층을 패턴화하는 것을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 전도성 층을 형성하고, 상기 전도성 층 상에 암색화 층을 형성한 이후에, 상기 두 층을 동시에 패턴화하는 것을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암색화층을 형성하고 상기 암색화층을 패턴화한 이후에, 상기 패턴화된 암색화층 상에 전도성층을 형성하고 상기 전도성층을 패턴화하는 것을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암색화층을 형성하고, 상기 암색화층 상에 전도성 층을 형성한 이후에, 상기 두 층을 동시에 패턴화하는 것을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암색화층을 형성하고 상기 암색화층을 패턴화한 이후에, 상기 패턴화된 암색화 층 상에 전도성층을 형성하며, 상기 전도성층을 패턴화한 이후에, 추가적으로 상기 패턴화된 전도성층 상에 암색화층을 형성하고 상기 암색화층을 패턴화하는 것을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암색화층을 형성하고, 상기 암색화층 상에 전도성 층을 형성한 이후에, 상기 전도성층 상에 암색화층을 형성하며, 상기 세 층을 동시에 패턴화하는 것을 포함할 수 있다.
본 출원의 전도성 구조체의 제조방법에 있어서, 상기 암색화 층 및 전도성층이 둘 이상의 층으로 형성될 때, 상기 암색화층 및 전도성층은 각각 또는 동시에 패턴화될 수 있다.
상기 전도성 구조체의 제조방법에서 패턴화 하기 이전의 전도성 패턴층 또는 암색화 패턴층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하, 바람직하게는 0 Ω/□ 초과 0.7 Ω/□ 이하일 수 있다. 상기 면저항이 2 Ω/□ 이하이면, 특히 0.7 Ω/□ 이하이면, 패턴화 하기 이전의 전도성 패턴층 또는 암색화 패턴층의 면저항이 낮을수록 미세 패터닝 설계 및 제조 공정이 용이하게 진행되며, 패터닝 후의 전도성 구조체의 면저항이 낮아져서 전극의 반응 속도를 빠르게 하는 효과가 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴층 또는 암색화 패턴층을 형성하는 단계에서, 암색화 패턴 또는 암색화 패턴층의 형성은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있고, 구체적으로는 스퍼터링 방법에 의해 형성할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴층을 형성하는 단계는 증착 공정을 이용할 수 있다. 구체적으로, Mn이 함유된 Cu를 소스 물질로 이용하여 암색화층을 형성한 후 이를 식각 공정 등을 통하여 패턴화할 수 있다. 또한, Cu 및 Mn을 각각 별도로 증착하여 상기 암색화 패턴층을 형성할 수 있다. Mn을 포함하는 Cu를 소스 물질로 이용하여 증착을 하는 경우와 Cu와 Mn을 각각 소스 물질로 이용하여 증착을 하는 경우 모두 Cu 에천트를 이용하여 에칭이 가능하다. 그러므로, 상기 전도성 패턴층이 Cu를 포함하는 경우, 상기 전도성 패턴층과 상기 암색화 패턴층을 Cu 에천트를 이용하여 일괄 에칭하여 한번의 공정으로 패터닝을 할 수 있다. 상기 소스 물질은 스퍼터링 공정에서 타겟(target)을 의미한다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, Cu 및 Mn 각각의 소스 물질을 이용하여 증착하는 경우, Cu와 Mn의 상대 비율을 조절할 수 있으므로, 암색화 특성 및 내구성 특성 측면의 조절이 용이할 수 있다.
산소 및 질소의 첨가는 증착 공정을 이용하는 경우 진공 분위기에서 가스를 유입시킴으로써 조절 가능하다.
상기 전도성 패턴층의 형성방법으로는 특별히 한정되지 않으며, 전도성 패턴층을 직접 인쇄방법에 의하여 형성할 수도 있고, 전도성 층을 형성한 후 이를 패턴화하는 방법을 이용할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴층을 인쇄방법에 의하여 형성하는 경우, 전도성 재료의 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 전도성 재료 이외에, 바인더 수지, 용매, 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.
전도성 층을 형성한 후 이를 패턴화하는 경우 에칭 레지스트(Etching resist) 특성을 갖는 재료를 이용할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴층은 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다. 상기 전도성 패턴층의 형성방법으로서 유기 금속, 나노 금속 또는 이들의 복합체 용액을 기판 상에 코팅한 후, 소성 및/또는 건조에 의하여 전도도를 부여하는 방법을 이용할 수도 있다. 상기 유기 금속으로는 유기 은을 사용할 수 있으며, 상기 나노 금속으로는 나노 은 입자 등을 사용할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 패턴은 에칭 레지스트 패턴을 이용한 방법을 이용할 수 있다. 에칭 레지스트 패턴은 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이져 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 인쇄법 또는 포토리소그래피법이 더욱 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 전도성 박막층을 에칭하여 패터닝하고, 상기 에칭 레지스트 패턴은 스트립(strip) 공정에 의해 쉽게 제거할 수 있다.
