WO2015018101A1 - 光阻层剥离方法及装置 - Google Patents

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ultraviolet light
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energy
energy ultraviolet
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姚江波
莫超德
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Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Definitions

  • the backlight module is divided into a side-in backlight module and a direct-lit backlight module according to different incident positions of the light source.
  • a light source such as a CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp) or an LED (Light Emitting Diode) is disposed behind the liquid crystal panel, and a surface light source is directly formed and supplied to the liquid crystal panel.
  • the side-lit backlight module has a backlight LED strip (Lightbar) disposed on the edge of the back panel behind the liquid crystal panel, and the light emitted by the LED strip is from the light guide surface of the light guide plate (LGP).
  • the light guide plate enters the light guide plate, is reflected and diffused, and is emitted from the light exit surface of the light guide plate, and is supplied to the liquid crystal display panel through the optical film group to form a surface light source.
  • the production of liquid crystal panels includes three complicated processes: "front-end Array process”, “middle-stage Cell process”, and “post-stage module assembly”.
  • the front Array process is to form a pre-designed ITO (Indium tin oxide) electrode pattern on the glass substrate;
  • the middle Cell process is to paste the TFT (thin film transistor) substrate and the CF (color filter) substrate.
  • a liquid crystal material is injected between the two to form a liquid crystal substrate;
  • the rear module assembly is to integrate the driving IC of the liquid crystal substrate with the printed circuit board.
  • the front Array process mainly includes four parts: “film formation”, “lithography”, “etching” and “photoresist layer peeling".
  • the photoresist layer stripping process generally uses a special stripping device and a stripping solution to remove the photoresist layer (photoresist) remaining after the etching.
  • the photoresist layer stripping process is complicated and Time-consuming, it is not conducive to reducing labor costs.
  • the process requires the use of special stripping equipment and stripping liquid, and the number of stripping equipment required is large, and the production cost is high. Summary of the invention
  • Step 2 irradiating the photoresist layer to be removed with high-energy ultraviolet light, and performing comprehensive exposure on the substrate;
  • Step 4 using water vapor two-fluid and deionized water to remove the residual developer on the substrate after the cleaning solution is cleaned;
  • the high-energy ultraviolet light is generated by a high-energy ultraviolet light having a wavelength of 50 - -400 ⁇ .
  • the exposed substrate is developed and cleaned using a shower type developing device.
  • the mass concentration of the developer used in the step 3 is greater than 2.38% and less than 5%; and the development time in the step 3 is greater than 60 seconds and less than 120 seconds.
  • Step 2 irradiating the photoresist layer to be removed with high-energy ultraviolet light, and performing comprehensive exposure on the substrate;
  • Step 3 developing and cleaning the exposed substrate by using a developing solution
  • the substrate of the photoresist layer to be removed includes a photoresist layer, the photoresist layer contains a sensitizer, and the high-energy ultraviolet light in the step 2 esterifies the sensitizer, and the esterified sensitizer is obtained. Combines with water molecules to form a carboxylate compound;
  • the carboxylic acid ester compound in the step 3 is reacted with tetramethylammonium hydroxide to form a hydrophilic compound which is easily soluble in water, so that the photoresist layer is completely dissolved in the developing solution;
  • the exposed substrate is developed and cleaned by using a shower type developing device
  • the mass concentration of the developer used in the step 3 is greater than 2.38% and less than 5%; and the development time in the step 3 is greater than 60 seconds and less than 120 seconds.
  • the high energy ultraviolet light has a wavelength of 172 nm.
  • the high-energy ultraviolet light irradiation energy is greater than 35 mj/cm 2 ; if the thickness of the photoresist layer to be removed is 2.2 um, the high energy The ultraviolet light irradiation energy is greater than 50 mj/cm 2 ; if the thickness of the photoresist layer to be removed is 3.0 um, the high energy ultraviolet light irradiation energy is greater than 100 mj/cm 2 ; if the photoresist layer to be removed is When the thickness is 4.0 um, the high-energy ultraviolet light irradiation energy is greater than 200 mj/cm 2 .
  • the present invention also provides a photoresist layer stripping device comprising a substrate for transferring a photoresist layer to be removed a conveyor belt for a plate, a high-energy ultraviolet light irradiation device for generating high-energy ultraviolet light, a shower-type development device for supplying a developer, a water-air two-fluid spray device for supplying water-air two-fluid and compressed air, a deionized water spray device for deionized water, an air knife for air knife cleaning, and a hot plate for drying treatment, the high-energy ultraviolet light irradiation device, the spray type developing device, the water-gas two-fluid spraying device, The deionized water spray device, the air knife and the hot plate are arranged in sequence and are located above the conveyor belt.
