WO2015056791A1 - 表示装置及びカラーフィルター - Google Patents

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WO2015056791A1
WO2015056791A1 PCT/JP2014/077720 JP2014077720W WO2015056791A1 WO 2015056791 A1 WO2015056791 A1 WO 2015056791A1 JP 2014077720 W JP2014077720 W JP 2014077720W WO 2015056791 A1 WO2015056791 A1 WO 2015056791A1
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石井　裕満
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株式会社オルタステクノロジー
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Definitions

  • the present invention relates to a display device and a color filter.
  • color display is realized using a color filter.
  • a general color filter is composed of three primary colors of light, red (R), green (G), and blue (B).
  • R red
  • G green
  • B blue
  • a set of three colors of R, G, and B adjacent to each other is a display unit (called a pixel or a pixel), and any single color portion of R, G, or B in one pixel is a subpixel (subpixel). This is a minimum drive unit called a pixel.
  • FIG. 1 to 3 show a sub-pixel arrangement of a general color filter.
  • FIG. 1 is called a stripe arrangement, and is an arrangement in which a stripe pattern is formed in three colors of R, G, and B.
  • FIG. 2 is called a mosaic arrangement, and is a technique in which R, G, and B sub-pixels are arranged obliquely.
  • FIG. 3 is called a delta arrangement, and is a method of arranging subpixels of three colors R, G, and B at the vertices of a triangle.
  • the arrangement of the color filters is described in Patent Document 1, for example.
  • In the stripe arrangement and the mosaic arrangement generally square pixels are often used, and the shape of the subpixels is a rectangle having an aspect ratio of about 3: 1.
  • the delta arrangement uses approximately square subpixels, and the set of R, G, and B has a pattern close to an isosceles triangle.
  • the plan shape design and arrangement method of the sub-pixels of the three colors are major factors that determine the characteristics and performance of the display device. From the viewpoint of the degree of freedom of the display image shape and color reproduction (color mixing performance), it is desirable that the pixel and the sub-pixel have a highly symmetric shape such as a circle or a regular hexagon. In addition, since the periodicity of the arrangement of sub-pixels tends to cause moire, an arrangement with a low periodicity (a period is difficult to see) is desirable. From these viewpoints, the most preferable of FIGS. 1 to 3 is the delta arrangement.
  • the stripe array is the center of actual use in display devices.
  • each of the scanning lines and the signal lines is basically a straight line, for example, there is no decrease in the aperture ratio due to the bent portion processing required in the delta arrangement, and the color filter is not divided in subpixel units. Therefore, it is easy to produce a small pixel.
  • the stripe arrangement that is most advantageous in practical performance is used frequently as the display resolution is increased and the subpixel size is reduced. Whether or not the period of the arrangement of the sub-pixels is visible is a trade-off with the definition, and the periodicity becomes difficult to be visually recognized in the high-definition pixels.
  • the present invention provides a display device and a color filter capable of improving the aperture ratio.
  • a display device includes first and second pixels each having red, green, and blue subpixels.
  • Six subpixels included in the first and second pixels are arranged in 2 rows ⁇ 3 columns and are a repeating unit for forming a display unit, and the aspect ratio of the subpixels is approximately 3: 4.
  • the aspect ratio of the repeating unit is approximately 1: 2.
  • a display device and a color filter capable of improving the aperture ratio can be provided.
  • the figure explaining stripe arrangement The figure explaining a mosaic arrangement
  • the figure explaining a mode that the light-shielding object pattern and light-shielding pattern which concern on a comparative example were piled up.
  • the figure explaining a mode that the light-shielding object pattern and light-shielding pattern which concern on a comparative example were piled up.
  • the figure explaining a mode that the light-shielding object pattern and light-shielding pattern which concern on a comparative example were piled up.
  • the figure explaining a mode that the light-shielding object pattern and light-shielding pattern which concern on a comparative example were piled up.
  • FIG. 1 is a plan view of a display device according to a first embodiment.
  • FIG. 1 is a plan view of a display device according to a first embodiment.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the display device along line AA ′ shown in FIG. 14.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the display device along the line BB ′ shown in FIG. 14.
  • the top view of the display apparatus which concerns on a comparative example.
  • a black matrix BM formed of a light-shielding material.
  • the purpose of using the black matrix BM is to prevent color mixing between the sub-pixels, to prevent light leakage as necessary, and to block a semiconductor element or the like.
  • an opening formed by overlapping an opening of the black matrix BM and an opening of a light shielding target area to be shielded by the black matrix BM is a substantial display area. The ratio of this display area to the entire subpixel is called the aperture ratio.
  • the minimum width of the black matrix BM is the minimum width at which the necessary light shielding relationship is established even when the alignment deviation between the black matrix BM and the light shielding target region is the maximum, and the black matrix BM having this width is shielded without alignment deviation.
  • the aperture ratio is maximized when overlaid with the target area.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining an example of a light shielding target pattern and a light shielding pattern in a stripe / mosaic array sub-pixel.
  • the subpixels in the stripe / mosaic arrangement are, for example, rectangles having an aspect ratio of approximately 3: 1.
  • FIG. 4A shows a light shielding target pattern.
  • FIG. 4B shows a light shielding pattern composed of the black matrix BM.
  • the subpixel pitch in the stripe arrangement is expressed as P, that is, the horizontal length (short side length) of the subpixel is P, and the vertical length (long side length) is 3P.
  • L be the light shielding width on the long side for shielding the wiring portion.
  • Tr shown in the figure is a switching transistor in the case of assuming a liquid crystal display device, and is disposed on the short side, for example.
  • the increase in the light shielding width for shielding the switching transistor is T, and the light shielding width on the short side for shielding the wiring portion and the switching transistor is “L + T”.
  • the light shielding target pattern is formed on, for example, a TFT substrate including a switching transistor.
  • the light shielding pattern is formed on a color filter substrate (CF substrate) including a color filter, for example.
  • CF substrate color filter substrate
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a state in which the light shielding target pattern in FIG. 4A and the light shielding pattern in FIG. The area of the opening is maximized without misalignment.
