DE102015103702A1

DE102015103702A1 - Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Info

Publication number: DE102015103702A1
Application number: DE102015103702.5A
Authority: DE
Inventors: Nina Riegel; Daniel Riedel; Thomas Wehlus; Silke Scharner; Johannes Rosenberger; Arne Fleissner
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Pictiva Displays International Ltd
Priority date: 2015-03-13
Filing date: 2015-03-13
Publication date: 2016-09-15
Also published as: WO2016146438A1

Abstract

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (400c, 500c, 600b, 700b, 800b) Folgendes aufweisen: Ausbilden einer Haftstruktur (202) über einem Substrat (302), wobei das Substrat (302) einen ersten Bereich (302a) und einen zweiten Bereich (302b) aufweisen kann; Ausbilden einer optisch funktionellen Schichtenstruktur (312) über dem ersten Bereich (302a) und dem zweiten Bereich (302b); wobei die Haftstruktur (202) derart ausgebildet werden kann, dass ein erstes Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312) zu dem ersten Bereich (302a) größer ist als ein zweites Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312) zu dem zweiten Bereich (302b); Entfernen eines Teils der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312) über dem zweiten Bereich (302b), indem eine von dem Substrat (302) weg gerichtete Kraft (602) auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur (312) übertragen wird.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
Im Allgemeinen können Schichten aus organischen Halbleitern (auch als organische Schichten bezeichnet) für eine Vielfalt an Anwendungen eingesetzt werden, z.B. zum Umwandeln von elektrischer Energie in Licht oder zum Umwandeln von Licht in elektrische Energie. Beispielsweise lassen sich organische Leuchtdioden (OLED) herstellen, welche in elektronischen Geräten eingesetzt werden, z.B. in Displays von TV-Geräten, Werbetafeln oder Mobilfunkgeräten, oder als flächige Lichtquelle zum Erzeugen von Licht. Eine OLED kann aus einer Vielzahl von organischen Schichten bestehen, welche nacheinander auf einen Träger (kann auch als Substrat bezeichnet werden) aufgebracht werden.
Um diese organischen Schichten zu strukturieren, wird herkömmlicherweise ein Teil der organischen Schichten nachträglich von dem Substrat ablatiert, z.B. mittels Laserablation. Dieses Verfahren ist jedoch teuer und verursacht zudem Rückstände des ablatierten Materials, welche die organischen Schichten verunreinigen und zu Kurzschlüssen in stromdurchflossenen (aktiven) Bereichen der OLED führen. Ferner lassen sich die organischen Schichten in den ablatierten Bereichen nicht völlig rückstandsfrei entfernen, was die Funktionalität der daraus hergestellten OLED beeinträchtigt.
Werden die organischen Schichten im Vakuum mittels einer Vakuumprozessierung aufgebracht (auch als physikalische Gasphasenabscheidung bezeichnet), können Bereiche, in welchen keine Beschichtung erfolgen soll, mittels einer sogenannten Schattenmaske abgeschattet werden. Für unterschiedliche Strukturierungen werden eine Vielzahl angepasster Schattenmasken benötigt, welche zudem teuer in der Herstellung sind, so dass diese die Produktionskosten erhöhen. Ferner sind der Strukturierung durch die Form der Schattenmasken Grenzen gesetzt, z.B. können bestimmte Strukturierungsmuster nur schwer realisiert werden, z.B. wenn einzelne voneinander isolierte Bereiche abgeschattet werden sollen.
Werden die organischen Schichten aus einer Lösung aufgebracht, wird zum Strukturieren herkömmlicherweise Photolithographie eingesetzt, bei der organische Halbleiter mit Fotolackfunktion (auch als Photoresistfunktion bezeichnet) verwendet werden. Deren Löslichkeit in einem bestimmten Lösemittel lässt sich durch Belichtung entweder verbessern (wird auch als Positivlack oder Positivresist bezeichnet) oder verschlechtern (wird auch als Negativlack oder Negativresist bezeichnet). Anschaulich können die organischen Schichten in vordefinierten Bereichen löslich oder unlöslich gemacht werden. Nach der Belichtung wird die gesamte organische Schicht mit dem Lösemittel gespült und die löslichen Bereiche weggewaschen. Das eingesetzte Lösemittel kann allerdings Rückstände hinterlassen oder auch andere bereits bestehende Schichten angreifen und z.B. ablösen. Um bestehende Schichten zu schützen, können diese miteinander vernetzt werden.
Für organische Materialien ist eine derartige Vernetzung allerdings nur für jene bekannt, welche in Form einer Lösung aufgebracht werden, d.h. welche lösungsprozessierbar sind, und ist daher für vakuumprozessierte Schichten unzugänglich. Durch Vernetzung wird weiterhin die Lebensdauer im Vergleich zu vakuumprozessierten Schichten beeinträchtigt, beispielsweise im Fall von Emitterschichten.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren bereitgestellt, welches eine rückstandsfreie Rückstrukturierung von organischen Schichten ermöglicht. Ferner wird es gemäß verschiedenen Ausführungsformen ermöglicht, den Einsatz von Schattenmasken zu vermeiden.
Beispielsweise lassen sich gemäß verschiedenen Ausführungsformen eine oder mehrere organische Schicht(en) für eine OLED strukturiert ausbilden. Dies ermöglicht es beispielsweise, dass Kontaktierungsflächen der OLED frei bleiben oder frei gelegt werden. Somit lässt sich eine organische Schicht bilden, welche eine definierte Leuchtfläche bedeckt und diese an den Kanten um einen definierten Toleranzbereich überdeckt (mit anderen Worten überlappt).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die organischen Schichten bei flächig ausgeführten organischen Schichten, wie sie beispielsweise in einigen Aktiv-Matrix-Displays oder bei Lichtquellen zum Beleuchten von Räumlichkeiten oder Gegenständen (so genannte Lighting Produkte) zu finden sind, innerhalb der randseitigen Verkapselung enden, so dass ein Eindringen (z.B. Eindiffundieren) von Feuchtigkeit in die aktiven Displaybereiche verhindert werden kann. Dadurch wird eine Lebensdauer der Displaybereiche erhöht.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements Folgendes aufweisen: Ausbilden einer Haftstruktur über einem Substrat, wobei das Substrat einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweisen kann; Ausbilden einer optisch funktionellen Schichtenstruktur über dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich; wobei die Haftstruktur derart ausgebildet ist oder wird, dass ein erstes Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu dem ersten Bereich (des Substrats) größer ist als ein zweites Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu dem zweiten Bereich (des Substrats); und Entfernen eines Teils der optisch funktionellen Schichtenstruktur über dem zweiten Bereich, indem eine von dem Substrat weg gerichtete Kraft auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur übertragen wird.
Anschaulich kann durch die Kraft der Teil der optisch funktionellen Schichtenstruktur über dem zweiten Bereich losgelöst und entfernt werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optisch funktionelle Schichtenstruktur zumindest eine organische Schicht (auch als Organikschicht bezeichnet) aufweisen, z.B. mehrere organische Schichten.
Das Ausbilden einer optisch funktionellen Schichtenstruktur über dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen aufweisen, die optisch funktionelle Schichtenstruktur vollflächig über dem Substrat auszubilden, z.B. aufzutragen oder abzuscheiden. Mit anderen Worten kann das Substrat eine Hauptprozessieroberfläche aufweisen, welche von der optisch funktionellen Schichtenstruktur vollständig abgedeckt wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optisch funktionelle Schichtenstruktur zum Umwandeln von elektrischer Energie in elektromagnetische Strahlung, zum Umwandeln von elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie und/oder zum Umwandeln von Licht einer Wellenlänge in Licht mit einer anderen Wellenlänge eingerichtet sein.
Das erste Haftvermögen kann auch als erste Haftvermittlung zwischen der optisch funktionellen Schichtenstruktur und dem ersten Bereich des Substrats bezeichnet werden und das zweite Haftvermögen kann auch als zweite Haftvermittlung zwischen der optisch funktionellen Schichtenstruktur und dem zweiten Bereich des Substrats verstanden werden. Mit anderen Worten wirkt die Haftstruktur als Haftvermittler, d.h. als Verbinder oder Verbindung, welche die optisch funktionelle Schichtenstruktur mit dem Substrat verbindet und welche eine erste Haftvermittlung zwischen der optisch funktionellen Schichtenstruktur und dem ersten Bereich des Substrats größer als eine zweite Haftvermittlung zwischen der optisch funktionellen Schichtenstruktur und dem zweiten Bereich des Substrats bereitstellt.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Haftstruktur eine über dem zweiten Bereich ausgebildete Antihaftschicht aufweisen. Die Antihaftschicht kann das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu dem zweiten Bereich des Substrats definieren. Anschaulich kann die Antihaftschicht als schlechter Haftvermittler wirken, welcher schlecht an dem Substrat und/oder schlecht an der optisch funktionellen Schichtenstruktur haftet.
Beispielsweise kann die Haftstruktur derart eingerichtet sein oder werden, dass ein Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu der Antihaftschicht größer ist als ein Haftvermögen der Antihaftschicht zu dem Substrat. In diesem Fall wird die Antihaftschicht von dem Substrat entfernt, wenn die optisch funktionelle Schichtenstruktur über dem zweiten Bereich des Substrats entfernt wird.
Alternativ kann die Haftstruktur derart eingerichtet sein oder werden, dass ein Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu der Antihaftschicht kleiner ist als ein Haftvermögen der Antihaftschicht zu dem Substrat. In diesem Fall kann die Antihaftschicht auf oder über dem Substrat verbleiben, wenn die optisch funktionelle Schichtenstruktur über dem zweiten Bereich des Substrats entfernt wird.
Die Antihaftschicht kann eine zweite Haftvermittlung zwischen der optisch funktionellen Schichtenstruktur und dem zweiten Bereich des Substrats bereitstellen, welche kleiner ist, als eine erste Haftvermittlung zwischen der optisch funktionellen Schichtenstruktur und dem ersten Bereich des Substrats.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Antihaftschicht ein perfluoriertes Polymer aufweisen, z.B. Polytetrafluorethylen.
Alternativ oder zusätzlich kann die Antihaftschicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zumindest eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen: perfluorierte selbstorganisierende Monoschicht (self-assembled momolayers (SAMs)), Polyfluorolefine, Silikone, Nanopartikel-verstärkte Kompositsysteme auf Basis polymerisierbarer Nanopartikel und hybrider Matrizes, Nanofasern aus Teflon, die mit Fluor-Kohlenwasserstofflösung getränkt sind (Nature, Volum 477, pages 443–447 (2011)).
Die Antihaftschicht kann eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 1 µm aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 0,5 µm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 0,1 µm.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Antihaftschicht eine selbstorganisierende Monoschicht (auch als SAM bezeichnet) aufweisen. Mit anderen Worten kann die Antihaftschicht aus einem Material gebildet sein oder werden, welches beim Ausbilden auf oder über dem Substrat selbstständig eine einfache Monoschicht mit einer hohen inneren Ordnung bildet. Eine Monoschicht kann als eine dünne Schicht mit der Dicke (Schichtdicke) einer einzelnen Lage von Molekülen oder Atomen verstanden werden. Je größer die Moleküle des Materials sind, aus dem die Monoschicht gebildet wird, desto größer kann die Schichtdicke der Monoschicht sein. Die Monoschicht (auch als Monolage bezeichnet) kann eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm bis ungefähr 10 nm aufweisen.
