WO2014201712A1 - 一种发光器件、显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Definitions

  • the white light quantum dots are II ⁇ VI quantum dots;
  • the blue quantum dot material is at least one of zinc cadmium sulfide, zinc cadmium telluride, and silicon nitride;
  • the yellow light quantum dot material is cadmium telluride Cadmium/zinc sulfide, zinc sulfide: at least one of manganese ions;
  • the red light quantum dot material is cadmium selenide/cadmium sulfide/zinc sulfide;
  • the green light quantum dot material is cadmium ceria/zinc sulfide, zinc selenide : at least one of copper ions;
  • the organic material is 4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine or 2,4,6-tris(carbazol-9-yl)- Any one of 1,3,5-triazine.
  • the light emitting device further includes an electron transport layer disposed between the light emitting layer and the cathode; the light emitting device further includes at least one of a hole injection layer and a hole transport layer And disposed between the light emitting layer and the anode.
  • the first sub-pixel corresponding to the red light includes a red light filter layer; the second sub-pixel corresponding to the green light includes a green light filter layer; and the third sub-pixel corresponding to the blue light includes blue light. Filter layer.
  • the manufacturing process of the light-emitting device can adopt a printing technology, which saves the production cost of the light-emitting device, and is easier to fabricate on the flexible substrate than the existing light-emitting devices such as LCD and LED.
  • the light-emitting layer has a thickness of only several hundred nanometers, so that the light-emitting device of the invention has the advantages of being ultra-thin, transparent and flexible. Moreover, the color purity of the light-emitting device is high, 30% to 40% higher than that of the OLED, and has a better application prospect.
  • DRAWINGS 1 is a schematic structural view of an embodiment of a light emitting device of the present invention.
  • the quantum dot-based light-emitting device of the present invention can realize the emission of infrared light, and the emission wavelength of the organic material is generally less than 1 micrometer;
  • FIG. 5 is a schematic diagram of an arrangement of pixel units according to an embodiment of the present invention.
  • the display panel 501 includes a plurality of pixel units 500, and each pixel unit 500 includes three sub-pixels, that is, sub-pixel 51 and sub-pixel 52. Sub-pixel 53.
  • the sub-pixel here may be the first sub-pixel, the second sub-pixel, or the third sub-pixel described in the above embodiments, or may be another sub-pixel.
  • the order of each sub-pixel is not fixed and can be adjusted.
