基于离子阱的双极性离子分析与检测的装置和方法 技术领域
本发明涉及 -种质谱仪. tiiU.休地, 涉及 ¾Γ·离 -阱的 极性离于分析1 j检测的装 和方 。 背景技术
质 分析法 (mass spectrometry ) 将化合物按小 M质 比 (m/z)进 ί」'·分离检测, 实现成分和 结构鉴別的 -种分析方法。 质谱技术 W : Α.有的高特^忭和灵敏度, 在 物分析领域中的 ¾耍地 Η益凸显。 物 (Bio-mass spectrometry, Bio-MS) *i小:川 生物分 分折的质^技术, ΙΊ质和多肽研究中 着广泛的应川: 如 fl质相对分 f质 测定、 肽¾测定、 肽;†:列测定技术、 巯 ffi和 .:硫键定位、 蛋 质翻译 Γϊ修饰、 定 白质 fit分析、 IfiA质相' 作 j研究^。 此外, 牛.物质 谱还应 W j '多糖¾构测定、 寡核 ίΐ·酸和核酸分析、 微' k物鉴 、 药物研发 领域。
作随若质 ii技术的发展, K相 ·Χ;离 f化方式也 11新 U 。 1午多研究人¾/|: 人的基础上 Γ·发; Ιί 丫双极性离 化力 . 可同时将 品离 f化形成 ιΙ·:、 ft离子。 Huang H;人 i: nano-ESI 源的 ½础 上加以 ΛϋΙ:, 通过脉冲高压诱导力 茯得了样 的双极性离 f。 Nishant Chetwani[3,4】Ai人也进 厂类似的研究. 斤发出一种新 的 频交流 场 SI ¾!, ¾丁 投式获 极性离!'、 性离于通常采 ^'种 同的止、 ¾¾f投式分別进 /½测。 » -;[¾"> 也仃研究人 致力 Γ·ίί·¾ 极性离 时检测的^法: 01^[5] 人¾ 一种½ 极性泰勒锥的 WKtt.离子同步检
Tsai[6]if人开 ¾ ί 巾基了 -双极^ '时问检测器( TOF) ff^乂极性离子检测 , 并屮 I'+li ; t 利。之前的 I:作 利 两袞质 质 :分折器进 ί」'Ίΐ:&¾ ·的分別检测: ^ 足一套质 质 W:分 析器两次质 ^分析, -次分析 II:离 r- -次分折负离 r-,现仃处理力-式¾采川不 M操作参数分別进 ii:离 校式 测和负离 -模式检测, 得除一种极性 J'-的怙况卜继续进 ί』·
致样品 j :增人、 检测效率降低。
发明内容
本发叫所 解 的技术 M题 服现仃技术的 i:述缺' 'Λ. 提供基 Γ离 阱的 极性离 f-^y^'-j 检测装 S和//法, W以实现' (:相离 j'- ": 'f¾屮 . m ί 物离 f的 Μ时监测丄 j分析.. )■ 次质谱分析 M时检测 ii:负离 , u 次忭分离和检测 't:物 t ',中的 ιΐ·:负离 减少样品 :, 捉 ή 分析速皮, 品定 ¾分祈准确忭。
根据本 叫的第 -方面. ti j' 种 离 :离子分析' jn'ii的装 s 包 M: f 阱, 离 个屯极: !'li)k源 、RF'), ΙΙΠΆ^ j'-阱的 极施加^频 Ik (V) 以形成射频
'ίΐ场: i'i流 I U、源, Μ-ΓΓ·给离 f阱的小卜'': 极施加 ιϊ.流1 i;. (u) 以形成 tt¾'j 场, 位丁 Ί Γ阱' I1 的 :离子和负, 屯场作 J卜 分离: 1:|1:,'¾ Λ'Ι'ϋ的离 f阱的 极外& ϋ检测 il. J'.的
第一检测器: 负离 ί 射的离 -阱的 极外设置检测 ί , 的第 ....―.检测器。
"j'选杼地, ½ r离子阱的双极件离 f分析 4/检测的¾¾' -以采 UJ_ 级场 t'i.流屯压检测投式。 所 述离子阱的不 1' ."J 极为离 f阱 M ·轴 |nJ的两个不同 I 极, 所述给离子阱的不 M 极施加 K流 liiik以 形成偏置 场为给离 f阱的同一轴 1 的 个不同屯枨分別施加人小相 不 M 极性相反的 流 屯压和负 A流 以形成 ifia!u场, r离于阱屮的 ||.:离. 和负离子在 « ft' 场作 卜发 :分离 分别向1 n 极忭相反的屯极 ¾近, i 离 f向施加负 ί'ί.流电/κ的屯极靠近, 负离于向施加 ϋ·:ώ流
Jk的电极 ^近。 所述双极性离 f分析 检测的装 ¾':还包 W激发交流 压源, t:il:离 f和负离 j tt I 场作) I J 卜.发 '\-分离之 Γί, 激 ¾交流屯 J V,源给所述 1' 'J .轴向的两个不 ti极施加激发交流 I li , k (AC) 以形成激发交流 场, 分离的 Ιίϋ和 ί¾( ί'/ΐ:激发交流 iU场的作川 卜-分别从离 f阱的个 屯极出射, 离于阱, ^所述离 f阱问一轴向的 W个小同屯极上冇 11, 所述离子从所述』ί·Ι I 出射; 止离 f从施加负 流电 I k的 I 极端出 it-被 ¾ -检测器检测, 负离 ·从施加 £ '—流屯 I Κ的 I li 极端出肘并被 '.检测器检测。