Alternativ kann die Haftstruktur gemäß verschiedenen Ausführungsformen über dem zweiten Bereich eine Aussparung, z.B. in Form eine Durchgangsöffnung in der Haftstruktur, aufweisen, welche das Substrat freilegt. In diesem Fall kann die optisch funktionelle Schichtenstruktur beispielsweise in direktem Kontakt mit dem Substrat über dem zweiten Bereich des Substrats sein. Anders ausgedrückt kann es gemäß verschiedenen Ausführungsformen ausreichen, mittels der Haftstruktur das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu dem ersten Bereich des Substrats zu erhöhen. In diesem Fall ist beispielsweise keine Antihaftschicht erforderlich. Beispielsweise kann das zweite Haftvermögen von dem Kontakt der optisch funktionellen Schichtenstruktur mit dem zweiten Bereich des Substrats definiert sein, z.B. von der Oberfläche des Substrats, z.B. von einer Rauheit oder Oberflächenbeschaffenheit (auch als Oberflächenstruktur bezeichnet) des Substrats. Beispielsweise kann das zweite Haftvermögen umso kleiner sein, desto kleiner die Rauheit des Substrats ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Haftstruktur eine über dem ersten Bereich ausgebildete Haftschicht aufweisen. Die Haftschicht kann das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu dem ersten Bereich des Substrats definieren. Anschaulich kann die Haftschicht als guter Haftvermittler wirken, welcher gut an dem Substrat und/oder gut an der optisch funktionellen Schichtenstruktur haftet.
Die Haftschicht kann eine erste Haftvermittlung zwischen der optisch funktionellen Schichtenstruktur und dem ersten Bereich des Substrats bereitstellen, welche größer ist, als eine zweite Haftvermittlung zwischen der optisch funktionellen Schichtenstruktur und dem zweiten Bereich des Substrats.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Haftschicht als Elektrode, z.B. als untere Elektrode, ausgebildet sein, welche die optisch funktionelle Schichtenstruktur elektrisch kontaktiert, wie weiter unten beschrieben ist.
Alternativ oder zusätzlich kann die Haftschicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zumindest eine oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen: organisch funktionalisiertes Silan, Titanat, Zirkonat, Polyester, Polyethylenimin. Gute Haftgründe könne ebenfalls durch eine Beschichtung der Oberfläche mit Siliziumdioxid (mittels z.B Plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung (PECVD) erreicht werden).
Je größer die Haftvermittlung zwischen zwei Komponenten ist, desto größer kann die Haftfestigkeit zwischen den zwei Komponenten sein. Die Haftfestigkeit kann als Maß für den Widerstand einer Beschichtung gegen ihre mechanische Trennung vom Untergrund verstanden werden. Viele der vorangehend angegebenen Materialien bewirken ebenfalls eine verbesserte Benetzbarkeit der Oberfläche für nachfolgende Schichten. Für eine verbesserte Benetzbarkeit kann eine Haftschicht (d.h. ein Untergrund) reaktive Gruppen wie Kohlensäurereste oder Hydroxidgruppen aufweisen.
Die Haftschicht kann eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 10 µm aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 5 µm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 1 µm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 0,5 µm.
Alternativ kann die Haftstruktur über dem ersten Bereich eine Aussparung aufweisen, welche das Substrat freilegt. In diesem Fall kann die optisch funktionelle Schichtenstruktur beispielsweise in direktem Kontakt mit dem Substrat über dem ersten Bereich des Substrats sein. Anders ausgedrückt kann es gemäß verschiedenen Ausführungsformen ausreichen, mittels der Haftstruktur das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu dem zweiten Bereich des Substrats zu reduzieren. In diesem Fall kann beispielsweise keine Haftschicht benötigt werden. Beispielsweise kann das erste Haftvermögen von dem Kontakt der optisch funktionellen Schichtenstruktur mit dem ersten Bereich des Substrats definiert sein, z.B. von der Oberfläche des Substrats, z.B. von einer Rauheit oder Oberflächenbeschaffenheit des Substrats. Beispielsweise kann das erste Haftvermögen umso größer sein, desto größer die Rauheit des Substrats ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Haftstruktur einen ersten Bereich (z.B. über dem ersten Bereich des Substrats) und einen zweiten Bereich (z.B. über dem zweiten Bereich des Substrats) aufweisen und derart eingerichtet sein, dass ein Haftvermögen des ersten Bereichs der Haftstruktur zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur und/oder zu dem Substrat größer ist als ein Haftvermögen des zweiten Bereichs der Haftstruktur zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur und/oder zu dem Substrat. Der erste Bereich der Haftstruktur kann als Haftschicht und der zweite Bereich der Haftstruktur kann als Antihaftschicht oder als Aussparung in der Haftstruktur (z.B. in der Haftschicht) ausgebildet sein. Alternativ kann der zweite Bereich der Haftstruktur als Antihaftschicht und der erste Bereich der Haftstruktur kann als Aussparung in der Haftstruktur (z.B. in der Antihaftschicht) ausgebildet sein.
Das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu der Haftstruktur kann durch die Oberflächenenergie der Haftstruktur definiert sein oder werden. Beispielsweise kann die Oberflächenenergie der Antihaftschicht geringer eingerichtet sein, als die Oberflächenenergie der Haftschicht. Beispielsweise kann die Oberflächenenergie der Antihaftschicht geringer eingerichtet sein, als die Oberflächenenergie des Substrats, z.B. wenn keine Haftschicht verwendet wird. Beispielsweise kann die Oberflächenenergie der Haftschicht größer eingerichtet sein, als die Oberflächenenergie des Substrats, z.B. wenn keine Antihaftschicht verwendet wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ferner eine Kraftvermittlungsschicht über der optisch funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet werden, wobei die Kraft auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur übertragen wird, indem die Kraftvermittlungsschicht von dem Substrat weg bewegt wird. Anschaulich kann die Kraftvermittlungsschicht ein ausreichend großes Haftvermögen zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur aufweisen, so dass ein Teil der optisch funktionellen Schichtenstruktur an dieser haften bleibt, wenn die Kraftvermittlungsschicht von dem Substrat weg bewegt wird und der Teil der optisch funktionellen Schichtenstruktur von dem Substrat entfernt wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur kleiner sein als das erste Haftvermögen und größer sein als das zweite Haftvermögen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann bei dem Verfahren eine Opferschicht zwischen der Kraftvermittlungsschicht und der optisch funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet werden, wobei ein Haftvermögen der Opferschicht zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur kleiner ist als das erste Haftvermögen und größer ist als das zweite Haftvermögen.
Anschaulich kann die Opferschicht ein Ablösen der Schichtstruktur verhindern wenn die Kraftvermittlungsschicht zu stark haftet, d.h. wenn die Kraftvermittlungsschicht z.B. nicht zerstörungsfrei von der optisch funktionellen Schichtenstruktur abgelöst werden kann, beispielsweise über dem ersten Bereich. Mit anderen Worten wird über dem ersten Bereich anstatt der optisch funktionellen Schichtenstruktur die Opferschicht abgelöst, d.h. diese wird geopfert, um die optisch funktionelle Schichtenstruktur über dem ersten Bereich vor Beschädigungen zu schützen. Dabei kann die Opferschicht verbraucht, z.B. zerstört, werden, d.h. die Opferschicht nimmt dabei die Beschädigungen auf, ohne diese an die optisch funktionelle Schichtenstruktur weiterzugeben.
Anschaulich kann die Opferschicht eingesetzt werden, wenn das Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur größer ist, als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu dem Substrat, insbesondere zu dem ersten Bereich des Substrats, so dass die optisch funktionelle Schichtenstruktur ohne eine Opferschicht darüber von dem ersten Bereich des Substrats entfernt werden würde. Mit anderen Worten kann die Opferschicht das Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur definieren.
Beispielsweise kann ein Material, aus dem die Opferschicht gebildet ist oder wird, das Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur beeinflussen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Opferschicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zumindest eine oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen: ein Metall (z.B. kann die Opferschicht in Form einer metallischen Schicht ausgebildet sein oder werden), z.B. Aluminium oder Magnesium, perfluorierte Polyolefine, oder oberflächenmodfizierte Kohlenstoffnanoröhren.
Die Opferschicht kann eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 10 µm aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 5 µm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 1 µm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 0,5 µm.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Haftvermögen der Opferschicht zu der Kraftvermittlungsschicht größer sein als ein Haftvermögen der Opferschicht zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur. Mittels der Opferschicht lässt sich somit ein Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur einstellen, z.B. reduzieren, z.B. unabhängig von der Art und Beschaffenheit der Kraftvermittlungsschicht.
Die Opferschicht ermöglicht es, für das Verfahren einheitliche Kraftvermittlungsschichten für verschiedene Schichtarchitekturen einzusetzen, z.B. für verschiedene OLED Schichtarchitekturen und/oder verschiedene Haftstrukturen und somit den Herstellungsprozess zu vereinfachen und Kosten zu sparen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein optoelektronisches Bauelement Folgendes aufweisen: ein Substrat; eine über dem Substrat angeordnete Haftstruktur, welche zumindest einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweist; eine über der Haftstruktur angeordnete optisch funktionelle Schichtenstruktur, welche zum Umwandeln von elektrischer Energie in elektromagnetische Strahlung oder zum Umwandeln von elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie eingerichtet ist, wobei die Haftstruktur derart eingerichtet ist, dass ein Haftvermögen des ersten Bereichs zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur oder zu dem Substrat größer ist als ein Haftvermögen des zweiten Bereichs zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur oder zu dem Substrat.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein optoelektronisches Bauelement Folgendes aufweisen: ein Substrat, welches zumindest einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweist, welche entlang eines Pfads aneinandergrenzen; eine über dem Substrat angeordnete Haftstruktur; eine über der Haftstruktur angeordnete optisch funktionelle Schichtenstruktur, welche zum Umwandeln von elektrischer Energie in elektromagnetische Strahlung oder zum Umwandeln von elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie eingerichtet ist, wobei der zweite Bereich frei von der optisch funktionellen Schichtenstruktur ist; und wobei die optisch funktionelle Schichtenstruktur über dem Pfad einen Trennbereich aufweist, in dem die optisch funktionelle Schichtenstruktur durchtrennt ist und eine unregelmäßige Kontur (oder auch Oberflächenstruktur) aufweist.
Beispielsweise kann die optisch funktionelle Schichtenstruktur eine sich über dem zweiten Bereich erstreckende Durchgangsöffnung aufweisen, welche den zweiten Bereich freilegt oder die Haftstruktur freilegt.
Die Haftstruktur und die optisch funktionelle Schichtenstruktur des optoelektronischen Bauelements können eingerichtet sein wie hierin beschrieben ist.
Die optisch funktionelle Schichtenstruktur (auch als aktive Organik bezeichnet) kann Teil eines optoelektronischen Bauelements sein, wobei das optoelektronische Bauelement zusätzlich zumindest eine weitere Schicht aufweisen kann, z.B. eine als Elektrode ausgebildete Schicht, eine Barriereschicht oder eine Verkapselungsschicht. Das optoelektronische Bauelement kann alternative mehrerer weitere Schichten, wie oben genannt, z.B. in Kombination miteinander aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optisch funktionelle Schichtenstruktur mehrere organische Schichten aufweisen, welche übereinander gestapelt sind und einen so genannten Schichtstapel bilden. Beispielsweise können mehr als drei, mehr als vier, mehr als fünf, mehr als sechs, mehr als sieben, mehr als acht oder mehr als neun Schichten übereinander ausgebildet sein oder werden, z.B. mehr als zehn, z.B. mehr als zwanzig Schichten.