  • the arrangement of the respective pixel units of the present embodiment is only an example, and may be another arrangement.
  • the material of the hole injection layer may be PEDOT, CuPc or the like, and the material of the hole transport layer may be poly-TPD, TPD, TDATA or the like.
  • the use of a quantum dot material capable of emitting white light as a light-emitting material enables the manufacturing process of the light-emitting device to adopt a printing technique, which saves the production cost of the light-emitting device, and is easier to fabricate on a flexible substrate than existing light-emitting devices such as LCD and LED.
  • the light-emitting layer has a thickness of only several hundred nanometers, so that the light-emitting device of the present invention has the advantages of being ultra-thin, transparent, and flexible at the same time.
  • the color purity of the light-emitting device is high, 30% to 40% higher than that of the OLED, and has a better application prospect.

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Abstract

一种发光器件（23）、显示面板（501，601）及其制造方法。该发光器件（23）包括：相对设置的阴极（11，111）以及阳极（13，116）；发光层（12，113），发光层（12，113）设置于阴极（11，111）和所述阳极（13，116）之间，发光层（12，113）包括有机材料与发射白光的量子点材料的混合材料。这种发光器件（23）能够提高稳定性和亮度，并且具有超薄、透明以及易弯曲的优点。

Description

一种发光器件、 显示面板及其制造方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域， 特别是涉及一种发光器件、 显示面板及其制造 方法。 背景技术
二极管是一种半导体电子元件， 而有机发光二极管 （ Organic Light-Emitting Diode, OLED )是能够发光的半导体电子元件， 又称为有机电激光显示（ Organic Electroluminesence Display, OELD )。 OLED具有阴极射线管 (CRT)和液晶显示器 (LCD)的综合优点， 被誉为 21世纪的平板显示和第三代显示技术， 已成为当前 国际上的一大研究热点。
实现有机发光二极管彩色化的技术路线包括以下几种：
1、 RGB三基色发光， 这种方式只适用于容易升华的有机小分子材料， 但是 工艺简单成熟， 操作简便；
2、 由蓝光 OLED, 经过绿光与红光色转换方法（ Color conversion method, 简称 CCM ), 实现彩色显示。
但是现有的发光器件稳定性差、 不适宜使用大电流的情形， 并且制造成本 较高。 因此， 提供一种稳定性和发光效率都较高的发光器件对于有机发光二极 管彩色化具有更加重要的意义。 发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种， 能够提高发光器件的稳定性和亮 度， 并且发光器件具有超薄、 透明以及易弯曲的优点。
为解决上述技术问题， 本发明采用的一个技术方案是： 提供一种发光器件， 包括： 相对设置的阴极以及阳极； 发光层， 所述发光层设置于所述阴极和所述 阳极之间， 所述发光层包括有机材料与发射白光的量子点材料的混合材料， 所 述发射白光的量子点材料为白光量子点材料； 或蓝光量子点材料与黄光量子点 材料的混合； 或红光量子点材料、 绿光量子点材料以及蓝光量子点材料的混合； 所述发光器件还包括电子传输层， 所述电子传输层设置于所述发光层与所述阴 极之间； 所述发光器件还包括空穴注入层、 空穴传输层中的至少一层， 设置于 所述发光层与所述阳极之间。
其中，所述白光量子点为 II〜VI族量子点；所述蓝光量子点材料为硫化锌镉、 石西化镉 化锌、 氮化硅中的至少一种； 所述黄光量子点材料为 西化镉 化镉 / 硫化锌、 硫化锌： 锰离子中的至少一种； 所述红光量子点材料为硒化镉 /硫化镉 / 硫化锌； 所述绿光量子点材料为 西化镉 /硫化锌、 硒化锌： 铜离子中的至少一种； 所述有机材料为 4,4',4"-三 (咔唑 -9-基)三苯胺或 2,4,6-三（咔唑 -9-基） -1,3,5-三嗪 的任意一种。
为解决上述技术问题， 本发明采用的另一个技术方案是： 提供一种显示面 板， 所述显示面板包括多个像素单元， 每个像素单元包括多个子像素， 每个子 像素对应一种颜色， 所述每个子像素包括相对设置的基板和透光盖板， 以及发 光器件， 所述发光器件设置于所述基板和透光盖板之间， 其中， 所述发光器件 包括： 相对设置的阴极以及阳极； 发光层， 所述发光层设置于所述阴极和所述 阳极之间， 所述发光层包括有机材料与发射白光的量子点材料的混合材料。
其中， 所述发射白光的量子点材料为白光量子点材料； 或蓝光量子点材料 与黄光量子点材料的混合； 或红光量子点材料、 绿光量子点材料以及蓝光量子 点材料的混合。