所述 ι ι'ί.流屯 的初始伉为 5 伏, 所述负 .流 的仞始佰为一 5 伏, 所述 i t'流 和 ίΛ ί. 流 压的 描逨度为 1000伏 /秒: 所述激发仝 '流 )1、:的巾 M 20伏、 频率 300000 Hz; 所述襲 屯 :的初始 L 幅度为 380伏、 频率为 1000000Hz, |描速度 1000伏 /秒。
可选杼地, >ί Γ离 f阱的双极忭离 f分析 检测的 ϊ¾可以采 W四级场 ΙΪ.流 ill压检测投式。 所 述离 f阱的 I'ijili极包括离子阱 y轴 ^的两个 ill极和^ 阱 X轴向的两个 ill极, 所述给离 阱的小 M 极施加 Γί流 以形成偏. 场为给离子阱 y轴 |1的 W个电极施加 ·人小相 的负 ί'ι.流屯 k和 给离子阱 X轴 的两个屯极施加 -人小相 的 ιΐ·:ι.'ί.流 υκ, 由所述负 ΐί.流 ii k和所述止 a流 i )k形 成偏置屯场, 所述负 ι'ϊ流^ K n所述 iiHt 的幅 相 不 , {、',:丁-「 阱屮的 ii离 f-^wA! m f在偏 场作) IJ卜发生分离, 使 i kx轴力 M被 缩, 负离 hy轴./ 向被 ¾缩: )IJ所述 「1:流屯 ff.Hi /式和所述射频 i描/ J式,增人所述 ΙΪ.流 压的幅度和增人所述射频屯 , li:离于 Λ X轴 ^被压缩的 'f?人, ft离 y轴 被 缩的 增人, :离 f倾向 J .从 y轴 方向出射, ί'-倾向 Γ从 X轴 7/i"川 i!W. ^所述 , f离汁. xy 定「x )t:fr: -个 —向 卜.的 动 幅不断增人 ifii弹 ij'i ί I Ϊ离子阱 , LI: V从 y轴 j向弹 ¾■: . ¾ ι'^' 从 χ轴方 Ιί·]弹 Ή ,
对 级场 t'-ί.流 k检测 t :式的 ¾t Γ离」'·阱的双极性离子分析 检测的装 3S 可选抒地, 所述负 R流 ) K和所述 流 ι^ 的 fri/^'J以相 , 所述 iu'i.流屯 ¾和所述 !1: ^流屯 的幅皮为 U, 所述射频 ililk的幅度 V- ϊ: U, V 定时, 让:「 ΠίΛ, ·按其质 比 1''」分別排列丁 il:离】' -操 作线和负离 保持 Li/v小¾1"']时增人 U、 V 'iilkii'i, 止离 f沿 il:操作线 进, (-·ά ft操作线 ι)ϊϋί·. 'ι所述离 f离玎 ·χ>'ϋΙχ时.其 |: - H I二的 动振幅小断 人 ιίυ'弹射出离 ·阱。
对 I · ¾川叫级场 ι-ί.流 L ffi ½ ή式的 ¾ Γ离 -J-阱的乂乂 \-离 分 fir 1 J ½测的装 ¾ , 可选 地,
还 ϊ' 以包括激发交流电压源, 在 1.1.·离丫-和负离 · J 土偏 :屯场作 J卜'发生分离之后, 激发交流 ik/k源 给所述 X轴 ' ' 的 个不同电极和 y轴向的 个不 M!li极施加激发交流 ) f、:以形成激发交流 ik场, 在形成激发交流 场 , ^ι 离 Πιΐ:操作线前进达到 AC激发线时, 发' h共振弹射出离 阱: 负离 ·"-沿负操作线 Ιΐίί进到达 ί¾离 ί AC激发线 , 发^共振弹射出离 f阱, 中 AC农小 交流屯 、:。
所述射频 l ^的初始 380伏、 频率 1000000Hz, 描速度 1000伏 /秒; U/V fit为 0.075; 激发夂流 i[^k的幅度为 20伏、 '¾ i,¾ 310000 Hz,
根据本发明的第 :方面, 提供 '种¾ 离 ·阱的双极性离 分析 检测的力 '法, 包括: 给离 f阱的 极施加射频屯压以形成 W频 i 场: 给离子阱的小 l 极施加 ΐΐ流 以形成 tt iLi场, {>/. Γ离子阱屮 if^l:, f和负离 j d-:«W 场作川下发' t:分离: 止:离于从 11:上施加 ^负极性¾流 :的 电极端出射 被 ^测, 负离 f从 Κ I·.施加^ i 极性 流 I H、:的 极端出射 ji被检测。
可选抒地, ½ Γ离子阱的 Λ极 tt:离 f分析 检;则的 -法 ^以采 ―级场 ί.流屯压检测投式。 所 述离 阱的不 Mi 极为离子阱 Μ -轴1'4的两个不 M 极, 所述给离/阱的不 I Li极施加 流 ) ι、:以 形成偏 场 ii 给离子阱的「] -轴向的 个不问 极分別施加人小相 ^小^ Hii极性相反的 i t'i 流电 ΓΚ和负 ι'ιΊί 以形成 fti^li场. 位 ]'离于阱屮的 II:离 和负离 - I;偏 Ά1屯场作 卜发' t分 ΪΤ分別向 ^ΪΙίί极件相反的 极^近, il:离子向施加负 ι'ί.流 iliff.的 极 ¾近. ί¾离子向施加 ιΙ·:ϊί.流 ililfi的 极 ';近: 给所述同一轴向的 个不同屯极施加激¾交流 压以形成激发交流电场, ^分离 的 离子和负离 激发交流 ill场的作川 卜'分別从 K J '阱的不冋 极出射, 离 J「离亍阱, /|:所述' f-阱同一轴 的 个不冋屯极上 Πί·ΐ I, 所述离 f从所述 「U出射: :离 ·从施加负良流 II:的屯 极端出射 ―被½«, f 离 f从施加 II; ί.流屯) 1;:的屯极端山 并被检测。
