WO2015003401A1 - 彩色滤光阵列基板及其制造方法 - Google Patents

彩色滤光阵列基板及其制造方法 Download PDF

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    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix

Definitions

  • the present invention further provides a method for manufacturing a color filter array substrate, comprising the following steps: Step 1. Providing a glass substrate, the glass substrate comprising a display area and a non-display area located at a periphery of the display area;
  • Step 7 Form a second metal layer on the active layer, and pattern the second metal layer by a mask process to form a second peripheral metal layer portion located in the non-display area and a second internal metal layer portion located in the display area
  • the second inner metal layer portion includes a source Z drain of the thin film transistor,
  • the barrier portion is located at a staggered position between the first peripheral metal layer portion and the second peripheral metal layer portion;
  • Step 8. forming a second protective layer on the second metal layer and the first protective layer, and patterning the film through the mask process Second protective layer;
  • the color filter layer 23 is formed by repeating coating, exposing, developing, and etching techniques a plurality of times, thereby forming a color portion in the display area, and forming a blocking portion 50 in the non-display area, wherein the color portion is used for color display.
  • the blocking portion 50 is for increasing the distance between the first peripheral metal layer portion 21 and the second peripheral metal layer portion 26 of the non-display area, and the first peripheral metal layer portion 2 and the second peripheral metal of the non-display area can be reduced.
  • the electric field strength E formed by the layer portion 26 reduces the electrostatic discharge phenomenon and prolongs the service life.
  • the blocking portion 50 may be a single layer, a double layer or a triple layer structure. Please refer to FIG.
