WO2014112198A1 - Itoターゲットスクラップからのインジウム-錫合金の回収方法、酸化インジウム-酸化錫粉末の製造、及びitoターゲットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
このスパッタリング法による薄膜形成手段は優れた方法であるが、スパッタリングターゲットを用いて、例えば透明導電性薄膜を形成していくと、該ターゲットは均一に消耗していく訳ではない。
したがって、使用済みのスパッタリングターゲットには多くの非エロージョン部、すなわち未使用のターゲット部分が残存することになり、これらは全てスクラップとなる。また、ITOスパッタリングターゲットの製造時においても、研磨粉、切削粉からスクラップが発生する。
このインジウム回収方法として、従来、酸溶解法、イオン交換法、溶媒抽出法などの湿式精製を組み合わせた方法が用いられている。
例えば、ITOスクラップを洗浄及び粉砕後、塩酸に溶解し、溶解液に硫化水素を通して、亜鉛、錫、鉛、銅などの不純物を硫化物として沈殿除去した後、これにアンモニアを加えて中和し、水酸化インジウムとして回収する方法である。
従来、この鋳造スクラップは塩酸溶解、pH調製、亜鉛還元、アノード鋳造という電解精製の工程を踏まなければ処理できず、コスト高になるという問題があった。
特許文献3には、化合物半導体用の原料として使用する高純度インジウムを製造する方法で、インジウム中に存在する正3価のインジウム酸化物を還元して正1価の酸化物に変成する工程、これを蒸発させた後、第2の加熱温度で、残存する不純物を除去する工程からなるインジウムの純化方法が開示されている。
特許文献4には、ITOスクラップからインジウムを回収する方法で、ITOスクラップを750~1200°Cで還元ガスにより還元して金属インジウムとした後、このインジウムを電解精製する方法が開示されている。
特許文献8には、酸化インジウム、酸化錫を含有する塊状物を還元雰囲気にて還元し、インジウム・錫合金アノードを製造した後、2回インジウム電解精製して、高純度インジウムと粗錫を回収する方法が開示されている。
特許文献9には、インジウムを陽極として電解することにより得た水酸化インジウムをか焼することを特徴とする、酸化インジウムの製造方法が開示されている。
特許文献10には錫を陽極として電解することにより得たメタ錫酸をか焼することを特徴とする、酸化錫の製造方法が開示されている。
これらは出発原料が金属単体で、それぞれの酸化物を製造する技術となっている。
特許文献11にはITOターゲットの製造方法として、水酸化インジウムを分散させた分散溶液とメタ錫酸を分散させた分散溶液を混合して混合分散溶液とし、この混合分散溶液を乾燥させた後焙焼し、これによって得た酸化物混合粉末の成型体を焼結する事を特徴とするITOターゲットの製造方法である。
そして、得られた電解生成物を焙焼して、酸化インジウム-酸化錫粉とし、更に造粒、成型、焼結する事で金属単体を出発原料とした場合と同等のITOターゲットの製造を可能とするものである。
1)還元炉内で、ITOターゲットスクラップを還元ガスで還元し、ITO中の金属成分の組成比を維持したまま、ITOターゲットの原料となるインジウム-錫合金を回収する方法。
2)還元炉内で、炉内温度を750~1200°Cとし、還元ガスとして水素を使用し、水素導入量をITOターゲットスクラップ1kgあたり500~1,000Lとして還元することを特徴とする上記1)記載のインジウム-錫合金の回収方法。
3)上記1)及び2)で回収したインジウム-錫合金を、電解法により水酸化インジウム-メタ錫酸混合物とし、さらにこれを焙焼して酸化インジウム-酸化錫粉とし、ITO中の金属成分の組成を維持したままITOターゲットの原料とすることを特徴とする酸化インジウム-酸化錫粉の製造方法。
5)電解液の供給量と電解面積、電流値、電解時間の間で、0.01~100.0(L・m2)/(A・min)の関係が成立するように電解液を電解槽に供給する量を調整することを特徴とする上記3)記載の水酸化インジウム-メタ錫酸混合物の製造方法。