所述 ι ιΊ:流 lii 的初始位为 5 伏, 所述负 i.流 i k的初始伉为一 5 伏, 所述 II: ^流电 ff.和负 r'i. 流 ili压的 1描迚 /¾;为 1000伏 /秒: 所述激发交流 i、的幅 ¾ 20伏、 $ ;y-J 300000 Hz; 所述射频 i n;:的初始 幅度¾ 380伏、 频申. ¾ 1000000Hz, 4 I描速 1000伏 /秒。
π丁选抒地, ½ Γ.离 f阱的 W极 fk离 f分析 检测的 '法可以采川四级场 t'i.流 检测投式. , 所 述离 · 阱的 ΙΦϋ极包拈离子阱 y轴 的 个 极和 ' Γ·阱 X轴向的 个 ili极. 所述给离 ί'-阱的小
Μ电极施加 ι'ί.流 iijjK以形成 itt'^ii场为给离子阱 y轴 1'',]的 w个 极施加 ·人小相 的负 k和 给离子阱 X 响的两个 极施加 人小 +11 的 ιΙ·:ΙΪ流 i k, 由所述负 ίί流 iti) 和所述 iJ」 流 i lk形 成偏 i 场, 所述负 t¾流屯 ffi和所述 ι ίί流屯 ¾的幅度扣 不 . 位 Γ^ ·阱屮的止离 f和 离 ttSili½i1")IJ 卜'发 分离. 使 :离 i i: X轴 缩, 负离于 i: y轴 ―向被 缩: ¾川所述 ιϊ_流屯 ii.: I描 /JA和所述射频1 Ll) I描 增人所述 ι'ί.流 F的幅; 和^人所述射频屯 的幅 /_¾:, £离子 ύ; X轴 被 ίΚ缩的 i 人, i'L离 y ill! 被 缩的 ¾度^人, :离 i1倾向 Γ从 y轴
方向出射, 负离于倾向丁-从 x轴 向出射, 当所述离于离开 xy稳定 时, 其在一个方向上的运动振 幅不断增人而弹射出离子阱, 正离子从 y轴方向弹射, 负离子从 X轴方向弹射。
对 采川四级场 K流电压检测模式的基 Γ离子阱的双极性离子分析 检测的方法, 可选择地, 所述负 ΐί流屯压和所述止 ΪΤ.流屯压的幅度相 ;, 所述负—宵.流电压和所述止直流电压的幅度为 U , 所 述射频屯压的幅度为 V; 在 U、 V—定时, 止离子和负离子按其质荷比不同分别排列 T止离子操作 线和负离 操作线 保持 U/V不变间时增人 U、 V屯压值, 止离于沿止操作线 ήίί进, 负离于沿负 操作线前进, 所述离子离开 xy稳定 K时, 其在一个方向上的运动振幅不断增人而弹射山离 f-阱。
对丁 ·采 四级场 流电 ff:检测投式的基 T离子阱的双极性离子分析 检测的方法, 可选杼地, 给所述 X轴方向的两个不同电极和 y轴向的两个不同 极施加激发交流屯 ffi以形成激发交流屯场, 在形成激发交流电场后, 止离 沿止操作线前进达到 il 离于 AC激发线时, 发生共振弹射出离 f 阱; 负离 f沿负操作线前进到达负离于 AC激发线后, 发生共振弹射出离 /·阱, 其中 AC表示激发 交流电压。
所述射频电压的初始电 幅度为 380 V、频率为 1000000Hz,扫描速度 1000伏 /秒; U/V值为 0.075; 激发交流电 ) 的幅度为 20伏、 频率为 310000 Ηζ。
根据本发明的第二方 ι¾提供了 种双极性离子的多极质谱分析力-法, 包括:
先, 给离于阱的电极施加射频 的初始屯 ffi以形成射频屯场; 给离于阱的不同电极施加 流电压以形成偏 IMi场, 所述离 f阱的不同 极包括离子阱 y轴向的两个电极和离子阱 X轴向的两 个屯极, 给离子阱的不同 极施加 流屯 以形成偏. B!屯场包括给离亍阱 y轴向的两个 极施加一 人小相 的负 _ 流电 FR和给离子阱 X轴向的两个电极施加一人小相 的 流电压, 由所述负 流 电压和所述止 S流屯压形成所述偏 ffi屯场; 所述负 ΐί.流屯 FR和所述止¾流电 ffi的幅度相 不 , 位丁 -离于阱中的止:离于和负离子在偏 . 场作 下发生分离, 使止离子在 X轴方向被压缩, 负离 f 在 y轴方向被 fR缩,
然后, 在离 阱的 X轴方向的 极上施加多通逍宽频激发交流信号 ( SWIFT waveform ) , 使被 选抒的离子处 T稳定 K, 其他离子被激发弹射山离子阱;
接着, /士:离 f阱的 y轴方向的 极上施加多通逍宽频激发交流信号, 从稳定存储 Γ离子阱中的 离子进一步确定所选离于, 使所选离子处 Γ稳定 IX:, 其他离 ·被激发弹射出离十阱;
然后, 采 ·ιυ前面所述的任一基 Γ离 f阱的双极性离 f分析1 j检测的方法对存 ί Τ·离 f阱中的所选离 子进行 极性离- f-分析 - 检测。