其中，所述白光量子点为 II〜VI族量子点；所述蓝光量子点材料为硫化锌镉、 石西化镉 化锌、 氮化硅中的至少一种； 所述黄光量子点材料为 西化镉 化镉 / 硫化锌、 硫化锌： 锰离子中的至少一种； 所述红光量子点材料为硒化镉 /硫化镉 / 硫化锌； 所述绿光量子点材料为 西化镉 /硫化锌、 硒化锌： 铜离子中的至少一种； 所述有机材料为 4,4',4"-三 (咔唑 -9-基)三苯胺或 2,4,6-三（咔唑 -9-基） -1,3,5-三嗪 的任意一种。
其中， 所述发光器件还包括电子传输层， 所述电子传输层设置于所述发光 层与所述阴极之间； 所述发光器件还包括空穴注入层、 空穴传输层中的至少一 层， 设置于所述发光层与所述阳极之间。
其中， 所述每个子像素包括用于控制每个子像素对应的发光器件发光的薄 膜晶体管以及相应的滤光层， 所述滤光层设置于所述透光盖板的出光面。
其中， 所述每个像素单元包括对应显示红光的第一子像素、 对应显示绿光 的第二子像素以及对应显示蓝光的第三子像素， 所述第一子像素、 第二子像素 以及第三子像素分别包括用于控制对应的发光器件发光的薄膜晶体管。
其中， 所述每个像素单元还包括对应显示白光的第四子像素， 所述第四子 像素包括用于控制第四子像素对应的发光器件发光的薄膜晶体管。
其中， 所述对应显示红光的第一子像素包括红光滤光层； 所述对应显示绿 光的第二子像素包括绿光滤光层； 所述对应显示蓝光的第三子像素包括蓝光滤 光层。
为解决上述技术问题， 本发明提供的又一个技术方案是： 提供一种发光器 件的制造方法， 包括： 在玻璃基板上形成阳极， 在所述阳极上依次形成空穴注 入层和空穴传输层； 在所述空穴传输层上形成包括有机材料与发射白光的量子 点材料的混合材料的发光层； 在所述发光层上形成电子传输层； 在所述电子传 输层上形成透明阴极。
其中， 所述发射白光的量子点材料为白光量子点材料； 或蓝光量子点材料 与黄光量子点材料的混合； 或红光量子点材料、 绿光量子点材料以及蓝光量子 点材料的混合； 所述在所述空穴传输层上形成包括有机材料与发射白光的量子 点材料的混合材料的发光层的步骤包括： 将有机发光材料与量子点材料颗粒及 溶剂混合， 涂覆并挥发去除溶剂以形成所述发光层。
其中， 将制备得到的发光器件封装在基板与透明盖板之间， 在所述透明盖 板的出光面形成相应的滤光层； 所述在玻璃基板上形成阳极的步骤包括： 在玻 璃基板上形成阳极以及与阳极相连接的用于控制每个子像素对应的发光器件发 光的薄膜晶体管。
本发明的有益效果是： 区别于现有技术的情况， 本发明发光器件的发光层 材料包含有机材料与发射白光的量子点材料的混合材料， 由于量子点具有稳定 性好、 效率高、 寿命长的优点， 使得本发明的发光器件稳定性更好、 光效高、 并且可以适用于大电流的情形， 可以通过加大电流来提高发光器件的亮度。 而 用有机材料与发射白光的量子点材料混合的方式， 还能有效避免量子点材料团 聚与氧化， 避免氧化而使荧光淬灭。 另外， 采用能发射白光的量子点材料作为 发光材料， 使得发光器件的制造过程可以采用印刷技术， 节约发光器件的生产 成本， 并且比现有的发光器件比如 LCD、 LED更容易制作在柔性基板上， 其发 光层只有几百纳米厚度， 使本发明的发光器件同时具有超薄、 透明、 易弯曲的 优点。 而且， 发光器件的色纯度高， 相对 OLED高 30%〜40%, 具有更好的应用 前景。 附图说明 图 1是本发明发光器件一个实施方式的结构示意图；
图 2是本发明显示面板一个实施方式的其中一个子像素的结构示意图； 图 3是本发明显示面板一个实施方式的其中一个像素单元的结构示意图； 图 4是本发明显示面板另一个实施方式中的其中一个像素单元的结构示意 图；
图 5是本发明显示面板一个实施方式的像素单元排列示意图；
图 6是本发明显示面板另一个实施方式的像素单元排列示意图；
图 7是本发明显示面板一个实施方式的其中一个像素单元驱动电路示意图； 图 8是本发明发光器件的制造方法一个实施方式的流程图。 具体实施方式
半导体纳米晶（ Semiconductor Nanocrystals, NCs ),是指尺寸为 1-100 nm的 半导体纳米晶粒。 由于半导体纳米晶的尺寸小于其体材料的激子波尔半径， 表 现出强的量子限域效应， 准连续的能带演变为类似于分子的分立能级结构， 呈 现出新的材料性质， 因此也称为量子点 （Quantum Dots, QDs )。 由于外部能量 的激发（光致发光， 电致发光， 阴极射线发光等）， 电子从基态跃迁到激发态。 处于激发态的电子和空穴可能会形成激子。 电子与空穴发生复合， 最终弛豫到 基态。 多余的能量通过复合和弛豫过程译放， 可能辐射复合发出光子。 因此， 本发明实施方式利用量子点的这一特性， 提供一种发光器件， 其发光层包含发 射白光的量子点材料。
请参阅图 1 , 图 1是本发明发光器件一个实施方式的结构示意图， 本实施方 式的发光器件包括： 阴极 11以及阳极 13 , 其中， 阴极 11与阳极 13相对设置， 发光层 12, 发光层 12设置于阴极 11与阳极 13之间， 发光层 12包括有机材料 与发射白光的量子点材料的混合材料。
发射白光的量子点材料为白光量子点材料； 或蓝光量子点材料与黄光量子 点材料的混合； 或红光量子点材料、 绿光量子点材料以及蓝光量子点材料的混 合。
其中， 白光量子点材料可以是 II〜VI族量子点， 如硒化镉 (CdSe)、 硫化镉 (CdS)、 锑化镉 (CdTe)、 硫化锰镉 (CdMnS)、 硒化锌 (ZnSe)、 硒化锰锌 (ZnMnSe) 的至少一种； 蓝光量子点材料可以是硫化锌镉（ZnCdS)、 硒化镉 /硫化锌 (CdSe/ZnS), 氮化硅 (SiN4)中的至少一种； 黄光量子点材料可以是硒化镉 /硫化镉 /硫化锌 (CdSe/CdS/ZnS)、 硫化锌： 锰离子 (ZnS: Mn2+)中的至少一种； 红光量子 点材料可以是硒化镉 /硫化镉 /硫化锌 (CdSe/CdS/ZnS)； 绿光量子点可以是硒化镉 / 硫化锌 (CdSe/ZnS)、 硒化锌： 铜离子 (ZnSe: Cu2+)中的至少一种。
其中， 有机材料可以是能够防止发射白光的量子点材料团聚与氧化的有机 材料， 比如有机材料 4,4',4"-三 (咔唑 -9-基)三苯胺 (TCTA -三（咔唑 -9-基）
-1,3,5-三嗪 (TRZ)等等， 其中， TCTA 材料的结构为:
Figure imgf000006_0001
TRZ
\ -, w
f Y -、.
