WO2015036287A2 - Verfahren zum herstellen eines bauelementes - Google Patents

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WO2015036287A2
WO2015036287A2 PCT/EP2014/068626 EP2014068626W WO2015036287A2 WO 2015036287 A2 WO2015036287 A2 WO 2015036287A2 EP 2014068626 W EP2014068626 W EP 2014068626W WO 2015036287 A2 WO2015036287 A2 WO 2015036287A2
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mask structure
structuring
substrate
region
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Arne FLEISSNER
Carola Diez
Nina Riegel
Thomas Wehlus
Daniel Riedel
Johannes Rosenberger
Silke SCHARNER
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Osram Oled Gmbh
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/221—Static displays, e.g. displaying permanent logos

Definitions

  • Method of Making a Device In various embodiments, a method of manufacturing a device is provided.
  • organic light emitting diodes organic light emitting diodes
  • OLED emitting diode
  • Component such as an OLED
  • the anode or the cathode is formed of a metal.
  • Organic functional layer system may include one or more emitter layer (s) in which
  • Charge carrier pair generation and one or more
  • Electron block layers also referred to as
  • Hole transport layer (s) HTL
  • hole block layers also referred to as electron transport layer (s)
  • electron transport layer ETL
  • Individual layers of an OLED can be formed conventionally by different methods,
  • an optoelectronic component for example by means of a vapor deposition or wet chemical process.
  • individual layers of the optoelectronic component are conventionally formed successively over a substrate, for example deposited.
  • the layers can be during the Deposition or later structured laterally. Layers are laterally structured to be different, for example, in a functional thin film system
  • the lateral structuring processes of the multiple layers may interfere with each other.
  • the substrate is masked during an inherently unstructured physical vapor deposition, i. "Shadows" that the deposited materials are deposited on the substrate only in the regions provided by the transmissive regions of the mask
  • metallic shadow masks are used.
  • the metallic shadow masks 104 are placed close to the substrate 102 to be coated
  • the shadow mask 104 has a
  • the shadow mask 104 in the area without opening shadows the substrate 102 in front of one during the formation of the coating 106
  • the shadow mask 104 is placed over the substrate 102 in conventional methods so that the shadow mask 104 and the substrate 102 have no physical contact. It happens that way when coating the substrate 102 in the semi-shade at the edges of the opening of the shadow mask 104 on the substrate 102 in the actual shaded area of the substrate 102, a coating 106 is formed ⁇ characterized by the encirclement with the reference numeral 108), the manufacture and use of metallic shadow masks is a relative
  • the metallic masks are changed during the coating process.
  • the change of the metallic masks is associated with a considerable amount of time, which is unfavorable
  • a simple metal mask process can not produce separate luminous areas within another luminous area, nor open non-luminous areas within a luminous area A minimum distance of a few millimeters to the areas to be coated between coated areas, otherwise the thin webs of the metallic mask would not have the necessary stability and could sag. Therefore, it is not possible with a simple, conventional shadow mask process
  • foil masks 110 illustrated in FIG. 1B.
  • a film is laminated to a substrate 102 to be coated.
  • the foil is microstructured, for example by means of a laser ablation, i. partially
  • a coating 106 may be formed on the substrate 102 having defined edges (illustrated by means of FIGS.
  • film masks for the production of OLEDs or OLED displays. This will be a Masking film applied to a substrate.
  • the masking film is structured into several areas; in masking areas and areas for openings.
  • Removal film is applied to the masking film and bonded in the areas for Publ openings with the masking film.
  • the removal film will stick with the
  • Masking film with open areas remains on the substrate. Subsequently, the substrate is coated with material. After the first coating step, the masking film becomes
  • the first masking film initially remains on the substrate and the entire process is carried out with one or more further masking films
  • Coating step in a single process removed altogether.
  • a typical fürsbeispie1 is provided to apply the organic emitter material required for a display per pixel three subpixels (red, green and blue) successively in different positions on the substrate.
  • Laminated substrate film this coated, and then peeled off the masking film. Furthermore, in conventional methods, microscopic free areas are directly patterned into the mask pattern on the substrate, e.g. by laser ablation. at
  • a second masking film is first applied to the substrate and
  • a method of manufacturing a device with which it is possible to apply the lateral structuring of a plurality of stacked functional thin layers to a substrate during their deposition, for example in one
  • a method of manufacturing a device comprising: arranging a first mask pattern on or over a substrate; Arranging a second mask pattern on or above the first mask pattern, the first mask pattern having a first patterning area before the second mask pattern is applied to the first mask pattern, wherein the first patterning area has an opening and / or an opening
  • Mask structure is formed outside of the second structuring region in the first mask structure.
  • the first structuring region may be or may be formed at least partially adjacent to the first structuring region.
  • the second structuring region may be or may be formed at least partially adjacent to the first structuring region.
  • Structuring area completely within the. Dimension of the be formed or be, wherein the first structuring region is greater than the second structuring region. In one embodiment, at least a part of a
  • optoelectronic component wherein the optoelectronic component with an optically active
  • the optoelectronic component can have an optically inactive region next to the optically active region.
  • the optoelectronic component may comprise a first electrode, a second electrode and a second electrode
  • the optoelectronic component can be formed as an organic light-emitting diode, an organic solar cell and / or an organic photodetector.
  • the optoelectronic component can be formed as a surface component.
  • first structuring region and / or the second structuring region can be formed in such a way that by means of the first structuring region and / or the second structuring region a
  • Information is displayed in the optically active area, such as a pictogram, an ideogram and / or a lettering; a peep hole, a window, a
  • the first mask structure and / or the second mask structure may / may be self-supporting be.
  • a self-supporting structure can act, for example, without a carrier or holder as a mask.
  • the first mask structure may be disposed on or above the substrate, for example in the form of a foil, a plate or a sheet.
  • a mask structure which is arranged on the substrate or on another mask structure may have a physical contact with the latter, for example by means of an adhesive compound. As a result, the distance between the mask structure and the substrate or the other mask structure can be reduced. This allows the
  • Abtragung of the substrate and / or the other mask structure can be reduced in the area of the edges.
  • the penumbra can be reduced in its dimensions.
  • a mask structure which is arranged above the substrate or over another mask structure may have no physical contact with it, for example in that the mask structure is arranged in a holder over the substrate and / or the other mask structure.
  • the mask structure above the substrate and / or above the other mask structure can be removed from it in a particularly simple manner, for example by moving the holder away from the substrate.
  • the second mask structure can be arranged on or above the first mask structure, for example in the form of a foil, a plate or a metal sheet.
  • the first mask structure may be a
  • the second mask structure may have an adhesive push and be connected to the first mask structure by means of the adhesive layer,
  • self-adhesive for example, as a self-adhesive film, self-adhesive
  • the first mask structure may be formed as a coating on or over the substrate, for example, removable in one piece, for example as a coating crosslinked in the one piece.
  • Coating may be applied after application of the solution, suspension or dispersion of the substance or mixture of substances
  • the coating can be structured or structured. Furthermore, the coating can be formed on the substrate, that is, have a physical contact. Alternatively, the coating can be formed over the substrate, for example on a support, for example a carrier film, for example in a frame; the carrier being on or above the substrate
  • the second mask structure may be formed as a coating on or over the first mask structure, for example, removable in one piece, for example as one in the one piece networked
  • Coating for example according to an embodiment of the first mask structure of a coating.
  • the first mask structure and / or the second mask structure may comprise or be formed from a polymer, for example as a polymer
  • Plastic coating a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a plastic film, a
  • Plastic sheet and / or a plastic latte In one embodiment, arranging the first
  • optically active material For example, on or above the optically active material
  • different first mask structures are arranged, for example, with a different hardness, chemical resistance to a solvent and / or absorption of electromagnetic radiation or heat.
  • the first mask structure can be arranged in physical contact on the substrate, for example by means of an adhesive bond.
  • the second mask structure may be arranged in physical contact on the first mask structure, for example by means of a
  • the first mask structure can be arranged in a holder over the substrate, for example in a frame.
  • the second mask structure may be arranged in a holder over the first mask structure, for example in a frame.
  • the first structuring region may be formed at least partially in the first mask structure before the first masking structure on or above the first masking structure
  • the first patterning region may be formed at least partially in the first mask pattern after the first mask pattern is disposed on or above the substrate.
  • the first mask structure may be structured in the form of a coating on or over the substrate, or may be formed such that a first
  • the second structuring region may be formed at least partially in the first mask structure and / or the second mask structure before the second mask structure is arranged on or above the first mask structure.
  • the second structuring region can be formed at least partially in the first mask structure and / or the second mask structure after the second mask structure is arranged on or above the first mask structure.
  • the second mask structure in the form of a coating can be structured on or over the first mask structure, such that the second structuring area is formed at least partially in the second mask structure after the coating has cured and / or crosslinked.
  • Structuring region forming at least one of the following structuring in the first mask structure and / or the second mask structure have: a hole, a predetermined separation point, a ring structure.
  • the first patterning region may be formed such that it has a different adhesion with respect to the substrate, a different adhesion with respect to the second mask structure and / or a different cohesion than the first mask structure outside of first structuring area.
  • the first structuring region may have less adhesion
  • Structuring area This can be the first
  • Structuring region have a higher adhesion to the substrate and a lower adhesion to the second masking structure than the first
  • Structuring area This can be the first
  • Structuring region remain on the substrate when the first masking structure is removed from the substrate.
  • the first structuring region remaining on the substrate thereby forms a positive mask.
  • Masking structure and / or the second masking structure are changed, for example by means of a
  • Laser irradiation for example, focused and / or pulsed.
  • the second structuring region can be or be formed such that the second
  • Structuring region has a different adhesion to the first mask structure, a different adhesion to another mask structure on the second mask structure and / or a different cohesion than the second Mask structure outside the second
  • the first can be any organic compound.
  • the first can be any organic compound.
  • Structuring region be or be formed such that in each case at least one of the mask structure
  • the area singulated in the first mask structure may be after arranging the second
  • Mask structure are surrounded on or above the first mask structure of the first mask structure. Clearly, an area separated from the masking structure may remain in the patterning area on the substrate.
  • the region separated in the first mask structure can serve as a support structure of the second
  • Mask structure are formed, for example, in large-scale first structuring areas in terms of stiffness of the second mask structure.
  • the first structuring region can be formed in such a way that the singulated region in the first mask structure can be removed in a planar manner in one piece.
  • the first structuring region can be or be formed such that two or more identical or different first structuring are formed in the first mask structure, wherein the two or more first structurings are arranged laterally next to each other in the first mask structure and / or
  • the second structuring region may be formed such that two or more identical or different second structurings are formed in the first mask structure and / or the second mask structure, wherein the two or more second ones
  • the first masker structure may be a
  • Position mark have or be formed in the first mask structure or such that the second mask structure and / or the second
  • the forming of the area prepared for forming an opening may comprise at least one of the following methods: scribing, cutting or punching such that at least two each
  • the first mask structure may be or may be configured such that the first
  • Structuring area is removable together with the removal of the second patterning area.
  • the method may further comprise the second patterning region: an application a substance or mixture of substances on the substrate and / or a removal of a substance or substance mixture from the substrate
  • a substance or mixture of substances can be applied to the substrate and / or a substance or
  • the Structuring area is designed as a negative mask.
  • the second structuring region may be formed as a positive mask, so that by means of the second structuring region a substance or substance mixture may be applied to the substrate and / or a substance or substance mixture may be removed from the substrate.
  • the method may further comprise the first structuring region: application of a substance or substance mixture to the substrate and / or removal of a substance or substance mixture from the substrate.
  • a substance or substance mixture can be applied to the substrate through the first structuring region and / or a substance or substance mixture can be removed from the substrate, for example in the case where the first structuring region is formed as a negative mask.
  • the first structuring region is formed as a negative mask.
  • the first structuring region is formed as a negative mask.
  • Structuring region may be formed as a positive mask, so that by means of de first structuring region, a substance or mixture of substances applied to the substrate and / or a substance or mixture of substances can be removed from the substrate.
  • the first mask structure and / or the second mask structure may have a tab, wherein the tab is designed such that the first mask structure and / or the second mask structure can be removed by means of a tensile force on the tab.
  • the method may further include: at least partially removing the second A mask pattern and arranging a third mask pattern on or above the first mask pattern and forming a third patterning area, wherein the third structuring area is different from the second
  • Structuring area can be.
  • the method may further include: arranging a third mask pattern on or over the second mask pattern and forming a third mask
  • Structuring area can be.
  • the method may include arranging a third mask structure, wherein the third mask structure is on or above the first mask structure
  • Mask structure has been at least partially removed, and / or wherein the third mask pattern is applied to or over the second mask structure.
  • the first mask structure and the second mask structure may be arranged as a mask stack on or above the substrate.
  • two or more mask structures may be disposed on or above the first mask pattern.
  • the first mask structure and / or the two mask structures may be reusable
  • Mask structure laterally next to at least one further first mask pattern on or above the substrate are arranged and / or at least a second mask pattern laterally adjacent at least one v / eiteren second mask structure on or over the first or first mask structures
  • At least one of the plurality of first mask structures and / or second mask structures may be different from the other first mask structures and / or second mask structures
  • the first patterning region can be formed such that the first
  • Structuring region has or forms at least one cavity in the first mask structure.
  • a cavity may be a hole.
  • individual areas with respect to the mask structure differ in at least one of the following properties: the hardness, the adhesion with respect to the substrate and / or the other physically connected masking structure, for example a different adhesive
  • the first patterning region can be or be formed such that at a
  • Optoelectronic component of the optically active region is structurable independently of the optically inactive region, for example by mask structures are arranged on or above the optically active region, the
  • the first structuring region can be or be formed such that an electrical connection region can be formed by means of the first structuring region.
  • An electrical connection region can have, for example, one or more contact pads.
  • the second mask structure may have a first or second mask structure before being arranged on or above the first mask structure
  • Structuring area and / or have a prepared area Structuring area and / or have a prepared area.
  • the structuring region and / or the prepared region of the second mask structure may be arranged as a structural region of the second mask before being arranged on or above the first mask structure, after arranging the second mask structure as a second structuring region
  • Structuring area be formed or be
  • the method comprising: forming the first electrode on the substrate; Forming the organic functional layer structure over the first electrode and / or over the substrate; and forming the second one
  • Layer structure is in the structuring area
  • Mask structure may be the first or second mask structure.
  • the coating is applied in a liquid state over the substrate and then, so above the
  • the material can for the first and / or the second mask structure in the liquid state are applied over the substrate.
  • Mask structure can by means of a printing process
  • the coating can be applied finished structured and thus already have the corresponding structuring region during application.
  • only a single mask structure can be applied, for example only the first mask structure or only the second mask structure.
  • only the material of one of the mask structures may be applied in a liquid state, for example only the first mask structure or only the second mask structure, and the material of the other mask structure may be in a conventional process
  • the mask structure may be removed before or after the formation of the second electrode.
  • Mask structure can be removed mechanically. The formation of one or both mask structures as
  • Coating can be printed. Since the
  • Coating, in particular the printed film mask directly on the substrate, the first electrode or the first Masking structure is the lateral definition of the coated areas better, in particular more precise, than with a metallic shadow mask, which is basically brought a short distance in front of the substrate.
  • a metallic shadow mask which is basically brought a short distance in front of the substrate.
  • Bending e.g., due to thermal distortion during coating
  • the metallic mask or substrate which may occur in conventional processes and may result in lateral expansion of the coated area due to the increased distance between the substrate and mask.
  • the shadow cast tends to cause the coated area to flow smoothly, i. to a thickness gradient of the deposited layer at its edge.
  • the coating has a sharp edge when using the printed film mask, as the
  • Coating process were covered by the masking film in direct contact, so that no underdamping is possible.
  • film masks are their flexibility, allowing them to be used on surfaces that are not even.
  • the method enables the structured coating of curved or differently shaped surfaces or 3D bodies.
  • the printed film masks can be applied to an initially flat, flexible substrate and then brought into shape together with it, or be applied directly to a substrate which is already formed.
  • Mask structures since layers of printing processes by means of optical alignment can be regularly positioned with accuracies of a few 10 ⁇ . This allows less stringent design specifications and increases the maximum useable surface area on the substrate, resulting in cost savings through better material utilization.
  • FIGS. 1A, B show schematic cross-sectional views of a
  • FIG. 2 shows schematic representations of a method according to various exemplary embodiments
  • FIGS. 3A-1 are schematic representations of a component in the method according to various embodiments.
  • Figure 4 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figures 5A-C are schematic representations of
  • Figure 6 is a schematic representation of a
  • Figure 7 is a schematic representation of a
  • Figure 8 is a schematic representation of a
  • a masking structure is a sheetlike structure having openings for applying and / or ablating a fabric or composition on / from a substrate exposed within the opening.
  • An editing may be a coating and / or a removal of a substance and / or a mixture of substances on / from the substrate.
  • the first mask structure may include one or more features of one or more embodiments of the second mask structure, and vice versa.
  • a substrate may be used in various embodiments
  • Carrier a mechanical component, an electronic
  • Component for example, be an optoelectronic device, a thermoelectric device and / or an integrated circuit or be formed as such.
  • the substrate may be an intermediate product of one of the mentioned components, which is processed by means of the method according to various exemplary embodiments.
  • a carrier can be changed by means of the method, for example in the visual appearance.
  • an adhesive may include or be formed from one of the following: a casein, a glutin, a starch, a cellulose, a resin, a tannin, a lignin, an organic substance with
  • an adhesive may be used as a hot melt adhesive, for example, a solventborne adhesive
  • Dispersion adhesive a water-based adhesive, a plastisol
  • a polymerization adhesive for example, a cyanoacrylate adhesive, an ethyl methacrylate adhesive, an anaerobic curing adhesive, an unsaturated polyester, a radiation-curing adhesive
  • a polycondensation adhesive f for example, a phenol-formaldehyde resin adhesive, a silicone, a silane-crosslinking polymer adhesive
  • Polyimide adhesive f a polysulfide adhesive; and / or a polyaddition adhesive, for example an epoxy resin adhesive, a polyurethane adhesive, a silicone
  • Pressure-sensitive adhesive have or be formed from it. Furthermore, the adhesive can additionally heat-conducting
  • the thermally conductive particles may include or be formed from one of the following: the carbon nanotubes, diamond, copper, boron nitride,
  • the thermal conductivity of the thermally conductive particles may range from about 28 W / mK to about 6000 W / mK.
  • FIG. 2 shows schematic illustrations of a method 400 according to various embodiments.
  • the method 200 for producing a component comprises arranging a first mask structure on or above a substrate (202),
  • the method 200 includes arranging a second one
  • the first mask structure has a first Structuring area before the second mask pattern is applied to the first mask structure.
  • the first structuring region has an opening and / or an area for preparing an opening. An area prepared for forming an opening can
  • predetermined separation points For example, predetermined separation points, a changed adhesion, a changed cohesion and / or chemical resistance to a solvent with respect to the first mask structure on iron.
  • the method 200 includes forming a second one
  • the patterning region is formed in the first mask pattern such that at least a part of the first patterning region in the first mask pattern is formed outside the second patterning region in the first mask pattern.
  • the first structuring region may be or may be formed at least partially adjacent to the first structuring region.
  • the second patterning region may be formed entirely within the dimension of the first patterning region, wherein the first
  • Structuring area is greater than the second
  • optoelectronic component 400 illustrated (see also description of Fig. 4). Illustrated are, in each case, a plan view of the component and below it
  • optoelectronic component are formed, wherein the optoelectronic component with an optically active
  • the optoelectronic component has a first electrode, a second electrode and an organic functional one
  • the optoelectronic component can be formed for example as an organic light-emitting diode, an organic solar cell and / or an organic photodetector.
  • Optoelectronic component can be formed for example as a surface component.
  • the optoelectronic component is described in greater detail in FIG.
  • a substrate 302 On a substrate 302 is a first electrode 304
  • a pre-structured anode for example of ITO (illustrated in Fig. 3A).
  • a first mask pattern 308 is arranged (illustrated in FIG.
  • the edge of the pre-structured anode is not visible in the plan view of the substrate 302 with the first mask structure 308.
  • the dashed line is intended only for orientation the edge of the first electrode 304
  • Mask structure 308 for example, be self-supporting trained.
  • the first mask pattern 308 may be disposed on or over the substrate 302, for example in the form of a foil, a plate or a sheet.
  • the first mask structure 308 may be an adhesive layer on iron and bonded by means of the adhesive layer to the substrate 302, for example as a self-adhesive
  • Mask structure 308 are formed as a coating on or over the substrate 302, for example, removable in one piece.
  • the first mask pattern 308 may comprise or be formed from a polymer, for example a polyolefin, for example a polyethylene or a polypropylene, a polyimide, a polyvinyl alcohol, a polyacrylate and / or a polyethylene terephthalate, a polysilicone
  • a polymer for example a polyolefin, for example a polyethylene or a polypropylene, a polyimide, a polyvinyl alcohol, a polyacrylate and / or a polyethylene terephthalate, a polysilicone
  • the first mask structure 308 may comprise or be formed from a bio-based material, for example a
  • Mask structure 308 may be formed as a laminate
  • the first mask structure 308 may comprise or be formed from a metal, for example according to one of the embodiments of the carrier 302, 402 of FIG
  • optoelectronic component for example in the form of a metal foil, for example an aluminum foil.