  • Step 5 Form a first protective layer 24 on the color filter layer 23, and pattern the first protective layer 24 by a mask process.
  • the transparent conductive layer an indium tin oxide (ITO) layer, is formed by sputtering.
  • ITO indium tin oxide

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Abstract

提供了一种彩色滤光阵列基板及其制造方法。彩色滤光阵列基板包括：玻璃基板（20），包括显示区及非显示区；第一金属层，位于玻璃基板（20）上，用来形成位于非显示区的第一外围金属层部分（21）及位于显示区的第一内部金属层部分；绝缘层（22），位于第一金属层上；第二金属层，位于绝缘层（22）上，用来形成位于非显示区的第二外围金属层部分（26）及位于显示区的第二内部金属层部分；彩色滤光层（23），位于绝缘层（22）与第二金属层之间，包括位于显示区的彩色部分及位于第一外围金属层部分（21）与第二外围金属层部分（26）交错位置的阻隔部分（50）；透明导电层，位于第二金属层上。

Description

色滤光阵列基板及其
背景
液晶显示装置 ( Liquid Crystal Display, LCD )具有机身薄、 省电、 无 辐射等众多优点， 得到了广泛的应用， 如移动电话、 个人数字助理 ( PDA ) 、 数字相机、 计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置， 其包括壳 体、 设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组 （ Backlight module ) 。 传统的液晶面板的结构是由一彩色滤光片基板 （ Color Filter ) ■' 一薄膜晶体管阵歹 基板 ( Thin Film Transistor Array Substrate , TFT Array Substrate ) 以及一配置于两基板间的液晶层 ( Liquid Crystal Layer )所构成， 其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制 液晶层的液晶分子的旋转， 将背光模组的光线折射出来产生画面„ 由于液 晶面板本身不发光， 需要借由背光模组提供的光源来正常显示影像， 因 此， 背光模组成为液晶显示装置的关键组件之一。 背光模组依照光源入射 位置的不同分成側入式背光模组与直下式背光模组两种。 直下式背光模组 是将发光光源例如阴极萤光灯管 （Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL) 或发光二极管 (Light Emitting Diode, LED)设置在液晶面板后方， 直接形成 面光源提供给液晶面板。 而侧入式背光模组是将背光源 LED 灯条（Light bar )设于液晶面板侧后方的背板边缘处， LED 灯条发出的光线从导光板 ( Light Guide Plate , LGP )一侧的入光面进入导光板， 经反射和扩散后从 导光板出光面射出， 再经由光学膜片组， 以形成面光源提供给液晶面板。
静电释放 ( Electro-Static discharge , ESD )是薄膜晶体管阵列基板制 程中影响良率的主要问题之一。 请参阅图 1 及图 2， 在上述的薄膜晶体管 阵列基板的结构中， *极.金属层（Mi ) 100与源极 Z漏极金属层（M2 ) 200
Figure imgf000003_0001
从而形成电容（以中间的绝缘层
Figure imgf000003_0002
击穿树极金属层 100与源极 /漏极金属层 200之间的绝缘层 300, 使得 *极 金属层 ioo与源极 y漏极金属层 200短路， 造成液晶显示面板功能异常， 这 现象为目前常见的一种静电释放。 间电压差 D为两极 间的距离。 电;^强度 E过大， 达到电容的击穿电场 时， 就会发生静电释放。 所以减小柵极金属层 100与源极 /漏极金属层 200 之间的电场强度是防止静电释放发生的有效措施。 但在薄膜晶体管阵列基 板中， 柵极金属层 100 与源极 ./漏极金属层 200之间的电压差 U 不可预 知， ^难以空制。