Das Ausbilden einer Schicht, z.B. einer organischen Schicht, einer Schicht der optisch funktionellen Schichtenstruktur, einer Schicht der Haftstruktur und/oder einer Schicht eines organischen optoelektronischen Bauelements, kann beispielsweise mittels Flüssigphasenprozessierung erfolgen. Die Flüssigphasenprozessierung kann aufweisen, einen Stoff für die Schicht (z.B. für eine organische Schicht, eine metallische Schicht oder z.B. eine keramische Schicht) in einem geeigneten Lösungsmittel zu lösen oder zu dispergieren, beispielsweise in einem polaren Lösungsmittel wie Wasser, Dichlorbenzol, Tetrahydrofuran und Phenetol, oder beispielsweise in einem unpolaren Lösungsmittel wie Toluol oder anderen organischen Lösungsmitteln, beispielsweise in Fluor-basiertem Lösungsmittel, auch genannt perfluoriertes Lösungsmittel, um eine Flüssigphase der Schicht zu bilden. Zwei Lösungsmittel sind orthogonal zueinander, wenn das eine polar und das andere unpolar ist. Stoffe, die sich in einem polaren Lösungsmittel lösen, sind zumeist in unpolaren Lösungsmittel unlöslich. So ist es mittels orthogonaler Lösungsmittel möglich, zwei oder mehr Schichten aus einer Lösung übereinander abzuscheiden, ohne dass eine bereits abgeschiedene Schicht wieder gelöst wird. Perfluorierte Lösungsmittel werden als Ergänzung angesehen, sie können ein niedriges Dipolmoment aufweisen und dennoch Stoffe lösen, die eher in polaren Lösungsmitteln löslich sind.
Ferner kann das Ausbilden der Schicht mittels Flüssigphasenprozessierung aufweisen, die Flüssigphase der Schicht mittels Flüssigphasendeposition (auch als nasschemisches Verfahren oder nasschemisches Beschichten bezeichnet) auf oder über einer zu beschichtenden Fläche (z.B. auf oder über dem Substrat oder auf oder über einer anderen Schicht des organisch optoelektronischen Bauelements) auszubilden, z.B. aufzutragen.
Die Flüssigphasenprozessierung kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen in Kombination mit einer Maske (auch als Schablone bezeichnet) erfolgen. Die Maske kann beispielsweise ein Muster aufweisen, welches eine Fläche definiert, die beschichtet wird. Beispielsweise kann das Muster mittels einer oder mehrerer Durchgangsöffnungen in der Maske, z.B. in einer Platte, gebildet sein. Durch die Durchgangsöffnung hindurch kann die Lösung (d.h. die Flüssigphase) der Schicht auf oder über die zu beschichtende Fläche gelangen. Mit anderen Worten kann die Form des Musters auf die beschichtete Fläche abgebildet sein oder werden, so dass die beschichtete Fläche die Form des Musters aufweist. Im Fall einer Siebdruck-Beschichtung kann die Maske beispielsweise Teil der Beschichtungsvorrichtung sein.
Alternativ kann die Flüssigphasenprozessierung mit einer Düse erfolgen, welche den Bereich definiert an dem die Flüssigphase auf oder über das Substrat gelangt. Die Düse kann gemäß einem vordefinierten Pfad über das Substrat bewegt werden, so dass die Flüssigphase entlang des Pfads auf oder über das Substrat aufgetragen und eine beschichtete Fläche in Form des Pfads erzeugt wird. Soll eine zusammenhängende und geschlossene Fläche beschichtet werden, so können aneinander angrenzende Abschnitte des Pfads so dicht beieinander liegen, dass neu aufgetragene Flüssigphase mit bereits aufgetragener Flüssigphase in Kontakt kommt und mit dieser vermischt wird.
Alternativ oder zusätzlich kann das Ausbilden einer Schicht mittels einer Vakuumprozessierung erfolgen. Eine Vakuumprozessierung kann aufweisen, eine Schicht (z.B. eine organische Schicht, eine metallische Schicht und/oder eine keramischen Schicht) mittels eines oder mehreren der folgenden Verfahren auszubilden: Atomlagenabscheideverfahren (Atomic Layer Deposition (ALD)), Sputtern, thermisches Verdampfen, plasmaunterstütztes Atomlagenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)), plasmaloses Atomlagenabscheideverfahren (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD)) oder chemisches Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition (CVD)), z.B. eines plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahren (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)).
Alternativ oder zusätzlich kann das Ausbilden zumindest einiger Schichten mittels Vakuumprozessierung und anderer Schichten mittels Flüssigphasenprozessierung erfolgen, d.h. mittels sogenannter Hybrid-Prozessierung, bei der zumindest eine Schicht (z.B. drei oder mehr Schichten) aus einer Lösung (d.h. als Flüssigphase) und die verbleibenden Schichten im Vakuum prozessiert werden.
Das Ausbilden einer Schicht kann in einer Prozessierkammer erfolgen, beispielsweise in einer Vakuum-Prozessierkammer oder einer Flüssigphasen-Prozessierkammer.
Ein Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen ermöglicht es, die Rückstrukturierung, d.h. das Entfernen eines Teils der optisch funktionellen Schichtenstruktur, außerhalb der Prozessierkammer durchzuführen, z.B. bei normaler Atmosphäre, z.B. außerhalb einer Prozessieranlage. Dies kann Produktionskosten verringern, da der Herstellungsprozess des organisch optoelektronischen Bauelements und/oder die Prozessieranlage vereinfacht werden können.
Eine oder mehrere Schichten, z.B. organische Schichten des organisch optoelektronischen Bauelements können miteinander vernetzt werden, z.B. nachdem diese ausgebildet sind. Dabei können eine Vielzahl einzelner Moleküle der Schichten miteinander zu einem dreidimensionalen Netzwerk verknüpft werden. Dies kann die Beständigkeit des organisch optoelektronischen Bauelements verbessern, z.B. gegenüber Lösungsmitteln.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem optoelektronischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, das mittels eines Halbleiterbauelementes elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert. Die elektromagnetische Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein, z.B. Licht einer Farbvalenz.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein optoelektronisches Bauelement als elektromagnetische Strahlung erzeugendes und emittierendes Bauelement ausgebildet sein oder werden, z.B. als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED), auch als Leuchtdiode bezeichnet, als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein organisches optoelektronisches Bauelement als elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement ausgebildet sein oder werden, z.B. als Licht absorbierende Diode oder Transistor, beispielsweise als Fotodiode oder als Solarzelle.
Das organische optoelektronische Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung absorbierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise angeordnet auf oder über einem gemeinsamen Träger (kann auch als Substrat bezeichnet werden) und/oder untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. Beispielsweise können mehrere Bauelemente aus einer gemeinsamen optisch funktionellen Schichtenstruktur gefertigt werden, z.B. indem zwischen den mehrere Bauelemente ein Teil der optisch funktionellen Schichtenstruktur entfernt wird. Eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen kann beispielsweise miteinander wechselwirken und z.B. einander überlagerndes Licht erzeugen und emittieren, so dass z.B. eine Farbvalenz, wie z.B. weiß, eingestellt werden kann oder ein farbiges Muster erzeugt werden kann.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein organisch optoelektronisches Bauelement zumindest eine organische Schicht aufweisen. Ferner kann das organisch optoelektronische Bauelement auch eine oder mehrere anorganische Schichten aufweisen (z.B. in Form von Elektroden oder Barriereschichten).
Als Verbindung im Sinne eines Stoffes (z.B. eine organische, anorganische oder organometallische Verbindung) kann ein Stoff aus zwei oder mehr verschiedenen chemischen Elementen verstanden werden, welche in eine chemische Bindung untereinander aufweisen, beispielsweise eine molekulare Verbindungen (auch als Molekül bezeichnet) eine ionische Verbindungen, eine intermetallische Verbindung oder eine Verbindung höherer Ordnung (auch als Komplex bezeichnet). Der Begriff "Material" kann synonym zum Begriff "Stoff" verwendet werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein Metall zumindest ein metallisches Element aufweisen, z.B. Kupfer (Cu), Silber (Ag), Platin (Pt), Gold (Au), Magnesium (Mg), Aluminium (Al), Barium (Ba), Indium (In), Calcium (Ca), Samarium (Sm) oder Lithium (Li). Ferner kann ein Metall eine Metallverbindung (z.B. eine intermetallische Verbindung oder eine Legierung) aufweisen, z.B. eine Verbindung aus zumindest zwei metallischen Elementen, wie z.B. Bronze oder Messing, oder z.B. eine Verbindung aus zumindest einem metallischen Element und mindesten einem nichtmetallischen Element, wie z.B. Stahl.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine organische Schicht verstanden werden als eine Schicht, welche ein organisches Material aufweist oder daraus gebildet ist. Analog dazu kann eine anorganische Schicht verstanden werden als eine Schicht, welche ein anorganisches Material aufweist oder daraus gebildet ist. Analog dazu kann eine metallische Schicht verstanden werden als eine Schicht, welche ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann das Haftvermögen von einer ersten Komponente zu einer zweiten Komponente (z.B. einer Schicht zu einem Träger) verstanden werden, als die Kraft, welche notwendig ist, um die erste Komponente von der zweiten Komponente zu lösen. Das Haftvermögen kann auch als Haftungskoeffizient, z.B. zwischen der ersten Komponente und der zweiten Komponente, bezeichnet werden.
Beispielsweise kann das Haftvermögen von der ersten Komponente zu der zweiten Komponente gemessen werden, indem eine Kraft auf die erste Komponente übertragen wird während die zweite Komponente fixiert ist, wobei die Kraft von der zweiten Komponente weg gerichtet ist, z.B. von der zweiten Komponente zu der ersten Komponente hin wirkt. Das Haftvermögen entspricht dann der Kraft, bei der sich die erste Komponente von der zweiten Komponente löst. Mit anderen Worten kann das Haftvermögen analog zur maximalen mechanischen Zugspannung verstanden werden und ausdrücken, wie stark eine Verbindung (z.B. ein Haftvermittler) zwischen der ersten Komponente und der zweiten Komponente belastet werden kann, bevor diese versagt, d.h. durchtrennt wird, z.B. bricht oder reißt (wird auch als maximale Zugfestigkeit bezeichnet).
Das Haftvermögen kann auch als Spannung, d.h. Kraft pro Fläche, ausgedrückt werden. Wird das Haftvermögen als Spannung ausgedrückt, kann die Kraft, bei der sich die erste Komponente von der zweiten Komponente löst, auf die Fläche normiert werden, mit welcher die erste Komponente mit der zweiten Komponente in Kontakt steht, d.h. die Verbindungsfläche zwischen der ersten Komponente und der zweiten Komponente.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
1 ein schematisches Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
2A eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
2B eine Draufsicht des in 2A gezeigten optoelektronischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
2C bis 2E jeweils eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
3A bis 3C jeweils eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
4A bis 4C jeweils eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
5A bis 5C jeweils eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
6A und 6B jeweils eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
7A und 7B jeweils eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
8A und 8B jeweils eine Draufsicht eines optoelektronischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
8C eine Detailansicht des in 8B gezeigten optoelektronischen Bauelements; und
8D eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung die Formulierung "über" im Zusammenhang mit dem Ausbilden einer Schicht verstanden werden, als dass eine über einer Oberfläche (z.B. eines Trägers) oder einem Komponente (z.B. einem Träger) ausgebildete Schicht in direktem physikalischem Kontakt mit der Oberfläche oder der Komponente ausgebildet ist oder wird. Ferner kann die Formulierung "über" verstanden werden, als dass zwischen der Schicht und der Komponente eine oder mehrere weitere Schichten angeordnet sind.
1 veranschaulicht ein schematisches Ablaufdiagramm eines Verfahrens 100 zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
Das Verfahren 100 weist in 102 auf, eine Haftstruktur über einem Substrat auszubilden, wobei das Substrat einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweist. Ferner weist das Verfahren 100 in 104 auf eine optisch funktionelle Schichtenstruktur über dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich auszubilden, wobei die Haftstruktur derart ausgebildet ist oder wird, dass ein erstes Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu dem ersten Bereich größer ist als ein zweites Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur zu dem zweiten Bereich. Ferner weist das Verfahren 100 in 108 auf einen Teil der optisch funktionellen Schichtenstruktur über dem zweiten Bereich zu entfernen, indem eine von dem Substrat weg gerichtete Kraft auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur übertragen wird.