  • the first mask structure 308 may include a plurality of first ones
  • the arranging of the first mask pattern 308 may include arranging a plurality of mask structures side by side, for example, a plurality
  • the first mask pattern 308 may be disposed in physical contact with the substrate 302, for example by means of a
  • the first mask structure 308 may be mounted in a holder over the Substrate 302 are arranged, for example in one
  • the holder may, for example, rest on the substrate, wherein a distance may be formed between the substrate 302 and the first mask structure 308.
  • Structured region 310 may be formed and / or be, wherein the first structuring region 310 may have one or more structurings 310A, B.
  • the structurings 310A, B may have different shapes and / or dimensions and / or different functional
  • Component be arranged, for example via the
  • Structuring region 310 may be at least partially formed in the first mask pattern 308 before the first
  • Mask structure 308 is disposed on or above the substrate 302. For example, nominal separation points,
  • a surface modification may, for example, a
  • the first mask pattern 308 may be patterned on or over the substrate 302 in the form of a coating, or may be formed such that a first patterning area 310 is formed after curing and / or crosslinking of the coating.
  • Structuring region 310 are at least partially formed in the first mask structure 308, after the first
  • Mask structure 308 is disposed on or above the substrate 302 (illustrated in Fig. 3 C).
  • a structuring 310A, B introduced or formed, which, for example, two incoherent, that is isolated or
  • Forming the first patterning region 310 may include forming at least one of the following patterns 310A, B in the first mask pattern 308: a hole, a desired separation element, a ring structure.
  • Structuring region 310 may be configured to have a different adhesion with respect to
  • Substrate 302 a different adhesion to the second mask structure and / or a different cohesion than the first mask structure 308 outside the first
  • Structuring region 310 for example, a different solubility with respect to a solvent or a different adhesive force.
  • the first one is a different solubility with respect to a solvent or a different adhesive force.
  • Structuring region 310 may be formed such that two or more of the same or different first structuring 310A, B are formed in first mask structure 308, the two or more first
  • Structures 310A, B are arranged laterally next to one another in the first mask structure 308 and / or where
  • At least two of the first patterns 310A, B partially overlap in the first mask pattern 308.
  • the area singulated in the first mask pattern 308 may be removed from the first mask pattern 308,
  • the first mask structure 308 may be a
  • Film mask 308 and at least one of the film segments 310A, B of the film mask 308 are mechanically removed so that at least one macroscopic open area results in the mask film 308 (illustrated in FIG. 3C).
  • the altered properties described above in the structuring region (s), for example the altered ones Solubility or adhesion, may / may be used accordingly to remove the structured and / or scattered area. For example, dissolution of the singulated area or heating of the substrate, wherein the singulated area with reduced adhesive strength loses its adhesion to the substrate earlier and thereby can "fall off" than the
  • the area in the patterning area which is singled out in the first mask structure 308 may also be after the
  • Patterning remain in the first mask pattern 308 and are removed only with or after the removal of a previously applied second mask pattern.
  • the region isolated in the first mask structure 308 may be surrounded by the first mask structure 308 after arranging the second mask structure on or above the first mask structure 308, for example laterally. The one in the first
  • Mask structure 308 isolated area can characterized as
  • the first patterning region 310 may be formed such that the singulated region in the first
  • Mask structure 308 can be removed in one piece surface, for example mechanically by means of an adhesive film or a tab on the masking structure.
  • a second mask structure 312 is arranged on or above the first mask structure 308
  • the second mask structure 312 may, according to one of the embodiments of the first mask structure 308 described above
  • the first mask pattern 308 may include or may be formed in the first mask pattern 308 such that the second mask pattern 308 may be formed in the first mask pattern 308 instead of the first mask pattern 308 312 and / or the second structuring region can be aligned on the basis of the position marking with respect to the first masking structure and / or the first structuring region.
  • the first mask pattern 308 and the second mask pattern 312 form a mask double structure, also referred to as a mask pattern stack. With more than two mask structures, the mask double structure can also be referred to as a mask multiplication structure.
  • the mask double structure can also be referred to as a mask multiplication structure.
  • Mask double structure may also be referred to as Folienmaskendoppelschlicht.
  • a second structuring step for example, a second film patterning step
  • This structuring is formed as a second structuring region 314 at least partially in the first mask structure 308 and at least partially in the second mask structure 312.
  • Structuring area can according to one of the above
  • Mask double structure can be formed.
  • the part of the second structuring region 314 of the second mask structure 312 can, for example, be mechanically removed from the second mask structure, for example with a gripper, tweezers or vacuum tweezers, so that at least one opening is formed in the mask double structure
  • Segmented double mask structure ie from each other different areas, i.e. segments, are formed in the mask double structure, for example the opening 314 and the second mask structure 312.
  • the second patterning area 314, which is hot is hot
  • the open areas defined in the second film patterning step in the mask double structure may have multiple patterns.
  • Structures of the second patterning region 314 may be located at locations other than those
  • Structuring 310A, B For example, openings that are formed only in the first mask pattern 308.
  • patterning sections 314 may also partially or completely overlap the first patterns 310A, B.
  • the entire overlap can be individual
  • Structures 310A, B of the first patterning section 310 lie completely within the second patterning section 314.
  • Patterning sections 314 may be overlapped
  • Structuring 310A, B of the first Struktur einsbereiehes 310 are removed with the second structuring region 314. This allows, for example, individual
  • Mask structure 308 were removed and not by means of the second mask structuring step, that is As an alternative to structuring the first mask structure 308 and the mask double structure on the substrate 302, both mask structures 308, 312 or only the second one can also be used as voids under the second mask structure 312 in the mask double structure
  • Substrate 302 for example, before application to the
  • Substrate 302 with open areas or prepared
  • Areas, such as perforations be prestructured.
  • only the second mask pattern 312 may be patterned or patterned over the substrate prior to deposition, and the first mask pattern 308 may be patterned after application to the substrate.
  • Mask structure 312 already present in the first mask structure 308 as open areas or be prepared
  • Adhesion and / or cohesion with respect to the mask structure Adhesion and / or cohesion with respect to the mask structure.
  • a first processing step of the substrate 302 for example a coating step and / or
  • the first layer 316 may be, for example, an organic functional layer structure 316 - see also description of FIG. Vividly the
  • the second mask structure 312 can be mechanically removed, another mask structure can be arranged on or above the second mask structure 312, or a further mask structure can be arranged on or above the first one
  • Mask structure 308 are arranged after the second mask pattern 312 has been removed.
  • the second mask structure 312 may be mechanically removed, such as with a pair of tweezers or a gripper, such as a vacuum tweezers.
  • the applied first layer 316 i. the deposited material thus remains on the areas of the substrate 302 corresponding to the open areas 314 of the mask double structure (illustrated in Fig. 3G).
  • the substrate 302 may be coated with the remaining first mask pattern 308 with a second material or stack of material (illustrated in FIG. 3H).
  • a second layer 318 may be applied to or over the first layer 316 and / or the substrate 302 in the first structure extension region 310.
  • the second layer 318 may, for example, be a second electrode 318, for example a specular upper electrode, also referred to as a top electrode; - See also description of Fig.4.
  • Substrate 302 remain; a new second mask pattern 312 is removed mechanically on or above the first one
  • Masking structure 308 may be arranged or a new first mask pattern may be arranged on or above the first substrate 302 with first layer 316 and second layer 318 after the first mask pattern 308 has been removed.
  • the first mask structure 308 may be removed mechanically, such as with a pair of tweezers or a gripper, such as a vacuum tweezers.
  • the second layer 318 may be formed, for example, on the areas of the substrate 302 defined by the open areas 310A, B of the first masking structure 308 (illustrated in FIG. 31).
  • This can, for example, a optically active region 322 are formed, wherein the region next to the optically active region is optically 322 inactive.
  • the ontaktpads 320A, 32B0 may be formed for external electrical connection of the organic functional layer structure 316.
  • the second layer 318 and the first layer 316 in particular in the region of the edges 324 of the layers 316, 318, can have an alignment of the alignment, for example an auto-alignment.
  • the first processing step may be application and / or removal of a single coating with / of a single material, or multiple coatings
  • a material stack can be formed, for example the organic functional layer structure 312 in an organic light-emitting diode.
  • Processing step comprise applying and / or removal of a single layer or multiple layers, for example, forming a multilayer cathode of an organic light emitting diode.
  • Substrate 302 applied and / or removed »
  • Releasable adhesive film with relatively low adhesive force for example, as they are commercially available from suppliers such as Kimoto, Tesa, 3M. These films are usually made of a polymeric base material, such as PET, with an adhesive coating, such as a
  • the structuring of the first mask structure and the second mask structure for example by means of cutting the Masking films, when forming the first
  • the mechanical removal of regions of the mask structures from the structuring regions can be automated or manual, for example, peeling off
  • Film segments to form open areas in the first mask pattern or in the mask double structure can be gripped with tweezers or a mechanical gripper or lifted off with a vacuum tweezers,
  • Mask structure after the respective processing step can be done "inline", so automated within the
  • the areas of the mask structure to be removed for example, can be lifted off automatically with a vacuum tweezers.
  • Mask structures are provided before lamination to the substrate 302 with tabs on which a robot gripper arm, the mask structure (s) of. Substrate 302 can deduct. As a result, the macroscopic mask structures and / or the region of the mask structures to be removed can be removed mechanically in a technically simple manner, so that
  • the process of film mask removal can be carried out "inline" in an automated manner
  • Mask structures which are arranged in holders above the substrate and / or one above the other, can be produced by means of a
  • Mask structure that is, the adhesive forces, should be set so that the second mask pattern is removable from the first mask pattern.
  • the first mask structure with a first adhesive with the first mask structure should be set so that the second mask pattern is removable from the first mask pattern.
  • the second adhesive should have a lower
  • Adhesive forces are commercially available, for example Kimoto's "Prosave EP” adhesive film series, which is commercially available in three different adhesion embodiments: LS75 at 0.06 N / 25mm, MS75 at 0.103 N / 25mm, and HS75 at 0.89N
  • an adhesive film may be used which loses its adhesion force upon exposure to temperature or special illumination, for example by UV irradiation, lase warming, in which case the substrate may be heated after the first coating step or illuminated, so that the second mask structure loses its adhesive force and "falls off" from the substrate 302.
  • the same principle can also be used to detach the first mask structure. In this case, it should be noted that the adhesive of the first mask structure loses its adhesive force only at a higher energy input than the adhesive of the second one
  • Mask structure and / or loses its adhesion by means of another mechanism for example by means of UV light with a different wavelength or a temperature entry instead of UV
  • An adhesive can be one
  • the adhesive force of an adhesive on PET of the first mask film may be less than that Adhesive force of this adhesive on the substrate, for example glass with ITO.
  • Such a treatment can be, for example, applying a silicone, thiol, silane or fluoropolymer layer on the film surface of the
  • the second adhesive should have a greater adhesive force in the region of the region of the first structuring region to be removed than the first adhesive.
  • the first adhesive and / or the second adhesive may be formed or be such that the adhesive force is locally variable by means of an external impact.
  • the adhesive can be crosslinked or degraded (depending on the specific embodiment of the adhesive).
  • a UV irradiation or a temperature input for example a UV flash lamp or a laser irradiation
  • the adhesive can be crosslinked or degraded (depending on the specific embodiment of the adhesive).
  • Crosslinking of adhesive molecules can lead to an increase in the adhesive force, and a degradation to a separation of adhesive molecules, whereby the
  • Adhesive force can be reduced.
  • FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component according to various
  • the optoelectronic component 400 may be partially or completely formed by method 200 according to one of the above be described embodiment or be.
  • the optoelectronic component 400 can be used to record and / or provide electromagnetic radiation
  • an electrical energy is generated from a recorded electromagnetic radiation and / or a e1ektromagnetician radiation is generated from a provided electrical energy.
  • the optoelectronic component 400 may be formed as an organic light emitting diode 400, an organic photodetector 400 or an organic solar cell.
  • An organic light emitting diode 400 may be formed as a top emitter or a bottom emitter. In a bottom emitter, light is emitted from the electrically active region through the
  • Carrier emitted.
  • light is emitted from the top of the electrically active region and not by the carrier.
  • a top emitter and / or bottom emitter may also be optically transparent or optically translucent, for example, any of those described below
  • Layers or structures may be transparent or translucent.
  • the optoelectronic component has a hermetically sealed substrate 302, an active region 406 and a
  • Encapsulation structure 410 on.
  • the active area is an electrically active area
  • the active region is, for example, the region of the optoelectronic component 400 in which electrical current is used to operate the
  • the hermetically sealed substrate 302 may include the carrier 402 and a first barrier layer 404.
  • the electrically active region 406 may include a first electrode 304, an organic functional layer structure 312, and a second electrode 318.
  • the organic functional layer structure 312 may include a first organic functional layer structure unit 416, an intermediate layer 418, and a second organic layer structure
  • the organic functional layer structure 406 may be one, two or more functional layered structure units and one, two or more intermediate layers between the
  • the encapsulation structure may include a second barrier layer 408, a coherent interconnect layer 422, and a second barrier layer 408
  • the carrier 402 may be glass, quartz, and / or a
  • the carrier may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may contain one or more polyolefins
  • the plastic can be polyvinyl chloride (PVC),
  • the carrier 402 may comprise or be formed from a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound, for example steel.
  • the carrier 402 may be translucent or even transparent.
  • the carrier 402 may be part of or form part of a mirror structure.
  • the carrier 402 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed in such a way.
  • the carrier 402 may be formed as a waveguide for electromagnetic radiation, for example, be transparent or translucent with respect to the emitted or
  • the first barrier layer 404 may comprise or be formed from one of the following materials:
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and
  • the first barrier layer 404 can by means of one of
  • Atomic layer deposition Atomic Layer Deposition (ALD)
  • ALD Atomic layer deposition
  • PALD Physical Light Deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • Layer sequence which has only ALD layers can also be referred to as "nanolaminate ⁇ .
  • Partial layers may have one or more
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the first barrier layer 404 may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm
  • a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm for example, a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment
  • the first barrier layer 404 may be one or more
  • having high refractive index materials for example one or more high refractive index materials, for example having a refractive index of at least 2.
  • Barrier layer 404 can be omitted, for example, in the event that the carrier 402 hermetically sealed
  • the first electrode 304 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 304 may include or be formed from one of the following electrically conductive material: a metal; a conductive transparent oxide (TCO); a network of metallic
  • Nanowires and particles for example of Ag, which are combined, for example, with conductive polymers;
  • the first electrode 304 made of a metal or a metal may comprise or be formed from one of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials ,
  • the first electrode 304 may be one of the following as a transparent conductive oxide
  • zinc oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide ⁇ ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide ⁇ ITO.
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide ⁇ ITO.
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide ⁇ ITO.
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 or 1 ⁇ 03 also include ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn 2 SnO 4, CdSnO 3, ZnSnO 3, Mgln 2 ⁇ 4,
  • Galn03 Zn 2 In2 ⁇ s or I ⁇ SnßO ⁇ or mixtures
  • Embodiments are used. Farther
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and can furthermore be p-doped or n-doped, or hole-conducting (p-TCO) or electron-conducting (n-TCO).
  • the first electrode 304 may be a layer or a
  • the first electrode 304 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium-tin oxide
  • ITO-Ag-ITO multilayers Silver layer deposited on an indium-tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers,
  • the first electrode 304 may, for example, have a layer thickness in a range from 10 nm to 500 nm,
  • nm for example, from less than 25 nm to 250 nm, for example from 50 nm to 100 nm.
  • the first electrode 304 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be provided by a power source (not shown), such as a power source or a voltage source.
  • the first electrical potential may be applied to an electrically conductive carrier 402 and the first electrode 304 may be indirectly electrically supplied by the carrier 402.
  • the first electrical potential can be provided by a power source (not shown), such as a power source or a voltage source.
  • the first electrical potential may be applied to an electrically conductive carrier 402 and the first electrode 304 may be indirectly electrically supplied by the carrier 402.
  • the first electrical potential can be provided by a power source (not shown), such as a power source or a voltage source.
  • the ground potential for example, the ground potential or another
  • FIG. 4 shows an optoelectronic component 400 having a first organic functional layer structure unit 416 and a second organic functional one
  • Layer structure unit 420 shown.
  • Layer structure 312 but also have more than two organic functional layer structures, for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example 15 or more, for example 70.
  • the first organic functional layer structure unit 416 and the optional other organic functional layer are described in detail.
  • Layer structures may be the same or different, for example a same or different have different emitter material.
  • the second organic functional layer structure unit 420, or the other organic functional layer structure units, may be one of those described below
  • Layer structure unit 416 may be formed.
  • the first organic functional layer structure unit 416 may be a hole injection layer, a
  • one or more of said layers may be provided, wherein the same layer may have a physical contact, may only be electrically connected to each other or even electrically isolated from each other, for example, may be arranged side by side. Individual layers of said layers may be optional.
  • a hole injection layer may be formed on or above the first electrode 304.
  • the Lochinj edictions Mrs may include one or more of the following materials or may be formed from: HAS-C, Cu (1 ⁇ pFBz, MoO x, WO x, X V0, ReO x, F4-TCNQ, DP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc, NPB (N, N * -bis (naphthalen-1-yl) -N, N 1 -bis (phenyl) -benzidine), beta-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalene-2 -yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine), - TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); Spiro TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis
  • the hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • the hole can be a
  • Hole transport layer may be formed.
  • Hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); TPD
  • ⁇ ',' tetra-naphthalen-2-yl benzidine a tertiary amine
  • carbazole derivative a conductive polyaniline and / or
  • the hole transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm,
  • nm for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Functional layer structure units 416, 420 may each have one or more emitter layers
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric
  • the optoelectronic component 400 may be in a
  • Emit e layer comprise or be formed from one or more of the following materials: organic or
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and also metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis ⁇ 3, 5 -difluoro-2 - ( 2-pyridyl) phenyl - (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium III), red phosphorescent Ru (dtb-bpy) 3 * 2 (PFg) (tris [4,4'-di-tert-butyl- (2,2 ') bipyridine] ruthenium (III) complex ⁇ as well as blue fluorescent DPAVBi (4, 4-bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl), green fluorescent
  • fluorescent DCM2 (4-dicyanomethylene) -2-methyl-6-glolidolidyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter.
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitter are used, which can be deposited, for example by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • a wet chemical process such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material, for example one
  • Emitter layer 434 have a layer thickness in one
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • Emitter layer have multiple sub-layers that emit light of different colors. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • a converter medium in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits a secondary radiation of other wavelengths, so that a white color impression results from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation.
  • the organic functional layer structure unit 416 may include one or more electroluminescent layers
  • the organic functional layer structure unit 416 may include one or more emitter layers configured as an electron transport layer.
  • Be formed electron transport layer for example, be deposited.
  • the electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials: NET- 18; 2, 2 ', 2 "- (1, 3, 5-benzinetriyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazoles); 2- ⁇ 4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylpheny1) -1,3 , 4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthroline (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3, 5-diphenyl-4H- l, 2, triazoles; 1,3-bis [2- (2, 2 1 -bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1, 10-phenanthrolines (BPhen); 3- (biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylpheny1,1,
  • Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides
  • Perylenetetracarboxylic dianhydride or its iridesides fabrics based on siloles with a
  • the electron transport layer may have a layer thickness
  • a compound having the following properties for example in a range from about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • a compound having the following properties for example in a range from about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Electron injection layer may be formed.
  • An electron-depository layer may include or be formed from one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, Cs 2 C0 3 , CS 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;
  • the electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example, in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • the second organic functional layer structure unit 420 may be formed above or next to the first functional layer structure units 416. Between the organic functional
  • Layer structure units 416, 420 may be one
  • Intermediate layer 418 may be formed.
  • the first layer 418 may be formed.
  • An intermediate electrode 418 may be electrically connected to an external voltage source.
  • the external voltage source 11e may have, for example, a third electrical potential at the intermediate electrode 418
  • the intermediate electrode 418 can also have no external electrical connection,
  • the intermediate electrode having a floating electrical potential.
  • Intermediate layer 18 may be formed as a charge carrier pair generation layer structure 418 (a so-called charge generation layer CGL).
  • a charge carrier pair generation layer structure 418 (a so-called charge generation layer CGL).
  • Generation layer structure 418 may include one or more electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and one or more hole-conducting charge carrier pair generation layer (s).
  • the electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) may each be formed of an intrinsically conductive substance or a dopant in a matrix.
  • the charge carrier pair generation Layer structure 418 should be formed in terms of the energy levels of the electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) such that at the interface of an electron-conducting layer
  • Charge pair generation layer with a hole-conducting charge carrier pair generation layer can be a separation of electron and hole.
  • the charge carrier pair generation layer structure 418 may have an interlayer structure between adjacent layers which acts, for example, as a diffusion barrier.
  • Layer structures may be provided a respective charge carrier pair generation layer structure.
  • Each organic functional layers structure unit 416, 420 may for example have a layer thickness of not more than about 3 ⁇ ⁇ ⁇ , for example, a maximum thickness of about 1 ⁇ , for example, a maximum thickness of approx hr 3 00 nm.