近年来， 该领域的技术人员提出将彩色滤光片基板的彩色滤光片直接 整合到薄膜晶体管阵列基板上 （ Co】or Filter On Array, COA ) 的技术， 以 解决薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光片基板的对位偏差问题， 请参阅图 3 , 简易制作流程为先在玻璃基板上形成第一金属层， 在第一金属层上形 成绝缘层， 在绝缘层上形成非晶硅层， 在非晶硅层上形成主动层， 再在主 动层上形成第二金属层， 在第二金属层上形成第一保护层， 在第一保护层 上形成彩色滤光层， 在彩色滤光层上形成第二保护层， 在第二保护层上形 成透明导电层， 从而形成彩色滤光阵列基板。 之后将该彩色滤光阵列基板 与另一不具备彩色滤光片的对向基板组立， 并于两基板间填入液晶分子， 以形成液晶显示面板。
、 而 ^ 做法同 与源极 /漏极金属层交错位置产生静
Figure imgf000004_0001
发明内容
本发明的目的在于提供一种彩色滤光阵列基板， 将彩色滤光层移至第 一金属层与第二金属层之间， 扩大非显示区的第一外围金属层部分与第二 外围金属层部分之间的距离， 可以减小非显示区的第一外围金属层部分与 第二外围金属层部分交错位置形成的电场强度 E， 减少静电釋 ·放现象及两 者之间的信号相互千扰， 提高显示质量及使用寿命。
本发明的另一目的在于提供一种彩色滤光阵列基板的制造方法， 制造 方法简单， 生产效率高， 在提高显示质量的同时， 延长使用寿命， 且， 易 于实现成本的控制。
为实现上述目的， 本发明提供一种彩色滤光阵列基板， 包括： 一玻璃基板， 其包括显示区及位于显示区外围的非显示区；
一第一金属层， 位于所述玻璃基板上， 用来形成位于非显示区的第一 外围金属层部分及.位于显示区的第一内部金属层部分；
一绝缘层， 位于所述玻璃基板以及所述第一金属层上；
一第二金属层， 位于所述绝缘层上， 用来形成位于非显示区的第二外 围金属层部分及位于显示区的第二内部金属层部分；
一彩色滤光层， 位于所述绝缘层与第二金属层之间， 所述彩色滤光层 包括位于显示区的彩色部分及位于第一外围金属层部分与第二外围金属层 部分交错位置的阻隔部分；
一透明导电层， 位于第二金属层上。
还包括：
一第一保护层， 位于所述彩色滤光层上；
一主动层， 位于所述第一保护层上， 所述第二金属层位于所述主动层 上；
—第二保护层， 位于所述第二金属层以及第一保护层上；
一平坦化层， 位于所述第二保护层上， 所述透明导电层位于该平坦化 层上。 主动层设置在 TFT 处， 同时也可在第一金属层 （Ml )与第二金属 层（M2 ) 交叉的地方于 Ml与 M2两层之间特意设置， 可起到增加 Ml与
M2距离的作用。
还包括一非晶硅层， 该非晶硅层位于第一金属层 （Ml )与第二金属层 ( M2 )之闾， 可起到增加 Ml与 M2距离的作用。 更优选的， 可设置于第 一保护层与主动层之间。
所述阻隔部分为单层、 双层或三层结构， 当所述阻隔部分为单层结构 时， 该阻隔部分为红色色阻层、 蓝色色阻层或绿色色阻层； 当所述阻隔部 分为默层结构时， 该阻隔部分包括红色色阻层、 蓝色色阻层以及绿色色阻 层中的任意两种； 当所述阻隔部分为三层结构时， 该阻隔部分包括红色色 阻层、 蓝色色阻层以及绿色色阻层。
本发明还提供一种彩色滤光阵列基板， 包括：
一玻璃基板， 其包括显示区及位于显示区外围的非显示区；
一第一金属层， 位于所述玻璃基板上， 用来形成位于非显示区的第一 外围金属层部分及位于显示区的第一内部金属层部分；
—绝缘层， 位于所述玻璃基板以及所述第一金属层上；
一第二金属层， 位于所述绝缘层上， 用来形成位于非显示区的第二外 围金属层部分及位于显示区的第二内部金属层部分;
一彩色滤光层， 位于所述绝缘层与第二金属层之间， 所述彩色滤光层 包括位于显示区的彩色部分及位于第一外围金属层部分与第二外围金属层 部分交错位置的阻隔部分；
一透明导电层， 位于第二金属层上；
还包括'：
一第一保护层， 位于所述彩色滤光层上；
一主动层， 位于所述第一保护层上， 所述第二金属层位于所述主动层
" 一第二保护层， 位于所述第二金属层以及第一保护层上；
一平坦化层， 位于所述第二保护层上， 所述透明导电层位于该平坦化 上;
还包括一非晶硅层， 该非晶硅层位于第一金属层 （Ml )与第二金属层
( M2 )之间。
所述阻隔部分为单层、 双层或三层结构， 当所述阻隔部分为单层结构 时， 该阻隔部分为红色色阻层、 蓝色色阻层或绿色色阻层； 当所述阻隔部 分为双层结构时， 该阻隔部分包括红色色阻层、 蓝色色阻层以及绿色色阻 层中的任意两种； 当所述阻隔部分为三层结构时， 该阻隔部分包括红色色 阻层、 蓝色色阻层以及绿色色阻层。
本发明还提^ Γ—种彩色滤光阵列基板的制造方法， 包括以下步骤： 步骤 1、 提供一玻璃基板， 该玻璃基板包括显示区及位于显示区外围 的非显示区；
