WO2014049020A2 - Vorrichtung und verfahren zur beschichtung von substraten - Google Patents

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coating
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    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Definitions

  • the invention relates to a device and a method for coating substrates, in particular flexible ones
  • Substrates for example by means of atomic layer deposition (ALD: “atomic layer deposition”) or molecular layer deposition (MLD: “molecular layer deposition”) processes.
  • ALD atomic layer deposition
  • MLD molecular layer deposition
  • a concept used in ALD / MLD development is based on the so-called cross-flow or traveling wave reactors. It is attached through the reactor and thus over the surface of an inside of the reactor
  • Substrate e.g. successively a first starting product
  • Spatial ALD Spatial ALD
  • the structure of the Spatial ALD systems usually includes one or more large-area coating heads, and is relatively expensive compared to the "Sequential ALD".
  • a device for coating substrates comprising a reaction space element and a material supply element.
  • an apparatus for coating substrates comprising: a reaction space element configured to dispose
  • Substrate sections of one or more substrates as opposed outer walls of a reaction space; and a material supply element configured for introducing one or more materials into the reaction space for coating surfaces of the substrate sections which are located opposite one another in the reaction space.
  • reaction space element for continuous or clocked moving the reaction space element
  • reaction space element is a reaction space element
  • reaction space element is a reaction space element
  • Reaction space between the two roller pairs is arranged.
  • the material supply element can be arranged laterally along the reaction space.
  • the reaction space element may include a frame member, wherein the reaction space is disposed within the frame member.
  • the material supply element can be arranged on one side of the frame element. In one embodiment, the material supply element
  • the device can
  • reaction space element may be one or more formed on the material supply element
  • the device may have one or more electrodes, which are set up to generate a plasma in the reaction space.
  • the device can
  • Have spacer element which is adapted to set a distance between the substrate sections in the region of the reaction space.
  • the spacer element may include a vacuum element.
  • the spacer element is a spacer element
  • Substrate sections arranged vacuum elements include.
  • the device may comprise a plurality or a plurality of reaction space elements.
  • the device may include a plurality or a plurality of material delivery elements.
  • a method of coating sub-streaks comprising:
  • the method may be
  • the method may include aspirating the one or more materials from the reaction space. In one embodiment, the method may include generating a plasma in the reaction space.
  • the method may include adjusting a distance between the substrate sections in the region of the reaction space.
  • the method can also include one or more processes from a group consisting of heating, exposing, vibrating, laminating and structuring the
  • Substrate sections include.
  • At least some embodiments can advantageously ensure that a cost effective method for producing thin layers, for example on flexible
  • Fig. 1 is a schematic representation of a perspective plan view of an embodiment of a
  • FIG. 2 is a schematic representation of a perspective
  • Fig. 3 is a schematic representation of a perspective
  • Fig. 4 is a schematic representation of a perspective
  • Fig. 5 is a schematic representation of a side view
  • Fig. 6 is a schematic representation of a perspective
  • FIG. 7 is a flowchart of an embodiment of a
  • the reaction space can be almost completely made of the substrates to be treated, e.g. from
  • the foil sections may e.g. with respective pairs of rollers on opposite sides of the reaction space
  • sealing is achieved. But the seal can also be done differently, for example with respective individual rollers on the opposite sides of the reaction space, or for example by a frame between the films.
  • a nozzle (e.g., having a slot or having multiple discrete apertures) may be formed on one side of the portion defined between the film portions
  • Reaction space are arranged, through which the various process gases can be admitted.
  • opposite side may optionally be installed a similar nozzle for suction.
  • the reaction space can advantageously be kept small in embodiments by reducing the distance between the films e.g. only a few 10 ym. In some embodiments, the films may also be during the
  • Device 100 for coating substrates comprises a reaction space element, for example in the form of two roller pairs 102a, 102b and a material supply element
  • the nozzle 104 has one in a reaction space 106 between each other
  • Various leads are coupled to the nozzle 104 to form one or more materials, e.g. one or more precursors and one or more
  • Reaction space 106 bring.
  • Substrate sections 108, 110 are arranged as opposed outer walls of the reaction chamber 106.
  • Motorized rollers 122a to 122d guide sheets 124, 126 at an angle to and from the roller pairs 102a, respectively. 102b.
  • the pairs of rollers 102a, 102b can advantageously press the films 124, 126 together to seal the
  • the device 100 may include a material removal element, for example in the form of a second nozzle 114.
  • the second nozzle 114 has a slit 115 directed toward the reaction space 106 for the extraction of the materials.
  • a vacuum line 116 leading to a vacuum pump (not shown) is coupled to the second nozzle 114 for this purpose.
  • the apparatus 100 in this embodiment may also comprise a spacer element in the form of one or more vacuum elements, here two on top of each other
  • Vacuum elements 118, 120 are respectively to the
  • Substrate portions 108, 110 coupled to set a selected distance between the substrate portions 108, 110 in the region of the reaction space 106.
  • reaction space element may in this embodiment also on the nozzle 104 and / or the second nozzle 114th
  • edges or bevels 128 may also be configured to seals the reaction space 106.
  • Vacuum element such as the vacuum element 118 are used.
  • the upper and lower substrate portions 108, 110 may be prevented from contacting each other because of a vacuum element at the top
  • Substrate portion 108 may suffice to compensate for its sagging. As a result, in such embodiments the lower side of the device 100 still be free for other elements, such as an IR heater.
  • Device 200 for coating substrates includes a reaction space element, for example, in the form of two roller pairs 202a, 202b and a material supply element
  • the nozzle 204 has a plurality of individual passages, e.g. Passages 205, to a reaction space 206 between opposing substrate portions 208, 210.
  • Various sources are connected to the passages, e.g. Leads 205, coupled, either to all or one or more selected ones, to one or more materials, e.g. one or more precursors and one or more carrier gases, for coating the substrates in the reaction space 206 introduce.
  • Substrate sections 208, 210 are arranged as opposed outer walls of the reaction space 206.
  • Motorized rollers 222a to 222d guide sheets 224, 226 at an angle to and from the roller pairs 202a, 202b, respectively.
  • the roller pairs 202a, 202b can advantageously press the films 224, 226 against each other, for sealing the
  • the device 200 may include a material removal element, for example, in the form of a second nozzle 214.
  • the second nozzle 214 has a plurality of individual passageways, e.g. Passages 215, to
  • Material removal element is constructed in various embodiments as well as the material supply element, can advantageously also the material removal element as
  • Material supply element and vice versa, be used, ie the reaction space does not always need from the same side be filled or sucked, but selbiges can be done, for example, in alternation from one side to another or simultaneously from both sides. As a result, for example, advantages in the homogeneity of the coating can be achieved (for example, avoidance of gradients).