이하 실시예, 비교예 및 실험예를 통하여 본 출원을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예, 비교예 및 실험예는 본 출원을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 출원의 범위가 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법으로 두께 60 nm의 전도성층을 형성하였다. 상기 전도성층 상에 Cu-Mn 합금 타겟(target)을 이용하여 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 두께 46 nm의 구리-망간계 물질을 포함하는 암색화층을 형성하였다. 나아가, 일괄 에칭을 통하여 상기 전도성층과 상기 암색화층을 패터닝하여 전도성 구조체를 제조하였다.
<실시예 2>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법으로 두께 60 nm의 전도성층을 형성하였다. 상기 전도성층 상에 Cu-Mn 합금 타겟(target)을 이용하여 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 두께 52 nm의 구리-망간계 물질을 포함하는 암색화층을 형성하였다. 이후, 일괄 에칭을 통하여 상기 전도성층과 상기 암색화층을 패터닝하여 전도성 구조체를 제조하였다.
<실시예 3>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법으로 두께 60 nm의 전도성층을 형성하였다. 상기 전도성층 상에 Cu-Mn 합금 타겟(target)을 이용하여 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 두께 61 nm의 구리-망간계 물질을 포함하는 암색화층을 형성하였다. 이후, 일괄 에칭을 통하여 상기 전도성층과 상기 암색화층을 패터닝하여 전도성 구조체를 제조하였다.
<실시예 4>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법으로 두께 60 nm의 전도성층을 형성하였다. 상기 전도성층 상에 Cu-Mn 합금 타겟(target)을 이용하여 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 두께 70 nm의 구리-망간계 물질을 포함하는 암색화층을 형성하였다. 이후, 일괄 에칭을 통하여 상기 전도성층과 상기 암색화층을 패터닝하여 전도성 구조체를 제조하였다.
<비교예 1>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법으로 두께 60 nm의 전도성층을 형성하였다. 상기 전도성층 상에 CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 구리산화물을 포함하는 두께 35 nm의 암색화 패턴층을 형성하였다. 나아가, 에칭 공정을 통하여 상기 전도성층과 상기 암색화층을 패터닝하여 전도성 구조체를 제조하였다.
<비교예 2>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법으로 두께 60 nm의 전도성층을 형성하였다. 상기 전도성층 상에 CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 구리산화물을 포함하는 두께 50 nm의 암색화 패턴층을 형성하였다. 나아가, 에칭 공정을 통하여 상기 전도성층과 상기 암색화층을 패터닝하여 전도성 구조체를 제조하였다.
<비교예 3>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법으로 두께 60 nm의 전도성층을 형성하였다. 상기 전도성층 상에 CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 구리산화물을 포함하는 두께 60 nm의 암색화 패턴층을 형성하였다. 나아가, 에칭 공정을 통하여 상기 전도성층과 상기 암색화층을 패터닝하여 전도성 구조체를 제조하였다.
<비교예 4>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Al 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법으로 두께 80 nm의 전도성층을 형성하였다. 상기 전도성층 상에 CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 구리산화물을 포함하는 두께 50 nm의 암색화 패턴층을 형성하였다. 나아가, 에칭 공정을 통하여 상기 전도성층과 상기 암색화층을 패터닝하여 전도성 구조체를 제조하였다.
도 4는 실시예 1 내지 4에 따른 전도성 구조체의 600 nm 이상 750 nm 이하 파장에 따른 전반사율을 Solidspec 3700(UV-Vis spectrophotometer, Shimadzu社)를 사용하여 측정한 결과를 나타낸 것이다. 도 4에서 알 수 있듯이, 실시예에 따른 전도성 구조체는 낮은 반사율을 가지고 있는 것으로 측정되며, 이는 암색화 패턴층에 의하여 전도성 패턴층의 반사율을 저감시킨 결과이다.
나아가, 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 내지 4에 따른 전도성 구조체의 평균 전반사율을 하기 표 1에 나타내었다.