  • the area of the opening in FIG. 5 is represented by “(P ⁇ L) ⁇ (3P ⁇ (L + T))”.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a state in which a shift has occurred in the horizontal direction (the black matrix BM has shifted in the horizontal direction).
  • B be the amount of deviation of the black matrix BM.
  • the reduced area of the opening in FIG. 6 is represented by “(3P ⁇ (L + T)) ⁇ B”.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining a state in which a vertical misalignment has occurred (black matrix BM has a vertical misalignment).
  • the reduced area of the opening in FIG. 7 is represented by “(PL) ⁇ B”.
  • the design is such that the aperture ratio is basically lowered when the black matrix BM is misaligned. For this reason, when the subpixel shape is vertically long with an aspect ratio of 3: 1, the aperture ratio is greatly reduced when misalignment occurs in the horizontal direction. Although the aperture ratio decrease when the vertical misalignment occurs is relatively small, the guaranteed aperture ratio for the display device must be the minimum aperture ratio when the maximum misalignment occurs in the horizontal direction. Absent. For this reason, improvement of the minimum aperture ratio is required.
  • a liquid crystal display device will be described as an example of the display device.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating the shape and arrangement of a plurality of pixels according to a comparative example using a stripe arrangement. In FIG. 8, two pixels (pixel 1 and pixel 2) are extracted and shown.
  • Each pixel is composed of three sub-pixels of red (R), green (G), and blue (B).
  • the subpixel is a rectangle having an aspect ratio of approximately 3: 1.
  • the subpixel pitch P in the stripe arrangement is P
  • the horizontal length (short side length) of the subpixel is P
  • the length (long side length) is 3P.
  • a pixel is formed by combining subpixels of three colors of R, G, and B into a substantially square shape.
  • the pixel period (repetition unit) is this square.
  • the display unit includes a plurality of pixels.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating the shape and arrangement of the plurality of pixels 10 according to the present embodiment.
  • two pixels pixels 10-1 and 10-2 are extracted and shown.
  • Each pixel 10 includes subpixels 11 of three colors of R, G, and B.
  • a rectangular unit having an aspect ratio of approximately 1: 2 corresponding to the size of two square pixels arranged in a stripe is arranged as a repeating unit, and this repeating unit is set to two L-shaped pixels (6 Divided into sub-pixels). More specifically, the pixel 10 is composed of R, G, and B subpixels 11, but the pixel 10 is not formed by arranging subpixels of three colors in a horizontal line as in a stripe arrangement. Pixels 10-1 and 10-2 are formed of various types of L-shapes, and a rectangle formed by combining these two types of L-shaped pixels 10-1 and 10-2 is used as a repeating unit.
  • the six subpixels 11 included in the repeating unit are arranged in 2 rows ⁇ 3 columns.
  • the display unit is configured by preparing a plurality of repeating units of FIG. 9 and arranging the plurality of repeating units in a matrix.
  • the red sub-pixels 11-R1 and 11-R2 are arranged adjacent to each other in the oblique direction, and the blue sub-pixels 11-B1 and 11-B2 are arranged in the oblique direction. Adjacent to each other. Further, the green subpixels 11-G1 and 11-G2 are arranged on the remaining diagonals. That is, the plurality of subpixels 11 are arranged so that subpixels of the same color do not continue in either the row direction or the column direction within the repeating unit.
  • the sub-pixel 11 of the present embodiment is a rectangle having an aspect ratio of approximately 3: 4 because the vertical length is 1 ⁇ 2 and the horizontal length is twice that of the sub-pixels in the stripe arrangement.
  • the “outline” given to the numerical value of the aspect ratio means that an error caused by the manufacturing method and the manufacturing process is included.
  • the horizontal length of the subpixel 11 of this embodiment is 2P and the vertical length is (3/2) P. Since the wiring (scanning line and signal line) is composed of only a straight line as in the stripe arrangement, the aperture ratio does not decrease due to the wiring bent portion processing like the delta arrangement.
  • the subpixel perimeter of the stripe arrangement is 8P, the subpixel perimeter of this embodiment is 7P. Since the wiring occupation area is reduced, an aperture ratio equal to or higher than that of the stripe arrangement can be expected.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining an example of a light shielding target pattern and a light shielding pattern in the subpixel 11.
  • FIG. 10A shows a light shielding target pattern.
  • FIG. 10B shows a light shielding pattern composed of a black matrix BM.
  • L be the light shielding width on the long side for shielding the wiring portion.
  • the switching transistor Tr is disposed on the short side, for example.
  • the increase in the light shielding width for shielding the switching transistor Tr is represented by T, and the light shielding width on the short side for shielding the wiring portion and the switching transistor Tr is represented by “L + T”.
  • the light shielding target pattern is formed on, for example, a TFT substrate including the switching transistor Tr.
  • the light shielding pattern is formed on, for example, a CF substrate including a color filter.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining a state in which the light shielding target pattern of FIG. 10A and the light shielding pattern of FIG.
  • the area of the opening (display area) is maximized without misalignment.
  • the area of the opening in FIG. 11 is represented by “(2P ⁇ (L + T)) ⁇ ((3/2) PL)”.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining a state in which a shift has occurred in the horizontal direction (the black matrix BM has shifted in the horizontal direction).
  • B be the amount of deviation of the black matrix BM.
  • the reduced area of the opening in FIG. 12 is represented by “((3/2) PL) ⁇ B”.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining a state in which a vertical misalignment has occurred (black matrix BM has a vertical misalignment).
  • the reduced area of the opening in FIG. 13 is represented by “(2P ⁇ (L + T)) ⁇ B”.
  • the maximum displacement amount B of the black matrix BM is constant regardless of the displacement direction, the reduced area of the opening is proportional to the aperture width of the subpixel orthogonal to the displacement direction of the black matrix BM. It is the maximum when it is the same as the direction orthogonal to the long side of the pixel. Therefore, in the comparative example of FIG. 6, the reduced area of the opening is increased.
  • the example of FIG. 13 shows a case where the reduction area of the opening is the maximum.
  • the maximum reduction area (FIG. 13) of the opening in this embodiment is the structure of the comparative example (FIG. It decreases to about 1/2 to 2/3 with respect to 6).
