CN103309106A - 彩色滤光阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种彩色滤光阵列基板及其制造方法，所述彩色滤光阵列基板包括：玻璃基板（20），包括显示区及非显示区；第一金属层，位于玻璃基板（20）上，用来形成位于非显示区的第一外围金属层部分（21）及位于显示区的第一内部金属层部分；绝缘层（22），位于第一金属层上；第二金属层，位于绝缘层（22）上，用来形成位于非显示区的第二外围金属层部分（26）及位于显示区的第二内部金属层部分；彩色滤光层（23），位于绝缘层（22）与第二金属层之间，包括位于显示区的彩色部分及位于第一外围金属层部分（21）与第二外围金属层部分（26）交错位置的阻隔部分（50）；透明导电层，位于第二金属层上。

Description

彩色滤光阵列基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种彩色滤光阵列基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置（Liquid Crystal Display，LCD）具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如移动电话、个人数字助理（PDA）、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组（Backlight module）。传统的液晶面板的结构是由一彩色滤光片基板（Color Filter）、一薄膜晶体管阵列基板（Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate）以及一配置于两基板间的液晶层（Liquid Crystal Layer）所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。由于液晶面板本身不发光，需要借由背光模组提供的光源来正常显示影像，因此，背光模组成为液晶显示装置的关键组件之一。背光模组依照光源入射位置的不同分成侧入式背光模组与直下式背光模组两种。直下式背光模组是将发光光源例如阴极萤光灯管(Cold CathodeFluorescent Lamp，CCFL)或发光二极管(Light Emitting Diode，LED)设置在液晶面板后方，直接形成面光源提供给液晶面板。而侧入式背光模组是将背光源LED灯条（Light bar）设于液晶面板侧后方的背板边缘处，LED灯条发出的光线从导光板（Light Guide Plate，LGP）一侧的入光面进入导光板，经反射和扩散后从导光板出光面射出，再经由光学膜片组，以形成面光源提供给液晶面板。

静电释放（Electro-Static discharge，ESD）是薄膜晶体管阵列基板制程中影响良率的主要问题之一。请参阅图1及图2，在上述的薄膜晶体管阵列基板的结构中，栅极金属层（M1）100与源极/漏极金属层（M2）200经常出现交错、覆盖（Overlay）的情况，从而形成电容（以中间的绝缘层为电介质，如SiNx等）。在薄膜晶体管阵列基板制程中，栅极金属层100与源极/漏极金属层200上都会积累电荷，从而在栅极金属层100与源极/漏极金属层200之间形成电压。当这个电压达到该电容的击穿电压时，会击穿栅极金属层100与源极/漏极金属层200之间的绝缘层300，使得栅极金属层100与源极/漏极金属层200短路，造成液晶显示面板功能异常，这现象为目前常见的一种静电释放。

电容两极间电场强度E的计算公式为：E=U/d，其中U为电容两极之间电压差，D为两极之间的距离。电场强度E过大，达到电容的击穿电场时，就会发生静电释放。所以减小栅极金属层100与源极/漏极金属层200之间的电场强度是防止静电释放发生的有效措施。但在薄膜晶体管阵列基板中，栅极金属层100与源极/漏极金属层200之间的电压差U不可预知，也难以控制。

近年来，该领域的技术人员提出将彩色滤光片基板的彩色滤光片直接整合到薄膜晶体管阵列基板上（Color Filter On Array，COA）的技术，以解决薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光片基板的对位偏差问题，请参阅图3，简易制作流程为先在玻璃基板上形成第一金属层，在第一金属层上形成绝缘层，在绝缘层上形成非晶硅层，在非晶硅层上形成主动层，再在主动层上形成第二金属层，在第二金属层上形成第一保护层，在第一保护层上形成彩色滤光层，在彩色滤光层上形成第二保护层，在第二保护层上形成透明导电层，从而形成彩色滤光阵列基板。之后将该彩色滤光阵列基板与另一不具备彩色滤光片的对向基板组立，并于两基板间填入液晶分子，以形成液晶显示面板。

然而这种做法同样会在栅极金属层与源极/漏极金属层交错位置产生静电，液晶面板的使用寿命较短。

发明内容

本发明的目的在于提供一种彩色滤光阵列基板，将彩色滤光层移至第一金属层与第二金属层之间，扩大非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分之间的距离，可以减小非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分交错位置形成的电场强度E，减少静电释放现象及两者之间的信号相互干扰，提高显示质量及使用寿命。