根据木发明的第四 ί面, 提供了一种双极性离 f-的多极质谱分析方法, 包括:
首先, 给离子阱的 极施加射频屯压的初始电 j k以形成射频屯场; 给离于阱的不同屯极施加 H 流屯压以形成偏― 电场, 所述离 f阱的不同 i极包括离 f-阱 y轴向的两个屯极和离子阱 X轴向的两
个电极, 给离 f阱的不同屯极施加 Γί.流 以形成偏 'ftili场包拈给离 阱 y轴向的 W个屯极施加 · 人小相 ^的负 |'|:流屯 Ηΐ和给离子阱 X轴 的两个 极施加 ·人小相 的 il; f'i流 iliii、:, 由所述负 ί.流 屯 Jt和所述 ι ί'ί流 压形成所述偏 'i 场; 所述负 ί.流 iliH、:和所述 iH i:流屯 )K的巾 度相 不 , 丁 -离子阱屮的 II:离于和负离 itt'^ti场作 HJ 卜- ¾' 分离, 使止离 / 十: X轴方向被压缩, 负离 ί'- i:y轴方向被 K缩,
然 M时 |:离 -阱的 X轴 ^的 iU极 h施加多通; 宽频激发信号和 :离 Γ·阱的 y轴方 [【'']的 极上施加多通逍¾频激发信 ',」, 使敁选抒的离子处 Γ X:, K他离 ·被激发弹射出阱:
接着, 采川 i]y [in所述的任一 >>*- J - r¾ 阱的 «极性离 f分折 ^检测的方 对 储 Γ离于阱 ή '的所 选离 进 ^双极性离 f分析 检测。
根据本发明的第 方面, 捉供丫 -种双极性离 的多极质 i?f分析装 '½, iiiii:
射频电 ^源, 给离于阱的屯极施加时频 LU (的初始 i|i) 以形成射频电场:
流屯 源, 给离 ·阱的小 I'ijiU极施加 ϋ流 L H、.以形成 «1*电场, 所述离 f阱的小向屯极包拈 离 f- y轴向的 个电极和离子阱 X轴向的两个屯极, 离 /阱的不同屯极施加 ΐΐ流 以形成 itt
¾电场包拈给离 f-m y轴向的两个 iu极施加一人小相 的负 Pi流电 和给离 X轴向的两个 极 施加 人小 +11 的 il: 流 压, 山所述 ίύ ί流电) 和所述 il ^流电 IK形成所述偏 电场: 所述负 ιϊ. 流电) 和所述 iHi'^ili/k的幅度相 ^小 , 位 Γ离 阱屮的 ^离于和负离 j tt 电场作 HJ 卜' 牛.分离, 使 J' fi 轴方向被 i .缩, 离于在 y轴 // 被 缩,
激发信 ' 源, t; :离子和负离 偏 :电场作川 卜'发 .分离之 , 激发 ί,ϊ'')源 先给 A离丫 的 X轴方^的电极 k施加多通道' !¾频激发 ^号, 使被选抒的离子处 'Γ·稳定 Κ, :他离子被激发弹 出阱: 然 Γί, /i;离 f阱的 y轴方 的 极 h施加多通 宽频激发交流 , 从 ί定存储 T离 阱' I' 的离 ί'-进 -歩确 ¾所选离亍, 使所选 ^ .处 y- ^ , 他离 被激发弹射出阱;
前而所述的仃: 离 f阱的 极件 分析 ½测的装 , 所述 ¾ r离 J'-阱的双极性离 ·分 析 'J检测的 ¾¾'MJ Γ对存储 Τ·离 ·阱屮的所选离 ·ϋΗ」'· 极忭离 f分析 检测。
根据本发 iijj的 八方面, t¾fjt f -种 W极件离 ·的 极质 i'分折装 :
射频 I ) k . 给离 f阱的电 w施 /jii肘频 的n始 I yj k以形成射频 I 场:
S流^ k源, 给离子阱的不 iw'j屯极施加 流电 H;以形成 «. 场, 所述离 f阱的不同 ill极 拈 离子阱 y轴向的 M个 极和离子阱 X轴向的两个电极, 给离 f阱的不 Ι;ί] 极施加 流屯)十、:以形成偏 ΐΜΐ场包拈给^ f阱 >·轴向的两个 极施 ¾υ· -人小 的 ι'ί流屯 和给离 Γ·阱 X轴向的两个 施加一人'」、相 Λΐ的 ι ι'ι:流 ili , Πι所述 π'ί.流屯) k和所述 ι ιϊ流电 形成所述 场: 所述 流屯 和所述 ιΐ·: ί.流 的幅 ¾4ΐΓ:ϋ小 , 位 r离 η屮的 ii:离 f和负离 r/htts:电场作川 卜'¾;
'k分离, 使 i li X轴方向被) k缩. ί/Ί,¾ Ι± y轴 Ά被) 缩,
激发信号源, A-:止:离 f和负离 f t:tt¾电场作川 卜'发 :分离之后, 同时 离子阱的 X轴方向 的电极上.施加多通道宽频激发信 和 h离 f阱的 y轴 ' 的 ill极 h施加多通 宽频激发信 , 使被 选抒的离 -处 J.U 其他离 f被激发弹时出阱:
前面所述仔 « Γ离子阱的双极件离 分析' 检测的装 S1, 所述基 Γ.离 f阱的 极性离子分折 '-J检测的装¾川 Γ对存储 Γ离】'·阱屮的所选离 进 H极忡离 f分析 检测。
现^技术相比, 本发明 fHj如卜优点和有 效 i :