  • FIG. 14 is a plan view of the display device 100.
  • FIG. 14 shows extracted display portions for the two pixels 10-1 and 10-2.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the display device 100 along the line AA ′ shown in FIG.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the display device 100 taken along line BB ′ shown in FIG.
  • Each of the pixels 10-1 and 10-2 is composed of R, G, and B subpixels 11.
  • the shapes and arrangements of the pixels 10-1 and 10-2 and the plurality of sub-pixels 11 included therein are as described in FIG.
  • the display device 100 includes a TFT substrate 20 on which a switching transistor, a pixel electrode, and the like are formed, a CF substrate 21 on which a color filter and a common electrode are formed and disposed opposite to the TFT substrate 20, and the TFT substrate 20 and the CF substrate 21. And a liquid crystal layer 22 sandwiched therebetween.
  • the TFT substrate 20 and the CF substrate 21 are each composed of a transparent substrate (for example, a glass substrate).
  • the liquid crystal layer 22 is made of a liquid crystal material sealed with a sealing material (not shown) for bonding the TFT substrate 20 and the CF substrate 21 together.
  • a sealing material not shown
  • the alignment of the liquid crystal molecules is manipulated according to the electric field applied between the TFT substrate 20 and the CF substrate 21, and the optical characteristics change.
  • a plurality of scanning lines GL (including scanning lines GL1 and GL2) each extending in the X direction (row direction) are provided on the TFT substrate 20 on the liquid crystal layer 22 side.
  • the scanning line GL is arranged at a boundary portion between two subpixels 11 arranged in the Y direction (column direction) orthogonal to the X direction.
  • An insulating film 23 is provided on the plurality of scanning lines GL.
  • a plurality of signal lines SL (including signal lines SL1 to SL3) each extending in the Y direction are provided.
  • the signal line SL is disposed at a boundary portion between two subpixels 11 arranged in the X direction.
  • a switching transistor (Tr) 25 is provided on the insulating film 23.
  • the switching transistor 25 for example, a thin film transistor (TFT: Thin Film Transistor) is used.
  • the switching transistor 25 is disposed in the vicinity of the intersection region of the scanning line GL and the signal line SL. In FIG. 15, the switching transistor 25 is shown in a simplified manner. Actually, the switching transistor 25 is in contact with the gate electrode electrically connected to the scanning line GL, a semiconductor layer (for example, amorphous silicon), a gate insulating film provided between the gate electrode and the semiconductor layer, and the semiconductor layer. And a first electrode electrically connected to the signal line, and a second electrode in contact with the semiconductor layer and electrically connected to the pixel electrode (subpixel electrode).
  • TFT Thin Film Transistor
  • An insulating film 24 is provided on the signal line SL.
  • a plurality of subpixel electrodes 26 provided corresponding to the plurality of subpixels 11 are provided on the insulating film 24.
  • a color filter 27 is provided on the CF substrate 21 on the liquid crystal layer 22 side.
  • the color filter 27 includes a plurality of red filters 27-R, a plurality of green filters 27-G, and a plurality of blue filters 27-B. Each color filter is provided corresponding to one subpixel 11.
  • the shapes and arrangement of the red filter 27-R, the green filter 27-G, and the blue filter 27-B are the same as the shapes and arrangement of the sub-pixels 11 of the three colors R, G, and B shown in FIG.
  • a black matrix BM for light shielding is provided at the boundary between the red filter 27-R, the green filter 27-G, and the blue filter 27-B. That is, the black matrix BM is formed in a mesh shape. As described above, the black matrix BM has a function of shielding the light shielding target pattern including the wiring and the switching transistor provided on the TFT substrate 20. As shown in FIG. 15, a region between the sub-pixel electrode 26 and the switching transistor 25 (or signal line SL) is a light leakage region, and this light leakage region needs to be shielded by a black matrix BM. A region where the black matrix BM and the subpixel electrode 26 overlap is a light shielding margin.
  • a common electrode 28 is provided on the color filter 27 and the black matrix BM.
  • the common electrode 28 is formed on the entire display unit of the display device 100.
  • the subpixel electrode 26 and the common electrode 28 are made of transparent electrodes, and for example, ITO (indium tin oxide) is used.
  • ITO indium tin oxide
  • the insulating films 23 and 24 for example, silicon nitride (SiN) is used.
  • SiN silicon nitride
  • the scanning line GL and the signal line SL for example, chromium (Cr), a molybdenum alloy, or an aluminum alloy is used.
  • FIG. 17 is a plan view of a display device according to a comparative example (stripe arrangement / mosaic arrangement). In FIG. 17, two pixels (pixel 1 and pixel 2) are extracted and shown.
  • the two pixels are provided with one scanning line GL and six signal lines SL1 to SL6.
  • the switching transistor Tr is disposed in the vicinity of the intersection region of the scanning line GL and the signal line SL. As described above, in the comparative example, a total of seven wirings of one scanning line and six signal lines are required for two pixels.
  • the two pixels 10-1 and 10-2 can be constituted by a total of five wirings including two scanning lines and three signal lines.
  • the aspect ratio of the subpixel 11 is approximately 3: 4, the substantial aspect ratio of the opening approaches 1: 1. For this reason, the anisotropy of the aperture ratio change due to the misalignment of the black matrix BM is alleviated, and the aperture due to the misalignment of the black matrix BM is compared with the subpixel (comparative example) having an aspect ratio of approximately 3: 1. The maximum reduction in rate can be reduced.
  • the aspect ratio of the sub-pixel 11 is approximately 3: 4
  • the peripheral length of the sub-pixel in the same area is reduced to 7/8 as compared with the sub-pixel having the aspect ratio of approximately 3: 1.
  • the number of scanning lines is doubled and the number of signal lines is halved compared to a general stripe array display device.
  • the number of signal lines in the column direction is 3n and the number of scanning lines in the row direction is n, so the total number of wires is 4n.
  • the number of signal lines is “3n ⁇ 1/2” and the number of scanning lines is “n ⁇ 2”, so the total number of wirings is 3.5n, which is smaller than that of the comparative example. become.
