WO2014080583A1 - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

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実 川原
山田　雅人
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device including a light emitting element in which the light emitting element is mounted and sealed with a resin, and a method for manufacturing the same.
  • a quaternary light emitting layer and a light extraction window layer are grown on a GaAs substrate in a MOCVD reactor and then taken out and placed in a VPE reactor. A thicker window layer is grown. By increasing the thickness of the window layer, the effect of extracting light from the side surface of the light emitting element is increased.
  • the light emitted from the light emitting layer toward the substrate is absorbed by GaAs which is a growth substrate.
  • the GaAs substrate is removed by wet etching, and a GaP substrate transparent to the light is bonded to the epitaxial wafer from which the growth substrate is removed, or a GaP layer is epitaxially grown.
  • a technique for increasing the brightness is known.
  • the LED package is sealed with resin.
  • a well-known lamp-shaped package called a shell type, a flip chip type, an SMD (Surface Mount Device) type, and the like.
  • the members constituting the bullet-type LED 3 include a skeleton called a lead frame 11 formed of metal, ceramics, or the like, a light emitting element 10 mounted so that current can flow therethrough, and a lead wire 12. And a resin body 13 covering the same.
  • the functions of the lead frame 11 are structural materials and energization, and the functions of the resin are light extraction and element protection.
  • the light-emitting element has low resistance to moisture present in the environment of use, and thus a defect in which the output decreases may occur.
  • various chemicals used in the manufacturing process may enter the light emitting element and cause defects. This is because a gap is generated between the lead frame and the resin in the manufacturing process or in the usage environment due to a difference in physical properties between the lead frame, which is a mount portion for supporting the light emitting element chip, and the resin.
  • Epoxy resins that are often used are particularly vulnerable to heat, and when the temperature of the lead frame rises due to soldering during the mounting process, the lead frame and the resin are liable to peel off.
  • Patent Document 1 discloses a semiconductor light-emitting element that prevents moisture or sulfuric acid traces from entering the semiconductor light-emitting element from the outside by covering the light-emitting element with zirconia or silicon oxide.
  • these structures cannot sufficiently prevent the intrusion of moisture, chemicals, and the like, and if cracks or gaps are formed, the reliability is lowered.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of preventing deterioration of a light emitting element due to gas, moisture, or a chemical solution.
  • the present invention has a light emitting element chip, a lead frame, an electrode on the lead frame and a lead wire connecting the light emitting element chip, and a resin body for sealing them.
  • the light emitting device is characterized in that the light emitting element chip, the lead wire, and the lead frame are covered with a protective film that transmits light of the light emitting wavelength of the light emitting element.
  • the protective film so as to cover not only the light emitting element chip but also the lead wire and the lead frame, a light emitting device capable of preventing deterioration of the light emitting element due to gas, moisture, or a chemical solution is provided. Can do.
  • the protective film is SiO 2, SiNx, Al 2 O 3, and, is preferably any one of TiO 2.
  • Such a protective film becomes a transparent film with respect to the emission wavelength of the light emitting element, and can more reliably prevent the light emitting element from being deteriorated by gas, moisture or chemicals.
  • the light emitting device is a bullet type.
  • the present invention is suitable for the case where the light emitting device is a bullet type, and can prevent the light emitting element from being deteriorated by gas, moisture or chemicals.
  • a step of attaching a light emitting element chip to a lead frame, connecting a lead wire to an electrode in the lead frame, a step of forming a protective film on the light emitting element chip, the lead wire and the lead frame Provided is a method for manufacturing a light emitting device, which includes a step of sealing the outside with a resin so as to cover the protective film.
  • the protective film is preferably formed of any one of SiO 2 , SiNx, Al 2 O 3 , and TiO 2 .
  • Such a protective film By forming such a protective film, it is possible to form a transparent film with respect to the emission wavelength of the light emitting element, and to reliably prevent the light emitting element from being deteriorated by gas, moisture or chemicals.
  • the protective film is preferably a SiO 2 film and formed by a wet process using TEOS or polysilazane.
  • the protective film is a SiO 2 film and is formed by a vapor phase process of CVD or sputtering.
  • the SiO 2 film can be easily formed by such a CVD or sputtering gas phase process.
  • the light emitting element chip, the mount portion including the electrode, and the resin body that seals the light emitting element chip, the mount portion including the light emitting element chip and the electrode has a light emission wavelength of the light emitting element.
  • a light-emitting device that is covered with a protective film that passes through.