표 1
구분 평균 전반사율(%)
실시예 1 6.4
실시예 2 2.6
실시예 3 2.9
실시예 4 5.0
비교예 1 25.2
비교예 2 21.6
비교예 3 18.2
비교예 4 23.2
상기 표 1에 알 수 있듯이, 실시예에 따른 전도성 구조체가 비교예의 전도성 구조체보다 전반사율이 낮은 것을 알 수 있다. 즉, 구리 산화물을 이용한 암색화 패턴층에 비하여, 실시예에 따른 구리-망간계 물질을 이용한 암색화 패턴층이 보다 전도성 패턴의 은폐성을 향상시키는 효과가 있음을 알 수 있다.
실시예 1 내지 4에 따른 전도성 구조체의 광학상수 평균 굴절율(n) 및 평균 소멸계수(k)를 타원계(Ellipsometer)로 측정한 결과, 600 nm 이상 750 nm 이하 파장에서의 평균 굴절율은 2.68 이었고, 평균 소멸계수는 0.69 이었다.
비교예 1 내지 4에 따른 전도성 구조체의 광학상수 평균 굴절율(n) 및 평균 소멸계수(k)를 타원계(Ellipsometer)로 측정한 결과, 600 nm 이상 750nm 이하 파장에서의 평균 굴절율은 2.48 이었고, 평균 소멸계수는 0.25 이었다.
상기 결과, 실시예에 따른 전도성 구조체는 비교예에 따른 전도성 구조체와 유사한 굴절률을 가지면서, 더 높은 소멸계수 값을 가지는 것을 알 수 있다. 이에 따라, 본 출원에 따른 전도성 구조체는 전도성 패턴의 은폐성을 향상시키는 효과가 있음을 알 수 있다.
실시예 1 내지 4에 따른 전도성 구조체의 색차값 및 암색화 패턴층의 색과 관련하여, 하기 표 2에 나타내었다.
표 2
Figure PCTKR2014010526-appb-T000001
상기 표 2의 결과에서 알 수 있듯이, 실시예에 따른 전도성 구조체의 암색화 패턴층은 낮은 색도 및 명도를 가지므로, 효과적으로 전도성 패턴층의 눈부심 현상을 방지할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 암색화 패턴층의 내열 신뢰성을 측정하기 위하여 하기의 실시예 5 내지 11, 및 비교예 5 및 6에 따른 실험을 진행하였다.
<비교예 5>
기판 상에 Cu를 이용한 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 상에 Mn이 10 질량%로 포함된 Cu-Mn 합금 타겟(target) 이용하여, 산소 분율이 0 %인 분위기에서 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 46 nm 두께의 암색화층을 형성하였다.
본 실험은 암색화층의 내열성을 측정하기 위한 것으로서 별도의 패터닝 과정은 생략하였다.
<비교예 6>
기판 상에 Cu를 이용한 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 상에 Mn이 10 질량%로 포함된 Cu-Mn 합금 타겟(target) 이용하여, 산소 분율이 10 %인 분위기에서 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 46 nm 두께의 암색화층을 형성하였다.
본 실험은 암색화층의 내열성을 측정하기 위한 것으로서 별도의 패터닝 과정은 생략하였다.
<실시예 5>
기판 상에 Cu를 이용한 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 상에 Mn이 10 질량%로 포함된 Cu-Mn 합금 타겟(target) 이용하여, 산소 분율이 20 %인 분위기에서 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 46 nm 두께의 암색화층을 형성하였다.
본 실험은 암색화층의 내열성을 측정하기 위한 것으로서 별도의 패터닝 과정은 생략하였다.
<실시예 6>
기판 상에 Cu를 이용한 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 상에 Mn이 10 질량%로 포함된 Cu-Mn 합금 타겟(target) 이용하여, 산소 분율이 29 %인 분위기에서 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 46 nm 두께의 암색화층을 형성하였다.
본 실험은 암색화층의 내열성을 측정하기 위한 것으로서 별도의 패터닝 과정은 생략하였다.
<실시예 7>
기판 상에 Cu를 이용한 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 상에 Mn이 10 질량%로 포함된 Cu-Mn 합금 타겟(target) 이용하여, 산소 분율이 50 %인 분위기에서 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 46 nm 두께의 암색화층을 형성하였다.
본 실험은 암색화층의 내열성을 측정하기 위한 것으로서 별도의 패터닝 과정은 생략하였다.
<실시예 8>
기판 상에 Cu를 이용한 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 상에 Mn이 10 질량%로 포함된 Cu-Mn 합금 타겟(target) 이용하여, 산소 분율이 71 %인 분위기에서 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 46 nm 두께의 암색화층을 형성하였다.
본 실험은 암색화층의 내열성을 측정하기 위한 것으로서 별도의 패터닝 과정은 생략하였다.