  • the photoresist layer peeling method and apparatus of the present invention exposes the photoresist layer by high-energy ultraviolet light, and then cleans the exposed photoresist layer with a developing solution to achieve the purpose of removing the photoresist layer.
  • the photoresist layer stripping method has a simple process, and the photoresist layer stripping device has a simple structure, and the device for cleaning the photoresist layer and the device for stripping the photoresist layer are integrally provided, thereby improving the utilization rate of the device and reducing the production cost.
  • FIG. 1 is a flow chart of a method for peeling off a photoresist layer according to the present invention
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the exposure and development reaction of the photoresist layer in the photoresist layer peeling method of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic structural view of the photoresist layer stripping device of the present invention. detailed description
  • the present invention provides a photoresist layer peeling method, which comprises the following steps:
  • Step 1 Providing a substrate 20 that is etched and the photoresist layer is to be removed.
  • the substrate 20 to be removed from the photoresist layer includes: a glass substrate disposed on the glass substrate
  • An ITO film transparent conductive film
  • a photoresist layer (not shown) provided on the ITO film, wherein the photoresist layer contains a sensitizer, and further absorbs ultraviolet light.
  • Step 2 irradiating the photoresist layer to be removed with high-energy ultraviolet light to perform overall exposure on the substrate 20.
  • the high-energy ultraviolet light is generated by a high-energy ultraviolet light irradiation device 22 having a wavelength of 50 nm to 400 nm.
  • the wavelength of the high energy ultraviolet light is preferably 172 nm.
  • the high-energy ultraviolet light irradiation energy is greater than 35 mj/cm 2 ; if the thickness of the photoresist layer to be removed is 2.2 um, The high-energy ultraviolet light irradiation energy is greater than 50 mj/cm 2 ; if the thickness of the photoresist layer to be removed is 3.0 um, the high-energy ultraviolet light irradiation energy is greater than 100 mj/cm 2 ; When the thickness of the photoresist layer is 4.0 um, the high-energy ultraviolet light irradiation energy is more than 200 mj/cm 2 , which ensures complete and sufficient exposure of the photoresist layer on the substrate 20.
  • high-energy ultraviolet light esterifies the sensitizer in the photoresist layer, and combines the esterified sensitizer with water molecules to form a carboxylic acid ester compound, which is a weakly acidic substance. Subsequent decomposition of the photoresist layer into the developer is prepared.
  • Step 3 The exposed substrate 20 is developed and cleaned using a developing solution.
  • the exposed substrate 20 is developed and washed in a shower-type developing device using a developing solution, and the carboxylate compound is reacted with a tetramethylammonium hydroxide solution to form a water-soluble hydrophilic substance. a compound such that the photoresist layer is completely dissolved in the developer.
  • the developer is preferably a tetramethylammonium hydroxide solution ((CH 3 ) 4 NOH ).
  • the concentration of the developer is combined with the development time so that the photoresist layer can be completely dissolved without causing corrosion of the electrode metal (ITO film) on the glass substrate.
  • the developer has a mass percent concentration greater than 2.38% and less than 5%, and a development time greater than 60 seconds and less than 120 seconds.
  • Step 4 The developer remaining on the substrate 20 after the developer cleaning is removed by using water vapor two-fluid or deionized water.
  • the water-gas two-fluid spraying device 24 sprays the water-air two-fluid and the compressed air to complete the water-gas two-fluid cleaning of the substrate 20; the deionized water spray device 25 sprays the deionized water to complete the substrate 20 Ion water cleaning.
  • Step 5 The substrate 20 after removing the residual developer is subjected to air knife cleaning, and after the air knife is cleaned, the substrate 20 is dried by the hot plate 27 to complete the removal of the photoresist layer.
  • the substrate 20 is cleaned by the air knife and the hot plate 27 to sufficiently remove the remaining moisture, thereby providing a good interface for the subsequent process, which is advantageous for improving the processing yield.
  • the present invention further provides a photoresist layer stripping device, comprising a conveyor belt 21 for conveying a substrate 20 of a photoresist layer to be removed, a high-energy ultraviolet light irradiation device 22 for generating high-energy ultraviolet light, a spray-type developing device 23 for providing a developer, a water-gas two-fluid spray device 24 for providing water-air two-fluid and compressed air, a deionized water spray device for providing deionized water, 25, for air knife cleaning Air knife 26 and hot plate 27 for drying treatment, the high energy purple
  • the external light irradiation device 22, the shower type developing device 23, the water-liquid two-fluid spraying device 24, the deionized water sprinkling device 25, the air knife 26, and the hot plate 27 are sequentially arranged and positioned above the conveyor belt 21.