また、インジウム-錫のリサイクルを酸化物の還元だけとする事で工程を簡素化し、従来法に比べて製造コストを削減することができるという効果を有する。さらに、副生成物を水だけとすることができるので、有害な物質の取り扱い、発生を抑制し、以って環境への負荷を低減させることができるという優れた効果を有する。
具体的にはITOスクラップを還元性ガスで還元し、インジウム-錫合金として回収するものである。次に、この回収したインジウム-錫合金を陽極として、SUS製の金属板を陰極板として用い、電解液には硝酸アンモニウムを用いて、電気分解して水酸化インジウム-メタ錫酸混合物を生成させる。さらにこの混合物を濾過回収し、乾燥粉を経て、酸化インジウム-酸化錫粉を製造する。このようにして得た酸化インジウム-酸化錫粉を、造粒、成型、焼結してITO焼結体を作製する。これを切断、研削等の加工で所定の寸法にして、バッキングプレートに接合してITOターゲットを製造する。
このように、粉砕や酸浸出等の機械的、化学的処理を行わずに、高温の還元性ガス雰囲気中で還元するだけで、汚染をすること無く、インジウムと共に錫も合金として同時に回収できること、更にインジウム-錫合金の組成は、元のITOスクラップの金属比率を維持できることは、ITOスクラップのリサイクルを簡便な方法で行うということから極めて重要なことである。
電解工程で陽極を不動態化させない為には、電解液の供給量(L)と電解面積(m2)、電流値(A)、電解時間(min)の関係を(電解液の供給量L×電解面積m2)/(電流値A×電解時間min)とした場合に、0.01~100.0 (L・m2)/(A・min)になるように電解液を流す。ここで、この電解面積とは、電解槽中で平行になるように配置されたインジウム-錫合金の陽極板と陰極板に対して、インジウム-錫合金の陽極板の、陰極板に対向する表裏両面の合計面積を意味している。
このように、得られたインジウム-錫合金を陽極として電解するにあたり、陽極を不動態化させない条件として、電気量(電流値×時間)当たりの、電解面積と電解液量(電解液の供給量)を適正に調整することは、不動態化をすること無くインジウム-錫合金を陽極として電解することを可能とする上で、極めて重要な意味を持つものである。
また、ITO500gを還元するのに消費された水素は492L×500g/1kg=246Lとなり、この場合、水素還元反応効率は50%と算出することができる。このようにITO1kg当たり492Lの比率で水素を導入している限り、後述のITO反応率と水素還元効率は同じ値となる。
ITOスクラップ5,000g(金属分4,210g)を還元炉に入れて、水素を5L/min流しながら、1,000℃まで2時間かけて昇温し、その後16時間保持した。加熱を停止した後、炉内の回収容器内に回収された合金重量は3,760gで反応率は91%であった。また、反応容器内には残渣が一部残った。
回収された合金中の主成分であるインジウムと錫の成分濃度を、蛍光X線分析(XRF:X-ray Fluorescence Analysis)法によって測定した結果、In品位は90.02wt%、Sn品位は9.98wt%であった。また、該合金中の他の不純物元素の濃度を、誘導結合プラズマ発光分光法(ICP:Inductively Coupled Plasma発光分光法)によって測定した結果、Niが2ppm検出された以外、Cd、Cu、Fe、は<1ppm、Al、Bi、Cr、Pb、Sn、Znは<5ppm、Si、Ti、Zrは<10ppmとなり、Ni以外の全ての不純物元素は定量下限未満であった。
ITOスクラップ5,000g(金属分4,210g)を還元炉に入れて、水素を10L/min流しながら、1,000℃まで2時間かけて昇温し、その後6時間保持した。加熱を停止した後、炉内の回収容器内に回収された合金重量は3,960gで反応率は96%であった。又、反応容器内には残渣が一部残った。
回収された合金中の主成分元素の品位と残留不純物濃度は実施例1と同様の分析方法によってそれぞれ分析した結果、該合金中のIn品位は90.63wt%、Sn品位は9.37wt%であり、他の不純物はNiが2ppm検出された以外、Al、Bi、Cd、Cu、Cr、Fe、Pb、Si、Ti、Zn、Zrは全て定量下限未満であった。