  • a process may be implemented in which both elements are at the same time first feed and then discharge elements, ie it can be filled from both sides and then pumped from both sides, and so forth.
  • the apparatus 200 in this embodiment may further include a spacer element in the form of two vacuum elements 218, 220 disposed on opposite sides of the substrate sections 208, 210.
  • the vacuum elements 218, 220 are respectively connected to the
  • Substrate portions 208, 210 coupled to set a selected distance between the substrate portions 208, 210 in the region of the reaction space 206.
  • reaction space element may in this embodiment also on the nozzle 204 and / or the second nozzle 214th
  • edges or bevels 228 for the substrate sections 208, 210.
  • the edges or inclined surfaces 228 may also be configured to seal the reaction space 206.
  • Device 300 for coating substrates includes a reaction space element, for example in the form of a frame 302, which is located between two opposite ones
  • Substrate sections 308, 310 is arranged.
  • Material supply element for example in the form of a nozzle 304 forms one side of the frame 302.
  • the substrate portions 308, 310 are arranged.
  • Motorized rollers 322a through 322d guide sheets 324, 326 at an angle to pairs of rollers 323a, 323b, respectively.
  • the pairs of rollers 323a, 323b can advantageously press the foils 324, 326 onto the frame 302 to seal the reaction space 306.
  • a reaction space 306 is formed within the frame 302 and between the opposing substrate portions 308, 310.
  • the nozzle 304 has a slot directed into the reaction space 306.
  • Various leads, e.g. 312a to 312e are coupled to the nozzle 304 to form one or more materials, e.g. one or more precursors and one or more carrier gases, for coating the substrates in the reaction chamber 306 introduce.
  • the device 300 may include a material removal element, for example, in the form of a second nozzle 314.
  • the second nozzle 314 has a slit 315 directed toward the reaction space 306 for sucking off the materials.
  • a vacuum line 316 leading to a vacuum pump (not shown) is coupled to the second nozzle 314 for this purpose.
  • the apparatus 300 in this embodiment may further include a spacer element in the form of two vacuum elements 318, 320 disposed on opposite sides of the substrate sections 308, 310.
  • the vacuum elements 318, 320 are respectively to the
  • Substrate portions 308, 310 coupled to set a selected distance between the substrate portions 308, 310 in the region of the reaction space 306.
  • reaction space element may in this embodiment also on the nozzle 304 and / or the second nozzle 314th
  • edges or inclined surfaces 328 for the substrate sections 308, 310th include.
  • the edges or inclined surfaces 328 may also be configured to seal the reaction space 306.
  • Device 400 for coating substrates includes a reaction space element, for example, in the form of two rollers 402a, 402b and a material supply element
  • the nozzle 404 has one in a reaction space 406 between each other
  • Various leads e.g. 412a-412e, are coupled to the nozzle 404 to form one or more materials, e.g. one or more precursors and one or more
  • Reaction space 406 bring.
  • rollers 402a, 402b By the rollers 402a, 402b, the substrate portions 408, 410 of a plurality of substrates as each other
  • Motorized rollers 422a through 422d guide sheets 424, 426 at an angle to and from rollers 402a, 402b, respectively.
  • the films 424, 426 can thus advantageously be pressed against one another on the rollers 402a, 402b, for sealing the reaction space 406.
  • the device 400 may include a material discharge element in the form of a second nozzle 414.
  • the second nozzle 414 has a slot 415 facing the reaction space 406 for exhausting the materials.
  • One leading to a vacuum pump (not shown)
  • Vacuum line 416 is coupled to the second nozzle 414 for this purpose.
  • the apparatus 400 in this embodiment may further include a spacer element in the form of two vacuum elements 418, 420 disposed on opposite sides of the substrate sections 408, 410.
  • the vacuum elements 418, 420 are respectively to the Substrate portions 408, 410 coupled to set a selected distance between the substrate portions 408, 410 in the region of the reaction space 406.
  • the reaction space element may in this embodiment also on the nozzle 404 and / or the second nozzle 414
  • edges or bevels 428 for the substrate sections 408, 410.
  • the edges or inclined surfaces 428 may also be configured to seal the reaction space 406.
  • Device 500 for coating substrates includes a reaction space element, for example in the form of a frame 502, which is located between two opposite ones
  • Substrate sections 508, 510 is arranged.
  • Material feed element for example in the form of a
  • Inlet nozzle 504 is in one side of frame 502
  • the substrate sections 508, 510 can be arranged as opposing outer walls of the reaction space 506.
  • Motorized rollers 522a, b guide a film 524 at an angle to and from a pair of rollers 523a, respectively.
  • Another pair of rollers 523b is disposed at the other end of the frame 502.
  • the pairs of rollers 523a, 523b may advantageously push the film 524 onto the frame 502 to seal the reaction space 506.
  • the apparatus 500 may include a material discharge element, for example in the form of a
  • Outlet nozzle in the inlet nozzle 504 opposite side of the frame 502 have.
  • a deflecting roller 526 deflects the film 524 on one side of the frame 502.
  • Apparatus 600 for coating substrates comprises a reaction space element, for example in the form of two pairs of rollers 602a, 602b and a material supply element
  • the nozzle 604 has one in a reaction space 606 between each other
  • Various leads e.g. 612a-612e, are coupled to the nozzle 604 to form one or more materials, e.g. one or more precursors and one or more
  • Reaction space 606 bring.
  • Substrate sections 608, 610 are arranged as opposite outer walls of the reaction chamber 606.
  • Motorized rollers each guide sheets 624, 626 at an angle to and from the roller pairs 602a, 602b.
  • the pairs of rollers 602a, 602b can advantageously press the films 624, 626 together to seal the
  • the device 600 may include a material removal element, for example, in the form of a second nozzle 614.
  • the second nozzle 614 has a slit 615 facing the reaction space 606 for exhausting the materials.
  • a vacuum line 616 leading to a vacuum pump (not shown) is coupled to the second nozzle 614 for this purpose.
  • reaction space element may in this embodiment also on the nozzle 604 and / or the second nozzle 614th
  • the device 600 may also include a component 618 above the substrate portion 608 in this embodiment.
  • the component 618 may be in the form of one or more elements of a group of an exposure unit (for example, a reflector and
  • Flashlights and / or a light-emitting diode (LED) panel Flashlights and / or a light-emitting diode (LED) panel), heating (for example, a panel of ceramic emitters (e.g.
  • the device 600 may also include a component below the substrate portion 610, here in the form of a laser 620.
  • the component below the substrate portion 610 in others
  • heating for example, a field of ceramic emitters (eg Fa. Elstein), infrared (IR) - lamps and reflector, heating mat), plate with coupled ultrasonic generator, electrode for generating a
  • reaction space 606 e.g. Plasma, and structuring lasers.