材料的结构为： 、尸 U 。 由于量子点材料是纳米颗粒， 零维材料， 表 面活性大， 容易发生团聚， 从而导致氧化并使荧光淬灭。 而通过有机材料与发 射白光的量子点材料进行混合， 可以有效防止量子点材料团聚与氧化。
当然， 本发明实施方式中， 发光层材料也可以采用单独的能够发射白光的 量子点材料， 而为防止量子点材料团聚和氧化， 在涂覆发光层时， 可以用表面 活性剂与发射白光的量子点材料混合溶于溶剂， 挥发去除溶剂。 可以采用的表 面活性剂可以但不限于是硬脂酸、 氧化三锌基膦、 聚曱基丙烯酸曱酯（PMMA ) 等。
请继续参阅图 1 , 本发明发光器件另一实施方式中， 发光器件还包括空穴注 入层 14、 空穴传输层 15以及电子传输层 16, 其中， 也可以只包括空穴注入层 14或空穴传输层 15中的一层， 空穴注入层与空穴传输层设置于发光层 12与阳 极 13之间， 电子传输层 16设置于发光层 12与阴极 11之间。
其中， 空穴注入层 14的材料可以是聚 3,4-乙撑二氧噻吩 (PEDOT)、 酞菁蓝 (CuPc)等， 空穴传输层 15的材料可以是聚三苯胺 (poly-TPD)、 Ν,Ν'-二苯基 -Ν,Ν'- 二 (3-曱苯基 )-1,Γ-联苯 -4,4'-二胺 (TPD)、 4,4',4"-三（ Ν,Ν联苯氨基)三苯胺 (TDATA) 等， 而电子传输层 16的材料可以是萤光染料化合物如八羟基喹啉铝 ( Alq3 )等。
上述实施方式提供的发光器件，可以是量子发光二极管（ Quantum Dots Light Emitting Diodes, QD-LEDs ), 因此， 本发明的发光器件相对于有机发光二极管 ( Organic Light Emitting Diodes , OLEDs )有以下的优势：
( 1 )量子点发光的线宽在 20-30 nm之间，相对于有机发光>50 nm的发光， 半峰宽 (Full Width Half Maximum, FWHM)要窄， 这对于现实画面的色纯度 起关键的作用；
( 2 )量子点相对于有机材料表现出更好的热稳定性。 当发光器件处于高亮 度或高电流密度下， 焦耳热是使器件退化的主要原因。 由于优异的热稳定性， 基于量子点的发光器件将表现出长的使用寿命；
( 3 ) 由于红绿蓝三基色有机材料的寿命不同， OLEDs 显示器的颜色将随 时间变化。 然而， 用同一种材料合成不同尺寸的量子点， 由于量子限域效应， 可以实现三基色的发光。 同一种材料可以表现出相似的退化寿命；
( 4 )本发明基于量子点的发光器件可以实现红外光的发射， 而有机材料的 发光波长一般小于 1 微米；
( 5 )对于量子点没有自旋统计的限制， 其外量子效率 （External Quantum Efficiency, EQE )有可能达到 100%。 QD-LED 的 EQE可以表示为： η Εχί =ηΓ *ηΐΝτ *η*ηθυΤ 。 其中 η r是电子和空穴形成激子的几率， H INT是内量子效率， 即发光量子产率（PLQY ) , η 是辐射跃迁的几率， η ουτ是外耦合的效率。 有 机荧光染料 H r 的限制是 25%, 其中单重态与三重态的形成比例是 1 :3 , 只有单 重态激子的复合导致发光。 然而， 由于自旋轨道耦合， 有机磷光材料的 H R 大于 25%。值得一提的是， 有机磷光材料导致了母体材料的退化。 平面发光器件的 η OUT 大约在 20%左右， 可以通过微腔结构提高外耦合效率。 对于本发明的发光 器件， 其 η ΐΝτ可以达到 100% , 同时当电子和空穴能级适合时， 其 ri r也可以 达到 100%。
本发明实施方式的发光器件可以是有机-无机杂化的器件 (即以有机材料与 发射白光的量子点材料的混合材料作为发光层材料)，也可以是全无机的器件 (即 以单纯以发射白光的量子点材料作为发光层材料)， 前者可以达到高的亮度、 可 以柔性制作， 后者因为发光器件的其他层如空穴注入层、 空穴传输层以及电子 传输层等都是无机材料， 因此， 全无机的发光器件在器件的稳定性方面更有优 势。
通过上述实施方式的阐述， 可以理解， 本发明发光器件的发光层材料包含 有机材料与发射白光的量子点材料的混合材料， 由于量子点具有稳定性好、 效 率高、 寿命长的优点， 使得本发明的发光器件稳定性更好、 光效高、 并且可以 适用于大电流的情形， 可以通过加大电流来提高发光器件的亮度。 而用有机材 料与发射白光的量子点材料混合的方式， 还能有效避免量子点材料团聚与氧化， 避免氧化而使荧光淬灭。 另外， 采用能发射白光的量子点材料作为发光材料， 使得发光器件的制造过程可以采用印刷技术， 节约发光器件的生产成本， 并且 比现有的发光器件比如 LCD、 LED更容易制作在柔性基板上， 其发光层只有几 百纳米厚度， 使本发明的发光器件同时具有超薄、 透明、 易弯曲的优点。 而且， 发光器件的色纯度高， 相对 OLED高 30%〜40%, 具有更好的应用前景。