步骤 2、 在所述玻璃基板上形成第一金属层， 并通过光罩制程图案化 该第一金属层， 以形成位于非显示区的第一外围金属层部分及位于显示区 的第一内部金属层部分， 该第一内部金属层部分包括薄膜晶体管的柵极及 存储电容的一电极；
步骤 3、 在所述第一金属层以及玻璃基板上形成绝缘层， 并通过光罩 制程图案化该绝缘层；
步骤 4。 在所述绝缘层上形成彩色滤光层， 并通过光罩制程图案化该 彩色滤光层， 以形成位于显示区的彩色部分及位于非显示区的阻隔部分； 步骤 5、 在彩色滤光层上形成第一保护层， 并通过光罩制程图案化该 第-一保护层；
步骤 6、 在第一保护层上形成主动层， 并通过光罩制程图案化该主动 层， 以形成所述薄膜晶体管的通道；
步骤 7、 在主动层上形成第二金属层， 并通过光罩制程图案化该第二 金属层， 以形成位于非显示区的第二外围金属层部分及位于显示区的第二 内部金属层部分， 所述第二内部金属层部分包括薄膜晶体管的源 Z漏极， 所 述阻隔部分位于第一外围金属层部分与第二外围金属层部分交错位置； 步骤 8、 在所述第二金属层以及第一保护层上形成第二保护层， 并通 过光罩制程图案化该第二保护层；
步骤 9、 在第二保护层上形成透明导电层， 并通过光罩制程图案化该 透明导电层， 以形成所述存储电容的另一电极， 该另一电极电性连接于所 述薄膜晶体管的源 /漏极。
所述步骤 8还包括在第二保护层上形成平坦化层， 并通过光罩制程图 案化该平坦化层； 所述步骤 9中的透明导电层形成于平坦化层上。
所述步骤 5还包括在第一保护层上形成非晶硅层， 并对该非晶硅层进 行掺杂制程； 所述步骤 6中的主动层形成于该非晶硅层上。
所述阻隔部分为单层、 双层或三层结构， 当所述阻隔部分为单层结构 时， 该阻隔部分为红色色阻层、 蓝色色阻层或绿色色阻层； 当所述阻隔部 分为双层结构时， 该阻隔部分包 4 红色色阻层、 蓝色色阻层以及绿.色色阻 层中的任意两种； 当所述阻隔部分为三层结构时， 该阻隔部分包括红色色 阻层、 蓝色色阻层以及绿色色阻层。
所述光罩制程包括涂布、 曝光、 显影及蚀刻制程。
所述绝缘层、 第一保护层及第二保护层均通过氮化硅沉积形成； 所述 透明导电层通过铟锡金属氧化物形成„
本发明的有益效杲： 本发明的彩色滤光阵列基板及其制造方法， 通过 将彩色滤光层设置于第一金属层与第二金属层之间， 在非显示区的第一外 围金属层部分与第二外围金属层部分交错、 覆盖的地方引进彩色滤光层的 阻隔部分， 从而可以增加非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属 层部分之间的距离， 可以减小非显示区的第一外围金属层部分与第二外围 金属层部分交错位置形成的电场强度 Ε, 进而减少静电释放现象， 延长使 用寿命； 同时也减小了非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层 部分两者形成的电容， 进而可以减小应用该彩色滤光阵列基板的液晶显示 面板在使用过程中非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分 上的信号之间的千扰， 提升显示质量。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容， 请参阅以下有关本 发明的详细说明与酎图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发 明加以限制。 附图说明
下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见
附图中，
图 1为现有技术中液晶显示面板的简易俯视图；
图 2为图】的简易截面图；
图 3现有技术中彩色滤光阵列基板技术的工艺图；
图 4为本发明彩色滤光阵列基板一实施例的结构示意图；
图 5为图 4的简易俯视图；
图 6为本发明彩色滤光阵列.基板一实施例中第一外围金属层部分与第 二外围金属层部分交错部分的层闾关系图；
图 7为本发明彩色滤光阵列基板中彩色滤光层的阻隔部分一实施例结 构示意图；
图 8为本发明彩色滤光阵列基板另一实施例的简易俯视图；
图 9为本发明彩色滤光阵列基板另一实施例中第一外围金属层部分与 第二外围金属层部分交错部分的层间关系图；
图 10为本发明中彩色滤光层的阻隔部分另一实施例结构示意图； 图 1为本发明中彩色滤光层的阻隔部分又一实施例结构示意图； 图 12为本发明彩色滤光阵列基板的制造方法一实施 的流程图。 具体实族方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果， 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详细描述。
本发明通过增加电容的两极（第一外围金属层部分 21 与第二外围金 属层部分 26 ) 的距离来减少击穿 （静电 #放）现象。