  • heating e.g., by infrared (IR) radiation
  • exposure e.g., by infrared (IR) radiation
  • UV radiation Ultraviolet (UV) radiation
  • vibration e.g., vibration
  • Electrodes can also be applied to the substrates to generate plasmas in the reaction space.
  • the inlet and Outlet nozzles are used as electrodes or can be attached to electrodes, which are in the reaction space
  • thermal and photoinduced and plasma-induced ALD / MLD processes can advantageously be carried out in various exemplary embodiments.
  • Embodiments allow for maintenance (e.g., cleaning of reaction spaces) to be substantially simplified after certain periods of operation.
  • maintenance e.g., cleaning of reaction spaces
  • the assembly may be combined with a subsequent laminator, e.g. for producing an encapsulated and provided with a protective film optoelectronic device.
  • a subsequent laminator e.g. for producing an encapsulated and provided with a protective film optoelectronic device.
  • Material removal element are used.
  • multiple material delivery elements and optionally multiple material removal elements may be used to introduce the materials for coating the substrates into the respective reaction spaces.
  • FIG. 7 shows a flowchart 700 of an embodiment of a method for coating substrates.
  • opposing substrate portions of one or more substrates are formed as respective outer walls of a substrate
  • Reaction space arranged.
  • one or more materials are introduced into the reaction space for coating the substrates.
  • the cleaning required at certain intervals may be less expensive than conventional systems; the method / apparatus is suitable for roll-to-roll (R2R) production;
  • Gas exchange can enable high growth rates: e.g. about 50 ms / sub-step, i. approximately
  • Component structure e.g., optoelectronic stack
  • a component structure may be present with a
  • Encapsulation layer (barrier against water and

Landscapes

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Description

Beschreibung
Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Substraten Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Beschichtung von Substraten, insbesondere von flexiblen
Substraten, zum Beispiel mittels Atomlagenabscheidung (ALD: „atomic layer deposition") oder Moleküllagenabscheidung (MLD: „molecular layer deposition") Prozessen.
Ein in der ALD/MLD-Entwicklung verwendetes Konzept basiert auf den sogenannten Cross-Flow- bzw. Traveling-Wave- Reaktoren. Dabei wird durch den Reaktor und damit über die Oberfläche eines innerhalb des Reaktors angebrachten
Substrats z.B. nacheinander ein erstes Ausgangsprodukt
( ' Precursor ' ) , typischerweise in einem inerten Trägergas, dann nur das inerte Trägergas, anschließend ein zweiter
Precursor und dann wieder reines inertes Trägergas geleitet. Bei einem derartigen Zyklus wird eine Monolage des
gewünschten gebildeten Moleküls oder Atomverbands auf dem
Substrat, aber auch auf den Reaktorwänden abgeschieden. Diese Abfolge wird solange wiederholt, bis die gewünschte Zahl an Atom- oder Moleküllagen auf dem Substrat erreicht ist. Diese Art der ALD wird üblicherweise als "Sequential ALD"
bezeichnet.
Ein alternatives Konzept ist die sogenannte "Spatial ALD". Der Aufbau der Spatial-ALD-Systeme beinhaltet üblicherweise einen oder mehrere großflächige Beschichtungskopfe, und ist im Vergleich zur "Sequential ALD" relativ aufwendig. Eine besondere Herausforderung bei diesen Systemen ist,
Berührungen der Substrate mit dem Beschichtungskopf sicher zu vermeiden . Die Erfindung hat zur Aufgabe, eine neuartige Vorrichtung und ein neuartiges Verfahren zur Beschichtung von Substraten zur Verfügung zu stellen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten zur Verfügung gestellt, mit einem Reaktionsraumelement und einem Materialzufuhrelement.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten bereitgestellt, aufweisend: ein Reaktionsraumelement eingerichtet zum Anordnen von
Substratabschnitten von einem oder mehreren Substraten als einander gegenüberliegende Außenwände eines Reaktionsraums; und ein Materialzufuhrelement eingerichtet zum Einbringen eines oder mehrerer Materialien in den Reaktionsraum zur Beschichtung von sich in dem Reaktionsraum gegenüberliegende Oberflächen der Substratabschnitte.
In einer Ausgestaltung kann das Reaktionsraumelement zum kontinuierlichen oder getakteten Bewegen der
Substratabschnitte eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung kann das Reaktionsraumelement
mindestens zwei Walzen beinhalten, wobei der Reaktionsraum zwischen den zwei Walzen angeordnet ist.
In einer Ausgestaltung kann das Reaktionsraumelement
mindestens zwei Walzenpaare beinhalten, wobei der
Reaktionsraum zwischen den zwei Walzenpaaren angeordnet ist.
In einer Ausgestaltung kann das Materialzufuhrelement seitlich entlang des Reaktionsraums angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung kann das Reaktionsraumelement ein Rahmenelement beinhalten, wobei der Reaktionsraum innerhalb des Rahmenelements angeordnet ist.
In einer Ausgestaltung kann das Materialzufuhrelement an einer Seite des Rahmenelements angeordnet sein. In einer Ausgestaltung kann das Materialzufuhrelement
Seite des Rahmenelements bilden.
In einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung ein
Materialabfuhrelement aufweisen, welches zum Absaugen des einen oder der mehreren Materialien aus dem Reaktionsraum eingerichtet ist.
In einer Ausgestaltung kann das Reaktionsraumelement eine oder mehrere auf dem Materialzufuhrelement ausgebildete
Führungselemente beinhalten.
In einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung eine oder mehrere Elektroden aufweisen, welche zum Erzeugen eines Plasmas in dem Reaktionsraum eingerichtet sind.
In einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung ein
Abstandhalterelement aufweisen, welches eingerichtet ist, einen Abstand zwischen den Substratabschnitten im Bereich Reaktionsraums einzustellen.
In einer Ausgestaltung kann das Abstandhalterelement ein Vakuumelement beinhalten.
In einer Ausgestaltung kann das Abstandhalterelement
mindestens zwei auf gegenüberliegenden Seiten der
Substratabschnitte angeordnete Vakuumelemente beinhalten.
In einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung eine Mehrzahl oder eine Vielzahl von Reaktionsraumelementen aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung eine Mehrzahl oder eine Vielzahl von Materialzufuhrelementen aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zur Beschichtung von SubStraten bereitgestellt, aufweisend:
Anordnen von Substratabschnitten von einem oder mehreren Substraten als gegenüberliegende Außenwände eines
Reaktionsraums; und Einbringen eines oder mehrerer
Materialien in den Reaktionsraum zur Beschichtung von sich in dem Reaktionsraum einander gegenüberliegenden Oberflächen der Substratabschnitte.