  • the high-energy ultraviolet light irradiation device 22 generates high-energy ultraviolet light having a wavelength of 50 nm to 400 nm.
  • the wavelength of the high energy ultraviolet light is preferably 172 nm.
  • the high-energy ultraviolet light irradiation energy is greater than 35 mj/cm 2 ; and if the thickness of the photoresist layer to be removed is 2.2 um, the high energy The ultraviolet light irradiation energy is greater than 50 mj/cm 2 ; if the thickness of the photoresist layer to be removed is 3.0 um, the high energy ultraviolet light irradiation energy is greater than 100 mj/cm 2 ; if the thickness of the photoresist layer to be removed is 4.0 In the case of um, the high-energy ultraviolet light irradiation energy is more than 200 mj/cm 2 , which ensures complete and sufficient exposure of the photoresist layer on the substrate 20.
  • the specific working process is: transferring the substrate 20 of the photoresist layer to be removed under the high-energy ultraviolet light irradiation device 22 by using the conveyor belt 21, and the high-energy ultraviolet light irradiation device 22 generates high-energy ultraviolet light to irradiate the photoresist layer to be removed,
  • the substrate 20 is subjected to full and sufficient exposure; the exposed substrate 20 is conveyed to the lower side of the shower-type developing device 23 via a conveyor belt, and the shower-type developing device 23 is made of a developing solution (tetramethylammonium hydroxide solution ((C3 ⁇ 4) 4 NOH)) developing and cleaning the exposed substrate 20;
  • the substrate 20 cleaned by the developer is transferred to the lower side of the water-liquid two-fluid spraying device 24 via a conveyor belt, and the water-liquid two-fluid spraying device 24 sprays water
  • the liquid two fluid and the compressed air perform water-liquid two-fluid cleaning on the substrate 20, and the substrate 20 is conveyed to the bottom of the
  • the conveyor belt transfers the substrate 20 to the hot plate 27 and the substrate 20 is dried by the hot plate 27. Processing, thereby completing the removal of the photoresist layer.