本发明捉供的 Ϊ- 阱的 极性离子分离 ft测装' 和 //法, 实现了 -次性分离和捡测 t物 申 中的 :、 负, ί、 "ί应 f-阱及二维离』'·阱屮。 本发明 ii离 ί'-反 ι、ν:过 w屮的 止负离子同时检测的! I的, ^ H ;:的 时, 也可以拧制离 f反应进 。 采川的乂极性离子分析 投式, 使检测过^中的复杂 iL:负离 f反'、:及双极性离 多级质谱分析成为 ι'Γ能, 所获得的双极性 质 常规质 相比, 增加 离 -极性的第 3维 现冇技术 ffl比, 将 :、 负离/ -投式的 M时进行, 使 -级质谱的分析速 ^捉 -倍' 而样 1U【,!:减少 50%。 本发 减少了样品 极件选杆 过^中的¾托, 效 ¾¾定^检测的准确性。 在 ίΜΓΐ质柃测的^ 4沖, X乂极忭投式可提高不 Μ极性 肽段的覆^率, 使数据1^比对结¾^为'11^。
附图说明 应说明的^ , 卜而描述中的附 |仅小 地示山 J' - 施例, 并没仃包 W i "可能的实施例。 m la小出 j'的双极性离iVt:没仃偏 Ή屯场作 4J卜均 讣布 ft离 f阱屮的小', ':1 :
lb ΙΙΪ 双极性离于 ιΐ偏 'fi 场作 W卜'发'卜:分^的小 H
阁 2a ill 2b小 Ί'Ι',了 -:级场 ίί流 i ;柃测投式的 t'i流 i ;的高低对乂极性 J'-分离的影响; m 3小出丫根据本发明实施例的 :级场 A流屯 :½测投 的示意图;
m 4示,' || 报据本发明实施例的离 /"·阱稳定 n:i
m 5 ΆΙ', /报据本发明实施例的叫级场 a流 检';则投式的原理小'意1冬 I:
m 6a illl^l 6b小 ·!Ι',了根据 4、¾^ΐ施例的 级场 ΙΪ.流Ιΐ) .柃测投式的小
7a Ι¾ 7f为 级场 .流 lk½;则投式卜.' :级质 选扦性操作^ ,'3、 ;
8a糊 8b分別为二级场 ίί.流 检测投式¾施例屮仿 Κ离子出时轨迹和质谱^ 阁 9a頻 %分别为为四级场 Γί.流 11、.检测投 施例屮仿 离 i ii X轴 和 Y轴向的 ill 轨
. 。
具体实施方式
¾使木发叫的 11的、 技术/ /¾和优点 加洁楚, 卜 liii^fy附图描述本发明的小例性实施例的技 术方 ¾。 然, 所描述的实施例 ^木发明的 部分 施例, ιίιϊ不是令部的 ¾施例。 所描述的实施
例仅 HJTffl示说明, 而不] έ对本发明范 的限制。 ¾ Γ本发明的实施例, 本领域 通技术人员存:没 仃作出创造忭 ')y动 提卜所获 的所仃 π:他实施例, 都 Ί'4 J'木发明保护的范 Π;1。
为了叙述, 'ίΐ, 本文中所称的 "X轴"、 "y轴" 6a屮的 "X轴"、 "y轴" 方向一致, "x"、 "y"的定义 'j l'iifjA 标系〉 义相 fiiJ†不对本发 i'川 ' 构起限定作川。
(J其他质 ½检测器相比, 离 f阱 jL i体枳小、 分辨申 特点, 特别迠川 种样品的 级和 多级质谱检测。 山丁其 J1.冇的诸 优势, 本发明 i U了 Γ离子阱的双极忭离子分析 4检测的 技术方案. "J 次质¾分析冋时检测 il:负离子, 例如, .迠川 Γ线性离子阱及 :维离子阱。
根据本发明的 ¾施例. ·Γ·离 ·阱的双极性离 f分析^检测的装置, 包拈: 离子阱, 离 f阱 拈多个 极; 射频屯 )k源, 川 Γ给, Γ·阱的屯极施加 频 以形成射频 场; "流屯压源, 川 Γ 给离 阱的小 i 极施加¾流 1;以形成偏 场, 位 J-,¾ ·阱中的 il:离 f和负离丫' /土偏¾'111场作 川 卜 -发土分离: ιΙ:离 出肘的离 ·阱的电极外½ 检测 il:离子的第 -检测器: 十:负离 Λ'Ιί射的, ' f阱的屯极外' ΰ¾检测 &离 i-mv:检测器。
根据本发明的实施例, ¾丁离 阱的双极性离 分析 '·」检测方法包拈: 给离 阱的屯极施加財 频屯压以形成射频 |{1场: 给离子阱 1¾不 ^ 极施加 ί流 lUik以形成偏 3:屯场, 位 Γ离于阱中的 II:离 ί'-和负离子 场作川 卜'发 分 -; II:离子从 K- I:施加 负极性 1:流屯 )Κ的 极端出射并被检 , 负离子从 : I ·.施加^ 11 ·:极性 I' ί.流 I U I k的 I tt极端! I i j ί'被柃测 ^
作 ¾木发 "I]的 ΠΓ选实施例, 本 ¾ n)j的 >ΐ丁-离子 的 α极 n.离 f分析 ^扮测装 ¾和方 w以 ¾川
.级场 流 )1::检测投式 四级场 ι'ι:流 检测校 Λ, 卜 ιίιί将结 附阁对 ϋΗ/描述。 ( 1 )
:级场 Κ流 k½测校式