2A bis 2E veranschaulichen jeweils ein optoelektronisches Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
2A veranschaulicht ein optoelektronisches Bauelement 200a in einer Querschnittsansicht und 2B das optoelektronische Bauelement 200a in einer Draufsicht.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das optoelektronische Bauelement 200a ein Substrat 302 aufweisen, z.B. in Form einer Folie oder einer Platte, welches einen ersten Bereich 302a und einen zweiten Bereich 302b aufweisen kann.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der erste Bereich 302a neben dem zweiten Bereich 302b angeordnet sein. Beispielsweise kann der erste Bereich 302a den zweiten Bereich 302b lateral (z.B. seitlich) umgeben, wie in 2B dargestellt ist. Alternativ kann der erste Bereich 302a den zweiten Bereich 302b lediglich teilweise lateral (z.B. seitlich) umgeben (vergleiche beispielsweise 8A bis 8C). Alternativ kann der zweite Bereich 302b den ersten Bereich 302a lateral (z.B. seitlich) umgeben (nicht dargestellt). Alternativ kann der zweite Bereich 302b den ersten Bereich 302a lediglich teilweise lateral (z.B. seitlich) umgeben (nicht dargestellt).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 302 einen ersten Bereich 302a oder mehrere erste Bereiche 302a aufweisen. Alternativ oder zusätzlich dazu kann das Substrat 302 einen zweiten Bereich 302b oder mehrere zweite Bereiche 302b aufweisen. Beispielsweise kann ein zusammenhängender erster Bereich 302a mehrere zweite Bereiche 302b zumindest teilweise lateral umgeben. Alternativ oder zusätzlich kann ein zusammenhängender zweiter Bereich 302b mehrere erste Bereiche 302a zumindest teilweise lateral umgeben.
Der erste Bereich 302a kann beispielsweise eine Leuchtfläche des organisch optoelektronischen Bauelements 200a definieren, von welcher aus das organisch optoelektronische Bauelement 200a Licht emittiert. Mit anderen Worten kann das organisch optoelektronische Bauelement 200a über dem ersten Bereich 302a eine Leuchtfläche aufweisen oder bilden.
Der zweite Bereich 302b kann beispielsweise eine Kontaktierungsfläche der organisch optoelektronischen Bauelements 200a definieren, in welcher das organisch optoelektronische Bauelement 200a elektrisch kontaktiert wird. Mit anderen Worten kann das organisch optoelektronische Bauelement 200a über dem zweiten Bereich 302b eine Kontaktierungsfläche aufweisen oder bilden. Dazu kann es notwendig sein die Kontaktierungsfläche des organisch optoelektronischen Bauelements 200a von der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 freizulegen (vergleiche beispielsweise 3A und 4A bis 4C).
Der erste Bereich 302a und/oder der zweite Bereich 302b können eine laterale Ausdehnung, d.h. entlang der Hauptprozessieroberfläche des Substrats auf oder über welcher die optisch funktionelle Schichtenstruktur gebildet wird, aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 µm bis ungefähr 10 mm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 100 µm bis ungefähr 5 mm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 500 µm bis ungefähr 1 mm.
2C veranschaulicht ein optoelektronisches Bauelement 200c in einer Querschnittsansicht. Das in 2C dargestellte optoelektronische Bauelement 200c entspricht weitgehend dem in 2A dargestellten optoelektronischen Bauelement 200a, wobei auf das Substrat 302 eine Haftstruktur 202 mit einer Antihaftschicht 202a ausgebildet ist.
Die Antihaftschicht 202a kann über dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 angeordnet sein oder werden, z.B. derart, dass der erste Bereich 302a des Substrats 302 frei von der Antihaftschicht 202a ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Antihaftschicht 202a mittels einer Flüssigphasenprozessierung oder einer Vakuumprozessierung ausgebildet sein oder werden.
Beispielsweise kann die Antihaftschicht 202a auf oder über das Substrat 302 aufgebracht sein oder werden und anschließend von dem ersten Bereich 302a des Substrats 302 entfernt werden, z.B. mittels eines Ätzprozesses oder mittels Laserablation. Mit anderen Worten kann der erste Bereich 302a des Substrats 302 freigelegt werden. Das Freilegen des ersten Bereichs 302a kann beispielsweise erfolgen, indem eine Aussparung, z.B. in Form einer Durchgangsöffnung 202d, in der Haftstruktur 202, z.B. in der Antihaftschicht 202a gebildet ist oder wird. Anders ausgedrückt kann die Aussparung das Substrat 302 zumindest teilweise freilegen.
Alternativ kann das Substrat 302 mittels einer Maske, z.B. einer Schattenmaske oder einer Schablone, selektiv (z.B. ausschließlich) auf oder über den zweiten Bereich 302b des Substrats 302 aufgebracht werden.
2D veranschaulicht ein optoelektronisches Bauelement 200d in einer Querschnittsansicht. Das in 2D dargestellte optoelektronische Bauelement 200d entspricht weitgehend dem in 2A dargestellten optoelektronischen Bauelement 200a, wobei auf oder über das Substrat 302 eine Haftstruktur 202 mit einer Haftschicht 202h ausgebildet ist.
Die Haftschicht 202h kann über dem ersten Bereich 302a des Substrats 302 angeordnet sein oder werden, z.B. derart, dass der zweite Bereich 302a des Substrats 302 frei von der Haftschicht 202h ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Haftschicht 202h mittels einer Flüssigphasenprozessierung oder einer Vakuumprozessierung ausgebildet sein oder werden.
Beispielsweise kann die Haftschicht 202h auf oder über das Substrat 302 aufgebracht (z.B. vollflächig oder zumindest teilweise über dem ersten Bereich 302b des Substrats 302 und dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302) sein oder werden und anschließend von dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 entfernt werden, z.B. mittels eines Ätzprozesses oder mittels Laserablation. Mit anderen Worten kann der zweite Bereich 302b des Substrats 302 freigelegt werden. Das Freilegen des zweiten Bereichs 302b kann beispielsweise erfolgen, indem eine Aussparung, z.B. in Form einer Durchgangsöffnung 202d, in der Haftstruktur 202, z.B. in der Haftschicht 202h gebildet ist oder wird.
Alternativ kann das Substrat 302 mittels einer Maske, z.B. einer Schattenmaske oder einer Schablone, selektiv (z.B. ausschließlich) auf oder über den ersten Bereich 302a des Substrats 302 aufgebracht werden.
2E veranschaulicht ein optoelektronisches Bauelement 200e in einer Querschnittsansicht. Das in 2E dargestellte optoelektronische Bauelement 200e entspricht weitgehend dem in 2A dargestellten optoelektronischen Bauelement 200a, wobei auf oder über das Substrat 302 eine Haftstruktur 202 mit einer Haftschicht 202h und einer Antihaftschicht 202a ausgebildet ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die in 2E dargestellte Haftstruktur 202 beispielsweise gebildet werden, indem das in 2C dargestellte optoelektronische Bauelement 200c gebildet wird, wobei nach dem Ausbilden der Antihaftschicht 202a die Haftschicht 202h über dem ersten Bereich 302a des Substrats 302 ausgebildet ist oder wird.
Beispielsweise kann die Durchgangsöffnung 202d in der Haftstruktur 202 mit der Haftschicht 202h zumindest teilweise aufgefüllt werden oder die Haftschicht 202h kann selektiv gebildet sein oder werden. Alternativ oder zusätzlich kann die Haftschicht 202h zumindest teilweise über der Antihaftschicht 202a gebildet sein oder werden (z.B. vollflächig über dem Substrat 302) und anschließend über der Antihaftschicht 202a entfernt werden, so dass die Antihaftschicht 202a freigelegt wird.
Alternativ kann die in 2E dargestellte Haftstruktur 202 beispielsweise gebildet werden, indem das in 2D dargestellte optoelektronische Bauelement 200d gebildet wird, wobei nach dem Ausbilden der Haftschicht 202h die Antihaftschicht 202a über dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 ausgebildet ist oder wird.
Beispielsweise kann die Durchgangsöffnung 202d in der Haftstruktur 202 mit der Antihaftschicht 202a aufgefüllt sin oder werden oder die Antihaftschicht 202a kann selektiv gebildet sein oder werden. Alternativ oder zusätzlich kann die Antihaftschicht 202a zumindest teilweise über der Haftschicht 202h gebildet sein oder werden (z.B. vollflächig über dem Substrat 302) und anschließend über der Haftschicht 202h entfernt werden, so dass die Haftschicht 202h freigelegt wird.
3A veranschaulicht eine Schnittdarstellung eines organisch optoelektronischen Bauelements 300a gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem Verfahren 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen zum Herstellen des organisch optoelektronischen Bauelements 300a.
Das Ausbilden des organisch optoelektronischen Bauelements 300a weist ein Ausbilden einer ersten Elektrode 310, ein Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur 312 und ein Ausbilden einer zweiten Elektrode 314 auf, welche zusammen Teil eines aktiver Bereich 306 sind oder diesen bilden.
Der aktive Bereich 306 ist ein elektrisch aktiver Bereich 306 und/oder ein optisch aktiver Bereich 306. Der aktive Bereich 306 ist beispielsweise der Bereich des organisch optoelektronischen Bauelements 300a, in dem ein elektrischer Strom fließt und eine elektromagnetische Strahlung erzeugt wird und/oder ein elektrischer Strom erzeugt wird und in dem eine elektromagnetische Strahlung absorbiert wird. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen bilden die erste Elektrode 310, die organisch funktionelle Schichtenstruktur 312 und die zweite Elektrode 314 des organisch optoelektronischen Bauelements 300a eine organische Leuchtdiode 306 wie im Folgenden beschrieben und wie in 3A veranschaulicht ist.
Die organische Leuchtdiode 306 wird auch als leuchtendes Dünnschichtbauelement aus organischen halbleitenden Materialien bezeichnet und ist zum Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung (z.B. Licht) eingerichtet, z.B. wenn zwischen der ersten Elektrode 310 und der zweiten Elektrode 314 ein elektrischer Strom zum Betrieb des organisch optoelektronischen Bauelements 300a durch die organisch funktionelle Schichtenstruktur 312 hindurch fließt. Die erzeugte elektromagnetische Strahlung kann zumindest durch einige Schichten und Bestandteile des organisch optoelektronischen Bauelements 300a hindurch und von dem organisch optoelektronischen Bauelement 300a weg emittiert werden, so dass das organisch optoelektronischen Bauelement 300a als Lichtquelle wirkt. Mit anderen Worten ist das organisch optoelektronische Bauelement 300a zum Umwandeln von elektrischer Energie in elektromagnetische Strahlung (z.B. Licht) eingerichtet.
Die erste Elektrode 310 und/oder die zweite Elektrode 314 sind derart ausgebildet, dass sie wenigstens eine Schicht aufweisen. Die erste Elektrode 310 und/oder die zweite Elektrode 314 können derart ausgebildet sein oder werden, dass sie eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Auf oder über dem Substrat 302 wird die erste Elektrode 310 ausgebildet. Die erste Elektrode 310, die im Folgenden auch als untere Elektrode 310 oder als Bottomkontakt 310 bezeichnet wird, wird aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet. Die erste Elektrode 310 wird als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet. Die erste Elektrode 310 wird derart ausgebildet, dass sie ein erstes elektrisches Kontaktpad (nicht dargestellt) aufweist, wobei an das erste elektrische Kontaktpad ein erstes elektrisches Potenzial (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt), beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann die erste Elektrode 310 zum Anlegen eines ersten Potentials mit einem ersten elektrischen Kontaktpad elektrisch leitend verbunden sein. Das erste elektrische Kontaktpad (auch als Kontaktierungsfläche bezeichnet) kann zum elektrisch leitfähigen Kontaktieren eingerichtet sein, z.B. zum Bonden oder Löten. Das erste elektrische Potenzial kann das Massepotential sein oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Elektrode 310 Teil der Haftstruktur 202 sein, z.B. kann die Haftschicht 202h in Form einer Elektrode 310 gebildet sein oder werden oder kann Teil der Elektrode 310 sein. Alternativ kann die erste Elektrode 310 auf oder über der Haftstruktur 202 gebildet sein oder werden.