  • the substrate 20 is cleaned by the air knife and the hot plate 27 sufficiently removes the remaining moisture, which provides a good interface for the subsequent process and is advantageous for improving the processing yield.
  • the photoresist layer peeling method and apparatus of the present invention exposes the photoresist layer by high-energy ultraviolet light, and then cleans the exposed photoresist layer with a developing solution to achieve the purpose of removing the photoresist layer.
  • the resist layer peeling method has a simple process, and the photoresist layer stripping device has a simple structure, and the device for cleaning the photoresist layer and the device for stripping the photoresist layer are integrally provided, thereby improving the utilization rate of the device and reducing the production cost.

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

一种光阻层剥离方法及装置被公开。光阻层剥离方法包括：步骤1、提供蚀刻完毕且待去除光阻层的基板（20）；步骤2、采用高能量紫外光照射待去除的光阻层，对基板（20）进行全面曝光；步骤3、采用显影液对曝光后的基板（20）进行显影并清洗；步骤4、采用水气二流体、去离子水对基板（20）上残留的显影液进行清除；步骤5、对清除残留显影液后的基板（20）进行风刀清洗，风刀清洗后，采用热板（27）对基板（20）进行干燥处理，完成光阻层的去除。这种光阻层剥离方法及装置，利用显影液对经过高能量紫外光曝光后的光阻层进行清洗，达到去除光阻层的目的，工序简单，提高了设备利用率，降低了生产成本。

Description

光阻层剥离方法及装置 技术领域
本发明涉及液晶面板加工领域， 尤其涉及一种光阻层剥离方法及装 置。 背景技术
现今科技蓬勃发展， 信息商品种类推陈出新， 满足了大众不同的需 求。 早期显示器多半为阴极射线管 （Cathode Ray Tube, CRT )显示器， 由 于其体积庞大与耗电量大， 而且所产生的辐射对于长时间使用显示器的使 用者而言， 有危害身体的问题。 因此， 现今市面上的显示器渐渐将由液晶 显示器（ Liquid Crystal Display, LCD )取代旧有的 CRT显示器。
液晶显示器具有机身薄、 省电、 无辐射等众多优点， 得到了广泛的应 用。 现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器， 其包括液晶面 板及背光模组（backlight module ) 。 液晶面板的工作原理是在两片平行的 玻璃基板当中放置液晶分子， 并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液 晶分子的旋转方向， 以将背光模组的光线折射出来产生画面。 由于液晶面 板本身不发光， 需要借由背光模组提供的光源来正常显示影像， 因此， 背 光模组成为液晶显示器的关键零组件之一。 背光模组依照光源入射位置的 不同分成侧入式背光模组与直下式背光模组两种。 直下式背光模组是将发 光光源例如 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp , 阴极萤光灯管）或 LED(Light Emitting Diode, 发光二极管)设置在液晶面板后方， 直接形成面 光源提供给液晶面板。 而侧入式背光模组是将背光源 LED 灯条 ( Lightbar )设于液晶面板侧后方的背板边缘， LED 灯条发出的光线从导 光板（LGP, Light Guide Plate )一侧的入光面进入导光板， 经反射和扩散 后从导光板出光面射出， 在经由光学膜片组， 以形成面光源提供给液晶显 示面板。
液晶面板的生产包括 "前段 Array制程" 、 "中段 Cell制程" 、 "后 段模组组装" 三个复杂的工艺。 其中， 前段 Array制程是在玻璃基板上形 成前期设计好的 ITO ( Indium tin oxide , 铟锡氧化物） 电极图形； 中段 Cell 制程是将 TFT (薄膜晶体管 )基板与 CF (彩色滤光片 )基板贴合， 并在两者之间注入液晶材料， 形成液晶基板； 后段模组组装是将液晶基板 的驱动 IC压合与印刷电路板的整合。 前段 Array制程主要包括 "成膜" 、 "光刻" 、 "蚀刻" 及 "光阻层 剥离" 四大部分。 其中， 光阻层剥离制程一般是使用专门的剥离设备及剥 离液对刻蚀完毕后剩下的光阻层 （光刻胶）进行去除， 现有技术中， 该光 阻层剥离制程较为复杂且费时， 不利于降低人工成本， 同时， 该制程需要 使用专门的剥离设备及剥离液， 且所需剥离设备的数量较大， 生产成本较 高。 发明内容
