JP2007250717A - シリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法 - Google Patents
シリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】酸化インジウムスズ(ITO)11層と二酸化チタン(TiO2)層12とが積層された基板1を反応チャンバーの中へ入れ込み、シラン(SiH4)を前駆物質体(precursor)としてアルゴン(Argon)を希釈あるいはキャリヤーガスや混入空気とし、蒸着法と複数回のパルスにより基板の二酸化チタン層の表面において、シリコン量子点核生成層(nucleation)と成長生長層(growth)及び不活性化層(passivation)等の工程を行い、直接に複数のシリコン量子点21が生長分布される構造が形成され、また、単一のパルスにより直接にシリコン量子点構造以外に炭化ケイ素(SiCx)量子点薄膜22を沈着し、これにより、基板の二酸化チタン層の表面にシリコン量子点分布層2が形成される。
【選択図】図5
Description
a、少なくとも酸化インジウムスズ(ITO)層11と二酸化チタン(TiO2)層12とが積層され、導電ガラス板やプラスチック板である基板1を用意し、
b、当該基板1を反応チャンバーの中へ入れ込み、
c、当該反応チャンバーの中において、シラン(SiH4)を前駆物質体(precursor)として、アルゴン(Argon)を希釈あるいはキャリヤーガスや混入空気(carrier
gas)とし、また、当該反応チャンバーの内部において、シランの濃度比や流量比が1%乃至20%の間にあり、処理ガス圧力が1ミリトール(mTorr)乃至2000ミリトールの間にあり、基板の処理温度が室温乃至350℃の間にあり、その後、プラズマCVD(Plasma-enhanced
chemical vapor deposition、PECVD)と複数回のパルス(multi-pulses)により、当該基板1の二酸化チタン層12の表面において、シリコン量子点核生成層211(nucleation)と成長生長層212(growth)及び不活性活性化層213(passivation)等の工程を行い、直接に複数のシリコン量子点が成生長分布される構造21が形成され、
d、単一のパルスにより、直接に、当該複数のシリコン量子点が分布される構造21以外に、炭化ケイ素(SiCx)量子点薄膜22を沈着し、これにより、当該基板の二酸化チタン層12の表面に、厚さが100ナノメートル(nanometer)より小さいシリコン量子点分布層2が形成される。
11 酸化インジウムスズ層
12 二酸化チタン層
2 シリコン量子点分布層
21 シリコン量子点構造
211 シリコン量子点核生成層
212 シリコン量子点成長生長層
213 シリコン量子点不活性化層
22 炭化ケイ素量子点薄膜
Claims (10)
- a、少なくとも酸化インジウムスズ(ITO)層と二酸化チタン(TiO2)層とが積層される基板を用意し、
b、当該基板を反応チャンバーの中へ入れ込み、
c、当該反応チャンバーの中において、シラン(SiH4)を前駆物質体(precursor)として、アルゴン(Argon)を希釈あるいはやキャリヤーガス混入空気(carrier
gas)とし、また、蒸着法と複数回のパルス(multi-pulses)により、基板の二酸化チタン層の表面において、シリコン量子点核生成層(nucleation)と成長生長層(growth)及び不活性活性化層(passivation)等の工程を行い、直接に、複数のシリコン量子点が成生長分布される構造が形成され、
d、単一のパルスにより、直接に、当該複数のシリコン量子点が分布される構造以外に、炭化ケイ素(SiCx)量子点薄膜を沈着して、当該基板の二酸化チタン層の表面に、シリコン量子点分布層が形成される、
ことを特徴とするシリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法。 - 当該基板は、導電ガラスであることを特徴とする請求項1に記載のシリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法。
- 当該基板は、プラスチック板であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法。
- 当該反応チャンバーの内部において、シランの濃度比や流量比が1%乃至20%の間にあることを特徴とする請求項1に記載のシリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法。
- 当該反応チャンバーの内部において、処理ガス圧力が1ミリトール(mTorr)乃至2000ミリトールの間にあることを特徴とする請求項1に記載のシリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法。
- 当該反応チャンバーの内部において、基板処理温度が、室温乃至350℃の間にあることを特徴とする請求項1に記載のシリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法。
- 当該蒸着法は、プラズマCVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition、PECVD)であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法。
- 当該シリコン量子点不活性化層工程は、シリコン原子表面のダングリングボンド(dangling bonds)にSi-HとSi-C連鎖が形成されることを特徴とする請求項1に記載のシリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法。
- 当該シリコン量子点不活性化層工程のガス材料は、水素ガス(H2)やメタン(CH4)或いは他の水素原子や炭素原子を生成できるガスであることを特徴とする請求項1に記載のシリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法。
- 当該シリコン量子点分布層は、厚さが100ナノメートル(nanometer)より小さいことを特徴とする請求項1に記載のシリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法。
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