本发明的另一目的在于提供一种彩色滤光阵列基板的制造方法，制造方法简单，生产效率高，在提高显示质量的同时，延长使用寿命，且，易于实现成本的控制。

为实现上述目的，本发明提供一种彩色滤光阵列基板，包括：

一玻璃基板，其包括显示区及位于显示区外围的非显示区；

一第一金属层，位于所述玻璃基板上，用来形成位于非显示区的第一外围金属层部分及位于显示区的第一内部金属层部分；

一绝缘层，位于所述玻璃基板以及所述第一金属层上；

一第二金属层，位于所述绝缘层上，用来形成位于非显示区的第二外围金属层部分及位于显示区的第二内部金属层部分；

一彩色滤光层，位于所述绝缘层与第二金属层之间，所述彩色滤光层包括位于显示区的彩色部分及位于第一外围金属层部分与第二外围金属层部分交错位置的阻隔部分；

一透明导电层，位于第二金属层上。

还包括：

一第一保护层，位于所述彩色滤光层上；

一主动层，位于所述第一保护层上，所述第二金属层位于所述主动层上；

一第二保护层，位于所述第二金属层以及第一保护层上；

一平坦化层，位于所述第二保护层上，所述透明导电层位于该平坦化层上。主动层设置在TFT处，同时也可在第一金属层（M1）与第二金属层（M2）交叉的地方于M1与M2两层之间特意设置，可起到增加M1与M2距离的作用。

还包括一非晶硅层，该非晶硅层位于第一金属层（M1）与第二金属层（M2）之间，可起到增加M1与M2距离的作用。更优选的，可设置于第一保护层与主动层之间。

所述阻隔部分为单层、双层或三层结构，当所述阻隔部分为单层结构时，该阻隔部分为红色色阻层、蓝色色阻层或绿色色阻层；当所述阻隔部分为双层结构时，该阻隔部分包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层中的任意两种；当所述阻隔部分为三层结构时，该阻隔部分包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层。

本发明还提供一种彩色滤光阵列基板的制造方法，包括以下步骤：

步骤1、提供一玻璃基板，该玻璃基板包括显示区及位于显示区外围的非显示区；

步骤2、在所述玻璃基板上形成第一金属层，并通过光罩制程图案化该第一金属层，以形成位于非显示区的第一外围金属层部分及位于显示区的第一内部金属层部分，该第一内部金属层部分包括薄膜晶体管的栅极及存储电容的一电极；

步骤3、在所述第一金属层以及玻璃基板上形成绝缘层，并通过光罩制程图案化该绝缘层；

步骤4、在所述绝缘层上形成彩色滤光层，并通过光罩制程图案化该彩色滤光层，以形成位于显示区的彩色部分及位于非显示区的阻隔部分；

步骤5、在彩色滤光层上形成第一保护层，并通过光罩制程图案化该第一保护层；

步骤6、在第一保护层上形成主动层，并通过光罩制程图案化该主动层，以形成所述薄膜晶体管的通道；

步骤7、在主动层上形成第二金属层，并通过光罩制程图案化该第二金属层，以形成位于非显示区的第二外围金属层部分及位于显示区的第二内部金属层部分，所述第二内部金属层部分包括薄膜晶体管的源/漏极，所述阻隔部分位于第一外围金属层部分与第二外围金属层部分交错位置；

步骤8、在所述第二金属层以及第一保护层上形成第二保护层，并通过光罩制程图案化该第二保护层；

步骤9、在第二保护层上形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，以形成所述存储电容的另一电极，该另一电极电性连接于所述薄膜晶体管的源/漏极。

所述步骤8还包括在第二保护层上形成平坦化层，并通过光罩制程图案化该平坦化层；所述步骤9中的透明导电层形成于平坦化层上。

所述步骤5还包括在第一保护层上形成非晶硅层，并对该非晶硅层进行掺杂制程；所述步骤6中的主动层形成于该非晶硅层上。

所述阻隔部分为单层、双层或三层结构，当所述阻隔部分为单层结构时，该阻隔部分为红色色阻层、蓝色色阻层或绿色色阻层；当所述阻隔部分为双层结构时，该阻隔部分包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层中的任意两种；当所述阻隔部分为三层结构时，该阻隔部分包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层。