基于以上实施方式提供的发光器件， 本发明进一步提供一种显示面板， 请 参阅图 2,图 2是本发明显示面板一个实施方式的其中一个子像素的结构示意图， 本实施方式的显示面板包括多个像素单元， 每个像素单元包括多个子像素， 每 个子像素对应一种颜色， 每个子像素包括相对设置的基板 21以及透光盖板 22, 以及发光器件 23 , 其中， 发光器件 23设置于基板 21以及透光盖板 22之间， 基 板 21与透光盖板 22通过密封胶 24粘结在一起， 以密封与保护发光器件 23。 本 实施方式中的发光器件的各个结构层的组成以及相应的位置关系请参阅图 1 所 述实施方式的相关描述。
其中， 本实施方式的子像素还包括用于控制每个子像素对应的发光器件 23 发光的薄膜晶体管 26以及相应的滤光层 25 ,滤光层 25设置于透光盖板 22的出 光面， 用于使发光器件 23发射的白光经过滤光层 25后转换为另一种颜色。 薄 膜晶体管 26设置在基板 21与发光器件 23之间， 分别与基板 21以及发光器件 23的阳极相连接。
作为一种举例， 请参阅图 3 , 图 3是本发明显示面板另一个实施方式中的其 中一个像素单元的结构示意图， 本实施方式中像素单元 300 可以包括对应显示 红光的第一子像素 1、对应显示绿光的第二子像素 2和对应显示蓝光的第三子像 素 3。 每一个子像素包括相对设置的基板 31与透光盖板 32, 以及用于控制子像 素对应的发光器件发光的薄膜晶体管 34,每个子像素还包括封装在基板 31与透 光盖板 32之间的发光器件， 发光器件分别包括阳极 116、 空穴注入层 115、 空 穴传输层 114、 发光层 113、 电子传输层 112以及透明阳极 111(发光器件的各结 构的细节描述请参阅上述实施方式的相关描述)。 每个子像素的上述组成相似， 图中未分别——标识。
其中， 对应显示红光的第一子像素 1 包括用于将发光器件发出的白光转换 为红光的滤光层 33 , 对应显示绿光的第二子像素 2包括用于将发光器件发出的 白光转换为绿光的滤光层 35 , 对应显示蓝光的第三子像素 3包括用于将发光器 件发出的白光转换为蓝光的滤光层 36。
请参阅图 4,图 4是本发明显示面板又一个实施方式中的其中一个像素单元 的结构示意图， 本实施方式的像素单元 400可以包括对应显示红光的第一子像 素 41、 对应显示绿光的第二子像素 42、 对应显示蓝光的第三子像素 43以及对 应显示白光的第四子像素 44。 其中， 第一子像素 41、 第二子像素 42以及第三 子像素 43的结构跟上述图 3所示实施方式的子像素构成一样， 在此不再贅述。 而对应显示蓝光的第四子像素 44与第一、 第二、 第三子像素的唯一不同在于， 第四子像素不包括滤光层， 也就是说， 发光器件发出的白光可以直接透过， 可 以增强白光输出， 提高显示面板的出光效率。
本发明实施方式采用白光 +RGB滤光层技术实现 OLED的彩色化， 这种方 式由于可利用 LCD成熟的滤光层技术， 不需要掩膜对位， 极大地简化了蒸镀过 程， 因而能降低生产成本， 可用于制备大尺寸高分辨率 OLED。 同时， 又结合量 子点材料的优点， 进一步提高发光器件的出光效率以及稳定性。
当然， 这只是本发明实施方式的一个举例， 事实上， 本发明的显示面板可 能只包括上述第一子像素、 第二子像素、 第三子像素以及第四子像素中的其中 之一或之二， 也可能包括 5 个甚至更多的子像素。 而且第一子像素、 第二子像 素、 第三子像素也并不一定对应上述的红色、 绿色、 蓝色， 可以通过采用不同 的滤光层而使该像素对应显示别的颜色。
请参阅图 5 , 图 5是本发明显示面板一个实施方式像素单元的排列示意图， 显示面板 501包括多个像素单元 500, 每个像素单元 500包括三个子像素， 即子 像素 51、 子像素 52、 子像素 53。 这里的子像素可以是上述实施方式所述的第一 子像素、 第二子像素、 第三子像素， 也可以是另外的子像素。 每个子像素的顺 序并不固定， 可以调整。 而且， 本实施方式的各个像素单元的排列也只是一种 举例， 可以是别的排列方式。