  • the optoelectronic device 400 can optionally further organic have functional layers, for example, arranged on or over the one or more
  • the further organic functional layers can be, for example, internal or external coupling / decoupling structures, which are the
  • the second electrode 318 may be formed on or above the organic functional layer structure 312 or optionally on or above the one or more further organic functional layers.
  • the second electrode 318 may be formed according to any of the configurations of the first electrode 304, wherein the first electrode 304 and the second electrode 318 may be the same or different.
  • the second electrode 318 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode, or as a cathode, that is, as a cathode
  • the second electrode 318 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential may be from the same or another source of energy
  • the second electrical potential may be different from the first electrical potential and / or the optional third electrical potential.
  • the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.
  • the second barrier layer 408 may also be referred to as
  • Thin-layer encapsulation may be referred to.
  • Barrier layer 408 may be formed according to any of the embodiments of first barrier layer 404.
  • Barrier layer 408 can be dispensed with.
  • the optoelectronic component 400 may, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a second barrier layer 408 may be optional, for example a cover 424, for example one
  • Cavity glass encapsulation or metallic encapsulation Furthermore, in various embodiments
  • one or more input / output coupling layers may be formed in the optoelectronic component 400, for example an external outcoupling film on or above the carrier 402 (not shown) or an internal one
  • Decoupling layer (not shown) in the layer cross section of the optoelectronic component 400.
  • the input / output coupling layer can be a matrix and distributed therein
  • Refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided is provided. Furthermore, in various embodiments additionally one or more of
  • Antireflection layers for example, combined with the second barrier layer 408) in the optoelectronic
  • Component 400 may be provided.
  • a conclusive one may be on or above the second barrier layer 408
  • Connection layer 422 may be provided, for example, an adhesive or a paint.
  • a cover 424 can be connected in a conclusive manner to the second barrier layer 408, for example by gluing.
  • the conclusive connection layer 422 may be transparent or translucent.
  • transparent material can be particles
  • the coherent interconnection layer 422 can act as a scattering layer and improve the Parbwinkelverzugs and the
  • Dielectric scattering particles may be provided as light-scattering particles, for example from a
  • Metal oxide for example silicon oxide (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO ⁇ ), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide ⁇ Ga 2 O x ) aluminum oxide, or titanium oxide.
  • Other particles may also be suitable, provided that they have a refractive index different from the effective refractive index of the matrix of the coherent bonding layer 422, for example air bubbles, acrylate, or glass bubbles.
  • metallic oxide for example silicon oxide (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO ⁇ ), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide ⁇ Ga 2 O x ) aluminum oxide, or titanium oxide.
  • Other particles may also be suitable, provided that they have a refractive index different from the effective refractive index of the matrix of the coherent bonding layer 422, for example air bubbles, acrylate, or glass bubbles.
  • metallic oxide for example
  • Nanoparticles metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • the coherent compound layer 422 may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ , for example a
  • the interlocking tie layer 422 may include or be a lamination adhesive.
  • the coherent connection layer 422 may be so
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • the adhesive may also be a high refractive adhesive, for example
  • SiN for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ⁇ , for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ to electrically unstable materials
  • a cohesive interconnect layer 422 may be optional, for example, if the cover 424 is formed directly on the second barrier layer 408, such as a glass cover 424 formed by plasma spraying.
  • gettering layer or getter structure i. a laterally structured getter layer (not shown).
  • the getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the electrically active region 406.
  • a getter layer may include or be formed from a zeolite derivative.
  • the getter layer can be
  • the getter layer may have a layer thickness of greater than about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of several ⁇ .
  • the gettering layer may include a lamination adhesive or may be embedded in the interfacial tie layer 422.
  • a cover 424 can be formed on or above the interlocking connection layer 422.
  • the cover 424 may be connected conclusively by means of the coherent connection layer 422 with the electrically active region 406 and protect it from harmful substances.
  • the cover 424 may, for example, a glass cover 424, a
  • Plastic film cover 424 be.
  • the glass cover 424 may be provided, for example, by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding using a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component 400 with the second barrier layer 408 or the electrically active region 406 be connected conclusively.
  • the cover 424 and / or the integral interconnect layer 422 may have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55 on iron.
  • FIGS. 5A-C show schematic representations of FIG
  • Embodiments of optoelectronic components are provided.
  • Light-emitting diode as an optoelectronic component 400
  • Area structured v / earth such that information can be displayed, for example, an ideogram, a pictogram and / or a font; a peephole, a window and / or a naturalschauöf opening.
  • the organic light emitting diode 400 may include a sheet-like optically active region 502.
  • the planar optically active region 502 may be in the form of a bottom or top Emitter OLED is formed and in the optically active
  • Encapsulation structure (410 - see Figure 4).
  • isolated lighting or design surfaces 502, 506, 508 are formed (illustrated in Fig.5B and
  • Fig.5C for example circular and / or annular.
  • Such structures have a common cathode by conventional lithography techniques. That is, the control whether a luminous area 502, 506, 508 is operated or not carried out only by means of the Regge the anode.
  • Luminous function with other functions of the optoelectronic component such as touch sensors (touch sensors) for switching on or off the luminous surfaces. Additional structuring of the cathode is only possible in a range of up to 5 mm with conventional methods
  • a method for producing a component is provided, with which it is possible to apply the lateral structuring of a plurality of stacked functional thin layers to a substrate during their deposition, for example in one
  • Metal shadow mask is required, but only the programming of the film cutting tool, such as a Schneidpiotters needs to be adjusted. Since the film mask can be located directly on the substrate, the lateral definition of the coated areas is better than with a metallic shadow mask, which is low in color
  • Masking films make it technically easier to use OLED designs in which luminous OLED surfaces lie within other OLED areas (for example concentric rings) or in which a luminous area encloses a non-luminous, non-coated area, eg an OLED with a peephole, a window, a window
  • film masks Another advantage of film masks is their flexibility, allowing them to be used on surfaces that are not even. Thus, a structured
  • the mask foils can be applied to an initially planar, flexible substrate and then brought into shape together with the latter, or be applied directly to a substrate which has already been formed.
  • the first, lower film mask is simultaneously structured. Areas that are coated in the first coating step, by the second, upper film mask with material, can also in the second
  • Layers can thus be formed automatically in perfect registration, i. it can be in the case of OLED with
  • the film masks can only be segmented.
  • the open areas can then be created by removing whole pieces of film from the substrate
  • Component encapsulation can be adversely affected.
  • Coating be applied to the substrate, for example by gluing the adhesive sheets and their structuring. It can be in the lower, first
  • Mask structure partially be exposed areas other than in the upper, second mask structure. This allows one Coating of different regions of the substrate in the individual coating steps.
  • the upper second mask structure can be removed mechanically by means of peeling, for example in-line
  • Coating process plant which replaces a mask change in a conventional process. This avoids the problems resulting from the use of multiple individual film masks in conventional processes.
  • the substrate would be taken out of the coating installation and provided with the second film mask, which would result in degradation, contamination and
  • Damage to the first deposited material can cause, for example, the organic functional
  • Layer structure in an organic light emitting diode Removing the top film mask in-line in the process can potentially be done faster than switching from conventional metallic shadow masks, which could save process time in the coating and thus increase tact.
  • Substrate 302 are formed.
  • the first mask pattern 308 is in particular formed such that the first patterning area 310 is the first electrode 304 overlaps.
  • the first mask structure 308 may first be applied over the entire area and subsequently patterned, or the first mask structure 308 may be applied in a structured state.
  • the first mask structure 308 is applied to the substrate 302 as a coating, in particular in the liquid state. In particular, the material of the coating is applied to the substrate 302 in the liquid state. The coating is cured and / or dried over the substrate 302, whereby the first
  • Mask structure 308 is formed.
  • FIG. 6 shows a cross-sectional view (306) of FIG
  • the second mask pattern 312 is called
  • Mask structure 308 applied and then cured over the substrate 302 and / or dried.
  • the second mask structure 312 is applied as a full-area coating over the first electrode 304 and the first mask structure 308.
  • Mask structure 308 are with the material of the second
  • Mask structure 312 filled as this is applied in a liquid state and flows into the structuring 310A, 310B,
  • Fig. 7 shows a cross-sectional view ⁇ 306) of
  • FIG. 8 shows a cross-sectional view (306) of FIG
  • the organic functional layer structure 316 is formed over the first electrode 304 and / or over the substrate 302 and over the second mask pattern 312. In particular, the organic functional layer structure 316 is formed in the second patterning region 314.
  • the organic functional layer structure 316 is formed in the second patterning region 314.
  • Coating applied in the liquid state and subsequently cured or dried can alternatively be carried out as a single-mask process.
  • a single-mask process For example, in the one-mask process, only a single one of the two can
  • Mask structures 308, 312 are formed and used, however, one of the mask structures 308, 312 is always first removed before the other of the mask structures 308, 312 is formed. Alternatively, while two or more mask structures 308, 312 may be formed, they are not used and / or used simultaneously or in conjunction.
  • the printed film masks that is, the mask structures 308, 312
  • the mask structures 308, 312 can be printed before the beginning of the Coating process in which the organic functional layer structure 316 is formed, are applied to the substrate 302.
  • first masking film ie the first mask structure 308
  • partially different areas are exposed than in the upper, second masking film, ie the second mask structure 312.
  • the first structure area 310 other areas may be exposed than in the second structure area 314. This allows this
  • the coating (s) may, for example, by means of a printing process, for example by screen printing,
  • the coatings in particular the material of the coatings, for example by means of
  • Energy input in particular by means of UV exposure, be crosslinked.
  • the material is preferably selected so that it forms a low crosslinking with the material on which it is applied.
  • the material is preferably so
  • the material of the coatings (s) and the corresponding mask structure 308, 312 may, for example, comprise or consist of a plastic, for example acrylate, silicone and / or rubber.
  • the material may be a UV-curable high-viscosity silicone.
  • Coatings are formed on top of each other, separating layers can optionally be applied therebetween, or the materials of the coatings can optionally be chosen such that the two mask structures 308, 312 do not crosslink with one another. This allows the following
  • Mask structures 308, 312 are independently removed become.
  • Coating should be chosen so that it after one off
  • the coatings and the mask patterns 308, 312 formed therefrom, in particular the printed film masks, can be formed during application by a structured printing process with open pattern regions 310, 314, through which the substrate 302, the first
  • Electrode 304 or, in the case of the second mask pattern 312, the first mask pattern 308 can be coated. This is advantageous over a conventional method in which the open areas directly in the first
  • unstructured masking film must be formed, whereby the masking film is patterned, in particular when and the laser ablation is used for the
  • Component encapsulation can be adversely affected.
  • Foil mask ie the second mask structure 312,
  • Coating step must be retrieved from the coating system and provided with the second film mask, whereby the degradation, contamination and / or damage of the first deposited material, in particular the first organically functional layer structure 316, can be avoided or at least minimized.
  • Foil mask inline in the process can generally be done faster than a change from conventional metallic shadow masks, which can save process time and increase tact,

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Anordnen (202) einer ersten Maskenstruktur (308) auf oder über einem Substrat (302); Anordnen (204) einer zweiten Maskenstruktur (312) auf oder über der ersten Maskenstruktur (308), wobei die erste Maskenstruktur (308) einen ersten Strukturierungsbereich (310) aufweist, bevor die zweite Maskenstruktur (312) auf die erste Maskenstruktur (308) aufgebracht wird, wobei der erste Strukturierungsbereich (310) eine Öffnung und/oder einen zum Ausbilden einer Öffnung vorbereiteten Bereich aufweist; und Ausbilden (206) eines zweiten Strukturierungsbereiches (314) in der ersten Maskenstruktur (308) und in der zweiten Maskenstruktur (312) derart, dass wenigstens ein Teil des ersten Strukturierungsbereiches (310) in der ersten Maskenstruktur (308) außerhalb des zweiten Strukturierungsbereiches (314 ) in der ersten Maskenstruktur (308) ausgebildet wird.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes bereitgestellt.
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,
beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light
emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete
Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle. Ein organisches optoelektronisches
Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen funktionellen
Schichtensystem dazwischen aufweisen. Herkömmlich ist die Anode oder die Kathode aus einem Metall gebildet. Das
organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen
elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten
(„Charge generating layer", CGL) zur
Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer
Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" - HTL ) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) {„ electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten. Einzelne Schichten einer OLED können herkömmlichen mit unterschiedlichen Verfahren ausgebildet werden,
beispielsweise mittels einer Gasphasenabscheidung oder nasschemischen Verfahren. Beim Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes werden einzelne Schichten des optoelektronischen Bauelementes herkömmlich nacheinander über einem Substrat ausgebildet, beispielswiese abgeschieden. Die Schichten können während des Abscheidens oder anschließend lateral strukturiert werden. Schichten werden lateral strukturiert , um, beispielsweise in einem funktionellen Dünnschichtsystem, unterschiedliche
Schichten des funktionellen DünnschichtSystems auf teilweise unterschiedliche laterale Bereiche des Substrats
aufzubringen .
Bei einem lateralen Strukturieren mehrerer gestapelter dünner funktionaler Schichten während ihrer Abscheidung auf ein Substrat , können die lateralen S rukturierungsverfahren der mehreren Schichten sich gegenseitig stören . Beispielsweise können das laterale Strukturieren der organischen
funktionellen Schichtenstruktur und das Strukturieren der metallischen To -Elektrode einer OLED während einer
physikalischen Gasphasenabscheidung dieser Schichten sich gegenseitig stören. Beim Herstellen einer herkömmlichen OLED ist es notwendig, die organische funktionelle
Schichtenstruktur und die Kathode bei teilweiser Überlappung in lateral verschiedenen, definierten Bereiche auf dem
Substrat aufzubringen . Dazu wird das Substrat während einer inhärent unstrukturierten physikalischen Gasphasenabscheidung so maskiert , d.h. „abgeschattet" , dass die abgeschiedenen Materialen nur in den mittels der durchlässigen Bereiche der Maske vorgesehenen Bereiche auf dem Substrat abgeschieden werden . Zum Strukturieren von Schichten während der
physikalischen Gasphasenabscheidung werden, insbesondere beim Herstellen von OLEDs , herkömmlich metallische Schattenmasken verwendet . Die metallischen Schattenmasken 104 werden dicht vor dem zu beschichtenden Substrat 102 angeordnet
(dargestellt in Fig.lA). Die Schattenmaske 104 weist eine
Öffnung auf , durch die eine Beschichtung 106 auf das Substrat 102 aufgebracht wird. Anschaulich schattet die Schattenmaske 104 im Bereich ohne Öffnung das Substrat 102 während des Ausbildens der Beschichtung 106 vor einem
Beschichtungsauftrag ab . Die Schattenmaske 104 wird in herkömmlichen Verfahren über dem Substrat 102 angeordnet, so dass die Schattenmaske 104 und das Substrat 102 keinen körperlichen Kontakt aufweisen . Dadurch passiert es, dass beim Beschichten des Substrates 102 im Halbschatten an den Kanten der Öffnung der Schattenmaske 104 auf dem Substrat 102 im eigentlich abgeschatteten Bereich des Substrates 102 eine Beschichtung 106 ausgebildet wird {gekennzeichnet mittels der Einkreisung mit dem Bezugszeichen 108) , Das Herstellen und Verwenden metallischer Schattenmasken ist ein relativ
kostenintensiver Prozess, Das Herstellen metallischer
Schattenmasken kann sich als aufwendig erweisen,
beispielsweise ein Laserschneiden und/oder ein nasschemisches Herstellen mit einem Photolackbeschichten, einem
photolithographischen Strukturieren und einem anschließendem Ätzen aufweisen. Weiterhin können die metallischen
Schattenmasken während der physikalischen
Gasphasenabscheidung beschichtet werden. Die metallischen Schattenmasken werden daher herkömmlich oft von diesen „Belägen" gereinigt und regelmäßig ersetzt. Um mehrere
Beschichtungsschritte vornehmen zu können, in denen
unterschiedliche Bereiche beschichtet werden, werden die metallischen Masken während des Beschichtungsprozesses gewechselt. Das Wechseln der metallischen Masken ist mit einem erheblichen Zeitaufwand verbunden, was ungünstige
Auswirkungen auf die Taktzeit des Herstellens des
Bauelementes hat. Weiterhin weisen herkömmliche metallische Masken einen Nachteil auf, der sich aus ihrer Verwendung bezüglich der lateralen Strukturierung ergibt. Beispielsweise ist es ohne sehr aufwändige Multimaskenprozesse nicht
möglich, „freistehende" unbeschichtete Bereiche innerhalb einer beschichteten Fläche zu realisieren. Im Falle einer OLED können deshalb mit einem einfachen Metallmaskenprozess weder eigenständige leuchtende Bereiche innerhalb eines anderen leuchtenden Bereiches, noch offene nicht-leuchtende Bereiche innerhalb eines leuchtenden Bereichs hergestellt werden. Weiterhin weisen nicht zu beschichtende Bereiche zwischen beschichteten Bereichen einen. Mindestabstand von einigen Millimetern auf. Andernfalls würden die dünnen Stege der metallischen Maske nicht die notwendige Stabilität aufweisen und könnten durchhängen. Daher ist es nicht möglich, mit einem einfachen, herkömmlichen Schattenmaskenprozess
beieinanderliegende, individuelle leuchtende Bereiche auf einem Substrat auszubilden, ohne große nicht-leuchtende
Totbereiche in Kauf zu nehmen.
Im Bereich des Mikrostrukturierens für mikroelektronische Bauelemente, beispielsweise Transistoren, ist ein Verwenden von Folienmasken 110 bekannt (veranschaulicht in Fig.lB) . Dabei wird eine Folie auf ein zu beschichtendes Substrat 102 laminiert. Anschließend wird die Folie beispielsweise mittels einer Laserablation mikrostrukturiert, d.h. teilweise
geöffnet. Anschließend wird die Folie ganzflächig
beschichtet. Nachfolgend wird die Folie vom Substrat
abgezogen. Das aufgebrachte Material verbleibt lediglich in den zuvor mitteis des MikrostrukturierungsSchrittes
geöffneten Bereichen der Folie 110 auf dem Substrat 102.
Dadurch kann nach einem Entfernen der Folienmaske 110 eine Beschichtung 106 auf dem Substrat 102 ausgebildet sein, die definierte Kanten aufweist (veranschaulicht mittels der
Einkreisung mit dem Bezugszeichen 112) . Herkömmlich können zwei oder mehr aufeinanderliegende Folienmasken verwendet werden, wobei aufeinanderliegende Folienmasken herkömmlicher Weise im selben Mikrostrukturierungsschritt gleichzeitig und identisch strukturiert werden. Dadurch wird in den so
entstandenen freien Bereichen der beiden Folien hinein beschichtet. Nach Abziehen nur der oberen Folie der
aufeinanderliegenden Folien, verbleibt das beschichtete
Material im. freigelegten Bereich und wird dabei von der auf dem Substrat verbleibenden unteren Folie lateral umschlossen. Weiterhin ist in herkömmlichen Verfahren nicht vorgesehen in beiden Folienmasken unterschiedliche offene Bereiche zu definieren, d.h. die erste Maskenfolie wird nicht
strukturiert, bevor die zweite Maskenstruktur aufgebracht wird.
Weiterhin bekannt ist die Verwendung von Folienmasken für die Herstellung von OLEDs bzw. OLED-Displays . Dazu wird ein Maskierungsfilm auf ein Substrat aufgebracht. Der Maskierungsfilm wird in mehrere Bereiche strukturiert; in Maskierungsbereiche und Bereiche für Öffnungen. Ein
Entfernungsfilm wird auf den Maskierungsfilm aufgebracht und in den Bereichen für Öff ungen mit dem Maskierungsfilm verklebt. Der Entfernungsfilm wird mit den angeklebten
Bereichen des Maskierungsfilms abgezogen, so dass eine
Maskenfolie mit offenen Bereichen auf dem Substrat verbleibt. Anschließend wird das Substrat mit Material beschichtet. Nach dem ersten Beschichtungsschritt wird die Maskenfolie
abgezogen, so dass nur Material in den vorgesehenen Bereichen auf dem Substrat verbleibt. Alternativ verbleibt die erste Maskenfolie zunächst auf dem Substrat und der gesamte Prozess wird mit einer oder mehreren weiteren Maskenfolien
wiederholt . Der so entstandene Mehrfachstapel von
Maskenfolien wird schlussendlich nach dem letzten
Beschichtungsschritt in einem einzigen Prozess gesamtheitlich entfernt . Als typisches Anwendungsbeispie1 ist vorgesehen das organische Emittermaterial der für ein Display pro Pixel notwendigen drei Subpixel (rot , grün und blau) nacheinander in unterschiedliche Positionen auf dem Substrat aufzubringen.
Weiterhin bekannt ist das Verwenden einer Folienmaske für ein strukturiertes Beschichten eines Substrats mit einer einzigen Schicht in einem Rolle- zu-Rolle- Verfahren . Dazu wird eine vorstrukturierte Maskenfolie kontinuierlich auf einen
Substratfilm laminiert, dieser beschichtet , und anschließend der Maskenfilm abgezogen. Weiterhin werden in herkömmlichen Verfahren mikroskopische freie Bereich in die Maskenstruktur auf dem Substrat direkt einstrukturiert , z.B. mittels Laserablation . Bei
großflächigen optoelektronischen Bauelementen kann sich dadurch die Verfahrensdauer verlängern .