  • the size (chip area) of the LSI greatly depends on the number of connection terminals, that is, the number of wirings. Since the price of an LSI is almost proportional to the size, the cost of the display device can be reduced by reducing the total number of wires.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating the shape and arrangement of the plurality of pixels 10 according to the second embodiment. In FIG. 18, two pixels (pixels 10-1 and 10-2) are extracted and shown.
  • the rectangle formed by combining the L-shaped pixels 10-1 and 10-2 is a repeating unit, as in the first embodiment.
  • the blue subpixels 11-B1 and 11-B2 are arranged adjacent to each other in the oblique direction
  • the green subpixels 11-G1 and 11-G2 are arranged in the oblique direction. Adjacent to each other. Further, the red subpixels 11-R1 and 11-R2 are arranged on the remaining diagonals.
  • the arrangement of R, G, and B subpixels in the pixel can be changed to patterns other than those shown in FIGS.
  • a pair of subpixels indicated by arrows in FIG. 18 needs to have the same color.
  • the image signal applied to the signal line is changed according to this color arrangement.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating the shape and arrangement of the plurality of pixels 10 according to the third embodiment. In FIG. 19, two pixels (pixels 10-1 and 10-2) are extracted and shown.
  • the L-shaped pixels 10-1 and 10-2 according to the third embodiment are configured by changing the directions of the L-shaped pixels 10-1 and 10-2 according to the first embodiment. Specifically, the pixels 10-1 and 10-2 according to the third embodiment are arranged to be line-symmetric with respect to the horizontal axis with the pixels 10-1 and 10-2 according to the first embodiment. .
  • the rectangle formed by combining the L-shaped pixels 10-1 and 10-2 is a repeating unit, as in the first embodiment.
  • the blue subpixels 11-B1 and 11-B2 are arranged adjacent to each other in the oblique direction
  • the green subpixels 11-G1 and 11-G2 are arranged in the oblique direction. Adjacent to each other. Further, the red subpixels 11-R1 and 11-R2 are arranged on the remaining diagonals.
  • the direction of a pair of subpixels of the same color that are diagonally adjacent is different from that of the first embodiment. Further, the third embodiment can change the combination of the colors of the subpixels as in the second embodiment.
  • the color filter 27 is formed on the substrate 21 on which the common electrode 28 is formed.
  • the present invention is not limited to this, and the present invention is similarly applied when the color filter 27 is formed on the TFT substrate 20.
  • the liquid crystal display device has been described as an example of the display device 100.
  • R, G, and B subpixels such as an organic EL (electroluminescence) display device, a plasma display, or electronic paper are used.
  • the present invention can be similarly applied to various display devices in which active elements provided for each subpixel are driven by matrix wiring.