对于多个子像素的， 并不一定是上述的各个子像素呈一列排列， 同一个像 素单元的子像素可以呈几列排列。请参阅图 6, 图 6是本发明显示面板又一个实 施方式像素单元的排列示意图， 显示面板 601包括多个像素单元 600,每个像素 单元 600包括四个子像素， 即子像素 61、 子像素 62、 子像素 63以及子像素 64。 这里的子像素可以是上述实施方式所述的第一、 第二、 第三、 第四子像素， 也 可以是另外的子像素。 四个子像素可以呈现图 6所示的排列方式， 也可以像图 5 所示排列方式一样， 四个子像素呈以列排列。
值得一提的是， 上述的像素单元的子像素排列情况只是本发明实施方式的 一个举例说明， 对于像素单元包括更多个子像素的情况， 也可以按照上述类似 的方式排列， 本发明在此不——举例说明。
本发明实施方式中其中一个像素单元的每个子像素的驱动电路示意图请参 阅图 7,如图所示，本实施方式的像素单元包括三个子像素，分别为第一子像素、 第二子像素以及第三子像素， 每个子像素由两个薄膜晶体管 （TFT )共同驱动， 一个是开关 TFT, —个是供电 TFT, 第一子像素包括第一开关 TFT和第一供电 TFT, 第二子像素包括第二开关 TFT和第二供电 TFT, 第三子像素包括第三开 关 TFT和第二供电 TFT, 每一行的子像素通过其对应的 TFT与同一扫描线 720 连接， 每一列的子像素通过其对应的 TFT与同一数据线 710连接。
第一开关 TFT 71包括第一源极 711、 第一栅极 712、 第一漏极 713三个电 极， 其中， 第一源极 711与数据线 710连接， 第一栅极 712与扫描线 720连接， 第一漏极 713与第一供电 TFT 72的栅极 721连接，第一供电 TFT的源极 722与 电源线 730连接， 第一供电 TFT的漏极 723与第一子像素的发光器件的阳极连 接。 电源线 730通过第一供电 TFT 72对第一子像素供电， 点亮子像素， 但是是 否供电， 由开关 TFT控制。数据线 710和扫描线 720通过第一开关 TFT 71与供 电 TFT 72共同驱动发光器件发光以使第一子像素显示对应的颜色， 比如红色。
第二开关 TFT与第二供电 TFT、第三开关 TFT与第三供电 TFT的相应连接 关系可同理参照上述第一开关 TFT与第一供电 TFT的连接关系的描述和附图， 本实施方式不——在图中标识和分别描述。
数据线 710和扫描线 720通过第二开关 TFT与第二供电 TFT共同驱动发光 器件发光以使第二子像素显示对应的颜色， 比如绿色。
数据线 710与扫描线 720通过第三开关 TFT与第三供电 TFT共同驱动发光 器件发光以使第三子像素显示对应的颜色， 比如蓝色。
上述驱动电路只是示意性的列出三个子像素， 对于一个像素单元包括更多 个子像素的情形， 连接关系跟上述类似， 在此不再贅述。
另外， 本发明实施方式还提供一种显示面板， 可继续参阅图 3 , 显示面板包 括多个像素单元 300, 每个像素单元 300至少包含两个子像素比如子像素 1、 3 或子像素 2、 3 , 每个子像素对应一种颜色， 每个子像素包括阴极 111、 阳极 116 以及发光层 113 , 发光层 113设置于阴极 111与阳极 116之间， 发光层 113包括 发射白光的量子点材料， 在一个像素单元中， 至少两个子像素分别包括不同的 滤光层， 比如图中子像素 1包括红光滤光层 33、 子像素 2包括绿光滤光层 35、 子像素 3包括蓝光滤光层 36, 以使得发光层 113发出的白光经过滤光层后转换 成另一种颜色， 以使至少两个子像素对应的为不同的颜色。
另外， 作为一种优选的方式， 本实施方式的显示面板， 还进一步包括一子 像素， 该子像素不包括滤光层， 可以参阅图 4, 如图 4中的子像素 44 (子像素 44的其他结构层跟上述图 3所示子像素的结构基本一致，只是子像素 44不包括 滤光层）， 子像素 44 不包括滤光层， 对应显示白光， 从而可以增加白光输出， 提高显示面板的出光效率。
请参阅图 8, 图 8是本发明发光器件的制造方法一个实施方式的流程图， 本 实施方式发光器件的制造方法包括：
步骤 S101 : 在玻璃基板上形成透明阳极， 在透明阳极上依次形成空穴注入 层和空穴传输层；