所述光罩制程包括涂布、曝光、显影及蚀刻制程。

所述绝缘层、第一保护层及第二保护层均通过氮化硅沉积形成；所述透明导电层通过铟锡金属氧化物形成。

本发明的有益效果：本发明的彩色滤光阵列基板及其制造方法，通过将彩色滤光层设置于第一金属层与第二金属层之间，在非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分交错、覆盖的地方引进彩色滤光层的阻隔部分，从而可以增加非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分之间的距离，可以减小非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分交错位置形成的电场强度E，进而减少静电释放现象，延长使用寿命；同时也减小了非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分两者形成的电容，进而可以减小应用该彩色滤光阵列基板的液晶显示面板在使用过程中非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分上的信号之间的干扰，提升显示质量。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图1为现有技术中液晶显示面板的简易俯视图；

图2为图1的简易截面图；

图3现有技术中彩色滤光阵列基板技术的工艺图；

图4为本发明彩色滤光阵列基板一实施例的结构示意图；

图5为图4的简易俯视图；

图6为本发明彩色滤光阵列基板一实施例中第一外围金属层部分与第二外围金属层部分交错部分的层间关系图；

图7为本发明彩色滤光阵列基板中彩色滤光层的阻隔部分一实施例结构示意图；

图8为本发明彩色滤光阵列基板另一实施例的简易俯视图；

图9为本发明彩色滤光阵列基板另一实施例中第一外围金属层部分与第二外围金属层部分交错部分的层间关系图；

图10为本发明中彩色滤光层的阻隔部分另一实施例结构示意图；

图11为本发明中彩色滤光层的阻隔部分又一实施例结构示意图；

图12为本发明彩色滤光阵列基板的制造方法一实施例的流程图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

本发明通过增加电容的两极（第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26）的距离来减少击穿（静电释放）现象。

请参阅图4至图6，本发明提供一种彩色滤光阵列基板，本发明基于COA技术，但有别于现有的彩色滤光阵列基板。本发明通过将彩色滤光层23设置于第一金属层与第二金属层之间，在非显示区的第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26交错、覆盖的地方引进彩色滤光层23的阻隔部分50，以增加非显示区的第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26之间的距离，由背景技术中的电容两极间电场强度公式E=U/d可知，增加第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26之间的距离，可以减小第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26形成的电场强度E，减少静电释放现象，延长使用寿命。

请参阅图4至图6，本发明彩色滤光阵列基板具体结构包括：玻璃基板20、第一外围金属层部分21、绝缘层22、彩色滤光层23、第一保护层24、主动层25、第二外围金属层部分26、第二保护层27、平坦化层28及透明导电层（未图示）。所述彩色滤光阵列基板具体工艺结构如下：玻璃基板20，其包括显示区及位于显示区外围的非显示区；第一金属层通过溅镀工艺形成于所述玻璃基板20上，用来形成位于非显示区的第一外围金属层部分21及位于显示区的第一内部金属层部分（未图示），该第一内部金属层部分包括薄膜晶体管的栅极及存储电容的一电极；绝缘层22通过气相沉积方式形成于所述玻璃基板20以及所述第一金属层上；主动层25通过气相沉积方式形成于所述绝缘层22上，用来作为所述薄膜晶体管的通道；第二金属层通过溅镀方式形成于所述主动层25上，用来形成位于非显示区的第二外围金属层部分26及位于显示区的第二内部金属层部分（未图示），所述第二内部金属层部分包括薄膜晶体管的源/漏极；彩色滤光层23通过光罩制程形成于所述绝缘层22与主动层25之间，所述彩色滤光层23包括位于显示区的彩色部分及位于第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26交错位置的阻隔部分50；透明导电层，位于第二金属层上，耦接至所述薄膜晶体管的源/漏极，用来作为所述存储电容的另一电极。

所述彩色滤光层23通过多次重复涂布、曝光、显影及蚀刻技术形成，进而在显示区形成彩色部分，在非显示区形成阻隔部分50，所述彩色部分用于实现彩色显示，该阻隔部分50用于增加非显示区的第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26之间的距离，可以减小非显示区的第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26形成的电场强度E，减少静电释放现象，延长使用寿命。具体地，该阻隔部分50可为单层、双层或三层结构。请参阅图7，其为所述彩色滤光层23的阻隔部分50为单层结构的一实施例的结构示意图。在本实施例中，所述阻隔部分50可以为红色色阻层、蓝色色阻层及绿色色阻层中的一种，其具体工艺可为，在制作彩色滤光层23的彩色部分时，在非显示区的第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26交错的位置保留一层色阻层不蚀刻，以形成阻隔部分50，至于具体保留红色色阻层、蓝色色阻层及绿色色阻层中哪一层，可根据制作工艺的繁简程度而自行决定，均可实现本发明的技术效果。