Weiterhin wird in einem herkömmlichen Verfahren eine zweite Maskenfolie erst auf das Substrat aufgebracht und
strukturiert , nachdem ein erster Beschichtungsschritt durchgeführt wurde , Das Auf ringen und Strukturieren der zweiten Folie findet in diesem Fall also zwischen dem ersten und dem zweiten Beschichtungs schritt statt. Weiterhin wird in einem herkömmlichen Verfahren eine
Maskenfolie mittels eines Anklebens einer weiteren Folie und einem anschließenden Abheben der weiteren Folie mit der
Maskenfolie von dem Substrat entfernt. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes bereitgestellt, mit dem es möglich ist, die laterale Strukturierung mehrerer gestapelter funktionaler dünner Schichten während ihrer Abscheidung auf ein Substrat aufzubringen, beispielsweise um in einem
funktionellen Dünnschichtsystem unterschiedliche Schichten auf teilweise unterschiedliche laterale Bereiche des
Substrats aufzubringen.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Anordnen einer ersten Maskenstruktur auf oder über einem Substrat; Anordnen einer zweiten Maskenstruktur auf oder über der ersten Maskenstruktur, wobei die erste Maskenstruktur einen ersten Strukturierungsbereich aufweist, bevor die zweite Maskenstruktur auf die erste Maskenstruktur aufgebracht wird, wobei der erste Strukturierungsbereich eine Öffnung und/oder einen zum Ausbilden einer Öffnung
vorbereiteten Bereich aufweist; und Ausbilden eines zweiten Strukturierungsbereiches in der ersten Maskenstruktur und in der zweiten Maskenstruktur derart, dass wenigstens ein Teil des ersten Strukturierungsbereiches in der ersten
Maskenstruktur außerhalb des zweiten Strukturierungsbereiches in der ersten Maskenstruktur ausgebildet wird. Anschaulich kann der erste Strukturierungsbereich wenigstens teilweise neben dem ersten Strukturierungsbereich ausgebildet sein oder werden. Alternativ kann der zweite
Strukturierungsbereich komplett innerhalb der .Abmessung des ersten Strukturierungsbereich.es ausgebildet sein oder werden, wobei der erste Strukturierungsbereich größer ist als der zweite Strukturierungsbereich. In einer Ausgestaltung kann wenigstens ein Teil eines
optoelektronisches Bauelementes ausgebildet werden; wobei das optoelektronische Bauelement mit einem optisch aktiven
Bereich zum Absorbieren oder Emittieren einer
elektromagnetischen Strahlung ausgebildet wird. Weiterhin kann das optoelektronische Bauelement einen optisch inaktiven Bereich neben dem optisch aktiven Bereich aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine
organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen oder derart ausgebildet werden, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet wird. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode, eine organische Solarzelle und/oder ein organischer Fotodetektor ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein Flächenbauelement ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung kann der erste Strukturierungsbereich und/oder der zweite Strukturierungsbereich derart ausgebildet werden, dass mittels des ersten Strukturierungsbereiches und/oder des zweiten Strukturierungsbereiches eine
Information in dem optisch aktiven Bereich dargestellt wird, beispielsweise ein Piktogramm, ein Ideogramm und/oder ein Schriftzug; ein Guckloch, ein Fenster, eine
Durchschauöffnung .
In einer Ausgestaltung können/kann die erste Maskenstruktur und/oder die zweite Maskenstruktur selbsttragend ausgebildet sein. Eine selbsttragende Struktur kann beispielsweise ohne Träger oder Halter als Maske wirken.
In einer Äusgestaltung kann die erste Maskenstruktur auf oder über dem Substrat angeordnet werden, beispielsweise in Form einer Folie, einer Platte oder eines Blechs.
Eine Maskenstruktur, die auf dem Substrat bzw. auf einer anderen Maskenstruktur angeordnet ist, kann mit diesem bzw. dieser einen körperlichen Kontakt aufweisen, beispielsweise mittels einer KlebstoffVerbindung . Dadurch kann der Abstand zwischen der Maskenstruktur und dem Substrat bzw. der anderen Maskenstruktur reduziert werden. Dadurch kann der
Strukturierungsbereich der Beschichtung und/oder die
Abtragung des Substrates und/oder der anderen Maskenstruktur im Bereich der Kanten reduziert werden. Anschaulich kann dadurch der Halbschatten in seinen Abmessungen reduziert werden . Eine Maskenstruktur, die über dem Substrat bzw. über einer anderen Maskenstruktur angeordnet ist, kann mit diesem bzw. dieser keinen körperlichen Kontakt aufweisen, beispielsweise in dem die Maskenstruktur in einem Halter über dem Substrat und/oder der anderen Maskenstruktur angeordnet ist. Dadurch kann die Maskenstruktur über dem Substrat und/oder über der anderen Maskenstruktur von dieser besonders einfach entfernt werden, beispielsweise in dem der Halter von dem Substrat weg bewegt wird. In einer Ausgestaltung kann die zweite Maskenstruktur auf oder über der ersten Maskenstruktur angeordnet werden, beispielsweise in Form einer Folie, einer Platte oder eines Blech . In einer Ausgestaltung kann die erste Maskenstruktur eine
Klebstoffschicht aufweisen und mittels der KlebstoffSchicht mit dem Substrat verbunden werden, beispielsweise als selbstklebende Folie, selbstklebende Platte oder selbstklebendes Blech.
In einer Ausgestaltung kann die zweite Maskenstruktur eine Klebstoffschiebt aufweisen und mittels der Klebstoffschicht mit der ersten Masken truktur verbunden werden,
beispielsweise als selbstklebende Folie, selbstklebende
Platte oder selbstklebendes Blech. In einer Ausgestaltung kann die erste Masken truktur als eine Beschichtung auf oder über dem Substrat ausgebildet werden, beispielsweise in einem Stück entfernbar, beispielsweise als eine in dem einen Stück vernetzte Beschichtung. Die
Beschichtung kann nach dem Aufbringen der Lösung, Suspension oder Dispersion des Stoffs oder Stoffgemisches der
Beschichtung ausgehärtet und/oder vernetzt werden. Weiterhin kann die Beschichtung strukturiert werden oder strukturiert ausgebildet werden. Weiterhin kann die Beschichtung auf dem Substrat ausgebildet werden, das heißt einen körperlichen Kontakt aufweisen. Alternativ kann die Beschichtung über dem Substrat ausgebildet werden, beispielsweise auf einem Träger, beispielsweise einer Trägerfolie, beispielsweise in einem Rahmen; wobei der Träger auf oder über dem Substrat
angeordnet ist, d.h. nicht selbsttragend.
In einer Ausgestaltung kann die zweite Maskenstruktur als eine Beschichtung auf oder über der ersten Maskenstruktur ausgebildet werden, beispielsweise in einem Stück entfernbar, beispielsweise als eine in dem einen Stück vernetzte
Beschichtung, beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung der ersten Maskenstruktur aus einer Beschichtung.
In einer Ausgestaltung kann die erste Maskenstruktur und/oder die zweite Maskenstruktur ein Polymer aufweisen oder daraus gebildet werden, beispielsweise als eine
Kunststoffbeschichtung, eine Kunststofffolie, ein
Kunststoffblech und/oder eine Kunststoff latte . In einer Ausgestaltung kann das Anordnen der ersten
Maskenstruktur und/oder das Anordnen der zweiten
Maskenstruktur jeweils ein Anordnen von mehreren
Maskenstrukturen nebeneinander aufweisen, beispielsweise mehreren vereinzelten Maskenstrukturen nebeneinander.
Beispielsweise können auf oder über dem optisch aktiven
Bereich und auf oder über dem optisch inaktiven Bereich unterschiedliche erste Maskenstrukturen angeordnet werden, beispielsweise mit einer unterschiedlichen Härte, chemischen Beständigkeit hinsichtlich eines Lösungsmittels und/oder Absorption von elektromagnetischer Strahlung oder Wärme.
In einer Ausgestaltung kann die erste Maskenstruktur in einem körperlichen Kontakt auf dem Substrat angeordnet werden, beispielsweise mittels einer Klebstoff erbindung .
In einer Ausgestaltung kann die zweite Maskenstruktur in einem körperlichen Kontakt auf der ersten Maskenstruktur angeordnet werden, beispielsweise mittels einer
Klebstoff erbindung .
In einer Ausgestaltung kann die erste Maskenstruktur in einem Halter über dem Substrat angeordnet werden, beispielsweise in einem Rahmen.
In einer Ausgestaltung kann die zweite Maskenstruktur in einem Halter über der ersten Maskenstruktur angeordnet werden, beispielsweise in einem Rahmen. In einer Ausgestaltung kann der erste Strukturierungsbereich wenigstens teilweise in der ersten Maskenstruktur ausgebildet sein, bevor die erste Maskenstruktur auf oder über dem
Substrat angeordnet wird. In einer Ausgestaltung kann der erste Strukturierungsbereich wenigstens teilweise in der ersten Maskenstruktur ausgebildet werden, nachdem die erste Maskenstruktur auf oder über dem Substrat angeordnet wird. In einer Ausgestaltung kann die erste Maskenstruktur in Form einer Beschichtung strukturiert auf oder über dem Substrat ausgebildet sein oder werden derart, dass ein erster
Strukturierungsbereich nach einem. Aushärten und/oder
Vernetzen der Beschichtung ausgebildet ist.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Strukturierungsbereich wenigstens teilweise in der ersten Maskenstruktur und/oder der zweiten Maskenstruktur ausgebildet sein, bevor die zweite Maskenstruktur auf oder über der ersten Maskenstruktur angeordnet wird.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Strukturierungsbereich wenigstens teilweise in der ersten Maskenstruktur und/oder der zweiten Maskenstruktur ausgebildet werden, nachdem die zweite Maskenstruktur auf oder über der ersten Maskenstruktur angeordnet wird. In einer Ausgestaltung kann die zweite Maskenstruktur in Form einer Beschichtung strukturiert auf oder über der ersten Maskenstruktur ausgebildet werden derart, dass der zweite Strukturierungsbereich wenigstens teilweise in der zweiten Maskenstruktur nach einem Aushärten und/oder Vernetzen der Beschichtung ausgebildet ist.
In einer Ausgestaltung kann das Ausbilden des ersten
Strukturierungsbereich.es und/oder des zweiten
Strukturierungsbereiches ein Ausbilden mindestens einer der folgenden Strukturierungen in der ersten Maskenstruktur und/oder der zweiten Maskenstruktur aufweisen: ein Loch, eine Solltrennstelle, eine Ringstruktur.
In einer Ausgestaltung kann der erste Strukturierungsbereich derart ausgebildet sein oder werden, dass er eine andere Adhäsion hinsichtlich des Substrates, eine andere Adhäsion hinsichtlich der zweiten Maskenstruktur und/oder eine andere Kohäsion aufweist als die erste Maskenstruktur außerhalb des ersten Strukturierungsbereiches . Beispielsweise kann der erste Strukturierungsbereich eine geringere Adhäsion
hinsichtlich des Substrates und eine höhere Adhäsion
hinsichtlich der zweiten Maskierungsstruktur aufweisen als die erste Maskierungsstruktur außerhalb des ersten
Strukturierungsbereiches. Dadurch kann der erste
Strukturierungsbereich mit der zweiten Maskenstruktur
entfernt werden. Beispielsweise kann der erste
Strukturierungsbereich eine höhere Adhäsion hinsichtlich des Substrates und eine niedrigere Adhäsion hinsichtlich der zweiten Maskierungsstruktur aufweisen als die erste
Maskierungsstruktur außerhalb des ersten
Strukturierungsbereiches. Dadurch kann der erste
Strukturierungsbereich auf dem Substrat verbleiben, wenn die erste Maskierungsstruktur von dem Substrat entfernt wird.
Anschaulich bildet der auf dem Substrat verbleibende, erste Strukturierungsbereich dadurch eine Positivmaske. Bei einem Entfernen des ersten Strukturierungsbereiches und einem
Verbleiben der Maskierungsstruktur außerhalb des ersten
Strukturierungsbereiches auf oder über dem Substrat wird anschaulich eine Negativmaske gebildet.
In einer Ausgestaltung kann die Adhäsion und/oder Kohäsion des ersten Strukturierungsbereiches und/oder des zweiten Strukturierungsbereiches nach dem Aufbringen der ersten
Maskierungsstruktur und/oder der zweiten Maskierungsstruktur verändert werden, beispielsweise mittels eines
Energieeintrags, beispielsweise mittels einer
Temperaturerhöhung, einer UV-Bestrahlung und/oder einer
LaserbeStrahlung; beispielsweise fokussiert und/oder gepulst.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Strukturierungsbereich derart ausgebildet sein oder werden, dass der zweite
Strukturierungsbereich eine andere Adhäsion hinsichtlich der ersten Maskenstruktur, eine andere Adhäsion hinsichtlich einer weiteren Maskenstruktur auf der zweiten Maskenstruktur und/oder eine andere Kohäsion aufweist als die zweite Maskenstruktur außerhalb des zweiten
Strukturierungsbereich.es .
In einer Ausgestaltung können/kann der erste
Strukturierungsbereich und/oder der zweite
Strukturierungsbereich derart ausgebildet sein oder werden, dass jeweils wenigstens ein von der Maskenstruktur
vereinzelter und/oder entfernbarer Bereich ausgebildet wird. In einer Ausgestaltung kann der in der ersten Maskenstruktur vereinzelte Bereich nach dem Anordnen der zweiten
Maskenstruktur auf oder über der ersten Maskenstruktur von der ersten Maskenstruktur umgeben werden. Anschaulich kann ein von der Maskierungsstruktur vereinzelter Bereich in dem Strukturierungsbereich auf dem Substrat verbleiben.
In einer Ausgestaltung kann der in der ersten Maskenstruktur vereinzelte Bereich als Stützstruktur der zweiten
Maskenstruktur ausgebildet werden, beispielsweise bei großflächigen ersten Strukturierungsbereichen hinsichtlich der Steifheit der zweiten Maskenstruktur.
In einer Ausgestaltung kann der erste Strukturierungsbereich derart ausgebildet werden, dass der vereinzelte Bereich in der ersten Maskenstruktur flächig in einem Stück entfernbar ist.
In einer Ausgestaltung kann der erste Strukturierungsbereich derart ausgebildet sein oder werden, dass zwei oder mehr gleiche oder unterschiedliche erste Strukturierung in der ersten Maskenstruktur ausgebildet sind, wobei die zwei oder mehr ersten Strukturierungen in der ersten Maskenstruktur lateral nebeneinander angeordnet sind und/oder wobei
wenigstens zwei der ersten Strukturierungen sich teilweise in der ersten Maskenstruktur überlappen, beispielsweise mittels eines Stegs voneinander getrennt sind. In einer Ausgestaltung kann der zweite Strukturierungsbereic derart ausgebildet sein oder werden, dass zwei oder mehr gleiche oder unterschiedliche zweite Strukturierungen in der ersten Maskenstruktur und/oder der zweiten Maskenstruktur ausgebildet sind, wobei die zwei oder mehr zweiten
Strukturierungsbereiche in der ersten Maskenstruktur und/oder der zweiten Maskenstruktur lateral nebeneinander und/oder übereinander angeordnet sind . In einer Ausgestaltung kann die erste Maskeristruktur eine
Positionsmarkierung aufweisen oder eine solche in der ersten Maskenstruktur ausgebildet sein oder werden derart , dass die zweite Maskenstruktur und/oder der zweite
Strukturierungsbereich anhand der Positionsmarkierung
ausrichtbar sind/ist .
In einer Ausgestaltung kann das Ausbilden des zum Ausbilden einer Öffnung vorbereiteten Bereiches mindestens eines der folgenden Verfahren aufweisen : ein Ritzen, Schneiden oder Stanzen derart , dass wenigstens zwei jeweils
zusammenhängende , voneinander isolierte Bereiche ausgebildet werden; ein Ausbilden eines Lochs oder Hohlraums derart, dass eine Solltrenns elle ausgebildet wird, sodass ein Bereich aus der ersten Maskens ruktur in einem Stück entfernbar ist , beispielsweise mittels eines mechanischen Abziehens oder trockenen und/oder nasschemischen Ätzens ; ein Belichten mit einer elektromagnetischen Strahlung , die zu einem Vernetzen oder Degradieren der ersten Maskenstruktur in dem belichteten Bereich führt und/oder ein Reduzieren der Adhäsion eines Bereichs der ersten Maskenstruktur .
In einer Ausgestaltung kann die erste Maskenstruktur derart ausgebildet sein oder werden, dass der erste
Strukturierungsbereich gemeinsam mit dem Entfernen des zweiten Strukturierungsbereiches entfernbar ist .
In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner durch den zweiten Strukturierungsbereich aufweisen : ein Aufbringen eines Stoffs oder Stoffgemisches auf das Substrat und/oder ein Abtragen eines Stoffs oder Stoffgemisches von dem
Substrat. Mit anderen Worten, durch den zweiten
Strukturierungsbereich kann ein Stoff oder Stoffgemisch auf das Substrat aufgebracht werden und/oder ein Stoff oder
Stoffgemisch von dem Substrat abgetragen werden,
beispielsweise für den Fall, dass der zweite
Strukturierungsbereich als Negativmaske ausgebildet ist . In einer Ausgestaltung kann der zweite Strukturierungsbereich als Positivmaske ausgebildet sein, sodass mittels des zweiten Strukturierungsbereichs ein Stoff oder Stoffgemisch auf das Substrat aufgebracht und/oder ein Stoff oder Stoffgemisch von dem Substrat abgetragen werden kann. In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner durch den ersten Strukturierungsbereich aufweisen: ein Aufbringen eines Stoffs oder Stoffgemisches auf das Substrat und/oder ein Abtragen eines Stoffs oder Stoffgemisches von dem Substrat . Mit anderen Worten, durch den ersten Strukturierungsbereich kann ein Stoff oder Stoffgemisch auf das Substrat aufgebracht werden und/oder ein Stoff oder Stoffgemisch von dem Substrat abgetragen werden, beispielsweise für den Fall, dass der erste Strukturierungsbereich als Negativmaske ausgebildet ist . In einer Ausgestaltung kann der erste
Strukturierungsbereich als Positivmaske ausgebildet sein, sodass mittels de ersten Strukturierungsbereichs ein Stoff oder Stoffgemisch auf das Substrat aufgebracht und/oder ein Stoff oder Stoffgemisch von dem Substrat abgetragen werden kann.
In einer Ausgestaltung kann die erste Maskenstruktur und/oder die zweite Maskenstruktur eine Lasche aufweisen, wobei die Lasche derart ausgebildet ist , dass mittels einer Zugkraft an der Lasche , die erste Maskenstruktur und/oder die zweite Maskenstruktur entfernbar sind/ ist .
In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner aufweisen : ein wenigstens teilweises Entfernen der zweiten Maskenstruktur und ein Anordnen einer dritten Maskenstruktur auf oder über der ersten Maskenstruktur und ein Ausbilden eines dritten Strukturierungsbereiches , wobei der dritte Strukturierungsbereich unterschiedlich zu dem zweiten
Strukturierungsbereiches sein kann.
In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner aufweisen: ein Anordnen einer dritten Maskenstruktur auf oder über der zweiten Maskenstruktur und ein Ausbilden eines dritten
Strukturierungsbereiches , wobei der dritte
Strukturierungsbereich unterschiedlich zu dem zweiten
Strukturierungsbereiches sein kann .
Mit anderen Worten: In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ein Anordnen einer dritten Maskenstruktur aufweisen, wobei die dritte Maskenstruktur auf oder über der ersten
Maskenstruktur aufgebracht wird, nachdem die zweite
Maskenstruktur wenigstens teilweise entfernt wurde , und/oder wobei die dritte Maskenstruktur auf oder über der zweiten Maskenstruktur aufgebracht wird.
In einer Ausgestaltung kann die erste Maskenstruktur und die zweite Maskenstruktur als ein Maskenstapel auf oder über dem Substrat angeordnet werden.
In einer Ausgestaltung können zwei oder mehr Maskenstrukturen auf oder über der ersten Maskenstruktur angeordnet werden.
In einer Ausgestaltung können/kann die erste Maskenstruktur und/oder die zwei e Maskenstruktur wiederverwendbar
ausgebildet sein, beispielsweise als Folie, Blech oder
Platte.
In einer Ausgestaltung kan wenigstens eine erste
Maskenstruktur lateral neben wenigstens einer weiteren ersten Maskenstruktur auf oder über dem Substrat angeordnet werden und/oder wenigstens eine zweite Maskenstruktur kann lateral neben wenigstens einer v/eiteren zweiten Maskenstruktur auf oder über der ersten oder den ersten Maskenstrukturen
angeordnet werden.