在玻璃基板上形成一层 ITO透明阳极层， 可以用蒸镀、 涂覆等方式形成透 明阳极。 在透明阳极上依次形成空穴注入层和空穴传输层， 当然， 可以根据需 要形成空穴注入层和空穴传输层中的至少一层（本实施方式形成空穴注入层和 空穴注入层两个结构层）， 当形成空穴注入层和空穴传输层时， 空穴传输层远离 阳极形成于空穴注入层之上。 也可以采用蒸镀或涂覆的方式形成空穴注入层和 空穴传输层。
其中， 空穴注入层的材料可以是 PEDOT、 CuPc等， 空穴传输层的材料可以 是 poly-TPD、 TPD、 TDATA等。
步骤 S102: 在空穴传输层上形成包括有机材料与发射白光的量子点材料的 混合材料的发光层；
发射白光的量子点材料为白光量子点材料； 或蓝光量子点材料与黄光量子 点材料的混合； 或红光量子点材料、 绿光量子点材料以及蓝光量子点材料的混 合。
其中，白光量子点材料可以是 II〜VI族量子点，如 CdSe、 CdS、 CdTe、 CdMnS, ZnSe、 ZnMnSe 的至少一种； 蓝光量子点材料可以是 ZnCdS、 CdSe/ZnS, SiN4 中的至少一种； 黄光量子点材料可以是 CdSe/CdS/ZnS, ZnS: Mn2+中的至少一 种；红光量子点材料可以是 CdSe/CdS/ZnS;绿光量子点可以是 CdSe/ZnS、 ZnSe: Cu2+中的至少一种。 其中， 有机材料可以是能够防止发射白光的量子点材料团聚与氧化的有机 材料， 比如有机材料 TCTA、 TRZ 等等， 其中， TCTA 材料的结构为：
Figure imgf000012_0001
， TRZ材料的结构为: 由于量子点材料是 纳米颗粒， 零维材料， 表面活性大， 容易发生团聚， 从而导致氧化并使荧光淬 灭。 而通过有机材料与发射白光的量子点材料进行混合， 可以有效防止量子点 材料团聚与氧化。
本实施方式中形成发光层的其中一种方式为： 将有机材料与发射白光的量 子点材料颗粒及溶剂混合， 涂覆在空穴传输层上并挥发去除溶剂以形成发光层。
另一种方式中， 发光层材料也可以采用单独的发射白光的量子点材料， 而 为防止量子点材料团聚和氧化， 在涂覆发光层时， 可以用表面活性剂与发射白 光的量子点材料混合溶于溶剂， 挥发去除溶剂以形成发光层。 可以采用的表面 活性剂可以但不限于是硬脂酸、 氧化三锌基膦、 聚曱基丙烯酸曱酯 （PMMA ) 等。
步骤 S103: 在发光层上形成电子传输层；
在发光层上形成电子传输层， 电子传输层的材料可以是萤光染料化合物如 八羟基喹啉铝（ Alq3 )等。
步骤 S104: 在电子传输层上形成透明阴极。
在电子传输层上形成透明阴极。 可以是通过蒸镀或涂覆的方式形成透明阴 极。
另外， 当将本发明的发光器件应用于显示面板时， 本发明发光器件的制造 方法还进一步包括： 将制备得到的发光器件封装在基板与透明盖板之间， 在透 明盖板的出光面形成用于进行出光颜色过滤的滤光层， 并为了分别控制每个子 像素对应的发光器件发光， 在形成阳极的步骤中， 还包括形成与阳极相连接的 用于控制每个子像素对应的发光器件发光的薄膜晶体管。 以该整体结构作为显 示面板像素单元的其中一个子像素。
通过本发明的上述实施方式， 可以理解， 本发明发光器件的发光层材料包 含有机材料与发射白光的量子点材料的混合材料， 由于量子点具有稳定性好、 效率高、 寿命长的优点， 使得本发明的发光器件稳定性更好、 光效高、 并且可 以适用于大电流的情形， 可以通过加大电流来提高发光器件的亮度。 而用有机 材料与发射白光的量子点材料混合的方式， 还能有效避免量子点材料团聚与氧 化， 避免氧化而使荧光淬灭。 另外， 采用能发射白光的量子点材料作为发光材 料， 使得发光器件的制造过程可以采用印刷技术， 节约发光器件的生产成本， 并且比现有的发光器件比如 LCD、 LED更容易制作在柔性基板上， 其发光层只 有几百纳米厚度， 使本发明的发光器件同时具有超薄、 透明、 易弯曲的优点。 而且， 发光器件的色纯度高， 相对 OLED高 30%〜40%, 具有更好的应用前景。
以上所述仅为本发明的实施方式， 并非因此限制本发明的专利范围， 凡是 利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换， 或直接或间接 运用在其他相关的技术领域， 均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims

权利要求
1.一种发光器件， 其中， 包括：
相对设置的阴极以及阳极；
发光层， 所述发光层设置于所述阴极和所述阳极之间， 所述发光层包括有 机材料与发射白光的量子点材料的混合材料， 所述发射白光的量子点材料为白 光量子点材料； 或蓝光量子点材料与黄光量子点材料的混合； 或红光量子点材 料、 绿光量子点材料以及蓝光量子点材料的混合；