请参阅图8及图9，为了便于观察和说明，图8及图9只图示了第一外围金属层部分21、第二外围金属层部分26、绝缘层22、彩色滤光层23以及非晶硅（a-si）层30。作为可供选择的另一实施例，所述彩色滤光阵列基板还包括一非晶硅层30，该非晶硅层30位于第一保护层24与主动层25之间，即该非晶硅层30位于第一金属层与第二金属层之间，可以进一步扩大第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26之间的距离，减小第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26形成的电场强度E，减少静电释放现象。该非晶硅层30的具体形成工艺可通过现有技术实现，在此不作赘述。

值得一提的是：在本发明中，将彩色滤光层23移至在第一金属层与第二金属层之间，增大非显示区的第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26之间的距离，并且根据电容的计算公式：C=（εS）/（4πkd）（其中ε为介电常数，π为圆周率，k为静电力常数，d为平行板之间的距离（即第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26之间的距离），S为平行板的正对面积（即第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26交错、覆盖处的有效正对面积））可知，同时也减小了非显示区的第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26两者形成的电容，进而可以减小该应用该彩色滤光阵列基板的液晶显示面板在使用过程中非显示区的第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26上的信号之间的干扰，提升显示质量。

请参阅图10，其为本发明彩色滤光阵列基板中彩色滤光层23的阻隔部分50’另一实施例的结构示意图。在本实施例中，所述阻隔部分50’为双层结构，在本实施例中，所述阻隔部分50’包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层中的任意两种，所述红色色阻层、蓝色色阻层及绿色色阻层之间的位置关系根据实际需要设定，应用灵活。如当所述阻隔部分50’包括蓝色色阻层及绿色色阻层时，所述蓝色色阻层可以设置于所述绿色色阻层之上，也可以设置于所述绿色色阻层之下。所述阻隔部分50’采用双层结构，效果优于单层结构。

请参阅图11，其为本发明彩色滤光阵列基板中彩色滤光层23的阻隔部分50’’又一实施例的结构示意图。在本实施例中，所述阻隔部分50’’为三层结构，在本实施例中，所述阻隔部分50’’包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层；所述红色色阻层、蓝色色阻层及绿色色阻层之间的位置关系根据实际需要设定。如：所述红色色阻层、蓝色色阻层及绿色色阻层位置可以依次为红色色阻层、蓝色色阻层、绿色色阻层，也可以依次为蓝色色阻层、红色色阻层、绿色色阻层等。所述阻隔部分50’’采用三层结构，效果优于单层结构及双层结构。

请参阅图12，同时参考图4至图7，本发明还提供一种彩色滤光阵列基板的制造方法，包括以下步骤：

步骤1、提供一玻璃基板20，该玻璃基板20包括显示区及位于显示区外围的非显示区。

该玻璃基板20的选材与现有技术中的玻璃基板选材相同，无须专门的材料。

步骤2、在所述玻璃基板20上形成第一金属层，并通过光罩制程图案化该第一金属层，以形成位于非显示区的第一外围金属层部分21及位于显示区的第一内部金属层部分，该第一内部金属层部分包括薄膜晶体管的栅极及存储电容的一电极。

所述第一金属层通过溅镀或气相沉积方式形成于所述玻璃基板20上。所述光罩制程包括涂布、显影及蚀刻制程，其具体方式可通过现有技术实现，在此不作赘述。

步骤3、在所述第一金属层以及玻璃基板20上形成绝缘层22，并通过光罩制程图案化该绝缘层22。

所述绝缘层22可通过氮化硅沉积形成。

步骤4、在所述绝缘层22上形成彩色滤光层23，并图案化该彩色滤光层23，以形成位于显示区的彩色部分及位于非显示区的阻隔部分50。

所述彩色滤光层23通过多次重复涂布、曝光、显影及蚀刻技术形成，进而在显示区形成彩色部分，在非显示区形成阻隔部分50，所述彩色部分用于实现彩色显示，该阻隔部分50用于增加非显示区的第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26之间的距离，可以减小非显示区的第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26形成的电场强度E，减少静电释放现象，延长使用寿命。具体地，该阻隔部分50可为单层、双层或三层结构。请参阅图7，其为所述彩色滤光层23的阻隔部分50为单层结构的一实施例的结构图。在本实施例中，所述阻隔部分50可以为红色色阻层、蓝色色阻层及绿色色阻层中的一种，其具体工艺可为，在制作彩色滤光层23的彩色部分时，在非显示区的第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26交错的位置保留一层色阻层不蚀刻，以形成阻隔部分50，至于具体保留红色色阻层、蓝色色阻层及绿色色阻层中哪一层，可根据制作工艺的繁简程度而自行决定，均可实现本发明的技术效果。