  • the present invention is not limited to the embodiment described above, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention. Further, the above embodiments include inventions at various stages, and are obtained by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in one embodiment or by appropriately combining constituent elements disclosed in different embodiments. Various inventions can be configured. For example, even if some constituent elements are deleted from all the constituent elements disclosed in the embodiments, the problems to be solved by the invention can be solved and the effects of the invention can be obtained. Embodiments made can be extracted as inventions.
  • SYMBOLS 10 ... Pixel, 20 ... TFT substrate, 21 ... CF substrate, 22 ... Liquid crystal layer, 23 ... Insulating film, 23, 24 ... Insulating film, 25 ... Switching transistor, 26 ... Subpixel electrode, 27 ... Color filter, 28 ... Common Electrode, 100 ... display device, BM ... black matrix, GL ... scanning line, SL ... signal line.

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Abstract

　表示装置は、赤、緑、及び青の三色のサブピクセル（１１）をそれぞれが有する第１及び第２ピクセル（１０）を具備する。第１及び第２ピクセル（１０）に含まれる６個のサブピクセル（１１）は、２行×３列に配置され、かつ表示部を構成するための繰り返し単位である。サブピクセル（１１）の縦横比は概略３：４であり、繰り返し単位の縦横比は概略１：２である。

Description

表示装置及びカラーフィルター
　本発明は、表示装置及びカラーフィルターに関する。
　例えば液晶を用いた表示装置では、カラーフィルターを利用してカラー表示を実現している。一般的なカラーフィルターは光の三原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）で構成される。隣接したＲ、Ｇ、Ｂの三色のセットが表示の単位（ピクセル、又は画素と呼ぶ）となっており、一つのピクセル中のＲ、Ｇ、Ｂのいずれか単色の部分はサブピクセル（サブ画素）と呼ばれる最小駆動単位である。
　図１乃至図３に、一般的なカラーフィルターのサブピクセル配列を示す。図１はストライプ配列と呼ばれ、Ｒ、Ｇ、Ｂの三色で縞模様になる配列である。図２はモザイク配列と呼ばれ、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれのサブピクセルを斜めに配置する手法である。図３はデルタ配列と呼ばれ、Ｒ、Ｇ、Ｂの三色のサブピクセルを三角形の頂点に配置する手法である。カラーフィルターの配列は、例えば特許文献１に記載されている。ストライプ配列、及びモザイク配列は、概略正方形のピクセルが使用されることが多く、サブピクセルの形状は縦横比が概略３：１の矩形になる。デルタ配列は、概略正方形のサブピクセルを用い、Ｒ、Ｇ、Ｂのセットは二等辺三角形に近いパターンとなる。
　三色のサブピクセルの平面形状設計及び配列方法は、表示装置の特徴及び性能を決める大きな要因である。表示画像形状の自由度、及び色再現（混色性能）の観点からは、ピクセル及びサブピクセルは円、又は正六角形のように対称性の高い形状であることが望ましい。また、サブピクセルの配列の周期性はモワレの原因となりやすいため、周期性の低い（周期の見えにくい）配列が望ましい。これらの観点からは、図１乃至図３のうち最も好ましいのはデルタ配列である。
　しかしながら近年、表示装置に実際に使用されているのはストライプ配列が中心である。ストライプ配列は、走査線及び信号線の各々が基本的に一直線であるため、例えばデルタ配列で必要とされる屈曲部処理のための開口率低下が無く、しかもカラーフィルターがサブピクセル単位で分割されないため、小型の画素を作製しやすい。このため、表示の高精細化が進んでサブピクセルサイズが小さくなるにつれ、実用性能で最も有利であるストライプ配列が多用されている。サブピクセルの配列の周期が見えるかどうかは精細度とのトレードオフであり、高精細画素では、周期性は視認されにくくなる。
特開平７－２６１１６６号公報 特開２００８－２４９８９５号公報
　本発明は、開口率を向上させることが可能な表示装置及びカラーフィルターを提供する。
　本発明の一態様に係る表示装置は、赤、緑、及び青の三色のサブピクセルをそれぞれが有する第１及び第２ピクセルを具備する。前記第１及び第２ピクセルに含まれる６個のサブピクセルは、２行×３列に配置され、かつ表示部を構成するための繰り返し単位であり、前記サブピクセルの縦横比は概略３：４であり、前記繰り返し単位の縦横比は概略１：２であることを特徴とする。
　本発明によれば、開口率を向上させることが可能な表示装置及びカラーフィルターを提供することができる。
ストライプ配列を説明する図。 モザイク配列を説明する図。 デルタ配列を説明する図。 比較例に係る遮光対象パターン及び遮光パターンの一例を説明する図。 比較例に係る遮光対象パターンと遮光パターンとを重ね合わせた様子を説明する図。 比較例に係る遮光対象パターンと遮光パターンとを重ね合わせた様子を説明する図。 比較例に係る遮光対象パターンと遮光パターンとを重ね合わせた様子を説明する図。 比較例に係る複数のピクセルの形状及び配列を説明する図。 第１実施形態に係る複数のピクセルの形状及び配列を説明する図。 第１実施形態に係る遮光対象パターン及び遮光パターンの一例を説明する図。 第１実施形態に係る遮光対象パターンと遮光パターンとを重ね合わせた様子を説明する図。 第１実施形態に係る遮光対象パターンと遮光パターンとを重ね合わせた様子を説明する図。 第１実施形態に係る遮光対象パターンと遮光パターンとを重ね合わせた様子を説明する図。 第１実施形態に係る表示装置の平面図。 図１４に示したＡ－Ａ´線に沿った表示装置の断面図。 図１４に示したＢ－Ｂ´線に沿った表示装置の断面図。 比較例に係る表示装置の平面図。 第２実施形態に係る複数のピクセルの形状及び配列を説明する図。 第３実施形態に係る複数のピクセルの形状及び配列を説明する図。
　以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的又は概念的なものであり、各図面の寸法および比率等は必ずしも現実のものと同一とは限らないことに留意すべきである。また、図面の相互間で同じ部分を表す場合においても、互いの寸法の関係や比率が異なって表される場合もある。特に、以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置等によって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