In einer Ausgestaltung kann sich wenigstens eine der mehreren ersten Maskenstrukturen und/oder zweiten Maskenstrukturen von den anderen ersten Maskenstrukturen und/oder zweiten
Maskenstrukturen in wenigstens einer Eigenschaft
unterscheiden, beispielsweise in der Transparenz und/oder Absorption einer elektromagnetischen Strahlung; der
mechanischen Härte und/oder der chemischen Beständigkeit
In einer Ausgestaltung kann der erste Strukturierungsbereich derart ausgebildet werden, dass der erste
Strukturierungsbereich wenigstens einen Hohlraum in der ersten Maskenstruktur aufweist oder ausbildet. Ein Hohlraum kann beispielsweise ein Loch sein.
In einer Ausgestaltung kann der in der Maskenstruktur
vereinzelte Bereich hinsichtlich der Maskenstruktur sich in mindestens einer der folgenden Eigenschaften unterscheiden: der Härte, der Adhäsion hinsichtlich des Substrates und/oder der anderen körperlich verbundenen Maskierungsstruktur, beispielsweise einen anderen Klebstoff aufweisen der
chemischen Beständigkeit hinsichtlich eines Lösungsmittels ,- der Kohäsion, der Absorption und/oder Transmission einer elektromagnetischen Strahlung.
In einer Ausgestaltung kann der erste Strukturierungsbereich derart ausgebildet sein oder werden, dass bei einem
optoelektronischen Bauelement der optisch aktive Bereich unabhängig von dem optisch inaktiven Bereich strukturierbar ist, beispielsweise indem auf oder über dem optisch aktiven Bereich Maskenstrukturen angeordnet werden, die
unterschiedliche physikalische Eigenschaften aufweisen hinsichtlich der Maskierungsstruktur auf oder über dem optisch inaktiven Bereich. In einer Ausgestaltung kann der erste Strukturierungsbereich derart ausgebildet sein oder werden, dass mittels des ersten Strukturierungsbereiches ein elektrischer Anschlussbereich ausbildbar ist. Ein elektrischer Anschlussbereich kann beispielsweise ein oder mehrere Kontaktpad (s) aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die zweite Maskenstruktur vor dem Anordnen auf oder über der ersten Maskenstruktur einen
Strukturierungsbereich und/oder einen vorbereiteten Bereich aufweisen.
In einer Ausgestaltung können/kann der Strukturierungsbereich und/oder der vorbereitete Bereich der zweiten Maskenstruktur vor dem Anordnen auf oder über der ersten Maskenstruktur, nach dem Anordnen der zweiten Maskenstruktur als zweiter Strukturierungsbereich, als Strukturbereich des zweiten
Strukturierungsbereichs oder als dritter
Strukturierungsbereich ausgebildet werden oder sein,
In verschiedenen Aus führungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Ausbilden der ersten Elektrode auf dem Substrat; Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur über der ersten Elektrode und/oder über dem Substrat; und Ausbilden der zweiten
Elektrode über der organischen funktionellen
Schichtenstruktur und/oder über dem Substrat. Die
Maskenstruktur mit dem Strukturierungsbereich wird als
Beschichtung über dem Substrat ausgebildet und ausgehärtet und/oder vernetzt. Die organische funktionelle
Schichtenstruktur wird in dem Strukturierungsbereich
ausgebildet. Die Maskenstruktur wird entfernt. Die
Maskenstruktur kann die erste oder zweite Maskenstruktur sein. Die Beschichtung wird in flüssigem Zustand über dem Substrat aufgebracht und anschließend, also über dem
Substrat, gehärtet und/oder getrocknet, wodurch sich die entsprechende Maskenstruktur bildet. Somit kann das Material für die erste und/oder die zweite Maskenstruktur in flüssigem Zustand über dem Substrat aufgebracht werden. Die
Maskenstruktur kann mittels eines Druckverfahrens,
beispielsweise mittels Siebdruck oder Tintenstrahldrueks ausgebildet werden. Optional kann die Beschichtung fertig strukturiert aufgebracht werden und somit beim Aufbringen bereits den entsprechenden Strukturierungsbereich aufweisen.
Ferner kann nur eine einzige Maskenstruktur aufgebracht werden, beispielsweise nur die erste Maskenstruktur oder nur die zweite Maskenstruktur. Ferner kann nur das Material einer der Maskenstrukturen in flüssigem Zustand aufgebracht werden, beispielsweise nur das der ersten Maskenstruktur oder nur das der zweiten Maskenstruktur, und das Material der anderen Maskenstruktur kann in einem herkömmlichen Verfahren
aufgebracht werden. Die Maskenstruktur kann vor oder nach dem Ausbilden der zweiten Elektrode entfernt werden. Die
Maskenstruktur kann mechanisch entfernt werden. Das Ausbilden einer oder beider Maskenstrukturen als
Beschichtung und das damit verbundene Aufbringen des
Materials der Maskenstrukturen in flüssigem Zustand
ermöglicht, dass ansonsten anzuwendende folienmaskenbezogene Prozessschritte vermieden werden können. Insbesondere kann auf ein Schneiden, Laminieren und/oder Kleben der
entsprechenden Folienmaske verzichtet werden. Die Verwendung der Beschichtungen als Maske, also die Verwendung von
gedruckten Folienmasken, anstelle der herkömmlichen
metallischen Schattenmasken bringt eine Kostenersparnis, da die vergleichsweise teuren metallischen Masken und deren regelmäßige Reinigung eingespart werden. Außerdem können neue Bauteildesigns, die die Abscheidung von Materialien in andere Bereiche als bisher verlangen, schneller umgesetzt werden, da nicht erst eine neue Metallschattenmaske hergestellt werden muss , sondern die neuen Formen einfach in Form der
Beschichtung aufgedruckt werden können. Da sich die
Beschichtung, insbesondere die gedruckte Folienmaske direkt auf dem Substrat, der ersten Elektrode bzw. der ersten Maskenstruktur befindet, ist die laterale Definition der beschichteten Bereiche besser, insbesondere präziser, als bei einer metallischen Schattenmaske, die grundsätzlich mit geringem Abstand vor das Substrat gebracht wird. Insbesondere entfallen mögliche Fehlerquellen wie Durchhängen oder
Durchbiegen (z.B. auch auf Grund thermischen Verzugs während der Beschichtung) der metallischen Maske oder des Substrats, was bei herkömmlichen Verfahren vorkommen kann und durch den vergrößerten Abstand zwischen Substrat und Maske zu einer lateralen Aufweitung des beschichteten Bereichs führen kann.
Auch im fehlerfreien herkömmlichen Prozess mit metallischen Schattenmasken kommt es prinzipiell durch den Schattenwurf zu einem sanften Auslaufen des beschichteten Bereichs, d.h. zu einem Dickengradienten der abgeschiedenen Schicht an deren Rand. Im Gegensatz dazu hat die Beschichtung bei Verwendung der gedruckten Folienmaske eine scharfe Kante, da die
angrenzenden Bereiche des Substrats während des
Beschichtungsvorgangs von der Maskenfolie im direkten Kontakt überdeckt waren, so dass kein Unterdampfen möglich ist.
Des Weiteren ist es durch die Verwendung von gedruckten
Folienmasken einfach möglich, nah beieinander!legende
individuelle Pixel herzustellen, ohne die dazwischenliegenden nicht- leuchtenden Bereiche auf etliche Millimeter
auszuweiten, wie es im Fall von metallischen Schattenmasken notwendig ist. Ein weiterer Vorteil von Folienmasken ist ihre Flexibilität, wodurch sie auch auf Oberflächen zum Einsatz kommen können, die nicht eben sind. Insbesondere ermöglicht das Verfahren die strukturierte Beschichtung von gebogenen oder anders geformten Flächen bzw. von 3D-Körpern. Dazu können die gedruckten Folienmasken auf ein zunächst ebenes, flexibles Substrat aufgebracht werden und dann gemeinsam mit diesem in Form gebracht werden, oder direkt auf ein Substrat aufgebracht werden, das bereits geformt ist.
Bei der Verwendung mehrerer herkömmlicher Schattenmasken müssen diese zwischen den Beschichtungsschritten gewechselt werden, wobei ihre genaue Platzierung üblicherweise
mechanisch erfolgt, was Ungenauigkeiten von mehreren Hundert Mikrometern in der lateralen Position der verschiedenen Materialschichten mit sich bringt. Daher gibt es bei
herkömmlichen Verfahren regelmäßig strenge Designvorgaben, die diesen Ungenauigkeiten Rechnung tragen, insbesondere bezüglich der Positionierung von Kontaktflächen in Relation zu aktiven leuchtenden Flächen oder bezüglich der Position aller abgeschiedenen Schichten auf dem Substrat. Dadurch verringert sich die maximale aktive Leuchtfläche der OLED um diese Toleranzen der Maskenpositionierung. Dies ist anders bei der Verwendung von gedruckten Folienmasken als
Maskenstrukturen, da Schichten aus Druckprozessen mittels optischer Ausrichtung regelmäßig mit Genauigkeiten von wenigen 10 μπι positioniert werden können. Dies erlaubt weniger strenge Designvorgaben und vergrößert die maximal al Leuchtfläche nutzbare Fläche auf dem Substrat, was mit einer Kostenersparnis durch bessere Materialausnutzung einhergeht.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
Figuren 1A, B schematische Querschnittsansichten eines
Substrates in herkömmlichen Verfahre ;
Figur 2 schematische Darstellungen zu einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figuren 3A-I schematische Darstellungen eines Bauelementes im Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 4 schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figuren 5A-C schematische Darstellungen von
Ausführungsbeispielen optoelektronischer
Bauelemente ; Figur 6 eine schematische Darstellung eines
Bauelementes im Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 7 eine schematische Darstellung eines
Bauelementes im Verfahren gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen; und
Figur 8 eine schematische Darstellung eines
Bauelementes im Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsbeispiele .
In der ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung, In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
In der Beschreibung wird der Einfachheit wegen das Verfahren am Beispiel einer ersten Maskenstruktur und einer zweiten Maskenstruktur auf oder über einem Substrat erläutert. Eine Maskenstruktur ist eine flächige Struktur, die Öffnungen zum Aufbringen und/oder Abtragen eines Stoffs oder Stoffgemischtes auf/von einem Substrat aufweist, das innerhalb der Öffnung freiliegt. Es können jedoch auch mehr als zwei
aufeinanderlegende Maskenstrukturen verwendet werden und dementsprechend jeweils mehr als zwei Strukturierungs- und Bearbeitungsschritte durchgeführt werden. Ein Bearbeiten kann ein Auftragen und/oder ein Abtragen eines Stoffs und/oder eines Stoffgemisches auf das/von dem Substrat sein. Die erste Maskenstruktur kann ein Merkmal oder mehrere Merkmale von einer Ausgestaltung oder mehreren Ausgestaltungen der zweiten Maskenstruktur aufweisen und umgekehrt. Ein Substrat kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein
Träger, ein mechanisches Bauelement, ein elektronisches
Bauelement, beispielsweise ein optoelektronisches Bauelement, ein thermoelektrisches Bauelement und/oder eine integrierte Schaltung sein oder als ein solches ausgebildet werden. Mit anderen Worten: das Substrat kann ein Zwischenprodukt eines der genannten Bauelemente sein, das mittels des Verfahrens gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen bearbeitet wird. Ein Träger kann mittels des Verfahrens beispielsweise im optischen Erscheinungsbild verändert werden.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Klebstoff einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Kasein, ein Glutin, eine Stärke, eine Cellulose , ein Harz, ein Tannin, ein Lignin, einen organischen Stoff mit
Sauerstoff, Stickstoff , Chlor und/oder Schwefel; ein
Metalloxid, ein Silikat, ein Phosphat, ein Borat. In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Klebstoff als ein Schmelzklebstoff, beispielsweise ein lösemittelhaltiger
Nassklebstoff , ein Kontaktkiebstoff , ein
Dispersionsklebstoff, ein Wasserbasierter Klebstoff, ein Plastisol ; ein Polymerisationsklebstoff, beispielsweise ein Cyanacrylat-Klebstof f , ein ethylmethacrylat-Klebstoff , ein anaerob härtender Klebstoff, ein ungesättigter Polyester, ein Strahlenhärtender Klebstoff; ein Polykondensationsklebstof f , beispielsweise ein Phenol-Formaldehydharz-Klebstoff, ein Silikon, ein Silanvernetzender Polymerklebstoff , ein
Polyimidklebstof f , ein Polysulfidklebstoff ; und/oder ein Polyadditionsklebstof fe, beispielsweise ein Epoxidharz - Klebstoff , ein Polyurethan-Klebstoff , ein Silikon, ein
Haftklebstoff ; aufweisen oder daraus gebildet sein . Weiterhin kann der Klebstoff zusätzlich wärmeleitende
Partikel aufweisen . Die wärmeleitende Partikel können einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: die Kohlenstoffnanoröhrchen, Diamant , Kupfer, Bornitrid,
Aluminium, Aluminiumnitrid, und/oder Aluminiumoxid umfassen . Die Wärmeleitfähigkeit der wärmeleitenden Partikel kann in einem Bereich von ungefähr 28 W/mK bis ungefähr 6000 W/mK liegen.
Fig.2 zeigt schematische Darstellungen zu einem Verfahren 400 gemäß verschiedenen Aus ührungsbeispielen .
Das Verfahren 200 zum Herstellen eines Bauelementes weist ein Anordnen einer ersten Maskenstruktur auf oder über einem Substrat auf (202) ,
Das Verfahren 200 weist ein Anordnen einer zweiten
Maskenstruktur auf oder über der ersten Maskenstruktur auf (204) . Die erste Maskenstruktur weist dabei einen ersten Strukturierungsbereich auf, bevor die zweite Maskenstruktur auf die erste Maskenstruktur aufgebracht wird. Der erste Strukturierungsbereich weist eine Öffnung und/oder einen zum Ausbilden einer Öffnung vorberei eten Bereich auf . Ein zum Ausbilden einer Öffnung vorbereiteter Bereich kann
beispielsweise Solltrennstellen, eine veränderte Adhäsion, eine veränderte Kohäsion und/oder chemisches Beständigkeit hinsichtlich eines Lösungsmittels hinsichtlich der ersten Maskenstruktur auf eisen .
Das Verfahren 200 weist ein Ausbilden eines zweiten
Strukturierungsbereiches in der ersten Maskenstruktur und in der zweiten Maskenstruktur auf (206 ) . Der zweite
Strukturierungsbereich wird in der ersten Maskenstruktur derart ausgebildet , derart , dass wenigstens ein Teil des ersten Strukturierungsbereiches in der ersten Maskenstruktur außerhalb des zweiten Strukturierungsbereiches in der ersten Maskenstruktur ausgebildet wird. Anschaulich kann der erste Strukturierungsbereich wenigstens teilweise neben dem ersten Strukturierungsbereich ausgebildet sein oder werden .
Alternativ kann der zweite Strukturierungsbereich komplett innerhalb der Abmessung des ersten Strukturierungsbereiches ausgebildet sein oder werden, wobei der erste
Strukturierungsbereich größer ist als der zweite
Strukturierungsbereich .
Nachfolgend (veranschaulicht in Fig.3A-I) wird das Verfahren 200 am Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen eines
optoelektronischen Bauelementes 400 veranschaulicht (siehe auch Beschreibung der Fig .4 ) . Veranschaulicht sind j ewei1s eine Draufsicht auf das Bauelement und darunter eine
schematisch Querschnittsansicht 306 im Verfahren 200 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen . Mittels des Verfahrens kann wenigstens ein Teil eines
optoelektronisches Bauelementes ausgebildet werden, wobei das optoelektronische Bauelement mit einem optisch aktiven
Bereich zum Absorbieren oder Emittieren einer elektromagnetischen Strahlung; und einem optisch inaktiven Bereich ausgebildet wird.
Das optoelektronische Bauelement weist eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine organische funktionelle
Schichtenstruktur auf, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet wird. Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise als eine organische Leuchtdiode , eine organische Solarzelle und/oder ein organischer Fotodetektor ausgebildet werden . Das
optoelektronische Bauelement kann beispielsweise als ein Flächenbauelement ausgebildet werden . Das optoelektronische Bauelement wird ausführlicher Fig .4 beschrieben.
Auf einem Substrat 302 ist eine erste Elektrode 304
ausgebildet , beispielsweise als eine vorstrukturierte Anode, beispielsweise aus ITO (veranschaulicht in Fig .3A) .
Auf oder über dem zu beschichtende Substrat 302 wird eine erste Maskenstruktur 308 angeordnet (veranschaulicht in
Fig .3B) . Der Rand der vorstrukturierten Anode ist in der Draufsicht des Substrates 302 mit erster Maskenstruktur 308 nicht sichtbar . Die gestrichelte Linie soll lediglich zur Orientierung die Kante der ersten Elektrode 304
veranschaulichen .
In verschiedenen Aus führungsbeispielen kann die erste
Maskenstruktur 308 beispielsweise selbsttragend ausgebildet sein . Die erste Maskenstruktur 308 kann auf oder über dem Substrat 302 angeordnet werden, beispielsweise in Form einer Folie , einer Platte oder eines Blechs . Die erste Maskenstruktur 308 kann eine KlebstoffSchicht auf eisen und mittels der KlebstoffSchicht mit dem Substrat 302 verbunden werden, beispielsweise als selbstklebende
Folie, selbstklebende Platte oder selbstklebendes Blech. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Maskenstruktur 308 als eine Beschichtung auf oder über dem Substrat 302 ausgebildet werden, beispielsweise in einem Stück entfernbar.
Die erste Maskenstruktur 308 kann ein Polymer aufweisen oder daraus gebildet werden, beispielsweise ein Polyolefin, beispielsweise ein Polyethylen oder ein Polypropylen, ein Polyimide, ein Polyvinylalkohol , ein Polyacrylat und/oder ein Polyethylenterephthalat , ein Polysilikon, ein
Polyethylennaphthalat , ein Polyvinylchlorid, ein Polystyrol, ein Polyester, ein Polycarbonat , Polyethersulfon . Weiterhin kann die erste Maskenstruktur 308 ein bio-basiertes Material aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise ein
Polylactid, eine Cellulose, ein Celluloseacetat und/oder eine Stärkemischung (Stärkeblend) . Weiterhin kann die erste
Maskenstruktur 308 als ein Laminat ausgebildet sein,
beispielsweise aus zwei oder mehreren Materialien,
Weiterhin kann die erste Maskenstruktur 308 ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen des Trägers 302, 402 des
optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise in Form einer Metallfolie, beispielsweise eine Aluminiumfolie.
Die erste Maskenstruktur 308 kann mehrere erste
Maskenstrukturen aufweisen, so dass das Anordnen der ersten Maskenstruktur 308 ein Anordnen von mehreren Maskenstrukturen nebeneinander aufweisen kann, beispielsweise mehreren
vereinzelten ersten Maskenstrukturen 308, beispielsweise als Folienstücke oder Bereichsfolien.
In einem Ausführungsbeispiel kann die erste Maskenstruktur 308 in einem körperlichen Kontakt auf dem Substrat 302 angeordnet werden, beispielsweise mittels einer
Klebstoffverbindung. In einem anderen Ausführungsbeispiel kann die erste Maskenstruktur 308 in einem Halter über dem Substrat 302 angeordnet werden, beispielsweise in einem
Rahmen. Der Halter kann beispielsweise auf dem Substrat aufliegen, wobei zwischen dem Substrat 302 und der ersten Maskenstruktur 308 ein Abstand ausgebildet sein kann.
In der ersten Maskenstruktur 308 kann ein erster
Strukturierungsbereich 310 ausgebildet sein und/oder werden, wobei der erste Strukturierungsbereich 310 eine oder mehrere Strukturierungen 310A, B aufweisen kann. Die Strukturierungen 310A, B können unterschiedliche Formen und/oder Abmessungen aufweisen und/oder an unterschiedlichen funktionalen
Bereichen des Substrates bzw. des optoelektronischen
Bauelementes angeordnet sein, beispielsweise über den
auszubildenden Kontaktpads des optoelektronischen
Bauelementes .
In einem Ausführungsbeispiel kann der erste
Strukturierungsbereich 310 wenigstens teilweise in der ersten Maskenstruktur 308 ausgebildet sein, bevor die erste
Maskenstruktur 308 auf oder über dem Substrat 302 angeordnet wird. Beispielsweise können Solltrennstellen,
unterschiedliche Rauheiten und/oder Oberflächenmodifikationen in dem ersten Strukturierungsbereich 310 ausgebildet sein . Eine Oberflächenmodifikation kann beispielsweise eine
Silanisierung, Thiolierung und/oder Passivierung sein .
In einem Ausführungsbeispiel kann die erste Maskenstruktur 308 in Form einer Beschichtung strukturiert auf oder über dem Substrat 302 ausgebildet sein oder werden derart , dass ein erster Strukturierungsbereich 310 nach einem Aushärten und/oder Vernetzen der Beschichtung ausgebildet ist .