Auf oder über der ersten Elektrode 310 wird die organisch funktionelle Schichtenstruktur 312 ausgebildet. Das Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur 312 weist ein Ausbilden einer Emitterschicht 318 auf, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern.
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 312 wird die zweite Elektrode 314 ausgebildet. Die zweite Elektrode 314 wird als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode, ausgebildet. Die zweite Elektrode 314 weist einen zweiten elektrischen Anschluss (mit anderen Worten ein zweites elektrisches Kontaktpad) auf, zum Anlegen eines zweiten elektrischen Potenzials (welches unterschiedlich ist zu dem ersten elektrischen Potenzial), bereitgestellt von der Energiequelle. Alternativ kann die zweite Elektrode 314 zum Anlegen eines zweiten Potentials mit einem zweiten elektrischen Kontaktpad elektrisch leitend verbunden sein. Das zweite elektrische Kontaktpad kann zum elektrisch leitfähigen Kontaktieren eingerichtet sein, z.B. zum Bonden oder Löten. Das zweite elektrische Potenzial kann ein von dem ersten elektrischen Potenzial verschiedenes Potential sein.
Das erste elektrische Potenzial und das zweite elektrische Potenzial können zum Betreiben des organisch optoelektronischen Bauelements 300a, d.h. wenn das organisch optoelektronische Bauelement 300a elektromagnetische Strahlung erzeugen soll, von der Energiequelle (z.B. einer Stromquelle, z.B. einem Netzteil oder einem Treiberschaltkreis) erzeugt und an das erste elektrische Kontaktpad und das zweite elektrische Kontaktpad angelegt werden. Das erste elektrische Potenzial und das zweite elektrische Potenzial können einen elektrischen Strom bewirken, welcher durch die funktionelle Schichtenstruktur 312 hindurch fließt und diese zum Erzeugen und Emittieren von elektromagnetischer Strahlung anregt.
Das zweite elektrische Potenzial weist einen Wert auf derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potenzial (mit anderen Worten die Spannung, welche an das organisch optoelektronischen Bauelement 300a angelegt wird) einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Die Energiequelle kann zum Erzeugen dieser Spannung eingerichtet sein.
Das Substrat 302 kann als ein einstückiges Substrat 302 bereitgestellt werden. Das Substrat 302 kann als ein monolithisches Substrat oder ein aus mehreren Schichten integral aufgebautes Substrat sein, wobei die mehreren Schichten zu Beginn des Verfahrens 100 fest miteinander verbunden sind.
Das Substrat 302 kann verschiedene Formen aufweisen. Beispielsweise kann das Substrat 302 als eine Folie (z.B. eine metallische Folie oder eine Kunststofffolie), als eine Platte (z.B. eine Kunststoffplatte, eine Glasplatte oder eine Metallplatte) ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann das Substrat 302 prismenförmig, trapezförmig, zylinderförmig, oder pyramidenförmig ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann das Substrat 302 zumindest eine flache oder zumindest eine gekrümmte Oberfläche, z.B. eine Hauptprozessieroberfläche auf einer Hauptprozessierseite des Substrats 302, aufweisen, auf oder über welcher die Schichten des organisch optoelektronischen Bauelements 300a gebildet werden.
Das Substrat 302 kann aus einem elektrisch isolierenden Stoff gebildet sein. Das Substrat 302 kann aus Glas gebildet sein oder kann ein Glas aufweisen. Alternativ kann das Substrat 302 aus einem Kunststoff oder einem Verbundwerkstoff (z.B. ein Laminat aus mehreren Folien oder einem Faser-Kunststoff-Verbund) gebildet sein. Der Kunststoff weist ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP)) auf oder wird daraus gebildet. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann das Substrat 302 derart gebildet sein, dass es einen oder mehrere der oben genannten Stoffe aufweist. Alternativ oder zusätzlich kann das Substrat 302 ein Quarz und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendeinen anderen geeigneten Stoff aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 302 elektrisch leitfähig sein. Beispielsweise kann das Substrat 302 aus einem elektrisch isolierenden Stoff, wie oben beschrieben ist, mit einer elektrisch leitfähigen Beschichtung gebildet sein, wobei die elektrisch leitfähige Beschichtung z.B. eine metallische Beschichtung sein kann, welche ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist. Alternativ kann das Substrat 302 einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein, ein elektrisch leitfähiges Polymer, ein Metall, ein Übergangsmetalloxid oder ein elektrisch leitfähiges transparente Oxid. Beispielsweise kann ein Substrat 302, welches ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, als eine Metallfolie oder eine metallbeschichtete Folie ausgebildet sein. Das Substrat 302 kann derart eingerichtet sein, dass es im Betrieb des organisch optoelektronischen Bauelements 300a elektrischen Strom leitet.
Ist das Substrat 302 aus Metall oder einem anderen elektrisch leitfähigen Stoff gebildet, so kann das Substrat 302 als eine Elektrode, z.B. als untere Elektrode 310, der organischen Leuchtdiode dienen. Die Verwendung eines metallischen Substrats 302, das allseits beschichtet wird kann beispielsweise eine homogene Stromverteilung auf einem randlosen Bauteil ermöglichen.
Alternativ oder zusätzlich kann das Substrat 302 aus einem Stoff mit hoher Wärmeleitfähigkeit gebildet sein oder einen solchen aufweisen.
Alternativ oder zusätzlich kann das Substrat 302 opak, transluzent oder sogar transparent ausgebildet sein bezüglich wenigstens eines Wellenlängenbereichs der elektromagnetischen Strahlung, beispielsweise in wenigstens einem Bereich des sichtbaren Lichts, beispielsweise in einem Wellenlängenbereich von etwa 380 nm bis 780 nm. Beispielsweise ist bei der Verwendung eines transparenten und/oder transluzenten Substrats 302 und eines beidseitig transparenten und/oder transluzenten Substrats 302 eine beidseitig identisch emittierende, (semi-)transparente OLED realisierbar.
Alternativ oder zusätzlich ist das Substrat 302 als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet, beispielsweise ist dieser transparent oder transluzent hinsichtlich der emittierten oder absorbierten elektromagnetischen Strahlung des organischen optoelektronischen Bauelementes 300a.
Alternativ oder zusätzlich ist das Substrat 302 ein Teil einer Spiegelstruktur oder bildet selbige.
Alternativ oder zusätzlich weist das Substrat 302 einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich auf.
Alternativ oder zusätzlich zur obigen Beschreibung des organischen optoelektronischen Bauelementes 300a kann das Ausbilden der Schichtenfolge des organischen optoelektronischen Bauelementes 300a ausgestaltet sein, wie im Folgenden beschrieben.
Die erste Elektrode 310 kann als ein Schichtenstapel ausgebildet sein oder werden. Alternativ zu einem Anlegen des ersten elektrischen Potenzials an die erste Elektrode 310, ist oder wird das erste elektrische Potenzial an das Substrat 302 angelegt und ist oder wird darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 310 angelegt (mit anderen Worten übertragen), z.B. wenn das Substrat 302 elektrisch leitfähig ist. Alternativ oder zusätzlich kann ein elektrisches Kontaktpad mehrere elektrische Kontaktpads aufweisen.
Die erste Elektrode 310 kann aus einem Metall gebildet sein oder werden oder dieses aufweisen. In dem Fall, dass die erste Elektrode 310 ein Metall aufweist oder daraus gebildet wird, kann die erste Elektrode 310 eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 310 derart ausgebildet sein oder werden, dass sie eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm, aufweist. Beispielsweise kann die erste Elektrode 310 derart ausgebildet sein oder werden, dass sie eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm aufweist, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 310 transluzent oder transparent ausgebildet sein oder werden. Beispielsweise kann die erste Elektrode 310 ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) aufweisen oder daraus gebildet sein oder werden. Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO₂, oder In₂O₃ gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn₂SnO₄, CdSnO₃, ZnSnO₃, MgIn₂O₄, GaInO₃, Zn₂In₂O₅ oder In₄Sn₃O₁₂ oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein.
Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 310 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet wird, die erste Elektrode 310 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 310 von einem Schichtenstapel oder einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf oder über einer Schicht eines TCOs gebildet sein oder werden, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf oder über einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht wird (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 310 einen Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs aufweisen oder daraus gebildet sein oder werden.
Alternativ oder zusätzlich kann das Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur 312 ein Ausbilden einer oder mehrerer Emitterschichten 318 aufweisen. Mehrere Emitterschichten 318 können beispielsweise gleich oder unterschiedlich voneinander ausgebildet sein oder werden.
Alternativ oder zusätzlich kann die Emitterschicht 118 organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules“) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein oder werden.
Alternativ oder zusätzlich können die Emittermaterialien in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet werden. Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete Emittermaterialien ebenfalls vorgesehen werden können. Alternativ oder zusätzlich können die Emittermaterialien der Emitterschicht(en) 318 des organisch optoelektronischen Bauelements 300a beispielsweise so ausgewählt werden, dass das organisch optoelektronische Bauelement 300a Weißlicht emittiert. Alternativ oder zusätzlich weist/weisen die Emitterschicht(en) 318 mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien auf, alternativ wird/werden die Emitterschicht(en) 318 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 318 oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht 318, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht 318 und/oder einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht 318. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ ist vorgesehen, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Die zweite Elektrode 314 kann wie die erste Elektrode 310 ausgebildet sein oder werden oder die zweite Elektrode 314 kann im Allgemeinen ähnlich zur ersten Elektrode 310 ausgebildet sein oder werden. Die zweite Elektrode 314 kann gemäß einer oder mehreren der oben beschriebenen Ausführungsformen der ersten Elektrode 310 ausgebildet sein oder werden. Alternativ kann die zweite Elektrode 314 unterschiedlich zur ersten Elektrode 310 ausgebildet sein oder werden. Beispielsweise ist die zweite Elektrode 314 als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode, ausgebildet.
Beispielsweise sind die erste Elektrode 310 und die zweite Elektrode 314 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das organisch optoelektronische Bauelement 300a als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement) ausgebildet sein oder werden.
3B veranschaulicht eine schematische Querschnittsansicht eines organisch optoelektronischen Bauelements 300b gemäß verschiedenen Ausführungsformen, das beispielsweise weitgehend dem in 3A veranschaulichten Ausführungsbeispiel entspricht. Alternativ zu der in 3A veranschaulichten Schichtenfolge kann das organisch optoelektronische Bauelement 300b die in 3B veranschaulichte Schichtenfolge aufweisen, welche im Folgenden beschrieben ist.
Auf oder über dem Substrat 302 wird die erste Elektrode 310 ausgebildet. Auf oder über der ersten Elektrode 310 wird eine Lochinjektionsschicht ausgebildet (nicht gezeigt). Auf oder über der Lochinjektionsschicht wird eine Lochtransportschicht 316 (auch bezeichnet als Lochleitungsschicht 316) ausgebildet. Ferner wird die Emitterschicht 318 auf oder über der Lochtransportschicht 316 ausgebildet. Eine Elektronentransportschicht 320 (auch bezeichnet als Elektronenleitungsschicht 320) wird auf oder über der Emitterschicht 318 ausgebildet. Auf oder über der Elektronentransportschicht 320 wird eine Elektroneninjektionsschicht (nicht gezeigt) ausgebildet. Auf oder über der Elektroneninjektionsschicht wird die zweite Elektrode 314 ausgebildet.
Die Schichtenfolge des organisch optoelektronischen Bauelements 300b ist nicht auf die oben beschriebene Ausführungsbeispiele beschränkt, beispielsweise können eine oder mehrere der oben genannten Schichten weggelassen werden. Ferner kann alternativ die Schichtenfolge in umgekehrter Reihenfolge ausgebildet sein oder werden. Ferner können zwei Schichten als eine Schicht ausgebildet sein oder werden.