本发明的目的在于提供一种光阻层剥离方法， 利用高能量紫外光曝光 光阻层， 再利用显影液对曝光后的光阻层进行清洗， 达到去除光阻层的目 的， 提高设备利用率， 降低生产成本。
本发明的另一目的在于光阻层剥离装置， 结构简单， 将对光阻层清洗 的设备与对光阻层剥离的设备一体设置， 提高设备利用率， 降低生产成 本。
为实现上述目的， 本发明提供一种光阻层剥离方法， 包括以下步骤： 步骤 1、 提供蚀刻完毕且待去除光阻层的基板；
步骤 2、 采用高能量紫外光照射待去除的光阻层， 对基板进行全面曝 光；
步骤 3、 采用显影液对曝光后的基板进行显影并清洗；
步骤 4、 采用水气二流体、 去离子水对显影液清洗后的基板上残留的 显影液进行清除；
步骤 5、 对清除残留显影液后的基板进行风刀清洗， 风刀清洗后， 采 用热板对该基板进行干燥处理， 完成光阻层的去除。
所述显影液为四甲基氢氧化铵溶液。
所述高能量紫外光由高能紫外光照射设备产生， 所述高能量紫外光的 波长为 50謹 -400匪。
所述高能量紫外光的波长为 172nm。
若所述待去除的光阻层的厚度为 1.5um, 则所述高能量紫外光照射能 量大于 35mj/cm2; 若所述待去除的光阻层的厚度为 2.2um, 则所述高能量 紫外光照射能量大于 50mj/cm2; 若所述待去除的光阻层的厚度为 3.0um, 则所述高能量紫外光照射能量大于 100mj/cm2; 若所述待去除的光阻层的 厚度为 4.0um, 则所述高能量紫外光照射能量大于 200mj/cm2。
所述待去除光阻层的基板包括一光阻层， 所述光阻层含有感光剂， 所 述步骤 2 中高能量紫外光使该感光剂发生酯化， 并使酯化后的感光剂与水 分子结合形成羧酸酯化合物。
所述步骤 3 中所述羧酸酯化合物与四甲基氢氧化铵反应， 形成易溶于 水的亲水性化合物， 从而使得光阻层完全溶解于显影液中。
所述步骤 3中采用喷淋式显影设备对曝光后的基板进行显影并清洗。 所述步骤 3 中用到显影液的质量百分浓度大于 2.38%且小于 5%; 所 述步骤 3中显影时间大于 60秒且小于 120秒。
本发明还提供一种光阻层剥离方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 提供蚀刻完毕且待去除光阻层的基板；
步骤 2、 采用高能量紫外光照射待去除的光阻层， 对基板进行全面曝 光；
步骤 3、 采用显影液对曝光后的基板进行显影并清洗；
步骤 4、 采用水气二流体、 去离子水对显影液清洗后的基板上残留的 显影液进行清除；
步骤 5、 对清除残留显影液后的基板进行风刀清洗， 风刀清洗后， 采 用热板对该基板进行干燥处理， 完成光阻层的去除；
其中， 所述显影液为四甲基氢氧化铵溶液；
其中， 所述待去除光阻层的基板包括一光阻层， 所述光阻层含有感光 剂， 所述步骤 2 中高能量紫外光使该感光剂发生酯化， 并使酯化后的感光 剂与水分子结合形成羧酸酯化合物；
其中， 所述步骤 3 中所述羧酸酯化合物与四甲基氢氧化铵反应， 形成 易溶于水的亲水性化合物， 从而使得光阻层完全溶解于显影液中；
其中， 所述步骤 3 中采用喷淋式显影设备对曝光后的基板进行显影并 清洗；
其中， 所述步骤 3 中用到显影液的质量百分浓度大于 2.38%且小于 5%; 所述步骤 3中显影时间大于 60秒且小于 120秒。
所述高能量紫外光由高能紫外光照射设备产生， 所述高能量紫外光的 波长为 50謹 -400匪。
所述高能量紫外光的波长为 172nm。
若所述待去除的光阻层的厚度为 1.5um, 则所述高能量紫外光照射能 量大于 35mj/cm2; 若所述待去除的光阻层的厚度为 2.2um, 则所述高能量 紫外光照射能量大于 50mj/cm2; 若所述待去除的光阻层的厚度为 3.0um, 则所述高能量紫外光照射能量大于 100mj/cm2; 若所述待去除的光阻层的 厚度为 4.0um, 则所述高能量紫外光照射能量大于 200mj/cm2。
本发明还提供一种光阻层剥离装置， 包括用于传送待去除光阻层的基 板的传送带、 用于产生高能量紫外光的高能紫外光照射设备、 用于提供显 影液的喷淋式显影设备、 用于提供水气二流体及压缩空气的水气二流体喷 洒设备、 用于提供去离子水的去离子水喷淋设备、 用于风刀清洗的风刀及 用于干燥处理的热板， 所述高能紫外光照射设备、 喷淋式显影设备、 水气 二流体喷洒设备、 去离子水喷淋设备、 风刀及热板依次排列设置且位于所 述传送带上方。
本发明的有益效果： 本发明的光阻层剥离方法及装置， 利用高能量紫 外光曝光光阻层， 再利用显影液对曝光后的光阻层进行清洗， 达到去除光 阻层的目的， 该光阻层剥离方法工序简单， 且该光阻层剥离装置结构简 单， 将对光阻层清洗的设备与对光阻层剥离的设备一体设置， 提高设备利 用率， 降低生产成本。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容， 请参阅以下有关本 发明的详细说明与附图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发 明加以限制。 附图说明