In einem Ausführungsbeispiel kann der erste
Strukturierungsbereich 310 wenigstens teilweise in der ersten Maskens ruktur 308 ausgebildet werden, nachdem die erste
Maskenstruktur 308 auf oder über dem Substrat 302 angeordnet wird (veranschaulicht in Fig .3 C ) . Anschaulich wird in der ersten Maskenstruktur 308 eine Strukturierung 310A, B eingebracht bzw. ausgebildet, wodurch sich beispielsweise zwei unzusammenhängende, das heißt vereinzelte bzw.
segmentierte, Bereiche der Maskenstruktur 308 ergeben. Das Ausbilden des ersten Strukturierungsbereiches 310 kann ein Ausbilden mindestens einer der folgenden Strukturierungen 310A, B in der ersten Maskenstruktur 308 aufweisen : ein Loch, eine Solltrenns elle , eine Ringstruktur . Der erste
Strukturierungsbereich 310 kann derart ausgebildet sein oder werden, dass er eine andere Adhäsion hinsichtlich des
Substrates 302 , eine andere Adhäsion hinsichtlich der zweiten Maskenstruktur und/oder eine andere Kohäsion aufweist als die erste Maskenstruktur 308 außerhalb des ersten
Strukturierungsbereiches 310 , beispielsweise eine andere Löslichkeit hinsichtlich eines Lösungsmittels oder eine andere Haftkraft . Mit anderen Worten : der erste
Strukturierungsbereich 310 kann derart ausgebildet sein oder werden, dass zwei oder mehr gleiche oder unterschiedliche erste Strukturierung 310A, B in der ersten Maskenstruktur 308 ausgebildet sind, wobei die zwei oder mehr ersten
Strukturierungen 310A, B in der ersten Maskenstruktur 308 lateral nebeneinander angeordnet sind und/oder wobei
wenigstens zwei der ersten Strukturierungen 310A, B sich teilweise in der ersten Maskenstruktur 308 überlappen.
Der in der ersten Maskenstruktur 308 vereinzelte Bereich kann aus der ersten Maskenstruktur 308 entfernt werden,
beispielsweise verdampft oder mechanisch entfernt werden, beispielsweise mit einem Greifer oder einer Pinzette
abgezogen werden, beispielsweise mit einer Vakuumpinzette . Beispielsweise kann die erste Maskenstruktur 308 eine
Folienmaske 308 sein und mindestens eines der Foliensegmente 310A, B der Folienmaske 308 mechanisch entfernt werden, so dass sich mindestens ein makroskopischer offener Bereich in der Maskenfolie 308 ergibt (veranschaulicht in FIG.3C).
Die oben beschriebenen, veränderten Eigenschaften in dem/den Strukturierungsbereich (en) , beispielsweise die veränderte Löslichkeit oder Haftkraft, kann/könne entsprechend genutzt werden, um den strukturierten und/oder vereinzelten Bereich zu entfernen. Beispielsweise ein Auflösen des vereinzelten Bereiches oder Erwärmen des Substrats, wobei der vereinzelte Bereich mit verringerter Haftkraft früher seine Adhäsion zum Substrat verliert und dadurch „abfallen" kann als die
Maskenstruktur außerhalb des Strukturierungsbereiches ,
Der in der ersten Maskenstruktur 308 vereinzelte Bereich in dem Strukturierungsbereich kann jedoch auch nach dem
Strukturieren in der ersten Maskenstruktur 308 verbleiben und erst mit oder nach dem Entfernen einer zuvor aufgebrachten zweiten Maskenstruktur entfernt werden. Anschaulich kann der in der ersten Maskenstruktur 308 vereinzelte Bereich nach dem Anordnen der zweiten Maskenstruktur auf oder über der ersten Maskenstruktur 308 von der ersten Maskenstruktur 308 umgeben sein, beispielswiese seitlich. Der in der ersten
Maskenstruktur 308 vereinzelte Bereich kann dadurch als
Stützstruktur der zweiten Maskenstruktur wirken,
beispielsweise bei großflächigen ersten
Strukturierungsbereichen, bei denen die zweite
Maskierungsstruktur andernfalls „ durchhängen" könnte. Der erste Strukturierungsbereich 310 kann derart ausgebildet sein oder werden, dass der vereinzelte Bereich in der ersten
Maskenstruktur 308 flächig in einem Stück entfernbar ist, beispielsweise mechanisch mittels einer Klebefolie oder einer Lasche an der Maskierungsstruktur.
Im Folgenden wird eine zweite Maskenstruktur 312 auf oder über der ersten Maskenstruktur 308 angeordnet
(veranschaulicht in Fig.3D ) . Die Ränder der unter der zweiten Maskenstruktur 312 abgedeckten Schichten sind in einer
Draufsicht nicht zu erkennen (die gestrichelten Linien der Schichten unter der zweiten Maskenstruktur sollen lediglich zur Orientierung dienen) .
Die zweite Maskenstruktur 312 kann gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen der ersten Maskenstruktur 308 ausgebildet sein, beispielsweise hinsichtlich der ersten Maskenstruktur 308 anstelle hinsichtlich des Substrates 302 wie bei der ersten Maskenstruktur 308. In einem Ausführungsbeispiel kann die erste Maskenstruktur 308 eine Positionsmarkierung aufweisen oder eine solche in der ersten Maskenstruktur 308 ausgebildet sein oder werden derart , dass die zweite Maskenstruktur 312 und/oder der zweite Strukturierungsbereich anhand der Positionsmarkierung hinsichtlich der ersten Maskierungsstruktur und/oder dem ersten Strukturierungsbereich ausrichtbar sind/ist.
Die erste Maskenstruktur 308 und die zweite Maskenstruktur 312 bilden eine Maskendoppelstruktur, auch bezeichnet als Maskenstruktur- Stapel . Bei mehr als zwei Maskenstrukturen kann die Maskendoppelstruktur auch als Maskenmehrf chstruktur bezeichnet werden. Bei Folienmasken 308, 312 kann die
Maskendoppelstruktur auch als Folienmaskendoppelschlicht bezeichnet werden. In die entstandene Maskendoppelstruktur wird in einem zweiten Strukturierungsschritt , beispielsweise einem zweiten Folienstrukturierungsschritt , erneut eine
Strukturierung eingebracht. Diese Strukturierung ist als zweiter Strukturierungsbereich 314 wenigstens teilweise in der ersten Maskenstruktur 308 und wenigstens teilweise in der zweiten Maskenstruktur 312 ausgebildet. Der zweite
Strukturierungsbereich kann gemäß einer der oben
beschriebenen Ausgestaltungen des ersten
Strukturierungsbereich.es ausgebildet sein. Dadurch können beispielsweise mindestens zwei unzusammenhängende, d.h.
vereinzelte, Bereiche 310A, B und 314 in der
Maskendoppelstruktur ausgebildet werden. Der Teil des zweiten Strukturierungsbereich.es 314 der zweiten Maskenstruktur 312 kann beispielsweise mechanisch aus der zweiten Maskenstruktur entfernt werden, beispielsweise mit einem Greifer, einer Pinzette oder einer Vakuumpinzette, so dass sich mindestens eine Öffnung in der Maskendoppelstruktur ausbildet
(veranschaulicht in FIG.3E). Dadurch ist die
Maskendoppelstruktur segmentiert, d.h. voneinander unterschiedliche Bereiche, das heißt Segmente, sind in der Maskendoppelstruktur ausgebildet, beispielsweise die Öffnung 314 und die zweite Maskenstruktur 312. Der zweite Strukturierungsbereich 314, das heiß
beispielsweise die im zweiten Folienstrukturierungsschritt definierten offenen Bereiche in der Maskendoppelstruktur, kann mehrere Strukturierungen aufweisen. Die mehreren
Strukturierungen des zweiten Strukturierungsbereiehes 314 können an anderen Stellen angeordnet sein als die
Strukturierungen 310A, B ; beispielsweise Öffnungen, die nur in der ersten Maskenstruktur 308 ausgebildet sind. Die mehreren Strukturierungen des zweiten
Strukturierungsbereiehes 314 können jedoch auch die ersten Strukturierungen 310A, B teilweise oder ganz überlappen.
Anschaulich können beim ganzen Überlappen einzelne
Strukturierungen 310A, B des ersten Strukturierungsbereiehes 310 komplett innerhalb des zweiten Strukturierungsbereiehes 314 liegen. Beim Entfernen des zweiten
Strukturierungsbereiehes 314 können die überlappten
Strukturierungen 310A, B des erste Strukturierungsbereiehes 310 mit dem zweiten Strukturierungsbereich 314 entfernt werden. Dadurch können beispielsweise einzelne
Strukturierungen 310A, B des erste Strukturierungsbereiehes 310 mit dem Entfernen des zweiten Strukturierungsbereiehes
314 freigelegt werden, während andere Strukturierungen 310A, B des erste Strukturierungsbereiehes 310 noch in der ersten Maskenstruktur 308 verbleiben. Dies kann beispielsweise realisiert werden, indem einzelne Strukturierungen 310A, B des ersten Strukturierungsbereiehes 310 lediglich in der ersten Maskenstruktur 308 vorstrukturiert sind. Dadurch können mit der ersten Maskens ruktur 308 mehrere
Maskenschritte durchgeführt werden, ohne ein erneutes
Ausrichten der ersten Maskenstruktur 308.
Die ersten Strukturierungen 310A, B die aus der ersten
Maskenstruktur 308 entfernt wurden und nicht auch mittels des zweiten MaskenstrukturierungsSchrittes , das heißt dem Ausbilden des zweiten Maskierungsbereiches 314, entfernt werden, verbleiben anschaulich als Hohlräume unter der zweiten Maskenstruktur 312 in der Maskendoppelstruktur, Alternativ zur Strukturierung der ersten Maskenstruktur 308 und der Maskendoppelstruktur auf dem Substrat 302 können auch beide Maskenstrukturen 308, 312 oder nur die zweite
Maskenstruktur 312 vor dem Anordnen auf oder über dem
Substrat 302, beispielsweise vor dem Aufbringen auf das
Substrat 302; mit offenen Bereichen oder vorbereiteten
Bereichen, beispielsweise Perforationen, vorstrukturiert sein. Beispielsweise kann nur die zweite Maskenstruktur 312 vor dem Aufbringen über das Substrat strukturiert werden oder sein und die erste Maskenstruktur 308 nach dem Aufbringen auf das Substrat strukturiert werden.
In diesem Fall können offene Bereiche 314 der zweiten
Maskenstruktur 312 bereits in der ersten Maskenstruktur 308 als offene Bereiche vorliegen oder vorbereitet sein,
beispielsweise mittels Solltrennstellen und/oder veränderter
Adhäsion und/oder Kohäsion hinsichtlich der Maskenstruktur. In einem ersten Bearbeitungsschritt des Substrates 302, beispielsweise einem Beschichtungsschritt und/oder
Abtragungsschritt, kann auf das Substrat 302 eine erste
Schicht oder Schichtstruktur 316 ausgebildet werden,
beispielsweise aufgebracht werden {veranschaulicht in
Fig .3F) . Die erste Schicht 316 kann beispielsweise eine organische funktionelle Schichtenstruktur 316 sein - siehe auch Beschreibung der Fig.4. Anschaulich kann die
Maskendoppelstruktur mit einem ersten Material oder
Materialstapel beschichtet werden.
Anschließend kann die zweite Maskenstruktur 312 mechanisch entfernt werden eine weitere Maskenstruktur auf oder über der zweiten Maskenstruktur 312 angeordnet werden oder eine weitere Maskenstruktur auf oder über der ersten
Maskenstruktur 308 angeordnet werden, nachdem die zweite Maskenstruktur 312 entfernt wurde. Die zweite Maskenstruktur 312 kann beispielsweise mechanisch entfernt werden, beispielweise mit einer Pinzette oder einem Greifer, beispielsweise einer Vakuumpinzette .
Die aufgebrachte erste Schicht 316, d.h. das aufgebrachte Material, verbleibt somit auf den Bereichen des Substrats 302, die den offenen Bereichen 314 der Maskendoppelstruktur entsprechen {veranschaulicht in Fig .3G) .
In einem zweiten Bearbeitungsschritt, beispielsweise einem Beschichtungsschritt und/oder Abtragungsschritt , kann das Substrat 302 mit der verbleibenden ersten Maskenstruktur 308 mit einem zweiten Material oder Materialstapel beschichtet werden {veranschaulicht in Fig .3H) . Dadurch kann eine zweite Schicht 318 auf oder über der ersten Schicht 316 und/oder dem Substrat 302 im ersten Strukturxerungsbereich 310 aufgebracht werden. Die zweite Schicht 318 kann beispielsweise eine zweite Elektrode 318 sein, beispielsweise eine spiegelnde obere Elektrode, auch bezeichnet als Topelektrode; - siehe auch Beschreibung der Fig.4.
Anschließend kann die erste Maskenstruktur 308 auf dem
Substrat 302 verbleiben; mechanisch entfernt werden eine neue zweite Maskenstruktur 312 auf oder über der ersten
Maskenstruktur 308 angeordnet werden oder eine neue erste Maskenstruktur auf oder über der ersten Substrat 302 mit erster Schicht 316 und zweiter Schicht 318 angeordnet werden, nachdem die erste Maskenstruktur 308 entfernt wurde.
Die erste Maskenstruktur 308 kann beispielsweise mechanisch entfernt werden, beispielweise mit einer Pinzette oder einem Greifer, beispielsweise einer Vakuumpinzette. Die zweite Schicht 318 kann beispielsweise auf den Bereichen des Substrats 302 ausgebildet sein, die mittels der offenen Bereiche 310A, B der ersten Masken truktur 308 definiert sind (veranschaulicht in Fig.31) . Dadurch kann beispielsweise ein optisch aktiver Bereich 322 ausgebildet werden, wobei der Bereich neben dem optisch aktiven Bereich optisch 322 inaktiv ist. In dem optisch inaktiven Bereich können beispielsweise mittels der ersten Strukturierungen 310A, B die ontaktpads 320A, 32 OB zum externen elektrischen Anbinden der organischen funktionellen Schichtenstruktur 316 ausgebildet werden.
Mittels des Verfahrens 200 können die zweite Schicht 318 und die erste Schicht 316 insbesondere im Bereich der Kanten 324 der Schichten 316, 318 eine Übereinstimmung der Ausrichtung aufweisen, beispielsweise eine automatische Übereinstimmung (auto-alignment ) .
Der erste Bearbeitungsschritt kann ein Aufbringen und/oder Abtragen einer einzigen Beschichtung mit/aus einem einzigen Material sein oder es können mehrere Beschichtungen
aufgebracht und/oder abgetragen werden. Dadurch kann ein Materialstapel ausgebildet werden, beispielsweise die organische funktionelle Schichtenstruktur 312 in einer organischen Leuchtdiode. Analog kann der zweite
Bearbeitungsschritt ein Aufbringen und/oder Abtragen von einer einzigen Schicht oder mehreren Schichten aufweisen, beispielsweise ein Ausbilden einer mehrschichtigen Kathode einer organischen Leuchtdiode .
Weiterhin kann im ersten Bearbeitungsschritt und im zweiten Bearbeitungsschritt das gleiche Material bzw. der gleiche Materialstapel auf die unterschiedlichen Bereiche des
Substrats 302 aufgebracht und/oder abgetragen werden»
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine
Maskenstruktur eine gängige temporär-haftende ,
wiederablösbare Klebefolie mit relativ geringer Klebekraft sein, beispielsweise wie sie von Anbietern wie Kimoto , Tesa, 3M kommerziell erhältlich sind. Diese Folien bestehen in der Regel aus einem polymeren Grundmaterial, beispielsweise PET, mit einer klebenden Beschichtung, beispielsweise einem
Acrylat-Klebstoff .
Das Strukturieren der ersten Maskenstruktur und der zweiten Maskenstruktur, beispielsweise mittels eines Schneidens der Maskenfolien, kann beim Ausbilden des ersten
Strukturierungsbereich.es und/oder des zweiten
Strukturierungsbereiches mittels technisch einfacher
Verfahren ausgebildet sein oder werden, beispielsweise mittels eines Schneidpiotters oder eines Lasercutters oder anderer herkömmlicher folienbearbeitender Verfahren.
Das mechanische Entfernen von Bereichen der Maskenstrukturen aus den Strukturierungsbereichen kann automatisiert oder manuell erfolgen, beispielsweise ein Abziehen von
Foliensegmenten, um in der ersten Maskenstruktur oder in der Maskendoppelstruktur offene Bereiche auszubilden. Dazu können die zu entfernenden Bereiche der Maskenstrukturen mit einer Pinzette oder einem mechanischem Greifer gegriffen werden oder mit einer Vakuumpinzette abgehoben werden,
Das Abziehen der ersten Maskenstruktur und der zweiten
Maskenstruktur nach dem jeweiligen Bearbeitungsschritt kann „inline" erfolgen, also automatisiert innerhalb der
Beschichtungsanlage . Dazu können die zu entfernenden Bereiche der Maskenstruktur beispielsweise automatisiert mit einer Vakuumpinzette abgehoben werden. Alternativ können die
Maskenstrukturen vor dem Auflaminieren auf das Substrat 302 mit Laschen versehen sein, an denen ein Robotorgreifarm die Maskenstruktur (en) vom. Substrat 302 abziehen kann. Dadurch können die makroskopischen Maskenstrukturen und/oder die zu entfernenden Bereich der Maskenstrukturen auf technisch einfache Weise mechanisch entfernt werden, so dass
beispielsweise der Prozess des Folienmaskenabziehens „inline" automatisiert durchgeführt werden kann. Maskenstrukturen, die in Haltern über dem Substrat und/oder übereinander angeordnet sind, können mittels eines
„Herausfahrens " des jeweiligen Halters aus dem Bereich über dem Substrat mechanisch entfernt werden. Die Adhäsion der zweiten Maskenstruktur mit der ersten
Maskenstruktur, das heißt die Haftkräfte, sollte derart eingestellt sein, dass die zweite Maskenstruktur von der ersten Maskenstruktur entfernbar ist. Beispielsweise kann die erste Maskenstruktur mit einem ersten Klebstoff mit dem
Substrat verklebt sein und die zweite Maskenstruktur mit einem zweiten Klebstoff mit der ersten Maskenstruktur
verklebt sein.
Um die zweite Maskenstruktur von der ersten Maskenstruktur abzulösen, sollte der zweite Klebstoff eine geringere
Haftkraft aufweisen als der erste Klebstoff. So kann
siehergestellt werden, dass die erste Maskenstruktur auf dem Substrat verbleibt, wenn die zweite Maskenstruktur abgezogen wird. Temporäre Klebefolien mit unterschiedlichen
Klebekräften sind kommerziell verfügbar, beispielsweis die Klebefolienreihe „ Prosave EP" der Firma Kimoto, die in drei Ausführungen mit unterschiedlicher Haftkraft kommerziell verfügbar ist: LS75 mit 0,06 N/ 25mm ; MS75 mit 0,103 N/ 25mm ; und HS75 mit 0,89 N/ 25mm auf PET, Alternativ dazu kann für die zweite Maskenstruktur eine Klebefolie verwendet werden, die ihre Haftkraft bei Eintrag von Temperatur oder spezieller Beleuchtung verliert, beispielsweise mittels UV-Bestrahlung, Lase -Erwärmen. In diesem Fall kann das Substrat nach dem ersten Beschichtungsschritt erwärmt oder beleuchtet werden, so dass die zweite Maskenstruktur ihre Klebekraft verliert und vom Substrat 302 „abfällt". Dasselbe Prinzip kann auch zum Ablösen der ersten Maskenstruktur verwendet werden. In diesem Fall sollte beachtet werden, dass der Klebstoff der ersten Maskenstruktur seine Haftkraft erst bei einem höheren Energieeintrag verliert als der Klebstoff der zweiten
Maskenstruktur und/oder sein Haftkraft mittels eines anderen Mechanismus verliert, beispielsweise mittels UV-Licht mit anderer Wellenlänge oder einem Temperatureintrag statt UV-
Belichtung.
Weiterhin können unterschiedliche Klebefolien mit dem
gleichen Klebstoff und unterschiedlichen Trägerfolien des Klebstoffes verwendet werden. Ein Klebstoff kann eine
unterschiedliche Haftkraft auf unterschiedlichen Materialien aufweisen, beispielsweise kann die Haftkraft eines Klebstoffs auf PET der ersten Maskenfolie geringer sein als die Haftkraft dieses Klebstoffes auf dem Substrat, beispielsweise Glas mit ITO.
Weiterhin kann die Oberfläche einer Maskenfolie,
beispielsweise der ersten Maskenfolie, behandelt sein, so dass der Klebstoff auf ihr eine besonders geringe Haftkraft aufweist, d.h. wenig haftet. Eine solche Behandlung kann beispielsweise ein Aufbringen einer Silikon-, Thiol-, Silan- oder Fluorpolymer-Schicht auf der Folienoberfläche der
Maskenfolie aufweisen. Anschaulich ist dies bei einer Rolle gewöhnlichen Klebebandes ersichtlich, bei der der Klebstoff kaum auf dem Klebeband selbst haftet, aber sehr stark auf nahezu beliebigen Substraten haftet. Um einen zu entfernenden Bereich der ersten Maskenstruktur mit der zweiten Maskenstruktur zu entfernen, sollte der zweite Klebstoff im Bereich des zu entfernenden Bereichs des ersten Strukturierungsbereiches eine größere Haftkraft aufweisen als der erste Klebstoff.
Der erste Klebstoff und/oder der zweite Klebstoff können derart ausgebildet sein oder werden, dass die Haftkraft lokal mittels einer Einwirkung von außen veränderbar ist.