In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ein
kontinuierliches oder getaktetes Bewegen der
Substratabschnitte aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ein Absaugen des einen oder der mehreren Materialien aus dem Reaktionsraum aufweisen . In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ein Erzeugen eines Plasmas in dem Reaktionsraum aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ein Einstellen eines Abstands zwischen den Substratabschnitten im Bereich des Reaktionsraums aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann das Verfahren auch einen oder mehrere Prozesse aus einer Gruppe bestehend aus Heizen, Belichten, Vibrieren, Laminieren und Strukturieren der
Substratabschnitte beinhalten.
Zumindest einige Ausführungsbeispiele können vorteilhaft gewährleisten, dass eine kostengünstige Methode zur Erzeugung von dünnen Schichten, beispielsweise auf flexiblen
Substraten, mittels ALD- oder MLD-Prozessen bei hoher
Materialausnutzung und kurzen Prozesszeiten ermöglicht wird.
Im Folgenden wird die Erfindung anhand mehrerer
Ausführungsbeispiele und den Zeichnungen näher erläutert.
In den Zeichnungen zeigt: Fig. 1 eine schematische Darstellung einer perspektivischen Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer
Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten, Fig. 2 eine schematische Darstellung einer perspektivischen
Draufsicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten,
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer perspektivischen
Draufsicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer
Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten,
Fig. 4 eine schematische Darstellung einer perspektivischen
Draufsicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten,
Fig. 5 eine schematische Darstellung einer Seitenansicht
eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten,
Fig. 6 eine schematische Darstellung einer perspektivischen
Draufsicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten und Fig. 7 ein Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines
Verfahrens zur Beschichtung von Substraten.
In einem Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur
Beschichtung von Substraten kann der Reaktionsraum fast vollständig aus den zu behandelnden Substraten, z.B. von
Walzen abgewickelten Folienabschnitten, gebildet werden. Die Folienabschnitte können z.B. mit jeweiligen Walzenpaaren an einander gegenüberliegenden Seiten des Reaktionsraums
aufeinandergedrückt werden, so dass dort jeweils eine
Abdichtung erzielt wird. Die Abdichtung kann aber auch anders erfolgen, z.B. mit jeweiligen einzelnen Walzen an den gegenüberliegenden Seiten des Reaktionsraums, oder z.B. durch einen Rahmen zwischen den Folien.
In einem Ausführungsbeispiel kann eine Düse (z.B. mit einem Schlitz oder mit mehreren einzelnen Öffnungen) an einer Seite des zwischen den Folienabschnitten abgegrenzten
Reaktionsraums angeordnet werden, durch die die verschiedenen Prozessgase eingelassen werden können. Auf der
gegenüberliegenden Seite kann optional eine ähnliche Düse zur Absaugung installiert sein.
Der Reaktionsraum kann in Ausführungsbeispielen vorteilhaft klein gehalten werden, indem der Abstand zwischen den Folien z.B. nur einige 10 ym beträgt. Die Folien können sich in einigen Ausführungsbeispielen auch während des
Prozessablaufes zeitweise berühren, z.B. wenn sich Gaspulse „walzenartig" zwischen den Folienabschnitten/Substraten hindurchbewegen . Das in der Fig.l gezeigte Ausführungsbeispiel einer
Vorrichtung 100 zur Beschichtung von Substraten beinhaltet ein Reaktionsraumelement, beispielsweise in der Form von zwei Walzenpaaren 102a, 102b und ein Materialzufuhrelement
beispielsweise in der Form einer Düse 104. Die Düse 104 hat einen in einen Reaktionsraum 106 zwischen einander
gegenüberliegenden Substratabschnitten 108, 110 gerichteten Schlitz. Verschiedene Zuleitungen, z.B. 112a bis 112e, sind an die Düse 104 gekoppelt, um eine oder mehrere Materialien, z.B. einen oder mehrere Precursor und ein oder mehrere
Trägergase, zur Beschichtung der Substrate in den
Reaktionsraum 106 einzubringen.
Durch die Walzenpaare 102a, 102b können die
Substratabschnitte 108, 110 als einander gegenüberliegende Außenwände des Reaktionsraums 106 angeordnet werden.
Motorisierte Rollen 122a bis 122d führen Folien 124, 126 jeweils unter einem Winkel zu bzw. von den Walzenpaaren 102a, 102b. Die Walzenpaare 102a, 102b können die Folien 124, 126 vorteilhaft aneinander drücken, zum Abdichten des
Reaktionsraums 106. In diesem Ausführungsbeispiel kann die Vorrichtung 100 ein Materialabfuhrelement beispielsweise in der Form einer zweiten Düse 114 beinhalten. Die zweite Düse 114 hat einen zum Reaktionsraum 106 gerichteten Schlitz 115 zur Absaugung der Materialien. Eine zu einer Vakuumpumpe (nicht gezeigt) führende Vakuumleitung 116 ist dazu an die zweite Düse 114 gekoppelt .
Die Vorrichtung 100 kann in diesem Ausführungsbeispiel außerdem ein Abstandhalterelement in der Form von einem oder mehreren Vakuumelementen, hier zwei auf einander
gegenüberliegenden Seiten der Substratabschnitte 108, 110 angeordneten Vakuumelementen 118, 120 beinhalten. Die
Vakuumelemente 118, 120 sind jeweils an die
Substratabschnitte 108, 110 gekoppelt, um einen gewählten Abstand zwischen den Substratabschnitten 108, 110 im Bereich des Reaktionsraums 106 einzustellen.
Das Reaktionsraumelement kann in diesem Ausführungsbeispiel auch auf der Düse 104 und/oder der zweiten Düse 114
ausgebildete Führungselemente, z.B. in der Form von Kanten oder Schrägflächen 128 für die Substratabschnitte 108, 110 beinhalten. Optional können die Kanten oder Schrägflächen 128 auch zu Abdichtungen des Reaktionsraums 106 eingerichtet sein .
In einem anderen Ausführungsbeispiel kann nur ein
Vakuumelement, beispielsweise das Vakuumelement 118 benutzt werden. In solchen Ausführungsbeispielen kann verhindert werden, dass sich der obere und der untere Substratabschnitt 108, 110 berühren, da ein Vakuumelement an dem oberen
Substratabschnitt 108 genügen kann, um dessen Durchhängen auszugleichen. Dadurch kann in solchen Ausführungsbeispielen die untere Seite der Vorrichtung 100 noch frei für andere Elemente, beispielsweise eine IR-Heizung, sein.
Das in der Fig.2 gezeigte Ausführungsbeispiel einer
Vorrichtung 200 zur Beschichtung von Substraten beinhaltet ein Reaktionsraumelement beispielsweise in der Form von zwei Walzenpaaren 202a, 202b und ein Materialzufuhrelement
beispielsweise in der Form einer Düse 204. Die Düse 204 hat mehrere einzelne Durchleitungen, z.B. Durchleitungen 205, zu einem Reaktionsraum 206 zwischen einander gegenüberliegenden Substratabschnitten 208, 210. Verschiedene Quellen (nicht gezeigt) sind an die Durchleitungen, z.B. Durchleitungen 205, gekoppelt, entweder jeweils an alle oder jeweils an eine oder mehrere ausgewählte, um eine oder mehrere Materialien, z.B. einen oder mehrere Precursor und ein oder mehrere Trägergase, zur Beschichtung der Substrate in den Reaktionsraum 206 einzubringen .