　［考察］
　通常、カラーフィルターは、遮光性材料で形成したブラックマトリクスＢＭによってサブピクセルを区切っている。ブラックマトリクスＢＭを使用する目的は、サブピクセル間の色混ざり防止と、必要に応じた光漏れ防止及び半導体素子などの遮光である。透過型表示装置の場合は、ブラックマトリクスＢＭの開口部と、ブラックマトリクスＢＭによって遮光すべき遮光対象領域の開口部とが平面視において重なって形成される開口部が実質的な表示領域になる。サブピクセル全体に対するこの表示領域の比率を開口率と呼ぶ。ブラックマトリクスＢＭの最小幅は、ブラックマトリクスＢＭと遮光対象領域との合わせズレが最大のときでも必要な遮光関係が成立する最小の幅であり、この幅を有するブラックマトリクスＢＭが合わせズレなしで遮光対象領域と重ねられたときに開口率が最大となる。
　図４は、ストライプ／モザイク配列のサブピクセルにおける遮光対象パターン及び遮光パターンの一例を説明する図である。ストライプ／モザイク配列のサブピクセルは、例えば、縦横比が概略３：１の長方形である。
　図４（ａ）は、遮光対象パターンを示している。図４（ｂ）は、ブラックマトリクスＢＭで構成される遮光パターンを示している。ストライプ配列でのサブピクセルピッチをＰと表記し、すなわち、サブピクセルの横の長さ（短辺の長さ）がＰ、縦の長さ（長辺の長さ）が３Ｐである。配線部分を遮光するための長辺側の遮光幅をＬとする。図中に示したＴｒは、液晶表示装置を想定した場合のスイッチングトランジスタであり、これは例えば短辺側に配置される。スイッチングトランジスタを遮光するための遮光幅増加分をＴとし、配線部分及びスイッチングトランジスタを遮光するための短辺側の遮光幅を“Ｌ＋Ｔ”とする。遮光対象パターンは、例えば、スイッチングトランジスタを備えるＴＦＴ基板に形成される。遮光パターンは、例えば、カラーフィルターを備えるカラーフィルター基板（ＣＦ基板）に形成される。
　図５は、図４（ａ）の遮光対象パターンと図４（ｂ）の遮光パターンとを合わせズレなしで重ね合わせた様子を説明する図である。合わせズレなしで開口部の面積が最大となる。図５の開口部の面積は、“（Ｐ－Ｌ）・（３Ｐ－（Ｌ＋Ｔ））”で表される。
　図６は、横方向に合わせズレが発生した（ブラックマトリクスＢＭが横ズレした）様子を説明する図である。ブラックマトリクスＢＭのズレ量をＢとする。図６における開口部の減少面積は、“（３Ｐ－（Ｌ＋Ｔ））・Ｂ”で表される。
　図７は、縦方向に合わせズレが発生した（ブラックマトリクスＢＭが縦ズレした）様子を説明する図である。図７における開口部の減少面積は、“（Ｐ－Ｌ）・Ｂ”で表される。
　図６及び図７に示すように、基本的にはブラックマトリクスＢＭの合わせズレが発生するとその分だけ開口率が低下するような設計になっている。このため、サブピクセル形状が縦横比３：１の縦長である場合は、横方向に合わせズレが発生したときに開口率が大きく低下してしまう。縦方向に合わせズレが発生した場合の開口率低下は比較的少ないが、表示装置における開口率の保証値としては、横方向に最大の合わせズレが発生した場合の最小開口率を取り扱わざるを得ない。このため、この最小開口率の改善が求められる。
　以下に、本実施形態に係る表示装置について説明する。表示装置として液晶表示装置を例に挙げて説明する。
　［第１実施形態］
　［１．表示部（画素部）の構成］
　まず、比較例に係る表示部の構成について説明する。図８は、ストライプ配列を用いた比較例に係る複数のピクセルの形状及び配列を説明する図である。図８には、２つのピクセル（ピクセル１、ピクセル２）を抽出して示している。
　各ピクセルは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三色のサブピクセルから構成される。ストライプ配列では、サブピクセルは、縦横比が概略３：１の長方形であり、ストライプ配列でのサブピクセルピッチＰとすると、サブピクセルの横の長さ（短辺の長さ）がＰ、縦の長さ（長辺の長さ）が３Ｐである。ストライプ配列では、Ｒ、Ｇ、Ｂの三色のサブピクセルを組み合わせてほぼ正方形にしたものをピクセルとしている。ピクセルの周期（繰り返し単位）はこの正方形である。
　次に、本実施形態に係る表示装置の表示部の構成について説明する。表示部は、複数のピクセルを備える。図９は、本実施形態に係る複数のピクセル１０の形状及び配列を説明する図である。図９には、２つのピクセル（ピクセル１０－１、１０－２）を抽出して示している。各ピクセル１０は、Ｒ、Ｇ、Ｂの三色のサブピクセル１１から構成される。
　本実施形態では、ストライプ配列の正方形ピクセル２個を横に並べた大きさに相当する縦横比が概略１：２の長方形を繰り返し単位とし、この繰り返し単位をＬ字型の２個のピクセル（６個のサブピクセル）に分割する。より具体的には、ピクセル１０はＲ、Ｇ、Ｂの三色のサブピクセル１１で構成するが、ストライプ配列のように横一線に三色のサブピクセルを並べてピクセルを構成するのではなく、２種類のＬ字型でピクセル１０－１、１０－２を構成し、この２種類のＬ字型ピクセル１０－１、１０－２を合わせた長方形を繰り返し単位とする。
　繰り返し単位に含まれる６個のサブピクセル１１は、２行×３列に配置される。表示部は、図９の繰り返し単位が複数個用意され、この複数個の繰り返し単位がマトリクス状に配置されて構成される。
　繰り返し単位であるピクセル１０－１、１０－２において、赤サブピクセル１１－Ｒ１、１１－Ｒ２は、斜め方向に隣接して配置され、青サブピクセル１１－Ｂ１、１１－Ｂ２は、斜め方向に隣接して配置される。また、緑サブピクセル１１－Ｇ１、１１－Ｇ２は、残りの対角に配置される。すなわち、繰り返し単位内で同色のサブピクセルが行方向及び列方向のいずれにも連続しないように、複数のサブピクセル１１が配列される。
　本実施形態のサブピクセル１１は、ストライプ配列のサブピクセルと比較して縦の長さが１／２、横の長さが２倍となるため、縦横比が概略３：４の矩形となる。なお、これまでの説明において、縦横比の数値に付与した「概略」は、製造方法及び製造工程に起因する誤差を含むことを意味する。ストライプ配列でのサブピクセルピッチＰとすると、本実施形態のサブピクセル１１の横の長さが２Ｐ、縦の長さが（３／２）Ｐである。配線（走査線及び信号線）はストライプ配列と同様に直線のみで構成されるため、デルタ配列のような配線屈曲部処理のために開口率が低下することは無い。また、ストライプ配列のサブピクセル周囲長は８Ｐであるが、本実施形態のサブピクセル周囲長は７Ｐとなる。配線占有面積が少なくなるためストライプ配列と同等以上の開口率が期待できる。
　［２．ブラックマトリクスの合わせズレについて］
　次に、サブピクセル１１におけるブラックマトリクスＢＭの合わせズレについて説明する。図１０は、サブピクセル１１における遮光対象パターン及び遮光パターンの一例を説明する図である。図１０（ａ）は、遮光対象パターンを示している。図１０（ｂ）は、ブラックマトリクスＢＭで構成される遮光パターンを示している。配線部分を遮光するための長辺側の遮光幅をＬとする。スイッチングトランジスタＴｒは、例えば短辺側に配置される。スイッチングトランジスタＴｒを遮光するための遮光幅増加分をＴとし、配線部分及びスイッチングトランジスタＴｒを遮光するための短辺側の遮光幅を“Ｌ＋Ｔ”とする。遮光対象パターンは、例えば、スイッチングトランジスタＴｒを備えるＴＦＴ基板に形成される。遮光パターンは、例えば、カラーフィルターを備えるＣＦ基板に形成される。