  • the protective film so as to cover not only the light emitting element chip but also the mount portion including the electrode, a light emitting device capable of preventing deterioration of the light emitting element due to gas, moisture, or a chemical solution is provided. Can do.
  • the protective film is SiO 2, SiNx, Al 2 O 3, and, is preferably any one of TiO 2.
  • Such a protective film becomes a transparent film with respect to the emission wavelength of the light emitting element, and can more reliably prevent the light emitting element from being deteriorated by gas, moisture or chemicals.
  • a step of mounting the light emitting element chip on the mount portion, connecting the light emitting element chip to an electrode in the mount portion, and a step of forming a protective film on the mount portion including the light emitting element chip and the electrode And a method of manufacturing a light emitting device, comprising: sealing the outside with a resin so as to cover the protective film.
  • the protective film is preferably formed of any one of SiO 2 , SiNx, Al 2 O 3 , and TiO 2 .
  • Such a protective film By forming such a protective film, it is possible to form a transparent film with respect to the emission wavelength of the light emitting element, and to reliably prevent the light emitting element from being deteriorated by gas, moisture, or a chemical solution.
  • a light-emitting device and a method for manufacturing the same that can prevent deterioration of the light-emitting element due to gas, moisture, or a chemical solution are provided.
  • the present inventors have obtained a light emitting element chip, a lead frame, an electrode in the lead frame, and a lead wire connecting the light emitting element chip.
  • the light emitting element chip, the lead wire, and the lead frame are covered with a protective film that is transparent to the emission wavelength of the light emitting element.
  • the present invention has been completed by finding that the light-emitting device capable of preventing deterioration of the light-emitting element due to gas, moisture and chemicals.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of the outline of the light emitting device of the present invention
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of the outline of the manufacturing process in the method for manufacturing the light emitting device of the present invention.
  • the light emitting device 1 of the present invention includes at least a light emitting element chip 10, a lead frame 11, a lead wire 12, a resin body 13 sealed so as to cover the outside, and light emission.
  • a transparent protective film 14 covering the element chip 10, the lead frame 11, and the lead wire 12 is provided.
  • the lead wire 12 is not always necessary depending on the lamp shape.
  • the light emitting element chip 10 emits infrared light or visible light such as GaAs, GaP, GaSb, InP, InAs, GaAs doped with Si, ternary mixed crystal system such as GaAsP, GaAlAs, AlGaInP, or the like. Any LED or the like that emits light can be applied.
  • the light emitting element chip 10, the lead wire 12, and the lead frame 11 are protected by a protective film 14 that is transparent to the light emission wavelength of the light emitting element, and the outside thereof is sealed with resin.
  • a protective film 14 that is transparent to the light emission wavelength of the light emitting element, and the outside thereof is sealed with resin.
  • the protective film 14 is more reliable if it is formed on the entire surface, but is not necessarily formed on the entire surface of the lead wire 12 and the lead frame 11. It is preferably formed on at least the entire surface of the light emitting element chip 10 and the upper end surface of the lead wire 12 and the lead frame 11 in the vicinity of the light emitting element chip (for example, 1 mm from the chip).
  • the protective film 14 may be SiO 2, SiNx, or Al 2 O 3.
  • the shape of the resin body 13 sealed so as to cover these outer sides is arbitrary, but in the present invention, it can be a bullet type, and the deterioration of the light emitting element due to gas, moisture, or chemical solution is surely achieved. Can be prevented.
  • the light emitting device of the present invention as described above can be manufactured by the following method for manufacturing a light emitting device. However, of course, it is not limited to this. Hereinafter, the manufacturing method of the light emitting device of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
  • a light emitting element chip 10 such as a semiconductor light emitting diode is mounted on a lead frame 11, and a lead wire 12 is connected to an electrode.
  • the lead frame 11 on which the light emitting element chip 10 is mounted is immersed in a solvent capable of forming a SiO 2 film.
  • This solvent can be, for example, TEOS or polysilazane.
  • it may be formed by a CVD or sputtering gas phase process.
  • the SiO 2 film is not necessarily formed on the entire surface of the lead wire 12 and the lead frame 11, but a protective film can be easily formed on the entire surface by performing such a wet process by immersion.
  • SiO 2 protective film 14 is formed by blowing off excess liquid and heating. Thereafter, as shown in (2d), the shell-type light emitting device is completed by sealing with resin.
  • This resin can be, for example, an epoxy resin.