<실시예 9>
기판 상에 Cu를 이용한 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 상에 Mn이 10 질량%로 포함된 Cu-Mn 합금 타겟(target) 이용하여, 산소 분율이 77 %인 분위기에서 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 46 nm 두께의 암색화층을 형성하였다.
본 실험은 암색화층의 내열성을 측정하기 위한 것으로서 별도의 패터닝 과정은 생략하였다.
<실시예 10>
기판 상에 Cu를 이용한 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 상에 Mn이 10 질량%로 포함된 Cu-Mn 합금 타겟(target) 이용하여, 산소 분율이 100 %인 분위기에서 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 46 nm 두께의 암색화층을 형성하였다.
본 실험은 암색화층의 내열성을 측정하기 위한 것으로서 별도의 패터닝 과정은 생략하였다.
<실시예 11>
기판 상에 Cu를 이용한 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 상에 Mn이 10 질량%로 포함된 Cu-Mn 합금 타겟(target) 이용하여, 질소 분율이 100 %인 분위기에서 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 46 nm 두께의 암색화층을 형성하였다.
본 실험은 암색화층의 내열성을 측정하기 위한 것으로서 별도의 패터닝 과정은 생략하였다.
상기 비교예 5 내지 6, 및 실시예 5 내지 11에 의하여 형성된 암색화층의 각 원소의 성분비를 측정한 결과는 하기 표 3과 같다.
표 3
O 함량(%) Mn 함량(%) Cu 함량(%) N 함량(%)
비교예 5 4 19 77 -
비교예 6 18 12 70
실시예 5 32 10 58
실시예 6 49 4 47
실시예 7 52 3 45
실시예 8 51 4 45
실시예 9 52 3 45
실시예 10 52 3 45
실시예 11 7 12 70 11
나아가, 비교예 5, 비교예 6, 실시예 7, 실시예 10 및 실시예 11에 따라 제조된 암색화층을 150 ℃ 분위기에서 24시간 동안 내열 테스트를 진행하여 암색화층이 손상되는지 여부를 관찰하였다.
도 5는 비교예 5 및 비교예 6 에 따라 제조된 암색화층의 내열 테스트 결과를 나타낸 것이다.
도 6은 실시예 7, 실시예 10 및 실시예 11 에 따라 제조된 암색화층의 내열 테스트 결과를 나타낸 것이다.
도 5 및 6의 결과를 비교하면, 비교예에 따른 암색화층은 내열 테스트를 진행하는 과정에서 하부의 금속층이 노출되는 것을 확인할 수 있다. 하지만, 실시예에 따른 암색화층은 내열 테스트를 진행하게 되더라도 색상의 변화만 관측될 뿐, 하부의 금속층이 노출되지 않는 것을 확인할 수 있다. 이는 실시예에 따른 암색화층이 보다 우수한 내열 특성을 가지므로, 제품에 적용 또는 공정 조건에서 고온 분위기가 형성되더라도 효과적으로 금속 패턴층의 눈부심 현상을 방지할 수 있음을 의미한다.
나아가, 실시예 11에 따른 결과에서 알 수 있듯이, 암색화층에 포함되는 구리-망간계 물질이 N을 함유하는 경우에 O의 함량이 비교예와 같은 수준으로 낮더라도 효과적으로 암색화 기능을 구현하는 것을 확인할 수 있으며, 나아가, 내열 테스트를 거치더라도 색상의 변화가 거의 관찰되지 않는 효과가 있음을 알 수 있다.
<비교예 7>
암색화 패턴층의 재료로서 ZnO를 이용하는 경우, 암색화 특성이 구현되는지 확인하기 위하여, 기판 상에 형성된 구리 패턴층 상에 ZnO로 이루어진 패턴층을 형성하여 전도성 구조체를 제조하였다. 나아가, 상기 ZnO로 이루어진 패턴층의 두께를 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm 및 100 nm인 경우의 전도성 구조체의 반사율 변화를 시뮬레이션하였다.
도 7은 비교예 7에 따라 제도된 전도성 구조체의 반사율 변화를 시뮬레이션한 것이다.
도 7의 결과에서 알 수 있듯이, 금속산화물의 하나인 ZnO는 가시 광선 영역에서 반사도가 매우 은 구간이 존재하므로, 하부 전도성 패턴층의 눈부심 현상을 효과적으로 방지할 수 없다.