Durch die Walzenpaare 202a, 202b können die
Substratabschnitte 208, 210 als einander gegenüberliegende Außenwände des Reaktionsraums 206 angeordnet werden.
Motorisierte Rollen 222a bis 222d führen Folien 224, 226 jeweils unter einem Winkel zu bzw. von den Walzenpaaren 202a, 202b. Die Walzenpaare 202a, 202b können die Folien 224, 226 vorteilhaft aneinander drücken, zum Abdichten des
Reaktionsraums 206.
In diesem Ausführungsbeispiel kann die Vorrichtung 200 ein Materialabfuhrelement beispielsweise in der Form einer zweiten Düse 214 beinhalten. Die zweite Düse 214 hat mehrere einzelne Durchleitungen, z.B. Durchleitungen 215, zum
Absaugen der Materialien. Dadurch, dass das
Materialabfuhrelement in diversen Ausführungsbeispielen genauso aufgebaut ist wie das Materialzufuhrelement, kann vorteilhaft das Materialabfuhrelement auch als
Materialzufuhrelement, und umgekehrt, genutzt werden, d.h. der Reaktionsraum braucht nicht immer von der gleichen Seite befüllt bzw. abgesaugt zu werden, sondern selbiges kann beispielsweise im Wechsel von einer Seite zur anderen oder auch gleichzeitig von beiden Seiten erfolgen. Dadurch können beispielsweise Vorteile in der Homogenität der Beschichtung erreicht werden (beispielsweise Vermeidung von Gradienten) . Außerdem kann in einigen Ausführungsbeispielen ein Prozess implementiert werden, bei dem beide Elemente gleichzeitig zuerst Zufuhr- und dann Abfuhrelemente sind, d.h. es kann von beiden Seiten befüllt und anschließend von beiden Seiten abgepumpt werden usw.
Die Vorrichtung 200 kann in diesem Ausführungsbeispiel außerdem ein Abstandhalterelement in der Form von zwei auf einander gegenüberliegenden Seiten der Substratabschnitte 208, 210 angeordneten Vakuumelementen 218, 220 beinhalten. Die Vakuumelemente 218, 220 sind jeweils an die
Substratabschnitte 208, 210 gekoppelt, um einen gewählten Abstand zwischen den Substratabschnitten 208, 210 im Bereich des Reaktionsraums 206 einzustellen.
Das Reaktionsraumelement kann in diesem Ausführungsbeispiel auch auf der Düse 204 und/oder der zweiten Düse 214
ausgebildete Führungselemente, z.B. in der Form von Kanten oder Schrägflächen 228 für die Substratabschnitte 208, 210 beinhalten. Optional können die Kanten oder Schrägflächen 228 auch zur Abdichtung des Reaktionsraums 206 eingerichtet sein.
Das in der Fig.3 gezeigte Ausführungsbeispiel einer
Vorrichtung 300 zur Beschichtung von Substraten beinhaltet ein Reaktionsraumelement beispielsweise in der Form eines Rahmens 302, welcher zwischen zwei gegenüberliegenden
Substratabschnitten 308, 310 angeordnet ist. Ein
Materialzufuhrelement beispielsweise in der Form einer Düse 304 bildet eine Seite des Rahmens 302.
Durch den Rahmen 302 können die Substratabschnitte 308, 310 als einander gegenüberliegende Außenwände des Reaktionsraums 306 angeordnet werden. Motorisierte Rollen 322a bis 322d führen Folien 324, 326 jeweils unter einem Winkel zu bzw. von Walzenpaaren 323a, 323b. Die Walzenpaare 323a, 323b können die Folien 324, 326 vorteilhaft auf den Rahmen 302 drücken, zum Abdichten des Reaktionsraums 306.
Ein Reaktionsraum 306 ist innerhalb des Rahmens 302 und zwischen den gegenüberliegenden Substratabschnitten 308, 310 ausgebildet. Die Düse 304 hat einen in den Reaktionsraum 306 gerichteten Schlitz. Verschiedene Zuleitungen, z.B. 312a bis 312e, sind an die Düse 304 gekoppelt, um eine oder mehrere Materialien, z.B. einen oder mehrere Precursor und ein oder mehrere Trägergase, zur Beschichtung der Substrate in den Reaktionsraum 306 einzubringen.
In diesem Ausführungsbeispiel kann die Vorrichtung 300 ein Materialabfuhrelement beispielsweise in der Form einer zweiten Düse 314 beinhalten. Die zweite Düse 314 hat einen zum Reaktionsraum 306 gerichteten Schlitz 315 zum Absaugen der Materialien. Eine zu einer Vakuumpumpe (nicht gezeigt) führende Vakuumleitung 316 ist dazu an die zweite Düse 314 gekoppelt .
Die Vorrichtung 300 kann in diesem Ausführungsbeispiel außerdem ein Abstandhalterelement in der Form von zwei auf einander gegenüberliegenden Seiten der Substratabschnitte 308, 310 angeordneten Vakuumelementen 318, 320 beinhalten. Die Vakuumelemente 318, 320 sind jeweils an die
Substratabschnitte 308, 310 gekoppelt, um einen gewählten Abstand zwischen den Substratabschnitten 308, 310 im Bereich des Reaktionsraums 306 einzustellen.
Das Reaktionsraumelement kann in diesem Ausführungsbeispiel auch auf der Düse 304 und/oder der zweiten Düse 314
ausgebildete Führungselemente, z.B. in der Form von Kanten oder Schrägflächen 328 für die Substratabschnitte 308, 310 beinhalten. Optional können die Kanten oder Schrägflächen 328 auch zur Abdichtung des Reaktionsraums 306 eingerichtet sein.
Das in der Fig.4 gezeigte Ausführungsbeispiel einer
Vorrichtung 400 zur Beschichtung von Substraten beinhaltet ein Reaktionsraumelement beispielsweise in der Form von zwei Walzen 402a, 402b und ein Materialzufuhrelement
beispielsweise in der Form einer Düse 404. Die Düse 404 hat einen in einen Reaktionsraum 406 zwischen einander
gegenüberliegenden Substratabschnitten 408, 410 gerichteten Schlitz. Verschiedene Zuleitungen, z.B. 412a bis 412e, sind an die Düse 404 gekoppelt, um eine oder mehrere Materialien, z.B. einen oder mehrere Precursor und ein oder mehrere
Trägergase, zur Beschichtung der Substrate in den
Reaktionsraum 406 einzubringen.