  • the present invention can be similarly applied to a flip chip type and an SMD type.
  • Example 1 The light emitting element chip is bonded to the lead frame by a normal mounting and bonding process. Thereafter, the polysilazane 20% solution was dipped so that only the legs of the lead frame were taken out, removed, and then rotated to blow off excess liquid. The lead frame was exposed to a high temperature condition of 90 ° C. with water on the bottom to cure the polysilazane to obtain a SiO 2 film. The SiO 2 film thickness formed in this step was 700 nm. Thereafter, an epoxy resin was formed into a bullet shape by a conventional method. In this way, 20 light emitting devices were manufactured.
  • the 20 light emitting devices with the SiO 2 protective film were subjected to the following process simulating a solder reflow process.
  • the current flux was immersed in HCl and then subjected to a current test. All 20 light emitting devices were lit.
  • intended dated SiO 2 protective film, the lead frame and the SiO 2 protective film, between the SiO 2 protective film and the resin was found to not be a gap. In other words, it was found that the liquid permeation itself could be prevented. This is presumably because the rise in the temperature of the lead frame during the thermal process is hardly transmitted to the resin due to the low thermal conductivity of the SiO 2 protective film.
  • Example 2 Example 1 except that the SiO 2 protective film is formed only on the upper end surface of the lead frame including the lead wire and the light emitting element chip near the light emitting element chip (1 mm from the chip) and not on the side surface of the lead frame.
  • the test was conducted after immersing in HCl.
  • all 20 light emitting devices were lit. Therefore, by covering the upper surface including the lead wire and the chip in the vicinity of the light emitting element (1 mm from the chip) with the light emitting element chip as the center, it is possible to sufficiently prevent moisture and chemicals from entering the lamp. I understood.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.

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Abstract

　本発明は、発光素子チップと、リードフレームと、該リードフレームにある電極と前記発光素子チップとを接続するリード線と、これらを封止する樹脂体とを有し、前記発光素子チップとリード線及びリードフレームが、前記発光素子の発光波長に対し透明である保護膜で被覆されているものであることを特徴とする発光装置である。これにより、ガスや使用環境下において存在する水分、製造工程で使用される様々な薬液による発光素子の劣化を防ぐことが可能な発光装置及びその製造方法が提供される。

Description

発光装置及び発光装置の製造方法
　本発明は、発光素子をマウントし樹脂で封止した、発光素子を含む発光装置及びその製造方法に関する。