Die Lochinjektionsschicht kann derart gebildet sein oder werden, dass sie eine Schichtdicke aufweist in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.
Alternativ oder zusätzlich kann das optoelektronische Bauelement 300b mehrere Lochinjektionsschichten aufweisen.
Die Lochtransportschicht 316 kann derart gebildet sein oder werden, dass sie eine Schichtdicke aufweist in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Alternativ oder zusätzlich kann das optoelektronische Bauelement 300b mehrere Lochtransportschichten 316 aufweisen.
Die Elektronentransportschicht 320 kann derart gebildet sein oder werden, dass sie eine Schichtdicke aufweist in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Alternativ oder zusätzlich kann das optoelektronische Bauelement 300b mehrere Elektronentransportschichten 320 aufweisen.
Die Elektroneninjektionsschicht kann derart ausgebildet sein oder werden, dass sie eine Schichtdicke aufweist in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.
Alternativ oder zusätzlich kann das optoelektronische Bauelement 300b mehrere Elektroneninjektionsschichten aufweisen.
Alternativ oder zusätzlich kann das organisch optoelektronische Bauelement 300b derart ausgebildet sein oder werden, dass es zwei oder mehr organisch funktionelle Schichtenstrukturen 312 aufweist, z.B. eine erste organisch funktionelle Schichtenstruktur 312 (auch bezeichnet als erste organisch funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten) und eine zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur 312 (auch bezeichnet als zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten).
Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit kann über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheit ausgebildet sein oder werden. Zwischen den organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten kann eine Zwischenschichtstruktur (nicht gezeigt) ausgebildet sein oder werden.
Die Zwischenschichtstruktur kann als eine Zwischenelektrode ausgebildet sein oder werden, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 310. Eine Zwischenelektrode kann mit einer externen Energiequelle elektrisch verbunden sein. Die externe Energiequelle kann an der Zwischenelektrode ein drittes elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.
Alternativ oder zusätzlich kann die Zwischenschichtstruktur als eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur (charge generation layer CGL) ausgebildet sein oder werden. Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur weist eine oder mehrere elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) auf oder wird daraus gebildet. Die elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) werden jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Optional kann die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur zwischen benachbarten Schichten eine Diffusionsbarriere aufweisen.
Alternativ oder zusätzlich können die oben genannten Schichten als Mischungen von zwei oder mehreren der oben genannten Schichten ausgebildet sein oder werden.
Es ist darauf hinzuweisen, dass alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere der oben genannten Schichten, die zwischen der ersten Elektrode 310 und der zweiten Elektrode 314 angeordnet sind, optional sind.
Beispielsweise kann die organisch funktionelle Schichtenstruktur 312 als ein Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLED-Einheiten ausgebildet sein oder werden. In diesem Fall weist die organische funktionelle Schichtenstruktur 312 eine Schichtdicke auf von maximal ungefähr 3 µm auf.
Zusätzlich kann das organisch optoelektronische Bauelement 300b derart ausgebildet sein oder werden, dass es optional weitere organische Funktionsschichten (welche aus organischen Funktionsmaterialien bestehen können) aufweist, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten 318 oder auf oder über der/den Elektronentransportschicht(en) 216, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 300b weiter zu verbessern.
3C veranschaulicht eine schematische Querschnittsansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen eines organisch optoelektronischen Bauelements 300c, das beispielsweise weitgehend dem in 3B veranschaulichten Ausführungsbeispiel entspricht. Alternativ zu der in 3B veranschaulichten Schichtenfolge kann das organisch optoelektronische Bauelement 300c die in 3C veranschaulichte Schichtenfolge aufweisen, welche im Folgenden beschrieben ist.
Auf oder über dem Substrat 302 und zwischen dem Substrat 302 und dem elektrisch aktivem Bereich 306 ist eine Barriereschicht 304 angeordnet. Das Substrat 302 und die Barriereschicht 304 bilden ein hermetisch dichtes Substrat 302. Die Barriereschicht 304 kann einen oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein oder werden: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Barriereschicht 304 beispielsweise aus einem elektrisch isolierenden Stoff (d.h. aus als elektrischer Isolator, als so genannte Isolationsschicht) gebildet sein.
Die Barriereschicht 304 kann derart gebildet sein oder werden, dass sie eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweist, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.
Die Barriereschicht 304 kann mittels einer Vakuumprozessierung, einer Flüssigphasenprozessierung oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren ausgebildet sein oder werden.
Alternativ oder zusätzlich kann die Barriereschicht 304 derart ausgebildet sein oder werden, dass sie mehrere Teilschichten aufweist. Bei einer Barriereschicht 304, die mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet sein oder werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat“ bezeichnet werden.
Alternativ oder zusätzlich wird die Barriereschicht 304 derart ausgebildet, dass sie ein oder mehrere optisch hochbrechende Materialien aufweist, beispielsweise ein oder mehrere Material(ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Alternativ oder zusätzlich werden die oben genannten Schichten als Mischungen von zwei oder mehreren der oben genannten Schichten ausgebildet.
Alternativ oder zusätzlich kann eines der hierin beschriebenen organischen optoelektronischen Bauelemente 300c einen Farbfilter und/oder eine Konverterstruktur aufweisen, welche über dem Substrat 302 angeordnet und/oder ausgebildet sein oder werden kann. Durch gezielte Variation einer Oberfläche bei planaren Substraten 302 (Variation des Bottomkontaktes 310 oder einseitige Beschichtung oder Aufbringung eines Farbfilters oder eines Konverters) kann eine gezielte Änderung der Emission in eine Richtung erreicht werden, unabhängig von der Emission in die andere Richtung. Dies gilt für intransparente und (semi-)transparente Ausführungsformen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Barriereschicht 304 Teil der Haftstruktur 202 sein, z.B. kann die Haftschicht 202h in Form der Barriereschicht 304 gebildet sein oder werden oder Teil der Barriereschicht 304 sein. Alternativ kann die Barriereschicht 304 auf oder über der Haftstruktur 202 gebildet sein oder werden.
4A bis 4C veranschaulichen jeweils eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem Verfahren 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
Das in 4A dargestellte optoelektronische Bauelement 400a entspricht weitgehend dem in 2E dargestellten optoelektronischen Bauelement 200e, wobei auf oder über der Haftstruktur 202 eine optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 ausgebildet ist. Die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 kann sowohl über dem ersten Bereich 302a des Substrats 302 wie auch über dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 ausgebildet sein oder werden.
Alternativ zu dem in 4A dargestellten optoelektronischen Bauelement 400a kann die Haftstruktur 202 gemäß dem in 2C dargestellten optoelektronischen Bauelement 200c oder gemäß dem in 2D dargestellten optoelektronischen Bauelement 200d ausgebildet sein.
Das in 4B dargestellte optoelektronische Bauelement 400b entspricht weitgehend dem in 4A dargestellten optoelektronischen Bauelement 400a, wobei auf oder über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 eine Kraftvermittlungsschicht 402 ausgebildet ist.
Die Kraftvermittlungsschicht 402 kann zumindest teilweise z.B. mittels Vakuumprozessierung und/oder mittels Flüssigphasenprozessierung ausgebildet sein oder werden.
Beispielsweise kann das Ausbilden der Kraftvermittlungsschicht 402 aufweisen, einen Kunststoff, z.B. ein polymerbasierten Kunststoff, wie z.B. Epoxidharz, auf oder über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 auszubilden, z.B. aufzubringen, z.B. aufzutragen. Danach, z.B. anschließend, kann der Kunststoff aushärten und sich mit der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 verbinden. Der so ausgehärtete Kunststoff kann dann ausreichend stabil zum Übertragen einer Kraft 602 auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 sein, z.B. wenn dieser von dem Substrat 302 wegbewegt wird.
Alternativ oder zusätzlich kann das Ausbilden der Kraftvermittlungsschicht 402 aufweisen, einen Haftvermittler, z.B. ein viskoses Material, einen Klebstoff (z.B. einen physikalisch abbindenden Klebstoff, chemisch härtenden Klebstoff oder einen Haftklebstoff), einen polyolefinische Haftvermittler, einen metallorganischen Haftvermittler oder einen Silanhaftvermittler, auf oder über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 auszubilden, z.B. aufzubringen, z.B. aufzutragen.
Alternativ oder zusätzlich kann das Ausbilden der Kraftvermittlungsschicht 402 aufweisen, eine Folie, z.B. eine Kunststofffolie oder Metallfolie, auf oder über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 auszubilden, z.B. aufzubringen, z.B. aufzukleben oder anderweitig zu befestigen.
Beispielsweise kann die Folie auf oder über den Haftvermittler aufgebracht werden, welcher bereits auf oder über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 angeordnet ist. Alternativ kann der Haftvermittler auf der Folie angeordnet, z.B. befestigt, sein oder werden und gemeinsam mit der Folie auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 aufgebracht, z.B. verpresst, werden. Beispielsweise kann die Kraftvermittlungsschicht 402 in Form einer selbstklebenden Folie, z.B. als in Form eines Klebebands, mit darauf aufgebrachtem Acrylatkleber, ausgebildet sein, welches zum Verbinden mit der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 gegen diese gepresst wird.
Nachdem die Kraftvermittlungsschicht 402 mit der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 verbunden ist, kann diese von dem Substrat 302 weg bewegt werden. Dabei kann eine Kraft 602, welche von dem Substrat 302 weggerichtet ist, auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 übertragen werden, so dass die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 in einem Trennbereich 312g, welcher zwischen einem ersten Abschnitt 312a der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 und einem zweiten Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 verläuft, durchtrennt wird, z.B. reißt oder bricht, und zum Teil von dem Substrat 302 entfernt wird.
Die Kraft 602 kann z.B. gleichmäßig (z.B. vollflächig) auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 übertragen werden oder seriell, z.B. abschnittsweise, z.B. zeitlich und/oder räumlich nacheinander.
Beispielsweise kann die Kraftvermittlungsschicht 402 von einer Seite (z.B. einem Rand) des Substrats 302 aus von dem organisch optoelektronischen Bauelement 400b abgerissen werden.
Der erste Abschnitt 312a der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 kann der Teil der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 sein, welcher auf oder über dem Substrat 302 verbleibt, und der zweite Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 kann der Teil sein der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 sein, welcher von dem Substrat 302 entfernt wird.
Der Trennbereich 312g kann entlang eines Pfades 802 verlaufen, entlang dessen der erste Bereich 302a des Substrats 302 und der zweite Bereich 302a des Substrats 302 aneinander grenzen (vergleich 8A). Wird eine Haftschicht 202h und eine Antihaftschicht 202a verwendet, kann der Trennbereich 312g entlang eines Pfades verlaufen, entlang dessen die Haftschicht 202h und die Antihaftschicht 202a aneinander grenzen. Ist in der Haftstruktur 202 eine Durchgangsöffnung 202d (vergleiche 2C und 2D) gebildet, kann der Trennbereich 312g entlang einer äußeren Begrenzung (d.h. dem Rand) der Durchgangsöffnung 202d verlaufen.
Wird die Kraftvermittlungsschicht 402 auf der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 ausgebildet, kann diese mit der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 verbunden sein oder werden und so ein Haftvermögen zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 aufweisen, d.h. an der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 haften.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Haftvermögen der einzelnen Schichten zueinander wie folgt ausgebildet und/oder eingerichtet sein:

(a) Das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Haftschicht 202h kann größer sein als das Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht 402 zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312. Dadurch wird erreicht, dass sich die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 eher von der Kraftvermittlungsschicht 402 löst als von der Haftschicht 202h, so dass der erste Abschnitt 312a der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 auf oder über der Haftschicht 202h verbleibt, wenn die Kraftvermittlungsschicht 402 von dem Substrat 302 wegbewegt und entfernt wird.