　図１１は、図１０（ａ）の遮光対象パターンと図１０（ｂ）の遮光パターンとを合わせズレなしで重ね合わせた様子を説明する図である。合わせズレなしで開口部（表示領域）の面積が最大となる。図１１の開口部の面積は、“（２Ｐ－（Ｌ＋Ｔ））・（（３／２）Ｐ－Ｌ）”で表される。
　図１２は、横方向に合わせズレが発生した（ブラックマトリクスＢＭが横ズレした）様子を説明する図である。ブラックマトリクスＢＭのズレ量をＢとする。図１２における開口部の減少面積は、“（（３／２）Ｐ－Ｌ）・Ｂ”で表される。
　図１３は、縦方向に合わせズレが発生した（ブラックマトリクスＢＭが縦ズレした）様子を説明する図である。図１３における開口部の減少面積は、“（２Ｐ－（Ｌ＋Ｔ））・Ｂ”で表される。
　ブラックマトリクスＢＭのズレ量Ｂの最大がズレ方向に関わりなく一定とするなら、開口部の減少面積は、ブラックマトリクスＢＭのズレ方向に直交するサブピクセルの開口幅に比例するため、ズレ方向がサブピクセルの長辺に直交する方向と同じである場合に最大となる。よって、図６の比較例では、開口部の減少面積が大きくなる。一方、本実施形態では、サブピクセル１１の縦横比が概略３：４になるため、図１３の例が開口部の減少面積が最大である場合を示す。配線部分の遮光幅Ｌ及びスイッチングトランジスタの遮光幅増加分ＴのピッチＰに対する比率で多少の変動はあるが、本実施形態における開口部の最大減少面積（図１３）は、比較例の構造（図６）に対して概略１／２～２／３程度に減少する。
　［３．表示装置の構造］
　次に、表示装置１００の構成例について説明する。図１４は、表示装置１００の平面図である。図１４には、２つのピクセル１０－１、１０－２に関する表示部を抽出して示している。図１５は、図１４に示したＡ－Ａ´線に沿った表示装置１００の断面図である。図１６は、図１４に示したＢ－Ｂ´線に沿った表示装置１００の断面図である。
　ピクセル１０－１、１０－２の各々は、Ｒ、Ｇ、Ｂの三色のサブピクセル１１から構成される。ピクセル１０－１、１０－２、及びこれらに含まれる複数のサブピクセル１１の形状及び配列は、図９で説明した通りである。
　表示装置１００は、スイッチングトランジスタ、及び画素電極等が形成されるＴＦＴ基板２０と、カラーフィルター及び共通電極が形成されかつＴＦＴ基板２０に対向配置されるＣＦ基板２１と、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板２１間に挟持された液晶層２２とを備える。ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板２１はそれぞれ、透明基板（例えば、ガラス基板）から構成される。
　液晶層２２は、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板２１間を貼り合わせるシール材（図示せず）によって封入された液晶材料により構成される。液晶材料は、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板２１間に印加された電界に応じて液晶分子の配向が操作されて光学特性が変化する。
　液晶層２２側のＴＦＴ基板２０上には、それぞれがＸ方向（行方向）に延在する複数の走査線ＧＬ（走査線ＧＬ１、ＧＬ２を含む）が設けられる。走査線ＧＬは、Ｘ方向と直交するＹ方向（列方向）に並んだ２個のサブピクセル１１の境界部分に配置される。
　複数の走査線ＧＬ上には、絶縁膜２３が設けられる。絶縁膜２３上には、それぞれがＹ方向に延在する複数の信号線ＳＬ（信号線ＳＬ１～ＳＬ３を含む）が設けられる。信号線ＳＬは、Ｘ方向に並んだ２個のサブピクセル１１の境界部分に配置される。
　また、絶縁膜２３上には、スイッチングトランジスタ（Ｔｒ）２５が設けられる。スイッチングトランジスタ２５としては、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が用いられる。スイッチングトランジスタ２５は、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの交差領域近傍に配置される。図１５では、スイッチングトランジスタ２５を簡略化して示している。実際には、スイッチングトランジスタ２５は、走査線ＧＬに電気的に接続されるゲート電極と、半導体層（例えばアモルファスシリコン）と、ゲート電極及び半導体層間に設けられたゲート絶縁膜と、半導体層に接しかつ信号線に電気的に接続された第１電極と、半導体層に接しかつ画素電極（サブピクセル電極）に電気的に接続された第２電極とを備える。
　信号線ＳＬ上には、絶縁膜２４が設けられる。絶縁膜２４上には、複数のサブピクセル１１に対応して設けられた複数のサブピクセル電極２６が設けられる。
　液晶層２２側のＣＦ基板２１上には、カラーフィルター２７が設けられる。カラーフィルター２７は、複数の赤フィルター２７－Ｒ、複数の緑フィルター２７－Ｇ、及び複数の青フィルター２７－Ｂを備える。各カラーフィルターは、１個のサブピクセル１１に対応して設けられる。赤フィルター２７－Ｒ、緑フィルター２７－Ｇ、及び青フィルター２７－Ｂの形状及び配列は、図９に示したＲ、Ｇ、Ｂの三色のサブピクセル１１の形状及び配列と同じである。
　赤フィルター２７－Ｒ、緑フィルター２７－Ｇ、及び青フィルター２７－Ｂの境界部分には、遮光用のブラックマトリクスＢＭが設けられる。すなわち、ブラックマトリクスＢＭは、網目状に形成される。前述したように、ブラックマトリクスＢＭは、ＴＦＴ基板２０に設けられた配線及びスイッチングトランジスタを含む遮光対象パターンを遮光する機能を有する。図１５に示すように、サブピクセル電極２６とスイッチングトランジスタ２５（又は信号線ＳＬ）との間の領域が光漏れ領域であり、この光漏れ領域はブラックマトリクスＢＭで遮光する必要がある。ブラックマトリクスＢＭとサブピクセル電極２６とがオーバーラップする領域が遮光マージンとなる。
　カラーフィルター２７及びブラックマトリクスＢＭ上には、共通電極２８が設けられる。共通電極２８は、表示装置１００の表示部全体に形成される。
　サブピクセル電極２６及び共通電極２８は、透明電極から構成され、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）が用いられる。絶縁膜２３、２４としては、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）が用いられる。走査線ＧＬ及び信号線ＳＬとしては、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン合金、又はアルミニウム合金が用いられる。
　図１７は、比較例（ストライプ配列／モザイク配列）に係る表示装置の平面図である。図１７には、２つのピクセル（ピクセル１、ピクセル２）を抽出して示している。
　２つのピクセルには、１本の走査線ＧＬ、及び６本の信号線ＳＬ１～ＳＬ６が配設される。スイッチングトランジスタＴｒは、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの交差領域近傍に配置される。このように、比較例では、２つのピクセルに対して、走査線１本と信号線６本の計７本の配線を必要とする。