下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图 1为本发明光阻层剥离方法的流程图；
图 2为本发明光阻层剥离方法中光阻层曝光显影反应原理图； 图 3为本发明光阻层剥离装置结构示意图。 具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果， 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图 1 至图 3 , 本发明提供一种光阻层剥离方法， 包括以下步 骤：
步骤 1、 提供蚀刻完毕且待去除光阻层的基板 20。
所述待去除光阻层的基板 20 包括： 一玻璃基板、 设于玻璃基板上的
ITO膜（透明导电薄膜）及设于该 ITO膜上的光阻层（均未图示） ， 所述 光阻层含有感光剂， 进而可以吸收紫外光。
步骤 2、 采用高能量紫外光照射待去除的光阻层， 对基板 20进行全面 曝光。 所述高能量紫外光由高能紫外光照射设备 22 产生， 所述高能量紫外 光的波长为 50nm-400nm。 所述高能量紫外光的波长优选为 172nm。 相应 的， 若所述待去除的光阻层的厚度为 1.5um, 则所述高能量紫外光照射能 量大于 35mj/cm2; 若所述待去除的光阻层的厚度为 2.2um时， 则所述高能 量紫外光照射能量大于 50mj/cm2; 若所述待去除的光阻层的厚度为 3.0um 时， 则所述高能量紫外光照射能量大于 100mj/cm2; 若所述待去除的光阻 层的厚度为 4.0um时， 则所述高能量紫外光照射能量大于 200mj/cm2 , 如 此可以确保对基板 20上的光阻层全面充分地曝光。
在本步骤中， 高能量紫外光使光阻层中的感光剂发生酯化， 并使酯化 后的感光剂与水分子结合形成羧酸酯化合物， 该羧酸酯化合物为弱酸性物 质， 为后续使光阻层分解溶于显影液做好准备。
步骤 3、 采用显影液对曝光后的基板 20进行显影并清洗。
在本步骤中， 采用显影液在喷淋式显影设备中对曝光后的基板 20 进 行显影并清洗， 所述羧酸酯化合物与四甲基氢氧化铵溶液反应， 形成易溶 于水的亲水性化合物， 从而使得光阻层完全溶解于显影液中。
在本实施例中 ， 所述显影液优选为四甲基氢氧化铵溶液 ( (CH3)4NOH ) 。 在本方法中， 显影液的浓度与显影时间相结合， 使得光 阻层可以完全溶解， 而且又不会对玻璃基板上的电极金属 （ITO膜）造成 腐蚀。 所述显影液的质量百分浓度大于 2.38%且小于 5%, 而显影时间大 于 60秒且小于 120秒。
步骤 4、 采用水气二流体、 去离子水对显影液清洗后的基板 20上残留 的显影液进行清除。
利用水气二流体喷洒设备 24 喷洒水气二流体及压缩空气， 进而完成 对基板 20的水气二流体清洗； 利用去离子水喷淋设备 25喷淋去离子水， 进而完成对基板 20的去离子水清洗。
步骤 5、 对清除残留显影液后的基板 20进行风刀清洗， 风刀清洗后， 采用热板 27对该基板 20进行干燥处理， 完成光阻层的去除。
该基板 20经过风刀清洗和热板 27充分去除剩余的水分， 为后道工序 提供良好的界面， 有利于提高加工良率。
请参阅图 3 , 本发明还提供一种光阻层剥离装置， 包括用于传送待去 除光阻层的基板 20 的传送带 21、 用于产生高能量紫外光的高能紫外光照 射设备 22、 用于提供显影液的喷淋式显影设备 23、 用于提供水气二流体 及压缩空气的水气二流体喷洒设备 24、 用于提供去离子水的去离子水喷淋 设备 25、 用于风刀清洗的风刀 26及用于干燥处理的热板 27 , 所述高能紫 外光照射设备 22、 喷淋式显影设备 23、 水气二流体喷洒设备 24、 去离子 水喷淋设备 25、 风刀 26及热板 27依次排列设置且位于所述传送带 21上 方。
所述高能紫外光照射设备 22 产生高能量紫外光， 所述高能量紫外光 的波长为 50nm-400nm。 所述高能量紫外光的波长优选为 172nm。 相应 的， 若待去除的光阻层的厚度为 1.5um, 则所述高能量紫外光照射能量大 于 35mj/cm2; 若待去除的光阻层的厚度为 2.2um时， 则所述高能量紫外光 照射能量大于 50mj/cm2; 若待去除的光阻层的厚度为 3.0um时， 则所述高 能量紫外光照射能量大于 100mj/cm2; 若待去除的光阻层的厚度为 4.0um 时， 则所述高能量紫外光照射能量大于 200mj/cm2 , 如此可以确保对基板 20上的光阻层全面充分地曝光。