:、 负 W种离子产'上后. 川^极性离子传输 ' 将离 ί·导入离 阱, 乂乂极忭离子 0:^频' lL 场作 W下均 ^分 ft离 ί·阱屮, 如 la所小。 励, 以迪过射频 源 RF给离 f阱的 极施加 財频屯压以形成 ^频屯场。 W极性离 Γ·ίϋ括 II:离 , ί- 細 la中, /h离 f阱的 极上没^施 加 .ί.流 iJk DC, i i 轴 li'j的 W个 同屯极 I .分別施加人小相 UHHi极性相反的 [流 ikDC, 形成 ·itt' 场, ii:离 ί·和负离 ±此偏 ¾'. 场作 llj卜发尘分离, 极性相反的 个¾ 近, II:离 向施加负的 流 :的 ill极 ^近, 负离„施加 £的 .流 ili/k的 极 近,
lb所 'J"
ΙΪΙ 2a和 2b小 丫 级场 流屯) 1;:½测模式的 ίί.流 ' H; DC对双极性 ¾ Γ·分布的影响。 2a 和 2b所^, Bii ff l' 流屯 DC的 Jfi人. X乂极性ϊ¾ ·的分 ^逐渐增人, +Π&极忭屯极问的 ^ 逐渐减小, 山此 ¾ 射的概牛¾之^人.,
3 小 †u据本发明实施例的 :级场 ύ:流 11..检测投式的示意阁。 ni¾ 3所不, f-m¾
.轴向的 rt.个小 |.;J ill极 卜-分別施加人小扣 不^ i 1 ½'「k W反的. 流 ) k DC, 形成一偏 i.U场 , 例
如通过 . 流 ' rn源给离十阱的 ' x轴 li'j的不 极施加人小相 不 ^ίΐι.极性相反的 流屯 :
DC, 形成 «ft'ju场。止离子和负离 I:此偏 a:电场作 J卜¾ ^分离, 向1 ji'i 极性相反的 极¾;近,
11:离于向施加负的 流屯 (K的 极 fr:近, 负离十向施 jllil:的 ί.流屯压的 极 Vf':近。 1¾冋一轴 的小 屯极外分別 检测器。 ^:11;,¾ nilft离子上 ift' ili场作) IJ卜发 ΐ分离之 ίΰ. 在同一轴向的不 Μ 屯极施加激发交流 /K AC,则 f从负极性屯极端出时并被检测,负离 f从 ffl反 向山射及检测, 即实现双极忡 f的分离^检测。 例如通过激发交流 ili)k源给离子阱的问 · X轴向的不同屯极施加 激发交流电 H;以形成激发交流 i 场. 分离的 il:离 J ' , 】'·/十:激发交流 场的作 W卜'分别从, ί 阱的不同 极出射, ί¾开离 阱。 11':^ J'-从施加负的 ί_流 的屯极出射, iJ J'-从施加止的 Ι'ί.流 iliJfi的 极 射。 例如, 在止:离 ri W的离于阱的 极外 检测止离 f的 检测器, {ϊ-.ΙΛ^ f
! 1 ',射的离亍阱的 I li极外 ¾ - 检测负离 (-的第 -检测器。
了能 U:离 j'-出射, 施加所述 t'l:流 L W的离 -轴向的 个不 Μι[ι极 ί·. 开 u, 离 f从 所述电极上的 1 射。
(2.) 级场 ί流 l ffi检测投式
离于 1:离 f阱屮的 ½动轨迹 ';/ Mathieu方 ft VYj' 形式,可通过求解 athieu力 ί'进行理论推 导, 满足以 卜 -阶微分方 ί :
其屮 u为离 Γ·阱屮离 ½动轨迹, u jx, y, ζ, ξ 频 ik) 的角频率 Ω相. X;的参数 (ξ=Ωί/2). t ¾时间, 参 ¾a„ 、 q
u为別;j:
R:中 e ri ffi, m为离子质! t!-. r,> 离产阱 'Γ· Ω为 频 :的 ft频申, V 时频 幅 , υ ¾ ΰ流屯
通过现论 知, 参数 a,, 、 q, ^足 定 i 'W. ¾f以一定振幅 h¾ f阱屮^动, 处 ¾ iii状态。 以 q„为横坐 、 为纵 作 将符 条件的 域称为 ¾'ίΚ。 使离 ffr:X方 Ιίι】 的部分为 使离子 '向 定的部分 ¾y ¾ , χ稳定 IX '-J y稳 ^:的交 ·为 xy ½ x
定^,如^ 4所小。
5示出 /fti据本发明实施例的四级场 Ώ:流电k检测校式的原理^意^。 \ 5中, 四条边界
ΙΐΙ成的 域为 XV ίί'、定 , 稳定 储 f阱中的离 Γ·处 Γ· XV稳定 中。 通过 Λ变 ν、 υ可以 a„、 q„数 it'i, 使, 处 Γ不同的 状态。
在没 H离 /·阱的 极施加 ί流 lU)K的怙况卜', Ι'ί.流 ffi幅 U为 0, ¾据公式 (2) 可 1, a„ =0, 离 和负离 f 横坐标 qu 1·., 如 | | 5中的 Λ·:边部分的所示。
在给离 f阱的屯极施加良流 的怙况卜, 不 ); r o。 在 u、 V --' 时, ili离于和负离 f按 ίΐ质荷比不 M (1人1 —其 、 q,,ii.不 |_j, )分別排列丁 d: f十 H1:线和负离丫操作线卜.. 例如保持 U/V 不变同时增人 U、 V屯R值 (即按操作线 描屯压). 致 a,, 、 qJS增人, 如^ 5屮的右边部分的 所示, 止:离 f沿 II:操作线前进, 负离 负操作线 liii进, '''I离子 au 、 q,,il'ilii出 ¾定 时, R:/t: --个 一向 k的 ^动振 fe不断增人 iiu弹 II离 J'l