Durch die Walzen 402a, 402b können die Substratabschnitte 408, 410 von mehreren Substraten als einander
gegenüberliegende Außenwände des Reaktionsraums 406
angeordnet werden. Motorisierte Rollen 422a bis 422d führen Folien 424, 426 jeweils unter einem Winkel zu bzw. von den Walzen 402a, 402b. Die Folien 424, 426 können so vorteilhaft auf den Walzen 402a, 402b aneinander gedrückt werden, zum Abdichten des Reaktionsraums 406.
In diesem Ausführungsbeispiel kann die Vorrichtung 400 ein Materialabfuhrelement in der Form einer zweiten Düse 414 beinhalten. Die zweite Düse 414 hat einen zum Reaktionsraum 406 gerichteten Schlitz 415 zur Absaugung der Materialien. Eine zu einer Vakuumpumpe (nicht gezeigt) führende
Vakuumleitung 416 ist dazu an die zweite Düse 414 gekoppelt.
Die Vorrichtung 400 kann in diesem Ausführungsbeispiel außerdem ein Abstandhalterelement in der Form von zwei auf einander gegenüberliegenden Seiten der Substratabschnitte 408, 410 angeordneten Vakuumelementen 418, 420 beinhalten. Die Vakuumelemente 418, 420 sind jeweils an die Substratabschnitte 408, 410 gekoppelt, um einen gewählten Abstand zwischen den Substratabschnitten 408, 410 im Bereich des Reaktionsraums 406 einzustellen. Das Reaktionsraumelement kann in diesem Ausführungsbeispiel auch auf der Düse 404 und/oder der zweiten Düse 414
ausgebildete Führungselemente, z.B. in der Form von Kanten oder Schrägflächen 428 für die Substratabschnitte 408, 410 beinhalten. Optional können die Kanten oder Schrägflächen 428 auch zur Abdichtung des Reaktionsraums 406 eingerichtet sein.
Das in der Fig.5 gezeigte Ausführungsbeispiel einer
Vorrichtung 500 zur Beschichtung von Substraten beinhaltet ein Reaktionsraumelement beispielsweise in der Form eines Rahmens 502, welcher zwischen zwei gegenüberliegenden
Substratabschnitten 508, 510 angeordnet ist. Ein
Materialzufuhrelement beispielsweise in der Form einer
Einlassdüse 504 ist in einer Seite des Rahmens 502
ausgebildet .
Durch den Rahmen 502 können die Substratabschnitte 508, 510 als einander gegenüberliegende Außenwände des Reaktionsraums 506 angeordnet werden. Motorisierte Rollen 522a, b führen eine Folie 524 jeweils unter einem Winkel zu bzw. von einem Walzenpaar 523a. Ein weiteres Walzenpaar 523b ist an dem anderen Ende des Rahmens 502 angeordnet. Die Walzenpaare 523a, 523b können die Folie 524 vorteilhaft auf den Rahmen 502 drücken, zum Abdichten des Reaktionsraums 506. In diesem Ausführungsbeispiel kann die Vorrichtung 500 ein Materialabfuhrelement beispielsweise in der Form einer
Auslassdüse in der der Einlassdüse 504 gegenüberliegenden Seite des Rahmens 502 aufweisen. Eine Umlenkwalze 526 lenkt die Folie 524 an einer Seite des Rahmens 502 um. Das in der Fig.6 gezeigte Ausführungsbeispiel einer
Vorrichtung 600 zur Beschichtung von Substraten beinhaltet ein Reaktionsraumelement, beispielsweise in der Form von zwei Walzenpaaren 602a, 602b und ein Materialzufuhrelement
beispielsweise in der Form einer Düse 604. Die Düse 604 hat einen in einen Reaktionsraum 606 zwischen einander
gegenüberliegenden Substratabschnitten 608, 610 gerichteten Schlitz. Verschiedene Zuleitungen, z.B. 612a bis 612e, sind an die Düse 604 gekoppelt, um eine oder mehrere Materialien, z.B. einen oder mehrere Precursor und ein oder mehrere
Trägergase, zur Beschichtung der Substrate in den
Reaktionsraum 606 einzubringen.
Durch die Walzenpaare 602a, 602b können die
Substratabschnitte 608, 610 als einander gegenüberliegende Außenwände des Reaktionsraums 606 angeordnet werden.
Motorisierte Rollen (nicht gezeigt) führen Folien 624, 626 jeweils unter einem Winkel zu bzw. von den Walzenpaaren 602a, 602b. Die Walzenpaare 602a, 602b können die Folien 624, 626 vorteilhaft aneinander drücken, zum Abdichten des
Reaktionsraums 606.
In diesem Ausführungsbeispiel kann die Vorrichtung 600 ein Materialabfuhrelement beispielsweise in der Form einer zweiten Düse 614 beinhalten. Die zweite Düse 614 hat einen zum Reaktionsraum 606 gerichteten Schlitz 615 zur Absaugung der Materialien. Eine zu einer Vakuumpumpe (nicht gezeigt) führende Vakuumleitung 616 ist dazu an die zweite Düse 614 gekoppelt .
Das Reaktionsraumelement kann in diesem Ausführungsbeispiel auch auf der Düse 604 und/oder der zweiten Düse 614
ausgebildete Führungselemente, z.B. in der Form von Kanten oder Schrägflächen 628 für die Substratabschnitte 608, 610 beinhalten. Optional können die Kanten oder Schrägflächen 628 auch zu Abdichtungen des Reaktionsraums 606 eingerichtet sein . Die Vorrichtung 600 kann in diesem Ausführungsbeispiel außerdem ein Bauteil 618 oberhalb des Substratabschnitts 608 beinhalten. Das Bauteil 618 kann beispielsweise in der Form von einem oder mehreren Elementen einer Gruppe aus einer Belichtungseinheit (beispielsweise ein Reflektor und
Stablampen und/oder ein Leuchtdioden- (LED) -Feld) , Heizung (beispielsweise ein Feld von Keramik-Strahlern (z.B. Fa.
Elstein) , Infrarot- (IR) -Lampen und Reflektor, Heizmatte), Platte mit angekoppeltem Ultraschallerzeuger, Elektrode zur Erzeugung einer (dielektrisch behinderten) Entladung im
Reaktionsraum 606, z.B. Plasma, und Laser zur Strukturierung, sein . Die Vorrichtung 600 kann in diesem Ausführungsbeispiel außerdem ein Bauteil unterhalb des Substratabschnitts 610 beinhalten, hier in der Form eines Lasers 620. Das Bauteil unterhalb des Substratabschnitts 610 in anderen
Ausführungsbeispielen in der Form von einem oder mehreren Elementen einer Gruppe aus einer Belichtungseinheit
(beispielsweise ein Reflektor und Stablampen und/oder ein Leuchtdioden- (LED) -Feld) , Heizung (beispielsweise ein Feld von Keramik-Strahlern (z.B. Fa. Elstein), Infrarot- (IR)- Lampen und Reflektor, Heizmatte) , Platte mit angekoppeltem Ultraschallerzeuger, Elektrode zur Erzeugung einer
(dielektrisch behinderten) Entladung im Reaktionsraum 606, z.B. Plasma, und Laser zur Strukturierung, sein.