　超高輝度型赤色発光素子を製造する場合、ＭＯＣＶＤのリアクター内にてＧａＡｓ基板の上に４元発光層・光取り出し用の窓層を成長させ取り出し、ＶＰＥのリアクターに入れて、窓層の上に更に厚い窓層を成長させる。窓層を厚くすることによって、発光素子側面からの光の取り出し効果を上げている。
　しかし、発光層から放たれた基板側への光は、成長用基板であるＧａＡｓにより吸収されてしまう。基板側へ放出される光を取り出すために、ＧａＡｓ基板を湿式エッチングにより除去して、成長基板を除去したエピタキシャルウェーハに、光に対して透明なＧａＰ基板を貼り合せたり、ＧａＰ層をエピタキシャル成長することにより高輝度化を図る技術が知られている。
　多くの場合ＬＥＤのパッケージは、樹脂によって封止される。良く知られた砲弾型と呼ばれるランプ形状のパッケージを始め、フリップチップ型、ＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｍｏｕｎｔ　Ｄｅｖｉｃｅ）型等がある。
　図３に示すように例えば砲弾型ＬＥＤ３を構成する部材は、金属、またはセラミックスなどから形成されるリードフレーム１１と呼ばれる骨格と、そこに電流が流せるようにマウントされる発光素子１０、リード線１２、それを覆う樹脂体１３から成る。リードフレーム１１の機能は構造材および通電、樹脂の機能は光取り出しと素子の保護である。
特開２０１１－１９８８１２
　しかしながら、発光素子は、使用環境下において存在する水分に対する耐性が低く、このため出力が低下する不良が出ることがあった。また市場に出る前にも、製造工程で使用される様々な薬液が発光素子内に浸入し、不良の原因となることもある。これは、発光素子チップを支持するマウント部であるリードフレームと樹脂の物性差により、製造工程や使用環境でリードフレームと樹脂の間に隙間が生じてしまうことによる。特によく用いられるエポキシ樹脂は熱に弱く、実装工程内のはんだ付けなどでリードフレームの温度が上昇するとリードフレームと樹脂の剥離が起こりやすい。
　例えば、特許文献１には、発光素子をジルコニアや酸化シリコンで覆うことで半導体発光素子への外部からの水分や硫酸痕等の浸入を防ぐ半導体発光素子が開示されている。
しかしながら、それらの構成では水分や薬液などの浸入を十分防ぐことはできず、クラックや隙間などができると信頼性が低下する要因となってしまっていた。
　本発明は、上記問題に鑑みなされたものであって、ガスや水分、薬液による発光素子の劣化を防ぐことが可能な発光装置を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため、本発明では、発光素子チップと、リードフレームと、該リードフレームにある電極と前記発光素子チップとを接続するリード線と、これらを封止する樹脂体とを有し、前記発光素子チップとリード線及びリードフレームが、前記発光素子の発光波長の光を通す保護膜で被覆されているものであることを特徴とする発光装置を提供する。
　このように、保護膜を、発光素子チップのみならず、リード線及びリードフレームを覆うように形成することで、ガスや水分や薬液による発光素子の劣化を防ぐことが可能な発光装置とすることができる。
　また、前記保護膜がＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、及び、ＴｉＯ２のいずれかであることが好ましい。
　このような保護膜であれば、発光素子の発光波長に対して透明な膜となり、また、より確実にガスや水分や薬液による発光素子の劣化を防ぐことができる。
　また、前記発光装置が、砲弾型であることが好ましい。
　このように、本発明は、発光装置が砲弾型であるものに好適であり、ガスや水分や薬液による発光素子の劣化を防ぐことができる。
　また、本発明では、発光素子チップをリードフレームに装着し、リード線を該リードフレームにある電極に接続する工程と、前記発光素子チップとリード線及びリードフレームに保護膜を形成する工程と、前記保護膜を覆うように外側を樹脂で封止する工程を有する発光装置の製造方法を提供する。
　このような製造方法であれば、ガスや水分や薬液による発光素子の劣化を防ぐことが可能な発光装置を製造することができる。
　また、前記保護膜が、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、及び、ＴｉＯ２のいずれかで形成されることが好ましい。
　このような、保護膜が形成されることによって、発光素子の発光波長に対し透明な膜を形成し、かつ確実にガスや水分や薬液による発光素子の劣化を防ぐことができる。
　そして、前記保護膜がＳｉＯ２膜であって、ＴＥＯＳ又はポリシラザンによるＷｅｔ工程によって形成されることが好ましい。
　このようなＴＥＯＳ又はポリシラザンによるＷｅｔ工程であれば、容易にＳｉＯ２膜を形成することができる。
　更に、前記保護膜がＳｉＯ２膜であって、ＣＶＤ又はスパッタの気相工程によって形成されることが好ましい。
　このようなＣＶＤ又はスパッタの気相工程によっても、容易にＳｉＯ２膜を形成することができる。
　また、本発明では、発光素子チップと、電極を含むマウント部と、これらを封止する樹脂体とを有し、前記発光素子チップ及び電極を含むマウント部が、前記発光素子の発光波長の光を通す保護膜で被覆されているものであることを特徴とする発光装置を提供する。
　このように、保護膜を、発光素子チップのみならず、電極を含むマウント部を覆うように形成することで、ガスや水分や薬液による発光素子の劣化を防ぐことが可能な発光装置とすることができる。
　また、前記保護膜がＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、及び、ＴｉＯ２のいずれかであることが好ましい。
　このような保護膜であれば、発光素子の発光波長に対して透明な膜となり、また、より確実にガスや水分や薬液による発光素子の劣化を防ぐことができる。