ΰΓ选抒地. 以采 W U/V Nj'i^'j时增人 υ、 V lillkifl (即按操作线 |描 Η;.), 导致 、 qu 值增人, il:离 fH:操作线前进. ft离 f沿负操作线 ¾进. 离子 、 qufl'i超出 xy稳定 时, II <:一个方 l('J I -.的 1ώ动振幅不断 J 人 lilj弹肘出离 f阱。
例如, "ί以通过激发交流 i f;:源给离 f阱的屯极施加激发交流屯 H;: AC 以形成激发交流 场 ., 施加激发交流 ill)K AC fn. 'ii ^ΛιΙ:操作线 ti'j'进到込 il:离 f AC激¾线时, 发' ll共振弹 出 ,¾Ύ阱; "Ί i >负操作线 t'liiil:到込 ft离 f- AC激发线时, 发 ΐ共振弹射出离子阱。
稳定存储 Γ离子阱中的离 处 Γ· xy ¾定^屮, iJA变 V、 U "T以使双极件离子沿不 I')]操作线 。 例如, 沿 操作线 描的 ¾离子进入 X不 ¾ , ^致其在 X 振幅增人, J - 从 x方向山 则沿 il:离 ·ί 作线^描进入 y小 -, 倾向丁从 y -向山射。 通过时顿 ¾和/ 激¾ 流 11;: AC使 ί·和 ¾离子分別从 y、x 向出射,实现^ (极性离 '的分离'
6a, 6b 小出 Γ根据本发叨¾施例的四级场 ίί_流 测模式的小β Ι。 如阁 6a、 6b所小, 离十阱 y轴 的 个 极七施) JI1 -人小相^的负 i'L ' Π、:, 在 X轴 ii'j的 W个 极
-人小川
Λΐ的止 t'l:流 11-., 形成 -偏 ¾ 场. 1'1:流' 压和 i l'l:流屯) k的幅度" ί以扣 成不 。 《极忭离 Γ 4:此偏置 场作川 卜发 _ 分离, i'iiil:离 -1¾ \轴 ^」被)1;缩. Hf :y轴 被 缩, 如^ 6a所 小-。 例如, 采川 U/V 定值的力 进 i l描, 保持 U/V小变 Μ时增人 U、 V ik 值,^致 、 ς,,ίι'ϊ 人, 双极忭 各 Π '向 缩 度增人, 倾 Γ从 不同的轴向出射。 /+:x、 y轴力-向分別 置检测器. 施加激发交流 AC. 则 ιΓ.极性 从 > 轴方向出射 】被检测, 负极性 ,¾Ύ·从 X 轴力―向山財¾^测, 即实现《极性¾ J' -的分离
1; /检》, 如 l 6b所示。
例如, 通过 ί.流 iliffi源给离 轴向的 W个 极施 (Jii 人小相 的 ίΰ ιϊ·流 、 .和给 X轴向的 W个屯极施加 人小相 的 ι:流 以形成偏 场, II:离 和负离 场作川 卜发' k分
离, 使^离子在 x轴方向被压缩, 负离亍在 y轴方 |0j被压缩。 如图 6a所示离亍云幵始均匀分布, 加 ώ:流 i)K 止离于云倾向分布丁-在 y轴, 负离 -云倾向分布丁在 X轴。 土 X轴方向设 a检测器, 在 y轴方向设置检测器, 止:离子从 y轴力向出射而被检测, 负离丫.从 X轴方向出射而被检测。
例如可以激发交流 i li压源给所述 X轴力 -向的 个不同屯极和 y轴向的两个不同屯极施加激发交 流屯压以形成激发交流 ik场, 在形成激发交流 场/ ΤΪ , "1止离于沿 操作线前进达到 离于 AC激 发线时, 发 .共振弹射出离子阱; 负离子沿负操作线 liii进到达负离子 AC激发线后, 发生共振弹射 出离 -阱, 其屮 AC表不激发交流电 W;.。
为了能 U:离 出射, 在离子阱 y轴向的 | 个 ill极和 X轴向的 个 ik极上. 开口, 离丫-从所述开 口出射。
在四级场 .流屯压检测投式卜', 也可进行有选杼性的 级质谱操作。 根据离子阱理论, 通过调 四极射频屯压幅度、 射频屯 1K频率、 ΰ:流 iliiD f阱尺寸, 使离十在 X y 向的 动频率可 控。 基 Γ此, nj利 多通道宽频激发信 ^选择任意极性. 任意质荷比的离于作 Λ母离子进行」级 ' J 多级质谱分析, 尤其适用丁 ·ΐ 仃相同质荷比但极性不 M离于的分别检测 (如图 7a至 7f)。 四级宜流 屯场首先可以控制 -个离子在 X方向1 j y方向的 1 动频率, 使得其频率值不 成相^, 其次可以控 制不 M极性的离子在 X方向" ' j y方向的 ½动频率. 使得其频率值不 成相^。 这样就可以实现相 In] 质荷比不同 i ll荷极性的离于 X方向和 y方向 J1.仃不同成相同的 动频率, 它们 j 不问的 ^ 动频率时, 就可以实现它们的选抒性分离 分析 例如, -实现方式为:
在 -级质谱的基础 h , 首先在 X轴方向上施加多通逍宽频激发夂流信号 AC, 使被选抒的离子处 丁 -稳定 , K-他离亍被激发弹射出离子阱: 接着 y轴方向 I:施加多通道宽频激发交流信 '·} , 进 - 步确定所选离 ί、 排除 Τ·扰离 ·/·。 经过选抒过 获得的母离 f进行二级质谱扫描, "了获得特定质荷 比1;;极性的离子质谱图。