In den beschriebenen Ausführungsbeispielen können die
Substrate vorteilhaft zugänglich für zusätzliche
unterstützende Prozesse sein, beispielsweise Heizen (z.B. durch Infrarot (IR) Strahlung), Belichtung (z.B. durch
Ultraviolette (UV) Strahlung), Vibration (z.B. mittels
Ultraschall) oder auch Strukturierung (z.B. mittels Laser). Außerhalb des Reaktionsraums können auch Elektroden auf den Substraten angebracht werden, um Plasmen im Reaktionsraum zu Erzeugen. Alternativ können auch die Einlass- und Auslassdüsen als Elektroden verwendet werden bzw. können Elektroden angebracht sein, die in den Reaktionsraum
hineinragen . Durch diese Optionen können in diversen Ausführungsbeispielen vorteilhaft sowohl thermische als auch photoinduzierte und plasmainduzierte ALD/MLD-Prozesse durchgeführt werden.
In den beschriebenen Ausführungsbeispielen können die
Substrate, z.B. in der Form von Folien, entweder
kontinuierlich oder getaktet bewegt werden, so dass
vorteilhaft ein Rolle-zu-Rolle (' roll-to-roll ' (R2R) ) -Betrieb leicht möglich ist. Außerdem kann der Aufbau in den beschriebenen
Ausführungsbeispielen ermöglichen, dass eine Wartung (z.B. Reinigung von Reaktionsräumen) nach bestimmten Betriebszeiten wesentlich vereinfacht sein kann. Es brauchen vorteilhaft nur die Düsen und eventuell vorhandene seitliche
Abdichtungselemente gereinigt, bzw. durch andere ersetzt zu werden. Wenn z.B. auf die Absaugdüse verzichtet wird, braucht lediglich die Einlassdüse gereinigt bzw. durch eine andere ersetzt zu werden. Dadurch kann es vorteilhaft zu nur kurzem, bzw. praktisch keinem Produktionsstillstand kommen.
In den beschriebenen Ausführungsbeispielen sind bei der
Verwendung der Abstandhalterelemente darüber hinaus ALD/MLD- Prozesse bei Drücken unterhalb des Umgebungsdruckes möglich. In weiteren Ausführungsbeispielen kann der Aufbau mit einer anschließenden Laminiereinrichtung kombiniert werden, z.B. zur Herstellung eines verkapselten und mit einer Schutzfolie versehenen optoelektronischen Bauelements. Außerdem können in weiteren Ausführungsbeispielen mehrere
Einheiten gemäß der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele kombiniert, z.B. übereinander oder hintereinander angeordnet werden. In einem Ausführungsbeispiel können mehrere
Reaktionsraumelemente mit einem gemeinsamen
Materialzufuhrelement (und optional einem gemeinsamen
Materialabfuhrelement) benutzt werden. In einem weiteren Ausführungsbeispiel können mehrere Materialzufuhrelemente (und optional mehrere Materialabfuhrelemente) benutzt werden, um die Materialien zur Beschichtung der Substrate in die jeweiligen Reaktionsräume einzubringen.
Fig.7 zeigt ein Flussdiagramm 700 eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zur Beschichtung von Substraten. In S702 werden einander gegenüberliegende Substratabschnitte eines oder mehrerer Substrate als jeweilige Außenwände eines
Reaktionsraums angeordnet. In S704 wird oder werden ein oder mehrere Materialien in den Reaktionsraum zur Beschichtung der Substrate eingebracht.
Die beschriebenen Ausführungsbeispiele können vorteilhaft einen oder mehrere der folgenden Effekte haben:
• der Reaktionsraum ist im Wesentlichen nur zwisehen den zwei einander gegenüberliegenden Abschnitten der
Substrate ausgebildet;
ein kostengünstiges Verfahren/eine kostengünstige
Vorrichtung zur Erzeugung von dünnen Schichten,
beispielsweise auf flexiblen Substraten, mittels ALD- oder MLD-Prozessen bei hoher Materialausnutzung und kurzen Prozesszeiten;
ein einfacher Aufbau;
die in bestimmten Intervallen notwendige Reinigung kann gegenüber herkömmlichen Systemen weniger aufwendig sein; das Verfahren/die Vorrichtung ist für eine Rolle-zu- Rolle (R2R) Produktion geeignet;
hohe Materialausnutzung durch fast vollständige Bildung des Reaktionsraums aus Substratoberflächen (wenig unerwünschte Beschichtung an anderen Stellen) ;
geringer Gas- und Precursor-Verbrauch durch geringes Prozessvolumen und leicht abschätzbare Dosierung (unnötig hohe Überdosierung der Precursoren kann
vorteilhaft vermieden werden) ;
kurze Zykluszeiten durch geringes Volumen und
vorteilhafte Strömungseigenschaften (schneller
Gasaustausch) können hohe Wachstumsraten ermöglichen: z.B. ungefähr 50 ms/Teilschritt, d.h. ungefähr
200 ms/Zyklus (4 Teilschritte) , also ungefähr
300 Zyklen/min. Bei einem Schichtwachstum von ungefähr 0,1 nm/Zyklus ergibt sich dann eine Wachstumsrate von ungefähr 30 nm/min;
geeignet für R2R-Massenproduktion : z.B. ergibt sich für ungefähr 30 cm breite Substrate und ungefähr 50 cm lange Abschnitte eine Fläche je Substratabschnitt, 0,3 m x 0,5 m = 0,15 m2 , also einer Gesamtfläche von 0,15 m2 x 2 (oben und unten) = 0,3 m2, so dass 0,3 m2 pro Minute mit ungefähr 30 nm beschichtet werden können (entspricht ungefähr 18 m2 /h) ;
durch Zugänglichkeit der Substrate sind Heizen,
Belichtung etc. als Prozessunterstützende bzw.