Beispielsweise kann mittels einer ÜV-Bestrahlung oder einem Temperatureintrag, beispielsweise einer UV-Blitzlichtlampe oder einer Laserbestrahlung, der Klebstoff (in Abhängigkeit der konkreten Ausgestaltung des Klebstoffs) vernetzt oder degradiert werden. Ein. Vernetzen von Klebstoffmolekülen kann zu einem Erhöhen der Haftkraft führen, und ein Degradieren zu einem Auftrennen von Klebstoffmolekülen, wodurch die
Haftkraft reduziert werden kann.
Fig.4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
Das optoelektronische Bauelement 400 kann teilweise oder vollständig mittels Verfahrens 200 gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ausgebildet sein oder werden.
Das optoelektronische Bauelement 400 kann zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen elektromagnetischer Strahlung
eingerichtet sein derart , dass eine elektrische Energie aus einer aufgenommenen elektromagentisehen Strahlung erzeugt wird und/oder eine e1ektromagnetische Strahlung aus einer bereitgestellten elektrischen Energie erzeugt wird.
Das optoelektronische Bauelement 400 kann als eine organische Leuchtdiode 400, ein organischer Fotodetektor 400 oder eine organische Solarzelle ausgebildet sein. Eine organische Leuchtdiode 400 kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom- Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den
Träger emittiert . Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger .
Ein Top- Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen
Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein .
Das optoelektronische Bauelement weist ein hermetisch dichtes Substrat 302 , einen aktiven Bereich 406 und eine
Verkapselungsstruktur 410 auf .
Der aktive Bereich ist ein elektrisch aktiver Bereich
und/oder ein optisch aktiver Bereich . Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 400, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des
optoelektronischen Bauelements 400 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird . Das hermetisch dichte Substrat 302 kann den Träger 402 und eine erste Barriereschicht 404 aufweisen. Der elektrisch aktive Bereich 406 kann eine erste Elektrode 304, eine organische funktionelle Schichtenstruktur 312 und eine zweiten Elektrode 318 aufweisen.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 312 kann eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 416, eine Zwischenschicht 418 und eine zweite organische
funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 420 aufweisen.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 406 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichten zwischen den
Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen .
Die Verkapselungsstruktur kann eine zweite Barriereschicht 408, eine schlüssige Verbindungsschicht 422 und eine
Abdeckung 424 aufweisen.
Der Träger 402 kann Glas, Quarz, und/oder ein
Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine
(beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) ,
Polystyrol { PS } , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET) , Poiyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 402 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metall erbindung, beispielsweise Stahl. Der Träger 402 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Der Träger 402 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.
Der Träger 402 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein. Der Träger 402 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder
absorbierten elektromagnetischen Strahlung des
optoelektronischen Bauelementes 400.
Die erste Barriereschicht 404 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid , Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und
Legierungen derselben. Die erste Barriereschicht 404 kann mittels eines der
folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) } oder ein plasmaloses
Atomlageabscheideverfahren (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) ; ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition (CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) } oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma- less Chemical Vapor
Deposition (PLCVD) ) ; oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren.
Bei einer ersten Barriereschicht 404, die mehrere
Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine
Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „NanolaminatΆ bezeichnet werden.
Bei einer erste Barriereschicht 404, die mehrere
Teilschichten aufweist, können eine oder mehrere
Teilschichten der zweite Barriereschicht 408 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die erste Barriereschicht 404 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung,
beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.
Die erste Barriereschicht 404 kann ein oder mehrere
hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material ( ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste
Barriereschicht 404 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall, dass der Träger 402 hermetisch dicht
ausgebildet ist. Die erste Elektrode 304 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 304 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conduc ive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen
Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind;
ein Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die
beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen- eilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus
halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges
Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren
Komposite . Die erste Elektrode 304 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 304 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden
Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide:
beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid { ITO) . Neben binären
Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder 1^03 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdSnOs , ZnSn03 , Mgln2©4 ,
Galn03 , Zn2In2Ös oder I^SnßO^ oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein.
Die erste Elektrode 304 kann eine Schicht oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 304 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten,
Die erste Elektrode 304 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nra bis 500 nm,
beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.
Die erste Elektrode 304 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist. Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden {nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) . Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 402 angelegt sein und die erste Elektrode 304 durch den Träger 402 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann
beispielsweise das Massepotential oder ein anderes
vorgegebenes Bezugspotential sein. In Fig.4 ist ein optoelektronisches Bauelement 400 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 416 und einer zweite organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 420 dargestellt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 312 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70. Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 416 und die optional weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedliche ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 420 , oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen
Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 416 ausgebildet sein .
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 416 kann eine Lochinjektionsschicht, eine
Lochtransportschicht , eine Emitterschicht , eine
ElektronentransportSchicht und eine
Elektroneninj ektionsschicht auf eisen .
In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 312 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schicht einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander angeordnet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein.
Eine Lochin ektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 304 ausgebildet sein . Die Lochinj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-C , Cu (1} pFBz, MoOx, WOx, V0X, ReOx, F4 -TCNQ, DP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc; NPB (N,N* - Bis (naphthalen-l-yl) -N, N 1 -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ,- TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl- luoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9 -dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl ) -N, N ' -bis (phenyl) -9 , 9 -diphenyl- fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) henyl] -9H- fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis -naphthalen- 2 -yl- amino) henyl] -9H- fluoren; 9 , 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen- 2- yl-N,N' -bis -phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor;
N, ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin;
2, 7-Bis [ , -bis (9, 9 - spiro-bifluorene - 2 -yl ) -amino] -9 , 9-spiro- bif luoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4-yl) amino] 9, 9-spiro- bif luoren; 2,2' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9 , 9 -spiro-bifluoren; Di- [4- (N, -ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;
2 , 2 ' , 7 , 71 - tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, N, ' , N ' -tetra-naphthalen- 2 -yl-benzidin .
Die Lochinj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm. Auf oder über der Lochin ektionsschicht kann eine
Lochtransportschicht ausgebildet sein . Die
Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : NPB (N, N ' - Bis (naphthalen- 1-yl) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD
(N, N 1 -Bis ( 3 -methylphenyl ) ~N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -Spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N , ' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl- fluoren) ; DMFL-NPB (N, N ' -Bis (naphthalen- 1-yl) -N, N 1 - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) - , ' -bis (phenyl) -9, 9 - diphenyl - fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- f luoren) ; Spiro- TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , 9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl- -yl- amino) phenyl] -9H- luoren; 9 , 9-Bis [4 - (N, N-bis -naphthalen- 2 -yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren ; 9,9-Bis[4-(N,N' -bis -naphthalen- 2 - yl -N, N ' -bis -phenyl -amino) -phenyl] - 9H- fluor ; Ν,Ν' -bis (phenanthren- 9 -yl) - , N ' -bis (phenyl) -benzidin; 2,7- Bis [N, N-bis (9, 9 -spiro-bifluorene-2 -yl ) -amino] -9, 9-Spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, N-bis {biphenyl-4 -yl) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, N-di-phenyl-amino) 9 , 9 -spiro-bifluoren; Di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2 , 2 ' , 7 , 7 ' - tetra ( , N-di-tolyl) amino- spiro-bifluoren; und N,
,Ν' , ' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen .
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm .
Auf oder über der Lochtransportschicht kann eine
Emitterschicht ausgebildet sein . Jede der organischen
f nktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 416 , 420 kann jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen,
beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emittern .
Die eine oder mehreren elektrolumineszierenden Schichten kann oder können organische Polymere , organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine , nicht-polymere
Moleküle („ small molecules " ) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen.
Das optoelektronische Bauelement 400 kann in einer
Emit e schicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : organische oder
organometal1ische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe , beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis {3 , 5 -difluoro- 2 - ( 2 -pyridyl ) phenyl - (2- carboxypyridyl) -iridium III) , grün phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris ( 2 -phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4,4' -di-tert- butyl - (2,2') -bipyridin] ruthenium ( III ) komplex} sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl ) , grün fluoreszierendes TTPA
(9,10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer
technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Emitterschicht 434 eine Schichtdicke aufweisen in einem
Bereich von ungefähr 5 nm bis ungef hr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm .
Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren . Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermacerial anzuordnen, das die PrimärStrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine SekundärStrahlung anderer Wellenlänge emittiert , so dass sich aus einer {noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 416 kann eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten
auf eisen, die als Loch ransportschicht ausgeführt ist/ sind. Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 416 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind.
Weiterhin kann auf oder über der Emitterschicht eine
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein .
Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET- 18; 2 , 2 ' , 2 " - (1, 3 , 5 -Benzinetriyl ) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole} ; 2- { 4 -Biphenylyl ) -5- (4 - tert -butylpheny1 ) - 1, 3 , 4 -oxadiazole , 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3 , 5-diphenyl-4H-l, 2 , -triazole; 1,3-Bis [2- (2, 21 -bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- ( -Biphenylyl ) -4- phenyl-5-tert-butylpheny1-1 , 2 , 4-triazole ; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4 - (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1, 3 , 4 -oxadiazo- 2 -yl] -2,2' -bipyridyl; 2 - phenyl-9 , 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine - 6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] -9 , -dimethylfluorene ; 1 , 3 -Bis [2 - { 4 - tert -butylpheny1 ) -1 , 3 , 4 -oxadiazo- 5-yl] benzene; 2- (naphthalen- 2 -yl ) - , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline ; 2 , 9- Bis (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline ;
Tris {2,4, 6 - trimethyl - 3 - {pyridin- 3 -yl ) phenyl ) borane ; 1-methyl- 2- (4- { naphthalen- 2 -yl ) henyl ) -lH-imidazo [4,5- f] [1, 10] phenanthrolin; Phenyl -dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Iraide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit . Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr
50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm, Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine
Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die
Elektronenin ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26 , MgAg, Cs2C03 , CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs , Li, LiF;
2, 2 ',2« - (1, 3, 5-Benzinetriyl) -tris (1 -phenyl -1-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl} -5- (4-tert-butylphenyl) - 1, 3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl- , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3 , 5 -diphenyl-4H-l , 2 , - triazole ; 1, 3 -Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene,- 4,7- Diphenyl-1, 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- pheny1 - 5 - tert -butylphenyl - 1 , 2 , 4- triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4 -oxadiazo- 2 -yl] -2,2 ' -bipyridyl; 2- phenyl- 9 , 10-di (naphthalen- 2 -y1 ) -anthracene; 2 , 7-Bis [2- (2 , 2 ' - bipyridine - 6 -yl ) -1,3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] -9 , 9 - dimethy1fluorene ; 1, 3-Bis [2- ( 4 - tert -butylphenyl ) -1,3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2 - (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen- 2 -yl } -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ;
Tris (2,4, 6 - trimethyl - 3 - (pyridin-3-yl) phenyl) borane ; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen- 2 -yl) phenyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1,10] phenanthroline ; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw.. dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit . Die Elektroneninj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.
Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 312 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 416, 420 , kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 420 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 416 ausgebildet sein. Zwischen den organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 416 , 420 kann eine
Zwischenschicht 418 ausgebildet sein . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschicht 418 als eine Zwischenelektrode 418
ausgebildet sein gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 304. Eine Zwischenelektrode 418 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein . Die externe Spannungsque11e kann an der Zwischenelektrode 418 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential
bereitstellen. Die Zwischenelektrode 418 kann j edoch auch ein keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen,
beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschicht 18 als eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 418 (eine sogenannte Charge generation layer CGL) ausgebildet sein. Eine Ladungsträgerpaar-
Erzeugung-Schichtenstruktur 418 kann eine oder mehrere elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) aufweisen . Die elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 418 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) derart ausgebildet sein oder werden, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden
Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 418 kann zwischen benachbarten Schichten eine Zwischenschichtstruktur aufweisen, die beispielsweise als Diff sionsbarriere wirkt.
In Ausführungsbeispielen, in denen mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen vorgesehen sind, kann zwischen jeweils zwei organischen f nktioneilen
Schichtenstrukturen eine jeweilige Ladungsträgerpaar- Erzeugungs - Schichtenstruktur vorgesehen sein.
Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 416, 420 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μηι , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτη , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 3 00 nm. Das optoelektronische Bauelement 400 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
ElektronentransportSchicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel- /Auskoppelstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 400 weiter verbessern. Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 312 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 318 ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 318 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 304 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 304 und die zweite Elektrode 318 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 318 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine
elektroneninj izierende Elektrode . Die zweite Elektrode 318 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle
bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential, Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Die zweite BarriereSchicht 408 kann auch als
Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die zweite
Barriereschicht 408 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 404 ausgebildet sein.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite
Barriereschicht 408 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 400 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 408 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 424, beispielsweise eine
Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung. Ferner können in verschiedenen Aus ührungsbeispielen
zusätzlich noch eine oder mehrere Ein- /Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 400 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 402 (nicht dargestellt ) oder eine interne
Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 400. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt
Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer ist als der mittlere
Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere
Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweite Barriereschicht 408) in dem optoelektronischen
Bauelement 400 vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 408 eine schlüssige
Verbindungsschicht 422 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack. Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 422 kann eine Abdeckung 424 auf der zweiten Barriereschicht 408 schlüssig verbunden sein, beispielsweise aufgeklebt ist.
Die schlüssige Verbindungsschicht 422 kann transparent oder transluzent ausgebildet ein. Eine schlüssige Verbindungsschicht 422 aus einem
transparenten Material kann beispielsweise Partikel
aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,
beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 422 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Parbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können. Als lichtstreuende Partikel können dielektrische Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (S1O2 ) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (ZrO^) , Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid {Ga2Öx) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungs index haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen VerbindungsSchicht 422 verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische
Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
Die schlüssige Verbindung Schicht 422 kann eine Schichtdicke von größer als 1 μιτι aufweisen, beispielsweise eine
Schichtdicke von mehreren μπι . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die schlüssige Verbindungsschicht 422 einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sei .
Die schlüssige Verbindungsschicht 422 kann derart
eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem
Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der
Brechungsindex der Abdeckung 424. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Der Klebstoff kann jedoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungs index aufweist, der
ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 312 entspricht,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 318 und der schlüssigen Verbindungsschicht 422 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht
dargestellt ) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungef hr 1,5 μπι, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μτη, um elektrisch instabile Materialien zu
schützen, beispielsweise während eines nasschemischen
Prozesses .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 422 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 424 direkt auf der zweiten Barriereschicht 408 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 424 aus Glas , die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.
Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 406 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter-Struktur, d.h. eine lateral strukturierte Getter-Schicht , angeordnet sein (nicht dargestellt) .
Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, dass Stoffe , die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich 406 sind, absorbiert und bindet . Eine Getter- Schicht kann beispielsweise ein Zeolith-Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter-Schicht kann
transluzent , transparent oder opak ausgebildet sein.
Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μτη aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μπι .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht einen Laminations -Klebstoff aufweisen oder in der schlüssigen Verbindungsschicht 422 eingebettet sein.
Auf oder über der schlüssigen VerbindungsSchicht 422 kann eine Abdeckung 424 ausgebildet sein. Die Abdeckung 424 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 422 mit dem elektrisch aktiven Bereich 406 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen . Die Abdeckung 424 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 424 , eine
Metallfolienabdeckung 424 oder eine abgedichtete
Kunststof ffolien-Abdeckung 424 sein . Die Glasabdeckung 424 kann beispielsweise mittels einer Fritten- erbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/ seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organ schen optoelektronischen Bauelementes 400 mit der zweite Barriereschicht 408 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 406 schlüssig verbunden werden.
Die Abdeckung 424 und/oder die schlüssige VerbindungsSchicht 422 können einen Brechungs index (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 auf eisen.
Fig .5A-C zeigen schematische Darstellungen von
Ausführungsbeispielen optoelektronischer Bauelemente .
In Fig.5 sind Ausführungsbeispiele einer organischen
Leuchtdiode als ein optoelektronisches Bauelement 400
veranschaulicht, die mittels des Verfahrens gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele herstellbar sind . Mittels des Verfahrens kann der flächige optisch aktive
Bereich strukturiert v/erden derart, dass eine Information darstellbar ist , beispielsweise ein Ideogramm, ein Piktogramm und/oder ein Schrift zug; ein Guckloch, ein Fenster und/oder eine Durchschauöf fnung .
Die organische Leuchtdiode 400 kann einen flächigen optisch aktiven Bereich 502 aufweisen . In dem optisch aktiven Bereich 502 kann beispielsweise ein transparenter , optisch inaktiver Bereich 504 und/oder ein transparenter optisch aktiver
Bereich ausgebildet sein (veranschaulicht in Fig.SA) , beispielsweise ein Guckloch ( look through hole) oder ein Fenster in der optisch aktiven Fläche . Beispielsweise kann der flächige optisch aktive Bereich 502 als Bottom- oder Top- Emitter OLED ausgebildet ist und in dem optisch aktiven
Bereich ein Bereich mit einer transparenten OLED ausgebildet sein. Solche Strukturen sind mit herkömmlichen Masken- Verfahren nur sehr schwer herstellbar beim Einsatz einer transparenten Kathode oder mittels Multi -Masken-Beschichtung und zusätzlichen Lithographieschritten mit Lack. Mittels herkömmlicher Verfahren verblieben Restmaterialien in der optisch inaktiven Aussparung 504, welche die Transparenz und das optische Erscheinungsbild im ausgeschalteten Zustand
(of f -State-appearance) und eingeschaltetem Zustand (on-state- appearance) beeinflussen. Mittels des Verfahrens 200 mit der ersten Maskenstruktur und der zweiten Maskenstruktur gemäß oben beschriebener Ausgestaltungen kann ein vollständig transparentes Guckloch ausgebildet werden. Die vollständige Transparenz ist die maximal erreichbare Transparenz bei
Berücksichtigung der Transparenz von Substrat 302 und
Verkapselungsstruktur (410 - siehe Fig.4) .
Weiterhin kann eine organische Leuchtdiode mit elektrisch
voneinander isolierten Leucht- oder Designflächen 502, 506, 508 ausgebildet werden (veranschaulicht in Fig.5B und
Fig.5C) , beispielsweise kreis- und/oder ringförmig. Solche Strukturen weisen mittels herkömmlicher Lithographieverfahren eine gemeinsame Kathode auf. Das heißt die Ansteuerung ob eine Leuchtfläche 502, 506, 508 betrieben wird oder nicht erfolgt lediglich mittels des Regeins der Anode. Dies
bereitet jedoch Probleme bei einer Kombination der
Leuchtfunktion mit anderen Funktionen des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise Berührungssensoren (touch sensors) zum Ein- oder Ausschalten der Leuchtflächen. Eine zusätzliche Strukturierung der Kathode ist mit herkömmlichen Verfahren lediglich in einem Bereich von bis zu 5 mm
Stegbreite möglich, da feinere Strukturen in der
Schattenmaske durchhängen und somit eine zusätzliche, dicke Stützmaske erfordern würden, die beispielswiese 1,5 cm dick ist. Diese breiten Stege sind optische Todbereiche in der optisch aktiven Fläche der organischen Leuchtdiode. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes bereitgestellt, mit dem es möglich ist , die laterale Strukturierung mehrerer gestapelter funktionaler dünner Schichten während ihrer Abscheidung auf ein Substrat aufzubringen, um beispielsweise in einem
funktionellen Dünnschichtsystem unterschiedliche Schichten auf teilweise unterschiedliche laterale Bereiche, des
Substrats aufzubringen. Die Verwendung von Maskenfolien anstelle der üblichen metallischen Schattenmasken bringt eine Kostenersparnis , da die vergleichsweise teuren metallischen Masken und deren regelmäßige Reinigung eingespart werden . Außerdem können neue Bauteildesigns, die die Abscheidung von Materialien in andere Bereiche als bisher verlangen,
schneller umgesetzt werden, da nicht erst eine neue
Metallschattenmaske erforderlich ist , sondern lediglich die Programmierung des Folienschneidwerkzeugs , beispielsweise eines Schneidpiotters , angepasst zu werden braucht . Da sich die Folienmaske direkt auf dem Substrat befinden kann, ist die laterale Definition der beschichteten Bereiche besser als bei einer metallischen Schattenmaske , die mit geringem
Abstand über dem Substrat angeordnet wird . Insbesondere entfallen mögliche Fehlerquellen wie Durchhängen oder
Durchbiegen, beispielsweise aufgrund thermischen Verzugs während der Beschichtung von metallischer Maske oder
Substrat . Dies kann in herkömmlichen Verfahren vorkommen und mittels des vergrößerten Abstandes zwischen Substrat und Maske zu einer lateralen AufWeitung des beschichteten
Bereichs führen . Auch im fehlerfreien herkömmlichen Prozess mit metallischen Schattenmasken kommt es prinzipiell durch den Schattenwurf zu einem sanften Auslaufen des beschichteten Bereichs , d.h. zu einem Dickengradienten der abgeschiedenen Schicht an deren Rand . Im Gegensatz dazu hat die
abgeschiedene Materialschicht bei Verwendung der Maskenfolien eine scharfe Xante , da die angrenzenden Bereiche des
Substrats während des Beschichtungsvorgangs von der
Maskenfolie im direkten Kontakt überdeckt waren, so dass kein Unterdampfen möglich ist . Mittels eines Verwendens von
Maskenfolien ist es technisch einfacher möglich, OLED-Designs umzusetzen, in denen leuchtende OLED-Flächen innerhalb von anderen OLED-Bereichen liegen (zum Beispiel konzentrische Ringe) , oder in denen ein leuchtender Bereich einen nichtleuchtenden, nicht-beschichteten Bereich umschließt, z.B. eine OLED mit einem Guckloch, einem Fenster, einer
Durchschauöffnung oder einem intransparenten aber nichtleuchtenden Bereich. Mit metallischen Schattenmasken ist dies nur mit sehr aufwändigen und kostenintensiven
Multimaskenprozessen denkbar, für die eine mehrfach
wiederholte Beschichtung mit dem aufzubringenden Material notwendig ist. Desweiteren ist es mittels eines Verwendens von Folienmasken einfach möglich, nah beieinanderliegende individuelle leuchtende Bereiche herzustellen, ohne die dazwischenliegenden nicht- leuchtenden Bereiche auf etliche Millimeter auszuweiten, wie es im Fall von metallischen
Schattenmasken notwendig ist.