[부호의 설명]
100: 기재
200: 암색화 패턴층
220: 암색화 패턴층
300: 전도성 패턴층

Claims (25)

  1. 기재; 상기 기재 상에 구비된 전도성 패턴층; 및 상기 전도성 패턴층의 적어도 일면에 구비되는 암색화 패턴층을 포함하고,
    상기 암색화 패턴층은 CuaMnbOcNd 로 표시되는 구리-망간계 물질을 포함하는 전도성 구조체:
    상기 구리-망간계 물질에 있어서,
    b는 구리-망간계 물질에 대한 Mn의 질량비로서 0.01 이상 0.5 이하이고,
    c는 구리-망간계 물질에 대한 O의 질량비로서 0.05 이상 0.6 이하이며,
    d는 구리-망간계 물질에 대한 N의 질량비로서 0 이상 0.15 이하이고,
    a는 구리-망간계 물질에 대한 Cu의 질량비로서 Cu 외의 성분들의 질량비의 합에 대한 나머지 값이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 구리-망간계 물질에서 d는 0 이고, c는 0.25 이상 0.6 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 구리-망간계 물질에서 d는 0 초과 0.15 이하이고, c+d는 0.15 이상 0.6 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 구조체의 전반사율은 25% 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 구조체의 전반사율은 파장이 600 nm 이상 750 nm 이하인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 20% 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 구조체의 전반사율은 파장이 600 nm 이상 750 nm 이하인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 15% 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  7. 청구항 2에 있어서,
    상기 전도성 패턴층이 기재와 암색화 패턴층 사이에 구비되고, 상기 전반사율은 상기 전도성 패턴이 구비된 상기 기재의 면에서 측정한 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  8. 청구항 2에 있어서,
    상기 암색화 패턴층이 기재와 전도성 패턴층 사이에 구비되고, 상기 전반사율은 상기 전도성 패턴이 구비된 상기 기재의 면의 반대 면에서 측정한 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화 패턴층의 소멸계수 k는 0.2 이상 2.5 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화 패턴층의 소멸계수 k는 0.4 이상 1.2 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화 패턴층의 굴절율은 0 이상 3 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화 패턴층의 굴절율은 2 이상 3 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화 패턴층의 두께는 20 nm 이상 100 nm 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 구조체의 면저항은 0 Ω/□ 초과 300 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 구조체는 CIE L*a*b* 색좌표 기준으로 명도 L*은 55 이하이고, 색도 a* 및 b*는 0 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 패턴층의 두께는 0.01 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 패턴층은 금속, 금속 합금, 금속 산화물 및 금속 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하고,
    상기 물질은 비저항이 1×106 Ωㆍcm 이상 30×106 Ωㆍcm 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 패턴층은 구리, 알루미늄, 은, 네오디뮴, 몰리브덴, 니켈, 이들 중 2 이상을 포함하는 합금, 이들 중 1 이상을 포함하는 산화물 및 이들 중 1 이상을 포함하는 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 패턴층의 패턴의 선폭은 10 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  20. 청구항 1 내지 청구항 19 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널.
  21. 청구항 1 내지 청구항 19 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치.
  22. 청구항 1 내지 청구항 19 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 태양전지.
  23. 기재를 준비하는 단계;
    상기 기재 상에 전도성 패턴층을 형성하는 단계; 및
    상기 전도성 패턴층 상면, 하면 또는 상면과 하면 상에 상기 암색화 패턴층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 암색화 패턴층은 CuaMnbOcNd 로 표시되는 구리-망간계 물질을 포함하는 전도성 구조체의 제조방법:
    상기 구리-망간계 물질에 있어서,
    b는 구리-망간계 물질에 대한 Mn의 질량비로서 0.01 이상 0.5 이하이고,
    c는 구리-망간계 물질에 대한 O의 질량비로서 0.05 이상 0.6 이하이며,
    d는 구리-망간계 물질에 대한 N의 질량비로서 0 이상 0.15 이하이고,
    a는 구리-망간계 물질에 대한 Cu의 질량비로서 Cu 외의 성분들의 질량비의 합에 대한 나머지 값이다.
  24. 청구항 23에 있어서,
    상기 전도성 패턴층을 형성하는 단계는 상기 기재 상에 전도성층을 형성하는 것을 포함하고,
    상기 암색화 패턴층을 형성하는 단계는 상기 전도성층 상면, 하면 또는 상면 및 하면에 암색화층을 형성하는 것을 포함하며,
    상기 전도성 패턴층 및 상기 암색화 패턴층은 상기 전도성층과 상기 암색화층을 동시에 패터닝하는 단계에 의하여 형성되는 것인 전도성 구조체의 제조방법.
  25. 청구항 24에 있어서,
    상기 동시에 패터닝하는 단계는 에칭액을 이용하여 일괄 에칭하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름의 제조방법.
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