请参阅图 4至图 6， 本发明提供一种彩色滤光阵列基板， 本发明基于 COA技术， 但有别于现有的彩色滤光阵列基板。 本发明通过将彩色滤光层 23设置于第一金属层与第二金属层之间， 在非显示区的第一外围金属层部 分 21 与第二外围金属层部分 26交错、 覆盖的地方引进彩色滤光层 23 的 阻隔部分 50, 以增加非显示区的第一外围金属层部分 21 与第二外围金属 层部分 26之间的距离， 由背景技术中的电容两极间电场强度公式 E=U/d 可知， 增加第一外围金属层部分 21 与第二外围金属层部分 26之间的距 离， 可以减小第一外围金属层部分 21与第二外围金属层部分 26形成的电 场强度 E, 减少静电释放现象， 延长使用寿命。
请参阅图 4至图 6， 本发明彩色滤光阵列基板具体结构包括： 玻璃基 板 20、 第一外围金属层部分 21、 绝缘层 22、 彩色滤光层 23、 第一保护层 24、 主动层 25、 第二外围金属层部分 26、 第二保护层 27、 平坦化层 28及 透明导电层 （未图示） 。 所述彩色滤光阵列基板具体工艺结构如下： 玻璃 基板 20， 其包括显示区及位于显示区外围的非显示区； 第一金属层通过溅 镀工艺形成于所述玻璃基板 20 上， 用来形成位于非显示区的第一外围金 分 21 及位于显示区的 内部金属层部分（未图示） ， 该第一内
Figure imgf000009_0001
容的一电极； 绝缘层 22 通 过气相沉积方式形成于所述玻璃基板 20 以及所述第一金属层上； 主动层 25通过气相沉积方式形成于所述绝缘层 22 上， 用来作为所述薄膜晶体管 的通道； 第二金属层通过溅镀方式形成于所述主动层 25 上， 用来形成位 于非显示区的第二外围金属层部分 26 及位于显示区的第二内部金属层部 分（未图示） ， 所述第二内部金属层部分包括薄膜晶体管的源 /漏极； 彩色 滤光层 23通过光罩制程形成于所述绝缘层 22与主动层 25之间， 所述彩 色滤光层 23 包括位于显示区的彩色部分及 ^ii于第一外围金属层部分 21与 第二外围金属层部分 26 交错位置的阻隔部分 50; 透明导电层， 位于第二 金属层上， 耦接至所述薄膜晶体管的源 /漏极, 容的另
•电极。
Figure imgf000009_0002
色滤光层 23 通 i
成, 进而在显示区形成彩色部分， 在非显示区形成阻隔部分 50， 所述.彩色 部分用于实现彩色显示， 该阻隔部分 50 用于增加非显示区的第一外围金 属层部分 21与第二外围金属层部分 26之间的距离， 可以减小非显示区的 第一外围金属层部分 2 与第二夕 I' 目金属层部分 26形成的电场强度 E, 减 少静电 #放现象， 延长使用寿' 具体地， 该阻隔部分 50 可为单层、 双 层或三层结构。 请参阅图 7, 色滤光层 23 的阻隔部分 50为单 层结构的一实施例的结构示意图 在本实施例中， 所述阻隔部分 50 可以 为红色色阻层。 蓝色色阻层及绿色色阻层中的一种， 其具体工艺可为， 在 色滤光层 23 的彩色部分时， 在非显示区的第一外围金属层部分 21 与第二外围金属层部分 26 交错的位置保留- -层色阻层不独刻， 以形成阻 隔部分 50， 至于具体保留红色色阻层、 蓝 色阻层及绿色色阻层中哪 层， 可根据制作工艺的繁简程度而自行决 , 均可实现本发明
果。
请参阅图 8及图 9 , 为了便于观察和说明， 图 8及图 9只图示了第一 外围金属层部分 21、 第二外围金属层部分 26、 绝缘层 22、 彩色滤光层 23 以及非晶硅（a- si )层 30。 作为可供选择的另一实施例， 所述彩色滤光阵 列基板还包括一非晶硅层 30， 该非晶硅层 30位于第一保护层 24与主动层 25之间， 即该非晶硅层 30位于第一金属层与第二金属层之间， 可以进一 步扩大第一外围金属层部分 21与第二外围金属层部分 26之间的距离， 减 小第一外围金属层部分 21 与第二外围金属层部分 26形成的电场强度 E， 减少静电释放现象。 该非晶硅层 30 的具体形成工艺可通过现有技术实 现， 在此不作赘述。
值得一提的是： 在本发明中， 将彩色滤光层 23 移至在第一金属层与 第二金属层之间， 增大非显示区的第一外围金属层部分 21 与第二外围金 属层部分 26 之间的距离， 并且根据电容的计算公式： O ( s S ) / ( 4 π kd ) (其中 ε为介电常数， π为圓周率， k 为静电力常数， d 为平行板之 间的距离 （即第一外围金属层部分 21与第二外围金属层部分 26之间的距 离） ， S为平行板的正对面积（即第一外围金属层部分 21与第二外围金属 层部分 26 交错、 覆盖处的有效正对面积） ) 可知， 同时也减小了非显示 区的第一外围金属层部分 21与第二外围金属层部分 26两者形成的电容， 进而可以减小该应用该彩色滤光阵列基板的液晶显示面板在使用过程中非 显示区的第一外围金属层部分 21与第二外围金属层部分 26上的信号之间 的千扰， 提升显示质量。