(b) Das Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht 402 zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 kann größer sein als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Antihaftschicht 202a. Dadurch wird erreicht, dass sich die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 eher von der Antihaftschicht 202a löst als von der Kraftvermittlungsschicht 402, so dass der zweite Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 von der Antihaftschicht 202a entfernt wird, wenn die Kraftvermittlungsschicht 402 von dem Substrat 302 wegbewegt wird.

Damit kann das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Haftschicht 202h größer sein als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Antihaftschicht 202a. Damit die Haftschicht 202h gemeinsam mit dem zweiten Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 auf oder über dem Substrat 302 verbleibt, kann das Haftvermögen der Haftschicht 202h zu dem Substrat 302 größer als das oder gleich dem Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Haftschicht 202h sein.
Ist das Haftvermögen der Antihaftschicht 202a zu dem Substrat 302 größer als das oder gleich dem Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Antihaftschicht 202a, verbleibt die Antihaftschicht 202a beim Entfernen des zweiten Abschnitts 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 auf oder über dem Substrat 302.
Ist das Haftvermögen der Antihaftschicht 202a zu dem Substrat 302 kleiner als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Antihaftschicht 202a wird die Antihaftschicht 202a gemeinsam mit dem zweiten Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 von dem Substrat 302 entfernt.
Alternativ kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen das Haftvermögen der einzelnen Schichten zueinander wie folgt ausgebildet und/oder eingerichtet sein:

(a) Das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Haftschicht 202h kann größer sein als das Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht 402 zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312.
(b) Das Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht 402 zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 kann kleiner sein als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Antihaftschicht 202a, wenn das Haftvermögen der Antihaftschicht 202a zu dem Substrat 302 kleiner ist als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Kraftvermittlungsschicht 402.

Damit kann erreicht werden, dass die Antihaftschicht 202a gemeinsam mit dem zweiten Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 von dem Substrat 302 entfernt wird. Anschaulich kann es ausreichen, wenn die Antihaftschicht 202h lediglich an dem Substrat 302 oder an der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 schlecht haftet.
Das in 4C dargestellte optoelektronische Bauelement 400c entspricht weitgehend dem in 4B dargestellten optoelektronischen Bauelement 400b, wobei der zweite Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 von dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 gemeinsam mit der Kraftvermittlungsschicht 402 entfernt ist oder wird.
In dem Trennbereich 312g kann eine Seitenfläche 312s der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 gebildet sein oder werden, welche die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 begrenzt.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Haftschicht 202h als Elektrode, z.B. als untere Elektrode 310, ausgebildet sein oder werden. Dadurch kann erreicht werden, dass die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 ohne weitere Prozessschritte von unten kontaktiert werden kann.
Ist die Antihaftschicht 202a beim Entfernen des zweiten Abschnitts 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 auf oder über dem Substrat 302 verblieben, kann diese nach dem Entfernen des zweiten Abschnitts 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 in einem weiteren Verfahrensschritt (auch als Prozessschritt bezeichnet) entfernt werden, beispielsweise mittels Laserablation, mittels Ätzens (z.B. Plasmaätzens oder chemischen Ätzens) oder mittels eines geeigneten Lösungsmittels, in welchem ein Material der Antihaftschicht 202a löslich ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Kontaktpad (nicht dargestellt), z.B. ein Kontaktpad der ersten Elektrode 310 oder der zweiten Elektrode 314 (vergleich 3A bis 3C), über dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 ausgebildet sein oder werden. Beispielsweise kann das Kontaktpad durch Entfernen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 über dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 freigelegt sein oder werden. Beispielsweise kann zumindest ein Kontaktpad der ersten Elektrode 310 und/oder der zweiten Elektrode 314 durch jeweiliges Entfernen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 gemäß verschiedenen Ausführungsformen freigelegt sein oder werden.
5A bis 5C veranschaulichen jeweils eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem Verfahren 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
Das in 5A dargestellte optoelektronische Bauelement 500a entspricht weitgehend dem in 4A dargestellten optoelektronischen Bauelement 400a, wobei auf oder über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 eine Opferschicht 502 ausgebildet ist oder wird. Die Opferschicht 502 kann sowohl über dem ersten Bereich 302a des Substrats 302 wie auch über dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 ausgebildet sein oder werden.
Die Opferschicht 502 kann anschaulich eine schlecht auf oder über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 haftende Schicht sein.
Die Opferschicht 502 kann zumindest teilweise z.B. mittels Vakuumprozessierung und/oder mittels Flüssigphasenprozessierung ausgebildet sein oder werden.
Beispielsweise kann das Ausbilden der Opferschicht 502 aufweisen, eine Schicht aus Kunststoff, z.B. aus einem polymerbasierten Kunststoff, wie z.B. Epoxidharz, Lack oder Polyamid, aus einem Metall oder aus einer Keramik auf oder über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 auszubilden, z.B. aufzubringen. Alternativ kann das Ausbilden der Opferschicht 502 aufweisen, mehrere solcher Schichten übereinander auf oder über oder über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 auszubilden, z.B. aufzubringen.
Alternativ oder zusätzlich kann das Ausbilden der Opferschicht 502 aufweisen, einen Haftvermittler, z.B. einen Klebstoff, wie oben beschrieben ist, auf oder über oder über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 auszubilden, z.B. aufzubringen, z.B. aufzutragen.
Alternativ oder zusätzlich kann das Ausbilden der Opferschicht 502 aufweisen, die optisch funktionelle Schichtenstruktur teilweise abzudecken, so dass die Opferschicht den Kontakt (oder die Kontaktfläche) zwischen der Kraftvermittlungsschicht und der optisch funktionellen Schichtenstruktur reduziert und somit das Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur verringert. Beispielsweise kann die Opferschicht Partikel, z.B. Nanopartikel aufweisen. In diesem Beispiel kann das Haftvermögen der Opferschicht zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur verschwindend gering sein, z.B. kleiner als das Haftvermögen der Antihaftschicht 202a zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 und/oder dem Substrat 302.
Das in 5B dargestellte optoelektronische Bauelement 500b entspricht weitgehend dem in 5A dargestellten optoelektronischen Bauelement 500a, wobei auf oder über der Opferschicht 502 eine Kraftvermittlungsschicht 402 ausgebildet ist. Mit anderen Worten entspricht das in 5B dargestellte optoelektronische Bauelement 500b weitgehend dem in 4B dargestellten optoelektronischen Bauelement 400b, wobei die Opferschicht 502 zwischen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 und der Kraftvermittlungsschicht 402 angeordnet ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Haftvermögen der einzelnen Schichten zueinander wie folgt ausgebildet oder eingerichtet sein:

(a) Das Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht 402 zu der Opferschicht 502 kann größer sein als das Haftvermögen der Opferschicht 502 zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312. Dadurch wird erreicht, dass sich die Opferschicht 502 eher von der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 löst als von der Kraftvermittlungsschicht 402, so dass die Opferschicht 502 gemeinsam mit der Kraftvermittlungsschicht 402 von dem Substrat 302 wegbewegt und entfernt wird.
(b) Das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Haftschicht 202h kann größer sein als das Haftvermögen der Opferschicht 502 zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312. Dadurch wird erreicht, dass sich die Opferschicht 502 eher von der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 löst als die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 von der Haftschicht 202h, so dass der erste Abschnitt 312a der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 auf oder über der Haftschicht 202h verbleibt, wenn die Kraftvermittlungsschicht 402 von dem Substrat 302 wegbewegt und entfernt wird.
(c) Das Haftvermögen der Opferschicht 502 zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 kann größer sein als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Antihaftschicht 202a und/oder größer sein als das Haftvermögen der Antihaftschicht 202a zu dem Substrat 302. Dadurch wird erreicht, dass sich die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 eher von der Antihaftschicht 202a oder dass sich die Antihaftschicht 202a eher dem Substrat 302 löst als die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 von der Opferschicht 502, so dass der zweite Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 von der Antihaftschicht 202a oder gemeinsam mit der Antihaftschicht 202a von dem Substrat 302 entfernt wird, wenn die Opferschicht 502 gemeinsam mit der Kraftvermittlungsschicht 402 von dem Substrat 302 wegbewegt und entfernt wird.

Damit kann auch das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Haftschicht 202h größer sein als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Antihaftschicht 202a.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ferner das Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht 402 zu der Opferschicht 502 größer sein als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Haftschicht 202h.
Anschaulich kann unter Verwendung der Opferschicht 502 eine Kraftvermittlungsschicht 402 verwendet werden, welche sich später von der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 lösen würde als die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 von der Haftschicht 202h, da die Opferschicht 502 die Haftvermittlung der Kraftvermittlungsschicht 402 zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 definiert.
Beispielsweise kann erreicht werden, dass das erste Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu dem ersten Bereich 302a des Substrats 302 größer ist als das zweite Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302, wenn das Haftvermögen der Antihaftschicht 202a zu dem Substrat 302 oder zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 kleiner ist als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Haftschicht 202h.
Analog zu dem oben beschriebenen Schema kann das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu dem Substrat 302 größer sein als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Antihaftschicht 202a, wenn z.B. keine Haftschicht 202h verwendet wird (vergleiche 2C).
Analog zu dem oben beschriebenen Schema kann das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu dem Substrat 302 kleiner sein als das Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu der Haftschicht 202h, wenn z.B. keine Antihaftschicht 202a verwendet wird (vergleiche 2D).
Das in 5C dargestellte optoelektronische Bauelement 500c entspricht weitgehend dem in 4C dargestellten optoelektronischen Bauelement 400c, wobei der zweite Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 von dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 gemeinsam mit der Kraftvermittlungsschicht 402 und der Opferschicht 502 entfernt ist oder wird.
6A und 6B veranschaulichen jeweils eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem Verfahren 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
Wird die Opferschicht 502 nicht rückstandsfrei entfernt, kann diese nachträglich in einem weiteren Verfahrensschritt vollständig entfernt werden, beispielsweise mittels Laserablation, mittels Ätzens (z.B. Plasmaätzens oder chemischen Ätzens) oder mittels eines geeigneten Lösungsmittels, in welchem ein Material der Opferschicht 502 löslich ist.
6A veranschaulicht ein optoelektronisches Bauelement 600a in einer Querschnittsansicht, wobei eine Haftstruktur 202 auf oder über einem Substrat 302 gebildet ist, wobei das Substrat 302 einen ersten Bereich 302a und einen zweiten Bereich 302b aufweist. Über dem Bereich 302a und dem zweiten Bereich 302b ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 gebildet.
Mit anderen Worten kann sich die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 über den ersten Bereich 302a des Substrats 302 und über den zweiten Bereich 302b des Substrats 302 erstrecken.
Die Haftstruktur 202 kann derart ausgebildet sein, dass ein erstes Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu dem ersten Bereich 302a größer ist als ein zweites Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 zu dem zweiten Bereich 302b.
6B veranschaulicht ein optoelektronisches Bauelement 600b in einer Querschnittsansicht, wobei ein Teil der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 (auch als zweiter Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 bezeichnet) über dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 entfernt wird oder ist, indem eine von dem Substrat 302 weg gerichtete Kraft 602 auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 übertragen wird. Die Kraft 602 kann auf die gesamte optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 übertragen werden.
Die Kraft 602 kann beispielsweise mittels einer Bewegung des optoelektronischen Bauelements 600b, z.B. in Form einer Fliehkraft erzeugt werden, oder mittels eines Luftstroms (welcher z.B. von einem Gebläse erzeugt wird).
7A und 7B veranschaulichen jeweils eine Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem Verfahren 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
7A veranschaulicht ein optoelektronisches Bauelement 700a in einer Querschnittsansicht. Das in 7A veranschaulichte optoelektronische Bauelement 700a entspricht weitgehend dem in 6A veranschaulichten optoelektronischen Bauelement 600a, wobei auf oder über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 eine Kraftvermittlungsschicht 402 ausgebildet ist.