　これに対して、本実施形態では、図１４に示すように、２つのピクセル１０－１、１０－２に対して、走査線２本と信号線３本の計５本の配線で構成できる。
　［４．効果］
　以上詳述したように第１実施形態によれば、サブピクセル１１の縦横比は概略３：４となるため、開口部の実質的な縦横比は１：１に近づく。このため、ブラックマトリクスＢＭの合わせズレによる開口率変化の異方性が緩和され、縦横比が概略３：１のサブピクセル（比較例）と比較して、ブラックマトリクスＢＭの合わせズレに起因する開口率の最大低下量を小さくできる。
　また、サブピクセル１１の縦横比が概略３：４となるため、縦横比が概略３：１のサブピクセルと比較して、同一面積でのサブピクセルの周囲長が７／８に短くなる。これにより、配線占有面積を小さくすることができ、開口率が向上する。
　また、一般的なストライプ配列の表示装置と比較して、走査線本数が２倍、信号線本数が１／２倍になる。例えばｎ行×ｎ列のピクセルを有する表示装置においては、列方向の信号線本数は３ｎ本、行方向の走査線本数はｎ本なので、総配線数は４ｎ本である。これに対して、本実施形態では、信号線本数は“３ｎ×１／２”、走査線本数は“ｎ×２”なので、総配線本数は３．５ｎ本となり、比較例よりも減少することになる。表示装置をドライバＬＳＩで駆動する場合、ＬＳＩの大きさ（チップ面積）は接続端子数、すなわち配線本数に大きく依存する。ＬＳＩの価格は大きさにほぼ比例するため、総配線本数の削減によって表示装置のコストダウンが可能になる。
　［第２実施形態］
　第２実施形態は、サブピクセルの色配置を変更した実施例である。図１８は、第２実施形態に係る複数のピクセル１０の形状及び配列を説明する図である。図１８には、２つのピクセル（ピクセル１０－１、１０－２）を抽出して示している。
　Ｌ字型ピクセル１０－１、１０－２を合わせた長方形が繰り返し単位であるのは、第１実施形態と同じである。繰り返し単位であるピクセル１０－１、１０－２において、青サブピクセル１１－Ｂ１、１１－Ｂ２は、斜め方向に隣接して配置され、緑サブピクセル１１－Ｇ１、１１－Ｇ２は、斜め方向に隣接して配置される。また、赤サブピクセル１１－Ｒ１、１１－Ｒ２は、残りの対角に配置される。
　Ｌ字型ピクセルの形を変えなければ、ピクセル内のＲ、Ｇ、Ｂの三色のサブピクセルの配置は、図９及び図１８以外のパターンにも変更可能である。このとき、図１８の矢印で示したサブピクセルのペアが同一色になっている必要がある。色の組み合わせによって性能が変わることは無いが、信号線に印加する画像信号は、この色配置に応じて変更する。
　［第３実施形態］
　第３実施形態は、Ｌ字型ピクセルの方向を変更した実施例である。図１９は、第３実施形態に係る複数のピクセル１０の形状及び配列を説明する図である。図１９には、２つのピクセル（ピクセル１０－１、１０－２）を抽出して示している。
　第３実施形態に係るＬ字型ピクセル１０－１、１０－２は、第１実施形態に係るＬ字型ピクセル１０－１、１０－２の方向を変更して構成される。具体的には、第３実施形態に係るピクセル１０－１、１０－２は、第１実施形態に係るピクセル１０－１、１０－２と横軸に対して線対称になるように配置される。
　Ｌ字型ピクセル１０－１、１０－２を合わせた長方形が繰り返し単位であるのは、第１実施形態と同じである。繰り返し単位であるピクセル１０－１、１０－２において、青サブピクセル１１－Ｂ１、１１－Ｂ２は、斜め方向に隣接して配置され、緑サブピクセル１１－Ｇ１、１１－Ｇ２は、斜め方向に隣接して配置される。また、赤サブピクセル１１－Ｒ１、１１－Ｒ２は、残りの対角に配置される。
　第３実施形態では、斜めに隣接する同一色のサブピクセルのペアの方向（図１９に矢印の向き）が、第１実施形態とは異なる。また、第３実施形態は、第２実施形態と同様に、サブピクセルの色の組み合わせ方を変更できる。
　上記各実施形態では、カラーフィルター２７を共通電極２８が形成される基板２１に形成しているが、これに限定されず、カラーフィルター２７をＴＦＴ基板２０に形成する場合にも、本発明は同様に適用できる。また、表示装置１００として液晶表示装置を例に挙げて説明しているが、例えば有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置、プラズマディスプレイ、又は電子ペーパーなど、Ｒ、Ｇ、Ｂの三色のサブピクセルを使用し、かつマトリクス状の配線でサブピクセル毎に設けた能動素子を駆動する方式の各種表示装置についても同様に適用できる。
　本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で、構成要素を変形して具体化することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、１つの実施形態に開示される複数の構成要素の適宜な組み合わせ、若しくは異なる実施形態に開示される構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を構成することができる。例えば、実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素が削除されても、発明が解決しようとする課題が解決でき、発明の効果が得られる場合には、これらの構成要素が削除された実施形態が発明として抽出されうる。
　１０…ピクセル、２０…ＴＦＴ基板、２１…ＣＦ基板、２２…液晶層、２３…絶縁膜、２３，２４…絶縁膜、２５…スイッチングトランジスタ、２６…サブピクセル電極、２７…カラーフィルター、２８…共通電極、１００…表示装置、ＢＭ…ブラックマトリクス、ＧＬ…走査線、ＳＬ…信号線。

Claims (6)

  1. 　赤、緑、及び青の三色のサブピクセルをそれぞれが有する第１及び第２ピクセルを具備し、
    　前記第１及び第２ピクセルに含まれる６個のサブピクセルは、２行×３列に配置され、かつ表示部を構成するための繰り返し単位であり、
    　前記サブピクセルの縦横比は概略３：４であり、
    　前記繰り返し単位の縦横比は概略１：２であることを特徴とする表示装置。
  2. 　前記第１及び第２ピクセルにより構成された前記繰り返し単位は、矩形であり、
    　前記第１及び第２ピクセルの各々は、Ｌ字形であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記繰り返し単位内で同色のサブピクセルが行方向及び列方向のいずれにも連続しないように、複数のサブピクセルが配列されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  4. 　サブピクセルの境界に設けられた遮光用のブラックマトリクスをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  5. 　前記２行のサブピクセルに対応して設けられた２本の走査線と、
    　前記３列のサブピクセルに対応して設けられた３本の信号線とをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  6. 　前記請求項１に示された前記６個のサブピクセルに対応した形状及び配列を有し、赤フィルター、緑フィルター、及び青フィルターを含むカラーフィルター。
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