Ein weiterer Vorteil von Folienmasken ist deren Flexibilität, wodurch sie auch auf Oberflächen zum Einsatz kommen können, die nicht eben sind. Somit wird eine strukturierte
Beschichtung von gebogenen oder anders geformten Flächen bzw. von dreidimensionalen Körpern ermöglicht. Dazu können die Maskenfolien auf ein zunächst ebenes, flexibles Substrat aufgebracht werden und dann gemeinsam mit diesem in Form gebracht werden, oder direkt auf ein Substrat aufgebracht werden, das bereits geformt ist.
Beim Verwenden mehrerer herkömmlicher Schattenmasken werden diese zwischen den Beschichtungsschritten gewechselt, wobei ihre genaue Platzierung üblicherweise mechanisch erfolgt, was
Ungenau!gkeiten von mehreren Hundert Mikrometern in der lateralen Position der verschiedenen Materialschichten, mit sich bringt. Die Folge sind Design-Vorschriften (Design ules) für OLEDs , die diesen Ungenauigkeiten Rechnung tragen, beispielsweise bezüglich der Positionierung von
Kontaktflächen in Relation zu aktiven leuchtenden Flächen oder bezüglich der Position aller abgeschiedener Schichten auf dem Substrat. Dadurch verringert sich die maximale aktive Leuchtfläche der OLED um diese Toleranzen der
Maskenpositionierung. Beim Verwenden mehrerer gestapelter Maskenstrukturen gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen, ist dies anders, beispielsweise bei der Verwendung
aufeinander geklebter Folienmasken. Beim Strukturieren der zweiten, oberen Folienmaske wird gleichzeitig die erste, untere Folienmaske strukturiert. Bereiche, die im ersten Beschichtungsschritt, durch die zweite, obere Folienmaske mit Material beschichtet werden, können auch im zweiten
Beschichtungsschritt durch die erste, untere Folienmaske an derselben Stelle mit Material beschichtet werden. Beide
Schichten können also automatisch in perfekter Registrierung ausgebildet werden, d.h. es kann im Fall der OLED mit
organischer funktioneller Schichtenstruktur zwischen Anode und Kathode ein Auto-Alignment von oberer zweiter Elektrode und organischer f nktioneller Schichtenstruktur vorliegen. Dies erlaubt engere Design-Vorschriften und vergrößert somit die maximal als Leuchtfläche nutzbare Fläche auf dem
Substrat, was mit einer Kostenersparnis mittels besserer Materialausnutzung einhergeht.
Im Strukturierungsschritt können die Folienmasken lediglich segmentiert werden. Die offenen Bereiche können anschließend erzeugt werden, indem ganze Folienstücke vom Substrat
abgezogen werden. Dies ist vorteilhaft gegenüber
herkömmlichen Verfahren, in den offene Bereiche direkt in die Maskenfolie einstrukturiert werden und dafür bevorzugt die Methode der Laserablation verwendet wird. Die Laserablation neigt zu einer Erzeugung von Partikeln, wodurch nachfolgende Prozessschritte wie Dünnschichtabscheidung oder
Bauteilverkapselung nachteilig beeinflusst werden können.
Beide Maskenstrukturen können vor Beginn des
Beschichtungsprozesses auf dem Substrat aufgebracht werden, beispielsweise mittels Aufklebens der Klebefolien und deren Strukturierung. Dabei können in der unteren, ersten
Maskenstruktur teilweise andere Bereiche offen gelegt sein als in der oberen, zweiten Maskenstruktur. Dies erlaubt ein Beschichten unterschiedlicher Bereiche des Substrates in den einzelnen Beschichtungsschritten, Im Beschichtungsprozess kann nach dem ersten Beschichtungsschritt die obere zweite Maskenstruktur mechanisch mittels eines Abziehens entfernt werden, beispielsweise inline in der
Beschichtungsprozessanlage , was einen Maskenwechsel in einem herkömmlichen Verfahren ersetzt. Dadurch werden die Probleme vermieden, die sich aus der Verwendung von mehreren einzelnen Folienmasken in herkömmlichen Verfahren ergeben. Dabei würde das Substrat nach dem ersten Beschichtungsschritt aus der Beschichtungsanlage geholt und mit der zweiten Folienmaske versehen werden, was die Degradation, Kontamination und
Beschädigung des ersten abgeschiedenen Materials bewirken kann, beispielsweise der organischen funktionellen
Schichtenstruktur in einer organischen Leuchtdiode. Das Abziehen der oberen Folienmaske inline im Verfahren kann potentiell schneller durchgeführt werden als ein Wechsel von herkömmlichen metallischen Schattenmasken, was Prozesszeit in der Beschichtung sparen und somit den Takt erhöhen könnte.
Nachfolgend wird ein alternatives Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements beschrieben. Insbesondere wird bei diesem Verfahren mindestens eine der
Maskenstrukturen auf alternative Weise hergestellt, die übrigen Schritte des Verfahrens und/oder viele der vorstehend genannten Vorteile können auf das im Folgenden beschriebene Verfahren ohne weiteres übertragen werden.
Bei dem Verfahren kann korrespondierend zu dem in Figur 3A beschriebenen Schritt die erste Elektrode 304 auf dem
Substrat 302 ausgebildet werden.
Dann kann mit Bezug zu den Figuren 3B und 3C über der ersten Elektrode 304 oder über zumindest einem Teil der ersten
Elektrode 304 die erste Maskenstruktur 308 ausgebildet, insbesondere aufgebracht und/oder strukturiert werden. Die erste Maskenstruktur 308 wird insbesondere so ausgebildet, dass der erste Strukturierungsbereich 310 die erste Elektrode 304 überlappt . Die erste Maskenstruktur 308 kann zunächst vollflächig aufgebracht und nachfolgend strukturiert werden oder die erste Maskenstruktur 308 kann in strukturiertem Zustand aufgebracht werden. Die erste Maskenstruktur 308 wird als Beschichtung, insbesondere in flüssigem Zustand auf das Substrat 302 aufgebracht. Insbesondere wird das Material der Beschichtung in flüssigem Zustand auf das Substrat 302 aufgebracht . Die Beschichtung wird über dem Substrat 302 ausgehärtet und/oder getrocknet , wodurch die erste
Maskenstruktur 308 gebildet wird.
Anstatt der in Figur 3D, 3E und 3F beschriebenen Schritte erfolgen nun die mit Bezug zu Figur 6, 7 und 8 beschriebenen Schritte .
Fig. 6 zeigt eine Querschnittsansicht (306) des
Ausführungsbeispiels des optoelektronischen Bauelements während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelementes . Die zweite Maskenstruktur 312 wird als
Beschichtung, also in flüssigem Zustand, über dem Substrat 302 und/oder der ersten Elektrode 304 sowie der ersten
Maskenstruktur 308 aufgebracht und anschließend über dem Substrat 302 ausgehärtet und/oder getrocknet . Die zweite Maskenstruktur 312 ist als vollflächige Beschichtung über der ersten Elektrode 304 und der ersten Maskenstruktur 308 aufgebracht . Die Strukturierungen 310A, 310B der ersten
Maskenstruktur 308 sind mit dem Material der zweiten
Maskenstruktur 312 gefüllt, da dieses in flüssigem Zustand aufgebracht wird und in die Strukturierungen 310A, 310B fließt,
Fig. 7 zeigt eine Querschnittsansicht {306) des
Ausführungsbeispie1s des optoelektronischen Bauelements während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelementes . Insbesondere ist bei dem optoelektronischen
Bauelement nach Figur 6 der zweite Strukturierungsbereich 314 korrespondierend zu dem mit Bezug zu Figur 3E beschriebenen Schritt ausgebildet, und zwar in der ersten Maskenstruktur 308 und in der zweiten Maskenstruktur 312, so dass die erste Elektrode 304 in dem zweiten Struktu ierungsbereich 314 freigelegt ist. Fig. 8 zeigt eine Querschnittsansicht (306) des
Ausführungsbeispiels des optoelektronischen Bauelements während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelementes. Insbesondere ist die organische funktionelle Schichtenstruktur 316 über der ersten Elektrode 304 und/oder über dem Substrat 302 und über der zweiten Maskenstruktur 312 ausgebildet. Insbesondere ist die organische funktionelle Schichtenstruktur 316 in dem zweiten Strukturierungsbereich 314 ausgebildet. Nachfolgend werden korrespondierend zu den mit Bezug zu den
Figuren 3G, 3H, 31 beschriebenen Schritten die erste und/oder die zweite Maskenstruktur 308, 312 entfernt und die zweite Elektrode 318 ausgebildet. Das im Vorhergehenden beschriebene Verfahren, bei dem
mindestens eine der Maskenstrukturen 308, 312 als
Beschichtung in flüssigem Zustand aufgebracht und nachfolgend gehärtet oder getrocknet wird, kann alternativ als EinMasken- Prozess durchgeführt werden. In dem Ein-Masken- Prozess kann beispielsweise nur eine einzige der beiden
Maskenstrukturen 308, 312 zum Ausbilden des
optoelektronischen Bauelements ausgebildet und verwendet werden. Alternativ dazu können zwar zwei oder mehr
Maskenstrukturen 308, 312 ausgebildet und verwendet werden, jedoch wird eine der Maskenstrukturen 308, 312 immer zuerst entfernt, bevor die andere der Maskenstrukturen 308, 312 ausgebildet wird. Alternativ dazu können zwar zwei oder mehr Maskenstrukturen 308, 312 ausgebildet werden, jedoch werden diese nicht gleichzeitig oder in Zusammenwirken genutzt und/oder verwendet.
Wie beschrieben, können die gedruckten Folienmasken, also die Maskenstrukturen 308, 312, vor Beginn des Beschichtungsprozesses , bei dem die organische funktionelle Schichtenstruktur 316 ausgebildet wird, auf dem Substrat 302 aufgebracht werden. Dabei sind im Falle des Doppel -Masken- SchichtStapels in der unteren, ersten Maskenfolie, also der ersten Maskenstruktur 308 teilweise andere Bereiche offen gelegt als in der oberen, zweiten Maskenfolie, also der zweiten Maskenstruktur 312. In anderen Worten können in dem ersten Strukturbereich 310 andere Bereiche freigelegt sein als im zweiten Strukturbereich 314. Dies erlaubt das
Beschichten unterschiedlicher Bereiche in den zwei einzelnen Beschichtungsschritten, bei denen die organische funktionelle Schichtenstruktur 316 und die zweite Elektrode 318
ausgebildet werden . Die Beschichtung (en) können beispielsweise mittels eines Druckverfahrens, beispielsweise mittels Siebdruck,
Tintenstrahldruck oder mittels Rakelns ausgebildet werden. Nach dem Aufbringen können die Beschichtungen, insbesondere das Material der Beschichtungen, beispielsweise mittels
Energieeintrag, insbesondere mittels UV-Belichtung, vernetzt werden. Das Material wird vorzugsweise so ausgewählt , dass es eine geringe Vernetzung mit dem Material bildet , auf dem es aufgebracht wird . Das Material wird vorzugsweise so
ausgewählt, dass es in vernetztem Zustand in sich einen besonders hohen Grad der Vernetzung aufweist. Das Material der Beschichtungen (en) und der entsprechenden Maskenstruktur 308 , 312 kann beispielsweise ein Kunststoff , beispielsweise Acrylat , Silikon und/oder Gummi , aufweisen oder daraus bestehen . Beispielsweise kann das Material ein UV- vernetzbares hochviskoses Silikon sein .
Falls mehrere der Maskenstrukturen 308 , 312 in Form von
Beschichtungen übereinander ausgebildet werden, so können optional dazwischen Trennschichten aufgebracht werden oder die Materialen der Beschichtungen können optional so gewählt werden, dass die beiden Maskenstrukturen 308 , 312 sich nicht miteinander vernetze . Dadurch können nachfolgend die
Maskenstrukturen 308, 312 unabhängig voneinander entfernt werden. Beispielsweise kann das Material der unteren
Beschichtung so gewählt werden, dass es nach einmaliger
Vernetzung keine weitere Vernetzungen, beispielsweise mit der darüber aufgebrachten Beschichtung, bildet.
Die Beschichtungen und die daraus gebildeten Maskenstrukturen 308, 312, insbesondere die gedruckten Folienmasken, können beim Aufbringen durch einen strukturierten Druckprozess mit offenen Strukturbereichen 310, 314 ausgebildet werden, durch welche hindurch im Folgenden das Substrat 302 , die erste
Elektrode 304, bzw., im Falle der zweiten Maskenstruktur 312, die erste Maskenstruktur 308 beschichtet werden kann . Dies ist vorteilhaft gegenüber einem herkömmlichen Verfahren, bei dem die offenen Bereiche direkt in der zunächst
unstrukturierten Maskenfolie ausgebildet werden müssen, wodurch die Maskenfolie strukturiert wird, insbesondere wenn und dafür die Laserabiation verwendet wird, die zur
Partikelgenerierung neigt, wodurch nachfolgende
Prozessschritte wie Dünnschichtabscheidung oder
Bauteilverkapselung nachteilig beeinf lusst werden können .
Bei dem Verfahren wird nach dem ersten Beschichtungsschritt , also dem Ausbilden der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 316 , lediglich die obere gedruckte
Folienmaske, also die zweite Maskenstruktur 312,
beispielsweise durch Abziehen entfernt (dies kann inline im Beschichtungsprozesstool erfolgen) , was den Maskenwechsel in einem herkömmlichen Prozess ersetzt . Dadurch kann vermieden werden, dass das Substrat 302 nach dem ersten
Beschichtungsschritt aus der Beschichtungsanlage geholt und mit der zweiten Folienmaske versehen werden muss , wodurch die Degradation, Kontamination und/oder Beschädigung des ersten abgeschiedenen Materials, insbesondere der ersten organisch funktionellen Schichtenstruktur 316, vermieden oder zumindest gering gehalten werden kann. Das Abziehen der oberen
Folienmaske inline im Prozess kann grundsätzlich schneller durchgeführt werden als ein Wechsel von herkömmlichen metallischen Schattenmasken, wodurch Prozesszeit gespart werden kann und der Takt erhöht werden kann,

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes, aufweisend:
· Ausbilden einer ersten Elektrode (304) auf einem
Substrat (302) ,·
• Anordnen (202) einer ersten Maskenstruktur (308) auf oder über dem Substrat (302) , wobei die erste
Maskenstruktur (308) einen ersten
Strukturierungsbereich (310) aufweist, der eine
Öffnung und/oder einen zum Ausbilden einer Öffnung vorbereiteten Bereich aufweist;
• Anordnen (204) einer zweiten Maskenstruktur (312) auf oder über der ersten Maskenstruktur (308) ;
· Ausbilden (206) eines zweiten
St ukturierungsbereiches (314) in der ersten Maskenstruktur ( 3 08 ) und in der zweiten
Maskenstruktur (312) derart, dass wenigstens ein Teil des ersten Strukturierungsbereiches (310) in der ersten Maskenstruktur (308) außerhalb des zweiten Strukturierungsbereiches (314) in der ersten Maskenstruktur (308) ausgebildet wird;
• Ausbilden einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur (316) über der ersten Elektrode (304) und/oder dem Substrat (302) und in dem zweiten
Strukturierungsbereich (314) ;
• Entfernen der zweiten Maskenstruktur (312) und,
falls der erste Strukturierungsbereich (310) den zum Ausbilden der Öffnung vorbereiteten Bereich aufweist, Ausbilden der Öffnung in dem vorbereiteten
Bereich;
• Ausbilden einer zweiten Elektrode (318) über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (316) und/oder über dem Substrat (302) ,· und
· Entfernen der ersten Maskenstruktur (308) ,
2, Verfahren (200) gemäß Anspruch 1, • wobei die erste und/oder die zweite Maskenstruktur
(308, 312} mechanisch entfernt werden.
Verfahren (200) gemäß Anspruch 1 oder 2,
wobei der erste Strukturierungsbereich (310) und/oder der zweite Strukturierungsbereich (314) derart
ausgebildet werden/wird, dass mittels des ersten
Strukturierungsbereiches (310) und/oder des zweiten Strukturierungsbereiches (314) eine Information in dem optisch aktiven Bereich dargestellt wird, vorzugsweise ein Piktogramm, ein Ideogramm und/oder ein Schriftzug; ein Guckloch, ein Fenster, eine Durchschauöffnung,
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Maskenstruktur (308) und/oder die zweite Maskenstruktur (312) selbsttragend ausgebildet sind/ ist,
Verfahren {200} gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste Maskenstruktur (308) auf oder über dem Substrat (302) angeordnet wird, vorzugsweise in Form einer Folie, einer Platte oder eines Blechs.
Verfahren (200} gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die zweite Maskenstruktur (312) auf oder über de ersten Maskenstruktur (308) angeordnet wird,
vorzugsweise in Form einer Folie, einer Platte oder eines Blechs .
Verfahren {200} gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Ausbilden des ersten Strukturierungsbereiches (310) und/oder des zweiten Strukturierungsbereiches (314) ein Ausbilden mindestens einer der folgenden
Strukturierungen in der ersten Maskenstruktur (308) und/oder der zweiten Maskenstruktur {312) aufweist: ein Loch, eine Solltrennstelle, eine Ringstruktur.
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der erste Strukturierungsbereich (310) derart ausgebildet ist oder wird, dass er eine geringere
Adhäsion hinsichtlich des Substrates (302) , eine höhere Adhäsion hinsichtlich der zweiten Maskenstruktur (312} und/oder eine andere Kohäsion aufweist als die erste Maskenstruktur (308) außerhalb des ersten
Strukturierungsbereich.es (310) .
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der zweite Strukturierungsbereich (314) derart ausgebildet ist oder wird, dass der zweite
Strukturierungsbereich (314) eine andere Adhäsion hinsichtlich der ersten Maskenstruktur (308) , eine andere Adhäsion hinsichtlich einer weiteren
Maskenstruktur auf der zweiten Maskenstruktur (312) und/oder eine andere Kohäsion aufweist als die zweite Maskenstruktur (312) außerhalb des zweiten
Strukturierungsbereiches (314) ,
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die erste Maskenstruktur (308) und/oder die zweite Maskenstruktur (312) wiederverwendbar ausgebildet sind/ist.
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 , wobei die erste Maskenstruktur (308) und/oder die zweite Maskenstruktur (312) eine Lasche aufweisen, wobei die Lasche derart ausgebildet ist , dass mittels einer
Zugkraft an der Lasche, die erste Maskenstruktur (308) und/oder die zweite Maskenstruktur (312 ) entfernbar sind/ ist .
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11 , ferner auf eisend :
Anordnen einer dritten Maskens truktur , wobei die dritte Maskenstruktur auf oder über der ersten Maskenstruktur (308) aufgebracht wird, nachdem die zweite
Maskenstruktur (312) wenigstens teilweise entfernt wurde , und/oder wobei die dritte Maskenstruktur auf oder über de zweiten Maskenstruktur (312) aufgebracht wird .
13. Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12,
wobei die zweite Maskenstruktur ( 312 ) vor dem Anordnen auf oder über der ersten Maskenstruktur (308) einen Strukturierungsbereich und/oder einen vorbereiteten Bereich aufweist .
14. Verfahren (200) gemäß Anspruch 13 ,
wobei der Strukturierungsbereich und/oder der
vorbereitete Bereich nach dem Anordnen der zweiten
Maskenstruktur (312) als zweiter Strukturierungsbereich (31 ) , als Strukturbereich des zweiten
Strukturierungsbereichs (314 ) oder als dritter
Strukturierungsbereich ausgebildet wird oder ist .
15. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes , aufweisend :
• Ausbilden einer ersten Elektrode (304) auf einem Substrat (302) ;
• Ausbilden einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur (316) über der ersten Elektrode (304) und/oder über dem Substrat (302) und
• Ausbilden einer zweiten Elektrode (318) über der organischen f nktionellen Schichtenstruktur (316) und/oder über dem Substrat (302)
wobei eine Maskenstruktur (308 , 312) mit einem Strukturierungsbereich (310 , 314 ) als Beschichtung über dem Substrat (302) ausgebildet und ausgehärtet und/oder vernetzt wird,
wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (316) in dem Strukturierungsbereich (310 , 31 ) ausgebildet wird, und
wobei die Maskenstruktur (308 , 312 ) entfernt wird .
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