Die Kraftvermittlungsschicht 402 kann zum Übertragen einer Kraft 602 auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 eingerichtet sein.
7B veranschaulicht ein optoelektronisches Bauelement 700b in einer Querschnittsansicht. Das in 7B veranschaulichte optoelektronische Bauelement 700b entspricht weitgehend dem in 7A veranschaulichten optoelektronischen Bauelement 700a, wobei ein Teil der Kraftvermittlungsschicht 402 von dem Substrat 302 wegbewegt wird oder ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Kraftvermittlungsschicht 402 von einer Seite aus (d.h. mit einer Bewegungskomponente in laterale Richtung, d.h. in eine seitliche Richtung) abschnittsweise von dem Substrat 302 weg bewegt werden, z.B. mittels des Manipulators oder per Hand, wobei die Kraft 602 auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 übertragen wird. Dabei kann z.B. ein Ablösen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 vom Rand des Substrats 302 aus erfolgen, z.B. in Richtung einer Mitte des Substrats 302. Beispielsweise kann ein Ablösen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 vom Rand der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 aus erfolgen, z.B. in Richtung einer Mitte der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312.
Mit anderen Worten kann die Kraft 602 abschnittsweise, z.B. zeitlich und/oder räumlich nacheinander, auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 übertragen werden, z.B. auf einen ersten Abschnitt 312a der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 nachdem die Kraft 602 auf einen zweiten Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 übertragen wurde. Alternativ oder zusätzlich, z.B. anschließend, kann die Kraft 602 auf einen zweiten Abschnitt 312b der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 übertragen werden nachdem die Kraft 602 auf einen ersten Abschnitt 312a der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 übertragen wurde.
Die Kraft 602 kann beispielsweise extern erzeugt werden, z.B. mittels eines Manipulators (nicht dargestellt), an welchem die Kraftvermittlungsschicht 402 befestigt ist. Beispielsweise kann die Kraftvermittlungsschicht 402 mit einem Endabschnitt der Kraftvermittlungsschicht 402 an einem Greifer des Manipulators befestigt sein. Alternativ oder zusätzlich kann die Kraftvermittlungsschicht 402 aufgewickelt werden, z.B. auf eine Rolle (nicht gezeigt).
Der Manipulator kann mit einem Sensor (nicht dargestellt) verbunden sein, welcher einer Steuerung (nicht dargestellt) eine Rückmeldung über den Verlauf des Ablösens bereitstellt, z.B. in Form einer Information über eine Gegenkraft, welche auf den Manipulator wirkt, oder in Form einer grafischen Information über den Zustand des Ablösens der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 von dem Substrat 302. Die Steuerung kann dann eine Bewegung des Manipulators, z.B. das Erzeugen und Übertragen der Kraft 602 auf die Kraftvermittlungsschicht 402 steuern oder regeln auf Grundlage der Information.
8A und 8B veranschaulichen jeweils eine Draufsicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem Verfahren 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
8A veranschaulicht ein organisch optoelektronisches Bauelement 800a, z.B. analog zu dem in 7A veranschaulichten organisch optoelektronischen Bauelement 700a, analog zu dem in 5B veranschaulichten organisch optoelektronischen Bauelement 500b und/oder analog zu dem in 4B veranschaulichten organisch optoelektronischen Bauelement 400b.
Über dem Substrat 302 (in dieser Ansicht verdeckt) und der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 (in dieser Ansicht verdeckt) ist eine Kraftvermittlungsschicht 402 angeordnet, wie vorangehend beschrieben ist. Zwischen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 und dem Substrat 302 kann eine Haftstruktur (in dieser Ansicht verdeckt) angeordnet sein oder werden, wie vorangehend beschrieben ist.
Das Substrat 302 weist zumindest einen ersten Bereich 302a und einen zweiten Bereich 302b auf, welche entlang eines Pfads 804 aneinandergrenzen. Der Trennbereich 312g der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 ist über dem Pfad 804 angeordnet.
8B veranschaulicht ein organisch optoelektronisches Bauelement 800b. Das in 8B dargestellte optoelektronische Bauelement 800b entspricht weitgehend dem in 8A dargestellten optoelektronischen Bauelement 800a, wobei die Kraftvermittlungsschicht 402 und ein Teil der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 über dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 entfernt sind oder werden.
Wird die Kraftvermittlungsschicht 402, welche z.B. in Form eines Klebebandes ausgebildet sein kann, von dem Substrat 302 wegbewegt, kann die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 in dem Trennbereich 312g durchtrennt sein oder werden, z.B. einreißen, so dass ein Teil der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 über dem zweiten Bereich 302b des Substrats 302 gemeinsam mit der Kraftvermittlungsschicht 402 entfernt wird. Mittels Entfernens des Teils der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 kann eine Durchgangsöffnung 802d in der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 gebildet werden, welche sich über dem zweiten Bereich 302b Substrats 302 erstreckt und welche den zweiten Bereich 302b des Substrats 302 freilegt oder die Haftstruktur (nicht dargestellt) zumindest teilweise freilegt.
Dabei kann eine unregelmäßige Oberflächenstruktur gebildet werden, z.B. eine unregelmäßige Oberflächenstruktur einer Seitenfläche 312s der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312, welche die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 begrenzt. Die Seitenfläche 312s kann einen Rand der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 definieren.
8C veranschaulicht eine Detailansicht 802 des in 8B veranschaulichten organisch optoelektronisches Bauelements 800b.
Die Seitenfläche 312s kann in Form einer Risskannte der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 ausgebildet sein und auf die Oberfläche des Substrats 302, z.B. die Hauptprozessieroberfläche des Substrats 302 projiziert, eine unregelmäßige (z.B. zufällig verlaufende) Kontur aufweisen, z.B. eine fraktal-ähnliche Kontur. Mit anderen Worten kann die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 einen unregelmäßig geformten Rand aufweisen. Beispielsweise kann die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 den Pfad 804, teilweise überlappen.
Anschaulich kann der die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 in dem Trennbereich 312g ausgefranst sein, z.B. durch das abreißen. Ist die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 durchtrennt, kann der Trennbereich 312g auch als Übergangsbereich bezeichnet werden, in dem die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 nicht kantig, z.B. scharfkantig, oder abrupt abschließt (d.h. endet).
8D veranschaulicht das in 8B veranschaulichte organisch optoelektronische Bauelement 800b in eine Querschnittsansicht.
Die unregelmäßig geformte Oberflächenstruktur der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 in dem Trennbereich 312g kann sich beispielsweise von einer ersten Oberfläche der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312, welche z.B. an das Substrat 302 oder an die Haftstruktur (nicht dargestellt) angrenzen kann, zu einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 erstrecken.
Die Seitenfläche 312s kann sich quer zu der Oberfläche des Substrats 302 (z.B. der Hauptprozessieroberfläche) erstrecken oder in einem Winkel, z.B. in einem Winkel in einem Bereich von ungefähr 45° bis ungefähr 90°, z.B. in einem Bereich von ungefähr 55° bis ungefähr 80°, z.B. in einem Bereich von ungefähr 65° bis ungefähr 70°. Mit anderen Worten kann die Seitenfläche 312s der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 schräg verlaufen, z.B. abgerissen sein, oder die optisch funktionelle Schichtenstruktur 312 kann eine Fase in dem Trennbereich 312g aufweisen.
Beispielsweise kann die Seitenfläche 312s analog zu einer Bruchfläche geformt sein.
Die Seitenfläche 312s kann beispielsweise einen Mittenrauwert in einem Bereich von ungefähr 0,01 µm bis ungefähr 0,5 µm aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 0,02 µm bis ungefähr 0,2 µm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 0,05 µm bis ungefähr 0,1 µm.
Ferner können durch das Durchtrennen der optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 Mikrorisse gebildet sein oder werden, welche sich von der Seitenfläche 312s aus in die optisch funktionellen Schichtenstruktur 312 erstrecken, z.B. mit einer Länge in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 1 µm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur

Nature, Volum 477, pages 443–447 (2011) [0021]

Claims

Verfahren (100) zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (400c, 500c, 600b, 700b, 800b), das Verfahren aufweisend: • Ausbilden einer Haftstruktur (202) über einem Substrat (302), wobei das Substrat (302) einen ersten Bereich (302a) und einen zweiten Bereich (302b) aufweist; • Ausbilden einer optisch funktionellen Schichtenstruktur (312) über dem ersten Bereich (302a) und dem zweiten Bereich (302b); • wobei die Haftstruktur (202) derart ausgebildet ist oder wird, dass ein erstes Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312) zu dem ersten Bereich (302a) größer ist als ein zweites Haftvermögen der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312) zu dem zweiten Bereich (302b); und • Entfernen eines Teils der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312) über dem zweiten Bereich (302b), indem eine von dem Substrat (302) weg gerichtete Kraft (602) auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur (312) übertragen wird.
Verfahren (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Haftstruktur (202) eine über dem zweiten Bereich (302b) ausgebildete Antihaftschicht (202a) aufweist.
Verfahren (100) gemäß Anspruch 2, wobei die Antihaftschicht (202a) ein perfluoriertes Polymer aufweist.
Verfahren (100) gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei die Antihaftschicht (202a) eine perfluorierte selbstorganisierende Monoschicht aufweist.
Verfahren (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Haftstruktur (202) über dem zweiten Bereich (302b) eine Aussparung (202d) aufweist, welche das Substrat (302) freilegt.
Verfahren (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Haftstruktur (202) eine über dem ersten Bereich (302a) ausgebildete Haftschicht (202h) aufweist.
Verfahren (100) gemäß Anspruch 6, wobei die Haftschicht (202h) als Elektrode (310) ausgebildet ist, welche die optisch funktionelle Schichtenstruktur (312) elektrisch kontaktiert.
Verfahren (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Haftstruktur (202) über dem ersten Bereich (302a) eine Aussparung (202d) aufweist, welche das Substrat (302) freilegt.
Verfahren (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner aufweisend: Ausbilden einer Kraftvermittlungsschicht (402) über der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312), wobei die Kraft (602) auf die optisch funktionelle Schichtenstruktur (312) übertragen wird, indem die Kraftvermittlungsschicht (402) von dem Substrat (302) weg bewegt wird.
Verfahren (100) gemäß Anspruch 9, wobei ein Haftvermögen der Kraftvermittlungsschicht (402) zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312) kleiner ist als das erste Haftvermögen und größer ist als das zweite Haftvermögen.
Verfahren (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, ferner aufweisend: Ausbilden einer Opferschicht (502) zwischen der Kraftvermittlungsschicht (402) und der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312), wobei ein Haftvermögen der Opferschicht (502) zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312) kleiner ist als das erste Haftvermögen und größer ist als das zweite Haftvermögen.
Verfahren (100) gemäß Anspruch 11, wobei ein Haftvermögen der Opferschicht (502) zu der Kraftvermittlungsschicht (402) größer ist als ein Haftvermögen der Opferschicht (502) zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312).
Optoelektronisches Bauelement (400c, 500c, 600b, 700b, 800b) aufweisend: • ein Substrat (302), welches zumindest einen ersten Bereich (302a) und einen zweiten Bereich (302b) aufweist, welche entlang eines Pfads (804) aneinandergrenzen; • eine über dem Substrat (302) angeordnete Haftstruktur (202); • eine über der Haftstruktur (202) angeordnete optisch funktionelle Schichtenstruktur (312), welche zum Umwandeln von elektrischer Energie in elektromagnetische Strahlung oder zum Umwandeln von elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie eingerichtet ist, wobei der zweite Bereich (302b) frei von der optisch funktionellen Schichtenstruktur (312) ist; und • wobei die optisch funktionelle Schichtenstruktur (312) über dem Pfad (804) einen Trennbereich (312g) aufweist, in dem die optisch funktionelle Schichtenstruktur (312) durchtrennt ist und eine unregelmäßige Kontur aufweist.