请参阅图 10, 其为本发明彩色滤光阵列基板中彩色滤光层 23 的阻隔 部分 50，另一实施例的结构示意图。 在本实施例中， 所述阻隔部分 50'为双 层结构， 在本实施例中， 所述阻隔部分 50'包括红色色阻层、 蓝色色阻层 以及绿色色阻层中的任意两种， 所述红色色阻层、 蓝色色阻层及绿色色阻 层之间的位置关系根据实际需要设定， 应用灵活。 如当所述阻隔部分 50， 包括蓝色色阻层及绿色色阻层时， 所述蓝色色阻层可以设置于所述绿色色 阻层之上， 也可以设置于所述绿色色阻层之下。 所述阻隔部分 50'采用双 层结构， 效果优于单层结构。
请参阅图 1 1， 其为本发明彩色滤光阵列基板中彩色滤光层 23 的阻隔 部分 50"又一实施例的结构示意图。 在本实施例中， 所述阻隔部分 50"为 三层结构， 在本实施例中， 所述阻隔部分 50"包括红色色阻层、 蓝色色阻 层以及绿色色阻层； 所述红色色阻层、 蓝色色阻层及绿色色阻层之间的位 置关系根据实际需要设定。 如： 所述红色色阻层 蓝色色阻层及绿色色阻 层位置可以依次为红色色阻层、 蓝色色阻层、 绿色色阻层， 也可以依次为 蓝色色阻层、 红色色阻层、 绿色色阻层等。 所述阻隔部分 50"采用三层结 构， 效杲优于单层结构及双层结构。
请参阅图 12 , 同时参考图 4至图 7， 本发明还提供一种彩色滤光阵列 基板的制造方法， 包括以下步骤： 步骤 i、 提供一玻璃基板 20， 该玻璃基板 20 包括显示区及位于显示 区外围的非显示区。
该玻璃基.板 20 的选材与现有技术中的玻璃基板选材相同， 无须专门 的材料。
步骤 2、 在所述玻璃基板 20上形成第一金属层， 并通过光罩制程图案 化该第一金属层， 以形成位于非显示区的第一外围金属层部分 21 及位于 显示区的第一内部金属层部分， 该第一内部金属层部分包括薄膜晶体管的 栅极.及,存储电 的一电及。
所述第一金属层通过溅镀或气相沉积方式形成于所述玻璃基板 20 上。 所述光罩制程包括涂布、 显影及蚀刻制程， 其具体方式可通过现有技 术实现， 在此不作赘述。
步骤 3、 在所述第一金属层以及玻璃基板 20上形成绝缘层 22， 并通 过光罩制程图案化该绝缘层 22。
所述绝缘层 22可通过氮化硅沉积形成。
步骤 4、 在所述绝缘层 22 上形成彩色滤光层 23， 并图案化该彩色滤 光层 23， 以形成位于显示区的彩色部分及位于非显示区的阻隔部分 50。
所述彩色滤光层 23 通过多次重复涂布、 曝光、 显影及蚀刻技术形 成, 进而在显示区形成彩色部分， 在非显示区形成阻隔部分 50， 所述.彩色 部分用于实现彩色显示， 该阻隔部分 50 用于增加非显示区的第一外围金 属层部分 21与第二外围金属层部分 26之间的距离， 可以减小非显示区的 第一外围金属层部分 2 与第二外围金属层部分 26形成的电场强度 E, 减 少静电 #放现象， 延长使用寿命。 具体地， 该阻隔部分 50 可为单层、 双 层或三层结构。 请参阅图 7 , 其为所述彩色滤光层 23 的阻隔部分 50为单 层结构的一实施例的结构图。 在本实施例中， 所述阻隔部分 50 可以为红 色色阻层、 蓝色色阻层及绿色色阻层中的一种， 其具体工艺可为， 在制作 彩色滤光层 23的彩色部分时， 在非显示区的第一外围金属层部分 21与第 二外围金属层部分 26 交错的位置保留一层色阻层不蚀刻， 以形成阻隔部 分 50, 至于具体保留红色色阻层、 蓝色色阻层及绿色色阻层中哪一层， 可 根据制作工艺的繁简程度而自行决定， 均可实现本发明的技术效果。
步骤 5、 在彩色滤光层 23 上形成第一保护层 24， 并通过光罩制程图 案化该第一保护层 24。
所述第一保护层 24可通过氮化硅沉积形成。
步骤 6、 在第一保护层 24 上形成主动层 25， 并通过光罩制程图案化 该主动层 25 , 以形成所述薄膜晶体管的通道。 步骤 7、 在主动层 25上形成第二金属层， 并通过光罩制程图案化该第 二金属层， 以形成位于非显示区的第二外围金属层部分 26及位于显示区 的第二内部金属层部分， 所述第二内部金属层部分包括薄膜晶体管的源 /漏 极， 所述阻隔部分 50位于第一外围金属层部分 21与第二外围金属层部 26交错位置。
步骤 8、 在所述第二金属层以及第一保护层 24 上形成第二保护层 27, 并通过光罩制程图案化该第二保护层 27。
具体地， 该步骤 8 为在所述第二金属层以及第一保护层 24上形成第 二保护层 27 , 并通过光罩制程图案化该第二保护层 27 , 然后在该第二保 护层 27上形成平坦化层 28， 并通过光罩制程图案化该平坦化层 28。