所述发光器件还包括电子传输层， 所述电子传输层设置于所述发光层与所 述阴极之间；
所述发光器件还包括空穴注入层、 空穴传输层中的至少一层， 设置于所述 发光层与所述阳极之间。
2.根据权利要求 1所述的发光器件， 其中，
所述白光量子点为 II〜VI族量子点； 所述蓝光量子点材料为硫化锌镉、 硒化 镉 /硫化锌、氮化硅中的至少一种；所述黄光量子点材料为 西化镉 /硫化镉 /硫化锌、 硫化锌： 锰离子中的至少一种； 所述红光量子点材料为石西化镉 /硫化镉 /硫化锌； 所述绿光量子点材料为 西化镉 /硫化锌、 硒化锌： 铜离子中的至少一种； 所述有 机材料为 4,4',4"-三 (咔唑 -9-基)三苯胺或 2,4,6-三（咔唑 -9-基） -1,3,5-三嗪的任意 一种。
3.—种显示面板， 其中， 所述显示面板包括多个像素单元， 每个像素单元包 括多个子像素， 每个子像素对应一种颜色， 所述每个子像素包括相对设置的基 板和透光盖板， 以及发光器件， 所述发光器件设置于所述基板和透光盖板之间， 其中， 所述发光器件包括：
相对设置的阴极以及阳极；
发光层， 所述发光层设置于所述阴极和所述阳极之间， 所述发光层包括有 机材料与发射白光的量子点材料的混合材料。
4.根据权利要求 3所述的显示面板， 其中，
所述发射白光的量子点材料为白光量子点材料；
或蓝光量子点材料与黄光量子点材料的混合；
或红光量子点材料、 绿光量子点材料以及蓝光量子点材料的混合。
5.根据权利要求 4所述的显示面板， 其中，
所述白光量子点为 II〜VI族量子点； 所述蓝光量子点材料为硫化锌镉、 硒化 镉 /硫化锌、氮化硅中的至少一种；所述黄光量子点材料为 西化镉 /硫化镉 /硫化锌、 硫化锌： 锰离子中的至少一种； 所述红光量子点材料为石西化镉 /硫化镉 /硫化锌； 所述绿光量子点材料为 西化镉 /硫化锌、 硒化锌： 铜离子中的至少一种； 所述有 机材料为 4,4',4"-三 (咔唑 -9-基)三苯胺或 2,4,6-三（咔唑 -9-基） -1,3,5-三嗪的任意 一种。
6.根据权利要求 3所述的显示面板， 其中，
所述发光器件还包括电子传输层， 所述电子传输层设置于所述发光层与所 述阴极之间；
所述发光器件还包括空穴注入层、 空穴传输层中的至少一层， 设置于所述 发光层与所述阳极之间。
7.根据权利要求 3所述的显示面板， 其中，
所述每个子像素包括用于控制每个子像素对应的发光器件发光的薄膜晶体 管以及相应的滤光层， 所述滤光层设置于所述透光盖板的出光面。
8.根据权利要求 7所述的显示面板， 其中，
所述每个像素单元包括对应显示红光的第一子像素、 对应显示绿光的第二 子像素以及对应显示蓝光的第三子像素， 所述第一子像素、 第二子像素以及第 三子像素分别包括用于控制对应的发光器件发光的薄膜晶体管。
9.根据权利要求 8所述的显示面板， 其中，
所述每个像素单元还包括对应显示白光的第四子像素， 所述第四子像素包 括用于控制第四子像素对应的发光器件发光的薄膜晶体管。
10.根据权利要求 8所述的显示面板， 其中，
所述对应显示红光的第一子像素包括红光滤光层； 所述对应显示绿光的第 二子像素包括绿光滤光层； 所述对应显示蓝光的第三子像素包括蓝光滤光层。
11.一种发光器件的制造方法， 其中， 所述方法包括：
在玻璃基板上形成阳极， 在所述阳极上依次形成空穴注入层和空穴传输层； 在所述空穴传输层上形成包括有机材料与发射白光的量子点材料的混合材 料的发光层；
在所述发光层上形成电子传输层；
在所述电子传输层上形成透明阴极。
12.根据权利要求 11所述的制造方法， 其中，
所述发射白光的量子点材料为白光量子点材料；
或蓝光量子点材料与黄光量子点材料的混合；
或红光量子点材料、 绿光量子点材料以及蓝光量子点材料的混合； 所述在所述空穴传输层上形成包括有机材料与发射白光的量子点材料的混 合材料的发光层的步骤包括： 将有机发光材料与量子点材料颗粒及溶剂混合， 涂覆并挥发去除溶剂以形成所述发光层。
13.根据权利要求 11所述的制造方法， 其中， 还包括：
将制备得到的发光器件封装在基板与透明盖板之间 , 在所述透明盖板的出 光面形成相应的滤光层；
所述在玻璃基板上形成阳极的步骤包括： 在玻璃基板上形成阳极以及与阳 极相连接的用于控制每个子像素对应的发光器件发光的薄膜晶体管。
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