具体工作过程为： 利用传送带 21将待去除光阻层的基板 20传送至高 能紫外光照射设备 22的下方， 所述高能紫外光照射设备 22产生高能量紫 外光照射待去除的光阻层， 对基板 20 进行全面充分的曝光； 经曝光后的 基板 20经传送带传送至所述喷淋式显影设备 23的下方， 该喷淋式显影设 备 23采用显影液（四甲基氢氧化铵溶液（（C¾)4NOH ) )对曝光后的基板 20进行显影并清洗； 经显影液清洗后的基板 20 经传送带传送至所述水气 二流体喷洒设备 24的下方， 该水气二流体喷洒设备 24喷洒水气二流体及 压缩空气， 对基板 20进行水气二流体清洗， 该基板 20经传送带传送至所 述去离子水喷淋设备 25下方， 该去离子水喷淋设备 25喷淋去离子水， 对 基板 20 进行去离子水清洗， 通过水气二流体清洗和去离子水清洗对显影 液清洗后的基板 20 上残留的显影液进行清除； 经清除残留显影液后的基 板 20接着经传送带 21传送至所述风刀设备 26中进行风刀清洗， 风刀清 洗后， 传送带将该基板 20传送至热板 27并采用热板 27对该基板 20进行 干燥处理， 从而完成光阻层的去除。 该基板 20经过风刀清洗和热板 27充 分去除剩余的水分， 可以为后道工序提供良好的界面， 有利于提高加工良 率。
综上所述， 本发明的光阻层剥离方法及装置， 利用高能量紫外光曝光 光阻层， 再利用显影液对曝光后的光阻层进行清洗， 达到去除光阻层的目 的， 该光阻层剥离方法工序简单， 且该光阻层剥离装置结构简单， 将对光 阻层清洗的设备与对光阻层剥离的设备一体设置， 提高设备利用率， 降低 生产成本。
以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围

Claims

权 利 要 求
1、 一种光阻层剥离方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 提供蚀刻完毕且待去除光阻层的基板；
步骤 2、 采用高能量紫外光照射待去除的光阻层， 对基板进行全面曝 光；
步骤 3、 采用显影液对曝光后的基板进行显影并清洗；
步骤 4、 采用水气二流体、 去离子水对显影液清洗后的基板上残留的 显影液进行清除；
步骤 5、 对清除残留显影液后的基板进行风刀清洗， 风刀清洗后， 采 用热板对该基板进行干燥处理， 完成光阻层的去除。
2、 如权利要求 1 所述的光阻层剥离方法， 其中， 所述显影液为四甲 基氢氧化铵溶液。
3、 如权利要求 2 所述的光阻层剥离方法， 其中， 所述高能量紫外光 由高能紫外光照射设备产生， 所述高能量紫外光的波长为 50nm-400nm。
4、 如权利要求 3 所述的光阻层剥离方法， 其中， 所述高能量紫外光 的波长为 172nm。
5、 如权利要求 3 所述的光阻层剥离方法， 其中， 若所述待去除的光 阻层的厚度为 1.5um, 则所述高能量紫外光照射能量大于 35mj/cm2; 若所 述待去除的光阻层的厚度为 2.2um, 则所述高能量紫外光照射能量大于 50mj/cm2 ; 若所述待去除的光阻层的厚度为 3.0um, 则所述高能量紫外光 照射能量大于 100mj/cm2; 若所述待去除的光阻层的厚度为 4.0um, 则所 述高能量紫外光照射能量大于 200mj/cm2。
6、 如权利要求 2 所述的光阻层剥离方法， 其中， 所述待去除光阻层 的基板包括一光阻层， 所述光阻层含有感光剂， 所述步骤 2 中高能量紫外 光使该感光剂发生酯化， 并使酯化后的感光剂与水分子结合形成羧酸酯化 合物。
7、 如权利要求 6 所述的光阻层剥离方法， 其中， 所述步骤 3 中所述 羧酸酯化合物与四甲基氢氧化铵反应， 形成易溶于水的亲水性化合物， 从 而使得光阻层完全溶解于显影液中。
8、 如权利要求 1 所述的光阻层剥离方法， 其中， 所述步骤 3 中采用 喷淋式显影设备对曝光后的基板进行显影并清洗。
9、 如权利要求 1 所述的光阻层剥离方法， 其中， 所述步骤 3 中用到 显影液的质量百分浓度大于 2.38%且小于 5%; 所述步骤 3 中显影时间大 于 60秒且小于 120秒。
10、 一种光阻层剥离方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 提供蚀刻完毕且待去除光阻层的基板；
步骤 2、 采用高能量紫外光照射待去除的光阻层， 对基板进行全面曝 光；
步骤 3、 采用显影液对曝光后的基板进行显影并清洗；
步骤 4、 采用水气二流体、 去离子水对显影液清洗后的基板上残留的 显影液进行清除；
步骤 5、 对清除残留显影液后的基板进行风刀清洗， 风刀清洗后， 采 用热板对该基板进行干燥处理， 完成光阻层的去除；
其中， 所述显影液为四甲基氢氧化铵溶液；
其中， 所述待去除光阻层的基板包括一光阻层， 所述光阻层含有感光 剂， 所述步骤 2 中高能量紫外光使该感光剂发生酯化， 并使酯化后的感光 剂与水分子结合形成羧酸酯化合物；
其中， 所述步骤 3 中所述羧酸酯化合物与四甲基氢氧化铵反应， 形成 易溶于水的亲水性化合物， 从而使得光阻层完全溶解于显影液中；
其中， 所述步骤 3 中采用喷淋式显影设备对曝光后的基板进行显影并 清洗；
其中， 所述步骤 3 中用到显影液的质量百分浓度大于 2.38%且小于
5%; 所述步骤 3中显影时间大于 60秒且小于 120秒。
11、 如权利要求 10 所述的光阻层剥离方法， 其中， 所述高能量紫外 光由高能紫外光照射设备产生， 所述高能量紫外光的波长为 50nm- 400謹。
12、 如权利要求 11 所述的光阻层剥离方法， 其中， 所述高能量紫外 光的波长为 172nm。