所述第二保护层 27可通过氮化硅沉积形成。
步糠 9、 在第二保护层 27上形成透明导电层， 并通过光罩制程图案化 该透明导电层， 以形成所述.存储电容的另一电极， 该另一电极电性连接于 所述薄膜晶体管的源 /漏极。
具体地， 所述透明导电层形成于所述平坦化层 28上。
在本实施例中， 所述透明导电层 ,化物 ( Indium Tin Oxides, ITO )层， 其通.过溅镀.的方式形成。
请参阅图 10， 其为本发明彩色滤光阵列.基板中彩色滤光层 23 的阻隔 部分 50，另一实施例的结构示意图。 在本实施例中， 所述阻隔部分 50'为双 层结构， 在本实施例中， 所述阻隔部分 50，包括红色色阻层、 蓝色色阻层 以及绿色色阻层中的任意两种， 所述红色色阻层、 蓝色色阻层及绿色色阻 层之间的位置关系根据实际需要设定， 应用灵活。 如当所述阻隔部分 50， 包括蓝色色阻层及绿色色阻层时， 所述蓝色色阻层可以设置于所述绿色色 阻层之上， 也可以设置于所述绿色色阻层之下。 所述阻隔部分 50'采用双 层结构， 效果优于单层结构。
图 11， 其为本发明彩色滤 年列基板中彩色滤光层 23 的阻隔 部分 50"又一实施例的结构示意图。 在本实施例中， 所述阻隔部分 50"为 三层结构， 在本实施例中， 所述阻隔部分 50"包括红色色阻层、 蓝色色阻 层以及绿色色阻层； 所述红色色阻层， 蓝色色阻层及绿色色阻层之间的位 置关系根据实际需要设定。 如： 所述红色色阻层、 蓝色色阻层及绿色色阻 层位置可以依次为红色色阻层。 蓝色色阻层、 绿色色阻层， 也可以依次为 蓝色色阻层、 红色色阻层、 绿色色阻层等。 所述阻隔部分 50"釆用三层结 构， 效果优于单层结构及默层结构。
值得一提的是， 请参阅图 8及图 9， 所 「骤 5 中还可 保护层 24上形成非晶硅层 30, 并对该非晶硅层 30进行掺杂制程； 所述主 动层 25形成于该非晶硅层 30上。 与上述方法相比， 本方法多了在第一金 属层与第二金属层之间设置非晶硅层 30并对该非晶硅层 30进行掺杂制程 的步骤， 但， 由于该非晶硅层 30 的存在， 可以进一步增加第一外围金属 层部分 21 与第二外围金属层部分 26之间的距离， 减小第一外围金属层部 分 21与第二外围金属层部分 26形成的电场强度 E, 减少静电 #放现象。
综上所述， 本发明的彩色滤光阵列基板及其制造方法， 通过将彩色滤 光层设置于第一金属层与第二金属层之间， 在非显示区的第一外围金属层 部分与第二外围金属层部分交错、 覆盖的地方引进彩色滤光层的阻隔部 分， 从而可以增加非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分 之间的距离， 可以减小非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层 部分交错位置形成的电场强度 E， 进而减少静电释放现象， 延长使用寿 命； 同时也减小了非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分 两者形成的电容， 进而可以减小应用该彩色滤光阵列基板的液晶显示面板 在使用过程中非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分上的 信号之间的千扰， 提升显示质量。
以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims

权 利 要 求
】、 一种彩色滤光阵列基 £， 包括：
一玻璃基板， 其包括显示区及位于显示区外围的非显示区；
一第一金属层， 位于所述玻璃基板上， 用来形成位于非显示区的第一 外围金属层部分及位于显示区的第一内部金属层部分；
—绝缘层， 位于所述玻璃基板以及所述第一金属层上；
一第二金属层， 位于所述绝缘层上， 用来形成位于非显示区的第二外 围金属层部分及位于显示区的第二内部金属层部分；
一彩色滤光层， 位于所述绝缘层与第二金属层之间， 所述彩色滤光层 包括位于显示区的彩色部分及位于第一外围金属层部分与第二外围金属层 部分交错位置的阻隔部分；
一透明导电层， 位于第二金属层上。
2. 如权利要求 1所述的彩色滤光阵列基板， 还包括：
一第一保护层， 位于所述彩色滤光层上；
一主动层， 位于所述第一保护层上， 所述第二金属层位于所述主动层 一第二保护层， 位于所述第二金属层以及第一保护层上；
一平坦化层， 位于所述第二保护层上， 所述透明导电层位于该平坦化 层上。
3、 如权利要求 2 所述的彩色滤光阵列基板， 还包括一非晶硅层， 该 非晶硅层位于第一保护层与主动层之间。