得られた焼結体の密度は7.135g/cm3と高密度なものであり、ターゲットに使用するのに好適なものであったため、これを切断、研削等の加工で所定の寸法にして、バッキングプレートに接合してITOターゲットを製造したところ、品質に問題のないものが得られた。
ITOスクラップ10,000g(金属分7,480g)を還元炉に入れて、水素を10L/min流しながら、1,000℃まで2時間かけて昇温し、その後8時間保持した。
加熱を停止した後、炉内の回収容器内に回収された合金重量は7,780gで反応率は94%であった。又、反応容器内には残渣が一部残った。回収された合金中の主成分元素の品位と残留不純物濃度は実施例1と同様の分析方法によってそれぞれ分析した結果、該合金中のIn品位は90.65wt%、Sn品位は9.35wt%、他の不純物はFe、Niが各2ppm検出された以外、Al、Bi、Cd、Cu、Cr、Pb、Si、Ti、Zn、Zrは全て定量下限未満であった。
得られた焼結体の密度は7.128g/cm3と高密度なものであり、ターゲットに使用するのに好適なものであったため、これを切断、研削等の加工で所定の寸法にして、バッキングプレートに接合してITOターゲットを製造したところ、品質に問題のないものが得られた。
ITOスクラップ24,000g(金属分19,780g)を還元炉に入れて、水素を40L/min流しながら、1,000℃まで1時間かけて昇温し、その後5時間保持した。加熱を停止した後、炉内の回収容器内に回収された合金重量は14,064gで反応率は71%であった。又、反応容器内には残渣が一部残った。回収された合金中の主成分元素の品位と残留不純物濃度は実施例1と同様の分析方法によってそれぞれ分析した結果、該合金中のIn品位は90.19wt%、Sn品位は9.81wt%、他の不純物はFe、Niが各3ppm検出された以外、Al、Bi、Cd、Cu、Cr、Pb、Si、Ti、Zn、Zrは全て定量下限未満であった。
ITOスクラップ24,000g(金属分19,780g)を還元炉に入れて、水素を10L/min流しながら、1,000℃まで1時間かけて昇温し、その後20時間保持した。加熱を停止した後、炉内の回収容器内に回収された合金重量は16,986gで反応率は86%であった。また、反応容器内には残渣が一部残った。回収された合金中の主成分元素の品位と残留不純物濃度は実施例1と同様の分析方法によって分析した結果、該合金中のIn品位は90.32wt%、Sn品位は9.68wt%、他の不純物はCuが1ppm、Feが3ppm、Niが5ppm各検出された以外、Al、Bi、Cd、Cr、Pb、Si、Ti、Zn、Zrは全て定量下限未満であった。
Claims (5)
- 還元炉内で、ITOターゲットスクラップを還元ガスで還元し、ITOの金属成分の組成比を維持したまま、ITOターゲットの原料となるインジウム-錫合金を回収する方法。
- 還元炉内で、炉内温度を750~1200°Cとし、還元ガスとして水素を使用し、水素導入量をITOターゲットスクラップ1kgあたり500~1,000Lとして還元することを特徴とする請求項1記載のインジウム-錫合金の回収方法。
- 請求項1及び2で回収したインジウム-錫合金を、電解法により水酸化インジウム-メタ錫酸混合物とし、さらにこれを焙焼して酸化インジウム-酸化錫粉とし、ITO中の金属成分の組成を維持したままITOターゲットの原料とすることを特徴とする酸化インジウム-酸化錫粉の製造方法。
- 請求項3で製造した酸化インジウム-酸化錫粉を、さらに造粒、成型、焼結を行い、ITOスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム-酸化錫含有スクラップから、ITO中の金属成分の組成比を維持したまま、ITOターゲットを製造することを特徴とするITOターゲットの製造方法。
- 電解液の供給速度が、電流値、電解面積、時間あたり、0.01~100.0 (L・m2)/(A・min)になるように電解液を流すことを特徴とする請求項3に記載の水酸化インジウム-メタ錫酸混合物の製造方法。
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