卜^ ¾合附图 7a 7f描述 /|:四级场— :流屯 、:检测投式下选抒性的多级质 if^分析的实例。
如图 7a所不, 在 U/V比位 - ·定时, £负¾ ί'_桉風:质荷比不问 ( al( 、 qJ 不问) 分别排列 Γ两 条纖!二, 尽管作为例子十:阁中示 ,中,了在 XY稳定「X:中打5个离子, 其中二个止离子 (位丁 qu轴卜 方), 二个负离子了 (位 i q„轴 I . /J ), 似足本发明不 ½限丁 5个离子。 MT以采 W例如本发明任 丁离子阱的 极性离子分折 检测的装 、 //法 现 技术仃何方法对 IS 7a所小霍丁. xy稳定 的离 ί进 ίί· ·级质谱分析和检测, 1冬 I 7b足一级质 i' 分析和检测的质 姻, 土图 7b中, 十:横 标的 上方 离 f的质谱 I冬 1, 横坐标的 卜方 负离子的质¾图。 其屮 au 、 qu为离 f阱稳定性图中的纵 ^标和横坐标。
£- -级质 i?f的基础上, 4以进 二级 多级质谱分析, 如附图 7c 7f所示。
首先, (a ) 给离于阱的屯极施加射频电 /k以形成射频屯场; 给离 f阱 y轴向的 个屯极施加
人小相 ^的负 ¾流电压和给离于阱 X 轴向的两个电极施加一人小相等的止 流屯压以形成偏 ! 场, 位丁离子阱中的 ιΙ·:离 和负离子在偏!: 场作川 卜'发生分离, 使正离 f 4: X轴方向被压缩, 负 离子在 y轴 向被压缩, 所述负直流 压和所述 d: 流屯; K的幅度相 不 ,
然后, (b)在离 阱屯极的 X方向上施加多通道宽频激发信号, 则处 T激发信 ^区域内 (深色「< 域) 的离丫 、-稳定出阱, 处 ri 激发信号 域 ( 色 域) 内的离子稳定存储 Τ·离子阱中, 即实现 了一次特定质 ¾数的离于选抒, 如附 l 7c所示。
接着, (c)在离子阱 极的 y方向 h施加多通逍宽频激发信 , 则处丁 -激发信兮 域内的离子 不稳定出阱, 处于非激发信号^:域内的离 f稳定存储 Γ离子阱中, 如附图 7c所示。
综合 L述两步, /丄 x、 y两次言激发 域屮 (两次 色「x—域重 ·¾部分) 的离子得以稳定存储, 实 现了特定离于的选择。 如附^ 7d所示。
然后, (d) 保持 U/V定位同时增人 U、 V itiffitff. (按操作线^描屯压), 导致 、 qjfi增人, 图中 现为正、 负离子分别沿止、 负操作线前进, 离子 a,, 、 qu值超出 xy稳定 时, 其在一方向 h 动振幅不断增人而弹射出阱, 实现特定选抒离于的检测, 如图 7e所示。 m 7f示出对)、:ί·¾ 7e ift ,
作为可供选抒的方案, h述歩骤 (b)和 (c) 可以同时进行。
为充分说明本发明的特性以及实施本发明的方式, 卜 ΰΐί给出实施例。 ffl 8a和图 8b分别示出 f :级场 流 检测模式实施例中仿真离子出射轨迹和质谱阁; 9a和图 9b分別不出了四级场. 流屯压检测投式实施例中仿 离 f在 X轴 和 Y轴向的出射轨迹。
以下实施例均采 Matlab编^程序, ^进行离 f轨迹仿 ¾实验, 分别示出了质荷比为 180的离 子的 动轨迹, 质荷比为 -200的离十的^动轨迹、 质荷比为 300的离子的½动轨迹。
( 1 ) 二级场 流 压检测投式实施例:
仿¾实验参数: 选取¾子质^比为 180、 -200、 300 种离 · ·; 射频初始 i ¾ 380V、 1000000Hz; 流初始 ! ffi 5V; 描速度 lOOOV/s; 激发交流屯压 20V、 300000 Hz.
仿 fl.实验结 ¾: 如 8, 质荷比为 180、 300的, 子从 y轴负 ΐ·轴方向出射, 而质荷比为 -200的 离子从 y轴 11·:†··轴方向出射, 两个方向的出射效率均为 100%。
(2) 级场 ¾流屯压检测投式实施例:
仿 ft实验参数:选取离 ί'ϋ比 180^-200,300 ■':种离 f;射频 'li压的初始屯) Κ为 380V、画 000Hz, ^描速度 1000V/S; .ΪΙ流 ¾的初始电压为 28.5V (380*0.075), 描速度 1000V/s, U/V值为 0.075; 激发交流屯 H;:20V、 310000 Hzo
仿ϊ实验结果: 如阁 9, 质荷比 ΛΜ80、 300的^ 从 χ轴方向出射, 而质荷比为 -200的离/ -从 y轴力'向 Ji射, ιί;离 f的出射效率较^。
以 h对本发明的实施例的描述仅 丁说明本发明的技术方案, 而不 ^对本发明范 的限制, 本 发明力不限 7'·所公幵的这些实施例 . 本领域的技术人 可以对前述各实施例所记载的技术方案进 ίί· 修改, 或者对其屮部分技术特征进行 同替换, 而这些修改或替换都应落入本发明的保护范 I 。 参考文献
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