13、 如权利要求 11 所述的光阻层剥离方法， 其中， 若所述待去除的 光阻层的厚度为 1.5um, 则所述高能量紫外光照射能量大于 35mj/cm2; 若 所述待去除的光阻层的厚度为 2.2um, 则所述高能量紫外光照射能量大于 50mj/cm2; 若所述待去除的光阻层的厚度为 3.0um, 则所述高能量紫外光 照射能量大于 100mj/cm2; 若所述待去除的光阻层的厚度为 4.0um, 则所 述高能量紫外光照射能量大于 200mj/cm2。
14、 一种光阻层剥离装置， 包括用于传送待去除光阻层的基板的传送 带、 用于产生高能量紫外光的高能紫外光照射设备、 用于提供显影液的喷 淋式显影设备、 用于提供水气二流体及压缩空气的水气二流体喷洒设备、 用于提供去离子水的去离子水喷淋设备、 用于风刀清洗的风刀及用于干燥 处理的热板， 所述高能紫外光照射设备、 喷淋式显影设备、 水气二流体喷 洒设备、 去离子水喷淋设备、 风刀及热板依次排列设置且位于所述传送带 上方。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103995441B (zh) * 2014-06-11 2019-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 光阻剥离方法及光阻剥离装置
CN106964609B (zh) * 2017-05-08 2019-02-12 武汉华星光电技术有限公司 一种涂布机管路的清洁方法及清洁装置
CN109270796B (zh) 2017-07-17 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制备方法
CN110187614A (zh) * 2019-05-13 2019-08-30 深圳市华星光电技术有限公司 光阻剥离方法及光阻剥离装置
DE102020000278A1 (de) * 2020-01-20 2021-07-22 Marquardt Gmbh Bedien-und/oder Anzeigevorrichtung
CN111399259B (zh) * 2020-03-16 2024-04-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 器件板处理装置及其处理方法
CN113467201A (zh) * 2021-08-02 2021-10-01 深圳市化讯半导体材料有限公司 一种光刻胶的清洗方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000206707A (ja) * 1999-01-14 2000-07-28 Sony Corp レジスト除去方法およびレジスト除去装置
CN1677247A (zh) * 2004-03-29 2005-10-05 Hoya株式会社 正相抗蚀膜的剥离方法、曝光用掩模的制造方法以及抗蚀剂剥离装置
CN1696834A (zh) * 2004-05-10 2005-11-16 台湾积体电路制造股份有限公司 光致抗蚀剂层的显影方法
CN201298143Y (zh) * 2008-10-14 2009-08-26 上海市激光技术研究所 大幅面光刻胶玻璃板曝光后自动喷淋显影装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06164101A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Nec Ibaraki Ltd 感光性被膜の剥離方法
CN1567095A (zh) * 2003-06-19 2005-01-19 铼宝科技股份有限公司 光阻剥离方法
CN1842742B (zh) * 2003-08-28 2010-05-12 日立化成工业株式会社 感光性树脂组合物、使用该组合物的感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷电路板的制造方法以及光固化物的去除方法
CN103008311B (zh) * 2012-12-18 2016-02-03 江苏宇迪光学股份有限公司 一种基于紫外光的干式清洗方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000206707A (ja) * 1999-01-14 2000-07-28 Sony Corp レジスト除去方法およびレジスト除去装置
CN1677247A (zh) * 2004-03-29 2005-10-05 Hoya株式会社 正相抗蚀膜的剥离方法、曝光用掩模的制造方法以及抗蚀剂剥离装置
CN1696834A (zh) * 2004-05-10 2005-11-16 台湾积体电路制造股份有限公司 光致抗蚀剂层的显影方法
CN201298143Y (zh) * 2008-10-14 2009-08-26 上海市激光技术研究所 大幅面光刻胶玻璃板曝光后自动喷淋显影装置

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