步骤5、在彩色滤光层23上形成第一保护层24，并通过光罩制程图案化该第一保护层24。

所述第一保护层24可通过氮化硅沉积形成。

步骤6、在第一保护层24上形成主动层25，并通过光罩制程图案化该主动层25，以形成所述薄膜晶体管的通道。

步骤7、在主动层25上形成第二金属层，并通过光罩制程图案化该第二金属层，以形成位于非显示区的第二外围金属层部分26及位于显示区的第二内部金属层部分，所述第二内部金属层部分包括薄膜晶体管的源/漏极，所述阻隔部分50位于第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26交错位置。

步骤8、在所述第二金属层以及第一保护层24上形成第二保护层27，并通过光罩制程图案化该第二保护层27。

具体地，该步骤8为在所述第二金属层以及第一保护层24上形成第二保护层27，并通过光罩制程图案化该第二保护层27，然后在该第二保护层27上形成平坦化层28，并通过光罩制程图案化该平坦化层28。

所述第二保护层27可通过氮化硅沉积形成。

步骤9、在第二保护层27上形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，以形成所述存储电容的另一电极，该另一电极电性连接于所述薄膜晶体管的源/漏极。

具体地，所述透明导电层形成于所述平坦化层28上。

在本实施例中，所述透明导电层为铟锡金属氧化物（Indium Tin Oxides，ITO）层，其通过溅镀的方式形成。

请参阅图10，其为本发明彩色滤光阵列基板中彩色滤光层23的阻隔部分50’另一实施例的结构示意图。在本实施例中，所述阻隔部分50’为双层结构，在本实施例中，所述阻隔部分50’包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层中的任意两种，所述红色色阻层、蓝色色阻层及绿色色阻层之间的位置关系根据实际需要设定，应用灵活。如当所述阻隔部分50’包括蓝色色阻层及绿色色阻层时，所述蓝色色阻层可以设置于所述绿色色阻层之上，也可以设置于所述绿色色阻层之下。所述阻隔部分50’采用双层结构，效果优于单层结构。

请参阅图11，其为本发明彩色滤光阵列基板中彩色滤光层23的阻隔部分50’’又一实施例的结构示意图。在本实施例中，所述阻隔部分50’’为三层结构，在本实施例中，所述阻隔部分50’’包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层；所述红色色阻层、蓝色色阻层及绿色色阻层之间的位置关系根据实际需要设定。如：所述红色色阻层、蓝色色阻层及绿色色阻层位置可以依次为红色色阻层、蓝色色阻层、绿色色阻层，也可以依次为蓝色色阻层、红色色阻层、绿色色阻层等。所述阻隔部分50’’采用三层结构，效果优于单层结构及双层结构。

值得一提的是，请参阅图8及图9，所述步骤5中还可以包括在第一保护层24上形成非晶硅层30，并对该非晶硅层30进行掺杂制程；所述主动层25形成于该非晶硅层30上。与上述方法相比，本方法多了在第一金属层与第二金属层之间设置非晶硅层30并对该非晶硅层30进行掺杂制程的步骤，但，由于该非晶硅层30的存在，可以进一步增加第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26之间的距离，减小第一外围金属层部分21与第二外围金属层部分26形成的电场强度E，减少静电释放现象。

综上所述，本发明的彩色滤光阵列基板及其制造方法，通过将彩色滤光层设置于第一金属层与第二金属层之间，在非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分交错、覆盖的地方引进彩色滤光层的阻隔部分，从而可以增加非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分之间的距离，可以减小非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分交错位置形成的电场强度E，进而减少静电释放现象，延长使用寿命；同时也减小了非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分两者形成的电容，进而可以减小应用该彩色滤光阵列基板的液晶显示面板在使用过程中非显示区的第一外围金属层部分与第二外围金属层部分上的信号之间的干扰，提升显示质量。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种彩色滤光阵列基板，其特征在于，包括：