-induzierende Maßnahmen einfach realisierbar. Auch
Strukturierung z.B. mittels Lasern ist möglich;
einfacher und kostengünstiger Aufbau, vor allem
gegenüber R2R-Spatial-ALD, einfache Wartung;
gegenüber Spatial-ALD einfacher erweiterbar auf
zusätzliche Materialsysteme (z.B. ternäre Verbindungen, beliebig wechselnde Schichtabfolgen etc.). Probleme der Spatial-ALD-Varianten hinsichtlich Kontakt der Substrate mit Beschichtungsköpfen treten vorteilhaft nicht auf; auf mindestens einem der Substrate kann bereits von einem vorhergehenden Schritt eine elektronische
Bauelemente-Struktur (z.B. optoelektronischer Stapel (Stack) ) vorhanden sein, die mit einer
Verkapselungsschicht (Barriere gegen Wasser und
Sauerstoff) versehen und anschließend mit einer
zusätzlichen Barrierefolie als Schutz zusammenlaminiert werden soll. Dies ist bei dem Aufbau gemäß diverser Ausführungsbeispielen nicht komplex, da beide Substrate (z.B. ein Substrat mit, ein Substrat ohne Stack) übereinander zugeführt werden können;
• geringer Platzbedarf bei zahlreichen übereinander
angeordneten Einheiten.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten, aufweisend
• ein Reaktionsraumelement eingerichtet zum Anordnen von Substratabschnitten eines oder mehrerer Substrate als gegenüberliegende Außenwände eines Reaktionsraums; und
• ein Materialzufuhrelement eingerichtet zum
Einbringen eines oder mehrerer Materialien in den Reaktionsraum zur Beschichtung von sich in dem Reaktionsraum gegenüberliegenden Oberflächen der Substratabschnitte .
2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1,
bei der das Reaktionsraumelement zum kontinuierlichen oder getakteten Bewegen der Substratabschnitte
eingerichtet ist.
3. Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2,
bei der das Reaktionsraumelement mindestens zwei Walzen beinhaltet, wobei der Reaktionsraum zwischen den zwei Walzen angeordnet ist.
4. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
• bei der das Reaktionsraumelement mindestens zwei Walzenpaare beinhaltet,
• wobei der Reaktionsraum zwischen den zwei
Walzenpaaren angeordnet ist.
Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das Materialzufuhrelement seitlich entlang des Reaktionsraums angeordnet ist.
Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das Reaktionsraumelement ein Rahmenelement beinhaltet, wobei der Reaktionsraum innerhalb des Rahmenelements angeordnet ist.
7. Vorrichtung gemäß Anspruch 6,
bei der das Materialzufuhrelement an einer Seite des Rahmenelements angeordnet ist.
8. Vorrichtung gemäß Anspruch 6,
bei der das Materialzufuhrelement eine Seite des
Rahmenelements bildet.
Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner aufweisend:
ein Materialabfuhrelement welches zum Absaugen des einen oder der mehreren Materialien aus dem Reaktionsraum eingerichtet ist.
Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das Reaktionsraumelement eine oder mehrere auf dem Materialzufuhrelement ausgebildete Führungselemente beinhaltet .
Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner aufweisend:
eine oder mehrere Elektroden welche zum Erzeugen eines Plasmas in dem Reaktionsraum eingerichtet sind.
Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner aufweisend:
ein Abstandhalterelement welches eingerichtet ist, einen Abstand zwischen den Substratabschnitten im Bereich des Reaktionsraums einzustellen.
13. Vorrichtung gemäß Anspruch 12,
bei der das Abstandhalterelement ein Vakuumelement beinhaltet .
14. Vorrichtung gemäß Anspruch 12,
bei der das Abstandhalterelement mindestens zwei auf gegenüberliegenden Seiten der Substratabschnitte angeordnete Vakuumelemente beinhaltet.
15. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, eine Mehrzahl oder eine Vielzahl von
Reaktionsräumelernenten aufweisend . 16. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, eine Mehrzahl oder eine Vielzahl von
Material zufuhrelementen aufweisend .
Verfahren zur Beschichtung von Substraten, das Verfahre aufweisend :
• Anordnen von Substratabschnitten von einem oder
mehreren Substraten als einander gegenüberliegende Außenwände eines Reaktionsraums; und
• Einbringen eines oder mehrerer Materialien in den Reaktionsraum zur Beschichtung von sich in dem
Reaktionsraum gegenüberliegenden Oberflächen der Substratabschnitte .
Verfahren gemäß Anspruch 17, ferner aufweisend
kontinuierliches oder getaktetes Bewegen der
Substratabschnitte .
Verfahren gemäß Anspruch 17 oder 18, ferner aufweisend: Absaugen des einen oder der mehreren Materialien aus dem Reaktionsräum.
20. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 17 bis 19, ferner aufweisend :
Erzeugen eines Plasmas in dem Reaktionsraum.
21. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 17 bis 20, ferner aufweisend : Einstellen eines Abstands zwischen den
Substratabschnitten im Bereich des Reaktionsraums.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 17 bis 21, ferner aufweisend :
einen oder mehrere Prozesse aus einer Gruppe bestehend aus Heizen, Belichten, Vibrieren, Laminieren und
Strukturieren der Substratabschnitte.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH712199A1 (de) * 2016-03-07 2017-09-15 Fofitec Ag Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten auf einem Substrat und Rollenmaterial mit einem Substrat mit solchen Schichten.
DE102018218008A1 (de) * 2018-10-22 2020-04-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Bildung einer Schicht oder einzelner Cluster eines Materials in und/oder auf einem Substrat

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4694779A (en) * 1984-10-19 1987-09-22 Tetron, Inc. Reactor apparatus for semiconductor wafer processing
US4723507A (en) * 1986-01-16 1988-02-09 Energy Conversion Devices, Inc. Isolation passageway including annular region
US4859493A (en) * 1987-03-31 1989-08-22 Lemelson Jerome H Methods of forming synthetic diamond coatings on particles using microwaves
US4854266A (en) * 1987-11-02 1989-08-08 Btu Engineering Corporation Cross-flow diffusion furnace
US5273911A (en) * 1991-03-07 1993-12-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of producing a thin-film solar cell
DE4324320B4 (de) * 1992-07-24 2006-08-31 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer als dünne Schicht ausgebildeten fotovoltaischen Umwandlungsvorrichtung
DE69331291T2 (de) * 1992-11-13 2002-08-08 Energy Conversion Devices, Inc. Verfahren zur Herstellung einer Sperrbeschichtung mittels plasmaunterstütztem CVD
JPH0863746A (ja) * 1994-08-24 1996-03-08 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法及び装置
DE60101209T2 (de) * 2001-04-27 2004-09-02 European Community Verfahren und Vorrichtung zur sequentiellen Plasmabehandlung
US7736438B2 (en) * 2005-06-01 2010-06-15 Los Alamos National Security, Llc Method and apparatus for depositing a coating on a tape carrier
US7923281B2 (en) * 2006-04-13 2011-04-12 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing method and tools for electroless deposition of thin layers
WO2012132588A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 東レ株式会社 プラズマｃｖｄ装置、プラズマｃｖｄ方法、反応性スパッタリング装置および反応性スパッタリング方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None

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Publication number Publication date
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