　さらに、本発明では、発光素子チップをマウント部に装着し、前記発光素子チップを前記マウント部にある電極に接続する工程と、前記発光素子チップと電極を含むマウント部に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を覆うように外側を樹脂で封止する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。
　このような製造方法であれば、ガスや水分や薬液による発光素子の劣化を防ぐことが可能な発光装置を製造することができる。
　また、前記保護膜が、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、及び、ＴｉＯ２のいずれかで形成されることが好ましい。
　このような、保護膜が形成されることによって、発光素子の発光波長に対し透明な膜を形成し、かつ確実にガスや水分や薬液による発光素子の劣化を防ぐことができる。
　以上説明したように、本発明によれば、ガスや水分、薬液による発光素子の劣化を防ぐことが可能な発光装置とその製造方法が提供される。
本発明の発光装置の概略の一例を示した図である。 本発明の発光装置の製造方法における、製造過程の概略の一例を示した図である。 従来の発光装置の概略の一例を示した図である。
　以下、本発明についてより詳細に説明する。
　前述のように、リードフレームと樹脂の間に隙間が生じ、水分や、薬液が発光素子内に浸入することにより、出力低下などの不良が発生するため、ガスや水分、薬液による発光素子の劣化を防ぐことが可能な発光装置及びその製造方法の開発が望まれていた。
　そこで、本発明者らは、上記課題を解決するために、鋭意検討を重ねた結果、発光素子チップと、リードフレームと、該リードフレームにある電極と前記発光素子チップとを接続するリード線と、これらを封止する樹脂体とを有し、前記発光素子チップとリード線及びリードフレームが、前記発光素子の発光波長に対し透明である保護膜で被覆されているものであることを特徴とする発光装置であれば、ガスや水分、薬液による発光素子の劣化を防ぐことが出来ることを見出し、本発明を完成させた。
　以下、本発明について図面を参照にして詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　図１は、本発明の発光装置の概略の一例を示した図であり、図２は、本発明の発光装置の製造方法における、製造過程の概略の一例を示した図である。
　本発明の発光装置１は、図１に示すように、少なくとも、発光素子チップ１０と、リードフレーム１１と、リード線１２と、外側を被覆するように封止している樹脂体１３と、発光素子チップ１０とリードフレーム１１とリード線１２を覆う透明な保護膜１４を具備している。
　なお、リード線１２は、ランプ形状によっては、必ずしも必要ない。
　ここで、発光素子チップ１０は、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓや、ＧａＡｓにＳｉをドープしたり、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ等の３～４元混晶系等、赤外線あるいは、可視光を発光するＬＥＤ等何れのものであっても適用できる。
　この発光素子チップ１０やリード線１２及びリードフレーム１１は発光素子の発光波長に対し透明である保護膜１４で保護されており、その外側を樹脂で封止している。このように保護膜１４で発光素子チップ１０のみならずリード線１２及びリードフレーム１１を保護することでガスや水分や薬液による発光素子の劣化を防ぐことができる。
　この保護膜１４は、全面に形成されればより確実であるが、必ずしも、リード線１２及びリードフレーム１１の全表面に形成する必要はない。少なくとも発光素子チップ１０の全表面および発光素子チップの近傍（例えばチップから１ｍｍ）のリード線１２およびリードフレーム１１の上端面に形成されていることが好ましい。保護膜１４としてはＳｉＯ２、ＳｉＮｘまたはＡｌ２Ｏ３とすることができる。
　また、これらの外側を被覆するように封止している樹脂体１３の形状は任意であるが、本発明では砲弾型とすることができ、確実にガスや水分、薬液による発光素子の劣化を防ぐことができる。
　上記のような、本発明の発光装置は、以下のような発光装置の製造方法によって製造することができる。しかし、もちろんこれに限定されるものではない。
　以下、本発明の発光装置の製造方法について図２を参照して詳細に説明する。
　（２ａ）に示すように半導体発光ダイオード等の発光素子チップ１０をリードフレーム１１に装着し、リード線１２を電極に接続する。
　次に（２ｂ）に示すように発光素子チップ１０がマウントされたリードフレーム１１をＳｉＯ２膜が形成可能な溶剤に浸漬する。この溶剤は例えばＴＥＯＳもしくはポリシラザンとすることができる。また、溶液に浸漬する代わりにＣＶＤもしくはスパッタの気相工程で形成してもよい。
　ＳｉＯ２膜は必ずしも、リード線１２及びリードフレーム１１の全表面に形成する必要はないが、このような浸漬によるＷｅｔ工程で行えば、全面に容易に保護膜を形成できる。
　次に（２ｃ）に示すように余分な液を吹き飛ばして加熱することでＳｉＯ２の保護膜１４が形成される。その後、（２ｄ）に示すように樹脂で封止することで砲弾型の発光装置が完成する。この樹脂は例えばエポキシ樹脂とすることができる。
　以上、ここでは砲弾型のランプの場合について説明したが、フリップチップ型、ＳＭＤ型についても同様に本発明を適用できる。
　以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　（実施例１）
　通常のマウント、ボンディング工程により、リードフレームに発光素子チップを接合する。その後、ポリシラザン２０％溶液にリードフレームの足だけを出すようにして浸漬させ、取り出した後、回転させて余分な液を飛ばした。底面に水を張った９０℃の高温条件下にリードフレームを曝し、ポリシラザンを硬化させ、ＳｉＯ２膜を得た。この工程で形成されたＳｉＯ２膜厚は７００ｎｍであった。