一玻璃基板（20），其包括显示区及位于显示区外围的非显示区；

一第一金属层，位于所述玻璃基板（20）上，用来形成位于非显示区的第一外围金属层部分（21）及位于显示区的第一内部金属层部分；

一绝缘层（22），位于所述玻璃基板（20）以及所述第一金属层上；

一第二金属层，位于所述绝缘层（22）上，用来形成位于非显示区的第二外围金属层部分（26）及位于显示区的第二内部金属层部分；

一彩色滤光层（23），位于所述绝缘层（22）与第二金属层之间，所述彩色滤光层（23）包括位于显示区的彩色部分及位于第一外围金属层部分（21）与第二外围金属层部分（26）交错位置的阻隔部分（50）；

一透明导电层，位于第二金属层上。

2.如权利要求1所述的彩色滤光阵列基板，其特征在于，还包括：

一第一保护层（24），位于所述彩色滤光层（23）上；

一主动层（25），位于所述第一保护层（24）上，所述第二金属层位于所述主动层（25）上；

一第二保护层（27），位于所述第二金属层以及第一保护层（24）上；

一平坦化层（28），位于所述第二保护层（27）上，所述透明导电层位于该平坦化层（28）上。

3.如权利要求2所述的彩色滤光阵列基板，其特征在于，还包括一非晶硅层（30），该非晶硅层（30）位于第一保护层（24）与主动层（25）之间。

4.如权利要求1所述的彩色滤光阵列基板，其特征在于，所述阻隔部分（50）为单层、双层或三层结构，当所述阻隔部分（50）为单层结构时，该阻隔部分（50）为红色色阻层、蓝色色阻层或绿色色阻层；当所述阻隔部分（50’）为双层结构时，该阻隔部分（50’）包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层中的任意两种；当所述阻隔部分（50’’）为三层结构时，该阻隔部分（50’’）包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层。

5.一种彩色滤光阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供一玻璃基板（20），该玻璃基板（20）包括显示区及位于显示区外围的非显示区；

步骤2、在所述玻璃基板（20）上形成第一金属层，并通过光罩制程图案化该第一金属层，以形成位于非显示区的第一外围金属层部分（21）及位于显示区的第一内部金属层部分，该第一内部金属层部分包括薄膜晶体管的栅极及存储电容的一电极；

步骤3、在所述第一金属层以及玻璃基板（20）上形成绝缘层（22），并通过光罩制程图案化该绝缘层（22）；

步骤4、在所述绝缘层（22）上形成彩色滤光层（23），并通过光罩制程图案化该彩色滤光层（23），以形成位于显示区的彩色部分及位于非显示区的阻隔部分（50）；

步骤5、在彩色滤光层（23）上形成第一保护层（24），并通过光罩制程图案化该第一保护层（24）；

步骤6、在第一保护层（24）上形成主动层（25），并通过光罩制程图案化该主动层（25），以形成所述薄膜晶体管的通道；

步骤7、在主动层（25）上形成第二金属层，并通过光罩制程图案化该第二金属层，以形成位于非显示区的第二外围金属层部分（26）及位于显示区的第二内部金属层部分，所述第二内部金属层部分包括薄膜晶体管的源/漏极，所述阻隔部分（50）位于第一外围金属层部分（21）与第二外围金属层部分（26）交错位置；

步骤8、在所述第二金属层以及第一保护层（24）上形成第二保护层（27），并通过光罩制程图案化该第二保护层（27）；

步骤9、在第二保护层（27）上形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，以形成所述存储电容的另一电极，该另一电极电性连接于所述薄膜晶体管的源/漏极。

6.如权利要求5所述的彩色滤光阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤8还包括在第二保护层（27）上形成平坦化层（28），并通过光罩制程图案化该平坦化层（28）；所述步骤9中的透明导电层形成于平坦化层（28）上。

7.如权利要求5所述的彩色滤光阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤5还包括在第一保护层（24）上形成非晶硅层（30），并对该非晶硅层（30）进行掺杂制程；所述步骤6中的主动层（25）形成于该非晶硅层（30）上。

8.如权利要求5所述的彩色滤光阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阻隔部分（50）为单层、双层或三层结构，当所述阻隔部分（50）为单层结构时，该阻隔部分（50）为红色色阻层、蓝色色阻层或绿色色阻层；当所述阻隔部分（50’）为双层结构时，该阻隔部分（50’）包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层中的任意两种；当所述阻隔部分（50’’）为三层结构时，该阻隔部分（50’’）包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层。

9.如权利要求5所述的彩色滤光阵列基板的制造方法，其特征在于，所述光罩制程包括涂布、曝光、显影及蚀刻制程。

10.如权利要求5所述的彩色滤光阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层（22）、第一保护层（24）及第二保护层（27）均通过氮化硅沉积形成；所述透明导电层通过铟锡金属氧化物形成。

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