4、 如权利要求 1 所述的彩色滤光阵列基板， 其中， 所述阻隔部分为 单层、 双层或三层结构， 当所述阻隔部分为单层结构时， 该阻隔部分为红 色色阻层、 蓝色色阻层或绿色色阻层； 当所述阻隔部分为双层结构时， 该 阻隔部分包括红色色阻层、 蓝色色阻层以及绿色色阻层中的任意两种； 当 所述阻隔部分为三层结构时， 该阻隔部分包括红色色阻层 蓝色色阻层以 及绿色色阻层。
5 , 一种彩色滤光阵列基板， 包括：
一玻璃基板， 其包括显示区及位于显示区外围的非显示区；
一第一金属层， 位于所述玻璃基板上， 用来形成位于非显示区的第一 外围金属层部分及位于显示区的第一内部金属层部分；
—绝缘层 , 位于所述玻璃基板以及所述第一金属层上； —第二金属层， 位于所述绝缘层上， 用来形成位于非显示区的第二外 围金属层部分及位于显示区的第二内部金属层部分；
一彩色滤光层， 位于所述绝缘层与第二金属层之间， 所述彩色滤光层 包括位于显示区的彩色部分及位于第一外围金属层部分与第二外围金属层 部分交错位置的阻隔部分；
一透明导电层， 位于第二金属层上；
还包括：
一第一保护层， 位于所述彩色滤光层上；
一主动层， 位于所述第一保护层上， 所述第二金属层位于所述主动层 上；
一第二保护层， 位于所述第二金属层以及第一保护层上；
一平坦化层， 位于所述第二保护层上， 所述透明导电层位于该平坦化 还包括一非晶硅层， 该非晶硅层位于第一保护层与主动层之间。
6、 如权利要求 5 所述的彩色滤光阵列基板， 其中， 所述阻隔部分为 单层、 双层或三层结构， 当所述阻隔部分为单层结构时， 该阻隔部分为红 色色阻层、 蓝色色阻层或绿色色阻层； 当所述阻隔部分为默层结构时， 该 阻隔部分包括红色色阻层、 蓝色色阻层以及绿色色阻层中的任意两种； 当 所述阻隔部分为三层结构时， 该阻隔部分包括红色色阻层、 蓝色色阻层以 及绿色色阻层。
7、 一种彩色滤光阵列基 £的制造方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 提供一玻璃基板， 该玻璃基板包括显示区及位于显示区外围 的非显示区；
步骤 2、 在所述玻璃基板上形成第一金属层， 并通过光罩制程图案化 该第一金属层， 以形成位于非显示区的第一外围金属层部分及位于显示区 的第一内部金属层部分， 该第一内部金属层部分包括薄膜晶体管的栅极及 存储电容的一电极；
步骤 3、 在所述第一金属层以及玻璃基板上形成绝缘层， 并通过光罩 制程图案化该绝缘层；
步骤 4、 在所述绝缘层上形成彩色滤光层， 并通过光罩制程图案化该 彩色滤光层， 以形成位于显示区的彩色部分及,位于非显示区的阻隔部分； 步骤 5、 在彩色滤光层上形成第一保护层， 并通过光罩制程图案化该 第一保护层；
步骤 6、 在第一保护层上形成主动层， 并通过光罩制程图案化该主动 层， 以形成所述薄膜晶体管的通道；
步骤 7、 在主动层上形成第二金属层， 并通过光罩制程图案化该第二 金属层， 以形成位于非显示区的第二外围金属层部分及位于显示区的第二 内部金属层部分， 所述第二内部金属层部分包括薄膜晶体管的源 /漏极， 所 述阻隔部分位于第一外围金属层部分与第二外围金属层部分交错位置； 步骤 8、 在所述第二金属层以及第一保护层上形成第二保护层， 并通 过光罩制程图案化该第二保护层；
步骤 9、 在第二保护层上形成透明导电层， 并通过光罩制程图案化该 透明导电层， 以形成所述存储电容的另一电极， 该另一电极电性连接于所 述薄膜晶体管的源 /漏极。
8、 如权利要求 7 所述的彩色滤光阵列基板的制造方法， 其中， 所述 步骤 8还包括在第二保护层上形成平坦化层， 并通过光罩制程图案化该平 坦化层； 所述步骤 9中的透明导电层形成于平坦化层上。
9、 如权利要求 7 所述的彩色滤光阵列基板的制造方法， 其中， 所述 步骤 5还包括在第一保护层上形成非晶硅层， 并对该非晶硅层进行掺杂制 程； 所述步骤 6中的主动层形成于该非晶硅层上。
10、 如权利要求 7所述的彩色滤光阵列基板的制造方法， 其中， 所述 阻隔部分为单层、 双层或三层结构， 当所述阻隔部分为单层结构时， 该阻 隔部分为红色色阻层、 蓝色色阻层或绿色色阻层； 当所述阻隔部分为双层 结构时， 该阻隔部分包括红色色阻层、 蓝色色阻层以及绿色色阻层中的任 意两种； 当所述阻隔部分为三层结构时， 该阻隔部分包括红色色阻层、 蓝 色色阻层以及绿色色阻层。
1 1、 如权利要求 7 所述的彩色滤光阵列基板的制造方法， 其中， 所述 光罩制程包括涂布、 曝光、 显影及蚀刻制程。
12、 如权利要求 7所述的彩色滤光阵列基板的制造方法， 其中， 所述 绝缘层、 第一保护层及第二保护层均通过氮化硅沉积形成； 所述透明导电 层通过铟锡金属氧化物形成。
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