　その後、従来の方法で砲弾型にエポキシ樹脂を形成した。このようにして２０個の発光装置を製造した。
　次に、ＳｉＯ２保護膜付の２０個の発光装置をハンダリフロー工程を模擬した以下のような工程に通した。加速試験とするために、通常フラックスのところを、ＨＣｌに浸漬した後、通電試験を行った。２０個のすべての発光装置が点灯した。解析の結果、ＳｉＯ２保護膜付のものでは、リードフレームとＳｉＯ２保護膜、ＳｉＯ２保護膜と樹脂の間で、隙間ができていないことがわかった。すなわち、液の浸入自体を防ぐことができていることがわかった。これは、ＳｉＯ２保護膜の低い熱伝導性により、熱工程を通したときのリードフレームの温度上昇が、樹脂に伝わりづらくなっているためと考えられる。
（実施例２）
　ＳｉＯ２保護膜を発光素子チップ近傍（チップから１ｍｍ）のリード線および発光素子チップを含むリードフレーム上端面のみに形成し、リードフレームの側面には形成しないようにしたことを除き、実施例１と同様にＨＣｌに浸漬した後、通電試験を行った。その結果、実施例１と同様に２０個のすべての発光装置が点灯した。このことから発光素子チップを中心として、発光素子近傍（チップから１ｍｍ）のリード線およびチップを含む上面を覆うことで、十分にランプ内部への水分、薬液の浸入を防ぐことができていることがわかった。
（比較例１）
　ＳｉＯ２保護膜を形成しなかったことを除き、実施例１と同様に発光装置を製造し、ＨＣｌに浸漬した後、通電試験を行った。その結果、２０個中５個が不灯になった。
（比較例２）
　発光素子チップのみＳｉＯ２膜で保護し、リード線やリードフレームにはＳｉＯ２保護膜を形成しなかったことを除き実施例１と同様に発光装置を製造し、ＨＣｌに浸漬した後、通電試験を行った。その結果、２０個中４個が不灯になった。
　実施例１～２及び比較例１～２の結果より、発光素子チップのみならず、リード線とリードフレームを保護膜で覆うことによって、水分や薬液の浸入の防げることが確認できた。
　本発明の発光装置及び発光装置の製造方法であれば、水分、ガス、薬液による発光素子の劣化を防ぐことが可能であることが示された。
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (11)

  1. 　発光素子チップと、リードフレームと、該リードフレームにある電極と前記発光素子チップとを接続するリード線と、これらを封止する樹脂体とを有し、前記発光素子チップとリード線及びリードフレームが、前記発光素子の発光波長の光を通す保護膜で被覆されているものであることを特徴とする発光装置。
  2. 　前記保護膜がＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、及び、ＴｉＯ２のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記発光装置が、砲弾型であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
  4. 　発光素子チップをリードフレームに装着し、リード線を該リードフレームにある電極に接続する工程と、前記発光素子チップとリード線及びリードフレームに保護膜を形成する工程と、前記保護膜を覆うように外側を樹脂で封止する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  5. 　前記保護膜が、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、及び、ＴｉＯ２のいずれかで形成されることを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。
  6. 　前記保護膜がＳｉＯ２膜であって、ＴＥＯＳ又はポリシラザンによるＷｅｔ工程によって形成されることを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。
  7. 　前記保護膜がＳｉＯ２膜であって、ＣＶＤ又はスパッタの気相工程によって形成されることを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。
  8. 　発光素子チップと、電極を含むマウント部と、これらを封止する樹脂体とを有し、
    前記発光素子チップ及び電極を含むマウント部が、前記発光素子の発光波長の光を通す保護膜で被覆されているものであることを特徴とする発光装置。
  9. 　前記保護膜がＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、及び、ＴｉＯ２のいずれかであることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
  10. 　発光素子チップをマウント部に装着し、前記発光素子チップを前記マウント部にある電極に接続する工程と、前記発光素子チップと電極を含むマウント部に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を覆うように外側を樹脂で封止する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  11. 　前記保護膜が、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、及び、ＴｉＯ２のいずれかで形成されることを特徴とする請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
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